WO1996029452A1 - Verfahren zum selektiven oder partiellen elektrolytischen metallisieren von oberflächen von substraten aus nichtleitenden materialien - Google Patents

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WO1996029452A1
WO1996029452A1 PCT/EP1996/001190 EP9601190W WO9629452A1 WO 1996029452 A1 WO1996029452 A1 WO 1996029452A1 EP 9601190 W EP9601190 W EP 9601190W WO 9629452 A1 WO9629452 A1 WO 9629452A1
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metal
metallization
solution
metallized
treatment
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PCT/EP1996/001190
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Inventor
Hermann Middeke
John Mc Caskie
Nayan H. Joshi
Original Assignee
Atotech Deutschland Gmbh
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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/54—Electroplating of non-metallic surfaces
    • C25D5/56—Electroplating of non-metallic surfaces of plastics

Definitions

  • the invention relates to a method for the selective or partial electrolytic metallization of surfaces of substrates made of electrically non-conductive materials, which are attached to holding elements coated with plastics for the following treatment.
  • electroless metallization methods are problematic in particular for the metal coating of plastic parts, for example for sanitary fittings and for automobile construction, and for parts which are used as housings for electrical devices shielded from electromagnetic radiation.
  • relatively large volumes of the treatment solutions are generally carried over from one treatment bath to the next, since these have a shape by which the treatment solution is exhausted when the parts are lifted out of the baths.
  • electroless metallization baths usually contain toxic formaldehyde and complex formers that are difficult to remove, large amounts of these baths are lost during their treatment and have to be disposed of in a complex manner.
  • Sustrat surface is shorter in the case of borehole metallization on printed circuit boards and therefore easier to reach.
  • EP 0 298 298 A2 describes a method for the electrolytic metallization of a non-conductor, in which the non-conductor surface to be metallized is coated with a metal chalcogenide.
  • the metal chalcogenide is formed by treating the surfaces with a palladium colloid containing tin compounds as a protective colloid and subsequent treatment with a soluble metal chalcogenide compound, preferably a metal sulfide.
  • a chalcogenide layer with a sufficiently high electrical conductivity can be formed by means of a special pretreatment for the subsequent metallization of drill holes in printed circuit boards.
  • the conductivity of such a layer is not sufficient for the metallization of large-area non-conductor substrates, since there non-conductive paths must be bridged by the contact points of the power supply.
  • the chalcogenide layer formed in the vicinity of the contact points is destroyed.
  • US-A-39 84 290 discloses a method in which the borehole walls of a circuit board are first treated in a solution containing the compound of a more noble metal than copper, a metal layer being formed on the copper surfaces of the circuit board and the non-conductor surfaces. The metal layer is subsequently removed from the copper surfaces again, and then the metal layer on the non-conductor surfaces and the copper surfaces are electrolytically metallized.
  • the publication DE 37 41 459 C1 discloses a method for producing plated-through circuit boards by direct electrolytic metal deposition on catalytically activated surfaces of the base material, in which the surfaces are electrolytically metallized with a solution containing one or more nitrogen-containing organic compounds, for example polyvinylpyrrolidone , 2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidone, pyridinium propylsulfobetaine or a polymeric, polyquaternary ammonium chloride, can be pretreated.
  • a solution containing one or more nitrogen-containing organic compounds for example polyvinylpyrrolidone , 2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidone, pyridinium propylsulfobetaine or a polymeric, polyquaternary ammonium chloride
  • EP 0 456 982 A1 discloses a method for the electrolytic metallization of a substrate, in which the substrate surfaces are first catalyzed, for example, in a solution comprising a palladium colloid solution stabilized with tin compounds, and then the tin compounds are removed from the substrate surface in a known manner , the solution used for this additionally contains the compound of a metal that is more noble than tin, and the surfaces are then electrolytically metallized.
  • a first conductive layer for subsequent electrolytic metallization is formed from conductive polymers by first treating the nonconductive surfaces with a permanganate solution so that manganese dioxide is deposited on the treated areas, containing the printed circuit board after rinsing off excess treatment solution into a solution a monomer from the group of pyrroles, furans or thiophenes, is immersed and the substrate is then brought into contact with an acidic solution, a conductive polymer layer being formed on the borehole walls from the liquid film containing the monomer. This can then be directly electrolytically metallized.
  • German laid-open specification 39 07 789 A1 specifies a method for depositing an electrically conductive layer on an electrically non-conductive surface, in which an electrically conductive base layer is firstly produced on the surface by electroless chemical polymerization from at least one conductive polymer on the surface is generated and then another electrically conductive layer, for example another conductive polymer layer or a metal layer, is deposited.
  • an electrically conductive base layer is firstly produced on the surface by electroless chemical polymerization from at least one conductive polymer on the surface is generated and then another electrically conductive layer, for example another conductive polymer layer or a metal layer, is deposited.
  • another electrically conductive layer for example another conductive polymer layer or a metal layer
  • the conductive polymer layers formed on the surfaces have a sufficiently high conductivity only a short time after their production. After that, it quickly falls off, so that large-area metallization is not possible anyway.
  • EP 0 61 6 053 A1 discloses a method for the direct metallization of non-conductive surfaces, in which the surfaces are initially coated with a
  • Cleaner / conditioning solution then with an activator solution, for example a palladium colloid solution, stabilized with tin compounds, and then treated with a solution containing compounds of a metal that is more noble than tin, as well as an alkali hydroxide and a complexing agent.
  • an activator solution for example a palladium colloid solution
  • tin compounds stabilized with tin compounds
  • a solution containing compounds of a metal that is more noble than tin as well as an alkali hydroxide and a complexing agent.
  • the surfaces can then be treated in a solution containing a reducing agent and finally metallized.
  • the present invention is therefore based on the problem of avoiding the disadvantages of the prior art and a method for the selective or partial electrolytic metallization of surfaces of substrates made of electrically non-conductive materials which are fastened to holding elements, for example supporting frames, which are coated with plastic on the outside, to find.
  • the process according to the invention comprises the process steps: a) pretreating the surfaces by means of an etching solution containing chromium (VI) oxide, b) then treating the surfaces with a colloidal acidic solution of palladium / tin compounds, avoiding prior contact with adsorption-promoting solutions,
  • the substrate surfaces can be rinsed between some or all of the process steps.
  • conditioning solutions are used as adsorption-promoting solutions, in particular in the manufacture of printed circuit boards.
  • These are usually aqueous solutions in which in particular polyelectrolytes, such as polycationic polymers, with a molecular weight above 10,000 g / mol are contained.
  • the holding elements can be returned directly to the production cycle without further treatment and can be used to metallize further non-conductive substrates with them pieces. If metals have deposited on the contact tips / metal tips during the metallization, these must be removed from time to time to avoid contact problems and contamination of the bath. No additional cleaning and etching steps are required to demetallize the frame parts located away from the contact tips. This also reduces the effort for wastewater disposal. In addition, fewer chemicals are used. The productivity of the metallization system is also increased, since a larger number of substrates to be metallized can be treated with a given number of holding elements.
  • Parts of the surfaces are covered with a suitable material. Since this material is also not coated when the method according to the invention is carried out, subsequent removal of the material is very easily possible without damaging the metal layers on the metallized substrate in the event of a treatment which may be required for the selective removal of the metal deposited there.
  • the method is particularly suitable for three-dimensionally structured, electrically non-conductive molded parts, the envelope surface of which is the smallest possible surface of an object, is significantly smaller than its surface, for example for plastic parts for sanitary areas, automotive engineering, or for electrically shielded housings, because whose disadvantage, the
  • Exploiting treatment solutions from the baths is often unsatisfactory in practice. Due to the direct electrolytic metallization in the process according to the invention without preceding electroless metallization, smaller amounts of toxic and complexing agent-containing wastewater are produced than with conventional processes for plastic metallization.
  • the method according to the invention is therefore generally less expensive, less complex and more environmentally friendly than the methods known from the prior art.
  • Particularly preferred treatment agents additionally contain alkalizing agents, such as, for example, alkali hydroxides or tetraalkylammonium hydroxides.
  • the solutions can be used at room temperature or at an elevated temperature.
  • the surfaces to be metallized are pretreated in an etching solution.
  • This is usually a solution containing chromic acid, which may also contain sulfuric acid. Solutions containing 360 g of chromium are preferred. VI) oxide and 360 g of concentrated sulfuric acid in one liter of water.
  • the Lö solution is heated to a temperature of, for example, 60 ° C. for the treatment.
  • the treatment time is from 2 to 16 minutes.
  • permanganate solutions can also be used instead of chromic acid-containing solutions, for example containing 100 g / l to 150 g / l sodium permanganate and 30 g / l to 60 g / l sodium hydroxide in aqueous solution. After a rinsing treatment, adhering to the substrate surfaces
  • chrome. VI compounds reduced to chromium (III) compounds.
  • manganese oxide precipitates are also removed reductively.
  • an acidic aqueous solution of sodium hydrogen sulfite can preferably be used.
  • other reducing agents such as hydroxylamine are also suitable.
  • the substrate can be treated in a solution of 300 ml / l of concentrated hydrochloric acid or another mineral acid, such as, for example, concentrated sulfuric acid, in an aqueous solution.
  • This treatment is useful in order not to continuously dilute the activator solution with which the substrate is subsequently treated with rinse water. Since the activator also contains tin compounds in addition to palladium, the mineral acid treatment solution can additionally also contain these tin compounds. This will partially compensate for the carryover losses.
  • the treatment time in this pre-immersion solution can be varied within a wide range. It is only important that the surfaces of the substrate are completely wetted. Any bath temperature can be set.
  • the success of the method is presumably due to the fact that the adsorption of palladium particles from a colloid solution is used to cover the non-conductive surface with a large number of palladium particles occupy. Since the palladium particles originate from a colloidal solution, they are surrounded by a protective colloid shell after adsorption, which prevents the electrical conductivity of the deposited palladium layer.
  • the activator usually consists of a mineral acid and preferably hydrochloric acid aqueous solution of a palladium colloid.
  • the palladium content in the solution can be set in a range from about 50 mg / l to about 500 mg / 1 solution, in particular between about 1 50 mg / l and 250 mg / l solution.
  • a palladium salt is used to make the colloid.
  • tin (II) salt is added to the solution, which is partially oxidized to tin (IV) compounds in the reaction of the tin (II) salt with palladium salt.
  • the tin content of the solution can be set in the range from 2 g / l to 50 g / l solution, preferably between 10 g / l and 25 g / l solution.
  • the colloid solutions are prepared by the method described in US-A-30 1 1 920 and US-A-36 82 671.
  • the concentration range of the hydrochloric acid is between 2% by weight and 30% by weight, preferably between 5% by weight and 15% by weight in water.
  • the activator should be strongly hydrochloric acid. With hydrochloric acid contents below 0.5 mol / l solution, insufficient palladium is no longer adsorbed on the surface from the activator in order to achieve rapid metal growth during the metallization. After the activator treatment, the substrate is rinsed again.
  • the reducibility of the tin (II) compounds is used in order to reduce the ions to metal, preferably to metallic copper, from a solution containing metal ions, in the subsequent treatment step, and in this way between the
  • a copper compound is used as the metal compound in this solution.
  • silver, gold, palladium and other noble metals are also suitable, for example.
  • Suitable copper compounds are all compounds which are particularly soluble in aqueous media, for example salts, such as copper sulfate and copper acetate.
  • the concentration of the metal is set in the range from 0.1 g / l to 50 g / l aqueous solution and preferably from 0.5 g / l to 15 g / l solution.
  • the solution containing metal ions is preferably alkaline.
  • the solution contains an alkali or alkaline earth metal hydroxide and also a complexing agent for the metal.
  • Lithium hydroxide in particular, has proven to be favorable as the alkali metal hydroxide.
  • other hydroxides such as sodium, potassium, magnesium, calcium or barium hydroxide, are in principle also suitable.
  • Their concentration is in the range from 0.1 mol / l to 3 mol / l aqueous solution, preferably in the range from 0.5 mol / liter to 1.5 mol / liter solution.
  • the complexing agent also contained serves to keep the metal dissolved in the alkaline solution. Therefore, this must be sufficiently large
  • the operating temperature of the solution containing the metal ions can be set in the entire practical range, but preferably in the range from 30 ° C. to 65 ° C. and in a preferred embodiment between 50 ° C. and 60 ° C. After the treatment with the solution containing metal ions, the substrate is rinsed again.
  • the first reduction of the metal ions can be supported by a further reduction step.
  • the substrate is brought into contact with a further solution which contains reducing agents.
  • reducing agents Basically, all reducing agents can be used.
  • boron / hydrogen compounds have been found to be the cheapest.
  • sodium borohydride in an alkaline solution or dimethylamine borane in an alkaline or weakly acidic solution are particularly suitable in order to further improve the conductivity of the metal layer produced, so that in particular large non-conductive substrate surfaces can be metallized well.
  • the substrate is then rinsed again in order to completely remove residues of the reducing agent from the substrate surface.
  • the extremely thin layer has a sufficiently high electrical conductivity for the subsequent electrolytic metallization.
  • All electrodepositable metals can be deposited directly on the substrate surface pretreated by the process without further electroless metallization.
  • copper, nickel, palladium and other noble metals are suitable for this. Further metals can be deposited on these metals.
  • Such dielectric layers can also be applied to the surface of the substrate before each of the treatment steps described above, in order to prevent the metallization at this point.
  • bodies made of acrylonitrile / butadiene / styrene copolymers or mixtures thereof with other non-conductive materials are used as substrates tallized.
  • chromium (VI) ion-containing pretreatment solutions substrates made of polyvinyl chloride in particular are hardly attacked. Therefore, for example, holding elements, such as support frames, can be coated with this material during the electrolytic metallization of plastics in order to avoid their metallization during the electrolytic treatment.
  • the substrates are brought into contact with the treatment solutions by immersion, spraying, splashing or spraying.
  • the following examples serve to explain the invention:
  • a suitable metal frame was covered with a plastic based on polyvinyl chloride (Tegumit, product from Atotech GmbH, Berlin,
  • the molded part including the frame was then immersed in a commercially available sulfuric acid copper metallization bath.
  • a uniformly shiny copper layer was deposited exclusively on the ABS molded parts within one hour at a current density of 2 A / dm 2 .
  • No copper deposits were found on the support frames covered with polyvinyl chloride.
  • the metal layers had an adhesive strength of more than 1 N / mm in the peel test according to the DE standard DIN.
  • Example 1 The process described in Example 1 was repeated, but in process step 6 with a nickel bath (Watts type) instead of the sulfuric copper bath. The same result was achieved with regard to the selectivity of the process and also with regard to the adhesive strength of the deposited metal layer.
  • a nickel bath Watts type
  • Example 4 The polyester layer was not metallized.
  • a molded part (telephone housing), which in a so-called two-shot process in the injection molding process partly made of ABS-containing plastic (Cycoloy C 1 100 from General Electric Plastics, Rüsselsheim, Germany) and partly made of a polyamide (Noryl GTX924 from General Electric
  • Example 2 Analogously to Example 1, a frame with attached ABS molded parts was immersed in a solution heated to 45 ° C. for two minutes before conditioning after process step 3 (pre-immersion) to condition the ABS surfaces 1 g of the polymer luresin KNU (product from BASF, Ludwigshafen, Germany) contained per liter of aqueous solution. After this treatment step, both the ABS surfaces and the tegumite surface of the frame were metallized.
  • the molded part was then rinsed with a commercially available copper metallization electrolyte (Cupracid HT from Atotech Germany
  • ABS molded parts were treated analogously to the test described in Example 1.
  • the surface conductivity of the layer formed before the metallization was measured. After the treated molded part was rinsed and dried, a resistance measurement was carried out with two measuring electrodes which were pressed onto the treated molded part surface at a distance of 1 cm.
  • the lateral progression of the copper layer was also determined.
  • a surface conductivity of approximately 50 ⁇ Siemens ( ⁇ S) was measured.
  • a metallized surface was formed on the molded parts, the metallization front having moved 9 cm from the contact point of the molded part within 1.5 minutes.
  • Fig. 1 shows the conductivity in ⁇ S and the growth of the metal front in cm after 1.5 minutes (process step 6) metallization time as a function of the concentration of hydrochloric acid (mol / I) in the activator (process step 4).
  • the empirical values show that the conductivity increases almost linearly with the acid concentration, while the metal deposition rate, after a steep increase above a minimum concentration, cannot be increased in proportion to the concentration.
  • Example 7 was repeated and the samples were examined depending on different parameters.
  • Table 1 shows the spread of the metal front from two samples up to a metallization time of 2.5 minutes at a galvanizing voltage of 0.6 volt.
  • Table 2 shows the calculated growth rate (cm / min) from a large number of samples metallized at different electroplating voltages at different times since the start of metallization.
  • Table 3 and Figure 2 show that the growth rate is dependent on the bath temperature during the treatment according to process step c) in claim 1 and step 5 in examples 1 and 8, respectively.

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum selektiven oder partiellen elektrolytischen Metallisieren von Oberflächen von Substraten aus elektrisch nichtleitenden Materialien, welche für die Metallisierung an mit Kunststoffen beschichteten Halteelementen befestigt werden. Das Verfahren umfaßt die Schritte: a) Vorbehandeln der Oberflächen mittels einer Chrom(VI)-oxid enthaltenden Ätzlösung, b) anschließend Behandeln der Oberflächen mit einer kolloidalen sauren Lösung von Palladium-/Zinnverbindungen, unter Vermeidung eines vorherigen Kontaktes mit adsorptionsfördernden Lösungen, c) Behandeln der Oberflächen mit einer Lösung, enthaltend eine mittels Zinn(II)-Verbindungen reduzierbare lösliche Metallverbindung, ein Alkali- oder Erdalkalimetallhydroxid und einen Komplexbildner für das Metall in einer mindestens die Ausfällung von Metallhydroxiden verhindernden Menge, d) Behandeln der Oberflächen mit einer Lösung zum elektrolytischen Metallisieren. Mit dem Verfahren ist es möglich, daß nur die Werkstückoberflächen metallisiert werden, nicht jedoch die Halteelemente oder gegebenenfalls auf den Werkstücken partiell aufgebrachte nichtleitende Kunststoffschichten. Ferner können mit diesem Verfahren auch großflächige Kunststoffoberflächen ohne vorherige stromlose Metallisierung direkt elektrolytisch metallisiert werden.

Description

Verfahren zum selektiven oder partiellen elektrolytischen Metallisieren von Oberflächen von Substraten aus nichtleitenden Materialien
Beschreibung:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum selektiven oder partiellen elektrolytischen Metallisieren von Oberflächen von Substraten aus elektrisch nichtleitenden Materialien, welche für die folgende Behandlung an mit Kunststoffen beschichteten Halteelementen befestigt werden.
Zur Beschichtung von Nichtleiteroberflächen sind verschiedene Verfahren bekannt. Bei naßchemischen Verfahren werden die zu metallisierenden Oberflächen nach einer geeigneten Vorbehandlung entweder zunächst katalysiert und anschließend stromlos und danach gegebenfalls elektrolytisch metallisiert oder direkt elektrolytisch metallisiert. Verfahren nach der ersten Variante mit stromloser Metallisierung haben sich jedoch als nachteilig herausgestellt, da die Prozeßführung des stromlosen Metallisierungsbades schwierig ist, die Behandlung des Abwassers aus diesem Bad aufwendig und teuer und der Prozeß durch die geringe Abscheidungsgeschwindigkeit des Metallisierungsbades lang und damit ebenfalls teuer ist.
Insbesondere für die Metallbeschichtung von Kunststoffteilen, beispielsweise für Sanitätarmaturen und für den Automobilbau, sowie von Teilen, die als gegen elektromagnetische Strahlung abgeschirmte Gehäuse für elektrische Geräte verwendet werden, sind die stromlosen Metallisierungsverfahren problematisch. Bei der Behandlung derartiger Formteile werden im allgemeinen relativ große Volumia der Behandlungslösungen von einem Behandlungsbad in das nächste verschleppt, da diese eine Form aufweisen, durch die die Behand lungslösung beim Ausheben der Teile aus den Bädern ausgeschöpft wird. Da stromlose Metallisierungsbäder üblicherweise giftiges Formaldehyd und nur schwer entfernbare Komplexbildner in erheblichen Mengen enthalten, gehen bei deren Behandlung große Mengen dieser Bäder verloren und müssen aufwendig entsorgt werden.
Daher wurde eine Reihe von Metallisierungsverfahren entwickelt, mit denen die nichtleitenden Oberflächen ohne stromlose Metallisierung direkt mit Metall beschichtet werden konnten. Derartige Verfahren werden jedoch insbesondere für die Metallisierung der Bohrlochwände in Leiterplatten beschrieben. Die direkte elektrolytische Metallisierung bei der Bohrlochmetallisierung ist gegenüber einer Metallbeschichtung von anderen Kunststoffteilen wie, beispielsweise Sanitärarmaturen oder mit gegenüber Platten ausgeprägter dreidimensionaler Kontur jedoch wesentlich einfacher, da kleinere Flächen zu metallisieren sind. Die bei der Metallisierung zu überwindenden Strecken der nichtleitenden
Sustratoberfläche ist im Falle der Bohrlochmetallisierung an Leiterplatten kürzer und daher leichter erreichbar.
In EP 0 298 298 A2 wird ein Verfahren zum elektrolytischen Metallisieren eines Nichtleiters beschrieben, bei dem die zu metallisierende Nichtleiteroberfläche mit einem Metallchalcogenid beschichtet wird. Das Metallchalcogenid wird durch Behandeln der Oberflächen mit einem Palladiumkolloid, enthaltend Zinnverbindungen als Schutzkolloid, und nachfolgende Behandlung mit einer löslichen Metallchalcogenid-Verbindung, vorzugsweise einem Metallsulfid, gebildet.
Ein ähnliches Verfahren ist in der Druckschrift US-A-49 1 9 768 offenbart. Dort ist ein Verfahren beschrieben, bei dem die Nichtleiteroberfläche zunächst mit einem Zinn(II)-Salz behandelt wird, anschließend mit einem gelösten Sulfid und danach mit einer Lösung, enthaltend Salzsäure und ein Palladiumsalz. Anschließend wird die vorbehandelte Oberfläche elektrolytisch metallisiert. In EP 0 320 601 A2 ist ein Verfahren zum Metallisieren von Nichtleitern beschrieben, bei dem die Nichtleiteroberflächen zunächst mit einer Permanganatlösung behandelt werden, wobei sich auf diesen nichtlösliches Mangandioxid bildet. Anschließend wird die Mangandioxid-Schicht durch Behandlung mit einer Chalcogenverbindungen, vorzugsweise Schwefelverbindungen, enthaltenden Lösung umgewandelt. Danach kann eine Metallschicht elektrolytisch abgeschieden werden.
Mit den genannten Verfahren kann zwar eine Chalcogenidschicht mit ausreichend hoher elektrischer Leitfähigkeit mittels einer speziellen Vorbehandlung zur nachfolgenden Metallisierung von Bohrlöchern in Leiterplatten gebildet werden. Jedoch reicht die Leitfähigkeit einer derartigen Schicht nicht für die Metallisierung von großflächigen Nichtleitersubstraten aus, da dort zu große nichtleitende Wege von den Kontaktstellen der Stromzuführung überbrückt werden müssen. Beim Metallisieren wird die gebildete Chalcogenidschicht in der Nähe der Ankontaktierungsstellen zerstört.
In US-A-39 84 290 wird ein Verfahren offenbart, bei dem die Bohrlochwände einer Leiterplatte zunächst in einer Lösung, enthaltend die Verbindung eines edleren Metalles als Kupfer, behandelt wird, wobei sich eine Metallschicht auf den Kupferoberflächen der Leiterplatte und den Nichtleiteroberflächen ausbildet. Nachfolgend wird die Metallschicht von den Kupferoberflächen wieder entfernt, und anschließend werden die Metallschicht auf den Nichtleiteroberflächen und die Kupferoberflächen elektrolytisch metallisiert.
Ein weiteres Verfahren zum direkten elektrolytischen Metallisieren ist in DE 33 23 476 C2 beschrieben. Die nichtmetallischen zu metallisierenden Gegenstände werden zunächst mit einer Lösung, enthaltend ein edles Metall, beispielsweise mit einem mit Zinnverbindungen stabilisierten Palladiumaktivator, behandelt und anschließend in einem Metallisierungsbad elektrolytisch beschichtet. In dem Metallisierungsbad sind geeignete organische Additive enthalten, mit denen eine bevorzugte Metallabscheidung auf den im vorangehenden Pro zeßschritt gebildeten Metallschichten auf den Nichtleiterbereichen gefördert wird.
In der Druckschrift DE 37 41 459 C1 ist ein Verfahren zur Herstellung durchkontaktierter Leiterplatten durch direkte elektrolytische Metallabscheidung auf katalytisch aktivierten Oberflächen des Basismaterials offenbart, bei dem die Oberflächen vor dem elektrolytischen Metallisieren mit einer Lösung, die eine oder mehrere stickstoffhaltige, organische Verbindungen, beispielsweise Polyvinylpyrrolidon, 2,2,6,6-Tetramethyl-4-piperidon, Pyridiniumpropylsulfobetain oder ein polymeres, polyquaternäres Ammoniumchlorid, enthält, vorbehandelt werden.
In EP 0 456 982 A1 ist ein Verfahren zum elektrolytischen Metallisieren eines Substrats offenbart, bei dem die Substratoberflächen zunächst beispielsweise in einer Lösung, enthaltend eine Palladium-Kolloidlösung, stabilisiert mit Zinnverbindungen, katalysiert wird, anschließend in bekannter Weise die Zinnverbindungen von der Substratoberfläche entfernt werden, wobei die hierfür verwendete Lösung zusätzlich die Verbindung eines Metalls enthält, das edler als Zinn ist, und die Oberflächen anschließend elektrolytisch metallisiert werden.
Auch mit diesen Verfahren ist es lediglich möglich, Bohrlochwände in Leiterplatten zu metallisieren, da die Leitfähigkeit der gebildeten Schicht nicht ausreicht, um auch größere nichtleitende Flächen zu metallisieren. Ein völlig anderes Verfahren ist in WO 89/08375 A1 beschrieben. Das Verfahren dient ebenfalls zur Herstellung von durchkontaktierten Leiterplatten. Jedoch wird eine erste leitfähige Schicht zum nachfolgenden elektrolytischen Metallisieren aus leitfähigen Polymeren gebildet, indem die nichtleitenden Oberflächen zunächst mit einer Permanganat-Lösung behandelt werden, so daß sich auf den behandelten Bereichen Mangandioxid niederschlägt, die Leiterplatte nach dem Abspülen überschüssiger Behandlungslösung in eine Lösung, enthaltend ein Monomer aus der Gruppe der Pyrrole, Furane oder Thiophene, eingetaucht wird und das Substrat anschließend mit einer sauren Lösung in Kontakt gebracht wird, wobei sich aus dem das Monomere enthaltenden Flüssigkeitsflim an den Bohrlochwänden eine leitfähige Polymerschicht bildet. Diese kann anschließend direkt elektrolytisch metallisiert werden.
In der deutschen Offenlegungsschrift 39 07 789 A1 ist ein Verfahren zur Abscheidung einer elektrisch leitenden Schicht auf einer elektrisch nichtleitenden Oberfläche angegeben, bei dem auf der Oberfläche zunächst eine elektrisch leitende Basisschicht, die durch eine stromlose chemische Polymerisation aus mindestens einem leitfähgen Polymeren auf der Oberfläche hergestellt wird, erzeugt wird und anschließend eine weitere elektrisch leitende Schicht, beispielsweise eine weitere leitfähige Polymerschicht oder eine Metallschicht, abgeschieden wird. Mit diesem Verfahren können auch Substrate mit größeren nichtleitenden Oberflächen direkt elektrolytisch metallisiert werden, wenn die vorgenannte Verfahrensweise mehrfach wiederholt wird. Dies ist jedoch nicht praktikabel, da es zu außerordentlich langen Prozeßzeiten führt.
Darüber hinaus weisen die auf den Oberflächen gebildeten leitfähigen Polymerschichten nur kurze Zeit nach deren Herstellung eine ausreichend hohe Leitfähigkeit auf. Danach fällt diese schnell ab, so daß eine großflächige Metallisierung ohnehin nicht möglich ist.
In EP 0 61 6 053 A1 ist ein Verfahren zum direkten Metallieren von nichtleitenden Oberflächen offenbart, bei dem die Oberflächen zunächst mit einer
Reiniger/Konditionier-Lösung, danach mit einer Aktivatorlösung, beispielsweise einer Palladium-Kolloidlösung, stabilisiert mit Zinnverbindungen, und anschließend mit einer Lösung behandelt werden, die Verbindungen eines Metalls enthält, das edler als Zinn ist, sowie ein Alkalihydroxid und einen Komplexbildner. Danach können die Oberflächen in einer ein Reduktionsmittel enthaltenden Lösung behandelt und schließlich elektrolytisch metallisiert werden.
Mit den bekannten Verfahren ist meist nur eine direkte elektrolytische Metalli sierung kleiner Flächen, z. B. Bohrlochwandungen von Leiterplatten, möglich; eine Metallisierung großer Kunststoffoberflächen scheitert in den meisten Fällen an der mangelnden Metallisierbarkeit der Schichten, die auf den nichtleitenden Oberflächen gebildet werden.
Für die großtechnische Anwendung der direkten elektrolytischen Metallisierung von Kunststoffteilen, die stark strukturiert wie z. B. Kämme oder dreidimensional mit wesentlicher Erstreckung in die dritte Dimension ausgebildet sind, z. B. Kaffeekannen, Telefonhörer, Wasserleitungsarmaturen, müssen die Werkstükke an Traggestellen befestigt werden, die bei dem Metallisierungsverfahren nicht beschichtet werden dürfen, weil diese metallische Schicht zu Produktionsstörungen führt. Andernfalls müssen die Metallschichten von den Traggestellen nach der Beschichtung der Werkstücke wieder entfernt werden. Dies bedeutet einen zusätzlichen Aufwand für das Entschichten, verbunden mit dem Verbrauch von Chemikalien. Überdies ist die Produktivität der Metallisierungsanlage in diesem Falle geringer, da die Gestelle vor dem erneuten Bestükken mit Werkstücken erst entmetallisiert werden müssen.
Der vorliegenden Erfindung liegt von daher das Problem zugrunde, die Nachteile des Standes der Technik zu vermeiden und ein Verfahren zum selektiven oder partiellen elektrolytischen Metallisieren von Oberflächen von Substraten aus elektrisch nichtleitenden Materialien, die an außenseitig mit Kunststoff überzogenen Halteelementen, beispielsweise Traggestellen, befestigt sind, zu finden.
Das Problem wird gelöst durch Ansprüche 1 , 7 und 8. Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Das erfindungsgemäße Verfahren umfaßt die Verfahrensschritte: a) Vorbehandeln der Oberflächen mittels einer Chrom (Vl)-oxid haltigen Ätzlösung, b) anschließend Behandeln der Oberflächen mit einer kolloidalen sauren Lösung von Palladium- / Zinnverbindungen, unter Vermeidung eines vorherigen Kontaktes mit adsorptionsfördernden Lösungen,
c) Behandeln der Oberflächen mit einer Lösung, enthaltend eine mittels Zinn(II)-Verbindungen reduzierbare lösliche Metallverbindung, ein Alkali- oder Erdalkalimetallhydroxid und einen Komplexbildner für das Metall in einer mindestens die Ausfällung von Metallhydroxiden verhindernden Menge,
d) Behandeln der Oberflächen mit einer Lösung zum elektrolytischen
Metallisieren.
Zwischen einigen oder allen Verfahrensschritten können die Substratoberflächen gespült werden.
Als adsorptionsfördernde Lösungen werden nach dem Stand der Technik insbesondere bei der Leiterplattenherstellung sogenannte Konditionierlösungen verwendet. Hierbei handelt es sich meist um wäßrige Lösungen, in denen insbesondere Polyelektrolyte, wie beispielsweise polykationische Polymere, mit einem Molekulargewicht oberhalb von 10.000 g/Mol enthalten sind.
Nach der Behandlung der nichtleitenden Oberflächen mit einer solchen Konditionierungslösung werden nicht nur die - wie gewünscht - zu metallisierenden Kunststoffoberflächen mit Metall beschichtet, sondern auch - überflüssigerweise - die außenseitig mit Kunststoffen überzogenen Halteelemente.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es dagegen nicht erforderlich, die Halteelemente nach dem Gebrauch wieder vom Metall zu befreien, da die Substrate nicht mit einer Konditionierungslösung in Kontakt gebracht werden. Vielmehr können die Halteelemente nach dem Metallisieren der Substratoberflächen und Entnehmen der metallisierten Substrate ohne weitere Behandlung unmittelbar wieder in den Produktionskreislauf zurückgeführt werden und unmittelbar zur Metallisierung weiterer nichtleitender Substrate mit diesen be stückt werden. Sollten sich auf den Kontaktspitzen/Metallspitzen während der Metallisierung Metalle abgelagert haben, sind diese von Zeit zu Zeit zu entfernen, um Kontaktprobleme und Badverunreinigungen zu vermeiden. Es sind keine zusätzlichen Reinigungs- und Ätzschritte zum Entmetallisieren der abseits der Kontaktspitzen liegenden Gestellteile erforderlich. Dadurch wird auch der Aufwand für die Abwasserentsorgung reduziert. Außerdem werden weniger Chemikalien verwendet. Auch die Produktivität der Metallisierungsanlage wird gesteigert, da bei gegebener Anzahl von vorhandenen Halteelementen eine größere Anzahl von zu metallisierenden Substraten behandelt werden kann.
Voraussetzung ist allerdings, daß vor der Behandlung der Substrate mit dem Aktivator, diese keinesfalls mit Mitteln in Berührung kommen, die eine Adsorption der kolloidalen Teilchen fördern.
Neben den dem Fachmann bekannten Lösungen ist hier vor allen Dingen auf eventuell verunreinigte Spülwässer zu achten, insbesondere wenn Kreislaufwässer in der Fabrik benutzt werden.
Verschleppungen aus Konditionierungsbädern paralleler Fertigungsanlagen in diesen Wasserkreislauf sind ebenso zu vermeiden wie der Eintrag von Mitteln, die wie die adsorptionsfördernden Polyelektrolyten wirken können. Daher ist auch die parallele Verwendung von Gestellen sowohl für die Leiterplattenfertigung als auch für den erfindungsgemäßen Zweck nicht sinnvoll.
Ein weiterer Vorteil des Verfahrens besteht darin, daß die Oberflächen der zu metallisierenden Substrate auch partiell metallisiert werden können, indem
Teile der Oberflächen mit einem geeigneten Material abgedeckt werden. Da auch dieses Material bei der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens nicht beschichtet wird, ist eine nachträgliche Entfernung des Materials sehr leicht möglich, ohne bei einer eventuell erforderlichen Behandlung zur selektiven Entfernung des dort abgeschiedenen Metalls die Metallschichten auf dem metallisierten Substrat zu beschädigen. Das Verfahren ist insbesondere für dreidimensional strukturierte elektrisch nichtleitende Formteile, deren Hüllfläche, das ist die kleinstmögliche Fläche einer Umhüllung eines Objektes, wesentlich kleiner ist als deren Oberfläche, beispielsweise für Kunststoffteile für den Sanitärbereich, den Automobilbau, oder für elektrisch abzuschirmende Gehäusea , geeignet, da deren Nachteil, die
Behandlungslösungen aus den Bädern auszuschöpfen, in der Praxis häufig nur unbefriedigend vermieden werden kann. Durch die direkte elektrolytische Metallisierung im erfindungsgemäßen Verfahren ohne vorangehende stromlose Metallisierung fallen geringere Mengen von giftigen und Komplexbildner enthaltenden Abwässern an als mit herkömmlichen Verfahren zur Kunststoffmetallisierung.
Daher ist das erfindungsgemäße Verfahren insgesamt kostengünstiger, weniger aufwendig und umweltfreundlicher als die nach dem Stande der Technik bekannten Verfahren.
Unter dem Fachmann bekannten Umständen kann es erforderlich sein, je nach zu metallisierendem Substrat, vor Beginn des erfindungsgemäßen Verfahrens zunächst in einem organischen Lösemittel, wie beispielsweise einem
Diethylenglykol- oder Ethylenglykol-Derivat, Dimethylformamid oder in anderen polaren oder unpolaren Lösemitteln, das Substrat anzuquellen. Diese Lösemittel können auch im Gemisch mit Wasser verwendet werden. Besonders bevorzugte Behandlungsmittel enthalten zusätzlich Alkalisierungsmittel, wie beispielsweise Alkalihydroxide oder Tetraalkylammoniumhydroxide. Die Lösungen können je nach der Art des zu behandelnden Substrats bei Raumtemperatur oder bei einer erhöhten Temperatur eingesetzt werden.
Erfindungsgemäß werden im Verfahrensschritt a) die zu metallisierenden Oberflächen in einer Ätzlösung vorbehandelt. Üblicherweise handelt es sich hierbei um eine Chromsäure enthaltende Lösung, die zusätzlich auch Schwefelsäure enthalten kann. Bevorzugt werden Lösungen, die 360 g Chrom . VI)-oxid und 360 g konzentrierte Schwefelsäure in einem Liter Wasser enthalten. Die Lö sung wird für die Behandlung auf eine Temperatur von beispielsweise 60 °C aufgeheizt. Je nach zu metallisierendem nichtleitendem Substrat beträgt die Behandlungszeit von 2 bis 1 6 Minuten. Für bestimmte Substratmaterialien sind anstelle von chromsäurehaltigen Lösungen auch Permanganat-Lösungen einsetzbar, beispielsweise enthaltend 100 g/l bis 1 50 g/l Natriumpermanganat und 30 g/l bis 60 g/l Natriumhydroxid in wäßriger Lösung. Nach einer Spülbehandlung werden an den Substratoberflächen anhaftende
Chrom . Vl)-Verbindungen zu Chrom (III)-Verbindungen reduziert. Bei einer Permanganatbehandlung werden Manganoxid-Niederschläge ebenfalls reduktiv entfernt. Hierzu kann vorzugsweise eine saure wäßrige Lösung von Natriumhydrogensulfit verwendet werden. Jedoch sind auch andere Reduktionsmittel, wie beispielsweise Hydroxylamin, geeignet.
Nach einer weiteren Spülbehandlung kann das Substrat in einer Lösung aus 300 ml/l konzentierter Salzsäure oder einer anderen Mineralsäure, wie beispielsweise konzentrierter Schwefelsäure, in wäßriger Lösung behandelt werden. Diese Behandlung ist sinnvoll, um die Aktivatorlösung, mit der das Substrat anschließend behandelt wird, nicht durch Spülwasser fortwährend zu verdünnen. Da der Aktivator neben Palladium- auch Zinnverbindungen enthält, kann die Mineralsäure-Behandlungslösung zusätzlich auch diese Zinnverbindungen enthalten. Dadurch werden die Verschleppungsverluste teilweise kompensiert. Die Behandlungszeit in dieser Vortauchlösung kann in weiten Bereichen variiert werden. Wichtig ist lediglich, daß die Oberflächen des Substrats vollständig benetzt werden. Es können beliebige Badtemperaturen eingestellt werden. Der Erfolg des Verfahrens beruht vermutlich auf der Tatsache, daß die Adsorption von Palladium-Teilchen aus einer Kolloidlösung ausgenutzt wird, um die nichtleitende Oberfläche mit einer großen Anzahl von Palladium-Teilchen zu belegen. Da die Palladium-Teilchen aus einer kolloidalen Lösung stammen, sind diese nach der Adsorption mit einer Schutzkolloidhülle umgeben, die die elektrische Leitfähigkeit der abgeschiedenen Palladiumschicht verhindert. Der Aktivator besteht üblicherweise aus einer mineralsauren und vorzugsweise salzsauren wäßrigen Lösung eines Palladiumkolloids. Der Palladiumgehalt in der Lösung kann in einem Bereich von etwa 50 mg/l bis etwa 500 mg/1 Lösung, insbesondere zwischen etwa 1 50 mg/l und 250 mg/l Lösung eingestellt werden. Zur Herstellung des Kolloids wird ein Palladiumsalz verwendet. Zusätzlich wird der Lösung Zinn(II)-salz zugegeben, das bei der Reaktion des Zinn(ll)-salzes mit Palladiumsalz teilweise zu Zinn(IV)-Verbindungen oxidiert wird. Der Zinngehalt der Lösung kann im Bereich von 2 g/l bis 50 g/l Lösung, vorzugsweise zwischen 1 0 g/l und 25 g/l Lösung eingestellt werden. Die Kolloidlösungen werden nach der in US-A-30 1 1 920 und US-A-36 82 671 beschriebenen Methode hergestellt.
Bei Verwendung von Salzsäure als Mineralsäure liegt der Konzentrationsbereich der Salzsäure zwischen 2 Gew.-% und 30 Gew.-%, vorzugsweise zwischen 5 Gew.-% und 1 5 Gew.-% in Wasser. Galvanisierungsversuche haben gezeigt, daß der Aktivator stark salzsauer sein sollte. Bei Salzsäuregehalten unterhalb 0,5 Mol/I Lösung wird nicht mehr genügend Palladium aus dem Aktivator auf der Oberfläche adsorbiert, um ein rasches Metallwachstum während der Metallisierung zu erzielen. Nach der Aktivatorbehandlung wird das Substrat wiederum gespült.
In dem Verfahren wird die Reduktionsfähigkeit der Zinn(ll)-Verbindungen genutzt, um im nachfolgenden Behandlungsschritt aus einer Metall-, vorzugsweise Kupferionen enthaltenden Lösung die Ionen zu Metall, vorzugsweise zu metallischem Kupfer, zu reduzieren und auf diese Weise zwischen den
Palladium-Teilchen Metall, beispielsweise Kupfer, abzuscheiden. Außerdem wird auf diese Weise die störende Zinn(ll)-/Zinn(IV)-Schicht entfernt. In einer besonderen Ausführungsform wird in dieser Lösung als Metallverbindung eine Kupferverbindung verwendet. Jedoch sind beispielsweise auch Silber, Gold, Palladium und andere Edelmetalle geeignet. Als Kupferverbindungen kommen alle insbesondere in wäßrigen Medien löslichen Verbindungen, beispielsweise Salze, wie Kupfersulfat und Kupferacetat in Betracht. Die Konzentration des Metalls wird im Bereich von 0, 1 g/l bis 50 g/l wäßrige Lösung und vorzugsweise von 0,5 g/l bis 1 5 g/l Lösung eingestellt. Die Metallionen enthaltende Lösung ist vorzugsweise alkalisch. Die Lösung enthält ein Alkali- oder Erdalkalimetallhydroxid und ferner einen Komplexbildner für das Metall. Als Alkalimetallhγdroxid hat sich insbesondere Lithiumhydroxid als günstig herausgestellt. Jedoch sind grundsätzlich auch andere Hydroxide, wie beispielsweise Natrium-, Kalium-, Magnesium-, Calcium- oder Bariumhydroxid geeignet. Deren Konzentration liegt im Bereich von 0, 1 Mol/I bis 3 Mol/I wäßrige Lösung, vorzugsweise im Bereich von 0,5 Mol/Liter bis 1 ,5 Mol/Liter Lösung.
Der ebenfalls enthaltene Komplexbildner dient dazu, das Metall in der alkalischen Lösung gelöst zu halten. Daher muß dieser eine ausreichend große
Komplexbildungskonstante für das Metall aufweisen und in einer Menge vorliegen, um mindestens die Ausfällung von Metallhydroxiden zu verhindern. Als geeignete Komplexbildner haben sich insbesondere Verbindungen, wie Ethanolamin, Ethylendiamintetraessigsäure und deren Salze, Weinsäure und deren Salze, Citronensäure und deren Salze sowie N,N,N',N'-Tetrakis-(2-Hydroxypropyl)-ethylendiamin, erwiesen.
Die Betriebstemperatur der die Metallionen enthaltenden Lösung kann im gesamten praktikablen Bereich, vorzugsweise jedoch im Bereich von 30 °C bis 65 °C und in einer bevorzugten Ausführungsform zwischen 50 °C und 60 °C eingestellt werden. Nach der Behandlung mit der Metallionen enthaltenden Lösung wird das Substrat wiederum gespült.
Die erste Reduktion der Metallionen kann durch einen weiteren Reduktions- schritt unterstützt werden. Hierzu wird das Substrat mit einer weiteren Lösung in Kontakt gebracht, die Reduktionsmittel enthält. Grundsätzlich kommen alle Reduktionsmittel in Betracht. Jedoch haben sich Bor/Wasserstoff-Verbindungen als am günstigsten herausgestellt. Beispielsweise sind insbesondere Natriumborhydrid in einer alkalischen Lösung oder Dimethylaminboran in einer alkalischen oder schwach sauren Lösung gut geeignet, um die Leitfähigkeit der erzeugten Metallschicht weiter zu verbessern, so daß insbesondere großflächige nichtleitende Substratoberflächen gut metallisiert werden können.
Anschließend wird das Substrat erneut gespült, um Reste des Reduktionsmittels vollständig von der Substratoberfläche zu entfernen.
Nach dieser Behandlung weist die äußerst dünne Schicht eine ausreichend hohe elektrische Leitfähigkeit für die nachfolgende elektrolytische Metallisierung auf. Es können alle elektrolytisch abscheidbaren Metalle auf der nach dem Verfahren vorbehandelten Substratoberfläche ohne weitere stromlose Metallisierung direkt niedergeschlagen werden. Beispielsweise sind hierzu Kupfer, Nickel, Palladium und andere Edelmetalle geeignet. Auf diese Metalle können weitere Metalle abgeschieden werden. Außerdem ist es auch möglich, die erste Metallschicht mit dielektrischen Schichten partiell zu belegen, um dekorative Effekte oder funktionelle Eigenschaften hervorzurufen.
Derartige dielektrische Schichten können auch vor jedem der vorstehend beschriebenen Behandlungsschritte auf die Oberfläche des Substrats aufgebracht werden, um die Metallisierung an dieser Stelle zu unterbinden.
Als Substrate werden insbesondere Körper aus Acrylnitril/Butadien/Styrol-Co-polymeren oder deren Mischungen mit anderen nichtleitenden Materialien me tallisiert. Mit Chrom(VI)-lonen enthaltenden Vorbehandlungslösungen werden insbesondere aus Polyvinylchlorid bestehende Substrate kaum angegriffen. Daher können beispielsweise Halteelemente, wie Traggestelle, beim elektrolytischen Metallisieren von Kunststoffen mit diesem Material überzogen werden, um deren Metallisierung bei der elektrolytischen Behandlung zu vermeiden.
Die Substrate werden mit den Behandlungslösungen durch Eintauchen, Ansprühen, Schwallen oder Spritzen in Kontakt gebracht. Die nachfolgenden Beispiele dienen der Erläuterung der Erfindung:
Beispiel 1 :
Ein geeignetes Metallgestell wurde mit einem auf Polyvinylchlorid basierenden Kunststoff (Tegumit, Produkt der Firma Atotech Deutschland GmbH, Berlin,
Deutschland) beschichtet. Nach dem Freilegen der zunächst durch den Beschichtungsvorgang isolierten metallischen Kontaktspitzen des Gestelles wurden an diesen Spitzen zu metallisierende Formteile /Handbrausekopf) aus dem Kunststoff Acrylnitril/Butadien/Styrol-(ABS)-Copolymer befestigt. Die Anordnung wurde nun der Reihe nach in den folgenden Lösungen behandelt:
1 . Die Teile wurden zum Anätzen in ein auf 65 °C erwärmtes Bad aus 360 g/l Chrom(VI)-oxid und 360 g/Liter konzentrierte Schwefelsäure in wäßriger Lösung eingetaucht.
2. Nach sechs Minuten wurde die überschüssige Säure von den Formteiloberflächen abgewaschen und mit einer Lösung aus Natriumhydrogensulfit behandelt, wobei eventuell an den Formteiloberflächen noch anhaftende Chrom. VI)-lonen reduziert wurden.
3. Nach einem weiteren Spülschritt wurde das Formteil kurz in ein Bad aus 300 ml konzentrierte Salzsäure pro Liter wäßrige Lösung eingetaucht und 4. dann eine Minute lang in einen Aktivator, der aus
300 ml konzentrierter Salzsäure,
250 mg Palladium (eingesetzt als Palladium(ll)-chlorid),
1 7 g Zinn(II)-chlorid
pro Liter wäßriger Lösung bestand. 5. Nach dem anschließenden Spülen der Formteiloberflächen wurden diese mit einer Lösung aus
25 g Lithiumhydroxid,
20 g Natriumhydroxid,
4 g Kupfersulfat,
1 5 g Weinsäure
pro Liter wäßriger Lösung eine Minute lang bei 60 °C behandelt, wobei auf den Oberflächen adsorbierte Zinnverbindungen vermutlich gegen Kupfer ausgetauscht wurden.
6. Zur Metallisierung wurde das Formteil samt Gestell anschließend in ein handelsübliches schwefelsaures Kupfermetallisierungsbad eingetaucht. Es wurde innerhalb von einer Stunde bei einer Stromdichte von 2 A/dm2 eine gleichmäßig glänzende Kupferschicht ausschließlich auf den ABS-Formteilen abgeschieden. Auf den mit Polyvinylchlorid überzogenen Traggestellen wurden keine Kupferniederschläge gefunden. Die Metallschichten wiesen im Schältest nach der DE-Norm DIN eine Haftfestigkeit von mehr als 1 N/mm auf. Beispiel 2:
Das in Beispiel 1 beschriebene Verfahren wurde wiederholt, jedoch in Verfahrensschritt 6 mit einem Nickelbad (Watts-Typ) anstelle des schwefelsauren Kupferbades. Es wurde dasselbe Ergebnis hinsichtlich der Selektivität des Verfahrens als auch hinsichtlich der Haftfestigkeit der abgeschiedenen Metallschicht erreicht.
Beispiel 3:
Eine ABS-Probe wurde teilweise mit einer Polyesterschicht beschichtet und anschließend wie in Beispiel 1 beschrieben behandelt.
Die Polyesterschicht wurde nicht metallisiert. Beispiel 4:
Ein Formteil (Telefongehäuse), welches in einem sogenannten Zweischußverfahren beim Spritzgußprozeß teilweise aus ABS enthaltendem Kunststoff (Cycoloy C 1 100 der Firma General Electric Plastics, Rüsselsheim, Deutschland) und teilweise aus einem Polyamid (Noryl GTX924 der Firma General Electric
Plastics) gefertigt worden war, wurde wie in Beispiel 1 beschrieben behandelt. Es wurde nur der ABS enthaltende Kunststoff mit Metall belegt, während die Polyamidoberfläche völlig metallfrei war. Beispiel 5:
Analog zu Beispiel 1 wurde zum Vergleich ein Gestell mit daran befestigten ABS-Formteilen vor der Behandlung nach Verfahrensschritt 3 (Vortauchen) zwei Minuten lang zur Konditionierung der ABS-Oberflächen in eine auf 45 °C erwärmte Lösung getaucht, die 1 g des Polymeren Luresin KNU (Produkt der Firma BASF, Ludwigshafen, Deutschland) pro Liter wäßrige Lösung enthielt. Nach diesem Behandlungsschritt waren sowohl die ABS-Oberflächen als auch die Tegumit-Oberfläche des Gestelles metallisiert.
Beispiel 6:
Ein Formteil (PKW-Kühlergrill) aus Polycarbonat (Lexan BE der Firma General Electric Plastics) wurde
1 . bei Raumtemperatur fünf Minuten lang in eine Lösung aus
700 g Diethylenglykolethyletheracetat
pro Liter Wasser zum Anquellen getaucht und
2. anschließend 6 Minuten lang bei 70 °C in einer Lösung aus
380 g CrO3
380 g konzentrierte Schwefelsäure
20 g Cr2O3
0, 1 g Fluortensid (FC 95 von 3M Corp., USA)
pro Liter wäßriger Lösung zum Anätzen behandelt.
3. Nach dem Abspülen der überschüssigen Ätzlösung wurden noch anhaftende Chrom (VI) - Reste in einer Lösung aus
40 g Natriumbisulfit pro Liter wäßriger Lösung entfernt. 4. Das Formteil wurde nun drei Minuten lang bei 35 °C in einer Lösung aus
1 50 ml konzentrierte Schwefelsäure,
220 mg Palladiumkolloid,
30 g Zinn( II)-chlorid
pro Liter wäßriger Lösung aktiviert,
5. abgespült, eine Minute lang bei 60 °C in einer Lösung aus
4 g Kupfersulfat,
1 50 g Weinsäure,
20 g Natriumhydroxid,
20 g Lithiumhydroxid Hydrat
pro Liter wäßriger Lösung behandelt.
6. Anschließend wurde nach Spülen das Formteil mit einem handelsüblichen Kupfermetallisierungselektrolyten (Cupracid HT der Firma Atotech Deutschland
GmbH) dekorativ beschichtet. Das Formteil war nach 7 Minuten vollständig mit Kupfer bedeckt. Die Kupferschicht wurde nach Prüfung in demselben Bad 45 Minuten lang weiterbehandelt, wobei sich eine Schicht von 25 μm Dicke abschied. Beispiel 7:
Analog zu dem in Beispiel 1 beschriebenen Versuch wurden ABS-Formteile behandelt.
Die Oberflächenleitfähigkeit der gebildeten Schicht vor dem Metallisieren wurde gemessen. Nachdem das behandelte Formteil gespült und getrocknet wurde, fand eine Widerstandsmessung mit zwei Meßelektroden statt, die im Abstand von 1 cm auf die behandelte Formteiloberfläche gepreßt wurden.
Ferner wurde auch das laterale Fortschreiten der Kupferschicht bestimmt.
Es wurde eine Oberflächenleitfähigkeit von etwa 50 μSiemens (μS) gemessen. Es bildete sich eine metallisierte Fläche auf den Formteilen aus, wobei sich die Metallisierungsfront innerhalb von 1 ,5 Minuten um 9 cm von der Ankontaktie- rungsstelle des Formteiles entfernt hatte.
In der Abb. 1 ist die Leitfähigkeit in μS und das Wachstum der Metallfront in cm nach 1 ,5 Minuten (Verfahrensschritt 6) Metallisierzeit in Abhängigkeit von der Konzentration der Salzsäure (Mol/I) im Aktivator (Verfahrensschritt 4) dargestellt. Die empirischen Werte lassen erkennen, daß die Leitfähigkeit nahezu linear mit der Säurekonzentration steigt, während die Metallabscheidungsgeschwindigkeit, nach steilem Anstieg oberhalb einer Mindestkonzentration, sich nicht proportional zur Konzentration steigern läßt.
Beispiel 8
Beispiel 7 wurde wiederholt und die Proben in Abhängigkeit unterschiedlicher Parameter untersucht.
Es wurde das Wachstum der Metallfront auf der Substratoberfläche, ausgehend von der Kathode gemessen. Die Resultate sind in den nachfolgenden Tabellen aufgeführt und in den Abbildungen graphisch dargestellt. Als Proben wurden 1 5 cm lange und 6 cm breite Platten aus ABS erfindungsgemäß behandelt, dann an einer Schmalseite kontaktiert und verkupfert.
Tabelle 1 zeigt die Ausbreitung der Metallfront von zwei Proben bis zu einer Metallisierungszeit von 2,5 Minuten bei einer Galvanisierspannung von 0,6 Volt.
Tabelle 2 zeigt die errechnete Wachstumsgeschwindigkeit (cm/min) aus einer Vielzahl von bei unterschiedlichen Galvanisierspannungen metallisierten Proben zu verschiedenen Zeitpunkten seit Metallisierungsbeginn.
Auffällig ist, daß etwa 2 min nach Beschichtungsbeginn die maximale Wachstumsrate erreicht ist und dann annähernd konstant bleibt. Diese Tabellenwerte sind in Abbildung 2 übertragen worden.
Tabelle 3 und Abbildung 2 zeigen, daß die Wachstumsgeschwindigkeit von der Badtemperatur während der Behandlung gemäß Verfahrensschritt c) in Anspruch 1 bzw. Schritt 5 in den Beispielen 1 und 8 abhängig ist.
Bei Verweilzeiten in diesem Bad (Cu-LINK) von 1 bis 10 min bei den Temperaturen 27°C, 45 °C, 60°C ergeben sich unterschiedliche Metallisierungsdauern im elektrolytischen Kupferbad für die benutzten Proben von 1 5 × 6 cm Größe. Bei niedriger und / oder geringer Verweilzeit wird eine geringe Leitfähigkeit auf dem Substrat eingestellt, wodurch sich entsprechend lange Metallisierungszeiten ergeben.
Andererseits ist zu erkennen, daß zwischen etwa 45°C und 60°C Badtemperatur bei derselben Verweilzeit kaum ein Unterschied in der Beschichtungsdauer und damit der durchschnittlichen Wachstumsgeschwindigkeit besteht. Bei Verlängerung der Verweildauer in Cu-LINK-Bad läßt sich dagegen die Abscheidungsgeschwindigkeit im Metallisierungsbad steigern bzw. die dortige
Verweildauer verkürzen.
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Claims

Verfahren zum selektiven oder partiellen elektrolytischen Metallisieren von Oberflächen von Substraten aus nichtleitenden Materialien Patentansprüche:
1 . Verfahren zum selektiven oder partiellen elektrolytischen Metallisieren von Oberflächen von Substraten aus elektrisch nichtleitenden Materialien, welche für die folgende Behandlung an mit Kunststoffen beschichteten Halteelementen befestigt werden, umfassend die Verfahrensschritte: a) Vorbehandeln der Oberflächen mittels einer Chrom (Vl)-oxid haltigen Ätzlösung,
b) anschließend Behandeln der Oberflächen mit einer kolloidalen sauren Lösung von Palladium-/ Zinnverbindungen, unter Vermeidung eines vorherigen Kontaktes mit adsorptionsfördernden Lösungen
c) Behandeln der Oberflächen mit einer Lösung, enthaltend eine mittels Zinn(ll)-Verbindungen reduzierbare lösliche Metallverbindung, ein Alkali- oder Erdalkalimetallhydroxid und einen Komplexbildner für das Metall in einer mindestens die Ausfällung von Metallhydroxiden verhindernden Menge,
d) elektrolytisches Metallisieren der Oberflächen.
2. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächen zwischen einigen oder allen Verfahrensschritten gespült werden.
3. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Kupferverbindung als lösliche Metallverbindung.
4. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch Lithiumhydroxid als Alkalihydroxid.
5. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch Weinsäure und/oder Tartrat als Komplexbildner.
6. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß Oberflächen von aus Acrylnitril/Butadien/Styrol-Copolymeren oder deren Mischungen mit anderen nichtleitenden Materialien oder aus Polycarbonat bestehenden Substraten metallisiert werden.
7. Dreidimensional strukturierte Kunststoffteile, deren Hüllflächen wesentlich kleiner sind als deren Oberflächen, metallisiert mittels eines Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 6.
8. Metallisierte Sanitärarmaturen, metallisierte Formteile für den Automoblilbau oder gegen elektromagnetische Strahlung abgeschirmte Gehäuse für elektrische Geräte, metallisiert mittels eines Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 6.
9. Verfahren zum elektrolytischen Metallisieren von Nichtleiter-Oberflächen, gekennzeichnet durch einzelne oder alle neuen Merkmale oder Kombinationen offenbarter Merkmale.
1 0. Elektrolytisch metallisiertes Produkt, gekennzeichnet durch einzelne oder alle neuen Merkmale oder Kombinationen offenbarter Merkmale.
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AT96907505T ATE189274T1 (de) 1995-03-17 1996-03-15 Verfahren zum selektiven oder partiellen elektrolytischen metallisieren von oberflächen von substraten aus nichtleitenden materialien
DE59604301T DE59604301D1 (de) 1995-03-17 1996-03-15 Verfahren zum selektiven oder partiellen elektrolytischen metallisieren von oberflächen von substraten aus nichtleitenden materialien
BR9607848A BR9607848A (pt) 1995-03-17 1996-03-15 Processo para a metalização eletrolítica seletiva ou parcial de superfícies de substratos a partir de materiais não-condutores
JP8528081A JPH11502263A (ja) 1995-03-17 1996-03-15 絶縁性材料からなるサブストレートの表面の選択的乃至部分的電解金属化方法
HK98108815A HK1008552A1 (en) 1995-03-17 1998-06-30 Process for the selective or partial electrolytic metallization of surfaces of substrates made from non-conducting materials

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1988192A1 (de) 2007-05-03 2008-11-05 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zum Aufbringen einer Metallbeschichtung auf ein nichtleitfähiges Substrat
US7578947B2 (en) 2005-10-28 2009-08-25 Enthone Inc. Method for etching non-conductive substrate surfaces
WO2011035921A1 (en) 2009-09-28 2011-03-31 Atotech Deutschland Gmbh Process for applying a metal coating to a non-conductive substrate
EP2602357A1 (de) 2011-12-05 2013-06-12 Atotech Deutschland GmbH Neuartiges Haftmittel zur Metallisierung von Substratoberflächen
EP2644744A1 (de) 2012-03-29 2013-10-02 Atotech Deutschland GmbH Verfahren zur Förderung der Haftung zwischen dielektrischen Substraten und Metallschichten
WO2015044091A1 (en) 2013-09-26 2015-04-02 Atotech Deutschland Gmbh Novel adhesion promoting process for metallisation of substrate surfaces

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6541080B1 (en) 1998-12-14 2003-04-01 Enthone Inc. Double-dip Pd/Sn crosslinker
DE19857290C2 (de) * 1998-12-14 2001-02-01 Lpw Chemie Gmbh Verfahren zur direkten Metallisierung der Oberfläche eines Kunststoffgegenstandes
DE10208674B4 (de) * 2002-02-28 2011-07-07 BIA Kunststoff- und Galvanotechnik GmbH & Co. KG, 42655 Verfahren zur Herstellung galvanisch beschichteter Elemente mit hinterleuchtbaren Symbolen und nach dem Verfahren hergestellte Elemente
DE10223081A1 (de) * 2002-05-17 2003-12-04 Hansgrohe Ag Verfahren zur Herstellung von galvanisierten Sanitärgegenständen aus Kunststoff
KR100913265B1 (ko) * 2002-07-30 2009-08-21 엘지전자 주식회사 전원 공급 단자
DE102005026633A1 (de) 2005-06-03 2006-12-28 Hansgrohe Ag Verfahren zur Herstellung von galvanisierten Sanitärgegenständen aus Kunststoff
DE102005031454A1 (de) * 2005-07-04 2007-01-11 Huf Hülsbeck & Fürst Gmbh & Co. Kg Türgriff, Türgriff-Gehäuse und Verfahren zum Herstellen des Türgriff-Gehäuses
DE102006042269B4 (de) * 2006-09-08 2014-08-28 Automobile Patentverwaltungs- und -verwertungsgesellschaft mbH Verfahren zum galvanischen Beschichten von Trägerteilen aus Kunststoffen
EP2639332A1 (de) 2012-03-15 2013-09-18 Atotech Deutschland GmbH Verfahren zum Metallisieren nichtleitender Kunststoffoberflächen
EP2639333A1 (de) 2012-03-15 2013-09-18 Atotech Deutschland GmbH Verfahren zum Metallisieren nichtleitender Kunststoffoberflächen
WO2014098064A1 (ja) 2012-12-21 2014-06-26 奥野製薬工業株式会社 導電性皮膜形成浴
JP6024044B2 (ja) 2014-01-27 2016-11-09 奥野製薬工業株式会社 導電性皮膜形成浴
ES2727075T5 (es) 2015-02-23 2022-05-27 Macdermid Enthone Inc Composición inhibidora para bastidores cuando se utilizan mordientes exentos de cromo en un proceso de galvanizado sobre materiales plásticos

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0538006A1 (de) * 1991-10-15 1993-04-21 ENTHONE-OMI, Inc. Direkt-Metallisierungsverfahren
WO1993017153A1 (de) * 1992-02-28 1993-09-02 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zur metallisierung von nichtleiteroberflächen und die verwendung von hydroximethylsulfinsäure im verfahren
EP0616053A1 (de) * 1993-03-18 1994-09-21 Atotech Usa, Inc. Sich selbstbeschleunigendes und sich selbst auffrischendes Verfahren zur Tauchbeschichtigung ohne Formaldehyd, sowie die entsprechende Zusammensetzung
GB2277745A (en) * 1993-04-20 1994-11-09 Enthone Omi Post activator solution for use in electroplating non-conductive substrates e.g in plating through holes in PCB,s

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0538006A1 (de) * 1991-10-15 1993-04-21 ENTHONE-OMI, Inc. Direkt-Metallisierungsverfahren
WO1993017153A1 (de) * 1992-02-28 1993-09-02 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zur metallisierung von nichtleiteroberflächen und die verwendung von hydroximethylsulfinsäure im verfahren
EP0616053A1 (de) * 1993-03-18 1994-09-21 Atotech Usa, Inc. Sich selbstbeschleunigendes und sich selbst auffrischendes Verfahren zur Tauchbeschichtigung ohne Formaldehyd, sowie die entsprechende Zusammensetzung
GB2277745A (en) * 1993-04-20 1994-11-09 Enthone Omi Post activator solution for use in electroplating non-conductive substrates e.g in plating through holes in PCB,s

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7578947B2 (en) 2005-10-28 2009-08-25 Enthone Inc. Method for etching non-conductive substrate surfaces
EP1988192A1 (de) 2007-05-03 2008-11-05 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zum Aufbringen einer Metallbeschichtung auf ein nichtleitfähiges Substrat
WO2008135179A1 (en) * 2007-05-03 2008-11-13 Atotech Deutschland Gmbh Process for applying a metal coating to a non-conductive substrate
US8152914B2 (en) 2007-05-03 2012-04-10 Atotech Deutschland Gmbh Process for applying a metal coating to a non-conductive substrate
WO2011035921A1 (en) 2009-09-28 2011-03-31 Atotech Deutschland Gmbh Process for applying a metal coating to a non-conductive substrate
EP2305856A1 (de) 2009-09-28 2011-04-06 ATOTECH Deutschland GmbH Verfahren zum Aufbringen einer Metallbeschichtung auf ein nichtleitfähiges Substrat
EP2602357A1 (de) 2011-12-05 2013-06-12 Atotech Deutschland GmbH Neuartiges Haftmittel zur Metallisierung von Substratoberflächen
WO2013083600A2 (en) 2011-12-05 2013-06-13 Atotech Deutschland Gmbh Novel adhesion promoting agents for metallization of substrate surfaces
EP2644744A1 (de) 2012-03-29 2013-10-02 Atotech Deutschland GmbH Verfahren zur Förderung der Haftung zwischen dielektrischen Substraten und Metallschichten
WO2013143961A1 (en) 2012-03-29 2013-10-03 Atotech Deutschland Gmbh Method for promoting adhesion between dielectric substrates and metal layers
WO2015044091A1 (en) 2013-09-26 2015-04-02 Atotech Deutschland Gmbh Novel adhesion promoting process for metallisation of substrate surfaces

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