WO1993014495A1 - Magnetic head assembly, its manufacture, and magnetic disc device - Google Patents

Description

明細書

磁気ヘッ ド組立体、 その製造方法及び磁気ディ ス ク装置 技術の分野

本発明は、 磁気へッ ドによ り磁気ディ ス ク に記録再生

5 を行う磁気へ ッ ド組立体、 その製造方法及び磁気ディ ス ク装置に関 し、 特に、 薄膜へッ ドチ ッ プを用いた磁気へ ッ ド組立体、 その製造方法及び磁気ディ ス ク装置に関す

。

背景技術

1 0 磁気ディ ス ク装置は、 回転する磁気ディ ス ク に対し、 磁気へッ ドをァ クチユエ一夕によ り、 所望の ト ラ ッ ク に 位置決め し、 磁気へッ ドによ り 当該 ト ラ ッ クのデ一夕を リ ー ド又は当該 ト ラ ッ ク にデ一夕をライ トする記憶装置 である。

1 5 こ の磁気ディ ス ク装置は、 外部記憶装置と して、 広 く 利用されている。 そ して、 近年のコ ン ピュ ータ システム のダウ ンサイ ジング化の要求に従い、 磁気ディ ス ク装置 にも小型で且つ大容量な ものが要求されている。 こ の磁 気ディ ス ク のサイ ズも、 5 . 2 5 イ ンチから 3 . 5 イ ン

20 チ、 1 . 8 イ ンチに小型化にな りつつある。

こ の磁気ディ ス ク装置の小型化、 大容量化のためには

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、 高密度記録が必要となる。 しか し、 高密度記録する と 、 磁気ディ ス ク媒体の磁力線が短 く なるため、 へッ ド浮 上量を ミ ク ロ ン以下に小さ く し、 面内記録又は垂直記録

25 するか又はヘッ ドを磁気ディ ス ク に接触させて、 垂直記 録する こ とが好ま しい。

このよ う にへッ ド浮上量を小さ く 又はへ ドを接触.さ せる場合には、 ヘッ ドが重いと、 磁気ディ スク媒体の ミ ク ロ ン単位の うねり、 突起に対する追従性が低下する。 逆に、 前記追従性を良く するため、 ヘッ の荷重を大 き く する と、 磁気ディ スク媒体の突起との衝突力が大き く な り、 ヘッ ドク ラ ッ シュ、 媒体ク ラ ッ シュを発生し易 く なる。

このため、 へッ ドの質量を小さ く 、 且つへッ ドの荷重 を小さ く した方が、 磁気ディ スク媒体に対する追従性が 良 く な り、 へッ ド浮上量を小さ く して、 又はへッ ドを接 触して、 高密度記録が可能となる。

図 1 は従来の磁気ヘッ ドの構成図、 図 2 はその製造ェ 程を示す図である。

例えば、 接触型垂直記録へッ ドでは、 図 1 に示すよ う な可撓性磁気へッ ド 9 が提案されている （例えば、 特許 出願公開平成 3年第 1 7 8 0 1 7号公報等参照） 。

このへッ ド 9 は、 図 1 ( B ) に示すよ う に、 酸化アル ミ ニゥム等の誘電性の撓曲体 9 6 内に、 垂直方向に主ポ ール （主磁極） 9 0 が形成され、 これに接鐃して水平方 向にヨー ク 9 1 が形成され、 このヨー ク 9 1 に接鐃して 、 垂直方向に後方スタ ツ ド 9 3 が形成され、 これに接続 して水平方向に復帰ヨーク 9 4 が形成され、 これらが低 磁気抵抗経路を構成する。 この経路は、 主ポール 9 0 と 復帰ヨー ク 9 との間の高磁気抵抗空隙 9 5 で終わる。 こ のヨ ー ク 9 1 には、 螺旋形コ イ ル 9 2 が誘導結合さ れ、 こ のコイル 9 2 の両端は、 リ ー ド導体 9 7 を通 じて 結合パッ ド 9 8 へ接続される。

こ のへッ ドは、 プローブ型へ ッ ドと称され、 薄膜形成 技術で作成され、 極めて小さ く できる。 例えば、 図 1 ( A ) に示すよ う に、 ヘッ ド 9 の幅 Dは、 0 . 5 m mであ り、 厚さ B は、 0 . 0 5 m mであ り、 長さ Aは、 1 2 . 5 m mであ り、 質量は 1 0 0 マイ ク ロ グラ ムである。 このよ う なへッ ド 9 をアームに取り付ける こ とによ り 、 へッ ドの低質量、 低荷重が可能とな り、 磁気ディ ス ク 媒体のう ねり に追従した高密度垂直記録が可能となる。

かかるヘッ ド 9 は、 薄膜及びフ ォ ト リ ソ グラ フ ィ 技術 を利用 して、 集積ュニッ ト と して形成される。 即ち、 図 2 に示すよ う に、 チタ ン酸バ リ ウム等の研磨ゥ ヱハ ー 9 一 1 上に、 ミ ク ロ ン単位で、 ス ノ、 'ッ タ リ ング、 蒸着、 メ ツ キ、 化学蒸着、 イ オ ン ビーム付着及触刻等によ り、 何 十もの工程を経て、 多数のヘッ ドをゥ ヱハ ー 9 一 1 上に 形成し、 これをス ク ラ イ ブして、 各へッ ドを作成する。

しか しながら、 従来技術では、 次の問題があった。 ①ゥ ヱハ ー 9 — 1 に作成されるへッ ドの数は、 多い方 がコス トが安価となる。 しか しながら、 従来技術では、 リ ー ド導体部分も一体に形成するため、 ゥ ヱハ ー 9 — 1 上で作成されるヘッ ドの数に限りがあ り、 例えば、 3 ィ ンチのゥ ヱハーでは、 約 2 7 0 個 しか作成できず、 へッ ドの価格が大幅に高 く なる。 ②ヘッ ドの大き さが大きレ、と、 ウ ェハー 9 一 1 から切

り 出されたヘッ ドの不良が多 く な り、 例えば、 リ ー ド導

体部分のみ不良でも、 全体が不良となり、 へ ッ ドの価格

をよ り高く する。

発明の開示

本発明の目的は、 ウ ェハーで作成されるへッ ドの数を

増加して、 へッ ドの価格を低く するための磁気へッ ド完

成体を提供するにある。

本発明の他の目的は、 ウ ェハーで作成されるへッ ドの

数を増加して、 へ ッ ドの価格を低く し、 装置 ffi格を安価

とするための磁気ディ スク装置を提供するにある。

する。

本発明の更に他の目的は、 ウ ェハーで作成されるへッ

ドの数を増加 し、 且つ薄膜作成工程を少な く して、 よ り

へッ ドの価格を低く するための磁気へッ ド完成体を提洪

するにめる。

本発明の更に他の目的は、 ウ ェハーで作成されるへッ

ドの数を増加し、 且つ薄膜作成工程を少な く して、 よ り

へッ ドの価格を低く し、 装置価格をよ り安価とするため

の磁気ディ スク装置を提供するにある。

本発明の更に他の目的は、 ウ ェハ一で作成されるへッ

1? ドの数を増加 しても、 完成体の組み立てを容易にするた

めの磁気へッ ド芫成体の製造方法を提供するにある。

このため、 本発明の磁気へッ ド完成体は、 磁気ディ ス

ク にデータを磁気記録及び再生するため、 アームに取り 付けられる磁気へッ ド完成体であって、 絶縁層 と磁極と コイ ル と該コ イ ルの端子部とを薄膜によ り積層形成 した へッ ドチ ッ プと、 前記へッ ドチ ッ プの端子部と接続され る端子部を有し、 アームに取り付け られ、 前記へッ ドチ ッ プを支持する可撓性支持体とを設けたこ とを特徴とす る

本発明の磁気ディ ス ク装置は、 磁気ディ ス ク と、 前記 磁気ディ ス ク を回転するス ピン ドルモータ と、 アームを 有し、 前記アームを前記磁気ディ ス クの ト ラ ッ ク と交叉 する方向に移動するァ クチユエ一夕 と、 前記磁気ディ ス ク にデ一夕を記録 し、 前記磁気ディ ス クからデータを読 み取るため、 前記アームに取り付けられた磁気へッ ド完 成体とを有し、 前記磁気へッ ド完成体は、 絶縁層 と磁極 と コイ ルと該コ イ ルの端子部とを薄膜によ り積層形成し たへッ ドチ ッ プと、 前記へッ ドチ ッ プの端子部と接続さ れる端子部を有し、 アームに取り付け られ、 前記へッ ド チ ッ プを支持する可撓性支持体とを有する こ とを特徴と する。

従来技術では、 磁気へッ ド完成体をアームに直接取り 付けるため、 可撓性を持たせ、 且つその分の長さの リ ー ド導体を必要と したため、 へッ ド可撓体を長 く 必要と し た。 しか し、 薄膜の積層が必要な部分は、 主に磁極を含 む低磁気抵抗経路 と コイルの部分のみであ り、 リ ー ド導 体部分は、 他の手段によ り形成でき る。

こ の磁極を含む低磁気抵抗経路と コ イ ルの部分は、 全 体の長さの僅か約 1 / 2 0 であ り、 その他の部分をゥ ハ一上で何十もの工程で作成するのは無駄である。

そこで、 本発明では、 ゥ ヱハーで作成しなければな ら ない磁極を含む低磁気抵抗経路と コイルの部分のみを、 ウ ェハー上で薄膜積層技術によ り作成し、 その他の部分 である リ ー ド導体部分を可撓性支持体で別に形成する こ とによ り、 ウ ェハ一上で作成できるへッ ド部分が数を増 加させ、 コス トの低減を図ったものである。

又、 このよう にする と、 へッ ドチ ッ プ部分が微小とな り、 電気的接続が困難となるため、 へッ ドチッ プに端子 部を設け、 可撓性支持体 2 の信号端子部と接続する よう にして、 接鐃を容易 と した。

又、 本発明では、 前記へッ ドチ ッ プの薄膜镜層方向を 、 磁気ディ スク面に対し、 水平方向と したこ とを特徵と する。

従来技術では、 へッ ドの薄膜積層方向は主に磁気ディ スク面に対して垂直方向であ り、 ゥ X ハ ー上で主磁極以 外を薄膜形成した後、 切 り 出 して、 その後に主磁極を磁 気ディ スク面に対して水平方向から薄膜形成していた。

これに対し、 本発明のよ う に、 へッ ドチッ プの薄膜積 層方向を、 磁気ディ スク面に対し、 水平方向とする と、 ウ ェハ一からへッ ドチ ッ プを切り 出す前に、 主磁極を同 一薄膜形成方向で形成でき、 ウ ェハー上のヘッ ドチ ッ プ の数を増加でき、 且つへッ ドチ ッ プの形成工程が簡易化 でき、 ヘッ ドをよ り安価に提供できる。 更に、 本発明の磁気へッ ド完成体の製造方法では、 ゥ ェハーに多数のへッ ドチ ッ プを薄膜形成プロセスによ り 形成した後、 複数個の一列のへッ ドチ ッ プを含むブロ ッ ク に切り 出 し、 次に複数の支持体を連絡バーで連結した 支持体シー トを作成し、 前記支持体シー トの各支持体に 前記ブロ ッ クの個々 のへッ ドチ ッ プを位置決め して、 接 続し、 前記ブロ ッ ク のヘッ ドチ ッ プを分離する と と も に 、 前記支持体の基部を連絡バーから分離して、 磁気へッ ド完成体を作成する こ とを特徵とする。

このよ う にする と、 へッ ドチ ッ プや支持体が小さ く て も、 ブロ ッ ク単位で組み立てができ、 且つ一度に多数の 磁気へッ ド完成体を作成でき る。

図面の簡単な説明

図 1 は従来の可撓性磁気へッ ドの構成図である。

図 2 は図 1 の磁気へッ ドの製造プロセスの説明図であ 0

図 3 は本発明が適用 される磁気ディ スク装置の分解図 である。

図 4 は図 3 の磁気ディ ス ク装置の内部を示す斜視図で ある。

図 5 は図 3 の磁気ディ ス ク装置の断面図である。

図 6 は図 3 の磁気ディ ス ク装置の上面図である。

図 7 は図 3 の磁気ディ ス ク装置のァ ク チユエ一夕及び 磁気へッ ド完成体の分解図である。

図 8 は図 3 の磁気ディ ス ク装置のァ クチユ エ一夕及び 磁気へッ ド完成体の構成図である。

図 9 は本発明の第 1 の実施例の磁気へッ ド完成体の断 面図である。

図 1 0 は図 9 の磁気へッ ド完成体の分解図である。 図 1 I は図 1 0 のへッ ドチッ プの構成図である。

図 1 2 は図 1 0 の可撓性支持体の分解図である。

図 1 3 は図 9 の磁気へッ ド完成体のへッ ドチッ プと可 撓性支持体との関係を示す図である。

図 1 4 は図 9 の磁気へッ ド完成体のへッ ドチッ プと可 撓性支持体との接鐃状態を示す図である。

図 1 5 は本発明の第 2 の実施例の磁気へッ ド完成体の 斜視図である。

図 1 6 は図 1 5 の磁気へッ ド完成体の断面図である。 図 1 7 は図 1 5 の磁気へッ ド完成体の他の例を示す図 である。

図 1 8 は図 1 5 及び図 1 7 の磁気へッ ド完成体の実装 図である。

図 1 9 は図 1 5 及び図 1 7 のヘッ ドチ ッ プの形成プロ セスを示す図である。

図 2 0 は図 1 5 及び図 1 7 の磁気へッ ド完成体の製造 プロセスを示す図である。

図 2 1 は図 2 0 におけるへッ ドチッ プのブロ ッ ク形成 過程を示す図である。

図 2 2 は図 2 0 における支持体シー トの形成過程を示 す図である。 図 2 3 は図 2 0 における磁気へッ ド完成体の組立過程 を示す図である。

図 2 4 は本発明の第 3 の実施例の磁気へッ ド完成体の 構成図である。

図 2 5 は本発明の第 4 の実施例の磁気へッ ド完成体の 構成図である。

図 2 6 は図 2 5 の磁気へッ ド完成体の作成過程を示す 図である。

図 2 7 は図 2 5 の磁気へッ ド完成体に用いる他の支持 体シー トの構成図である。

図 2 8 は図 2 7 の支持体シー トを用いた磁気へッ ド完 成体の作成過程を示す図である。

図 2 9 は本発明の第 5 の実施例の磁気へッ ド完成体の へッ ドチ ッ プの断面図である。

図 3 0 は本発明の第 6 の実施例の磁気へッ ド完成体の 断面図である。

図 3 1 は図 3 0 のへッ ドチ ッ プの製造プロセスを説明 する図である。

図 3 2 は本発明の支持体の他の実施例構成図である。 図 3 3 は本発明の支持体の別の実施例構成陣である。 図 3 4 は本発明の支持体の更に別の実施例構成図であ る o

図 3 5 は本発明の支持体の更に別の実施例構成図であ る 0

図 3 6 は本発明の支持体の更に別の実施例構成図であ る 0

図 3 7 は本発明の第 7 の実施例の磁気へッ ド完成体の 斜視図である。

図 3 8 は図 3 7 の磁気へッ ド完成体の断面図である。 図 3 9 は本発明の第 8 の実施例の磁気へッ ド完成体の 断面図である。

図 4 0 は本 ¾明の第 9 の実施例の磁気へッ ド完成体の 断面図である。

図 4 1 は本究明の第 1 0 の実施例の磁気へッ ド完成体 の断面図である。

図 4 2 は本発明の第 1 1 の実施例の磁気へッ ド完成体 の斜視図である。

図 4 3 は図 4 2 の磁気へッ ド完成体の断面図である。 図 4 4 は本発明の第 1 2 の実施例の磁気へッ ド完成体 の斜視図である。

図 4 5 は図 4 4 の磁気へッ ド完成体をアームに取り付 けた時の構成図である。

図 4 6 は本発明の第 1 3 の実施例の磁気へッ ド完成体 の斜視図である。

図 4 7 は本発明の第 1 4 の実施例の磁気へッ ド完成体 の斜視図である。

図 4 8 は本発明の第 1 5 の実施例の磁気へッ ド完成体 の斜視図である。

図 4 9 は本発明の第 1 6 の実施例の磁気へッ ド完成体 の斜視図である。 図 5 0 は本発明の第 1 7 の実施例の磁気へッ ド完成体 の斜視図である。

図 5 1 は本発明の磁気ディ スク装置の別の実施例の上 面図である。

図 5 2 は図 5 1 の磁気ディ スク装置の断面図である。 図 5 3 は図 5 1 のァ クチユエ一夕の上面図である。 図 5 4 は本発明の第 1 8 の実施例の磁気へッ ド完成体 の斜視図である。

図 5 5 は図 5 5 の磁気へッ ド完成体の他の接続機構を 示す図である。

図 5 6 は本発明の第 1 9 の実施例の磁気へッ ド完成体 の斜視図である。

図 5 7 は図 5 6 の磁気へッ ド完成体の他の接続機構を 示す図である。

図 5 8 は本発明の第 2 0 の実施例の磁気へッ ド完成体 の斜視図である。

図 5 9 は本発明の第 2 1 の実施例の磁気へッ ド完成体 の斜視図である。

発明を実施するための最良の形態

( a ) 磁気ディ スク装置の説明

図 3 は本発明の一実施例の磁気ディ スク装置の分解図 、 図 4 は図 3 の磁気ディ ス ク装置の内部の斜視図、 図 5 は図 3 の磁気ディ スク装置の断面図、 図 6 は図 3 の磁気 ディ スク装置の上面図、 図 7 は図 3 の磁気ディ ス ク装置 のァ クチユエ一夕の斜視図である。 図 3 乃至図 7 の磁気ディ スク装置は、 1 . 8 イ ンチの 磁気ディ スク に、 へッ ドを接触させて、 垂直磁気記録を 行う磁気ディ スク装置を示す。

図 3 、 図 4 に示すよ う に、 磁気ディ スク装置のベース 6 0 には、 ァクチユエ一タ 4 の回転軸 & 2 と、 ァクチュ エー夕 4 の駆動のための磁気回路 6 3 と、 磁気ディ スク 5 の固定中心軸 6 4 と、 外部との接続のためのコネ ク タ 部 6 5 とが設けられている。 こ の中心軸 6 4 には、 図 5 に示すよ う に、 駆動コイ ルを備えたステ一夕部 6 6 が取 り付けらている。 又、 中心軸 6 4 には、 - 磁気ディ ス ク 5 を支え、 磁石を有する ローター部 5 0 が図示しないベア リ ングを介して回転可能に設けられている。

従って、 中心軸 6 4 に設けたステ一夕部 6 6 の駆動コ ィルを励磁する こ とによ り、 口一ター部 5 0 の磁石と作 用 して、 ロータ一部 5 0 は、 中心軸 6 4 を中心に回転し て、 磁気ディ ス ク 5 を回転させる。

又、 回転軸 6 2 には、 ァクチユエ一夕 4 の円筒部 4 3 の回転穴 4 5 (図 8 参照） が、 ベア リ ング 4 4 を介して 嵌め込まれ、 円筒部 4 3 の後部のコイル 4 1 は、 磁気回 路 6 3 の間に位置される。 こ のァクチユエ一夕 4 の円筒 部 4 3 には、 各々へッ ドチ ッ プ 1 を先端に備えた可撓性 支持体 2 を取り付けたアーム 3 が取り付けられる。

こ こでは、 ロータ一部 5 0 は、 2枚の磁気ディ ス ク 5 を支えている。 又、 ァ クチユエ一夕 4 には、 4 つのァ一 ム 3 が設けられ、 円筒部 4 3 に、 各へッ ドチ ッ プ 1 と外 部回路との接続のためのフ ラ ッ ト ケーブル 4 2 (図 3、 図 4 参照） が設けられており、 図 8 に.示すよ う に、 各へ ッ ドチ ッ プ 1 は、 アーム 3 に沿って設けられた リ ー ド線 3 0 によ り、 フ ラ ッ トケーブル 4 2 と接続される。

こ のベース 6 0 の上には、 図示しない駆動回路等の回 路基板が設け られ、 図 4 の状態で、 図 3 のカバ一 6 1 が ベース 6 0 にネ ジ止め固定され、 内部が密閉される。

この磁気ディ ス ク装置の高さ は、 約 5 m mであ り、 力 一 ドサイ ズの ものである。

このアーム 3 は、 図 7 に示すよ う に、 先端が屈曲 して おり、 この屈曲部に、 ヘッ ドチ ッ プ 1 を先端に設けた可 橈性支持体 2 が、 接着剤又は レーザースポッ ト溶接等に よ り取り付けられる。 又、 アーム 3 は、 円筒部 4 3 に、 接着剤又はネ ジ止めによ り、 取り付けられる。

従って、 磁気ディ ス ク 5 は、 ステ一夕部 6 6 によ り 口 一夕一部 5 0 が回転する こ とによ り 回転され、 へ ッ ドチ ッ プ 1 は、 ァ ク チユエ一夕 4 によ り磁気ディ ス ク 5 の半 径方向 （ ト ラ ッ ク交叉方向） にシー ク移動する。

( b ) 第 1 の実施例の説明

図 9 は本発明の第 1 の実施例の磁気へッ ド完成体の構 成図、 図 1 0 は図 9 の磁気ヘッ ド完成体の分解図、 図 1 1 は図 9 の磁気へッ ド完成体のへッ ドチ ッ プの構成図、 図 1 2 は図 9 の磁気ヘッ ド完成体の支持体の構成図、 図

1 3 は図 1 1 のへッ ドチ ッ プと図 1 2 の支持体との関係 図、 図 1 4 は図 1 3 の接続状態を示す図である。 図 1 0 において、 ヘッ ドチッ プ 1 は、 幅 w = 0 . 4 2 m m、 長さ 】 = ◦ . 8 m m、 厚さ 0 . 0 4 mmであ り、

図 1 1 で説明する構造を有する もの、 可撓性支持体 2 は -- 、 幅 W= 0 . 4 2 111111、 長さ = 1 0 . 7 mm、 厚さ 0

. 0 5 m mであ り、 図 1 2 で説明する ものである。

図 1 1 において、 ヘッ ドチ ッ プ 1 は、 プローブ型垂直

磁気記録ヘッ ドであ り、 ボール （主磁極） 1 6 — 1 とョ

ーク 1 6 — 2 とコア 1 6 — 3 と リ ターンスタ ツ ド 1 0 —

1、 1 0 — 2 で低磁気抵抗経路を構成している。 又、 ポ

ール 1 6 — 1 と リ ター ンスタ ツ ド 1.0 — 1 の間に高磁気

抵抗空隙が形成され、 ポール 1 6 ― 1 の部分に固い材料

で搆成されたコ ンタ ク トバッ ド 1 一 I が設けられている

。 コア 1 6 — 3 の周囲には、 螺旋コイル 1 7 が設けられ

ており、 コイル 1 7 に接続して、 金 （ A u ) で形成され

た一対の接鐃端子 1 1、 1 3 が露出 している。

従って、 図 1 1 ( B ) に示すよ う に、 二層の垂直磁気

記録用磁気ディ ス ク 5 に対し、 固いコ ンタ ク トパッ ド 1

一 1 が接触する。 そ して、 ポール 1 6 — 1 からの磁力は

、 磁気ディ スク 5 の下層からポール 1 6 — 1 と リ ター ン

スタ ッ ド I 0 — 1、 1 0 — 2 の間に、 分散して戻り、 磁

気ディ スク 5 のポール 1 6 — 1 の直下のみ磁化され、 垂

直記録が行われる。 この時、 ヘッ ドチッ プ 1 では、 固い

材料のコ ンタ ク トパッ ド 1 — 1 が、 磁気ディ スク 5 に接

触するため、 接触型記録をとつても、 へッ ドチ ッ プ 1·の

磨耗が少な く 、 安定に接触記録して、 高密度記録が可能 となる。

こ こ で、 こ のヘ ッ ドチ ッ プ 1 は、 薄膜の積層によ り形 成され、 薄膜の積層方向を磁気ディ スク 5 の面に対 し、 垂直方向 と したものである。 こ のヘッ ドチ ッ プ 1 は、 磁 極 1 6 — 1 を含む低磁気抵抗経路と、 コ イ ル 1 7 と、 端 子 1 1 、 1 3 が設けられてお り、 リ ー ド部分は設けてい ないため、 図 1 0 に示したよ う に、 極めて小さ く でき、 従来の 1 2 0 の大き さ にでき る。

次に、 こ のヘッ ドチ ッ プ 1 を支持する可撓性支持体 2 は、 図 1 2 に示すよ う に、 ステン レス等の可撓性のある 金属板 （基板） 2 0 上に、 絶縁樹脂等の絶縁層 2 7 を設 け、 この上に、 銅等の導電性金属材料によ り リ ー ドバタ — ン 2 4、 2 6 を形成する。 更に、 リ ー ドパター ン 2 4 、 2 6 上に、 リ ー ドパター ン 2 4、 2 6 の両端が露出す る よ う な穴を設けた絶縁性保護層 2 8 を設けてなる。 リ — ドパタ ー ン 2 4、 2 6 の露出部分の一端 （ヘッ ドチ ッ プ 1 との接続部分） には、 バンプ部 2 1 、 2 3 を設けて いる。

又、 こ の可撓性支持体 2 のアーム 3 との接続部分 （基 部） は、 アーム 3 との接続強度を大き く するため、 大き な面積と してある。

図 1 3 、 図 1 4 によ り、 へッ ドチ ッ プ 1 と、 可撓性支 持体 2 との接続について説明する。

図 1 3 に示すよ う に、 可撓性支持体 2 のバンプ部 2 1 、 2 3 の周囲に、 絶縁性の接着剤を塗布し、 ヘッ ドチ ッ プ 1 の端子 1 1 、 1 3 を、 可撓性支持体 2 のバンプ部 2

1 、 2 3 に位置合わせする。 そ して、 ヘッ ドチ ッ プ 1 の

端子 1 1 、 1 3 を、 可撓性支持体 2 のバンプ部 2 1 、 2 ' 3 に乗せ、 圧着する と、 図 1 4 ( A ) に示すよう に、 可

撓性支持体 2 のバンプ部 2 1 、 2 3 が突き出 しているの

で、 へッ ドチッ プ 1 の端子 1 1 、 1 3 と、 可撓性支持体

2 のバンプ部 2 1 、 2 3 とが導通し、 それ以外の部分で

接着剤によ りへッ ドチ ッ プ 1 が、 可撓性支持体 2 に固定

される。 このよ う に、 可撓性支持体 2 に、 バンプ部 2 1

、 2 3 を設ける と、 0 . 5 m m幅程度の微細なチッ プへ

ッ ド 1 を、 可撓性支持体 2 に電気的接続を行いつつ、 容

易に固定できる。 '

又、 図 1 4 ( B ) に示すよう に、 可撓性支持体 2 の リ

ー ドパターン 2 4 、 2 6 のアーム側端部に リ ー ド線 3 0

を接続する。 そ して、 可撓性支持体 2 の保護層 2 8 の前

述の面積の大きな部分に接着剤を塗布し、 アーム 3 に取

り付けて、 固定する。 この リ ー ド線 3 0 は、 図 8 で説明

したフ ラ ッ トケ一ブル 4 2 に接鐃される。

この図 1 4 ( B ) では、 アーム 3 の下側に、 可撓性支

持体 2 を取り付けているが、 アーム 3 の上側に取り付け

る と、 図 9 の如 く な り、 アーム 3 によ り、 ヘッ ドチ ッ プ

1 は、 そのコ ンタ ク トノ、。ッ ド 1 一 1 で磁気ディ スク 5 に

接触して、 垂直記録、 読み取りが可能となる。

このよ う に して、 従来一体形成していた可撓性磁気へ

ッ ドを、 磁極を含む低磁気抵抗経路とコイルと端子とを 薄膜形成したへッ ドチ ッ プ 1 と、 可撓性を有し、 端子を 備える可撓性支持体 2 とに分割したので、 ゥ ヱハーで形 成されるヘッ ドチ ッ プ 1 は、 大幅に増え、 こ の例では、 従来の数の約 1 0 倍以上の数のヘッ ドチ ッ プ 1 が 1 枚の ウ ェハーか ら得られる。 従って、 単純.に計算 して も、 約 1 1 0 の価格でヘッ ドチ ッ プを提供でき る。

こ のへッ ドチ ッ プ 1 の大き さ は、 奥行 （長さ） が 1 . 0 m m、 幅が 0 . 5 m m、 厚みが 0 . 2 m m以下が望ま しい。

又、 可撓性支持体 2 は、 幅 0 . 5 m m以下、 厚み 0 . l m m以下、 長さ 1 1 . 0 m m以下の ものが望ま しい。

( c ) 第 2 の実施例の説明

図 1 5 は本発明の第 2 の実施例の磁気へッ ド完成体の 構成図、 図 1 6 は図 1 5 の磁気へッ ド完成体の断面図、 図 1 7 は本発明の第 2 の実施例の他の磁気ヘ ッ ド完成体 の構成図、 図 1 8 は磁気へッ ド完成体の実装状態説明図 である。

図 1 5 乃至図 1 8 に示す例は、 構造を単純化した垂直 磁気記録用の単磁極へッ ドである。

図 1 5 に示すよ う に、 へッ ドチ ッ プ 1 一 2 の裏面には 、 ノ、。ッ ド 1 1 、 1 2、 1 3 が露出 してお り、 一方、 可撓 性支待体 2 には、 リ ー ド線を兼用する信号引き出 し用の リ ー ドパター ン 2 4、 2 5、 2 6 が形成されている。

こ の リ ー ドパター ン付き可撓性支持体 2 は、 前述の如 く 、 ステ ン レス シー ト に絶縁性レ ジス ト を塗布して、 導 体バタ一ンを形成する こ とによ り容易に作成できるが、 必ずしも金属シー トを使用せずに、 絶縁性プラスチ ッ ク やセラ ミ ッ クス等の薄板等を用いても良い。

そ して、 この実施例では、 可撓性支持体 2 の先端部が 、 9 0 度折り 曲げられて、 その折り曲げ部 2 a の背面側 には、 前述のパッ ド 1 1 、 1 2、 1 3 と対応する端子 2 1、 2 2、 2 3 が設け られてお り、 これらは前述の信号 リ ー ドパター ン 2 4 、 2 5 、 2 6 にそれぞれ接続されて いる。 又、 支持体 2 は、 同一幅、 同一厚みの細長い平板 状に形成したもので示したが、 第 1 の実施例と同様に、 アーム 3 側を幅広く 形成して、 ヘッ ドシーク方向の剛性 を向上させる こ と もできる。

へッ ドチッ プ 1 一 2 と可撓性支持体 2及びこれらを保 持するアーム 3 との結合は、 各部品に形成されたパッ ド や リ ー ド端子を利用 して、 電気的接続を兼ねて接合され る。 例えば、 へッ ドチッ プ 1 一 2 と可撓性支持体 2 との 接合に際しては、 各パッ ド 1 1 、 1 2、 1 3 や リ ー ド端 子 2 1 、 2 2、 2 3 に、 半田を蒸着ゃメ ツキ或いはべ一 ス ト塗布で成膜して半田バンプを形成し、 位置決め後に 加熱して、 接合する方法が有効である。

尚、 接続強度を確保するためには、 半田接合部の回り を接着捕強しても良 く 、 可撓性支持体 2 とアーム 3 との 接合も同様の方法で行う こ とができる。

このよ う に、 可撓性支持体 2 の先端を直角曲げする こ とによ り、 ヘッ ドチッ プ 1 — 2 との接合及びアーム 3 と の接合を可撓性支持体 2 の同一パター ン面を用いて行う こ とができ る。 又、 可撓性支持体 2 の先端を直角曲げ し たので、 ヘッ ドチ ッ プ 1 一 2 との接合面積を大き く とれ るから、 へッ ドチ ッ プ 1 一 2 と可撓性支持体 2 との接合 強度も増加する。

尚、 アーム 3 側の可撓性支持体 2 の リ ー ドパター ンの 端部には、 リ ー ド線 3 0 を接合する。 又、 この リ ー ド線 3 0 を接合する代わ り に、 アーム 3 側に導体パター ンを 設けて、 可撓性支持体 2 の リ ー ドパタ ー ン端部と接続 し ても良い。

次に、 ヘッ ドチ ッ プ 1 一 2 の構成について、 図 1 6 に よ り説明する。 図 1 6 において、 1 1 〜 1 3 はノ、。ッ ド、 1 4 は リ ター ンヨ ー クであ り、 N i F e (フ ェ ライ ト） から構成される も の、 1 5 は絶縁層、 1 6 は主磁極、 1 7 はコイ ル、 1 8 は絶縁保護層、 1 9 はバッ ク ヨ ー ク部 を示し、 これらは薄膜技術によ り作成され、 薄膜積層方 向は、 磁気ディ ス ク 5 の面に対し、 図の矢印で示す水平 方向である。

即ち、 ヘッ ドチ ッ プ 1 を作る ときは、 図 1 9 にて後述 する よ う に、 図示しない基板 （ウ ェハ一） 上に、 リ タ一 ンヨー ク 1 4 、 絶縁層 1 5 、 主磁極 1 6 、 コィ ノレ 1 7 、 絶掾保護層 1 8 、 バッ ク ヨー ク部 1 9 等が順次薄膜形成 され、 へッ ド素子部が形成される。

こ のよ う に、 薄膜形成方向が磁気ディ ス グ面と水平な 方向 と したのは、 図 1 9 にて示すよ う に、 主磁極 1 6 を 容易に作成するためである。

即ち、 図 1 1 で示した薄膜形成方向が、 磁気ディ スク 面と垂直な方向 （図 1 1 の矢印方向） のへ ッ ドチッ プ 1 では、 主磁極 1 6 を磁気ディ スク 5 に対し垂直に形成す る必要があるため、 主磁極 1 6 以外の部分を薄膜形成し た後、 チ ッ プに切り 出 し、 その後チ ッ プの端面に、 主磁 極 1 6 を別途薄膜形成する必要がある。

これに'対し、 薄膜形成方向を磁気ディ ス ク面と平行と する と、 主磁極 1 6 もその薄膜形成方向の薄膜形成によ り、 形成でき、 へッ ドチ ッ プ 1 一 2 の製造工程が削減で き、 しかも歩留 り も向上でき、 安価にヘッ ドチッ プを提 供できる。

又、 薄膜へッ ドの コイ ル形状は、 スパイ ラ ル夕イブと する と、 比較的大きなコイル面積が必要とされるが、 こ の実施例のコイル形状は、 磁極に密着巻きされるへ リ カ ルタイプであ り、 薄膜形成面積をよ り小さ く できる。

このよ う に して、 形成されたへッ ドチ ッ プは、 前述の よう に、 基板から図示する よ う に、 野球のホームベース 型に切り 出され、 その頂点に主磁極 1 6 の先端が位置す るヘッ ドチッ プ 1 一 2 とな り、 磁気ディ スク 5 面に垂直 に配置され、 記録再生に寄与できる よ う になる。

この実施例では、 図 1 6 ( B ) に示すよ う に、 へッ ド チッ プ 1 一 2 に形成された磁極 1 6 のバッ ク ヨ ーク部 1 9 から端子 1 2 を形成し、 可撓性支持体 2 を経由 して接 地する こ とによ り、 磁極の帯電による ノ イズの混入や損 傷を防止する こ とができ る。

こ のヘッ ドチ ッ プ 1 一 2 は、 可撓性支持体 2 との接続 に必要なノ、。ッ ド 1 1 、 1 2、 1 3 の大き さで寸法が制約 されるだけであ り、 数百 ミ ク ロ ン以下の寸法を容易に実 現でき る。 又、 厚みに関 しては、 基板部分を研磨等で除 去しているため、 薄膜形成部のみとな り、 数十 ミ ク ロ ン に薄 く する こ と も可能であ り、 小型、 軽量化に適 してい る。

こ のよ う に、 ヘッ ドチ ッ プ 1 一 2 を、 先端が直角曲げ された可撓性支持体 2 に接合 して支持したへッ ド構造と する と、 図 1 8 ( A ) に示すよ う に、 磁気ディ ス ク 5 間 への 1 本のアーム 3 による 2 個の磁気へッ ド完成体の実 装や、 或いは図 1 8 ( B ) に示すよ う に、 1 本のアーム 3 の 2 個の磁気へッ ド完成体よ る磁気ディ ス ク 5 を挟み こむよ うな実装が、 ヘッ ドチ ッ プ 1 一 2 の高さを利用 し て、 可撓性支持体 2 を変位させる こ とによ り、 へッ ドチ ッ プ 1 一 2 を磁気ディ スク 5 面に付勢状態に して行う こ とができ、 実装が容易 となる。

以上説明 した実施例では、 ヘッ ドチ ッ プ 1 一 2 の全て を薄膜形成した薄膜一体型へッ ドを示したが、 図 1 7 に 示すよ う に、 補強のため、 基板 （ウ ェハ一） の一部 1 a を残しても良 く 、 又、 N i F e の代わ り に、 フ ヱ ラ イ ト 基板を用いて、 リ タ ー ンヨ ー ク 1 4 を兼用 して も良い。 この場合、 厚みは若干大き く なる。

即ち、 前述 した図 1 5 、 図 1 6 の実施例では、 基板 （ ウ ェハー） 上に、 リ ターンヨ ーク 1 4、 絶縁層 1 5、 主 磁極 1 6、 コイル 1 7、 絶緣保護層 1 8、 バッ ク ヨーク 部 1 9等を順次薄膜形成した後、 基板 1 aを削除したが 、 これを削除せずに残し、 残した基板 1 aを図 1 1 のコ ンタ ク トパッ ド 1 一 1 と同様に、 磁気ディ スク 5 との接 触の際の、 接触部材として使用する こ とによ り、 主磁極 1 6 の磨耗を防止するものである。

又、 この例では、 可撓性支持体 2 に、 金属板 2 0 に絶 縁層 2 7を設け、 この上に リ ー ドパター ン 2 4、 2 6を 設けて、 保護曆 2 8 で被覆した支持体 （図 1 2 ) を用い ている。

この実施例でも、 ヘッ ドチ ッ プ 1 の大きさを、 例えば 、 長さ 0. 5 mm x幅 0. 5 mm x厚み 0. 1 mm程度 にでき、 質量は、 0. l m g となり、 素子部の面積は、 0. 2 5平方 ミ リ メ ー トル程度で済み、 質量を小さ く で き、 且つウ ェハー上に多数の素子を作成できる。

このよう な磁気へッ ド完成体を用いて、 接触型で垂直 磁気記録した。 この時のヘッ ドチッ プ 1 一 2の重量は、 1 . 0 m g、 ヘッ ドチッ プ 1 一 2の荷重が、 0. 5 m N と したとこ ろ、 ト ラ ッ ク密度が、 1 7、 0 Θ 0 Τ Ρ Ι、 最大記録密度が、 1 2万 Β Ρ I、 最大面記録密度が、 2 ギガビッ ト 平方ィ ンチの高密度記録が実現できた。

又、 ヘッ ド浮上量を、 0 . 0 7 ミ ク ロ ン と した場合で も、 最大面記録密度が、 1 ギガビッ ト Ζ平方イ ンチの結 果が得られた。 このへッ ドチ ッ プ 1 の大き さ は、 奥行 （長さ） が 1 .

O m m、 幅が 0 . 5 m m、 厚みが 0 . 2 m m以下が望ま しい。

又、 可撓性支持体 2 は、 幅 0 . 5 m m以下、 厚み 0 . 1 m m以下、 長さ 1 1 . 0 m m以下の ものが望ま しい。 次に、 かかるへッ ドチ ッ プの製造方法について説明す 0

図 1 9 は図 1 6 又は図 1 7 のヘッ ドチ ッ プの製造プロ セスを示す図である。

図 1 9 ( A ) に示すよ う に、 AL ₂0₃ TiC等の基板 （ゥ ェ ハ一） 1 a に、 へッ ドチ ッ プ完成体を保護するための絶 縁保護層 1 0 0 を形成する。 こ の保護層 1 0 0 と して、 AL ₂0₃ 等の膜を、 スパッ タ リ ングや蒸着法によ り、 数〜 数 1 0 ミ ク ロ ンの厚みに、 基板 1 a の前面に形成する。

次に、 図 1 9 ( B ) に示すよ う に、 基板 1 a上に、 Ni Fe等からなる リ ター ンヨ ー ク 1 4 を、 ス ノ ッ タ リ ン グや 蒸着法によ り、 数〜 3 0 ミ ク ロ ン成膜して、 フ ォ ト リ ソ グラ フ ィ 一技術を使用 して、 所望のヨ ー ク形状に形成す る。 こ の時、 必要に応じて、 軟磁性膜の磁気特性を向上 させるため、 磁場中の熱処理な どを加える。

次に、 図 1 9 ( C ) に示すよ う に、 NiFe等か らなるバ ッ ク ヨ ー ク 1 9 をフ レームメ ツ キ法によ り、 数 ミ ク ロ ン 厚みに形成する。 フ レームメ ツ キ法は、 0 . 1 ミ ク ロ ン 程度の薄い電極層を、 蒸着法等によ り、 成膜して、 メ ッ キベースを形成し、 その上にフ ォ ト レ ジス トで成膜しな い部分を覆い隠して、 電気メ ツ キする。 電気メ ツ キ後に

、 レ ジス トを除去して完成する。 尚、 成膜は電気メ ツ キ

だけでな く 、 スパッ タ リ ングや蒸着法を組み合わせても *一 良い。

この場合も、 必要に応じて、 軟磁性膜の磁気特性を向

上させるため、 磁場中の熱処理などを加える。

次に、 図 1 9 ( D ) に示すよう に、 リ ター ンヨー ク 1

4 とコイル 1 7 との絶縁を確保するため、 絶縁層 I 5 を

形成する。 絶縁層 1 5 の形成には、 A1 ₂0₃ 等からなる膜

を、 スパッ タ リ ングや蒸着法によ り、 数〜数 1 0 ミ ク ロ

ン程度成膜して、 その後表面を平面研磨して、 バッ ク ョ

ーク 1 9 を露出する。

次に、 図 1 9 ( E ) に示すよ う に、 絶縁層 1 5 上に、

コイル 1 7 と絶縁層 1 8 とを形成する。

即ち、 フ ォ ト レ ジス トからなる絶縁層をス ピ ンコー ト

し、 現像し、 焼成な ど経由 して、 所望の形状に形成する

。 その上に、 Cuからなる導体層を真空蒸着やスパッ タ リ

ング法によ り成膜し、 フ ォ ト リ ソ グラ フ ィ ー技術を使用

して、 所望のコイ ル形状に形成する。 更に、 その上に、

絶縁層となる フ ォ ト レ ジス トを前述と同様に形成する こ

とによ り、 1 層目のコイ ル 1 7 と絶縁曆 1 8 とが完成す

る

次に、 図 1 9 ( F ) に示すよ う に、 主磁極 1 6 を形成

する。

即ち、 N i Feや C o Zr系軟磁性膜を、 スパッ タ リ ングゃ蒸 着法で成膜し、 フ ォ ト リ ソ グラ フ ィ ー技術を使用 して、 所望の主磁極パター ンを得る。 図では、 均一の厚みに描 いたが、 2 層に して記録密度に寄与する先端部のみをサ ブ ミ ク ロ ンの必要な厚みに薄 く する。 更に、 必要に応じ て、 軟磁性膜の磁気特性を向上させるため、 磁場中の熱 処理な どを加える。

次に、 図 1 9 ( G ) に示すよ う に、 図 1 9 ( E ) で示 した 1 層目のコ イ ルと絶縁層の形成と同様の方法で、 2 層目 のコイ ル 1 7 と絶縁層 1 8 とを形成する。

次に、 図 1 9 ( G ) に示すよ う に、 コィ ノレ 1 7 からの 接続端子 1 1 、 1 3 となる盛り上げ部を、 C uの フ レ ーム メ ツ キ法等によ り形成する。

更に、 図 1 9 ( D ) で説明 した方法によ り、 A 1 ₂0 ₃ 等 からなる絶縁膜を、 スパッ タ リ ン グ法によ り、 数〜数 1 0 ミ ク ロ ン程度成膜して、 保護膜を形成し、 接続端子 1 1 、 1 3 が露出する まで表面を平面研磨する。

次に、 図 1 9 ( H ) に示すよ う に、 接続端子 2 1 、 2 3 の接続を、 金 （ A u ) ボンディ ングする場合等は、 保 護膜形成後に、 金 （ A u ) を蒸着やスパッ タ リ ン グ法に よ り成膜し、 フ ォ ト リ ソ グラ フ ィ ー技術を使用 して、 所 望の形状に形成する。

こ のよ う に して、 ゥ ヱノヽ一プロ セスを完了 し、 こ の後 は、 機械加工によ りへッ ドチ ッ プに分離する。

このよ う に、 主磁極 1 6 を含めた全てのエレ メ ン トを 同一の薄膜形成方向で形成でき るため、 従来のへッ ドチ ッ プ製造方法に比べ、 はるかに工程を少な く して、 へッ ドチ ッ プを製造できる。

ところで、 このよ う なヘッ ドチッ プ 1 一 2 は微細なた め、 個々 に支持体 2 に取り付ける こ とは、 極めて作業性 が悪い。 そこで、 次のよ う に して、 支持体 2 とヘッ ドチ ッ プ 1 一 2 とを接鐃したへッ ド完成体を組み立てる。

図 2 0 は図 1 5 及び図 1 7 の磁気へッ ド完成体の製造 プロセスを示す図、 図 2 1 は図 2 0 におけるヘッ ドチッ ' プのブロ ッ ク形成過程を示す図、 図 2 2 は図 2 0 におけ る支持体シー トの形成過程を示す図、 図 2 3 は図 2 0 に おける磁気へッ ド完成体の組立過程を示す図である。

①図 1 9 で説明 したプロセスによ り、 図 2 1 ( a ) に 示すよ う に、 基板 （ゥ ヱハー） 9 一 1 に、 図 2 1 ( c ) 、 （ d ) に示すよ う な構成の多数のヘッ ドチ ッ プ 1 一 2 薄膜プロセスによ り作成する。 このヘッ ドチ ッ プ 1 一 2 の構成は、 図 1 6 、 図 1 7 で説明したものと同一の構成 のものであ り、 説明は省略する。

そ して、 図 2 0 のへッ ドブロ ッ ク製造工程 I において 、 図 2 1 C A ) に示すよ う に、 ウ ェハー 9 一 1 から幅方 向に一列に並んだへッ ドチ ッ プ 1 一 2 のブロ ッ ク 9 - 2 を切り 出す。 そ して、 こ のブロ ッ ク 9 一 2 において、 図 2 1 ( c ) に示すよ う に、 各ヘッ ドチッ プ 1 一 2 の主磁 極 1 6 の先端が先細となる よ う に、 機械加工する。 更に 、 必要に応じて、 基板 9 — 1 を薄肉加工する こ とによ り 、 図 2 1 ( b ) に示すよ うな複数個のヘッ ドチッ プ 1 — 2 が、 横に一列に並んだヘッ ドブロ ッ ク 9 一 2 が製造さ れる。

②次に、 図 2 0 に示すよ う に、 支持パネ （支持体） シ — トを製造する。 図 2 2 ( A ) に示すよ う に、 ステ ン レ ス板から構成される板状部材 2 0 0 にブレス等の加工を 施し、 図 2 2 ( B ) に示すよ う に、 連絡バー 2 0 1 に対 して支持パネ 2 が、 櫛歯状に形成された支持パネ シー ト 2 0 0 を形成する。 そ して、 こ の実施例では、 各支持バ ネ 2 の先端は、 図 1 6 、 図 1 7 で示したよ う に、 9 0 ° 折り曲げられる。

この支持パネ 2 の上面には、 図 1 2 で示したよ う に、 ポ リ イ ミ ド絶縁層 2 7 と、 C u導体層 2 4、 2 6 と、 C u + S n P b から構成される接続端子 2 1 、 2 3 と、 ボ リ イ ミ ド保護層 2 8 な どが順次形成された リ ー ドパター ン 2 4、 2 6 が設け られる。

このへッ ドチ ッ プ 1 一 2 を支持するための板状の支持 ノく ネ 2 の ピッ チは、 図 2 1 のヘッ ドブロ ッ ク 9 一 2 に並 ぶヘッ ドチ ッ プ 1 一 2 の ピッ チ と同 じであ り、 支持バネ 2 の接続端子 2 1 、 2 3 は、 へッ ドチ ッ プ 1 一 2 の接続 端子 1 1 、 1 3 に重なる よ う に設けられる。

尚、 図 2 2 では、 2 本の リ ー ド ノ、。タ ー ン 2 4、 2 6 が 示されているが、 図 2 1 ( c ) のへッ ドチ ッ プ 1 一 2 に 対しては、 図 1 5 に示 したよ う に、 3 本の リ ー ドパタ ー ンを設ける。

③次に、 図 2 0 に示すよ う に、 ヘッ ドブロ ッ ク 9 一 2 と支持パネシー ト 2 0 0 とを位置決めする。 図 2 3 に示 すよう に、 支持パネ シー ト 2 0 0 の各支持パネ 2 に、 へ ッ ドブロ ッ ク 9 一 2 の各へッ ドチッ プ 1 一 2 を、 支持ノく ネ 2 の接続端子 2 1 、 2 3 とヘッ ドチ ッ プ 1 一 2 の接続 端子 1 1 、 1 3 とが重なる よ う に位置決めする。

④次に、 図 2 0 に示すよう に、 ヘッ ドブロ ッ ク 9 — 2 と支持バネシ一 ト 2 0 0 とを接合する。 図 2 3 に示すよ う に、 位置決めした支持パネ 2 の接続端子 2 1 、 2 3 と ヘッ ドチ ッ プ 1 一 2 の接鐃端子 1 1 、 1 3 とを、 加熱溶 融して、 半田接続する と と もに、 樹脂接着材を用いて、 接着補強して、 電気的及び機械的に接合する。

⑤更に、 図 2 0 に示すよう に、 ヘッ ドブロ ッ ク 9 一 2 と支持パネ シ一 ト 2 0 0 とを接合体から各磁気へッ ド完 成体を作成する。 図 2 3 ( a ) に示すよ う に、 前記接合 体のヘッ ドブロ ッ ク 9 一 2 の破線 C 1 の位置で、 スライ サ一等の切断機械によ り切断して、 各へッ ドチ ッ プ 1 一 2 に分離する。 そ して、 前記接合体の各支持パネ 2 の基 部を、 破線 C 2 の位置で、 レーザ照射によ り切断して、 各支持バネ 2 を連絡バー 2 0 1 から分雜する。 これによ り、 図 2 3 ( b ) に示すよ う に、 磁気へッ ド完成体が組 み立て られる。

このよ う にして、 へッ ドブロ ッ ク 9 一 2 の各へッ ドチ ッ プ 1 — 2 と、 支持パネシー ト 2 0 0 の各支持パネ 2 と が、 いずれも切 り離される こ とな く 、 大きな部品のまま 接合され、 接合後分離するため、 かかる微細なヘッ ドチ ッ プと して も、 磁気へッ ド完成体の組み立てが極めて容 易 とな り、 組み立て不良も減少する。

( d ) 第 3 の実施例の説明

図 2 4 は本発明の第 3 の実施例構成図である。 図中、 図 1 6 で示 した もの と同一の ものは、 同一の記号で示 し てある。

この実施例では、 へッ ドチ ッ プ 1 一 2 の上面 （磁気デ イ ス ク 5 と反対側の面） をカバーする よ う に、 可撓性支 持体 2 とへッ ドチ ッ プ 1 一 2 とを接合 している。 こ の可 撓性支持体 2 を、 N i F e 等の軟磁性体で形成する こ と によ り、 磁気シール ドの効果を発揮させる こ とができ、 図示 しない対向するへッ ドからの漏洩ノ イズの影響を少 な く でき、 ヘ ッ ド間の間隔をよ り小さ く でき る。

特に、 可撓性支持体 2 の先端部を、 直角曲げして、 へ ッ ドチ ッ プ 1 を包み込むよ う に接続すれば、 シール ド効 果をよ り高める こ とができ る。

この例でも、 第 2 の実施例と同様に、 図 2 4 ( B ) に 示すよ う に、 ヘッ ドチ ッ プ 1 の高さを利用 して、 可撓性 支持体 2 を変位させる こ とによ り、 ヘッ ドチ ッ プ 1 を磁 気ディ ス ク 5 面に付勢状態に して行う こ とができ、 実装 が容易 となる。

( e ) 第 4 の実施例の説明

.図 2 5 は本発明の第 4 の実施例構成図である。

図 2 5 ( A ) 、 （ B ) において、 図 1 6 、 図 2 4 で示 した もの と同一のものは、 同一の記号で示 してある。 図 2 5 (A) の実施例では、 半田溶融 Sによって、 へ ッ ドチ ッ プ ί のパッ ド 1 1 〜 1 3 と、 可撓性支持体 2の リ ー ド端子 2 1 〜 2 3が接合されている。

この実施例が、 前述の第 2、 第 3 の実施例と異なるの は、 可撓性支持体 2の先端が折り曲げられておらず、 平 坦になっている点である。 この実施例では、 へッ ドチッ プ 1 のパッ ド 1 1 、 1 2、 1 3 を磁気ディ スク 5 と反対 側の端面に露出させているので、 可撓性支持体 2 を曲げ ずに接鐃する こ とが可能となり、 支持バネ 2の製造がよ り容易 となる。

但し、 この場合は、 支持体 2 との接合面が 9 0度異な るので、 半田接合が複雑となる。

—方、 図 2 5 ( Β ) の例では、 図 2 5 ( A ) の構成に おいて、 ノ、。ッ ド 1 1 〜 1 3 と リ ー ド端子 2 1 〜 2 3 を、 金 （A u ) ボール Wの圧着による ワイヤーボンディ ング 等の別の接続方法を用いる。 これによ り、 図 2 5 (A) のよう に、 ヘッ ドチ ッ プ 1 一 2 と支持体 2 との接合面が 9 0度異なる場合でも、 確実に接合できる。

これらの実施例でも、 第 3 の実施例と同様に、 へッ ド チ ッ プ 1 の上面 （磁気ディ スク 5 と反対側の面） をカバ 一する よ う に、 可撓性支持体 2 とヘッ ドチ ッ プ 1 とが接 合されている。 このため、 可撓性支持体 2を、 N i F e 等の軟磁性体で形成して、 磁気シール ドの効果を発揮さ せる こ とが可能である。

このよ う な支持パネ 2の先端を折り 曲げない場合でも 、 図 2 0 以下によ り説明 した方法で磁気へッ ド完成体の 組み立てができ、 図 2 6 によ り説明する。

図 2 6 ( A ) に示すよ う に、 先端を折り 曲げない支持 パネ 2 を連結バー 2 0 1 で連結した支持パネ シー ト 2 0 0 を作成する。 次に、 前述したヘッ ドブロ ッ ク 9 一 2 を 支持バネ シ一 ト 2 0 0 の各支持バネ 2 の先端に位置決め し、 図 2 5 ( A ) で示 したよ う に、 半田溶融 S によ りへ ッ ドチ ッ プ 1 一 2 の接続端子 1 1 〜 1 3 と支持パネ 2 の 接続端子 2 1 〜 2 3 とを接合する。

そ して、 同様に、 へッ ドブロ ッ ク 9 一 2 からへッ ドチ ッ プ 1 一 2 を分離し、 支持パネ 2 を連絡バー 2 0 1 から 分離すれば、 磁気へッ ド完成体を組み立てでき る。

こ の時、 図 2 5 ( A ) に示したよ う に、 ヘッ ドチ ッ プ 1 一 2 と、 支持パネ 2 との接合面が 9 0 ⁰ 異な り、 半田 接合に手間がかかる こ とから、 図 2 5 ( B ) に示したよ う に、 金ボール Wの圧着によ る ワイヤ一ボンディ ン グ等 の方法を取る こ とが望ま しい。

と こ ろで、 磁気へッ ド完成体の支持パネ特性を向上す るには、 図 1 2 で示したよ う に、 支持バネ 2 の根本の幅 を広 く して、 上下方向 と シー グ方向の剛性バラ ンスをと る こ とが有効である。 即ち、 支持パネの剛性は、 単純片 持ち梁に比べて、 根本を広 く した台形片持ち梁の方が強 く 、 機械的特性が優れている こ とは、 周知の通り である と こ ろが、 図 2 2 に示した構成の支持バネ シ一 ト 2 0 0 において、 各支持バネ 2 の根本部分を太く する と、 支 持バネ 2 の配列ピッ チが低下し、 一枚の支持バネシー ト 2 0 0 に配置できる支持バネ 2 の数が減る こ とになる。

これに伴って、 支持パネ 2 の先端部の ピッ チが、 へッ ドブロ ッ ク 9 一 2 に並べられたへッ ドチ ッ プ 1 一 2 の ピ ツ チよ り広く な り、 ヘッ ドチッ プ 1 一 2 の ピ ッ チの微小 化を阻害し、 ヘッ ドチ ッ プ 1 一 2 の実装密度の低下を招 き、 コス ト低減を阻害する。

このへッ ドチッ プ 1 一 2 の実装密度の低下を防止しつ つ、 支持バネ 2 の特性を向上するための接合方法につい て、 図 2 7、 図 2 8 によ り説明する。

図 2 7 ( a ) に示すよう に、 2種類の支持パネ シー ト 2 0 0 — 1 、 2 0 0 — 2 を作成する。 この支持バネシ一 ト 2 0 0 — 1 、 2 0 0 — 2 は、 各支持パネ 2 の根本部分 を太 く し、 支持パネ 2 の先端部の ピッ チが、 へッ ドブロ ッ ク 9 一 2 に並べられたへッ ドチッ プ 1 一 2 の ピッ チの 2倍となる よ う に してある。

2種類の支持バネシー ト 2 0 0 — 1、 2 0 0 — 2 の違 いは、 リ ー ドパターンを同じ側に向けた時に、 支持バネ シー ト 2 0 0 — 1 、 2 0 0 — 2 の各支持バネ 2 の ピッ チ が半周期ずれている点である。

この 2 種類の支持バネシー ト 2 0 0 — 1、 2 0 0 - 2 を、 図 2 7 C b ) に示すよ う に、 重ねる と、 重ねた支持 バネシー ト 2 0 0 — 1、 2 0 0 — 2 において、 支持バネ 2 の先端部の ピッチは、 へッ ドブロ ッ ク 9 一 2 に並べら れたべ ッ ドチ ッ プ 1 一 2 の ピッ チに等し く なる。

こ のよ う に、 重ねた支持ノく ネ シー ト 2 0 0 — 1 、 2 0 0 — 2 において、 支持バネ 2 の先端部の ピッ チは、 へッ ドブロ ッ ク 9 一 2 に並べられたへッ ドチ ッ プ 1 一 2 の ピ ツ チに等し く なるため、 図 2 8 に示すよ う に、 図 2 6 と 同様に、 各支持パネ 2 の先端部の下面に、 へッ ドブロ ッ ク 9 — 2 を接合すれば良い。

そ して、 同様に、 接合体のへ ッ ドブロ ッ ク部を加工台 に仮止め し、 スラ イサーや レーザ照射によ って、 へ ッ ド ブロ ッ ク 9 一 2 からヘッ ドチ ッ プ 1 一 2 を分離して、 2 枚の支持パネ シー ト に分割し、 その後、 レーザ照射によ り、 支持パネ 2 を連絡バー 2 0 1 から分離すれば、 磁気 へッ ド完成体を組み立てでき る。

尚、 図 2 7 、 図 2 & で示した実施例では、 リ ー ドバタ ー ンを同 じ側に向けた時に、 支持バネ シー ト 2 0 0 - 1 、 2 0 0 — 2 の各支持パネ 2 の ピッ チを半周期ずら して 2種類作成したが、 1 種類の支持パネ シー ト 2 0 0 — 1 を作成し、 これを 2 枚重ねる時に、 支持バネ 2 の先端部 が半周期ずれる よ う に、 一方の支持パネ シー トをずらせ て重ねる こ とによ つて も実現でき る。 ·

( f ) 第 5 の実施例の説明

図 2 9 は本発明の第 5 の実施例構成図である。

こ の図では、 チ ッ プへッ ド 1 — 3 の正面断面図のみを 示してあ り、 2 個の主磁極 1 6 を両側面に寄せて形成し 、 へッ ドチ ッ プ 1 に 2 箇所の突出部を設ける こ とによ り 、 ヘッ ド組み立て体のロー リ ング方向の捩じ り復元力を 大き く する よう に したものである。

又、 この場合は、 必ずしも主磁極 1 6 を 2 個実装せず 、 片方をダミ ー と しても良い。

( g ) 第 6 の実施例の説明

図 3 0 は本発明の第 6 の実施例構成図である。

図中、 図 1 5 、 図 1 6 、 図 1 7、 図 2 4 で示したもの と同一のものは、 同一の記号で示してある。

図 3 0 の構成において、 図 2 4 の構成と異なるのは、 へッ ドチッ プ 1 — 4 において、 基板 1 a と復帰ヨー ク 1 4 の薄膜積曆方向の上のバッ ク ヨ ーク 1 9 の周囲に、 ス ノ、。ィ ラル形状のコ ィ ノレ 1 7 を形成し、 こ のバッ クヨー ク 1 9 に主磁極 1 6 を接続したものである。

こ の構成による と、 コイル 1 7 が同一面のため、 へッ ドチ ッ プ 1 一 4 の薄膜形成工程をよ り少な く する こ とが できる。 これを図 3 1 の図 3 0 のへッ ドチッ プの形成プ ロセス説明図によ り説明する。

図 3 1 ( A ) に示すよ う に、 復帰ヨーク 1 4 となる フ エ ライ ト基板 （ゥ ヱハー） l a を用いる。

次に、 図 3 1 ( B ) に示すよ う に、 基板 1 a上に、 コ ィル 1 7 と絶縁曆 1 8 — 1 とを形成する。

即ち、 フ ォ ト レ ジス トからなる絶縁層をス ピ ンコー ト し、 現像し、 焼成な ど経由 して、 所望の形状に形成する 。 その上に、 Cuからなる導体層を真空蒸着やスパッ タ リ ング法によ り成膜し、 フ ォ ト リ ソ グラ フ ィ ー技術を使用 して、 所望のスパイ ラルコ イ ル形状に形成する。 更に、 その上に、 絶縁層となる フ ォ ト レ ジス トを形成する こ と によ り、 スパイ ラルコィノレ 1 7 と絶縁層 1 8 とが完成す る。 こ の時、 コイ ル 1 7 の一部 1 7 — 1 を絶縁層 1 8 — 2上に露出 して形成する。

次に、 図 3 1 ( C ) に示すよ う に、 N i Fe等からなるバ ッ ク ヨー ク （つなぎ部） 1 9 をフ レーム メ ツ キ法によ り 、 数 ミ ク ロ ン厚みに形成する。 フ レームメ ツ キ法は、 0 . 1 ミ ク ロ ン程度の薄い電極層を、 蒸着法等によ り、 成 膜して、 メ ツ キベースを形成し、 その上にフ ォ ト レ ジス トで成膜しない部分を覆い隠 して、 電気メ ツ キする。 電 気メ ツ キ後に、 レジス トを除去して完成する。 尚、 成膜 は電気メ ツ キだけでな く 、 スパッ タ リ ングや蒸着法を組 み合わせても良い。

そ して、 コイル 1 7 の保護層 1 8 — 2 を形成する。 絶 縁層 1 5 の形成には、 A 1 ₂ 0 ₃ 等からなる膜を、 スパッ 夕 リ ングや蒸着法によ り、 数〜数 1 0 ミ ク ロ ン程度成膜し て、 その後表面を平面研磨して、 バッ ク ヨ ー ク 1 9 を露 出する。

同時に、 コイ ルの一部 1 7 — 1 の上に接続端子 1 1 、 1 3 の一部となる盛り上げ部 1 1 a 、 1 3 3 を、 （：11の フ レームメ ツ キ法等によ り形成する。

次に、 図 3 1 ( D ) に示すよ う に、 保護層 1 8 — 2 上 にバッ ク ヨー ク 1 9 と接続する主磁極 1 6 を形成する。

即ち、 N i F eや C o Zr系軟磁性膜を、 スパッ タ リ ン グゃ蒸 着法で成膜し、 フ ォ ト リ ソ グラ フ ィ ー技術を使用 して、 所望の主磁極パター ンを得る。 図では、 均一の厚みに描 いたが、 2 層に して記録密度に寄与する先端部のみをサ ブミ ク ロ ンの必要な厚みに薄く する。 更に、 必要に応じ て、 軟磁性膜の磁気特性を向上させるため、 磁場中の熱 処理などを加える。

同時に、 盛り上げ部 1 1 a、 1 3 a の上に、 接続端子 1 1 、 1 3 を、 Cuのフ レームメ ツ キ法等によ り形成する o

次に、 図 3 1 ( E ) に示すよ う に、 図 3 1 ( C ) で説 明した方法によ り、 A 1₂0₃ 等からなる絶縁膜を、 スパッ タ リ ング法によ り、 数〜数 1 0 ミ ク ロ ン程度成膜して、 保護膜を形成し、 接続端子 2 1 、 2 3 が露出する まで表 面を平面研磨する。

次に、 図 3 1 ( F ) に示すよ う に、 接続端子 2 1 、 2 3 の接銃を、 金 （ A u ) ボンディ ングする場合等は、 保 護膜形成後に、 金 （ A u ) を蒸着やスパッ タ リ ング法に よ りノ ンプ部 1 1 b、 1 3 b を成膜し、 フ ォ ト リ ソ グラ フ ィ ー技術を使用 して、 所望の形状に形成する。

このよ う に して、 ゥ ヱハ一プロセスを完了 し、 この後 は、 機械加工によ りへッ ドチップに分離する。

このプロセスでは、 図 1 9 のプロセスに比し、 大幅に 工程を少な く でき、 コス ト低減に寄与する。

( g ) 支持体の他の実施例の説明

図 3 2 は本発明の支持体の他の実施例構成図であ り、 可撓性支持体の変形例を示している。

この実施例では、 絶縁性樹脂等の可撓性絶縁板 2 — 1 に、 リ ー ドパター ン 2 4、 2 6 を設けた ものである。

こ の リ ー ドパター ン 2 4、 2 6 の接合は、 接着によ つ て良 く 、 圧着によ って も良 く 、 リ ー ドパター ン 2 4、 2 6 は、 板状でも良く 、 線状でも良 く 、 被覆無し導体であ つて も、 被覆無し導体であ って も良い。

図 3 3 は本発明の支持体の別の実施例構成図であ り、 可撓性支持体の変形例を示している。

この実施例では、 絶縁性樹脂等の可撓性絶縁板 2 - 1 に、 導体 2 4、 2 6 の機械的支持部 2 — 2 を設け、 導体 2 4、 2 6 を可撓性絶緣扳 2 - 1 の機械的支持部 2 - 2 に設置後、 凸部をか しめる こ とによ り固定する ものであ る。 その後、 補強のため、 樹脂等を塗布して も良 く 、 導 体 2 4、 2 6 は、 板状でも良 く 、 線状でも良 く 、 被覆無 し導体であって も、 被覆無し導体であって も良い。

図 3 4 は本発明の支持体の更に別の実施例構成図であ り、 可撓性支持体の変形例を示している。

こ の実施例では、 絶縁性樹脂等の可撓性絶縁板 2 - 1 に、 銅箔等の導体箔 2 9 を予め接着、 圧着、 メ ツ キ等に よ り形成しておき、 その導体箔 2 9 をエ ッ チ ングして、 所定形状の導体 2 4、 2 6 を得る ものである。

図 3 5 は本発明の支持体の更に別の実施例構成図であ り、 可撓性支持体の変形例を示している。

この実施例では、 可撓性絶縁板 2 — 1 用の金型 8 0 を 用意しておき、 これに導体 2 4、 2 6 をセ ッ ト して、 射 出成形機 8 1 によ り樹脂を金型 8 0 に射出 して、 導体 2 4、 2 6 を設けた絶緣性樹脂等の可撓性絶緣扳 2 — 1 を 形成する ものである。

図 3 6 は本発明の支持体の更に別の実施例構成図であ り、 可撓性支持体の変形例を示している。

こ の実施例では、 2 本の導体 2 4、 2 6 を 2 つの絶縁 体 2 — 3、 2 — 4 で挟み込むこ とによ り、 導体 2 4、 2 & を設けた絶縁性樹脂等の可撓性絶縁扳 2 — 1 を形成す る ものである。 こ の絶縁体 2 — 3、 2 — 4 同士の接合は 、 接着でも良いし、 機械的摩擦力によっても良い。

又、 いずれの場合も、 可撓性絶縁扳 2 — 1 に導電性の 金属で裏打ち しても良 く 、 第 2 の実施例等のよ う に、 導 体の数を 3 本以上と しても良い。

上述の実施例では、 接触形磁気へッ ドで説明したが、 浮上形磁気へッ ドにも適用できる。

磁気ディ スク装置の磁気ディ スクを複数枚の もので説 明したが、 1 枚のものでも良い。

( h ) 第 7 の実施例の説明

図 3 7 は本発明の第 7 の実施例斜視図、 図 3 8 は図 3 7 の構成の断面図であ り、 ヘッ ドチ ッ プ 1 一 2 と支持体 2 との他の接続例を示す。

へッ ドチッ プ 1 一 2 の構成は、 図 1 6 の もの と同一で あ り、 1 1、 1 3 はノ、'ッ ド、 1 4 は リ ター ンヨークであ り、 N i F e (フ ェ ライ ト） から構成される もの、 1 5 は絶縁層、 1 6 は主磁極、 1 7 はコイル、 1 8 は絶縁保 護層、 1 9 はバッ ク ヨー ク部を示し、 これらはゥ ヱハ一 1 a上に薄膜技術によ り作成され、 薄膜積層方向は、 磁 気ディ ス ク 5 の面に対し、 平行方向である。

一方、 可撓性支持体 2 は、 図 1 6 の ものと異な り、 直 角曲げ部が設け られてお らず、 平板形状であ り、 図 1 2 に示したよ う に、 金属板ベース 2 0 に、 絶縁層 2 7 を被 覆し、 その上に信号 リ ー ド線 2 4、 2 6 を設け、 更に保 護層 2 8 を設けてある。 この信号リ ー ド 2 4、 2 6 には 、 接続ノ、。ッ ド 2 1 、 2 3 と、 2 4 a、 2 6 a とを設けて ある。 この可撓性支持体 2 には、 先端を直角曲げ しない 構成のため、 絶縁性プラスチ ッ クゃセラ ミ ッ ク等を用い る こ とができ る。

こ のヘッ ドチ ッ プ 1 一 2 を、 その接続端子 1 1 、 1. 3 を可撓性支持体 2 の先方 （図の左方） に向けた姿勢で、 磁気ディ ス ク対向面に平行な面 （上端面） を可撓性支持 体 2 の先端部の取り付け面 （下面） に当接させる。

こ の当接面には、 厚さ 5 ミ ク ロ ン程度の紫外線硬化形 接着剤 Tを塗布し、 紫外線 （ U V光） を照射し、 瞬間硬 化させて、 機械的に固定する。

—方、 ヘッ ドチ ッ プ 1 一 2 の接続端子 1 1 、 1 3 と、 可撓性支持体 2 の接続端子 2 1 、 2 3 との間は、 金線等 のボンディ ングワイヤ Mで接続する。

こ の実施例では、 平面の支持体 2 に、 へッ ドチ ッ プ 1 _ 2 の磁気ディ ス ク対向面と反対面を接着するため、 磁 気ディ スク面との平行度が精度良 く 得られる。 又、 取り 付けに、 紫外線硬化型接着剤による加熱を伴わない接着 をとるため、 熱歪み等の熱的悪影響を与える こ とな く 、 容易に取り付けが可能となる。

( i ) 第 8 の実施例の説明

図 3 9 は本発明の第 8 の実施例の断面図であ り、 へッ ドチ ッ プ 1 一 2 と支持体 2 との他の接続例を示す。

へッ ドチッ プ 1 — 2 の構成は、 図 3 8 の もの と同一で あ り、 1 1 、 1 3 はパッ ド、 1 4 は リ ター ンヨ ークであ り、 N i F e (フ ェ ライ ト） から構成される もの、 1 5 は絶縁層、 1 6 は主磁極、 1 7 はコイル、 1 8 は絶縁保 護層、 1 9 はバッ ク ヨー ク部を示し、 これらはウ ェハー 1 a上に薄膜技術によ り作成され、 薄膜積層方向は、 磁 気ディ スク 5 の面に対し、 平行方向である。

—方、 可撓性支持体 2 も、 図 3 8 のものほぼ同一であ り、 直角曲げ部が設けられておらず、 平扳形状であ り、 金属扳ベース 2 0 に、 絶縁層 2 7 を被覆し、 その上に信 号リ ー ド線 2 4、 2 6 を設け、 更に保護層 2 8 を設けて ある。 この信号リ ー ド 2 4、 2 6 には、 接鐃パッ ド 2 1 、 2 3 と、 2 4 a、 2 6 a とを設けてある。 この可撓性 支持体 2 には、 更に、 その先端部の取り付け面に、 へッ ドチッ プ 1 一 2 の外形を挟み、 位置决めする A 1 ₂0₃ 等の 薄膜形成してなる一対の突起 2 0 — 1 、 2 を設けてある このヘッ ドチ ッ プ 1 一 2 を、 その接続端子 1 1 、 1 3 を可撓性支持体 2 の先方 （図の左方） に向けた姿勢で、 磁気ディ ス ク対向面に平行な面 （上端面） を可撓性支持 体 2 の先端部の取 り付け面 （下面） に、 突起 2 0 - 1 、 2 で位置決め して、 当接させ、 当接面には、 厚さ 5 ミ ク ロ ン程度の紫外線硬化形接着剤 Tを塗布し、 紫外線 （ U

V光） を照射し、 瞬間硬化させて、 機械的に固定する.。

—方、 ヘッ ドチ ッ プ 1 一 2 の接続端子 1 1 、 1 3 と、 可撓性支持体 2 の接繞端子 2 1 、 2 3 との間は、 金線等 のボンディ ン グワイヤ Mで接続する。

こ のよ う に、 可撓性支持体 2 に、 位置決め突起 2 0 — 1 、 2 を設ける こ と によ り、 ヘ ッ ドチ ッ プ 1 一 2 の位置 決めが容易 とな り、 磁気ディ ス ク の進行方向に対する磁 極の直角度を精度良 く 得る こ とができ、 ア ジマス損を少 な く でき る。

( j ) 第 9 の実施例の説明

図 4 0 は本発明の第 9 の実施例の断面図であ り、 へッ ドチ ッ プ 1 一 2 と支持体 2 との他の接続例を示す。

へッ ドチ ッ プ 1 一 2 の構成は、 図 3 8 の もの と同一で ある。 一方、 可撓性支持体 2 も、 図 3 8 の もの と同一で あ り、 直角曲げ部が設けられておらず、 平板形状である こ のヘッ ドチ ッ プ 1 一 2 を、 その接続端子 1 1 、 1 3 を可撓性支持体 2 の後方 （図の右方） に向けた姿勢で、 磁気ディ ス ク対向面に平行な面 （上端面） を可撓性支持 体 2 の先端部の取り付け面 （下面） に当接させ、 当接面 には、 厚さ 5 ミ ク ロ ン程度の紫外線硬化形接着剤 Tを塗 布し、 紫外線 （ U V光） を照射し、 瞬間硬化させて、 機 械的に固定する。

—方、 ヘッ ドチ ッ プ 1 一 2 の接続端子 1 1、 1 3 と、 可撓性支持体 2 の接続端子 2 1、 2 3 との間は、 B i — P b系合金等の低融点半田 Nで、 半田フ ィ レ ツ 卜を形成 する よ う に、 隅肉接合する。

このよう に、 ヘッ ドチ ッ プ 1 一 2 と支持体 2 とを低融 点半田で隅肉接合する こ とによ り、 電気的接続を行いつ つ、 接着剤による接着部の機械的強度を捕強する'効果が ある。 特に、 ウ ェハ一基板を リ ターンヨーク 1 4 で形成 する場合には、 ヘッ ドチッ プ 1 一 2 が薄く なり、 当接面 が小さ く な り、 接着面積が小さ く なつても、 前記隅肉接 合によって、 機械的強度を保持できる。 又、 低融点半田 Nを用いる こ とによ り、 接着した紫外線硬化型接着剤に 熱劣化を起こすおそれがない。

( k ) 第 1 0 の実施例の説明

図 4 1 は本発明の第 1 0 の実施例の断面図であ り、 へ ッ ドチ ッ プと可撓性支持体との接続の他の例を示す。 図 4 1 において、 ヘッ ドチ ッ プ 1 一 5 の構成は、 図 4 0 の実施例の構成に加えて、 リ ター ンヨ ーク 1 4 の基板 1 a に、 半田メ ツ キや金等の蒸着等による接合パ ッ ド 1 1 一 1 が設けられている。 又、 可撓性支持体 2 の構成も 、 図 4 0 の実施例とほぼ同一であるが、 更に取り付け面 の先端に半田メ ツキや金等の蒸着等による取り付けパッ ド 2 4 — 1 が設けられている。

こ の実施例では、 ヘ ッ ドチ ッ プ 1 一 5 の上面と、 支持 体 2 の取り付け面とを紫外線硬化型接着剤 Tによ り接着 する。 又、 へッ ドチ ッ プ 1 - 5 の接続端子 1 1 、 1 3 と 支持体 2 の接続端子 2 1 、 2 3 とを低融点半田 Nによ る 隅肉半田する。 更に、 へッ ドチ ッ プ 1 一 5 の接合パ ッ ド 1 1 一 1 と支持体 2 の取り付けパ ッ ド 2 4 — 1 とを低融 点半田 Nによる隅肉半田する。

こ のよ う にする と、 へッ ドチ ッ プ 1 一 5 の前後両側面 を低融点半田で隅肉接合するため、 機械的接続がよ り強 固となる。

( 1 ) 第 1 1 の実施例の説明

図 4 2 は本発明の第 1 1 の実施例の斜視図、 図 4 3 は 図 4 2 の断面図であ り、 へッ ドチ ッ プと支持体との他の 接繞例を示す。

ヘッ ドチ ッ プ 1 一 6 は、 主磁極 1 6 、 こ の磁極 1 6 を 巻回 したコイ ル 1 7、 これら磁極 1 6 、 コィ ノレ 1 7 を絶 緣保護 した絶縁層 1 5、 1 8 、 バッ ク ヨ ー ク 1 9 、 リ タ — ンヨー ク 1 4 及び接続端子 1 1 が設け られている点で は、 図 2 4 の構成と同一である。

こ の実施例の相違する点は、 図 4 2 、 図 4 3 ( B ) に 示すよ う に、 ヘッ ドチ ッ プ 1 — 6 の薄膜形成面から見て 、 T字状に形成されている点である。 そ して、 その丁字 状の垂直部 1 c に、 前記磁極 1 6 と、 磁極 1 6 を巻回 し たコイ ル 1 7 、 これら磁極 1 6 、 コ ィ ノレ 1 7 を絶縁保護 した絶縁層 1 5、 1 8、 ノくッ ク ヨーク 1 9 、 リ ターンョ ーク 1 4 が形成されている。 又、 その T字状の上方の水 平部の雨側に、 コ イル 1 7 の接続端子 1 1 、 1 3 が形成 されている。

こ のへッ ドチ ップ 1 — 6 は、 前述のよ う に、 例えば、 N i F e のゥ ヱハー基板上に多数のへッ ドチ ッ プを形成 しておき、 これを薄膜形成面から見て、. T字形伏に切り 出すこ とによ り作成される。 こ のヘッ ドチ ッ プ 1 一 6 は 、 チ ッ プ内に組み込まれる コイル 1 7 の巻回数で大き さ が制限されるが、 数 1 0 0 ミ ク ロ ン以下の寸法を実現で き、 厚みに関 しても、 薄膜形成部のみあれば良 く 、 数 1 0 ミ ク ロ ンに薄く ずる こ と もできる。

尚、 N i F e のゥ ヱハー基板上に、 多数形成されたへ ッ ドチッ プ 1 一 6 を T字形状に切り 出 したときに、 N i F e のウ ェハー基板の一部が、 前記リ ター ンヨ ーク 1 4 となる。 又、 N i F e のウ ェハー基板の代わ り に、 フ エ ライ トのウ ェハー基板を用いて、 フ ヱ ライ 卜の リ ター ン ヨーク 1 4 とする こ と もできる。 この場合、 ヘッ ドチッ プ 1 一 6 の厚みは若干厚く なる。

次に、 こ のヘッ ドチッ プ 1 一 6 を支持する可撓性支持 体 2 は、 前述したよう に、 絶縁用レジス トを塗布したス テン レスシー ト等の金属板 2 0 と、 その上に形成される 信号リ ー ドパターン 2 4、 2 6 と、 この上に設けられた 絶緣保護層 2 8 と、 信号 リ ー ドパターン 2 4、 2 6 をそ の両端で露出させた接鐃端子 2 1、 2 3、 2 a . 2 6 a どを有する。

更に、 かかる支持体 2 は、 その先端に、 凹部 2 — 1 が 形成されてお り、 こ の凹部 2 — 1 で T字形状のヘッ ドチ ッ プ 1 一 6 の垂直部 1 c を挟持する よ う に構成している 。 そ して、 図 4 3 ( A ) に示すよ う に、 この支持体 2 の 後端部が、 アーム 3 の前端に、 取り付けられる。

こ の支持体 2 の先端部に形成した凹部 2 — 1 に、 前記 T字形状のへッ ドチ ッ プ 1 一 6 の垂直部 1 c を挟持した 場合に、 T字形状のへッ ドチ ッ プ 1 一 6 の上方水平部に 設けたコイル 1 7 の接続端子 1 1 、 1 3 と、 可撓性支持 体 2 の先端部の凹部 2 - 1 の両側部に設けた信号 リ 一 ド ノ、。ター ン 2 4、 2 6 の接続端子 2 1 、 2 3 とが近接する よ う に、 前記接続端子 1 1 、 1 3 が形成されている。

こ のへッ ドチ ッ プ 1 一 6 と支持体 2 とを組み立てる に は、 支持体 2 の先端部に形成した凹部 2 - 1 に、 前記 T 字形状のへッ ドチ ッ プ 1 一 6 の垂直部 1 c を挟持させ、 絶縁性接着剤で接着して、 機械的に固定する。

そ して、 T字形状のへッ ドチ ッ プ 1 一 6 の上方水平部 に設けたコイ ル 1 7 の接続端子 1 1 、 1 3 と、 可撓性支 持体 2 の先端部の凹部 2 — 1 の両側部に設けた信号 リ ー ドパター ン 2 4、 2 6 の接続端子 2 1 、 2 3 とを、 低融 点金属又は導電性ペイ ン ト S を付着して、 電気的接続を 行う。

この時、 前述したよ う に、 接続端子 1 1 、 1 3 と接続 端子 2 1 、 2 3 との接続を、 金ボールボンディ ング法に よって行う こ と もできる。 この方法は、 電子スパーク に よ り 金ワイ ヤーの先端に発生した数 1 0 ミ ク ロ ン程度の 金ボール Sを、 接鐃端子 1 1 、 1 3 と接鐃端子 2 1 、 2 3 との間に押し付ける こ とによって、 接鐃する方法であ る。 この接続法では、 接続端子間に、 金ボールを圧着す るだけで接続でき るため、 上述した低融点金属又は導電 性ペイ ン トを使用する方法よ り、 迅速で且つ容易に、 互 いに 9 0 度の角度を持つ接繚端子間を接繞する こ とがで きる。

又、 T字形状のチ ッ プへッ ド 1 一 6 の垂直部 1 c を、 支持体 2 の先端に形成された凹部 2 — .1 に挟持して、 接 合するので、 強固な接合が可能となり'、 しかも接合作業 を容易に行う こ とができる。

更に、 T字形状のチ ッ プヘッ ド 1 一 6 の垂直部 l c を 、 支持体 2 の先端に形成された凹部 2 — 1 に挟持するた め、 ヘッ ドチッ プ 1 一 6 の磁極 1 6 の先端と支持体 2 と の間隔を小さ く でき、 これによ り、 支持体 2 と磁気ディ スク 5 との距離を短 く できる。 このため、 ヘッ ドチッ プ 1 — 6 のロー リ ング方向の傾きを減少する こ とができる 。 例えば、 磁気ディ スク とへッ ドチッ プ 1 一 の支持体 2 との間隔を、 従来の 1 Z 2 とする と、 ヘッ ドチッ プ 1 一 6 のロー リ ング方向の傾きを、 1 Z 2 に抑える こ とが でき、 記録、 再生を安定に行う こ とができる。

( m ) 第 1 2 の実施例の説明

図 4 4 は本発明の第 1 2 の実施例の構成図、 図 4 5 は 図 4 4 の構成の実装状態図である。

図 4 5 に示すよ う に、 アーム 3 には、 一対の リ ー ドパ ター ン線 3 2 が設けられ、 リ ー ドパター ン線 3 2 の先端 には、 一対のアーム端子部 3 1 が設け られている。

このアーム 3 は、 ステン レス等の金属で構成され、 そ の上に絶縁層を被覆した上に、 銅パター ンによ り、 これ ら リ ー ドパター ン線 _{3 2} と、 アーム端子部 ₃ 1 を形成し

、 リ ー ドパター ン線 2 3 2 、 保護層で被覆する。

この了一ム 3 の端子部 3 1 には、 先端にへッ ドチ ッ プ 1 を接続したジ ンバル線 2 4 が取り付け られる。

図 4 4 ( A ) に示すよ う に、 ヘッ ドチ ッ プ 1 は、 図 1 1 で示した端子部 1 1 、 1 3 を上面に有するヘ ッ ドチ ッ プで構成される。 一方、 ジンバル線 2 — 4 は、 直径 0 . 1 腿の リ ン青銅線で構成され、 パネ性と導電性とを有し 、 一対設け られる。

そ して、 図 4 4 ( B ) に示すよ う に、 並行な.一対のジ ンバル線 2 4 の一端を、 ヘッ ドチ ッ プ 1 の端子部 1 1 、 1 3 に、 熱又は超音波圧着等で接続し、 他端を、 アーム 3 のアーム端子部 3 1 に、 同様に、 熱又は超音波圧着等 で接続する と、 アーム 3 と、 へッ ドチ ッ プ 1 とが、 並行 なジ ンバル線 2 — 4 によ り、 電気的に、 機械的に接続さ れる。

このジンバル線 2 — 4 は、 パネ性を有しているので、 へッ ドチ ッ プ 1 を弾性支持し、 両端子部 1 1 、 1 3 と 3 1 を接続するので、 へッ ドチ ッ プ 1 がアーム 3 の リ ー ド パター ン線 3 2 に接続され、 記録再生信号の伝達が可能 となる。

このよ う に、 ジンバル線 2 — 4 を用いて、 ヘッ ドチ ッ プ 1 の端子部 1 1 、 1 3 と、 アーム 3 のアーム端子部 3 1 とを接鐃するだけで、 磁気へッ ドアセ ンブリ が完成す るので、 へッ ドチッ プ 1 が微細であつても、 容易にジン バル線 2 — 4 によ り アーム 3 と接続でき、 小型の磁気へ ッ ドアセ ンブ リ を容易に組立る こ とができる。

又、 ジンバル線 2 - 4 を、 両端子部 1 1 、 1 3 と 3 1 に接繞する工程で済むので、 微細部品の組立工程が減少 し、 小型の磁気へッ ドアセンブリ を容易に完成できる。

しかも、 部品点数も減少するため、 組立の容易さ と組 み合わせて、 低コス トで小型の磁気へッ ドアセンブリ を 作製できる。

更に、 この例では、 アーム 3 に、 リ ー ドバタ一ン線 3 2 を設けているので、 線材と しての リ ー ド線を使用 しな く て済み、 微細なスペースでの リ ー ド線のフ ォ ー ミ ング 等が必要な く 、 組立が更に容易となる。

ジンバル線 2 — 4 を 2本並行に設けているため、 へッ ドチッ プ 1 のロー リ ング方向に対する強度を付与する こ とができる。

( n ) 第 1 3 の実施例の説明

図 4 6 は本発明の第 1 3 の実施例構成図である。

この実施例では、 図 4 6 ( A ) 、 （ C ) に示すよ う に 、 アーム 3 の 2 つのアーム端子部 3 1 を、 アーム 3 の雨 側部分に配置し、 ヘッ ドチ ッ プ 1 の端子部 1 1 、 1 3 の 間隔よ り広 く したものである。

このよ う にする と、 一対のジンバル線 2 — 4 の一端を 、 ヘッ ドチ ッ プ 1 の端子部 1 1 、 1 3 に接続し、 他端を アーム 3 のアーム端子部 3 1 に接続する と、 一対のジ ン バル線 2 — 4 は、 並行でな く 、 八の字状にな り、 ト ラ ス 形とする こ とができ る。

このため、 磁気へッ ドアセ ンブ リ のシー ク方向に対す る剛性を高める こ とができ、 微細な線材でも、 高い剛性 を付与する こ とができ る。 特にへッ ドが接触して、 記録 再生を行う接触形へッ ドでは、 シー ク動作の際、 へ ッ ド チ ッ プ 1 にシー ク方向の力がかかるため、 効果が大きい 又、 図 4 6 ( B ) に示すよ う に、 ジ ンバル線 2 — 4 を 、 角形形状の リ ン青銅線 2 — 4 a の周囲に、 金メ ッ キ層 2 — 4 b を設け、 更にその周囲にパーマロイ層 2 — 4 c をメ ツ キする構成とする こ とによ り、 ノヽ。一マロイ層 2 — 4 c によ り シール ド効果を持たせる こ とができ る。

こ の シール ド効果は、 へ ッ ドチ ッ プ 1 が微細となる と 、 記録再生信号が微弱とな り、 ノ イ ズの影響を受けやす いこ とから、 記録再生機能の向上に極めて効果がある。 ( 0 ) 第 1 4 の実施例の説明

図 4 7 は本発明の第 1 4 の実施例説明図である。

こ の実施例では、 図 4 7 ( A ) ( B ) に示すよ う に 、 ジンノく ル線 2 — 5 において、 アーム端子部 3 1 側の太 さを、 へッ ドチッ プ 1 側の太さ よ り太 く して、 且つァ一 厶 3 のアーム端子部 3 1 の幅を大き く したものである'。

このよ う にする と、 一対のジンバル線 2 — 5 の一端を 、 へッ ドチッ プ 1 の端子部 1 1、 1 3 に接続し、 他端を アーム 3 のアーム端子部 3 1 に接続する と、 一対のジン ノくル線 2 — 5 は、 並行であるが、 ヘッ ドチ ッ プ 1 側と、 アーム 3 側とで太さが異なる トラス形とな り、 シー ク方 向に対する剛性を与える こ とができる。

又、 この構成では、 アーム 3 側のジンバル線 2 — 5 の 接鐃面積が大き く な り、 よ り シーク方向の剛性が高く な り、 且つ接続強度も大き く できる。

( ) 第 1 5 の実施例の説明

図 4 8 は本発明の第 1 5 の実施例構成図である。

この実施例では、 図 4 8 に示すよう に、 図 4 6 の実施 例と同様に、 アーム 3 の 2 つのアーム端子部 3 1 を、 ァ ーム 3 の両側部分に配置し、 ヘッ ドチ ッ プ 1 の端子部 1 1、 1 3 の間隔よ り広く している。

このため、 一対のジンバル線 2 — 4 の一端を、 へッ ド チ ップ 1 の端子部 1 1、 1 3 に接続し、 他端をアーム 3 のアーム端子部 3 1 に接続する と、 一対のジンバル線 2 一 4 は、 並行でな く 、 八の字状にな り、 ト ラス形とする こ とができ、 シー ク方向に対する剛性を向上できる。 更に、 ジンバル線 2 — 4 間に、 絶緣物で構成された補 強板 2 — 6 を形成して、 はしご形と し、 よ り シーク方向 に対する剛性を強めたものである。 ( q ) 第 1 6 の実施例の説明

図 4 9 は本発明の第 1 6 の実施例の構成図、 図 5 0 は 本発明の第 1 6 の実施例の他の構成を示す図であ り、 へ ッ ドチ ッ プ 1 と支持体 2 との他の接続例を示すものであ る。

これらの実施例は、 へッ ドチ ッ プ 1 と支持板 2 との接 続形態において、 へッ トチ ッ プ 1 を支持板 2 に機械的に 保持する保持手段 2 9 を設けた ものである。

図 4 9 ( A ) では、 支持板 2 の先端に、 へッ ドチ ッ プ 1 を四方から保持する保持板 2 9 a、 2 9 b を設け、 ソ ケ ッ トのよ う に、 ヘッ ドチ ッ プ 1 を保持する ものである 図 4 9 ( B ) では、 支持板 2 の先端に、 へッ ドチ ッ プ 1 を両側から保持する保持板 2 9 b を設け、 へッ ドチ ッ プ 1 を保持する ものである。

図 4 9 ( C ) 、 図 4 9 ( D ) は、 いずれも図 4 9 ( A ) の変形例であ り、 支持板 2 の先端に、 ヘッ ドチ ッ プ 1 を四方から保持する保持板 2 9 a、 2 9 b を設け、 ソケ ッ トのよ う に、 磁気へッ ドコア 2 1 を保持する ものであ る。

このよ う な保持板 2 9 a、 2 9 b は、 支持体 2 の板金 加工や、 酸化アル ミ ニウム等の蒸着等によ り形成でき、 へッ ドチ ッ プの固定と位置決めが可能となる他に、 へッ ドチ ッ プ 1 の接着が不要とな り、 交換も容易 となる。 又、 図 5 0 ( A ) 、 （ B ) の例では、 ヘッ ドチ ッ プ 1 に端子 1 1 a、 l i . 1 3 a、 1 3 bを設け、 支持扳 2の配線パター ン 2 4、 2 6 に設けた接続かしめ端子部 2 1 a、 2 3 a に、 端子 1 1 a、 l l b、 1 3 a . 1 3 bを嵌め込み、 機械的保持と電気的接続とを図ったもの である。

更に、 図 5 0 ( C ) の例では、 支持扳 2の一対の保持 板 2 9 bの一方に、 配線パターン Rに接続された接镜端 子 2 1 cを設ける。 これと ともに、 へッ ドチ ッ プ 1 の側 面に接続端子 1 1、 1 3 を設ける。 そして、 へッ .ドチッ プ 1 を一対の保持板 2 9 bに挿入して、 保持させた時に 、 ヘッ ドチッ プ 1 の接続端子 1 1 、 1 3 と、 保持扳 2 9 bの接続端子 2 1 c とが接触して、 電気的な接続を可能 と したものである。

( r ) 第 I 7の実施例の説明

図 5 1 は本発明の第 1 7の実施例が適用される磁気デ イ スク装置の構成図、 図 5 2 は図 5 1 の構成の断面図、 図 5 3 は図 5 1 のァクチユエ一夕の正面図、 図 5 4 は本 発明の第 1 7の実施例の説明図、 図 5 5 はその接続方法 の説明図である。

図 5 1 の磁気ディ ス ク装置は、 3. 5 イ ンチの磁気デ イ スクに、 へッ ドを淳上させて、 磁気記録を行う磁気デ ィ スク装置を示す。

装置のベース 6 0 — 1 には、 ス ピン ドル軸 6 4 — 1 を 中心に回転する 3. 5 イ ンチの磁気ディ ス ク 5 — 1 と、 磁気回路 6 3 - 1 とが設けられてお り、 ァ クチユエ一夕 4 — 1 が、 回転軸 6 2 — 1 を中心に回転可能に取り 付け られている。

こ のァ ク チユエ一夕 4 一 】 は、 図 5 1 、 図 5 2 、 図 5 3 に示すよ う に、 後部にコイ ル 4 1 一 1 が設けられてお り、 こ のコイル 4 1 一 1 は、 磁気回路 6 3 — 1 間に位置 される。

図 5 2 に示すよ う に、 ァ ク チユエ一夕 4 一 1 の前部に は、 9 個のアーム 3 — 1 が形成され、 各アーム 3 — 1 に は、 先端に磁気ヘッ ドコア （コアスライ ダー） 8 を有す る支持板 （サスペ ン シ ョ ン） 7 が設けられている。

こ のァ クチユ エ一夕 4 一 1 は、 コ ィ ノレ 4 1 一 1 と磁気 回路 6 3 一 1 によ り リ ニアァ クチユエ一夕を構成する。 そ して、 コイ ル 4 1 一 1 に電流を流すこ とによ り、 回転 軸 6 2 — 1 を中心に回動 して、 磁気へッ ドコア 8 を、 磁 気ディ スク 5 — 1 の ト ラ ッ ク と交叉する方向 （半径方向 ) にシー ク駆動する。

図 5 4 において、 7 は支持板 （サスペン シ ョ ン） であ り、 ステ ン レス等のパネ性のある金属で構成され、 その 上に絶縁層を被覆 した上に、 銅パター ンによ り、 一対の 配線パター ン 7 1 と、 サスペ ン シ ョ ン接続端子部 7 2 を 形成し、 アーム 3 — 1 に一端がレーザースポ ッ ト溶接等 で固定される。

8 は磁気へッ ドコア （コアスライ ダー） であ り、 側面 に一対のコアスライ ダー接鐃端子 8 2 と、 薄膜磁気へッ ド 8 1 が設けられている。 この支持板 7 に、 磁気へッ ドコア 8 を接着して、 支持 板 7 の接鐃端子 7 2 と、 磁気へッ ドコア 8 の接続端子 8 2 とが、 図 5 4 ( B ) 、 図 5 5 ( A ) に示すよ う な位置 関係に固定され、 ポールボンダ一により、 径 0 . 1 ram程 度の金ボール Wを金メ ッ キされた両接繞端子 8 2、 7 2 に接触させ、 加圧、 超音波圧着する と、 金属間結合によ り、 両接続端子 8 2、 7 2 が金ボール Wを介して電気的 、 機械的に接続される。 尚、 この例では、 磁気ディ スク 5 一 1 は、 図の上側に位置する。

このよ う に、 支持板 7 に配線パターン 7 1 と接続端子 7 2を設け、 磁気へッ ドコア 8 に接続端子 8 2 を設けて お く と、 金ボールボンディ ングによ り接続できるため、 微細な磁気ヘッ ドコア 8 でも、 容易に接続作業が可能と なり、 磁気へッ ドアセ ンブリ の小型化が実現できる。

又、 リ ー ド線のよ う に、 配線作業が不要となるため、 微細なサスペンシ ョ ンでの困難な配線作業をしな く て済 み、 一層組み立て作業が容易 となる。

更に、 部品点数も減少し、 組み立て作業を容易 と し、 小型の磁気へッ ドアセ ンブ リ を実現できる。

図 5 5 ( B ) は、 第 1 7 の実施例の変形例であ り、 磁 気ヘッ ドコア 8 の流入側に、 ダミ ー端子 8 3 を設け、 こ れに対応して、 支持扳 7 の配線パター ン 7 1 にダ ミ ー端 子 7 3 を設ける。 そ して、 ボールボンダ一によ り、 径 0 . 1 腿程度の金ボール Wを金メ ッキされた雨接続端子 8 3、 7 3 に接触させ、 加圧、 超音波圧着する と、 金属間 結合によ り、 両接続端子 8 3、 7 3 が金ポール Wを介 し ご接^ ォ" Lる 0

このよ う にする と、 磁気ヘッ ドコア 8 は、 支持板 7 に 金ボール Wによ り両端が接続されるため、 磁気へ ッ ドコ ァ 8 を、 支持板 7 に接着する必要がな く 、 ボールボンデ イ ング工程のみで接続が可能とな り、 一層組み立てが容 易となる。

尚、 この例では、 支持板 7 の配線パター ン 7 1 のァ一 ム側端子 （図 5 4 ( A ) 参照） に リ ー ド線を接続し、 ァ —ム 3 に取り付けるが、 アーム 3 は比較的大きいため、 この配線は容易である。

( s ) 第 1 8 の実施例の説明

図 5 6 は本発明の第 1 8 の実施例構成図である。

図 5 6 の実施例の磁気ディ ス ク装置の構成は、 図 5 1 乃至図 5 3 の もの と変わ りな く 、 磁気へッ ドアセ ンブ リ のみを示している。

この実施例では、 磁気へッ ドコア （コアスライ ダー） 8 の下面に薄膜へッ ド部 8 1 と、 一対のコア端子部 8 3 を設け、 支持板 7 の先端の一対の端子部 7 2 間に切り欠 き部 7 3 を設けてある。

そ して、 図 5 6 ( B ) に示すよ う に、 磁気へッ ドコア 8 の薄膜へッ ド部 8 1 を、 支持板 7 の切り欠き部 7 3 に 嵌め込み、 端子 8 3 と、 端子 7 2 とを接触させ、 図 5 6 ( C ) に示すよ う に、 磁気へッ ドコア 8 側から超音波及 び熱を加える と、 両端子 8 3、 7 2 の金メ ッ キ部の金属 間結合によ り、 電気的接続が可能となる。

このよ う にする と、 接続端子 8 3、 7 2 を予め磁気へ

^ ッ ドコア 8 と、 支持板 7 に形成してあるので、 接続端子

8 3、 7 2 間の位置合わせだけで、 接鐃が可能とな り、

微小部品の接鐃作業が容易となる。

又、 切 り欠き部 7 3 によ り、 磁気へッ ドコア 8 を位置

決め しているので、 容易に位置合わせができる。

尚、 この例では、 磁気ディ ス ク 5 — 1 は、 薄膜ヘッ ド

8 1 の下側に位置する。

( t ) 第 1 9 の実施例の説明

図 5 7 は本発明の第 1 9 の実施例説明図である。

図 5 7 の実施例においても、 磁気ディ スク装置の構成

は、 図 5 1 乃至図 5 3 のもの と変わりな く 、 磁気へッ ド

アセンブリ のみを示している。

この実施例では、 図 5 6 の実施例の構成において、 即

ち、 磁気ヘッ ドコア （コアスライ ダー） 8 の下面に薄膜

へッ ド部 8 1 と、 一対のコア端子部 8 2 を設けた構成に

おいて、 図 5 7 ( C ) に示すよ う に、 支持扳 7 の接続端

子 7 2 a に、 導電性フ イ ラ— U 1 を含む導電性接着剤 U

を塗布し、 コア端子部 8 2 を乗せ、 接着する。 '

この時、 導電性接着剤 ϋの導電性フ イ ラ一 U I が、 端

子 8 2、 7 2 a に導かれる よ う に、 磁界又は電界を印加

する と、 導電性フ ィ ラー U 1 が、 端子 8 2、 7 2 a 間に

集中し、 端子間抵抗を下げ、 且つ端子部分以外では、 導

電性を示さないよ う にでき、 隣の端子との短絡を防止で き る。

このよ う にする と、 導電性接着剤 Uの塗布のみで接続 でき、 微小な磁気ヘッ ドコア 8 の接続作業が容易 となる ( u ) 第 2 0 の実施例の説明

図 8 、 図 5 9 は本発明の第 2 0 の実施例構成図 （そ の 1 ) 、 （その 2 ) である。

図 5 8 、 図 5 9 の実施例において も、 磁気ディ ス ク装 置の構成は、 図 5 1 乃至図 5 3 の もの と変わ り な く 、 磁 気へッ ドアセ ンブリ のみを示 している。

この実施例では、 図 5 4 乃至図 5 7 で示した磁気へ ッ ドコア 8 の端子 8 2 と支持板 7 の端子 7 2 の接続形態に おいて、 磁気へッ ドコア 8 を支持板 7 に機械的に保持す る保持手段 7 3 を設けた ものである。

図 5 8 ( A ) では、 支持板 7 の先端に、 磁気へッ ドコ ァ 8 を四方から保持する保持板 7 3 a、 7 3 b を設け、 ソケ ッ 卜のよ う に、 磁気へッ ドコア 8 を保持する もので め O ₀

図 5 8 ( B ) では、 支持板 7 の先端に、 磁気へ ッ ドコ ァ 8 を両側から保持する保持板 7 3 b を設け、 磁気へッ ドコア 8 を保持する ものである。

図 5 8 ( C ) 、 図 5 8 ( D ) は、 いずれも図 5 8 ( A ) の変形例であ り、 支持板 7 の先端に、 磁気へ ッ ドコア 8 を四方から保持する保持板 7 3 a、 7 3 b を設け、 ソ ケ ッ ト のよ う に、 磁気へッ ドコア 8 を保持する ものであ る o

このよ う にする と、 磁気ヘッ ドコア 8 の接着が不要と な り、 交換も容易 となる。

又、 図 5 9 ( A ) 、 （ B ) の例では、 磁気ヘッ ドコア 8 に端子 8 2 a を設け、 支持板 7 の配線パター ン 7 1 に 設けた接続かしめ端子部 7 2 a、 7 2 b に、 端子 8 2 a を嵌め込み、 機械的保持と電気的接続とを図ったもので ある。

更に、 図 5 9 ( C ) の.例では、 支持板 7 の一対の保持 扳 7 3 b の一方に、 配線パター ン 7 4 に接続された接続 端子 7 2 b を設ける。 これと と もに、 磁気へッ ドコア 8 の側面に接鐃端子 8 2 を設ける。 そ して、 磁気へッ ドコ ァ έ を一対の保持板 7 3 b に揷入して、 保持させた時に 、 磁気へッ ドコア 8 の接続端子 8 2 a と、 保持板 7 3 b の接続端子 7 2 b とが接触して、 電気的に接鐃する もの である。

以上、 本発明を実施例によ り説明したが、 本発明の主 旨の範囲内において、 種々 の変形が可能であ り、 これら を本発明から排除する ものではない。 .

産業上の利用可能性

ウ ェハーで作成するへッ ド部分を薄膜形成が必要な最 小部分と し、 他の部分は可撓性支持体と して別途作成す るので、 ウ ェハーで作成するへッ ドチッ プの数を大幅に 増加でき、 かかるへッ ドチ ッ プ及びこれを用いた磁気デ イ スク装置の価格を大幅に低 く できる。

Claims

請 O求の範囲

1 . 磁気ディ ス ク （ 5 ) にデータを磁気記録及び再生す るため、 アーム （ 3 ) に取り付けられる磁気へ ッ ド完成 体であって、

絶縁層 と磁極 （ 1 6 ) と コイ ル （ 1 7 ) と前記コイ ル ( 1 7 ) の端子部 （ 1 1 、 1 3 ) とを薄膜によ り積層形 成したヘッ ドチ ッ プ （ 1 ) と、

前記ヘッ ドチ ッ プ （ 1 ) の端子部 （ 1 1 、 1 3 ) と リ 一 ド部を有し、 前記アーム （ 3 ) に取り付け られ、 前記 へッ ドチ ッ プ （ 1 ) を支持する可撓性支持体 （ 2 ) とを 設けたこ とを特徵とする磁気へッ ド完成体。

2. 請求の範囲 1 において、

前記へッ ドチ ッ プ （ 1 ) は、 前記磁極 （ 1 6 ) を主磁 極と して、 前記コイ ル （ 1 7 ) が巻回される と と もに、 磁束 リ ター ン部 （ 1 0 ) を設けた垂直記録用単磁極へッ ドである こ とを特徴とする磁気へッ ド完成体。

3 . 請求の範囲 1 において、

前記へッ ドチ ッ プ （ 1 ) は、 前記薄膜形成方向が前記 磁気ディ ス ク （ 5 ) 面と平行方向である こ とを特徵とす る磁気へッ ド完成体。

4. 請求の範囲 1 において、

前記へッ ドチ ッ プ （ 1 ) は、 前記薄膜形成方向が前記 磁気ディ ス ク （ 5 ) 面と垂直方向である こ とを特徴とす る磁気へッ ド完成体。

5 . 請求の範囲 1 において、 前記可撓性支持体 （ 2 )。は、 弾性を有する支持扳 （ 2 0 ) に前記端子部 （ 2 4 a、 2 6 a ) を有する信号 リ ― ドパターン （ 2 4、 2 6 ) を設けたものである こ とを特 徵とする磁気へッ ド完成体。

6 . 請求の範囲 5 において、

前記支持板 （ 2 0 ) が、 絶縁板である こ とを特徵とす る磁気へッ ド完成体。

7. 請求の範囲 5 において、

前記支持扳 （ 2 0 ) が、 金属板 （ 2 0 ) に絶縁層 （ 2

7 ) を設たものであ り、 前記絶縁層 （ 2 7 ) 上に前記信 号リ一 ドパ夕— ンを設けたものである こ とを特徵とする 磁気ヘッ ド完成体。

8 . 請求の範囲 5 又は 6 又は 7 において、

前記可撓性支持体 （ 2 ) は、 前記アーム （ 3 ) 側の固 定端側の幅を広く した ものである こ とを特徵とする磁気 へッ ド完成体。

9 . 請求の範囲 5 又は 6又は 7 において、

前記可撓性支持体 （ 2 ) の先端部が、 直角曲げされ、 前記直角曲げした部分に前記へッ ドチッ プ （ 1 ) を固定 したこ とを特徵とする磁気へッ ド完成体。

1 0 . 請求の範囲 9 において、

前記可撓性支持体 （ 2 ) の前記直角曲げした部分が前 記チッ プへッ ド （ 1 ) を覆う よう に、 前記直角曲げした 部分の内側に前記へッ ドチッ プ （ 1 ) を固定したこ とを 特徵とする磁気へッ ド完成体。

1 1 . 請求の範囲 1 において、

前記可撓性支持体 （ 2 ) の前記端子部 （ 2 1 、 2 3 ) と、 前記ヘッ ドチ ッ プ （ 1 ) の端子部 （ 1 1 、 1 3 ) と を金ボールの圧着によ り接続したこ とを特徵とする磁気 へッ ド完成体。

1 2. 請求の範囲 5又は 6又は 7 において、

前記へッ ドチ ッ プ （ 1 ) に凸部を設ける と と もに、 前 記可撓性支持体 （ 2 ) に前記へッ ドチ ッ プ （ 1 ) の凸部 が勘合される凹部を設けたこ とを特徵とする磁気へッ ド 完成体。

1 3. 請求の範囲 5又ほ 6又は 7 において、

前記へッ ドチ ッ プ （ 1 ) が、 前記可撓性支持体 （ 2 ) に、 前記へッ ドチ ッ プ （ 1 ) の両面で接続されたこ とを 特徴とする磁気へ ッ ド完成体。

1 4. 請求の範囲 1 において、

前記可撓性支持体 （ 2 ) は、 弾性と導電性を有する一 対の接繞部材である こ とを特徵とする磁気へッ ド完成体 ο

1 5 . 磁気ディ ス ク （ 5 ) にデータを磁気記録及び再生 するため、 アーム （ 3 ) に取り付けられる磁気へッ ド完 成体であって、

奥行 1 . O mm以下、 幅 0 . 5 mm以下及び厚み 0 . 2 m m以下の薄膜ヘッ ドチ ッ プ （ 1 ) と、

前記薄膜へッ ドチ ッ プ （ 1 ) を支持する可撓性支持体 ( 2 ) とを備えたこ とを特徴とする磁気ヘッ ド完成体。

1 6. 磁気ディ ス ク （ 5 ) にデ一夕を磁気記録及び再生 するため、 アーム （ 3 ) に取り付けられる磁気へッ ド完 成体であって、

絶縁層と磁極 （ 1 6 ) と コイル （ 1 7 ) と前記コイ ル

( 1 7 ) の端子部 （ 1 1 、 1 3 ) とを薄膜によ り積層形 成したへッ ドチ ッ プ （ 1 ) と、

前記ァーム （ 3 ) に取り付けられ、 前記へッ ドチ ッ プ

( 1 ) を支持する幅 0 . 5 mm以下、 厚み 0. 1 mm以 下及び長さ 1 1 mm以下の可撓性支持体 （ 2 ) とを備え たこ とを特徴とする磁気へッ ド完成体。

1 7. 請求の範囲 1 又は 1 5又は 1 6 において、

前記へッ ドチ ッ プ （ 1 ) が、 前記可撓性支持体 ( 2.) によ り、 前記磁気ディ スク （ 5 ) に接触する接触型へッ ドである こ とを特徵とする磁気へッ ド完成体。

1 8 . 磁気ディ ス ク （ 5 ) にデータを磁気記録及び再生 するため、 アーム （ 3 ) に取り付けられる磁気へッ ド完 成体の製造方法であつて、

基板上に絶縁層と磁極 （ 1 6 ) とコイル （ 1 7 ) と前 記コイ ル （ 1 7 ) の端子部 （ 1 1 、 1 3 ) とを有する多 数のへッ ドチ ッ プ （ 1 ) を薄膜形成するステッ プと、 前記基板から前記へッ ドチ ッ プ .（ 1 ) を切り 出すステ ッ プと、

前記へッ ドチッ プ （ 1 ) の端子部 （ 1 1、 1 3 ) に、 リ ー ド部を有する可撓性支持板 （ 2 ) を接続するステツ プとを有する こ とを特徵とする磁気へッ ド完成体の製造 方法。

1 9. 磁気ディ ス ク （ 5 ) にデータを磁気記録及び再生 するため、 アーム （ 3 ) に取 り付け られる磁気へッ ド完 成体の製造方法であ って、

基板上に絶縁層 と磁極 （ 1 6 ) と コイル （ 1 7 ) と前 記コ イ ル （ 1 7 ) の端子部 （ 1 1 、 1 3 ) とを有する多 数のへッ ドチ ッ プ （ 1 ) を薄膜形成するステ ッ プと、 前記基板から前記へッ ドチ ッ プ （ 1 ) が複数個一列に 並んだへッ ドブロ ッ クを切り 出すステ ッ プと、

前記ヘッ ドチ ッ プ （ 1 ) の端子部 （ 1 1 、 1 3 ) に接 続される リ ー ドパター ンが形成された支持扳 （ 2 ) を前 記へッ ドチ ッ プ （ 1 ) の ピッ チで複数個連絡バーに取り 付けた支持体シー トを作成するステ ッ プと、

前記支持板シー トの前記支持板の各先端に、 前記へ ッ ドブロ ッ ク の各ヘッ ドチ ッ プを位置決め し、 前記各へ ッ ドチ ッ プの端子部と前記支持板の リ ー ドパター ン とを接 続するステ ッ プと、

前記へッ ドブロ ッ クから各へッ ドチ ッ プを分離する と と もに、 前記各支持体の基部を前記連絡バーか ら分離し て、 前記へッ ドチ ッ プを支持する支持体を有する磁気へ ッ ド完成体を形成するステ ッ プとを有する こ とを特徴と する磁気へッ ド完成体の製造方法。

2 0 . 磁気デイ ス ク （ 5 ) と、

前記磁気ディ ス ク （ 5 ) を回転するス ピ ン ドルモータ と、 アーム （ 3 ) を有し、 前記アーム （ 3 ) を前記磁気デ イ ス ク （ 5 ) の ト ラ ッ ク と交叉する方向に移動するァ ク チユエ一タ （ 4 ) と、

前記磁気ディ ス ク （ 5 ) にデータを記録し、 前記磁気 ディ ス ク （ 5 ) からデ一夕を読み取るため、 前記アーム ( 3 ) に取り付けられる磁気へッ ド完成体とを有し、 前記磁気へッ ド完成体は、

絶掾層 と磁極 （ 1 6 ) とコイル （ 1 7 ) と前記コイル ( 1 7 ) の端子部 （ 1 1 、 1 3 ) とを薄膜によ り積層形 成したヘッ ドチ ッ プ （ 1 ) と、

前記へッ ドチ ッ プ （ 1 ) の端子部 （ 1 1 、 1 3 ) と接 鐃される リ ー ド部を有し、 前記アーム （ 3 ) に取り付け られ、 前記へッ ドチ ッ プ （ 1 ) を支持する可撓性支持体 ( 2 ) とを有する こ とを特徵とする磁気ディ スク装置。

2 1 . 請求の範囲 2 0 において、

前記磁気へッ ド完成体の前記へッ ドチッ プ （ 1 ) は、 前記磁極 （ 1 6 ) を主磁極と して、 前記コイル （ 1 7 ) が巻回される と と もに、 磁束リ ター ン部 （ 1 0 ) を設け た垂直記録用単磁極へッ ドである こ とを特徵とする磁気 ディ スク装置。

2 2. 請求の範囲 2 0 において、

前記磁気へッ ド完成体の前記へッ ドチ ッ プ （ 1 ) は、 前記薄膜形成方向が前記磁気ディ スク （ 5 ) 面と平行方 向である こ とを特徵とする磁気ディ スク装置。

2 3. 請求の範囲 2 0 において、 前記磁気へッ ド完成体の前記へッ ドチ ッ プ （ 1 ) は、 前記薄膜形成方向が前記磁気ディ ス ク （ 5 ) 面と垂直方 向である こ とを特徵とする磁気ディ スク装置。

2 4 . 請求の範囲 2 0 において、

前記磁気へッ ド完成体の前記可撓性支持体 （ 2 ) は、 弾性を有する支持板 （ 2 0 ) に前記端子部 （ 2 4 a、 2

6 a ) を有する信号リ ー ドパター ン （ 2 4、 2 6 ) を設 けた ものである こ とを特徵とする磁気ディ ス ク装置。

2 5 . 請求の範囲 2 0 において、

前記磁気へッ ド完成体の前記可撓性支持体 （ 2 ) の前 記支持板 （ 2 0 ) が、 絶縁板である こ とを特徵とする磁 気ディ ス ク装置。

2 6 . 請求の範囲 2 4 において、

前記磁気へッ ド完成体の前記可撓性支持体 （ 2 ) の前 記支持板 （ 2 0 ) が、 金属板 （ 2 0 ) に絶縁層 （ 2 7 ) を設た ものであ り、 前記絶縁層 （ 2 7 ) 上に前記信号 リ ー ドパター ンを設けたものである こ とを特徵とする磁気 ディ ス ク装置。

2 7 . 請求の範囲 2 4 又は 2 5 又は 2 6 において、 前記磁気へッ ド完成体の前記可撓性支持体 （ 2 ) は、 前記アーム （ 3 ) 側の固定端側の幅を広 く した ものであ る こ とを特徴とする磁気ディ ス ク装置。

2 8 . 請求の範囲 2 4 又は 2 5 又は 2 6 において、 前記磁気へッ ド完成体の前記可撓性支持体 （ 2 ) の先 端部が、 直角曲げされ、 前記直角曲げした部分に前記へ ッ ドチ ッ プ （ 1 ) を固定したこ とを特徵とする磁気ディ スク装置。

2 9 . 請求の範囲 2 8 において、

前記磁気へッ ド完成体の前記可撓性支持体 （ 2 ) の前 記直角曲げした部分が前記チ ッ プへッ ド （ 1 ) を覆う よ う に、 前記直角曲げした部分の内側に前記へッ ドチッ プ ( 1 ) を固定したこ とを特徵とする磁気ディ スク装置。

3 0 . 請求の範囲 2 0 において、

前記磁気へッ ド完成体の前記可撓性支持体 （ 2 ) の前 記端子部 （ 2 1 、 2 3 ) と、 前記へッ ドチ ップ （ 1 ) の 端子部 （ 1 1 、 1 3 ) とを金ポールの圧着によ り接続し たこ とを特徵とする磁気ディ ス ク装置。

3 1 . 請求の範囲 2 4又は 2 5 又は 2 & において、 前記磁気へッ ド完成体の前記へッ ドチッ プ （ 1 ) に凸 部を設ける と と もに、 前記磁気へッ ド完成体の前記可撓 性支持体 （ 2 ) に前記へッ ドチッ プ （ 1 ) の凸部が勘合 される凹部を設けたこ とを特徵とする磁気ディ スク装置

O

3 2 . 請求の範囲 2 4 又は 2 5 又は 2 6 において、 前記磁気へッ ド完成体は、 前記へッ ドチ ッ プ （ 1 ) が 、 前記可撓性支持体 （ 2 ) に、 前記へッ ドチッ プ （ 1 ) の両面で接鏡されたこ とを特徵とする磁気ディ ス ク装置

0

3 3 . 請求の範囲 2 0 において、

前記磁気へッ ド完成体の前記可撓性支持体 （ 2 ) は、 弾性と導電性を有する一対の接続部材である こ とを特徴 とする磁気デイ ス ク装置。

3 4. 磁気ディ ス ク （ 5 ) と、

前記磁気ディ ス ク （ 5 ) を回転するス ピ ン ドルモータ と、

アーム （ 3 ) を有し、 前記アーム （ 3 ) を前記磁気デ イ スク （ 5 ) の ト ラ ッ ク と交叉する方向に移動するァ ク チユエ一夕 （ 4 ) と、

前記磁気ディ ス ク （ 5 ) にデータを記録し、 前記磁気 ディ ス ク （ 5 ) からデータを読み取るため、 前記アーム ( 3 ) に取 り付けられる磁気へッ ド完成体とを有し、 前記磁気へッ ド完成体は、

奥行 1 . O mm以下、 幅 0 . 5 mm以下及び厚み 0 . 2 mm以下の薄膜へッ ドチ ッ プ （ 1 ) と、

前記薄膜へッ ドチ ッ プ （ 1 ) を支持する可撓性支持体 ( 2 ) とを備えた こ とを特徵とする磁気ディ ス ク装置。

3 5 . 磁気デイ ス ク （ 5 ) と、

前記磁気ディ ス ク （ 5 ) を回転するス ピン ドルモ一夕 と、

アーム （ 3 ) を有し、 前記アーム （ 3 ) を前記磁気デ イ ス ク （ 5 ) の ト ラ ッ ク と交叉する方向に移動するァ ク チユエ一夕 （ 4 ) と、

前記磁気ディ ス ク （ 5 ) にデータを記録し、 前記磁気 ディ スク （ 5 ) からデータを読み取るため、 前記アーム ( 3 ) に取り付け られる磁気へッ ド完成体とを有し、 前記磁気へッ ド完成体は、

絶縁層と磁極 （ 1 6 ) と コ イ ル （ 1 7 ) と前記コ イ ル ( 1 7 ) の端子部 （ 1 1 、 1 3 ) とを薄膜によ り積曆形 成したへッ ドチ ッ プ （ 1 ) と、

前記アーム （ 3 ) に取り付けられ、 前記へッ ドチ ッ プ ( 1 ) を支持する輻 0. 5 mm以下、 厚み 0. 1 mm以 下及び長さ 1 1 mm以下の可撓性支持体 （ 2 ) とを備え たこ とを特徵とする磁気ディ スク装置。

3 6. 請求の範囲 2 0又は 3 4又は 3 5 において、 前記磁気へッ ド完成体の前記へッ ドチッ プ （ 1 ) が、 前記可撓性支持体 （ 2 ) によ り、 前記磁気ディ スク （ 5 ) に接触する接触型へッ ドである こ とを特徵とする磁気 ディ スク装置。