JP3154654B2 - 薄膜積層構造のサスペンション/アクチュエータの一体型アセンブリおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜積層構造のサスペンション/アクチュエータの一体型アセンブリおよびその製造方法Info
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本出願人に譲渡された下記の
出願は本発明の背景を示すものであり、参照により本明
細書に合体する。
出願は本発明の背景を示すものであり、参照により本明
細書に合体する。
【0002】(1)1994年2月25日出願の米国特
許出願第08/202862号、「Integrate
d Transducer/Slider/Suspe
nsion Assembly」(現在は放棄されてい
る1992年4月30日出願の特許出願第07/876
533号の継続出願)
許出願第08/202862号、「Integrate
d Transducer/Slider/Suspe
nsion Assembly」(現在は放棄されてい
る1992年4月30日出願の特許出願第07/876
533号の継続出願)
【0003】(2)1994年6月1日出願の米国特許
出願第08/252147号、「Integrated
Transducer−Suspension st
ructure for Longitudinal
Recording」(1992年8月19日出願の特
許出願第07/932826号の継続出願)
出願第08/252147号、「Integrated
Transducer−Suspension st
ructure for Longitudinal
Recording」(1992年8月19日出願の特
許出願第07/932826号の継続出願)
【0004】(3)1994年6月14日出願の米国特
許出願第08/259370号、「Magnetic
Head for Recording with U
ltra Low Force」(1992年8月25
日出願の特許出願第07/935000号の継続出願)
許出願第08/259370号、「Magnetic
Head for Recording with U
ltra Low Force」(1992年8月25
日出願の特許出願第07/935000号の継続出願)
【0005】(4)1994年7月1日出願の米国特許
出願第08/270104号、「Integral T
ransducer−Suspension Asse
mblies for Longitudinal R
ecording」(1993年1月8日出願の特許出
願第08/002290号の継続出願)
出願第08/270104号、「Integral T
ransducer−Suspension Asse
mblies for Longitudinal R
ecording」(1993年1月8日出願の特許出
願第08/002290号の継続出願)
【0006】(5)1993年3月15日出願の米国特
許出願第08/033302号、「Integrate
d Transducer−Suspension A
ssembly for Vertical Reco
rding」
許出願第08/033302号、「Integrate
d Transducer−Suspension A
ssembly for Vertical Reco
rding」
【0007】本発明は、磁気ディスク・ドライブ用のサ
スペンション、アクチュエータ・アーム、およびコイル
が一体となったアセンブリに関する。
スペンション、アクチュエータ・アーム、およびコイル
が一体となったアセンブリに関する。
【0008】
【従来の技術】ディスク・ドライブは一般に、磁気記憶
ディスクに対する信号の書込みおよび読取りを行う。ス
ピンドルが磁気ディスクを回転させている間、磁気ヘッ
ドはディスクの表面に接触し、あるいは磁気ディスクの
高速回転によって生じるきわめて薄い空気の層(空気ベ
アリング)を介して、ディスク表面の上を飛翔する。こ
の磁気ヘッドが装着されるサスペンションには、その磁
気ヘッドをディスク表面に少し押し付けるように事前に
負荷をかけておく。この押付力は、空気ベアリングの力
と釣り合って、所期の接触圧または浮上量を維持する。
ディスクに対する信号の書込みおよび読取りを行う。ス
ピンドルが磁気ディスクを回転させている間、磁気ヘッ
ドはディスクの表面に接触し、あるいは磁気ディスクの
高速回転によって生じるきわめて薄い空気の層(空気ベ
アリング)を介して、ディスク表面の上を飛翔する。こ
の磁気ヘッドが装着されるサスペンションには、その磁
気ヘッドをディスク表面に少し押し付けるように事前に
負荷をかけておく。この押付力は、空気ベアリングの力
と釣り合って、所期の接触圧または浮上量を維持する。
【0009】磁気ヘッドおよびサスペンション以外に、
磁気ディスク・ドライブはアクチュエータも備えてい
る。このアクチュエータは一般に、前記のサスペンショ
ンおよび磁気ヘッドを移動させるためにアクチュエータ
・アームおよびボイス・コイル・モータを使用する。ボ
イス・コイル・モータは、可動コイルおよび固定磁石を
備えている。ロータリ・アクチュエータの場合は、アク
チュエータ・アームの一端がサスペンションに取り付け
られ、他端がピボット回転しアクチュエータのコイルを
支持する。アクチュエータ・アームの移動と、磁気ディ
スクの表面に対する磁気ヘッドの配置は、このコイルに
流す電流によって制御される。
磁気ディスク・ドライブはアクチュエータも備えてい
る。このアクチュエータは一般に、前記のサスペンショ
ンおよび磁気ヘッドを移動させるためにアクチュエータ
・アームおよびボイス・コイル・モータを使用する。ボ
イス・コイル・モータは、可動コイルおよび固定磁石を
備えている。ロータリ・アクチュエータの場合は、アク
チュエータ・アームの一端がサスペンションに取り付け
られ、他端がピボット回転しアクチュエータのコイルを
支持する。アクチュエータ・アームの移動と、磁気ディ
スクの表面に対する磁気ヘッドの配置は、このコイルに
流す電流によって制御される。
【0010】磁気ヘッドは水平または垂直方向に記録を
行うが、水平記録ヘッドの方がよく知られている。水平
記録ヘッドは非常に狭いギャップ内で磁束を発生させる
1対の磁極を備えており、ディスク表面は漏れ磁束によ
って所期の信号で磁化される。垂直記録ヘッドの場合
は、間隔を置いて配置された2つの磁極の間にディスク
を貫通して、垂直方向に磁束が発生し、この磁束によっ
て、ディスクが所期の信号で磁化される。水平記録ヘッ
ドでは磁極に通常2〜3ミクロンの厳密に画定されたギ
ャップがある点が、水平記録ヘッドと垂直記録ヘッドの
構造上の大きな相違点になっている。したがって、この
ギャップは、薄膜付着によって注意深く作成する必要が
ある。
行うが、水平記録ヘッドの方がよく知られている。水平
記録ヘッドは非常に狭いギャップ内で磁束を発生させる
1対の磁極を備えており、ディスク表面は漏れ磁束によ
って所期の信号で磁化される。垂直記録ヘッドの場合
は、間隔を置いて配置された2つの磁極の間にディスク
を貫通して、垂直方向に磁束が発生し、この磁束によっ
て、ディスクが所期の信号で磁化される。水平記録ヘッ
ドでは磁極に通常2〜3ミクロンの厳密に画定されたギ
ャップがある点が、水平記録ヘッドと垂直記録ヘッドの
構造上の大きな相違点になっている。したがって、この
ギャップは、薄膜付着によって注意深く作成する必要が
ある。
【0011】米国特許第5041932号では、一体構
造になった垂直記録ヘッドとサスペンションの製作方法
が教示されている。磁気ヘッドは本質的にサスペンショ
ンの一端に埋め込まれ、サスペンションの他端はアクチ
ュエータ・アームに取り付けられている。一体型の垂直
記録ヘッドとサスペンションの製作の一部分は、列レベ
ルで行う必要がある。列レベルの製作は、のど高をラッ
ピングし、垂直記録ヘッドの第2磁極片の垂直部分を形
成するために必要である。このプロセスにより、製造の
スループットは大幅に落ちる。この特許では、記録ヘッ
ド表面においてギャップが厳密に画定された一体型の水
平記録ヘッドとサスペンションを製作する方法は教示さ
れていない。この特許のラッピング・ステップは、2〜
3ミクロン程度の厚さのギャップを得るのに十分な制御
ができない。一体型のヘッドとサスペンションを構築す
る作業のほかに、アクチュエータ・アームとコイルも組
み立てなければならない。その後、コイルをアクチュエ
ータ・アームの一端に取り付け、サスペンションをアク
チュエータ・アームの他端に取り付ける。これらは、労
働集約的な作業である。
造になった垂直記録ヘッドとサスペンションの製作方法
が教示されている。磁気ヘッドは本質的にサスペンショ
ンの一端に埋め込まれ、サスペンションの他端はアクチ
ュエータ・アームに取り付けられている。一体型の垂直
記録ヘッドとサスペンションの製作の一部分は、列レベ
ルで行う必要がある。列レベルの製作は、のど高をラッ
ピングし、垂直記録ヘッドの第2磁極片の垂直部分を形
成するために必要である。このプロセスにより、製造の
スループットは大幅に落ちる。この特許では、記録ヘッ
ド表面においてギャップが厳密に画定された一体型の水
平記録ヘッドとサスペンションを製作する方法は教示さ
れていない。この特許のラッピング・ステップは、2〜
3ミクロン程度の厚さのギャップを得るのに十分な制御
ができない。一体型のヘッドとサスペンションを構築す
る作業のほかに、アクチュエータ・アームとコイルも組
み立てなければならない。その後、コイルをアクチュエ
ータ・アームの一端に取り付け、サスペンションをアク
チュエータ・アームの他端に取り付ける。これらは、労
働集約的な作業である。
【0012】ほとんど完全にウェーハ・レベルで製造で
きる磁気記録ヘッド、サスペンション、アクチュエータ
・アーム、およびアクチュエータ・コイルのアセンブリ
が強く望まれている。これが実現できれば、個々の部品
の製作とそれら部品の組立てという労働集約的なステッ
プが不要になる。また、長手方向記録ヘッドの磁気ヘッ
ド・ギャップを精密に形成することも重要である。さら
に、後で磁気ヘッドとスライダに組み立てることができ
る、一体型のサスペンション、アクチュエータ・アー
ム、およびアクチュエータ・コイルのアセンブリをバッ
チ・レベルで提供することも強く望まれている。
きる磁気記録ヘッド、サスペンション、アクチュエータ
・アーム、およびアクチュエータ・コイルのアセンブリ
が強く望まれている。これが実現できれば、個々の部品
の製作とそれら部品の組立てという労働集約的なステッ
プが不要になる。また、長手方向記録ヘッドの磁気ヘッ
ド・ギャップを精密に形成することも重要である。さら
に、後で磁気ヘッドとスライダに組み立てることができ
る、一体型のサスペンション、アクチュエータ・アー
ム、およびアクチュエータ・コイルのアセンブリをバッ
チ・レベルで提供することも強く望まれている。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】本発明の一目的は、デ
ィスク・ドライブ用の一体型の磁気ヘッド、サスペンシ
ョン、アクチュエータ・アーム、およびアクチュエータ
・コイルを提供することにある。
ィスク・ドライブ用の一体型の磁気ヘッド、サスペンシ
ョン、アクチュエータ・アーム、およびアクチュエータ
・コイルを提供することにある。
【0014】本発明の他の目的は、磁気ヘッドの部品に
接続するための回路を内蔵したシリコン層を追加して、
前記の目的を達成することにある。
接続するための回路を内蔵したシリコン層を追加して、
前記の目的を達成することにある。
【0015】本発明の他の目的は、ディスク・ドライブ
の部品の製造スループットを上げることにある。
の部品の製造スループットを上げることにある。
【0016】本発明の一目的は、ほとんど完全にウェー
ハ・レベルで製作できる、一体型の厳密に画定されたギ
ャップを備える水平記録ヘッド、サスペンション、アク
チュエータ・アーム、およびアクチュエータ・コイルを
供給することにある。
ハ・レベルで製作できる、一体型の厳密に画定されたギ
ャップを備える水平記録ヘッド、サスペンション、アク
チュエータ・アーム、およびアクチュエータ・コイルを
供給することにある。
【0017】本発明の他の目的は、磁気ヘッドおよびス
ライダと組み合わせることのできる、一体型のサスペン
ション、アクチュエータ・アーム、およびアクチュエー
タ・コイルのアセンブリを提供することにある。
ライダと組み合わせることのできる、一体型のサスペン
ション、アクチュエータ・アーム、およびアクチュエー
タ・コイルのアセンブリを提供することにある。
【0018】本発明の他の目的は、薄膜アクチュエータ
・コイルを備えたアクチュエータを提供することにあ
る。
・コイルを備えたアクチュエータを提供することにあ
る。
【0019】本発明の他の目的は、一体型のサスペンシ
ョン、アクチュエータ・アーム、およびアクチュエータ
・コイルの製造方法を供給することにある。
ョン、アクチュエータ・アーム、およびアクチュエータ
・コイルの製造方法を供給することにある。
【0020】
【課題を解決するための手段】本発明の1つの態様で
は、磁気記録ヘッドを吊架するためのサスペンション部
およびそのヘッドを移動させて位置決めを行なうための
アクチュエータ・アーム部をほとんど完全にウェーハ・
レベル(すなわち薄膜技術)で一体に製作できる、一体
型の磁気記録ヘッド、サスペンション、アクチュエータ
・アーム、およびアクチュエータ・コイルを提供する。
第1層を設けた後で、水平方向に向いた磁極端を有する
第1および第2の磁極片を形成する。磁極端は、記録ヘ
ッド表面のわずかなギャップで隔てられている。磁気ヘ
ッドのコイルとアクチュエータは同時にまたは別々に形
成される。磁極片とコイルの上面上には、サスペンショ
ン部の一端からアクチュエータ・アーム部の他端に亘る
表面全体にアルミナなどの層が付着され、この層が一体
型アセンブリを構成する機械的境界のない内部構造の均
質な支持層である。アクチュエータ・アームは、磁気ヘ
ッドの一体型の駆動回路と制御回路を支持するシリコン
・ベース上に形成することができる。アクチュエータ・
アームには、アクチュエータにピボット接続するための
穴をパターンで形成できる。アクチュエータ・アームと
アクチュエータ・コイルを別々に作成した後でアクチュ
エータ・アーム、アクチュエータ・コイル、およびサス
ペンションを組み立てる作業が不要となる。また、水平
記録ヘッドをアセンブリとして一体化することにより、
記録ヘッド表面でのギャップの厚さを正確に制御でき
る。本発明の別の態様では、サスペンション、アクチュ
エータ・アーム、およびアクチュエータ・コイルのアセ
ンブリをウェーハ・レベルまたはパネル・レベルで作成
し、その後で磁気ヘッドおよびスライダと組み合わせ
る。この場合、磁気ヘッド用のリード線はサスペンショ
ンと一体化できる。この実施例の支持層は、特別な積層
体の底部鋼層でもよく、また後から形成した上位層でも
よい。
は、磁気記録ヘッドを吊架するためのサスペンション部
およびそのヘッドを移動させて位置決めを行なうための
アクチュエータ・アーム部をほとんど完全にウェーハ・
レベル(すなわち薄膜技術)で一体に製作できる、一体
型の磁気記録ヘッド、サスペンション、アクチュエータ
・アーム、およびアクチュエータ・コイルを提供する。
第1層を設けた後で、水平方向に向いた磁極端を有する
第1および第2の磁極片を形成する。磁極端は、記録ヘ
ッド表面のわずかなギャップで隔てられている。磁気ヘ
ッドのコイルとアクチュエータは同時にまたは別々に形
成される。磁極片とコイルの上面上には、サスペンショ
ン部の一端からアクチュエータ・アーム部の他端に亘る
表面全体にアルミナなどの層が付着され、この層が一体
型アセンブリを構成する機械的境界のない内部構造の均
質な支持層である。アクチュエータ・アームは、磁気ヘ
ッドの一体型の駆動回路と制御回路を支持するシリコン
・ベース上に形成することができる。アクチュエータ・
アームには、アクチュエータにピボット接続するための
穴をパターンで形成できる。アクチュエータ・アームと
アクチュエータ・コイルを別々に作成した後でアクチュ
エータ・アーム、アクチュエータ・コイル、およびサス
ペンションを組み立てる作業が不要となる。また、水平
記録ヘッドをアセンブリとして一体化することにより、
記録ヘッド表面でのギャップの厚さを正確に制御でき
る。本発明の別の態様では、サスペンション、アクチュ
エータ・アーム、およびアクチュエータ・コイルのアセ
ンブリをウェーハ・レベルまたはパネル・レベルで作成
し、その後で磁気ヘッドおよびスライダと組み合わせ
る。この場合、磁気ヘッド用のリード線はサスペンショ
ンと一体化できる。この実施例の支持層は、特別な積層
体の底部鋼層でもよく、また後から形成した上位層でも
よい。
【0021】
【発明の実施の形態】類似の部品は、図が異なっていて
も、同じ参照番号で示してある。図1に示した磁気ディ
スク・ドライブ20の磁気ディスク22はスピンドル2
4によって支持され、スピンドル24とディスク22は
モータ制御機構28の制御を受けるモータ(M)26で
回転される。一体型の磁気ヘッド、サスペンション、ア
クチュエータ・アームおよびアクチュエータ・コイルの
アセンブリ(以降、一体型アセンブリ30Aと呼ぶ)
は、磁気ディスク22の表面上に信号を書き込み、読み
取るのに使用される。一体型アセンブリ30Aの磁気ヘ
ッド32はサスペンション・アーム34と一体化されて
おり、サスペンション・アーム34はアクチュエータ・
アーム36と一体化されており、アクチュエータ・アー
ム36はアクチュエータ・コイル38の1つまたは複数
の層と一体化されている。アクチュエータ・アーム3
6、サスペンション・アーム34、および磁気ヘッド3
2を回転させて磁気ディスク上の様々な円形のデータ・
トラックおよびサーボ・トラック上に磁気ヘッド32を
配置できるように、アクチュエータ・アームにはアクチ
ュエータ・スピンドル42を受ける穴40が空いてい
る。アクチュエータは、枠44で一般的に示してある。
アクチュエータの部品で一体型アセンブリ30Aに属さ
ないものは、アクチュエータ・コイル38のそばにある
磁石46である。リード線48を介してアクチュエータ
・コイル38を付勢すると、一体型アセンブリ30Aは
スピンドル軸42を中心として選択的に回転される。駆
動電子回路50は、リード線48を介してアクチュエー
タ・コイル38を選択的に付勢し、磁気ヘッド32との
間で書込み信号および読取り信号を送受する。一体型ア
センブリ30Aのサスペンションとアクチュエータ・ア
ームの上に下向きの曲げ板52を取り付けて、サスペン
ション・アーム34を介して磁気ヘッド32を下向きに
偏向させる(事前に負荷をかけておく)ことができる。
このように負荷を事前にかけておくことにより、磁気ヘ
ッド32と磁気ディスク22の表面の間で、所期の接触
または浮上量を実現できる。ディスクが回転している
間、磁気ヘッド32は、ディスクの表面と係合するか、
あるいはディスクの回転によって生じる空気クッション
(「空気ベアリング」)によって支持される。駆動回路
54と検出回路56は、一体型アセンブリ30Aのアク
チュエータ・アーム部36と一体化させることもでき
る。読取り信号および書込み信号は、駆動回路54と検
出回路56を介して、磁気ヘッド32と駆動電子回路5
0の間でやり取りできる。回路54および56は、駆動
電子回路の一部である。
も、同じ参照番号で示してある。図1に示した磁気ディ
スク・ドライブ20の磁気ディスク22はスピンドル2
4によって支持され、スピンドル24とディスク22は
モータ制御機構28の制御を受けるモータ(M)26で
回転される。一体型の磁気ヘッド、サスペンション、ア
クチュエータ・アームおよびアクチュエータ・コイルの
アセンブリ(以降、一体型アセンブリ30Aと呼ぶ)
は、磁気ディスク22の表面上に信号を書き込み、読み
取るのに使用される。一体型アセンブリ30Aの磁気ヘ
ッド32はサスペンション・アーム34と一体化されて
おり、サスペンション・アーム34はアクチュエータ・
アーム36と一体化されており、アクチュエータ・アー
ム36はアクチュエータ・コイル38の1つまたは複数
の層と一体化されている。アクチュエータ・アーム3
6、サスペンション・アーム34、および磁気ヘッド3
2を回転させて磁気ディスク上の様々な円形のデータ・
トラックおよびサーボ・トラック上に磁気ヘッド32を
配置できるように、アクチュエータ・アームにはアクチ
ュエータ・スピンドル42を受ける穴40が空いてい
る。アクチュエータは、枠44で一般的に示してある。
アクチュエータの部品で一体型アセンブリ30Aに属さ
ないものは、アクチュエータ・コイル38のそばにある
磁石46である。リード線48を介してアクチュエータ
・コイル38を付勢すると、一体型アセンブリ30Aは
スピンドル軸42を中心として選択的に回転される。駆
動電子回路50は、リード線48を介してアクチュエー
タ・コイル38を選択的に付勢し、磁気ヘッド32との
間で書込み信号および読取り信号を送受する。一体型ア
センブリ30Aのサスペンションとアクチュエータ・ア
ームの上に下向きの曲げ板52を取り付けて、サスペン
ション・アーム34を介して磁気ヘッド32を下向きに
偏向させる(事前に負荷をかけておく)ことができる。
このように負荷を事前にかけておくことにより、磁気ヘ
ッド32と磁気ディスク22の表面の間で、所期の接触
または浮上量を実現できる。ディスクが回転している
間、磁気ヘッド32は、ディスクの表面と係合するか、
あるいはディスクの回転によって生じる空気クッション
(「空気ベアリング」)によって支持される。駆動回路
54と検出回路56は、一体型アセンブリ30Aのアク
チュエータ・アーム部36と一体化させることもでき
る。読取り信号および書込み信号は、駆動回路54と検
出回路56を介して、磁気ヘッド32と駆動電子回路5
0の間でやり取りできる。回路54および56は、駆動
電子回路の一部である。
【0022】先行技術による一体型の磁気ヘッドとサス
ペンション・アームのアセンブリ60(以降、先行技術
による一体型アセンブリ60と呼ぶ)を、図2に示す。
先行技術による一体型アセンブリ60は、第1磁極片6
2と第2磁極片64を備え、第2磁極片64は垂直要素
66を備えている。これらの磁極片はバック・ギャップ
68に接続され、磁極端はギャップ70で分離されてい
る。コイル72の1つまたは複数の層が、第2磁極片6
4を付勢して、磁束を垂直要素66から磁気媒体中に伝
達し、次にその磁気媒体から第1磁極片62に伝達す
る。市場で水平記録として知られている漏れ磁束による
方式とは対照的に、磁束が磁気媒体の表面に垂直に伝達
されるため、これは垂直記録方式である。第1磁極片6
2、第2磁極片64、およびコイル72は、サスペンシ
ョン・アーム74に一体化されている。先行技術による
一体型アセンブリ60は、垂直要素66の作成時点ま
で、ウェーハ・レベルで製作される。ウェーハはその後
で、列状にダイス切断され、その各列はラッピングされ
て所期のギャップ70を形成する。次いで、垂直要素6
6がスパッタ付着によって形成される。垂直記録ヘッド
の場合、ギャップ70は長手方向記録ヘッドのギャップ
と同じ精度で作成する必要がないが、これについては以
降で詳しく説明する。先行技術による一体型アセンブリ
60は、アクチュエータ・スピンドルの軸78の回りを
回転するアクチュエータ・アーム76に接続される。ア
クチュエータ・アーム76には、リード線48を介して
駆動電子回路(図省略)によって付勢されるコイル80
が取り付けられている。また、アクチュエータ・コイル
80が付勢された際に、先行技術による一体型アセンブ
リ60が回転され、その回転によって回転ディスクの表
面上でその一体型アセンブリの磁気ヘッドが回転するよ
うに、該当アクチュエータには磁石46も取り付けられ
ている。先行技術による一体型アセンブリ60、アクチ
ュエータ・アーム76、およびアクチュエータ・コイル
80を別々に製作した後でこれらの要素を組み立てる方
法は、労働集約的である。本発明は、この問題ならび
に、以降の説明で明らかになるその他の問題を解決しよ
うとするものである。
ペンション・アームのアセンブリ60(以降、先行技術
による一体型アセンブリ60と呼ぶ)を、図2に示す。
先行技術による一体型アセンブリ60は、第1磁極片6
2と第2磁極片64を備え、第2磁極片64は垂直要素
66を備えている。これらの磁極片はバック・ギャップ
68に接続され、磁極端はギャップ70で分離されてい
る。コイル72の1つまたは複数の層が、第2磁極片6
4を付勢して、磁束を垂直要素66から磁気媒体中に伝
達し、次にその磁気媒体から第1磁極片62に伝達す
る。市場で水平記録として知られている漏れ磁束による
方式とは対照的に、磁束が磁気媒体の表面に垂直に伝達
されるため、これは垂直記録方式である。第1磁極片6
2、第2磁極片64、およびコイル72は、サスペンシ
ョン・アーム74に一体化されている。先行技術による
一体型アセンブリ60は、垂直要素66の作成時点ま
で、ウェーハ・レベルで製作される。ウェーハはその後
で、列状にダイス切断され、その各列はラッピングされ
て所期のギャップ70を形成する。次いで、垂直要素6
6がスパッタ付着によって形成される。垂直記録ヘッド
の場合、ギャップ70は長手方向記録ヘッドのギャップ
と同じ精度で作成する必要がないが、これについては以
降で詳しく説明する。先行技術による一体型アセンブリ
60は、アクチュエータ・スピンドルの軸78の回りを
回転するアクチュエータ・アーム76に接続される。ア
クチュエータ・アーム76には、リード線48を介して
駆動電子回路(図省略)によって付勢されるコイル80
が取り付けられている。また、アクチュエータ・コイル
80が付勢された際に、先行技術による一体型アセンブ
リ60が回転され、その回転によって回転ディスクの表
面上でその一体型アセンブリの磁気ヘッドが回転するよ
うに、該当アクチュエータには磁石46も取り付けられ
ている。先行技術による一体型アセンブリ60、アクチ
ュエータ・アーム76、およびアクチュエータ・コイル
80を別々に製作した後でこれらの要素を組み立てる方
法は、労働集約的である。本発明は、この問題ならび
に、以降の説明で明らかになるその他の問題を解決しよ
うとするものである。
【0023】図3に示した一体型アセンブリ30Bは、
本発明の別の実施例である。実施例30Bは、均質な一
体構造体が駆動回路54および検出回路56を内蔵して
いない点で、図1の実施例30Aと異なっている。一体
型アセンブリ30Bは第1磁極片92と第2磁極片94
を備えており、第1磁極片92は水平要素96、第2磁
極片94は水平要素98を備えている。水平要素96と
98は、磁気ヘッド90のヘッド表面100上のギャッ
プ102で分離された磁極端を形成している。ギャップ
102は、この薄膜付着によって精密に形成され、通常
は2〜3ミクロン程度の幅である。変換器コイル104
は第1磁極片92と第2磁極片94の間に設けられ、ギ
ャップ102を介して96と98の磁極の間で磁束を伝
える。ヘッド表面100に隣接して磁気ディスクが回転
すると、磁極端96と98は磁気的に動作して、磁気デ
ィスクに対して信号の書込みおよび読取りを行う。書込
みの際、磁極端96と98間の磁束は、磁気ディスク面
にほとんど平行になる。これは、水平記録として知られ
ている。図2に示した先行技術による一体型アセンブリ
のギャップ70と垂直要素66が列レベルで製作される
のとは対照的に、図3の一体型アセンブリの磁気ヘッド
90はほとんど完全にウェーハ・レベルで作成できるこ
とに留意されたい。図3の実施例では、磁気ヘッド90
がサスペンション・アーム34と一体化されており、サ
スペンション・アーム34はアクチュエータ・アーム1
06と一体化されている。アクチュエータのスピンドル
(図省略)は、アクチュエータ・アーム106の穴10
8を通って、垂直軸42に沿って延びる。アクチュエー
タ・アーム106には、パッド110と112で終端す
る1つまたは複数のアクチュエータ・コイル38が一体
化されている。コイル38は、リード線48および11
0と112のパッドを介して駆動電子回路(図省略)に
よって付勢され、サスペンション・アーム34と磁気ヘ
ッド90をスピンドル軸42の回りに回転させる。この
ロータリ・アクチュエータ方式では、図1の磁気ディス
ク22上の円形の情報トラックおよびサーボ・トラック
上に磁気ヘッドが配置される。磁気ヘッド90と一体化
したサスペンション・アーム34(すなわちサスペンシ
ョン部)とアクチュエータ・アーム106(すなわちア
クチュエータ部)は、アセンブリ用の少なくとも1つの
均質支持層を提供する1つまたは複数のアルミナの層と
することができる。この均質支持層の一端および他端と
は、例えばサスペンション・アーム34の左端およびア
クチュエータ・アーム106の右端をそれぞれ意味する
ことは言うまでもない。図3の一体型アセンブリ30B
の左端には、各種の磁性層と伝導層の間に、1つまたは
複数の絶縁層が含まれている。変換器コイル104とア
クチュエータ・コイル38は、製作方法(後述)によっ
ては、同じレベルにすることができる。本発明に従って
磁気ヘッド90、サスペンション34、アクチュエータ
・アーム106、およびアクチュエータ・コイル38を
一体化すると、多くの製造ステップが不要になることが
わかる。
本発明の別の実施例である。実施例30Bは、均質な一
体構造体が駆動回路54および検出回路56を内蔵して
いない点で、図1の実施例30Aと異なっている。一体
型アセンブリ30Bは第1磁極片92と第2磁極片94
を備えており、第1磁極片92は水平要素96、第2磁
極片94は水平要素98を備えている。水平要素96と
98は、磁気ヘッド90のヘッド表面100上のギャッ
プ102で分離された磁極端を形成している。ギャップ
102は、この薄膜付着によって精密に形成され、通常
は2〜3ミクロン程度の幅である。変換器コイル104
は第1磁極片92と第2磁極片94の間に設けられ、ギ
ャップ102を介して96と98の磁極の間で磁束を伝
える。ヘッド表面100に隣接して磁気ディスクが回転
すると、磁極端96と98は磁気的に動作して、磁気デ
ィスクに対して信号の書込みおよび読取りを行う。書込
みの際、磁極端96と98間の磁束は、磁気ディスク面
にほとんど平行になる。これは、水平記録として知られ
ている。図2に示した先行技術による一体型アセンブリ
のギャップ70と垂直要素66が列レベルで製作される
のとは対照的に、図3の一体型アセンブリの磁気ヘッド
90はほとんど完全にウェーハ・レベルで作成できるこ
とに留意されたい。図3の実施例では、磁気ヘッド90
がサスペンション・アーム34と一体化されており、サ
スペンション・アーム34はアクチュエータ・アーム1
06と一体化されている。アクチュエータのスピンドル
(図省略)は、アクチュエータ・アーム106の穴10
8を通って、垂直軸42に沿って延びる。アクチュエー
タ・アーム106には、パッド110と112で終端す
る1つまたは複数のアクチュエータ・コイル38が一体
化されている。コイル38は、リード線48および11
0と112のパッドを介して駆動電子回路(図省略)に
よって付勢され、サスペンション・アーム34と磁気ヘ
ッド90をスピンドル軸42の回りに回転させる。この
ロータリ・アクチュエータ方式では、図1の磁気ディス
ク22上の円形の情報トラックおよびサーボ・トラック
上に磁気ヘッドが配置される。磁気ヘッド90と一体化
したサスペンション・アーム34(すなわちサスペンシ
ョン部)とアクチュエータ・アーム106(すなわちア
クチュエータ部)は、アセンブリ用の少なくとも1つの
均質支持層を提供する1つまたは複数のアルミナの層と
することができる。この均質支持層の一端および他端と
は、例えばサスペンション・アーム34の左端およびア
クチュエータ・アーム106の右端をそれぞれ意味する
ことは言うまでもない。図3の一体型アセンブリ30B
の左端には、各種の磁性層と伝導層の間に、1つまたは
複数の絶縁層が含まれている。変換器コイル104とア
クチュエータ・コイル38は、製作方法(後述)によっ
ては、同じレベルにすることができる。本発明に従って
磁気ヘッド90、サスペンション34、アクチュエータ
・アーム106、およびアクチュエータ・コイル38を
一体化すると、多くの製造ステップが不要になることが
わかる。
【0024】図4には、本発明の一体型アセンブリ30
Cを示してある。実施例30Cは、曲げ板52を備えて
いない点を除けば、図1の実施例30Aと同じである。
また、実施例30Cは、シリコン・ベース120、駆動
回路54、検出回路56、および任意選択ではく離層1
22をさらに備えている点を除けば、図3の実施例30
Bと同じである。シリコン・ベース120の大部分でア
クチュエータ・アーム36を形成することができ、アク
チュエータ・スピンドル(図省略)を受けてスピンドル
軸42の回りに回転させるための穴40を空けることが
できる。駆動回路54と検出回路56をシリコン・ベー
ス120内に集積回路として形成し、リード線124と
126を介して変換器コイル104の端子に接続するこ
とができる。回路54と56は、リード線128と13
0、パッド132と134、およびリード線136と1
38を介して、図1の駆動電子回路50に接続すること
ができる。駆動回路54と検出回路56は、駆動電子回
路の一部である。シリコン・ベース120とアクチュエ
ータ・アーム36の間にあるはく離層122は、以降で
詳しく説明する独自の製作方法の結果として、本発明の
30Aと30Cの実施例に組み込むことができる。
Cを示してある。実施例30Cは、曲げ板52を備えて
いない点を除けば、図1の実施例30Aと同じである。
また、実施例30Cは、シリコン・ベース120、駆動
回路54、検出回路56、および任意選択ではく離層1
22をさらに備えている点を除けば、図3の実施例30
Bと同じである。シリコン・ベース120の大部分でア
クチュエータ・アーム36を形成することができ、アク
チュエータ・スピンドル(図省略)を受けてスピンドル
軸42の回りに回転させるための穴40を空けることが
できる。駆動回路54と検出回路56をシリコン・ベー
ス120内に集積回路として形成し、リード線124と
126を介して変換器コイル104の端子に接続するこ
とができる。回路54と56は、リード線128と13
0、パッド132と134、およびリード線136と1
38を介して、図1の駆動電子回路50に接続すること
ができる。駆動回路54と検出回路56は、駆動電子回
路の一部である。シリコン・ベース120とアクチュエ
ータ・アーム36の間にあるはく離層122は、以降で
詳しく説明する独自の製作方法の結果として、本発明の
30Aと30Cの実施例に組み込むことができる。
【0025】図5は、図4の実施例30Cの等角投影図
で、平面的レイアウトの理解を容易にするための図であ
る。図5のリード線層140は、図4に示した磁気ヘッ
ドの変換器コイル104から、駆動回路54と検出回路
56に延びている。変換器コイル104、リード線14
0、およびアクチュエータ・コイル38は、以降で詳し
く説明する薄膜技術によって製作されるため、すべて層
であることを理解されたい。
で、平面的レイアウトの理解を容易にするための図であ
る。図5のリード線層140は、図4に示した磁気ヘッ
ドの変換器コイル104から、駆動回路54と検出回路
56に延びている。変換器コイル104、リード線14
0、およびアクチュエータ・コイル38は、以降で詳し
く説明する薄膜技術によって製作されるため、すべて層
であることを理解されたい。
【0026】図6は、本発明のさらに別の実施例30D
を示す等角投影図てある。この実施例では、一体型アセ
ンブリに磁気ヘッドが一体化されていない。実施例30
Dでは、サスペンション・アーム34、アクチュエータ
・アーム36、アクチュエータ・コイル38、およびシ
リコン・ベース120(駆動回路54と検出回路56を
含む)しか一体化されていない。一体型アセンブリ30
Dは、サスペンション34の先端に付加されリード線1
40によって駆動回路54と検出回路56に接続される
小型チップ142が磁気ヘッドである点を除き、一体型
アセンブリ30Cと同じである。シリコン・ベース12
0、駆動回路54、および検出回路56を省略した点だ
けが実施例30Dと異なる実施例(図省略)も、本発明
に含まれる。この実施例は、小型チップである磁気ヘッ
ドが一体型アセンブリに追加される点を除き、図3の実
施例30Bと同様になる。
を示す等角投影図てある。この実施例では、一体型アセ
ンブリに磁気ヘッドが一体化されていない。実施例30
Dでは、サスペンション・アーム34、アクチュエータ
・アーム36、アクチュエータ・コイル38、およびシ
リコン・ベース120(駆動回路54と検出回路56を
含む)しか一体化されていない。一体型アセンブリ30
Dは、サスペンション34の先端に付加されリード線1
40によって駆動回路54と検出回路56に接続される
小型チップ142が磁気ヘッドである点を除き、一体型
アセンブリ30Cと同じである。シリコン・ベース12
0、駆動回路54、および検出回路56を省略した点だ
けが実施例30Dと異なる実施例(図省略)も、本発明
に含まれる。この実施例は、小型チップである磁気ヘッ
ドが一体型アセンブリに追加される点を除き、図3の実
施例30Bと同様になる。
【0027】図8および図9は、一体型アセンブリのサ
スペンション・アーム34に事前に負荷をかけるための
具体例を2つ示しており、図7は図8の具体例を示す等
角投影図てある。図7と図8には、ボンディングや薄膜
付着など、適切な手段によってサスペンション・アーム
34の上に取り付けた圧電層144を示してある。図7
に概略図を示したリード線146と、電源(図省略)
は、圧電層144を付勢して、事前にかけた負荷でサス
ペンション・アーム34を下向きに選択的に偏向させ
る。図9には、ボンディングなど任意の適切な手段によ
ってサスペンション・アーム34に取り付けた曲げ板1
46を示してある。曲げ板146(弾性材でよい)は、
サスペンション・アーム34を、回転ディスク面の方向
に所定の負荷で下向きに偏向させる。
スペンション・アーム34に事前に負荷をかけるための
具体例を2つ示しており、図7は図8の具体例を示す等
角投影図てある。図7と図8には、ボンディングや薄膜
付着など、適切な手段によってサスペンション・アーム
34の上に取り付けた圧電層144を示してある。図7
に概略図を示したリード線146と、電源(図省略)
は、圧電層144を付勢して、事前にかけた負荷でサス
ペンション・アーム34を下向きに選択的に偏向させ
る。図9には、ボンディングなど任意の適切な手段によ
ってサスペンション・アーム34に取り付けた曲げ板1
46を示してある。曲げ板146(弾性材でよい)は、
サスペンション・アーム34を、回転ディスク面の方向
に所定の負荷で下向きに偏向させる。
【0028】製作方法 図4に示した一体型アセンブリ30Cの製作方法につい
て説明する。図10の一体型駆動回路54と56は、シ
リコン基板200内に作成されている。その後で、厚さ
1ミクロン程度のシリコン酸化物(SiO)の層202
を絶縁層として付着させ、それらの集積回路を封入して
いる。図11では、フッ化水素酸などによる湿式エッチ
ングや、CF4を用いた反応性イオン・エッチングなど
の反応性イオン・エッチングによって、シリコン酸化物
層の一部を除去している。その後で、露出したシリコン
基板200をエッチングし、8〜10ミクロン程度の深
さを有するくぼみ204を形成している。くぼみ204
は、後でシリコン基板200上に作成する薄膜ヘッド用
の摩耗パッドの形状と高さを形成する。
て説明する。図10の一体型駆動回路54と56は、シ
リコン基板200内に作成されている。その後で、厚さ
1ミクロン程度のシリコン酸化物(SiO)の層202
を絶縁層として付着させ、それらの集積回路を封入して
いる。図11では、フッ化水素酸などによる湿式エッチ
ングや、CF4を用いた反応性イオン・エッチングなど
の反応性イオン・エッチングによって、シリコン酸化物
層の一部を除去している。その後で、露出したシリコン
基板200をエッチングし、8〜10ミクロン程度の深
さを有するくぼみ204を形成している。くぼみ204
は、後でシリコン基板200上に作成する薄膜ヘッド用
の摩耗パッドの形状と高さを形成する。
【0029】二酸化シリコン層202のくぼみ204の
各面から延びる部分は、フォトリソグラフィ技術を使用
することによって、反応性イオン・エッチングで除去で
きる。その後で、露出しているシリコン表面の上にはく
離層206(エッチング保護層でもある)を付着させる
が、そのはく離層の一部分208は残った二酸化シリコ
ン層202の上にオーバラップさせる。はく離層206
は、0.5ミクロン程度の厚さを有するクロムでよい。
各面から延びる部分は、フォトリソグラフィ技術を使用
することによって、反応性イオン・エッチングで除去で
きる。その後で、露出しているシリコン表面の上にはく
離層206(エッチング保護層でもある)を付着させる
が、そのはく離層の一部分208は残った二酸化シリコ
ン層202の上にオーバラップさせる。はく離層206
は、0.5ミクロン程度の厚さを有するクロムでよい。
【0030】図13、図14、および図15は、磁気ヘ
ッドをアセンブリに一体化するステップを示している。
図13に示したように、3ミクロン程度の厚さを有する
最初の炭素層210を、付着後、パターン形成して、使
用部分と中央の摩耗パッド部212から炭素を除去す
る。次に、3ミクロン程度の厚さを有するアルミナ層2
14を、付着後、パターン形成して、摩耗パターン部2
12の各面からわずかな距離にあるアルミナだけを除去
する。図14に示したように、底部のパーマロイ(Ni
Fe)層216をその後で付着してパターン形成し、正
確に形成したギャップ218を備える磁気ヘッドの底部
ヨークを形成することができる。磁気ヘッドの分解能を
決定するギャップ218は、フォトリソグラフィ技術お
よび薄膜技術によって形成されるので、サブミクロンの
幅にすることができる。層216の厚さは、3〜5ミク
ロン程度でよい。その後で、アルミナ(Al2O3)層2
20を付着させてパーマロイ層216を封入し、ギャッ
プ218を充填する。後で磁気ヘッドの上部ヨークへの
接続(後述)が行えるように、パーマロイ層216まで
達するヴァイア(すなわち貫通孔)222と224を、
その後でアルミナ層220内に形成することができる。
ッドをアセンブリに一体化するステップを示している。
図13に示したように、3ミクロン程度の厚さを有する
最初の炭素層210を、付着後、パターン形成して、使
用部分と中央の摩耗パッド部212から炭素を除去す
る。次に、3ミクロン程度の厚さを有するアルミナ層2
14を、付着後、パターン形成して、摩耗パターン部2
12の各面からわずかな距離にあるアルミナだけを除去
する。図14に示したように、底部のパーマロイ(Ni
Fe)層216をその後で付着してパターン形成し、正
確に形成したギャップ218を備える磁気ヘッドの底部
ヨークを形成することができる。磁気ヘッドの分解能を
決定するギャップ218は、フォトリソグラフィ技術お
よび薄膜技術によって形成されるので、サブミクロンの
幅にすることができる。層216の厚さは、3〜5ミク
ロン程度でよい。その後で、アルミナ(Al2O3)層2
20を付着させてパーマロイ層216を封入し、ギャッ
プ218を充填する。後で磁気ヘッドの上部ヨークへの
接続(後述)が行えるように、パーマロイ層216まで
達するヴァイア(すなわち貫通孔)222と224を、
その後でアルミナ層220内に形成することができる。
【0031】図15に示したように、1つまたは複数の
変換器コイル層226を、めっきによって付着させるこ
とができる。同時に、1つまたは複数のアクチュエータ
・コイル層228も、めっきによって付着させることが
できる。これは、まずフォトレジスト・マスクを形成し
てから、次に変換器コイル226とアクチュエータ・コ
イル228の最初の層を同時にめっきすれば行える。こ
のフォトレジスト・マスクを除去した後で、最初の層の
上にアルミナの層を同時に付着させる。次に、第2のフ
ォトレジスト・マスクを形成し、変換器コイル226と
アクチュエータ・コイル228の第2の層を同時にめっ
きする。次に、これらの第2層の上にアルミナの第2の
絶縁層を同時に付着させることができる。このように行
えば、これらのコイルと絶縁層を作成するための多くの
処理ステップが不要となる。その結果、コイルの最初の
層226と228はほぼ第1の共通面内に配置され、コ
イルの第2の層226と228はほぼ第2の共通面内に
配置される。
変換器コイル層226を、めっきによって付着させるこ
とができる。同時に、1つまたは複数のアクチュエータ
・コイル層228も、めっきによって付着させることが
できる。これは、まずフォトレジスト・マスクを形成し
てから、次に変換器コイル226とアクチュエータ・コ
イル228の最初の層を同時にめっきすれば行える。こ
のフォトレジスト・マスクを除去した後で、最初の層の
上にアルミナの層を同時に付着させる。次に、第2のフ
ォトレジスト・マスクを形成し、変換器コイル226と
アクチュエータ・コイル228の第2の層を同時にめっ
きする。次に、これらの第2層の上にアルミナの第2の
絶縁層を同時に付着させることができる。このように行
えば、これらのコイルと絶縁層を作成するための多くの
処理ステップが不要となる。その結果、コイルの最初の
層226と228はほぼ第1の共通面内に配置され、コ
イルの第2の層226と228はほぼ第2の共通面内に
配置される。
【0032】変換器コイル226の最初のコイル層を作
成してからその上に最初の絶縁層を作成するまでの間
に、底部の変換器コイル層の端子を集積回路54/56
に接続するためのヴァイア230をアルミナ層220内
に作成する。この接続は、導電性リード線層140を付
着させることによって行う。図15にはそのうちの1
本、図5にはその両方を示してある。第2のコイル層2
26と228の上に第2の絶縁層を作成した後で、最初
と第2の絶縁層を貫通して磁気ヘッドの底部ヨーク21
6まで、ヴァイア232と234を作成する。次に、パ
ーマロイの上層236を付着させて、磁気ヘッドの上部
ヨークを形成する。この上部ヨークは、ヴァイア232
と234を介して底部ヨーク216に接続する。上部ヨ
ーク236は、適切なフォトレジスト・マスク処理を行
った後でめっきによって形成することができる。図16
に示したように、厚さ30〜70ミクロン程度のアルミ
ナ層238を次に付着させると、磁気ヘッドが完成し、
かつアクチュエータ・コイル228が覆われる。このア
ルミナ層は、一体型アセンブリのサスペンション部に主
な支持強度を与えるが、サスペンション部およびアクチ
ュエータ・アーム部にまたがる細長い均質支持層を構成
する。
成してからその上に最初の絶縁層を作成するまでの間
に、底部の変換器コイル層の端子を集積回路54/56
に接続するためのヴァイア230をアルミナ層220内
に作成する。この接続は、導電性リード線層140を付
着させることによって行う。図15にはそのうちの1
本、図5にはその両方を示してある。第2のコイル層2
26と228の上に第2の絶縁層を作成した後で、最初
と第2の絶縁層を貫通して磁気ヘッドの底部ヨーク21
6まで、ヴァイア232と234を作成する。次に、パ
ーマロイの上層236を付着させて、磁気ヘッドの上部
ヨークを形成する。この上部ヨークは、ヴァイア232
と234を介して底部ヨーク216に接続する。上部ヨ
ーク236は、適切なフォトレジスト・マスク処理を行
った後でめっきによって形成することができる。図16
に示したように、厚さ30〜70ミクロン程度のアルミ
ナ層238を次に付着させると、磁気ヘッドが完成し、
かつアクチュエータ・コイル228が覆われる。このア
ルミナ層は、一体型アセンブリのサスペンション部に主
な支持強度を与えるが、サスペンション部およびアクチ
ュエータ・アーム部にまたがる細長い均質支持層を構成
する。
【0033】前記のステップはすべて、ウェーハ・レベ
ルで行って、一体型アセンブリを多数作成した。次の製
作ステップでは、一体型アセンブリの離散ユニットを形
成する。各アセンブリの周りのアルミナ層238を、E
DTAなどの適切なエッチング剤を使用したエッチング
によって、二酸化シリコン層202およびはく離層20
6に達するまで除去する。同時に、エッチングによって
アルミナ層238中に穴40が空く。アルミナ層238
にエッチングを施した後、アセンブリで使用する部分以
外の二酸化シリコン層202とはく離層206を、図1
7に示すように、各アセンブリの下にある二酸化シリコ
ンとはく離層の部分だけを残して、エッチングによって
除去する。最後のエッチング・ステップによって、シリ
コン層200まで達する穴40が完成する。
ルで行って、一体型アセンブリを多数作成した。次の製
作ステップでは、一体型アセンブリの離散ユニットを形
成する。各アセンブリの周りのアルミナ層238を、E
DTAなどの適切なエッチング剤を使用したエッチング
によって、二酸化シリコン層202およびはく離層20
6に達するまで除去する。同時に、エッチングによって
アルミナ層238中に穴40が空く。アルミナ層238
にエッチングを施した後、アセンブリで使用する部分以
外の二酸化シリコン層202とはく離層206を、図1
7に示すように、各アセンブリの下にある二酸化シリコ
ンとはく離層の部分だけを残して、エッチングによって
除去する。最後のエッチング・ステップによって、シリ
コン層200まで達する穴40が完成する。
【0034】図18では、ウェーハの上部はフォトレジ
スト層240で保護され、ウェーハの底部はフォトレジ
スト層242でパターン形成されている。次に、エッチ
ングにより、一体型アセンブリのサスペンションの下に
あるシリコン基板200を除去する。図では、このエッ
チング・ステップは、サスペンションの下にあるシリコ
ン200が最初から3分の2エッチングされるまでの中
間時点にある。エッチング(苛性ソーダの使用も可)
は、はく離層206で終了する。これらの処理ステップ
の結果、個々の一体型ヘッド・アセンブリが得られ、そ
の一例を図19に示す。図20では、標準のクロム・エ
ッチング剤によってはく離層206が除去されている。
その結果、底部ヨーク216、ギャップ218、および
炭素摩耗層210から構成されるヘッド表面が残る(図
14を参照)。
スト層240で保護され、ウェーハの底部はフォトレジ
スト層242でパターン形成されている。次に、エッチ
ングにより、一体型アセンブリのサスペンションの下に
あるシリコン基板200を除去する。図では、このエッ
チング・ステップは、サスペンションの下にあるシリコ
ン200が最初から3分の2エッチングされるまでの中
間時点にある。エッチング(苛性ソーダの使用も可)
は、はく離層206で終了する。これらの処理ステップ
の結果、個々の一体型ヘッド・アセンブリが得られ、そ
の一例を図19に示す。図20では、標準のクロム・エ
ッチング剤によってはく離層206が除去されている。
その結果、底部ヨーク216、ギャップ218、および
炭素摩耗層210から構成されるヘッド表面が残る(図
14を参照)。
【0035】図21で示すステップによって、サスペン
ションに事前に負荷をかけることができる。図9にも示
した曲げ板146は、サスペンションに下方向の力をか
けるように、あらかじめ応力が加えられている。前記の
ように、この部分は、任意選択により図7および図8で
示した圧電層144で実現することもできる。曲げ板1
46または圧電層144は、図16に示すようにサスペ
ンション34に付着またはボンディングすることができ
る。
ションに事前に負荷をかけることができる。図9にも示
した曲げ板146は、サスペンションに下方向の力をか
けるように、あらかじめ応力が加えられている。前記の
ように、この部分は、任意選択により図7および図8で
示した圧電層144で実現することもできる。曲げ板1
46または圧電層144は、図16に示すようにサスペ
ンション34に付着またはボンディングすることができ
る。
【0036】図22は、250で示した位置に複数の一
体型アセンブリをバッチ製作によって製作する様子を示
している。図22は、各アセンブリにはく離層206を
形成した後の様子を示している(図12を参照)。図2
3は、変換器コイル層226(図示せず)とアクチュエ
ータ・コイル層228を同時に形成した後のバッチ製作
(図15も参照)を示している。図24は、シリコン基
板200にエッチングを施した後の個々の一体型アセン
ブリを示している(図18および図19も参照)。個々
の一体型アセンブリは、その後で、図20で示したよう
にはく離層を除去すると完成する。
体型アセンブリをバッチ製作によって製作する様子を示
している。図22は、各アセンブリにはく離層206を
形成した後の様子を示している(図12を参照)。図2
3は、変換器コイル層226(図示せず)とアクチュエ
ータ・コイル層228を同時に形成した後のバッチ製作
(図15も参照)を示している。図24は、シリコン基
板200にエッチングを施した後の個々の一体型アセン
ブリを示している(図18および図19も参照)。個々
の一体型アセンブリは、その後で、図20で示したよう
にはく離層を除去すると完成する。
【0037】次に、図3の一体型アセンブリ30Bの製
作方法を示す。製作ステップは、図25ないし図29に
示す。これらのステップの一部は、図10ないし図19
で示した一体型アセンブリ30Aの製作ステップと共通
している。したがって、このプロセスは、図10ないし
図19と図25ないし図29を併用して説明する。図2
5に示すように、基板200はシリコンでよく、くぼみ
250を備えている。次に、シリコン基板200の上
に、はく離層252たとえば厚さ1〜2ミクロン程度の
銅を形成する。これによって、前記の図12で示したス
テップまで進むことになる。次に、図13、図14、お
よび図15と同じ処理ステップを実行することによっ
て、図26に示すアセンブリができる。この装置は、ア
ルミナ238とシリコン基板200をはく離層252だ
けで分離している点を除き、図16に示したアセンブリ
と同じである。
作方法を示す。製作ステップは、図25ないし図29に
示す。これらのステップの一部は、図10ないし図19
で示した一体型アセンブリ30Aの製作ステップと共通
している。したがって、このプロセスは、図10ないし
図19と図25ないし図29を併用して説明する。図2
5に示すように、基板200はシリコンでよく、くぼみ
250を備えている。次に、シリコン基板200の上
に、はく離層252たとえば厚さ1〜2ミクロン程度の
銅を形成する。これによって、前記の図12で示したス
テップまで進むことになる。次に、図13、図14、お
よび図15と同じ処理ステップを実行することによっ
て、図26に示すアセンブリができる。この装置は、ア
ルミナ238とシリコン基板200をはく離層252だ
けで分離している点を除き、図16に示したアセンブリ
と同じである。
【0038】次のステップでは、はく離層252に達す
るまでアルミナ238をエッチングによって除去し、そ
の結果、個々の一体型アセンブリが得られる。その1つ
を、図27に示す。これは、シリコン基板200ではな
くはく離層252までエッチングしている点を除き、図
17の一体型アセンブリを作成するためのステップに類
似している。図17に示したステップからわかるよう
に、スピンドル穴40が同時に形成される。この処理に
適したエッチング剤は、EDTAである。
るまでアルミナ238をエッチングによって除去し、そ
の結果、個々の一体型アセンブリが得られる。その1つ
を、図27に示す。これは、シリコン基板200ではな
くはく離層252までエッチングしている点を除き、図
17の一体型アセンブリを作成するためのステップに類
似している。図17に示したステップからわかるよう
に、スピンドル穴40が同時に形成される。この処理に
適したエッチング剤は、EDTAである。
【0039】次に、銅エッチング剤などのエッチング液
にウェーハ全体を漬けて、はく離層252を溶解し、シ
リコン基板から個々の一体型アセンブリを分離する。こ
のステップの過程を図28に示し、完了結果を図29に
示す。最終的に形成されたものを、図29と図3に示
す。サスペンションとアクチュエータ・アームを構成す
るアルミナ板は、50〜75ミクロンの厚さにすること
ができる。必要なら、前記のように応力をかけた板を追
加することによって、一体型アセンブリのサスペンショ
ンを下方に偏向させることもできる。
にウェーハ全体を漬けて、はく離層252を溶解し、シ
リコン基板から個々の一体型アセンブリを分離する。こ
のステップの過程を図28に示し、完了結果を図29に
示す。最終的に形成されたものを、図29と図3に示
す。サスペンションとアクチュエータ・アームを構成す
るアルミナ板は、50〜75ミクロンの厚さにすること
ができる。必要なら、前記のように応力をかけた板を追
加することによって、一体型アセンブリのサスペンショ
ンを下方に偏向させることもできる。
【0040】本発明の別の実施例300を、図31に示
す。この実施例は積層した一体型アセンブリであるが、
これは図30の平面状積層体302から製作する。この
平面状積層体および積層した一体型アセンブリ300の
製作については、以降で詳しく説明する。図31に示す
ように、アセンブリ300は、第1端部304から中間
面306に至るサスペンション部と、この中間面306
から第2端部308に至るアクチュエータ部を備えてい
る。このサスペンション部とアクチュエータ部は、互い
に連続している。均質支持層310が、第1端部304
と第2端部308の間に、それらの端部間で連続した要
素になるように延びている。図31に示したサスペンシ
ョン部とアクチュエータ部の外周は、自在ケーブル31
2(以降で詳説する)を除き、均質支持層310の外周
になっている。均質支持層310の内周は、穴314、
316、318、320である。穴314は、組立て時
に磁気ヘッド322を正確に取り付けるための位置決め
穴である(図32を参照)。穴316は均質支持層から
蝶番324を形成する。蝶番324は、曲げると、回転
する磁気ディスク(図1を参照)に向かって磁気ヘッド
322に力をかけることができる。蝶番324は、所期
の蝶番動作が得られるように、均質支持層内の残りの部
分より薄くすることができる。また、均質支持層310
は、端部304に隣接した部分325でも、回転ディス
ク(図1を参照)に隣接して操作中にヘッドがさらに縦
および横方向に曲がるように、厚さが薄くなっている。
穴318は、アクチュエータのスピンドル(図省略)を
受けるための円形の穴である。穴320は、軽量化のた
めのものである。
す。この実施例は積層した一体型アセンブリであるが、
これは図30の平面状積層体302から製作する。この
平面状積層体および積層した一体型アセンブリ300の
製作については、以降で詳しく説明する。図31に示す
ように、アセンブリ300は、第1端部304から中間
面306に至るサスペンション部と、この中間面306
から第2端部308に至るアクチュエータ部を備えてい
る。このサスペンション部とアクチュエータ部は、互い
に連続している。均質支持層310が、第1端部304
と第2端部308の間に、それらの端部間で連続した要
素になるように延びている。図31に示したサスペンシ
ョン部とアクチュエータ部の外周は、自在ケーブル31
2(以降で詳説する)を除き、均質支持層310の外周
になっている。均質支持層310の内周は、穴314、
316、318、320である。穴314は、組立て時
に磁気ヘッド322を正確に取り付けるための位置決め
穴である(図32を参照)。穴316は均質支持層から
蝶番324を形成する。蝶番324は、曲げると、回転
する磁気ディスク(図1を参照)に向かって磁気ヘッド
322に力をかけることができる。蝶番324は、所期
の蝶番動作が得られるように、均質支持層内の残りの部
分より薄くすることができる。また、均質支持層310
は、端部304に隣接した部分325でも、回転ディス
ク(図1を参照)に隣接して操作中にヘッドがさらに縦
および横方向に曲がるように、厚さが薄くなっている。
穴318は、アクチュエータのスピンドル(図省略)を
受けるための円形の穴である。穴320は、軽量化のた
めのものである。
【0041】図31と図34に示したように、変換器の
リード線層326はほぼ、端部304から発してサスペ
ンション部を通り、アクチュエータ部で円形の穴318
の周りを回って、自在ケーブル312に入っている。ア
クチュエータ部の均質支持層310上には、端子330
を有するアクチュエータ・コイル層328も設けられて
いる。アクチュエータ・コイル層332も、これらの端
子330から延び、変換器のリード線層326と共に自
在ケーブル312に入っている。変換器のリード線層3
26とアクチュエータ・コイル層328は、アクチュエ
ータ部でほぼ共通の面内にある。サスペンション部とア
クチュエータ部内の変換器のリード線層326は、前記
の事前負荷を与えるために蝶番324が曲げられる位置
まで、ほぼ共通の面内にある。所定の数の変換器リード
線層326は、分割され、部分325、円形の穴31
4、および部分316でループを形成する。部分325
と316のループは、均質支持層310のより薄い部分
が動作中に曲げられたときに、変換器リード線層の応力
を除去するためのものである。
リード線層326はほぼ、端部304から発してサスペ
ンション部を通り、アクチュエータ部で円形の穴318
の周りを回って、自在ケーブル312に入っている。ア
クチュエータ部の均質支持層310上には、端子330
を有するアクチュエータ・コイル層328も設けられて
いる。アクチュエータ・コイル層332も、これらの端
子330から延び、変換器のリード線層326と共に自
在ケーブル312に入っている。変換器のリード線層3
26とアクチュエータ・コイル層328は、アクチュエ
ータ部でほぼ共通の面内にある。サスペンション部とア
クチュエータ部内の変換器のリード線層326は、前記
の事前負荷を与えるために蝶番324が曲げられる位置
まで、ほぼ共通の面内にある。所定の数の変換器リード
線層326は、分割され、部分325、円形の穴31
4、および部分316でループを形成する。部分325
と316のループは、均質支持層310のより薄い部分
が動作中に曲げられたときに、変換器リード線層の応力
を除去するためのものである。
【0042】可撓絶縁層(一部を334に示す)は、サ
スペンション部とアクチュエータ部において、変換器リ
ード線層326と均質支持層310の間に挟まれる。ま
た、この可撓絶縁層は、アクチュエータ部では、アクチ
ュエータ・コイル層328と均質支持層310の間に挟
まれる。可撓絶縁層334は、自在ケーブル312も含
めて、変換器のリード線層326とアクチュエータ・コ
イル層328が存在する位置であれば、どこにあっても
よい。この可撓層は、第1端部304から第2端部30
8まで連続していてもよく、また部分325と蝶番32
4を除き均質支持層310が存在する位置であればどこ
にあってもよい。たとえば、可撓層部分336は、部分
325から、均質支持層310と密着係合するサスペン
ション部内の穴316まで延びていてもよい。個々の銅
パッド338を可撓層部336に装着すると、動作中の
サスペンション部に対する所期の制動効果が得られる。
スペンション部とアクチュエータ部において、変換器リ
ード線層326と均質支持層310の間に挟まれる。ま
た、この可撓絶縁層は、アクチュエータ部では、アクチ
ュエータ・コイル層328と均質支持層310の間に挟
まれる。可撓絶縁層334は、自在ケーブル312も含
めて、変換器のリード線層326とアクチュエータ・コ
イル層328が存在する位置であれば、どこにあっても
よい。この可撓層は、第1端部304から第2端部30
8まで連続していてもよく、また部分325と蝶番32
4を除き均質支持層310が存在する位置であればどこ
にあってもよい。たとえば、可撓層部分336は、部分
325から、均質支持層310と密着係合するサスペン
ション部内の穴316まで延びていてもよい。個々の銅
パッド338を可撓層部336に装着すると、動作中の
サスペンション部に対する所期の制動効果が得られる。
【0043】アクチュエータ・コイル層342を備えた
別のアクチュエータ・コイル・アセンブリ340を、図
31に示す。アクチュエータ・コイル層342は、アク
チュエータ・コイル328の端子330と対合する端子
344を備えている。アクチュエータ・コイル層342
は、支持層346上に取り付けられる。支持層346
は、均質支持層の拡張部分348を介して、均質支持層
310と均質にすることもできる。この拡張部分348
により、アクチュエータ・コイル層342は、端子34
4を端子330に向かい合わせて、アクチュエータ・コ
イル層328の上に折り畳むことができる。この折り畳
み操作の前に、アクチュエータ・コイル層328内の端
子330と部分350にはんだボールを作る。このはん
だボールは、作業対象となる領域の上にステンシルを置
き、部分330と350にはんだペーストを塗って作
る。ステンシルを除去した後、約125℃の熱を加えて
はんだボールペーストを半球状にする。次に、アクチュ
エータ・コイル層342をアクチュエータ・コイル層3
28の上に折り畳み、再度加熱してはんだボールで端子
330と344を接続し、アクチュエータ・コイル層3
28と342の間にはんだによるスペーサを形成する。
このスペーサは、アセンブリ300の部分350とコイ
ル・アセンブリ340の部分352の間に位置する。し
たがって、はんだボールは、アクチュエータ・コイル層
328と342を端子330と344の位置で接続する
だけでなく、前記の端子以外では電気的に分離されるよ
うにコイル層を互いに隔てる。このようにして得られた
組み合わされたアクチュエータ・コイル・アセンブリ
(300と340)を、図32の354に示す。はんだ
ボールを使った製作については、参照により本明細書に
合体される本出願人が所有する米国特許第476169
9号を参照のこと。
別のアクチュエータ・コイル・アセンブリ340を、図
31に示す。アクチュエータ・コイル層342は、アク
チュエータ・コイル328の端子330と対合する端子
344を備えている。アクチュエータ・コイル層342
は、支持層346上に取り付けられる。支持層346
は、均質支持層の拡張部分348を介して、均質支持層
310と均質にすることもできる。この拡張部分348
により、アクチュエータ・コイル層342は、端子34
4を端子330に向かい合わせて、アクチュエータ・コ
イル層328の上に折り畳むことができる。この折り畳
み操作の前に、アクチュエータ・コイル層328内の端
子330と部分350にはんだボールを作る。このはん
だボールは、作業対象となる領域の上にステンシルを置
き、部分330と350にはんだペーストを塗って作
る。ステンシルを除去した後、約125℃の熱を加えて
はんだボールペーストを半球状にする。次に、アクチュ
エータ・コイル層342をアクチュエータ・コイル層3
28の上に折り畳み、再度加熱してはんだボールで端子
330と344を接続し、アクチュエータ・コイル層3
28と342の間にはんだによるスペーサを形成する。
このスペーサは、アセンブリ300の部分350とコイ
ル・アセンブリ340の部分352の間に位置する。し
たがって、はんだボールは、アクチュエータ・コイル層
328と342を端子330と344の位置で接続する
だけでなく、前記の端子以外では電気的に分離されるよ
うにコイル層を互いに隔てる。このようにして得られた
組み合わされたアクチュエータ・コイル・アセンブリ
(300と340)を、図32の354に示す。はんだ
ボールを使った製作については、参照により本明細書に
合体される本出願人が所有する米国特許第476169
9号を参照のこと。
【0044】前記の自在ケーブル312を、図31、図
34、および図35に示す。自在ケーブル312は、変
換器のリード線層326、および駆動電子回路50(図
1を参照)まで延びるアクチュエータ・コイル層328
を備える。均質支持層310は、アセンブリがスピンド
ル穴318内のアクチュエータ・スピンドル(図省略)
の周りで旋回する際に自在ケーブル312から所期の曲
げが得られるように、自在ケーブル312内に配置しな
い。したがって、スピンドル穴318の外周から駆動電
子回路までの間、自在ケーブル312内に均質支持層3
10は存在しない。均質支持層は、スピンドル穴318
から図34および図35のタブ356のすぐ近くまで延
ばすことができる。タブ356は、均質支持層310の
延長部分であり、駆動電子回路の方向に延びるまでの自
在ケーブル312を十分に支持できる距離だけ横方向に
延びる。図34に示したように、タブ356に穴357
を設けると、支持層310の面に対して上方向にタブを
折り畳むことができる。こうすると、自在ケーブル31
2は図35に示した垂直位置まで曲がる。自在ケーブル
312は、駆動電子回路に接続するのに適合されたコネ
クタ358まで延びる。コネクタ358は、図35に示
したようにほぼ90゜まで曲がるように、359に均質
層310の一部分を有する。リード線326は、駆動電
子回路に接続できるように、コネクタ358の下を延び
る。
34、および図35に示す。自在ケーブル312は、変
換器のリード線層326、および駆動電子回路50(図
1を参照)まで延びるアクチュエータ・コイル層328
を備える。均質支持層310は、アセンブリがスピンド
ル穴318内のアクチュエータ・スピンドル(図省略)
の周りで旋回する際に自在ケーブル312から所期の曲
げが得られるように、自在ケーブル312内に配置しな
い。したがって、スピンドル穴318の外周から駆動電
子回路までの間、自在ケーブル312内に均質支持層3
10は存在しない。均質支持層は、スピンドル穴318
から図34および図35のタブ356のすぐ近くまで延
ばすことができる。タブ356は、均質支持層310の
延長部分であり、駆動電子回路の方向に延びるまでの自
在ケーブル312を十分に支持できる距離だけ横方向に
延びる。図34に示したように、タブ356に穴357
を設けると、支持層310の面に対して上方向にタブを
折り畳むことができる。こうすると、自在ケーブル31
2は図35に示した垂直位置まで曲がる。自在ケーブル
312は、駆動電子回路に接続するのに適合されたコネ
クタ358まで延びる。コネクタ358は、図35に示
したようにほぼ90゜まで曲がるように、359に均質
層310の一部分を有する。リード線326は、駆動電
子回路に接続できるように、コネクタ358の下を延び
る。
【0045】回転する磁気ディスクの両面に対して読み
書きを行うための磁気ヘッドとアクチュエータのアセン
ブリを、図32、図33、図36、および図37に示
す。図31の組立て済みアセンブリを、図32、図3
6、および図37の354に示す。アセンブリ363
(アクチュエータ・コイル層328とその支持部を除き
アセンブリ300と同じ)も、図32、図36、および
図37に示す。組立て済みアセンブリ354は、一般に
は図31の365に示したような8個の異なる位置で均
質支持層310をレーザ点溶接するなど、任意の簡単な
手段によって支持基板364に接続される。アセンブリ
363も、ほぼ同様な方法で支持基板366に接合され
る。次に、アセンブリ354と363を、図32のよう
に組み立て、スペーサ368で互いに隔てる。スペーサ
368は、ボンディングなど任意の簡単な手段で、これ
らのアセンブリの均質支持層に接続できる。スライダ/
磁気ヘッド322は、アセンブリ354と363のそれ
ぞれの端子に、ボンディングなどの任意の簡単な手段で
接続する。磁気ヘッド322のパッド(図省略)は、図
34に示したように、サスペンションの終端部でパッド
369を介して変換器のリード線層326に接続する。
書きを行うための磁気ヘッドとアクチュエータのアセン
ブリを、図32、図33、図36、および図37に示
す。図31の組立て済みアセンブリを、図32、図3
6、および図37の354に示す。アセンブリ363
(アクチュエータ・コイル層328とその支持部を除き
アセンブリ300と同じ)も、図32、図36、および
図37に示す。組立て済みアセンブリ354は、一般に
は図31の365に示したような8個の異なる位置で均
質支持層310をレーザ点溶接するなど、任意の簡単な
手段によって支持基板364に接続される。アセンブリ
363も、ほぼ同様な方法で支持基板366に接合され
る。次に、アセンブリ354と363を、図32のよう
に組み立て、スペーサ368で互いに隔てる。スペーサ
368は、ボンディングなど任意の簡単な手段で、これ
らのアセンブリの均質支持層に接続できる。スライダ/
磁気ヘッド322は、アセンブリ354と363のそれ
ぞれの端子に、ボンディングなどの任意の簡単な手段で
接続する。磁気ヘッド322のパッド(図省略)は、図
34に示したように、サスペンションの終端部でパッド
369を介して変換器のリード線層326に接続する。
【0046】均質支持層310はステンレス鋼、可撓層
334はポリアミドなどの樹脂、変換器のリード線層3
26とアクチュエータ・コイル層328は銅であること
が好ましい。図31のアセンブリ300と340は、図
30の表面積層体302からバッチ製作できる。表面積
層体302は、厚さ2ミルのステンレス鋼(#304)
層70、厚さ17.8ミクロンの銅(C7025)層7
2、および層70と72に挟まれた厚さ16.5ミクロ
ンのポリアミド層74を備えている。この積層体および
それから各種の要素を製作する方法の詳細については、
参照により本明細書に合体した、本出願人の所有する米
国特許第4996623号を参照のこと。
334はポリアミドなどの樹脂、変換器のリード線層3
26とアクチュエータ・コイル層328は銅であること
が好ましい。図31のアセンブリ300と340は、図
30の表面積層体302からバッチ製作できる。表面積
層体302は、厚さ2ミルのステンレス鋼(#304)
層70、厚さ17.8ミクロンの銅(C7025)層7
2、および層70と72に挟まれた厚さ16.5ミクロ
ンのポリアミド層74を備えている。この積層体および
それから各種の要素を製作する方法の詳細については、
参照により本明細書に合体した、本出願人の所有する米
国特許第4996623号を参照のこと。
【0047】図31のアセンブリ300と340を、図
30の表面積層体302から製作する方法を、図41に
示す。最初のステップでは、図30の銅層72に、マス
キングとエッチングの処理を施す。このステップの後、
アセンブリの銅フィーチャ、つまり変換器のリード線層
326、アクチュエータ・コイル層328と342、お
よび銅パッド338がすべて形成される。次のステップ
では、図30のポリアミド層74に、マスキングとエッ
チングの処理を施す。このステップでは、前記のすべて
の銅フィーチャの下にあるポリアミドを除き、ポリアミ
ドがすべてエッチングによって除去される。次のステッ
プでは、図30の鋼層70に、マスキングとエッチング
の処理を施す。その結果、図31のアセンブリ300と
340の外部構造が得られ、かつ鋼層部分が除去され
て、アセンブリ340の穴314、部分334、穴31
8、穴320、および穴370が得られる。また、この
ステップが完了すると、自在ケーブル312から鋼層が
除去され、図34のタブ356の外周とそのタブ内の穴
358が形成される。次のステップでは、鋼層70をマ
スキングし、鋼層70の厚みの一部をエッチングにより
除去する。その結果、均質支持層310の厚さが、部分
324と325で薄くなる。次のステップでは、前記の
ように、ステンシル処理、はんだペーストの塗布、およ
び加熱を行う。その結果、はんだボールが位置330と
350にできる(図31を参照)。次に、アセンブリ3
40のアクチュエータ・コイル層342をアセンブリ3
00のアクチュエータ・コイル層328と対合させて加
熱し、これらのアクチュエータ・コイル層同士を接合
し、これらのアクチュエータ・コイル層同士が互いに電
気的に分離されるように、コイル層の間にはんだボール
の空間を設ける。
30の表面積層体302から製作する方法を、図41に
示す。最初のステップでは、図30の銅層72に、マス
キングとエッチングの処理を施す。このステップの後、
アセンブリの銅フィーチャ、つまり変換器のリード線層
326、アクチュエータ・コイル層328と342、お
よび銅パッド338がすべて形成される。次のステップ
では、図30のポリアミド層74に、マスキングとエッ
チングの処理を施す。このステップでは、前記のすべて
の銅フィーチャの下にあるポリアミドを除き、ポリアミ
ドがすべてエッチングによって除去される。次のステッ
プでは、図30の鋼層70に、マスキングとエッチング
の処理を施す。その結果、図31のアセンブリ300と
340の外部構造が得られ、かつ鋼層部分が除去され
て、アセンブリ340の穴314、部分334、穴31
8、穴320、および穴370が得られる。また、この
ステップが完了すると、自在ケーブル312から鋼層が
除去され、図34のタブ356の外周とそのタブ内の穴
358が形成される。次のステップでは、鋼層70をマ
スキングし、鋼層70の厚みの一部をエッチングにより
除去する。その結果、均質支持層310の厚さが、部分
324と325で薄くなる。次のステップでは、前記の
ように、ステンシル処理、はんだペーストの塗布、およ
び加熱を行う。その結果、はんだボールが位置330と
350にできる(図31を参照)。次に、アセンブリ3
40のアクチュエータ・コイル層342をアセンブリ3
00のアクチュエータ・コイル層328と対合させて加
熱し、これらのアクチュエータ・コイル層同士を接合
し、これらのアクチュエータ・コイル層同士が互いに電
気的に分離されるように、コイル層の間にはんだボール
の空間を設ける。
【0048】図31のアセンブリ300と340は、表
面積層体302上で、100〜200個をバッチ製作で
きる。アセンブリに蝶番348を取り付ける場合、この
蝶番によってアクチュエータ・コイル層328の上にア
クチュエータ・コイル層342を折り畳むと、プロセス
の最終ステップが完了する。スループットの向上が見込
めるバッチ製作を、図38と図39に示す。このバッチ
製作では、アセンブリ340を平面シート302A上で
複数個製作し、アセンブリ300を別の表面積層シート
302B上で複数個製作する。アセンブリ340と30
0を、互いに対合するように、これらのシート上で配置
する。組立ての最終ステップで、図38のシート302
Aを図39のシート302上に重ね、図40に示すよう
にすべてのアセンブリを同時に加熱して、アセンブリ3
40と300を一度に数百個接合させる。
面積層体302上で、100〜200個をバッチ製作で
きる。アセンブリに蝶番348を取り付ける場合、この
蝶番によってアクチュエータ・コイル層328の上にア
クチュエータ・コイル層342を折り畳むと、プロセス
の最終ステップが完了する。スループットの向上が見込
めるバッチ製作を、図38と図39に示す。このバッチ
製作では、アセンブリ340を平面シート302A上で
複数個製作し、アセンブリ300を別の表面積層シート
302B上で複数個製作する。アセンブリ340と30
0を、互いに対合するように、これらのシート上で配置
する。組立ての最終ステップで、図38のシート302
Aを図39のシート302上に重ね、図40に示すよう
にすべてのアセンブリを同時に加熱して、アセンブリ3
40と300を一度に数百個接合させる。
【0049】
【0050】
【図1】本発明の一体型アセンブリを使用したドライブ
の例を示す構成図である。
の例を示す構成図である。
【図2】アクチュエータに接続された先行技術による一
体型アセンブリの垂直断面図である。
体型アセンブリの垂直断面図である。
【図3】アクチュエータ・アームとアクチュエータ・コ
イルを備えた、本発明による一体型アセンブリの一実施
例の垂直断面図である。
イルを備えた、本発明による一体型アセンブリの一実施
例の垂直断面図である。
【図4】アセンブリのアクチュエータ・アーム部に集積
処理回路を支持するシリコン・ベースを含む点以外は図
3の実施例と同様の、本発明による一体型アセンブリの
別の実施例の垂直断面図である。
処理回路を支持するシリコン・ベースを含む点以外は図
3の実施例と同様の、本発明による一体型アセンブリの
別の実施例の垂直断面図である。
【図5】図4に示した実施例の等角投影図である。
【図6】一体型アセンブリに磁気ヘッドが小型チップと
して付加される点以外は図5の実施例と同様の、本発明
のさらに別の実施例の等角投影図である。
して付加される点以外は図5の実施例と同様の、本発明
のさらに別の実施例の等角投影図である。
【図7】サスペンション部を曲げるための圧電層を備え
た一体型アセンブリの概略等角投影図である。
た一体型アセンブリの概略等角投影図である。
【図8】図7の圧電層が組み込まれた一体型アセンブリ
の垂直断面図である。
の垂直断面図である。
【図9】サスペンション部を曲げるために弾性材の曲げ
板を取り付けた一体型アセンブリの垂直断面図である。
板を取り付けた一体型アセンブリの垂直断面図である。
【図10】図4で示した本発明の実施例における最初の
製造ステップを示す図である。
製造ステップを示す図である。
【図11】図4で示した本発明の実施例における図10
に続く製造ステップを示す図である。
に続く製造ステップを示す図である。
【図12】図4で示した本発明の実施例における図11
に続く製造ステップを示す図である。
に続く製造ステップを示す図である。
【図13】図4で示した本発明の実施例における図12
に続く製造ステップを示す図である。
に続く製造ステップを示す図である。
【図14】図4で示した本発明の実施例における図13
に続く製造ステップを示す図である。
に続く製造ステップを示す図である。
【図15】図4で示した本発明の実施例における図14
に続く製造ステップを示す図である。
に続く製造ステップを示す図である。
【図16】図4で示した本発明の実施例における図15
に続く製造ステップを示す図である。
に続く製造ステップを示す図である。
【図17】図4で示した本発明の実施例における図16
に続く製造ステップを示す図である。
に続く製造ステップを示す図である。
【図18】図4で示した本発明の実施例における図17
に続く製造ステップを示す図である。
に続く製造ステップを示す図である。
【図19】図4で示した本発明の実施例における図18
に続く製造ステップを示す図である。
に続く製造ステップを示す図である。
【図20】図4で示した本発明の実施例における図19
に続く製造ステップを示す図である。
に続く製造ステップを示す図である。
【図21】図4で示した本発明の実施例における図20
に続く製造ステップを示す図である。
に続く製造ステップを示す図である。
【図22】本発明のバッチ製造における最初のステップ
を示す図である。
を示す図である。
【図23】本発明のバッチ製造における図22に続くス
テップを示す図である。
テップを示す図である。
【図24】本発明のバッチ製造における図23に続くス
テップを示す図である。
テップを示す図である。
【図25】図3に示した本発明の実施例を製造するため
の、図10ないし図21のステップを修正した最初のス
テップを示す。
の、図10ないし図21のステップを修正した最初のス
テップを示す。
【図26】図3に示した本発明の実施例を製造するため
の、図10ないし図21のステップを修正した図25に
続くステップを示す。
の、図10ないし図21のステップを修正した図25に
続くステップを示す。
【図27】図3に示した本発明の実施例を製造するため
の、図10ないし図21のステップを修正した図26に
続くステップを示す。
の、図10ないし図21のステップを修正した図26に
続くステップを示す。
【図28】図3に示した本発明の実施例を製造するため
の、図10ないし図21のステップを修正した図27に
続くステップを示す。
の、図10ないし図21のステップを修正した図27に
続くステップを示す。
【図29】図3に示した本発明の実施例を製造するため
の、図10ないし図21のステップを修正した図28に
続くステップを示す。
の、図10ないし図21のステップを修正した図28に
続くステップを示す。
【図30】図31に示す本発明の別の実施例を製造する
ために使用される平面状積層体の垂直断面図である。
ために使用される平面状積層体の垂直断面図である。
【図31】積層パネルを使用した本発明の別の実施例の
概略上面図である。
概略上面図である。
【図32】回転する磁気ディスクの上面および下面を上
および下の磁気ヘッドで読み取ることができるようにば
ね板とスペーサを取り付けて接合した、図31の実施例
と類似した実施例の組合せの側面図である。
および下の磁気ヘッドで読み取ることができるようにば
ね板とスペーサを取り付けて接合した、図31の実施例
と類似した実施例の組合せの側面図である。
【図33】図32で示したばね板の上面図である。
【図34】図31の右部分の拡大上面図である。
【図35】駆動電子回路(図省略)まで延びる柔軟性ケ
ーブルを備える図31の実施例の概略等角投影図であ
る。
ーブルを備える図31の実施例の概略等角投影図であ
る。
【図36】図32の右部分の拡大図である。
【図37】図32の左部分の拡大図である。
【図38】図31に示した実施例のバッチ製作の例を示
す概略図である。
す概略図である。
【図39】図31に示した実施例のバッチ製作の例を示
す概略図である。
す概略図である。
【図40】最終製造ステップの一つで接合した、図38
と図39の2つのパネルの側面図である。
と図39の2つのパネルの側面図である。
【図41】図31の実施例をバッチ製造する際の一連の
ステップを示すブロック図である。
ステップを示すブロック図である。
28 モータ制御 32 磁気ヘッド 34 サスペンション・アーム 36 アクチュエータ・アーム 38 アクチュエータ・コイル 40 穴 42 アクチュエータ・スピンドル 44 アクチュエータ 46 磁石 50 駆動電子回路 54 駆動回路 56 検出回路 120 シリコン・ベース 200 シリコン基板 310 均質支持層 334 可撓絶縁層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェームズ・ダブリュー・バーバリック アメリカ合衆国95120 カリフォルニア 州サン・ノゼ ウッドスラッシュ・コー ト 970 (72)発明者 マイケル・アンソニー・モージス アメリカ合衆国95120 カリフォルニア 州サン・ノゼ グロスモント・コート 6005 (72)発明者 アーチバルド・キュリー・マンス・ジュ ニア アメリカ合衆国95120 カリフォルニア 州サン・ノゼ スターリング・ゲート・ ドライブ 1141 (72)発明者 オスカー・ジェイ・ルイス アメリカ合衆国95127 カリフォルニア 州サン・ノゼ ペリアス・レーン 785 (72)発明者 クリントン・デービッド・スナイダー アメリカ合衆国95030 カリフォルニア 州ロス・ガトス エル・ランチョ・アベ ニュー 17341 (56)参考文献 特開 平6−44715(JP,A) 特開 平6−338157(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 21/21 G11B 5/31 G11B 3/10
Claims (20)
- 【請求項1】磁気ヘッドを吊架するためのサスペンショ
ン部および磁気ヘッドを位置決め移動させるためのアク
チュエータ部から成る薄膜積層構造のサスペンション/
アクチュエータの一体型アセンブリであって、 複数のパターン化層を含む下部絶縁層およびその層上に
ほぼ全長に亘って付着され十分な支持強度を与える厚い
絶縁性支持層から成り、長さ方向に隣接して連続するサ
スペンション部およびアクチュエータ・アーム部を構成
する細長い薄膜積層体と、 前記アクチュエータ・アーム部における前記下部絶縁層
内に設けられ、少なくとも1層のパターン化導電層から
成るアクチュエータ・コイル層と、 前記サスペンション部における前記下部絶縁層内に設け
られ、複数のパターン化磁性層から成る磁気ヘッドおよ
び該磁気ヘッドと電磁結合関係で前記アクチュエータ・
コイル層とほぼ共通面に位置している少なくとも1層の
パターン化導電層から成る磁気ヘッド・コイル層と、 前記下部絶縁層内に設けられ、磁気ヘッド・コイル層端
から前記アクチュエータ・アーム部へ延びている他の少
なくとも1層のパターン化導電層から成る電気リード線
層と、 を備えることを特徴とする薄膜構造の一体型アセンブ
リ。 - 【請求項2】前記アクチュエータ・アーム部における前
記薄膜積層体は前記下部絶縁層の下側にシリコン領域を
一体に形成しており、 該シリコン領域が前記電気リード線層に電気的に接続さ
れている半導体集積回路を含む、 ことを特徴とする請求項1に記載の一体型アセンブリ。 - 【請求項3】前記サスペンション部によって支持され、
該サスペンション部を長さ方向に沿って湾曲させるため
の湾曲付与手段を備えることを特徴とする請求項1また
は2に記載の一体型アセンブリ。 - 【請求項4】前記湾曲付与手段が弾性材の予成型層を備
えることを特徴とする請求項3に記載の一体型アセンブ
リ。 - 【請求項5】前記湾曲付与手段が圧電薄膜層を備えるこ
とを特徴とする請求項3に記載の一体型アセンブリ。 - 【請求項6】前記下部絶縁層が、 前記磁気ヘッドの底部ヨークの下側に位置する第1絶縁
層と、 前記底部ヨークおよび前記第1絶縁層の上側に、かつ、
前記磁気ヘッド・コイル層およびアクチュエータ・コイ
ル層の下側に配置された第2絶縁層と、 を備えることを特徴とする請求項8に記載の一体型アセ
ンブリ。 - 【請求項7】前記底部ヨークの表面部分に隣接して炭素
材の耐摩耗薄層を備えることを特徴とする請求項6に記
載の一体型アセンブリ。 - 【請求項8】細長い磁気ヘッド・アセンブリの一端から
アセンブリの中間部分までの長さの領域を占めるサスペ
ンション部と、前記中間部分からアセンブリの他端まで
の長さの領域を占めるアクチュエータ・アーム部とを有
する細長い一体型磁気ヘッド・アセンブリを製造する方
法であって、 前記サスペンション部に対応する基板の表面領域上に磁
気ヘッド・コイル層を含む磁気ヘッド層を形成するステ
ップと、 前記磁気ヘッド・コイル層に接続した磁気ヘッド・リー
ド線層を前記基板の表面領域上に形成するステップと、 前記アクチュエータ・アーム部に対応する基板の表面領
域上にアクチュエータ・コイル層を形成するステップ
と、 少なくとも1層の均質支持層を前記磁気ヘッド・リード
線層、前記磁気ヘッド・コイル層、前記磁気ヘッド層、
前記アクチュエータ・コイル層などのすべての層の上に
前記ヘッド・アセンブリの前記一端から前記他端までの
長さ領域に亘って形成することによって、その下にある
すべての層に十分な強度の支持を与えるステップと、 少なくともサスペンション部における前記基板を除去す
るステップと、 を含む方法。 - 【請求項9】磁気ヘッド・コイル層を含む磁気ヘッド層
を前記サスペンション部内に埋設して形成することを特
徴とする請求項8に記載の方法。 - 【請求項10】細長い磁気ヘッド・アセンブリの一端か
らアセンブリの中間部分までの長さの領域を占め磁気ヘ
ッド・コイル層内蔵のサスペンション部と、前記中間部
分からアセンブリの他端までの長さの領域を占めアクチ
ュエータ・コイル層内蔵のアクチュエータ・アーム部と
を有する細長い一体型磁気ヘッド・アセンブリを製造す
る方法であって、 磁気ヘッド・コイルに接続されるべき磁気ヘッド・リー
ト線層を前記サスペンション部に対応する基板の表面領
域上に形成するステップと、 前記磁気ヘッド・コイル層の形成と、前記アクチュエー
タ・コイル層の形成とを同時に実行するステップと、 前記ヘッド・アセンブリの前記一端から前記他端までの
長さに亘って少なくとも1層の均質支持層を形成するこ
とによって、その下にあるすべての層に十分な強度の支
持を与えるステップと、 少なくともサスペンション部における前記基板を除去す
るステップと、 を含む方法。 - 【請求項11】細長い磁気ヘッド・アセンブリの一端か
らアセンブリの中間部分までの長さの領域を占めるサス
ペンション部と、前記中間部分からアセンブリの他端ま
での長さの領域を占めるアクチュエータ・アーム部とを
有する細長い一体型磁気ヘッド・アセンブリを製造する
方法であって、 前記サスペンション部およびアクチュエータ・アーム部
の全長に対応する長さを有し、表面にはく離層を有する
基板を準備するステップと、 磁気ヘッド・コイル層に接続されるべき磁気ヘッド・リ
ード線層を絶縁層を介して前記基板上の前記サスペンシ
ョン部に形成するステップと、 アクチュエータ・コイル層を絶縁層を介して前記基板上
の前記アクチュエータ・アーム部に形成するステップ
と、 前記ヘッド・アセンブリの前記一端から前記他端までの
長さに亘って少なくとも1層の均質支持層を形成するこ
とによって、その下にあるすべての層に十分な強度の支
持を与えるステップと、 すべての層の形成後に、前記はく離層を含む前記基板を
少なくとも前記サスペンション部から除去するステップ
と、 を含む方法。 - 【請求項12】前記アクチュエータ・コイル層および前
記サスペンション部の長さ区間の前記アクチュエータ・
アーム部にアクチュエータ・スピンドルを受けるための
穴を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請
求項8,10または11に記載の方法。 - 【請求項13】前記サスペンション部を長さ方向に沿っ
て湾曲させるための湾曲付与層を前記均質支持層上に装
着するステップとをさらに含むことを特徴とする請求項
8,10または11に記載の方法。 - 【請求項14】前記磁気ヘッド・リード線層、前記アク
チュエータ・コイル層、および前記均質支持層をシリコ
ン基板上に形成するステップと、 前記シリコン基板上に集積型処理回路を形成するステッ
プと、 前記磁気ヘッド・コイル層を前記集積型処理回路に接続
するステップと、 を含むことを特徴とする請求項8,10または11に記
載の方法。 - 【請求項15】細長い磁気ヘッド・アセンブリの一端か
らアセンブリの中間部分までの長さの領域を占めるサス
ペンション部と、前記中間部分からアセンブリの他端ま
での長さの領域を占めるアクチュエータ・アーム部とを
有する細長い一体型磁気ヘッド・アセンブリを製造する
方法であって、 前記サスペンション部およびアクチュエータ・アーム部
の全長に対応する長さを有する基板を準備するステップ
と、 前記基板の上面の磁気ヘッド形成予定領域の一部分にく
ぼみを形成するステップと、 前記くぼみの表面上および前記基板上面上にはく離層を
形成するステップと、 前記くぼみに対応する位置に開口を有する第1の絶縁層
を前記はく離層の上に前記基板の全長に亘って形成する
ステップと、 前記開口を通して露出した前記はく離層表面上および前
記磁気ヘッド形成予定領域上の前記第1絶縁層上に磁性
材料層を付着し、該磁性材料層が前記くぼみの底部に対
応する位置に磁気ギャップを有する底部磁性ヨークを形
成するステップと、 前記底部磁性ヨークの露出表面を含む前記第1絶縁層の
上に第2の絶縁層を前記基板の全長に亘って形成するス
テップと、 前記第2絶縁層上において、磁気ヘッド形成予定領域の
対応位置に少なくとも1層の磁気ヘッド・コイル層を、
かつ前記アクチュエータ・アーム部の所定位置に少なく
とも1層のアクチュエータ・コイル層を、同時に形成す
るステップと、 前記磁気ヘッド・コイル層上、アクチュエータ・コイル
層上および前記第2絶縁層上に第3絶縁層を形成するス
テップと、 磁気ヘッド形成予定領域の対応位置において、前記第3
絶縁層および前記第2絶縁層を貫通して前記底部磁性ヨ
ークの各端部に達する1対の貫通穴を開けるステップ
と、 前記1対の貫通穴を含む前記第3絶縁層の上に磁性材料
層を付着することにより、各貫通穴を通って前記底部磁
性ヨークに接続した上部磁性ヨークを形成するステップ
と、 前記上部磁性ヨークを含む前記第3絶縁層の上に均質支
持層を形成することによって、すべての層に十分な強度
の支持を与えるステップと、 を含む方法。 - 【請求項16】前記支持層の形成ステップの後に、ピン
ドルを受けるための穴を前記均質支持層とすべての絶縁
層を貫通して設けるステップをさらに含むことを特徴と
する請求項15に記載の方法。 - 【請求項17】前記支持層の形成ステップの後に、湾曲
可能材の層を前記均質支持層に取り付けて、前記均質支
持層の前記サスペンション部を曲げるステップをさらに
含むことを特徴とする請求項15に記載の方法。 - 【請求項18】前記第1絶縁層を形成するステップに先
立って、磁気ギャップの外周囲に対応する開口を有する
炭素材料層を前記くぼみの表面に形成するステップをさ
らに含むことを特徴とする請求項15に記載の方法。 - 【請求項19】前記はく離層を形成するステップが前記
はく離層を前記基板上にその全長に亘って形成するステ
ップを含み、 さらに、前記支持層の形成ステップの後に、前記はく離
層を除去することにより、前記基板上のすべての層を前
記基板からはく離するステップを含むことを特徴とする
請求項15に記載の方法。 - 【請求項20】前記はく離層を形成するステップが前記
はく離層を前記基板上に前記サスペンション部の長さに
亘って形成するステップを含み、 さらに、前記支持層の形成ステップの後に、前記基板の
前記サスペンション部を除去するステップと、 前記はく離層を除去するステップと、 を含むことを特徴とする請求項15に記載の方法。
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