KR0129107B1 - 극히 약한 힘으로 기록하는 자기 헤드 및 그것의 가공 방법 - Google Patents

극히 약한 힘으로 기록하는 자기 헤드 및 그것의 가공 방법

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KR0129107B1
KR0129107B1 KR1019930017597A KR930017597A KR0129107B1 KR 0129107 B1 KR0129107 B1 KR 0129107B1 KR 1019930017597 A KR1019930017597 A KR 1019930017597A KR 930017597 A KR930017597 A KR 930017597A KR 0129107 B1 KR0129107 B1 KR 0129107B1
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주니어 로버트 에드워드 폰타나
호프 레인 린다
라마 윌리엄즈 Ⅲ세 메이슨
엘리자베스 엑크-스트랜튼 셀리아
Original Assignee
윌리엄 티. 엘리스
인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
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Abstract

서스펜션 및 판독/기입 트랜스듀서가 조합형 조립체로 일체화되고 박막 피착기술을 사용하여 제조됨으로써 접촉 기록을 가능하게 하는 매우 경량의 디스크 드라이브 조립체가 개시되었다. 제1실시에에서, 원하는 서스펜션 길이와 동일한 두께를 가지는 웨이퍼 기판을 덮는 분리층 및 지지층 상에 트랜스듀서들이 행 및 열을 이루는 배열로 피착된다. 웨이퍼는 다수의 행 섹션으로 분할되는데, 각각의 행 섹션은 각각의 열로부터 하나씩의 박막 트랜스듀서를 취하여 이루어진다. 행 섹션상의 분리된 면 상에서 제2분리층이 형성되고, 박막 트랜스듀서로 연장되는 도전선 및 제2분리층이 형성되고, 박막 트랜스듀서로 연장되는 도전선을 포함하는 서스펜션층을 형성하기 위하여 적절한 재료의 박층이 피착된다. 제1 및 제2분리층이 용해되고 행섹션이 개개의 조합형 조립체를 형성하도록 절단된다. 제2실시예에서, 웨이퍼 기판은 서스펜션의 폭과 동일한 두께를 가진다. 하나의 행위에 피착된 트랜스듀서들은 선형 디스크 드라이브 액츄에이터에 유용한 조합형 조립체를 제작하기 위하여 적절한 서스펜션 길이만큼 상호 이격된다. 웨이퍼 기판의 과도한 부분은 선택적으로 절단 또는 에칭에 의하여 제거될 수 있어 분리 또는 지지층을 형성할 필요가 없어진다.

Description

극히 약한 힘으로 기록하는 자기 헤드 및 그것의 가공 방법
제1도는 조합형 조립체를 디스크 화일의 디스크 표면에 변환 위치로 위치 설정시키는 액츄에이터에 부착된 본 발명에 따른 조합형 조립체의 사시도.
제2도는 회전식 액츄에이터를 가지는 본 발명을 이용하는 자기 기록 기구의 평면도.
제3a도는 제1도에 도시된 바와 같은 디스크 화일과 함께 조합형 조립체로 사용되는 본 발명에 다른 조합형 트랜스듀서-서스펜션의 제1실시예의 사시도.
제3b도는 제3a도에 도시된 조합형 조립체를 제조하는 공정에서 사용되는 기판 상에 다수의 자기 트랜스듀서가 행과 열을 이루며 형성된 상태를 도시하는 사시도.
제4a도는 원형 웨이퍼 상에서 제3b도에 도시된 행 및 열을 이룬 형태의 트랜스듀서의 배치를 도시하는 웨이퍼 기판의 평면도.
제4b도는 제4a도의 4B-B선을 따라 절개한 기판의 단면도.
제5a도는 제2도에 도시된 디스크 화일 내에서 사용되는 본 발명에 따른 조합형 조립체의 제2실시예의 사시도.
제5b도는 제5a도에 도시된 조합형 조립체를 제작하는 공정에서 사용되는 기판 상에 다수의 자기의 트랜스듀서가 행과 열을 이루며 형성된 상태를 도시하는 사시도.
제6도는 제5b도에 도시된 웨이퍼로부터 취한 하나의 행의 사시도.
제7a도는 본 발명에 따른 서스펜션부를 형성하는 층들이 피착된 제6도의 행의 평면도.
제7b도는, 제7a도의 7B-B선을 절개한, 서스펜션부를 가진 트랜스듀서의 행의 단면도.
제8도는 제7a도 및 7b도의 서스펜션 및 트랜스듀서 소자로부터 기판이 제거된 상태의 조합형 조립체의 행을 도시하는 측면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 선형 액츄에이터 12, 34 : 디스크
16, 36 : 하우징 20, 33 : 액츄에이터 아암
21 : 아암 22 : 트랜스듀서-슬라이더-서스펜션 조립체
23: 슬라이더 24 : 트랜스듀서-슬라이더 조립체
25, 74, 118 : 트랜스듀서 26, 70, 114 : 서스펜션부
30 : 조합형 트랜스듀서-서스펜션 조립체
40 : 절연층 42 : 도전체 회로층
43, 52, 54, 84, 86 : 도전체 도선
44, 80 : 유전체층 46, 82 : 구조적 서스펜션층
48 : 전기 접속 패드 50 : 기판
78 : 도전체층 90 : 웨이퍼 기판
본 발명은 이동 자기 저장 장치 및 그 기록 소자에 관한 것으로서, 특히 일괄 제조(batch fabrication)에 적합한 조합형 트랜스듀서-서스펜션 구조 및 그 구조의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 관련된 종전 기술의 문헌으로서는 1980년 2월 26일자로 존스 쥬니어(Jones Jr.) 등에게 허여되고 본 발명의 양수인에게 양도된 것으로서, 본 발명에 유용한 박막 유도 트랜스듀서(thin film inductive transducer)에 관한 미합중국 특허 제4,190,872호와, 1976년 8월 17일자로 린(Lin)에게 허여되고 본 발명의 양수인에게 양도된 것으로서, 본 발명에 유용한 박막 자기저항 헤드(thin film magnetoresistive head)에 관한 미합중국 특허 제3,975,772호와, 1986년 11월 25일자로 힌켈(Hinkel)등에게 허여되고 본 발명의 양수인에게 양도된 것으로서, 본 발명의 유용한 자기 헤드 슬라이더 제조 공정에 관한 미합중국 특허 제4,624,048호와, 1981년 2월 17일자로 자콥스(Jacobs)에게 허여되고 본 발명의 양수인에게 양도된 것으로서, 본 발명에 유용한 웨이퍼 기판 재료에 관한 미합중국 특허 제4,251,841호와, 1974년 11월 19일자로 쿠즈너(Cuzner) 등에게 본 발명의 양수인에게 양도된 것으로서 본 발명을 이용하여 드라이브에 유용한 회전식 액츄에이터(rotary actuator)에 관한 미합중국 특허 제3,849,800호 등이 있다.
디스크 화일의 효율적 기록 체계의 개발은 지속적으로 가장 중요한 관심분야 중의 하나로 남아 있다. 데이타 저장 밀도가 높아지고 연장된 수명을 가진 장치의 필요성이 커지면서 이러한 요구는 더욱 강화되고 있다.
디스크 파일은 데이타 정보를 포함하는 동심의(concentric) 데이타 트랙을 가진 하나 이상의 회전형 데이타 저장 디스크, 다양한 트랙의 데이타를 기입하거나 그로부터 데이타를 판독해 내기 위한 트랜스듀서, 이 트랜스듀서를 기록 매체로부터 일반적으로 부동 방식(flying mode)으로 트랙에 근접하도록 고정시키기 위한 슬라이더, 이 슬라이더 및 상기 트랜스듀서를 트랙 상에 탄성적으로 고정시키기 위한 서스펜션, 및 트랜스듀서로 이동시키고 기입 및 판독 작동 중에 트랜스듀서를 트랙의 중심선 상에 유지시키기 위하여 트랜스듀서-서스펜션의 조합체에 연결된 위치 설정 액츄에이터를 사용하는 정보 저장 장치이다. 트랜스듀서는 회전하는 디스크에 의하여 발생되는 공기의 쿠션(cushion of air)에 의하여 트랜스듀서 및 서스펜션을 디스크의 트랙 상에 지지하는 공기 베어링 슬라이더에 부착되거나 디스크와 접촉한다. 서스펜션은 높은 스프링 강도와 슬라이더 및 액츄에이터 아암 간의 치수 안정성(dimensional stability)을 제공한다. 서스펜션은 가능한한 작은 하중(loading force)으로 슬라이더를 디스크의 데이타 표면에 인접하여 유지시키는데 필요하다. 액츄에이터는 판독 동 중에 판독하고자 하는 데이타에 따라 트랜스듀서를 정확한 상에 위치시키고, 기입 작동 중에 데이타가 기입될 정확한 트랙에 트랜스듀서를 위치시킨다. 액츄에이터는 조합형 서스펜션-트랜스듀서-슬라이더 조립체를 트랙의 이동 방향에 대하여 일반적으로 횡방향으로 이동시킴으로써 트랜스듀서를 정확한 트랙 상에 위치시키도록 제어된다.
종래의 디스크 드라이브에서, 트랜스듀서 및 슬라이더는 서스펜션과 별도로 형성된 후 조작자에 의하여 제어되는 정밀한 조작을 통하여 부착된다. 부품이 소형이고 각각의 부품은 다른 부품에 대하여 정확하게 배치되어야 한다. 트랜스듀서는 트랙에 대하여 정확하게 배치되어야 하는데 이는 서스펜션이 슬라이더 상에 정확하게 배치되어야 함을 의미하는 것이다. 서스펜션은 슬라이더가 회전하는 디스크의 이동방향에 대하여 유연성(flexibility)을 가지고 피칭(pitching) 및 롤링(rolling) 운동을 할 수 있도록 하는 동시에 요잉(yawing) 운동은 할 수 없도록 하여야 한다. 슬라이더에 대한 서스펜션의 배치에 있어서 어떠한 오차도 양 부품을 파괴시키는 결과를 초래한다. 도전체 도선은 서스펜션의 방향을 따라 배치되어 서스펜션 또는 액츄에이터 위에 배치된 증폭기에 접속한다. 도전체 도선은 슬라이더의 스프링 강도를 강화시키지 않으면서 양호한 전기 접속을 이루도록 하여야 한다. 일반적으로 도전체 도선은 예를 들어 납땜(soldering) 등의 방법으로 작동자에 의하여 트랜스듀서 출력 도선 및 증폭기에 결합된다. 이 경우에도 결합의 오차는 조합체 전체를 파괴할 수 있다.
칸트(Kant) 등에게 허여되고 본 발명의 출원인에게 양도된 미합중국 특허 제4,670,804호는, 트랜스듀서의 도전체가 피착되고 슬라이더 및 트랜스듀서 조합체를 지지하는 서스펜션용 유연성 재료 시트를 포함하는 슬라이더-서스펜션 조립체를 개시한다. 종래 기술의 스테인레스 강 서스펜션은 그 위에 도전체가 피착된 유연성 시트로 대체된다. 이 특허에서 폴리미드 유연성 시트가 슬라이더/트랜스듀서 조합체와 별도로 형성된 후 예를 들어 접착(gluing) 등의 방법으로 상호 부착된다. 이 발명은 서스펜션과 슬라이더 간의 더 이상의 연결 단계를 요하지 않는 조합형 서스펜션/슬라이더/서스펜션 조합체는 제시하지 않는다.
트랜스듀서로 연결되는 도전체가 폴리미드 서스펜션 상에 직접 피착된 상태로 서스펜션 아암이 폴리미드 재료로 형성될수 있음이 공지되어 있다. 에인슬리(Ainslie) 등에게 허여되고 본 발명의 출원인에게 양도된 미합중국 특허 제4,789,914호는 도전체를 포함하는 서스펜션을 직접 슬라이더에 연결시키기 위하여 접촉 납땜(contact soldering)이 사용될 수 있음을 개시한다. 트랜스듀서는 사전에 슬라이더상에 피착된다. 슬라이더는 도전체 패드 및 도전체 패드와 트랜스듀서 간의 슬라이더 상에 피착된 상호접속 도선을 포함한다. 이 경우에도 슬라이더 및 트랜스듀서는 서스펜션 아암과 별도로 제작된 후에 본 특허에 개시된 바와 같이 접촉 납땜을 통하여 상호접속된다. 여타의 공지된 종래 기술의 경우와 같이, 조합체의 슬라이더 및 트랜스듀서 부분이 상호접속 도전체를 포함하는 서스펜션 조립체와 별도로 제작된다. 이 발명에서도 도전체를 가진 조합형 트랜스듀서/슬라이더/서스펜션 및 그 조합체의 제조 방법은 제시되지 않는다.
접촉 판독 기법(contact reading techniques)은 최근 수년 간에 큰 발전 가능성을 보여왔다. 판독/기입작업이 요구되는 때에만 활성 재료(active material)로 제작된 서스펜션을 가진 슬라이더 장치는 트랜스듀서를 하방으로 사이클링 시킴으로써 접촉 기입(contact recording)을 달성한다. 나머지 시간 동안 슬라이더는 디스크 접촉면 위의 소정 높이에 떠 있게 된다. 접촉 기입의 다른 방법은 유연성 헤드가 디스크 표면을 스치는 방식을 사용한다. 이 방법에서 사용되는 헤드는 기판 상에 재료의 박막을 형성한 후 그 박막을 벗겨내어 제작된다. 예를 들어 해밀턴(Hamilton)에게 허여되고 센스터사(Censtor Corp.)에 양도된 미합중국 특허 제5,041,932호는 정보의 접촉 기입 및 판독에 사용되는 경량의 일체형 트랜스듀서/굴절부(flexure)/도전체 구조를 개시한다. 그러나 유연성헤드를 사용하는 방식은 적절하고 정밀한 제어를 위한 정교한 장착 기구(mounting mechanism)를 필요로 한다.
수직 트랜스듀서 헤드는 여러가지 장점을 가지는 것이 알려져 있는데, 그 중 가장 잘 알려진 장점이 웨이퍼의 길이 방향을 따라 헤드 권선(head winding)이 이루어지는 점이다. 이 구조는 화일의 수명기간에 걸친 기계적 마모에 의하여 야기되는 자극단(pole tip)의 길이의 큰 변화를 수용하여 장치 전체의 수명을 연장시킨다.
불행하게도, 이러한 모든 방식들은 그 용도 및 응용 범위를 제한하는 여러가지 단점들을 가진다. 전형적인 제품의 수명기간 동안에 헤드가 약 400마이크로 인치마모되는 것으로 추산된다. 이 정도로 큰 마모 정도는 많은 경우 이러한 방식들의 응용 가능성을 제한한다. 종래의 헤드의 자극단의 길이는 통상 1미트론에 불과하고 이러한 응용시에 빨리 마모된다.
또한, 박막 제조는 헤드가 서스펜션 상에 일체화되는 것을 허용하지만, 이러한 배열은 넓은 웨이퍼 면적을 필요로 하고 웨이퍼 1매당의 헤드의 수율(yield)을 종래의 헤드 생산 공정보다 낮은 허용 가능한 수준이하로 감소시킨다.
따라서 본 발명의 목적은 종래 기술의 단점을 극복하는 디스크 시스템, 특히 트랜스듀서 및 서스펜션 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 개량된 서스펜션 및 트랜스듀서 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 감소된 헤드 마모 특성을 가지는 경량의 서스펜션-트랜스듀서를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 접촉 기록에 유용한 서스펜션-트랜스듀서 조립체를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 제어 가능하게 작동될 수 있는 박막 서스펜션-트랜스듀서를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 본 발명의 박막 서스펜션-트랜스듀서를 사용하는 기록 드라이브를 제공하는 것이다.
본 발명은 서스펜션 시스템과 트랜스듀서가 일체화되고 박막 피착(thin film deposition) 기술을 사용하여 제작되는 디스크 드라이브 조립체를 제공한다. 박막 기술은 매우 경량의 조립체를 생산할 수 있게 하고, 그리하여 부동 기록(flying recording) 또는 접촉 기록 방식 간의 선택을 가능하게 한다. 일체형 트랜스듀서 및 서스펜션 시스템은 기판 상에 행(row) 및 열(column)을 이루도록 배열된 다수의 트랜스듀서를 일괄 공정 처리 함으로써 제조된다. 트랜스듀서의 행 섹션(row section)은 각각의 트랜스듀서 상에 조합형 슬라이더-서스펜션을 형성시켜 더욱 일괄 처리된다. 서스펜션부는 각각의 트랜스듀서의 도전체와 함께 기판의 행 섹션의 각각의 트랜스듀서 상에 형성된다. 서스펜션부의 지지 구조는 에칭 또는 절단에 의하거나, 서스펜션부가 형성되기 이전에 피착된 분리층(release layer)을 제거함으로써 제거된다. 서스펜션부는 슬라이더나 그 트랜스듀서에 연결된 상태로 있는 동안에 유연성을 가진다. 행 섹션을 낱개의 유니트로 절단하거나 다이싱(dicing)하여 단일 트랜스듀서-서스펜션 시스템이 제조될 수 있다.
제1실시예의 제조시에, 원하는 서스펜션 길이와 동일한 두께를 가지는 웨이퍼 기판은 그 위에 형성된 제1분리층을 가진다. 그 후에, 지지층(support layer)이 제1분리층 상에 형성되고 다수의 박막 트랜스듀서들이 행과 열의 패턴으로 지지층상에 형성된다. 웨이퍼는 다수의 행 섹션으로 분할되는데 각각의 행 섹션에는 형성된 박막 트랜스듀서의 행 섹션을 형성하는 각각의 열로부터 하나씩 트랜스듀서가 포함된다. 박막 트랜스듀서를 가진 웨이퍼 기판으로부터 분리된 행 섹션 상의 분리된 면 상에 제2분리층이 형성된다. 그후에, 제2분리층 상에 탄성 재료의 박막층을 피착시켜 서스펜션층이 형성된다. 박막 트랜스듀서 코일의 양 단부로부터 서스펜션층의 대향 단부, 자유 단부로 연장되는 도전선이 향상된다. 최종적으로, 제1 및 제2분리층이 용해되어 사용가능한 서스펜션/트랜스듀서 조립체가 얻어진다. 그결과 얻어진 장치를 사용하여 종래의 트랜스듀서를 매우 경량의 일체화된 슬라이더-서스펜션 조립체에 사용하는 것이 가능해진다. 이 장치는 잘 정립된 슬라이더 기술 및 고밀도 박막 헤드 제조 기술을 사용하여 제조될 수 있다. 제2실시예에서, 기판의 두께가 서스펜션부의 원하는 폭과 동일하게 만들어진다. 이 경우에도 역시 박막 트랜스듀서가 분리층을 가진 기판 상에 행과 열의 배열로 피착된다. 그러나, 하나의 행 섹션에서 트랜스듀서들은 슬라이더의 길이가 될 거리만큼씩 이격된다. 행 섹션은 웨이퍼 기판으로부터 분리되고 서스펜션층이 행 섹션의 적절한 면상에 피착된다. 행 섹션을 절단, 에칭, 다이싱 또는 절삭하여 개개의 트랜스듀서-서스펜션이 분할된 후 분리층을 용해시켜 이들의 기판으로부터 분리된다. 분리층을 피착시키는 대신에, 트랜스듀서 및 서스펜션층이 기판 상에 직접 피착될 수 있다. 기판은 에칭 또는 소오잉(sawing)에 의하여 원하는 대로 제거될 수 있다. 이러한 방식으로, 기판의 일부가 트랜스듀서의 슬라이더 지지부로 사용되도록 남겨질 수 있다.
본 발명의 이상에서 설명되거나 기타의 특정 및 장점은 첨부한 도면에 도시된 실시예의 더욱 상세한 설명으로부터 자명해질 것이다.
본 발명에 따른 서스펜션 시스템, 슬라이더, 및 트랜스듀서는 매우 경량의 조립체를 생산하는 박막 피착기법을 사용하여 일체화되고 제조된다. 본 발명의 실시예는 일반적으로 대형인 다수의 기록 매체 드라이브에 사용되나 일반적으로 개인 컴퓨터에 사용되는 단일 기록 매체 드라이브에도 사용되어야 한다. 기록 매체는 테이프 또는 디스크일 수 있다.
제1실시예에서 서스펜션의 길이를 최초 웨이퍼 기판의 두께의 결정 인자로 사용하여 표준형 트랜스듀서가 달성된다. 또한, 이 구조에 선택적으로 아암이 결합되고 그 아암이 활성되도록 변형될 수 있다. 판독/기입을 위하여 접촉이 필요한 경우에만 디스크로부터 동적 로딩 언로딩(dynaminc loading and unloading)을 가능하게 한다.
본 실시예에서, 웨이퍼기판 상에 널리 공지된 구조를 가진 종래의 트랜스듀서가 형성된다. 웨이퍼 기판상에 트랜스듀서를 제조하기 위한 공정의 예가 이미 언급된 미합중국 특허 제4,624,048호에 설명되어 있다. 트랜스듀서 및 그 연관 장치는 널리 공지되어 있다. 트랜스듀서는, 알루미나 또는, 에치 스톱(etch stop)으로 사용될 수 있고 잠재적으로 슬라이더부로 사용될 수 있는 기타 적합한 재료의 상대적으로 두꺼운 층 상에 피착된다. 웨이퍼로부터 행 섹션이 절단되어, 예를 들어 유도 트랜스듀서의 드로트 높이(throat height)등의 원하는 치수가 얻어지도록 래핑(lapping)된다. 또는, 광식각(photolithography) 기법을 이용하여 원하는 치수로 가공할 수도 있다. 행 섹션의 상부는 그 표면이 평탄해지도록 래핑된다.
행 섹션의 상부에는 에치 스톱 재료층이 피착된다. 이 단계는 결국 서스펜션으로 사용되는 두꺼운 재료의 만곡부(bend)를 형성한다. 도전 재료층이 서스펜션의 일부로서 피착되고 트랜스듀서 소자로부터 트랜스듀서 소자를 제어하는 전자 장치로 연결되는 전극을 제공하도록 성형된다.
다른 실시예는 도전체 도전이전에 제1접지 평면층을 피착시키는 것을 허용한다. 상부 접지 평면층은 보다 큰 표유 전자계 고립(stray field isolation)을 제공하고 열 부정합에 의한 대칭 응력을 감소시키는데, 이 모두는 소정의 응용시에 요구된다.
슬라이더-서스펜션의 벌크(bulk)로부터 기판을 제거하여, 서스펜션 재료 및 트랜스듀서 소자 및 그와 연관된 도선만을 남기기 위하여 에칭 공정이 사용될 수 있다. 이 방법은 극도로 경량의 서스펜션-트랜스듀서 조립체를 제조하는 것을 가능하게 한다. 기판은 분리층을 이용하여 제거될 수 있다. 피착된 막이, 상술한 바와 같이, 최종 단계에서 용이하게 분리될 수 있도록 하기 위하여 최초의 기판에 분리층이 코팅된다. 또 다른 방법은 행 섹션으로부터 원하는 구조만을 남기고 적절한 두께만큼 재료를 연마하거나 에칭하는 방법이다. 트랜스듀서와의 접속을 이루기 위하여 다양한 기술을 사용하여 도선을 모서리 부근에서 만곡시킬(bend) 수 있다. 그중 하나의 방법은 연마 단계에서, 전극 연부가 노출되도록 전극을 종단시켜 전극과 접속하기 위해 상부로부터의 후속 피착을 허용케하는 방법이다. 만약 트랜스듀서 헤드 표면의 상부 연부가 둥글면, 이 작업은 용이해진다. 만약 트랜스듀서 헤드 표면의 상부 연부가 둥글면, 이 작업은 용이해진다. 서스펜션부는 다양한 기술에 의하여 선택적으로 강화(stiffened)된다. 서스펜션의 강화는 특정 응용에 있어서 또는 시스템의 역학적 요구를 수용하기 위하여 요구될 수 있다.
이 강화처리는 서스펜션 자체의 두께 프로파일을 변화시켜 달성될 수 있다. 두께의 변이는 전체 질량에 거의 영향을 주지 않으면서 고도로 제어된 강화 특성을 제공한다. 파형 가공(corrugation)을 하여 서스펜션을 비등방적으로 강화시킬 수 있다.
유사한 형상의 부품들과 자동적으로 정합되는 영역을 정하기 위하여 기판 내의 리세스(recess)들이 또한 사용된다. 이 방법은 소형의 칩(chiplet)을 사용하여 단일 웨이퍼 상에서 제조되는 트랜스듀서 소자의 수를 증가시킨다. 이러한 칩들은 보다 큰 서스펜션 상에 부착되고, 칩이 서스펜션에 자동적으로 정렬되도록 하기 위하여 칩 형태의 리세스가 마련된다.
서스펜션 조립체의 낮은 강도는 조립체를 액츄에이터 아암에 용이하게 부착되도록 한다. 고착(stiction)에 따른 문제를 피하기 위하여, 아암 또는 서스펜션부를 활성 재료로 제작함으로써 슬라이더 및 트랜스듀서가 디스크와의 접촉으로부터 정상적으로 언로드(unload)될 수 있다. 슬라이더 및 그 트랜스듀서는 활성재료를 활성화시킴에 의하여 원하는 하중으로 디스크에 접촉하도록 놓여진다.
제1도를 참조하면, 선형 액츄에이터(10) 및 데이타 기록 디스크 화일의 디스크(12) 부분을 포함하는 본 발명을 구현하는 디스크 화일 시스템이 도시되었다. 선형 액츄에이터(10)은 보이스 코일 모터(14)을 포함한다. 보이스 코일 모터(14)는 코어 및 및 하우징(16)에 의하여 지지되는 외부 구조를 가지는 고정된 영구 자석 조립체(도시되지 않음)의 자기장 내에서 움직일 수 있는 가동 코일을 포함한다. 가동 코일(14)에는 액츄에이터 아암(20)이 부착된다. 액츄에이터 아암(20)의 다른 단부에는 본 명세서에 기재된 공정에 의하여 제작된 조합형 트랜스듀서-슬라이더-서스펜션 조립체(22)를 각각 지지하는 다수의 아암(21)이 부착된다. 조립체(22)는 트랜스듀서-슬라이더(24) 및 서스펜션부(26)을 포함한다. 서스펜션부(26)은 트랜스듀서-슬라이더(24)를 베어링 또는 디스크(12)의 회전에 의하여 발생되는 공기의 쿠션에 의하여 디스크(12) 표면 위에 지지할 수 있다. 원하는 경우, 서스펜션부(26)은 디스크 기록 매체에 접촉하도록 트랜스듀서-슬라이더(24)를 지지할 수 있다. 공기 베어링 또는 공기 베어링 표면은 디슬 표면에 평행하고 인접한 슬라이더의 표면을 말한다. 이는 작동 중에 슬라이더 디스크 위에 더 있도록 설계된 형태와, 기록매체, 즉 디스크(12)의 표면에 접촉하도록 설계된 두가지 형태를 포함한다.
액츄에이터 아암(20)은 다수의 아암(21)을 포함하는데, 각각의 아암(21)은 디스크(12)의 각각의 표면에 관련된 각각의 조합형 조립체(22)를 지지한다. 따라서, 디스크(12)는 또한 디스크(12)의 하부면 상의 액츄에이터 아암(20)의 아암(21)에 장착된 조합형 조립체(22)를 가진다. 또한 기타의 조합형 조립체가 기타 디스크의 상부 및 하부면에 연관되고, 그 트랜스듀서의 억세스 액츄에이터(10)에 의하여 제어된다.
조합형 트랜스듀서-슬라이더-서스펜션 조립체(22)의 서스펜션부(26)은 일반적으로 디스크(12)의 표면에 수직인 트랜스듀서-슬라이더 조립체(24)에 대하여 하중을 제공한다. 이 수직 하중은 디스크(12)가 회전하지 않는 때에 트랜스듀서-슬라이더 조립체(24)를 디스크(12)의 데이타 표면에 접촉하도록 유지한다. 디스크(12)가 회전하는 동안 트랜지듀서-슬라이더(24) 및 디스크(12)사이에 발생하는 공기 베어링은 서스펜션부(26)에 의하여 트랜스듀서-슬라이더 조립체(24)에 인가되는 수직 하중에 대향한다.
작동 중에, 트랜스듀서-슬라이더 조립체(24)는 보이스 코일 모터(14)가 가동되어 디스크(12)의 데이타 표면 상의 동심 데이타 트랙 중 원하는 트랙으로 이동된다. 판독 또는 기입 작동을 위하여 트랜스듀서-슬라이더 조립체(24)가 하나의 트랙으로부터 다른 트랙으로 신속하게 이동할 필요가 있다. 즉, 조립체(24)의 트랜스듀서가 원하는 트랙 상에 적절히 위치하고, 그 트랙에 최소의 시간 내에 도달하는 것이 필요하다. 제1도에 도시된 액츄에이터(10)은 조합형 조립체(22)를 트랙에 대하여 정확히 횡방향으로 이동시키는 선형 액츄에이터이다. 종래의 디스크 화일의 다른 형태는 이미 언급한 미합중국 특허 제3,849,800호 및 제2도에 도시된 바와같은 회전식 액츄에이터를 사용한다. 회전식 액츄에이터는 본 발명에 다른 조합형 조립체를 단지 원주 방향인 원호 형태의 경로를 따라 이동시키며, 이는 선형 액츄에이터(10)를 대신하여 사용될 수 있다.
조합형 조립체(22)는 디스크의 지름 방향으로의 강도를 가지고, 디스크(12)의 데이타 표면 상에서 공기 베어링에 실릴때 피치 및 롤 방향으로 상당한 유연성을 가져야 한다. 바람직하게는, 직접회로 조립체(28)이 또한 조합형 조립체(22)의 서스펜션부(26)상에 제작될 수 있다. 직접회로 증폭기는, 도시적으로 참조번호 28로 도시되었는데, 본 발명의 다른 실시예에 대한 설명에서 함께 설명될 것이다.
제2도는 하우징(36) 내에 장착된 회전식 액츄에이터(32) 및 구동 수단(35)에 의하여 회전되는 디스크(34)를 포함하는 데이타 기록 디스크 화일을 도시한다. 회전식 액츄에이터(32)는 본 발명에 따른 조합형 조립체를 디스크(34) 상에서 원호 형태의 경로(arcuate path)를 따라 이동시킨다. 회전식 액츄에이터(32)는 보이스(voice) 코일 모터를 포함하는데, 보이스 코일 모터는 코어(38)를 가지는 고정된 영구 자석 조립체의 자기장 내에서 움직일 수 있는 코어(37)이다. 가동 코일(37)에는 액츄에이터 아암(33)이 부착된다. 액츄에이터 아암(33)의 다른 단부는 본 명세서에 기재된 절차에 따라 제조된 본 발명에 따른 조합형 트랜스듀서-서스펜션 조립체(30)에 부착된다.
제3a도는 제1도에 도시된 디스크 화일에 사용되는 조합형 조립체(22)의 확대도이다. 서스펜션부(26)은 후술하는 바와 같이 웨이퍼의 모든 부분 위에 피착된다. 웨이퍼의 일부는 트랜스듀서-슬라이더(24)의 슬라이더(23)이 된다. 제3a도에는 슬라이더(23)상에 하나의 트랜스듀서(25)가 형성된 것으로 도시되었으나, 하나 이상의 트랜스듀서가 형성되어 디스크(12)의 트랙에 대하여 작동하도록 사용될 수 있다. 사용가능한 조합형 조립체(22)를 제작하기 위하여 단지 하나의 트랜지듀서(25)가 작동할 필요가 있으나, 수율을 증대시키기 위하여 2개 또는 2개 이상의 트랜스듀서(25)가 피착된다.
서스펜션부(26)은 절연층(40), 도전 회로층(42), 유전체층(44). 및 구조적 서스펜션층(46)을 포함한다. 구조적 서스펜션층은 예를 들어 알루미나로 제작된 유전체층이나 예를 들어 역시 알루미나로 제작된 분리된 유전체층(separate dielectric layer)일 수 있다. 구조적 서스펜션은 또한 도금된 니켈-철 합금, 스퍼터된(sputtered) 베릴륨 구리층, 또는 서퍼터된 스테인레스강층으로 제작될 수 있다. 도전체 도선(43)이 트랜스듀서(25)를 도전체 회로층(42)에 상호접속시킨다. 외부 증폭기와 접속하기 위하여 전기 접속 패드(48)이 도전체 회로층(42)의 종단부에 제공된다. 외부 증폭기는 서스펜션부(26)에서 사용되는 다른 층들과 함께 피착될 수 있는 집적회로 증폭기(28; 제1도)와 같은 집적회로 증폭기일 수 있다. 절연층(40)은 도전체층(42) 및 도전성을 가질 수 있는 슬라이더(23)의 기판 사이를 전기적으로 절연시킨다. 유전체층(44)는 도전 회로층(42)를 금속제 구조적 서스펜션층(46)으로부터 절연시킨다. 또한 필요한 경우 하나 또는 하나 이상이 접지 평면층이 제공될 수 있다. 유전체층(44)는 단독으로 또는 임의의 구조적 서스펜션층(46)과 함께 조합형 조립체(22)를 디스크(12)의 트랙 위의 위치에 고정시키는 서스펜션 지지부를 제공한다. 앞에서 설명한 바와 같이, 서스펜션부(26)은 트랜스듀서-슬라이더부(24)를 디스크(12)상의 위치에 고정시켜야 한다. 서스펜션부는 트랜스듀서-슬라이더부가 디스크(12)의 표면을 따라 움직일 수 있도록 하기 위하여 피칭 및 롤링 운동을 허용하는 반면, 트랜스듀서(25)를 트랙에 대한 횡위치로부터 벗어나게 할 수 있는 요잉 운동은 허용하지 않는다.
제3b도는 제1도와 같은 디스크 화일 형태에서 사용되는 제1실시예에 따른 조합형 조립체(22)를 형성하는 방법의 제1단계를 도시한다. 박막 트랜스듀서(25)의 일괄 제조는 비자성(non-magnetic) 웨이퍼 기판(50)을 사용하여 이루어진다. 기판(50)은 T의 두께를 가지는데, 이 두께에 피착된 박막 트랜스듀서(25)의 두께를 더하면 서스펜션 조립체(26)의 폭 및 슬라이더(23)의 길이와 동일해진다. 트랜스듀서(25)는 이미 언급한 미합중국 특허 제4,190,872호에 개시된 박막 유도 트랜스듀서, 또는 이미 언급한 미합중국 특허 제3,975,772호에 개시된 자기저항성 트랜스듀서일 수 있다. 트랜스듀서(25)는 자기 기록 매체에 기입을 하거나 그로부터 판독을 하도록 트랜스듀서를 활성화시키기 위한 도전체 도선(42,54)를 포함한다. 트랜스듀서(25)는 제4a도에 도시된 바와 같이 행 및 열을 이루는 배열로 기판(50)상에 피착된다. 본 발명에 따른 공정에 관한 설명을 계속하기 앞서, 행과 열의 형태는 제4a도를 참조하여 상세하게 설명하기도 한다.
제4a도에는 예를 들어 다수의 행(102) 및 다수의 열(104)를 이루도록 피착된 다수의 트랜스듀서(25)를 가지는 원형 웨이퍼 기판(100)이 도시되었다. 웨이퍼(100)은 블록(106,108)과 같은 다수의 블록들과 함께 도시되었는데, 각각의 블록은 하나의 트랜스듀서를 나타낸다. 단일 웨이퍼 기판(100)상에는 임의의 수의 행(102) 및 열(104)가 제조될 수 있다. 그 수요는 웨이퍼의 크기 및 개개의 조합형 조립체의 크기에 의하여 결정된다. 제4b도에 도시된 바와 같이 기판(100)은 기판(100) 및 층(100) 사이에 형성된 분리층(109)를 포함한다. 이 경우에 층(110)은 트랜스듀서(25)를 형성하는 층을 나타낸다.
다시 제3b도를 참조하면, 기판(50) 상에는 각각의 트랜스듀서(25)는 하나의 블록을 형성한다. 트랜스듀서(25)를 형성하는 층이 피착된 후, 기판은 소잉 또는 다이싱에 의하여 행들로 분할되는데, 제3b도에는 하나의 행(56)이 소어컷(saw cut; 58)을 통하여 기판(50)으로부터 분리된 상태가 도시되어 있다. 이후의 공정에서, 행(56)은 절단부(60)에 의하여 단일 트랜스듀서(25)를 포함하는 단일 블록(62)가 만들어지도록 분할된다. 후속되는 절단부(64)는 행(56)을 그 개개의 블록(66,68)로 완전히 분할하는데, 제3b도에는 하나의 행당 3개의 블록이 도시되어 있다. 절단부(64)로서 소어컷(58)이 도시되었다. 개개의 블럭은 또한 예를 들어 에칭, 절삭 또는 다이싱 등에 의하여 분할될 수 있다. 본 발명에 따른 공정에서, 기판(100)에 트랜스듀서(25)의 층들이 형성되기 이전에, 분리층(109)가 피착된다. 분리층(109)를 피착시키는 목적은 이하에서 제7b도를 참조하여 설명될 것이다.
제5a도는 제2도의 디스크 화일의 회전식 액츄에이터(32)에 사용되는 조합형 조립체(30)의 확대도이다. 이후에 제5b도에 관련하여 설명되는 바와 같이, 서스펜션부(70)이 하나의 행의 모든 부분에 피착된다. 웨이퍼의 일부는 조합형 조립체(30)의 슬라이더(72)가 될 수 있다. 슬라이더 상에 하나의 트랜스듀서(74)가 형성된 것으로 도시되었지만, 하나 이상의 트랜스듀서가 형성되어 디스크(34)의 트랙에 대하여 작동하도록 사용될 수 있다.
서스펜션부(70)은 절연층(76), 도전체층(78), 유전체층(80) 및 스퍼터된 베릴륨 구리층 또는 스퍼터된 스테인레이강 층인 구조적 서스펜션층(82)를 포함할 수 있다. 도전체 도선(84,86)은 트랜스듀서(74)를 도전체 회로층(78)에 상호 접속시킨다. 증폭기에 상호접속시키기 위하여 전기 접속 패드(88)이 도전체층(78)의 종단부에 제공된다. 증폭기는 제7b의 서스펜션부(26)에서 사용되는 층들과 함께 피착되는 집적회로 증폭기일 수 있다. 절연층(76)은 도전체 층(78) 및 슬라이더(72)의 도전성을 가질 수 있는 기판 간을 전기적으로 절연시킨다. 유전체 층(80)은 필요한 경우에 도전층(78)을 절연시킬 수 있다. 또한 필요한 경우 하나 또는 하나 이상의 접지 평면층이 제공될 수 있다. 조합형 조립체(30)을 디스크(34)의 트랙상에 위치에 고정시키는 서스펜션부 지지부를 제공하기 위하여 임의의 구조적 서스펜션층(82)와 함께 유전체층(80)이 조립체에 기본적으로 포함된다.
제5b도는 제2도와 같은 형태의 디스크 화일 내에서 사용되는 제1실시예에 따른 조합형 조립체(30)을 형성하는 방법의 제1단계를 도시한다. 비자성 웨이퍼 기판(90)을 사용하여 박막 트랜스듀서(74)의 일괄 제조가 이루어진다. 기판(90)은 T의 두께를 가지는데, 기판의 두께에 기판에 피착된 박막 트랜스듀서(74)의 두께를 더하면, 서스펜션부(70)의 길이와 동일해진다. 각각의 트랜스듀서(74)는 앞서 언급한 미합중국 특허 제4,190,872호에 개시된 바와 같은 박막 유도 트랜스듀서이거나 앞서 언급한 미합중국 특허 제3,975,772호에 개시된 바와 같은 자기저항성 트랜스듀서일 수 있다. 각각의 트랜스듀서(74)는 자기 기록 매체에 기입하거나 그로부터 판독하기 위하여 트랜스듀서를 활성화시키기 위한 도전체 도선(84,86)을 포함한다. 트랜스듀서(74)는 제4a도에 도시된 바와 같이 행과 열을 이루는 배열로 기판 상에 피착된다. 행과 열의 형태는 제4a도에 관련하여 이미 설명되었으므로 더 이상의 설명은 생략한다.
본 발명에 따른 조합형 조립체(30)의 형성은 계속하여 제5b도에 관한 설명에 따라 이루어진다. 트랜스듀서(74)가 피착된 후에, 기판(90)이 다수의 행 섹션들로 절단되는데, 제5b도에는 절단부(94)들에 의하여 웨이터 기판(90)으로부터 분리된 하나의 행 섹션(92)가 도시되었다. 각각의 행은 다수의 트랜스듀서(74)를 포함한다. 제6도는 행 섹션(92)의 사시도이다.
제6도를 참조하면, 트랜스듀서(74) 및 그들의 도선 도전체(84,86)의 제조 공정에서 트랜스듀서(74)의 층을 웨이터 기판으로부터 분리시키는 분리층(94)가 우선 피착된다. 제6도의 행(92)는 제5a도에 도시된 바와 같이 가공된다. 행(92)의 기판부의 상부에는 서스펜션부(70)의 층들이 피착된다. 행(92) 및 트랜스듀서(74) 상에 서스펜션부(70)을 형성하는 하나의 실시예가 이하에서 제7a도 및 제7b도를 참조하면 보다 상세히 설명될 것이다.
제7a도 및 제7b도를 참조하면, 본 실시예에서 서스펜션부(70)이 분리층(96)에 의하여 행 섹션(92)의 기판부(93)으로부터 분리된다. 분리층(96)은 분리층(94)와 동일하거나 유사한 재료로 형성된다. 분리층은 양호하게는 도금된 니켈-첼로 제작된다. 기타 사용가능한 분리층 재료로는 동 또는 크롬이 포함된다.
분리층(96) 위에는 서스펜션부(70)의 층들이 형성된다. 제5도에 그 층들이 도시되어 있다. 스터드(stud; 97,98)은 도전체 도선(84, 86)을 도전체층의 도전체들에 연결시킨다. 필요한 경우, 제7b도에 도시된 바와 같이 접지 평면들이 포함될 수 있다. 제7b도에서, 분리층(96) 상에 절연층(76)이 피착된다. 절연층(76)상에 제1접지 평면층(99)가 피착될 수 있다. 그 접지 평면층(99)위에 다른 절연층(76a)가 피착된다. 그후에 도전체층(78)이 피착되는데, 도전체 층(78)은 각각의 트랜스듀서당 제7a도의 도전체(78A 및 78B)와 같은 2개 이상의 도전체를 포함한다. 서스펜션 지지층(81)은 조합형 조립체에 판 스프링과 유사한 지지부를 제공하고 제5a도의 층(80,82)들을 포함할 수 있다. 도전체층(78)상에 피착된 추가의 절연층 상에 추가의 접지 평면(도시되지 않음)이 피착될 수 있다. 상부 저빚 평면은 소정의 응용시에 요구되는 높은 정도의 고립 및 열적 부정합으로 인한 대칭 응력을 제공할 수 있다. 스터드(89)는 도전층(78)의 도전체를 제5a도의 접속 패드(88)에 접속시키데, 제7a도에는 단지 2개의 접속 패드만이 도시되었다.
서스펜션부(70) 및 트랜스듀서부(72)는 개입된 분리층 없이 상호 중첩되어 결합되어 있다. 이 단계에서 두터운 재료가 만곡된다. 분리층(94,96)을 사용하면 행섹션(92)의 기판(93)을 서스펜션부(70) 및 트랜스듀서(72)의 임의의 지지층 및 그와 연관된 도선만을 남긴채 조합형 조립체로부터 제거할 수 있다. 그리하여 트랜스듀서를 갖춘 초 경량의 서스펜션 시스템이 제작될 수 있다.
예를 들어 니켈-철로 이루어진 분리층은 예를 들어 암모니아 과황산염을 사용하여 용이하게 제거될 수 있고, 이 과정에서 트랜스듀서를 제공하는 공정중에 일반적으로 사용되는 알루미나는 손상되지 않는다.
서스펜션 시스템은 예를 들어 서스펜션부(70)의 두께 프로파일을 변화시켜 강화될 수 있다. 제7a도 및 제7b도에서, 서스펜션부(70)의 두께는 균일하나, 특정 응용시에는 두께 프로파일이 변화될 필요가 있다. 예를 들어 서스펜셔부(70)의 길이를 따라 파형 가공을 하여 서스펜션부를 비등방성적으로 강화시킬 수 있다.
제8도는 필요하지 않거나 과도한 기판부가 제거된 상태의 완성된 행 섹션을 도시한다. 소어컷(112)에 의하여 하나의 조합형 조립체(30)이 그 조립체의 서스펜션부(114), 슬라이더부(116), 및 트랜스듀서(118)가 조립된 상태로 행 섹션으로부터 분리된다. 나머지 조합형 조립체도 계속하여 절단되어 행 섹션으로부터 분리된다. 일단 조합형 조립체가 생산되면 통상의 기술자는 이를 용이하고 자명하게 고체 디스크 판독기에 이용할 수 있다. 그러한 디스크 판독기의 하나가 미합중국 특허 제3,849,800호에 개시되었다.
원하는 때에만 트랜스듀서를 기록 매체에 인접하도록 배치하기 위한 서스펜션의 실시에에서, 서스펜션은 그위에 형성된 활성 재료 장치(active material device)를 가진다. 이 활성 재료 장치는 압전 장치(piezoelectic device), 전자 변형 장치(electrostrictor device), 또는 히터를 포함하는 공지의 여러 장치들 중 하나일 수 있는데, 이들로만 제한되지는 않는다. 판독/기입 트랜스듀서에 의한 접촉을 용이하게 이루기 위하여 활성 재료 장치는 서스펜션 자체를 제어한다. 다른 실시예는 트랜스듀서와 교신하기 위한 전기 스트립 선들을 포함하는 서스펜션을 사용한다. 서스펜션의 두께를 변화시킴으로써, 서스펜션이 용이하게 선택적으로 경화된다. 이러한 속성에 의하여 특정 응용에 적합하도록 서스펜션이 변형될 수 있다.
피착된 트랜스듀서를 포함하는 행 섹션의 기판을 제거하는 다른 방법은 기판을 연마 또는 에칭에 의하여 제거하는 방법이다. 이 방법에서, 제7b도를 예를 들어 설명하면, 분리층(94,96)이 사용되지 않고 과도한 기판(93)이 연마 또는 기타 적절한 제거 공정을 통하여 제거된다. 이 공정을 통하여, 기판의 일부가 트랜스듀서(72)의 기저 지지부, 슬라이더부로서 남겨질 수 있다. 이 방법은 특히 트랜스듀서가 디스크의 자기 기록 매체 상에서 부동하도록 공기 쿠션에 의하여 지지될 필요가 있는 경우에 유용할 수 있다.
본 명세서에 설명된 방법은 매우 높은 수율을 가지는 서스펜션-슬라이더-트랜스듀서 조합형 조립체를 제조하는 것을 가능하게 한다. 광식각에 의하여 박막 피착부를 패터닝(patterning)함으로써 인접한 시스템이 분리될 수 있고, 따라서 통상의 소어컷용 여백을 남길 필요가 없어진다. 유사하게, 단지 서스펜션 시스템 재료의 두께만이 원하는 치수로 절삭되거나 에칭될 필요가 있기 때문에, 박막 헤드로 드로트 높이가 식각에 의하여 원하는 치수로 가공될 수 있다.
본 발명은 그 실시예에 관련하여 특정해서 도시되고 설명되었으나, 본 분야 숙련된 기술자들은 본 발명의 원리 및 범위를 벗어나지 아니하고 본 발명의 형태 및 세부적 사향을 다양하게 변경할 수 있다. 예를 들어, 트랜스듀서가 본 출원인에게 양도된 미합중국 특허 제4,190,872호에 설명된 바와 같이 웨이퍼 상에 제작될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 서스펜션부는 폴리미드 재료와 서스펜션 조립체에 의하여 요구되는 추운한 탄성 및 강도를 제공하기 위하여 그 위에 형성된 금속층으로 이루어지는 이중 층 등과 같은 임의의 다양한 형태를 가질 수 있다. 하나의 층에서 정확한 두께 및 강도가 얻어질 수 있으면 서스펜션 조립체가 단일 층 내에서 제작될 수 있다. 도전 회로 및 트랜스듀서 도선을 형성하기 위하여 많은 전기적 도전 재료를 사용할 수 있음이 주지되어 있다. 동 또는 금이 양호한 재료이나 기타 재료도 사용 가능한 것으로 알려져 있다. 본 명세서에서 공기 베어링 표면 슬라이더가 설명되었으나, 본 발명은 또한 슬라이더의 공기 베어링 표면이 작동 중에 기록매체와 접촉하여 위치되기에 적합한 임의의 표면으로 대체된 접촉 기록 슬라이더를 포함한다. 실시예에서는 수평형 트랜스듀서가 도시되었다. 그러나, 본 발명은 슬라이더-서스펜션 조합체가 트랜스듀서없이 개시된 공정에 제작되는 수직형 트랜스듀서에도 역시 작용될 수 있다. 수직형 트랜스듀서는 분리된 상태로 제작되어 슬라어더-서스펜션에 결합된다.
본 발명의 요지는 이하의 청구의 범위에 기재되었다.

Claims (68)

  1. ① 하우징, ② 디스크 위에 제공된 트랙들에 데이타를 저장하기 위한 수단을 가지는 상기 하우징 내에 회전 가능하도록 장착된 하나 이상의 데이타 저장 디스크, ③ 상기 하우징 내의 상기 데이타 저장 디스크를 회전시키기 위한 수단, ④ 상기 데이타 저장 디스크에 인접하여 상기 하우징 내에 위치한 액츄에이터 아암, ⑤ 박막 피착 공정에 의해 일체로 형성되고, 박막 트랜스듀서를 활성화시키기 위한 박막 도선층을 가지는 집적화된 박막 슬라이더와 트랜스듀서, ⑥ 박막 서스펜션이 소정의 길이의 박막 피착 공정에 의해 일체로 형성되고, 상기 서스펜션의 제1단부에 있는 길이 부분이 상기 집적화된 박막 슬라이더와 트랜스듀서에 피착되며, 상기 집적화된 박막 슬라이더와 트랜스듀서를 상기 데이타 저장 디스크에 인접하여 위치시키도록 상기 박막 서스펜션이 제2단부에서 상기 액츄에이터 아암에 부착되며, 상기 박막 서스펜션이 상기 박막 서스펜션의 상기 제2단부로부터 상기 제1단부로 연장되어 있고 박막 피착에 의해 상기 집적화된 박막 슬라이더와 트랜스듀서의 상기 도선층에 전기적으로 접속되는 박막 도전층을 포함하며, ⑦ 집적화된 박막 슬라이더와 트랜스듀서 및 박막 서스펜션은 각각 다수의 박막층으로 구성되고, 상기 집적화된 박막 슬라이더와 트랜스듀서의 상기 박막층들은 모두 상기 박막 서스펜션의 상기 박막층들에 실질적으로 수직하게 연장되는 데이타 저장 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 박막 서스펜션 상에 형성된 활성 액츄에이터 재료장치(active material device)를 더 포함하는 데이타 저장 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 박막 도전층에 전기적으로 접속된 상기 박막 서스펜션 상에 형성된 집적회로 증폭기를 더 포함하는 데이타 저장 장치.
  4. ① 박막 피착 공정에 의해 일체로 형성되고, 박막 트랜스듀서를 활성화시키기 위한 박막 도선층을 가지는 집적화된 박막 슬라이더와 트랜스듀서, ② 박막 서스펜션이 소정의 길이의 박막 피착 공정에 의해 형성되고, 상기 박막 서스펜션의 제1단부에 있는 길이 부분이 상기 집적화된 박막 슬라이더와 트랜스듀서에 피착되며, 상기 박막 서스펜션이 상기 박막 서스펜션의 제2단부로부터 상기 제1단부로 연장되어 있고 박막 피착에 의해 상기 집적화된 박막 슬라이더와 트랜스듀서의 상기 박막 도선층들에 전기적으로 접속되는 박막 도전층들을 포함하며, ③ 상기 집적화된 박막 슬라이더와 트랜스듀서 및 박막 서스펜션은 각각 다수의 박막층으로 구성되고, 상기 집적화된 박막 슬라이더와 트랜스듀서의 상기 박막 층들은 모두 상기 박막 서스펜션의 상기 박막층들에 실질적으로 수직하게 연장되는 조합형 조립체.
  5. ① 원하는 서스펜션 길이와 동일한 두께를 가지는 웨이퍼 기판을 제공하는 단계, ② 상기 기판의 주표면 상에 제1분리층을 형성하는 단계, ③ 상기 제1분리층 상에 지지층을 형성하는 단계, ④ 상기 지지층상에 행과 열의 패턴으로 트랜스듀서 도전체 도선들을 가진 다수의 박막 트랜스듀서를 형성하는 단계, ⑤ 각각의 상기 열(column)로부터 하나씩 취해진 다수의 상기 형성된 트랜스듀서를 각각 가지는 행 섹션(row section)을 상기 웨이퍼 기판으로부터 분리시키는 단계, ⑥ 상기 주표면에 인접한 상기 분리된 행 섹션의 분리된 면 상에 상기 제1분리층으로부터 상기 분리된 행 섹션의 대향 단부로 연장되는 제2분리층을 형성하는 단계, ⑦ 상기 제2분리층 상에 탄성 재료의 적어도 하나의 박막층을 피착시킴으로써 서스펜션부를 형성하는 단계, ⑧ 상기 트랜스듀서로부터 상기 서스펜션층의 상기 대향 단부까지 연장되는 도전 부재를 형성하는 단계, ⑨ 상기 제1 및 제2분리층을 용해시키는 단계, ⑩ 상기 행 섹션을 각각 상기 서스펜션부의 연관부분을 가지는 개개의 트랜스듀서로 분활하는 단계를 포함하는 조합형 트랜스듀서 및 서스펜션 조립체(combination transducer suspension assembly) 가공 방법.
  6. 제5항에 있어서,상기 도전 부재를 형성하는 단계가 도전 재료의 박막층을 피착시키는 단계를 포함하여 상기 서스펜션부의 피착된 상기 재료층들 중 하나 이상에 상기 서스펜션부의 상기 대향 단부로부터 상기 트랜스듀서 도전체 도선로 연장되는 상기 도전 부재를 제공하는 조합형 트랜스듀서 및 서스펜션 조립체 가공방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 서스펜션부를 형성하는 단계 이후에, 상기 대향 단부에 인접하고 상기 도전 부재에 전기적으로 접속된 상기 서스펜션 상에 집적회로 증폭기를 형성하는 단계를 더 포함하는 조합형 트랜스듀서 및 서스펜션 조합체 가공 방법.
  8. 제5항에 있어서, 상기 제1 및 제2분리층을 용해시키기 이전에, 상기 서스펜션층 상에 활성 재료 장치를 형성하는 단계를 더 포함하는 조합형 트랜스듀서 및 서스펜션 조립체 가공방법.
  9. ① 원하는 서스펜션 길이와 동일한 두께를 가지는 웨이퍼 기판을 제공하는 단계, ② 상기 웨이퍼 기판의 주표면 상에 행과 열의 패턴으로 다수의 트랜스듀서 도전체 도선을 형성하는 단계, ③ 각각의 상기 열(column)로부터 하나씩 취해진 다수의 상기 형성된 트랜스듀서를 각각 가지는 행 섹션(row section)을 상기 웨이퍼 기판으로부터 분리시키는 단계, ④ 상기 분리된 면 상에 하나 이상의 탄성 재료층을 피착시킴으로써 상기 분리된 행 섹션의 분리된 면 상에 서스펜션부를 형성하는 단계, ⑤ 상기 트랜스듀서로부터 상기 서스펜션부 층의 대향 단부로 연장되는 도전부재를 형성하는 단계, ⑥ 상기 웨이퍼 기판의 원치않는 부분을 제거하는 방법, ⑦ 상기 행 섹션을 상기 서스펜션부의 연관된 부분을 각각 가지는 개개의 트랜스듀서로 분할하는 단계를 포함하는 조합형 트랜스듀서 및 서스펜션 조립체의 가공 방법.
  10. 제9항에 있어서, 웨이퍼 기판의 원치않는 부분을 제거하는 단계가 각각의 상기 트랜스듀서를 위한 슬라이더 지지부(slider support section)남기는 조합형 트랜스듀서 및 서스펜션 조립체의 가공방법.
  11. ① 박막 피착 공정에 의해 일체로 형성되고, 박막 지지층과 박막 갭층과 박막 도선층을 포함하는 복수의 박막층을 가지고 있으며, 상기 박막 갭층의 두께가 갭의 길이를 형성하는 박막 슬라이더와 트랜스듀서를 포함하고, ② 상기 다수의 박막 슬라이더와 트랜스듀서의 각각의 박막층은 상부와 하부단부와 한쌍이 측면 단부에 의해 막힌 제1,2박막 표면들과, 공기 베어링을 형성하는 박막층의 하부 단부를 가지며, ③ 다수의 박막층의 박막 피착에 의해 형성되고 각 박막층이 전면과 후면 단부와 한쌍의 측면 단부에 의해 막힌 상부와 하부 박막층을 가진 가늘고 긴 박막 서스펜션을 포함하며, ④ 상기 박막 슬라이더와 트랜지듀서의 상기 박막층의 상부 단부에 결합되는 상기 서스펜션의 박막층의 박막 표면과 함께 상기 가늘고 긴 박막 서스펜션을 형성하기 위하여, 상기 박막 피착에 의해 박막 슬라이더와 트랜스듀서의 상기 박막층의 상부단부에 직접적으로 형성된 상기 박막 서스펜션의 적어도 하나의 박막층의 하부 박막 표면의 전면부를 포함하는 트랜스듀서/서스펜션 조립체.
  12. 제11항에 있어서, 상기 박막 슬라이더와 트랜스듀서는 실질적으로 동일한 면적을 가지는 전면과 후면 박막 표면 벽들을 가지는 트랜스듀서/서스펜션 조립체.
  13. 제11항에 있어서, 상기 슬라이더와 박막 트랜스듀서의 하부 표면은 공기 베어링 표면을 형성하며, 상기 박막 실린더의 상기 상부와 하부 표면은 상기 공기 베어링 표면과 실질적으로 평행하는 트랜스듀서/서스펜션 조립체.
  14. 제12항에 있어서, 상기 박막 서스펜션의 박막층의 전면 단부들은 공통 전면 벽면에 인접하게 놓여있고, 상기 박막 슬라이더와 트랜스듀서의 상기 전면 박막 표면 벽은 상기 실린더의 상기 공통 벽과 인접하게 있는 트랜스듀서/서스펜션 조립체.
  15. 제11항에 있어서, 상기 박막 서스펜션은 박막 피착에 의해 형성되는 제1,2박막 도전체 도선들을 가지고, 상기 박막 트랜스듀서의 상기 제1,2박막 도선층들의 각각의 터미날 단부는 박막 피착에 의해 상기 박막 서스펜션의 제1,2박막 도전체 도선들의 각각의 터미날 단부에 접속되는 트랜스듀서/서스펜션 조립체.
  16. 제15항에 있어서, 상기 박막 서스펜션은 박막 피착에 의해 형성되는 상부와 하부 박막 절연층을 가지며, 상기 박막 서스펜션의 상기 박막 도전체 도전들은 상기 상부와 하부 박막 절연층 사이에 위치하는 트랜스듀서/서스펜션 조립체.
  17. 제16항에 있어서, 상기 박막 서스펜션의 상기 박막의 상기 상부와 하부 표면들은 상기 공기 베어링 표면에 실질적으로 평행한 트랜스듀서/서스펜션 조립체.
  18. 제17항에 있어서, 상기 박막 서스펜션의 상기 박막층의 전면 단부들은 공통 전면 벽면에 인접하게 놓이고, 상기 박막 슬라이더와 트랜스듀서의 상기 전면 박막 표면 벽은 상기 서스펜션의 상기 전면과 인접하며, 상기 서스펜션의 측면 벽들 중에서 적어도 하나는 절단 공정에 의해 형성되는 절단면이며, 상기 박막 서스펜션에 탑재되고 상기 박막 서스펜션의 박막이 도전체 도선들에 전기적으로 접속되는 하나의 집적회로 증폭기와, 상기 박막 서스펜션에 탑재되는 활성 물질 장치를 포함하는 트랜스듀서/서스펜션 조립체.
  19. 제17항에 있어서, 상기 박막 서스펜션은 상기 제1, 2박막 절연층들 사이에 위치한 제3의 박막 절연층을 가지고, 상기 박막 서스펜션의 박막 도전체 도선들이 상기 상부 박막 절연층과 상기 제3의 박막 절연층 사이에 끼워지며, 상기 박막 서스펜션이 상기 하부 박막 절연층과 상기 제3의 박막 절연층 사이에 끼워지는 트랜스듀서/서스펜션 조립체.
  20. ① 직접적화된 박막 슬라이더와 트랜스듀서와, ② 박막 서스펜션으로 구성되고, ③ 상기 집적화된 박막 슬라이더와 트랜스듀서 및 박막 서스펜션의 각각이 복수의 박막층으로 구성되고, 상기 집적화된 박막 슬라이더와 트랜스듀서의 상기 박막층들은 상기 박막 서스펜션의 박막층에 실질적으로 수직하게 연장되고, ④ 상기 집적화된 박막 슬라이더와 트랜스듀서의 상기 박막은 상부와 하부단부를 가지며, ⑤ 상기 박막 서스펜션은 상기 접적화된 박막 슬라이더와 트랜스듀서의 상기 박막층들의 상기 상면 단부들에 직접적으로 형성되어 이곳으로부터 연장되며, ⑥ 상기 집적화된 박막 슬라이더와 트랜스듀서의 상기 하부 단부들은 공기 베어링 표면을 형성하는 트랜스듀서 서스펜션 조립체.
  21. 제20항에 있어서, ① 하우징, ② 제공된 트랙 위에 데이타를 저장하기 위한 수단을 가지는 상기 하우징에 회전 가능하게 탑재된 적어도 하나의 데이타 저장 디스크, ③ 상기 하우징 내에서 상기 데이타 저장 디스크를 회전시키기 위한 수단, ④ 상기 데이타 저장 디스크에 인접하게 상기 하우징 내에 탑재된 액츄에이터 아암, ⑤ 상기 액츄에이터 아암의 원심의 단부에 탑재된 박막 서스펜션을 포함하는 데이타 저장 장치를 가진 트랜스듀서/서스펜션을 포함하는 데이타 저장 장치.
  22. 제20항에 있어서, 상기 집적화된 박막 슬라이더와 트랜스듀서는 박막 도전층과, 박막 도전체 도선을 포함하는 박막 서스펜션을 포함하며, 상기 서스펜션의 상기 박막 도전체 층은 박막 피착에 의해 상기 집적화된 박막 슬라이더와 트랜스듀서의 상기 박막 도전층에 접속되는 트랜스듀서 서스펜션.
  23. 제22항에 있어서, 상기 집적화된 박막 슬라이더와 트랜스듀서는 실질적으로 동일한 면적을 가진 전면과 후면 박막벽을 가지는 트랜스듀서 서스펜션 조립체.
  24. 제9항에 있어서, 상기 도전 부재를 형성하는 단계는 상기 서스펜션부의 피착된 물질의 상기 적어도 하나의 층에 형성된 전기적인 접속 부재를 제공하기 위해 도전 물질의 박막층을 피착하고, 상기 트랜스듀서에 상기 접속 부재를 전기적으로 결합시키기 위해 상기 서스펜션 부의 대향 단부에서 상기 트랜스듀서 도전 부재로 연장하는 단계를 포함하는 조합형 트랜스듀서 및 서스펜션 조립체의 가공 방법.
  25. 제24항에 있어서, 상기 서스펜션부를 형성하는 단계 후에 상기 대향단부에 인접하고 상기 접속 부재와 전기적으로 접속되는 상기 서스펜션부에 집적회로 증폭기를 형성하는 조합형 트랜스듀서 및 서스펜션 조립체의 가공 방법.
  26. ① 실질적으로 평탄한 표면을 가진 기판을 제공하는 단계, ② 상기 평탄한 표면 위에 박막층을 형성함에 의하여 트랜스듀서를 만드는 단계, ③ 기판 단부가 상가 평탄한 단부에 인접하고 상기 트랜스듀서 단부에 대해 실질적으로 동일 평면상에 있도록 하기 위하여 상기 기판 단부를 가진 상기 기판과 상기 트랜스듀서를 가진 상기 트랜스듀서를 형성하는 단계, ④ 상기 기판 단부와 상기 트랜스듀서 단부 위에 리드(reed)을 형성하는 단계, ⑤ 상기 기판의 적어도 하나의 부분을 제거하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 제조 방법.
  27. 제26항에 있어서, 스핀들에 의해 지지되는 자기 디스크를 제공하고 상기 스핀들을 회전시키기 위한 수단을 제공하고 이것에 의해 상기 자기 디스크가 지지되는 단계, 액츄에이터 아암을 가진 액츄에이터를 제공하는 단계, 상기 트랜스듀서가 상기 자기 디스크상의 근접한 원형 트랙에 선택적으로 위치할 수 있도록 상기 액츄에이터 아암 위에 상기 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서를 탑재시키는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 제조방법을 포함하는 자기 디스크 드라이브 제조 방법.
  28. 제26항에 있어서, 상기 리드 서스펜션의 길이와 실질적으로 동일한 두께를 가진 상기 기판을 제공하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션 트랜스듀서의 제조 방법.
  29. 제26항에 있어서, 상기 다수의 기판을 포함하는 웨이퍼 기판을 제공하는 단계, 상기 기판 웨이퍼 상에 상기 트랜스듀서들의 열들과 행들을 만드는 단계, 상기 다수의 기판 단부들을 포함하는 기판 단부들의 열을 제공하도록, 그리고 상기 다수의 트랜스듀서 단부를 포함하는 트랜스듀서 단부들의 행을 제공하도록 트랜스듀서의 개개의 행들 속으로 상기 기판 웨이퍼를 다이싱하는 단계, 상기 기판 단부들의 행에 그리고 트랜스듀서 단부들의 행에 상기 다수의 리드 서스펜션을 포함하는 리드 서스펜션들의 행을 형성하는 단계, 각각의 기판이 상기 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서를 지지하도록 상기 기판 속으로 상기 기판들의 행을 다이싱하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 제조 방법.
  30. 제26항에 있어서, 실질적으로 사기 리드 서스펜션과 동일한 두께를 가지는 기판을 제공하는 단계를 제공하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 제조 방법.
  31. 제26항에 있어서, 상기 트랜스듀서를 만들기 전에, 상기 기판의 상기 평탄한 표면에 트랜스듀서 분리(release) 층을 형성하고, 그 후에 상기 트랜스듀서 분리층에 상기 트랜스듀서를 형성하는 단계, 상기 리드 서스펜션을 형성하기 전에, 상기 트랜스듀서 분리층을 결합시키기 위해 상기 기판 단부에 서스펜션 분리층을 형성하고, 그 후에 상기 서스펜션 분리층에 상기 리드 서스펜션을 형성하는 단계, 상기 기판으로부터 상기 리드 서스펜션과 트랜스듀서를 분리하기 위해 상기 서스펜션 분리층과 상기 트랜스듀서 분리층을 분할하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 제조 방법.
  32. 제26항에 있어서, 상기 트랜스듀서를 만드는 단계는 상기 트랜스듀서 단부들로 연장되는 트랜스듀서 도선들을 형성하기 위해 상기 트랜스듀서 분리층에 적어도 하나의 박막을 피착하는 단계를 포함하고, 상기 리드 서스펜션을 형성하는 단계는 상기 리드 서스펜션을 따라 연장되고 상기 트랜스듀서 단부에 상기 트랜스듀서 도선들을 접속하는 도전체 도선들을 형성하기 위해 상기 서스펜션 층에 적어도 하나의 박막을 피착하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 제조 방법.
  33. 제32항에 있어서, 상기 다수의 기판을 포함하는 웨이퍼 기판을 제공하는 단계, 상기 기판 웨이퍼 상에 상기 트랜스듀서들의 열들과 행들을 만드는 단계, 상기 다수의 기판 단부를 포함하는 기판 단부들의 열을 제공하도록, 그리고 상기 다수의 트랜스듀서 단부를 포함하는 트랜스듀서 단부들의 행을 제공하도록 트랜스듀서의 개개의 행들 속으로 상기 기판 웨이퍼를 다이싱하는 단계, 상기 기판 단부의 행에 그리고 상기 트랜스듀서 단부의 행에 상기 다수의 리드 서스펜션을 포함하는 리드 서스펜션의 행을 형성하는 단계, 각각의 기판이 상기 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서를 지지하도록 상기 기판 속으로 상기 기판들의 행을 다이싱하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 제조 방법.
  34. 제32항에 있어서, 상기 트랜스듀서 도선들에 연결되는 상기 도전체 도선들을 형성하는 단계는 상기 트랜스듀서 도선들에 상기 도전체 도선들을 상호 접속하는 스터드들(studs)을 형성하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 제조 방법.
  35. 제33항에 있어서, 상기 리드 서스펜션에 접점들을 형성하고, 각 접점은 상기 리드 서스펜션에 끼워 넣어지며, 각 도전체 도선에 접촉되는 단부와 외부 환경에 노출되는 노출된 단부를 가지는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 제조 방법.
  36. 제35항에 있어서, 상기 접점들의 상기 노출된 단부에 접촉되는 상기 리드 서스펜션 상에 집적회로를 탑재하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 제조 방법.
  37. 제26항에 있어서, 상기 리드 서스펜션을 형성하는 단계는 상기 트랜스듀서 단부 위에 놓이고 기계적으로 연결되는 수직한 박막층의 단부를 가진 상기 트랜스듀서의 박막층들에 실질적으로 수직한 다수의 수직인 박막층들을 형성하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 제조 방법.
  38. 제37항에 있어서, 상기 트랜스듀서를 지지하기 위한 지지층으로서 하나 이상의 수직한 박막층들을 형성하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 제조 방법.
  39. 제37항에 있어서, 상기 트랜스듀서를 만드는 단계는 상기 트랜스듀서 단부들로 연장되는 트랜스듀서 도선들을 형성하기 위해 상기 트랜스듀서 분리층에 적어도 하나의 박막을 피착하는 단계를 포함하고, 상기 리드 서스펜션을 형성하는 단계는 상기 리드 서스펜션을 따라 연장되고 상기 트랜스듀서 단부에 상기 트랜스듀서 도선들을 접속하는 도전체 도선들을 형성하기 위해 상기 서스펜션 층에 적어도 하나의 박막을 피착하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 제조 방법.
  40. 제37항에 있어서, 상기 기판 서스펜션에 절연 지지층으로서 상기 수직한 박막층들의 첫번째 층을 형성하는 단계, 상기 절연 지지층 위에 상기 도전체 도선들로서 상기 수직한 박막층을의 두번째 층을 형성하는 단계, 상기 도전체 도선들 위에 절연 지지층으로서 상기 수직한 박막층의 세번째 층을 형성하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 제조 방법.
  41. 제39항에 있어서, 상기 트랜스듀서를 만들기 전에, 상기 기판의 상기 평탄한 표면에 트랜스듀서 분리층을 형성하고, 그 후에 상기 트랜스듀서 분리층에 상기 트랜스듀서를 형성하는 단계, 상기 리드 서스펜션을 형성하기 전에, 상기 트랜스듀서 분리층을 결합시키기 위해 상기 기판 단부에 서스펜션 분리층을 형성하고, 그 후에 상기 서스펜션 분층에 상기 리드 서스펜션을 형성하는 단계, 상기 기판으로부터 상기 리드 서스펜션과 트랜스듀서를 분리하기 위해 상기 서스펜션 분리층과 상기 트랜스듀서 분리층을 분할하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 제조 방법.
  42. 제41항에 있어서, 상기 다수의 기판을 포함하는 웨이퍼 기판을 제공하는 단계, 상기 기판 웨이퍼 상에 상기 트랜스듀서들의 열들과 행들을 만드는 단계, 상기 다수의 기판 단부를 포함하는 기판 단부들의 열을 제공하도록, 그리고 다수의 트랜스듀서 단부를 포함하는 기판 단부들의 행을 제공하도록 트랜스듀서의 개개의 행들 속으로 상기 기판 웨이퍼를 다이싱하는 단계, 상기 기판 단부의 행에 그리고 상기 트랜스듀서 단부의 행에 상기 다수의 리드 서스펜션을 포함하는 리드 서스펜션들의 행을 형성하는 단계, 각각의 기판이 상기 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서를 지지하도록 상기 기판 속으로 기판들의 행을 다이싱하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 제조 방법.
  43. 제42항에 있어서, 상기 리드 서스펜션과 실질적으로 동일한 두께를 가지는 상기기판을 제공하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 제조 방법.
  44. 제41항에 있어서, 스핀들에 의해 지지되는 자기 디스크를 제공하고 상기 스핀들을 회전시키기 위한 수단을 제공하고 이것에 의해 상기 자기 디스크가 지지되는 단계, 액츄에이터 아암을 가진 액츄에이터를 제공하는 단계, 상기 트랜스듀서가 상기 자기 디스크상의 근접한 원형 트랙에 선택적으로 위치할 수 있도록 상기 액츄에이터 아암 위에 상기 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서를 탑재시키는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 제조 방법을 포함하는 자기 디스크 드라이브 제조 방법.
  45. 제41항에 있어서, 상기 트랜스듀서를 만들기 전에, 상기 기판의 상기 평탄한 표면에 트랜스듀서 분리층을 형성하고, 그 후에 상기 트랜스듀서 분리층에 상기 트랜스듀서를 형성하는 단계, 상기 리드 서스펜션을 형성하기 전에, 상기 트랜스듀서 분리층을 결합시키기 위해 상기 기판 단부에 서스펜션 분리층을 형성하고, 그 후에 상기 서스펜션 분리층에 상기 리드 서스펜션을 형성하는 단계, 상기 기판으로부터 상기 리드 서스펜션과 트랜스듀서를 분리하기 위해 상기 서스펜션 분리층과 상기 트랜스듀서 분리층을 분할하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 제조 방법.
  46. 제45항에 있어서, 상기 기판상에 절연 지지층으로서 상기 수직한 박막층들의 첫번째 층을 형성하는 단계, 상기 절연 지지층 위에 상기 도전체 도선들로서 상기 수직한 박막층들의 두번째 층을 형성하는 단계, 상기 도전체 도선들 위에 절연 지지층으로서 상기 수직한 박막층의 세번째층을 형성하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 제조 방법.
  47. 제46항에 있어서, 상기 접점들의 상기 노출된 단부에 접촉되는 상기 리드 서스펜션 상에 집적회로를 탑재하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 제조 방법.
  48. 제47항에 있어서, 상기 트랜스듀서 도선들에 연결되는 상기 도전체 도선들을 형성하는 단계는 상기 트랜스듀서 도선들에 상기 도전체 도선들을 상호 접속하는 스터드들(studs)을 형성하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 제조 방법.
  49. ① 실질적으로 평탄한 표면을 가진 웨이퍼 기판을 제공하는 단계, ② 적어도 하나의 행에 배열된 다수의 트랜스듀서 시스템을 형성하기 위해 상기 평탄한 표면에 다수의 박막층들을 피착하는 단계, ③ 기판 부분에 적어도 하나의 개별적인 트랜스듀서 시스템들의 행을 제공하는 웨이퍼 기판을 다이싱하는 단계를 포함하고, 상기 개별적인 트랜스듀서 시스템들의 행은 상기 적어도 하나의 행에 배열된 상기 다수의 트랜스듀서 시스템들을 포함하고, 상기 다이싱이 각각 절단 단부를 가진 트랜스듀서 시스템들의 상기 개별적인 각각의 행과 상기 기판 부분을 제공하고, 상기 트랜스듀서 시스템의 개별적인 행과 기판 부분의 상기 절단 단부들이 서로에 대하여 실질적으로 동일 평면상에 있으며, ④ 트랜스듀서 시스템들의 상기 개별적인 행에 각각의 트랜스듀서 시스템을 위한 리드 서스펜션을 형성하는 트랜스듀서 시스템들의 상기 개별적인 행과 상기 기판 부분의 상기 절단 단부들에 적어도 하나의 박막층을 피착하는 단계, ⑤ 개개의 리드 서스펜션과 트랜스듀서 시스템의 조합들 속으로 상기 기판 부분과 트랜스듀서 시스템들의 상기 개별적인 행을 다이싱하는 다네를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 제조 방법.
  50. 제49항에 있어서, 상기 기판 부분의 적어도 하나의 부분을 제거하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 제조 방법.
  51. 제50항의 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 조합들의 제조방법을 포함하는 자기 디스크 드라이브의 제조 방법에 있어서, 스핀들에 의해 지지되는 자기 디스크를 제공하고 상기 스핀들과 상기 스핀들에 의해서 지지되는 상기 자기 디스크를 회전시키기 위한 수단을 제공하는 단계, 액츄에이터 아암을 가진 액츄에이터를 제공하는 단계, 상기 트랜스듀서가 상기 자기 디스크상의 근접한 원형 트랙에 선택적으로 위치할 수 있도록 상기 액츄에이터 아암 위에 상기 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서 조합들 중의 하나를 탑재시키는 단계를 포함하는 자기 디스크 드라이브 제조 방법.
  52. 제50항에 있어서, 다수의 박막층을 피착하는 단계는 상기 복수의 트랜스듀서 시스템들을 위한 트랜스듀서 도선들을 형성하기 위한 박막층을 피착하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 조합들의 제조 방법.
  53. 제50항에 있어서, 상기 트랜스듀서를 만드는 단계는 트랜스듀서 시스템들의 상기 개별적인 행의 단부들로 연장하는 트랜스듀서 도선들을 형성하기 위해 상기 트랜스듀서 분리층에 적어도 하나의 박막층을 피착하는 단계를 포함하고, 상기 각각의 트랜스듀서 시스템을 위한 리드 서스펜션을 형성하는 단계는 상기 리드 서스펜션을 따라 연장하고 트랜스듀서 시스템들의 상기 개별적인 행의 상기 단부에 상기 트랜스듀서 도선들을 접속하는 도전체 도선들을 형성하기 위한 상기 서스펜션 분리층에 적어도 하나의 박막을 피착하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 조합들의 제조 방법.
  54. 제50항에 있어서, 상기 각각의 트랜스듀서 시스템을 위한 리드 서스펜션을 형성하는 단계는 트랜스듀서 시스템들의 상기 개별적인 행의 상기 절단 단부 위에 놓이고 기계적으로 연결되는 상기 수직한 박막층의 단부를 가진 상기 트랜스듀서 시스템들의 상기 박막층들에 실질적으로 수직한 다수의 수직한 박막층들을 형성하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 조합들의 제조 방법.
  55. 제50항에 있어서, 실질적으로 상기 리드 서스펜션과 동일한 두께를 가지는 상기 웨이퍼 기판을 제공하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 조합들의 제조 방법.
  56. 제50항에 있어서, 상기 트랜스듀서 도선들에 연결되는 상기 도전체 도선들을 형성하는 단계는 상기 트랜스듀서 도선들에 상기 도전체 도선들을 상호 접속하는 스터드들(studs)을 형성하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 조합들의 제조 방법.
  57. 제50항에 있어서, 상기 리드 서스펜션에 접점들을 형성하고, 각 접점은 각각의 리드 서스펜션에 끼워 넣어지며, 각 도전체 도선과 외부 환경에 노출되는 노출된 단부와 접촉하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 조합들의 제조 방법.
  58. 제50항에 있어서, 상기 접점들의 상기 노출된 단부에 접촉되는 각 리드 서스펜션 상에 집적회로를 탑재하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 조합들의 제조 방법.
  59. 제50항에 있어서, 상기 기판상에 절연 지지층으로서 상기 수직한 박막층들의 첫번째 층을 형성하는 단계, 상기 절연 지지층 위에 상기 도전체 도선들로서 상기 수직한 박막층들의 두번째 층을 형성하는 단계, 상기 도전체 도선들 위에 절연 지지층으로서 상기 수직한 박막층의 세번째 층을 형성하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 조합들의 제조 방법.
  60. 제50항에 있어서, 상기 트랜스듀서 시스템들을 만들기 전에, 상기 웨이퍼 기판의 상기 평탄한 표면에 트랜스듀서 분리층을 형성하고, 그 후에 상기 트랜스듀서 분리층에 상기 트랜스듀서 시스템들을 형성하는 단계, 각각의 트랜스듀서 시스템을 위한 상기 리드 서스펜션을 형성하기 전에, 상기 서스펜션 분리층을 상기 트랜스듀서 분리층과 결합시키기 위해 상기 기판 부분의 상기 단부에만 서스펜션 분리층을 형성하고, 그 후에 상기 서스펜션 분리층에 각각의 트랜스듀서 시스템을 위한 상기 리드 서스펜션 형성하는 단계, 및 상기 기판 부분으로부터 상기 리드 서스펜션과 트랜스듀서 시스템을 분리하기 위해 상기 서스펜션 분리층과 상기 트랜스듀서 분리층을 분할하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 조합들의 제조 방법.
  61. 제60항에 있어서, 상기 트랜스듀서를 만드는 단계는 트랜스듀서 시스템들의 상기 개별적인 행의 단부들로 연장하는 트랜스듀서 도선들을 형성하기 위해 상기 트랜스듀서 분리층에 적어도 하나의 박막층을 피착하는 단계를 포함하고, 상기 각각의 트랜스듀서 시스템을 위한 리드 서스펜션을 형성하는 단계는 상기 리드 서스펜션을 따라 연장하고 트랜스듀서 시스템들의 상기 개별적인 행의 상기 단부에 상기 트랜스듀서 도선들을 접속하는 도전체 도선들을 형성하기 위한 상기 서스펜션 분리층에 적어도 하나의 박막을 피착하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 조합들의 제조 방법.
  62. 제61항에 있어서, 상기 각각의 트랜스듀서 시스템을 위한 리드 서스펜션을 형성하는 단계는 트랜스듀서 시스템들의 상기 개별적인 행의 상기 절단 단부 위에 놓이고 기계적을 연결되는 상기 수직한 박막층의 단부를 가진 트랜스듀서 시스템들의 상기 박막층들에 실질적으로 수직한 다수의 수직인 박막층들을 형성하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 조합들의 제조 방법.
  63. 제62항에 있어서, 실질적으로 상기 리드 서스펜션과 동일한 두께를 가지는 웨이퍼 기판을 제공하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 조합들의 제조 방법.
  64. 제63항에 있어서, 상기 트랜스듀서 도선들에 접속되는 상기 도전체 도선들을 형성하는 단계는 상기 트랜스듀서 도선들에 상기 도전체 도선들을 상호 접속하는 스터드들(studs)을 형성하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 조합들의 제조 방법.
  65. 제64항에 있어서, 상기 리드 서스펜션에 접점들을 형성하고, 각 접점은 각각의 리드 서스펜션에 끼워넣어지며, 각 도전체 도선과 외부 환경에 노출되는 노출된 단부와 접촉하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 조합들의 제조 방법.
  66. 제65항에 있어서, 상기 기판사이에 절연 지지층으로서 상기 수직한 박막층들의 첫번째 층을 형성하는 단계, 상기 절연 지지층 위에 상기 도전체 도선들로서 상기 수직한 박막층들의 두번째 층을 형성하는 단계, 상기 도전체 도선들 위에 절연 지지층으로서 상기 수직한 박막층의 세번째 층을 형성하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 조합들의 제조 방법.
  67. 제66항에 있어서, 스핀들에 의해 지지되는 자기 디스크를 제공하고 상기 스핀들을 회전시키기 위한 수단을 제공하고 이것에 의해 상기 자기 디스크가 지지되는 단계, 액츄에이터 아암을 가진 액츄에이터를 제공하는 단계, 상기 트랜스듀서가 상기 자기 디스크상의 근접한 원형 트랙에 선택적으로 위치할 수 있도록 상기 액츄에이터 아암 위에 상기 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서를 탑재시키는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 조합들의 제조 방법.
  68. 제66항에 있어서, 상기 접점들의 상기 노출된 단부에 접촉되는 각 리드 서스펜션 상에 집적 회로를 탑재하는 단계를 포함하는 집적화된 리드 서스펜션과 트랜스듀서의 조합들의 제조 방법.
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