WO1993011455A1

WO1993011455A1 - Liquid crystal display and method of manufacturing same

Info

Publication number: WO1993011455A1
Application number: PCT/JP1992/001562
Authority: WO
Inventors: Mutsumi Matsuo; Ichio Yudasaka; Kiyohiko Kanai; Katsumi Nagase; Takashi Inoue
Original assignee: Seiko Epson Corporation
Priority date: 1991-11-29
Filing date: 1992-11-27
Publication date: 1993-06-10
Also published as: US5414547A; EP0569601A4; DE69230138T2; EP0569601A1; SG81187A1; EP0569601B1; DE69230138D1

Description

明細害液晶表示装置およびその製造方法技術分野

- 本発明は液晶表示装置に関し、特に、アクティブマトリクス基板の側に形成したブラックマトリクスの構造技術に関する。背景技術

代表的なフラットパネル型ディスプレイである液晶表示装置においては、第 2 8図および第 2 9図に示すように、画像信号を供給するデータ線（ソース線） 5 0 2 a , 5 0 2 1) · · · および走査信号を伝達するゲート線 5 0 3 a , 5 0 3 b · · · が格子状に配置されて、各面素領域 5 0 1 a a , 5 0 l a b - · · が区画形成された一方側の透明基板と、共通電極 5 3 3が形成された他方側の透明基板 5 3 0 (対向基板）との間に液晶 5 4 0 が封入されており、共通電極 5 3 3 と各画素領域 5 0 1 a a , 5 0 l a b - · · の画素電極 5 0 6 との間に薄膜トランジスタ（T F T ) 5 0 8 を介して印加される電位を制御して、画素領域 5 0 1 a a， 5 0 1 a b · . ' 毎の液晶の配向状態を変えるようになつている。このような液晶表示装置においては、たとえば、第 2 9図に示すように、データ線 5 0 2 a と画素電極 5 0 6 との隙間からの光の漏れ（矢印 Aで示す。）が表示の品位を低下させてしまうという問題点がある。また、データ線 5 0 2 a と画素電極 5 0 6 との間の電界の影響によって液晶の配向状態が乱れるリバースチルトドメィン領域が画素電極 5 0 6 の外端縁より内側に発生し、その領域に起 \\Ό 93/11455 一 2 因して、表示の品位が低下するという問題点もある。このため、面素毎の表示の精彩度を高める目的に、共通電極 5 3 3が形成された他方側の透明基板 5 3 0 に、画素領域間の堍界領域に対応して遮光性のブラックマトリクス 5 3 1 を形成し、この画素領域間の境界領域にブラックマトリクス 5 3 1 が位置するように 2枚の透明基板 5 0 9 , 5 3 0を対向させて表示の品位を確保している。ここで、各面素領域間の境舁镇域とブラックマトリクス 5 3 1 との間に位置ずれが発生していると、表示の品 Tが低下するため、ブラックマトリクス 5 3 1 の幅にマージンもたせて上述の位置ずれが発生することを防止している。

しかしながら、液晶表示装置に対しては、面面の大型化と共に、表示の高品質化が要求されている状況下にあって、従来のようにブラックマトリクスの幅をマージンをもつように広げておくことは、面素頟域における開口率（表示可能な領域の面稹比）の低下を招来し、表示品 ¾の向上を妨げるという問題点がある。そこで、本願発明者は、マトリクスアレイが形成された透明基板の側にブラックマトリクスも形成しておくことによって、画素領域間の境界領域とブラックマトリクスとの位置ずれを防止し、ブラックマトリクスの幅を必要最小限の幅に設定可能とすることを提案するものである。この提案に沿って、本願発明者が最初に案出したものは、第 3 0図および第 3 1図に比較例として示す液晶表示装置である。これらの図において、透明基板 5 0 9 の表面側にはデータ線 5 0 2 a , 5 0 2 b - · · およびゲート線 5 0 3 a , 5 0 3 b - · ' が格子状に配置されて各画素領域 5 0 1 a a , 5 0 l a b ' · - が区面形成されており、これらの各面素領域 5 0 1 a a , 5 0 1 a b - ' ' の境界領域に沿ってブラックマトクス 5 1 7が形成されている。ここて、ブラックマトリクス 5 1 ？は、たとえば、画素領域 5 0 1 b b において、データ線 5 0 2 a が導電接続するソース 5 0 4 、ゲ— ト線 5 0 3 a が導電接続するゲート電極 5 0 5 および画素電極 5 0 6 が導電接続するドレイン 5 0 7 によって構成された T F T 5 0 8 の表面側に層間絶緣膜 5 1 3 , 5 1 5 を介して形成されており、データ線 5 0 2 a , ゲート線 5 0 3 a および画素電極 5 0 6 のいずれとも絶緣分離された状態にある。このような構成の液晶表示装置においては、ブラックマトリクス 5 1 7 の幅に不必要なマージンを設けなくとも、各画素領域とブラックマトリクス 5 1 7 とを高い精度で位置合わせできるので、液晶表示装置の開口率が犠牲になることがない。しかしながら、この液晶表示装置においては、以下のような新たな問題がある。ブラックマトリクス 5 1 7 には、いずれの電位も印加されておらず、フローティング状態にあるため、液晶表示装置の動作状態によって、ブラックマトリクス 5 1 7 の電位が変動し、この電位の変動によって画素電極 5 0 6 と他方側の透明基板の共通電極との間に存在する液晶の配向状態が乱れて、表示の品賓を低下させてしまう。また、いずれの画素領域 5 0 1 a a , 5 0 1 a b · · ' に対するブラックマトリクス 5 1 7 も共通であるため、たとえば、ブラックマトリクス 5 1 7 が面素領域 5 0 1 b b の画素電極 5 0 6 , データ線 5 0 2 a , 5 0 2 b またはゲート線 5 0 3 a , 5 0 3 b などと短絡していると、液晶表示装置全体が表示不良になってしまう。発明の開示

以上の問題点に鑑みて、本発明においては、マトリクスアレイと同一基板上に形成されたブラックマトリクスの構造を最適化することにより、表示の品質や信頼性などを犠牲とすることなく、開口率を向上可能な液晶表示装置を実現する目的に、液晶表示装置に対して以下の手段を講じてある。

すなわち、本発明に係る液晶表示装置においては、透明基板の表面側でデータ線およびゲート線によって区面形成された各面素領域のうちの第 1 の面素領域には、データ線に導電接続するソースおよびゲート線に導電接続するゲート電極を備える薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタのドレインを介して電位が印加可能な面素電極と、この画素領域に隣接する第 2 の面素領域との境界領域側に形成されてブラックマトリクスを構成し、データ線，ゲート線および第 2 の画素領

I 0 域の面素電桎から絶縁分離されている一方、第 1 の面素領域の面素電極には導電接続する導電性遮光展とを設けたことに基本的な特徵を有する。

ここで、導電性遮光屠は、その外端縁が第 1 の面素領域と第 2 の面素領域との境界領域上にあるようにすることが好ましい。

また、導電性遮光層については、第 1 の面素領域において、第 2 の面素領域とのいずれの境界領域側にも導電性遮光層を設け、この導電性遮光展によって、第 1 の画素領域が第 2 の面素領域から区面されている構造、または、第 1 の画素領域において、第 2 の面素領域との境界領域のうちの 2つの境界領域側に導電性遮光層を設け、この導電性

Z 0 遮光展および他の 2つの境界領域側にある第 2 の面素領域側の導電性遮光展によつて、第 1 の画素領域が第 2の面素領域から区画されている構造を採用することができる。

本発明において、データ線の表面側略全体が、対応する第 1 の画素領域の導電性遮光層およびこのデータ線を介して隣接する第 2 の画素領域側の導電性遮光雇のうちの少なくともいずれか一方の導電性遮光層によって展間絶緣膜を介して覆われた状態にしてあることが好ましい o

ここで、画素電極および導電性遮光展の構成については、面素電極および導電性遮光眉のうちの一方側が展間絶縁膜の接続孔を介してドレインに導電接続し、この一方側に他方側が導電接続する構造、または、画素電極と導電性遮光展とが、層間絶縁膜たる下層側層間絶縁膜の表面側に形成された上層側餍間絶縁膜を介して形成され、この上層側展間絶緣膜の接続孔を介して導電接続している構造を採用することができる。

また、画素電極および導電性遮光層のうちの一方側が、他方側の表面上に形成されて互いに導電接続している構造も採用することができる。この場合には、画素電極および導電性遮光眉は、互いに外端縁が略一致していることが好ましい。それには、液晶表示装置の製造方法において、画素電極および導電性遮光層のうちの下層側にある屑に対するパターユング工程では、上層側にある層の外端縁および上層側にある屑のパターユングに用いたマスクをマスクとしてパターユングを行う。

本発明において、画素電極および導電性遮光層のうちの一方側が、層藺絶緣膜の接続孔を介してドレインに導電接続する導電性を備えた積み上げ電極層を介してドレインに導電接続し、この一方側に他方側が導電接続している構造を採用することが好ましい。この場合には、積み上げ電極層が光透過性も備えていること、たとえば、積み上げ電極層も I T O層から構成されていることが好ましい。

また、積み上げ電極層を有する構造を採用した場合には、画素電極は、その外端縁がデータ線の上方にまで拡張して、その形成領域を広新たな甩紙く確保することができる点で好ましい。

ここで、積み上げ電極展の構成については、稜み上げ電極層を薄膜トランジスタの非形成領域まで拡張して形成し、この非形成領域上で. すなわち、薄膜トランジスタによる凹凸が反映されていない平坦な頷域上で、面素電極と積み上げ電極展とが導電接続していることが好ましい。

本発明において、データ線については、薄膜トランジスタのソースに層藺絶緣膜の第 1 の接続孔を介して導電接続する第 1 のデータ線およびこの第 1 のデータ線表面に導電接続して多重配線構造を構成する第 2 のデータ線とで構成する一方、積み上げ電極展については、薄膜トランジスタのドレインに層間絶縁膜の第 2 の接続孔を介して導電接続する第 1 の積み上げ電極展ぉよびこの第 1 の積み上げ電極展表面に導電接続する第 2 の'積み上げ電極層とで構成することが好ましい。この場合には、第 1 のデータ線と第 1 の積み上げ電柽展とを同一材料で構成し、第 2 のデータ線と第 2 の積み上げ電極層とを同一材料で構成することが、互いの工程を援用し合って形成していくことができる点で好ましい。

また、第 1 および第 2 の画素領域を備えるアクティブマトリタスと同一基板上に形成された駆動回路においては、アクティブマトリクス側に形成された層間铯縁膜と同層の展間絶縁膜を介して配線層が導電接続する多層配線構造をもって構成することが好ましい。

本発明において、ゲート電極およびゲート線については、真性の多結晶シリコンまたは 1 X 1 0 ²。 /cm ³ 以下のリンを龠む多結晶シリコン層と、この多結晶シリコン層の表面上に形成されて多重配線構造を構成する高融点金属の硅化物層とで構成することが好ましい。この場合には、液晶表示装置の製造方法において、透明基板の表面側にソ一ス . ドレイン領域およびチャネル領域となる第 1 の多結晶シリコン膜を形成する工程と、この多結晶シリコン膜の表面にゲート電極絶縁膜を形成する工程と、ゲート電極およびゲート線の下屠側となる第 2 の多結晶シリコン膜を堆積する工程と、つぎに、第 2 の多結晶シリコン膜に 8 5 0 'C以下の温度でリン拡散を行う工程と、つぎに、ゲート電極およびゲート線の上屠側となる高融点金属の硅化物層を堆積するェ程と、つぎに、第 2 の多結晶シリコン膜および高融点金属の硅化物層を同時にパターユングしてゲート電極およびゲート線を形成する工程とを行う。

本発明においては、保持容量を構成する目的に、面素電極および導電性遮光層のうちの少なくとも一方は、その前段側ゲート線側の外端緣がそれに隣接する前段側ゲート線の上方に位置するようにして重畳部分を構成することが好ましい。図面の簡単な説明

第 1 図は、本発明の実施例 1 に係る液晶表示装置のマトリクスァレィの一部を示す平面図である。

第 2図は、第 1 図の I ― I 線における断面図である。

第 3図は、本発明の実施例 2 に係る液晶表示装置のマトリクスァレィの一部を示す平面図である。

第 4図は、第 3図の I I— I I線における断面図である。

第 5図は、本発明の実施例 3 に係る液晶表示装置のマトリクスァレィの一部を示す平面図である。

第 6図は、第 5図の I I I一 1 1 1 線における斷面図である。一 δ 第 7図は、本発明の実施例 3 の変形例に係る液晶表示装置のマトリクスァレイの平面の模式図である。

第 8図は、本究明の実施例 4に係る液晶表示装置のマトリクスァレィの一部を示す平面図である。

第 9図は、第 8図の IV— IV線における断面図である。

第 1 0図（ a ) 〜 ( c ) のいずれも、第 8図に示す液晶表示装置の製造方法の一部を示す工程断面図である。

第 1 1図は、本発明の実施例 5 に係る液晶表示装置のマトリクスァレイの一部を示す平面図である。

第 1 2図は、第 1 1図の V— V線における断面図である。

第 1 3図（ a ) 〜（ d ) のいずれも、第 1 1図に示す液晶表示装置の製造方法の一部を示す工程断面図である。

第 1 4図は、本発明の実施例 6に係る液晶表示装置のマトリクスァレイの一部を示す平面図である。

第 1 5図は、第 1 4図の VI— VI線における断面図である。

第 1 6図は、本発明の実施例 7 に係る液晶表示装置のマトリクスァレイの一部を示す平面図である。

第 1 7図は、第 1 6図の VII— VII線における断面図である。

第 1 8図は、本発明の実施例 8に係る液晶表示装置のマトリクスァレイの一部を示す平面図である。

第 1 9図は、第 1 8図の VIII—VIII線における断面図である。

第 2 0図は、本発明の実施例 9に係る液晶表示装置のマトリクスァレイの一部を示す平面図である。

第 2 1図は、第 2 0図の IX— IX線における断面図である。

第 2 211は、本発明の実施例 1 0 に係る液晶表示装置のマトリクスァレイの一部を示す平面図である。

第 2 3図は、第 2 2図の X— X線における断面図である。

第 2 4図は、本発明の実施例 1 1 に係る液晶表示装置のマトリクスァレイの一部を示す平面図である。

第 2 5図は、第 2 4図の XI— XI線における断面図である。

第 2 6図は、本発明の実施例 1 1 に係る液晶表示装置のマトリクスァレイと同一基板上に形成された駆動回路の一部の構成を示す断面図である。

第 2 7図は、本発明の実施例 1 1 に係る液晶表示装置のマトリクスアレイと同一基板上に形成された駆動回路の一部の構成を示す平面図である。

第 2 8図は、従来の液晶表示装置のマトリクスァレイの一部を示す平面図である。

第 2 9図は、第 2 8図の XII — XII 線における断面図である。

第 3 0図は、比較例に係る液晶表示装置のマトリクスアレイの一部を示す平面図である。

第 3 1図は、第 3 0図の XIII— XIII線における断面図である。発明を実施するための最良の形態

実施例 1

第 1図は、本発明の実施例 1 に係る液晶表示装置のマトリクスァレィの一部を示す平面図、第 2図は、その I 一 I 線における断面図である。

本例の液晶表示装置においては、第 1図に示すように、垂直方向のデータ線 1 0 2 a > 1 0 2 1) · · · (信号線）と、水平方向のゲート線 1 0 3 a , 1 0 3 b · · · (走査線）とが格子状に配置され、それらの簡に各面素領域 l O l a a , 1 0 1 a b , l O l a c , 1 0 1 b a , l O l b b - - - が区面形成されている。

以下に画素領域 1 0 1 b b (第 1 の画素領域）を例にとって、その構造を説明する。ここで、画素領域 1 0 1 b bには画素領域 1 0 1 a b , 1 0 1 b a , l O l c b , 1 0 1 b c (第 2の面素領域）が隣接しており、面素領域 1 0 1 b bには、データ線 1 0 2 aが導電接続するソース 1 0 4、ゲート線 1 0 3 bが導電接続するゲート電極 1 0 5、および面素電極 1 0 6が導電接続するドレイン 1 0 7によって、 T F T 1 0 8が構成されている。ここで、面素電極 1 0 6 は、 I T Oからなる透明電極であって、面素領域 1 0 1 b bの略全面にわたって形成されている。

この T F T 1 0 8 の断面構造は、第 2図に示すように、液晶表示装置全体を支持する透明基板 1 0 9の表面側に多結晶シリコン雇 1 1 0 が形成されており、この多結晶シ ^ コン雇 1 1 0 には、真性の多結晶シリコン領域であるチャネル領域 1 1 1を除いて、 n型の不純物としてのリンが導入されて、ソース 1 0 4およびドレイン 1 0 7が形成されている。ここで、リンの導入は、多結晶シリコン展 1 1 0の表面倒に形成されたゲート電極酸化膜 1 1 2の上のゲート電極 1 0 5をマスクとするイオン注入を利用することにより、ソース 1 0 4およびドレイン 1 0 ？がセルファラインとなるように行われる。この T F T 1 0 8の表面側には、シリコン酸化膜からなる下層側層間絶緣膜 1 1 3が堆積されており、それには第 1 の接続孔 1 1 3 a と第 2の接続孔 1 1 3 bとが開口されている。そのうちの第 1 の接続孔 1 1 3 sを介して、低抵抗金属雇、たとえばアルミユウム展あるいはアルミニウムを含む合金層からなるデータ線 1 0 2 a がソース 1 0 4 に導電接続している一方、第 2 の接続孔 1 1 3 bを介しては、画素電極 1 0 6 がドレイン 1 0 7 に導電接続している。

さらに、この液晶表示装置においては、透明基板 1 0 9 の表面側に上層側層間絶緣膜 1 1 5 と、その表面側に形成された遮光性および導電性を備えるクロム展 1 1 6 b b (導電性遮光眉）を有する。ここでクロム展 1 1 6 b b は、画素領域 1 0 1 b b において T F T 1 0 8 の形成領域と対角の位置、すなわち、画素領域 1 0 1 b b と画素領域 1 0 1 a b , 1 0 1 a c , l O l b c とが接する側の端部において、上眉側眉間絶縁膜 1 1 5 の接続孔 1 1 5 a を介して画素電極 1 0 6 に導電接続している。また、クロム屑 1 1 6 b b は、その外端縁 1 1 6 X が面素領域 l O l b b と画素領域 l O l a b , 1 0 1 b a , 1 0 1 c b , 1 0 1 b e との境界領域、すなわち、データ線 1 0 2 a , 1 0 2 bおよびゲ一ト線 1 0 3 a , 1 0 3 b の直上に位置するように形成されており、データ線 1 0 2 a , 1 0 2 bおよびゲート線 1 0 3 a , 1 0 3 b とは層間絶縁膜 1 1 3 , 1 1 5 を介して絶縁分離された状態にある。さらに、クロム展 1 1 6 b b のような導電性遮光眉は、いずれの画素領域にも同様に形成されているが、いずれも隣接する画素領域のク αム層とは絶縁分離された状態にある。たとえば、クロム展 1 1 6 b b の外端緣 1 1 6 χ と、クロム展 1 1 6 a b , 1 1 6 b a , 1 1 6 c b , 1 1 6 b c の外端緣 1 1 6 x とは、データ線 1 0 2 a , 1 0 2 bおよびゲ— ト線 1 0 3 a , 1 0 3 b の直上位置で絶緣分離された状態にある。従って、いずれのクロム層、たとえば、クロム層 1 1 6 b b は画素領域 l O l a b , 1 0 1 b a , 1 0 1 c b , l O l b c の各面素電極とも絶緣分離された状態にあるため、クロム層 1 1 6 b b たな紙には同じ画素領域 1 0 1 b b の画素電極 1 0 6から電位が印加されることがあっても、他の面素領域の画素電極から電位が印加されない状態にある。加えて、データ線 1 0 2 a の表面側略全体は、展間絶縁膜 1 1 5 とクロム展 1 1 6 b b , 1 1 6 b a の端部によって 3 [われ、データ線 1 0 2 a に印加された電位が、その表面側の液晶に対して影響を及ぼすこともないようになつている。また、クロム展 1 1 6 b b は- 前段のゲート線 1 0 3 a の側に広い重なり面稷をもって形成され、このクロム展 1 1 6 b b は、面素電極 1 0 6に導電接続しているため、保持容量を構成している状態にある。

I 0 本例においては、マトリクスアレイに加えてブラックマトリクス 1 1 6 も形成された透明基板 1 0 9 と、カラーフィルタおよび共通電極が形成された他方側の透明基板（図示せず）との間に液晶が封入されて、液晶表示装置が構成される。そして、データ線 1 0 2 a , 1 0 2 b - . . およびゲート線 1 0 3 a , 1 0 3 b · · ' によって伝達される信号によって、共通電極と各面素電極 1 0 6 との間に発生する電位を制御して、面素領域毎の液晶の配向状態を変え、情報を表示するようになつている。

ここで、従来の液晶表示装置においては、共通電極が形成された透明基板には、透明基板 1 0 9 の面素領域の境界領域に対応するブラッ

Z 0 クマトリクスが形成されているが、本例の液晶表示装置においては、各クロム層、たとえば、クロム展 1 1 6 b bが面素領域 1 0 l ¾ b と周囲の面素領域との境界領域に形成されていることを利用して、各クロム層 1 1 6 b b , 1 1 6 a b , 1 1 6 b a , 1 1 6 c b , 1 1 6 b c . . . をブラックマトリクスとして利用するため、共通電極が形成された透明基板の側にはブラックマトリクスを形成しておく必要がな新たな甩紙い。従って、従来のように、 2枚の透明基板を対向させるときに、各画素領域の境界領域とブラックマトリクス 1 1 6 との位置合わせ精度が問題にならないので、ブラックマトリクス 1 1 6 の幅を、各画素領域の境界領域、すなわち、データ線 1 0 2 a , 1 0 2 b · · ' およびゲート線 1 0 3 a , 1 0 3 b などの幅に対応させて、最小限の幅に設定できる。それ故、液晶表示装置の開口率を向上可能である。

また、クロム展 1 1 6 b b は、データ線 1 0 2 a , 1 0 2 b , ゲート線 1 0 3 a , 1 0 3 bおよび隣接する画素領域 1 0 l a b , 1 0 1 b a , 1 0 1 c b , l O l b c の画素電極から絶縁分離されている一方で、同じ画素領域 1 0 1 b b の画素電極 1 0 6 には導電接続しているため、クロム層 1 1 6 b b の電位は、液晶表示装置の動作状態にかかわらず、常に面素電極 1 0 6 と同じ電位が印加された状態にある。それ故、クロム層 1 1 6 b b の電位は、画素領域 1 0 1 b b において . 面素電極 1 0 6 と共通電極との間に存在する液晶の配向状態を乱すことがないので、高い表示品質が得られる。また、ブラックマトリクス 1 1 6 は、画素領域 1 0 1 b b など、画素領域毎に電気的に独立した状態のクロム層 1 1 6 b b ' · ' によって構成されているため、たとえば、画素領域 1 0 1 b b において、クロム層 1 1 6 b b とデータ線 1 0 2 a とが短絡状態にあっても、この画素領域 1 0 1 b b のみが表示不可能、すなわち、その影響は表示の点欠陥の発生に止まるので、液晶表示装置の信頼性も高い。

荬施例 2

第 3図は、本発明の実施例 2 に係る液晶表示装置のマトリクスァレィの一部を示す平面図、第 4図は、その 11一 11線における断面図である。ここて、実施例 1 に係る液晶表示装置の各部分と対応する機能を有する部分については同符号を付して、それらの詳細な説明は省略する。

この実施例に係る液晶表示装置においても、垂直方向のデータ線 1 0 2 a , 1 0 2 1) · · · と、水平方向のゲ一ト.線 1 0 3 a , 1 0 3 b - ， · とが格子状に配線されて区面形成された各画素領域 1 0 1 a a , 1 0 1 a b , 1 0 1 a c , 1 0 1 b a , l O l b b - * ' のうち、たとえば、画素領域 1 0 1 b b (第 1 の面素領域）においては、透明基板 1 0 9 の表面側に T F T 1 0 8が形成されており、それらの表面側には、シリコン酸化膜からなる下展側展簡絶縁膜 1 1 3が堆積されている。そして、第 1 の接続孔 1 1 3 a を介して、データ線 1 0 2 aがソース 1 0 4に導電接続している。さらに、それらの表面側には上展側展間絶縁膜 1 1 5 も形成されており、これらの第 1 および上展側厣間絶縁膜 1 1 3 , 1 1 5を貫通する接続孔 1 1 5 aを介して、遮光性および導電性を有するクロム層 1 1 6 b b (導電性遮光層）がドレイン 1 0 7 に導電接続している。そして、ドレイン 1 0 7を介して電位が印加されるべき画素電極 1 0 6 は、上屠側層間絶縁膜 1 1 5 の表面側に形成されてクロム層 1 1 6 b b に導電接続している。ここで、クロム層 1 1 6 b b は、実施例 1 と同様に、その外端緣 1 1 6 Xが面素領域 1 0 1 b b と、それに隣接する画素領域 1 0 1 a b , 1 0 1 a , 1 0 1 c b , l O l c b (第 2 の画素領域）との境界領域、すなわち、データ線 1 0 2 a , 1 0 2 bおよびゲート線 1 0 3 a , 1 0 3 bの形成領域の直上に位置するように形成されており、これらのデータ線 1 0 2 a , 1 ひ 2 bおよびゲート線 1 0 3 a , 1 0 3 b とは展間絶緣腠 1 1 3 , I 1 5 によって絶緣分離された状態にある。さらに、クロム屐 1 1 6 b b のような導電性遮光層は、いずれの面素領域にもクロム層 1 1 6 a b , 1 1 6 b a ' · · として形成されているが、いずれのクロム層も隣接する画素領域のクロム層とは絶緣分離された状態にある。たとえば、クロム展 1 1 6 b b は、画素領域 1 0 l a b , 1 0 1 b a , l O l b c , l O l c b の各画素電極 1 0 6 と絶緣分離された状態にある。このため、クロム層 1 1 6 b b には、同じ画素領域 1 0 1 b b の画素電極 1 0 6 を介してのみ電位が印加される状態にある。そして、データ線 1 0 2 a の表面側は、屑間絶緣膜 1 1 5 およびクロム層 1 1 6 b b , 1 1 6 b a の端部によって覆われ、データ線 1 0 2 a に印加された電位が、その表面側の液晶に影響を及ぼすことがないようになっている。

このような構成の液晶表示装置においても、実施例 1 に係る液晶表示装置と同様に、透明基扳 1 0 9 の側に、マトリクスアレイに加えてその各画素領域の境界領域に対応してブラックマトリクス 1 1 6 が形成されているため、ブラックマトリクス 1 1 6 の幅を必要最小限の幅に設定することができるので、液晶表示装置の開口率が高い。また、クロム層 1 1 6 b b は、同じ画素領域 1 0 1 b b の画素電極 1 0 6 のみに導電接続しているため、液晶表示装置の動作状態にかかわらず、クロム層 1 1 6 b b には画素電極 1 0 6 の電位と同じ電位が印加された状態にあり、クロム層 1 1 6 b b の電位が、画素電極 1 0 6 と共通電極との間に存在する液晶の配向状態を乱すことがない。また、いずれのクロム層も画素領域毎に電気的に独立しているため、 1 つの画素領域 1 0 1 b bにおいて、クロム層とデータ線などとが短絡しても、その影響が表示の点欠陥が発生するに止まるので、液晶表示装置の信頼性が高いままである。

実施例 3_ 第 5図は、本発明の実施例 3 に係る液晶表示装置のマトリクスァレィの一部を示す平面図、第 6図は、その III一 III 線における断面図である。ここで、実施例 1 に係る液晶表示装置の各部分と対応する機能を有する部分については同符号を付して、それらの詳細な説明は省酪する。

この実施例に係る液晶表示装置においても、たとえば、面素領域 1 0 1 b b (第 1 の面素領域）においては、実施例 1 と同様に、透明基板 1 0 9 の表面側に形成された T F T 1 0 8 に対し、データ線 1 0 2 a は下展側展間絶縁膜 1 1 3 の接続孔 1 1 3 aを介してソース 1 0 4 に導電接続している一方、面素電極 1 0 6 は上層側層間絶縁膜 1 1 3 bを介してドレイン 1 0 7 に導電接続している。そして、面素電極 1 0 6 には、上展側展間絶縁膜 1 1 5 の表面側に形成されたクロム展 1 1 6 1> 1)が、接続孔 1 1 5 3 を介して導電接続している。

本例において、クロム層 1 1 6 b b は、その外端縁 1 1 6 がデータ線 1 0 2 a およびゲート線 1 0 3 a を越えて、隣接する画素領域 1 0 1 a , 1 0 1 c b の内側にまで拡張されている。一方、画素領域 1 0 1 b b における画素領域 1 0 1 b c , 1 0 1 a b との境界領域側には、クロム展 1 1 6 b bが形成されておらず、クロム層 1 1 6 b b は、隣合う境界領域上で L字状を呈している _ft そして、面素領域 1 0 1 b b における面素領域 1 0 1 b c との境舁領域側には、面素領域 1 0 1 b c に形成されたクロム層 1 1 6 b c の端部がデータ線 1 0 2 b を越えて、面素領域 1 0 1 b b の内側にまで拡張されている。また、面素領域 1 0 1 b b における画素領域 1 0 1 a b との境界領域側には、面素領域 1 0 1 a b に形成されたクロム層 1 1 6 a b の端部がゲート 1 0 3 bを越えて、画素領域 1 0 1 b b ©内側にまで拡張されてい一 1 る。その結果、画素領域 1 0 1 b b は、それ自身に対応して形成されたクロム層 1 1 6 b b と、隣接する画素領域 1 0 1 b e , 1 0 1 a b に対応して形成されたクロム層 1 1 6 b c , 1 1 6 a b とによって区画形成された状態にある。

本例においては、これらのクロム展 1 1 6 b b , 1 1 6 b c , 1 1 6 a b · · · が各画素領域 1 0 1 b b ' · ' を区画形成する状態にあることを利用して、クロム層 1 1 6 b b ' · ' をブラックマトリクス 1 1 6 として利用する。

このため、本例の液晶表示装置においては、実施例 1 と同様に、液晶表示装置の開口率が高められており、また、ブラックマトリクス 1 1 6がフローティング状態にないので、その電位が液晶の乱れを引き起こさない。さらに、ブラックマトリクス 1 1 6 は画素領域毎に電気的に独立したクロム眉 1 1 6 b b , 1 1 6 b c , 1 1 6 a b * ' - から構成されているので、クロム層 1 1 6 b b , 1 1 6 b c , 1 1 6 a b - · · の 1 つの画素領域における短絡の影響は表示の点欠陥に止まる。

さらに、本例においては、実施例 1 および実施例 2 の液晶表示装置と異なり、クロム層 1 1 6 b b , 1 1 6 b c , 1 1 6 a b ' - . の端部同士がデータ線 1 0 2 a , 1 0 2 b - · · およびゲート線 1 0 3 a 1 0 3 b . · ' 上で広い範囲にわたって近接配置されていない。このため、ブラックマトリクス 1 1 6 を形成するプロセスにおいて、通常の精度をもってクロム層 1 1 6 b b , 1 1 6 b c , 1 1 6 a b · - - を形成しても、それらが互いに短絡することもない。さらに、画素領域 1 0 6 は層間絶緣膜 1 1 3 の表面上に形成され、クロム層 1 1 6 b , 1 1 6 b c： 1 1 6 a b · · - は層間絶緣膜 1 1 5 の表面上に形成されている。すなわち、画素領域 1 0 6 と、隣接する画素領域のクロム展 l l 6 b b , 1 1 6 b c , 1 1 6 a b ' - ' とが異なる展上に形成されているため、それらを近接して配置しても、短絡しあうこともない。それ敌、面素領域毎に電気的に独立したクロム展 1 1 6 b b 1 1 6 b c , 1 1 6 a b · · ' からなるブラックマトリクス 1 1 6を容易に形成することができる。

なお、実施例 3 においては、隣接する面素領域との境舁領域のうち- 隣合う 2つの境界領域側に導電性遮光展としてのクロム層 1 1 6 b b , 1 1 6 b c , 1 1 6 a b · · ' を配置し、このクロム展および他の 2 つの境界領域側で隣接する画素領域のクロム展によって、画素領域は隣接する各面素領域から区画されている構成であつたが、実施例 3 の変形例として、第 7図に示すように、ブラックマトリクス 1 1 6を、隣接する面素領域との境界領域のうち、対向する 2つの境界領域側に導電性遮光展としてのクロム展 1 1 8 a b , 1 1 8 b c , 1 1 9 a b , 1 1 9 b c · · · を隣接する画素領域毎に属する方向を変えて形成したものであってもよい。この場合には、各クロム展 1 1 8 a b , 1 1 8 b c , 1 1 9 a b , 1 1 9 b c ' - ' は、それぞれ図中の「→」で示す方向の面素領域 1 O l a a , 1 0 1 a b , l O l a c - - ' の面素電極に導電接続した構造となる。

ここで、液晶表示装置を構成する各要素の形状、構造、材質などは、製造すべき液晶表示装置のサイズ、用途などによって、所定の条件に設定されるべき性質のものであり、限定のないものである。

また、いずれの実施例においても、ブラックマトリクスを構成する導電性遮光屠にクロム層を用いたが、その材質には限定がなく、導電性および遮光性を有する材料であれば、チタンゃアルミニゥムといつた金属層，シリコン展，モリブデンシリサイドゃタングステンシリサィドといったシリサイト化合物などを用いることもできる。

実施例 4

第 8 図は、本発明の実施例 4 に係る液晶表示装置に用いたァクティブマトリタス基板の一部を示す概略平面図、第 9 図は、その IV— IV線における断面図である。

本例の液晶表示装置においても、実施例 1 に係る液晶表示装置と同様に、垂直方向のデータ線 2 0 2 a , 2 0 2 b - · · (信号線）と、水平方向のゲート線 2 0 3 a > 2 0 3 1) · · · (走査線）とが格子状に配置され、それらの間に各画素領域 2 0 1 a a , 2 0 1 a b , 2 0 1 a c · · · が区画形成されており、以下に画素領域 2 0 1 b b (第 1 の画素領域）を例にとって、その構造を説明する。ここで、第 9 図に示す対向基板 2 3 0 の側には、カラー表示可能とするためのカラーフィルタ 2 3 2 , 共通電極 2 3 3 および対向基板側配向膜 2 3 4 が形成されている。また、対向基板 2 3 0 の側には、対向基板側ブラックマトリクス 2 3 1 が形成されているが、本例の液晶表示装置においては、後述するとおり、アクティブマトリクス基板の側にもブラックマトリタスが形成されており、対向基板側ブラックマトリクス 2 3 1 は、ァクティブマトリクス基板の側のブラックマトリクスを補完する目的に設けられている。

第 8 図に示すように、画素領域 2 0 1 b b (第 1 の画素領域）には画素領域 2 0 1 a b , 2 0 1 b a , 2 0 1 c b , 2 0 1 b c (第 2 の画素領域）が隣接しており、画素領域 2 0 1 b b においては、データ線 2 0 2 a が導電接続するソース 2 0 4 、ゲート線 2 0 3 b が導電接続するゲート電極 2 0 5 および画素電極 2 0 6 が導電接続するドレイン 2 0 7 によって、 T F T 2 0 8 が構成されている。ここで、面素電極 2 0 6 は、導電性および光透過性の材料としての I T Oからなる透明電極であって、画素領域 2 0 1 b bの略全面にわたって形成されており、その端部がデータ線 2 0 2 a , 2 0 2 bおよびゲート線 2 0 3 a , 2 0 3 bの直上に位置するまで拡張されている。そして、いずれの面素電極 2 0 6 も前段のゲート線 2 0 3 a の側に広い重なり面積を有している。

この T F T 2 0 8 の断面構造は、第 9図に示すように、液晶表示装置全体を支持する透明基板 2 0 9 の表面側に多結晶シリコン層 2 1 0 が形成されており、この多結晶シリコン展 2 1 0 には、真性の多結晶シリコン領域であるチャネル領域 2 1 1 を除いて、 n型の不純物としてのリンが導入されてソ一ス 2 0 4：およびドレイン 2 0 7 が形成されている。この T F T 2 0 8 の表面側には、シコン酸化膜からなる下層衝展間絶縁膜 2 1 3が堆積されており、それには第 1 の接続孔 2 1 3 aが開口され、この第 1 の接続孔 2 1 3 aを介して、アルミニウム展からなるデータ線 2 0 2 a がソース 2 0 4に導電接続している。

さらに、本例の液晶表示装置においては、下屑側層間絶縁膜 2 1 3 の表面側に、上展側展間絶縁膜 2 1 5が形成されており、この上展側層藺絶緣膜 2 1 5および下層側展間絶縁膜 2 1 3 には第 2 の接続孔 2 1 5 a が開口されている。そして、第 2 の接続孔 2 1 5 aを介して面素電極 2 0 &がドレイン 2 0 7 に導電律続している。ここで、画素電極 2 0 6 は、面素領域 2 0 1 b b とそれに隣接する面素領域 2 0 1 a b , 2 0 1 b a , 2 0 1 b c , 2 0 1 c b との境界領域において、その外嬙縁 2 0 6 Xがデータ線 2 0 2 a , 2 0 2 bおよびゲート線 2 0 3 a , 2 ひ S bの直上に位置するように形成されている。また、本例の液晶表示装置においては、上層側層間絶縁膜 2 1 5 の表面側であって画素電極 2 0 6 の下層側には、遮光性および導電性を備えるモリブデンシリサイド展 2 1 6 b b (導電性遮光層）が形成されており、このモリブデンシリサイド層 2 1 6 b b は、画素領域 2 0 l b b と、それに隣接する画素領域 2 0 1 a b , 2 0 1 b a , 2 0 1 c b , 2 0 1 b c との境界領域において、その外端縁 2 1 6 X がデータ線 2 0 2 a > 2 0 2 b およびゲ 2 ート線 2 0 3 a , 2 0 3 b の直上に位置するように形成されて、しかも、画素電極 2 0 6 の外端縁 2 0 6 X と一致している。ここで、モリブデンシリサイド層 2 1 6 b b のような導電性遮光層は、いずれの画素領域にも同様に形成されているが隣接する画素領域 2 0 1 a b , 2 0 1 b a , 2 0 1 c b , 2 0 1 b c のいずれのモリブデンシリサイド層 2 1 6 a b , 2 1 6 b a , 2 1 6 c b , 2 1 6 b c の外端緣 2 1 6 x とも、モリブデンシリサイド暦 2 1 6 b b は、データ線 2 0 2 a , 2 0 2 b およびゲート線 2 0 3 a , 2 0 3 b の直上位置で絶緣分離された状態にある。従って、モリブデンシリサイド層 2 1 6 b b は、同じ画素領域 2 0 1 b b の画素電極 2 0 6 から電位が印加されることがあっても、他の画素領域の画素電極から電位が印加されない状態にある。加えて、データ線 2 0 2 a の表面側略全体は、層間絶緣膜 2 1 5 , モリブデンシリサイド層 2 1 6 b b , 2 1 6 b a の端部および画素電極 2 0 6 の端部によって覆われているため、データ線 2 0 2 a に印加された電位が、その表面側の液晶に対して影響を及ぼすこともないようになっている。

このような構成をもって、透明基板 2 0 9 の表面側に形成されたァクティブマトリクスには、画素電極 2 0 6 およびモリブデンシリサイド餍 2 1 6 b b の表面側に配向膜 2 2 0 が形成された状態で、対向基扳 2 3 0 との間には液晶が充塡されて、液晶の配向を利用した表示が可能になる。

このような構成の液晶表示装置においては、各モリブデンシリサイド展 2 1 6 b b , 2 1 6 a b , 2 1 6 b a - ， * をブラックマトリクス 2 1 6 として利用するため、データ線およびゲート線が遮光性を有していれば対向基板 2 3 0 の側にブラックマトリタスを必要としないか、あるいは、データ線またはゲート線が遮光性を有していなければ、第 9図に示す対向基板側ブラックマトリクス 2 3 1 のように、補完的に形成するだけでよく、 2枚の透明基板を対向させるときの位置合わせ精度を考慮して、ブラックマトリクス 2 1 6または対向基板側ブラックマトリクス 2 3 1 の幅を不必要に広くする必要がない。ここで、各モリブデンシリサイド層 2 1 6 b b , 2 1 6 a b · · · は、面素領壊 2 0 1 b b , 2 0' 1 a b · - - と同一の透明基板 2 0 9 の表面側につくり込まれているため、位置関係の精度が高く、データ線 2 0 2 a , 2 0 2 b - - - およびゲート線 2 0 3 a , 2 0 3 bなどの幅に対応させて、最小限の幅に設定できるので、液晶表示装置の開口率を高くすることができる。また、モリブデンシリサイド展 2 1 6 b b の電位は、常に面素電極 2 0 6 と同じ電位が印加される状態にあるため、モリブデンシリサイド層 2 1 6 b bの電位が液晶の配向状態を乱すことがないので、高い表示品質が得られる。

しかも、面素電極 2 0 6およびブラックマトリクス 2 1 6のいずれもが電極として作用しても、画素電極 2 0 6 の外周範囲とブラックマトリクス 2 1 6 の外周範囲とを一致させることができるので、これらの電極からの電位のまわり込むことによって液晶の配向が乱れる領域 f リノ'；ースチルトドメイン領域）をブラックマトリクス 2 1 Sで確宾に覆うことができる。さらに、ブラックマトリクス 2 1 6 は、画素領域毎に電気的に独立した状態のモリブデンシリサイド層 2 1 6 b b ·

• - によって構成されているため、たとえば、画素領域 2 0 1 b b において、モリブデンシリサイド餍 2 1 6 b b とデータ線 2 0 2 a とが短絡状態にあっても、この画素領域 2 0 1 b b の点欠陥のみに止まるので、液晶表示装置の信頼性も高い。

さらに、液晶表示装置の高精細化に伴って、画素領域 2 0 1 b b は微細化されているため、画素領域 2 0 1 b b における表示容量が減少し、オフ抵抗の高い T F T 2 0 8 を構成してリーク電流を小さくしても、ゲート線 2 0 3 b の非選択期間内に表示電圧が低下し、表示の保持特性が低くなりやすい傾向がある。しかしながら、本例の液晶表示装置においては、画素電極 2 0 6 の端部が前段のゲ一ト線 2 0 3 a の上方に位置し、それらの間で電荷蓄積容量を形成している。このため画素領域 2 0 1 b bの選択期間中は、前段のゲート線 2 0 3 a が非選択期間で、ゲート線 2 0 3 a には基準電位が印加されていることを利用して、電荷蓄積容量に電荷を蓄積し、画素領域 2 0 1 b b の液晶印加電圧の保持特性を向上することもできる。

つぎに、第 1 0図（ a ) 〜（ c ) に示す領域のうちの左側領域を参照して、本例の液晶表示装置の製造方法の一部を説明する。第 1 0図

( a ) 〜（ c ) は、本例の液晶表示装置の製造方法の一部を示す工程断面図である。

ここで、第 1 0図（ a ) に示すように、透明基板 2 0 9 の上に T F T 2 0 8を形成するまでの工程については、周知の方法を採用できるので、それらの説明は省略するが、 T F T 2 0 8 を形成した後に、まず、下層側層間絶縁膜 2 1 3 を形成する。つぎに、第 1 の接続孔 2 1 3 aを形成し、そこにアルミニウム屠からなるデータ線 2 0 2 aを形成して、データ線 2 0 2 a を T F T 2 0 8 のソース 2 0 4 に導電接続する。つぎに、下展側展間絶緣膜 2 1 3 の表面側に上展側層間絶緣膜 2 1 5を形成した後に、この上層側層間絶緣膜 2 1 5 に第 2 の接続孔 2 1 5 aを形成する。

つぎに、モリブデンシリサイド層を堆積した後に、第 1 0図（ b ) に示すように、それをパターニングして、モリブデンシリサイド展 2 1 6 a を形成する。この状態では、まだ、モリブデンシリサイド展 2 1 6 a は、ブラックマトリクス 2 1 6を構成するバターンにまでバタ一ユングされた状態にない。

つぎに、モリブデンシリサイド展 2 1 6 a の表面側に I T 0展 2 0 6 aを形成した後に、まず、 I T O展 2 0 6 aをパターユングして、第 1 0図（ c ) に示すように、画素電極 2 0 &を形成する。その後に、面素電極 2 0 6をパターユング形成したときのマスクをそのまま利用して、または、面素電極 2 0 6 自身をマスクとしてモリブデンシリサィド展 2 1 6 aをパターユングして、ブラックマトリスク 2 1 6を構成すべきモリブデンシリサイド展 2 1 6 b bを形成する。このように、面素電極 2 0 6およびモリブデンシ ¹ /サイド展 2 1 6 b bのうちの下展側にある展に対するパターニング工程では、上層側にある層の外端緣または上層側にある層のパターユングに用いたマスクをマスクとしてパターユングを行う。

その結果、面素電極 2 0 6 の外端緣 2 0 6 X とモリブデンシリサイド層 2 1 6 b b の外嬙緣 2 1 6 X とは一致し、いずれもデータ線 2 0 2 a の直上位置にある搆造となる。なお、以降の工程については、周知の工程を採用できるので、その説明を省略する。以上のとおり、本例に係る液晶表示装置の製造方法によれば、画素電極 2 0 6 をパターユング形成するときには、その下層側にはモリブデンシリサイド展 2 1 6 a があって下層側が保護されている。このため、 I T O展 2 0 6 a をパターユングするのに塩素系のエッチヤントを使用したときに、上層側眉間絶縁膜 2 1 5 にピットなどがあってもエツチヤントによって下層側にあるアルミユウム層で構成されたデ一タ線 2 0 2 a が侵されることがない。このため、データ線 2 0 2 a に断線などが発生しないので、液晶表示装置の信頼性が向上する。

なお、第 1 0 図（ a ) 〜（ c ) に示す領域のうち、右側領域に示す工程断面図は、上記の製造方法に対する変形例である。

すなわち、第 1 0 図（ b ) に示すように、第 2 の接続孔 2 1 5 a の内部には、モリブデンシリサイド展 2 1 6 a を残した状態にしてある , このため、第 1 0 図（ c ) に示すように、画素電極 2 0 6 を形成した後において、 I T 0層からなる画素電極 2 0 6 は、モリブデンシリサィド展 2 1 6 b b を介してシリコンからなるドレイン領域 2 0 7 に導電接続することになるため、画素電極 2 0 6 とドレイン領域 2 0 7 とを直接的に接続した場合に比して、そこでの接触抵抗を低減することもでき、表示品質の向上を図ることもできる。

なお、図 1 0 ( a ) 〜（ c ) の左側領域および右側領域のいずれの側に示す製造方法で形成されたァクティブマトリクス基板も、画素領域 2 0 6 がブラックマトリクス 2 1 6 の上層側にある構造であるが、これに限らず、画素領域 2 0 6 とブラックマトリクス 2 1 6 との上限蘭係が逆の構造にすることも可能である。

実施例 5

第 1 1 図は、本発明の実施例 5 に係る液晶表示装置に用いたァクテ新たな用紙イブマトリクス基板の一部を示す概略平面図、第 1 2図は、その ' — V線における断面図である。ここで、第 8図および第 9図に示した実施例 4に係る液晶表示装置の各部分と対応する機能を有する部分については同符号を付して、それらの詳細な説明は省略する。

本例の液晶表示装置においても、画素領域 2 0 1 b b (第 1 の面素領域）には、面素領域 2 0 1 a b , 2 0 1 b a , 2 0 1 c b , 2 0 1 b c (第 2の面素領域）が隣接している。ここで、画素領域 2 0 l b bには、ソース 2 0 4 , ゲート電極 2 0 5およびドレイン 2 0 7 によつて、 T F T 2 0 8が構成されており、この TF T 2 0 8の表面側には、シリコン酸化膜からなる下層側層藺絶縁膜 2 1 3が堆積されている。この下展側展間絶録膜 2 1 3には第 1 の接檨孔 2 1 3 aおよび第 2の接続孔 2 1 3 bが開口され、そのうちの第 1の接続孔 2 1 3 aを介して、アルミニウム展からなるデータ線 2 0 2 aがソース 2 0 4に導電接続し、第 2の接続孔 2 1 3 bを介しては I T 0展からなる面素電極 2 0 6がドレイン 2 0 7 に導電接続している。

ここで、面素電極 2 0 6 は、面素領域 2 0 1 b b と、それに隣接する面素領域 2 0 1 a b , 2 0 1 a , 2 0 1 b c , 2 0 1 c b との境界領域の近傍にまで形成されて、その外端緣 2 0 6 Xは、データ線 2 0 2 a , 2 0 2 bおよびゲート線 2 0 3 a , 2 0 3 bの形成位置から内側にある。また、本例の液晶表示装置においても、面素電極 2 0 6 の表面側に遮光性および導電性を備えるモリブデンシリサイド層 2 1 6 b b (導電性遮光層）を有し、このモ！；ブデンシリサイド層 2 1 6 b b も、面素領域 2 0 1 b b と、それに隣接する画素領域 2 0 1 a b , 2 0 1 b a , 2 0 1 b c , 2 0 1 c b との境界領域の近傍にまで形成されて、その外嬙緣 2 1 6 x 、データ線 2 0 2 a _: 2 0 2 bおよびゲート線 2 0 3 a , 2 0 3 b の形成位置から内側にあって、画素電極 2 0 6 の外端緣 2 0 6 X と一致している。ここで、モリブデンシリサィド層 2 1 6 b b の幅については、画素領域 2 0 1 b b において液晶の配向に乱れが生じやすい側の幅を太くし、乱れが生じにくい側の幅を狭くすることが好ましい。そこで、本例の液晶表示装置において、データ線 2 0 2 a の側でデータ線 2 0 2 a の電荷の影響によって液晶の配向が乱れるリバースチルトドメイン領域を遮光する目的に、モリ

7

ブデンシリサイド層 2 1 6 b b のデータ線 2 0 2 a の側の幅 W 1 は、データ線 2 0 2 b の側の幅 W 2 に比して太くなるように設定し、ァラィメントずれが発生しても、確実にリバースチルトドメイン領域を覆うことによって、表示の品位を高く維持する一方、開口率の低下を最小限に抑えるようにしてある。

このような構成の液晶表示装置においても、各モリブデンシリサイド層 2 1 6 b b ' ' ' をブラックマトリクスとして利用するため、透明基板 2 0 9 の側に構成されたアクティブマトリクス基板の側と、対向基板 2 3 0 の側とを対向させるときに、モリブデンシリサイド層 2 1 6 b b が対向基板側ブラックマトリクス 2 3 1 の位置合わせにおけるマージンとなって、位置合わせ精度が問題にならない。また、モリブデンシリサイド層 2 1 6 b b の電位は、画素電極 2 0 6 と同じ電位が印加された状態にあるため、液晶の配向状態を乱すことがないので高い表示品質が得られる。また、ブラックマトリクス 2 1 6 は、画素毎に電気的に独立した状態のモリブデンシリサイド層 2 1 6 b b - - - によって構成されているため、画素領域 2 0 1 b b において、モリブデンシリサイド層 2 1 6 b b とデータ線 2 0 2 a とが短絡状態にあつても -、この画素領域 2 0 1 b b のみの表示の点欠陥に止まるのて -. 液晶表示装置の信頼性も高い。

つぎに、第 1 3図（ a ) 〜（ d ) に示す領域のうちの左側領域を参照して、本例の液晶表示装置の製造方法の一部を説明する。第 1 3図 ( a ) ~ C d ) は、本例の液晶表示装置の製造方法の一部を示す工程断面図である。

ここで、第 1 3図（ a ) に示すように、透明基板 2 0 9の上に T F T 2 0 8を形成するまでの工程については、周知の方法を採用できるので、それらの説明は省略するが、 T F T 2 0 8を形成した後には、まず、下層刨展間 ί色緣膜 2 1 3を堆積した後に、下展側層間絶緣膜 2 1 3に第 1の接続孔 2 1 3 aおよび第 2の接続孔 2 1 3 bを形成する。つぎに、面素電桎 2 0 6を形成すべき I T O層 2 0 6 aをスパッタ形成する。

つぎに、第 1 3図（ b ) に示すように、モリブデンシリサイド層 2 1 6 aを堆積した後に、モリブデンシリサイド展 2 1 6 a のみをパタ一ユングする。この状態では、まだ、モブデンシリサイド展 2 1 6 a は、ブラックマトリクス 2 1 6を構成するパターンにまでパター二ングされていない状態である一方、 I T 0展 2 0 6 a も、面素電極 2

0 6を構成するパターンにパターユングされていない状態である。

つぎに、第 1 3図（ c ) に示すように、 I T O展 2 0 6 aをパターユングするに先立って、モリブデンシリサイド展 2 1 6 a の端縁をパターニングして、ブラックマトリクスを構成するモリブデンシリサイド屠 2 1 6 b bを形成した後に、そのまま同じマスクを利用して I T 0展 2 0 6 aをパターユングして画素電極 2 0 6を形成する。ここで、エッチング精度を高く確保する目的に、モリブデンシリサイド層 2 1 6 aに対しては C F ₄ ガスによってプラズマエッチングを施す一方、 1 T 0展 2 0 6 a に対しては、モリブデンシリサイド層 2 1 6 a に対するプラズマエッチングに引き続いて、 C H ₄ ガスと H ₂ ガスとの混合ガスを用いて異方性ドライエッチングを施す。その結果、画素電極

2 0 6 およびモリブデンシリサイド屑 2 1 6 b b の外端縁 2 0 6 χ , 2 1 6 x は、いずれも、画素領域 2 0 1 b b と、それに隣接する画素領域 2 0 1 a b , 2 0 1 b a , 2 0 1 b c , 2 0 1 c b との境界領域の近傍において一致する構造となる。なお、 C F ₄ ガスによるプラズマエッチングは、モリブデンシリサイド展 2 1 6 a に代えて、モリブデンシリサイド展ゃタングステンシリサイド層を採用しても同様に行なえる。

つぎに、データ線 2 0 2 a , 2 0 2 bを構成すべきアルミニウム層を形成した後に、第 1 3図（ d ) に示すように、パターユングを行つて、データ線 2 0 2 a を形成する。

以降の工程については、周知の工程を採用できるので、それらの説明は省略する。

以上のとおり、本例に係る液晶表示装置の製造方法によれば、面素電極 2 0 6 およびブラックマトリクス 2 1 6 がいずれも電極として作用しても、画素電極 2 0 6 の外周範囲とブラックマトリクス 2 1 6 の外周範囲とを一致させることができので、これらの電極からの電位が液晶に及ぼす配向の乱れをブラックマトリクス 2 1 6 で確実に覆うことができる。

なお、第 1 3図（ a ) 〜（ d ) に示す領域のうちの右側領域に示す工程断面図は、上記の製造方法に対する変形例である。

すなわち、第 1 3図（ b ) に示すように、下屑側層間絶緣膜 2 1 3 を形成した後の領域 a — 1 および領域 a - 2 において、下層側層間絶な用紙縁膜 2 1 3 の表面側に I T O屑 2 0 6 aを形成した後に、第 1 の接続孔 2 1 3 a および第 2 の接続孔 2 1 3 bを形成する。

つぎに、第 1 3図（ b ) に示すように、モリブデンシリサイド展 2 1 6 aを形成する。その結果、 T F T 2 0 8 のソース 2 0 4およびド 5 レイン 2 0 7 にモリブデンシリサイド展 2 1 6 aが導電接続する状態になる。

つぎに、第 1 3図（ c ) に示すように、モリブデンシリサイド S 2 1 6 a をパターユングして、ブラックマトリクス 2 1 6を構成するモリブデンシリサイド展 2 1 6 b bを形成するとともに、領域 c一 1 ,

0 c — 2 においては、第 1 の接続孔 2 1 3 a , 2 1 3 bの内部にモリブデンシリサイド展 2 1 6 b , 2 1 6 cを残す。その後に、モリブデンシリサイド展 2 1 6 b bの端部をマスクとして利用し、 I T O展 2 0 6 aをパターユングして面素電極 2 0 6を形成する。その結果、面素電極 2 0 6およびモリブデンシリサイド展 2 1 6 b bの外端縁 2 0 6

_; X , 2 1 6 x は、いずれも、面素領域 2 0 1 b b と、それに隣接する面素領域 2 0 1 a b , 2 0 1 b a , 2 0 1 b e , 2 0 1 c b との境界領域の近傍において一致する構造となる。

しかる後に、第 1 3図（ d ) に示すように、領域 d— 1 のモリブデンシリサイド展 2 1 6 bの表面側にデータ線 2 0 2 aを形成し、デー

, タ線 2 0 2 aがモリブデンシリサイド展 2 1 6 bを介してソース 2 0 に導電接続する構造とする。

¾降の工程については、周知の工程を採用できるので、それらの説明は省略する。

このような製造方法によれば、アルミニゥム屠たるデータ線 2 0 2 a は、シリコンからなるソース 2 0 4に対してモリブデンシリサイド新たな用展 2 1 6 b を介して接続するので、アルミニウムとの共晶反応によつてシリコンがくわれることを防止できるため、薄いシリコン薄膜から T F T 2 0 8 を形成できるので、その〇 N / O F F比を向上することができる。

5 また、図 1 3 ( d ) における領域 d _ 2 においては、 I T〇層からなる画素電極 2 0 6 とシリコンからなるドレイン 2 0 7 とがモリブデンシリサイド餍 2 1 6 c を介して導電接続しているため、画素電極 2 0 6 とドレイン 2 0 7 とを直接的に接続した場合に比してその接触抵抗を低減することもでき、表示品質の向上を図ることもできる。

, ο なお、図 1 3 ( a ) 〜（ d ) の左側領域および右側領域のいずれの側に示す製造方法においても、画素領域 2 0 6 がブラックマトリクス 2 1 6 の下展側にある場合について説明したが、これに限らず、逆の構造にすることも可能である。

実施例 6

_{1 5} 第 1 4図は、本発明の実施例 4 に係る液晶表示装置に用いたァクテイブマトリクス基板の一部を示す概略平面図、第 1 5図は、その V I— V I線における断面図である。

本例の液晶表示装置は、その基本的な構造が実施例 4 に係る液晶表 . 示装置と同様であって、アクティブマトリクス基板の側と、対向基板 _{2 0} の側との間に充填する液晶の種類のみが異なるため、対応する部分には同符号を付してそれらの詳細な説明は省略する。

これらの図において、本例の液晶表示装置も、実施例 4 に係る液晶表示装置と同様に、画素領域 2 0 1 bには、画素電極 2 0 6 の表面側に遮光性および導電性を備えるモリブデンシリサイド層 2 1 6 b b _{2 5} (導電性遮光層）を有し、このモリブデンシリサイド層 2 1 6 b b は、新たな用紙画素領域 2 0 1 b b と、それに隣接する面素領域 2 0 1 a b , 2 0 1 b a , 2 0 1 b c , 2 0 l c b との境界領域にあって、その外端縁 2 I 6 xは、データ線 2 0 2 a , 2 0 2 bおよびゲート線 2 0 3 a , 2 0 3 bの直上において、画素電極 2 0 6の外端緣 2 0 6 x と一致している。

このような構成のアクティブマトリクス基板に対しては、対向基板 2 3 0が対向するように配置され、これらの基板の間には液晶 2 1 が充塡される。ここで、本例の液晶表示装置においては、ポリマー分散型液晶が充锾されているので、アクティブマトリクス基板および対向基板 2 3 0の表面側には配向膜が形成されていない。。その他の構成については、実施例 4に係る液晶表示装置と同様である。

本例の液晶表示装置においても、実施例 4に係る液晶表示装置と液晶の種類は異なるが、その各モリブデンシリサイド展 2 1 6 b b , 2 1 6 a b , 2 1 6 b a - · · をブラックマトリクス 2 1 6 として利用するため、対向基板 2 3 0の側にブラックマトリクスを必要としないか、あるいは、第 1 5図に示すように、対向基板側ブラックマトリクス 2 3 1を補完的に形成するだけでよいので、 2枚の透明基板を対向させるときの位置合わせ精度が問題にならない。従って、ブラックマトリクス 2 1 6および対向基板倒ブラックマトリクス 2 3 1 の幅に不必要にマージンを設ける必要がないので、液晶表示装置の開口率を高くすることができるなど、実施例 4に係る液晶表示装置と同様な効果を奏する。

実施例 7

第 1 6図は、本癸明の実施例 7 に係る液晶表示装置に用いたァクテイブマトリクス基板の一部を示す概略平面図、第 1 7図は、その VII -VII 線における断面図である。

本例の液晶表示装置においても、垂直方向のデータ線 3 0 2 a , 3 0 2 1) · · · (信号線）と、水平方向のゲート線 3 0 3 a , 3 0 3 b

- - · (走査線）とによって区画形成された画素領域のいずれの画素領域においても、画素領域 3 0 1 b b (第 1 の画素領域）のように、データ線 3 0 2 a が導電接続するソース 3 1 1 a 、ゲート線 3 0 3 b ' が導電接続するゲ— ト電極 3 0 5、および画素電極 3 0 6 が導電接続するドレイン 3 1 1 b によって、 T F T 3 0 8 が構成されている。ここで、 T F T 3 0 8 は、機能的には実施例 1 の液晶表示装置の T F T

! 0 などと同様であるが、本例の液晶表示装置においては、いわゆる逆スタガ型 T F Tとして構成されている。すなわち、液晶表示装置全体を支持する透明基板 3 0 9 の表面側に絶緣膜が形成されており、その表面にゲ一ト電極 3 0 5が形成されている。さらに、それらの表面側には、ゲート電極絶緣膜 3 0 5 a , ノンドープのアモルファスシリコン

I 5 層 3 1 0 および n型不純物が導入されたアモルファスシリコン層（ソース 3 1 1 a , 3 1 1 b ) が形成され、このアモルファスシリコン層

(ソース 3 1 1 a , 3 1 1 b ) に対して、ソース電極 3 0 4 a およびドレイン電極 3 0 7 a が形成されている。そのうち、ドレイン電極 3 0 7 a に対しては、 .層間絶縁膜 3 1 3 を介して、画素電極 3 0 6 が導

2 ϋ 電接続している。

さらに、本例の液晶表示装置においても、層間絶縁膜 3 1 3 の表面側において、面素電極 3 0 6 の下層側に遮光性および導電性を備えるモリブデンシリサ'イド層 3 1 6 b b (導電性遮光層）を有し、このモリブデンシリサイド層 3 1 6 b b は、画素領域 3 0 1 b b と、それに隣接する画素領域 S O l a b , 3 0 1 b a . 3 0 1 b e , 3 0 1 c b との境界領域にあって、その外端縁 3 0 6 X は、データ線 3 0 2 a , 3 0 2 bおよびゲート線 3 0 3 a , 3 0 3 b の直上に位置するように形成されている。ここで、モリブデンシリサイド層 3 1 6 b b のような導電性遮光展は、いずれの画素領域にも同様に形成されているが、いずれも隣接する面素領域の画素電極およびモリブデンシリサイド展とは絶縁分離された状態にある。その他の構成については、実施例 4 に係る液晶表示装置と同様であるため、対応する部分には同符号を付してそれらの説明は省略する。

このような構成の液晶表示装置においては、実施例 4に係る液晶表示装置と、 T F T 3 0 8 の構造の差に起因する構造的な差異はあるものの、その表示の原理は同様であるため、実施例 4に係る液晶表示装置と同様な効果を奏する。たとえば、各面素領域 3 0 1 b b · · · に形成されたモリブデンシリサイド展 3 1 6 b b * · ' をブラックマトリクス 3 1 6 として利用するため、対向基板 3 3 0 の側にブラックマトリクスを必要としないか、あるいは、第 1 7図に示す対向基板側ァクティブマトリクス 3 3 1 のように、デ一タ線 3 0 2 a , 3 0 3 a を通過する光のみを遮る補完的なものだけを形成するだけでよく、 2枚の透明基板を対向させるときの位置合わせ精度を考慮して、ブラックマトリクス 3 1 6 または対向基板側アクティブマトリクス 3 3 1 の幅を不必要に広くする必要がない。しかも、各モリブデンシリサイド層 3 1 6 b b - · - は、画素領域 3 0 1 b b ' ' ' と同一の透明基板 3 0 9 の表面側につくり込まれているため、位置関係の精度が高く、データ線 3 0 2 a , 3 0 2 b · - · およびゲート線 3 0 3 a , 3 0 3 b などの幅に対応させて、最小限の幅に設定できるので、液晶表示装置の開口率を高くすることができる。また、モ！ /ブデンシリサイド層 3 1 6 b b の電位が液晶の配向状態を乱すことがないので、高い表示品質が得られる。しかも、画素電極 3 0 6 の外周範囲とブラックマトリクス 3 1 6 の外周範囲とを一致させることができるので、これらの電極からの電位が液晶に及ぼす配向の乱れをブラックマトリクス 3 1 6 で確実に覆うことができるなどの効果を奏する。

実施例 8

第 1 8図は、本発明の実施例 8 に係る液晶表示装置に用いたァクテイブマトリクス基板の一部を示す概略平面図、第 1 9図は、その VIII 一 V 111線における断面図である。ここで、第 8図および第 9図に示した実施例 4 に係る液晶表示装置の各部分と対応する機能を有する部分については同符号を付してある。

本例の液晶表示装置においても、第 1 8図に示すように、画素領域 2 0 1 b b (第 1 の画素領域）には、データ線 2 0 2 a が導電接続するソース 2 0 4、ゲート線 2 0 3 bが導電接続するゲート電極 2 0 5 および画素電極 2 0 6 が導電接続するドレイン 2 0 7 によって、 T F T 2 0 8 が構成されている。ここで、画素電極 2 0 6 は、導電性および光透過性の材料としての I T Oからなる透明電極であって、画素領域 2 0 1 b b の略全面にわたって形成されており、その端部がデータ線 2 0 2 a , 2 0 2 b およびゲート線 2 0 3 a , 2 0 3 b の直上に位置するまで拡張されている。そして、いずれの画素電極 2 0 6 も前段のゲ一ト線 2 0 3 a の側に広い重なり面積を有している。

この画素領域 2 0 1 b b の断面構造は、第 1 9図に示すように、液晶表示装置全体を支持する透明基板 2 0 9 の表面側に形成された多結晶シリコン層 2 1 0 に、チャネル領域 2 1 1 を除いて、 n型の不純物としてのリンが導入されて、ソース 2 0 およびドレィン 2 0 7 が形成されている。この T F T 2 0 8 の表面輒には、シリコン酸化膜からなる下展側展間絶緣膜 2 1 3 が堆積されており、それには第 1 の接続孔 2 1 3 a と第 2 の接続孔 2 1 3 b とが開口されている。そのうちの第 1 の接続孔 2 1 3 a を介して、アルミニウム層からなるデータ線 2 0 2 aがソース 2 0 4 に導電接続している。

一方、第 2 の接続孔 2 1 3 bを介しては、面素電極 2 0 6 と同じく導電性および光透過性の材料としての I T Oからなる積み上げ電極展 2 1 4がドレイン 2 0 7 に導電接続している。ここで、下層側展間絶縁膜 2 1 3 の表面は、 T F T 2 0 8 の形状に対応して凹凸が反映され

I 0 ているが、積み上げ電極層 2 1 4 は、 T F T 2 0 8が形成されていない平坦な領域 2 0 8 a上（T F T 2 0 8 の非形成領域上）にまで拡張形成されている。従って、この領域 2 0 8 a上における稜み上げ電極展 2 1 4の表面は平坦になっている。

さらに、この液晶表示装置においては、透明基板 2 0 9 の表面側に、シリコン酸化膜からなる上層側展藺絶縁膜 2 1 5が形成されており、その表面側に面素電極 2 0 6が形成されている。ここで、面素電極 2 0 6 は、上層側層簡絶縁腠 2 1 5 の接続孔 2 1 5 aを介して種み上げ電極層 2 1 4 に導電接続しており、この接続孔 2 1 5 a は、 T F T 2 0 8が形成されていない平坦な領域 2 0 8 a上に形成されている。こ

Z 0 のため、面素電極 2 0 6 は積み上げ電極層 2 1 4の平坦領域に導電接続している。なお、上層側層間絶緣膜 2 1 5 としてはポリィミド層などを用いることなどにより、その表面を平坦化して、液晶の配向性をより高めてもよい。

本例においては、マトリクスァレイが形成された透明基板 2 0 9 と、 5 カラーフィルタおよび共通電極が形成された他方側の透明基板（図示せず）との間に液晶が封入されて、液晶表示装置が構成される。そして、データ線 2 0 2 a , 2 0 2 b . * - およびゲート線 2 0 3 a , 2 0 3 b · · · によって伝達される信号によって、共通電極と各画素電極 2 0 6 との間に発生する電位を制御して、画素領域毎の液晶の配向状態を変え、情報を表示するようになっている。ここで、画素電極 2 0 6へは、電位が T F T 2 0 8 のドレイン 2 0 7 および積み上げ電極層 2 1 4を介して印加される。

また、本例の液晶表示装置においては、上層側層間絶緣膜 2 1 5 の表面側であって画素電極 2 0 6 の下屑側には、遮光性および導電性を備えるモリブデンシリサイド展 2 1 6 b b (導電性遮光層）が形成されており、このモリブデンシリサイド層 2 1 6 b b は、画素領域 2 0 l b b と、それに隣接する画素領域 2 0 l a b , 2 0 1 b a , 2 0 1 b c , 2 0 1 c b との境界領域において、その外端緣 2 1 6 Xがデータ線 2 0 2 a , 2 0 2 bおよびゲート線 2 0 3 a > 2 0 3 b の直上に位置するように形成されて、しかも、画素電極 2 0 6 の外端緣 2 0 6 X と一致している。ここで、モリブデンシリサイド層 2 1 6 b b のような導電性遮光層は、いずれの面素領域にも同様に形成されているが隣接する画素領域 2 0 1 a b , 2 0 1 b a , 2 0 1 c b , 2 0 1 c のいずれのモリブデンシリサイド雇 2 1 6 a b , 2 1 6 b a , 2 1 6 b c , 2 1 6 c b の外端緣 2 1 6 x とも、モリブデンシリサイド層 2 1 6 b b は、データ線 2 0 2 a , 2 0 2 bおよびゲート線 2 0 3 a , 2 0 3 b の直上位置で絶緣分離された状態にある。

このような構成の本例の液晶表示装置においては、各モリブデンシリサイド層 2 1 6 b b ' - ' をブラックマトリクスとして利用するため、第 1 2図に示すように、透明基板 2 0 9 の側に構成されたァクテ新たな用紙イブマトリクス基板の側と、対向基板 2 3 0 の側とを対！ ¾させるときに、モリブデンシリサイド層 2 1 6 b bが対向基板側ブラックマトリクス 2 3 1 の位置合わせにおけるマージンとなって、位置合わせ精度が問題にならない。また、モリブデンシリサイド層 2 1 6 b bの電位は、面素電極 2 0 6 と同じ電位が印加された状態にあるため、液晶の配向状態を乱すことがないので、高い表示品質が得られる。また、ブラックマトクス 2 1 6 は、面素毎に電気的に独立した状態のモリブデンシリサイド層 2 1 6 b b - - * によって構成されているため、面素領墩 2 0 1 b bにおいて、モリブデンシリサイド展 2 1 6 b b とデ t 0 ータ線 2 0 2 a とが短絡状態にあっても、この面素領域 2 0 1 b bのみの表示の点欠陥に止まるので、液晶表示装置の信頼性も高い。

また、本例の液晶表示装置において、データ鎳 2 0 2 a は下層側展間絶縁膜 2 1 3上に'形成されて、その第 1 の接続孔 2 1 3 aを介して薄膜トランジスタ 2 0 8 のソース 2 0 4 に導電接続している一方、面素電極 2 0 6 は、パッドとしての積み上げ電極雇 2 1 4に稹み上げされた状態で、上層側層間絶縁膜 2 1 5上に形成されている。すなわち、データ線 2 0 2 a と画素電極 2 0 6 とは、互いに異なる展上に形成されているので、短絡する危険性がない。従って、データ線 2 0 2 a の上方位置にまで面素電極 2 0 6 の端部 2 0 6 Xを配置することができ

Z 0 るので、データ線 2 0 2 a の近燎も表示部として利用できる。それ故、面素領域 2 0 1 b b の開口率が高い。

さらに、面素電極 2 0 6 はデータ線 2 0 2 a に対するシールド効果を発揮するので、データ線 2 0 2 a の電位が液晶の配向を乱すことがない。それ故、表示の品質が向上する。さらに、積み上げ電極層 2 1 4 は、導電性を有しているので、マトリクスァレイを構成するのに支障がなく、また、金属層を積み上げ電極層として用いた場合と異なり

1 T Oからなる積み上げ電極層 2 1 4 は光透過性を有しているので、画素領域 2 0 6 が導電接続しやすいように、積み上げ電極層 2 1 4 を拡張形成しても、画素領域 2 0 1 b b の開口率が犠牲になることがない。加えて、画素電極 2 0 6 は、積み上げ電極展 2 1 4 を介して積み上げされた状態にあるため、下層側および上層側層間絶緣膜 2 1 3 ,

2 1 5 の接続孔 2 1 3 b ， 2 1 5 a は、いずれもがァスぺクト比の低い構造になっているので、接続孔 2 1 3 b , 2 1 5 a の内部における導電接続部の信頼性が高い。

また、本例においては、積み上げ電極層 2 1 4 に、画素電極 2 0 6 と同じく I T Oを用いているため、積み上げ電極層 2 1 4 と画素電極

2 0 6 との接続抵抗が低い。それ故、ドレイン 2 0 7 と画素電極 2 0 6 との間の抵抗分は低いレベルを維持できる。さらに、積み上げ電極雇 2 1 4 および上層側屑間絶緣膜 2 1 5 の表面側は、 T F T 2 0 8 の形状が反映されて G3凸を有しているが、上層側層間絶縁膜 2 1 5 の接続孔 2 1 5 a は、 T F T 2 0 8 が形成されていない平坦な領域 2 0 8 a 上に形成されているので、積み上げ電極層 2 1 4 と画素電極 2 0 6 とのコンタクトの信頼性が高く、そのコンタクト抵抗も低い。また、このような接続構造は、平坦部分を底上げして、画素電極 2 0 6 表面を平坦化させて、液晶の配向状態を改善する効果も発揮する。

さらに、液晶表示装置の高精細化に伴って、画素領域 2 0 1 b b は微細化されているため、画素領域 2 0 1 b b における表示容量が減少し、オフ抵抗の高い T F T 2 0 8 を構成してリーク電流を小さくしても、ゲート線 2 0 3 b の非選択期間内に表示電圧が低下し、表示の保持特性が低くなりやすい傾向がある。しかしながら、本例の液晶表示装置においては、面素電極 2 0 6の端部が前段のゲート線 2 0 3 aの上方に位置し、それらの間で電荷蓄積容量を形成している。このため画素領域 2 0 1 b bの選択期間中は、前段のゲート線 2 0 3 aが非選択期間で、ゲート線 2 0 3 a には基準電位が印加されていることを利用して、電荷蓄積容量に電荷を蓄稜し、面素領域 2 0 1 b bの液晶印加電圧の保持特性を向上することもできる。しかも、本例においては- 面素電極 2 0 6を前段のゲート電極 2 0 3 a の側に広い重なり面稷を有するように形成してあるため、保持特性を向上させる効果が顕著である。

実施例 9

第 2 0図は、本発明の実施例 9に係る液晶表示装置に用いたァクテイブマトリクス基板の一部を示す概略平面図、第 2 1図は、その IX— IX線における断面図である。ここで、第 8図および第 9図に示した実施例 4に係る液晶表示装置または第 1 8図および第 1 9図に示した実施例 8に係る液晶表示装置の各部分と対応する機能を有する部分については同符号を付して、それらの詳細な説明を省略する。

これらの図において、画素領域 2 ひ 1 b bには、データ線 2 0 2 a が導電接続するソース 2 0 4、ゲート線 2 0 3 bが導電接続するゲート電極 2 0 5、および画素電極 2 0 6が導電接続するドレイン 2 0 7 によって、 T F T 2 0 8が構成されている。ここで、面素電極 2 0 6 は、導電性および光透過性の材料としての I T Oからなる透明電極であって、面素領域 2 0 1 bの略全面にわたって形成されており、その端部がデータ線 2 0 2 a , 2 0 2 bおよびゲート線 2 0 3 a , 2 0

3 bの直上に位置するまで拡張されている。そして、いずれの画素電桎 2 0 6 も前段のゲート線 2 0 3 a の側に広い重なり面積を有している。

この画素領域 2 0 1 b b の断面構造は、透明基板 2 0 9 の表面側に形成された多結晶シリコン層 2 1 0 に、チャネル領域 2 1 1 を除いてソース 2 0 4およびドレイン 2 0 7 が形成されている。この T F T 2 0 8 の表面側には、シリコン酸化膜からなる下層側層間絶縁膜 2 1 3 が堆積されており、それには第 1 の接続孔 2 1 3 a と第 2 の接続孔 2 1 3 b とが開口されている。そのうちの第 1 の接続孔 2 1 3 a を介して、アルミニウム展からなるデータ線 2 0 2 a がソース 2 0 4 に導電接続している。

一方、第 2 の接続孔 2 1 3 bを介しては、積み上げ電極展 2 1 4がドレイン 2 0 7 に導電接続している。ここで、下展側層間絶縁膜 2 1 3 の表面は、 T F T 2 0 8 の形状に対応して凹凸が反映されているが積み上げ電極展 2 1 4 は、 T F T 2 0 8 が形成されていない平坦な領域 2 0 8 a上（T F T 2 0 8 の非形成領域上）にまで拡張形成されている。従って、この領域 2 0 δ a上における積み上げ電極層 2 1 4 の表面は平坦になっている。また、透明基板 2 0 9 の表面側に、シリコン酸化膜からなる上展側展藺絶縁膜 2 1 5が形成されており、その表面側に画素電極 2 0 6 が形成されている。この画素電極 2 0 6 は、上層側層閫絶縁膜 2 1 5 の接続孔 2 1 5 a を介して積み上げ電極層 2 1 4 に導電接続しており、この接続孔 2 1 5 a は、 T F T 2 0 8 が形成されていない平坦な領域 2 0 8 a上に形成されている。このため、画素電極 2 0 6 は積み上げ電極層 2 1 4 の平坦領域に導電接続している本例の液晶表示装置においては、データ線 2 0 2 a が、アルミユウム層で構成された下層側の第 1 のデータ線 2 0 2 a , と、モリブデンシリサイド層で構成された上層側の第 2 のデータ線 2 0 2 a z とで搆たな紙成された冗县配線構造になっている。一方、積み上げ電極層 2 1 4 も、アルミニウム展で搆成された下屑側の第 1 の積み上げ電極展 2 1 a と、モリブデンシリサイド層で構成された上展側の第 2 の積み上げ電極展 2 1 4 b とで構成されている。しかも、ソース展 2 0 2 a と積み上げ電極展 2 1 4 とは、同展にあって、第 1 のデータ線 2 0 2 a , と第 1 の積み上げ電極展 2 1 4 a とは同時形成されたものであって、第 2 のデータ線 2 0 2 a ₂ と第 2 の積み上げ電極層 2 1 4 b とが同時形成されたものである。なお、第 2 のデータ線 2 0 2 a ₂ および第 2 の積み上げ鼋極展 2 1 4 bを搆成すべき材料としては、画素電極 2 0 6 をパターユングするときのエツチヤントに溶解しない材料として、モリブデンシ /サイドの他にも、チタンシリサイド、タングステンシリサイド、タンタルシリサイド、チタン、タングステン、タンタル、チタンナイトライドなどを用いることができる。

また、本例の液晶表示装置においては、上展側展間絶緣膜 2 1 5 の表面側であって面素電極 2 0 6 の下展撖には、遮光性および導電性を備えるモ Tブデンシリサイド層 2 1 6 b b (導電性遮光展）が形成されており、このモリブデンシリサイド層 2 1 6 b b は、面素領域 2 0 l b b と、それに隣接する画素領域 2 0 l a b , 2 0 1 b a , 2 0 1 b c , 2 0 1 c b との境界領域において、その外端縁 2 1 6 Xがデータ線 2 0 2 a , 2 0 2 bおよびゲート線 2 0 3 a , 2 0 3 bの直上に位置するように形成されて、しかも、面素電極 2 0 6 の外端緣 2 0 6 X と一致している。ここで、モリブデンシリサイド層 2 1 6 b b のような導電性遮光層は、いずれの画素領域にも同様に形成されているが、隣接する面素領域 2 0 1 a b , 2 0 1 b a , 2 0 1 c b , 2 0 1 b c のいずれのモリブデンシリサイド層 2 1 6 a b , 2 1 6 b a , 2 1 6 c b , 2 1 6 b c の外端縁 2 1 6 x とも、モリブデンシリサイド層 2 1 6 b b は、データ線 2 0 2 a , 2 0 2 b およびゲート線 2 0 3 a , 2 0 3 b の直上位置で絶緣分離された状態にある。

このような構成の本例の液晶表示装置においては、各モリブデンシリサイド層 2 1 6 b b · ' ' をブラックマトリクスとして利用するため、透明基板 2 0 9 の側に構成されたアクティブマトリクス基板の側と、対向基板の側とを対向させるときに、位置合わせ精度が問題にならない。また、モリブデンシリサイド層 2 1 6 b b の電位は、画素電極 2 0 6 と同じ電位が印加された状態にあるため、液晶の配向状態を乱すことがないので、高い表示品質が得られる。また、ブラックマトリクス 2 1 6 は、画素毎に電気的に独立した状態のモリブデンシリサィド展 2 1 6 b b · · · によって構成されているため、画素領域 2 0 1 b b において、モリブデンシリサイド層 2 1 6 b b とデータ線 2 0 2 a とが短絡状態にあっても、この画素領域 2 0 1 b b のみの表示の点欠陥に止まるので、液晶表示装置の信頼性も高い。

また、本例の液晶表示装置においては、データ線 2 0 2 a が冗县配線構造になっているので、その信頼性が高い。しかも、積み上げ電極層 2 1 4 も、アルミニウム層で構成された第 1 の積み上げ電極層 2 1 4 a とモリブデンシリサイド層で構成された第 2 の積み上げ電極層 2 1 4 b とで構成されて、 I T O層からなる画素電極 2 0 6 は、モリブデンシリサイド層で構成された第 2 の積み上げ電極層 2 1 4 b を介してアルミニウム層で構成された第 1 の積み上げ電極層 2 1 4 a に導電接続しているた、モリブデンシリサイド層は、 I T 0層とアルミ二ゥム層とのコンタクト層として機能するので、そこでの接触抵抗を低減する、- しかも、モリブデンシリサィドて上層側の第 2 の積み上げ電極展 2 1 4 bを構成しているため、面素電極 2 0 6をエッチング形成する時にそのヱツチヤントで積み上げ電極展 2 1 4が侵されない。

さらに、データ線 2 0 2 a と面素電極 2 0 6 とは、互いに異なる展上に形成されているので、短絡する危険性がない。従って、データ線 2 0 2 a の上方位置にまで画素電極 2 0 6 の嬙部 2 0 6 xを配置することがで'きるので、可能な限りの開口率を確保できる。また、画素電極 2 0 6 はデータ線 2 0 2 a に対するシールド効果を癸攆するので、データ線 2 0 2 a の電位が液晶の配向を乱すことがない。それ故、表示の品質が向上する。

また、面素電極 2 0 6 は、積み上げ電極展 2 1 4を介して積み上げされた状態にあるため、下層側および上層側展間絶縁膜 2 1 3 , 2 1 5 の接続孔 2 1 3 b , 2 1 5 a は、いずれもがァスぺクト比の低い構造になっているので、接続孔 2 1 3 b , 2 1 5 a の内部における導電接続部の信頼性が高い。しかも、積み上げ電極展 2 1 4および上展側層間絶緣膜 2 1 5 の表面側は、 T F T 2 0 8 の形状が反映されて D3凸を有しているが、上層側展間絶緣膜 2 1 5 の接続孔 2 1 5 a は、 T F T 2 0 8が形成されていない平坦な領域 2 0 8 a上に形成されているので、積み上げ電極層 2 1 と面素電極 2 0 6 とのコンタクトの信頼性が高く、そのコンタクト抵抗も低い。また、このような接続構造は、平坦部分を底上げして、面素電極 2 0 6表面を平坦化させて、液晶の配向状態を改善する効果も発揮する。

さらに、本例の液晶表示装置においては、面素電極 2 0 6 の端部が前段のゲ一ト線 2 0 3 a の上方に位置し、しかも、面素電極 2 0 6を前段のゲート電極 2 0 3 a の側に広い重なり面積を有するように形成してあるため-、保持特性を向上させる効果が顕著である。実施例 1 0

第 2 2図は、本発明の実施例 1 0 に係る液晶表示装置に用いたァクティブマトリクス基板の一部を示す概略平面図、第 2 3 図は、その X 一 X線における断面図である。ここで、第 1 図および第 2図に示した実施例 1 に係る液晶表示装置と対応する機能を有する部分については同符号を付して、それらの詳細な説明を省略する。

本例の液晶表示装置においても、垂直方向のデータ線 1 0 2 a , 1 0 2 b · · · (信号線）と、水平方向のゲート線 1 0 3 a > 1 0 3 b - - · (走査線）とが格子状に配置され、それらの間に各画素領域 1 0 1 a a , 1 0 1 a b , 1 0 1 a c , 1 0 1 b a , 1 0 1 b b · - - が区画形成されて、マトリクスアレイが構成されている。そのうち、画素領域 1 0 1 b b においては、データ線 1 0 2 a が導電接続するソ —ス 1 0 4、ゲート線 1 0 3 bが導電接続するゲート電極 1 0 5 、および画素電極 1 0 6 が導電接続するドレイン 1 0 7 によって、 T F T 1 0 8 が構成されている。ここで、画素電極 1 0 6 は、導電性および光透過性の材料としての I T Oからなる透明電極であって、画素領域 1 0 1 b b の略全面にわたって形成されている。ここで、 T F T 1 0 8 の表面側には、シリコン酸化膜からなる下層側展間絶緣膜 1 1 3 が堆積されており、それには第 1 の接続孔 1 1 3 a と第 2 の接続孔 1 1 3 b とが開口されている。そのうちの第 1 の接続孔 1 1 3 a を介してアルミニウム層からなるデータ線 1 0 2 a がソース 1 0 4 に導電接続している。一方、第 2 の接続孔 1 1 3 bを介しては、画素電極 1 0 6 がドレイン 1 0 7 に導電接続している。さらに、透明基板 1 0 9 の表面側に、シリコン酸化膜からなる上層側層間絶緣膜 1 1 5 が形成されており、その表面側にモリブデンシリサイド層 1 1 G b bが形成されている。ここで、モリブデンシリサイド展 1 1 6 b bは、上層側層間絶緣膜 1 1 5の接続孔 1 1 5 aを介して面素電極 1 0 6に導電接続しており、この接続孔 1 1 5 a は、 T F T 1 0 8が形成されていない平坦な領域 1 0 8 a として、面素領域 1 0 1 b bにおける T F T 1 0 8 の形成位置とは対角の位置に形成されている。このため、モリブデンシリサイド屠 1 1 6 b bは、面素電極 1 0 6の平坦領域に導電接続している。

さらに、本例の液晶表示装置においては、ゲート電極 1 0 5が、多結晶シリコン展に 1 X 1 0²°Z c m³ 以下のリンを拡散した厚,さが 1 5 0 0 人以下の下展側ゲ一ト電極展 1 0 5 a と、厚さが 2 0 0 0 人以下のモブデンシリサイド眉で構成された上層側ゲート電極展 1 0 5 との 2展搆造になっている。このような 2層構造のゲ一ト電柽は、まず、多結晶シリ： ^ ン膜を 1 0 0 O Aの厚さに形成した後に、それに酸素および窒素雰囲気中でォキシ塩化リンを用いて 8 5 0 'Cの温度条件で拡散して下展側ゲート電極層 1 0 5 aを形成した後に、 2 0 0 0 人のモリブデンシリサイド展をスパッタ形成して上展側ゲ一ト電極展 1 0 5 bを稹展したものを、 C F₄ — 0₂ 系のガスを用いてドライエツチングしたものである。ここで、上層側ゲート電極 1 0 5 bを構成するモひブデンシリサイドの組成式を M o S i χ で表したときに、 X の値については、 2. 0〜 3. 5に設定することが好ましく、この範囲よりも大きな値の場合には、抵抗値が大きくな.り、 2. 5近傍であることがクラックの発生を防止するのに適している。なお、モリブデンシリサイドに代えて、タングステンシリサイドゃチタンシリサイドも採用できる。

このような構成の本例の液晶表示装置においては、各モリブデンシリサイド展 1 1 6 b b · · ' をブラックマトリクス 1 1 6 として利用するため、透明基板 1 0 9 の側に構成されたアクティブマトリクス基板の側と、対向基板の側とを対向させるときに、モリブデンシリサイド展 1 1 6 b b が対向基板側ブラックマトリクスの位置合わせにおけるマージンとなって、位置合わせ精度が問題にならない。また、モリブデンシリサイド層 1 1 6 b b の電位は、画素電極 1 0 6 と同じ電位が印加された状態にあるため、液晶の配向状態を乱すことがないので . 高い表示品質が得られる。また、ブラックマトリクス 1 1 6 は、画素毎に電気的に独立した状態にあるため、画素領域 1 0 1 b b において - モリブデンシリサイド層 1 1 6 b b とデータ線 1 0 2 a とが短絡状態にあっても、表示の点欠陥に止まる。

また、本例の液晶表示装置においては、ゲート電極 1 0 5 が、多結晶シリコン展にリンを拡散した厚さが 1 5 0 0 人以下の下層側ゲ一ト電極層 1 0 5 a と、厚さが 2 0 0 O A以下のモリブデンシリサイド層で構成された上層側ゲート電極層 1 0 5 b とのポリサイド構造を採用しながらも、それらの膜厚および不純物導入量を最適化して、クラックの発生を防止しているので、ゲート電極 1 0 5 およびゲ一ト線 1 0 3 a , 1 0 3 b の低抵抗化を実現している。また、下層側眉間絶緣膜 1 1 3 および上展側層間絶緣膜 1 1 5 に割れなどが発生することも防止できる。

また、本例においては、上層側層間絶縁膜 1 1 5 の表面側は、 T F T 1 0 8 の形状が反映されて凹凸を有しているが、上層側層間絶緣膜 1 1 5 の接続孔 1 1 5 a は、 T F T 1 0 8 が形成されていない平坦な領域 1 0 8 a として、画素領域 1 0 1 b b における T F T 1 0 8 の形成位置とは対角の位置に形成されているため、モリブデンシリサイド新たな用紙展 1 1 6 b b と面素電極 1 0 6 とのコンタクトの信賴性が高い。実施例 1 1

第 2 4図は、本発明の実施例 1 1 に係る液晶表示装置に用いたァクティブマトリクス基板の一部を示す概略平面図、第 2 5図は、その Π 一 Π線における断面図である。ここで、第 1 8図および第 1 9図に示した実施例 8 に係る液晶表示装置と対応する機能を有する部分については同符号を付して、それらの詳細な説明を省略する。

本例の液晶表示装置においても、面素領域 2 0 1 b b において、透明基板 2 0 9 の表面側に形成された多結晶シリコン展 2 1 0 に、チヤネル領域 2 1 1 を除いて、 n型の不純物としてのリンが導入されて、ソース 2 0 4およびドレイン 2 0 7 が形成されている。この T F T 2 0 8 の表面側には、シリコン酸化膜からなる下展側展間絶緣膜 2 1 3 が堆積されており、それには第 1 の接続孔 2 1 3 a と第 2 の接続孔 2 1 3 b とが開口されている。そのうちの第 1 の接続孔 2 1 3 aを介してデータ線 2 0 2 a がソース 2 0 4 に導電接続している。

一方、第 2 の接続孔 2 1 3 bを介しては、耐酸性を有する金属配線展としてのクロム展からなる積み上げ電極ほ 2 1 4がドレイン 2 0 7 に導電接続している。ここで、接続孔 2 1 3 b の形成位置と、接続孔 2 1 5 a の形成位置との関係は、接続孔 2 1 5 aが接続孔 2 1 3 b とゲート電極 2 0 5 との簡に位置している。

また、本例の液晶表示装置においては、上展側展間絶緣膜 2 1 5 の表面側であって画素電極 2 0 6 の下展側には、遮光性および導電性を備えるモリブデンシリサイド層 2 1 6 b b (導電性遮光層）が形成されており、このモリブデンシリサイド層 2 1 6 b b は、画素領域 2 0 1 b b と、それに隣接する画素領域 2 0 1 a b , 2 0 1 b a - 2 0 1 b c , 2 0 1 c b との境界領域において、その外端縁 2 1 6 x がデ一タ線 2 0 2 a , 2 0 2 b およびゲート線 2 0 3 a , 2 0 3 b の直上に位置するように形成されて、しかも、画素電極 2 0 6 の外端縁 2 0 6 X と一致している。ここで、モリブデンシリサイド愿 2 1 6 b b のような導電性遮光層は、いずれの画素領域にも同様に形成されているが隣接する画素領域 2 0 1 a b > 2 0 1 b a , 2 0 1 c b , 2 0 1 b c のいずれのモリブデンシリサイド層 2 1 6 a b , 2 1 6 b a , 2 1 6 c b , 2 1 6 b c の外端緣 2 1 6 x とも、モリブデンシリサイド層 2 1 6 b b は、データ線 2 0 2 a , 2 0 2 b およびゲート線 2 0 3 a , 2 0 3 b の直上位置で絶緣分離された状態にある。

さらに、本例の液晶表示装置において、透明基板 2 0 9 の表面側には、アクティブマトリクスアレイを駆動するための駆動回路も、第 2 6 図および第 2 7 図に示すような C M O S 面路をもって形成されている。ここで、第 2 6 図は駆動回路の C M O S 回路の断面図、第 2 7 図はその平面図である。

これらの図において、 n チャネル型 T F T 4 1 0 および p チャネル型 T F T 4 2 0 は、アクティブマトリクス側と同時形成されていくがアクティブマトリクス側において、ゲート電極 2 0 5 , データ線 2 0 2 a および画素電極 2. 0 6 力《、それぞれの層間に下層側層間絶縁膜 2 1 3 または上層側層間絶緣膜 2 1 5 を有していることを利用して、駆動面路側にも多層配線構造が構成されている。すなわち、駆動面路側とアクティブマトリクス側とは、駆動回路側ゲート電極 4 4 1 , 駆動回路側ゲート電極配線層 4 4 2 および下層側層間絶緣膜 2 1 3 の形成工程までは、それぞれの工程を援用し合って形成し、その後は、駆動回路側のソース線 4 1 I ： 4 2 1 を形成した後に、上層側層間絶緣膜 2 1 5を形成する。そして、上展側展間絶縁膜 2 1 5および下展側層藺絶縁膜 2 1 3に対して接続孔 4 1 5 a , 4 1 5 bを形成し、これらの接続孔 4 1 5 a , 1 5 bを介して、アルミユウム配線展 4 3 0を nチャネル型 T F T 4 1 0および pチャネル型 T F T 4 2 0 のドレイン 4 1 7 , 4 2 7に導電接続するようにしてある。なお、アルミユウム配線層 4 3 0の表面側に形成されているのは、表面保護層 2 3 0である。

このような構成の本例の液晶表示装置においても、各モリブデンシリサイド展 2 1 6 b b - - ' をブラックマトリクスとして利用するため、実施例 8に係る液晶表示装置と同様な効果を奏するのに加えて、以下の効果も奏する。すなわち、アクティブマトリクス側において、ゲ一ト電極 2 0 5 , データ線 2 0 2 aおよび画素電極 2 0 6が、それぞれの層間に下展埘層間絶緣膜 2 1 3または上展側展間絶緣膜 2 1 5 を有していることを利用して、 nチャネル型 T F T 4 1 0および pチャネル型 T F T 4 2 0 のドレイン 4 1 7 , 4 2 7に対するアルミユウム配線層 4 3 0を多雇配線構造をもって形成してあるため、各配線展間での短絡などの問題点が発生しない。また、多層配線構造であるため、 ϋチャネル型 T F T 4 1 0および ρチヤネル型 T F T 4 2 0を備えた駆動回路を形成するのに必要な面積も小さくて済み、基板の面積が同じであれば、面素領域を拡張でき、面素側の面積が同じであれば、基板全体、すなわち、液晶表示装置を小型化できる。産業上の利可能性

以上のとおり、本発明に係る液晶表示装置において、透明基板の表面側には、各面素領域毎に、隣接する面素領域との境舁領域上で、データ線，ゲート線および隣接する画素領域の画素電極から絶縁分離されている一方、同じ画素領域の画素電極には導電接続する状態に形成された導電性遮光層を有し、これらの導電性遮光層によってブラックマトリクスが構成されていることに特徴を有する。従って、本発明に

5 よれば、透明基板の表面側に、マトリクスアレイと共にブラックマトリクスも形成されているので、画素領域間の境界領域とブラックマトリタスとが髙ぃ精度で位置合わせされる。従って、ブラックマトリクスの幅のマージンを最小とできるので、開口率を向上させることができる。しかも、導電性遮光層は、同じ画素領域の画素電極のみに導電 , 0 接続しているため、その電位は常に画素電極と同じ電位が印加された状態にある。それ故、ブラックマトリクスの電位は、画素電極と共通電極との間に存在する液晶の配向状態を乱すことがないので、表示の品質が高い。さらに、導電性遮光層は画素領域毎に電気的に独立して形成されているので、 1 つの画素領域において、導電性遮光層とデー

！ 5 タ線などとが短絡状態にあっても、その影響は表示の点欠陥の発生に止まるので、液晶表示装置の信頼性が高い。

ここで、面素領域は、隣接する画素領域との境界領域のうち、隣合う 2 つの境界領域側に導電性遮光層を有している場合には、導電性遮光層同士が広い範囲にわたって近接配置されないため、製造プロセス

_{2 0} において通常の精度をもって導電性遮光層を形成しても、それらが互いに短絡することもない。

また、画素電極と導電性遮光層との外端緣がー致している場合には、画素電極とデータ線との間にかかる電界の影響によって生じる液晶の配向の乱れを導電性遮光展で確実に覆うことができる。

_{2 5} 本発明において、' 下層側層間絶緣膜上に形成されたデータ線と、導電性および光透過性の積み上げ電極展によって積み上げされて、上展側層間絶縁膜上に形成された面素電極とを有し、その端部がデータ線の上方位置にまで形成されている場合には、データ線と面素電極とは異なる層間始緣膜上に形成されているため、画素電極をデータ線の上方にまで拡張しても、互いに短絡することがない。それ故、データ線近傍も表示部とすることができるので、面秦領域の開口率が高い。また、面素電極はデータ線に対するシールド効果を発攆するので、データ線の電位が液晶の配向を乱すことがない。それ故、表示の品質が向上する。

ここで、積み上げ電極層が光透過性も有している場合には、稹み上げ電極雇の形成が開口率を低下させることもない。従って、稹み上げ電極層を面素電極との導電接続に適する領域に拡張して形成することができる。たとえば、薄膜トランジスタの非形成領域上で積み上げ電極展と面素領域とを導電接続させた場合には、平坦領域において導電接続する構造になるので、それらの接続部の信頼性が高い。しかも、平坦領域を底上げすることによって、面素電極表面を平坦化させて、液晶の配向状態を改善する効果も発揮する。

面素電極または導電性遮光展の端部が前段側のゲート線の上方に位置する場合には、このゲート線と面素電極とは電荷蓄積容量を形成するので、表示の保持特性が向上する。

Claims

請求の範囲

1 . 透明基板の表面側でデータ線およびゲート線によって区画形成された各画素領域のうちの第 1 の画素領域には、前記データ線に導電接樣するソースおよび前記ゲ一ト線に導電接続するゲート電極を備える薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタのドレインを介して電位が印加可能な画素電極と、この画素領域に隣接する第 2 の画素領域との境界領域側に形成されてブラックマトリクスを構成し、前記データ線，前記ゲート線および前記第 2 の画素領域の画素電極から絶緣分離されている一方、前記第 1 の画素領域の画素電極には導電接続する導電性遮光層と、を有することを特徴とする液晶表示装置。

2 . 請求項 1 において、前記導電性遮光層は、その外端縁が前記第 1 の画素領域と前記第 2 の画素領域との境界領域上にあることを特徴する液晶表示装置。

3 - 請求項 1 において、前記第 1 の画素領域は、前記第 2 の画素領域とのいずれの境界領域側にも前記導電性遮光層を有し、この導電性遮光層によって、前記第 1 の画素領域は前記第 2 の画素領域から区画されていることを特徵とする液晶表示装置。

4 . 請求項 1 において、前記第 1 の画素領域は、前記第 2 の画素領域との境界領域のうちの 2 つの境界領域側に前記導電性遮光層を有し、この導電性遮光層および他の 2 つの境界領域側にある第 2 の画素領域側の導電性遮光層によつて前記第 2 の画素領域から区画されていることを特徴とする液晶表示装置。

5 . 請求項 1 ないし請求項 4 のいずれかの項において、前記データ線の表面側略全体が、対応する第 1 の画素領域の導電性遮光層および二のデータ線を介して隣接する第 2 の面素領域側の導電性遮光展のうちの少なくともいずれか一方の導電性遮光展によって曆藺絶緣膜を介して ¾われた状態にあることを特徴とする液晶表示装置。

6 . 請求項 1 ないし請求項 5 のいずれかの項において、前記面素電極；および前記導電性遮光層のうちの一方側は層間絶緣膜の接続孔を介して前記ドレインに導電接続しており、この一方側に他方側が導電接続していることを特徵とする液晶表示装置。

7 . 請求項 6において、前記画素電極と前記導電性遮光層とは、前記展間絶緣膜たる下展側層間铯緣膜の表面側に形成された上展側展間絶

, 緣膜を介して形成され、この上展側展間铯玆膜の接続孔を介して導電接続していることを特徴とする液晶表示装置。

8 . 請求項 &において、前記面素電極および前記導電性遮光屑のうちの一方側は、他方砌の表面上に形成されて互いに導電接続していることを特徵とする液晶表示装置。

9 . 請求項 S において、前記面素電極および前記導電性遮光層は、互いに外端縁が略一致していることを特徴とする液晶表示装置。

1 0 . 請求項 1 ないし請求項 5 のいずれかの項において、前記西素電極および前 IB導電性遮光層のうちの一方側は、層間絶緣膜の接続孔を介して前記ドレインに導電接続する導電性を備えた模み上げ電極展を

Z 0 介して前記ドレンに導電接続し、この一方側に他方側が導電接続していることを特徵とする液晶表示装置。

1 1 . 請求項 1 0 において、前記積み上げ電極層は、光透過性も備えていることを特徵とする液晶表示装置。

1 . 請求項 1 1 において、前記積み上げ電極展および前記面素電極、いずれも I T 0層から構成されていることを特徵とする液晶表示

1 3 . 請求項 1 1 または青求項 1 2 において、前記画素電極は、その外端縁が前記データ線の上方に位置することを特徴とする液晶表示装置。

1 . 請求項 1 0 ないし請求項 1 3 のいずれかの項において、前記積み上げ電極層は、前記薄膜トランジスタの非形成領域まで形成され、この非形成領域上で、前記面素電極は前記積み上げ電極層に導電接続していることを特徵とする液晶表示装置。

1 5 . 請求項 1 0 ないし請求項 1 4 のいずれかの項において、前記データ線は、薄膜トランジスタのソースに層間絶緣膜の第 1 の接続孔を介して導電接続する第 1 のデータ線およびこの第 1 のデータ線表面に導電接続して多重配線構造を構成する第 2 のデータ線を有し、前記積み上げ電極層は、前記薄膜トランジスタのドレインに前記層間絶緣膜の第 2 の接続孔を介して導電接続する第 1 の積み上げ電極層およびこの第 1 の積み上げ電極層表面に導電接続する第 2 の積み上げ電極展とを有することを特徵とする液晶表示装置。

1 6 . 請求項 1 5 において、前記第 1 のデータ線と前記第 1 の積み上げ電極層は、同一材料で形成されており、前記第 2 のデータ線と前記第 2 の積み上げ電極層も同一材料で形成されていることを特徴とする液晶表示装置。

1 7 . 請求項 1 0 ないし請求項 1 6 のいずれかの項において、前記第 1 および第 2 の画素領域を備えるアクティブマトリクスと同一基板上に形成された駆動面路においては、アクティブマトリタス側に形成された層間絶縁膜と同層の層間絶緣膜を介して配線層が導電接続する多層配線構造を有することを特徵とする液晶表示装置。

1 8 . 請求項 1 ないし請求項 1 7 のいずれかの項において、前記ゲ一ト電極および前記ゲート線は、真性の多結晶シリコンまたは 1 X 1 0 2。Zcm ³ 以下のリンを含む多結晶シリコン層と、この多結晶シリコン層の表面上に形成されて多重配線構造を構成する高融点金属の硅化物展とを有することを特徵とする液晶表示装置。

1 9 . 請求項 1 ないし請求項 1 8 のいずれかの項において、前記面素電極および前記導電性遮光展のうちの少なくとも一方は、その前段側ゲート線側の外端緣がそれに隣接する前段側ゲート線の上方に位置することを特徴とする液晶表示装置。

I 0 2 0 . 請求項 9 に規定する液晶表示装置の製造方法であつて、前記面素電極および前記導電性遮光屑のうちの下層側にある曆に対するバタ一ユング工程においては、上展側にある展の外嫱縁および上屠側にある） f のパターユングに用いたマスクをマスクとレてパターングを行うことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

2 1 . 請求項 1 8 に規定する液晶表示装置の製造方法であって、 '透明基板の表面側にソース ' ドレイン領域およびチヤネル領域となる第 1 の多結晶シリコン膜を形成する工程と、この多結晶シリコン膜の表面にゲート電極絶緣膜を形成する工程と、前記ゲート電極およびゲート線の下層側となる第 2 の多結晶シリコン膜を堆積する工程と、つぎに、 ΰ 前記第 2の多結晶シリコン膜に 8 5 0 で以下の温度でリン拡散を行う工程と、つぎに、前記ゲ一ト電極および前記ゲート線の上展側となる高融点金属の硅化物層を堆積する工程と、つぎに、前記第 2 の多結晶シリコン膜および高融点金属の硅化物層を同時にパター二ングして前記ゲート電極および前記ゲート線を形成する工程とを有することを特徵とする痰晶表示装置の製造方法。補正された請求の範囲

[1993年 4月 27日（27.04.93)国際事務局受理；出願当初の請求の範囲 1及び 8は補正された；他の請求の範囲は変更なし。（4頁)]

1 . (補正後）透明基板の一表面側でデータ線およびゲート線によつて区画形成された各画素領域のうちの第 1 の画素領域には、前記デ一タ線から電位の印加されるソースおよび前記ゲート線から電位の印加されるゲート電極を備える薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタのドレインを介して電位が印加可能な画素電極と、この画素領域に隣接する第 2 の画素領域との少なくも 1 つの境界領域側に形成され、前記データ線および前記ゲート線から絶緣分離され、前記第 1 の画素

1 o 領域の面素電極には導電接続される導電性遮光層と、を有することを特徴とする液晶表示装置。

2 . 請求項 1 において、前記導電性遮光層は、その外端緣が前記第 1 の画素領域と前記第 2 の画素領域との境界領域上にあることを特徴する液晶表示装置。

3 . 請求項 1 において、前記第 1 の画素領域は、前記第 2 の画素領域とのいずれの境界領域側にも前記導電性遮光層を有し、この導電性遮光層によって、前記第 1 の画素領域は前記第 2 の画素領域から区画されていることを特徴とする液晶表示装置。

4 . 請求項 1 において、前記第 1 の画素領域は、前記第 2 の画素領域

Z 0 との境界領域のうちの 2 つの境界領域側に前記導電性遮光層を有し、この導電性遮光屑および他の 2 つの境界領域側にある第 2 の画素領域側の導電性遮光層によって前記第 2 の画素領域から区画されていることを特徴とする液晶表示装置。

5 . 請求項 1 ないし請求項 4 のいずれかの項において、前記データ線の表面側 B各全体が、対応する第 1 の画素領域の導電性遮光屑およびこ 5 3

のデータ線を介して隣接する第 2 の画素領域側の導電性遮光展のうちの少なくともいずれか一方の導電性遮光層によつて展藺絶緣膜を介してわれた状態にあることを特徴とする液晶表示装置。

6 . 請求項 1 ないし請求項 5 のいずれかの項において、前記面素電極および前記導電性遮光展のうちの一方側は層間絶縁膜の接続孔を介して前記ドレインに導電接続しており、この一方側に他方側が導電接続していることを特徴とする液晶表示装置。

Ί - 請求項 6 において、前記面素電柽と前記導電性遮光層とは、前記展藺絶縁膜たる下層側層間絶緣膜の表面側に形成された上展側展間絶

1 0 縁膜を介して形成され、この上眉側展閭絶縁膜の接続孔を介して導電接続していることを特徴とする液晶表示装置。

8 . (補正後）請求項 6 において、前記面素電極および前記導電性遮光層のうちの一方側は、他方側の表面上に少なくとも一部が形成さ-れて互いに導電接続していることを特徴とする液晶表示装置。

9 . 請求項 8 において、前記面素電極および前記導電性遮光展は、互いに外端縁が略一致していることを特徴とする液晶表示装置。

1 0 . 請求項 1 ないし請求項 5 のいずれかの項において、前記画素電極および前記導電性遮光屠のうちの一方側は、' 展間铯緣膜の接続孔を介して前記ドレインに導電接続する導電性を備えた積み上げ電極層を

1 1 . 請求項 1 0 において、前記稹み上げ電極展は、光透過性も備えていることを特徵とする液晶表示装置。

1 2 . 讃求項 1 1 において、前記穰み上げ電極展および前記面素電極、いずれも I T O層から構成されていることを特徴とする液晶表示

1 3 . 請求項 1 1 または請求項 1 2 において、前記画素電極は、その外端縁が前記データ線の上方に位置することを特徴とする液晶表示装置。

1 . 請求項 1 0 ないし請求項 1 3 のいずれかの項において、前記積み上げ電極屑は、前記薄膜トランジスタの非形成領域まで形成され、この非形成領域上で、前記画素電極は前記積み上げ電極層に導電接続していることを特徴とする液晶表示装置。

1 5 . 請求項 1 0 ないし請求項 1 4 のいずれかの項において、前記データ線は、薄膜トランジスタのソースに層間絶緣膜の第 1 の接続孔を介して導電接続する第 1 のデータ線およびこの第 1 のデータ線表面に導電接続して多重配線構造を構成する第 2 のデータ線を有し、前記積み上げ電極展は、前記薄膜トランジスタのドレインに前記層間絶緣膜の第 2 の接続孔を介して導電接続する第 1 の穰み上げ電極屑およびこの第 1 の積み上げ電極展表面に導電接続する第 2 の積み上げ電極]!と、を有することを特徴とする液晶表示装置。

1 6 . 請求項 1 5 において、前記第 1 のデータ線と前記第 1 の積み上げ電極) Sは、同一材料で形成されており、前記第 2 のデータ線と前記第 2 の積み上げ電極層も同一材料で形成されていることを特徴とする z o 液晶表示装置。

1 7 . 請求項 1 0 ないし請求項 1 6 のいずれかの項において、前記第 1 および第 2 の画素領域を備えるアクティブマトリタスと同一基板上に形成された駆動回路においては、アクティブマトリクス側に形成された屑間絶緣膜と同眉の展間絶緣膜を介して配線層が導電接続する多層配線構造を有することを特徴とする液晶表示装置。

1 8 . 請求項 1 ないし請求項 1 7 のいずれかの項において、前記ゲート電極および前記ゲート線は、真性の多結晶シリコンまたは 1 >ί 1 0

^{2 0} /cm ³ 以下のリンを舍む多結晶シリコン層と、この多結晶シリコン雇の表面上に形成されて多重配線構造を構成する高融点金属の硅化物屠とを有することを特徴とする液晶表示装置。

1 9 . 請求項 1 ないし請求項 1 8 のいずれかの項において、前記面素電極および前記導電性遮光層のうちの少なくとも一方は、その前段側ゲート線側の外端縁がそれに隣接する前段側ゲ一ト線の上方に位置することを特徴とする液晶表示装置。

I 0 2 0 . 請求項 9 に規定する液晶表示装置の製造方法であって、前記面素電極および前記導電性遮光屑のうちの下ほ側にある眉に対するバタ一ユング工程においては、上眉側にある屑の外端縁および上 S側にある眉のパターユングに用いたマスクをマスクとしてパターユングを行うことを特徴とする液晶表示装 gの製造方法。

2 1 . 請求項 1 8 に規定する液晶表示装置の製造方法であって、透明基板の表面側にソース · ドレイン領域およびチヤネル領域となる第 1 の多结晶シリコン膜を形成する工程と、この多結晶シリコン膜の表面にゲート電極絶緣膜を形成する工程と、前記ゲート電極およびゲート線の下屠側となる第 2 の多結晶シリコン膜を堆稷する工程と、つぎに、前記第 2の多結晶シリコン膜に 8 5 0 て以下の瘟度でリン拡散を行う工程と、つぎに、前記ゲート電極および前記ゲート線の上眉側となる高融点金属の硅化物屑を堆積する工程と、つぎに、前記第 2 の多結晶シリコン膜および高融点金属の硅化物展を同時にパターユングして前記ゲート電柽および前記ゲート線を形成する工程とを有することを特徵とする液晶表示装置の製造方法。