TWM564738U - Thin film forming device for resist layer - Google Patents

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豊田裕二
後閑寛彦
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日商三菱製紙股份有限公司
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Abstract

本新型的目的在於提供一種抗蝕劑層的薄膜化裝置，前述抗蝕劑層的薄膜化裝置能夠解決附著於除液輥對的薄膜化處理液乾燥、液體中的成分析出・黏著、抗蝕劑層上的薄膜化處理液的覆蓋量不均勻的問題。前述抗蝕劑層的薄膜化裝置構成為具備薄膜化處理單元，前述薄膜化處理單元對被形成於基板上的抗蝕劑層供給薄膜化處理液，其特徵在於，薄膜化處理單元具有浸漬槽、浸漬槽的出口輥對、薄膜化處理單元的出口輥對、除液輥對，前述浸漬槽裝有薄膜化處理液，前述除液輥對被設置於浸漬槽的出口輥對和薄膜化處理單元的出口輥對之間，進而，薄膜化處理單元具有薄膜化處理液供給機構，前述薄膜化處理液供給機構對該除液輥對供給薄膜化處理液。

Description

抗蝕劑層的薄膜化裝置
[0001] 本新型涉及抗蝕劑層的薄膜化裝置。
[0002] 隨著電氣及電子零件的小型化、輕量化、多功能化，對於以用於形成電路的乾膜抗蝕劑、阻焊劑為代表的感光性樹脂(感光性材料)，為了與印刷電路板的高密度化對應而要求高解析度。由這些感光性樹脂進行的圖像形成通過將感光性樹脂曝光後，顯影來進行。 　　[0003] 為了與印刷電路板的小型化、高功能化對應，感光性樹脂有薄膜化的傾向。感光性樹脂中有塗敷液體來使用的類型(液態抗蝕劑)和乾膜類型(乾膜抗蝕劑)。最近，開發出15μm以下的厚度的乾膜抗蝕劑，其成品化也正在推進。但是，在這樣的薄的乾膜抗蝕劑中，存在如下問題：與以往的厚度的抗蝕劑相比，緊貼性及對於凹凸的追隨性不足，會發生剝離、空隙等。 　　[0004] 為了改善上述方面，提出了使用厚的感光性樹脂，同時實現高解析度的各種方案。例如，公開了一種導電圖案的形成方法，其特徵在於，在通過減成法製作導電圖案的方法中，在絕緣層的單面或雙面上設置金屬層而成的層疊基板上貼上乾膜抗蝕劑來形成抗蝕劑層後，進行抗蝕劑層的薄膜化工程，接著，進行電路圖案的曝光工程、顯影工程、蝕刻工程(例如，參照專利文獻1)。此外，公開了一種阻焊劑圖案的形成方法，其特徵在於，在形成阻焊劑圖案的方法中，在具有導電性圖案的電路基板上形成由阻焊劑構成的抗蝕劑層後，進行抗蝕劑層的薄膜化工程，接著進行圖案曝光工程，再次進行抗蝕劑層的薄膜化工程(例如，參照專利文獻2及3)。 　　[0005] 此外，在專利文獻4中，公開了被用於抗蝕劑層的薄膜化工程的薄膜化裝置。具體地，公開了抗蝕劑層的薄膜化裝置，前述抗蝕劑層的薄膜化裝置至少包括薄膜化處理單元、膠束除去處理單元、水洗處理單元、乾燥處理單元這四個處理單元，前述薄膜化處理單元將形成有抗蝕劑層的基板浸漬(dip)于高濃度的鹼性水溶液(薄膜化處理液)，抗蝕劑層的成分的膠束暫時不溶化，由此，膠束難以溶解擴散至處理液中，前述膠束除去處理單元借助膠束除去液噴霧將膠束一舉溶解除去，前述水洗處理單元用水洗滌表面，前述乾燥處理單元將水洗水除去。 　　[0006] 關於專利文獻4中公開的薄膜化裝置的一部分，使用圖1所示的概略剖視圖進行說明。在薄膜化處理單元11中，從投入口7投入形成有抗蝕劑層的基板3。基板3借助搬運輥對4，被以浸漬於浸漬槽2中的薄膜化處理液1的狀態搬運。由此，進行抗蝕劑層的薄膜化處理。此後，基板3被向膠束除去處理單元12搬運。在膠束除去處理單元12中，相對於被搬運輥對4搬運來的基板3，穿過膠束除去液供給管20從膠束除去液用噴嘴21供給膠束除去液噴霧22。薄膜化處理單元11內部的浸漬槽2中的薄膜化處理液1是高濃度的鹼性水溶液。因此，在薄膜化處理單元11處，由於薄膜化處理液1，基板3上的抗蝕劑層的成分的膠束暫時不溶化。此後，在膠束除去處理單元12處，借助膠束除去液噴霧22除去膠束，由此，抗蝕劑層被薄膜化。 　　[0007] 但是，在圖1所示的抗蝕劑層的薄膜化裝置中，基板3穿過薄膜化處理單元11內部的浸漬槽2的出口輥對5後，直至穿過薄膜化處理單元11的薄膜化處理單元的出口輥對6的期間，基板3上的抗蝕劑層表面呈被從浸漬槽2中帶出的薄膜化處理液1的液膜覆蓋的狀態。這裡，抗蝕劑層表面呈疏水性的情況下，抗蝕劑層表面和該液膜的親和性變低，在抗蝕劑層表面處，薄膜化處理液1流動，有薄膜化處理液1的覆蓋量不均勻的情況。若薄膜化處理液1的覆蓋量較多，則抗蝕劑層的成分的膠束化速度變快，反之，若薄膜化處理液1的覆蓋量較少，則膠束化速度變慢。因此，若薄膜化處理液1的覆蓋量不均勻，則有被薄膜化的抗蝕劑層的厚度變得不均勻的情況。 　　[0008] 此外，也有被從薄膜化處理單元11的浸漬槽2帶出的薄膜化處理液1被大量帶入膠束除去處理單元12中的情況。薄膜化處理液1是高濃度的鹼性水溶性，所以若一旦多量地帶入，則膠束除去液10的pH過度上升而變得不能控制，在膠束除去性能上產生偏差，有抗蝕劑層的薄膜化處理量變得不均勻的情況。 　　[0009] 為了防止薄膜化處理液1的覆蓋量這樣地變得不均勻，如圖7所示，公開了一種抗蝕劑層的薄膜化裝置，前述抗蝕劑層的薄膜化裝置為，基板3穿過薄膜化處理單元11內部的浸漬槽2的出口輥對5後，在至被搬運至膠束除去處理單元12之間，設置有除液輥對8(例如，參照專利文獻5)。這樣，通過設置除液輥對8，抗蝕劑層表面的薄膜化處理液1的覆蓋量變得均勻，但是在運轉薄膜化裝置的期間，附著於除液輥對8的薄膜化處理液1部分地乾燥，液體中的成分析出・黏著，有抗蝕劑層表面的薄膜化處理液1的覆蓋量不均勻的情況。該現象在進行長時間的連續運轉的情況下、進行如進行一次處理後空置一段時間後再次運轉這樣的間歇運轉的情況下，被顯著地觀察。 　　[0010] 這樣，存在以下問題：若被薄膜化後的抗蝕劑層的厚度變得不均勻，在薄膜化後的抗蝕劑層中存在厚度較薄的部分，則在減成法的導電圖案形成中成為電路的斷路的原因，在阻焊劑的圖案形成中成為耐候性低下的原因，二者都與生產中的成品率的下降相關。 　　[0011] 　　專利文獻1：國際公開第2009/096438號手冊。 　　專利文獻2：日本特開2011-192692號公報。 　　專利文獻3：國際公開第2012/043201號手冊。 　　專利文獻4：日本特開2012-27299號公報。 　　專利文獻5：日本實用新型登記第3186533號公報。
[0012] 本案之課題在於，提供一種抗蝕劑層的薄膜化裝置，前述抗蝕劑層的薄膜化裝置能夠解決附著於除液輥對的薄膜化處理液乾燥，液體中的成分析出・黏著，抗蝕劑層上的薄膜化處理液的覆蓋量不均勻的問題。 　　[0013] 本新型的多位發明人發現能夠借助下述新型解決這些問題。 　　[0014] (1)一種抗蝕劑層的薄膜化裝置，前述抗蝕劑層的薄膜化裝置構成為具備薄膜化處理單元，前述薄膜化處理單元對被形成於基板上的抗蝕劑層供給薄膜化處理液，其特徵在於，薄膜化處理單元具有浸漬槽、浸漬槽的出口輥對、薄膜化處理單元的出口輥對、除液輥對，前述浸漬槽裝有薄膜化處理液，前述除液輥對被設置於浸漬槽的出口輥對和薄膜化處理單元的出口輥對之間，進而，薄膜化處理單元具有薄膜化處理液供給機構，前述薄膜化處理液供給機構對該除液輥對供給薄膜化處理液。 　　[0015] (2)如上述(1)所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置，其特徵在於，薄膜化處理液供給機構是對除液輥對的上側輥供給薄膜化處理液的噴嘴。 　　[0016] (3)如上述(1)所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置，其特徵在於，薄膜化處理液供給機構是對除液輥對的下側輥供給薄膜化處理液的輥浸漬槽。 新型之效果 　　[0017] 根據本新型，能夠提供一種抗蝕劑層的薄膜化裝置，前述抗蝕劑層的薄膜化裝置能夠解決如下問題：附著於除液輥對的薄膜化處理液乾燥，液體中的成分析出・黏著，抗蝕劑層上的薄膜化處理液的覆蓋量不均勻。
[0019] ＜薄膜化工程＞ 　　抗蝕劑層的薄膜化工程是指包括薄膜化處理、膠束除去處理的工程，前述薄膜化處理對被形成於基板上的抗蝕劑層供給薄膜化處理液，借助薄膜化處理液將抗蝕劑層中的成分膠束化，並且暫時使將該膠束不溶化，難以溶解擴散至薄膜化處理液體中，前述膠束除去處理借助膠束除去液噴霧，將抗蝕劑層表面的膠束一舉溶解除去。進而，還可以包括水洗處理、乾燥處理，前述水洗處理將在膠束除去處理中不能完全除去的抗蝕劑層表面的膠束、殘餘的薄膜化處理液及膠束除去液用水洗滌，前述乾燥處理將在水洗處理中使用的水除去。 　　[0020] ＜薄膜化處理＞ 　　在薄膜化處理中，可以使用攪動處理、噴霧處理、擦刷、刮削等方法，但薄膜化處理優選通過浸漬處理進行。在浸漬處理中，將形成有抗蝕劑層的基板浸漬(dip)於薄膜化處理液。在浸漬處理以外的處理方法中，有時在薄膜化處理液中容易產生氣泡，該產生的氣泡在薄膜化處理中附著於抗蝕劑層表面，薄膜化後的抗蝕劑層的厚度變得不均勻。在使用噴霧處理等的情況下，必須使噴霧壓盡可能小，以使得不產生氣泡。 　　[0021] 在本新型中，根據抗蝕劑層形成後的厚度和抗蝕劑層被薄膜化的量，確定被薄膜化後的抗蝕劑層的厚度。此外，在本新型中，能夠在0.01~500μm的範圍內自由地調整抗蝕劑層的薄膜化量。 　　[0022] ＜抗蝕劑＞ 　　作為抗蝕劑，能夠使用鹼性顯影型的抗蝕劑。此外，抗蝕劑可以是液態抗蝕劑，也可以是乾膜抗蝕劑，只要是能夠借助高濃度的鹼性水溶液(薄膜化處理液)來進行薄膜化、且能夠借助作為比薄膜化處理液濃度低的鹼性水溶液的顯影液來顯影的抗蝕劑，則能夠使用任意抗蝕劑。鹼性顯影型抗蝕劑包括光交聯型樹脂成分。光交聯型樹脂成分構成為例如含有鹼性可溶性樹脂、光聚合性化合物、光聚合起始劑等。此外，也可以使抗蝕劑含有環氧樹脂、熱硬化劑、無機填料等。 　　[0023] 作為鹼性可溶性樹脂，例如可以列舉丙烯系樹脂、甲基丙烯酸系樹脂、苯乙烯系樹脂、環氧系樹脂、醯胺系樹脂、醯胺環氧系樹脂、醇酸系樹脂、酚醛系樹脂等有機高分子。作為鹼性可溶性樹脂，優選為將具有烯屬不飽和雙鍵的單體(聚合性單體)聚合(自由基聚合等)而得到的。這些鹼性水溶液中可溶的聚合物可以單獨使用，也可以將兩種以上組合使用。 　　[0024] 作為具有烯屬不飽和雙鍵的單體，例如可以列舉苯乙烯、乙烯基甲苯、α-甲基苯乙烯、對甲基苯乙烯、對乙基苯乙烯、對甲氧基苯乙烯、對乙氧基苯乙烯、對氯苯乙烯、對溴苯乙烯等苯乙烯衍生物；雙丙酮丙烯醯胺等丙烯醯胺；丙烯腈；乙烯基-正丁基醚等乙烯醇的酯類；(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸四氫糠酯、(甲基)丙烯酸二甲基氨基乙基酯、(甲基)丙烯酸二乙基氨基乙基酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸2,2,2-三氟乙酯、(甲基)丙烯酸2,2,3,3-四氟丙酯、(甲基)丙烯酸、α-溴(甲基)丙烯酸、α-氯(甲基)丙烯酸、β-呋喃基(甲基)丙烯酸、β-苯乙烯基(甲基)丙烯酸等的(甲基)丙烯酸單酯；馬來酸、馬來酸酐、馬來酸單甲酯、馬來酸單乙酯、馬來酸單異丙酯等馬來酸系單體；富馬酸、肉桂酸、α-氰基肉桂酸、衣康酸、巴豆酸、丙炔酸等。 　　[0025] 作為光聚合性化合物，例如可以列舉使多元醇與α,β-不飽和羧酸反應而得到的化合物；雙酚A系(甲基)丙烯酸酯化合物；使含縮水甘油基的化合物與α,β-不飽和羧酸反應而得到的化合物；分子內具有氨基甲酸酯鍵的(甲基)丙烯酸酯化合物等氨基甲酸酯單體；壬基苯氧基聚乙烯氧丙烯酸酯；鄰苯二甲酸γ-氯-β-羥基丙基-β’-(甲基)丙烯醯基氧基乙基酯、鄰苯二甲酸β-羥基烷基-β’-(甲基)丙烯醯基氧基烷基酯等鄰苯二甲酸系化合物；(甲基)丙烯酸烷基酯、EO、PO改質(甲基)丙烯酸壬基苯基酯等。這裡，EO及PO表示環氧乙烷及環氧丙烷，被EO改質的化合物具有環氧乙烷基團的嵌段結構，被PO改質的化合物具有環氧丙烷基團的嵌段結構。這些光聚合性化合物可以單獨使用，也可以將兩種以上組合使用。 　　[0026] 作為光聚合起始劑，可以列舉二苯甲酮、N,N’-四甲基-4,4’-二氨基二苯甲酮(米蚩酮)、N,N’-四乙基-4,4’-二氨基二苯甲酮、4-甲氧基-4’-二甲基氨基二苯甲酮、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-嗎啉代苯基)-丁酮-1及2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代-丙酮-1等芳族酮；2-乙基蒽醌、菲醌、2-叔丁基蒽醌、八甲基蒽醌、1,2-苯並蒽醌、2,3-苯並蒽醌、2-苯基蒽醌、2,3-二苯基蒽醌、1-氯蒽醌、2-甲基蒽醌、1,4-萘醌、9,10-菲醌、2-甲基-1,4-萘醌、2,3-二甲基蒽醌等醌類；苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻苯基醚等苯偶姻醚化合物；苯偶姻、甲基苯偶姻、乙基苯偶姻等苯偶姻化合物；苯偶醯二甲基縮酮等苯偶醯衍生物；2-(鄰氯苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚體、2-(鄰氯苯基)-4,5-二(甲氧基苯基)咪唑二聚體、2-(鄰氟苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚體、2-(鄰甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚體、2-(對甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚體等2,4,5-三芳基咪唑二聚體；9-苯基吖啶、1,7-雙(9,9’-吖啶基)庚烷等吖啶衍生物；N-苯基甘氨酸、N-苯基甘氨酸衍生物、香豆素系化合物等。上述2,4,5-三芳基咪唑二聚體中的兩個2,4,5-三芳基咪唑的芳基取代基可以相同而給出對稱的化合物，也可以不同而給出非對稱的化合物。此外，如二乙基噻噸酮和二甲基氨基苯甲酸的組合那樣，也可以將噻噸酮系化合物和叔胺化合物組合。這些可以單獨使用，也可以將兩種以上組合使用。 　　[0027] 環氧樹脂有作為硬化劑被使用的情況。通過使鹼性可溶性樹脂的羧酸與環氧反應，使抗蝕劑交聯，實現耐熱性、耐化學性的特性的提高。但是，羧酸和環氧的反應在常溫也進行，所以抗蝕劑的保存穩定性變差。因此，鹼性顯影型阻焊劑一般呈在使用前混合的2液性的形態的情況較多。也有使抗蝕劑含有無機填料的情況，作為無機填料，例如可以列舉滑石、硫酸鋇、二氧化矽等。 　　[0028] 在基板的表面上形成抗蝕劑層的方法可以是任意方法，例如可以列舉，網版印刷法、輥塗法、噴霧法、浸漬法、幕塗法、棒塗法、氣刀法、熱熔法、凹版塗敷法、刷塗法、膠版印刷法。乾膜抗蝕劑的情況適合使用層壓法。 　　[0029] ＜基板＞ 　　作為基板，可以列舉印刷電路板用基板、引線框用基板、將印刷電路板用基板、引線框用基板加工所得到的電路基板。 　　[0030] 作為印刷電路板用基板，例如可以列舉撓性基板、剛性基板。 　　[0031] 撓性基板的絕緣層的厚度為5~125μm，在其雙面或單面設置有1~35μm的金屬層來構成層疊基板，可撓性較大。對於絕緣層的材料，通常使用聚醯亞胺、聚醯胺、聚苯硫醚、聚對苯二甲酸乙二醇酯、液晶聚合物等。在絕緣層上具有金屬層的材料也可以使用通過借助黏著劑貼合的黏著法、在金屬箔上塗敷樹脂液的鑄造法、在通過濺射、蒸鍍而在樹脂膜上形成的厚度數nm的薄的導電層(籽晶層)上通過電解鍍敷來形成金屬層的濺射/鍍敷法、通過熱壓來貼付的層壓法等任意方法來製造的。作為金屬層的金屬，可以使用銅、鋁、銀、鎳、鉻、或者它們的合金等任意金屬，但一般使用銅。 　　[0032] 作為剛性基板，可以列舉設置有金屬層的層疊基板。該層疊基板為，在紙基材或者玻璃基材上層疊浸漬了環氧樹脂或者酚醛樹脂等的絕緣性基板而作為絕緣層，將金屬箔載置於其單面或雙面上，通過加熱及加壓來層疊而得到的。此外，也可以列舉在內層配線圖案加工後層疊預成形料、金屬箔等而製作的多層用的遮罩板、具有貫通孔或非貫通孔的多層板。厚度為60μm~3.2mm，根據作為印刷電路板的最終使用形態，選定其材質和厚度。作為金屬層的材料，列舉銅、鋁、銀、金等，但最一般的也是銅。這些印刷電路板用基板的示例被記載於《印刷電路技術便覽-第二版-》(「印刷電路技術便覧-第二版-」)(社團法人印刷電路學會編、1987年刊、日刊工業新聞公司發刊)、《多層印刷電路指南》(「多層印刷電路手冊」)(J. A.斯嘉麗編、1992年刊、株式會社近代化學公司發刊)。 　　[0033] 作為引線框用基板，可以列舉鐵鎳合金、銅系合金等基板。 　　[0034] 電路基板是指，在絕緣性基板上形成有用於連接半導體晶片等電子零件的連接焊板的基板。連接焊板由銅等金屬構成。此外，也可以在電路基板上形成有導體配線。作為製作電路基板的方法，例如可以列舉減成法、半加成法、加成法。在減成法中，例如，上述的在印刷電路板用基板上形成蝕刻抗蝕劑圖案，實施曝光工程、顯影工程、蝕刻工程、抗蝕劑剝離工程來製作電路基板。 　　[0035] ＜薄膜化裝置＞ 　　圖2~圖6是表示本新型的薄膜化裝置的一例的概略圖。本新型的薄膜化裝置具備薄膜化處理單元11，前述薄膜化處理單元11對形成於基板上的抗蝕劑層供給薄膜化處理液1，使抗蝕劑層中的成分膠束化。並且，薄膜化處理單元11具有裝有薄膜化處理液的浸漬槽2、浸漬槽的出口輥對5、薄膜化處理單元的出口輥對6、被設置於浸漬槽的出口輥對5和薄膜化處理單元的出口輥對6之間的除液輥對8。進而，薄膜化處理單元11具有對該除液輥對8供給薄膜化處理液1的薄膜化處理液供給機構。 　　[0036] 在薄膜化處理單元11中，形成有抗蝕劑層的基板3被從投入口7向單元投入，借助搬運輥對4，在被浸漬於浸漬槽2中的薄膜化處理液1的狀態下被搬運，通過浸漬槽2的出口輥對5。通過這些處理，基板3上的抗蝕劑層中的成分被薄膜化處理液1膠束化，該膠束相對於薄膜化處理液1不溶化。 　　[0037] 薄膜化處理液1被薄膜化處理液供給用泵(圖中未示出)從薄膜化處理液儲存罐13中的薄膜化處理液吸入口14吸入，經由薄膜化處理液供給管15被供給至浸漬槽2。被供給至浸漬槽2的薄膜化處理液1若從浸漬槽2溢出，則穿過薄膜化處理液回收管16被回收至薄膜化處理液儲存罐13。這樣，薄膜化處理液1在浸漬槽2和薄膜化處理儲存罐13之間循環。剩餘部分的薄膜化處理液1被從薄膜化處理液排水管17排出。 　　[0038] 作為在用作薄膜化處理液1的鹼水溶液中使用的鹼性化合物，可以列舉例如鋰、鈉或鉀等鹼金屬的鹼金屬矽酸鹽、鹼金屬氫氧化物、鹼金屬磷酸鹽、鹼金屬碳酸鹽、銨磷酸鹽、銨碳酸鹽等無機鹼性化合物；單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、甲基胺、二甲基胺、乙基胺、二乙基胺、三乙基胺、環己基胺、四甲基氫氧化銨(TMAH)、四乙基氫氧化銨、三甲基-2-羥乙基氫氧化銨(膽鹼)等有機鹼性化合物。這些鹼性化合物可以單獨使用，也可以作為混合物使用。對於作為薄膜化處理液1的介質的水，可以使用自來水、工業用水、純水等，但特別優選地使用純水。 　　[0039] 鹼性化合物能夠使用0.1質量%以上50質量%以下的含量。此外，為了使抗蝕劑層表面更均勻地薄膜化，也能夠對薄膜化處理液1添加硫酸鹽、亞硫酸鹽。作為硫酸鹽或亞硫酸鹽，可以列舉鋰、鈉或鉀等鹼金屬的硫酸鹽或亞硫酸鹽、鎂、鈣等鹼土金屬的硫酸鹽或亞硫酸鹽。 　　[0040] 作為薄膜化處理液1的鹼性化合物，它們中，能夠特別優選地使用從鹼金屬碳酸鹽、鹼金屬磷酸鹽、鹼金屬氫氧化物、鹼金屬矽酸鹽選出的無機鹼性化合物；從四甲基氫氧化銨、膽鹼選出的有機鹼性化合物。這些鹼性化合物可以單獨使用，也可以作為混合物使用。此外，為使表面更均勻地薄膜化，能夠適當地使用鹼性化合物的含量為5~25質量%的鹼性水溶液。在鹼性化合物的含量不足5質量%的情況下，有被薄膜化後的抗蝕劑層的厚度不均勻的情況。此外，若鹼性化合物的含量超過25質量%，則有容易發生鹼性化合物的析出的情況，有液體的經時穩定性、作業性變差的情況。鹼性化合物的含量更優選為7~17質量%，進一步優選為8~13質量%。作為薄膜化處理液1被使用的鹼性水溶液的pH優選為10以上。此外，對於薄膜化處理液1，也能夠適當添加介面活性劑、消泡劑、溶劑等。 　　[0041] 作為薄膜化處理液1被使用的鹼性水溶液的溫度優選為15~35℃，進一步優選為20~30℃。若溫度過低，則有鹼性化合物向抗蝕劑層的浸透速度變慢的情況，使所希望的厚度薄膜化需要較長時間。另一方面，若溫度過高，則與鹼性化合物向抗蝕劑層的浸透的同時進行溶解擴散，由此有被薄膜化後的抗蝕劑層的厚度變得不均勻的情況。 　　[0042] 在薄膜化處理單元11之後具備的膠束除去處理單元12中，在薄膜化處理單元11處抗蝕劑層相對於薄膜化處理液1不溶化的基板3被搬運輥對4搬運。相對於被搬運的基板3，借助膠束除去液噴霧22供給膠束除去液10，膠束被一舉溶解除去。 　　[0043] 膠束除去液10被膠束除去液供給用泵(圖中未示出)從膠束除去液儲存罐18中的膠束除去液吸入口19吸入，經由膠束除去液供給管20，從膠束除去液用噴嘴21被作為膠束除去液噴霧22噴射。膠束除去液噴霧22從基板3流下後，被回收至膠束除去液儲存罐18。這樣，膠束除去液10在膠束除去處理單元12內循環。剩餘部分的膠束除去液10被從膠束除去液排水管23排出。 　　[0044] 作為膠束除去液10，也可以使用水，但優選為使用比薄膜化處理液1稀的含有鹼性化合物的pH5~10的水溶液。借助膠束除去液10，在薄膜化處理液中不溶化的抗蝕劑層的成分的膠束再分散而被除去。作為被用於膠束除去液10的水，能夠使用自來水、工業用水、純水等，但特別優選地使用純水。膠束除去液10的pH不足5的情況下，抗有蝕劑層的成分集聚而成為不溶性的淤渣、附著於薄膜化後的抗蝕劑層表面的情況。另一方面，在膠束除去液10的pH超過10的情況下，有抗蝕劑層過度溶解擴散、在表面內被薄膜化的抗蝕劑層的厚度不均勻的情況。此外，膠束除去液10的pH能夠使用硫酸、磷酸、鹽酸等進行調整。 　　[0045] 膠束除去處理的膠束除去液噴霧22的條件(溫度、噴霧壓、供給流量)與被薄膜化處理的抗蝕劑層的溶解速度配合地被適當調整。具體地，處理溫度優選為10~50℃，更優選為15~35℃。此外，噴霧壓優選為0.01~0.5MPa，更優選為0.1~0.3MPa。膠束除去液10的供給流量優選為抗蝕劑層每1cm 2為0.030~1.0L/min，更優選為0.050~1.0L/min，進一步優選為0.10~1.0L/min。若供給流量為該範圍，則在薄膜化後的抗蝕劑層表面上不會殘留不溶解成分，容易將不溶化的抗蝕劑層的成分的膠束在表面內大致均勻地除去。抗蝕劑層每1cm 2的供給流量不足0.030L/min的話，有發生不溶化的抗蝕劑層的成分的溶解不良的情況。另一方面，若供給流量超過1.0L/min，則為了供給而必需的泵等零件變得龐大，有需要設置成大規模的裝置的情況。進而，在超過1.0L/min的供給量下，有時對抗蝕劑層的成分的溶解擴散施加的效果不變。為了在抗蝕劑層表面上高效率地產生液流，可以從噴霧的方向相對於與抗蝕劑層表面垂直的方向傾斜的方向噴射。 　　[0046] ＜除液輥＞ 　　對在薄膜化處理單元11內部的浸漬槽的出口輥對5和薄膜化處理單元的出口輥對6之間設置的除液輥對8進行說明。在通過浸漬槽2的出口輥對5後的基板3上，被抗蝕劑層表面從浸漬槽2帶出的薄膜化處理液1的液膜覆蓋。借助除液輥對8，薄膜化處理液1的液膜被刮落，且該液膜的厚度均勻對齊。薄膜化處理液1的液膜的厚度均勻地對齊的基板3通過薄膜化處理單元的出口輥對6後，被向膠束除去處理單元12搬運。 　　[0047] 這裡，對基於薄膜化處理液1的抗蝕劑層的成分的膠束化速度進行說明。若將被浸漬於浸漬槽2中的薄膜化處理液1的狀態，和通過浸漬槽2的出口輥對5後、抗蝕劑層表面被薄膜化處理液1的液膜覆蓋的狀態比較，則後者膠束化速度變慢。進而，根據薄膜化處理液1的液膜的厚度，膠束化速度不同，液膜更厚的一方膠束化速度變快。即，借助除液輥對8，將薄膜化處理液1的液膜的厚度均勻地對齊，由此，基板3的表面內的抗蝕劑層的成分的膠束化速度的速度差為最小限度，薄膜化處理量變得均勻。此外，借助除液輥對8，刮落不需要的薄膜化處理液1，由此，抑制薄膜化處理液1被向膠束除去處理單元12帶入，抑制膠束除去性能的不均，抗蝕劑層的薄膜化處理量變得均勻。 　　[0048] 在本新型中，薄膜化處理單元11具有對除液輥對8供給薄膜化處理液1的薄膜化處理液供給機構。借助薄膜化處理液供給機構，對除液輥對8供給薄膜化處理液1，由此能夠維持除液輥對8總是被薄膜化處理液1濕潤的狀態。在不對除液輥對8供給薄膜化處理液1的情況下，附著於除液輥對8的薄膜化處理液1乾燥，液體中的成分析出・黏著，由此，抗蝕劑層上的薄膜化處理液1的膜量變得不均勻。即使在連續地運轉的情況下，在長時間的運轉下也有發生這種現象的情況，在進行伴隨著非連續的作業的間歇運轉的情況等下，這種現象特別顯著地出現。 　　[0049] 作為薄膜化處理液供給機構，可以列舉對除液輥對8的上側輥供給薄膜化處理液1的噴嘴25(除液輥對用噴嘴25)。圖2是薄膜化處理液供給機構為除液輥對用噴嘴25的薄膜化裝置的一例。在圖2中，薄膜化處理液1穿過除液輥對用薄膜處理液供給管24，從除液輥對用噴嘴25被供給至除液輥對8的上側輥。由此，能夠使除液輥對8總是維持濕潤的狀態，不會有附著於除液輥對8的薄膜化處理液1乾燥而液體中的成分析出・黏著的情況，抗蝕劑層上的薄膜化處理液的膜量變得均勻。 　　[0050] 此外，圖3是表示除液輥對8用噴嘴25的一例的放大概略圖。在圖3的構造中，多個除液輥對用噴嘴25被在寬度方向上連續地整齊地配置，從各個噴嘴均等地對除液輥對8的上側輥供給薄膜化處理液1。如前所述，除液輥對8將抗蝕劑層表面的薄膜化處理液1的液膜刮落，且將該液膜的厚度均勻地對齊，借助除液輥對用噴嘴25被供給的薄膜化處理液1的供給量被調整成使得除液輥對8不乾燥即可。但是，若供給量過剩，則不能借助除液輥對8將薄膜化處理液1的液膜刮落，該液膜的厚度變得不均勻。此外，若供給量不足，則附著於除液輥對8的薄膜化處理液1乾燥，液體中的成分析出・黏著，抗蝕劑層上的薄膜化處理液1的膜量變得不均勻。由此，作為薄膜化處理液1的供給量，若能夠使除液輥對8在寬度方向上均等地濕潤的話不需要特別地限制，但作為來自各除液輥對用噴嘴25的供給量，優選為100~1000ml/min的範圍，更優選為100~500 ml/min的範圍。此外，作為多個除液輥對用噴嘴25的間隔，沒有特別限制，但優選為2~20cm，更優選為5cm~15 cm。此外，作為除液輥對用噴嘴25和除液輥對8的距離，沒有特別限制，但優選為1~10cm。薄膜化處理液1的供給量、除液輥對用噴嘴25的間隔、及除液輥對用噴嘴25和除液輥對8的距離為，以除液輥對8能夠總是維持濕潤的狀態的最低量的方式，隨時調整適合於實際的裝置的值來決定。 　　[0051] 作為被使用為除液輥對用噴嘴25的具體的噴嘴的種類，沒有特別的限制，但例如可以列舉，株式會社池內(IKEUCHI)製造的單流體噴霧噴嘴的空圓錐噴嘴、充圓錐噴嘴、充角錐噴嘴、標準扇形噴嘴、均等扇形噴嘴、廣角扇形噴嘴等，作為被優選使用的噴嘴，可以列舉標準扇形噴嘴(VP/VVP系列)、均等扇形噴嘴(VEP系列)。 　　[0052] 接著，作為薄膜化處理液供給機構，可以列舉對除液輥對8的下側輥供給薄膜化處理液1的輥浸漬槽26。圖4是薄膜化處理液供給機構對除液輥對8的下側輥供給薄膜化處理液1的輥浸漬層26的薄膜化裝置的一例。在圖4中，薄膜化處理液1穿過除液輥對用薄膜處理液供給管24，被供給至除液輥對用輥浸漬槽26，除液輥對8的下側輥呈總是浸漬於薄膜化處理液1的狀態。此外，除液輥對8的上側輥、下側輥相壓。因此，被供給至除液輥對8的下側輥的薄膜化處理液1總是被轉印・供給至除液輥對8的上側輥，除液輥對8能夠維持總是濕潤的狀態，沒有附著於除液輥對8的薄膜化處理液1乾燥而液體中的成分析出・黏著的情況，抗蝕劑層上的薄膜化處理液的膜量均勻。 　　[0053] 穿過除液輥對用薄膜處理液供給管24被供給至除液輥對用輥浸漬槽26的液體量沒有特別限制，除液輥對用輥浸漬層26的液量被調整成除液輥對8的下側輥能夠總是浸漬於薄膜化處理液1的量即可。此外，從除液輥對用浸漬槽26溢出的薄膜化處理液1被回收，能夠作為薄膜化處理液1被再次使用。 　　[0054] 除液輥對8緊貼於抗蝕劑層表面是較重要的。因此，作為除液輥，適合使用在表面上沒有凹凸的筆直型的輥。作為除液輥的種類，可以列舉橡膠輥、海綿輥、金屬輥、樹脂輥等。其中，由於具有優異的橡膠彈性(密封性、恢復性)，比重較小，輕量，是從低硬度至中硬度，對抗蝕劑層的接觸引起的衝擊較少，對作為高濃度的鹼性水溶液的薄膜化處理液1的耐化學性也優異，所以優選為烯烴系熱塑性彈性體的輥。作為烯烴系熱塑性彈性體，可以列舉烯烴類熱塑性彈性體(THERMORUN、註冊商標)。 　　[0055] 在使用一對除液輥對8的情況下也具有該效果，但通過使用多對輥對來連續地進行除液，能夠得到更大的效果。具體地，除液輥對8的除液的次數越多，抗蝕劑層上的薄膜化處理液1的液膜的厚度的均勻性越高。圖5及圖6使表示在浸漬槽2的出口輥對5和薄膜化處理單元的出口輥對6之間具有兩對除液輥對8的抗蝕劑層的薄膜化裝置的一例的概略剖視圖，在圖5中，薄膜化處理液供給機構是除液輥對用噴嘴25，在圖6中，薄膜化處理液供給機構是除液輥對用輥浸漬層26，但將除液輥對8的數量設為幾對能夠與薄膜化處理量對應地適當調整，不限於該數量，也可以是3對以上。 　　[0056] 被用於本新型的薄膜化裝置的搬運輥對4能夠搬運基板3，並且優選為緊貼於抗蝕劑層表面。作為搬運輥，適當地使用在表面上沒有凹凸的筆直型的輥。作為搬運輥的種類，可以列舉橡膠輥、海綿輥、金屬輥、樹脂輥等。其中，由於具有優異的橡膠彈性(密封性、恢復性)，比重較小，輕量，是從低硬度至中硬度，對抗蝕劑層的接觸引起的衝擊較少，對作為高濃度的鹼性水溶液的薄膜化處理液1的耐化學性也優異，所以優選為烯烴系熱塑性彈性體的輥。作為烯烴系熱塑性彈性體，可以列舉烯烴類熱塑性彈性體(THERMORUN、註冊商標)。此外，搬運輥的設置位置及個數為，只要能夠搬運基板3即可，不被特別地限定於圖1、圖2、圖4~圖6所示的設置位置及個數。 　　[0057] 作為浸漬槽的出口輥對5、薄膜化處理單元的出口輥對6、膠束除去處理單元的入口輥對9，也適當地使用與搬運輥對4相同種類、功能、物性的輥。特別地，浸漬槽的出口輥對5被用於，浸漬槽2的薄膜化處理液1的液面維持及將被覆蓋於抗蝕劑層表面的薄膜化處理液1的液膜刮落的除液。此外，薄膜化處理單元的出口輥對6被用於，抑制將薄膜化處理液1帶入膠束除去處理單元12和膠束除去液10向薄膜化處理單元11的逆流。膠束除去處理單元的入口輥對9主要為了將向薄膜化處理單元11內逆流的膠束除去液10堵住而被使用。 實施例 　　[0058] 根據以下實施例對本新型進一步詳細地說明，但本新型不限於該實施例。 　　[0059] (實施例1) 　　玻璃基材環氧樹脂基板(面積510mm×340mm、銅箔厚度12μm、基材厚度0.2mm、三菱瓦斯化學公司(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.)製造、商品名：CCL-E170)使用乾膜抗蝕劑用塑封機，將乾膜抗蝕劑(日立化成公司(Hitachi Chemical Co., Ltd.)製造、商品名：RY3625、厚度25μm)熱壓接來形成抗蝕劑層。 　　[0060] 接著，將乾膜抗蝕劑的載體膜剝離後，薄膜化處理單元11具有裝有薄膜化處理液的浸漬槽2、浸漬槽的出口輥對5、薄膜化處理單元的出口輥對6、被設置於浸漬槽的出口輥對和薄膜化處理單元的出口輥對之間的除液輥對8，進而，薄膜化處理單元11具有對該除液輥對8供給薄膜化處理液的薄膜化處理液供給機構，薄膜化處理液供給機構使用抗蝕劑層的薄膜化裝置(圖2)來使抗蝕劑層薄膜化，前述抗蝕劑層的薄膜化裝置是對除液輥對8的上側輥供給薄膜化處理液1的除液輥對用噴嘴25。 　　[0061] 在該抗蝕劑層的薄膜化裝置中，基板3穿過薄膜化處理單元11內部的浸漬槽2的出口輥對5後，借助一對除液輥對8，抗蝕劑層表面的薄膜化處理液1的液膜被刮落，液膜的厚度均勻化，前述一對除液輥對8被設置於至被搬運至膠束除去處理單元12之間。在除液輥對8的上側輥，穿過除液輥對用薄膜處理液供給管24，從除液輥對用噴嘴25供給薄膜化處理液1。 　　[0062] 作為薄膜化處理液1(鹼性水溶液)，使用10質量%的碳酸鈉水溶液(液溫度25℃)，以浸漬槽2的浸漬處理時間為30秒、在從浸漬槽的出口輥對5至薄膜化處理單元的出口輥對6的距離(90mm)中前進的時間為4秒的方式進行薄膜化處理。此後，在膠束除去處理單元12中，除去不溶化的膠束，使抗蝕劑層薄膜化。此時，除液輥對用噴嘴25(使用株式會社池內(IKEUCHI)製造：山形分佈噴嘴VP)以在寬頻方向上為10cm的間隔設置，將各噴嘴的薄膜化處理液1的供給量設為170ml/min。此外，實施連續的薄膜化處理，在進行第一張基板3的處理後，隔一分鐘的間隔，進行第二張基板3的薄膜化處理，再隔一分鐘的間隔，進行第三張基板3的薄膜化處理，進行如上方式的間歇運轉，關於第10張基板3進行均勻性的評價。在進行間歇運轉期間，維持薄膜化裝置的各種輥的旋轉。 　　[0063] 在膠束除去處理後，實施水洗處理及乾燥處理。此後，在10處測定抗蝕劑層的薄膜化部的厚度，最大值為13.6μm，最小值為10.8μm，平均厚度為12.2μm。此外，用光學顯微鏡觀察被薄膜化的抗蝕劑層的表面，確認是平滑的面。 　　[0064] (實施例2) 　　除了使用薄膜化處理液供給機構為對除液輥對8的下側輥供給薄膜化處理液1的除液輥對用輥浸漬槽26的抗蝕劑層的薄膜化裝置(圖4)以外，與實施例1相同地，使抗蝕劑層薄膜化。向除液輥對用輥浸漬槽26的薄膜化處理液1的供給量設為200ml/min，回收溢出的薄膜化處理液1，作為薄膜化處理液1再次使用。 　　[0065] 在水洗處理及乾燥處理之後，在10處測定抗蝕劑層的薄膜化部的厚度，最大值為13.4μm，最小值為11.0μm，平均厚度為12.2μm。此外，用光學顯微鏡觀察被薄膜化的抗蝕劑層的表面，確認是平滑的面。 　　[0066] (實施例3) 　　除了使用如下抗蝕劑層的薄膜化裝置(圖5)以外，與實施例1相同地，使抗蝕劑層薄膜化，前述抗蝕劑層的薄膜化裝置具有薄膜化處理單元的出口輥對6和被設置於浸漬槽的出口輥對與薄膜化處理單元的出口輥對之間的兩對除液輥對8，薄膜化處理液供給機構為對兩對除液輥對8的上側輥供給薄膜化處理液1的除液輥對用噴嘴25。 　　[0067] 在水洗處理及乾燥處理之後，在10處測定抗蝕劑層的薄膜化部的厚度，最大值為13.1μm，最小值為10.9μm，平均厚度為12.0μm。此外，用光學顯微鏡觀察被薄膜化的抗蝕劑層的表面，確認是平滑的面。 　　[0068] (實施例4) 　　除了使用薄膜化處理液供給機構為對兩對除液輥對8的下側輥供給薄膜化處理液1的除液輥對用輥浸漬槽26的抗蝕劑層的薄膜化裝置(圖6)以外，與實施例3相同地，使抗蝕劑層薄膜化。 　　[0069] 在水洗處理及乾燥處理之後，在10處測定抗蝕劑層的薄膜化部的厚度，最大值為12.9μm，最小值為11.1μm，平均厚度為12.0μm。此外，用光學顯微鏡觀察被薄膜化的抗蝕劑層的表面，確認是平滑的面。 　　[0070] (比較例1) 　　除了使用，具有被設置於浸漬槽的出口輥對5和薄膜化處理單元的出口輥對6之間的一對除液輥對8但不具有薄膜化處理液供給機構的抗蝕劑層的薄膜化裝置(圖7)以外，與實施例1相同地，使抗蝕劑層薄膜化。 　　[0071] 在水洗處理及乾燥處理之後，在10處測定抗蝕劑層的薄膜化部的厚度，最大值為14.4μm，最小值為9.2μm，平均厚度為11.8μm。在薄膜化結束後，觀察薄膜化處理單元11內的除液輥對8，薄膜化處理液1處處乾燥，觀察到薄膜化處理液1的成分析出・黏著而變白的部分。此外，用光學顯微鏡觀察被薄膜化的抗蝕劑層的表面，厚度不均勻，這被認為是因為，乾燥・固化的薄膜化處理液1附著於抗蝕劑層。 　　[0072] 根據以上的結果，本新型的薄膜化裝置的特徵在於，薄膜化處理單元11具有裝有薄膜化處理液的浸漬槽2、浸漬槽的出口輥對5、薄膜化處理單元的出口輥對6、被設置於浸漬槽的出口輥對5和薄膜化處理單元的出口輥對6之間的除液輥對8，進而，薄膜化處理單元11具有對該除液輥對8供給薄膜化處理液1的薄膜化處理液供給機構，使用能夠防止附著於除液輥對8的薄膜化處理液1乾燥，薄膜化處理液1中的成分析出・黏著，能夠使抗蝕劑層表面的薄膜化處理液1的膜量均勻。在不對除液輥對8供給薄膜化處理液1的情況下，除液輥對乾燥，液體中的成分析出・黏著，不能均勻地處理抗蝕劑層的厚度。 　　[0073] 產業上的可利用性 　　本新型的抗蝕劑層的薄膜化裝置在印刷電路板、引線框的電路基板的製作、或具備倒裝晶片連接用的連接焊板的封裝基板的製作中，能夠應用於形成抗蝕劑圖案的用途。
[0074]
1‧‧‧薄膜化處理液
2‧‧‧浸漬槽
3‧‧‧基板
4‧‧‧搬運輥對
5‧‧‧浸漬槽的出口輥對
6‧‧‧薄膜化處理單元的出口輥對
7‧‧‧投入口
8‧‧‧除液輥對
9‧‧‧膠束除去處理單元的入口輥對
10‧‧‧膠束除去液
11‧‧‧薄膜化處理單元
12‧‧‧膠束除去處理單元
13‧‧‧薄膜化處理液儲存罐
14‧‧‧薄膜化處理液吸入口
15‧‧‧薄膜化處理液供給管
16‧‧‧薄膜化處理液回收管
17‧‧‧薄膜化處理液排水管
18‧‧‧膠束除去液儲存罐
19‧‧‧膠束除去液吸入口
20‧‧‧膠束除去液供給管
21‧‧‧膠束除去液用噴嘴
22‧‧‧膠束除去液噴霧
23‧‧‧膠束除去液排水管
24‧‧‧除液輥對用薄膜化處理液供給管
25‧‧‧除液輥對用噴嘴
26‧‧‧除液輥對用輥浸漬槽
[0018] 圖1是表示抗蝕劑層的薄膜化裝置的一例的概略剖視圖。 　　圖2是表示作為本新型的抗蝕劑層的薄膜化裝置的、具有對除液輥對的上側輥供給薄膜化處理液的噴嘴的抗蝕劑層的薄膜化裝置的一例的概略剖視圖。 　　圖3是表示對除液輥對的上側輥供給薄膜化處理液的噴嘴的一例的放大概略圖。 　　圖4是表示作為本新型的抗蝕劑層的薄膜化裝置的、具有除液輥對的下側輥被浸漬於薄膜化處理液的輥浸漬槽的抗蝕劑層的薄膜化裝置的一例的概略剖視圖。 　　圖5是表示作為本新型的抗蝕劑層的薄膜化裝置的、具有對兩對除液輥對的上側輥供給薄膜化處理液的噴嘴的抗蝕劑層的薄膜化裝置的一例的概略剖視圖。 　　圖6是表示作為本新型的抗蝕劑層的薄膜化裝置的、具有兩對除液輥對的下側輥被浸漬於薄膜化處理液的輥浸漬槽的抗蝕劑層的薄膜化裝置的一例的概略剖視圖。 　　圖7是表示作為以往的抗蝕劑層的薄膜化裝置的、具有除液輥對、但不具有對除液輥對供給薄膜化處理液的薄膜化處理液供給機構的薄膜化裝置的一例的概略剖視圖。

Claims (3)

  1. 一種抗蝕劑層的薄膜化裝置，前述抗蝕劑層的薄膜化裝置構成為具備薄膜化處理單元，前述薄膜化處理單元對被形成於基板上的抗蝕劑層供給薄膜化處理液，其特徵在於， 　　薄膜化處理單元具有浸漬槽、浸漬槽的出口輥對、薄膜化處理單元的出口輥對、除液輥對，前述浸漬槽裝有薄膜化處理液，前述除液輥對被設置於浸漬槽的出口輥對和薄膜化處理單元的出口輥對之間， 　　進而，薄膜化處理單元具有薄膜化處理液供給機構，前述薄膜化處理液供給機構對該除液輥對供給薄膜化處理液。
  2. 如請求項1所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置，其中， 　　薄膜化處理液供給機構是對除液輥對的上側輥供給薄膜化處理液的噴嘴。
  3. 如請求項1所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置，其中， 　　薄膜化處理液供給機構是對除液輥對的下側輥供給薄膜化處理液的輥浸漬槽。
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