JP3239541U - ソルダーレジスト層の薄膜化装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本考案の課題は、ソルダーレジスト層の薄膜化装置において、ミセルの溶解除去速度が極端に遅いソルダーレジスト層を薄膜化する場合にも、ミセル除去液によって除去しきれないソルダーレジスト層が残らず、薄膜化面が平滑になる、ソルダーレジスト層の薄膜化装置を提供することである。【解決手段】薄膜化処理液によって硬化していないソルダーレジスト層の成分をミセル化させる薄膜化処理ユニットと、ミセル除去液によってミセルを除去するミセル除去処理ユニットとを備えてなるソルダーレジスト層の薄膜化装置において、ミセル除去処理ユニットが、ミセル除去液供給用スプレーノズルを有し、ミセル除去液供給用スプレーノズルは、固定式であり、また、噴射方向が同一方向になるように配置され、ミセル除去液供給用スプレーノズルのスプレーパターンが扇形である。【選択図】図９

Description

本考案は、ソルダーレジスト層の薄膜化装置に関する。

各種電気機器内部の配線基板には、回路基板の半田付け不要な導体配線に半田が付着しないようにするために、この半田付け不要な部分がソルダーレジスト層で被覆されるようにソルダーレジストパターンが形成される。また、ソルダーレジストパターンは、導体配線の酸化防止、電気絶縁及び外部環境からの保護という役割を果たしている。

回路基板上に半導体チップ等の電子部品を搭載した半導体パッケージにおいて、フリップチップ接続による電子部品の搭載は、高速化、高密度化を実現する上で有効な手段である。フリップチップ接続では、導体配線の一部がフリップチップ接続用の接続パッドとなし、例えば、この接続パッド上に配設した半田バンプと半導体チップの電極端子とを接合する。

回路基板へのソルダーレジストパターンの形成方法としては、フォトリソグラフィー方式が一般に知られている。フォトリソグラフィー方式では、絶縁層５１上に接続パッド５４と導体配線５２を有する回路基板上にソルダーレジスト層５３を形成した後、露光、現像して、接続パッド５４周辺のソルダーレジスト層５３を除去し、開口部を設けることによって、図１に示すＳｏｌｄｅｒ Ｍａｓｋ Ｄｅｆｉｎｅｄ（ＳＭＤ）構造や図２に示すＮｏｎ Ｓｏｌｄｅｒ Ｍａｓｋ Ｄｅｆｉｎｅｄ（ＮＳＭＤ）構造を形成する。

ＳＭＤ構造において、接続パッド５４はその周辺近傍がソルダーレジスト層５３に被覆されているため、電子部品の電極端子と接続パッド５４とを電気的に確実に接続するために、接続パッド５４の露出面に形成する接合部に必要な半田量を確保する必要があり、接続パッド５４が大型化してしまうという問題があった。さらに、接続パッド５４の周辺近傍をソルダーレジスト層５３によって確実に被覆されるようにするために、加工精度を考慮して、接続パッド５４のソルダーレジスト層５３によって被覆する部分の幅を広く確保しておく必要があり、接続パッド５４がさらに大型化するという問題があった。一方、ＮＳＭＤ構造の接続パッド５４では、接続パッド５４全体がソルダーレジスト層５３から露出するために、半田との接続面積が大きく、ＳＭＤ構造の場合と比較して、接続パッド５４を小型化することができる。しかし、ＮＳＭＤ構造では、接続パッド５４がソルダーレジスト層５３から完全に露出しているため、互いに隣接する接続パッド５４間において、半田による電気的な短絡が生じる場合があった。

このような問題を解決するために、接続パッド５４を有する回路基板上にソルダーレジスト層５３が形成される工程、ソルダーレジスト層５３の厚みが接続パッド５４の厚み以下になるまで、硬化していないソルダーレジスト層５３が薄膜化される工程をこの順に少なくとも含むソルダーレジストパターンの形成方法が開示されている（例えば、特許文献１～４参照）。この形成方法では、図３に示したように、接続パッド５４表面はソルダーレジスト層５３から露出しているが、接続パッド５４側面の一部はソルダーレジスト層５３によって被覆されている構造が得られる。図３に示す構造では、互いに隣接する接続パッド５４間の半田による電気的な短絡が生じ難く、電子部品の電極端子と接続パッド５４とを電気的に確実に接続するために必要な半田量を確保でき、接続パッド５４を小型化することが可能で、電気的接続信頼性に優れる高密度配線の配線基板を作製することができる。

また、特許文献５には、レジスト層が形成された基板を高濃度のアルカリ水溶液（薄膜化処理液）に浸漬（ディップ、ｄｉｐ）してレジスト層の成分のミセルを一旦不溶化し、処理液中に溶解拡散しにくくする薄膜化処理ユニット、ミセル除去液スプレーによって一挙にミセルを溶解除去するミセル除去処理ユニット、表面を水洗処理液で洗浄する水洗処理ユニット、水洗処理液を除去する乾燥処理ユニットの四つの処理ユニットを少なくとも含むレジスト層の薄膜化装置が開示されている。

レジスト層の薄膜化装置の一部について、図４に示した概略断面図を用いて説明する。薄膜化処理ユニット１１では、投入口７からレジスト層が形成された基板３が投入される。基板３は、搬送ロール４対によって、ディップ槽２中の薄膜化処理液１に浸漬した状態で搬送され、レジスト層の薄膜化処理が行われる。その後に、基板３は、ミセル除去処理ユニット１２に搬送される。ミセル除去処理ユニット１２では、搬送ロール４対によって搬送されてきた基板３に対し、ミセル除去液供給管２０を通じてミセル除去液供給用スプレーノズル２１からミセル除去液スプレー２２が供給される。基板３上のレジスト層は、薄膜化処理ユニット１１内部のディップ槽２において、高濃度のアルカリ水溶液である薄膜化処理液１によって、レジスト層の成分のミセルが薄膜化処理液１に対して一旦不溶化されている。その後、ミセル除去液スプレー２２によってミセルが除去されることで、レジスト層が薄膜化される。特許文献５には、「ミセル除去は、ミセル除去液スプレー２２によって一挙に行うことが重要であり、一定以上の水圧と流量の条件で速やかに行うことが好ましい」との記述がある。

従来の各種の液処理装置において、スプレーを使用した液供給方法としては、固定式又は揺動式のスプレーノズルから基板表面に対して垂直に液を噴射する方法、首振り式のスプレーノズルによって基板表面に液の到達角度を絶えず変化させながら、液を噴射する方法等が一般的である。これら従来の液供給方法では、基板上の液流が緩慢で不均一になりやすい。そのため、これらの液供給方法によってミセル除去処理を行った場合には、ミセル除去が不均一となり、レジスト層の薄膜化処理量が不均一になる場合があった。

また、特許文献６には、スプレーノズルを基板搬送方向に対して直角の幅方向に傾斜させ、その傾斜角度が３０～７０度の範囲であることで、基板上のミセル除去液の液流を改善した薄膜化方法が開示されている。しかしながら、特許文献６には、スプレーノズルの傾斜角度は記載されているものの、スプレーノズルの向きに関する記載はない。そのため、角度を調整しただけでは、基板搬送方向に対して直交する右向きと左向きのミセル除去液の流れが発生する場合があり、依然として基板上のミセル除去液の液流が緩慢で不均一であり、レジスト層の薄膜化量が不均一になる場合があった。

このような問題を解決するために、特許文献７には、スプレーノズルの向きを単一方向にのみ傾けることで、基板面内において、レジスト層の薄膜化量が不均一になる問題を解決できるレジスト層の薄膜化装置が開示されている。特許文献７では、単一方向の液流を作るため、固定式のスプレーノズルを傾斜させて噴射することが提案されているが、スプレーを万遍なく均一に噴射するために、広範囲に噴射できる均等分布の充円錐タイプのノズルの使用が好ましいとの記載がある。しかしながら、ミセルの溶解除去速度が極端に遅いソルダーレジスト層を薄膜化する場合、ミセル除去液によって除去しきれなかったソルダーレジスト層が残り、薄膜化後のソルダーレジスト層に厚みが違う部分ができ、薄膜化面が平滑にならない場合があった。

このように、除去しきれなかったソルダーレジスト層が残って、薄膜化後のソルダーレジスト層に厚みの違う部分ができ、薄膜化面が平滑にならない場合、耐候性低下の原因となり、生産における歩留まりの低下につながるという問題があった。

特開２０１１－１９２６９２号公報 国際公開第２０１２／０４３２０１号パンフレット 特開２０１７－１０７１４４号公報 特開２０１７－１０３４４４号公報 特開２０１２－２７２９９号公報 特開２０１２－５９７５５号公報 実用新案登録第３２０７４０８号公報

本考案の課題は、ソルダーレジスト層の薄膜化装置において、ミセルの溶解除去速度が極端に遅いソルダーレジスト層を薄膜化する場合にも、ミセル除去液によって除去しきれないソルダーレジスト層が残らず、薄膜化面が平滑になる、ソルダーレジスト層の薄膜化装置を提供することである。

本考案者らは、下記によって、これらの課題を解決できることを見出した。

（１）薄膜化処理液によって硬化していないソルダーレジスト層の成分をミセル化させる薄膜化処理ユニットと、ミセル除去液によってミセルを除去するミセル除去処理ユニットとを備えてなるソルダーレジスト層の薄膜化装置において、
ミセル除去処理ユニットが、ミセル除去液供給用スプレーノズルを有し、
ミセル除去液供給用スプレーノズルは、固定式であり、また、噴射方向が同一方向になるように配置され、
ミセル除去液供給用スプレーノズルのスプレーパターンが扇形であることを特徴とするソルダーレジスト層の薄膜化装置。

（２）搬送方向に対して垂直方向に、スプレーパターンが一直線上に並ぶように、ミセル除去液供給用スプレーノズルが配置されている上記（１）記載のソルダーレジスト層の薄膜化装置。

本考案によれば、ソルダーレジスト層の薄膜化装置において、ミセルの溶解除去速度が極端に遅いソルダーレジスト層を薄膜化する場合にも、ミセル除去液によって除去しきれないソルダーレジスト層が残らず、薄膜化面が平滑になる、ソルダーレジスト層の薄膜化装置を提供することができる。

ソルダーレジストパターンの断面構造（ＳＭＤ構造）を示す説明図である。 ソルダーレジストパターンの断面構造（ＮＳＭＤ構造）を示す説明図である。 本考案のソルダーレジスト層の薄膜化装置を用いて形成されるソルダーレジストパターンの断面構造の一例を示す説明図である。 ソルダーレジスト層の薄膜化装置の一部を示す概略断面図である。 本考案のソルダーレジスト層の薄膜化装置の一例を示す概略図である。 本考案のソルダーレジスト層の薄膜化装置の一例を示す概略図である。 本考案のソルダーレジスト層の薄膜化装置の一例を示す概略図である。 本考案のソルダーレジスト層の薄膜化装置の一例を示す概略図である。 本考案のソルダーレジスト層の薄膜化装置において、ミセル除去液供給用スプレーノズルの配置例を示す概略図である。 本考案外のソルダーレジスト層の薄膜化装置の一例を示す概略図である。 ソルダーレジスト層の薄膜化装置におけるミセル除去液のスプレーパターンを示す概略図である。

＜薄膜化工程＞
本考案に係わる薄膜化処理液によるソルダーレジスト層の薄膜化工程とは、薄膜化処理液によってソルダーレジスト層の成分をミセル化して一旦不溶化し、処理液中に溶解拡散しにくくする薄膜化処理、ミセル除去液スプレーによって一挙にミセルを溶解除去するミセル除去処理を含む工程である。さらに、除去しきれなかったソルダーレジスト層表面や残存付着した薄膜化処理液及びミセル除去液を水洗処理液によって洗い流す水洗処理、水洗処理液を除去する乾燥処理を含むこともできる。

＜薄膜化処理＞
薄膜化処理液による薄膜化処理は、パドル処理、スプレー処理、ブラッシング、スクレーピング等の方法を用いることもできるが、浸漬処理によって行われることが好ましい。浸漬処理では、ソルダーレジスト層が形成された基板を薄膜化処理液に浸漬（ディップ、ｄｉｐ）する。浸漬処理以外の処理方法は、アルカリ水溶液中に気泡が発生しやすく、その発生した気泡が薄膜化処理中にソルダーレジスト層表面に付着して、膜厚が不均一となる場合がある。スプレー処理を使用する場合には、気泡が発生しないように、スプレー圧をできるだけ小さくしなければならない。

本考案において、ソルダーレジスト層形成後の厚みとソルダーレジスト層が薄膜化された量で、薄膜化された後のソルダーレジスト層の厚みが決定される。また、本考案では、０．０１～５００μｍの範囲でソルダーレジスト層の薄膜化量を自由に調整することができる。

＜ソルダーレジスト＞
ソルダーレジストとしては、アルカリ現像型のソルダーレジストが使用できる。また、液状レジストであってもよく、ドライフィルム状レジストであってもよい。液状レジストの場合、１液性であってもよく、２液性であってもよい。高濃度のアルカリ水溶液（薄膜化処理液）によって薄膜化でき、かつ、薄膜化処理液よりも低濃度のアルカリ水溶液である現像液によって現像できるソルダーレジストであればいかなるものでも使用できる。アルカリ現像型のソルダーレジストは光架橋性樹脂成分を含む。光架橋性樹脂成分は、例えば、アルカリ可溶性樹脂、光重合性化合物から選ばれる少なくとも１種を含有し、さらに、光重合開始剤を含有し、また、熱硬化剤、フィラー等を含有してもよい。

アルカリ可溶性樹脂としては、例えば、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、スチレン系樹脂、エポキシ系樹脂、アミド系樹脂、アミドエポキシ系樹脂、アルキド系樹脂、フェノール系樹脂の有機高分子が挙げられ、エチレン性不飽和二重結合を有した単量体（重合性単量体）を重合（ラジカル重合等）して得られたものであることが好ましい。これらのアルカリ可溶性樹脂は、分子中にカルボキシル基を含有する重合体や分子中にさらにエチレン性不飽和二重結合を有するカルボキシル基を含有する重合体から成り、主鎖の側鎖に、多数の遊離カルボキシル基を有するため、希アルカリ水溶液による現像が可能になる。また、光重合性化合物と架橋し、硬化後のソルダーレジスト層はアルカリ水溶液への耐性を有する。これらのカルボキシル基を含有する重合体は、単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

エチレン性不飽和二重結合を有した単量体としては、例えば、スチレン、ビニルトルエン、α－メチルスチレン、ｐ－メチルスチレン、ｐ－エチルスチレン、ｐ－メトキシスチレン、ｐ－エトキシスチレン、ｐ－クロロスチレン、ｐ－ブロモスチレン等のスチレン誘導体；ジアセトンアクリルアミド等のアクリルアミド；アクリロニトリル；ビニル－ｎ－ブチルエーテル等のビニルエーテル類；（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸テトラヒドロフルフリルエステル、（メタ）アクリル酸ジメチルアミノエチルエステル、（メタ）アクリル酸ジエチルアミノエチルエステル、（メタ）アクリル酸グリシジルエステル、２，２，２－トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、２，２，３，３－テトラフルオロプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸、α－ブロモ（メタ）アクリル酸、α－クロル（メタ）アクリル酸、β－フリル（メタ）アクリル酸、β－スチリル（メタ）アクリル酸等の（メタ）アクリル酸系単量体；マレイン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸モノメチル、マレイン酸モノエチル、マレイン酸モノイソプロピル等のマレイン酸系単量体；フマル酸、ケイ皮酸、α－シアノケイ皮酸、イタコン酸、クロトン酸、プロピオール酸等が挙げられる。

光重合性化合物としては、例えば、多価アルコールにα，β－不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物；ビスフェノールＡ系（メタ）アクリレート化合物；グリシジル基含有化合物にα，β－不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物；分子内にウレタン結合を有する（メタ）アクリレート化合物等のウレタンモノマー；ノニルフェノキシポリエチレンオキシアクリレート；γ－クロロ－β－ヒドロキシプロピル－β′－（メタ）アクリロイルオキシエチル－ｏ－フタレート、β－ヒドロキシアルキル－β′－（メタ）アクリロイルオキシアルキル－ｏ－フタレート等のフタル酸系化合物；（メタ）アクリル酸アルキルエステル、エチレングリコール、プロピレングリコール変性ノニルフェニル（メタ）アクリレート等が挙げられる。ここで、エチレングリコール及びプロピレングリコールは、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドを示し、エチレングリコール変性された化合物は、エチレンオキサイド基のブロック構造を有するものであり、プロピレングリコール変性された化合物は、プロピレンオキサイド基のブロック構造を有するものである。これらの光重合性化合物は単独で用いてもよいし、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

光重合開始剤としては、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラメチル－４，４′－ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン、Ｍｉｃｈｌｅｒ ｋｅｔｏｎｅ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラエチル－４，４′－ジアミノベンゾフェノン、４－メトキシ－４′－ジメチルアミノベンゾフェノン、２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）－１－ブタノン、２－メチル－１－［４－（メチルチオ）フェニル］－２－モルフォリノ－１－プロパノン等の芳香族ケトン；２－エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２－ベンズアントラキノン、２，３－ベンズアントラキノン、２－フェニルアントラキノン、２，３－ジフェニルアントラキノン、１－クロロアントラキノン、２－メチルアントラキノン、１，４－ナフトキノン、９，１０－フェナントラキノン、２－メチル－１，４－ナフトキノン、２，３－ジメチルアントラキノン等のキノン類；ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル化合物；ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン化合物；ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体；２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ビス（メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２－（ｏ－フルオロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｏ－メトキシフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｐ－メトキシフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５－トリアリールイミダゾール二量体；９－フェニルアクリジン、１，７－ビス（９，９′－アクリジニル）ヘプタン等のアクリジン誘導体；２，４，６－トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド等のアシルフォスフィンオキサイド化合物；１，２－オクタンジオン，１－［４－（フェニルチオ）－，２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）］、エタノン１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－１－（Ｏ－アセチルオキシム）等のオキシムエステル；オキシフェニル酢酸、２－［２－オキソ－２－フェニルアセトキシエトキシ］エチルエステル、オキシフェニル酢酸２－（２－ヒドロキシエトキシ）エチルエステル等のオキシフェニル酢酸エステル；ビス（η５－２，４－シクロペンタジエン－１－イル）－ビス（２，６－ジフルオロ－３－（１Ｈ－ピロール－１－イル）フェニル）チタニウム等のチタノセン化合物；Ｎ－フェニルグリシン、Ｎ－フェニルグリシン誘導体、クマリン系化合物、等が挙げられる。上記２，４，５－トリアリールイミダゾール二量体における２つの２，４，５－トリアリールイミダゾールのアリール基の置換基は、同一であって対称な化合物を与えてもよいし、相違して非対称な化合物を与えてもよい。また、ジエチルチオキサントンとジメチルアミノ安息香酸の組み合わせのように、チオキサントン系化合物と３級アミン化合物とを組み合わせてもよい。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

ソルダーレジスト層の物理的強度等を上げるために、必要に応じて、硬化剤として熱硬化性成分を含有することができる。このような熱硬化性成分としては、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂などのアミノ樹脂、ブロックイソシアネート化合物、シクロカーボネート化合物、多官能エポキシ化合物、多官能オキセタン化合物、エピスルフィド樹脂等が使用でき、アルカリ可溶性樹脂のカルボキシル基と反応（架橋）し、耐熱性や耐薬品性の特性が向上する。

フィラーとしては、無機又は有機フィラーが使用できる。特に、硫酸バリウム、球状シリカ及びタルクが好ましく用いられ、これらを単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。フィラーの平均粒子径は、０．１～２０μｍの範囲内であることが好ましい。上記平均粒子径は、より好ましくは０．２μｍ以上、より好ましくは４μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以下である。

基板の表面にソルダーレジスト層を形成する方法は、いかなる方法でもよい。例えば、液状レジストの場合、スクリーン印刷法、ロールコート法、スプレー法、浸漬法、カーテンコート法、バーコート法、エアナイフ法、ホットメルト法、グラビアコート法、刷毛塗り法、オフセット印刷法等が挙げられる。ドライフィルム状レジストの場合、ラミネート法、真空ラミネート法等が挙げられる。

基板としては、例えば、フレキシブル基板、リジッド基板が挙げられる。フレキシブル基板は、絶縁層にポリイミド、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンテレフタレート、液晶ポリマー等が用いられ、絶縁層の片面もしくは両面に金属層が設けられた積層基板になっており、可撓性が大きい。リジッド基板は、絶縁層にガラスクロスにビスマレイミドトリアジン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁性基板を重ねて絶縁層とし、その片面もしくは両面に金属層が設けられた積層基板が挙げられる。また、内層配線パターン加工後、プリプレグと呼ばれるビルドアップ用の絶縁材料を積層して作製する多層板も挙げられる。金属層の材料としては、銅、アルミニウム、銀、ニッケル、クロム、金、あるいはそれらの合金等のいかなる金属も用いることができるが、銅が一般的である。

本考案において、回路基板は、絶縁層５１と、絶縁層５１の表面に形成された接続パッド５４とを有する。絶縁層５１の表面には、導体配線５２が形成されていて、接続パッド５４は導体配線５２の一部である。本考案において、配線基板は、回路基板の表面にソルダーレジスト層５３からなるソルダーレジストパターンを有し、ソルダーレジスト層５３から接続パッド５４の一部が露出している。電子部品を搭載する配線基板の場合、片表面の接続パッド５４は電子部品接続用であり、別の表面の接続パッド５４は外部接続用である。電子部品接続用の接続パッド５４は電子部品と接合され、外部接続用の接続パッド５４は外部電気基板の導体配線と接合される。

導体配線５２と接続パッド５４は、例えば、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、アディティブ法等によって形成される。サブトラクティブ法では、例えば、絶縁層５１上に設けられた銅層上にエッチングレジストパターンを形成し、露光、現像、エッチング、レジスト剥離を実施して、導体配線５２と接続パッド５４を形成する。セミアディティブ法では、絶縁層５１の表面に無電解銅めっきにより電解銅めっき用の下地金属層を設ける。次に、下地金属層上にめっきレジストパターンを形成し、露出した下地金属層の表面に電解銅めっき層を形成する。その後、レジスト剥離、下地金属層のフラッシュエッチングを実施して、導体配線５２と接続パッド５４が形成される。

＜薄膜化装置＞
図５～７は、本考案のソルダーレジスト層の薄膜化装置の一例を示す概略図である。本明細書では、「ソルダーレジスト層の薄膜化装置」を「薄膜化装置」と略記する場合がある。図５～７は、薄膜化装置を上方向から見た概略図である。図５～７の薄膜化装置は、薄膜化処理液１によってソルダーレジスト層中の成分をミセル化させる薄膜化処理ユニット１１と、ミセル除去液１０によってミセルを除去するミセル除去処理ユニット１２と水洗処理液３２によってソルダーレジスト層表面を洗浄する水洗処理ユニット３１とを備えている。

まず、図４を用いて、従来技術における薄膜化装置と本考案の薄膜化装置において、共通する構造部分を説明する。薄膜化処理ユニット１１では、投入口７から投入されたソルダーレジスト層が形成された基板３が、搬送ロール４対によって、ディップ槽２中の薄膜化処理液１に浸漬された状態で搬送される。これらの処理によって、基板３上のソルダーレジスト層中の成分は薄膜化処理液１によってミセル化され、このミセルが薄膜化処理液１に対して不溶化される。

薄膜化処理液１は、薄膜化処理液貯蔵タンク１３中の薄膜化処理液吸込口１４から薄膜化処理液供給用ポンプ（図示せず）によって吸い込まれ、薄膜化処理液供給管１５を経てディップ槽２に供給される。ディップ槽２に供給された薄膜化処理液１は、オーバーフローし、薄膜化処理液回収管１６を通って薄膜化処理液貯蔵タンク１３に回収される。このようにして、薄膜化処理液１は、ディップ槽２と薄膜化処理貯蔵タンク１３との間を循環する。薄膜化処理液ドレン管１７からは、余剰分の薄膜化処理液１が排出される。

本考案では、薄膜化処理液がアルカリ性化合物を含む水溶液であることが好ましい。アルカリ性化合物の含有率は、好ましくは５～２５質量％であり、より好ましくは５～２０質量％であり、さらに好ましくは６～１７質量％である。アルカリ性化合物の含有率が５質量％未満である場合、薄膜化量が不均一になる場合がある。また、該含有率が２５質量％を超えた場合、アルカリ性化合物の析出が起こりやすくなることから、薄膜化処理液の経時安定性が問題となる場合がある。薄膜化処理液のｐＨは１０以上であることが好ましい。また、薄膜化処理液には、界面活性剤、消泡剤、溶剤等を適宜添加することもできる。

アルカリ性化合物としては、無機アルカリ性化合物が挙げられる。無機アルカリ性化合物としては、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩等が挙げられる。アルカリ金属としては、リチウム、ナトリウム、カリウム等が挙げられる。また、上記無機アルカリ性化合物以外に、アンモニウムリン酸塩、アンモニウム炭酸塩等の無機アルカリ性化合物が挙げられる。有機アルカリ性化合物としては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、シクロヘキシルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル－２－ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキサイド（コリン）等の有機アルカリ性化合物を含むこともできる。

アルカリ性化合物は単独で用いてもよいし、又は２種以上を併用してもよい。また、無機アルカリ性化合物と有機アルカリ性化合物を併用することもできる。

また、薄膜化処理液に、硫酸塩、亜硫酸塩を添加することもできる。硫酸塩又は亜硫酸塩としては、リチウム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属の硫酸塩又は亜硫酸塩、マグネシウム、カルシウム等の第２族元素の硫酸塩又は亜硫酸塩が挙げられる。

薄膜化処理液の温度は、１０～５０℃であることが好ましく、１５～３５℃であることがより好ましい。温度が低すぎると、ソルダーレジスト層へのアルカリ性化合物の浸透速度が遅くなる場合があり、所望の厚みを薄膜化するのに長時間を要する。一方、温度が高すぎると、ソルダーレジスト層へのアルカリ性化合物の浸透と同時に溶解拡散が進行することにより、面内で膜厚ムラが発生しやすくなる場合がある。

薄膜化処理ユニット１１から排出された基板３は、ミセル除去処理ユニット１２へ投入される。ミセル除去処理ユニット１２では、薄膜化処理ユニット１１においてソルダーレジスト層の成分が薄膜化処理液１に対して不溶化された基板３が搬送ロール６対によって搬送される。搬送されている基板３に対して、ミセル除去液供給用スプレーノズル２１からミセル除去液１０が供給され、ソルダーレジスト層の成分のミセルが一挙に溶解除去される。

ミセル除去液１０は、ミセル除去液貯蔵タンク１８中のミセル除去液吸込口１９からミセル除去液１０をミセル除去液供給用ポンプ（図示せず）で吸い込み、ミセル除去液供給管２０を経てミセル除去液供給用スプレーノズル２１からミセル除去液スプレー２２として噴射される。基板３から流下したミセル除去液１０は、ミセル除去液貯蔵タンク１８に回収される。このようにして、ミセル除去液１０はミセル除去処理ユニット１２内を循環する。ミセル除去液ドレン管２３からは、余剰分のミセル除去液１０が排出される。

ミセル除去液としては、水道水、工業用水、純水等を用いることができる。また、少なくとも１種のアルカリ性化合物を含むｐＨ５～１０の水溶液をミセル除去液として用いることが好ましく、薄膜化処理液で不溶化されたソルダーレジスト層の成分が再分散しやすくなる。アルカリ性化合物としては、上述の薄膜化処理液で例示したアルカリ性化合物が挙げられる。ミセル除去液のｐＨが５未満の場合、ソルダーレジスト層成分が凝集し、不溶性のスラッジとなって、薄膜化したソルダーレジスト層表面に付着する場合がある。一方、ミセル除去液のｐＨが１０を超えた場合、ソルダーレジスト層が過度に溶解拡散し、面内で薄膜化量にムラが発生しやすくなる場合がある。また、ミセル除去液は、硫酸、リン酸、塩酸等を用いて、ｐＨを調整することができる。

ミセル除去液スプレー２２の条件（温度、時間、スプレー圧、供給流量）は、ソルダーレジスト層の成分の溶解速度に合わせて適宜調整される。具体的には、ミセル除去液貯蔵タンク１８内におけるミセル除去液１０の温度は１０～５０℃が好ましく、より好ましくは１５～３５℃である。また、スプレー圧は０．０１～０．５ＭＰａとするのが好ましく、より好ましくは０．１～０．３ＭＰａである。ミセル除去液１０の供給流量は、ソルダーレジスト層１ｃｍ^２あたり０．０３０～１．０Ｌ／ｍｉｎが好ましく、０．０５０～１．０Ｌ／ｍｉｎがより好ましく、０．１０～１．０Ｌ／ｍｉｎがさらに好ましい。供給流量がこの範囲であると、薄膜化後のソルダーレジスト層表面に不溶解成分を残すことなく、ソルダーレジスト層の成分のミセルを除去しやすい。ソルダーレジスト層１ｃｍ^２あたりの供給流量が０．０３０Ｌ／ｍｉｎ未満では、不溶化したソルダーレジスト層の成分の溶解不良が起こる場合がある。一方、供給流量が１．０Ｌ／ｍｉｎを超えると、供給のために必要なポンプ等の部品が巨大になり、大掛かりな装置が必要となる場合がある。さらに、１．０Ｌ／ｍｉｎを超えた供給量では、ソルダーレジスト層の成分の溶解拡散に与える効果が変わらなくなることがある。

ミセル除去処理ユニット１２から排出された基板３は、水洗処理ユニット３１へ投入される。水洗処理ユニット３１では、ミセル除去処理ユニット１２において、ソルダーレジスト層の成分のミセルが溶解除去された基板３が搬送ロール３３対によって搬送される。搬送されている基板３に対して、水洗処理液スプレー３７によって水洗処理液３２が供給され、基板３が水洗処理される。

水洗処理ユニット３１では、ミセル除去処理後、さらに、ソルダーレジスト層の表面に残存付着した薄膜化処理液及びミセル除去液を水洗処理によって洗い流す。水洗処理の方法としては、拡散速度と液供給の均一性の点からスプレー方式が好ましい。水洗処理液としては、水道水、工業用水、純水等を用いることができる。このうち純水を使用することが好ましい。純水は、一般的に工業用に用いられるものを使用することができる。

乾燥処理では、熱風乾燥、室温送風乾燥のいずれも用いることができるが、好ましくは高圧空気をエアガンからあるいはブロアから大量の空気を送気してエアナイフでソルダーレジスト層表面に残存している水を吹き飛ばす乾燥方法がよい。

本考案の薄膜化装置の特徴について、図面を用いて詳細に説明する。図５のソルダーレジスト層の薄膜化装置では、表面にソルダーレジスト層が形成された基板３を搬送する搬送ロール６対を有し、ミセル除去処理ユニット１２において、ミセル除去液供給用スプレーノズル２１は、固定式であり、また、噴射方向が同一方向になるように配置されている。図中の矢印４０は、ミセル除去液１０の流れ方向を示している。ミセル除去液１０のスプレーパターン２５を分かりやすくするために、本来設置されているべき、上側のミセル除去液供給管２０及びミセル除去液供給用スプレーノズル２１は図示していない。

図９は、本考案の薄膜化装置において、ミセル除去液供給用スプレーノズル２１の配置例を示した概略図である。図９－１は、ミセル除去処理ユニット１２内部のミセル除去液供給用スプレーノズル２１とミセル除去液スプレー２２の流れを薄膜化装置の上方向から見たときの状態図である。図９－２は、薄膜化装置の基板搬送方向の排出側から見たときのミセル除去液供給用スプレーノズル２１の配置状態とミセル除去液スプレー２２の状態を図示したものである。図９－１中の矢印４４は、基板の搬送方向を示し、矢印４３はミセル除去液供給用スプレーノズルの噴射方向を示している。基板３上を流れるミセル除去液がすべて同一方向に流れている状態を実現するためには、すべてのミセル除去液供給用スプレーノズル２１を同じ向きに傾ければよい。この状態では、搬送中の基板３を上方向から見た際に、すべてのミセル除去液供給用スプレーノズルの噴射方向４３が同一方向を向くことになる（図９－１）。このように、すべてのミセル除去液供給用スプレーノズルの噴射方向４３が同一方向になるように、ミセル除去液供給用スプレーノズル２１を同一方向に傾けた状態でミセル除去処理を行うことによって、同一方向のミセル除去液の液流を基板３のソルダーレジスト層表面にスプレーすることができる（図９－２）。また、ミセル除去液供給用スプレーノズルの噴射方向４３は、ミセル除去処理を行うミセル除去処理ユニット１２の上流の設備（薄膜化処理ユニット１１）や下流の設備（水洗処理ユニット３１）にミセル除去液が流れ込むことを防ぐために、基板の搬送方向４４に直交する右向き又は左向きに統一して傾けるのが好ましい。これによって、ミセル除去液は、ミセル除去液供給用スプレーノズルの噴射方向４３の上流側から下流側（ミセル除去液の流れ方向４０）へと、同一方向に流れるため、緩慢で不均一な液流が原因で発生する基板３面内でソルダーレジスト層の薄膜化量が不均一になる問題を解決することができる。

ここで、ミセル除去処理ユニット１２において、より効率的に、ミセル除去液供給用スプレーノズルの噴射方向４３の上流側から下流側への同一方向の液流を作るためには、基板３を搬送する搬送ロール６としてストレートタイプのロールを使用する。ストレートタイプのロールは、表面に凹凸がなく、ソルダーレジスト層表面に密着することができる。ソルダーレジスト層表面とストレートタイプのロールが密着している場合、ミセル除去液スプレー２２は、前後列の搬送ロール６対間において、無秩序に乱流となることなく、搬送ロール６に沿いながら、下流側まで多流量の直線的な液流を作ることができる。ストレートタイプのロールの種類としては、ゴムロール、スポンジロール、金属ロール、樹脂ロール等が挙げられる。その中でも、優れたゴム弾性（シール性、回復性）を有し、比重が小さく、軽量であり、低硬度から中硬度であり、ソルダーレジスト層への接触による衝撃が少なく、高濃度のアルカリ水溶液である薄膜化処理液への耐薬品性にも優れたオレフィン系熱可塑性エラストマーのロールが好ましい。オレフィン系熱可塑性エラストマーとしては、サーモラン（ＴＨＥＲＭＯＲＵＮ、登録商標）が挙げられる。

スプレーノズルのスプレーパターンには、充円錐、扇形、直線状、層状等がある。本考案では、同一方向の液流となることが重要であるため、ミセル除去液供給用スプレーノズル２１は、揺動式や首振り式ではなく、固定式である。そして、この固定式のスプレーノズルを同一方向に傾斜させて噴射させる。固定式のスプレーノズルを用いる場合、スプレーパターンが常に均等になるように、スプレーノズルの傾斜角度は固定されていることが好ましい。ミセル除去液供給用スプレーノズル２１を所望の傾斜角度でミセル除去液供給管２０に直接取り付けて固定する方法では、ミセル除去液供給用スプレーノズル２１交換時に傾斜角度を調整する必要がなくなり、好ましい。その他、ミセル除去液供給管２０に傾斜角度の調整が可能なアダプター（例えば、いけうち社製、商品名：ＵＴボールジョイント）を取り付けて、ミセル除去液供給用スプレーノズル２１の傾斜角度を調整した後、固定する方法でもよい。

ミセルの溶解除去速度が極端に遅いソルダーレジスト層の薄膜化において、スプレーパターンが充円錐である場合、ミセルが除去しきれずに残ってしまう。これは、不溶化されたミセルの溶解除去に必要なアルカリ性化合物が溶出してしまい、不溶化されたミセルが元のソルダーレジスト層の成分の状態に戻ることによる。本考案において、ミセル除去液供給用スプレーノズル２１のスプレーパターンが扇形である場合、スプレーパターンが充円錐である場合に比べてスプレーパターン（噴射範囲）の面積が狭いため、単位面積あたりの供給流量を多くすることができ、また、単位面積あたりのスプレー圧を高くすることができる。つまり、短時間で強いインパクトを与えることができるため、不溶化されたソルダーレジスト層からのアルカリ性化合物の溶出を抑制すると同時に、不溶化されたミセルを一挙に溶解除去することが可能となる。扇形のスプレーパターンは、幅方向全域にわたり均等な分布になるもの、山形で中央部が強く、端部にかけて弱まる分布になるものがあり、どちらも使用できる。

充円錐と扇形のスプレーパターンの面積の違いについて説明する。図１１は、ミセル除去液のスプレーパターンを示す概略図であり、薄膜化装置の基板搬送方向の排出側から見たときのミセル除去液供給用スプレーノズル２１の配置状態とミセル除去液の噴射状態及びミセルの噴射範囲（スプレーパターン）を薄膜化装置の上方向から見たときの状態図である。スプレーパターン（充円錐）２４に対して、スプレーパターン（扇形）２５は、面積が狭い。この面積は、供給流量やスプレー圧、ソルダーレジスト層表面からの距離、ミセル除去液供給用スプレーノズル２１の傾斜角度４７によって変わるが、充円錐に対する扇形の面積比率（扇形／充円錐）は、およそ１５～２０％である。

ミセルの溶解除去速度が極端に遅いソルダーレジストとは、例えば、遊離カルボキシル基が少ないアルカリ可溶性樹脂を含むソルダーレジスト、質量平均分子量が大きいアルカリ可溶性樹脂を含むソルダーレジスト、アルカリ可溶性樹脂が少なく、光重合性化合物が多いソルダーレジスト等が挙げられる。

図６のソルダーレジスト層の薄膜化装置では、ミセル除去処理ユニット１２において、基板３の搬送方向に対して、ミセル除去液供給管２０のミセル除去液供給用スプレーノズル２１の配置が、ミセル除去液供給管２０の前後列で千鳥位置になっている。これによって、基板３の搬送方向の垂直方向におけるスプレーパターン２５の噴射位置を均等化することができる。また、水洗処理ユニット３１においても、同様に、基板３の搬送方向に対して、水洗処理液供給管３５の水洗処理液供給用スプレーノズル３６の配置が、水洗処理液供給管３５の前後列で千鳥位置になっており、基板３の搬送方向の垂直方向におけるスプレーパターン３８の噴射位置を均等化することができる。

図７のソルダーレジスト層の薄膜化装置では、ミセル除去処理ユニット１２において、リングタイプの搬送ロール４１対が設置されている。リングタイプの搬送ロール４１対を使用した場合、ミセル除去液１０のスプレーパターン２５が、前後列の搬送ロール４１対間において、基板３の搬送方向にも多く拡散するようになる。そのため、図５及び図６に示したストレートタイプの搬送ロール４対に比べて、多流量の直線的な液流が作りにくくなる。この欠点は、リングタイプの搬送ロール４１として、リングローラーの強度や耐久性を損なわない範囲で、ローラー断面がスポーク（ｓｐｏｋｅ）やメッシュ（ｍｅｓｈ）になっているもの、あるいは、貫通穴が開いているものを使用することによって、噴射方向４３の上流側から下流側への液流を一定量通過させることで解消することができる。そして、リングタイプの搬送ロール４１を使用した場合、基板３の搬送方向の垂直方向にリングローラーを一定の間隔で配置し、前後列の搬送ロール４１で、リングローラーの配置を千鳥位置にすれば、基板３の搬送方向に対して搬送ロール４１の間隔をリングローラーの直径以下にすることが可能となる。これによって、搬送中に基板３が落下するのを防止し、より板厚の薄い基板３の搬送が可能となるという利点がある。リングタイプのロールの種類としては、ゴムロール、スポンジロール、金属ロール、樹脂ロール等が挙げられる。その中でも、比重が小さく、軽量であり、レジスト層への接触による衝撃が少なく、高濃度のアルカリ水溶液である薄膜化処理液への耐薬品性にも優れたポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリスチレン、硬質ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、フッ素樹脂（例えば、テフロン（ＴＥＦＬＯＮ、登録商標））等の他、オレフィン系熱可塑性エラストマーのロールを用いることができる。オレフィン系熱可塑性エラストマーとしては、サーモラン（ＴＨＥＲＭＯＲＵＮ、登録商標）が挙げられる。

図８のソルダーレジスト層の薄膜化装置では、ミセル除去処理ユニット１２において、ミセル除去液供給管２０のミセル除去液供給用スプレーノズル２１から噴射されるミセル除去液のスプレーパターン２５が、扇形であり、さらに、スプレーパターン２５が、基板３の搬送方向に対して垂直方向に一直線上に並んでいる。扇形のスプレーパターン２５は、ミセル除去液供給用スプレーノズル２１の取り付け角を回転させることによって、噴射方向を調整することができる。これによって、高圧力のスプレーをより効果的に基板３上のソルダーレジスト層に噴射することができ、薄膜化量が多くなった場合でも、不溶化されたソルダーレジスト層を残さず除去することができる。

以下、実施例によって本考案をさらに詳しく説明するが、本考案はこの実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
銅張積層板（面積１７０ｍｍ×２００ｍｍ、銅箔厚み１８μｍ、基材厚み０．４ｍｍ）にドライフィルム状のソルダーレジスト（太陽インキ製造株式会社製、商品名：ＰＦＲ－８００ ＡＵＳ ＳＲ１）を上記回路基板上に真空熱圧着し（ラミネート温度７５℃、吸引時間３０秒、加圧時間１０秒）、膜厚が３０μｍのソルダーレジスト層を形成した。

次に、キャリアフィルムを剥離した後、ディップ槽２を備えた薄膜化処理ユニット１１とミセル除去液１０によってミセルを除去するミセル除去処理ユニット１２とを備えてなるソルダーレジスト層の薄膜化装置（図７）を用いて、ソルダーレジスト層を薄膜化した。

使用したミセル除去液供給用スプレーノズル２１は固定式で、そのスプレーパターン２５は扇形である。また、図９－１（ミセル除去処理ユニット１２内部のミセル除去液供給用スプレーノズル２１とミセル除去液スプレー２２を薄膜化装置の上方向から見たときの状態図）において、ミセル除去液供給用スプレーノズルの噴射方向４３はすべて同一方向を向いていて、図９－２（薄膜化装置の基板搬送方向の排出側から見たときのミセル除去液供給用スプレーノズル２１の配置状態とミセル除去液スプレー２２の状態）において、基板に対する垂線４５とスプレーノズルの中心線４６によって形成される傾斜角度４７は２５度であった。すなわち、ミセル除去処理ユニット１２において、すべてのミセル除去液供給用スプレーノズル２１が、基板の搬送方向４４に対して左側に２５度傾けて設置されていた。

薄膜化処理液１として１０質量％のメタケイ酸ナトリウム（温度２５℃）を用いて、薄膜化処理ユニット１１のディップ槽２における浸漬処理時間が３０秒になるように薄膜化処理を行い、ソルダーレジスト層の成分をミセル化した。その後、ミセル除去処理ユニット１２で、ミセル除去液１０として、メタケイ酸ナトリウムを含んだｐＨ＝８の水溶液（温度２５℃）を用いて、ミセル除去液供給用スプレーノズル２１から供給流量１．２Ｌ／ｍｉｎで基板３に供給し、不溶化したミセルを除去し、ソルダーレジスト層を薄膜化した。ソルダーレジスト層１ｃｍ^２あたりのミセル除去液の供給流量は０．１０Ｌ／ｍｉｎであり、スプレー圧は０．２ＭＰａであった。その後、水洗処理及び乾燥処理を行った。

水洗処理及び乾燥処理の後に、ソルダーレジスト層の薄膜化部の厚みを１０点測定したところ、最大値は１６．０μｍであり、最小値は１４．０μｍであり、平均厚みは１５．０μｍだった。また、薄膜化されたソルダーレジスト層の表面を光学顕微鏡で観察したところ、処理ムラのない平滑な薄膜化面であることが確認された。

（実施例２）
図８のソルダーレジスト層の薄膜化装置を用いた以外は、実施例１と同じ方法でソルダーレジスト層を薄膜化した。実施例１では、スプレーパターン２５が、基板３の搬送方向に対して垂直方向に一直線上に並んでいないのに対し（図７）、実施例２では、スプレーパターン２５が、基板３の搬送方向に対して垂直方向に一直線上に並んでいる（図８）。また、基板に対する垂線４５とスプレーノズルの中心線４６によって形成される傾斜角度４７は２５度であった。

水洗処理及び乾燥処理の後に、ソルダーレジスト層の薄膜化部の厚みを１０点測定したところ、最大値は１５．５μｍであり、最小値は１４．５μｍであり、平均厚みは１５．０μｍだった。また、薄膜化されたソルダーレジスト層の表面を光学顕微鏡で観察したところ、処理ムラのない平滑な薄膜化面であることが確認された。

（実施例３）
薄膜化処理ユニット１１のディップ槽２における浸漬処理時間が６０秒である以外は、実施例１と同じ方法でソルダーレジスト層を薄膜化した。

水洗処理及び乾燥処理の後に、ソルダーレジスト層の薄膜化部の厚みを１０点測定したところ、最大値は９．０μｍであり、最小値は７．０μｍであり、平均厚みは８．０μｍだった。また、薄膜化されたソルダーレジスト層の表面を光学顕微鏡で観察したところ、処理ムラのない平滑な薄膜化面であることが確認された。

（比較例１）
図１０のソルダーレジスト層の薄膜化装置を用いた以外は、実施例１と同じ方法でソルダーレジスト層を薄膜化した。すなわち、使用したミセル除去液供給用スプレーノズル２１は固定式で、そのスプレーパターン２４は充円錐である。

水洗処理及び乾燥処理の後に、ソルダーレジスト層の薄膜化部の厚みを１０点測定したところ、最大値は１６．０μｍであり、最小値は１０．０μｍであり、平均厚みは１３．０μｍだった。また、薄膜化されたソルダーレジスト層の表面を光学顕微鏡で観察したところ、ミセル除去液スプレー２２によって除去しきれなかったソルダーレジスト層が残っていた。

本考案のソルダーレジストパターンの形成方法は、例えば、配線の一部にフリップチップ接続用の接続パッドを備えた回路基板のソルダーレジストパターンの形成を行う用途に適用できる。

１ 薄膜化処理液
２ ディップ槽
３ 基板
４ 搬送ロール（ストレートタイプ）
６ 搬送ロール（ストレートタイプ）
７ 投入口
１０ ミセル除去液
１１ 薄膜化処理ユニット
１２ ミセル除去処理ユニット
１３ 薄膜化処理液貯蔵タンク
１４ 薄膜化処理液吸込口
１５ 薄膜化処理液供給管
１６ 薄膜化処理液回収管
１７ 薄膜化処理液ドレン管
１８ ミセル除去液貯蔵タンク
１９ ミセル除去液吸込口
２０ ミセル除去液供給管
２１ ミセル除去液供給用スプレーノズル
２２ ミセル除去液スプレー
２３ ミセル除去液ドレン管
２４ スプレーパターン（ミセル除去液、充円錐）
２５ スプレーパターン（ミセル除去液、扇形）
３１ 水洗処理ユニット
３２ 水洗処理液
３３ 搬送ロール（リングタイプ）
３４ 水洗処理液吸込口
３５ 水洗処理液供給管
３６ 水洗処理液供給用スプレーノズル
３７ 水洗処理液スプレー
３８ スプレーパターン（水洗処理液、扇形）
４０ ミセル除去液の流れ方向
４１ 搬送ロール（リングタイプ）
４３ ミセル除去液供給用スプレーノズルの噴射方向
４４ 基板の搬送方向
４５ 基板に対する垂線
４６ スプレーノズルの中心線
４７ 傾斜角度
５１ 絶縁層
５２ 導体配線
５３ ソルダーレジスト層
５４ 接続パッド

Claims (2)

1. 薄膜化処理液によって硬化していないソルダーレジスト層の成分をミセル化させる薄膜化処理ユニットと、ミセル除去液によってミセルを除去するミセル除去処理ユニットとを備えてなるソルダーレジスト層の薄膜化装置において、
   ミセル除去処理ユニットが、ミセル除去液供給用スプレーノズルを有し、
   ミセル除去液供給用スプレーノズルは、固定式であり、また、噴射方向が同一方向になるように配置され、
   ミセル除去液供給用スプレーノズルのスプレーパターンが扇形であることを特徴とするソルダーレジスト層の薄膜化装置。
2. 搬送方向に対して垂直方向に、スプレーパターンが一直線上に並ぶように、ミセル除去液供給用スプレーノズルが配置されている請求項１記載のソルダーレジスト層の薄膜化装置。

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