CN215499769U - 阻焊剂层的薄膜化装置 - Google Patents
阻焊剂层的薄膜化装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN215499769U CN215499769U CN202121236368.XU CN202121236368U CN215499769U CN 215499769 U CN215499769 U CN 215499769U CN 202121236368 U CN202121236368 U CN 202121236368U CN 215499769 U CN215499769 U CN 215499769U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- micelle
- solder resist
- resist layer
- liquid
- spray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3452—Solder masks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/282—Applying non-metallic protective coatings for inhibiting the corrosion of the circuit, e.g. for preserving the solderability
Abstract
本实用新型的课题在于,提供一种阻焊剂层的薄膜化装置,在阻焊剂层的薄膜化装置中,即使在将胶束的溶解除去速度极慢的阻焊剂层薄膜化的情况下,也不会残留无法利用胶束除去液完全除去的阻焊剂层,薄膜化面变得平滑。本发明的阻焊剂层的薄膜化装置的特征在于,是具备利用薄膜化处理液使没有固化的阻焊剂层的成分胶束化的薄膜化处理组件、和利用胶束除去液除去胶束的胶束除去处理组件而成的阻焊剂层的薄膜化装置,胶束除去处理组件具有胶束除去液供给用喷雾喷嘴,胶束除去液供给用喷雾喷嘴为固定式,并且,以使喷射方向为同一方向的方式配置,胶束除去液供给用喷雾喷嘴的喷雾图案为扇形。
Description
技术领域
涉及一种阻焊剂层的薄膜化装置。
背景技术
在各种电气设备内部的布线基板上,为了不在电路基板的无需钎焊的导体布线附着焊料,以将该无需钎焊的部分用阻焊剂层被覆的方式形成阻焊剂图案。另外,阻焊剂图案起到对导体布线的氧化的防止、电绝缘及免受外部环境影响的保护的作用。
在电路基板上搭载有半导体芯片等电子部件的半导体封装中,利用倒装片接合的电子部件的搭载在实现高速化、高密度化的方面是有效的方法。倒装片接合中,导体布线的一部分成为倒装片接合用的接合垫,例如将配设于该接合垫上的焊料凸点与半导体芯片的电极端子接合。
作为阻焊剂图案在电路基板上的形成方法,通常已知有光刻方式。光刻方式中,在电路基板上形成阻焊剂层53,其中所述电路基板在绝缘层51上具有接合垫54和导体布线52,然后进行曝光、显影,除去接合垫54周边的阻焊剂层53,设置开口部,由此形成图1所示的Solder Mask Defined(SMD)结构、图2所示的Non Solder Mask Defined(NSMD)结构。
在SMD结构中,由于接合垫54的周边附近由阻焊剂层53被覆,因此为了将电子部件的电极端子与接合垫54可靠地电连接,需要确保在接合垫54的露出面形成的接合部所必需的焊料量,从而存在有接合垫54大型化的问题。此外,为了将接合垫54的周边附近利用阻焊剂层53可靠地被覆,考虑到加工精度,需要确保接合垫54的利用阻焊剂层53被覆的部分的宽度大,从而存在有接合垫54进一步大型化的问题。另一方面,NSMD结构的接合垫54中,由于整个接合垫54从阻焊剂层53中露出,因此与焊料的接合面积大,与SMD结构的情况相比,可以将接合垫54小型化。但是,NSMD结构中,由于接合垫54从阻焊剂层53中完全地露出,因此有在相互相邻的接合垫54间产生由焊料所致的电短路的情况。
为了解决此种问题,公开过如下的阻焊剂图案的形成方法,其至少依次包括:在具有接合垫54的电路基板上形成阻焊剂层53的工序、将没有固化的阻焊剂层53薄膜化至阻焊剂层53的厚度达到接合垫54的厚度以下为止的工序(例如参照专利文献1~4)。该形成方法中,如图3所示,可以获得接合垫54表面从阻焊剂层53露出、而接合垫54侧面的一部分由阻焊剂层53被覆的结构。图3所示的结构中,不易产生相互相邻的接合垫54间的由焊料所致的电短路,可以确保为了将电子部件的电极端子与接合垫54可靠地电连接所必需的焊料量,能够将接合垫54小型化,可以制作出电连接可靠性优异的高密度布线的布线基板。
另外,专利文献5中,公开过如下的抗蚀剂层的薄膜化装置,该装置至少包含四个处理组件:薄膜化处理组件,其将形成有抗蚀剂层的基板浸渍(dip)于高浓度的碱水溶液(薄膜化处理液)中而使抗蚀剂层的成分的胶束暂时不溶化,使之不易向处理液中溶解扩散;胶束除去处理组件,其利用胶束除去液喷雾一举将胶束溶解除去;水洗处理组件,其用水洗处理液洗涤表面;和干燥处理组件,其将水洗处理液除去。
对于抗蚀剂层的薄膜化装置的一部分,使用图4所示的示意剖视图进行说明。薄膜化处理组件11中,从投入口7投入形成有抗蚀剂层的基板3。基板3由成对的输送辊4在浸渍于浸渍槽2中的薄膜化处理液1中的状态下输送,进行抗蚀剂层的薄膜化处理。其后,基板3被输送至胶束除去处理组件12。胶束除去处理组件12中,对由成对的输送辊4输送来的基板3,穿过胶束除去液供给管20从胶束除去液供给用喷雾喷嘴21供给胶束除去液喷雾22。基板3上的抗蚀剂层在薄膜化处理组件11内部的浸渍槽2中,被利用作为高浓度的碱水溶液的薄膜化处理液1使抗蚀剂层的成分的胶束暂时不溶于薄膜化处理液1。其后,利用胶束除去液喷雾22将胶束除去,由此将抗蚀剂层薄膜化。专利文献5中有如下的记述,即,“重要的是利用胶束除去液喷雾22一举进行胶束除去,优选在一定以上的水压和流量的条件下快速地进行”。
在以往的各种液处理装置中,作为使用了喷雾的供液方法,通常为从固定式或摇动式的喷雾喷嘴向基板表面垂直地喷射液体的方法、利用摇头式的喷雾喷嘴在使液体的到达角度不断变化的同时向基板表面喷射液体的方法等。这些以往的供液方法中,基板上的液流缓慢且易于变得不均匀。因此,在利用这些供液方法进行胶束除去处理的情况下,胶束除去变得不均匀,从而有抗蚀剂层的薄膜化处理量变得不均匀的情况。
另外,专利文献6中,公开过如下的薄膜化方法,即,使喷雾喷嘴沿相对于基板输送方向成直角的宽度方向倾斜,该倾斜角度为30~70度的范围,由此改善基板上的胶束除去液的液流。然而,专利文献6中,虽然记载了喷雾喷嘴的倾斜角度,却没有关于喷雾喷嘴的朝向的记载。因此,仅靠调整角度,有产生与基板输送方向正交的向右和向左的胶束除去液的流动的情况,基板上的胶束除去液的液流依然缓慢且不均匀,存在抗蚀剂层的薄膜化量变得不均匀的情况。
为了解决此种问题,专利文献7中,公开过如下的抗蚀剂层的薄膜化装置,即,通过将喷雾喷嘴的朝向仅沿单一方向倾斜,可以解决在基板面内抗蚀剂层的薄膜化量变得不均匀的问题。专利文献7中,为了制作单一方向的液流,提出使固定式的喷雾喷嘴倾斜地喷射,但为了没有遗漏地均匀喷射喷雾,有优选使用能够大范围地喷射的均等分布的实心圆锥型(日文原文:充円錐タイプ)的喷嘴的记载。然而,在将胶束的溶解除去速度极慢的阻焊剂层薄膜化的情况下,存在残留无法利用胶束除去液完全除去的阻焊剂层,在薄膜化后的阻焊剂层中出现厚度不同的部分,薄膜化面变得不平滑的情况。
如此所述,残留无法完全除去的阻焊剂层、在薄膜化后的阻焊剂层中出现厚度不同的部分、薄膜化面变得不平滑的情况,成为耐候性降低的原因,存在导致生产的成品率的降低的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2011-192692号公报
专利文献2:国际公开第2012/043201号小册子
专利文献3:日本特开2017-107144号公报
专利文献4:日本特开2017-103444号公报
专利文献5:日本特开2012-27299号公报
专利文献6:日本特开2012-59755号公报
专利文献7:实用新型注册第3207408号公报
实用新型内容
实用新型所要解决的问题
本实用新型的目的在于,提供一种阻焊剂层的薄膜化装置,在该阻焊剂层的薄膜化装置中,即使在将胶束的溶解除去速度极慢的阻焊剂层薄膜化的情况下,也不会残留无法利用胶束除去液完全除去的阻焊剂层,薄膜化面变得平滑。
用于解决问题的手段
本实用新型人等发现,利用下述方案可以解决这些问题。
(1)一种阻焊剂层的薄膜化装置,是具备利用薄膜化处理液使没有固化的阻焊剂层的成分胶束化的薄膜化处理组件、和利用胶束除去液除去胶束的胶束除去处理组件而成的阻焊剂层的薄膜化装置,其特征在于,
胶束除去处理组件具有胶束除去液供给用喷雾喷嘴,
胶束除去液供给用喷雾喷嘴为固定式,并且,以使喷射方向为同一方向的方式配置,
胶束除去液供给用喷雾喷嘴的喷雾图案为扇形。
(2)根据上述(1)记载的阻焊剂层的薄膜化装置,其特征在于,在垂直于输送方向的方向上,以使喷雾图案排列于一条直线上的方式,配置胶束除去液供给用喷雾喷嘴。
实用新型效果
根据本实用新型,可以提供一种阻焊剂层的薄膜化装置,在该阻焊剂层的薄膜化装置中,即使在将胶束的溶解除去速度极慢的阻焊剂层薄膜化的情况下,也不会残留无法利用胶束除去液完全除去的阻焊剂层,薄膜化面变得平滑。
附图说明
图1是表示阻焊剂图案的剖面结构(SMD结构)的说明图。
图2是表示阻焊剂图案的剖面结构(NSMD结构)的说明图。
图3是表示使用本实用新型的阻焊剂层的薄膜化装置形成的阻焊剂图案的剖面结构的一例的说明图。
图4是表示阻焊剂层的薄膜化装置的一部分的示意剖视图。
图5是表示本实用新型的阻焊剂层的薄膜化装置的一例的示意图。
图6是表示本实用新型的阻焊剂层的薄膜化装置的一例的示意图。
图7是表示本实用新型的阻焊剂层的薄膜化装置的一例的示意图。
图8是表示本实用新型的阻焊剂层的薄膜化装置的一例的示意图。
图9-1和图9-2是表示本实用新型的阻焊剂层的薄膜化装置中的胶束除去液供给用喷雾喷嘴的配置例的示意图。
图10是表示本实用新型外的阻焊剂层的薄膜化装置的一例的示意图。
图11是表示阻焊剂层的薄膜化装置的胶束除去液的喷雾图案的示意图。
附图标记说明
1薄膜化处理液,2浸渍槽,3基板,4输送辊(直筒型),6输送辊(直筒型),7投入口,10胶束除去液,11薄膜化处理组件,12胶束除去处理组件,13薄膜化处理液储罐,14薄膜化处理液吸入口,15薄膜化处理液供给管,16薄膜化处理液回收管,17薄膜化处理液排出管,18胶束除去液储罐,19胶束除去液吸入口,20胶束除去液供给管,21胶束除去液供给用喷雾喷嘴,22胶束除去液喷雾,23胶束除去液排出管,24喷雾图案(胶束除去液、实心圆锥),25喷雾图案(胶束除去液、扇形),31水洗处理组件,32水洗处理液,33输送辊(环型),34水洗处理液吸入口,35水洗处理液供给管,36水洗处理液供给用喷雾喷嘴,37水洗处理液喷雾,38喷雾图案(水洗处理液、扇形),40胶束除去液的流动方向,41输送辊(环型),43胶束除去液供给用喷雾喷嘴的喷射方向,44基板的输送方向,45相对于基板的垂线,46喷雾喷嘴的中心线,47倾斜角度,51绝缘层,52导体布线,53阻焊剂层,54接合垫。
具体实施方式
<薄膜化工序>
本实用新型的利用薄膜化处理液的阻焊剂层的薄膜化工序,是包括薄膜化处理和胶束除去处理的工序,所述薄膜化处理利用薄膜化处理液将阻焊剂层的成分胶束化而使之暂时不溶化,不易向处理液中溶解扩散,所述胶束除去处理利用胶束除去液喷雾一举将胶束溶解除去。此外,也可以包括水洗处理、干燥处理,所述水洗处理利用水洗处理液冲洗没有完全除去的阻焊剂层表面、残存附着的薄膜化处理液及胶束除去液,所述干燥处理将水洗处理液除去。
<薄膜化处理>
利用薄膜化处理液的薄膜化处理也可以使用桨式(paddle)处理、喷雾处理、刷洗(brushing)、刮擦(scraping)等方法,然而优选利用浸渍处理进行。浸渍处理中,将形成有阻焊剂层的基板浸渍(dip)于薄膜化处理液中。浸渍处理以外的处理方法容易在碱水溶液中产生气泡,该产生的气泡在薄膜化处理中附着于阻焊剂层表面,有膜厚变得不均匀的情况。在使用喷雾处理的情况下,为了不产生气泡,必须尽可能减小喷雾压。
本实用新型中,根据阻焊剂层形成后的厚度和阻焊剂层被薄膜化的量,确定经过薄膜化后的阻焊剂层的厚度。另外,本实用新型中,可以在0.01~500μm的范围中自由地调整阻焊剂层的薄膜化量。
<阻焊剂>
作为阻焊剂,可以使用碱显影型的阻焊剂。另外,可以是液状抗蚀剂,也可以是干膜状抗蚀剂。在液状抗蚀剂的情况下,可以是单剂型,也可以是二剂型。只要是能够利用高浓度的碱水溶液(薄膜化处理液)进行薄膜化、并且能够利用作为比薄膜化处理液更低浓度的碱水溶液的显影液来显影的阻焊剂,则无论是何种阻焊剂都可以使用。碱显影型的阻焊剂包含光交联性树脂成分。光交联性树脂成分例如含有选自碱可溶性树脂、光聚合性化合物中的至少1种,此外还含有光聚合引发剂,另外,可以含有热固化剂、填料等。
作为碱可溶性树脂,例如可以举出丙烯酸系树脂、甲基丙烯酸系树脂、苯乙烯系树脂、环氧系树脂、酰胺系树脂、酰胺环氧系树脂、醇酸系树脂、酚醛系树脂这样的有机高分子,优选为将具有烯属不饱和双键的单体(聚合性单体)聚合(自由基聚合等)而得的树脂。这些碱可溶性树脂由在分子中含有羧基的聚合物、在分子中还具有烯属不饱和双键的含有羧基的聚合物形成,由于在主链的侧链具有很多游离羧基,因此能够进行利用稀碱水溶液的显影。另外,与光聚合性化合物发生交联、固化后的阻焊剂层具有对碱水溶液的耐受性。这些含有羧基的聚合物可以单独使用,也可以组合使用2种以上。
作为具有烯属不饱和双键的单体,例如可以举出苯乙烯、乙烯基甲苯、α-甲基苯乙烯、对甲基苯乙烯、对乙基苯乙烯、对甲氧基苯乙烯、对乙氧基苯乙烯、对氯苯乙烯、对溴苯乙烯等苯乙烯衍生物;双丙酮丙烯酰胺等丙烯酰胺;丙烯腈;乙烯基-正丁基醚等乙烯基醚类;(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸四氢糠酯、(甲基)丙烯酸二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸二乙基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸2,2,2-三氟乙基酯、(甲基)丙烯酸2,2,3,3-四氟丙基酯、(甲基)丙烯酸、α-溴(甲基)丙烯酸、α-氯(甲基)丙烯酸、β-呋喃基(甲基)丙烯酸、β-苯乙烯基(甲基)丙烯酸等(甲基)丙烯酸系单体;马来酸、马来酸酐、马来酸单甲酯、马来酸单乙酯、马来酸单异丙酯等马来酸系单体;富马酸、肉桂酸、α-氰基肉桂酸、衣康酸、巴豆酸、丙炔酸等。
作为光聚合性化合物,例如可以举出使α,β-不饱和羧酸与多元醇反应而得的化合物;双酚A系(甲基)丙烯酸酯化合物;使α,β-不饱和羧酸与含有缩水甘油基的化合物反应而得的化合物;在分子内具有氨基甲酸酯键的(甲基)丙烯酸酯化合物等氨基甲酸酯单体;丙烯酸壬基苯氧基聚乙烯氧基酯;γ-氯-β-羟基丙基-β′-(甲基)丙烯酰氧基乙基-邻苯二甲酸酯、β-羟基烷基-β′-(甲基)丙烯酰氧基烷基-邻苯二甲酸酯等苯二甲酸系化合物;(甲基)丙烯酸烷基酯、乙二醇、丙二醇改性壬基苯基(甲基)丙烯酸酯等。此处,乙二醇及丙二醇表示环氧乙烷及环氧丙烷,经过乙二醇改性的化合物是具有环氧乙烷基的嵌段结构的化合物,经过丙二醇改性的化合物是具有环氧丙烷基的嵌段结构的化合物。这些光聚合性化合物可以单独使用,也可以组合使用两种以上。
作为光聚合引发剂,可以举出二苯甲酮、N,N,N′,N′-四甲基-4,4′-二氨基二苯甲酮(米氏酮、Michler ketone)、N,N,N′,N′-四乙基-4,4′-二氨基二苯甲酮、4-甲氧基-4′-二甲基氨基二苯甲酮、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉代苯基)-1-丁酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代-1-丙酮等芳香族酮;2-乙基蒽醌、菲醌、2-叔丁基蒽醌、八甲基蒽醌、1,2-苯并蒽醌、2,3-苯并蒽醌、2-苯基蒽醌、2,3-二苯基蒽醌、1-氯蒽醌、2-甲基蒽醌、1,4-萘醌、9,10-菲醌、2-甲基-1,4-萘醌、2,3-二甲基蒽醌等醌类;苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻苯基醚等苯偶姻醚化合物;苯偶姻、甲基苯偶姻、乙基苯偶姻等苯偶姻化合物;联苯酰二甲基缩酮等联苯酰衍生物;2-(邻氯苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(邻氯苯基)-4,5-双(甲氧基苯基)咪唑二聚物、2-(邻氟苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(邻甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(对甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物等2,4,5-三芳基咪唑二聚物;9-苯基吖啶、1,7-双(9,9′-吖啶基)庚烷等吖啶衍生物;2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦、双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦等酰基氧化膦化合物;1,2-辛二酮-1-[4-(苯硫基)-2-(O-苯甲酰基肟)]、1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]乙酮-1-(O-乙酰基肟)等肟酯;氧基苯基乙酸2-[2-氧代-2-苯基乙酰氧基乙氧基]乙酯、氧基苯基乙酸2-(2-羟基乙氧基)乙酯等氧基苯基乙酸酯;双(η5-2,4-环戊二烯-1-基)-双(2,6-二氟-3-(1H-吡咯-1-基)苯基)钛等二茂钛化合物;N-苯基甘氨酸、N-苯基甘氨酸衍生物、香豆素系化合物等。上述2,4,5-三芳基咪唑二聚物中的2个2,4,5-三芳基咪唑的芳基的取代基可以相同而形成对称的化合物,也可以不同而形成不对称的化合物。另外,也可以像二乙基噻吨酮与二甲基氨基苯甲酸的组合那样,将噻吨酮系化合物与叔胺化合物组合。它们可以单独使用,也可以组合使用两种以上。
为了提高阻焊剂层的物理强度等,根据需要,可以含有热固性成分作为固化剂。作为此种热固性成分,可以使用三聚氰胺树脂、苯代胍胺树脂等氨基树脂、封端异氰酸酯化合物、环碳酸酯化合物、多官能环氧化合物、多官能氧杂环丁烷化合物、环硫树脂等,与碱可溶性树脂的羧基发生反应(交联),耐热性、耐化学品性这样的特性提高。
可以使用无机或有机填料作为填料。特别地,优选使用硫酸钡、球状二氧化硅及滑石,它们可以单独使用或组合使用两种以上。填料的平均粒径优选为0.1~20μm的范围内。上述平均粒径更优选为0.2μm以上,且更优选为4μm以下,进一步优选为2μm以下。
在基板的表面形成阻焊剂层的方法可以是任何方法。例如,在液状抗蚀剂的情况下,可以举出丝网印刷法、辊涂法、喷雾法、浸渍法、淋涂法、棒涂法、气刀法、热熔法、凹版涂布法、刷涂法、胶版印刷法等。在干膜状抗蚀剂的情况下,可以举出层压法、真空层压法等。
作为基板,例如可以举出柔性基板、刚性基板。柔性基板是绝缘层使用聚酰亚胺、聚酰胺、聚苯硫醚、聚对苯二甲酸乙二醇酯、液晶聚合物等、并在绝缘层的一面或两面设有金属层的层叠基板,挠曲性大。刚性基板可以举出,对于绝缘层,重叠使双马来酰亚胺三嗪树脂、环氧树脂等热固性树脂浸渗于玻璃布中而得的绝缘性基板而设为绝缘层,并在其一面或两面设有金属层的层叠基板。另外,还可以举出在内层布线图案加工后、层叠被称作预浸渍片的Build-Up用的绝缘材料而制作的多层板。作为金属层的材料,可以使用铜、铝、银、镍、铬、金、或它们的合金等任何金属,然而通常为铜。
本实用新型中,电路基板具有绝缘层51和形成于绝缘层51的表面的接合垫54。在绝缘层51的表面,形成导体布线52,接合垫54是导体布线52的一部分。本实用新型中,关于布线基板,在电路基板的表面具有由阻焊剂层53形成的阻焊剂图案,接合垫54的一部分从阻焊剂层53中露出。在搭载电子部件的布线基板的情况下,一个表面的接合垫54为电子部件连接用,另一个表面的接合垫54为外部连接用。电子部件连接用的接合垫54与电子部件接合,外部连接用的接合垫54与外部电气基板的导体布线接合。
导体布线52和接合垫54例如可以利用减成法、半加成法、加成法等形成。减成法中,例如在设于绝缘层51上的铜层上形成抗蚀图案,实施曝光、显影、蚀刻、抗蚀剂剥离,形成导体布线52和接合垫54。半加成法中,在绝缘层51的表面利用无电解镀铜设置电解镀铜用的基底金属层。然后,在基底金属层上形成抗镀图案,在露出的基底金属层的表面形成电解镀铜层。其后,实施抗蚀剂剥离、基底金属层的闪蚀,形成导体布线52和接合垫54。
<薄膜化装置>
图5~7是表示本实用新型的阻焊剂层的薄膜化装置的一例的示意图。本说明书中,有时将“阻焊剂层的薄膜化装置”简记为“薄膜化装置”。图5~7是从上方观察薄膜化装置的示意图。图5~7的薄膜化装置具备:利用薄膜化处理液1使阻焊剂层中的成分胶束化的薄膜化处理组件11、利用胶束除去液10除去胶束的胶束除去处理组件12和利用水洗处理液32洗涤阻焊剂层表面的水洗处理组件31。
首先,使用图4,对现有技术的薄膜化装置和本实用新型的薄膜化装置中共同的结构部分进行说明。薄膜化处理组件11中,从投入口7投入的形成有阻焊剂层的基板3由成对的输送辊4在浸渍于浸渍槽2中的薄膜化处理液1中的状态下输送。通过这些处理,基板3上的阻焊剂层中的成分由薄膜化处理液1进行胶束化,使该胶束不溶于薄膜化处理液1。
薄膜化处理液1被利用薄膜化处理液供给用泵(未图示)从薄膜化处理液储罐13中的薄膜化处理液吸入口14吸入,经由薄膜化处理液供给管15向浸渍槽2供给。供给到浸渍槽2的薄膜化处理液1发生溢流,穿过薄膜化处理液回收管16回收到薄膜化处理液储罐13。如此所述地操作,薄膜化处理液1在浸渍槽2与薄膜化处理储罐13之间循环。剩余部分的薄膜化处理液1从薄膜化处理液排出管17排出。
本实用新型中,薄膜化处理液优选为包含碱性化合物的水溶液。碱性化合物的含有率优选为5~25质量%,更优选为5~20质量%,进一步优选为6~17质量%。在碱性化合物的含有率小于5质量%时,有薄膜化量变得不均匀的情况。另外,在该含有率大于25质量%时,由于容易引起碱性化合物的析出,因此有薄膜化处理液的经时稳定性成为问题的情况。薄膜化处理液的pH优选为10以上。另外,也可以向薄膜化处理液中适当地添加表面活性剂、消泡剂、溶剂等。
作为碱性化合物,可以举出无机碱性化合物。作为无机碱性化合物,可以举出碱金属碳酸盐、碱金属磷酸盐、碱金属氢氧化物、碱金属硅酸盐等。作为碱金属,可以举出锂、钠、钾等。另外,在上述无机碱性化合物以外,还可以举出磷酸铵盐、碳酸铵盐等无机碱性化合物。作为有机碱性化合物,也可以包含单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、环己胺、四甲基氢氧化铵(TMAH)、四乙基氢氧化铵、2-羟乙基三甲基氢氧化铵(胆碱)等有机碱性化合物。
碱性化合物可以单独使用,也可以并用两种以上。另外,也可以将无机碱性化合物与有机碱性化合物并用。
另外,也可以向薄膜化处理液中添加硫酸盐、亚硫酸盐。作为硫酸盐或亚硫酸盐,可以举出锂、钠、钾等碱金属的硫酸盐或亚硫酸盐、镁、钙等第2族元素的硫酸盐或亚硫酸盐。
薄膜化处理液的温度优选为10~50℃,更优选为15~35℃。若温度过低,则有碱性化合物向阻焊剂层的渗透速度变慢的情况,对所期望的厚度进行薄膜化时需要长时间。另一方面,若温度过高,则在碱性化合物向阻焊剂层渗透的同时,溶解扩散推进,由此有易于在面内产生膜厚不均的情况。
从薄膜化处理组件11中排出的基板3被投入胶束除去处理组件12。胶束除去处理组件12中,在薄膜化处理组件11中使阻焊剂层的成分不溶于薄膜化处理液1的基板3由成对的输送辊6输送。从胶束除去液供给用喷雾喷嘴21向被输送的基板3供给胶束除去液10,将阻焊剂层的成分的胶束一举溶解除去。
从胶束除去液储罐18中的胶束除去液吸入口19利用胶束除去液供给用泵(未图示)吸入胶束除去液10,经由胶束除去液供给管20从胶束除去液供给用喷雾喷嘴21作为胶束除去液喷雾22喷射胶束除去液10。从基板3流下的胶束除去液10被回收到胶束除去液储罐18。如此所述地操作,胶束除去液10在胶束除去处理组件12内循环。剩余部分的胶束除去液10从胶束除去液排出管23排出。
作为胶束除去液,可以使用自来水、工业用水、纯水等。另外,优选使用包含至少1种碱性化合物的pH5~10的水溶液作为胶束除去液,从而被用薄膜化处理液不溶化了的阻焊剂层的成分易于再分散。作为碱性化合物,可以举出上述的薄膜化处理液中例示的碱性化合物。在胶束除去液的pH小于5时,阻焊剂层成分发生凝聚,成为不溶性的渣滓,有附着于薄膜化了的阻焊剂层表面的情况。另一方面,在胶束除去液的pH大于10时,阻焊剂层过度地溶解扩散,有容易在面内在薄膜化量方面产生不均的情况。另外,胶束除去液可以使用硫酸、磷酸、盐酸等来调整pH。
胶束除去液喷雾22的条件(温度、时间、喷雾压、供给流量)可以根据阻焊剂层的成分的溶解速度适当地调整。具体而言,胶束除去液储罐18内的胶束除去液10的温度优选为10~50℃,更优选为15~35℃。另外,喷雾压优选设为0.01~0.5MPa,更优选为0.1~0.3MPa。胶束除去液10的供给流量优选在每1cm2阻焊剂层为0.030~1.0L/min,更优选为0.050~1.0L/min,进一步优选为0.10~1.0L/min。若供给流量为该范围,则不会在薄膜化后的阻焊剂层表面残留不溶解成分,易于除去阻焊剂层的成分的胶束。若每1cm2阻焊剂层的供给流量小于0.030L/min,则有引起不溶化了的阻焊剂层的成分的溶解不良的情况。另一方面,若供给流量大于1.0L/min,则为了供给所必需的泵等部件变得巨大,有需要大规模的装置的情况。此外,当供给量大于1.0L/min时,对于阻焊剂层的成分的溶解扩散所提供的效果不会改变。
从胶束除去处理组件12中排出的基板3被投入水洗处理组件31。水洗处理组件31中,在胶束除去处理组件12中溶解除去了阻焊剂层的成分的胶束的基板3由成对的输送辊33输送。利用水洗处理液供给用泵(未图示)从水洗处理液吸入口34吸入水洗处理液32,并经由水洗处理液供给管35利用水洗处理液喷雾37向被输送的基板3供给水洗处理液32,对基板3进行水洗处理。
水洗处理组件31中,在胶束除去处理后,进一步利用水洗处理冲洗残存附着于阻焊剂层的表面的薄膜化处理液及胶束除去液。作为水洗处理的方法,从扩散速度和供液的均匀性的方面出发,优选喷雾方式。作为水洗处理液,可以使用自来水、工业用水、纯水等。其中,优选使用纯水。纯水可以使用通常在工业用途中使用的纯水。
干燥处理中,可以使用热风干燥、室温鼓风干燥的任意者,优选从气枪吹送高压空气或从鼓风机吹送大量的空气而用气刀吹跑残存于阻焊剂层表面的水的干燥方法。
对于本实用新型的薄膜化装置的特征,使用附图进行详细说明。图5的阻焊剂层的薄膜化装置中,具有输送在表面形成有阻焊剂层的基板3的成对的输送辊6,在胶束除去处理组件12中,胶束除去液供给用喷雾喷嘴21为固定式,并且,以使喷射方向为同一方向的方式配置。图中的箭头40表示胶束除去液10的流动方向。为了易于理解胶束除去液10的喷雾图案25,没有图示本来应当设置的上侧的胶束除去液供给管20及胶束除去液供给用喷雾喷嘴21。
图9是表示本实用新型的薄膜化装置中的胶束除去液供给用喷雾喷嘴21的配置例的示意图。图9-1是从薄膜化装置的上方观察胶束除去处理组件12内部的胶束除去液供给用喷雾喷嘴21和胶束除去液喷雾22的流动时的状态图。图9-2是图示从薄膜化装置的基板输送方向的排出侧观察时的胶束除去液供给用喷雾喷嘴21的配置状态和胶束除去液喷雾22的状态的图。图9-1中的箭头44表示基板的输送方向,箭头43表示胶束除去液供给用喷雾喷嘴的喷射方向。为了实现在基板3上流过的胶束除去液全都沿同一方向流动的状态,只要将全部的胶束除去液供给用喷雾喷嘴21沿相同方向倾斜即可。在该状态下,从上方观察输送中的基板3时,全部的胶束除去液供给用喷雾喷嘴的喷射方向43朝向同一方向(图9-1)。如此所述,在以使全部的胶束除去液供给用喷雾喷嘴的喷射方向43为同一方向的方式将胶束除去液供给用喷雾喷嘴21沿同一方向倾斜的状态下进行胶束除去处理,由此可以将同一方向的胶束除去液的液流向基板3的阻焊剂层表面喷雾(图9-2)。另外,为了防止胶束除去液流入进行胶束除去处理的胶束除去处理组件12的上游的设备(薄膜化处理组件11)、下游的设备(水洗处理组件31),优选将胶束除去液供给用喷雾喷嘴的喷射方向43统一为与基板的输送方向44正交的向右或向左地倾斜。由此,胶束除去液从胶束除去液供给用喷雾喷嘴的喷射方向43的上游侧向下游侧(胶束除去液的流动方向40)沿同一方向流动,因此可以解决因缓慢且不均匀的液流而产生的基板3面内阻焊剂层的薄膜化量不均匀的问题。
此处,在胶束除去处理组件12中,为了更加高效地制作从胶束除去液供给用喷雾喷嘴的喷射方向43的上游侧向下游侧的同一方向的液流,使用直筒型的辊作为输送基板3的输送辊6。直筒型的辊的表面没有凹凸,能够密合于阻焊剂层表面。在阻焊剂层表面与直筒型的辊密合的情况下,胶束除去液喷雾22可以在前后列的成对的输送辊6间形成大流量的直线的液流,该液流不会无秩序地变为紊流,在沿着输送辊6的同时流至下游侧。作为直筒型的辊的种类,可以举出橡胶辊、海绵辊、金属辊、树脂辊等。其中,优选烯烃系热塑性弹性体的辊,其具有优异的橡胶弹性(密封性、回复性),比重小,轻质,硬度为从低硬度到中硬度,由与阻焊剂层的接触所致的冲击少,在作为高浓度的碱水溶液的薄膜化处理液中的耐化学品性也优异。作为烯烃系热塑性弹性体,可以举出THERMORUN(注册商标)。
在喷雾喷嘴的喷雾图案中,有实心圆锥、扇形、直线状、层状等。本实用新型中,由于重要的是形成同一方向的液流,因此胶束除去液供给用喷雾喷嘴21不是摇动式、摇头式,而是固定式。此外,使该固定式的喷雾喷嘴沿同一方向倾斜地喷射。在使用固定式的喷雾喷嘴的情况下,为了使喷雾图案总是均等,优选将喷雾喷嘴的倾斜角度固定。在将胶束除去液供给用喷雾喷嘴21以所期望的倾斜角度直接安装于胶束除去液供给管20并固定的方法中,在更换胶束除去液供给用喷雾喷嘴21时无需调整倾斜角度,因此优选。除此以外,也可以是如下的方法,即,在胶束除去液供给管20安装能够调整倾斜角度的连接器(例如池内公司制、商品名:UT Ball Joint),在调整胶束除去液供给用喷雾喷嘴21的倾斜角度后,进行固定。
在胶束的溶解除去速度极慢的阻焊剂层的薄膜化中,在喷雾图案为实心圆锥的情况下,胶束无法完全除去而残留下来。这是因为,经过不溶化的胶束的溶解除去所必需的碱性化合物发生溶出,使得经过不溶化的胶束恢复到原来的阻焊剂层的成分的状态。本实用新型中,在胶束除去液供给用喷雾喷嘴21的喷雾图案为扇形的情况下,与喷雾图案为实心圆锥的情况相比喷雾图案(喷射范围)的面积小,因此可以增多每单位面积的供给流量,另外,可以提高每单位面积的喷雾压。即,可以在短时间内提供强的冲击,因此在能够抑制碱性化合物从经过不溶化的阻焊剂层中的溶出的同时,能够将经过不溶化的胶束一举溶解除去。扇形的喷雾图案有在宽度方向全部区域中为均等的分布的图案;以山形形成中央部强、在端部则变弱的分布的图案,无论哪种都可以使用。
对实心圆锥与扇形的喷雾图案的面积的差别进行说明。图11是表示胶束除去液的喷雾图案的示意图,是从薄膜化装置的基板输送方向的排出侧观察时的胶束除去液供给用喷雾喷嘴21的配置状态和从薄膜化装置的上方观察胶束除去液的喷射状态及胶束的喷射范围(喷雾图案)时的状态图。相对于喷雾图案(实心圆锥)24而言,喷雾图案(扇形)25的面积小。虽然该面积随着供给流量、喷雾压、相对于阻焊剂层表面的距离、胶束除去液供给用喷雾喷嘴21的倾斜角度47而改变,然而扇形相对于实心圆锥的面积比率(扇形/实心圆锥)约为15~20%。
所谓胶束的溶解除去速度极慢的阻焊剂,例如可以举出包含游离羧基少的碱可溶性树脂的阻焊剂、包含质均分子量大的碱可溶性树脂的阻焊剂、碱可溶性树脂少且光聚合性化合物多的阻焊剂等。
图6的阻焊剂层的薄膜化装置中,在胶束除去处理组件12中,相对于基板3的输送方向,胶束除去液供给管20的胶束除去液供给用喷雾喷嘴21的配置在胶束除去液供给管20的前后列为交错位置。由此,可以使基板3的输送方向的垂直方向上的喷雾图案25的喷射位置均等化。另外,在水洗处理组件31中也同样地,相对于基板3的输送方向,水洗处理液供给管35的水洗处理液供给用喷雾喷嘴36的配置在水洗处理液供给管35的前后列为交错位置,可以使基板3的输送方向的垂直方向上的喷雾图案38的喷射位置均等化。
图7的阻焊剂层的薄膜化装置中,在胶束除去处理组件12中,设置有环型的成对的输送辊41。在使用环型的成对的输送辊41的情况下,胶束除去液10的喷雾图案25在前后列的成对的输送辊41间,在基板3的输送方向上也大量地扩散。因此,与图5及图6所示的直筒型的成对的输送辊4相比,难以制成大流量的直线的液流。该缺点可以通过如下操作来消除,即,在不损害环辊的强度、耐久性的范围中,使用辊剖面为辐条(spoke)、网(mesh)的辊、或者开设有贯穿孔的辊作为环型的输送辊41,由此使从喷射方向43的上游侧向下游侧的液流通过一定量。此外,在使用了环型的输送辊41的情况下,只要在基板3的输送方向的垂直方向上以一定的间隔配置环辊,在前后列的输送辊41中,使环辊的配置为交错位置,则能够在基板3的输送方向上使输送辊41的间隔为环辊的直径以下。由此,防止在输送中基板3落下,从而具有能够输送板厚更薄的基板3的优点。作为环型的辊的种类,可以举出橡胶辊、海绵辊、金属辊、树脂辊等。其中,可以使用比重小、轻质、由与抗蚀剂层的接触所致的冲击少、在作为高浓度的碱水溶液的薄膜化处理液中的耐化学品性也优异的聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、硬质聚氯乙烯、丙烯酸类树脂(PMMA)、氟树脂(例如特氟龙(TEFLON、注册商标))等,此外也可以使用烯烃系热塑性弹性体的辊。作为烯烃系热塑性弹性体,可以举出THERMORUN(注册商标)。
图8的阻焊剂层的薄膜化装置中,在胶束除去处理组件12中,从胶束除去液供给管20的胶束除去液供给用喷雾喷嘴21喷射的胶束除去液的喷雾图案25为扇形,此外,喷雾图案25在垂直于基板3的输送方向的方向上排列在一条直线上。扇形的喷雾图案25可以通过旋转胶束除去液供给用喷雾喷嘴21的安装角来调整喷射方向。由此,可以将高压力的喷雾更加有效地向基板3上的阻焊剂层喷射,即使在薄膜化量大的情况下,也可以不残留经过不溶化的阻焊剂层地进行除去。
实施例
以下,利用实施例对本实用新型进一步详细说明,然而本实用新型并不限定于该实施例。
(实施例1)
对于覆铜层压板(面积170mm×200mm、铜箔厚度18μm、基材厚度0.4mm),将干膜状的阻焊剂(太阳油墨制造株式会社制、商品名:PFR-800AUS SR1)真空热压接在上述电路基板上(层压温度75℃、抽吸时间30秒、加压时间10秒),形成膜厚30μm的阻焊剂层。
然后,剥离载体膜后,使用具备具有浸渍槽2的薄膜化处理组件11和利用胶束除去液10除去胶束的胶束除去处理组件12而成的阻焊剂层的薄膜化装置(图7),将阻焊剂层薄膜化。
所使用的胶束除去液供给用喷雾喷嘴21为固定式,其喷雾图案25为扇形。另外,在图9-1(从薄膜化装置的上方观察胶束除去处理组件12内部的胶束除去液供给用喷雾喷嘴21和胶束除去液喷雾22时的状态图)中,胶束除去液供给用喷雾喷嘴的喷射方向43全都朝向同一方向,在图9-2(从薄膜化装置的基板输送方向的排出侧观察时的胶束除去液供给用喷雾喷嘴21的配置状态和胶束除去液喷雾22的状态)中,由相对于基板的垂线45和喷雾喷嘴的中心线46形成的倾斜角度47为25度。即,在胶束除去处理组件12中,全部的胶束除去液供给用喷雾喷嘴21被相对于基板的输送方向44向左侧倾斜25度地设置。
使用10质量%的偏硅酸钠(温度25℃)作为薄膜化处理液1,以使薄膜化处理组件11的浸渍槽2中的浸渍处理时间为30秒的方式进行薄膜化处理,将阻焊剂层的成分胶束化。其后,在胶束除去处理组件12中,使用包含偏硅酸钠的pH=8的水溶液(温度25℃)作为胶束除去液10,从胶束除去液供给用喷雾喷嘴21以供给流量1.2L/min向基板3供给,除去不溶化了的胶束,将阻焊剂层薄膜化。每1cm2阻焊剂层的胶束除去液的供给流量为0.10L/min,喷雾压为0.2MPa。其后,进行水洗处理及干燥处理。
在水洗处理及干燥处理后,测定了10个点的阻焊剂层的薄膜化部的厚度,其结果是,最大值为16.0μm,最小值为14.0μm,平均厚度为15.0μm。另外,利用光学显微镜观察了经过薄膜化的阻焊剂层的表面,确认为没有处理不均的平滑的薄膜化面。
(实施例2)
除了使用图8的阻焊剂层的薄膜化装置以外,利用与实施例1相同的方法将阻焊剂层薄膜化。在实施例1中,喷雾图案25没有在垂直于基板3的输送方向的方向上排列在一条直线上(图7),而在实施例2中,喷雾图案25在垂直于基板3的输送方向的方向上排列在一条直线上(图8)。另外,由相对于基板的垂线45和喷雾喷嘴的中心线46形成的倾斜角度47为25度。
在水洗处理及干燥处理后,测定了10个点的阻焊剂层的薄膜化部的厚度,其结果是,最大值为15.5μm,最小值为14.5μm,平均厚度为15.0μm。另外,利用光学显微镜观察了经过薄膜化的阻焊剂层的表面,其结果是,确认为没有处理不均的平滑的薄膜化面。
(实施例3)
除了薄膜化处理组件11的浸渍槽2中的浸渍处理时间为60秒以外,利用与实施例1相同的方法将阻焊剂层薄膜化。
在水洗处理及干燥处理后,测定了10个点的阻焊剂层的薄膜化部的厚度,其结果是,最大值为9.0μm,最小值为7.0μm,平均厚度为8.0μm。另外,利用光学显微镜观察了经过薄膜化的阻焊剂层的表面,其结果是,确认为没有处理不均的平滑的薄膜化面。
(比较例1)
除了使用图10的阻焊剂层的薄膜化装置以外,利用与实施例1相同的方法将阻焊剂层薄膜化。即,所使用的胶束除去液供给用喷雾喷嘴21为固定式,其喷雾图案24为实心圆锥。
在水洗处理及干燥处理后,测定了10个点的阻焊剂层的薄膜化部的厚度,其结果是,最大值为16.0μm,最小值为10.0μm,平均厚度为13.0μm。另外,利用光学显微镜观察了经过薄膜化的阻焊剂层的表面,其结果是,残留有没有利用胶束除去液喷雾22完全除去的阻焊剂层。
产业上的可利用性
本实用新型的阻焊剂图案的形成方法例如可以适用于进行在布线的一部分具备倒装片接合用的接合垫的电路基板的阻焊剂图案的形成的用途。
Claims (2)
1.一种阻焊剂层的薄膜化装置,是具备利用薄膜化处理液使没有固化的阻焊剂层的成分胶束化的薄膜化处理组件、和利用胶束除去液除去胶束的胶束除去处理组件而成的阻焊剂层的薄膜化装置,其特征在于,
胶束除去处理组件具有胶束除去液供给用喷雾喷嘴,
胶束除去液供给用喷雾喷嘴为固定式,并且,以使喷射方向为同一方向的方式配置,
胶束除去液供给用喷雾喷嘴的喷雾图案为扇形。
2.根据权利要求1所述的阻焊剂层的薄膜化装置,其特征在于,
在垂直于输送方向的方向上,以使喷雾图案排列于一条直线上的方式配置胶束除去液供给用喷雾喷嘴。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020102312A JP2021197427A (ja) | 2020-06-12 | 2020-06-12 | ソルダーレジスト層の薄膜化装置 |
JP2020-102312 | 2020-06-12 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN215499769U true CN215499769U (zh) | 2022-01-11 |
Family
ID=79178952
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202121236368.XU Active CN215499769U (zh) | 2020-06-12 | 2021-05-31 | 阻焊剂层的薄膜化装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2021197427A (zh) |
KR (1) | KR20210002849U (zh) |
CN (1) | CN215499769U (zh) |
TW (1) | TWM620419U (zh) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5444050B2 (ja) | 2010-03-12 | 2014-03-19 | 三菱製紙株式会社 | ソルダーレジストパターンの形成方法 |
JP5498886B2 (ja) | 2010-07-26 | 2014-05-21 | 三菱製紙株式会社 | ドライフィルムレジストの薄膜化処理方法 |
JP5444172B2 (ja) | 2010-09-06 | 2014-03-19 | 三菱製紙株式会社 | ドライフィルムレジストの薄膜化処理方法 |
KR101891840B1 (ko) | 2010-09-28 | 2018-08-24 | 미쓰비시 세이시 가부시키가이샤 | 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법 |
JP6656027B2 (ja) | 2015-03-13 | 2020-03-04 | 三菱製紙株式会社 | ソルダーレジストパターンの形成方法 |
JP6603155B2 (ja) | 2015-11-19 | 2019-11-06 | 三菱製紙株式会社 | ソルダーレジストパターンの形成方法 |
-
2020
- 2020-06-12 JP JP2020102312A patent/JP2021197427A/ja active Pending
-
2021
- 2021-04-29 KR KR2020210001368U patent/KR20210002849U/ko not_active Application Discontinuation
- 2021-05-28 TW TW110206215U patent/TWM620419U/zh not_active IP Right Cessation
- 2021-05-31 CN CN202121236368.XU patent/CN215499769U/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021197427A (ja) | 2021-12-27 |
KR20210002849U (ko) | 2021-12-21 |
TWM620419U (zh) | 2021-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR200487199Y1 (ko) | 레지스트층의 박막화 장치 | |
CN215499769U (zh) | 阻焊剂层的薄膜化装置 | |
JP3182371U (ja) | レジスト層の薄膜化処理装置 | |
JP3207408U (ja) | レジスト層の薄膜化装置 | |
JP3239541U (ja) | ソルダーレジスト層の薄膜化装置 | |
CN106900141B (zh) | 抗蚀层的薄膜化装置 | |
JP3218350U (ja) | レジスト層の薄膜化装置 | |
JP3208034U (ja) | レジスト層の薄膜化装置 | |
JP3202621U (ja) | レジスト層の薄膜化装置 | |
JP3225660U (ja) | レジスト層の薄膜化装置 | |
JP3202620U (ja) | レジスト層の薄膜化装置 | |
KR200491908Y1 (ko) | 레지스트층의 박막화 장치 | |
KR200492081Y1 (ko) | 레지스트층의 박막화 장치 | |
JP3201110U (ja) | レジスト層の薄膜化装置 | |
JP3224844U (ja) | レジスト層の薄膜化装置 | |
KR200494122Y1 (ko) | 레지스트층의 박막화 장치 | |
JP3218349U (ja) | レジスト層の薄膜化装置 | |
JP2018045116A (ja) | レジスト層の薄膜化装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |