TWI834146B - 偏光板及液晶顯示裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之課題在於提供一種偏光板等，其在使用含有具有極性基的環烯烴聚合物之光學薄膜時，可防止接著不良，減低液晶顯示裝置中的顯示不均，且謀求高溫高濕環境下的偏光鏡層之耐久性提升。 解決手段的本發明之偏光板係至少具備光學薄膜、接著層及偏光鏡層之偏光板，前述光學薄膜含有至少具有極性基的環烯烴聚合物，對前述接著層之接著前的前述光學薄膜之表面，以0.1度之角度照射X射線時的繞射峰之半值寬為4.6～5.4度之範圍，前述接著層至少含有聚合性單體的硬化物，且前述聚合性單體之60質量%以上為漢森溶解度參數中的分子間之分散力所致的能量δD滿足式(1)之關係的單體。 式(1)：16.0MPa ^0.5≦δD＜17.7MPa ^0.5

Description

偏光板及液晶顯示裝置

本發明關於偏光板及液晶顯示裝置，尤其關於即使於使用含有具有極性基的環烯烴聚合物之光學薄膜的情況中，也可防止接著不良，減低液晶顯示裝置中的顯示不均，且謀求高溫高濕環境下的偏光鏡層的耐久性之提升的偏光板等。

於液晶顯示裝置之影像顯示區域中，配置各種的光學薄膜(例如，用於保護偏光板的偏光鏡層之透明保護膜)。作為如此的光學薄膜，例如使用如纖維素酯薄膜、環烯烴聚合物(環烯烴系聚合物(樹脂)(COP))之透明性優異的聚合物(樹脂)薄膜。 近年來，尤其耐濕性、耐熱性優異的環烯烴聚合物薄膜之需求升高，再者希望製作顯示裝置之大型化所伴隨的寬廣之偏光板，當時更具體地希望不降低生產良率。再者，隨著大型化，要求亦包含抗靜電效果之具有某程度的極性之薄膜。

一般而言，偏光板係藉由接著劑貼合光學薄膜與偏光鏡層而製作。於該偏光板之製作中，使用特定的紫外線硬化糊來接著光學薄膜與偏光鏡層之技術，例如係揭示於專利文獻1中。 再者，為了改良由環烯烴聚合物所成的光學薄膜與偏光鏡層之接著性，在光學薄膜上進行溶劑塗佈的表面處理之技術，例如係揭示於專利文獻2中。

然而，於使用前述專利文獻1及2中記載之手法，使用由具有極性基的環烯烴聚合物所成的光學薄膜之情況中，因接著不良而發生顯示不均，或發生高溫高濕環境下的偏光鏡層之劣化，而要求改善。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2004-245925號公報 [專利文獻2]日本特開2019-28109號公報

[發明所欲解決的課題]

本發明係鑒於上述問題･狀況而完成者，其解決課題在於提供一種偏光板及液晶顯示裝置，該偏光板係即使在使用含有具有極性基的環烯烴聚合物之光學薄膜時，也可防止接著不良，減低液晶顯示裝置中的顯示不均，且能謀求高溫高濕環境下的偏光鏡層之耐久性提升。 [解決課題的手段]

本發明者為了解決上述課題，於檢討上述問題的原因等之過程中，發現可提供一種偏光板及液晶顯示裝置，該偏光板使用含有特定聚合性單體之硬化物的接著層，且控制具有極性基的環烯烴聚合物之表面的配向度，而可防止接著不良，減低顯示不均，提高高溫高濕環境下的偏光鏡層之耐久性，而達成本發明。 亦即，本發明之上述課題係藉由以下之手段而解決。

1.一種偏光板，其係至少具備光學薄膜、接著層及偏光鏡層之偏光板，其特徵為： 前述光學薄膜含有至少具有極性基的環烯烴聚合物， 對前述接著層之接著前的前述光學薄膜之表面，以0.1度之角度照射X射線時的繞射峰之半值寬為4.6~5.4度之範圍內， 前述接著層至少含有聚合性單體的硬化物，且 前述聚合性單體之60質量%以上為漢森(Hansen)溶解度參數中的分子間之分散力所致的能量δD滿足下述式(1)之關係的單體； 式(1)：16.0MPa ^0.5≦δD＜17.7MPa ^0.5。

2.如第1項記載之偏光板，其中在進行前述偏光板的剝離接著強度試驗時，剝離面係從前述接著層側來看，相對於前述光學薄膜之厚度全體而言在0.5~15%之範圍內的位置。

3.如第1項或第2項記載之偏光板，其中在前述光學薄膜與前述接著層之界面具有混合層， 前述混合層之厚度為50~500nm之範圍內。

4.一種液晶顯示裝置，其特徵為具備如第1項~第3項中任一項記載之偏光板。 [發明的效果]

藉由本發明之上述手段，可提供一種偏光板及液晶顯示裝置，該偏光板係即使在使用含有具有極性基的環烯烴聚合物之光學薄膜時，也可防止接著不良，減低液晶顯示裝置中的顯示不均，且能謀求高溫高濕環境下的偏光鏡層之耐久性提升。 關於本發明的效果之展現機構或作用機構，雖然不明確，但推測如以下。 藉由使用漢森溶解度參數中的分子間之分散力所致的能量δD滿足前述式(1)之聚合性單體(以下亦稱為「特定聚合性單體」)之硬化物作為接著層，前述特定聚合性單體的δD與具有極性基的環烯烴聚合物的δD之值變近，前述特定聚合性單體或其低分子聚合物(例如寡聚物)容易滲透光學薄膜。結果，光學薄膜與接著層之接著性提升，可減低液晶顯示裝置中的顯示不均。 又，由於接著層與偏光鏡層之接著性亦提升，水分難以從高溫高濕環境下的偏光鏡層與接著層之間的接著面侵入，亦可防止偏光鏡層的劣化。 再者，藉由將對接著層之接著前的光學薄膜之表面以0.1度之角度照射X射線時的繞射峰之半值寬設為4.6~5.4度之範圍內，光學薄膜之表面的聚合物(樹脂)分子鏈成為適度的配向，可適當地保持前述特定聚合性單體向光學薄膜之滲透，與接著層之接著性優異。 因此，本發明中，藉由將特定聚合性單體使用於接著層，且使用將表面的聚合物分子鏈控制在低配向的光學薄膜，而可使接著層容易滲透光學薄膜，可防止接著不良，減低液晶顯示裝置中的顯示不均。

尚且，本發明中所謂「配向」，就是指聚合物中的分子鏈排列於一定方向。例如於對薄膜的膜厚呈垂直的方向中，將聚合物中的分子鏈排列的程度高之狀態稱為「高配向」。 因此，於聚合物間的相互作用小之聚合物中，藉由延伸，而在表面形成高配向區域。高配向區域採取主鏈間隔比較一致的(結晶性高的)結構。本發明中，如前述藉由將繞射峰之半值寬設為特定範圍，使光學薄膜之表面成為特定的配向程度，而控制前述特定聚合性單體之滲透，可謀求接著性提升。

[實施發明的形態]

本發明之偏光板係至少具備光學薄膜、接著層及偏光鏡層之偏光板，其特徵為：前述光學薄膜含有至少具有極性基的環烯烴聚合物，對前述接著層之接著前的前述光學薄膜之表面，以0.1度之角度照射X射線時的繞射峰之半值寬為4.6~5.4度之範圍內，前述接著層至少含有聚合性單體的硬化物，且前述聚合性單體之60質量%以上為漢森溶解度參數中的分子間之分散力所致的能量δD滿足下述式(1)之關係的單體。 式(1)：16.0MPa ^0.5≦δD＜17.7MPa ^0.5該特徵係共通或對應下述各實施形態的技術特徵。

作為本發明之實施形態，在進行前述偏光板的剝離接著強度試驗時，剝離面係從前述接著層側來看，相對於前述光學薄膜之厚度全體而言在0.5~15%之範圍內的位置者，係在接著層與光學薄膜可適當地接著之點上較宜。

又，在前述光學薄膜與前述接著層之界面具有混合層，前述混合層之厚度為50~500nm之範圍內者，係在光學薄膜與接著層之間的接著性變更良好之點上較宜。 本發明之偏光板可適用於液晶顯示裝置。

以下，說明本發明與其構成要素及用於實施本發明的形態･態樣。尚且，本案中，「~」係以包含其前後所記載的數值作為下限值及上限值之意思使用。

[本發明之偏光板之概要] 本發明之偏光板係至少具備光學薄膜、接著層及偏光鏡層之偏光板，其特徵為：前述光學薄膜含有至少具有極性基的環烯烴聚合物，對前述接著層之接著前的前述光學薄膜之表面，以0.1度之角度照射X射線時的繞射峰之半值寬為4.6~5.4度之範圍內，前述接著層至少含有聚合性單體的硬化物，且前述聚合性單體之60質量%以上為漢森(Hansen)溶解度參數中的分子間之分散力所致的能量δD滿足下述式(1)之關係的單體。 式(1)：16.0MPa ^0.5≦δD＜17.7MPa ^0.5

於前述聚合性單體之中，含有60質量%以上的滿足前述式(1)之聚合性單體(特定聚合性單體)者，係為了使該特定聚合性單體的δD與具有極性基的環烯烴聚合物的δD之值接近，藉此，前述特定聚合性單體或其低分子聚合物容易滲透光學薄膜。結果，光學薄膜與接著層之接著性提升。又，於接著層與光學薄膜之界面，可形成後述之混合層。 含有未達60質量%的前述特定聚合性單體時，該特定聚合性單體所致之效果小，無法謀求接著層與光學薄膜的接著性提升。

＜漢森溶解度參數＞ 本發明中，於接著層所含有的硬化物之聚合性單體中，60質量%以上的聚合性單體為漢森溶解度參數(HSP值)中的分子間之分散力所致的能量δD滿足前述式(1)之關係。 較佳為前述60質量%以上的聚合性單體實質上不含18.7≦δD≦20之範圍內的聚合性單體。

以下，說明SP值與HSP值。 作為評價物質之物性尤其溶劑的溶解行為之指標，以往使用希爾德布蘭德(Hildebrand)的SP值(溶解度參數；δ)。該「SP值」為以物質的凝聚能量密度之平方根所表示的物質固有之物性值。 又，此SP值係被漢森分割成分散力項(δD)、極性項(δP)、氫鍵項(δH)之3成分，作為考慮物質的極性之參數，使用所提案的漢森溶解度參數(HSP值)，如下述式表示。 SP值=(δD ²+δP ²+δH ²) ^0.5

漢森溶解度參數(HSP值)係基於「分子間的相互作用類似的2個物質容易互相溶解」之考量，由以下3個參數所構成，此等3個參數可視為三次元空間(亦稱為「漢森空間」)中的座標。2個物質的該座標間之距離愈近，互相的親和性愈高，被認為容易溶解。 δD：分子間之分散力所致的能量 δP：分子間之偶極交互作用所致的能量 δH：分子間之氫鍵所致的能量

關於本發明中之漢森溶解度參數中的分子間之分散力所致的能量δD之值，如下述地求出。 漢森溶解度參數之定義及計算方法係記載於下述之文獻。Charles M. Hansen著、「Hansen Solubility Parameters：A Users Handbook」、CRC出版社、2007年。 再者，藉由使用電腦軟體(Hansen Solubility Parameters in Practice(HSPiP))，由其化學結構可簡便地算出漢森溶解度參數。如此地求出的漢森溶解度參數係以δD、δP、δH之3成分表現，本發明中使用該HSPiP的δD之值(單位：MPa ^0.5)。

作為滿足前述關係式(1)的聚合性單體之具體例，如後述，但較佳為環氧單體、丙烯酸系單體或氧雜環丁烷單體，特佳為環氧單體。

＜X射線繞射峰＞ 本發明中，為了評價光學薄膜之表面的配向性，X射線繞射法為恰當。特別地，較佳為減小入射X射線的入射角θ，淺化繞射所檢測出的X射線之資訊深度的被稱為薄膜法之方法。 具體而言，將入射X射線的入射角θ固定在0.1度左右，邊改變檢測器的角度邊測定X射線的強度。 本發明中，作為X射線繞射裝置，使用X射線繞射裝置RINT-TTRII(理學電氣公司製)。將對陰極(anticathode)設為Cu，以50kV-300mA使其動作。高度限制狹縫為10mm，發散狹縫為2/3，以測定鋁箔時的Al(200)之波峰半值寬成為0.35度之方式調整光學系統。固定薄膜，將θ固定在0.1度，在5~35度以0.02度步距掃描2θ，在各步距累計1秒，得到繞射圖型。進行背景處理，求出繞射峰之半值寬。

由於前述繞射峰之半值寬為4.6~5.4度之範圍內，可適當地保持聚合性單體向光學薄膜之滲透。未達4.6度時，會阻礙聚合性單體之滲透，無法確保充分的接著力。又，大於5.4度時，聚合性單體之滲透過度優異，滲透到光學薄膜內部，在有助於黏接的表面附近不會停留聚合性單體，故接著力會變弱。較佳為4.8~5.2度之範圍內。 前述繞射峰之半值寬表示結晶間之距離，由於愈低配向則聚合物(樹脂)中的主鏈間隔愈無規，故半值寬變廣。

作為使如此的繞射峰之半值寬成為前述範圍內之手段，可舉出控制延伸步驟中的延伸開始時之殘留溶劑量、或延伸時的延伸倍率、延伸時的加熱溫度、延伸步驟後的正式乾燥時的乾燥時間與乾燥時間等。 具體而言，前述延伸開始時的殘留溶劑量較佳設為700~30000質量ppm之範圍內。 前述延伸倍率係以面積倍率(面積比)表示較佳設為1.2~3.5倍之範圍內。 延伸時的加熱溫度較佳設為100~200℃之範圍內。

又，前述延伸開始時的殘留溶劑量係如後述，但可藉由延伸步驟前的預備乾燥時之乾燥溫度與乾燥時間來控制。

＜剝離接著強度試驗＞ 進行本發明之偏光板的剝離接著強度試驗時，光學薄膜的剝離面係從前述接著層側來看，相對於剝離前之前述光學薄膜之厚度全體而言在0.5~15%之範圍內的位置較宜，更佳為5~12%之範圍內。 剝離接著強度試驗係用下述方法進行。圖1係顯示剝離接著強度試驗之方法之圖。 首先，以偏光鏡層的偏光軸方向成為長邊之方式，從偏光板切出150mm×25mm的長條狀。 其次，從測定偏光鏡層400的剝離力之光學薄膜100側，以約30度的角度，僅在光學薄膜100以剃刀R導入切口(參照圖1(a))。 接著，在比導入有切口S之面的切口更靠近中央側，黏貼雙面膠帶T(參照圖1(b))。 隨後，剝離雙面膠帶T的剝離紙，貼附於玻璃板G(參照圖1(c))。 接著，拉起偏光板之未貼雙面膠帶T的部分，作出成偏光鏡層400與光學薄膜100之間剝離的狀態(參照圖1(d))。 最後，使用萬能試驗機(ORIENTEC公司製，RTC-1225A)，進行90度剝離試驗(參照圖1(e))。 所使用的剃刀R為FEATHER剃刀S單刃(碳鋼，刀刃厚0.245mm，FEATHER安全剃刀股份有限公司製)。又，90度剝離試驗係依據JIS K 6854-1：1999(接著劑-剝離接著強度試驗方法-第1部：90度剝離)，於拉伸速度(剝離速度)100mm/min、剝離角度90度之條件下進行。

＜剝離位置之觀察方法＞ 將在前述剝離接著強度試驗所剝離的光學薄膜100以環氧聚合物(樹脂)包埋後，藉由超薄切片機製作約100nm厚的超薄切片，藉由日本電子製穿透型電子顯微鏡2000FX(加速電壓：200kV)拍攝2500~10000倍的TEM影像。 由所拍攝的影像，算出附著於接著層600側的光學薄膜100之厚度m(例如參照圖1(f))，算出相對於剝離前的光學薄膜全體之厚度M而言剝離面101的位置(「附著於接著層側的光學薄膜之厚度m」/「剝離前的光學薄膜全體之厚度M(參照圖1(e))」×100)。 尚且，前述所謂「附著於接著層側的光學薄膜之厚度m」，就是從光學薄膜100的接著層600側之面到剝離面101為止之中的最短距離。

[偏光板之構成] 本發明之偏光板至少具備光學薄膜、接著層及偏光鏡層。又，本發明之偏光板較佳為在光學薄膜與接著層之界面具有混合層。 具體而言，如圖2所示，本發明之偏光板200較佳為依序至少積層光學薄膜100、混合層700、接著層600、偏光鏡層400及偏光板保護膜300而成。 又，較佳在偏光板保護膜300與偏光鏡層400之間，進一步具有保護膜用接著層800，且在光學薄膜100之與前述混合層700相反側之面，進一步具有用於接著於液晶胞30(參照圖5)的黏著片48(參照圖5)。 以下，依接著層600、混合層700、光學薄膜100、偏光鏡層400、偏光板保護膜300及黏著片48之順序說明各構成。

1.接著層 本發明之接著層，係在光學薄膜的兩面之中，設於貼附偏光鏡層的側之面。前述接著層至少含有聚合性單體的硬化物。 本發明中，所謂「聚合性單體的硬化物」，就是指聚合性單體進行聚合物(polymer)化者，但實質上指含有前述聚合性單體或聚合起始劑等之添加劑的聚合性組成物(例如，後述的紫外線硬化型接著劑)藉由聚合反應而硬化者。亦即，含有前述聚合性單體的聚合物或添加劑等之聚合性組成物的硬化物係成為接著層。以下，說明聚合性組成物所含有的前述聚合性單體、聚合起始劑等。

(1.1)聚合性單體 於前述聚合性單體之中，60質量%以上的聚合性單體為漢森溶解度參數中的分子間之分散力所致的能量δD滿足前述式(1)之關係的單體。 作為如此之滿足前述式(1)之關係的聚合性單體，例如可舉出環氧單體、丙烯酸系單體或氧雜環丁烷單體等，尤其在與光學薄膜的接著性優異之點上，較佳為環氧單體。

作為滿足前述式(1)之關係的聚合性單體，例如可舉出下述例示化合物A-1~A-35，於此等例示化合物之中，可混合使用複數種類的聚合性單體，也可單獨使用。 又，各例示化合物之δD係如前述，藉由使用電腦軟體(Hansen Solubility Parameters in Practice(HSPiP))，由其化學結構算出。

又，不滿足前述式(1)之關係，但是作為能使用聚合性單體，可舉出下述例示化合物B-1~B-10等，較佳為後述實施例所使用的例示化合物B-1、B-6及B-8。

滿足前述式(1)之關係的聚合性單體，相對於聚合性組成物全體，較佳為以60~100質量%含有，更佳為以70~100質量%之範圍內含有。滿足前述式(1)之關係的聚合性單體較佳為併用2種類以上，更佳為含有3種類以上。併用2種類以上時，較佳為由環氧單體與丙烯酸系單體中各自選擇1種類以上。

(1.2)其他添加劑 形成前述硬化物的聚合性組成物，係在前述聚合性單體以外，較佳為含有聚合起始劑、光增感劑等。

(1.2.1)聚合起始劑 前述聚合起始劑，從藉由活性光線照射使前述聚合性單體進行離子聚合並硬化，形成接著層來看，較佳為光陽離子聚合起始劑。 光陽離子聚合起始劑係藉由如可見光線、紫外線、X射線、電子線之活性光線的照射，產生陽離子種或路易斯酸，開始本發明之聚合性單體的聚合反應者。

作為藉由活性光線之照射而產生陽離子種或路易斯酸之化合物，例如可舉出如芳香族重氮鎓鹽、芳香族碘鎓鹽或芳香族鋶鹽之鎓鹽，或鐵-芳烴錯合物等。

作為芳香族重氮鎓鹽，例如可舉出苯重氮鎓六氟銻酸鹽、苯重氮鎓六氟磷酸鹽、苯重氮鎓六氟硼酸鹽等。

作為芳香族碘鎓鹽，例如可舉出二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸鹽、二苯基碘鎓六氟磷酸鹽、二苯基碘鎓六氟銻酸鹽、二(4-壬基苯基)碘鎓六氟磷酸鹽等。

作為芳香族鋶鹽，例如可舉出三苯基鋶六氟磷酸鹽、三苯基鋶六氟銻酸鹽、三苯基鋶四(五氟苯基)硼酸鹽、4,4’-雙[二苯基鋶基]二苯基硫醚雙六氟磷酸鹽、4,4’-雙[二(β-羥基乙氧基)苯基鋶基]二苯基硫醚雙六氟銻酸鹽、4,4’-雙[二(β-羥基乙氧基)苯基鋶基]二苯基硫醚雙六氟磷酸鹽、7-[二(對甲苯甲醯基)鋶基]-2-異丙基噻噸酮六氟銻酸鹽、7-[二(對甲苯甲醯基)鋶基]-2-異丙基噻噸酮四(五氟苯基)硼酸鹽、4-苯基羰基-4’-二苯基鋶基-二苯基硫醚六氟磷酸鹽、4-(對第三丁基苯基羰基)-4’-二苯基鋶基-二苯基硫醚六氟銻酸鹽、4-(對第三丁基苯基羰基)-4’-二(對甲苯甲醯基)鋶基-二苯基硫醚四(五氟苯基)硼酸鹽等。

作為鐵-芳烴錯合物，例如可舉出二甲苯-環戊二烯基鐵(II)六氟銻酸鹽、異丙苯-環戊二烯基鐵(II)六氟磷酸鹽、二甲苯-環戊二烯基鐵(II)參(三氟甲基磺醯基)甲烷化物。

此等光陽離子聚合起始劑可各自單獨使用，也可混合2種以上使用。於此等之中，特佳為使用芳香族鋶鹽，因為即使在300nm附近的波長區域中也具有紫外線吸收特性，而硬化性優異，可賦予具有良好的機械強度或接著強度之硬化物。

光陽離子聚合起始劑之摻合量，相對於前述聚合性組成物100質量份，較佳設為1~10質量份，更佳設為2~6質量份之範圍內。藉此，可使前述聚合性單體充分地硬化，可將高的機械強度與接著強度賦予至所得之偏光板。

(1.2.2)光增感劑 前述光增感劑較佳為對於比380nm較長波長的光顯示極大吸收之光增感劑。 上述光陽離子聚合起始劑係對於300nm附近或比其較短的波長顯示極大吸收，感應其附近的波長之光，產生陽離子種或路易斯酸，開始前述聚合性單體的陽離子聚合，但為了對於比其較長波長的光亦感應，較佳為摻合對於比380nm較長波長的光顯示極大吸收之光增感劑。

作為如此的光增感劑，例如可使用日本特開2014-66955號公報之段落[0253]~[0258]中記載的光增感劑。具體而言，可舉出9,10-二甲氧基蒽、9,10-二乙氧基蒽、9,10-二丙氧基蒽、9,10-二異丙氧基蒽、9,10-二丁氧基蒽、9,10-二戊氧基蒽、9,10-二己氧基蒽、9,10-雙(2-甲氧基乙氧基)蒽、9,10-雙(2-乙氧基乙氧基)蒽、9,10-雙(2-丁氧基乙氧基)蒽、9,10-雙(3-丁氧基丙氧基)蒽、2-甲基或2-乙基-9,10-二甲氧基蒽、2-甲基或2-乙基-9,10-二乙氧基蒽、2-甲基或2-乙基-9,10-二丙氧基蒽、2-甲基或2-乙基-9,10-二異丙氧基蒽、2-甲基或2-乙基-9,10-二丁氧基蒽、2-甲基或2-乙基-9,10-二戊氧基蒽、2-甲基或2-乙基-9,10-二己氧基蒽等。

光增感劑之摻合量，相對於前述聚合性組成物100質量份，較佳設為0.1~2質量份之範圍內，更佳為0.1~0.5質量份之範圍內，尤佳為0.1~0.3質量份之範圍內。藉此，可展現硬化性提升之效果，且防止低溫保管時的析出。

(1.2.3)光增感助劑 作為前述光增感助劑，較佳為使用萘系光增感助劑。 作為如此的光增感助劑，例如可使用日本特開2014-66955號公報之段落[0259]~[0263]中記載的光增感助劑。具體而言，可舉出1,4-二甲氧基萘、1-乙氧基-4-甲氧基萘、1,4-二乙氧基萘、1,4-二丙氧基萘、1,4-二丁氧基萘等。

光增感助劑之摻合量，相對於前述聚合性組成物100質量份，較佳設為0.1~10質量份之範圍內，更佳為0.1~5質量份之範圍內。藉此，可展現硬化性提升之效果，且防止低溫保管時的析出。

於本發明之聚合性組成物中，在不損害本發明的效果之範圍內，可含有任意成分的其他添加劑成分。作為添加劑成分，可摻合日本特開2014-66955號公報之段落[0265]~[0288]中記載之熱陽離子聚合起始劑、多元醇類、離子捕捉劑、抗氧化劑、光安定劑、鏈轉移劑、增黏劑、熱塑性樹脂、填充劑、流動調整劑、可塑劑、消泡劑、調平劑、色素、有機溶劑等。

本發明的接著層之厚度較佳為500~5000nm之範圍內。

2.混合層 本發明之偏光板較佳為在光學薄膜與前述接著層之界面具有混合層。 本發明之混合層係藉由在光學薄膜上形成接著層，而滿足前述式(1)的聚合性單體或其低分子聚合物滲透至光學薄膜，溶解光學薄膜之表面而形成的層，為具有極性基的環烯烴聚合物與前述聚合性單體或其低分子聚合物進入了之層。

前述混合層之檢測及混合層之厚度的算出，例如可利用飛行時間型二次離子質量分析法(TOF-SIMS：Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry)及離子濺鍍，一邊進行表面蝕刻，一邊交替地重複濺鍍與測定，從所得之光譜資訊，對於元素的組成或分子結構，得到深度方向輪廓而進行。 具體而言，將歸屬於光學薄膜所含有的源自前述環烯烴聚合物的元素成分及接著層所含有的源自前述特定聚合性單體的元素成分之質量電荷比m/z的計數，從光學薄膜之與接著層相反側之面到接著層為止連續地測定。所謂「m/z」，就是將質量m除以電荷z而得之值。 測定裝置：TIRFTV nano-TOF(Ulvac-Phi公司製) 一次離子：Bi ₃ ²⁺、加速電壓30kV、測定區域50μm見方 濺鍍離子：Ar2500+(氬氣團簇離子束：GCIB)、加速電壓5kV、濺鍍區域500μm見方 作為二次離子，m/z為從0.5到2000之測定為3框(frame)，接著依GCIB的濺鍍為5秒、其次電子鎗的中和為3秒之順序重複，計測深度方向的二次離子分布。解析係以Ulvac-Phi製Win Cadence N進行。

藉由前述解析，於源自環烯烴聚合物的元素成分之計數之中，將光學薄膜背面(與接著層相反側之面)中之源自環烯烴聚合物的元素成分計數當作100%，將接著層中之源自環烯烴聚合物的元素成分計數當作0%，於滿足前述式(1)之關係的源自特定聚合性單體的元素成分之計數之中，將光學薄膜背面中之源自前述特定聚合性單體的元素成分計數當作0%，將接著層中之源自前述特定聚合性單體的元素成分計數當作100%時，將源自環烯烴聚合物的元素成分、源自特定聚合性單體的元素成分皆成為5~95%之計數的區域當作混合層。 以非接觸三次元微小表面形狀測定系統(WYKO公司製RSTPLUS)觀察TOF-SIMS所測定之部位，計測經由TOF-SIMS測定所削去的光學薄膜及接著層之厚度，將濺鍍速率換算成厚度。

圖3係顯示於本發明之偏光板中，從光學薄膜的背面(與接著層相反側之面(圖2中光學薄膜100之下面)起在厚度方向中進行蝕刻，經TOF-SIMS所測定的深度方向輪廓之中，表示界面附近之圖。如該圖3所示可知，從測定開始位置到200nm附近的位置為止，僅含有源自具有極性基的環烯烴聚合物之元素成分，從深度200nm到450nm附近之間(混合層)，含有源自前述環烯烴聚合物及前述特定聚合性單體的元素成分兩者。又，於深度450nm附近的位置以後(接著層)，僅含有源自前述特定聚合性單體之元素成分。 圖3中，黑圓表示光學薄膜所含有之源自環烯烴聚合物的元素成分之計數，白圓表示接著層所含有的源自特定聚合性單體的元素成分之計數。

前述混合層之厚度較佳為50~500nm之範圍內，更佳為150~400nm之範圍內。藉此，接著層與光學薄膜的接著性變良好。 為了使前述混合層之厚度成為50~500nm之範圍內，例如可藉由調整用於形成接著層的聚合性組成物所含有之前述特定聚合性單體的種類及其含量而控制。

3.光學薄膜 本發明之光學薄膜含有具有極性基的環烯烴聚合物(「環烯烴系聚合物(樹脂)」)。

(3.1)環烯烴聚合物 本發明之環烯烴聚合物較佳為環烯烴單體(monomer)的聚合物、或環烯烴單體與其以外的共聚合性單體之共聚物。

作為環烯烴單體，較佳為具有降莰烯骨架的環烯烴單體，更佳為具有下述通式(a-1)或(a-2)所示的結構之環烯烴單體。

通式(a-1)中，R ¹~R ⁴中的至少一個表示極性基，其他各自獨立地表示氫原子或碳原子數1~30的烴基。p表示0~2之整數。惟，R ¹與R ²不同時地表示氫原子，R ³與R ⁴不同時地表示氫原子。

通式(a-1)中，作為R ¹~R ⁴所表示的碳原子數1~30的烴基，例如較佳為碳原子數1~10的烴基，更佳為碳原子數1~5的烴基。 碳原子數1~30的烴基例如可進一步具有包含鹵素原子、氧原子、氮原子、硫原子或矽原子的連結基。 於如此的連結基之例中，包含羰基、亞胺基、醚鍵、矽醚鍵、硫醚鍵等之2價極性基。 於碳原子數1~30的烴基之例中，包含甲基、乙基、丙基及丁基等。

通式(a-1)中，於R ¹~R ⁴所示的極性基之例中，包含羧基、羥基、烷氧基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、胺基、醯胺基及氰基。 其中，較佳為羧基、羥基、烷氧基羰基及芳氧基羰基，從確保溶液製膜時的溶解性之觀點來看，較佳為烷氧基羰基及芳氧基羰基。

通式(a-1)中的p，從提高光學薄膜的耐熱性之觀點來看，較佳為1或2。 此係因為p為1或2時，所得之聚合物為大體積，玻璃轉移溫度容易提升。

通式(a-2)中，R ⁵表示氫原子、碳數1~5的烴基或具有碳數1~5的烷基之烷基矽烷基。R ⁶表示極性基，具體而言，表示羧基、羥基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、胺基、醯胺基、氰基或鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子或碘原子)。p表示0~2之整數。

通式(a-2)中的R ⁵較佳表示碳數1~5的烴基，更佳表示碳數1~3的烴基。

通式(a-2)中的R ⁶較佳表示羧基、羥基、烷氧基羰基及芳氧基羰基，從確保溶液製膜時的溶解性之觀點來看，更佳為烷氧基羰基及芳氧基羰基。

通式(a-2)中的p，從提高光學薄膜的耐熱性之觀點來看，較佳表示1或2。 此係因為p表示1或2時，所得之聚合物為大體積，玻璃轉移溫度容易提升。

具有通式(a-2)所示的結構之環烯烴單體(monomer)，從提高在有機溶劑中的溶解性之點來看較宜。 一般而言，有機化合物係藉由崩解對稱性而結晶性降低，故在有機溶劑中的溶解性提升。 通式(a-2)中的R ⁵及R ⁶，由於對於分子之對稱軸僅取代於單側的環構成碳原子，故分子的對稱性低，亦即具有通式(a-2)所示的結構之環烯烴單體(monomer)係溶解性高，因此適合於藉由溶液流延法來製造光學薄膜之情況。

環烯烴單體(monomer)之聚合物中的具有通式(a-2)所示的結構之環烯烴單體(monomer)的含有比例，相對於構成環烯烴聚合物的全部環烯烴單體(monomer)之合計，例如可為70莫耳%以上，較佳可為80莫耳%以上，更佳可為100莫耳%。 若含有一定以上的具有通式(a-2)所示的結構之環烯烴單體(monomer)，則聚合物(樹脂)之配向性升高，因此相位差(遲滯)值容易上升。

以下，例示化合物2、3、9~14中顯示具有通式(a-1)所示的結構之環烯烴單體(monomer)的具體例，例示化合物15~34中顯示具有通式(a-2)所示的結構之環烯烴單體(monomer)的具體例。

於與環烯烴單體(monomer)能共聚合的共聚合性單體(monomer)之例中，包含與環烯烴單體(monomer)能開環共聚合的共聚合性單體(monomer)，及與環烯烴單體(monomer)能加成共聚合的共聚合性單體(monomer)等。

於能開環共聚合的共聚合性單體(monomer)之例中，包含環丁烯、環戊烯、環庚烯、環辛烯及二環戊二烯等之環烯烴。

於能加成共聚合的共聚合性單體(monomer)之例中，包含含不飽和雙鍵的化合物、乙烯系環狀烴單體(monomer)及(甲基)丙烯酸酯等。

於含不飽和雙鍵的化合物之例中，包含碳原子數2~12(較佳為2~8)的烯烴系化合物，其例包含乙烯、丙烯及丁烯等。

於乙烯系環狀烴單體(monomer)之例中，包含4-乙烯基環戊烯及2-甲基-4-異丙烯基環戊烯等之乙烯基環戊烯系單體(monomer)。

於(甲基)丙烯酸酯之例中，包含(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯及(甲基)丙烯酸環己酯等之碳原子數1~20的(甲基)丙烯酸烷酯。

環烯烴單體(monomer)與共聚合性單體(monomer)之共聚物中的環烯烴單體(monomer)之含有比例，相對於構成共聚物的全部單體(monomer)之合計，例如可為20~80mol%之範圍內，較佳為30~70mol%之範圍內。

環烯烴聚合物係如前述，為將具有降莰烯骨架的環烯烴單體(monomer)，較佳為將具有通式(a-1)或(a-2)所示的結構之環烯烴單體(monomer)，進行聚合或共聚合而得之聚合物，其例包含以下(1)~(7)之聚合物。

(1)環烯烴單體(monomer)之開環聚合物 (2)環烯烴單體(monomer)與和其能開環共聚合的共聚合性單體(monomer)之開環共聚物 (3)上述(1)或(2)的開環(共)聚合物之氫化物 (4)藉由夫里德耳-夸夫特反應將上述(1)或(2)的開環(共)聚合物環化後，進行氫化的(共)聚合物 (5)環烯烴單體(monomer)與含不飽和雙鍵的化合物之飽和共聚物 (6)環烯烴單體(monomer)之與乙烯系環狀烴單體(monomer)的加成共聚物及其氫化物 (7)環烯烴單體(monomer)與(甲基)丙烯酸酯之交替共聚物

上述(1)~(7)之聚合物皆可用眾所周知之方法，例如日本特開2008-107534號公報或日本特開2005-227606號公報中記載之方法而獲得。

例如上述(2)之開環共聚合所用的觸媒或溶劑，例如可使用日本特開2008-107534號公報之段落0019~0024中記載者。 上述(3)及(6)之氫化物所用的觸媒，例如可使用日本特開2008-107534號公報之段落0025~0028中記載者。 上述(4)之夫里德耳-夸夫特反應所用的酸性化合物，例如可使用日本特開2008-107534號公報之段落0029中記載者。 上述(5)~(7)之加成聚合所用的觸媒，例如可使用日本特開2005-227606號公報之段落0058~0063中記載者。 上述(7)之交替共聚合反應，例如可使用日本特開2005-227606號公報之段落0071及0072中記載之方法進行。

其中，較佳為上述(1)~(3)及(5)的聚合物，更佳為上述(3)及(5)的聚合物。

亦即，於能提高所得之環烯烴聚合物的玻璃轉移溫度，且提高透光率之點上，環烯烴聚合物較佳為包含下述通式(b-1)所示的結構單元與下述通式(b-2)所示的結構單元之至少一者，更佳為僅包含通式(b-2)所示的結構單元，或包含通式(b-1)所示的結構單元與通式(b-2)所示的結構單元之兩者。

通式(b-1)所示的結構單元為源自前述通式(a-1)所示的環烯烴單體(monomer)之結構單元，通式(b-2)所示的結構單元為源自前述通式(a-2)所示的環烯烴單體(monomer)之結構單元。

通式(b-1)中，X表示-CH=CH-或-CH ₂CH ₂-。R ¹~R ⁴及p各自係與通式(a-1)的R ¹~R ⁴及p同義。

通式(b-2)中，X表示-CH=CH-或-CH ₂CH ₂-。R ⁵~R ⁶及p各自係與通式(a-2)的R ⁵~R ⁶及p同義。

本發明之環烯烴聚合物可為市售品。 於環烯烴聚合物的市售品之例中，包含JSR(股)製的阿通(Arton)G(例如G7810等)、阿通F、阿通R(例如R4500、R4900及R5000等)及阿通RX。

環烯烴聚合物的固有黏度[η]inh係於30℃之測定中，較佳為0.2~5cm ³/g之範圍內，更佳為0.3~3cm ³/g之範圍內，尤佳為0.4~1.5cm ³/g之範圍內。

環烯烴聚合物之數量平均分子量(Mn)較佳為8000~100000之範圍內，更佳為10000~80000之範圍內，尤佳為12000~50000之範圍內。

環烯烴聚合物之重量平均分子量(Mw)較佳為20000~300000之範圍內，更佳為30000~250000之範圍內，尤佳為40000~200000之範圍內。

環烯烴聚合物之數量平均分子量或重量平均分子量可藉由凝膠滲透層析術(GPC)，以聚苯乙烯換算進行測定。

(凝膠滲透層析術) 溶劑：二氯甲烷 管柱：Shodex K806、K805、K803G(昭和電工(股)製，連接3支使用) 管柱溫度：25℃ 試料濃度：0.1質量% 檢測器：RI Model 504(GL科學公司製) 泵：L6000(日立製作所(股)製) 流量：1.0ml/min 校正曲線：使用標準聚苯乙烯STK standard 聚苯乙烯(東曹(股)製)Mw=500~2800000之範圍內的13個樣品之校正曲線。13個樣品較佳為大致等間隔地使用。

若固有黏度[η]inh、數量平均分子量及重量平均分子量在上述範圍，則環烯烴聚合物的耐熱性、耐水性、耐化學性、機械特性及作為薄膜的成形加工性變良好。

環烯烴聚合物的玻璃轉移溫度(Tg)通常為110℃以上，較佳為110~350℃之範圍內，更佳為120~250℃之範圍內，尤佳為120~220℃之範圍內。

若玻璃轉移溫度(Tg)為110℃以上，則容易抑制高溫條件下的變形。 另一方面，若玻璃轉移溫度(Tg)為350℃以下，則成形加工變容易，亦容易抑制成形加工時的熱所致的聚合物(樹脂)劣化。

相對於薄膜，環烯烴聚合物之含量較佳為70質量%以上，更佳為80質量%以上。

(3.2)其他添加劑 本發明之光學薄膜係除了上述環烯烴聚合物之外，還可含有以下者作為其他添加劑。

(3.2.1)可塑劑 本發明之光學薄膜，例如以將加工性賦予至偏光板保護膜等為目的，較佳為包含至少1種的可塑劑。 可塑劑較佳為單獨或混合2種以上使用。

於可塑劑之中，包含選自由糖酯、聚酯及苯乙烯系化合物所成之群組的至少1種的可塑劑者，從可高度地兼顧透濕性之有效果的控制及與纖維素酯等基材聚合物(樹脂)的相溶性之觀點來看較宜。

該可塑劑之分子量為15000以下，進而10000以下者，從兼顧耐濕熱性的改善及與纖維素酯等基材聚合物(樹脂)的相溶性之觀點來看較宜。

該分子量10000以下的化合物為聚合物時，重量平均分子量(Mw)較佳為10000以下。 較佳的重量平均分子量(Mw)之範圍為100~10000之範圍內，更佳為400~8000之範圍內。

特別地，為了得到本發明的效果，相對於基材聚合物(樹脂)100質量份，較佳為以6~40質量份之範圍內含有該分子量1500以下的化合物，更佳為以10~20質量份之範圍內含有。 藉由以上述範圍內含有，可兼顧透濕性之有效果的控制及與基材聚合物(樹脂)的相溶性而較宜。

＜糖酯＞ 於本發明之光學薄膜中，以防止水解為目的，可含有糖酯化合物。 具體而言，作為糖酯化合物，可使用具有1個以上12個以下的吡喃糖結構或呋喃糖結構之至少1種，且其結構的OH基之全部或一部分經酯化的糖酯。

＜聚酯＞ 於本發明之光學薄膜中，亦可含有聚酯。

聚酯係沒有特別的限定，但例如可使用藉由二羧酸或此等的酯形成性衍生物與二醇之縮合反應可得之末端成為羥基的聚合物(聚酯多元醇)，或該聚酯多元醇的末端之羥基被單羧酸所封閉的聚合物(末端封閉聚酯)。 此處所言的酯形成性衍生物，就是二羧酸的酯化物、二羧醯氯、二羧酸的酐。

＜苯乙烯系化合物＞ 於本發明之光學薄膜中，除了上述糖酯、聚酯之外或代替其，以改善光學薄膜的耐水性為目的，亦可使用苯乙烯系化合物。

苯乙烯系化合物可為苯乙烯系單體的均聚物，也可為苯乙烯系單體與其以外的共聚合單體之共聚物。 苯乙烯系化合物中的源自苯乙烯系單體的構成單元之含有比例，為了分子結構具有一定以上的大體積度，較佳可為30~100莫耳%之範圍內，更佳可為50~100莫耳%之範圍內。

於苯乙烯系單體之例中，包含苯乙烯；α-甲基苯乙烯、β-甲基苯乙烯、p-甲基苯乙烯等的烷基取代苯乙烯類；4-氯苯乙烯、4-溴苯乙烯等之鹵素取代苯乙烯類；p-羥基苯乙烯、α-甲基-p-羥基苯乙烯、2-甲基-4-羥基苯乙烯、3,4-二羥基苯乙烯等之羥基苯乙烯類；乙烯基苯甲醇類；p-甲氧基苯乙烯、p-第三丁氧基苯乙烯、m-第三丁氧基苯乙烯等之烷氧基取代苯乙烯類；3-乙烯基苯甲酸、4-乙烯基苯甲酸等之乙烯基苯甲酸類；4-乙烯基苄基乙酸酯；4-乙醯氧基苯乙烯；2-丁基醯胺苯乙烯、4-甲基醯胺苯乙烯、p-磺醯胺苯乙烯等之醯胺苯乙烯類；3-胺基苯乙烯、4-胺基苯乙烯、2-異丙烯基苯胺、乙烯基苄基二甲基胺等之胺基苯乙烯類；3-硝基苯乙烯、4-硝基苯乙烯等之硝基苯乙烯類；3-氰基苯乙烯、4-氰基苯乙烯等之氰基苯乙烯類；乙烯基苯基乙腈；苯基苯乙烯等之芳基苯乙烯類、茚類等。 苯乙烯系單體可為一種類，也可組合二種類以上。

(3.2.2)任意成分 本發明之光學薄膜可包含抗氧化劑、著色劑、紫外線吸收劑、消光劑、丙烯酸粒子、氫鍵性溶劑及離子性界面活性劑等其他的任意成分。特別地，較佳為包含消光劑(微粒子)。 相對於基材聚合物(樹脂)100質量份，該等成分可以0.01~20質量份之範圍內添加。

＜抗氧化劑＞ 本發明之光學薄膜可使用通常已知者作為抗氧化劑。 特別地，可較宜使用內酯系、硫系、酚系、雙鍵系、受阻胺系、磷系的各化合物。

此等抗氧化劑等，相對於光學薄膜的主原料之聚合物(樹脂)，以0.05~20質量%之範圍內添加，較佳以0.1~1質量%之範圍內添加。 此等抗氧化劑等係與僅使用1種相比，藉由併用數種不同系的化合物可以得到相乘效果。 例如較佳為內酯系、磷系、酚系及雙鍵系化合物之併用。

＜著色劑＞ 本發明之光學薄膜係在不損害本發明的效果之範圍內，為了調整色調，較佳為包含著色劑。

著色劑意指染料或顏料，本發明中指具使液晶畫面的色調成為藍色調之效果或調整黃色指數、減低霧度者。

作為著色劑，可使用各種的染料、顏料，蒽醌染料、偶氮染料、酞菁顏料等為有效。

＜紫外線吸收劑＞ 本發明之光學薄膜由於亦可用於偏光板的視覺辨認側或背光側，故以賦予紫外線吸收功能為目的，可含有紫外線吸收劑。

作為紫外線吸收劑，並沒有特別的限定，例如可舉出苯并三唑系、2-羥基二苯甲酮系或水楊酸苯酯系等之紫外線吸收劑。 例如可例示2-(5-甲基-2-羥基苯基)苯并三唑、2-[2-羥基-3,5-雙(α,α-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、2-(3,5-二第三丁基-2-羥基苯基)苯并三唑等之三唑類、2-羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2-羥基-4-辛氧基二苯甲酮及2,2’-二羥基-4-甲氧基二苯甲酮等之二苯甲酮類。 上述紫外線吸收劑可單獨1種或組合2種以上使用。

紫外線吸收劑之使用量係取決於紫外線吸收劑之種類、使用條件等而不一樣，但一般而言，相對於基材聚合物(樹脂)，以0.05~10質量%之範圍內添加，較佳以0.1~5質量%之範圍內添加。

＜消光劑＞ 於本發明之光學薄膜中，在薄膜之製膜時，為了將凹凸賦予至薄膜表面，確保滑動性，達成安定的捲取形狀，較佳為含有消光劑。 又，對所製作之薄膜進行處理時，為了防止損傷或搬運性變差，該消光劑亦可發揮其功能。

作為消光劑，可舉出無機化合物的微粒子或聚合物(樹脂)的微粒子。 作為無機化合物的微粒子之例，可舉出二氧化矽、二氧化鈦、氧化鋁、氧化鋯、碳酸鈣、碳酸鈣、滑石、黏土、燒成高嶺土、燒成矽酸鈣、水合矽酸鈣、矽酸鋁、矽酸鎂及磷酸鈣等。微粒子包含矽者，係在濁度變低之點上較宜，特佳為二氧化矽。

微粒子的一次粒子之平均粒徑較佳為5~400nm之範圍內，更佳為10~300nm之範圍內。此等可主要作為粒徑0.05~0.3μm之範圍內的二次凝聚體含有，只要是平均粒徑80~400nm之範圍內的粒子則不凝聚，亦較佳作為一次粒子含有。 薄膜中的該等微粒子之含量較佳為0.01~1質量%之範圍內，特佳為0.05~0.5質量%之範圍內。 又，於共流延法的多層構成之情況，較佳為在表面含有該添加量的微粒子。

二氧化矽之微粒子例如可使用以Aerosil R972、R972V、R974、R812、200、200V、300、R202、OX50、TT600(以上日本AEROSIL 股份有限公司製)之商品名所市售。 氧化鋯之微粒子例如可使用以Aerosil R976及R811(以上日本AEROSIL 股份有限公司製)之商品名所市售。

作為聚合物(樹脂)的微粒子之例，可舉出聚矽氧聚合物(樹脂)、氟聚合物(樹脂)及丙烯酸聚合物(樹脂)。較佳為聚矽氧聚合物(樹脂)，特佳為具有三次元的網狀結構者，例如可使用以Tospearl 103、同105、同108、同120、同145、同3120及同240(以上東芝聚矽氧股份有限公司製)之商品名所市售。 於此等之中，特佳為Aerosil 200V、Aerosil R972V、Aerosil R812，因為一邊保持低的基材薄膜之霧度，一邊降低摩擦係數的效果大。

(3.3)光學薄膜之製造方法 本發明之光學薄膜之特徵為藉由溶液流延製膜法製造。 具體而言，本發明之光學薄膜的製造方法較佳為藉由以下步驟進行製造：(a)調製含有前述具有極性基的環烯烴聚合物之膠漿(dope)的步驟(膠漿調製步驟)，(b)將前述膠漿在支撐體上流延而形成網片(亦稱為流延膜)的步驟(流延步驟)，(c)於支撐體上使溶劑從網片(web)蒸發的步驟(溶劑蒸發步驟)，(d)從支撐體剝離網片的步驟(剝離步驟)，(e)使所得之薄膜(以下亦稱為「原材薄膜」)乾燥的步驟(第1乾燥步驟)，(f)將薄膜延伸的步驟(延伸步驟)，(g)使延伸後的薄膜進一步乾燥的步驟(第2乾燥步驟)，(h)捲取所得之光學薄膜的步驟(捲取步驟)。

特別地，於(f)延伸步驟中，以延伸倍率以面積倍率表示為1.2~3.5倍之範圍內施予延伸處理者，於可使所得之光學薄膜的前述繞射峰之半值寬及殘留溶劑量成為本發明之範圍內，能謀求表面為低配向且兼備適度的透濕性之點上較宜。 本發明中所言的延伸倍率，就是指相對於延伸前的原材薄膜之面積，延伸後的薄膜之面積的比率(%)。亦即，原材薄膜之縱(長度)方向及橫(寬度)方向的延伸所造成的合計延伸率係以面積倍率表示為1.2~3.5倍之範圍內進行延伸處理。 又，於(f)延伸步驟中，將延伸開始時的原材薄膜之殘留溶劑量設為700~30000質量ppm之範圍內者，亦在能使所得之光學薄膜的前述繞射峰之半值寬及殘留溶劑量成為本發明之範圍內之點上較宜。

對於以上之步驟，參照圖式進行說明。 圖4係示意地顯示本發明中較佳的溶液流延製膜法之膠漿調製步驟、流延步驟、乾燥步驟及捲取步驟的一例之圖。 經由分散機使溶劑與消光劑分散的微粒子分散液，係從進料釜61通過過濾器64而儲存在儲存釜62內。另一方面，作為主膠漿的環烯烴聚合物係與溶劑一起在溶解釜1中溶解，適宜添加在儲存釜62中所保管的消光劑並混合，而形成主膠漿。所得之主膠漿係從過濾器3、儲存釜4起藉由過濾器6過濾，藉由合流管20添加添加劑，在混合機21中混合而送液到加壓模頭22。

另一方面，添加劑(例如紫外線吸收劑等)係溶解於溶劑中，從添加劑進料釜10起通過過濾器12而儲存於儲存釜13內。然後，通過過濾器15經由導管16，藉由合流管20、混合機21而與主膠漿混合。

送液至加壓模頭22的主膠漿，係在金屬帶狀的支撐體31上流延而形成網片32，於指定的乾燥後剝離位置33剝離而得到原材薄膜。經剝離的網片32係一邊在第1乾燥裝置34中通過多數的搬運輥，一邊乾燥到成為指定的殘留溶劑量後，藉由延伸裝置35在長度方向或寬度方向中延伸到指定的延伸倍率，同時加熱到指定的殘留溶劑量。延伸後，欲藉由第2乾燥裝置36變成指定的殘留溶劑量，邊通過搬運輥37邊乾燥，藉由捲取裝置38捲取成捲筒狀。 以下，說明各步驟。

(a)膠漿調製步驟 於以對於前述環烯烴聚合物而言良溶劑為主的有機溶劑中，在溶解釜中一邊攪拌該環烯烴聚合物、視需要的相位差上升劑、消光劑(微粒子)或其他化合物，一邊溶解而調製膠漿之步驟，或於該環烯烴聚合物溶液中，混合相位差上升劑、消光劑或其他化合物溶液，調製作為主溶解液的膠漿之步驟。

以溶液流延製膜法製造本發明之光學薄膜時，適用於形成膠漿的有機溶劑只要是同時溶解環烯烴聚合物及其他化合物者，則可無限制地使用。

作為所用的有機溶劑，例如可舉出氯仿、二氯甲烷等之氯系溶劑；甲苯、二甲苯、苯、及此等的混合溶劑等之芳香族系溶劑；甲醇、乙醇、異丙醇、正丁醇、2-丁醇等之醇系溶劑；甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丁基溶纖劑、二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、二㗁烷、環己酮、四氫呋喃、丙酮、甲基乙基酮(MEK)、乙酸乙酯、二乙基醚等。此等溶劑可僅使用1種，也可併用2種以上。

本發明所用的有機溶劑較佳為良溶劑與弱溶劑之混合溶劑，該良溶劑例如在作為氯系有機溶劑，可舉出二氯甲烷，在作為非氯系有機溶劑，可舉出乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸戊酯、丙酮、甲基乙基酮、四氫呋喃、1,3-二氧戊環、1,4-二㗁烷、環己酮、甲酸乙酯、2,2,2-三氟乙醇、2,2,3,3-六氟-1-丙醇、1,3-二氟-2-丙醇、1,1,1,3,3,3-六氟-2-甲基-2-丙醇、1,1,1,3,3,3-六氟-2-丙醇、2,2,3,3,3-五氟-1-丙醇、硝基乙烷、甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、第二丁醇、第三丁醇等，其中較佳為二氯甲烷。該良溶劑較佳為相對於溶劑全體量，使用55質量%以上，更佳為使用70質量%以上，尤佳為使用80質量%以上。

弱溶劑較佳為醇系溶劑，該醇系溶劑選自甲醇、乙醇及丁醇者，從改善剝離性，使高速度流延成為可能之觀點來看較宜。其中，較佳為使用甲醇或乙醇。若膠漿中的醇之比率變高，則網片會凝膠化，容易從金屬支撐體剝離，另外若醇之比例少，則亦具有促進非氯系有機溶劑系中的環烯烴聚合物及其他化合物之溶解的作用。於本發明之光學薄膜的製膜中，從提高所得之光學薄膜的平面性之點來看，較佳為使用醇濃度在0.5~15.0質量%之範圍內的膠漿進行製膜。

於環烯烴聚合物、其他化合物之溶解中，可使用常壓下進行之方法、在主溶劑的沸點以下進行之方法、在主溶劑的沸點以上加壓而進行之方法、以如日本特開平9-95544號公報、日本特開平9-95557號公報或日本特開平9-95538號公報中記載的冷卻溶解法進行之方法、以日本特開平11-21379號公報中記載之在高壓下進行之方法等各種的溶解方法，但特佳為在主溶劑的沸點以上加壓而進行之方法。

膠漿中的環烯烴聚合物之濃度較佳為10~40質量%之範圍。於溶解中或後的膠漿中添加化合物，進行溶解及分散後，以濾材過濾，脫泡後以送液泵送到下一步驟。 關於膠漿之過濾，較佳為以具備葉盤型過濾器的主過濾器3，以例如90%捕集粒徑在微粒子之平均粒徑的10~100倍的濾材，過濾膠漿較佳。

於本發明中，過濾所使用的濾材係絕對過濾精度小者較佳，但若絕對過濾精度過小，則容易發生過濾材的堵塞，必須頻繁地進行濾材的交換，有降低生產性之問題點。 因此，於本發明中，使用於環烯烴聚合物膠漿之濾材，較佳為絕對過濾精度0.008mm以下者，更佳為0.001~0.008mm之範圍，尤佳為0.003~0.006mm之範圍的濾材。

濾材之材質係沒有特別的限制，可使用通常的濾材，聚丙烯、鐵氟龍(註冊商標)等之塑膠纖維製濾材或不銹鋼纖維等的金屬製濾材係纖維不脫落等而較宜。

於本發明中，過濾時的膠漿之流量較佳為10~80kg/(h･m ²)，更佳為20~60kg/(h･m ²)。此處，若過濾時的膠漿之流量為10kg/(h･m ²)以上，則成為有效率的生產性，若過濾時的膠漿之流量為80kg/(h･m ²)以內，則施加於濾材的壓力為適當，不使濾材破損而較宜。

濾壓較佳為3500kPa以下，更佳為3000kPa以下，尤佳為2500kPa以下。再者，濾壓係可藉由適宜選擇過濾流量與過濾面積而控制。 於多數的情況，在主膠漿中會含有10~50質量%左右的退料(return material)。

所謂退料，例如就是將環烯烴聚合物(樹脂)薄膜細地粉碎之物，在將環烯烴聚合物(樹脂)薄膜製膜時所發生的切掉薄膜的兩側部分後之物，或因擦傷等超過薄膜的規定值之環烯烴聚合物(樹脂)薄膜原材。

又，作為膠漿調製所用的聚合物(樹脂)之原料，可較宜使用環烯烴聚合物及其他化合物等預先經顆粒化者。

(b)流延步驟 (b-1)膠漿之流延 使膠漿通過送液泵(例如，加壓型定量齒輪泵)而送液到加壓模頭22，在無限地移送之環狀金屬支撐體31例如不銹鋼帶或旋轉的金屬滾筒等之金屬支撐體上的流延位置，從加壓模頭狹縫來流延膠漿之步驟。

流延(澆鑄)步驟中的金屬支撐體較佳為表面經鏡面加工者，作為金屬支撐體，較宜使用不銹鋼帶或鑄件且表面經鍍敷加工的滾筒。澆鑄的寬度可設為1~4m之範圍，較佳為1.3~3m之範圍，更佳為1.5~2.8m之範圍。

流延步驟的金屬支撐體之表面溫度為-50℃~溶劑未沸騰發泡的溫度以下，更佳為設定在-30~100℃之範圍。溫度愈高則網片(在流延用支撐體上流延膠漿，將所形成的膠漿膜稱為網片)之乾燥速度可愈快而較宜，但若太高則有網片發泡或平面性變差之情況。 較佳的支撐體溫度係在0~100℃適宜決定，更佳為5~30℃之範圍內。或者，藉由冷卻而使網片凝膠化，以多含殘留溶劑的狀態自滾筒剝離者亦為較佳的方法。

控制金屬支撐體的溫度之方法係沒有特別的限制，但有噴吹溫風或冷風之方法或使溫水接觸金屬支撐體的背側之方法。使用溫水者由於有效率地進行熱的傳達，故到金屬支撐體之溫度成為固定的時間短而較宜。 使用溫風時，考慮因溶劑的蒸發潛熱所造成的網片之溫度降低，有一邊使用溶劑的沸點以上溫風，一邊亦防止發泡，同時使用比目的溫度更高溫度的風之情況。特別地，較佳為於從流延起到剝離為止之間，變更支撐體之溫度及乾燥風之溫度，有效率地進行乾燥。

模頭較佳為能調整模頭的金屬口部分之狹縫形狀，且使膜厚容易成為均勻之加壓模頭。於加壓模頭中有衣架型模頭或T字模等，皆可較佳地使用。金屬支撐體之表面係成為鏡面。為了提高製膜速度，可在金屬支撐體上設置2座以上的加壓模頭，將膠漿量分割而積層。

(b-2)溶劑蒸發步驟 於流延用支撐體上加熱網片，使溶劑蒸發之步驟，控制後述剝離時的殘留溶劑量之步驟。

為了使溶劑蒸發，有從網片側來吹風之方法或從支撐體的背面藉由液體傳熱之方法、藉由輻射熱從表裏來傳熱之方法等，但背面液體傳熱方法係乾燥效率良好而較宜。又，亦較宜使用組合彼等之方法。較佳為使流延後的支撐體上之網片在30~100℃之環境下，於支撐體上乾燥。為了維持在30~100℃之環境下，較佳為將此溫度的溫風打到網片上面或藉由紅外線等之手段加熱。

從面品質、透濕性、剝離性之觀點來看，較佳為於30~180秒以內，從支撐體剝離該網片。

(b-3)剝離步驟 將在金屬支撐體上溶劑已蒸發的網片，於剝離位置進行剝離之步驟。經剝離的網片係作為原材薄膜送到下一步驟。 金屬支撐體上的剝離位置之溫度較佳為10~40℃之範圍，更佳為11~30℃之範圍。

本發明中，在前述溶劑蒸發步驟中蒸發網片中的溶劑，但剝離時間點之金屬支撐體上的網片之殘留溶劑量，較佳設為15~100質量%之範圍內。殘留溶劑量之控制較佳為以前述溶劑蒸發步驟中的乾燥溫度及乾燥時間進行。 若以殘留溶劑量多的狀態進行剝離，則網片過度柔軟，容易損害剝離時平面性，容易發生因剝離張力所造的皺紋或縱條紋，故考慮此等之點，決定剝離時的殘留溶劑量。

網片或原材薄膜的殘留溶劑量係以下述式(Z2)定義。 式(Z2)：殘留溶劑量(%)=(網片或原材薄膜的加熱處理前質量-網片或原材薄膜的加熱處理後質量)/(網片或原材薄膜的加熱處理後質量)×100 尚且，所謂測定殘留溶劑量時的加熱處理，就是表示在115℃下進行1小時的加熱處理。

從金屬支撐體剝離網片而成為原材薄膜時的剝離張力，通常為196~245N/m之範圍內，但於剝離時容易導入皺紋時，較佳為以190N/m以下之張力進行剝離。

本發明中，較佳為將該金屬支撐體上的剝離位置之溫度設為-50~40℃之範圍內，更佳為10~40℃之範圍內，最佳為15~30℃之範圍內。

(c)乾燥及延伸步驟 乾燥步驟亦可分成預備乾燥步驟(第1乾燥步驟)、正式乾燥步驟(第2乾燥步驟)而進行。

(c-1)預備乾燥步驟(第1乾燥步驟) 從金屬支撐體剝離網片而得之原材薄膜係在第1乾燥裝置34中被預備乾燥。原材薄膜的預備乾燥可藉由配置於上下的多數輥，邊搬運原材薄膜邊乾燥，也可如拉幅乾燥機之方式，以夾子固定原材薄膜之兩端部，邊搬運邊乾燥。

乾燥之手段係沒有特別的限制，一般可以熱風、紅外線、加熱輥、微波等進行，但於簡便性之點上，較佳為以熱風進行。

網片之預備乾燥步驟的乾燥溫度，當將原材薄膜的玻璃轉移溫度當作Tg時，較佳為(Tg-5)℃以下，以(Tg+30)℃以上之溫度進行1~30分鐘之範圍內的熱處理者係有效果的。具體而言，在乾燥溫度為40~150℃之範圍內，更佳為80~100℃之範圍內進行乾燥。

本發明中，較佳為以該乾燥步驟來調整後述的原材薄膜中之延伸時的殘留溶劑量，但該殘留溶劑量亦可在延伸步驟之初期進行。前述殘留溶劑量之控制較佳為以前述預備乾燥步驟中的乾燥溫度及乾燥時間進行。

(c-2)延伸步驟 預備乾燥步驟後的原材薄膜係在延伸裝置35中，在後述特定的殘留溶劑量下以特定的延伸倍率且在特定的加熱溫度下進行延伸處理。

(殘留溶劑量) 具體而言，於將原材薄膜延伸之步驟中，延伸開始時之原材薄膜中的殘留溶劑量較佳為700~30000質量ppm之範圍內，更佳為2000~20000質量ppm之範圍內。由於設為如此的殘留溶劑量，可使對於延伸後的本發明之光學薄膜之表面，以0.1度的角度照射X射線時的繞射峰之半值寬成為前述特定範圍內，且控制光學薄膜的殘留溶劑量，可得到表面為低配向且具備適度的透濕性之接著性優異的光學薄膜。 尚且，於複數次進行延伸時，較佳為即使其中之至少一次，也原材薄膜中的殘留溶劑量在前述範圍內。 此處，延伸開始時之前述原材薄膜中的殘留溶劑量係以下述式(Z3)定義。 式(Z3)：殘留溶劑量(ppm)=(原材薄膜的加熱處理前質量－原材薄膜的加熱處理後質量)/(原材薄膜的加熱處理後質量)×10 ⁶尚且，所謂測定殘留溶劑量時的加熱處理，就是表示在115℃下進行1小時的加熱處理。

本發明之原材薄膜較佳為在長度方向(亦稱為MD方向、流延方向)及/或寬度方向(亦稱TD方向)中進行延伸，較佳為至少藉由延伸裝置，在寬度方向中延伸而製造。

延伸操作亦可分割成多階段而實施。又，進行雙軸延伸時，可同時進行雙軸延伸，也可階段地實施。此時，所謂階段的，例如亦可依順序進行延伸方向不同的延伸，也可將相同方向的延伸分割成多階段，且將不同方向的延伸在其任一階段中施加。

即，例如亦可為如以下的延伸步驟： ･長度方向中延伸→寬度方向中延伸→長度方向中延伸→長度方向中延伸 ･寬度方向中延伸→寬度方向中延伸→長度方向中延伸→長度方向中延伸 又，於同時雙軸延伸中，亦包含在一方向中延伸，在另一方向將張力緩和而使其收縮之情況。

(延伸溫度) 又，以延伸後的膜厚成為所欲範圍之方式，在長度方向及/或寬度方向中，較佳為在寬度方向中，於原材薄膜的玻璃轉移溫度為Tg時，在(Tg-30)~(Tg+50)℃之溫度範圍中進行延伸為佳。藉由在上述溫度範圍中延伸，可將所得之本發明之光學薄膜的前述繞射峰之半值寬或前述殘留溶劑量控制在前述範圍，得到表面為低配向且接著性優異的光學薄膜。又，相位差之調整容易進行，且可降低延伸應力而霧度變低。又，抑制斷裂的發生，得到平面性、薄膜本身的著色性優異之光學薄膜。較佳在延伸溫度為(Tg-40)~(Tg+40)℃之範圍內進行。在延伸溫度為100~200℃之範圍內進行乾燥。

再者，此處所言的玻璃轉移溫度Tg，就是使用市售的示差掃描熱量測定器，以升溫速度20℃/分鐘進行測定，依照JIS K7121(1987)求得的中間點玻璃轉移溫度(Tmg)。具體的光學薄膜之玻璃轉移溫度Tg之測定方法，係依照JIS K7121(1987)，使用SEIKO儀器(股)製的示差掃描熱量計DSC220來測定。

(延伸倍率) 本發明中，對於原材薄膜，以面積倍率表示為1.2~3.5倍之範圍內的延伸倍率施予延伸處理者，係在可使所得之光學薄膜的前述繞射峰之半值寬及殘留溶劑量成為本發明之範圍內，可謀求表面為低配向且兼備適度的透濕性之點上較宜。 具體而言，原材薄膜只要在寬度方向或長度方向之任一方向中延伸即可，更佳為在寬度方向及長度方向之兩方向中延伸，只要在以面積倍率表示為1.2~3.5倍之範圍內進行延伸即可。

在長度方向中延伸之方法係沒有特別的限定。例如，可舉出對於複數的輥給予圓周速度差，於其間利用輥圓周速度差而在縱向中延伸之方法，以夾子或針固定網片之兩端，在行進方向中擴大夾子或針之間隔而在縱向中延伸之方法，或縱橫同時地擴大而在縱橫兩方向中延伸之方法等。當然此等之方法亦可組合使用。

在寬度方向中延伸者，例如使用如日本特開昭62-46625號公報中所示之乾燥全步驟或一部分的步驟，一邊在寬度方向中以夾子或針將網片的寬度兩端保持寬度，一邊使其乾燥之方法(亦稱為拉幅方式)，其中較宜使用：使用夾子的拉幅方式、使用針的針拉幅方式。 往寬度方向進行延伸時，在薄膜寬度方向中以250~500%/min之延伸速度進行延伸者，從提高薄膜的平面性之觀點來看較宜。

若延伸速度為250%/min以上，則由於平面性提升，且能以高速處理薄膜，故於生產適應性之觀點上較宜，若為500%/min以內，則薄膜可在不斷裂下進行處理而較宜。

較佳的延伸速度為300~400%/min之範圍內，於低倍率的延伸時有效。延伸速度係藉由以下述式1所定義。 式1 延伸速度(%/min)=[(d1/d2)-1]×100(%)/t (式1中，d1為延伸後的本發明之光學薄膜的前述延伸方向的寬度尺寸，d2為延伸前的原材薄膜之前述延伸方向的寬度尺寸，t為延伸所需要的時間(min))。

本發明之光學薄膜係如前述，藉由延伸而具有所欲的相位差值。面內相位差值Ro及厚度方向的相位差值Rt可使用自動雙折射率計阿庫索司更(Axo Scan Mueller Matrix Polarimeter：AXO METRIX公司製)，在23℃･55%RH之環境下，於590nm的波長，進行三次元折射率測定，從所得之折射率nx、ny、nz來算出。

本發明之光學薄膜係下述式(i)及(ii)所示的光學薄膜之面內方向的相位差值Ro為40~60nm之範圍內，膜厚方向的相位差值Rt為110~140nm之範圍內者，在VA型液晶顯示裝置具備時，從提高視野角或對比等之視覺辨認性的觀點來看較宜。光學薄膜係藉由至少在前述寬度方向中邊調整延伸率邊延伸，而可調整至上述相位差值之範圍內。

式(i)：Ro=(n _x-n _y)×d(nm) 式(ii)：Rt={(n _x+n _y)/2-n _z}×d(nm) [式(i)及式(ii)中，n _x表示薄膜之面內方向中折射率成為最大的方向x之折射率。n _y表示薄膜之面內方向中，與前述方向x正交的方向y之折射率。n _z表示薄膜的厚度方向z之折射率。d表示薄膜的厚度(nm)]。

於延伸步驟中，通常在延伸後，進行保持･緩和。即，本步驟較佳為依順序進行：將原材薄膜延伸之延伸階段、將原材薄膜以延伸狀態保持之保持階段及在將原材薄膜延伸的方向中緩和之緩和階段。於保持階段中，將在延伸階段所達成的延伸率之延伸以延伸階段的延伸溫度保持。於緩和階段中，在保持階段中保持延伸階段中的延伸後，藉由解除延伸用的張力，而緩和延伸。緩和階段只要在延伸階段的延伸溫度以下進行即可。

(c-3)正式乾燥步驟 於正式乾燥步驟中，藉由第2乾燥裝置36加熱延伸後的薄膜而使其乾燥。藉由此正式乾燥步驟，亦可將本發明之光學薄膜的前述繞射峰之半值寬及前述殘留溶劑量控制在前述範圍。 藉由熱風等加熱薄膜時，亦較宜使用一種手段，其設置能將使用過的熱風(含有溶劑的空氣或加濕空氣)予以排氣之噴嘴，防止使用過的熱風混入。 熱風溫度係較佳將原材薄膜的玻璃轉移溫度當作Tg時，較佳為(Tg-20)~(Tg+50)℃之範圍內，具體而言，較佳為40~250℃之範圍內。又，乾燥時間較佳為5秒~60分鐘左右，更佳為10秒~30分鐘。

又，加熱乾燥手段係不限於熱風，例如可使用紅外線、加熱輥、微波、閃光燈退火等。從簡便性之觀點來看，較佳為一邊以配置成交錯狀的搬運輥37來搬運薄膜，一邊以熱風等進行乾燥。乾燥溫度係考慮殘留溶劑量、搬運中的伸縮率等，更佳為40~350℃之範圍。 另外，使用閃光燈退火時，較佳為以200~1000V、100~5000μsec之範圍內進行照射。 於乾燥步驟中，較佳為將薄膜乾燥直到殘留溶劑量成為100質量ppm以下為止。

(d)捲取步驟 (d-1)滾花加工 於指定的熱處理或冷卻處理之後，在捲取前設置縱切機來切掉端部者，由於得到良好的捲繞姿態而較宜。再者，較佳為對於寬度兩端部進行滾花加工。

滾花加工係可藉由將經加熱的壓花輥推壓至薄膜寬度端部而形成。於壓花輥上形成有細的凹凸，藉由推壓此而在薄膜上形成凹凸，可使端部增大體積。

本發明之光學薄膜的寬度兩端部之滾花的高度較佳為4~20μm，寬度較佳為5~20mm。 又，於本發明中，上述滾花加工較佳設於薄膜的製膜步驟中乾燥結束後、捲取之前。

(d-2)捲取步驟 於光學薄膜中的殘留溶劑量成為500質量ppm以下後，作為光學薄膜捲取之步驟，藉由使殘留溶劑量較佳成為100質量ppm以下，可得到尺寸安定性良好的薄膜。

捲取方法只要是一般使用者即可，有固定力矩法、固定張力法、錐度張力法、內部應力一定的規劃張力控制法等，可靈活運用彼等。

依據本發明之光學薄膜的製造方法，以延伸步驟中的延伸倍率以面積倍率表示為1.2~3.0倍之範圍內進行延伸，且使延伸開始時的殘留溶劑量成為700~30000質量ppm之範圍內，而可使對於本發明之光學薄膜之表面以0.1度的角度照射X射線時的繞射峰之半值寬成為4.6~5.4度之範圍內，且可將光學薄膜的殘留溶劑量控制在前述範圍內。結果，光學薄膜之表面成為低配向，可確保適度的透濕性，接著性優異。

(3.4)光學薄膜之物性 (透濕度) 本發明之光學薄膜的透濕度(40℃、95%RH)為1~500g/(m ²･24h)之範圍內，較佳為10~200g/(m ²･24h)之範圍內。 為了使透濕度成為前述範圍內，並沒有特別的限定，但較佳為適宜選擇構成光學薄膜的聚合物(樹脂)之種類與膜厚而使用。 本發明中，透濕度係基於JIS Z 0208記載的氯化鈣-杯法，將測定對象的薄膜在溫度40℃、95%RH之條件下放置24小時，進行測定。

(光學薄膜長、寬度、厚度) 本發明之光學薄膜較佳為長條狀，具體而言，較佳為100~15000m左右之長度，被捲取成捲筒狀。 又，本發明之光學薄膜的寬度較佳為1m以上，更佳為1.3m以上，特佳為1.3~4m。

延伸後的薄膜之厚度(膜厚)，從顯示裝置的薄型化、生產性之觀點來看，較佳為10~50μm之範圍內。若厚度為10μm以上，則可展現一定以上的薄膜強度或相位差。若厚度為50μm以下，則具備所欲的相位差，且可適用於偏光板及顯示裝置之薄型化。較佳為20~40μm之範圍內。

4.偏光鏡層 本發明中，所謂「偏光鏡層」，就是指使無偏光的光入射時，具有使持有與吸收軸正交的振動面之直線偏光透過的性質之光學層。亦即，指僅使一定方向的極化波面之光通過的光學層。 目前已知代表性的構成偏光鏡層的偏光薄膜(亦稱為「偏光鏡薄膜」及「偏光鏡膜」)為聚乙烯醇系偏光薄膜。於聚乙烯醇系偏光薄膜中，有使碘染色於聚乙烯醇系薄膜者與使二色性染料染色於其者。

聚乙烯醇系偏光薄膜可為在聚乙烯醇系薄膜進行單軸延伸後，以碘或二色性染料染色後的薄膜(較佳為進一步以硼化合物施予耐久性處理的薄膜)；也可為以碘或二色性染料將聚乙烯醇系薄膜行染色後，進行單軸延伸之薄膜(較佳為進一步以硼化合物施予耐久性處理之薄膜)。偏光薄膜(偏光鏡層)的吸收軸通常與最大延伸方向呈平行。

例如，可使用日本特開2003-248123號公報、日本特開2003-342322號公報等中記載的乙烯單元之含量1~4莫耳%、聚合度2000~4000、皂化度99.0~99.99莫耳%的乙烯改質聚乙烯醇。其中，較宜使用熱水切斷溫度為66~73℃的乙烯改質聚乙烯醇薄膜。

偏光鏡層之厚度較佳為5~30μm之範圍內，為了將偏光板薄型化等，更佳為5~20μm之範圍內。

使用本發明之光學薄膜作為λ/4薄膜時，本發明之光學薄膜的面內慢軸與偏光鏡層之吸收軸所成的角度較佳為20~70度之範圍內，更佳為30~60度，尤佳為40~50度之範圍內。使用本發明之光學薄膜作為VA用的相位差薄膜時，本發明之光學薄膜的面內慢軸與偏光鏡層的吸收軸可略正交。

又，於偏光鏡層與光學薄膜之間的接著，如前述地使用含有滿足本發明的前述式(1)之關係的特定聚合性單體之硬化物的接著層。亦即，藉由將含有前述特定聚合性單體的聚合性組成物進行硬化而接著。

5.黏著片 黏著片具有由黏著劑組成物所形成的黏著劑層。 作為黏著片，例如可舉出：僅具有黏著劑層的雙面黏著片；具有基材與形成在基材之兩面的黏著劑層，至少一個黏著劑層由黏著劑組成物所形成的黏著劑層之雙面黏著片；具有基材與形成在基材之一面的上述黏著劑層之單面黏著片；及在彼等黏著片之黏著劑層中的不與基材接觸之面，貼附有隔板之黏著片。

作為前述黏著劑組成物，例如較佳為由丙烯酸系黏著劑主劑、交聯劑與抗氧化劑等所構成。 作為前述丙烯酸系黏著劑主劑，例如可舉出丙烯酸4-羥基丁酯單元(4-HBA)、丙烯酸丁酯單元、丙烯酸甲酯單元等。 作為前述交聯劑，可舉出甲苯二異氰酸酯系化合物、苯二甲基二異氰酸酯等。 作為前述抗氧化劑，可舉出季戊四醇-四(3-(3,5-二第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯)(BASF日本公司製，IRGANOX1010)等之受阻酚系抗氧化劑、參(2,4-二第三丁基苯基)亞磷酸酯(BASF日本公司製，IRGAFOS168)等之磷系抗氧化劑。

黏著劑組成物中的丙烯酸系黏著劑主劑較佳為以10~90質量%之範圍內含有，交聯劑較佳為以0.01~5.00質量%之範圍內含有，抗氧化劑較佳為以0.01~5.00質量%之範圍內含有。

(含水率) 前述黏著片係為了抑制高濕衝擊之發生，含水量宜少，另一方面，若含水量少則發生接著不良，因此黏著片較佳為含水不少。因此，黏著片的含水率較佳為3.0~10.0%之範圍內，特佳為3.5~5.5%之範圍內。

黏著片之含水率係藉由在厚度50μm的聚酯薄膜上形成黏著劑層，裁切成60mm×130mm後，將該黏著片貼附於經裁切成70mm×150mm的厚度1mm之聚碳酸酯，在40℃、95%RH環境下靜置48小時，測定黏著劑的質量增加而求出。

為了使前述黏著片之含水率成為3.0~10.0%之範圍內，例如可舉出使前述黏著劑組成物中的丙烯酸4-羥基丁酯單元(4-HBA)之含量成為4.0~25質量%之範圍內。

6.偏光板保護膜 於偏光鏡層之與光學薄膜相反側之面，配置偏光板保護膜。 於偏光板保護膜之例中，可使用纖維素醯化物薄膜、聚酯薄膜(例如，聚對苯二甲酸乙二酯薄膜等)、環烯烴系聚合物(樹脂)薄膜、丙烯酸系聚合物(樹脂)薄膜等。作為前述環烯烴系聚合物(樹脂)薄膜，可採用前述本發明之光學薄膜。

作為纖維素醯化物薄膜之市售品，例如可舉出Konica Minolta Advanced Layer股份有限公司製的Konica Minolta TAC KC8UX、KC5UX、KC4UX、KC8UCR3、KC4SR、KC4BR、KC4CR、KC4DR、KC4FR、KC4KR、KC8UY、KC6UY、KC4UY、KC4UE、KC8UE、KC8UY-HA、KC2UA、KC4UA、KC6UA、KC2UAH、KC4UAH、KC6UAH等。

偏光板保護膜之厚度係沒有特別的限定，但較佳為1~100μm之範圍內，更佳為3~40μm之範圍內。

偏光板保護膜與偏光鏡層係藉由保護膜用接著層進行接著。保護膜用接著層亦可藉由眾所周知的接著劑而形成，可採用含有滿足前述本發明的前述式(1)之關係的特定聚合性單體之硬化物的接著層。 作為眾所周知的接著劑，例如可舉出異氰酸酯系接著劑、聚乙烯醇系接著劑、明膠系接著劑、乙烯系乳膠系、水系聚酯等。此等接著劑通常作為由水溶液所成的接著劑(水系接著劑)使用，水溶液中的接著劑之固體成分濃度較佳為0.5~60質量%之範圍內。於此等之中，較佳為聚乙烯醇系接著劑，更佳為含有乙醯乙醯基的聚乙烯醇系接著劑。

水系接著劑可含有交聯劑。作為交聯劑，通常使用在1分子中具有至少2個與構成接著劑的聚合物等之成分有反應性的官能基之化合物，例如，可舉出烷二胺類；異氰酸酯類；環氧類；醛類；羥甲基脲、羥甲基三聚氰胺等之胺基-甲醛等。接著劑中的交聯劑之含量，相對於構成接著劑的聚合物等之成分，較佳為10~60質量%之範圍內。

[偏光板之製造方法] 本發明之偏光板可經過透過接著層貼合光學薄膜與偏光鏡層之步驟而獲得。 具體而言，可經過以下步驟而得：(i)於光學薄膜之貼合偏光鏡層之面，進行前處理之步驟(前處理步驟)，(ii)進行前處理後，塗佈形成接著層的聚合性組成物(紫外線硬化型接著劑)，貼合光學薄膜與偏光鏡層之步驟(貼合步驟)，及(iii)對於貼合而得的積層物，照射紫外線而使前述聚合性組成物硬化之步驟(硬化步驟)。

(i)前處理步驟 於光學薄膜之貼合偏光鏡層之面，較佳為進行前處理。具體而言，可舉出電暈處理或電漿處理。

(ii)貼合步驟 作為形成接著層的聚合性組成物(紫外線硬化型接著劑)，以指定的組成混合前述聚合性單體及聚合起始劑等，將所得之聚合性組成物塗佈於光學薄膜的前處理後之面。 作為塗佈方法，並沒有特別的限制，例如可舉出刮刀、線棒、模塗機、缺角輪塗佈機、凹版塗佈機等。 然後，透過前述聚合性組成物，貼合偏光鏡層與光學薄膜。其後，較佳為以加壓輥等夾住經貼合的積層物之兩面進行加壓。加壓輥之材質可使用金屬或橡膠。

(iii)硬化步驟 接著，對於透過前述聚合性組成物所貼合的積層物，照射紫外線，使前述聚合性組成物硬化。藉此，透過前述聚合性組成物接著偏光鏡層與光學薄膜。

紫外線之照射條件只要是前述聚合性組成物硬化之條件即可，例如累計光量較佳為50~1500mJ/cm ²之範圍內，更佳為100~500mJ/cm ²之範圍內。

偏光板之製造時的線速度雖然取決於聚合性組成物的硬化時間，但例如較佳為1~500m/min之範圍內，更佳為5~300m/min之範圍內。若線速度為1m/min以上，則容易提高生產性，對光學薄膜的傷害亦可更少。又，若線速度為500m/min以下，則聚合性組成物之硬化變充分，容易得到良好的接著性。

如此地，於硬化步驟中，藉由紫外線照射或硬化促進用的加熱等，會成為高溫環境。

尚且，於硬化步驟後，在前述偏光鏡層之與前述接著層相反側之面，透過前述保護膜用接著層貼附前述偏光板保護膜。 前述保護膜用接著層為含有滿足前述本發明的式(1)之關係的特定聚合性單體的硬化物之接著層時，於前述(ii)貼合步驟中，在光學薄膜及偏光板保護膜的偏光鏡層側之面，塗佈前述聚合性組成物，此等係使光學薄膜、偏光鏡層及偏光板保護膜貼合而形成積層物。然後，於前述(iii)硬化步驟中，偏光鏡層之一側的紫外線照射所致的聚合性組成物之硬化，與偏光鏡層之另一側的紫外線照射所致的聚合性組成物之硬化，係可逐次地進行，也可同時地行。於提高偏光板之製造效率之觀點上，較佳為同時地進行。

[液晶顯示裝置] 本發明之液晶顯示裝置之特徵為具備前述至少備有光學薄膜、接著層及偏光鏡層之偏光板。具體而言，本發明之液晶顯示裝置係在液晶胞上，將前述偏光板至少貼合於單側之面而成之液晶顯示裝置，前述黏著片較佳為鄰接於前述液晶胞。

圖5係顯示液晶顯示裝置的基本構成之一例的模型圖。如圖5所示，本發明之液晶顯示裝置20包含液晶胞30、夾持它的第1偏光板40及第2偏光板50、與背光60。

液晶胞30之顯示模式例如可為TN(扭曲向列，Twisted Nematic)、VA(垂直配向，Vistical Alignment)或IPS(面內切換，In Plane Switching)等之任一顯示模式。針對行動裝置的液晶胞，例如較佳為IPS模式。中･大型用途的液晶胞例如較佳為VA模式。

第1偏光板40係配置在液晶胞30的視覺辨認側之面，包含第1偏光鏡層41、在第1偏光鏡層41之與液晶胞相反側之面所配置的保護膜43(F1)、及在第1偏光鏡層41之液晶胞側之面所配置的保護膜45(F2)。

第2偏光板50係配置在液晶胞30的背光側之面，包含第2偏光鏡層51、在第2偏光鏡層51之液晶胞側之面所配置的保護膜53(F3)、及在第2偏光鏡層51之與液晶胞相反側之面所配置的保護膜55(F4)。

第1偏光鏡層41的吸收軸與第2偏光鏡層51之吸收軸較佳成為正交。

保護膜45(F2)可作為本發明之光學薄膜。保護膜45(F2)與第1偏光鏡層41係透過未圖示的本發明之接著層而被積層。保護膜45(F2)的面內慢軸與第1偏光鏡層41的吸收軸可略正交。保護膜45(F2)與液晶胞30可透過黏著片48進行接著。 又，保護膜43(F1)、53(F3)及55(F4)例如可作為前述偏光板保護膜。

圖5中，顯示保護膜45(F2)作為本發明的光學薄膜之例，但不受此所限定，亦可將53(F3)作為本發明之光學薄膜。

[實施例]

以下，舉出實施例來具體地說明本發明，惟本發明不受此等所限定。再者，於下述實施例中，只要沒有特別記載，則操作係在室溫(25℃)下進行。又，只要沒有特別記載，則「%」及「份」分別意指「質量%」及「質量份」。

．實施例1(變更接著層之組成) [光學薄膜1010之製作] <環烯烴樹脂>

作為用於實施例的環烯烴樹脂，使用下述環烯烴樹脂。

環烯烴樹脂：ARTON G7810(JSR公司製)

<微粒子添加液之調製>

使11.3質量份的微粒子(Aerosil R972V，日本AEROSIL(股)製)與84質量份的乙醇在溶解器中攪拌混合50分鐘後，以均質機進行分散。

於溶解槽中充分攪拌的二氯甲烷(100質量份)中，徐徐地添加5質量份的微粒子分散液。再者，以二次粒子的粒徑成為指定大小之方式，用磨碎機進行分散。以日本精 線(股)製的Finemet NF過濾它，調製微粒子添加液。

<主膠漿之調製>

調製下述組成之主膠漿。首先，於加壓溶解槽中添加二氯甲烷及乙醇。於裝有二氯甲烷的加壓溶解槽中邊攪拌邊投入環烯烴樹脂、微粒子添加液。加熱它，邊攪拌邊溶解樹脂，使用安積濾紙(股)製的安積濾紙No.244過濾它，調製主膠漿。

接著，使用環狀帶(endless belt)流延裝置，將主膠漿在溫度31℃下以1800mm寬度均勻地流延於不銹鋼帶支撐體上。不銹鋼帶之溫度係控制在28℃。不銹鋼帶的搬運速度係設為20m/min。

於不銹鋼帶支撐體上，以經流延(澆鑄)的薄膜中之殘留溶劑量成為30.3質量%之方式使溶劑蒸發。接著，以剝離張力128N/m，從不銹鋼帶支撐體上剝離而得到未延伸光學薄膜A。

將前述未延伸光學薄膜A以乾燥機在100℃下加熱並乾燥，以延伸開始時的殘留溶劑量成為1800質量ppm之方式控制後，在Tg+15℃(180℃)下加熱，於寬度方向中延伸2.0倍，得到厚度35μm的延伸過之光學薄膜1010。

[偏光板之製作] ＜偏光鏡層之製作＞ 一邊透過導輥連續搬運厚度60μm的長條聚乙烯醇薄膜，一邊浸漬於碘與碘化鉀摻合的染色浴(30℃)中而施予染色處理與2.5倍的延伸處理後，於加有硼酸與碘化鉀的酸性浴(60℃)中，施予總共5倍的延伸處理與交聯處理，使所得之厚度12μm的碘-PVA系偏光鏡在乾燥機中於50℃下乾燥30分鐘，而得到含水率4.9%的偏光鏡層。

＜紫外線硬化型接著劑(聚合性組成物)1~15之調製＞ 添加下述表I記載之各成分(聚合性單體)、作為陽離子聚合起始劑的CPI-210(三芳基鋶鹽，SUNAPRO公司製)3質量份與作為自由基聚合起始劑的Irgacure 907(2-甲基-1(4-甲硫基苯基)-2-嗎啉基丙烷1-酮，BASF日本股份有限公司製)0.2質量份，分別得到液狀的紫外線硬化型接著劑(聚合性組成物)1~15。 所使用的聚合性單體係如下述。

尚且，前述所使用的各聚合性單體之δD係如前述，藉由使用電腦軟體(Hansen Solubility Parameters in Practice(HSPiP))，由其化學結構算出。

＜偏光板201之製作＞

對光學薄膜1010之貼合面施予電暈處理後，藉由備有腔式刮刀(chamber doctor)的塗佈裝置，以乾燥厚度成為3μm的方式塗佈上述所調製的紫外線硬化型接著劑1。又，在作為對向薄膜的Konica Minolta TAC KC4UA(厚度40μm，Konica-Minolta公司製)之貼合面，亦同樣地施予電暈處理後，以乾燥厚度成為3μm的方式塗佈上述紫外線硬化型接著劑1。

然後，立刻在上述所製作的偏光鏡層之一面，分別透過紫外線硬化型接著劑1，以捲對捲(roll-to-roll)方式貼合光學薄膜1010，在另一面貼合作為對向薄膜的TAC薄膜。貼合係以光學薄膜1010的寬度方向與偏光鏡層的吸收軸(或透過軸)成為一致之方式進行。

然後，將所貼合之物一邊以線速度20m/分鐘搬運，一邊以在波長280~320nm的累計光量成為320mJ/cm²之方式，藉由金屬鹵化物燈，從光學薄膜1010側來照射紫外線。藉此，使紫外線硬化型接著劑1硬化，得到偏光板201。

尚且，偏光板201之製作由於以捲對捲方式進行，故最後將長條狀的偏光板沿著寬度方向切斷，成為片狀的偏光板201。

<偏光板202~215之製作>

除了於前述偏光板201之製作中，將前述紫外線硬化型接著劑1分別變更為下述表II所示的紫外線硬化型接著 劑2~15以外，同樣地製作偏光板202~215。

[評價] <接著力>

對於所得之偏光板，進行下述所示的剝離接著強度試驗，評價接著力。

(剝離接著強度試驗)

具體而言，以偏光鏡層的偏光軸方向成為長邊之方式，從偏光板切出150mm×25mm的長條狀。其次，從測定偏光鏡層的剝離力之光學薄膜側，以約30度的角度，僅在光學薄膜100以剃刀R導入切口(參照圖1(a))。接著，在比導入有切口S之面的切口更靠近中央側，黏貼雙面膠帶T(參照圖1(b))。隨後，剝離雙面膠帶T的剝離紙，貼附於玻璃板G(參照圖1(c))。接著，拉起偏光板之未貼雙面膠帶T的部分，作出成偏光鏡層400與光學薄膜100之間剝離的狀態(參照圖1(d))。最後，使用萬能試驗機(ORIENTEC公司製，RTC-1225A)，進行90度剝離試驗(參照圖1(e))。

所使用的剃刀R為FEATHER剃刀S單刃(碳鋼，刀刃厚0.245mm，FEATHER安全剃刀股份有限公司製)。又，90度剝離試驗係依據JIS K 6584-1：1999，於拉伸速度(剝離速度)100mm/min、剝離角度90度之條件下進行，藉由剝離試驗夾具(ORIENTEC公司製，RTC-1225A)，測定將光學薄膜從接著層剝離時的剝離力(剝離強度)。藉由以下基準進行評價，若為△以上則判斷為良好。 (評價基準) ◎：剝離強度為3.0(N/25mm)以上 ○：剝離強度為2.5以上且未達3.0(N/25mm) ○△:剝離強度為2.0以上且未達2.5(N/25mm) △：剝離強度為1.5以上且未達2.5(N/25mm) ×：剝離強度未達1.5(N/25mm)

＜耐久性＞ 將所得之偏光板在80℃･90%RH之條件下暴露於高溫高濕環境中500小時後，取出偏光板，在23℃･55%RH下調溫、調濕24小時。然後，目視觀察偏光鏡層的褪色，依照下述基準進行偏光鏡層的耐久性之評價。 (評價基準) ○：在偏光鏡看不到色調變化。 △：在偏光鏡看到褪色，但為實用上容許的品質。 ×：藉由氙光的照射，偏光鏡的顏色幾乎不殘留。

＜剝離位置＞ 將在前述剝離接著強度試驗所剝離的光學薄膜以環氧聚合物(樹脂)包埋後，藉由超薄切片機製作約100nm厚的超薄切片，藉由日本電子製穿透型電子顯微鏡2000FX(加速電壓：200kV)拍攝2500~10000倍的TEM影像。由所拍攝的影像，算出附著於接著層600側的光學薄膜100之厚度m(例如參照圖1(f))，算出相對於剝離前的光學薄膜全體之厚度M而言剝離位置(剝離面)(「附著於接著層側的光學薄膜之厚度m」/「剝離前的光學薄膜全體之厚度M」×100)。

＜混合層之確認及厚度＞ 對於所得之偏光板，如前述，利用TOF-SIMS及離子濺鍍，將歸屬於光學薄膜所含有的源自前述環烯烴聚合物的元素成分及接著層所含有的源自前述聚合性單體的元素成分之質量電荷比m/z的計數，從光學薄膜之與接著層相反側之面到接著層為止，在下述條件下連續地測定，進行混合層之確認。 測定裝置：TIRFTV nano-TOF(Ulvac-Phi公司製) 一次離子：Bi ₃ ²⁺加速電壓30kV 測定區域50μm見方 濺鍍離子：Ar2500+(氬氣團簇離子束：GCIB) 加速電壓：5kV 濺鍍區域：500μm見方 作為二次離子，m/z 從0.5到2000之測定為3框(frame)，接著依GCIB的濺鍍為5秒、其次電子鎗的中和為3秒之順序重複，計測深度方向的二次離子分布。解析係以Ulvac-Phi製Win Cadence N進行。 藉由前述解析，於源自環烯烴聚合物的元素成分之計數之中，將光學薄膜背面(與接著層相反側之面)中之源自環烯烴聚合物的元素成分計數當作100%，將接著層中之源自環烯烴聚合物的元素成分計數當作0%，於滿足前述式(1)之關係的源自特定聚合性單體的元素成分之計數之中，將光學薄膜背面中之源自前述特定聚合性單體的元素成分計數當作0%，將接著層中之源自前述特定聚合性單體的元素成分計數當作100%時，將源自環烯徑聚合物的元素成分、源自特定聚合性單體的元素成分皆成為5~95%之計數的區域當作混合層。

以非接觸三次元微小表面形狀測定系統(WYKO公司製RSTPLUS)觀察TOF-SIMS所測定之部位，計測經由TOF-SIMS測定所削去的光學薄膜及接著層之厚度，將濺鍍速率換算成厚度。

．實施例2(變更光學薄膜之延伸倍率及延伸溫度等) [光學薄膜102~107之製作]

除了於前述光學薄膜1010之製作中，將未延伸的光學薄膜A變更為下述表II中記載之延伸倍率及延伸溫度以外，同樣地得到延伸過的光學薄膜102~107。尚且，下述表II中記載之Tg為165℃。

[光學薄膜108之製作]

使用日本ZEON公司製的相位差薄膜之ZB薄膜(不具有極性基的環烯烴系樹脂薄膜)作為光學薄膜108。尚且，ZB薄膜係在無殘留溶劑下進行延伸，為延伸過的薄膜。

[繞射峰之半值寬]

對於所得之各光學薄膜，如以下地測定繞射峰之半值寬。

將入射X射線的入射角θ固定在0.1度，邊改變檢測器的角度邊測定X射線的強度。

具體而言，作為X射線繞射裝置，使用X射線繞射裝置RINT-TTRII(理學電氣公司製)。將對陰極(anticathode)設為Cu，以50kV-300mA使其動作。高度限制狹縫為10mm，發散狹縫為2/3，以測定鋁箔時的A1(200)之波峰半值寬成為0.35度之方式調整光學系統。固定薄膜，將θ固定在0.1度，在5~35度以0.02度步距掃描2θ，在各步距累計 1秒，得到繞射圖型。進行背景處理，求出繞射峰之半值寬。下述表II中顯示其結果。

[偏光板301~307之製作]

除了於前述偏光板201之製作中，將光學薄膜1010分別變更為下述表II所示的光學薄膜以外，同樣地製作偏光板301~307。

[評價]

與前述實施例1同樣地，評價接著力、剝離位置及混合層之厚度。尚且，關於偏光板301~307的偏光鏡層之耐久性的評價，由於偏光板201與接著層之配方完全同樣，故與偏光板201同樣之評價。

如上述結果所示，確認相較於比較例之偏光 板，本發明之偏光板係接著力及高溫高濕環境下的耐久性優異。

3,6,12,15,64:過濾器

4,13:儲存釜

2,5,11,14:送液泵

8,16:導管

10:添加劑進料釜

20:合流管

21:混合機

22:加壓模頭

31:金屬帶

32:網片

33:剝離位置

34:第1乾燥裝置

35:延伸裝置

36:第2乾燥裝置

37:搬運輥

38:捲取裝置

61:進料釜

62:儲存釜

63:泵

30:液晶胞

40:第1偏光板

41:第1偏光鏡層

43:保護膜(F1)

45:保護膜(F2)

48:黏著片

50:第2偏光板

51:第2偏光鏡層

53:保護膜(F3)

55:保護膜(F4)

60:背光

100,1010:光學薄膜

101:剝離面

200:偏光板

300:偏光板保護膜

400:偏光鏡層

600:接著層

700:混合層

800:保護膜用接著層

[圖1]係用於說明本發明之偏光板的剝離接著強度試驗之模型圖。 [圖2]係顯示本發明之偏光板的構成之一例之模型圖。 [圖3]係顯示藉由TOF-SIMS所測定的光學薄膜、混合層及接著層之輪廓之圖。 [圖4]係示意地顯示本發明之光學薄膜之製造方法之圖。 [圖5]係顯示本發明之液晶顯示裝置的構成之一例之模型圖。

100:光學薄膜

200:偏光板

300:偏光板保護膜

400:偏光鏡層

600:接著層

700:混合層

800:保護膜用接著層

Claims (4)

1. 一種偏光板，其係至少具備光學薄膜、接著層及偏光鏡層之偏光板，其特徵為： 前述光學薄膜含有至少具有極性基的環烯烴聚合物， 對前述接著層之接著前的前述光學薄膜之表面，以0.1度之角度照射X射線時的繞射峰之半值寬為4.6~5.4度之範圍內， 前述接著層至少含有聚合性單體的硬化物，且 前述聚合性單體之60質量%以上為漢森(Hansen)溶解度參數中的分子間之分散力所致的能量δD滿足下述式(1)之關係的單體； 式(1)：16.0MPa ^0.5≦δD＜17.7MPa ^0.5。
2. 如請求項1之偏光板，其中在進行前述偏光板的剝離接著強度試驗時，剝離面係從前述接著層側來看，相對於前述光學薄膜之厚度全體而言在0.5~15%之範圍內的位置。
3. 如請求項1或2之偏光板，其中在前述光學薄膜與前述接著層之界面具有混合層， 前述混合層之厚度為50~500nm之範圍內。
4. 一種液晶顯示裝置，其特徵為具備如請求項1~3中任一項之偏光板。

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