TWI832693B - 資料處理控制裝置、檢查裝置、資料處理控制方法以及資料處理控制用程式 - Google Patents

Abstract

本發明涉及一種資料處理控制裝置、檢查裝置、資料處理控制方法及程式，其使電子零組件檢查時的殘留誤差的分析變得容易。一種資料處理控制裝置（10），其特徵在於，具備：資料獲取部（21），其獲取通過四端子法測得的測定對象的直流電阻的測定值Rdc4和通過二端子法測得並校正後的測定對象的直流電阻的測定值Rdc2；以及殘留誤差資料生成部（23），其基於直流電阻的測定值Rdc4和直流電阻的測定值Rdc2計算由二端子法產生的接觸電阻所引起的電阻分量ΔR，並生成表示電阻分量ΔR和直流電阻的測定值Rdc4之間的關係的殘留誤差資料（26）。

Description

資料處理控制裝置、檢查裝置、資料處理控制方法以及資料處理控制用程式

本發明涉及一種資料處理控制裝置、檢查裝置、資料處理控制方法、及資料處理控制用程式，例如涉及一種用於檢查電感器元件的檢查裝置。

以往，已知有測定晶片電感器等電子零組件的電氣特性，並基於測定結果來判定電子零組件的優劣的檢查裝置。例如，在專利文獻1中，公開了一種檢查裝置，該檢查裝置測定作為測定物件的電感器元件的交流電阻及電感，同時使用這些測定值計算Q值，並基於所計算的Q值來判定電感器元件的優劣。

在專利文獻1中，作為測定電感器元件的交流電阻的方法記載了如下內容：從通過四端子法測得的直流電阻的測定值中減去通過二端子法測得的直流電阻的測定值，由此計算由二端子法產生的探針的接觸電阻的推測值，將接觸電阻的推測值乘以0以上且1以下的係數，並使用由此得到的值來校正交流電阻的測定值。 （現有技術文獻） （專利文獻）

專利文獻1：日本專利第6949675號公報。

（發明想要解決的課題）

通常，在通過檢查裝置所具備的LCR測試儀等阻抗測定儀來檢查測定對象（以下，也稱為“DUT（Device Under Test）”）的情況下，由於安裝於測定儀的纜線及探針的影響，通過阻抗測定儀測得的DUT的測定值和DUT的真值之間會產生誤差。因此，通常，在進行DUT的檢查（測定）之前，會進行校正處理，即，通過阻抗測定儀對電氣特性已知的元件進行測定，並基於該測定值生成用於校正測定值的校正公式。

通常是在測定環境發生變化，例如更換了探針、或作為測定物件的電子零組件的批次變化等的情況下，基於使用者的判斷來進行校正處理。例如，阻抗測定儀根據使用者的操作在規定的測定條件下測定元件的電氣特性，並基於該測定值和元件的真值生成用於校正測定值的校正公式。接下來，阻抗測定儀在測定了DUT之後，使用校正公式校正DUT的測定值，並輸出校正後的測定值作為DUT的測定結果。

其中，有時也通過阻抗測定儀來測定電感器元件的直流電阻。例如，如圖7所示，安裝於阻抗測定儀的纜線及探針等可以視作連接在阻抗測定儀和作為測定物件的電感器元件之間的二端對網路（two-terminal pair network）。

圖7所示的二端對網路的輸入輸出的關係可以由下述式（1）來表示。在式（1）中，V1是二端對網路（阻抗測定儀側）的輸入電壓，I1是二端對網路（阻抗測定儀側）的輸入電流，V2是二端對網路（DUT側）的輸出電壓，I2是二端對網路（DUT側）的輸出電流，A、B、C、D是二端對網路的F參數。

式（1）

其中，DUT的直流電阻的真值Rd表示為Rd=V2/I2，通過阻抗測定儀得到的DUT的直流電阻的測定值Rdm表示為Rdm=V1/I1。

因此，DUT的直流電阻的真值Rd與測定值Rdm之間的關係、即用於校正DUT的直流電阻的測定值的校正公式可以由下述式（2）來表示。

式（2）

上述校正公式（2）中的三個常數B’（=B/D）、C’（=C/D）、A’（=A/D）可以基於電氣特性彼此不同的三個標準（測定條件）下的測定結果來求得。例如，將電氣特性彼此不同的三個標準元件通過二端子法測定時各自的測定值和真值代入上述校正公式（2），並求解由此得到的三個聯立方程式，從而能夠分別求得三個常數B’（=B/D）、C’（=C/D）、A’（=A/D）。

並且，當實際通過阻抗測定儀並利用二端子法測定作為測定對象的電感器元件的直流電阻時，將通過阻抗測定儀測得的DUT的直流電阻的測定值代入上述校正公式（2）的Rdm，將由此得到的Rd作為DUT的直流電阻的真值。由此，可以消除由二端子法產生的探針的接觸電阻的影響，從而精確地測定直流電阻。

但是，本申請發明人發現，即使通過上述的方式對檢查裝置內的阻抗測定儀進行了校正，有時仍不能準確地校正電感器元件的直流電阻的測定值和真值的誤差。

例如，在通過二端子法測定作為DUT的電感器元件的直流電阻時，在短路標準時的接觸電阻的值與負載標準時的接觸電阻的值不同、或校正時的接觸電阻的值與檢查時的接觸電阻的值不同的情況下，可能無法通過上述校正公式適當地消除DUT的直流電阻的測定值和真值的誤差。

例如，如圖8所示，在區分探針的接觸電阻Rc與其他誤差因素來繪製利用二端子法的測定系統而得到的等效電路中，等效電路的輸入輸出的關係由下述式（3）來表示。

式（3）

在式（3）中，在接觸電阻Rc的值固定的情況下，可以從式（3）中導出與上述校正公式（2）相同的校正公式。 然而，如上所述，在接觸電阻的值根據校正條件的不同而不同、及校正時和檢查時接觸電阻的值不同的情況下，每次測定時接觸電阻的值Rc都會產生變化。因此，即使使用在接觸電阻Rc的值固定這一前提下所導出的校正公式對測定值進行了校正，接觸電阻的變動的影響仍會殘留而導致測定值的誤差。換言之，仍會存在無法通過校正消除的誤差（以下，也稱為“殘留誤差”）。

在存在殘留誤差的情況下，有時可以通過再次進行校正處理並重新生成校正公式來降低殘留誤差。然而，在現有的檢查裝置中，由於難以瞭解到存在多大程度的殘留誤差，因此，使用者難以適當地判斷重新校正的必要性等。

本發明是鑒於上述課題而完成的，其目的在於使電子零組件的檢查時的殘留誤差的分析變得容易。 （用於解決課題的手段）

本發明的代表性實施例中的資料處理控制裝置的特徵在於，具備：資料獲取部，其獲取通過四端子法測得的測定對象的直流電阻的第一測定值和通過二端子法測得的所述測定對象的直流電阻的第二測定值；以及殘留誤差資料生成部，其基於所述第一測定值和所述第二測定值，計算由二端子法產生的接觸電阻所引起的電阻分量，並生成表示所述電阻分量和所述第一測定值之間的關係的殘留誤差資料。 （發明效果）

根據本發明中的檢查裝置，電子零組件的檢查時的殘留誤差的分析會變得容易。

1．實施例的概要 首先，對本申請中公開的發明的代表性實施例進行簡要說明。需要說明的是，在以下的說明中，作為一個示例，與發明的組成部分對應的附圖上的參照符號加括弧記錄。

〔1〕本發明的代表性實施例中的資料處理控制裝置(10)的特徵在於，具備：資料獲取部(21)，其獲取通過四端子法測得的測定對象的直流電阻的第一測定值(Rdc4)和通過二端子法測得並校正後的所述測定對象的直流電阻的第二測定值(Rdc2)；以及殘留誤差資料生成部(23)，其基於所述第一測定值和所述第二測定值計算由二端子法得到的接觸電阻所引起的電阻分量，並生成表示所述電阻分量和所述第一測定值之間的關係的殘留誤差資料(26)。

〔2〕可選地，在上述〔1〕的資料處理控制裝置中，所述殘留誤差資料生成部針對每個所述測定對象生成將所述電阻分量和所述第一測定值相關聯而得到的資料對(27_1~27_n)，並基於所生成的多個所述資料對生成表示所述第一測定值和所述電阻分量之間的關係的回歸模型(28)。

〔3〕可選地，上述〔2〕的資料處理控制裝置進一步具備：接觸電阻推測部(24)，其基於所述回歸模型推測所述接觸電阻的值。

〔4〕可選地，在上述〔2〕或〔3〕所述的資料處理控制裝置中，在所述回歸模型為一次函數的情況下，所述殘留誤差資料包含所述一次函數的斜率(a)的資訊。

〔5〕可選地，在上述〔2〕至〔4〕中任一項所述的資料處理控制裝置中，在所述回歸模型為一次函數的情況下，所述殘留誤差資料包含與所述一次函數上的所述第一測定值的平均值(Rdc4a)相對應的所述電阻分量的值(△Rr)的資訊(32)。

〔6〕可選地，在上述〔2〕至〔5〕中任一項所述的資料處理控 制裝置中，在所述回歸模型為一次函數的情況下，所述殘留誤差資料包含所述一次函數的截距(b)的資訊。

〔7〕本發明的代表性實施例中的檢查裝置(1)的特徵在於，具備：上述〔1〕至〔6〕中任一項所述的資料處理控制裝置(10)；第一測定部(11)，其根據所述資料處理控制裝置所進行的控制，通過四端子法測定所述測定對象的直流電阻，得到所述第一測定值；第二測定部(12)，其根據所述資料處理控制裝置所進行的控制，得到通過二端子法對所述測定對象的直流電阻進行測定並校正後的所述第二測定值；以及輸出部(14)，其輸出基於所述殘留誤差資料的資訊。

〔8〕本發明的代表性實施例中的資料處理控制方法的特徵在於，包括：第一步驟(S1~S4)，其中，獲得通過四端子法測得的測定對象的直流電阻的第一測定值(Rdc4)和通過二端子法測得並校正後的所述測定對象的直流電阻的第二測定值(Rdc2)；以及第二步驟(S7)，其中，基於所述第一步驟中獲取的所述第一測定值和所述第二測定值，計算由二端子法得到的接觸電阻所引起的電阻分量，並生成表示所述電阻分量和所述第一測定值之間的關係的殘留誤差資料(26)。

〔9〕本發明的代表性實施例中的資料處理控制用程式的特徵在於，其使電腦執行上述〔8〕的資料處理控制方法中的各步驟。

2．實施例的具體示例

以下，參考附圖對本發明的實施例的具體示例進行說明。需要說明的是，在以下的說明中，各實施例中相同的組成部分帶有相同的參照符號，故省略重複說明。

圖1示出具備實施例中的資料處理控制裝置10的檢查裝置1的結構。

圖1所示的檢查裝置1是檢測測定對象（DUT）的優劣的裝置。檢查裝置1測定DUT的電氣特性，並基於該測定結果檢查DUT的優劣。例如，檢查裝置1是檢查小型電子零組件（晶片零組件）的優劣，並將判定為優質品的晶片零組件包裝為可出貨狀態的裝置（所謂的晶片載帶包裝機（chip taping machine））。

在本實施例中，以DUT是電感器元件（例如，晶片電感器元件）的情況為例進行說明，但並不限於此。

檢查裝置1具備例如資料處理控制裝置10、第一測定部11、第二測定部12、操作部13、輸出部14、及輸送機構15。

第一測定部11是通過四端子法測定作為DUT的電感器元件的電氣特性的裝置。作為第一測定部11，能夠示例可通過四端子法測定阻抗的電阻儀及LCR測試儀等阻抗測定儀。

第二測定部12是通過二端子法測定作為DUT的電感器元件的電氣特性的裝置。作為第二測定部12，能夠示例可通過二端子法測定阻抗的LCR測試儀等阻抗測定儀。

需要說明的是，第一測定部11及第二測定部12只要為可以測定DUT的阻抗等電氣特性的裝置即可，並不限於上述示例。

第一測定部11根據來自資料處理控制裝置10的指示，通過四端子法測定作為DUT的電感器元件的直流電阻。例如，第一測定部11具有使探針61a~61d移動的移動機構（未圖示）、電流輸出部及電壓檢測部（未圖示）、以及基於檢測結果計算測定值的測定值計算部（未圖示）。

第一測定部11例如在從資料處理控制裝置10收到執行測定的指示的情況下，第一測定部11的移動機構使探針61a，61c與被輸送至規定的測定位置的電感器元件的一個端子接觸，並使探針61b，61d與電感器元件的另一個端子接觸。接下來，第一測定部11的電流輸出部經由探針61a，61b向電感器元件提供直流電流。第一測定部11的電壓檢測部經由探針61c，61d檢測向電感器元件提供直流電流時的電感器端子之間的電壓值。第一測定部11的測定值計算部基於檢測到的電壓值和提供給電感器元件的直流電流的電流值來計算電感器元件的直流電阻的測定值Rdc4。

第二測定部12根據來自資料處理控制裝置10的指示，通過二端子法測定作為DUT的電感器元件的直流電阻、交流電阻及電感。例如，第二測定部12具有使探針62a，62b移動的移動機構（未圖示）、電流輸出部及電壓檢測部（未圖示）、以及基於檢測結果計算測定值的測定值計算部（未圖示）。

例如，第二測定部12在從資料處理控制裝置10收到執行測定的指示的情況下，第二測定部12的移動機構使探針62a與被輸送至規定的測定位置的電感器元件的一個端子接觸，並使探針62b與電感器元件的另一個端子接觸。接下來，第二測定部12的電流輸出部經由探針62a，62b向電感器元件提供直流電流，第二測定部12的電壓檢測部經由探針62a，62b檢測電感器元件的兩個端子之間的電壓值。第二測定部12的測定值計算部基於檢測到的電壓值和提供給電感器元件的直流電流的電流值來計算電感器元件的直流電阻的測定值Rdc2。

另外，在通過第二測定部12的移動機構使探針62a，62b分別與電感器元件的兩個端子接觸的狀態下，第二測定部12的電流輸出部經由探針向電感器元件提供交流電流，第二測定部12的電壓檢測部經由探針62a，62b檢測電感器元件的兩個端子之間的交流電壓值。第二測定部12的測定值計算部基於檢測到的交流電壓值（電壓實效值）、提供給電感器元件的交流電流的交流電流值（電流實效值）、以及交流電壓和交流電流的相位差來計算電感器元件的交流電阻的測定值Rs及電感的測定值L。

第一測定部11及第二測定部12通過資料處理控制裝置10回應於來自使用者的指示而進行的控制來進行校正處理，即，生成用於校正測定物件的真值和測定值的誤差的校正公式。

例如，第二測定部12基於電氣特性不同的三個標準下的測定結果來生成校正公式。作為電氣特性不同的三個標準，能夠示例開路標準、短路標準、及負載標準。開路標準是指使探針62a和探針62b之間為開路（open）狀態的測定條件。短路標準是指使探針62a和探針62b之間為短路（short）狀態的測定條件。負載標準是指在探針62a和探針62b之間連接有負載（例如，直流電阻的真值已知的電感器元件）的測定條件。

第二測定部12例如通過求解三個聯立方程式來分別計算上述校正公式（2）的各常數（B’、C’、A’），其中，所述三個聯立方程式是通過將在開路標準、短路標準及負載標準下分別測得的電壓及電流的測定值和真值代入上述校正公式（2）而得到的。接下來，第二測定部12在測得DUT的直流電阻之後，將檢測到的DUT的直流電阻的值代入各常數（B’、C’、A’）已經確定的校正公式（2）中以進行校正，並輸出校正後的值作為直流電阻的測定值Rdc2。

為了計算上述校正公式（2）的各常數（B’、C’、A’）而在電氣特性不同的三個標準下所進行的測定並不限於上述示例。例如，也可以使用在探針62a和探針62b之間連接有直流電阻（已知）彼此不同的三種電感器元件的三個不同的負載標準下的測定值來導出三個聯立方程式，從而計算各常數（B’、C’、A’）。

需要說明的是，第一測定部11及第二測定部12的部分功能也可以通過資料處理控制裝置10來實現。例如，第一測定部11及第二測定部12的各測定值計算部所進行的上述運算也可以由資料處理控制裝置10來執行。

操作部13是供使用者操作檢查裝置1的輸入介面。作為操作部13，能夠示例各種按鈕及觸控面板等。例如，可以通過使用者操作操作部13來在檢查裝置1中設置用於檢查作為DUT的電感器元件的各種檢查條件等，同時指示檢查裝置1執行及停止檢查等操作。

輸出部14是用於輸出檢查裝置1的檢查條件及檢查結果等各種資訊的功能部。輸出部14是具備例如LCD（Liquid Crystal Display，液晶顯示器）及有機EL的顯示裝置。例如，在使用者通過對操作部13進行操作指示執行DUT的檢查的情況下，輸出部14根據資料處理控制裝置10所進行的控制使螢幕顯示檢查結果等資訊。

需要說明的是，輸出部14也可以為具備實現操作部13的部分功能的觸控面板的顯示裝置。另外，輸出部14還可以包括用於通過有線或無線方式向外部輸出檢查結果等資料的通信電路等。

輸送機構15是根據資料處理控制裝置10的控制將作為測定物件的電感器元件輸送至檢查裝置1內的適當部位的裝置。例如，在通過第一測定部11進行測定時，輸送機構15將作為測定對象的電感器元件輸送至第一測定部11的規定的測定位置。另外，例如，在通過第二測定部12進行測定時，輸送機構15將作為測定對象的電感器元件輸送至第二測定部12的規定的測定位置。並且，輸送機構15將完成檢查的電感器元件中判定為優質品的電感器元件輸送至用於進行包裝的位置，並將包裝後的電感器元件輸送至下一工序的規定部位。

資料處理控制裝置10是統一控制檢查裝置1內的各功能部，並進行用於DUT檢查的各種資料處理的功能部。例如，資料處理控制裝置10是具有CPU等處理器、ROM及RAM、快閃記憶體等儲存裝置、以及計時器等週邊電路的程式處理裝置。作為程式處理裝置，能夠示例例如MCU及FPGA等。

資料處理控制裝置10獲取第一測定部11及第二測定部12的測定結果，並基於所獲取的測定結果計算表示電感器元件的性能的指標，同時基於算出的指標判定作為測定對象的電感器元件的優劣。其中，表示電感器元件的性能的指標例如為Q值。

資料處理控制裝置10例如通過根據來自使用者的指示使第一測定部11及第二測定部12執行校正處理，來生成用於校正測定值和真值的誤差的校正公式。

如上所述，在通過二端子法測定電感器元件的交流電阻的情況下，其測定值會受到包括第二測定部12和DUT之間存在的纜線及探針（62a，62b）等的測定系統所引起的電阻分量的影響。該電阻分量的影響雖然可以通過使用基於上述校正處理的校正公式來消除，但如上所述，在接觸電阻的值根據校正條件的不同而不同、及校正時和檢查時接觸電阻的值產生變化的情況下，可能存在無法通過上述校正公式消除的殘留誤差。

因而，本實施例中的檢查裝置1除了DUT的檢查功能之外，還具備分析協助工具，該分析協助工具使使用者能夠容易地分析第二測定部12進行測定時的殘留誤差。以下，對檢查功能及分析協助工具進行詳細說明。

圖2示出實施例中的資料處理控制裝置10的結構。

如圖2所示，檢查裝置1中的資料處理控制裝置10具有例如資料獲取部21、儲存部22、殘留誤差資料生成部23、接觸電阻推測部24、及判定部25作為用於實現檢查功能及分析協助工具的功能部。這些功能部例如通過在作為資料處理控制裝置10的程式處理裝置中，CPU依據記憶體中儲存的程式執行各種運算，並控制計數器等週邊電路而實現。

資料獲取部21是用於獲取各種資料的功能部，所述各種資料是計算表示作為測定物件的電感器元件的性能的指標（Q值）以及生成與殘留誤差相關的資訊（以下，也稱為“殘留誤差資料”）所需的。

資料獲取部21獲取例如第一測定部11通過四端子法測得的DUT的直流電阻的測定值Rdc4並將其儲存於儲存部22。資料獲取部21分別獲取例如第二測定部12通過二端子法測得的DUT的直流電阻的測定值Rdc2、第二測定部12通過二端子法測得的DUT的交流電阻的測定值Rs、及第二測定部12通過二端子法測得的DUT的電感的測定值L，並將其作為測定物件的測定資料50儲存於儲存部22。

儲存部22是用於儲存各種資料的功能部，其中，所述各種資料是計算表示作為測定物件的電感器元件的性能的指標（Q值）以及生成殘留誤差資料所需的各種資料、及通過殘留誤差資料生成部23、接觸電阻推測部24及判定部25生成的資料。

如上所述，儲存部22中儲存每個經檢查的電感器元件的測定資料50，所述測定資料50包括通過資料獲取部21獲取的、直流電阻的測定值Rdc4，Rdc2、交流電阻的測定值Rs及電感的測定值L。另外，儲存部22中分別儲存例如通過後述的殘留誤差資料生成部23生成的殘留誤差資料26和通過接觸電阻推測部24算出的接觸電阻的推測值Rcd。

判定部25是計算與作為測定對象的DUT（電感器元件）的性能相關的指標，並基於算出的指標判定作為測定物件的電感器元件的優劣的功能部。

具體而言，判定部25基於作為測定物件的電感器元件的測定資料50中包含的交流電阻的測定值Rs及電感的測定值L，來計算表示作為測定對象的電感器元件的性能的指標Q值（Q=ωL/Rs）。

判定部25例如基於算出的Q值判定作為測定對象的電感器元件的優劣，並通過控制輸送機構15，從而利用圖中未示出的包裝裝置對優質品的電感器元件進行包裝。

需要說明的是，判定部25也可以使用直流電阻的測定值Rdc4，Rdc2來校正測定資料50中包含的交流電阻的測定值Rs，並基於校正後的交流電阻的測定值和電感的測定值L，來計算Q值（Q=ωL/Rsr）。

殘留誤差資料生成部23是生成與上述第二測定部12中的殘留誤差相關的殘留誤差資料26的功能部。

殘留誤差資料生成部23基於第一測定部11通過四端子法測得的作為測定對象的電感器元件的直流電阻的測定值Rdc4（第一測定值）和第二測定部12通過二端子法測得的作為測定對象的電感器元件的直流電阻的測定值Rdc2（第二測定值），來計算由二端子法產生的接觸電阻所引起的電阻分量。

例如，殘留誤差資料生成部23將從直流電阻的測定值Rdc2中減去直流電阻的測定值Rdc4而得到的值作為接觸電阻所引起的電阻分量ΔR（ΔR=Rdc2-Rdc4）。

殘留誤差資料生成部23生成表示接觸電阻所引起的電阻分量ΔR和直流電阻的測定值Rdc4之間的關係的殘留誤差資料26。殘留誤差資料生成部23使輸出部14顯示基於殘留誤差資料26的資訊。

具體而言，殘留誤差資料生成部23針對每個經檢查的電感器元件計算接觸電阻所引起的電阻分量ΔR，並生成將所算出的接觸電阻所引起的電阻分量ΔR與直流電阻Rdc4相關聯而成的資料對27＿1~27＿n。由此，生成與經檢查的電感器元件的數量相同的資料對27＿1~27＿n。

殘留誤差資料生成部23使輸出部14的螢幕上顯示圖表，該圖表在以接觸電阻所引起的電阻分量ΔR和直流電阻的測定值Rdc4作為彼此正交的兩個軸的二維坐標系中繪製所生成的多個資料對27＿1~27＿n而得到的。

圖3示出實施例中的檢查裝置1的輸出部14中顯示的基於殘留誤差資料的資訊的一個示例。

例如，如圖3所示，殘留誤差資料生成部23使輸出部14的螢幕上顯示繪製圖140，其中，所述繪製圖140是在以橫軸（X軸）為直流電阻Rdc4，以縱軸（Y軸）為接觸電阻所引起的電阻分量ΔR的二維坐標系中繪製每個經檢查的電感器元件的資料對27＿1~27＿n而成的。

另外，殘留誤差資料生成部23基於所生成的多個資料對生成表示直流電阻的測定值Rdc4和接觸電阻所引起的電阻分量ΔR之間的關係的回歸模型28。

例如，殘留誤差資料生成部23通過進行線性或非線性的回歸分析，來導出以直流電阻的測定值Rdc4為說明變數、以接觸電阻所引起的電阻分量ΔR為目的變數的函數。更具體而言，殘留誤差資料生成部23通過對多個資料對進行線性回歸分析，來導出例如以直流電阻的測定值Rdc4為說明變數、以接觸電阻所引起的電阻分量ΔR為目的變數的一次函數的回歸模型28，並如圖3所示，將作為回歸模型28的一次函數141與繪製圖140一起顯示在輸出部14（顯示裝置）上，來作為基於殘留誤差資料26的資訊。

在該情況下，殘留誤差資料26中包括作為回歸模型28的一次函數141的斜率的資訊29和一次函數141的截距的資訊30。

另外，如圖3所示，殘留誤差資料生成部23計算所生成的資料對27＿1~27＿n的直流電阻的測定值Rdc4的平均值（以下，也簡稱為“平均值”）Rdc4a。並且，殘留誤差資料生成部23計算與一次函數141上的平均值Rdc4a相對應的接觸電阻所引起的電阻分量ΔR的值（以下，也稱為“接觸電阻所引起的電阻分量的代表值”）ΔRr。接觸電阻所引起的電阻分量的代表值ΔRr通過將平均值Rdc4a代入一次函數141來得到。平均值Rdc4a的資訊31和接觸電阻所引起的電阻分量的代表值ΔRr的資訊32作為殘留誤差資料26儲存在儲存部22中。

另外，如圖3所示，殘留誤差資料生成部23也可以將一次函數141的斜率的資訊29、一次函數141的截距的資訊30、平均值Rdc4a的資訊31、及接觸電阻所引起的電阻分量的代表值ΔRr的資訊32中的至少一條資訊顯示在輸出部14的螢幕上。

接下來，對基於回歸模型28的殘留誤差的分析方法進行說明。  在此，對能夠從將回歸模型28作為一次函數時的斜率和接觸電阻所引起的電阻分量的代表值ΔRr中讀取的殘留誤差的主要原因進行說明。

首先，對斜率進行說明。

圖4是示出第二測定部12和DUT（電感器元件）之間存在的測定系統的等效電路的一個示例的圖。  圖5是用於說明與第二測定部12連接的探針的接觸電阻所引起的電阻分量的影響的圖。

在圖5中，橫軸（X軸）表示直流電阻的測定值Rdc4，縱軸（Y軸）表示接觸電阻所引起的電阻分量ΔR（=Rdc2-Rdc4）。

從第二測定部12經由纜線等觀察DUT側時的直流電阻Rr是電感器元件的直流電阻Rd和探針的接觸電阻Rc的串聯的合成電阻（Rr=Rc＋Rd）。

在將接觸電阻所引起的電阻分量ΔR（=Rdc2-Rdc4）視為接觸電阻本身的值的情況下，無論校正條件如何，只要接觸電阻為固定的值，則如圖5的參照符號150所示，表示針對直流電阻Rdc4的接觸電阻ΔR的特性的一次函數的斜率為零，與X軸平行。另一方面，在接觸電阻根據校正條件的不同而不同的情況下，如圖5的參照符號151所示，表示針對直流電阻Rdc4的接觸電阻ΔR的特性的一次函數的斜率不會為零。下面對這一點進行詳細說明。

第二測定部12輸出直流電阻的測定值Rdc2，其中，所述直流電阻的測定值Rdc2是在測定DUT的直流電阻之後利用通過上述校正處理所生成的校正公式（例如，上述的式（2））校正後的值。該直流電阻的測定值Rdc2是通過校正公式消除接觸電阻所引起的電阻分量後的值。

例如，在直流電阻的測定值Rdc4與負載標準時的直流電阻的真值Rdl相等的情況下，直流電阻的測定值Rdc2是通過校正公式消除負載標準時的接觸電阻Rcl後的值。另一方面，在直流電阻的測定值Rdc4與短路標準時的直流電阻的真值Rds相等的情況下，直流電阻的測定值Rdc2是通過校正公式消除短路標準時的接觸電阻Rcs後的值。

其中，在負載標準時的接觸電阻Rcl和短路標準時的接觸電阻Rcs為相同值的情況下，Rdl=Rdc4時接觸電阻所引起的電阻分量ΔR和Rds=Rdc4時接觸電阻所引起的電阻分量ΔR一致。即，如圖5的參照符號150所示，表示針對直流電阻Rdc4的接觸電阻ΔR的特性的一次函數的斜率為零，與X軸平行。

而在負載標準時的接觸電阻Rcl和短路標準時的接觸電阻Rcs不一致的情況下，Rdl=Rdc4時接觸電阻所引起的電阻分量ΔR和Rdc4=Rds時接觸電阻所引起的電阻分量ΔR不一致。即，如圖5的參照符號151所示，表示針對直流電阻Rdc4的接觸電阻ΔR的特性的一次函數的斜率不會為零。

因此，通過參考殘留誤差資料26中包含的回歸模型28（一次函數）的斜率的資訊29，可知有無基於負載標準時的接觸電阻和短路標準時的接觸電阻的差異的殘留誤差。

另外，通過參考斜率的極性（正或負），可以判斷負載標準時的接觸電阻Rcl相對於檢查時的接觸電阻Rcd的偏差和短路標準時的接觸電阻Rcs相對於檢查時的接觸電阻Rcd的偏差中的哪一個更大。例如，在一次函數的斜率為正的情況下，可知Rcl＜Rcs。而在一次函數的斜率為負的情況下，可知Rcs＜Rcl。

接下來，對接觸電阻所引起的電阻分量的代表值ΔRr進行說明。  在以下的說明中，設定短路標準時的接觸電阻Rcs和負載標準時的接觸電阻Rcl一致，並將短路標準時及負載標準時（以下，也簡稱為“校正時”）的接觸電阻Rc、DUT檢查時的接觸電阻作為Rcd。

在通過第二測定部12測定了DUT（電感器元件）的直流電阻的情況下，從第二測定部12輸出的直流電阻的測定值Rdc2是消除（校正）校正時的接觸電阻Rc後的值。即，在將通過二端子法得到的直流電阻的測定值Rdc2當作通過四端子法測得的直流電阻的測定值Rdc4加上檢查時的接觸電阻Rcd而得到的值的情況下（Rdc2=Rcd4＋Rcd），校正後的通過二端子法得到的直流電阻的測定值Rdc2可以由下述式（4）來表示。

式（4）

其中，如上所述，接觸電阻所引起的電阻分量ΔR由下述式（5）來定義。

式（5）

由將上述式（4）的Rdc4向左移項得到的式子和上述式（5）得到下述式（6）。

式（6）

由上述式（6）可以理解，接觸電阻所引起的電阻分量ΔR表示DUT檢查時的接觸電阻Rcd和校正時的接觸電阻Rc的差。

在DUT檢查時的接觸電阻Rcd和校正時的接觸電阻一致的情況下，ΔR為零。而在DUT檢查時的接觸電阻Rcd大於校正時的接觸電阻的情況下，ΔR＞0。另外，在DUT檢查時的接觸電阻Rcd小於校正時的接觸電阻的情況下，ΔR＜0。

因而，通過參考作為ΔR的代表值的、與一次函數141上的平均值Rdc4a相對應的接觸電阻所引起的電阻分量ΔR的值（接觸電阻所引起的電阻分量的代表值）ΔRr的資訊32，可知有無基於校正時的接觸電阻和檢查時的接觸電阻的差的殘留誤差。另外，通過參考接觸電阻所引起的電阻分量的代表值ΔRr的極性（正或負），可知校正時的接觸電阻和檢查時的接觸電阻中的哪一個更大。

資料處理控制裝置10除了上述檢查功能及分析協助工具之外，還可以具有推測接觸電阻的值的功能。例如，資料處理控制裝置10可以具有接觸電阻推測部24，所述接觸電阻推測部24基於通過殘留誤差資料生成部23生成的回歸模型28，來推測接觸電阻的值。以下，對利用接觸電阻推測部24推測接觸電阻的方法進行說明。

例如，將回歸模型28製成一次函數，並由下述式（7）來定義。

式（7）

斜率a由下述式（8）表示，截距b由下述式（9）表示。

式（8）

式（9）

在式（8）中，Rcl為負載標準時的接觸電阻的值，Rcs為短路標準時的接觸電阻的值。Rrl為負載標準時的標準（待測）的電阻值Rdl加上接觸電阻Rcl而得到的值（Rrl=Rdl＋Rcl）。Rrs為短路標準時的標準（待測）的電阻值Rds加上接觸電阻Rcs而得到的值（Rrs=Rds＋Rcs）。另外，Rcd為檢查時的接觸電阻的值。

其中，Rdl和Rds由於是作為校正時的標準的電阻值，因此是已知的。另外，斜率a和截距b的值由於是通過利用上述的殘留誤差資料生成部23進行回歸模型28的生成處理（回歸分析）而算得的，因此是已知的。因此，在式（8）中，校正時的接觸電阻Rcl，Rcs和檢查時的接觸電阻Rcd是未知的值。

首先，接觸電阻推測部24基於通過殘留誤差資料生成部23進行回歸分析所算出的斜率a的值，通過公知的擬合運算，分別求得滿足上述式（8）的接觸電阻Rcs，Rcl的值。

接下來，接觸電阻推測部24通過將利用上述擬合運算求得的Rcs及Rcl和通過利用殘留誤差資料生成部23進行回歸分析所算出的截距b的值代入上述式（9），來求得檢查時的接觸電阻的推測值Rcd。接觸電阻推測部24將所算出的接觸電阻的推測值Rcd儲存在儲存部22中。  通過上述的方式，能夠計算接觸電阻的推測值。

接下來，對檢查裝置1所進行的生成殘留誤差資料期間的處理流程進行說明。

其中，第二測定部12在基於上述電氣特性彼此不同的三個標準下的測定結果來進行校正處理並生成校正公式（例如，式（2））之後，實施規定次數的DUT檢查，並基於這些檢查結果來生成殘留誤差資料，以下對該情況進行說明。

圖6是示出實施例中的檢查裝置1所進行的用於生成殘留誤差資料的處理流程的流程圖。

例如，在檢查裝置1中，在開路標準、短路標準及負載標準下進行測定之後，使用者操作檢查裝置1的操作部13來指示執行DUT（電感器元件）的檢查。此時，檢查裝置1根據來自使用者的指示開始對作為測定物件的電感器元件進行檢查。

首先，檢查裝置1中的資料處理控制裝置10控制第一測定部11通過四端子法測定測定對象的電感器元件的直流電阻（步驟S1）。例如，資料處理控制裝置10根據來自操作部13的指示信號控制輸送機構15將作為測定對象的電感器元件輸送至第一測定部11的規定的測定位置。然後，資料處理控制裝置10控制第一測定部11通過四端子法測定作為測定對象的電感器元件的直流電阻，從而獲取直流電阻的測定值Rdc4。

接下來，資料處理控制裝置10控制第二測定部12通過二端子法測定作為測定對象的電感器元件的直流電阻（步驟S2）。例如，資料處理控制裝置10控制輸送機構15將作為測定對象的電感器元件輸送至第二測定部12的規定的測定位置。然後，資料處理控制裝置10控制第二測定部12通過二端子法測定作為測定對象的電感器元件的直流電阻，從而獲取直流電阻的測定值Rdc2。

接下來，資料處理控制裝置10控制第二測定部12通過二端子法測定作為測定對象的電感器元件的交流電阻的測定值Rs及電感的測定值L（步驟S3）。例如，在將作為測定物件的電感器元件配置於與步驟S12相同的測定位置的狀態下，資料處理控制裝置10控制第二測定部12測定作為測定對象的電感器元件的交流電阻，從而分別獲取交流電阻的測定值Rs及電感的測定值L。

接下來，資料處理控制裝置10控制第二測定部12，並通過與步驟S12相同的方式，利用二端子法測定作為測定物件的電感器元件的直流電阻（步驟S4）。

步驟S1~S4中資料處理控制裝置10所獲取的、直流電阻的測定值Rdc4，Rdc2、交流電阻的測定值Rs及電感的測定值L作為測定物件即電感器元件的測定資料50儲存在儲存部22中。

接下來，判定部25基於通過步驟S18或步驟S19算出的交流電阻的校正值Rsr和步驟S13中獲取的電感的測定值L，來計算作為測定對象的電感器元件的Q值（步驟S5）。

接下來，資料處理控制裝置10判定是否完成了預設數量的樣本（DUT）的檢查(步驟S6)。在未完成規定數量的DUT的檢查的情況下，資料處理控制裝置10返回步驟S1，再次進行步驟S1~S6的處理。

另一方面，在完成了規定數量的DUT的檢查的情況下，資料處理控制裝置10使用規定數量的DUT的檢查結果來生成殘留誤差資料26（步驟S7）。具體而言，殘留誤差資料生成部23通過上述方式，針對每個經檢查的DUT生成將直流電阻Rdc4和接觸電阻所引起的電阻分量ΔR（=Rdc2-Rdc4）作為1組的資料對27＿1~27＿n，並基於所生成的多個資料對27＿1~27＿n，來生成表示直流電阻Rdc4和接觸電阻所引起的電阻分量ΔR（=Rdc2-Rdc4）之間的關係的回歸模型28（例如一次函數）。另外，如上所述，殘留誤差資料生成部23計算直流電阻的測定值Rdc4的平均值Rdc4a、和與一次函數141上的直流電阻的測定值Rdc4的平均值Rdc4a相對應的、接觸電阻所引起的電阻分量ΔR的值（接觸電阻所引起的電阻分量的代表值）ΔRr。此時，殘留誤差資料生成部23也可以預先將例如作為殘留誤差資料26的回歸模型28的斜率、截距、平均值Rdc4a及接觸電阻所引起的電阻分量的代表值ΔRr的資訊，以可單獨輸出的形式儲存在儲存部22中。

接下來，資料處理控制裝置10基於步驟S7中生成的殘留誤差資料26，來計算第二測定部12中由二端子法產生的接觸電阻的推測值Rcd（步驟S8）。例如，接觸電阻推測部24通過上述方式基於步驟S7中生成的回歸模型28（一次函數）的斜率a及截距b的值和上述式（8）、（9），來計算檢查時的接觸電阻的值（推測值）Rcd，並將其儲存在儲存部22中。

接下來，資料處理控制裝置10使作為輸出部14的顯示裝置顯示基於殘留誤差資料26的資訊（步驟S9）。例如，資料處理控制裝置10控制輸出部14如圖3所示，將表示直流電阻Rdc4和接觸電阻所引起的電阻分量ΔR（=Rdc2-Rdc4）之間的關係的繪製圖140、作為回歸模型28的一次函數141、斜率的資訊29及截距的資訊30中的至少一項顯示在顯示裝置的螢幕上。

檢查裝置1通過以上處理流程向使用者提示與殘留誤差相關的資訊。由此，使用者能夠基於所提示的殘留誤差的資訊來探討重新校正的必要性。在判斷無需重新校正的情況下，只要繼續執行其它DUT的檢查即可。而在判斷需要重新校正的情況下，使用者再次進行開路標準、短路標準及負載標準下的測定之後，再次執行上述的殘留誤差資料的生成處理（步驟S1~S9），並在確認殘留誤差的影響很少，可以無視之後，再開始檢查DUT。

需要說明的是，用於使作為檢查裝置1的資料處理控制裝置10的程式處理裝置（MPU及FPGA等）執行上述的各步驟（S1~S9）的資料處理控制用程式既可以通過網路進行流通，也可以寫入儲存卡等電腦可讀儲存介質（Non-transitory computer readable medium）中流通。

以上，本實施例中的檢查裝置1基於通過四端子法測得的DUT的直流電阻的測定值Rdc4（第一測定值）和通過二端子法測得的DUT的直流電阻的測定值Rdc2（第二測定值），來計算由二端子法產生的接觸電阻所引起的電阻分量ΔR，並生成表示電阻分量ΔR和直流電阻的測定值Rdc4（第一測定值）之間的關係的殘留誤差資料26。

如上所述，由二端子法產生的接觸電阻所引起的電阻分量例如可以基於通過二端子法測得的直流電阻的測定值Rdc2與由不會受到接觸電阻的影響的四端子法得到的直流電阻的測定值Rdc4的差來計算（ΔR=Rdc2-Rdc4）。另外，通過基於開始DUT檢查（測定）之前的校正所生成的校正公式對通過二端子法測得的直流電阻的測定值Rdc2進行校正，以使其接近不受接觸電阻的影響的值（真值）。

因此，如果校正公式是合適的，則經檢查的一個DUT中通過二端子法得到的直流電阻的測定值Rdc2和通過四端子法得到的直流電阻的測定值Rdc4彼此相等，接觸電阻所引起的電阻分量ΔR為零。然而，如上所述，在短路標準時的接觸電阻的值和負載標準時的接觸電阻的值不同、及校正時的接觸電阻的值和檢查時的接觸電阻的值不同的情況下，由於校正公式不合適，因此通過二端子法得到的直流電阻的測定值Rdc2和通過四端子法得到的直流電阻的測定值Rdc4之間會產生差異。即，通過二端子法測定直流電阻時，存在基於接觸電阻的殘留誤差。

因而，如本實施例中的檢查裝置1，生成表示接觸電阻所引起的電阻分量ΔR和直流電阻的測定值Rdc4（第一測定值）之間的關係的殘留誤差資料26。由此，使用者容易通過參考殘留誤差資料26，來判斷通過二端子法測定直流電阻時是否存在基於接觸電阻的殘留誤差。

另外，檢查裝置1針對經檢查的每個DUT生成將接觸電阻所引起的電阻分量ΔR和直流電阻的測定值Rdc4相關聯而成的資料對27＿1~27＿n，並基於所生成的多個資料對27＿1~27＿n來生成表示接觸電阻所引起的電阻分量ΔR和直流電阻的測定值Rdc4之間的關係的回歸模型28。  由此，能夠將接觸電阻所引起的電阻分量ΔR和直流電阻的測定值Rdc4之間的關係作為函數提示給使用者，因此，使用者進行的殘留誤差分析變得更容易。

另外，檢查裝置1基於所生成的回歸模型28來推測接觸電阻的值。  由此，使用者能夠獲知檢查時的接觸電阻的值，因此殘留誤差的分析變得更容易。另外，在測定作為DUT的電感器元件的交流電阻時，檢查裝置1可以使用接觸電阻的推測值來校正交流電阻的測定值，從而可以更精確地測定交流電阻。

另外，在檢查裝置1中，在用一次函數表示回歸模型28的情況下，殘留誤差資料26包含該一次函數的斜率的資訊29。  如上所述，用一次函數表示接觸電阻所引起的電阻分量ΔR和直流電阻的測定值Rdc4之間的關係時的斜率是用於判斷負載標準時的接觸電阻和短路標準時的接觸電阻是否不同的指標。因此，使用者通過參考殘留誤差資料26中包含的回歸模型28的斜率，能夠容易地判斷殘留誤差是否是基於負載標準時的接觸電阻和短路標準時的接觸電阻的差。

另外，在檢查裝置1中，在用一次函數表示回歸模型28的情況下，殘留誤差資料26包含與一次函數141上的直流電阻的測定值Rdc4的平均值Rdc4a相對應的、接觸電阻所引起的電阻分量ΔR的值（接觸電阻所引起的電阻分量的代表值）ΔRr的資訊32。  如上所述，在用一次函數表示接觸電阻所引起的電阻分量ΔR和直流電阻的測定值Rdc4之間的關係的情況下，接觸電阻所引起的電阻分量的代表值ΔRr是用於判斷校正時的接觸電阻和檢查時的接觸電阻是否不同的指標。因此，使用者通過參考殘留誤差資料26中包含的接觸電阻所引起的電阻分量的代表值ΔRr，能夠容易地判斷殘留誤差是否是基於校正時的接觸電阻和檢查時的接觸電阻的差異。另外，使用者通過參考接觸電阻所引起的電阻分量的代表值ΔRr的極性，能夠掌握校正時的接觸電阻和檢查時的接觸電阻中的哪一個更大。

如此一來，根據本實施例中的具備資料處理控制裝置10的檢查裝置1，電子零組件檢查時的殘留誤差的分析變得容易。

《實施例的擴展》  以上，基於實施例對本申請發明者所完成的發明進行了具體說明，但本發明並不限於此，當然也可以在不脫離其主旨的範圍內進行各種變更。

例如，在上述實施例中，示例了檢查裝置1是將資料處理控制裝置10、第一測定部11、第二測定部12、操作部13、輸出部14、及輸送機構15等組成部分製成一體的裝置的情況，但也可以配置為構成檢查裝置1的部分組成部分與其它組成部分分離。例如，資料處理控制裝置10、操作部13及輸出部14可以通過第一裝置（例如，PC等資訊處理裝置）來實現，第一測定部11、第二測定部12及輸送機構15可以通過與第一裝置不同的其它第二裝置來實現。在該情況下，第一裝置和第二裝置可以經由有線或無線網路連接。

上述流程圖示出了用於說明動作的一個示例，但並不限於此。即，流程圖的各圖中所示的步驟是具體示例，並不限於該流程。例如，可以變更部分處理的順序，也可以在各處理之間插入其它處理，還可以並列進行部分處理。

1:檢查裝置 10:資料處理控制裝置 11:第一測定部 12:第二測定部 13:操作部 14:輸出部 15:輸送機構 21:資料獲取部 22:儲存部 23:殘留誤差資料生成部 24:接觸電阻推測部 25:判定部 26:殘留誤差資料 27＿1~27＿n:資料對 28:回歸模型 29:斜率的資訊 30:截距的資訊 31:平均值Rdc4a的資訊 32:接觸電阻所引起的電阻分量的代表值ΔRr的資訊 50:測定資料 Rc:接觸電阻 Rd:直流電阻的真值 Rr:合成電阻

圖1是示出具備實施例中的資料處理控制裝置的檢查裝置的配置的圖。 圖2是示出實施例中的資料處理控制裝置10的配置的圖。 圖3是示出實施例中的檢查裝置的輸出部中顯示的基於殘留誤差資料的資訊的一個示例的圖。 圖4是示出第二測定部和DUT（電感器元件）之間存在的測定系統的等效電路的一個示例的圖。 圖5是用於說明與第二測定部連接的探針的接觸電阻所引起的電阻分量的影響的圖。 圖6是示出實施例中的檢查裝置所進行的用於生成殘留誤差資料的處理流程的流程圖。 圖7是示出阻抗測定儀和DUT（電感器元件）之間存在的測定系統的等效電路的一個示例的圖。 圖8是示出阻抗測定儀和DUT（電感器元件）之間存在的測定系統的等效電路的另一個示例的圖。

12:第二測定部

Rc:接觸電阻

Rd:直流電阻的真值

Rr:合成電阻

Claims (9)

1. 一種資料處理控制裝置，其特徵在於，具備：資料獲取部，其獲取通過四端子法測得的測定對象的直流電阻的第一測定值，和通過二端子法測得並基於校正公式校正後的所述測定對象的直流電阻的第二測定值；其中，所述校正公式，用以校正所述測定對象的直流電阻的真值與所述測定對象的直流電阻通過二端子法測得的測定值之間的誤差，從而使所述第二測定值接近真值不受到接觸電阻的影響；以及殘留誤差資料生成部，其基於所述第一測定值和所述第二測定值計算由二端子法得到的接觸電阻所引起的電阻分量，並生成表示所述電阻分量和所述第一測定值之間的關係的殘留誤差資料。
2. 如請求項1所述的資料處理控制裝置，其中，所述殘留誤差資料生成部針對每個所述測定物件生成使所述電阻分量與所述第一測定值相對應而得到的資料對，並基於所生成的多個所述資料對生成表示所述第一測定值和所述電阻分量之間的關係的回歸模型。
3. 如請求項2所述的資料處理控制裝置，其中，進一步具備：接觸電阻推測部，其基於所述回歸模型推測所述接觸電阻的值。
4. 如請求項2或3所述的資料處理控制裝置，其中，在所述回歸模型為一次函數的情況下，所述殘留誤差資料包含所述一次函數的斜率的資訊。
5. 如請求項2或3所述的資料處理控制裝置，其中，在所述回歸模型為一次函數的情況下，所述殘留誤差資料包含與所述一次函數上的所述第一測定值的平均值相對應的所述電阻分量的值的資訊。
6. 如請求項2或3所述的資料處理控制裝置，其中，在所述回歸模型為一次函數的情況下，所述殘留誤差資料包含所述一次函 數的截距的資訊。
7. 一種檢查裝置，其特徵在於，具備：請求項1至6中任一項所述的資料處理控制裝置；第一測定部，其根據所述資料處理控制裝置所進行的控制，通過四端子法測定所述測定對象的直流電阻，而得到所述第一測定值；第二測定部，其根據所述資料處理控制裝置所進行的控制，得到通過二端子法對所述測定物件的直流電阻進行測定並校正後的所述第二測定值；以及輸出部，其輸出基於所述殘留誤差資料的資訊。
8. 一種資料處理控制方法，其特徵在於，包括：第一步驟，其中，獲得通過四端子法測得的測定對象的直流電阻的第一測定值，和通過二端子法測得並基於校正公式校正後的所述測定對象的直流電阻的第二測定值；其中，所述校正公式，用以校正所述測定對象的直流電阻的真值與所述測定對象的直流電阻通過二端子法測得的測定值之間的誤差，從而使所述第二測定值接近真值不受到接觸電阻的影響；以及第二步驟，其中，基於所述第一步驟中獲取的所述第一測定值和所述第二測定值，計算由二端子法得到的接觸電阻所引起的電阻分量，並生成表示所述電阻分量和所述第一測定值之間的關係的殘留誤差資料。
9. 一種資料處理控制用程式，其特徵在於，使電腦執行請求項8所述的資料處理控制方法中的各步驟。

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