JP7258197B1 - データ処理制御装置、検査装置、データ処理制御方法、およびデータ処理制御用プログラム。 - Google Patents

Abstract

【課題】電子部品の検査における残留誤差の解析を容易にする。【解決手段】データ処理制御装置１０は、４端子法によって測定した測定対象物の直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４と、２端子法によって測定し、補正した測定対象物の直流抵抗の測定値Ｒｄｃ２と、を取得するデータ取得部２１と、直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４と直流抵抗の測定値Ｒｄｃ２とに基づいて２端子法による接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲを算出し、抵抗成分ΔＲと直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４との関係を示す残留誤差データ２６を生成する残留誤差データ生成部２３と、を備えることを特徴とする。【選択図】図４

Description

本発明は、データ処理制御装置、検査装置、データ処理制御方法、およびデータ処理制御用プログラムに関し、例えば、インダクタ素子を検査する検査装置に関する。

従来、チップインダクタ等の電子部品の電気的特性を測定し、測定結果に基づいて電子部品の良否の判定を行う検査装置が知られている。例えば、特許文献１には、検査対象のインダクタ素子の交流抵抗およびインダクタンスを測定するとともに、それらの測定値を用いてＱ値を算出し、算出したＱ値に基づいてインダクタ素子の良否を判定する検査装置が開示されている。

特許文献１には、インダクタ素子の交流抵抗を測定する手法として、４端子法によって測定した直流抵抗の測定値から２端子法によって測定した直流抵抗の測定値を減算することによって、２端子法によるプローブの接触抵抗の推定値を算出し、接触抵抗の推定値に０以上１以下の係数を乗算した値を用いて交流抵抗の測定値を補正することが記載されている。

特許第６９４９６７５号公報

一般に、検査装置が備えているＬＣＲメータ等のインピーダンス測定器によって検査対象物（以下、「ＤＵＴ（Ｄｅｖｉｃｅ Ｕｎｄｅｒ Ｔｅｓｔ）」とも称する。）を測定した場合、測定器に取り付けられたケーブルやプローブの影響により、インピーダンス測定器によって測定したＤＵＴの測定値とＤＵＴの真値との間に誤差が生じる。そのため、一般に、ＤＵＴの検査（測定）を行う前に、インピーダンス測定器によって電気的特性が既知のデバイスを測定し、その測定値に基づいて測定値を補正するための補正式を生成する補正処理が行われる。

補正処理は、例えば、プローブピンを交換した場合や検査対象の電子部品のロットが変わった場合等、測定環境が変化した場合に、ユーザの判断に基づいて行われることが一般的である。例えば、インピーダンス測定器は、ユーザの操作に応じて、所定の測定条件においてデバイスの電気的特性を測定し、その測定値とデバイスの真値とに基づいて測定値を補正するための補正式を生成する。そして、インピーダンス測定器は、ＤＵＴの測定を行った際には、ＤＵＴの測定値を補正式を用いて補正し、補正した測定値をＤＵＴの測定結果として出力する。

ここで、インピーダンス測定器によってインダクタ素子の直流抵抗の測定を行う場合を考える。例えば、図７に示すように、インピーダンス測定器に取り付けられたケーブルやプローブ等は、インピーダンス測定器と検査対象のインダクタ素子との間に接続された２端子対回路とみなすことができる。

図７に示された２端子対回路の入出力の関係は、下記式（１）によって表すことができる。式（１）において、Ｖ１は２端子対回路（インピーダンス測定器側）の入力電圧、Ｉ１は２端子対回路（インピーダンス測定器側）の入力電流、Ｖ２は２端子対回路（ＤＵＴ側）の出力電圧、Ｉ２は２端子対回路（ＤＵＴ側）の出力電流、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄは２端子対回路のＦパラメータである。

ここで、ＤＵＴの直流抵抗の真値ＲｄはＲｄ＝Ｖ２／Ｉ２と表され、インピーダンス測定器によるＤＵＴの直流抵抗の測定値Ｒｄｍは、Ｒｄｍ＝Ｖ１／Ｉ１と表される。

したがって、ＤＵＴの直流抵抗の真値Ｒｄと測定値Ｒｄｍとの関係、すなわちＤＵＴの直流抵抗の測定値を補正するための補正式は、下記式（２）によって表すことができる。

上記補正式（２）における３つの定数Ｂ’（＝Ｂ／Ｄ）、Ｃ’（＝Ｃ／Ｄ），Ａ’（＝Ａ／Ｄ）は、電気的特性が互いに異なる３つの基準（測定条件）における測定結果に基づいて求めることができる。例えば、電気的特性が互いに異なる３つの基準デバイスを２端子法によって測定したときのそれぞれの測定値と真値とを上記補正式（２）に代入し、それによって得られた３つの連立方程式を解くことにより、３つの定数Ｂ’（＝Ｂ／Ｄ）、Ｃ’（＝Ｃ／Ｄ），Ａ’（＝Ａ／Ｄ）をそれぞれ求めることができる。

そして、実際にインピーダンス測定器によって検査対象のインダクタ素子の直流抵抗を２端子法によって測定する際には、インピーダンス測定器によって測定したＤＵＴの直流抵抗の測定値を上記補正式（２）のＲｄｍに代入し、それによって得られたＲｄをＤＵＴの直流抵抗の真値とする。これにより、２端子法によるプローブの接触抵抗の影響を除去した高精度な直流抵抗の測定が可能となる。

しかしながら、上述した手法によって検査装置内のインピーダンス測定器の補正を行ったとしても、インダクタ素子の直流抵抗の測定値と真値との誤差を適切に補正できない場合があることを本願発明者は見出した。

例えば、ＤＵＴとしてのインダクタ素子の直流抵抗を２端子法によって測定する際に、ショート基準時における接触抵抗の値とロード基準時における接触抵抗の値とが相違していた場合や、補正時における接触抵抗の値と検査時における接触抵抗の値とが相違していた場合には、上記補正式によってＤＵＴの直流抵抗の測定値と真値との誤差を適切に除去できないおそれがある。

例えば、図８に示すように、２端子法による測定系をプローブの接触抵抗Ｒｃと他の誤差要素とを区別して描いた等価回路において、等価回路の入出力の関係は、下記式（３）によって表される。

式（３）において、接触抵抗Ｒｃの値が一定である場合には、式（３）から、上述の補正式（２）と同様の補正式を導きだすことができる。
しかしながら、上述したように、補正条件によって接触抵抗の値が異なる場合や補正時と検査時とで接触抵抗の値が異なる場合には、接触抵抗の値Ｒｃが測定毎に変化することになる。そのため、接触抵抗Ｒｃの値が一定であるという前提の下で導出した補正式を用いて測定値を補正したとしても、接触抵抗の変動の影響が測定値の誤差として残ることになる。換言すれば、補正によって除去されない誤差（以下、「残留誤差」とも称する。）が存在することになる。

残留誤差が存在する場合には、補正処理を再度を行って、新たに補正式を生成することにより、残留誤差を低減できる場合がある。しかしながら、従来の検査装置では、どの程度の残留誤差があるのかをユーザが知ることが困難であったため、再補正の必要性等をユーザが適切に判断することは容易ではなかった。

本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、電子部品の検査における残留誤差の解析を容易にすることを目的とする。

本発明の代表的な実施の形態に係るデータ処理制御装置は、４端子法によって測定した測定対象物の直流抵抗の第１測定値と、２端子法によって測定した前記測定対象物の直流抵抗の第２測定値と、を取得するデータ取得部と、前記第１測定値と前記第２測定値とに基づいて、２端子法による接触抵抗に起因する抵抗成分を算出し、前記抵抗成分と前記第１測定値との関係を示す残留誤差データを生成する残留誤差データ生成部と、を備えることを特徴とする。

本発明に係る検査装置によれば、電子部品の検査における残留誤差の解析が容易となる。

実施の形態に係るデータ処理制御装置を備えた検査装置の構成を示す図である。 実施の形態に係るデータ処理制御装置１０の構成を示す図である。 実施の形態に係る検査装置の出力部に表示された残留誤差データに基づく情報の一例を示す図である。 第２測定部とＤＵＴ（インダクタ素子）との間に存在する測定系の等価回路の一例を示す図である。 第２測定部に接続されたプローブの接触抵抗に起因する抵抗成分の影響を説明するための図である。 実施の形態に係る検査装置による残留誤差データの生成のための処理の流れを示すフローチャートである。 インピーダンス測定器とＤＵＴ（インダクタ素子）との間に存在する測定系の等価回路の一例を示す図である。 インピーダンス測定器とＤＵＴ（インダクタ素子）との間に存在する測定系の等価回路の別の一例を示す図である。

１．実施の形態の概要
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。なお、以下の説明では、一例として、発明の構成要素に対応する図面上の参照符号を、括弧を付して記載している。

〔１〕本発明の代表的な実施の形態に係るデータ処理制御装置（１０）は、４端子法によって測定した測定対象物の直流抵抗の第１測定値（Ｒｄｃ４）と、２端子法によって測定し、補正した前記測定対象物の直流抵抗の第２測定値（Ｒｄｃ２）と、を取得するデータ取得部（２１）と、前記第１測定値と前記第２測定値とに基づいて２端子法による接触抵抗に起因する抵抗成分を算出し、前記抵抗成分と前記第１測定値との関係を示す残留誤差データ（２６）を生成する残留誤差データ生成部（２３）と、を備えることを特徴とする。

〔２〕上記〔１〕のデータ処理制御装置において、前記残留誤差データ生成部は、前記測定対象物毎に、前記抵抗成分と前記第１測定値とを対応付けたデータ対（２７＿１～２７＿ｎ）を生成し、生成した複数の前記データ対に基づいて、前記第１測定値と前記抵抗成分との関係を表す回帰モデル（２８）を生成してもよい。

〔３〕上記〔２〕のデータ処理制御装置は、前記回帰モデルに基づいて、前記接触抵抗の値を推定する接触抵抗推定部（２４）を更に備えていてもよい。

〔４〕上記〔２〕または〔３〕に記載のデータ処理制御装置において、前記回帰モデルが一次関数である場合に、前記残留誤差データは、前記一次関数の傾き（ａ）の情報を含んでもよい。

〔５〕上記〔２〕乃至〔４〕の何れかに記載のデータ処理制御装置において、前記回帰モデルが一次関数である場合に、前記残留誤差データは、前記一次関数上の前記第１測定値の平均値（Ｒｄｃ４ａ）に対応する前記抵抗成分の値（ΔＲｒ）の情報（３２）を含んでもよい。

〔６〕上記〔２〕乃至〔５〕の何れかのデータ処理制御装置において、前記回帰モデルが一次関数である場合に、前記残留誤差データは、前記一次関数の切片（ｂ）の情報を含んでもよい。

〔７〕本発明の代表的な実施の形態に係る検査装置（１）は、上記〔１〕乃至〔６〕の何れかに記載のデータ処理制御装置（１０）と、前記データ処理制御装置による制御に応じて、前記測定対象物の直流抵抗を４端子法によって測定し、前記第１測定値を得る第１測定部（１１）と、前記データ処理制御装置による制御に応じて、前記測定対象物の直流抵抗を２端子法によって測定し、補正した前記第２測定値を得る第２測定部（１２）と、前記残留誤差データに基づく情報を出力する出力部（１４）と、を備えることを特徴とする。

〔８〕本発明の代表的な実施の形態に係るデータ処理制御方法は、４端子法によって測定した測定対象物の直流抵抗の第１測定値（Ｒｄｃ４）と、２端子法によって測定し、補正した前記測定対象物の直流抵抗の第２測定値（Ｒｄｃ２）とを取得する第１ステップ（Ｓ１～Ｓ４）と、前記第１ステップにおいて取得した前記第１測定値と前記第２測定値とに基づいて、２端子法による接触抵抗に起因する抵抗成分を算出し、前記抵抗成分と前記第１測定値との関係を示す残留誤差データ（２６）を生成する第２ステップ（Ｓ７）と、を含むことを特徴とする。

〔９〕本発明の代表的な実施の形態に係るデータ処理制御用プログラムは、コンピュータに、上記〔８〕のデータ処理制御方法における各ステップを実行させることを特徴とする。

２．実施の形態の具体例
以下、本発明の実施の形態の具体例について図を参照して説明する。なお、以下の説明において、各実施の形態において共通する構成要素には同一の参照符号を付し、繰り返しの説明を省略する。

図１は、実施の形態に係るデータ処理制御装置１０を備えた検査装置１の構成を示す図である。

図１に示す検査装置１は、検査対象物（ＤＵＴ）の良否を検査する装置である。検査装置１は、ＤＵＴの電気的特性を測定し、その測定結果に基づいてＤＵＴの良否を検査する。例えば、検査装置１は、小型の電子部品（チップ部品）の良否を検査し、良品と判定したチップ部品を出荷可能な状態にパッケージングする装置（所謂チップテーピング機）である。

本実施の形態において、ＤＵＴがインダクタ素子（例えば、チップインダクタ素子）である場合を例にとり説明するが、これに限定されるものではない。

検査装置１は、例えば、データ処理制御装置１０、第１測定部１１、第２測定部１２、操作部１３、出力部１４、および搬送機構１５を備えている。

第１測定部１１は、ＤＵＴとしてのインダクタ素子の電気的特性を４端子法によって測定する装置である。第１測定部１１としては、４端子法によるインピーダンスの測定が可能な抵抗計やＬＣＲメータ等のインピーダンス測定器を例示することができる。

第２測定部１２は、ＤＵＴとしてのインダクタ素子の電気的特性を２端子法によって測定する装置である。第２測定部１２としては、２端子法によるインピーダンスの測定が可能なＬＣＲメータ等のインピーダンス測定器を例示することができる。

なお、第１測定部１１および第２測定部１２は、ＤＵＴのインピーダンス等の電気的特性を測定可能な装置であればよく、上述の例に限定されない。

第１測定部１１は、データ処理制御装置１０からの指示に応じて、ＤＵＴとしてのインダクタ素子の直流抵抗を４端子法によって測定する。例えば、第１測定部１１は、プローブ６１ａ～６１ｄを移動させる移動機構（不図示）と、電流出力部および電圧検出部（不図示）と、検出結果に基づいて測定値を算出する測定値算出部（不図示）とを有している。

第１測定部１１は、例えば、データ処理制御装置１０から測定実行の指示を受け付けた場合に、第１測定部１１の移動機構が、所定の測定位置に搬送されたインダクタ素子の一方の端子にプローブ６１ａ，６１ｃを接触させるとともに、インダクタ素子の他方の端子にプローブ６１ｂ，６１ｄを接触させる。次に、第１測定部１１の電流出力部が、プローブ６１ａ，６１ｂを介して直流電流をインダクタ素子に供給する。第１測定部１１の電圧検出部は、直流電流をインダクタ素子に供給したときのインダクタ端子間の電圧値をプローブ６１ｃ，６１ｄを介して検出する。第１測定部１１の測定値算出部は、検出した電圧値とインダクタ素子に供給した直流電流の電流値とに基づいて、インダクタ素子の直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４を算出する。

第２測定部１２は、データ処理制御装置１０からの指示に応じて、ＤＵＴとしてのインダクタ素子の直流抵抗、交流抵抗、およびインダクタンスを２端子法によって測定する。例えば、第２測定部１２は、プローブ６２ａ，６２ｂを移動させる移動機構（不図示）と、電流出力部および電圧検出部（不図示）と、検出結果に基づいて測定値を算出する測定値算出部（不図示）とを有している。

例えば、第２測定部１２は、データ処理制御装置１０から測定実行の指示を受け付けた場合に、第２測定部１２の移動機構が、所定の測定位置に搬送されたインダクタ素子の一方の端子にプローブ６２ａを接触させるとともに、インダクタ素子の他方の端子にプローブ６２ｂを接触させる。次に、第２測定部１２の電流出力部が、プローブ６２ａ，６２ｂを介して直流電流をインダクタ素子に供給し、第２測定部１２の電圧検出部が、インダクタ素子の両端子間の電圧値をプローブ６２ａ，６２ｂを介して検出する。第２測定部１２の測定値算出部は、検出した電圧値とインダクタ素子に供給した直流電流の電流値とに基づいて、インダクタ素子の直流抵抗の測定値Ｒｄｃ２を算出する。

また、第２測定部１２の移動機構によってインダクタ素子の両端子にプローブ６２ａ，６２ｂをそれぞれ接触させた状態において、第２測定部１２の電流出力部が、プローブを介して交流電流をインダクタ素子に供給し、第２測定部１２の電圧検出部が、インダクタ素子の両端子間の交流電圧値をプローブ６２ａ，６２ｂを介して検出する。第２測定部１２の測定値算出部は、検出した交流電圧値（電圧実効値）と、インダクタ素子に供給した交流電流の交流電流値（電流実効値）と、交流電圧と交流電流との位相差と、に基づいてインダクタ素子の交流抵抗の測定値Ｒｓおよびインダクタンスの測定値Ｌを算出する。

第１測定部１１および第２測定部１２は、ユーザからの指示に応じたデータ処理制御装置１０から制御により、検査対象物の真値と測定値との誤差を補正するための補正式を生成する補正処理を行う。

例えば、第２測定部１２は、電気的特性が異なる３つの基準における測定結果に基づいて補正式を生成する。電気的特性が異なる３つの基準としては、オープン基準、ショート基準、およびロード基準を例示することができる。オープン基準は、プローブ６２ａとプローブ６２ｂとの間をオープン（開放）状態とした測定条件である。ショート基準は、プローブ６２ａとプローブ６２ｂとの間をショート（短絡）状態とした測定条件である。ロード基準は、プローブ６２ａとプローブ６２ｂとの間に負荷（例えば、直流抵抗の真値が既知であるインダクタ素子）を接続した測定条件である。

第２測定部１２は、例えば、オープン基準、ショート基準、およびロード基準においてそれぞれ測定された電圧および電流の測定値と真値とを、上述した補正式（２）に代入することによって得られた３つの連立方程式を解くことにより、上記補正式（２）の各定数（Ｂ’，Ｃ’，Ａ’）をそれぞれ算出する。そして、第２測定部１２は、ＤＵＴの直流抵抗を測定した際には、検知したＤＵＴの直流抵抗の値を各定数（Ｂ’，Ｃ’，Ａ’）が定められた補正式（２）に代入することによって補正し、補正後の値を直流抵抗の測定値Ｒｄｃ２として出力する。

上記補正式（２）の各定数（Ｂ’，Ｃ’，Ａ’）を算出するために行われる、電気的特性が異なる３つの基準での測定は、上述の例に限定されない。例えば、直流抵抗（既知）が互いに異なる３種類のインダクタ素子をプローブ６２ａとプローブ６２ｂとの間に接続した３つの異なるロード基準における測定値を用いて３つの連立方程式を導出し、各定数（Ｂ’，Ｃ’，Ａ’）を算出してもよい。

なお、第１測定部１１および第２測定部１２の一部の機能は、データ処理制御装置１０によって実現してもよい。例えば、第１測定部１１および第２測定部１２の各測定値算出部による上記演算は、データ処理制御装置１０が実行してもよい。

操作部１３は、ユーザが検査装置１を操作するための入力インターフェースである。操作部１３としては、各種のボタンやタッチパネル等を例示することができる。例えば、ユーザが操作部１３を操作することにより、ＤＵＴとしてのインダクタ素子を検査するための各種検査条件等を検査装置１に設定するとともに、検査等の実行および停止を検査装置１に指示することができる。

出力部１４は、検査装置１における検査条件や検査結果などの各種情報を出力するための機能部である。出力部１４は、例えば、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）や有機ＥＬを備えた表示装置である。例えば、出力部１４は、ユーザによる操作部１３の操作によってＤＵＴの検査の実行が指示された場合に、データ処理制御装置１０による制御に応じて検査結果等の情報を画面に表示する。

なお、出力部１４は、操作部１３としての一部の機能を実現するタッチパネルを備えた表示装置であってもよい。また、出力部１４は、検査結果等のデータを有線または無線によって外部に出力する通信回路等を含んでいてもよい。

搬送機構１５は、データ処理制御装置１０の制御に応じて、検査装置１内の適切な箇所に検査対象のインダクタ素子を搬送する装置である。例えば、第１測定部１１による測定を行う際に、搬送機構１５は、検査対象のインダクタ素子を第１測定部１１による所定の測定位置まで搬送する。また、例えば、第２測定部１２による測定を行う際に、搬送機構１５は、検査対象のインダクタ素子を第２測定部１２による所定の測定位置まで搬送する。更に、搬送機構１５は、検査が終了したインダクタ素子のうち良品と判定されたインダクタ素子をパッケージングするための位置まで搬送し、パッケージングしたインダクタ素子を次の工程における所定の場所まで搬送する。

データ処理制御装置１０は、検査装置１内の各機能部を統括的に制御するとともに、ＤＵＴの検査のための各種のデータ処理を行う機能部である。例えば、データ処理制御装置１０は、ＣＰＵ等のプロセッサと、ＲＯＭやＲＡＭ、フラッシュメモリ等の記憶装置と、タイマ等の周辺回路とを有するプログラム処理装置である。プログラム処理装置としては、例えば、ＭＣＵやＦＰＧＡ等を例示することができる。

データ処理制御装置１０は、第１測定部１１および第２測定部１２による測定結果を取得し、取得した測定結果に基づいてインダクタ素子の性能を示す指標を算出するとともに、算出した指標に基づいて検査対象のインダクタ素子の良否を判定する。ここで、インダクタ素子の性能を示す指標は、例えば、Ｑ値である。

データ処理制御装置１０は、例えば、ユーザからの指示に応じて、第１測定部１１および第２測定部１２に補正処理を実行させることにより、測定値と真値との誤差を補正するための補正式を生成させる。

上述したように、２端子法によってインダクタ素子の交流抵抗を測定した場合、その測定値は、第２測定部１２とＤＵＴとの間に存在するケーブルおよびプローブ（６２ａ，６２ｂ）等を含む測定系に起因する抵抗成分の影響を受ける。この抵抗成分の影響は、上記補正処理に基づく補正式を用いることにより除去することが可能であるが、上述したように、補正条件によって接触抵抗の値が相違した場合や補正時と検査時とで接触抵抗の値が変化した場合には、上記補正式によって除去できない残留誤差が存在することになる。

そこで、本実施の形態に係る検査装置１は、ＤＵＴの検査機能に加えて、第２測定部１２による測定における残留誤差をユーザが容易に解析できるようにするための解析支援機能を備えている。以下、検査機能および解析支援機能について、詳細に説明する。

図２は、実施の形態に係るデータ処理制御装置１０の構成を示す図である。

図２に示すように、検査装置１におけるデータ処理制御装置１０は、検査機能および解析支援機能を実現するための機能部として、例えば、データ取得部２１、記憶部２２、残留誤差データ生成部２３、接触抵抗推定部２４、および判定部２５を有する。これらの機能部は、例えば、データ処理制御装置１０としてのプログラム処理装置において、ＣＰＵが、メモリに記憶されたプログラムにしたがって各種演算を実行するとともにカウンタ等の周辺回路を制御することにより、実現される。

データ取得部２１は、検査対象のインダクタ素子の性能を示す指標（Ｑ値）の算出と残留誤差に関する情報（以下、「残留誤差データ」とも称する）の生成に必要な各種データを取得する機能部である。

データ取得部２１は、例えば、第１測定部１１が４端子法によって測定したＤＵＴの直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４を取得し、記憶部２２に記憶する。データ取得部２１は、例えば、第２測定部１２が２端子法によって測定したＤＵＴの直流抵抗の測定値Ｒｄｃ２と、第２測定部１２が２端子法によって測定したＤＵＴの交流抵抗の測定値Ｒｓと、第２測定部１２が２端子法によって測定したＤＵＴのインダクタンスの測定値Ｌとをそれぞれ取得し、検査対象の測定データ５０として記憶部２２に記憶する。

記憶部２２は、検査対象のインダクタ素子の性能を示す指標（Ｑ値）の算出と残留誤差データの生成に必要な各種データと、残留誤差データ生成部２３、接触抵抗推定部２４、および判定部２５によって生成されたデータを記憶するための機能部である。

上述したように、記憶部２２には、データ取得部２１によって取得された、直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４，Ｒｄｃ２、交流抵抗の測定値Ｒｓ、およびインダクタンスの測定値Ｌを含む検査されたインダクタ素子毎の測定データ５０が記憶される。また、記憶部２２には、例えば、後述する残留誤差データ生成部２３によって生成された残留誤差データ２６と接触抵抗推定部２４によって算出された接触抵抗の推定値Ｒｃｄとが、それぞれ記憶される。

判定部２５は、検査対象のＤＵＴ（インダクタ素子）の性能に関する指標を算出し、算出した指標に基づいて検査対象のインダクタ素子の良否を判定する機能部である。

具体的には、判定部２５は、検査対象のインダクタ素子の測定データ５０に含まれる交流抵抗の測定値Ｒｓおよびインダクタンスの測定値Ｌに基づいて、検査対象のインダクタ素子の性能を表す指標であるＱ値（Ｑ＝ωＬ／Ｒｓ）を算出する。

判定部２５は、例えば、算出したＱ値に基づいて検査対象のインダクタ素子の良否判定を行うとともに、搬送機構１５を制御することにより、図外のパッケージング装置によって良品のインダクタ素子をパッケージングする。

なお、判定部２５は、測定データ５０に含まれる交流抵抗の測定値Ｒｓを直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４，Ｒｄｃ２を用いて補正し、補正後の交流抵抗の測定値とインダクタンスの測定値Ｌとに基づいて、Ｑ値（Ｑ＝ωＬ／Ｒｓｒ）を算出してもよい。

残留誤差データ生成部２３は、上述した第２測定部１２における残留誤差に関する残留誤差データ２６を生成する機能部である。

残留誤差データ生成部２３は、第１測定部１１が４端子法によって測定した検査対象のインダクタ素子の直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４（第１測定値）と、第２測定部１２が２端子法によって測定した検査対象のインダクタ素子の直流抵抗の測定値Ｒｄｃ２（第２測定値）とに基づいて、２端子法による接触抵抗に起因する抵抗成分を算出する。

例えば、残留誤差データ生成部２３は、直流抵抗の測定値Ｒｄｃ２から直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４を減算して得られた値を、接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲとする（ΔＲ＝Ｒｄｃ２－Ｒｄｃ４）。

残留誤差データ生成部２３は、接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲと直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４との関係を示す残留誤差データ２６を生成する。残留誤差データ生成部２３は、残留誤差データ２６に基づく情報を出力部１４に表示させる。

具体的には、残留誤差データ生成部２３は、検査したインダクタ素子毎に、接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲを算出し、算出した接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲに直流抵抗Ｒｄｃ４を対応付けたデータ対２７＿１～２７＿ｎを生成する。これにより、検査したインダクタ素子の数だけデータ対２７＿１～２７＿ｎが生成されることになる。

残留誤差データ生成部２３は、接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲと直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４とを互いに直交する２軸とした二次元座標系に、生成した複数のデータ対２７＿１～２７＿ｎをプロットしたグラフを出力部１４の画面に表示させる。

図３は、実施の形態に係る検査装置１の出力部１４に表示された残留誤差データに基づく情報の一例を示す図である。

残留誤差データ生成部２３は、例えば、図３に示すように、横軸（Ｘ軸）を直流抵抗Ｒｄｃ４とし、縦軸（Ｙ軸）を接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲとした２次元の座標系に、検査したインダクタ素子毎のデータ対２７＿１～２７＿ｎをプロットしたプロット図１４０を出力部１４の画面に表示させる。

また、残留誤差データ生成部２３は、生成した複数のデータ対に基づいて、直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４と接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲとの関係を表す回帰モデル２８を生成する。

例えば、残留誤差データ生成部２３は、線形または非線形の回帰分析を行うことにより、直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４を説明変数とし、接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲを目的変数とした関数を導出する。より具体的には、残留誤差データ生成部２３は、複数のデータ対に対して線形回帰分析を行うことにより、例えば、直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４を説明変数とし、接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲを目的変数とした一次関数の回帰モデル２８を導出し、図３に示すように、残留誤差データ２６に基づく情報として、プロット図１４０とともに回帰モデル２８としての一次関数１４１を出力部１４（表示装置）に表示させる。

この場合、残留誤差データ２６には、回帰モデル２８としての一次関数１４１の傾きの情報２９と一次関数１４１の切片の情報３０とが含まれる。

また、図３に示すように、残留誤差データ生成部２３は、生成したデータ対２７＿１～２７＿ｎの直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４の平均値（以下、単に「平均値」とも称する。）Ｒｄｃ４ａを算出する。更に、残留誤差データ生成部２３は、一次関数１４１上の平均値Ｒｄｃ４ａに対応する接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲの値（以下、「接触抵抗に起因する抵抗成分の代表値」とも称する。）ΔＲｒを算出する。接触抵抗に起因する抵抗成分の代表値ΔＲｒは、平均値Ｒｄｃ４ａを一次関数１４１に代入することによって得られる。平均値Ｒｄｃ４ａの情報３１と接触抵抗に起因する抵抗成分の代表値ΔＲｒの情報３２とは、残留誤差データ２６として記憶部２２に記憶される。

また、残留誤差データ生成部２３は、図３に示すように、一次関数１４１の傾きの情報２９、一次関数１４１の切片の情報３０、平均値Ｒｄｃ４ａの情報３１、および接触抵抗に起因する抵抗成分の代表値ΔＲｒの情報３２のうち、少なくとも一つの情報を出力部１４の画面に表示させてもよい。

次に、回帰モデル２８に基づく残留誤差の解析方法について説明する。
ここでは、回帰モデル２８を一次関数としたときの傾きと接触抵抗に起因する抵抗成分の代表値ΔＲｒとから読み取ることができる残留誤差の要因について説明する。

先ず、傾きについて説明する。

図４は、第２測定部１２とＤＵＴ（インダクタ素子）との間に存在する測定系の等価回路の一例を示す図である。
図５は、第２測定部１２に接続されたプローブの接触抵抗に起因する抵抗成分の影響を説明するための図である。

図５において、横軸（Ｘ軸）は直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４を表し、縦軸（Ｙ軸）は、接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲ（＝Ｒｄｃ２－Ｒｄｃ４）を表している。

第２測定部１２からケーブル等を介してＤＵＴ側をみたときの直流抵抗Ｒｒは、インダクタ素子の直流抵抗Ｒｄとプローブの接触抵抗Ｒｃとの直列接続の合成抵抗となる（Ｒｒ＝Ｒｃ＋Ｒｄ）。

接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲ（＝Ｒｄｃ２－Ｒｄｃ４）を接触抵抗そのものの値とみなした場合、補正条件に関わらず接触抵抗が一定の値であれば、図５の参照符号１５０に示すように、直流抵抗Ｒｄｃ４に対する接触抵抗ΔＲの特性を示す一次関数の傾きがゼロとなり、Ｘ軸と平行になる。一方、補正条件によって接触抵抗が相違する場合、図５の参照符号１５１に示すように、直流抵抗Ｒｄｃ４に対する接触抵抗ΔＲの特性を示す一次関数の傾きはゼロとならない。この点について、以下に詳細に説明する。

第２測定部１２は、ＤＵＴの直流抵抗を測定したとき、上述した補正処理によって生成した補正式（例えば、上述した式（２））によって補正した直流抵抗の測定値Ｒｄｃ２を出力する。この直流抵抗の測定値Ｒｄｃ２は、補正式によって接触抵抗に起因する抵抗成分が除去された値となる。

例えば、直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４がロード基準時の直流抵抗の真値Ｒｄｌと等しい場合、直流抵抗の測定値Ｒｄｃ２は、補正式によってロード基準時の接触抵抗Ｒｃｌが除去された値となる。一方、直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４がショート基準時の直流抵抗の真値Ｒｄｓと等しい場合、直流抵抗の測定値Ｒｄｃ２は、補正式によってショート基準時の接触抵抗Ｒｃｓが除去された値となる。

ここで、ロード基準時の接触抵抗Ｒｃｌとショート基準時の接触抵抗Ｒｃｓとが同じ値である場合、Ｒｄｌ＝Ｒｄｃ４であるときの接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲと、Ｒｄｓ＝Ｒｄｃ４であるときの接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲとが一致する。すなわち、図５の参照符号１５０に示すように、直流抵抗Ｒｄｃ４に対する接触抵抗ΔＲの特性を示す一次関数の傾きがゼロとなり、Ｘ軸と平行になる。

これに対し、ロード基準時の接触抵抗Ｒｃｌとショート基準時の接触抵抗Ｒｃｓとが一致しない場合、Ｒｄｌ＝Ｒｄｃ４であるときの接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲと、Ｒｄｃ４＝Ｒｄｓであるときの接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲとが不一致となる。すなわち、図５の参照符号１５１に示すように、直流抵抗Ｒｄｃ４に対する接触抵抗ΔＲの特性を示す一次関数の傾きがゼロにならない。

したがって、残留誤差データ２６に含まれる回帰モデル２８（一次関数）の傾きの情報２９を参照することにより、ロード基準時の接触抵抗とショート基準時の接触抵抗との相違に基づく残留誤差の有無が分かる。

また、傾きの極性（正または負）を参照することにより、検査時の接触抵抗Ｒｃｄに対するロード基準時の接触抵抗Ｒｃｌのずれと、検査時の接触抵抗Ｒｃｄに対するショート基準時の接触抵抗Ｒｃｓのずれのどちらが大きいかを判断することができる。例えば、一次関数の傾きが正の場合、Ｒｃｌ＜Ｒｃｓであることが分かる。一方、一次関数の傾きが負の場合、Ｒｃｓ＜Ｒｃｌであることが分かる。

次に、接触抵抗に起因する抵抗成分の代表値ΔＲｒについて説明する。
以下の説明において、ショート基準時の接触抵抗Ｒｃｓとロード基準時の接触抵抗Ｒｃｌとが一致しているものとし、ショート基準時およびロード基準時（以下、単に「補正時」とも称する。）の接触抵抗Ｒｃ、ＤＵＴの検査時の接触抵抗をＲｃｄとする。

第２測定部１２によってＤＵＴ（インダクタ素子）の直流抵抗の測定を行った場合、第２測定部１２から出力される直流抵抗の測定値Ｒｄｃ２は、補正時の接触抵抗Ｒｃを除去（補正）した値となる。すなわち、２端子法による直流抵抗の測定値Ｒｄｃ２が４端子法によって測定した直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４に検査時の接触抵抗Ｒｃｄを加算したものとみなした場合（Ｒｄｃ２＝Ｒｃｄ４＋Ｒｃｄ）、補正後の２端子法による直流抵抗の測定値Ｒｄｃ２は、下記式（４）によって表すことができる。

ここで、上述したように、接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲを下記式（５）によって定義する。

上記式（４）のＲｄｃ４を左辺に移項することによって得られた式と上記式（５）とより、下記式（６）が得られる。

上記式（６）から理解されるように、接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲは、ＤＵＴの検査時の接触抵抗Ｒｃｄと補正時の接触抵抗をＲｃとの差を表している。

ＤＵＴの検査時の接触抵抗Ｒｃｄと補正時の接触抵抗が一致している場合、ΔＲがゼロとなる。一方、ＤＵＴの検査時の接触抵抗Ｒｃｄが補正時の接触抵抗より大きい場合、ΔＲ＞０となる。また、ＤＵＴの検査時の接触抵抗Ｒｃｄが補正時の接触抵抗より小さい場合、ΔＲ＜０となる。

そこで、ΔＲの代表値としての、一次関数１４１上の平均値Ｒｄｃ４ａに対応する接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲの値（接触抵抗に起因する抵抗成分の代表値）ΔＲｒの情報３２を参照することにより、補正時の接触抵抗と検査時の接触抵抗の相違に基づく残留誤差の有無が分かる。また、接触抵抗に起因する抵抗成分の代表値ΔＲｒの極性（正または負）を参照することにより、補正時の接触抵抗と検査時の接触抵抗のどちらが大きいかが分かる。

データ処理制御装置１０は、上述した検査機能および解析支援機能に加えて、接触抵抗の値を推定する機能を有していてもよい。例えば、データ処理制御装置１０は、残留誤差データ生成部２３によって生成された回帰モデル２８に基づいて、接触抵抗の値を推定する接触抵抗推定部２４を有していてもよい。以下、接触抵抗推定部２４による接触抵抗の推定方法について説明する。

例えば、回帰モデル２８を一次関数とし、下記式（７）によって定義する

傾きａは、下記式（８）によって表され、切片ｂは、下記式（９）によって表される。

式（８）において、Ｒｃｌはロード基準時の接触抵抗の値であり、Ｒｃｓはショート基準時の接触抵抗の値である。Ｒｒｌはロード基準時の基準（測定対象）の抵抗値Ｒｄｌに接触抵抗Ｒｃｌを加算した値（Ｒｒｌ＝Ｒｄｌ＋Ｒｃｌ）である。Ｒｒｓはショート基準時の基準（測定対象）の抵抗値Ｒｄｓに接触抵抗Ｒｃｓを加算した値（Ｒｒｓ＝Ｒｄｓ＋Ｒｃｓ）である。また、Ｒｃｄは、検査時における接触抵抗の値である。

ここで、ＲｄｌとＲｄｓは、補正時の基準となる抵抗値であるため、既知である。また、傾きａと切片ｂの値は、上述した残留誤差データ生成部２３による回帰モデル２８の生成処理（回帰分析）によって算出されているため、既知である。したがって、式（８）において、補正時の接触抵抗Ｒｃｌ，Ｒｃｓと検査時の接触抵抗Ｒｃｄとが未知の値である。

先ず、接触抵抗推定部２４は、残留誤差データ生成部２３による回帰分析によって算出された傾きａの値に基づいて、上記式（８）を満たす接触抵抗Ｒｃｓ，Ｒｃｌのそれぞれの値を、公知のフィッテイング演算により求める。

次に、接触抵抗推定部２４は、上述のフィッテイング演算により求めたＲｃｓおよびＲｃｌと、残留誤差データ生成部２３による回帰分析によって算出された切片ｂの値とを上記式（９）に代入することにより、検査時の接触抵抗の推定値Ｒｃｄを求める。接触抵抗推定部２４は、算出した接触抵抗の推定値Ｒｃｄを記憶部２２に記憶する。
以上説明した手法により、接触抵抗の推定値を算出することができる。

次に、検査装置１による残留誤差データの生成に係る処理の流れについて説明する。

ここでは、第２測定部１２が、上述した電気的特性が互いに異なる３つの基準の測定結果に基づいて補正処理を行って補正式（例えば、式（２））を生成した後に、所定数のＤＵＴの検査を実施し、それらの検査結果に基づいて残留誤差データを生成する場合について説明する。

図６は、実施の形態に係る検査装置１による残留誤差データを生成するための処理の流れを示すフローチャートである。

例えば、検査装置１においてオープン基準、ショート基準、およびロード基準における測定が行われた後に、ユーザが検査装置１の操作部１３を操作してＤＵＴ（インダクタ素子）の検査の実行を指示したとする。このとき、検査装置１は、ユーザからの指示に応じて、検査対象のインダクタ素子の検査を開始する。

先ず、検査装置１におけるデータ処理制御装置１０が、第１測定部１１を制御することにより、検査対象のインダクタ素子の直流抵抗を４端子法によって測定させる（ステップＳ１）。例えば、データ処理制御装置１０は、操作部１３からの指示信号に応じて搬送機構１５を制御することにより、検査対象のインダクタ素子を第１測定部１１における所定の測定位置に搬送させる。その後、データ処理制御装置１０は、第１測定部１１を制御して、４端子法により、検査対象のインダクタ素子の直流抵抗を測定させ、直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４を取得する。

次に、データ処理制御装置１０が、第２測定部１２を制御することにより、検査対象のインダクタ素子の直流抵抗を２端子法によって測定させる（ステップＳ２）。例えば、データ処理制御装置１０は、搬送機構１５を制御することにより、検査対象のインダクタ素子を第２測定部１２における所定の測定位置に搬送させる。その後、データ処理制御装置１０は、第２測定部１２を制御して、２端子法により検査対象のインダクタ素子の直流抵抗を測定させ、直流抵抗の測定値Ｒｄｃ２を取得する。

次に、データ処理制御装置１０が、第２測定部１２を制御することにより、検査対象のインダクタ素子の交流抵抗の測定値Ｒｓおよびインダクタンスの測定値Ｌを２端子法によって測定させる（ステップＳ３）。例えば、検査対象のインダクタ素子をステップＳ１２と同様の測定位置に配置した状態において、データ処理制御装置１０が、第２測定部１２を制御して、検査対象のインダクタ素子の交流抵抗を測定させ、交流抵抗の測定値Ｒｓおよびインダクタンスの測定値Ｌをそれぞれ取得する。

次に、データ処理制御装置１０が、第２測定部１２を制御して、ステップＳ１２と同様の手法により、検査対象のインダクタ素子の直流抵抗を２端子法によって測定させる（ステップＳ４）。

ステップＳ１～Ｓ４においてデータ処理制御装置１０が取得した、直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４，Ｒｄｃ２、交流抵抗の測定値Ｒｓ、およびインダクタンスの測定値Ｌは、検査対象のインダクタ素子の測定データ５０として記憶部２２に記憶される。

次に、判定部２５は、ステップＳ１８またはステップＳ１９によって算出した交流抵抗の補正値Ｒｓｒと、ステップＳ１３において取得したインダクタンスの測定値Ｌとに基づいて、検査対象のインダクタ素子のＱ値を算出する（ステップＳ５）。

次に、データ処理制御装置１０は、予め設定された所定数のサンプル（ＤＵＴ）の検査が完了したか否かを判定する。所定数のＤＵＴの検査が完了していない場合には、データ処理制御装置１０は、ステップＳ１に戻り、ステップＳ１～Ｓ６の処理を再度行う。

一方、所定数のＤＵＴの検査が完了した場合には、データ処理制御装置１０は、所定数のＤＵＴの検査結果を用いて、残留誤差データ２６を生成する（ステップＳ７）。具体的には、残留誤差データ生成部２３が、上述した手法により、検査したＤＵＴ毎に、直流抵抗Ｒｄｃ４と接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲ（＝Ｒｄｃ２－Ｒｄｃ４）とを一組とするデータ対２７＿１～２７＿ｎを生成し、生成した複数のデータ対２７＿１～２７＿ｎに基づいて、直流抵抗Ｒｄｃ４と接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲ（＝Ｒｄｃ２－Ｒｄｃ４）との関係を表す回帰モデル２８（例えば一次関数）を生成する。また、残留誤差データ生成部２３は、上述したように、直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４の平均値Ｒｄｃ４ａと、一次関数１４１上の直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４の平均値Ｒｄｃ４ａに対応する、接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲの値（接触抵抗に起因する抵抗成分の代表値）ΔＲｒを算出する。このとき、残留誤差データ生成部２３は、例えば、残留誤差データ２６としての回帰モデル２８の傾き、切片、平均値Ｒｄｃ４ａ、および接触抵抗に起因する抵抗成分の代表値ΔＲｒの情報を、個別に出力可能な形態で記憶部２２に記憶しておいてもよい。

次に、データ処理制御装置１０は、ステップＳ７において生成した残留誤差データ２６に基づいて、第２測定部１２における２端子法による接触抵抗の推定値Ｒｃｄを算出する（ステップＳ８）。例えば、接触抵抗推定部２４が、上述した手法により、ステップＳ７において生成された回帰モデル２８（一次関数）の傾きａおよび切片ｂの値と、上記式（８），（９）とに基づいて、検査時の接触抵抗の値（推定値）Ｒｃｄを算出し、記憶部２２に記憶する。

次に、データ処理制御装置１０は、残留誤差データ２６に基づく情報を出力部１４としての表示装置に表示させる（ステップＳ９）。例えば、データ処理制御装置１０は、出力部１４を制御することにより、図３に示すように、直流抵抗Ｒｄｃ４と接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲ（＝Ｒｄｃ２－Ｒｄｃ４）との関係を表すプロット図１４０、回帰モデル２８としての一次関数１４１、傾きの情報２９、および切片の情報３０の少なくとも一つを表示装置の画面に表示させる。

以上の処理手順により、検査装置１は、残留誤差に関する情報をユーザに対して提示する。これにより、ユーザは、提示された残留誤差の情報に基づいて、再補正の必要性を検討することができる。再補正が不要と判断した場合には、引き続き、他のＤＵＴの検査を実行すればよい。一方、再補正が必要と判断した場合には、ユーザは、オープン基準、ショート基準、およびロード基準における測定を再度行った後に、上述した残留誤差データの生成処理（ステップＳ１～Ｓ９）を再度実行し、残留誤差の影響が無視できるほど小さくなったことを確認してからＤＵＴの検査を開始してもよい。

なお、検査装置１におけるデータ処理制御装置１０としてのプログラム処理装置（ＭＰＵやＦＰＧＡ等）に上述した各ステップ（Ｓ１～Ｓ９）を実行させるためのデータ処理制御用プログラムは、ネットワークを介して流通可能であってもよいし、メモリカード等のコンピュータが読み取り可能な記憶媒体（Ｎｏｎ－ｔｒａｎｓｉｔｏｒｙ ｃｏｍｐｕｔｅｒ ｒｅａｄａｂｌｅ ｍｅｄｉｕｍ）に書き込まれて流通可能であってもよい。

以上、本実施の形態に係る検査装置１は、４端子法によって測定したＤＵＴの直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４（第１測定値）と、２端子法によって測定したＤＵＴの直流抵抗の測定値Ｒｄｃ２（第２測定値）とに基づいて、２端子法による接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲを算出し、抵抗成分ΔＲと直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４（第１測定値）との関係を示す残留誤差データ２６を生成する。

上述したように、２端子法による接触抵抗に起因する抵抗成分は、例えば、２端子法によって測定された直流抵抗の測定値Ｒｄｃ２と、接触抵抗の影響を受けない４端子法による直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４との差に基づいて算出することができる（ΔＲ＝Ｒｄｃ２－Ｒｄｃ４）。また、２端子法によって測定された直流抵抗の測定値Ｒｄｃ２は、ＤＵＴの検査（測定）開始前の補正に基づいて生成された補正式によって、接触抵抗の影響を受けない値（真値）に近づくように補正される。

したがって、補正式が適切であれば、検査された一つのＤＵＴにおける２端子法による直流抵抗の測定値Ｒｄｃ２と４端子法による直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４とは互いに等しくなり、接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲはゼロとなる。しかしながら、上述したように、ショート基準時における接触抵抗の値とロード基準時における接触抵抗の値とが相違していた場合や、補正時における接触抵抗の値と検査時における接触抵抗の値とが相違していた場合には、補正式が適切でないため、２端子法による直流抵抗の測定値Ｒｄｃ２と４端子法による直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４とに差が生じる。すなわち、２端子法による直流抵抗の測定において接触抵抗に基づく残留誤差が存在していることになる。

そこで、本実施の形態に係る検査装置１のように、接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲと直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４（第１測定値）との関係を示す残留誤差データ２６を生成する。これによれば、ユーザは、残留誤差データ２６を参照することにより、２端子法による直流抵抗の測定において接触抵抗に基づく残留誤差が存在しているか否かを判断することが容易となる。

また、検査装置１は、検査したＤＵＴ毎に、接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲと直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４とを対応付けたデータ対２７＿１～２７＿ｎを生成し、生成した複数のデータ対２７＿１～２７＿ｎに基づいて、接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲと直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４との関係を表す回帰モデル２８を生成する。
これによれば、接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲと直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４との関係を関数としてユーザに提示することができるので、ユーザによる残留誤差の解析が更に容易となる。

また、検査装置１は、生成した回帰モデル２８に基づいて、接触抵抗の値を推定する。 これによれば、ユーザは、検査時における接触抵抗の値を知ることができるので、残留誤差の解析が更に容易となる。また、ＤＵＴとしてのインダクタ素子の交流抵抗を測定する際に、検査装置１が、交流抵抗の測定値を接触抵抗の推定値を用いて補正することが可能となり、より高精度な交流抵抗の測定が可能となる。

また、検査装置１において、回帰モデル２８を一次関数で表した場合に、残留誤差データ２６は、当該一次関数の傾きの情報２９を含む。
上述したように、接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲと直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４との関係を一次関数で表したときの傾きは、ロード基準時の接触抵抗とショート基準時の接触抵抗とが相違しているか否かを判断する指標となる。したがって、ユーザは、残留誤差データ２６に含まれる回帰モデル２８の傾きを参照することにより、残留誤差が、ロード基準時の接触抵抗とショート基準時の接触抵抗との差に基づくものであるか否かを容易に判断することができる。

また、検査装置１において、回帰モデル２８を一次関数で表した場合に、残留誤差データ２６は、一次関数１４１上の直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４の平均値Ｒｄｃ４ａに対応する、接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲの値（接触抵抗に起因する抵抗成分の代表値）ΔＲｒの情報３２を含む。
上述したように、接触抵抗に起因する抵抗成分ΔＲと直流抵抗の測定値Ｒｄｃ４との関係を一次関数で表した場合において、接触抵抗に起因する抵抗成分の代表値ΔＲｒは、補正時の接触抵抗と検査時の接触抵抗とが相違しているか否かを判断する指標となる。したがって、ユーザは、残留誤差データ２６に含まれる接触抵抗に起因する抵抗成分の代表値ΔＲｒを参照することにより、残留誤差が補正時の接触抵抗と検査時の接触抵抗の相違に基づくものであるか否かを、容易に判断することができる。また、ユーザは、接触抵抗に起因する抵抗成分の代表値ΔＲｒの極性を参照することにより、補正時の接触抵抗と検査時の接触抵抗のどちらが大きいかを把握することができる。

このように、本実施の形態に係るデータ処理制御装置１０を備えた検査装置１によれば、電子部品の検査における残留誤差の解析が容易となる。

≪実施の形態の拡張≫
以上、本願発明者によってなされた発明を実施の形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。

例えば、上記実施の形態では、検査装置１が、データ処理制御装置１０、第１測定部１１、第２測定部１２、操作部１３、出力部１４、および搬送機構１５等の構成要素を一体とした装置である場合を例示したが、検査装置１を構成する一部の構成要素が他の構成要素と別体として構成されていてもよい。例えば、データ処理制御装置１０、操作部１３、および出力部１４を第１装置（例えば、ＰＣ等の情報処理装置）によって実現し、第１測定部１１、第２測定部１２、および搬送機構１５を第１装置とは異なる別の第２装置によって実現してもよい。この場合、第１装置と第２装置とは、有線または無線によるネットワークを介して接続されていてもよい。

上述のフローチャートは、動作を説明するための一例を示すものであって、これに限定されない。すなわち、フローチャートの各図に示したステップは具体例であって、このフローに限定されるものではない。例えば、一部の処理の順番が変更されてもよいし、各処理間に他の処理が挿入されてもよいし、一部の処理が並列に行われてもよい。

１…検査装置、１０…データ処理制御装置、１１…第１測定部、１２…第２測定部、１３…操作部、１４…出力部、１５…搬送機構、２１…データ取得部、２２…記憶部、２３…残留誤差データ生成部、２４…接触抵抗推定部、２５…判定部、２６…残留誤差データ、２７＿１～２７＿ｎ…データ対、２８…回帰モデル、２９…傾きの情報、３０…切片の情報、３１…平均値Ｒｄｃ４ａの情報、３２…接触抵抗に起因する抵抗成分の代表値ΔＲｒの情報。

Claims (9)

1. ４端子法によって測定した測定対象物の直流抵抗の第１測定値と、２端子法によって測定し、補正した前記測定対象物の直流抵抗の第２測定値と、を取得するデータ取得部と、
   前記第１測定値と前記第２測定値とに基づいて、２端子法による接触抵抗に起因する抵抗成分を算出し、前記抵抗成分と前記第１測定値との関係を示す残留誤差データを生成する残留誤差データ生成部と、を備える
   データ処理制御装置。
2. 請求項１に記載のデータ処理制御装置において、
   前記残留誤差データ生成部は、前記測定対象物毎に、前記抵抗成分と前記第１測定値とを対応付けたデータ対を生成し、生成した複数の前記データ対に基づいて、前記第１測定値と前記抵抗成分との関係を表す回帰モデルを生成する
   データ処理制御装置。
3. 請求項２に記載のデータ処理制御装置において、
   前記回帰モデルに基づいて、前記接触抵抗の値を推定する接触抵抗推定部を更に備える
   データ処理制御装置。
4. 請求項２または３に記載のデータ処理制御装置において、
   前記回帰モデルが一次関数である場合に、前記残留誤差データは、前記一次関数の傾きの情報を含む
   データ処理制御装置。
5. 請求項２乃至４の何れか一項に記載のデータ処理制御装置において、
   前記回帰モデルが一次関数である場合に、前記残留誤差データは、前記一次関数上の前記第１測定値の平均値に対応する前記抵抗成分の値の情報を含む
   データ処理制御装置。
6. 請求項２乃至５の何れか一項に記載のデータ処理制御装置において、
   前記回帰モデルが一次関数である場合に、前記残留誤差データは、前記一次関数の切片の情報を含む
   データ処理制御装置。
7. 請求項１乃至６の何れか一項に記載のデータ処理制御装置と、
   前記データ処理制御装置による制御に応じて、前記測定対象物の直流抵抗を４端子法によって測定し、前記第１測定値を得る第１測定部と、
   前記データ処理制御装置による制御に応じて、前記測定対象物の直流抵抗を２端子法によって測定し、補正した前記第２測定値を得る第２測定部と、
   前記残留誤差データに基づく情報を出力する出力部と、を備える
   検査装置。
8. ４端子法によって測定した測定対象物の直流抵抗の第１測定値と、２端子法によって測定し、補正した前記測定対象物の直流抵抗の第２測定値とを取得する第１ステップと、
   前記第１ステップにおいて取得した前記第１測定値と前記第２測定値とに基づいて、２端子法による接触抵抗に起因する抵抗成分を算出し、前記抵抗成分と前記第１測定値との関係を示す残留誤差データを生成する第２ステップと、を含む
   データ処理制御方法。
9. コンピュータに、請求項８に記載のデータ処理制御方法における各ステップを実行させる
   データ処理制御用プログラム。
   

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