TWI829446B - 感測器封裝結構及晶片級感測器封裝結構 - Google Patents
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- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 86
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 149
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Images
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
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Abstract
本發明公開一種感測器封裝結構及晶片級感測器封裝結構。所述晶片級感測器封裝結構包含有一感測晶片、呈環形的一支撐層、及一透光層。所述感測晶片的頂面包含一感測區域及圍繞於所述感測區域的一承載區域。所述支撐層設置於所述承載區域上,所述透光層以其環形區塊設置於所述支撐層上,以使所述透光層、所述支撐層、及所述感測晶片共同包圍形成有一封閉空間。所述環形區塊形成有一環形粗糙區,並且所述環形粗糙區朝向所述感測晶片的所述頂面正投影所沿經的一投影空間,其位於所述感測區域的外側且重疊於整個所述支撐層與部分所述封閉空間。
Description
本發明涉及一種封裝結構,尤其涉及一種感測器封裝結構及晶片級感測器封裝結構。
現有的感測器封裝結構包含有一透光片、一感測晶片、及黏著於所述玻璃片與所述感測晶片之間的一黏著層。其中,由於所述感測晶片的結構變更較容易導致其感測結果受到影響,所以現有感測器封裝結構大都朝向所述黏著層進行改良,以提升所述黏著層與其他構件之間的連接效果。然而,上述改良方向有其侷限性存在。
於是,本發明人認為上述缺陷可改善,乃特潛心研究並配合科學原理的運用,終於提出一種設計合理且有效改善上述缺陷的本發明。
本發明實施例在於提供一種感測器封裝結構及晶片級感測器封裝結構,其能有效地改善現有感測器封裝結構所可能產生的缺陷。
本發明實施例公開一種感測器封裝結構,其包括:一基板;一感測晶片,設置於所述基板上,並且所述感測晶片電性耦接於所述基板;其中,所述感測晶片的一頂面包含有一感測區域及圍繞於所述感測區域的一承載區域;一支撐層,呈環形且設置於所述感測晶片的所述承載區域上;一透光層,具有位於相反側的一外表面與一內表面,並且所述透光層具有一透明區塊及圍繞於所述透明區塊的一環形區塊;其中,所述環形區塊設置於所述支撐層上,以使所述透光層、所述支撐層、及所述感測晶片共同包圍形成有一封閉空間;以及一封裝體,形成於所述基板上,並且所述感測晶片、所述支撐層、及所述透光層埋置於所述封裝體內,而所述透光層的至少部分所述外表面裸露於所述封裝體之外;其中,所述環形區塊形成有一環形粗糙區,並且所述環形粗糙區朝向所述感測晶片的所述頂面正投影所沿經的一投影空間,其位於所述感測區域的外側且重疊於整個所述支撐層與部分所述封閉空間。
本發明實施例也公開一種晶片級感測器封裝結構,其包括:一感測晶片,其頂面包含有一感測區域及圍繞於所述感測區域的一承載區域;一支撐層,呈環形且設置於所述感測晶片的所述承載區域上;以及一透光層,具有位於相反側的一外表面與一內表面,並且所述透光層具有一透明區塊及圍繞於所述透明區塊的一環形區塊;其中,所述環形區塊設置於所述支撐層上,以使所述透光層、所述支撐層、及所述感測晶片共同包圍形成有一封閉空間;其中,所述環形區塊形成有一環形粗糙區,並且所述環形粗糙區朝向所述感測晶片的所述頂面正投影所沿經的一投影空間,其位於所述感測區域的外側且重疊於整個所述支撐層與部分所述封閉空間。
綜上所述,本發明實施例所公開的感測器封裝結構及晶片級感測器封裝結構,其通過所述透光層於所述環形區塊形成有所述環形粗糙區,據以能提升其與所述支撐層之間的結合力,進而有效地避免所述透光層自所述支撐層產生剝離或分層(delamination)。
再者,本發明實施例所公開的感測器封裝結構及晶片級感測器封裝結構,其還能通過所述透光層於所述環形區塊形成有所述環形粗糙區,據以使得穿過所述透光層而投射於所述環形粗糙區的光線能夠形成散射(scattering),進而避免上述光線於所述支撐層產生反射而進入所述感測區域,以有效地減輕於所述感測器封裝結構中產生的眩光現象(flare phenomenon)。
為能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容,請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖,但是此等說明與附圖僅用來說明本發明,而非對本發明的保護範圍作任何的限制。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“感測器封裝結構及晶片級感測器封裝結構”的實施方式,本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用,本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用,在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外,本發明的附圖僅為簡單示意說明,並非依實際尺寸的描繪,事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容,但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。
應當可以理解的是,雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件或者信號,但這些元件或者信號不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件,或者一信號與另一信號。另外,本文中所使用的術語“或”,應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
[實施例一]
請參閱圖1至圖6所示,其為本發明的實施例一。如圖1和圖2所示,本實施例公開一種感測器封裝結構100;也就是說,內部非為封裝感測器的任何結構,其結構設計基礎不同於本實施例所指的感測器封裝結構100,所以兩者之間並不適於進行對比。
如圖2至圖4A所示,所述感測器封裝結構100包含有一基板1、設置於所述基板1上的一感測晶片2、電性耦接所述感測晶片2與所述基板1的多條金屬線3、呈環形且設置於所述感測晶片2上的一支撐層4、設置於所述支撐層4上的一透光層5、及形成於所述基板1上的一封裝體6。
其中,所述感測器封裝結構100於本實施例中雖是以包含上述元件來做說明,但所述感測器封裝結構100也可以依據設計需求而加以調整變化。舉例來說,在本發明未繪示的其他實施例中,所述感測器封裝結構100可以省略多個所述金屬線3,並且所述感測晶片2通過覆晶或黏晶方式固定且電性耦接於所述基板1上。以下將分別就本實施例中的所述感測器封裝結構100的各個元件構造與連接關係作一說明。
所述基板1於本實施例中為呈正方形或矩形,但本發明不受限於此。其中,所述基板1於其上表面11的大致中央處設有一晶片固定區111,並且所述基板1於所述上表面11形成有位於所述晶片固定區111外側的多個接合墊112。多個所述接合墊112於本實施例中是大致排列成環狀,但本發明不限於此。舉例來說,在本發明未繪示的其他實施例中,多個所述接合墊112也可以是在所述晶片固定區111的相反兩側分別排成兩列。
此外,所述基板1也可以於其下表面12設有多個焊接球7,並且所述感測器封裝結構100能通過多個所述焊接球7而焊接固定於一電子構件(圖中未示出)上,據以使所述感測器封裝結構100能夠通過多個所述焊接球7而電性連接於所述電子構件。
所述感測晶片2於本實施例中呈方形(如:長方形或正方形)且以一影像感測晶片來說明,但不以此為限。其中,所述感測晶片2(的底面22)是(沿一預設方向D並通過固晶膠而)固定於所述基板1的所述晶片固定區111;也就是說,所述感測晶片2是位於多個所述接合墊112的內側。再者,所述感測晶片2的一頂面21包含有一感測區域211及圍繞於所述感測區域211(且呈環形)的一承載區域212,並且每條所述金屬線3的兩端分別連接於所述基板1與所述感測晶片2的所述承載區域212,以使所述基板1與所述感測晶片2彼此電性耦接。
更詳細地說,所述感測晶片2包含有位於所述承載區域212的多個連接墊213(也就是,多個所述連接墊213位於所述感測區域211的外側)。其中,所述感測晶片2的多個所述連接墊213的數量及位置於本實施例中是分別對應於所述基板1的多個所述接合墊112的數量及位置;也就是說,多個所述連接墊213於本實施例中也是大致排列成環狀。再者,每條所述金屬線3的所述兩端分別連接於一個所述接合墊112及相對應的所述連接墊213。
所述支撐層4設置於所述感測晶片2的所述承載區域212上並圍繞於所述感測區域211的外側。再者,所述支撐層4於本實施例中可以進一步限定為一紫外光固化層(或光固化層),其意指是通過一紫外光照射而固化的結構,但本發明不受限於此。
進一步地說,於本實施例的圖3和圖4A之中,每條所述金屬線3的局部是埋置於所述支撐層4之內,而每條所述金屬線3的其餘部位則是埋置於所述封裝體6之內,但本發明不受限於此。舉例來說,如圖5和圖6所示,所述支撐層4可以是位於多條所述金屬線3的內側、且未接觸於任一條所述金屬線3(也就是,每條所述金屬線3位於所述支撐層4的外側且埋置於所述封裝體6之內)。
如圖2至圖4A所示,所述透光層5於本實施例中是以一平板玻璃來說明,但本發明不受限於此。其中,所述透光層5具有一透明區塊51及圍繞於所述透明區塊51的一環形區塊52,並且所述透光層5以所述環形區塊52設置於所述支撐層4上,以使所述透光層5、所述支撐層4、及所述感測晶片2共同包圍形成有一封閉空間E。
需說明的是,所述透明區塊51的形狀與尺寸於本實施例中是大致對應於所述感測區域211;也就是說,所述透明區塊51沿所述預設方向D正投影至所述感測晶片2的所述頂面21所形成的一投影區域,其大致完整重疊於所述感測區域211,但本發明不受限於此。舉例來說,在本發明未繪示的其他實施例中,所述透明區塊51的尺寸可以略大於所述感測區域211。
再者,所述環形區塊52形成有一環形粗糙區521,並且所述支撐層4的頂緣是以大致無間隙地連接於所述環形粗糙區521;也就是說,所述支撐層4的所述頂緣是與所述環形粗糙區521所呈現的凹凸構造為彼此形狀互補。其中,所述環形粗糙區521(沿所述預設方向D)朝向所述感測晶片2的所述頂面21正投影所沿經的一投影空間,其位於所述感測區域211的外側且重疊於整個所述支撐層4與部分所述封閉空間E。
據此,所述感測器封裝結構100於本實施例中通過所述透光層5於所述環形區塊52形成有所述環形粗糙區521,據以能有效地提升其與所述支撐層4之間的結合力,進而有效地避免所述透光層5自所述支撐層4產生剝離或分層(delamination)。需說明的是,所述環形粗糙區521形成於所述透光層5的生產難度與成本是遠低於形成在其他構件(如:所述感測晶片2或所述支撐層4)上,所以非形成於透光層的任何粗糙區皆不同於本實施例所指的所述環形粗糙區521。
再者,所述感測器封裝結構100於本實施例中還能通過所述透光層5於所述環形區塊52形成有所述環形粗糙區521,據以使得穿過所述透光層5而投射於所述環形粗糙區521的光線能夠形成散射(scattering),進而避免上述光線於所述支撐層4產生反射而進入所述感測區域211,以有效地減輕於所述感測器封裝結構100中產生的眩光現象(flare phenomenon)。
此外,所述透光層5於本實施例中能用以使穿過所述環形區塊52的光線於所述環形粗糙區521形成散射而照射於所述支撐層4,而為使所述支撐層4能夠被更為均勻地照射,所述透光層5於本實施例中較佳是形成有下述至少部分特徵,但本發明不以此為限。
其中,所述透光層5具有位於相反側的一外表面53與一內表面54、及相連於所述外表面53與所述內表面54的一環側面55,所述環形粗糙區521形成於所述透光層5的所述內表面54(也就是,位於所述環形區塊52的所述內表面54部位),並且所述環形粗糙區521的外邊緣5211位於所述支撐層4的外側且較佳是切齊於所述環側面55。據此,所述環形粗糙區521能夠增加所述透光層5接觸於所述支撐層4與所述封裝體6的面積,以提升彼此之間的結合性。
此外,所述環形粗糙區521的內邊緣5212可以如圖4A所示是位於所述封閉空間E之內(或是位於所述支撐層4的內側),但所述內邊緣5212未觸及所述透明區塊51;或者,所述環形粗糙區521的所述內邊緣5212也可以如圖4B所示是切齊於所述支撐層4的內側緣(也就是,所述內邊緣5212不在所述封閉空間E之內)。
再者,所述環形粗糙區521於本實施例中具有介於10%到90%的霧度(Haze),並且所述霧度較佳是介於30%到90%,但本發明不受限於此。此外,所述環形粗糙區521可依據設計需求而形成如圖4A和圖4B所示的不規則狀構造(irregular configuration);或者,所述環形粗糙區521也可以形成如圖6所示的圖案化陣列(patterned array)構造。
據此,所述感測器封裝結構100於本實施例中能夠在所述支撐層4為光固化層的情況下,通過具備特定條件的所述環形粗糙區521來使得較為大量的光線形成散射而照射於所述支撐層4,以利於其完全固化而避免所述透光層5產生傾斜,並能進一步避免所述支撐層4與所述透光層5之間產生分層缺陷,據以提升所述感測器封裝結構100的良率。
所述封裝體6於本實施例中為不透光狀,用以阻擋可見光穿過。所述封裝體6是以一液態封膠(Liquid encapsulation)來說明,並且所述封裝體6形成於所述基板1的所述上表面11且其邊緣切齊於所述基板1的邊緣。其中,每條所述金屬線3的至少部分、所述感測晶片2、所述支撐層4、及所述透光層5皆埋置於所述封裝體6內,並且所述透光層5的至少部分所述外表面53裸露於所述封裝體6之外,但本發明不受限於此。
[實施例二]
請參閱圖7和圖8所示,其為本發明的實施例二。由於本實施例類似於上述實施例一,所以兩個實施例的相同處不再加以贅述,而本實施例相較於上述實施例一的差異大致說明如下:
於本實施例中,所述感測器封裝結構100於所述透光層5的所述內表面54形成有一抗反射層8(anti-reflection layer)。其中,所述抗反射層8可以是如圖7所示覆蓋於整個所述內表面54(也就是,所述抗反射層8也覆蓋於所述環形粗糙區521);或者,所述抗反射層8可以是如圖8所示位於所述環形粗糙區521的內側(也就是,所述抗反射層8未覆蓋於所述環形粗糙區521)。
[實施例三]
請參閱圖9所示,其為本發明的實施例三。由於本實施例類似於上述實施例一,所以兩個實施例的相同處不再加以贅述,而本實施例相較於上述實施例一的差異大致說明如下:
於本實施例中,所述環形區塊52於所述內表面54形成有一內環形槽56,並且所述內環形槽56包含有(相連於所述環側面55的)一階面561、及相連於所述階面561與所述內表面54的一梯面562。其中,所述環形粗糙區521形成於所述階面561與所述梯面562,並且所述環形粗糙區521較佳是形成於整個所述階面561與整個所述梯面562,但本發明不受限於此。
更詳細地說,所述支撐層4抵接於所述階面561(及位於其上的所述環形粗糙區521部位),並且所述支撐層4與所述梯面562之間留有一溢流間隙G,據以避免所述支撐層4蔓延至所述透明區塊51。此外,所述封裝體6覆蓋於所述階面561的局部(及位於其上的所述環形粗糙區521部位),據以提升所述封裝體6與所述透光層5之間的結合強度。
[實施例四]
請參閱圖10所示,其為本發明的實施例四。由於本實施例類似於上述實施例一,所以兩個實施例的相同處不再加以贅述,而本實施例相較於上述實施例一的差異大致說明如下:
於本實施例中,所述環形區塊52於所述外表面53形成有一外環形槽57,並且所述外環形槽57包含有(相連於所述環側面55的)一階面571、及相連於所述階面571與所述外表面53的一梯面572。其中,所述環形粗糙區521形成於所述階面571與所述梯面572,並且所述環形粗糙區521較佳是形成於整個所述階面571與整個所述梯面572,但本發明不受限於此。此外,所述封裝體6的頂緣切齊於所述階面571、且未接觸於所述外環形槽57,據以避免影響所述環形粗糙區521的功用。
[實施例五]
請參閱圖11至圖14所示,其為本發明的實施例五。如圖11和圖12所示,本實施例公開一種晶片級感測器封裝結構100;也就是說,非為晶片級的任何封裝結構,其結構設計基礎不同於本實施例所指的晶片級感測器封裝結構100a,所以兩者之間並不適於進行對比。
如圖12至圖14所示,所述晶片級感測器封裝結構100a包含一感測晶片2、呈環形且設置於所述感測晶片2上的一支撐層4、及設置於所述支撐層4上的一透光層5。也就是說,所述晶片級感測器封裝結構100a並未包含有任何封裝體,以實現其晶片級尺寸。
於本實施例中,所述感測晶片2呈方形(如:長方形或正方形)且以一影像感測晶片來說明,但不以此為限。其中,所述感測晶片2的一頂面21包含有一感測區域211及圍繞於所述感測區域211(且呈環形)的一承載區域212。再者,所述晶片級感測器封裝結構100a能通過所述感測晶片2的底面22而焊接固定於一電子構件(圖中未示出)上,據以使所述晶片級感測器封裝結構100a電性連接於所述電子構件。
所述支撐層4設置於所述感測晶片2的所述承載區域212上並圍繞於所述感測區域211的外側。再者,所述支撐層4於本實施例中可以進一步限定為一紫外光固化層(或光固化層),其意指是通過一紫外光照射而固化的結構,但本發明不受限於此。
所述透光層5於本實施例中是以一平板玻璃來說明,但本發明不受限於此。其中,所述透光層5具有一透明區塊51及圍繞於所述透明區塊51的一環形區塊52,並且所述透光層5以所述環形區塊52設置於所述支撐層4上,以使所述透光層5、所述支撐層4、及所述感測晶片2共同包圍形成有一封閉空間E。
需說明的是,所述透明區塊51的形狀與尺寸於本實施例中是大致對應於所述感測區域211;也就是說,所述透明區塊51沿所述預設方向D正投影至所述感測晶片2的所述頂面21所形成的一投影區域,其大致完整重疊於所述感測區域211,但本發明不受限於此。舉例來說,在本發明未繪示的其他實施例中,所述透明區塊51的尺寸可以略大於所述感測區域211。
再者,所述環形區塊52形成有一環形粗糙區521,並且所述支撐層4的頂緣是以大致無間隙地連接於所述環形粗糙區521;也就是說,所述支撐層4的所述頂緣是與所述環形粗糙區521所呈現的凹凸構造為彼此形狀互補。其中,所述環形粗糙區521(沿所述預設方向D)朝向所述感測晶片2的所述頂面21正投影所沿經的一投影空間,其位於所述感測區域211的外側且重疊於整個所述支撐層4與部分所述封閉空間E。
據此,所述晶片級感測器封裝結構100a於本實施例中通過所述透光層5於所述環形區塊52形成有所述環形粗糙區521,據以能有效地提升其與所述支撐層4之間的結合力,進而有效地避免所述透光層5自所述支撐層4產生剝離或分層。需說明的是,所述環形粗糙區521形成於所述透光層5的生產難度與成本是遠低於形成在其他構件(如:所述感測晶片2或所述支撐層4)上,所以非形成於透光層的任何粗糙區皆不同於本實施例所指的所述環形粗糙區521。
再者,所述晶片級感測器封裝結構100a於本實施例中還能通過所述透光層5於所述環形區塊52形成有所述環形粗糙區521,據以使得穿過所述透光層5而投射於所述環形粗糙區521的光線能夠形成散射,進而避免上述光線於所述支撐層4產生反射而進入所述感測區域211,以有效地減輕於所述晶片級感測器封裝結構100a中產生的眩光現象。
此外,所述透光層5於本實施例中能用以使穿過所述環形區塊52的光線於所述環形粗糙區521形成散射而照射於所述支撐層4,而為使所述支撐層4能夠被更為均勻地照射,所述透光層5於本實施例中較佳是形成有下述至少部分特徵,但本發明不以此為限。
進一步地說, 所述透光層5具有位於相反側的一外表面53與一內表面54、及相連於所述外表面53與所述內表面54的一環側面55,並且所述環側面55較佳是切齊或共平面於所述支撐層4的外側緣及所述感測晶片2的外側緣。
其中,所述環形粗糙區521可依據設計需求而形成於如圖13所示的所述透光層5的所述內表面54(也就是,位於所述環形區塊52的所述內表面54部位),並且所述環形粗糙區521的內邊緣5212位於所述封閉空間E之內(或是位於所述支撐層4的內側),但所述內邊緣5212未觸及所述透明區塊51。或者,所述環形粗糙區521也可以如圖14所示佈滿所述環形區塊52的表面(也就是,所述環形粗糙區521佈滿整個所述環側面55、及位於所述環形區塊52的所述內表面54部位與所述外表面53部位)。
此外,所述環形粗糙區521於本實施例中具有介於10%到90%的霧度,並且所述霧度較佳是介於30%到90%,但本發明不受限於此。
據此,所述晶片級感測器封裝結構100a於本實施例中能夠在所述支撐層4為光固化層的情況下,通過具備特定條件的所述環形粗糙區521來使得較為大量的光線形成散射而照射於所述支撐層4,以利於其完全固化而避免所述透光層5產生傾斜,並能進一步避免所述支撐層4與所述透光層5之間產生分層缺陷,據以提升所述晶片級感測器封裝結構100a的良率。
[實施例六]
請參閱圖15所示,其為本發明的實施例六。由於本實施例類似於上述實施例五,所以兩個實施例的相同處不再加以贅述,而本實施例相較於上述實施例五的差異大致說明如下:
於本實施例中,所述環形區塊52於所述內表面54形成有一內環形槽56,並且所述內環形槽56包含有(相連於所述環側面55的)一階面561、及相連於所述階面561與所述內表面54的一梯面562。其中,所述環形粗糙區521形成於所述階面561與所述梯面562,並且所述環形粗糙區521較佳是形成於整個所述階面561與整個所述梯面562,但本發明不受限於此。
更詳細地說,所述支撐層4抵接於所述階面561(及位於其上的所述環形粗糙區521部位),並且所述支撐層4與所述梯面562之間留有一溢流間隙G,據以避免所述支撐層4蔓延至所述透明區塊51。
[實施例七]
請參閱圖16和圖17所示,其為本發明的實施例七。由於本實施例類似於上述實施例五,所以兩個實施例的相同處不再加以贅述,而本實施例相較於上述實施例五的差異大致說明如下:
於本實施例中,所述環形區塊52於所述外表面53形成有一外環形槽57,並且所述外環形槽57包含有(相連於所述環側面55的)一階面571、及相連於所述階面571與所述外表面53的一梯面572。其中,所述環形粗糙區521形成於所述階面571與所述梯面572,並且所述環形粗糙區521較佳是形成於整個所述階面571與整個所述梯面572,但本發明不受限於此。
此外,如圖17所示,所述晶片級感測器封裝結構100a於本實施例中可以於所述內表面54進一步形成有一遮蔽環9,其較佳是位於所述環形區塊52上。換個角度來說,所述遮蔽環9正投影至所述感測晶片2的所述頂面21所形成的一投影區域,其位於所述感測區域211與所述支撐層4之間。再者,所述梯面572及位於其上的所述環形粗糙區521部位於本實施例中是位於所述遮蔽環9的正上方。
據此,所述晶片級感測器封裝結構100a於本實施例中能通過於特定位置設置有所述遮蔽環9,據以有效地減少所述感測區域211受到的光線干擾,進而減輕於所述晶片級感測器封裝結構100a中產生的眩光現象。
[本發明實施例的技術效果]
綜上所述,本發明實施例所公開的感測器封裝結構及晶片級感測器封裝結構,其通過所述透光層於所述環形區塊形成有所述環形粗糙區,據以能提升其與所述支撐層之間的結合力,進而有效地避免所述透光層自所述支撐層產生剝離或分層。
再者,本發明實施例所公開的感測器封裝結構及晶片級感測器封裝結構,其還能通過所述透光層於所述環形區塊形成有所述環形粗糙區,據以使得穿過所述透光層而投射於所述環形粗糙區的光線能夠形成散射,進而避免上述光線於所述支撐層產生反射而進入所述感測區域,以有效地減輕於所述感測器封裝結構中產生的眩光現象。
此外,本發明實施例所公開的感測器封裝結構及晶片級感測器封裝結構,其能夠在所述支撐層為光固化層的情況下,通過具備特定條件的所述環形粗糙區來使得較為大量的光線形成散射而照射於所述支撐層,以利於其完全固化而避免所述透光層產生傾斜,並能進一步避免所述支撐層與所述透光層之間產生分層缺陷,據以提升所述感測器封裝結構的良率。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例,並非因此侷限本發明的專利範圍,所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化,均包含於本發明的專利範圍內。
100:感測器封裝結構
100a:晶片級感測器封裝結構
1:基板
11:上表面
111:晶片固定區
112:接合墊
12:下表面
2:感測晶片
21:頂面
211:感測區域
212:承載區域
213:連接墊
22:底面
3:金屬線
4:支撐層
5:透光層
51:透明區塊
52:環形區塊
521:環形粗糙區
5211:外邊緣
5212:內邊緣
53:外表面
54:內表面
55:環側面
56:內環形槽
561:階面
562:梯面
57:外環形槽
571:階面
572:梯面
6:封裝體
7:焊接球
8:抗反射層
9:遮蔽環
D:預設方向
E:封閉空間
G:溢流間隙
圖1為本發明實施例一的感測器封裝結構的立體示意圖。
圖2為圖1省略封裝體後的上視示意圖。
圖3為圖1沿剖線III-III的剖視示意圖。
圖4A為圖3的區域IV的放大示意圖。
圖4B為圖3的區域IV的另一態樣放大示意圖。
圖5為圖1的感測器封裝結構另一態樣的剖視示意圖。
圖6為圖5的區域VI的放大示意圖。
圖7為本發明實施例二的感測器封裝結構的剖視示意圖(一)。
圖8為本發明實施例二的感測器封裝結構的剖視示意圖(二)。
圖9為本發明實施例三的感測器封裝結構的剖視示意圖。
圖10為本發明實施例四的感測器封裝結構的剖視示意圖。
圖11為本發明實施例五的晶片級感測器封裝結構的立體示意圖。
圖12為圖11的上視示意圖。
圖13為圖11沿剖線XIII-XIII的剖視示意圖。
圖14為圖11的晶片級感測器封裝結構另一態樣的剖視示意圖。
圖15為本發明實施例六的晶片級感測器封裝結構的剖視示意圖。
圖16為本發明實施例七的晶片級感測器封裝結構的剖視示意圖(一)。
圖17為本發明實施例七的晶片級感測器封裝結構的剖視示意圖(二)。
100:感測器封裝結構
1:基板
11:上表面
111:晶片固定區
112:接合墊
12:下表面
2:感測晶片
21:頂面
211:感測區域
212:承載區域
213:連接墊
22:底面
3:金屬線
4:支撐層
5:透光層
51:透明區塊
52:環形區塊
521:環形粗糙區
5211:外邊緣
5212:內邊緣
53:外表面
54:內表面
55:環側面
6:封裝體
7:焊接球
D:預設方向
E:封閉空間
Claims (20)
- 一種感測器封裝結構,其包括:一基板;一感測晶片,設置於所述基板上,並且所述感測晶片電性耦接於所述基板;其中,所述感測晶片的一頂面包含有一感測區域及圍繞於所述感測區域的一承載區域;一支撐層,呈環形且設置於所述感測晶片的所述承載區域上;一透光層,具有位於相反側的一外表面與一內表面,並且所述透光層具有一透明區塊及圍繞於所述透明區塊的一環形區塊;其中,所述環形區塊設置於所述支撐層上,以使所述透光層、所述支撐層、及所述感測晶片共同包圍形成有一封閉空間;以及一封裝體,形成於所述基板上,並且所述感測晶片、所述支撐層、及所述透光層埋置於所述封裝體內,而所述透光層的至少部分所述外表面裸露於所述封裝體之外;其中,所述環形區塊形成有一環形粗糙區,並且所述環形粗糙區朝向所述感測晶片的所述頂面正投影所沿經的一投影空間,其位於所述感測區域的外側且重疊於整個所述支撐層及部分所述封閉空間。
- 如請求項1所述的感測器封裝結構,其中,所述環形粗糙區具有介於10%到90%的霧度(Haze)。
- 如請求項1所述的感測器封裝結構,其中,所述環形粗糙區為一圖案化陣列。
- 如請求項1所述的感測器封裝結構,其中,所述環形粗糙區形成於所述透光層的所述內表面,並且所述環形粗糙區的外邊緣位於所述支撐層的外側,而所述環形粗糙區的內邊緣切齊於所述支撐層的內側緣。
- 如請求項4所述的感測器封裝結構,其中,所述感測器封裝結構於所述透光層的所述內表面形成有一抗反射層,並且所述抗反射層覆蓋於所述環形粗糙區。
- 如請求項4所述的感測器封裝結構,其中,所述感測器封裝結構於所述透光層的所述內表面形成有一抗反射層,並且所述抗反射層位於所述環形粗糙區的內側。
- 如請求項1所述的感測器封裝結構,其中,所述環形區塊於所述內表面形成有一內環形槽,並且所述內環形槽包含有一階面、及相連於所述階面與所述內表面的一梯面;所述環形粗糙區形成於所述階面與所述梯面,並且所述支撐層抵接於所述階面。
- 如請求項7所述的感測器封裝結構,其中,所述封裝體覆蓋於所述階面的局部,並且所述支撐層與所述梯面之間留有一溢流間隙。
- 如請求項1所述的感測器封裝結構,其中,所述環形區塊於所述外表面形成有一外環形槽,並且所述外環形槽包含有一階面、及相連於所述階面與所述外表面的一梯面;所述環形粗糙區形成於所述階面與所述梯面,並且所述封裝體的頂緣 切齊於所述階面。
- 如請求項1所述的感測器封裝結構,其中,所述感測器封裝結構進一步包含有多條金屬線,每條所述金屬線的兩端分別連接於所述基板與所述感測晶片的所述承載區域,以使所述基板與所述感測晶片彼此電性耦接;每條所述金屬線位於所述支撐層的外側且埋置於所述封裝體之內。
- 如請求項1所述的感測器封裝結構,其中,所述感測器封裝結構進一步包含有多條金屬線,每條所述金屬線的兩端分別連接於所述基板與所述感測晶片的所述承載區域,以使所述基板與所述感測晶片彼此電性耦接;每條所述金屬線的局部埋置於所述支撐層之內,而每條所述金屬線的其餘部位埋置於所述封裝體之內。
- 如請求項1所述的感測器封裝結構,其中,所述支撐層進一步限定為一紫外光固化層,並且所述透光層能用以使穿過所述環形區塊的光線於所述環形粗糙區形成散射而照射於所述支撐層。
- 一種晶片級感測器封裝結構,其包括:一感測晶片,其頂面包含有一感測區域及圍繞於所述感測區域的一承載區域;一支撐層,呈環形且設置於所述感測晶片的所述承載區域上;以及一透光層,具有位於相反側的一外表面與一內表面,並且所述透光層具有一透明區塊及圍繞於所述透明區塊的一環形 區塊;其中,所述環形區塊設置於所述支撐層上,以使所述透光層、所述支撐層、及所述感測晶片共同包圍形成有一封閉空間;其中,所述環形區塊形成有一環形粗糙區,並且所述環形粗糙區朝向所述感測晶片的所述頂面正投影所沿經的一投影空間,其位於所述感測區域的外側且重疊於整個所述支撐層與部分所述封閉空間。
- 如請求項13所述的晶片級感測器封裝結構,其中,所述環形粗糙區具有介於10%到90%的霧度(Haze)。
- 如請求項13所述的晶片級感測器封裝結構,其中,所述環形粗糙區形成於所述透光層的所述內表面,並且所述環形粗糙區的內邊緣位於所述封閉空間之內。
- 如請求項13所述的晶片級感測器封裝結構,其中,所述環形區塊於所述內表面形成有一內環形槽,並且所述內環形槽包含有一階面及相連於所述階面與所述內表面的一梯面;所述環形粗糙區形成於所述階面與所述梯面,並且所述支撐層抵接於所述階面。
- 如請求項16所述的晶片級感測器封裝結構,其中,所述支撐層與所述梯面之間留有一溢流間隙。
- 如請求項13所述的晶片級感測器封裝結構,其中,所述環形區塊於所述外表面形成有一外環形槽,並且所述外環形槽包含有一階面、及相連於所述階面與所述外表面的一梯面;所 述環形粗糙區形成於所述階面與所述梯面。
- 如請求項18所述的晶片級感測器封裝結構,其中,所述晶片級感測器封裝結構於所述內表面形成有一遮蔽環,並且所述遮蔽環正投影至所述感測晶片的所述頂面所形成的一投影區域,其位於所述感測區域與所述支撐層之間。
- 如請求項13所述的晶片級感測器封裝結構,其中,所述環形粗糙區佈滿所述環形區塊的表面。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US18/165,285 US20230395624A1 (en) | 2022-06-06 | 2023-02-06 | Sensor package structure and chip-scale sensor package structure |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202263349565P | 2022-06-06 | 2022-06-06 | |
US63/349,565 | 2022-06-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202349609A TW202349609A (zh) | 2023-12-16 |
TWI829446B true TWI829446B (zh) | 2024-01-11 |
Family
ID=88983813
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW111145343A TWI829446B (zh) | 2022-06-06 | 2022-11-28 | 感測器封裝結構及晶片級感測器封裝結構 |
TW111145544A TWI832587B (zh) | 2022-06-06 | 2022-11-29 | 感測鏡頭 |
TW111150509A TWI840058B (zh) | 2022-06-06 | 2022-12-29 | 感測器封裝結構 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW111145544A TWI832587B (zh) | 2022-06-06 | 2022-11-29 | 感測鏡頭 |
TW111150509A TWI840058B (zh) | 2022-06-06 | 2022-12-29 | 感測器封裝結構 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (4) | CN117199147A (zh) |
TW (3) | TWI829446B (zh) |
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2022
- 2022-11-28 TW TW111145343A patent/TWI829446B/zh active
- 2022-11-29 TW TW111145544A patent/TWI832587B/zh active
- 2022-11-29 CN CN202211511063.4A patent/CN117199147A/zh active Pending
- 2022-12-01 CN CN202211532456.3A patent/CN117199088A/zh active Pending
- 2022-12-29 TW TW111150509A patent/TWI840058B/zh active
-
2023
- 2023-01-04 CN CN202310008590.1A patent/CN117199006A/zh active Pending
- 2023-01-05 CN CN202310012640.3A patent/CN117199041A/zh active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202349730A (zh) | 2023-12-16 |
CN117199147A (zh) | 2023-12-08 |
TW202349099A (zh) | 2023-12-16 |
CN117199088A (zh) | 2023-12-08 |
TW202349731A (zh) | 2023-12-16 |
TWI832587B (zh) | 2024-02-11 |
CN117199006A (zh) | 2023-12-08 |
TWI840058B (zh) | 2024-04-21 |
TW202349609A (zh) | 2023-12-16 |
CN117199041A (zh) | 2023-12-08 |
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