TWI630688B - 感測器封裝結構 - Google Patents

感測器封裝結構 Download PDF

Info

Publication number
TWI630688B
TWI630688B TW106112674A TW106112674A TWI630688B TW I630688 B TWI630688 B TW I630688B TW 106112674 A TW106112674 A TW 106112674A TW 106112674 A TW106112674 A TW 106112674A TW I630688 B TWI630688 B TW I630688B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
outer edge
sensing
substrate
light
Prior art date
Application number
TW106112674A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201813024A (zh
Inventor
杜修文
辛宗憲
陳建儒
Original Assignee
勝麗國際股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 勝麗國際股份有限公司 filed Critical 勝麗國際股份有限公司
Publication of TW201813024A publication Critical patent/TW201813024A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI630688B publication Critical patent/TWI630688B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48471—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area being a ball bond, i.e. wedge-to-ball, reverse stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48475—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
    • H01L2224/48476—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area
    • H01L2224/48477—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding)
    • H01L2224/48478—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball
    • H01L2224/48479—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

一種感測器封裝結構，包括：基板、設置於上述基板的感測晶片、電性連接上述基板與感測晶片的多條金屬線、位置對應於感測晶片的透光層、能使透光層穩定地黏固於感測晶片的接合層、及封膠體。遠離基板的感測晶片頂面包含有感測區及圍繞於感測區的間隔區，並且感測晶片在頂面的至少部分邊緣與間隔區之間形成有多個連接墊。所述透光層在黏接於所述接合層的部位的外側留有固定區，封膠體包覆感測晶片外側緣、接合層外側緣、及所述透光層外側緣與固定區，而每條金屬線分別埋置於接合層與封膠體內。

Description

感測器封裝結構
本發明是涉及一種封裝結構，且還涉及一種感測器封裝結構。
現有電子裝置內的電子構件需要朝向尺寸縮小的方向研發，以使電子裝置能夠在有限的空間內安裝更多的電子構件。然而，現有感測器封裝結構(例如：影像感測器封裝結構)的發展已面臨難以繼續縮小尺寸的問題，而其中一個主要原因在於，現有感測器封裝結構並不適合用來進行較小尺寸感測晶片的封裝。
於是，本發明人認為上述缺陷可改善，乃特潛心研究並配合科學原理的運用，終於提出一種設計合理且有效改善上述缺陷的本發明。
本發明實施例在於提供一種感測器封裝結構，通過有別於以往的構造而能有效地改善現有感測器封裝結構所易發生的問題。
本發明實施例公開一種感測器封裝結構，包括：一基板，所述基板包含位於相反兩側的一上表面與一下表面，並且所述基板在所述上表面形成有多個焊墊；一感測晶片，所述感測晶片包含有位於相反兩側的一頂面與一底面，所述感測晶片的所述底面設置於所述基板的所述上表面，所述頂面包含有一感測區以及圍繞於所述感測區的一間隔區；其中，所述感測晶片在所述頂面的至少部分邊緣與所述間隔區之間形成有多個連接墊；多條金屬線，多條所述金屬線的一端分別連接於多個所述焊墊，並且多條所述金屬線的另一端分別連接於多個所述連接墊；一接合層，所述接 合層設置於至少部分所述邊緣與所述間隔區之間的所述頂面部位上，並且每條金屬線的部分埋置於所述接合層內；一透光層，所述透光層具有位於相反兩側的一第一表面與一第二表面，所述透光層的所述第二表面黏接於所述接合層，並且所述第二表面在黏接於所述接合層的部位的外側留有一固定區；其中，所述感測晶片正投影於所述第二表面而形成有一投影區域，所述投影區域是位於所述第二表面的輪廓內；以及一封膠體，所述封膠體設置於所述基板的所述上表面並包覆所述感測晶片外側緣、所述接合層外側緣、及所述透光層外側緣與所述固定區，而每條所述金屬線的部分及每個所述焊墊皆埋置於所述封膠體內。
綜上所述，本發明所公開的感測器封裝結構，可以通過將金屬線的局部埋置於接合層內，而使其利於封裝尺寸縮小後的感測晶片。
為能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，但是此等說明與附圖僅用來說明本發明，而非對本發明的保護範圍作任何的限制。
100‧‧‧感測器封裝結構(如：影像感測器封裝結構)
1‧‧‧基板
11‧‧‧上表面
111‧‧‧焊墊
12‧‧‧下表面
2‧‧‧感測晶片
21‧‧‧頂面
211‧‧‧感測區
212‧‧‧間隔區
213‧‧‧第一邊緣
214‧‧‧第二邊緣
215‧‧‧連接墊
22‧‧‧底面
23‧‧‧外側緣
231‧‧‧側面
3‧‧‧金屬線
31‧‧‧頂點
4‧‧‧透光層
41‧‧‧第一表面
42‧‧‧第二表面
421‧‧‧固定區
43‧‧‧外側緣
5‧‧‧黏接體
51‧‧‧支撐層
511‧‧‧外側緣(如：弧形側面)
52‧‧‧接合層
521‧‧‧外側緣(如：弧形曲面)
53‧‧‧封膠體
54‧‧‧模製膠體
55‧‧‧第一接合層
551‧‧‧外側緣(如：弧形側面)
56‧‧‧第二接合層
561‧‧‧外側緣
6‧‧‧封閉空間
D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7‧‧‧距離
H1、H2‧‧‧高度
φ‧‧‧夾角
圖1為本發明感測器封裝結構實施例一的剖視示意圖。
圖2為圖1的俯視示意圖(省略封膠體、透光層、金屬線)。
圖3為圖1的俯視示意圖(省略封膠體)。
圖4為圖1的另一俯視示意圖(省略封膠體)。
圖5A為圖1的A區域局部放大示意圖。
圖5B為圖5A的變化態樣示意圖。
圖6為圖1的B區域局部放大示意圖。
圖7為圖1的變化類型的剖視示意圖。
圖8為圖1的另一變化類型的剖視示意圖。
圖9為圖1的又一變化類型的剖視示意圖。
圖10為本發明感測器封裝結構實施例二的剖視示意圖。
圖11為本發明感測器封裝結構實施例三的俯視示意圖。
圖12為沿圖11的剖線XⅡ-XⅡ的剖視示意圖。
[實施例一]
請參閱圖1至圖9，其為本發明的實施例一，需先說明的是，本實施例對應圖式所提及的相關數量與外型，僅用來具體地說明本發明的實施方式，以便於瞭解本發明，而非用來侷限本發明的保護範圍。
如圖1和圖2所示，本實施例公開一種感測器封裝結構100，尤其是指一種影像感測器封裝結構100，但本發明不受限於此。所述感測器封裝結構100包括：一基板1、設置於上述基板1的一感測晶片2、使上述基板1與感測晶片2建立電性連接的多條金屬線3、位置對應於感測晶片2的一透光層4、及能使透光層4穩定地黏固於感測晶片2與基板1的一黏接體5。以下將分別介紹感測器封裝結構100中的各個構件構造，並適時說明構件間的連接關係。
如圖1和圖2所示，所述基板1可以是塑膠基板、陶瓷基板、導線架(lead frame)、或是其他板狀材料，本實施例對此不加以限制。其中，上述基板1包含位於相反兩側的一上表面11與一下表面12，並且所述基板1在上表面11形成有間隔排列的多個焊墊111。再者，所述基板在下表面12也形成有多個焊墊(未標示)，藉以用來分別焊接多顆焊接球(未標示)。也就是說，本實施例的基板1是以具備球柵陣列封裝(Ball Grid Array，BGA)的構造作一說明，但不受限於此。
如圖1和圖2所示，所述感測晶片2於本實施例中是以影像 感測晶片作一說明，但本實施例對感測晶片2的類型不加以限制。其中，所述感測晶片2包含有位於相反兩側的一頂面21與一底面22、及垂直地相連於頂面21與底面22的一外側緣23。所述頂面21包含有一感測區211以及圍繞於上述感測區211的一間隔區212。所述感測區211於本實施例中大致呈方形(如：正方形或長方形)，並且感測區211的中心可以是頂面21的中心(如圖4)或是與頂面21中心留有一距離(如圖2和圖3)。所述間隔區212於本實施例中則是呈方環狀，並且間隔區212的每個部位的寬度大致相同，但間隔區212的具體外型可以依據設計者或製造者的需求而加以調整，在此不加以限制。
進一步地說，所述頂面21具有至少一第一邊緣213與至少一第二邊緣214，而所述外側緣23包含相連於至少一所述第二邊緣214的至少一側面231。上述第一邊緣213與間隔區212的距離D1(如圖6)大於所述第二邊緣214與間隔區212的距離D2(如圖5A)。而於本實施例中，所述第二邊緣214與感測區211的距離D2小於1/3至1/4的第一邊緣213與感測區211的距離D1(D2<1/3~1/4D1)，但上述距離D2與距離D1的比例設計可以依據設計者或製造者的需求而加以調整，在此不加以限制。所述感測晶片2在頂面21的第一邊緣213與間隔區212之間形成有多個連接墊215，而第二邊緣214與間隔區212之間未形成有任何連接墊215。
其中，所述頂面21可以是包含有多個第一邊緣213及單個第二邊緣214(如圖3)、多個第一邊緣213與多個第二邊緣214(如圖4)、或是單個第一邊緣213與多個第二邊緣214(圖中未示出)，在此不加以限制。也就是說，圖1相當於沿圖3的IA-IA剖線的剖視示意圖、或是相當於沿圖4的IB-IB剖線的剖視示意圖。
再者，所述感測晶片2是以底面22設置於基板1的上表面11，並且設置有上述感測晶片2的基板1上表面11部位是大致位 於所述多個焊墊111包圍的區域之內。其中，本實施例中的感測晶片2是通過黏晶膠(Die Attach Epoxy，未標示)來將其底面22固定於基板1的上表面11，但具體設置方式不受限於此。
如圖1和圖2所示，所述多條金屬線3的一端分別連接於基板1的多個焊墊111，並且多條金屬線3的另一端分別連接於感測晶片2的多個連接墊215。其中，本實施例的每條金屬線3是以反打(reverse bond)的方式所形成，所以上述感測晶片2的頂面21與每條金屬線3的相鄰部位(如圖1中位於頂面21上方的金屬線3部位)能夠形成有小於等於45度的一夾角(未標示)，以使每條金屬線3的頂點31能夠位在較低的高度位置，進而避免觸碰到透光層4，但本發明不受限於此。例如，上述夾角也可以是小於等於30度。
如圖1和圖2所示，所述透光層4於本實施例中是以平板狀的玻璃作一說明，但本實施例對透光層4的類型不加以限制。其中，所述透光層4具有位於相反兩側的一第一表面41與一第二表面42、及垂直地相連於第一表面41與第二表面42的一外側緣43。本實施例的第一表面41與第二表面42為尺寸相同的方形(如：正方形或長方形)，並且所述透光層4的第二表面42面積大於上述感測晶片2的頂面21面積，但不受限於此。
再者，所述透光層4通過黏接體5而固定於基板1與感測晶片2，並且透光層4的第二表面42是大致平行且面向於所述感測晶片2的頂面21。進一步地說，所述感測晶片2正投影於第二表面42而形成有一投影區域(未標示)，並且所述投影區域是位於第二表面42的輪廓內。另，上述透光層4的第二表面42較佳是鄰設但未接觸於每條金屬線3，並且每條金屬線3的頂點31是位在透光層4朝向基板1正投影所形成的空間之外側，每條金屬線3 的頂點31相較於感測晶片2頂面21的高度H1(如圖6)較佳是小於所述透光層4第二表面42相較於感測晶片2頂面21的高度H2(如圖6)，但不受限於此。
如圖1、圖5A、和圖6，所述黏接體5可以是相同材質的單一構件或是由多種材質所組成的複合構件，本實施例對黏接體5的類型不加以限制。其中，所述黏接體5設置於基板1的上表面並包覆上述感測晶片2外側緣23、所述第一邊緣213與間隔區212之間的頂面21部位、及所述透光層4外側緣43與部分第二表面42。每條金屬線3的至少部分及每個焊墊111皆埋置於上述黏接體5內。
更詳細地說，本實施例的黏接體5包含彼此相連接的一支撐層51、一接合層52、及一封膠體53，但本發明不受限於此。其中，所述支撐層51與接合層52較佳為相同的材質(如：玻璃接合樹脂，Glass Mount Epoxy)，但不同於封膠體53的材質(如：液狀封裝膠體，liquid compound)。下述將分別介紹支撐層51、接合層52、及封膠體53相對於其他構件的連接關係。
如圖2和圖5A，本實施例中的支撐層51外型與形成位置是相關於感測晶片2的頂面21第二邊緣214。舉例來說，圖3所示的支撐層51為大致平行於第二邊緣214的單個長條狀構造，圖4所示的支撐層51則為大致平行於第二邊緣214的兩個長條狀構造。其中，所述支撐層51是鄰設於感測晶片2的第二邊緣214旁(如：支撐層51抵接於感測晶片2中與第二邊緣214相連的側面231)，並且遠離上述基板1的支撐層51端緣(如圖5A中的支撐層51頂緣)大致與感測晶片2的頂面21(或第二邊緣214)等高。
進一步地說，所述支撐層51的外側緣511包含有一弧形側面511，並且上述弧形側面511的弧心(未標示)位於封膠體53的 內側(如：弧心位於支撐層51內)，但不受限於此。舉例來說，如圖5B所示，所述弧形側面511的弧心(未標示)也可以是位於封膠體53。
如圖2、圖5A、及圖6，所述接合層52大致呈方環狀，並且接合層52的環形內緣較佳是相接於感測晶片2的間隔區212外緣。也就是說，所述間隔區212是為隔開接合層52與感測區211所預定保留的區域。其中，所述接合層52是設置於上述支撐層51以及第一邊緣213與間隔區212之間的頂面21部位上，並且設置於支撐層51上的所述接合層52部位(如圖5A)可進一步設置於第二邊緣214與間隔區212之間的頂面21部位上。其中，上述第二邊緣214與間隔區212之間的頂面21部位的面積較佳是小於其所相連的間隔區212部位的面積。換個角度來說，在一未繪示的實施例中，當設置於支撐層51上的所述接合層52部位並未設置於感測晶片2的頂面21時，所述頂面21的第二邊緣214相當於落在間隔區212外緣。
進一步地說，設置於支撐層51上的所述接合層52部位(如圖5A)的寬度與高度大致等同設置於第一邊緣213與間隔區212之間的頂面21部位上的所述接合層52部位(如圖6)的寬度與高度。所述接合層52的外側緣521包含有一弧形曲面521，並且所述弧形曲面521的弧心位於封膠體53。所述接合層52的弧形曲面521與感測區211的最大距離D3(如圖5A)較佳是大致等於所述第一邊緣213與感測區211的距離D4(如圖6)。其中，在垂直於所述基板1上表面11的感測器封裝結構100截面(如圖5A)上，所述支撐層51的弧形側面511與上述接合層52的弧形曲面521相接構成S形曲線，但本發明不以此為限(如圖5B)。
再者，每條金屬線3的部分埋置於所述接合層52內，也就是說，每個連接墊215及其所連接的局部金屬線3於本實施例中是 被埋置於接合層52內。但在一未繪示的實施例中，所述連接墊215及其所連接的局部金屬線3可以無需埋置於接合層52。
另，如圖1，所述透光層4的第二表面42黏接於接合層52，以使透光層4的第二表面42、接合層52、及感測晶片2的頂面21共同包圍形成有一封閉空間6，而感測晶片2的感測區211位於上述封閉空間6內。其中，所述第二表面42在黏接於接合層52的部位的外側留有呈方環狀的一固定區421。
如圖1、圖5A、及圖6，所述封膠體53設置於基板1的上表面11並包覆所述感測晶片2外側緣23、支撐層51外側緣511、接合層52外側緣521、及透光層4外側緣43與固定區421。而每條金屬線3的至少部分及每個焊墊111皆埋置於所述封膠體53內。其中，本實施例的每條金屬線3是分別埋置於封膠體53與接合層52，並且每條金屬線3的頂點31是埋置於封膠體53。但在一未繪示的實施例中，每條金屬線3也可以完全埋置於所述封膠體53內。
更詳細地說，所述透光層4的第一表面41與相鄰的封膠體53表面(如圖1中的封膠體53頂緣)形成有大於90度且小於等於180度的一夾角φ。所述夾角φ較佳是介於115度至150度。而所述封膠體53側緣則大致切齊於基板1的側緣。其中，本實施例中的封膠體53雖是以未附著在透光層4的第一表面41作說明，但本發明不排除封膠體53附著在上述透光層4的局部第一表面41(如：第一表面41的外緣部位)。
綜上所述，本實施例所公開的感測器封裝結構100，能夠適用於頂面21邊緣(如：第二邊緣214)與感測區211之間未設有連接墊215的感測晶片2，藉以利於封裝尺寸縮小後的感測晶片2。並且所述感測器封裝結構100也可以通過將金屬線3的局部埋置 於接合層52內，而使其利於封裝尺寸縮小後的感測晶片2。
再者，所述封膠體53通過黏接於支撐層51的弧形側面511與接合層52的弧形曲面521、及透光層4的外側緣43與固定區421，以使透光層4更為穩固地被設置於預定的位置上，進而使透光層4保持不接觸金屬線3，達到透光層4大致平行於感測晶片2頂面21的要求，藉以使感測器封裝結構100具有較佳的可靠度。
又，所述支撐層51是先以一個流程製造，而後上述接合層52再以另外一個流程製造，所以能夠通過支撐層51填補感測晶片2被縮小的部位(如：感測區211與第二邊緣214之間的部位)，藉以提供接合層52足夠的設置空間，而能夠避免接合層52跨過間隔區212而接觸在感測區211上。
此外，本實施例圖1至圖6所公開的感測器封裝結構100也能夠依據設計者的需求而加以調整，但由於本實施例感測器封裝結構100的變化類型過多、無法逐一通過附圖方式公開，所以下述僅列舉部分感測器封裝結構100的變化類型。
如圖7所示，所述透光層4的外側緣43呈階梯狀並埋置於所述封膠體53內，並且所述透光層4的第一表面41的面積小於第二表面42的面積。然而，在一未繪示的實施例中，不排除上述第一表面41的面積大於第二表面42的面積。
如圖8所示，所述感測器封裝結構100的黏接體5可進一步包括有一模製膠體54(molding compound)。其中，上述模製膠體54設置於所述封膠體53的頂緣，並且模製膠體54的頂表面與相鄰的透光層4第一表面41大致呈平行設置，而所述模製膠體54的側表面則與相鄰的封膠體53的側緣呈共平面設置，但不受限於此。再者，所述模製膠體54的頂表面與相鄰的透光層4第一表面41也可以是大致呈共平面設置，但本發明不受限於此。
如圖9所示，所述封膠體53可以是一模製膠體，並且所述透 光層4的第一表面41與相鄰的封膠體53表面大致呈平行設置，較佳為形成大致180度的夾角φ。
[實施例二]
請參閱圖10，其為本發明的實施例二，本實施例與上述實施例一類似，相同處則不再加以贅述，而兩者的差異主要在於：上述實施例一的接合層52與支撐層51能以本實施例的第一接合層55與第二接合層56取代，也就是說，實施例一的支撐層51及設置於其上的接合層52部位(如圖5A)於本實施例中改以一個流程所製造並定義為第二接合層56，而實施例一的接合層52其餘部位(如圖6)於本實施例中則改以另一個流程所製造並定義為第一接合層55，但本發明不受限於此。本實施例相較於實施例一的具體結構差異，大致說明如下。
所述第一接合層55設置於第一邊緣213與間隔區212之間的所述頂面21部位上，所述第二接合層56設置於所述基板1的上表面11並且鄰設於感測晶片2的第二邊緣214旁(如：第二接合層56抵接於感測晶片2的側面231)。其中，所述第二接合層56可進一步設置於第二邊緣214與間隔區212之間的所述頂面21部位上，並且所述第二邊緣214與間隔區212之間的頂面21部位的面積小於其所相連的間隔區212部位的面積。而所述第二接合層56頂緣相較於基板1的上表面11的高度大致等同於所述第一接合層55頂緣相較於基板1上表面11的高度。
再者，所述第二接合層56上半部區塊的外側緣561與感測區211的最大距離大致等於所述第一邊緣213與感測區211的距離。所述第一接合層55的外側緣551包含有一弧形側面551，並且所述弧形側面551的弧心位於封膠體53。在垂直於所述基板1上表面11的感測器封裝結構100的截面上，所述第二接合層56的外側緣561呈S形曲線，但不受限於此(如圖5B)。
所述透光層4的第二表面42黏接於第一接合層55與第二接合層56；以及所述第二表面42在黏接於上述第一接合層55與第二接合層56的部位的外側留有固定區421。
所述封膠體53設置於所述基板1的上表面11並包覆所述感測晶片2外側緣23、第一接合層55外側緣551、第二接合層56外側緣561、及所述透光層4外側緣43與固定區421，而每條金屬線3的部分及每個焊墊111皆埋置於所述封膠體53內。
[實施例三]
請參閱圖11和圖12，其為本發明的實施例三，本實施例與上述實施例一類似，相同處則不再加以贅述，而兩者的差異主要在於：本實施例的感測器封裝結構100可無須設有任何支撐層51，也就是說，本實施例的感測晶片2頂面21的邊緣皆為第一邊緣213。
需額外說明的是，上述三個實施例的感測器封裝結構100在許多部位的尺寸皆能夠被縮小，舉例來說，如圖12所示，所述透光層4的外側緣43與相鄰的封膠體53側緣之間的距離D5大致為300μm~500μm，所述基板1的任一個焊墊111外緣與相鄰的感測晶片2外側緣23之間的最大距離D6大致為200μm~350μm，鄰近於任一個焊墊111的感測晶片2外側緣23與相鄰的封膠體53側緣之間的距離D7大致為375μm~575μm。借此，所述感測器封裝結構100的尺寸比現有技術更小，並且能夠使用較少量的封膠體53，進而通過使用上述少量的封膠體53，令感測器封裝結構100所受到的熱漲冷縮應力減少，提升可靠度。
以上所述僅為本發明的優選可行實施例，並非用來侷限本發明的保護範圍，凡依本發明申請專利範圍所做的均等變化與修 飾，皆應屬本發明的保護範圍。

Claims (10)

  1. 一種感測器封裝結構，包括：一基板，所述基板包含位於相反兩側的一上表面與一下表面，並且所述基板在所述上表面形成有多個焊墊；一感測晶片，所述感測晶片包含有位於相反兩側的一頂面與一底面，所述感測晶片的所述底面設置於所述基板的所述上表面，所述頂面包含有一感測區以及圍繞於所述感測區的一間隔區；其中，所述感測晶片在所述頂面的至少部分邊緣與所述間隔區之間形成有多個連接墊；多條金屬線，多條所述金屬線的一端分別連接於多個所述焊墊，並且多條所述金屬線的另一端分別連接於多個所述連接墊；一接合層，所述接合層設置於至少部分所述邊緣與所述間隔區之間的所述頂面部位上，並且每條金屬線的部分埋置於所述接合層內；一透光層，所述透光層具有位於相反兩側的一第一表面與一第二表面，所述透光層的所述第二表面黏接於所述接合層，並且所述第二表面在黏接於所述接合層的部位的外側留有一固定區；其中，所述感測晶片正投影於所述第二表面而形成有一投影區域，所述投影區域是位於所述第二表面的輪廓內；以及一封膠體，所述封膠體設置於所述基板的所述上表面並包覆所述感測晶片外側緣、所述接合層外側緣、及所述透光層外側緣與所述固定區，而每條所述金屬線的部分及每個所述焊墊皆埋置於所述封膠體內；其中，所述接合層的所述外側緣包含有一弧形曲面，並且所述弧形曲面的弧心位於所述封膠體中。
  2. 如請求項1所述的感測器封裝結構，其中，所述封膠體進一步限定為一液狀封裝膠體，並且所述透光層的所述第一表面與相鄰的所述封膠體表面形成有大於90度且小於等於180度的一夾角。
  3. 如請求項2所述的感測器封裝結構，其中，所述夾角介於115度至150度。
  4. 如請求項2所述的感測器封裝結構，其中，所述感測器封裝結構進一步包括有設置於所述封膠體頂緣的一模製膠體，所述模製膠體的頂表面與相鄰的所述第一表面呈平行設置，所述模製膠體的側表面與相鄰的所述封膠體的側緣呈共平面設置。
  5. 如請求項1所述的感測器封裝結構，其中，所述封膠體進一步限定為一模製膠體，並且所述透光層的所述第一表面與相鄰的所述封膠體表面形成有180度的一夾角。
  6. 如請求項1至5中任一項所述的感測器封裝結構，其中，每條所述金屬線包含有埋置於所述封膠體內的一頂點。
  7. 如請求項6所述的感測器封裝結構，其中，所述感測晶片的所述頂面與每條所述金屬線的相鄰部位形成有小於等於45度的一夾角。
  8. 如請求項1至5中任一項所述的感測器封裝結構，其中，所述透光層的所述外側緣呈階梯狀並埋置於所述封膠體內。
  9. 如請求項8所述的感測器封裝結構，其中，所述第一表面的面積小於所述第二表面的面積。
  10. 如請求項1至5中任一項所述的感測器封裝結構，其中，所述透光層的所述外側緣與相鄰的所述封膠體側緣之間的距離為300μm~500μm，所述基板的任一個所述焊墊外緣與相鄰的所述感測晶片外側緣之間的最大距離為200μm~350μm，鄰近於任一個所述焊墊的所述感測晶片外側緣與相鄰的所述封膠體側緣之間的距離為375μm~575μm。
TW106112674A 2016-07-06 2017-04-14 感測器封裝結構 TWI630688B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662358643P 2016-07-06 2016-07-06
US62,358643 2016-07-06
CN201610868068.0A CN107591374B (zh) 2016-07-06 2016-09-30 感测器封装结构
??201610868068.0 2016-09-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201813024A TW201813024A (zh) 2018-04-01
TWI630688B true TWI630688B (zh) 2018-07-21

Family

ID=61045168

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106112682A TWI631675B (zh) 2016-07-06 2017-04-14 感測器封裝結構
TW106112674A TWI630688B (zh) 2016-07-06 2017-04-14 感測器封裝結構

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106112682A TWI631675B (zh) 2016-07-06 2017-04-14 感測器封裝結構

Country Status (2)

Country Link
CN (2) CN107591420B (zh)
TW (2) TWI631675B (zh)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI678570B (zh) * 2018-06-06 2019-12-01 鴻海精密工業股份有限公司 接合結構及具有該接合結構之相機模組
JP2020036216A (ja) 2018-08-30 2020-03-05 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法
TWI698012B (zh) * 2018-09-27 2020-07-01 勝麗國際股份有限公司 感測器封裝結構
CN111212202A (zh) * 2018-11-22 2020-05-29 纮华电子科技（上海）有限公司 影像获取模块及便携式电子装置
CN111212201A (zh) * 2018-11-22 2020-05-29 纮华电子科技（上海）有限公司 影像获取模块及便携式电子装置
TWI681564B (zh) * 2019-01-10 2020-01-01 茂達電子股份有限公司 行動通訊裝置及其光學封裝結構
CN111520690B (zh) * 2019-02-01 2022-03-22 光宝光电(常州)有限公司 光源装置
CN111769125B (zh) * 2019-04-02 2023-08-01 同欣电子工业股份有限公司 感测器封装结构
TWI697990B (zh) * 2019-04-30 2020-07-01 勝麗國際股份有限公司 感測器封裝結構及其感測模組
CN111917003B (zh) * 2019-05-07 2021-11-30 光宝光电(常州)有限公司 光源装置
CN112038299B (zh) * 2019-06-04 2022-05-06 胜丽国际股份有限公司 堆叠式感测器封装结构
TWI730682B (zh) * 2019-06-26 2021-06-11 同欣電子工業股份有限公司 晶片封裝結構及其製造方法
CN113823645A (zh) * 2020-06-18 2021-12-21 胜丽国际股份有限公司 感测器封装结构
CN112822380A (zh) * 2021-01-22 2021-05-18 南昌欧菲光电技术有限公司 感光芯片及封装结构与其制造方法、摄像模组和电子设备
TWI800793B (zh) 2021-02-08 2023-05-01 同欣電子工業股份有限公司 感測器封裝結構
CN115312549A (zh) * 2021-05-05 2022-11-08 胜丽国际股份有限公司 传感器封装结构
TWI801107B (zh) * 2022-01-25 2023-05-01 同欣電子工業股份有限公司 感測器封裝結構

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030222333A1 (en) * 2002-06-04 2003-12-04 Bolken Todd O. Sealed electronic device packages with transparent coverings
US20050073036A1 (en) * 2003-09-23 2005-04-07 Appelt Bernd Karl Overmolded optical package
US20050255628A1 (en) * 2003-09-18 2005-11-17 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices and methods for packaging microelectronic devices
US20070108579A1 (en) * 2003-09-17 2007-05-17 Bolken Todd O Methods of fabrication of package assemblies for optically interactive electronic devices and package assemblies therefor
US8072083B1 (en) * 2006-02-17 2011-12-06 Amkor Technology, Inc. Stacked electronic component package having film-on-wire spacer

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002076154A (ja) * 2000-08-23 2002-03-15 Kyocera Corp 半導体装置
EP1861879A4 (en) * 2005-03-25 2011-04-20 Fujifilm Corp SEMICONDUCTOR IMAGING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
TWI278122B (en) * 2005-06-17 2007-04-01 Advanced Semiconductor Eng Dispensing package of image sensor and its method
WO2008032404A1 (en) * 2006-09-15 2008-03-20 Fujitsu Microelectronics Limited Semiconductor device and method for manufacturing same
US8269300B2 (en) * 2008-04-29 2012-09-18 Omnivision Technologies, Inc. Apparatus and method for using spacer paste to package an image sensor
TW201503334A (zh) * 2013-07-08 2015-01-16 Kingpaktechnology Inc 影像感測器二階段封裝方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030222333A1 (en) * 2002-06-04 2003-12-04 Bolken Todd O. Sealed electronic device packages with transparent coverings
US20070108579A1 (en) * 2003-09-17 2007-05-17 Bolken Todd O Methods of fabrication of package assemblies for optically interactive electronic devices and package assemblies therefor
US20050255628A1 (en) * 2003-09-18 2005-11-17 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices and methods for packaging microelectronic devices
US20050073036A1 (en) * 2003-09-23 2005-04-07 Appelt Bernd Karl Overmolded optical package
US8072083B1 (en) * 2006-02-17 2011-12-06 Amkor Technology, Inc. Stacked electronic component package having film-on-wire spacer

Also Published As

Publication number Publication date
CN107591420B (zh) 2020-02-18
CN107591374A (zh) 2018-01-16
TW201813024A (zh) 2018-04-01
TW201803040A (zh) 2018-01-16
CN107591420A (zh) 2018-01-16
TWI631675B (zh) 2018-08-01
CN107591374B (zh) 2020-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI630688B (zh) 感測器封裝結構
JP6415648B2 (ja) センサパッケージ構造
TWI627738B (zh) 感測器封裝結構
US10600830B2 (en) Sensor package structure
JP6479099B2 (ja) センサパッケージ構造
TWI667752B (zh) 感測器封裝結構
TWI640073B (zh) 感測器封裝結構
TW201528450A (zh) 半導體裝置及半導體裝置之製造方法
TW202015200A (zh) 感測器封裝結構
CN112420753B (zh) 感测器封装结构
TW201813480A (zh) 具有擋止件的封裝基板及感測器封裝結構
TWI703687B (zh) 感測器封裝結構
TW202245188A (zh) 感測器封裝結構
TWI685922B (zh) 晶片級感測器封裝結構
TWI819452B (zh) 感測器封裝結構
TWI769780B (zh) 感測器封裝結構
TWI747218B (zh) 晶片級感測器封裝結構
TWI676250B (zh) 光學感測器
JP2023125523A (ja) 半導体装置
TW202349730A (zh) 感測器封裝結構
TW202046462A (zh) 堆疊式感測器封裝結構