TWI820283B - 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體 - Google Patents

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Abstract

[課題] 提升使用了含金屬光阻之光阻圖案的尺寸穩定性。 [解決手段] 基板處理裝置，係具備有：成膜處理部，在基板形成含金屬光阻之被膜；熱處理部，對基板進行加熱處理，該基板，係形成有上述被膜並對該被膜施予了曝光處理；顯像處理部，對施予了加熱處理之基板的上述被膜進行顯像處理；及調整控制部，在被形成於基板之上述被膜內，使每一基板在加熱處理時反應的水含量之差縮小。

Description

基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
本揭示，係關於基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體。
在專利文獻1中，係揭示有使用化學增幅型光阻來形成光阻圖案的基板處理裝置。在該基板處理裝置中，係控制部使基板在待機部待機，以使曝光裝置之曝光結束後直至藉由曝光後烘烤單元開始進行曝光後烘烤處理為止的時間於每一基板成為固定。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2008-130857號公報
[本發明所欲解決之課題]
有時使用含金屬光阻來代替化學增幅型光阻。本揭示，係提供一種對於提升使用了含金屬光阻之光阻圖案的尺寸穩定性有效之基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體。 [用以解決課題之手段]
基板處理裝置，係具備有：成膜處理部，在基板形成含金屬光阻之被膜；熱處理部，對基板進行加熱處理，該基板，係形成有被膜並對該被膜施予了曝光處理；顯像處理部，對施予了加熱處理之基板的被膜進行顯像處理；及調整控制部，在被形成於基板之被膜內，使每一基板在加熱處理時反應的水含量之差縮小。 [發明之效果]
根據本揭示，提供一種對於提升使用了含金屬光阻之光阻圖案的尺寸穩定性有效之基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體。
以下，說明關於各種例示性實施形態。在說明中，對同一要素或具有相同功能的要素標記相同符號，並省略重複的說明。
[第1實施形態] 首先，參閱圖1~圖7，說明第1實施形態的基板處理系統。
[基板處理系統] 基板處理系統1，係對基板施予感光性被膜之形成、該感光性被膜之曝光及該感光性被膜之顯像的系統。處理對象之基板，係例如半導體的晶圓W。感光性被膜，係例如光阻膜。基板處理系統1，係具備有：塗佈･顯像裝置2；及曝光裝置3。曝光裝置3，係對被形成於晶圓W(基板)上之光阻膜(感光性被膜)進行曝光的曝光處理用之裝置。曝光裝置3之內部空間，係例如被保持為實質的真空狀態。具體而言，曝光裝置3，係藉由浸液曝光等的方法，對光阻膜之曝光對象部分照射能量線。塗佈･顯像裝置2，係在由曝光裝置3所進行的曝光處理之前，進行將光阻(藥液)塗佈於晶圓W(基板)之表面而形成光阻膜的處理，並在曝光處理後，進行光阻膜之顯像處理。基板處理系統1，係使用含有金屬之光阻(以下，稱為「含金屬光阻」。)，形成含金屬光阻的被膜。例如，基板處理系統1，係亦可使用含有氧化金屬之光阻來形成上述被膜。
[基板處理裝置] 以下，作為基板處理裝置之一例，說明塗佈･顯像裝置2的構成。如圖1及圖2所示般，塗佈･顯像裝置2，係具備有：載體區塊4；處理區塊5；介面區塊6；調濕機構7；及控制裝置100(調整控制部)。
載體區塊4，係進行晶圓W朝塗佈･顯像裝置2內之導入及晶圓W從塗佈･顯像裝置2內之導出。例如，載體區塊4，係可支撐晶圓W用之複數個載體C，且內藏有包含收授臂的搬送裝置A1。載體C，係例如收容圓形之複數片晶圓W。搬送裝置A1，係將晶圓W從載體C取出而傳遞至處理區塊5，並從處理區塊5接收晶圓W而返回到載體C內。處理區塊5，係具有：複數個處理模組11，12，13，14。
處理模組11，係內建有：塗佈單元U1；熱處理單元U2；及搬送裝置A3，在該些單元搬送晶圓W。處理模組11，係藉由塗佈單元U1及熱處理單元U2，在晶圓W的表面上形成下層膜。塗佈單元U1，係將下層膜形成用之處理液塗佈於晶圓W上。熱處理單元U2，係進行伴隨著下層膜之形成的各種熱處理。
處理模組12(成膜處理部)，係內建有：塗佈單元U3；熱處理單元U4；及搬送裝置A3，在該些單元搬送晶圓W。處理模組12，係藉由塗佈單元U3及熱處理單元U4，在下層膜上形成含金屬光阻的被膜。塗佈單元U3，係將作為被膜形成用之處理液的含金屬光阻塗佈於下層膜上。熱處理單元U4，係進行伴隨著被膜之形成的各種熱處理。藉此，在晶圓W之表面形成含金屬光阻之被膜。
處理模組13，係內建有：塗佈單元U5；熱處理單元U6；及搬送裝置A3，在該些單元搬送晶圓W。處理模組13，係藉由塗佈單元U5及熱處理單元U6，在光阻膜上形成上層膜。塗佈單元U5，係在光阻膜上塗佈上層膜形成用之液體。熱處理單元U6，係進行伴隨著上層膜之形成的各種熱處理。
處理模組14，係內建有：顯像單元U7(顯像處理部)；熱處理單元U8(熱處理部)；及搬送裝置A3，在該些單元搬送晶圓W。處理模組14，係藉由顯像單元U7及熱處理單元U8，進行施予了曝光處理之被膜的顯像處理及伴隨著顯像處理的加熱處理。藉此，在晶圓W之表面形成使用了含金屬光阻的光阻圖案。顯像單元U7，係在將顯像液塗佈於曝光完成之晶圓W的表面上後，藉由沖洗液來將其沖洗掉，藉此，進行含金屬光阻之被膜的顯像處理。熱處理單元U8，係進行伴隨著顯像處理的各種熱處理。作為熱處理之具體例，係可列舉出顯像處理前的加熱處理(PEB：Post Exposure Bake)、顯像處理後的加熱處理(PB：Post Bake)等。顯像單元U7，係對藉由熱處理單元U8施予了加熱處理(PEB)的晶圓W進行顯像處理。以下，只要沒有特別說明，熱處理單元U8中之加熱處理，係作為「顯像處理前的加熱處理(PEB)」而進行說明。又，含金屬光阻之被膜，係僅作為「被膜」而進行說明。
在處理區塊5內之載體區塊4側，係設置有棚架單元U10。棚架單元U10，係被區劃成沿上下方向排列的複數個格室。在棚架單元U10附近，係設置有包含升降臂的搬送裝置A7。搬送裝置A7，係使晶圓W在棚架單元U10的格室彼此之間升降。
在處理區塊5內之介面區塊6側，係設置有棚架單元U11。棚架單元U11，係被區劃成沿上下方向排列的複數個格室。
介面區塊6，係在與曝光裝置3之間進行晶圓W之收授。例如介面區塊6，係內建有包含收授臂的搬送裝置A8，並被連接於曝光裝置3。搬送裝置A8，係將被配置於棚架單元U11之晶圓W經由調濕機構7傳遞至曝光裝置3。搬送裝置A8，係從曝光裝置3接收晶圓W而經由調濕機構7返回到棚架單元U11。
調濕機構7，係被構成為調節形成於晶圓W之表面的被膜所包含之水含量(以下，稱為「含有水分量」。)的機構。 被膜之含有水分量的調節，係包含使含有水分量增加與使含有水分量減少及抑制含有水分量之變動的至少一者。例如，調濕機構7，係被設置於介面區塊6內。調濕機構7，係包含有：基板收容單元20(基板收容部)；及脫水單元30(脫水部)。基板收容單元20，係被構成為收容複數個晶圓W並抑制所收容的晶圓W中之被膜的含有水分量之變化。脫水單元30，係被構成為收容1片或複數片晶圓W並使所收容的晶圓W中之被膜的含有水分量減少。關於該些構成之一例，係如後述。
控制裝置100，係例如以藉由以下之程序來執行塗佈･顯像處理的方式，控制塗佈･顯像裝置2。首先，控制裝置100，係以將載體C內之晶圓W搬送至棚架單元U10的方式，控制搬送裝置A1，並以將該晶圓W配置於處理模組11用之格室的方式，控制搬送裝置A7。
其次，控制裝置100，係以將棚架單元U10的晶圓W搬送至處理模組11內之塗佈單元U1及熱處理單元U2的方式，控制搬送裝置A3。又，控制裝置100，係以在該晶圓W之表面上形成下層膜的方式，控制塗佈單元U1及熱處理單元U2。其後，控制裝置100，係以使形成有下層膜之晶圓W返回到棚架單元U10的方式，控制搬送裝置A3，並以將該晶圓W配置於處理模組12用之格室的方式，控制搬送裝置A7。
其次，控制裝置100，係以將棚架單元U10的晶圓W搬送至處理模組12內之塗佈單元U3及熱處理單元U4的方式，控制搬送裝置A3。又，控制裝置100，係以在該晶圓W的下層膜上形成含金屬光阻之被膜的方式，控制塗佈單元U3及熱處理單元U4。其後，控制裝置100，係以使晶圓W返回到棚架單元U10的方式，控制搬送裝置A3，並以將晶圓W配置於處理模組13用之格室的方式，控制搬送裝置A7。
其次，控制裝置100，係以將棚架單元U10的晶圓W搬送至處理模組13內之各單元的方式，控制搬送裝置A3。又，控制裝置100，係以在該晶圓W之被膜上形成上層膜的方式，控制塗佈單元U5及熱處理單元U6。其後，控制裝置100，係以將晶圓W搬送至棚架單元U11的方式，控制搬送裝置A3。
其次，控制裝置100，係以將棚架單元U11之晶圓W搬入基板收容單元20並將基板收容單元20所收容之晶圓W送出至曝光裝置3的方式，控制搬送裝置A8。其後，控制裝置100，係以從曝光裝置3接收施予了曝光處理之晶圓W而搬入脫水單元30的方式，控制搬送裝置A8。而且，控制裝置100，係以將脫水單元30內的晶圓W配置於棚架單元U11中之處理模組14用之格室的方式，控制搬送裝置A8。
其次，控制裝置100，係以將棚架單元U11的晶圓W搬送至處理模組14內之熱處理單元U8的方式，控制搬送裝置A3。而且，控制裝置100，係以對晶圓W之被膜施予加熱處理的方式，控制熱處理單元U8。其次，控制裝置100，係以對藉由熱處理單元U8施予了加熱處理之晶圓W的被膜施予顯像處理及顯像處理後之加熱處理的方式，控制顯像單元U7及熱處理單元U8。其後，控制裝置100，係以使晶圓W返回到棚架單元U10的方式，控制搬送裝置A3，並以使該晶圓W返回到載體C內的方式，控制搬送裝置A7及搬送裝置A1。藉由以上，塗佈･顯像處理便結束。
另外，基板處理裝置之具體構成，係不限於以上所例示之塗佈･顯像裝置2的構成。基板處理裝置，係只要具備有進行形成含金屬光阻的被膜之成膜處理的單元、在曝光處理後對被膜進行加熱處理的熱處理單元、對被膜進行顯像處理的顯像單元及可控制該些的控制裝置，則亦可為任何者。調濕機構7之各單位，係亦可被設置於載體區塊4或處理模組11，12，13，14內。
(調濕機構) 接著，說明關於調濕機構7之各單元的構成。如上述般，圖3(a)所示之基板收容單元20，係收容複數個晶圓W，並抑制所收容的晶圓W之被膜內的含有水分量之變化。由於基板收容單元20，係可收容複數個晶圓W，因此，將其作為使晶圓W待機的緩衝部而發揮功能直至將晶圓W收授至曝光裝置3為止。另外，基板收容單元20，係亦可被設置於介面區塊6與曝光裝置3之間。
基板收容單元20內之含有水分量的變化，係與收容塗佈･顯像裝置2中之搬送裝置的搬送空間(例如搬送裝置A3，A8可移動的空間)相比更被抑制。基板收容單元20內所收容之晶圓W的含有水分量之每一單位時間的增減幅度，係比滯留於搬送空間及曝光裝置3之任一者的晶圓W小。在滯留於搬送空間的晶圓W之含有水分量增加的情況下，基板收容單元20內所收容之晶圓W的含有水分量之每一單位時間的增加幅度，係比搬送空間內的晶圓W小。在曝光裝置3內被保持為實質的真空狀態之情況下，當晶圓W滯留於曝光裝置3內時，則該晶圓W之被膜的含有水分量會減少。在該情況下，基板收容單元20內所收容之晶圓W的含有水分量之每一單位時間的減少幅度，係比曝光裝置3內的晶圓W小。
例如基板收容單元20，係具有：殼體21；複數個收容棚架22；及供給路徑23。殼體21，係被構成為隔離外部空間(搬送空間)與內部空間。例如殼體21，係具有內部空間之箱體。在殼體21之至少一部分，係亦可形成晶圓W的出入用之開口。殼體21，係亦可被構成為藉由氣幕來抑制經由了上述開口之氣體的出入。殼體21，係收容複數個收容棚架22，在殼體21之一端，係連接有供給路徑23。複數個收容棚架22，係分別保持複數個晶圓W。供給路徑23，係將如抑制含有水分量之變化般的空氣供給至殼體21內的空間。例如生成低濕度之乾空氣的裝置被連接於供給路徑23之一端，供給路徑23，係亦可將低濕度之乾空氣供給至殼體21內。藉由供給路徑23所供給之乾空氣，係具有如抑制基板收容單元20所收容的晶圓W中之含有水分量之變化般的濕度。例如藉由供給路徑23所供給之乾空氣的濕度，係小於搬送空間內之濕度且大於曝光裝置3內之濕度。
圖3(b)所示之脫水單元30，係收容1片或複數片晶圓W，並使收容之晶圓W之被膜的含有水分量減少。例如脫水單元30，係具有：殼體31；支撐板32；及連接管路33。殼體31，係隔離外部空間(搬送空間)與內部空間之箱體。支撐板32，係支撐脫水對象的晶圓W之板狀的構件。連接管路33，係被連接於殼體31的一端，在連接管路33之殼體31相反側的一端，係連接有真空裝置(未圖示)。藉此，殼體31內之空間被真空吸引，脫水單元30內(內部空間)，係被保持為實質的真空狀態。殼體31內之內部空間被維持為實質的真空狀態，藉此，脫水單元30所收容的晶圓W中之被膜的含有水分量減少。
(控制裝置) 返回到圖2，控制裝置100，係控制塗佈･顯像裝置2所包含的各要素。控制裝置100，係被構成為執行如下述者：以在晶圓W形成含金屬光阻之被膜的方式，控制處理模組12；以對晶圓W進行加熱處理的方式，控制熱處理單元U8，該晶圓W，係形成有被膜並對該被膜施予了曝光處理；以對施予了加熱處理的晶圓W之被膜進行顯像處理的方式，控制顯像單元U7；及在被形成於晶圓W之被膜內，使每一晶圓W在加熱處理時反應的水含量(以下，稱為「反應水含量」。)之差縮小。
控制裝置100，係亦可被構成為執行如下述者：以使每一晶圓W的反應水含量之差縮小的方式，使每一晶圓W在由熱處理單元U8所進行之加熱處理的開始時之含金屬光阻所包含的含有水分量之差縮小。在以下中，係亦有時將含金屬光阻之被膜所包含的含有水分量僅稱為「含有水分量」，並將由熱處理單元U8所進行之加熱處理開始時的含有水分量僅稱為「加熱處理開始時的含有水分量」。
以下，例示控制裝置100的具體構成。如圖4所示般，控制裝置100，係具有搬送基準時間設定部102、待機時間取得部104、搬送控制部106、滯留時間算出部108、脫水時間算出部110、熱處理單元控制部114及動作指令保持部116作為功能上的構成(以下，稱為「功能模組」。)。在動作指令保持部116，係亦可含有處理排程，該處理排程，係包含對於複數個晶圓W各者的搬送計劃。
搬送基準時間設定部102，係被構成為設定搬送基準時間。例如搬送基準時間，係指相對於從由處理模組12對1個晶圓W所進行之成膜處理後直至搬入基板收容單元20為止所花費的時間(收容待機時間)之恆定的目標值。收容待機時間，係包含有任一搬送裝置支撐該晶圓W而搬送的時間與不藉由搬送裝置搬送該晶圓W的時間。搬送基準時間設定部102，係基於動作指令保持部116所保持之搬送計劃，設定搬送基準時間。搬送基準時間設定部102，係將所設定之搬送基準時間輸出至搬送控制部106。
待機時間取得部104，係被構成為取得預定待機時間。預定待機時間，係例如晶圓W滯留於棚架單元U11內的預定時間。待機時間取得部104，係基於動作指令保持部116所保持之搬送計劃，取得棚架單元U11中之晶圓W的預定待機時間。待機時間取得部104，係將所取得之預定待機時間輸出至搬送控制部106。
搬送控制部106，係以搬送晶圓W的方式，控制搬送裝置A3及搬送裝置A8。搬送控制部106，係基於藉由搬送基準時間設定部102所設定的搬送基準時間及藉由待機時間取得部104所取得的預定待機時間，針對每一晶圓W調整收容待機時間。例如搬送控制部106，係因應搬送基準時間、預定待機時間及預定搬送所用時間，算出調整時間。預定搬送所用時間，係指例如藉由搬送裝置A8將晶圓W從棚架單元U11搬送至基板收容單元20所花費的預定時間。調整時間，係指為了縮小每一晶圓W的收容待機時間之時間差而加總至預定搬送所用時間及預定待機時間之任一者的時間。具體而言，藉由從搬送基準時間減去預定待機時間及預定搬送所用時間的方式，算出對於各晶圓W之調整時間。搬送控制部106，係亦可將預定待機時間延長所算出之調整時間的量，或亦可延長預定搬送所用時間。搬送控制部106，係以在經調整之收容待機時間，將各晶圓W搬入基板收容單元20的方式，控制搬送裝置A3，A8。
滯留時間算出部108，係被構成為算出複數個晶圓W各者在曝光裝置3內的滯留時間。滯留時間算出部108，係將所算出之滯留時間輸出至搬送控制部106及脫水時間算出部110。
脫水時間算出部110，係因應藉由滯留時間算出部108所算出之曝光裝置3內的滯留時間，算出脫水單元30內之對於各晶圓W的脫水時間。脫水時間，係指晶圓W滯留於脫水單元30內的時間。脫水時間算出部110，係以在曝光裝置3內之滯留時間越長，滯留於脫水單元30內之時間越短的方式，算出對於各晶圓W的脫水時間。脫水時間算出部110，係將所算出之脫水時間輸出至搬送控制部106。
熱處理單元控制部114，係控制由熱處理單元U8所進行之顯像前及顯像後的加熱處理。例如，熱處理單元控制部114，係基於動作指令保持部116所保持之處理排程，控制熱處理單元U8中之加熱處理的加熱時間。
控制裝置100，係藉由一個或複數個控制用電腦所構成。例如控制裝置100，係具有圖5所示的電路120。電路120，係具有：一個或複數個處理器121；記憶體122；儲存器123；計時器124；及輸出入埠125。儲存器123，係例如具有硬碟等、可藉由電腦讀取的記憶媒體。記憶媒體，係記憶用以使控制裝置100執行後述之基板處理程序的程式。記憶媒體，係亦可為非揮發性之半導體記憶體、磁碟及光碟等的可取出之媒體。記憶體122，係暫時記憶從儲存器123之記憶媒體所載入的程式及處理器121所致之演算結果。處理器121，係與記憶體122協同地執行上述程式，藉此，構成上述的各功能模組。輸出入埠125，係依照來自處理器121的指令，在與搬送裝置A3，A8及熱處理單元U8之間進行電信號的輸出入。計時器124，係例如以計數固定週期之基準脈衝的方式，計測經過時間。
另外，控制裝置100之硬體構成，係不一定被限定於藉由程式構成各功能模組者。例如，控制裝置100之各功能模組，係亦可藉由專用之邏輯電路或整合了此邏輯電路之ASIC(Application Specific Integrated Circuit)所構成。
[基板處理程序] 接著，說明塗佈･顯像裝置2中所執行之基板處理程序作為基板處理方法的一例。該基板處理程序，係包含：在晶圓W形成被膜(含金屬光阻之被膜)；對晶圓W進行加熱處理，該晶圓W，係形成有被膜並對該被膜施予了曝光處理；及對施予了加熱處理之晶圓W的被膜進行顯像處理。該基板處理程序，係更包含有：在被形成於晶圓W之被膜內，使每一晶圓W在由熱處理單元U8所進行之加熱處理時反應的水含量之差縮小。以下，說明調整程序(以下，稱為「反應水含量之調整程序」。)之例子，該調整程序，係以使每一晶圓W在加熱處理時的反應水含量之差縮小的方式來執行。
在本實施形態中，反應水含量之調整程序，係含有：在由曝光裝置3所進行的曝光處理前，調整每一晶圓W之含有水分量的程序；及在由曝光裝置3所進行的曝光處理後，調整每一晶圓W之含有水分量的程序。作為調整曝光處理前之含有水分量的一例，控制裝置100，係以將形成有被膜之晶圓W搬入基板收容單元20的方式，控制搬送裝置A8。又，控制裝置100，係以使每一晶圓W從處理模組12被搬出起直至被搬入基板收容單元20為止的時間之差縮小的方式，控制搬送裝置A8。換言之，控制裝置100，係調整每一晶圓W在處理模組12中從成膜處理後起至基板收容單元20之收容待機時間，藉此，調整每一晶圓W的含有水分量。
圖6，係表示曝光處理前之含有水分量之調整程序的流程圖。在該調整程序中，控制裝置100，係首先執行步驟S11。在步驟S11中，搬送基準時間設定部102，係基於動作指令保持部116所記憶之搬送計劃，設定搬送基準時間。例如搬送基準時間設定部102，係亦可將「處理模組12對於複數個晶圓W之成膜處理後直至收容於基板收容單元20為止所花費的計劃上之時間中最長的時間」設定為搬送基準時間。抑或，搬送基準時間設定部102，係亦可將由操作員所預先輸入至動作指令保持部116的基準時間設定為搬送基準時間。搬送基準時間設定部102，係將所設定之搬送基準時間輸出至搬送控制部106。
其次，控制裝置100，係執行步驟S12。在步驟S12中，待機時間取得部104，係基於動作指令保持部116所記憶之搬送計劃，取得預定待機時間。例如，待機時間取得部104，係從動作指令保持部116，取得棚架單元U11對於上述搬送計劃所包含的調整對象之晶圓W的預定待機時間。搬送計劃，係包含有：向棚架單元U11之預定搬入時刻；及自棚架單元U11之預定搬出時刻。待機時間取得部104，係從向棚架單元U11之預定搬入時刻與自棚架單元U11之預定搬出時刻的差，算出預定待機時間。待機時間取得部104，係將所取得之預定待機時間輸出至搬送控制部106。
其次，控制裝置100，係執行步驟S13。在步驟S13中，搬送控制部106，係算出對於搬送對象之晶圓W的調整時間。例如搬送控制部106，係基於藉由搬送基準時間設定部102所設定的搬送基準時間與藉由待機時間取得部104所取得的預定待機時間與已知的搬送所用時間，算出晶圓W之調整時間。已知的搬送所用時間，係指藉由搬送裝置A8將1個晶圓W從棚架單元U11搬出並搬入基板收容單元20之時間，於每一晶圓W大致為固定。搬送控制部106，係從搬送基準時間減去預定待機時間及搬送所用時間，藉此，算出調整時間。
其次，控制裝置100，係執行步驟S14，S15。在步驟S14中，例如搬送控制部106，係以使晶圓W滯留於棚架單元U11僅比預定待機時間延長調整時間的方式，控制搬送裝置A8。換言之，搬送控制部106，係以等待來自棚架單元U11之取出僅調整時間的方式，控制搬送裝置A8。在步驟S14中，當經過調整時間時，控制裝置100，係執行步驟S15。在步驟S15中，搬送控制部106，係以從棚架單元U11搬出晶圓W並將該晶圓W搬入基板收容單元20的方式，控制搬送裝置A8。藉此，因應棚架單元U11中之待機時間，針對每一晶圓W算出調整時間，以縮小每一晶圓W從處理模組14之成膜處理後直至收容於基板收容單元20為止所花費的收容待機時間之時間差。
另外，搬送控制部106，係亦可因應調整時間來調整由搬送裝置A8所進行的搬送速度，而不變更棚架單元U11中之預定待機時間。搬送控制部106，係以使預定搬送所用時間延長僅調整時間的方式，變更搬送裝置A8的搬送速度，藉此，亦可使每一晶圓W的收容待機時間之時間差縮小。在動作指令保持部116，係亦可記憶有收容待機時間已被調整的動作指令，搬送控制部106，係亦可藉由執行基於該動作指令之搬送的方式，調整每一晶圓W的收容待機時間。
其次，控制裝置100，係執行步驟S16。在步驟S16中，搬送控制部106，係判定是否從動作指令保持部116接收了晶圓W的搬出指令。搬送控制部106，係在未接收上述搬出指令的情況下，重複步驟S12~S16。藉此，一面將對於複數個晶圓W各者之收容待機時間調整成搬送基準時間，一面將複數個晶圓W收容於基板收容單元20。
在步驟S16中，當搬送控制部106接收了上述搬出指令的情況下，控制裝置100，係執行步驟S17。在步驟S17中，搬送控制部106，係以將搬出對象之晶圓W搬出的方式，控制搬送裝置A8。例如搬送控制部106，係將滯留於基板收容單元20內最長時間的晶圓W作為搬出對象而進行搬出。搬送控制部106，係以將從基板收容單元20所搬出之晶圓W收授至曝光裝置3的方式，控制搬送裝置A8。搬入曝光裝置3之時間點，係有時藉由以曝光裝置3所進行之曝光處理的時間點來決定。因此，針對每一晶圓W，直至被投入曝光裝置3為止的等待時間會因曝光裝置3之曝光處理的時間點而不同，且假設使晶圓W在基板收容單元20外之搬送空間待機時，則含有水分量可能發生變化(可能會增加)。對此，由於在基板收容單元20內，係即便滯留時間不同，起因於等待時間之每一晶圓W的含有水分量亦難以產生差，因此，控制裝置100，係藉由使晶圓W在基板收容單元20待機的方式，使含有水分量之差縮小。
接著，說明曝光處理後之含有水分量之調整程序的一例。圖7，係表示脫水單元30內之脫水時間之調整程序的流程圖。控制裝置100，係以將曝光處理後之至少一部分的晶圓W搬入脫水單元30，並於被設定為「隨著曝光裝置3內之滯留時間變短而晶圓W在脫水單元30內之滯留時間變長」的時間點，從脫水單元30搬出晶圓W的方式，控制搬送裝置A8。
如圖7所示般，首先，控制裝置100，係執行步驟S21。在步驟S21中，滯留時間算出部108，係取得晶圓W被搬入曝光裝置3的時刻(搬入時刻)。控制裝置100，係在待機直至曝光裝置3對於該晶圓W之曝光處理結束後，執行步驟S22。在步驟S22中，滯留時間算出部108，係取得晶圓W從曝光裝置3被搬出的時刻(搬出時刻)。
其次，控制裝置100，係執行步驟S23。在步驟S23中，滯留時間算出部108，係算出從曝光裝置3被搬出之晶圓W在曝光裝置3內的滯留時間。例如，滯留時間算出部108，係算出步驟S22所取得之搬出時刻與步驟S21所取得之搬入時刻的差分來作為曝光裝置3內之滯留時間。滯留時間算出部108，係將所算出之滯留時間輸出至脫水時間算出部110。
其次，控制裝置100，係執行步驟S24。在步驟S24中，控制裝置100，係判斷藉由滯留時間算出部108所算出之滯留時間是否小於預先設定的基準時間。基準時間，係亦可為所假定之最大之曝光裝置3的滯留時間，且亦可為所假定之含有水分量的飽合時間。飽合時間，係指為了使含有水分量之每一單位時間的減少幅度下降至預定閾值而應滯留於曝光裝置3內的時間。在步驟S24中，當滯留時間被判斷為基準時間以上的情況下，控制裝置100，係執行步驟S29。步驟S29之處理容器內，係如後述。
在步驟S24中，當滯留時間被判斷為小於基準時間(例如飽和時間)的情況下，控制裝置100，係執行步驟S25。在步驟S25中，脫水時間算出部110，係基於藉由滯留時間算出部108所算出之滯留時間，算出脫水單元30內的脫水時間。此處之脫水時間，係意味著晶圓W滯留於脫水單元30內的時間。例如，脫水時間算出部110，係因應曝光裝置3之滯留時間，算出該晶圓W在脫水單元30內的脫水時間。脫水時間算出部110，係以隨著曝光裝置3之滯留時間變長而脫水時間變短的方式，算出脫水時間。換言之，脫水時間算出部110，係以隨著曝光裝置3之滯留時間變短而脫水時間變長的方式，算出脫水時間。脫水時間算出部110，係亦可算出上述基準時間與滯留時間之差分來作為脫水時間，脫水時間算出部110，係亦可算出對該差分施予預定修正處理而獲得的值來作為脫水時間。脫水時間算出部110，係亦可參閱「被預先記憶於儲存器123而將曝光裝置3之滯留時間與上述脫水時間相對應」的對照表，藉此，算出脫水單元30內之脫水時間。脫水時間算出部110，係將所算出之脫水時間輸出至搬送控制部106。
其次，控制裝置100，係執行步驟S26。在步驟S26中，搬送控制部106，係將調整對象的晶圓W搬入脫水單元30。例如，搬送控制部106，係以將從曝光裝置3所搬出之調整對象的晶圓W搬入脫水單元30內的方式，控制搬送裝置A8。
其次，控制裝置100，係執行步驟S27。在步驟S27中，控制裝置100，係等待經過對於調整對象的晶圓W所算出(設定)之脫水時間。控制裝置100，係當經過脫水時間時，執行步驟S28。在步驟S28中，例如搬送控制部106，係以「將在脫水單元30內滯留了所算出之脫水時間的晶圓W從脫水單元30搬出」的方式，控制搬送裝置A8。
其次，控制裝置100，係執行步驟S29。在步驟S29中，搬送控制部106，係以將搬出對象之晶圓W搬送至熱處理單元U8的方式，控制搬送裝置A8及搬送裝置A3。在步驟S22中，當曝光裝置3之滯留時間被判斷為基準時間以上的情況下，搬送控制部106，係以從曝光裝置3朝向熱處理單元U8而不經由脫水單元30搬送該晶圓W的方式，控制搬送裝置A3，A8。
藉由以上，對於1片晶圓W之曝光處理後的反應水含量(含有水分量)之調整手段便結束。控制裝置100，係針對每一晶圓W執行步驟S21~S29。另外，控制裝置100，係亦可將所有調整對象的晶圓W搬入脫水單元30內，並執行所有晶圓W各者之脫水時間的調整而不執行步驟S24之判斷處理。在晶圓W經上述脫水時間之調整而被搬入熱處理單元U8後，熱處理單元控制部114，係亦可以被保持於動作指令保持部116，並於預先設定的加熱時間進行晶圓W之加熱處理的方式，控制熱處理單元U8。
[實施形態之效果] 以上說明之本實施形態的塗佈･顯像裝置2，係具備有：塗佈單元U3及熱處理單元U4，在晶圓W形成被膜；熱處理單元U8，對晶圓W進行加熱處理，該晶圓W，係形成有被膜並對該被膜施予了曝光處理；顯像單元U7，對施予了加熱處理之晶圓W的被膜進行顯像處理；及控制裝置100，在被形成於晶圓W之被膜內，使每一晶圓W在熱處理單元U8中之加熱處理時反應的水含量之差縮小。
在該塗佈･顯像裝置2中，係藉由控制裝置100，在被形成於晶圓W之被膜內，縮小每一晶圓W在熱處理單元U8中之加熱處理時反應的水含量(反應水含量)之差。使用含金屬光阻所形成之光阻圖案的尺寸，係容易受到在顯像處理前之加熱處理時的被膜內反應之水含量的影響。因此，當反應水含量針對每一晶圓W而有所不同時，則晶圓W間所形成之光阻圖案的尺寸會容易產生偏差。對此，由於在上述塗佈･顯像裝置2中，係藉由控制裝置100縮小對施予了曝光處理的晶圓W進行加熱處理時之反應水含量的差，因此，在晶圓W間，光阻圖案之尺寸難以產生偏差。其結果，塗佈･顯像裝置2，係對於提升使用了含金屬光阻之光阻圖案的尺寸穩定性有效。
控制裝置100，係使每一晶圓W在熱處理單元U8中之加熱處理的開始時之被膜所包含的含有水分量之差縮小。在該情況下，由於在熱處理單元U8之加熱處理的開始時，被膜所包含之水含量的差會縮小，因此，上述之反應水含量的差會縮小。其結果，可謀求使用含金屬光阻所形成的光阻圖案之尺寸穩定性的提升。
控制裝置100，係以使每一晶圓W在熱處理單元U8中之加熱處理的開始時之含有水分量之差縮小的方式，至少在曝光處理前，調整每一晶圓W的含有水分量。光阻圖案之尺寸，係亦受到曝光處理時之含有水分量的影響。在上述構成中，係在曝光處理前進行含有水分量之調整，藉此，曝光處理時之每一晶圓W的含有水分量之差亦縮小。其結果，可更確實地謀求光阻圖案之尺寸穩定性的提升。
塗佈･顯像裝置2，係更具備有：搬送裝置A3、A8，搬送晶圓W；及基板收容單元20，被構成為與收容搬送裝置A3、A8之搬送空間相比，更抑制含有水分量的變化。控制裝置100，係在由塗佈單元U3及熱處理單元U4所進行之被膜的形成後，以將曝光處理之前的晶圓W搬入基板收容單元20的方式，控制搬送裝置A3、A8。在由熱處理單元U4所進行之熱處理(被膜形成)後，有時針對每一晶圓W直至被搬送至曝光裝置3為止的時間不同。在上述構成中，係晶圓W在抑制被膜之含有水分量的變化之空間待機，藉此，抑制直至被搬送至曝光裝置3為止的待機時間較長之晶圓W之含有水分量的變化。其結果，可縮小每一晶圓W的含有水分量之差，從而提升光阻圖案的尺寸穩定性。
控制裝置100，係以使每一晶圓W從熱處理單元U4被搬出起直至被搬入基板收容單元20為止的時間之差縮小的方式，控制搬送裝置A3，A8。在從由熱處理單元U4所進行之熱處理(被膜形成)後起直至被搬入基板收容單元20為止的搬送時，被膜之含有水分量可能發生變化。因此，當在晶圓W間，從熱處理單元U4直至基板收容單元20為止之搬送時間產生差時，則導致每一晶圓W的含有水分量產生差。在上述構成中，係由於縮小每一晶圓W從熱處理單元U4的熱處理後起直至被搬入基板收容單元20為止的搬送時間之差，因此，起因於搬送之每一晶圓W的含有水分量之差會縮小。其結果，可更確實地提升光阻圖案的尺寸穩定性。
控制裝置100，係以使每一晶圓W在熱處理單元U8中之加熱處理的開始時之含有水分量之差縮小的方式，至少在由曝光裝置3所進行之曝光處理後，調整每一晶圓W的含有水分量。即便在曝光裝置3內，含有水分量亦可能發生變化。在上述構成中，係由於至少在曝光處理後，針對每一晶圓W進行含有水分量之調整，因此，亦包含起因於曝光裝置3而產生之每一晶圓W的含有水分量之差，每一晶圓W的含有水分量之差會縮小。其結果，可更確實地提升使用了含金屬光阻之光阻圖案的尺寸穩定性。
控制裝置100，係因應曝光裝置3內之滯留時間，在曝光處理後，調整每一晶圓W的含有水分量。在曝光裝置3中，當每一晶圓W之滯留時間不同時，則每一晶圓W的含有水分量產生差。由於在上述構成中，係因應曝光裝置3內之滯留時間，以調整每一晶圓W的含有水分量之差，因此，可縮小起因於滯留在曝光裝置3而產生之每一晶圓W的含有水分量之差。其結果，可提升使用了含金屬光阻之光阻圖案的尺寸穩定性。
控制裝置100，係以將曝光處理後之至少一部分的晶圓W搬入脫水單元30，並於「被設定為隨著曝光裝置3內之滯留時間變短而晶圓W在脫水單元30內之滯留時間(脫水時間)變長」的時間點，從脫水單元30搬出晶圓W的方式，控制搬送裝置A8。在曝光裝置3中之滯留時間越短，則該晶圓W中之含有水分量越不會減少。在上述構成中，係由於在曝光裝置3中之滯留時間越短，則脫水單元30內的滯留時間越長，因此，該晶圓W中之被膜的含有水分量會更減少。藉此，由於可縮小每一晶圓W的含有水分量之差，因此，可提升使用了含金屬光阻之光阻圖案的尺寸穩定性。
以上，雖說明了關於實施形態，但本揭示並不一定限定於上述之實施形態，在不脫離其要旨的範圍下可進行各種變更。
(第1實施形態之變形例) 曝光處理後之含有水分量的調整方法，係不限於由上述脫水單元30所進行的方法。例如，控制裝置100，係亦可使用加濕單元40(加濕部)來代替脫水單元30，在曝光處理後進行晶圓W之含有水分量的調整。
例如加濕單元40(構成例，係未圖示)，係具有：殼體；支撐板；及供給路徑。殼體，係具有內部空間，並收容支撐板。支撐板，係支撐晶圓W。供給路徑，係被連接於殼體之一端，將經加濕的空氣(加濕空氣)供給至殼體內。加濕單元40內之加濕環境(例如，每一單位時間之含有水分量的增加幅度)，係亦可藉由以控制裝置100來調整加濕空氣之供給量的方式，被保持為大致固定。
控制裝置100，係以將曝光處理後之至少一部分的晶圓W(包含所有晶圓W)搬入加濕單元40，並於被設定為「隨著曝光裝置3內之滯留時間變長而晶圓W在加濕單元40內之滯留時間變長」的時間點，從加濕單元40搬出晶圓W的方式，控制搬送裝置A8。另外，省略了表示加濕單元40之加濕時間(加濕單元40內之滯留時間)之調整程序的流程圖。
例如在加濕時間之調整中，首先，滯留時間算出部108，係與步驟S21相同地算出曝光裝置3的滯留時間。其次，控制裝置100，係因應曝光裝置3之滯留時間，算出加濕單元40的加濕時間。控制裝置100，係以隨著曝光裝置3之滯留時間變長而加濕單元40之加濕時間變長的方式，算出加濕時間。換言之，控制裝置100，係以隨著曝光裝置3之滯留時間變短而加濕單元40之加濕時間變短的方式，算出加濕時間。而且，搬送控制部106，係以將晶圓W搬入加濕單元40的方式，控制搬送裝置A8。
在晶圓W被搬入加濕單元40且經過了所算出之加濕時間後，搬送控制部106，係以從加濕單元40搬出該晶圓W的方式，控制搬送裝置A8。而且，搬送控制部106，係以將晶圓W搬入熱處理單元U8的方式，控制搬送裝置A3，A8。其後，熱處理單元控制部114，係以基於動作指令保持部116之動作指令來對該晶圓W施予加熱處理的方式，控制熱處理單元U8。控制裝置100，係針對每一晶圓W進行像這樣的加濕時間之調整，藉此，在曝光處理後，針對每一晶圓W調整含有水分量。
在該變形例中，控制裝置100，係以將曝光處理後之至少一部分的晶圓W搬入加濕單元40，並於被設定為「隨著曝光裝置3內之滯留時間變長而晶圓W在加濕單元40之滯留時間(加濕時間)變長」的時間點，從加濕單元40搬出晶圓W的方式，控制搬送裝置A8。在曝光裝置3中之滯留時間越長，則該晶圓中之含有水分量越減少。在上述構成中，係由於在曝光處理用之裝置中之滯留時間越長，則加濕單元內的滯留時間越長，因此，該晶圓中之含有水分量會更增加。藉此，由於可縮小每一晶圓的含有水分量之差，因此，可提升使用了含金屬光阻之光阻圖案的尺寸穩定性。
另外，控制裝置100，亦可在曝光處理後，使用脫水單元30及加濕單元40兩者來進行含有水分量的調整。
控制裝置100，係亦可使用脫水單元30及加濕單元40之任一者來進行含有水分量的調整，而不進行基板收容單元20及搬送時間的調整所致之含有水分量的調整。在該情況下，塗佈･顯像裝置2，係亦可不具備基板收容單元20。
控制裝置100，係亦可進行基板收容單元20及搬送時間(收容待機時間)的調整所致之含有水分量的調整，而不進行使用了脫水單元30及加濕單元40之含有水分量的調整。在該情況下，塗佈･顯像裝置2，係亦可不具備脫水單元30及加濕單元40。控制裝置100，係亦可藉由將晶圓W收容於基板收容單元20的方式，進行曝光處理前之含有水分量的調整，而不進行搬送時間的調整所致之含有水分量的調整。例如，與因應曝光裝置3的處理時間點而產生之每一晶圓W的待機時間之差相比，在塗佈･顯像裝置2內起因於搬送裝置A8之動作而產生的待機時間之差有時為微差。在該情況下，即便省略搬送時間的調整，亦存在有可充分調整含有水分量之可能性。在像這樣的情況下，係藉由省略搬送時間之調整的方式，減輕控制裝置100的處理負載。
[第2實施形態] 接著，參閱圖8，說明關於第2實施形態的基板處理系統1。在第2實施形態之基板處理系統1(塗佈･顯像裝置2)，係控制裝置100具備有加熱時間算出部112以代替脫水時間算出部110，及由控制裝置100所進行之反應水含量的調整程序與第1實施形態不同。
控制裝置100，係因應曝光裝置3之滯留時間，調整熱處理單元U8的加熱處理時間。具體而言，控制裝置100，係亦可以隨著曝光裝置3內之滯留時間變長而晶圓W之加熱處理時間變長的方式，控制熱處理單元U8。控制裝置100之加熱時間算出部112，係因應藉由滯留時間算出部108所算出之曝光裝置3內的滯留時間，算出由熱處理單元U8所進行的加熱處理之對於各晶圓W的加熱時間。加熱時間算出部112，係將所算出之加熱時間輸出至熱處理單元控制部114。熱處理單元控制部114，係亦可以下述方式，控制熱處理單元U8，該方式，係以藉由加熱時間算出部112所算出之加熱時間來進行顯像前的加熱處理。
圖8，係表示熱處理單元U8中之加熱處理時間之調整程序的流程圖。如圖8所示般，在該加熱處理時間之調整程序中，首先，控制裝置100，係執行步驟S31。在步驟S31中，滯留時間算出部108，係取得搬入到曝光裝置3之搬入時刻及從曝光裝置3搬出之搬出時刻，並與步驟S23相同地算出曝光裝置3的滯留時間。滯留時間算出部108，係將所算出之曝光裝置3的滯留時間輸出至加熱時間算出部112。
其次，控制裝置100，係執行步驟S32。在步驟S32中，加熱時間算出部112，係基於藉由滯留時間算出部108所算出之滯留時間，算出熱處理單元U8的加熱時間。此處之加熱時間，係意味著在熱處理單元U8中所進行之對於晶圓W顯像前之加熱處理的時間。例如，加熱時間算出部112，係因應曝光裝置3之滯留時間，算出熱處理單元U8對於該晶圓W的加熱時間。加熱時間算出部112，係以隨著曝光裝置3之滯留時間變長而加熱時間變長的方式，算出加熱時間。換言之，加熱時間算出部112，係以隨著曝光裝置3之滯留時間變短而加熱時間變短的方式，算出加熱時間。加熱時間算出部112，係亦可參閱「被預先記憶於儲存器123而將曝光裝置3之滯留時間與上述加熱時間相對應」的對照表，藉此，算出熱處理單元U8之加熱時間。加熱時間算出部112，係將所算出之加熱時間輸出至熱處理單元控制部114。
其次，控制裝置100，係執行步驟S33。在步驟S33中，搬送控制部106，係以將晶圓W搬入熱處理單元U8的方式，控制搬送裝置A3，A8。在藉由搬送裝置A3將晶圓W搬入熱處理單元U8後，熱處理單元控制部114，係以開始進行該晶圓W之加熱處理的方式，控制熱處理單元U8。
其次，控制裝置100，係執行步驟S34。在步驟S34中，熱處理單元控制部114，係待機至經過藉由加熱時間算出部112所算出之加熱時間。在經過了上述加熱時間後，控制裝置100，係執行步驟S35。在步驟S35中，例如搬送控制部106，係以「將施予了加熱處理僅藉由加熱時間算出部112所算出(設定)之加熱時間的晶圓W從熱處理單元U8搬出」的方式，控制搬送裝置A3。另外，在以熱處理單元U8內之冷卻板來將施予了加熱處理僅上述加熱時間的晶圓W冷卻後，搬送控制部106，係以從熱處理單元U8搬出該晶圓W的方式，控制搬送裝置A8。
藉由以上，對於1片晶圓W之加熱處理時間的調整程序便結束。控制裝置100，係針對每一晶圓W重複進行步驟S31~S35之處理。另外，在步驟S35之處理後，搬送控制部106，係以將從熱處理單元U8所搬出之晶圓W搬入顯像單元U7的方式，控制搬送裝置A3。其後，控制裝置100，係以對該晶圓W施予顯像處理的方式，控制顯像單元U7。而且，控制裝置100，係亦可在顯像處理後，以在熱處理單元U8中，對該晶圓W施予顯像處理後之加熱處理的方式，控制搬送裝置A3及熱處理單元U8。
在第2實施形態之基板處理系統1的塗佈･顯像裝置2中，控制裝置100，係以隨著曝光裝置3內之滯留時間變長而晶圓W之加熱處理之時間變長的方式，控制熱處理單元U8。在該情況下，在曝光裝置3中之滯留時間越長，則含有水分量越少，且熱處理單元U8的加熱處理時間越長。又，在曝光裝置3中之滯留時間越短，則含有水分量越多，且熱處理單元U8的加熱處理時間越短。因此，即便曝光裝置3之滯留時間存在差，亦縮小每一晶圓W在熱處理單元U8中之加熱處理時的反應水含量之差。其結果，可提升使用了含金屬光阻之光阻圖案的尺寸穩定性。
控制裝置100，係除了熱處理單元U8中之加熱時間的調整以外，亦可與第1實施形態相同地，在曝光處理前，進行基板收容單元20及搬送時間的調整所致之含有水分量的調整。控制裝置100，係亦可進行熱處理單元U8中之加熱時間的調整，而不在曝光處理前，進行基板收容單元20及搬送時間的調整所致之含有水分量的調整。在該情況下，由於即便不設置用以進行反應水含量之調整的裝置(調濕機構7)，亦可進行反應水含量之調整，因此，可謀求兼顧尺寸穩定性與塗佈･顯像裝置2的簡化。另外，控制裝置100，係亦可將第2實施形態中之加熱時間的調整與第1實施形態中之由脫水單元30或加濕單元40所進行的調整加以組合。
[第3實施形態] 接著，參閱圖9，說明關於第3實施形態的基板處理系統1。在第3實施形態之基板處理系統1(塗佈･顯像裝置2)中，係由控制裝置100所進行之曝光處理前的含有水分量之調整程序與第1實施形態不同。控制裝置100，係藉由脫水單元30，在曝光處理前進行含有水分量的調整。在該情況下，控制裝置100，係以在熱處理單元U4之熱處理(被膜形成)後，將由曝光裝置3所進行的曝光處理之前的晶圓W搬入脫水單元30的方式，控制搬送裝置A8。又，控制裝置100，係以於被設定為「使每一晶圓W從脫水單元30搬出時的含有水分量之差比搬入脫水單元30時縮小」的時間點，將晶圓W從脫水單元30搬出的方式，控制搬送裝置A8。
圖9，係將從脫水單元30之搬出時間點(脫水單元30內之滯留時間)的調整程序表示為曝光處理前之由脫水單元30所進行的調整程序之一例。在該調整程序中，首先，控制裝置100，係執行步驟S41。在步驟S41中，例如搬送控制部106，係以基於動作指令保持部116之搬送計劃，將複數個晶圓W依序從棚架單元U11搬入脫水單元30的方式，控制搬送裝置A8。
其次，控制裝置100，係執行步驟S42。在步驟S42中，搬送控制部106，係判定是否從動作指令保持部116接收了晶圓W的搬出指令。搬送控制部106，係在未接收上述搬出指令的情況下，重複步驟S41，S42。藉此，複數個晶圓W被搬入脫水單元30。
在步驟S42中，當搬送控制部106接收了上述搬出指令的情況下，控制裝置100，係執行步驟S43。在步驟S43中，例如控制裝置100，係於現在時點算出被收容於脫水單元30之複數個晶圓W各者的滯留時間。而且，控制裝置100，係執行步驟S44。在步驟S44中，搬送控制部106，係以將搬出對象之晶圓W搬出的方式，控制搬送裝置A8。具體而言，搬送控制部106，係以將脫水單元30內之複數個晶圓W中滯留時間最長的晶圓W作為搬出對象且從脫水單元30搬出的方式，控制搬送裝置A8。在從脫水單元30被搬出後，搬送控制部106，係以將該晶圓W搬入曝光裝置3的方式，控制搬送裝置A8。
控制裝置100，係重複以上的步驟S41~S44。藉由該處理，由於每當接收搬出指令時，滯留時間最長之晶圓W被搬出，因此，經由脫水單元30被搬入曝光裝置3之晶圓W各者的含有水分量，係到達飽合位準(每一單位時間之減少幅度下降至預定閾值的位準)。因此，在從脫水單元30搬出時，每一晶圓W之含有水分量的差，係比從脫水單元30搬出時縮小。另外，控制裝置100，係亦可在被收容於脫水單元30之晶圓W較少且任一個晶圓W均未到達飽合位準的情況下，等待從脫水單元30搬出。
另外，控制裝置100，係亦可以下述處理來代替上述步驟S44的處理，該處理，係以因應從熱處理單元U4直至脫水單元30為止的搬送時間，調整脫水單元30之滯留時間(脫水時間)的方式，控制搬送裝置A8。例如控制裝置100，係亦可以下述方式，控制搬送裝置A8，該方式，係於直至脫水單元30為止之搬送時間越長而脫水單元30之滯留時間越長般的時間點，將該晶圓W從脫水單元30搬出。另外，控制裝置100，係亦可藉由加濕單元40來代替脫水單元30，從而藉由與上述相同的程序進行反應水含量之調整。
在第3實施形態之基板處理系統1的塗佈･顯像裝置2中，控制裝置100，係以在熱處理單元U4之熱處理(成膜處理)後，將曝光處理之前的晶圓W搬入脫水單元30的方式，控制搬送裝置A8。當晶圓W被搬入脫水單元30而該晶圓W中之含有水分量減少時，則含有水分量之減少會到達以某種位準而鈍化的狀態(鈍化狀態)。因此，藉由在將晶圓W搬入脫水單元30後，將晶圓W傳遞至曝光裝置3的方式，在複數個晶圓W間，縮小含有水分量的最大值與最小值之差。藉此，由於可縮小每一晶圓W的含有水分量之差，因此，可提升光阻圖案的尺寸穩定性。
控制裝置100，係以於被設定為「使每一晶圓W從脫水單元30搬出時的含有水分量之差比搬入脫水單元30時縮小」的時間點，將晶圓W從脫水單元30搬出的方式，控制搬送裝置A8。例如，於脫水單元30內所有晶圓W之含有水分量到達飽合位準的時間點，從脫水單元30搬出晶圓W。因此，即便含有水分量之減少成為鈍化狀態的晶圓W進入曝光裝置3內，在曝光裝置3內，含有水分量亦無關乎滯留時間之長短而僅略微減少。藉此，可抑制起因於曝光裝置3內的滯留時間而產生之晶圓W間的含有水分量之差，從而縮小每一晶圓W的含有水分量之差。抑或，因應直至脫水單元30為止之搬送時間，使脫水單元30的滯留時間變化(例如，搬送時間越長，則將滯留時間設定成得越長)，藉此，縮小每一晶圓W的含有水分量之差。該些結果，可更確實地提升光阻圖案的尺寸穩定性。
在第3實施形態中，控制裝置100，係亦可對於複數個晶圓W各者，以在曝光處理前，在脫水單元30中使含有水分量到達飽合位準的方式進行調整，並在曝光處理後不進行反應水含量(含有水分量)之調整。在基板處理系統1中，塗佈･顯像裝置2之生產率，係有時大於曝光裝置3的生產率。在該情況下，由於基板處理系統1整體之生產率是藉由曝光裝置3而決定，因此，從生產效率的觀點來看，曝光裝置3之曝光處理後之晶圓W的處理，係存在不停滯地(僅晶圓W之生產所需之最小限度的工程)執行為較有效的情形。因此，在欲謀求兼顧含有水分量之調整與生產效率的情況下，塗佈･顯像裝置2，係亦可被構成為藉由控制裝置100，在曝光處理前進行含有水分量之上述調整，並在曝光處理後不進行調整。
控制裝置100，係亦可將第1實施形態的脫水單元30或加濕單元40所致之調整及第2實施形態的加熱時間之調整的至少一者與第3實施形態的脫水單元30所致之調整加以組合。例如，控制裝置100，係除了曝光處理前的脫水單元30所致之含有水分量的調整以外，亦可在曝光處理後，藉由脫水單元30來調整含有水分量。在該情況下，塗佈･顯像裝置2，係亦可具備有不同的2個脫水單元30。例如，控制裝置100，係除了曝光處理前的脫水單元30所致之含有水分量的調整以外，亦可在曝光處理後，藉由調整熱處理單元U8之加熱時間來調整反應水含量。另外，基板處理系統1(基板處理裝置)，係藉由調整曝光裝置3內的每一晶圓W之滯留時間的方式，進行反應水含量(含有水分量)之調整。
處理對象之基板，係不限於半導體晶圓，亦可為例如玻璃基板、遮罩基板、FPD(Flat Panel Display)等。
1:基板處理系統 2:塗佈･顯像裝置 3:曝光裝置 7:調濕機構 20:基板收容單元 30:脫水單元 40:加濕單元 100:控制裝置 A3,A8:搬送裝置 U3:塗佈單元 U7:顯像單元 U8:熱處理單元
[圖1]圖1，係例示第1實施形態之基板處理系統之概略構成的圖。 [圖2]圖2，係表示第1實施形態之基板處理裝置之內部構成的示意圖。 [圖3]圖3(a)，係表示基板收容單元之一例的示意圖。圖3(b)，係表示脫水單元之一例的示意圖。 [圖4]圖4，係表示控制裝置之功能性構成之一例的功能方塊圖。 [圖5]圖5，係表示控制裝置之硬體構成之一例的方塊圖。 [圖6]圖6，係表示含有水分量之調整程序之一例的流程圖。 [圖7]圖7，係表示含有水分量之調整程序之另一例的流程圖。 [圖8]圖8，係表示第2實施形態的基板處理系統中之反應水含量之調整程序之一例的流程圖。 [圖9]圖9，係表示第3實施形態的基板處理系統中之含有水分量之調整程序之一例的流程圖。
100:控制裝置
102:搬送基準時間設定部
104:待機時間取得部
106:搬送控制部
108:滯留時間算出部
110:脫水時間算出部
112:加熱時間算出部
114:熱處理單元控制部
116:動作指令保持部
A3:搬送裝置
A8:搬送裝置
U8:熱處理單元

Claims (10)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵係，具備有：成膜處理部，在基板形成含金屬光阻之被膜；熱處理部，對前述基板進行加熱處理，前述基板，係形成有前述被膜並對該被膜施予了曝光處理；調整控制部，在被形成於前述基板之前述被膜內，使前述每一基板在前述加熱處理時反應的水含量之差縮小；搬送裝置，搬送前述基板；及基板收容部，被構成為與收容前述搬送裝置之搬送空間相比，更抑制前述被膜所包含的含有水分量的變化，前述調整控制部，係以使前述每一基板在前述加熱處理的開始時之前述含有水分量之差縮小的方式，至少在前述曝光處理前，調整前述每一基板的前述含有水分量，前述調整控制部，係在由前述成膜處理部所進行之前述被膜的形成後，以將前述曝光處理之前的前述基板搬入前述基板收容部的方式，控制前述搬送裝置。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，前述調整控制部，係以使前述每一基板從前述成膜處理部被搬出起直至被搬入前述基板收容部為止的時間之差縮小的方式，控制前述搬送裝置。
  3. 一種基板處理裝置，其特徵係，具備有：成膜處理部，在基板形成含金屬光阻之被膜； 熱處理部，對前述基板進行加熱處理，前述基板，係形成有前述被膜並對該被膜施予了曝光處理；調整控制部，在被形成於前述基板之前述被膜內，使前述每一基板在前述加熱處理時反應的水含量之差縮小；搬送裝置，搬送前述基板；及脫水部，被構成為使前述被膜所包含的含有水分量減少，前述調整控制部，係以使前述每一基板在前述加熱處理的開始時之前述含有水分量之差縮小的方式，至少在前述曝光處理前，調整前述每一基板的前述含有水分量，前述調整控制部，係在由前述成膜處理部所進行之前述被膜的形成後，以將前述曝光處理之前的前述基板搬入前述脫水部的方式，控制前述搬送裝置。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中，前述調整控制部，係以於被設定為「使前述每一基板從前述脫水部搬出時的前述含有水分量之差比搬入前述脫水部時縮小」的時間點，將前述基板從前述脫水部搬出的方式，控制搬送裝置。
  5. 一種基板處理裝置，其特徵係，具備有：成膜處理部，在基板形成含金屬光阻之被膜；熱處理部，對前述基板進行加熱處理，前述基板，係形成有前述被膜並對該被膜施予了曝光處理；及調整控制部，在被形成於前述基板之前述被膜內，使 前述每一基板在前述加熱處理時反應的水含量之差縮小，前述調整控制部，係以使前述每一基板在前述加熱處理的開始時之前述被膜所包含的含有水分量之差縮小的方式，至少在前述曝光處理後，調整前述每一基板的前述含有水分量，前述調整控制部，係因應前述曝光處理用之裝置內的滯留時間，在前述曝光處理後，調整前述每一基板的前述含有水分量。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中，更具備有：搬送裝置，搬送前述基板；及脫水部，被構成為使前述含有水分量減少，前述調整控制部，係以將前述曝光處理後之至少一部分的前述基板搬入前述脫水部，並於被設定為「隨著前述曝光處理用之裝置內的滯留時間變短而前述基板在前述脫水部內之滯留時間變長」的時間點，從前述脫水部搬出前述基板的方式，控制前述搬送裝置。
  7. 如請求項5之基板處理裝置，其中，更具備有：搬送裝置，搬送前述基板；及加濕部，被構成為使前述含有水分量增加，前述調整控制部，係以將前述曝光處理後之至少一部分的前述基板搬入前述加濕部，並於被設定為「隨著前述曝光處理用之裝置內的滯留時間變長而前述基板在前述加 濕部內之滯留時間變長」的時間點，從前述加濕部搬出前述基板的方式，控制前述搬送裝置。
  8. 一種基板處理裝置，其特徵係，具備有：成膜處理部，在基板形成含金屬光阻之被膜；熱處理部，對前述基板進行加熱處理，前述基板，係形成有前述被膜並對該被膜施予了曝光處理；及調整控制部，在被形成於前述基板之前述被膜內，使前述每一基板在前述加熱處理時反應的水含量之差縮小，前述調整控制部，係以隨著前述曝光處理用之裝置內的滯留時間變長而前述基板之前述加熱處理之時間變長的方式，控制前述熱處理部。
  9. 一種基板處理方法，其特徵係，包含有：在基板形成含金屬光阻之被膜；對前述基板進行加熱處理，前述基板，係形成有前述被膜並對該被膜施予了曝光處理；及在被塗佈於前述基板之前述被膜內，使前述每一基板在前述加熱處理時反應的水含量之差縮小，使前述每一基板在前述加熱處理時反應的前述水含量之差縮小，係包含有：以使前述每一基板在前述加熱處理的開始時之前述被膜所包含的含有水分量之差縮小的方式，至少在前述曝光處理前，調整前述每一基板的前述含有水分量， 至少在前述曝光處理前調整前述每一基板的前述含有水分量，係包含有：在前述被膜的形成後，以將前述曝光處理之前的前述基板搬入至被構成為「與收容搬送前述基板的搬送裝置之搬送空間相比，更抑制前述含有水分量的變化」之基板收容部的方式，控制前述搬送裝置。
  10. 一種電腦可讀取之記憶媒體，係記憶有用以使裝置執行如請求項9之基板處理方法的程式。
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