CN111463147A - 基片处理装置、基片处理方法和存储介质 - Google Patents

基片处理装置、基片处理方法和存储介质 Download PDF

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Abstract

本发明涉及基片处理装置、基片处理方法和存储介质。本发明的基片处理装置包括：成膜处理部，其在基片上形成含金属的抗蚀剂的覆膜；热处理部，其对形成有上述覆膜并对该覆膜实施了曝光处理的基片进行加热处理；显影处理部，其对实施了加热处理的基片的上述覆膜进行显影处理；和调节控制部，其使各个基片之在形成于基片上的上述覆膜内进行加热处理时反应的水分量的差缩小。本发明能够提高使用了含金属的抗蚀剂的抗蚀剂图案的尺寸稳定性。

Description

基片处理装置、基片处理方法和存储介质
技术领域
本发明涉及基片处理装置、基片处理方法和存储介质。
背景技术
专利文献1公开了一种使用化学增强型抗蚀剂形成抗蚀剂图案的基片处理装置。在该基片处理装置中，控制部以曝光装置中的曝光结束后至在曝光后烘焙单元中开始曝光后烘焙处理为止的时间在每个基片为一定的方式使基片在待机部待机。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-130857号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
有时代替化学增强型抗蚀剂，而使用含金属的抗蚀剂。本发明提供可有效地提高使用了含金属的抗蚀剂的抗蚀剂图案的尺寸稳定性的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。
用于解决技术问题的技术方案
基片处理装置包括：成膜处理部，其在基片上形成含金属的抗蚀剂的覆膜；热处理部，其对形成有覆膜并对该覆膜实施了曝光处理的基片进行加热处理；显影处理部，其对实施了加热处理的基片的覆膜进行显影处理；和调节控制部，其使各个基片之在形成于基片上的覆膜内进行加热处理时反应的水分量的差缩小。
发明效果
依照本发明，能够提供可有效地提高使用了含金属的抗蚀剂的抗蚀剂图案的尺寸稳定性的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。
附图说明
图1是例示第1实施方式的基片处理系统的概略结构的图。
图2是例示第1实施方式的基片处理装置的内部结构的示意图。
图3的(a)是表示基片收纳单元的一例的示意图。图3的(b)是表示脱水单元的一例的示意图。
图4是表示控制装置的功能性结构的一例的功能框图。
图5是表示控制装置的硬件结构的一例的框图。
图6是表示含水量的调节次序的一例的流程图。
图7是表示含水量的调节次序的另一例的流程图。
图8是表示第2实施方式的基片处理系统中的反应水分量的调节次序的一例的流程图。
图9是表示第3实施方式的基片处理系统中的含水量的调节次序的一例的流程图。
附图标记说明
1……基片处理系统，2……涂敷显影装置，3……曝光装置，7……湿度调节装置，20……基片收纳单元，30……脱水单元，40……加湿单元，100……控制装置，A3、A8……输送装置，U3……涂敷单元，U7……显影单元，U8……热处理单元。
具体实施方式
下面，对各种例示的实施方式进行说明。在说明中，对于相同要素或具有相同功能的要素标注相同的附图标记，省略重复的说明。
(第1实施方式)
首先，参照图1～图7，对第1实施方式的基片处理系统进行说明。
(基片处理系统)
基片处理系统1是对基片实施感光性覆膜的形成、该感光性覆膜的曝光和该感光性覆膜的显影的系统。处理对象的基片例如是半导体的晶片W。感光性覆膜例如是抗蚀剂膜。基片处理系统1包括涂敷显影装置2和曝光装置3。曝光装置3是将形成在晶片W(基片)上的抗蚀剂膜(感光性覆膜)曝光的曝光处理用的装置。曝光装置3的内部空间例如被保持为实质上的真空状态。具体而言，曝光装置3通过液浸曝光等方法对抗蚀剂膜的曝光对象部分照射能量线。涂敷显影装置2在由曝光装置3进行的曝光处理前，进行在晶片W(基片)的表面涂敷抗蚀剂(药液)而形成抗蚀剂膜的处理，在曝光处理后进行抗蚀剂膜的显影处理。基片处理系统1使用含有金属的抗蚀剂(下面称为“含金属的抗蚀剂”)，形成含金属的抗蚀剂的覆膜。例如，基片处理系统1也可以使用含有氧化金属的抗蚀剂来形成上述覆膜。
(基片处理装置)
下面，作为基片处理装置的一例，对涂敷显影装置2的结构进行说明。如图1和图2所示，涂敷显影装置2包括运载部4、处理部5、交接部6、湿度调节装置7和控制装置100(调节控制部)。
运载部4用于将晶片W导入涂敷显影装置2内以及从涂敷显影装置2内导出晶片W。例如运载部4能够支承晶片W用的多个承载器C，并内置有包括交接臂的输送装置A1。承载器C收纳例如圆形的多个晶片W。输送装置A1从承载器C取出晶片W将其交送到处理部5，从处理部5接收晶片W将其送回承载器C内。处理部5具有多个处理区块11、12、13、14。
处理区块11内置有涂敷单元U1、热处理单元U2和将晶片W输送到这些单元的输送装置A3。处理区块11用涂敷单元U1和热处理单元U2在晶片W的表面上形成下层膜。涂敷单元U1在晶片W上涂敷下层膜形成用的处理液。热处理单元U2执行伴随下层膜的形成而进行的各种热处理。
处理区块12(成膜处理部)内置有涂敷单元U3、热处理单元U4和将晶片W输送到这些单元的输送装置A3。处理区块12用涂敷单元U3和热处理单元U4在下层膜上形成含金属的抗蚀剂的覆膜。涂敷单元U3将作为覆膜形成用的处理液的含金属的抗蚀剂涂敷在下层膜之上。热处理单元U4执行伴随覆膜的形成进行的各种热处理。由此，在晶片W的表面形成含金属的抗蚀剂的覆膜。
处理区块13内置有涂敷单元U5、热处理单元U6和将晶片W输送到这些单元的输送装置A3。处理区块13用涂敷单元U5和热处理单元U6在抗蚀剂膜上形成上层膜。涂敷单元U5将上层膜形成用的液体涂敷在抗蚀剂膜之上。热处理单元U6执行伴随上层膜的形成进行的各种热处理。
处理区块14内置有显影单元U7(显影处理部)、热处理单元U8(热处理部)和将晶片W输送到这些单元的输送装置A3。处理区块14用显影单元U7和热处理单元U8执行实施了曝光处理的覆膜的显影处理和伴随显影处理进行的加热处理。由此，能够在晶片W的表面形成使用了含金属的抗蚀剂的抗蚀剂图案。显影单元U7在已曝光的晶片W的表面上涂敷了显影液后，用冲洗液对该晶片W进行冲洗，由此进行含金属的抗蚀剂的覆膜的显影处理。热处理单元U8执行伴随显影处理进行的各种热处理。作为热处理的具体例，能够举出显影处理前的加热处理(PEB：Post Exposure Bake)、显影处理后的加热处理(PB：Post Bake)等。显影单元U7对由热处理单元U8实施了加热处理(PEB)的晶片W进行显影处理。下面，只要没有特别说明，那么将热处理单元U8中的加热处理作为“显影处理前的加热处理(PEB)”进行说明。此外，将含金属的抗蚀剂的覆膜简称为“覆膜”进行说明。
在处理部5内的运载部4侧设有搁架单元U10。搁架单元U10被划分成在上下方向上并排的多个小格。在搁架单元U10的附近设有包括升降臂的输送装置A7。输送装置A7在搁架单元U10的小格彼此之间使晶片W升降。
在处理部5内的交接部6侧设有搁架单元U11。搁架单元U11被划分成在上下方向上并排的多个小格。
交接部6在其与曝光装置3之间进行晶片W的交接。例如交接部6内置有包括交接臂的输送装置A8，并与曝光装置3连接。输送装置A8借助于湿度调节装置7将配置于搁架单元U11的晶片W交送到曝光装置3。输送装置A8从曝光装置3接收晶片W，借助于湿度调节装置7将晶片W送回搁架单元U11。
湿度调节装置7是构成为能够调节形成在晶片W的表面上的覆膜所含的水分量(下面，称为“含水量”。〕的装置。覆膜的含水量的调节包括：使含水量增加、使含水量减少以及抑制含水量的变化的至少一者。例如，湿度调节装置7设置于交接部6内。湿度调节装置7包括基片收纳单元20(基片收纳部)和脱水单元30(脱水部)。基片收纳单元20构成为能够收纳多个晶片W，抑制所收纳的晶片W的覆膜的含水量的变化。脱水单元30构成为能够收纳1片或多片晶片W，使所收纳的晶片W的覆膜的含水量减少。关于这些结构的一例，在后面说明。
控制装置100例如控制涂敷显影装置2，以按照以下的次序执行涂敷显影处理。首先，控制装置100控制输送装置A1以将承载器C内的晶片W输送到搁架单元U10，控制输送装置A7以将该晶片W配置在处理区块11用的小格。
接着，控制装置100控制输送装置A3，以将搁架单元U10的晶片W输送到处理区块11内的涂敷单元U1和热处理单元U2。此外，控制装置100控制涂敷单元U1和热处理单元U2，以在该晶片W的表面上形成下层膜。之后，控制装置100控制输送装置A3以将形成了下层膜的晶片W送回搁架单元U10，控制输送装置A7以将该晶片W配置在处理区块12用的小格。
接着，控制装置100控制输送装置A3，以将搁架单元U10的晶片W输送到处理区块12内的涂敷单元U3和热处理单元U4。此外，控制装置100控制涂敷单元U3和热处理单元U4，以在该晶片W的下层膜上形成含金属的抗蚀剂的覆膜。之后，控制装置100控制输送装置A3以将晶片W送回搁架单元U10，控制输送装置A7以将该晶片W配置在处理区块13用的小格。
接着，控制装置100控制输送装置A3，以将搁架单元U10的晶片W输送到处理区块13内的各单元。此外，控制装置100控制涂敷单元U5和热处理单元U6，以在该晶片W的覆膜上形成上层膜。之后，控制装置100控制输送装置A3，以将晶片W输送到搁架单元U11。
接着，控制装置100控制输送装置A8，以将搁架单元U11的晶片W送入基片收纳单元20，将基片收纳单元20中收纳的晶片W送出至曝光装置3。之后，控制装置100控制输送装置A8，以从曝光装置3接收实施了曝光处理的晶片W，将该晶片W送入脱水单元30。并且，控制装置100控制输送装置A8，以将脱水单元30内的晶片W配置在搁架单元U11中的处理区块14用的小格。
接着，控制装置100控制输送装置A3，以将搁架单元U11的晶片W输送到处理区块14内的热处理单元U8。然后，控制装置100控制热处理单元U8，以对晶片W的覆膜实施加热处理。接着，控制装置100控制显影单元U7和热处理单元U8，以对由热处理单元U8实施了加热处理的晶片W的覆膜进行显影处理和显影处理后的加热处理。之后，控制装置100控制输送装置A3以将晶片W送回搁架单元U10，控制输送装置A7和输送装置A1以将该晶片W送回承载器C内。这样，涂敷显影处理完成。
其中，基片处理装置的具体的结构并不限定于以上所例示的涂敷显影装置2的结构。基片处理装置只要包括进行形成含金属的抗蚀剂的覆膜的成膜处理的单元、在曝光处理后对覆膜进行加热处理的热处理单元、对覆膜进行显影处理的显影单元和能够控制这些单元的控制装置即可，可以是任何结构。湿度调节装置7的各单元也可以设置在运载部4或处理区块11、12、13、14内。
(湿度调节装置)
接着，对湿度调节装置7的各单元的结构进行说明。如上所述，图3的(a)所示的基片收纳单元20收纳多个晶片W，抑制所收纳的晶片W的覆膜内的含水量的变化。基片收纳单元20由于能够收纳多个晶片W，因此作为使晶片W待机直至将晶片W交接到曝光装置3为止的缓冲部发挥作用。此外，基片收纳单元20也可以设置在交接部6与曝光装置3之间。
基片收纳单元20内的含水量的变化，与涂敷显影装置2中的收纳输送装置的输送空间(例如输送装置A3、A8能够移动的空间)相比被抑制。收纳在基片收纳单元20内的晶片W的含水量的每单位时间的增减幅度比停留在输送空间和曝光装置3的任一者中的晶片W小。在停留在输送空间中的晶片W的含水量增加的情况下，收纳在基片收纳单元20内的晶片W的含水量的每单位时间的增加幅度比输送空间内的晶片W小。在曝光装置3内被保持为实质上的真空状态的情况下，当晶片W停留在曝光装置3内时，该晶片W的覆膜的含水量减少。在此情况下，收纳在基片收纳单元20内的晶片W的含水量的每单位时间的减少幅度比曝光装置3内的晶片W小。
例如基片收纳单元20具有壳体21、多个收纳搁架22和供给通路23。壳体21构成为能够将外部空间(输送空间)与内部空间隔离。例如壳体21是具有内部空间的箱体。可以在壳体21的至少一部分形成用于晶片W出入的开口。壳体21可以构成为能够用风幕(AirCurtain)抑制气体经上述开口的出入。壳体21收纳有多个收纳搁架22，在壳体21的一端连接着供给通路23。多个收纳搁架22分别保持多个晶片W。供给通路23向壳体21内的空间供给能够抑制含水量的变化的空气。例如可以在供给通路23的一端连接用于生成低湿度的干燥空气的装置，供给通路23将低湿度的干燥空气供给至壳体21内。由供给通路23供给的干燥空气具有能够抑制基片收纳单元20所收纳的晶片W的含水量的变化的湿度。例如由供给通路23供给的干燥空气的湿度比输送空间内的湿度小，比曝光装置3内的湿度大。
图3的(b)所示的脱水单元30收纳1片或多片晶片W，使所收纳的晶片W的覆膜的含水量减少。例如脱水单元30具有壳体31、支承板32和连接管33。壳体31是将外部空间(输送空间)和内部空间隔离的箱体。支承板32是支承脱水对象的晶片W的板状部件。连接管33与壳体31的一端连接，连接管33的与壳体31相反的一侧的一端连接真空装置(未图示)。由此，能够对壳体31内的空间抽真空，将脱水单元30内(内部空间)保持为实质上的真空状态。通过将壳体31内的内部空间维持在实质上的真空状态，而脱水单元30内所收纳的晶片W的覆膜的含水量减少。
(控制装置)
返回图2，控制装置100控制涂敷显影装置2包括的各要素。控制装置100构成为能够进行：控制处理区块12以在晶片W形成含金属的抗蚀剂的覆膜的步骤；控制热处理单元U8以对形成有覆膜且对该覆膜实施了曝光处理的晶片W进行加热处理的步骤；控制显影单元U7以对实施了加热处理的晶片W的覆膜进行显影处理的步骤；和使各个晶片W之在形成于晶片W上的覆膜内进行加热处理时反应的水分量(下面，称为“反应水分量”。)的差缩小。
控制装置100也可以构成为执行如下步骤：使各个晶片W之热处理单元U8开始加热处理时含金属的抗蚀剂所含的含水量的差缩小，以使各个晶片W之反应水分量的差缩小。下面，有时将含金属的抗蚀剂的覆膜所含的含水量简称为“含水量”，将热处理单元U8开始加热处理时的含水量简称为“加热处理开始时的含水量”。
下面，例示控制装置100的具体的结构。如图4所示，控制装置100作为功能上的结构(下面，称为“功能区块”。)具有输送基准时间设定部102、待机时间获取部104、输送控制部106、滞留时间计算部108、脱水时间计算部110、热处理单元控制部114和动作指令保持部116。动作指令保持部116中也可以包括处理计划表，该处理计划表例如包括对多个晶片W各自的输送计划。
输送基准时间设定部102构成为能够设定输送基准时间。例如输送基准时间是，相对于将1个晶片W从处理区块12进行成膜处理后直至送入基片收纳单元20所需的时间(收纳待机时间)一定的目标值。收纳待机时间包括任意输送装置支承并输送该晶片W的时间和该晶片W没有被输送装置输送的时间。输送基准时间设定部102基于动作指令保持部116所保持的输送计划来设定输送基准时间。输送基准时间设定部102将所设定的输送基准时间输出至输送控制部106。
待机时间获取部104构成为能够获取预定待机时间。预定待机时间例如是晶片W预定停留在搁架单元U11内的时间。待机时间获取部104基于动作指令保持部116保持的输送计划来获取晶片W在搁架单元U11中的预定待机时间。待机时间获取部104将所获取的预定待机时间输出至输送控制部106。
输送控制部106控制输送装置A3和输送装置A8以输送晶片W。输送控制部106基于由输送基准时间设定部102设定的输送基准时间和由待机时间获取部104获取的预定待机时间，对每个晶片W调节收纳待机时间。例如输送控制部106按照输送基准时间、预定待机时间和预定输送所用时间来计算调节时间。预定输送所用时间例如是用输送装置A8将晶片W从搁架单元U11输送到基片收纳单元20所需的预定时间。调节时间是为了使各个晶片W之收纳待机时间的时间差缩小，而与预定输送所用时间和预定待机时间的任一者相加的时间。具体而言，对各晶片W的调节时间是通过从输送基准时间减去预定待机时间和预定输送所用时间而计算的。输送控制部106可以与计算出的调节时间的量相应地使预定待机时间变长，或者也可以相应地使预定输送所用时间变长。输送控制部106控制输送装置A3、A8，以在所调节的收纳待机时间中将各晶片W送入基片收纳单元20。
滞留时间计算部108构成为能够计算多个晶片W各自在曝光装置3内的滞留时间。滞留时间计算部108将计算出的滞留时间输出至输送控制部106和脱水时间计算部110。
脱水时间计算部110根据由滞留时间计算部108计算出的曝光装置3内的滞留时间，来计算在脱水单元30内对各晶片W的脱水时间。脱水时间是晶片W滞留在脱水单元30内的时间。脱水时间计算部110以在曝光装置3内的滞留时间越长而在脱水单元30内滞留的时间变得越短的方式，计算对各晶片W的脱水时间。脱水时间计算部110将计算出的脱水时间输出至输送控制部106。
热处理单元控制部114控制由热处理单元U8在显影前和显影后进行的加热处理。例如热处理单元控制部114基于动作指令保持部116所保持的处理计划表来控制热处理单元U8中的加热处理的加热时间。
控制装置100由一个或多个控制用计算机构成。例如控制装置100具有图5所示的电路120。电路120具有一个或多个处理器121、内存122、存储器123、计时器124和输入输出端口125。存储器123例如具有硬盘等计算机可读取的存储介质。存储介质存储有用于使控制装置100执行后述的基片处理次序的程序。存储介质可以是非易失性的半导体存储器、磁盘和光盘等可取出的介质。内存122暂时存储从存储器123的存储介质下载的程序和处理器121的运算结果。处理器121通过与内存122协作地执行上述程序，而构成上述的各功能区块。输入输出端口125按照来自处理器121的指令，在其与输送装置A3、A8及热处理单元U8之间进行电信号的输入输出。计时器124例如通过对一定周期的基准脉冲进行计数来测量经过时间。
控制装置100的硬件结构并不一定限定于利用程序构成各功能区块的方式。例如控制装置100的各功能区块也可以由专用的逻辑电路或将它们集成而成的ASIC(Application Specific Integrated Circuit：专用集成电路)构成。
(基片处理次序)
接着，作为基片处理方法的一例，对在涂敷显影装置2中执行的基片处理次序进行说明。该基片处理次序包括：在晶片W上形成覆膜(含金属的抗蚀剂的覆膜)的步骤；对形成有覆膜且对该覆膜实施了曝光处理的晶片W进行加热处理的步骤；和对实施了加热处理的晶片W的覆膜进行显影处理的步骤。该基片处理次序还包括，使各个晶片W之在形成于晶片W上的覆膜内热处理单元U8进行加热处理时反应的水分量的差缩小的步骤。下面，以按照使各个晶片W之加热处理时的反应水分量的差缩小的方式执行的调节次序(下面，称为“反应水分量的调节次序”。)为例进行说明。
在本实施方式中，反应水分量的调节次序包括：在曝光装置3进行曝光处理前调节各个晶片W的含水量的次序；和在曝光装置3进行曝光处理后调节各个晶片W的含水量的次序。作为调节曝光处理前的含水量的一例，控制装置100控制输送装置A8以将形成有覆膜的晶片W送入基片收纳单元20。此外，控制装置100控制输送装置A8，以使各个晶片W之从处理区块12送出至送入基片收纳单元20为止的时间的差缩小。换言之，控制装置100通过调节各个晶片W之从处理区块12中的成膜处理后至基片收纳单元20为止的收纳待机时间，来调节各个晶片W的含水量。
图6是表示曝光处理前的含水量的调节次序的流程图。在该调节次序中，控制装置100首先执行步骤S11。在步骤S11中，输送基准时间设定部102基于动作指令保持部116所存储的输送计划来设定输送基准时间。例如，可以为输送基准时间设定部102将对多个晶片W的、从处理区块12进行成膜处理后至收纳于基片收纳单元20为止所花费的计划上的时间中最长的时间设定为输送基准时间。或者，也可以为输送基准时间设定部102将由操作者预先输入动作指令保持部116的基准时间设定为输送基准时间。输送基准时间设定部102将所设定的输送基准时间输出至输送控制部106。
接着，控制装置100执行步骤S12。在步骤S12中，待机时间获取部104基于动作指令保持部116所存储的输送计划来获取预定待机时间。例如，待机时间获取部104从动作指令保持部116获取上述输送计划中包含的作为调节对象的晶片W在搁架单元U11中的预定待机时间。输送计划包含预定送入搁架单元U11的预定送入时刻和从搁架单元U11预定送出的预定送出时刻。待机时间获取部104，根据预定送入搁架单元U11的预定送入时刻与从搁架单元U11预定送出的预定送出时刻之差来计算预定待机时间。待机时间获取部104将所获取的预定待机时间输出至输送控制部106。
接着，控制装置100执行步骤S13。在步骤S13中，输送控制部106计算对作为输送对象的晶片W的调节时间。例如，输送控制部106基于由输送基准时间设定部102设定的输送基准时间、由待机时间获取部104获取的预定待机时间和已知的输送所用时间，来计算晶片W的调节时间。已知的输送所用时间，是1个晶片W被输送装置A8从搁架单元U11送出至将送入基片收纳单元20为止的时间，对各个晶片W是大致一定的。输送控制部106通过从输送基准时间减去预定待机时间和输送所用时间，来计算调节时间。
接着，控制装置100执行步骤S14、S15。在步骤S14中，例如输送控制部106控制输送装置A8，以使晶片W在搁架单元U11中停留比预定待机时间长调节时间的时间。换言之，输送控制部106控制输送装置A8，以使从搁架单元U11取出晶片W的动作待机调节时间。在步骤S14中，当经过调节时间时，控制装置100执行步骤S15。在步骤S15中，输送控制部106控制输送装置A8，以从搁架单元U11送出晶片W，将该晶片W送入基片收纳单元20。由此，能够根据在搁架单元U11中的待机时间来对各个晶片W计算调节时间，各个晶片W之从处理区块14的成膜处理后至收纳于基片收纳单元20为止所花费的收纳待机时间的时间差缩小。
也可以为输送控制部106不改变在搁架单元U11中的预定待机时间，而根据调节时间来调节输送装置A8的输送速度。也可以输送控制部106通过改变输送装置A8的输送速度以使预定输送所用时间变长调节时间，来使各个晶片W之收纳待机时间的时间差缩小。可以为动作指令保持部116中存储有收纳待机时间已被调节的动作指令，也可以为输送控制部106通过执行基于该动作指令的输送来调节各个晶片W的收纳待机时间。
接着，控制装置100执行步骤S16。在步骤S16中，输送控制部106判断是否从动作指令保持部116接收到晶片W的送出指令。输送控制部106在没有接收到上述送出指令的情况下，反复执行步骤S12～S16。由此，能够将对多个晶片W各自的收纳待机时间调节成输送基准时间，并将多个晶片W收纳在基片收纳单元20中。
在步骤S16中，在输送控制部106接收到上述送出指令的情况下，控制装置100执行步骤S17。在步骤S17中，输送控制部106控制输送装置A8，以将作为送出对象的晶片W送出。例如，输送控制部106将在基片收纳单元20内滞留了最长时间的晶片W作为送出对象送出。输送控制部106控制输送装置A8，以将从基片收纳单元20送出的晶片W交接到曝光装置3。送入曝光装置3的时机(timing)，有时是根据曝光装置3的曝光处理的时机而规定的。因此，根据曝光装置3的曝光处理的时机，至各个晶片W被放入曝光装置3为止的等待时间不同，假设使晶片W在基片收纳单元20外的输送空间中待机时，含水量可能发生变化(可能增加)。对此，在基片收纳单元20内，即使滞留时间不同，也难以产生各个晶片W之因等待时间产生的含水量的差，因此控制装置100通过使晶片W在基片收纳单元20待机以使含水量的差缩小。
接着，对曝光处理后的含水量的调节次序的一例进行说明。图7是表示脱水单元30内的脱水时间的调节次序的流程图。控制装置100控制输送装置A8，以将曝光处理后的至少一部分的晶片W送入脱水单元30，在设定的时机从脱水单元30送出晶片W，该设定的时机被设定成能够使随着曝光装置3内的滞留时间变短而晶片W在脱水单元30内的滞留时间变长。
如图7所示，首先，控制装置100执行步骤S21。在步骤S21中，滞留时间计算部108获取晶片W被送入曝光装置3的时刻(送入时刻)。控制装置100待机至曝光装置3对该晶片W的曝光处理结束后，执行步骤S22。在步骤S22中，滞留时间计算部108获取晶片W从曝光装置3被送出的时刻(送出时刻)。
接着，控制装置100执行步骤S23。在步骤S23中，滞留时间计算部108计算从曝光装置3送出的晶片W在曝光装置3内的滞留时间。例如，滞留时间计算部108计算步骤S22中获取的送出时刻与步骤S21中获取的送入时刻之差，将该差作为曝光装置3内的滞留时间。滞留时间计算部108将计算出的滞留时间输出至脱水时间计算部110。
接着，控制装置100执行步骤S24。在步骤S24中，控制装置100判断由滞留时间计算部108计算出的滞留时间是否小于预先决定的基准时间。基准时间可以是设想的在曝光装置3中的最大的滞留时间，也可以是设想的含水量的饱和时间。饱和时间是为了使含水量的每单位时间的减少幅度下降至规定阈值而应当滞留在曝光装置3内的时间。在步骤S24中判断为滞留时间为基准时间以上的情况下，控制装置100执行步骤S29。步骤S29的处理内容在后面说明。
在步骤S24中判断为滞留时间小于基准时间(例如饱和时间)的情况下，控制装置100执行步骤S25。在步骤S25中，脱水时间计算部110基于由滞留时间计算部108计算出的滞留时间，计算脱水单元30内的脱水时间。此处的脱水时间的意思是晶片W滞留在脱水单元30内的时间。例如，脱水时间计算部110根据在曝光装置3中的滞留时间，计算在脱水单元30内对该晶片W的脱水时间。脱水时间计算部110以随着在曝光装置3中的滞留时间变长而脱水时间变短的方式计算脱水时间。换言之，脱水时间计算部110以随着在曝光装置3中的滞留时间变短而脱水时间变长的方式计算脱水时间。可以为脱水时间计算部110计算上述基准时间与滞留时间之差作为脱水时间，也可以为脱水时间计算部110也可以计算对该差实施规定的修正处理而得到的值作为脱水时间。也可以为脱水时间计算部110通过参照预先存储在存储器123中的、将在曝光装置3中的滞留时间与上述脱水时间相关联的表，来计算在脱水单元30中的脱水时间。脱水时间计算部110将计算出的脱水时间输出至输送控制部106。
接着，控制装置100执行步骤S26。在步骤S26中，输送控制部106将作为调节对象的晶片W送入脱水单元30。例如输送控制部106控制输送装置A8，以将从曝光装置3送出的调节对象的晶片W送入脱水单元30内。
接着，控制装置100执行步骤S27。在步骤S27中，控制装置100使作为调节对象的晶片W在计算出(所设定)的脱水时间经过的期间待机。控制装置100在经过脱水时间后，执行步骤S28。在步骤S28中，例如输送控制部106控制输送装置A8，以将在脱水单元30内滞留了计算出的脱水时间的晶片W从脱水单元30送出。
接着，控制装置100执行步骤S29。在步骤S29中，输送控制部106控制输送装置A8和输送装置A3，以将作为输送对象的晶片W输送到热处理单元U8。在步骤S22中判断为在曝光装置3中的滞留时间为基准时间以上的情况下，输送控制部106控制输送装置A3、A8以将该晶片W从曝光装置3不经过脱水单元30而输送到热处理单元U8。
如上所述，对1个晶片W进行曝光处理后的反应水分量(含水量)的调节方式结束。控制装置100对各个晶片W执行步骤S21～S29。也可以为控制装置100不执行步骤S24的判断处理，而将所有作为调节对象的晶片W送入脱水单元30内，对所有晶片W各自的脱水时间进行调节。也可以为在经过上述脱水时间的调节而晶片W被送入热处理单元U8后，热处理单元控制部114在动作指令保持部116所保持的预先设定的加热时间控制热处理单元U8，以进行晶片W的加热处理。
(实施方式的效果)
以上说明的本实施方式的涂敷显影装置2包括：在晶片W上形成覆膜的涂敷单元U3和热处理单元U4；对形成有覆膜并对该覆膜实施了曝光处理的晶片W进行加热处理的热处理单元U8；对实施了加热处理的晶片W的覆膜进行显影处理的显影单元U7；和控制装置100，其使各个晶片W之在形成于晶片W上的覆膜内热处理单元U8进行加热处理时反应的水分量的差缩小。
在该涂敷显影装置2中，用控制装置100，将各个晶片W之在形成于晶片W上的覆膜内热处理单元U8进行加热处理时反应的水分量(反应水分量)的差缩小。使用含金属的抗蚀剂形成的抗蚀剂图案的尺寸，容易受到显影处理前的加热处理时在覆膜内发生反应的水分量的影响。因此，当对于各个晶片W反应水分量不同时，在晶片W之间形成的抗蚀剂图案的尺寸容易产生偏差。对此，在上述涂敷显影装置2中，由于用控制装置100将对实施了曝光处理的晶片W进行加热处理时的反应水分量的差缩小，因此在晶片W之间抗蚀剂图案的尺寸不易产生偏差。其结果是，涂敷显影装置2对于提高使用了含金属的抗蚀剂的抗蚀剂图案的尺寸稳定性是有效的。
控制装置100使各个晶片W之热处理单元U8开始加热处理时覆膜所含的含水量的差缩小。在此情况下，由于热处理单元U8开始加热处理时覆膜所含的水分量的差缩小，因此上述的反应水分量的差缩小。其结果，能够提高使用含金属的抗蚀剂形成的抗蚀剂图案的尺寸稳定性。
控制装置100至少在曝光处理前调节各个晶片W的含水量，以使各个晶片W之热处理单元U8开始加热处理时含水量的差缩小。抗蚀剂图案的尺寸还受到曝光处理时的含水量的影响。在上述结构中，通过在曝光处理前调节含水量，能够使各个晶片W之曝光处理时的含水量的差缩小。其结果，能够更可靠地提高抗蚀剂图案的尺寸稳定性。
涂敷显影装置2还包括基片收纳单元20，该基片收纳单元20构成为与输送晶片W的输送装置A3、A8以及收纳输送装置A3、A8的输送空间相比，能够抑制含水量的变化。在由涂敷单元U3和热处理单元U4形成覆膜后，控制装置100控制输送装置A3、A8以将曝光处理前的晶片W送入基片收纳单元20。有时在由热处理单元U4进行了热处理(覆膜形成)后，对于各个晶片W被输送到曝光装置3为止的时间的情况。在上述结构中，通过使晶片W在能够抑制覆膜的含水量的变化的空间中待机，能够抑制被输送到曝光装置3为止的待机时间长的晶片W的含水量的变化。其结果，能够缩小各个晶片W的含水量的差，提高抗蚀剂图案的尺寸稳定性。
控制装置100控制输送装置A3、A8，以使各个晶片W之从热处理单元U4送出至送入基片收纳单元20为止的时间的差缩小。在从热处理单元U4进行热处理(覆膜形成)后至送入基片收纳单元20为止的输送期间，覆膜的含水量可能发生变化。因此，当在晶片W之间从热处理单元U4至基片收纳单元20的输送时间产生差时，产生各个晶片W之含水量的差。在上述结构中，由于能够缩小各个晶片W之从热处理单元U4的热处理后至送入基片收纳单元20为止的输送时间的差，因此各个晶片W之因输送而产生的含水量的差缩小。其结果，能够更可靠地提高抗蚀剂图案的尺寸稳定性。
控制装置100至少在曝光装置3进行了曝光处理后调节各个晶片W的含水量，以使各个晶片W之热处理单元U8开始加热处理时含水量的差缩小。在曝光装置3内，含水量也可能发生变化。在上述结构中，至少在曝光处理后，对各个晶片W进行含水量的调节，因此包含各个晶片W之因曝光装置3而产生的含水量的差在内，各个晶片W之含水量的差缩小。其结果，能够更可靠地提高使用了含金属的抗蚀剂的抗蚀剂图案的尺寸稳定性。
控制装置100根据曝光装置3内的滞留时间在曝光处理后调节各个晶片W的含水量。在曝光装置3内，当对于各个晶片W滞留时间不同时，产生各个晶片W之含水量的差。在上述结构中，由于能够根据曝光装置3内的滞留时间来调节各个晶片W的含水量的差，因此各个晶片W之因滞留在曝光装置3中而产生的含水量的差缩小。其结果，能够提高使用了含金属的抗蚀剂的抗蚀剂图案的尺寸稳定性。
控制装置100控制输送装置A8，以将曝光处理后的至少一部分晶片W送入脱水单元30，在设定的时机将晶片W从脱水单元30送出，该设定的时机被设定成能够使随着曝光装置3内的滞留时间变短而晶片W在脱水单元30内的滞留时间(脱水时间)变长。在曝光装置3中的滞留时间越短，该晶片W的含水量越不减少。在上述结构中，由于在曝光装置3中的滞留时间越短而在脱水单元30内的滞留时间变得越长，因此该晶片W的覆膜的含水量进一步减少。由此，因为能够缩小各个晶片W之含水量的差，所以能够提高使用了含金属的抗蚀剂的抗蚀剂图案的尺寸稳定性。
上面，对实施方式进行了说明，但是本发明并不一定限定于上述的实施方式，在不脱离其要旨的范围内能够进行各种改变。
(第1实施方式的变形例)
曝光处理后的含水量的调节方法不限于上述脱水单元30的方法。例如，控制装置100也可以使用加湿单元40(加湿部)来代替脱水单元30，在曝光处理后进行晶片W的含水量的调节。
例如加湿单元40(未图示结构例)具有壳体、支承板和供给通路。壳体具有内部空间，并收纳支承板。支承板支承晶片W。供给通路与壳体的一端连接，将加湿后的空气(加湿空气)供给至壳体内。也可以为关于加湿单元40内的加湿环境(例如，每单位时间的含水量的增加幅度)，用控制装置100调节加湿空气的供给量，而被保持为大致一定的。
控制装置100控制输送装置A8，以将曝光处理后的至少一部分晶片W(包括所有晶片W)送入加湿单元40，在设定的时机将晶片W从加湿单元40送出，该设定的时机被设定成能够使随着曝光装置3内的滞留时间变长而晶片W在加湿单元40内的滞留时间变长。这里，省略了表示加湿单元40的加湿时间(在加湿单元40内的滞留时间)的调节次序的流程图。
例如，在加湿时间的调节中，首先，滞留时间计算部108与步骤S21同样地计算在曝光装置3中的滞留时间。接着，控制装置100根据在曝光装置3中的滞留时间来计算加湿单元40中的加湿时间。控制装置100以随着在曝光装置3中的滞留时间变长而加湿单元40中的加湿时间变长的方式计算加湿时间。换言之，控制装置100以随着在曝光装置3中的滞留时间变短而加湿单元40中的加湿时间变短的方式计算加湿时间。然后，输送控制部106控制输送装置A8，以将晶片W送入加湿单元40。
在晶片W被送入加湿单元40且经过了计算出的加湿时间后，输送控制部106控制输送装置A8以将该晶片W从加湿单元40送出。然后，输送控制部106控制输送装置A3、A8以将该晶片W送入热处理单元U8。之后，热处理单元控制部114基于动作指令保持部116的动作指令来控制热处理单元U8，以对该晶片W实施加热处理。控制装置100通过对各个晶片W进行这样的加湿时间的调节，在曝光处理后对各个晶片W调节含水量。
在该变形例中，控制装置100控制输送装置A8，以将曝光处理后的至少一部分晶片W送入加湿单元40，在设定的时机将晶片W从加湿单元40送出，该设定的时机被设定成能够使随着曝光装置3内的滞留时间变长而晶片W在加湿单元40的滞留时间(加湿时间)变长。在曝光装置3中的滞留时间越长，该晶片的含水量越减少。在上述结构中，由于在曝光处理用的装置中的滞留时间越长而在加湿单元内的滞留时间变得越长，因此该晶片的含水量进一步增加。由此，由于能够缩小各个晶片的含水量的差，因此能够提高使用了含金属的抗蚀剂的抗蚀剂图案的尺寸稳定性。
此外，也可以为控制装置100在曝光处理后使用脱水单元30和加湿单元40这两者来进行含水量的调节。
也可以为控制装置100使用脱水单元30和加湿单元40中的任一者进行含水量的调节，而不通过基片收纳单元20和输送时间的调节来进行含水量的调节。在此情况下，涂敷显影装置2也可以不包括基片收纳单元20。
也可以为控制装置100通过基片收纳单元20和输送时间(收纳待机时间)的调节来进行含水量的调节，而不使用脱水单元30和加湿单元40进行含水量的调节。在此情况下，涂敷显影装置2也可以不包括脱水单元30和加湿单元40。也可以为控制装置100不通过输送时间的调节来进行含水量的调节，而通过在基片收纳单元20中收纳晶片W来在曝光处理前进行含水量的调节。例如，存在这样的情况，即，与各个晶片W之根据曝光装置3的处理时机而产生的待机时间的差相比较，在涂敷显影装置2内因输送装置A8的动作而产生的待机时间的差微小的情况。在此情况下，即使省略输送时间的调节也能够充分地调节含水量。在这样的情况下，通过省略输送时间的调节，能够减轻控制装置100的处理负荷。
(第2实施方式)
接着，参照图8，对第2实施方式的基片处理系统1进行说明。在第2实施方式的基片处理系统1(涂敷显影装置2)中，与第1实施方式的不同之处在于，控制装置100具有加热时间计算部112来代替脱水时间计算部110的结构，以及由控制装置100进行的反应水分量的调节次序。
控制装置100根据在曝光装置3中的滞留时间来调节热处理单元U8中的加热处理时间。具体而言，也可以为控制装置100控制热处理单元U8，以随着在曝光装置3内的滞留时间变长而晶片W的加热处理时间变长。控制装置100的加热时间计算部112根据由滞留时间计算部108计算出的在曝光装置3内的滞留时间，来计算由热处理单元U8进行的加热处理中对各晶片W的加热时间。加热时间计算部112将计算出的加热时间输出至热处理单元控制部114。热处理单元控制部114也可以控制热处理单元U8，以由加热时间计算部112计算出的加热时间进行显影前的加热处理。
图8是表示热处理单元U8的加热处理时间的调节次序的流程图。如图8所示，在该加热处理时间的调节次序中，首先控制装置100执行步骤S31。在步骤S31中，滞留时间计算部108获取送入曝光装置3的送入时刻和从曝光装置3送出的送出时刻，与步骤S23同样地计算在曝光装置3中的滞留时间。滞留时间计算部108将计算出的曝光装置3中的滞留时间输出至加热时间计算部112。
接着，控制装置100执行步骤S32。在步骤S32中，加热时间计算部112基于由滞留时间计算部108计算出的滞留时间，来计算热处理单元U8的加热时间。此处的加热时间是指，在热处理单元U8中进行的对晶片W的显影前的加热处理的时间。例如加热时间计算部112根据在曝光装置3中的滞留时间，来计算对该晶片W在热处理单元U8中的加热时间。加热时间计算部112以随着在曝光装置3中的滞留时间变长而加热时间变长的方式计算加热时间。换言之，加热时间计算部112以随着在曝光装置3中的滞留时间变短而加热时间变短的方式计算加热时间。也可以为加热时间计算部112通过参照预先存储在存储器123中且使在曝光装置3中的滞留时间与上述加热时间相关联的表，来计算热处理单元U8中的加热时间。加热时间计算部112将计算出的加热时间输出至热处理单元控制部114。
接着，控制装置100执行步骤S33。在步骤S33中，输送控制部106控制输送装置A3、A8以将晶片W送入热处理单元U8。在用输送装置A3将晶片W送入热处理单元U8后，热处理单元控制部114控制热处理单元U8以开始该晶片W的加热处理。
接着，控制装置100执行步骤S34。在步骤S34中，热处理单元控制部114待机，直至经过由加热时间计算部112计算出的加热时间。在上述加热时间经过后，控制装置100执行步骤S35。在步骤S35中，例如输送控制部106控制输送装置A3，以将实施了由加热时间计算部112计算出(所设定)的加热时间的加热处理的晶片W从热处理单元U8送出。此外，也可以为在实施了上述加热时间的加热处理的晶片W被热处理单元U8内的冷却板冷却后，输送控制部106控制输送装置A8以将该晶片W从热处理单元U8送出。
如上所述，对1个晶片W进行的加热处理时间的调节次序结束。控制装置100对每个晶片W反复进行步骤S31～S35的处理。在步骤S35的处理后，输送控制部106控制输送装置A3以将从热处理单元U8送出的晶片W送入显影单元U7。之后，控制装置100控制显影单元U7以对该晶片W实施显影处理。然后，也可以为在显影处理后，控制装置100控制输送装置A3和热处理单元U8以在热处理单元U8中对该晶片W实施显影处理后的加热处理。
在第2实施方式的基片处理系统1的涂敷显影装置2中，控制装置100以随着曝光装置3内的滞留时间变长而晶片W的加热处理的时间变长的方式控制热处理单元U8。在此情况下，在曝光装置3中的滞留时间越长，含水量变得越少，热处理单元U8中的加热处理时间变得越长。此外，在曝光装置3中的滞留时间越短，含水量变得越多，热处理单元U8中的加热处理时间变得越短。因此，即使在曝光装置3中的滞留时间存在差，各个晶片W之热处理单元U8进行加热处理时的反应水分量的差也缩小。其结果，能够提高使用了含金属的抗蚀剂的抗蚀剂图案的尺寸稳定性。
也可以为控制装置100除了进行热处理单元U8中的加热时间的调节之外，与第1实施方式同样地在曝光处理前通过基片收纳单元20和输送时间的调节来进行含水量的调节。也可以为控制装置100进行热处理单元U8中的加热时间的调节，而不在曝光处理前通过基片收纳单元20和输送时间的调节来进行含水量的调节。在此情况下，假设即使不设置用于进行反应水分量的调节的装置(湿度调节装置7)，也能够进行反应水分量的调节，因此能够兼顾尺寸稳定性和涂敷显影装置2的简化。也可以为控制装置100将第2实施方式中的加热时间的调节与第1实施方式中的由脱水单元30或加湿单元40进行的调节组合。
(第3实施方式)
接着，参照图9，对第3实施方式的基片处理系统1进行说明。在第3实施方式的基片处理系统1(涂敷显影装置2)中，与第1实施方式的不同之处在于，由控制装置100进行的曝光处理前的含水量的调节次序。控制装置100用脱水单元30在曝光处理前进行含水量的调节。在此情况下，在热处理单元U4的热处理(覆膜形成)后，控制装置100控制输送装置A8以将由曝光装置3进行曝光处理前的晶片W送入脱水单元30。此外，控制装置100控制输送装置A8，使得在设定的时机从脱水单元30送出晶片W，该设定的时机被设定成能够使各个晶片W之从脱水单元30送出时的含水量的差与送入脱水单元30时相比缩小。
图9示出了作为曝光处理前的脱水单元30的调节次序的一例，从脱水单元30送出的送出时机(脱水单元30内的滞留时间)的调节次序。在该调节次序中，首先，控制装置100执行步骤S41。在步骤S41中，例如输送控制部106基于动作指令保持部116的输送计划控制输送装置A8，以将多个晶片W依次从搁架单元U11送入脱水单元30。
接着，控制装置100执行步骤S42。在步骤S42中，输送控制部106判断是否从动作指令保持部116接收到晶片W的送出指令。输送控制部106在没有接收到上述送出指令的情况下，反复进行步骤S41、S42。由此，将多个晶片W送入脱水单元30。
在步骤S42中，在输送控制部106接收到上述送出指令的情况下，控制装置100执行步骤S43。在步骤S43中，例如控制装置100计算在当前时刻收纳在脱水单元30中的多个晶片W各自的滞留时间。然后，控制装置100执行步骤S44。在步骤S44中，输送控制部106控制输送装置A8以将作为送出对象的晶片W送出。具体而言，输送控制部106控制输送装置A8，以将脱水单元30内的多个晶片W中滞留时间最长的晶片W作为送出对象，将其从脱水单元30送出。在从脱水单元30送出后，输送控制部106控制输送装置A8以将该晶片W送入曝光装置3。
控制装置100反复进行以上的步骤S41～S44。通过该处理，每当接收到送出指令时，将滞留时间最长的晶片W送出，因此经脱水单元30被送入曝光装置3的晶片W各自的含水量达到饱和水平(每单位时间的减少幅度下降至规定阈值的水平)。因此，使各个晶片W之从脱水单元30送出时含水量的差，与从脱水单元30送出时相比缩小。此外，也可以为控制装置100在收纳于脱水单元30的晶片W少且任意晶片W都没有达到饱和水平的情况下，使从脱水单元30的送出的动作待机。
此外，也可以为控制装置100代替上述的步骤S44的处理，而控制输送装置A8，以根据从热处理单元U4至脱水单元30的输送时间来调节在脱水单元30中的滞留时间(脱水时间)。例如，也可以为控制装置100控制输送装置A8，以在输送到脱水单元30为止的输送时间越长而在脱水单元30中的滞留时间变得越长的时机将该晶片W从脱水单元30送出。也可以为控制装置100利用加湿单元40代替脱水单元30，用与上述相同的次序进行反应水分量的调节。
在第3实施方式的基片处理系统1的涂敷显影装置2中，在热处理单元U4的热处理(成膜处理)后，控制装置100控制输送装置A8以将曝光处理前的晶片W送入脱水单元30。当晶片W被送入脱水单元30而该晶片W的含水量减少时，含水量的减少在某水平到达钝化的状态(钝化状态)。因此，在将晶片W送入脱水单元30后将晶片W交送到曝光装置3，在多个晶片W之间含水量的最大值与最小值之差缩小。由此，由于各个晶片W的含水量的差缩小，因此能够提高抗蚀剂图案的尺寸稳定性。
控制装置100控制输送装置A8，在设定的时机从脱水单元30送出晶片W，该设定的时机被设定成能够使各个晶片W之从脱水单元30送出时的含水量的差与送入脱水单元30时相比缩小。例如，在脱水单元30内所有晶片W的含水量达到饱和水平的时机从脱水单元30送出晶片W。因此，即使含水量的减少成为了钝化状态的晶片W进入曝光装置3内，也与滞留时间的长短无关地，在曝光装置3内含水量仅减少少许。由此，能够抑制因曝光装置3内的滞留时间而产生的晶片W之间的含水量的差，各个晶片W的含水量的差缩小。或者，通过根据输送到脱水单元30为止的输送时间使脱水单元30的滞留时间变化(例如输送时间越长，将滞留时间设定得越长)，能够缩小各个晶片W的含水量的差。这样的结果，能够更可靠地提高抗蚀剂图案的尺寸稳定性。
在第3实施方式中，也可以为控制装置100对多个晶片W各自在曝光处理前进行调节以使得在脱水单元30中含水量达到饱和水平，而不在曝光处理后进行反应水分量(含水量)的调节。在基片处理系统1中，存在涂敷显影装置2中的处理量(throughput)大于曝光装置3的处理量的情况。在此情况下，由于曝光装置3规定基片处理系统1整体的处理量，因此从生产效率的观点出发，曝光装置3的曝光处理后的晶片W的处理顺畅(仅生产晶片W所需的最低限度的工序)地执行是有效的。因此，在希望想要兼顾含水量的调节和生产效率的提高的情况下，涂敷显影装置2也可以构成为能够用控制装置100在曝光处理前进行含水量的上述调节，而不在曝光处理后进行调节。
也可以为控制装置100将第1实施方式中的由脱水单元30或加湿单元40进行的调节及第2实施方式中的加热时间的调节中的至少一者，与第3实施方式中的由脱水单元30进行的调节组合。例如，也可以为控制装置100除了在曝光处理前用脱水单元30调节含水量之外，还在曝光处理后用脱水单元30调节含水量。在此情况下，涂敷显影装置2可以具有不同的2个脱水单元30。例如，可以为控制装置100除了在曝光处理前用脱水单元30调节含水量之外，还在曝光处理后通过热处理单元U8的加热时间的调节来调节反应水分量。也可以为基片处理系统1(基片处理装置)通过各个晶片W在调节曝光装置3内的滞留时间，来进行反应水分量(含水量)的调节。
作为处理对象的基片不限于半导体晶片，例如也可以是玻璃基片、掩膜基片、FPD(Flat Panel Display)等。

Claims (14)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
成膜处理部，其在基片上形成含金属的抗蚀剂的覆膜；
热处理部，其对形成有所述覆膜并对该覆膜实施了曝光处理的所述基片进行加热处理；
显影处理部，其对实施了所述加热处理的所述基片的所述覆膜进行显影处理；和
调节控制部，其使各个所述基片之在形成于所述基片上的所述覆膜内进行所述加热处理时反应的水分量的差缩小。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述调节控制部使各个所述基片之所述加热处理开始时的所述覆膜所含的含水量的差缩小。
3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述调节控制部至少在所述曝光处理前调节各个所述基片的所述含水量，以使各个所述基片之所述加热处理开始时的所述含水量的差缩小。
4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：
输送所述基片的输送装置；和
基片收纳部，其构成为与收纳所述输送装置的输送空间相比，能够抑制所述含水量的变化，
所述调节控制部在由所述成膜处理部形成所述覆膜后控制所述输送装置以将所述曝光处理前的所述基片送入所述基片收纳部。
5.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：
所述调节控制部控制所述输送装置，以使各个所述基片之从所述成膜处理部送出至送入所述基片收纳部为止的时间的差缩小。
6.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：
输送所述基片的输送装置；和
使所述含水量减少的脱水部，
所述调节控制部在由所述成膜处理部形成所述覆膜后控制所述输送装置以将所述曝光处理前的所述基片送入所述脱水部。
7.如权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于：
所述调节控制部控制输送装置以在设定的时机从所述脱水部送出所述基片，其中所述设定的时机被设定成能够使各个所述基片之从所述脱水部送出时的所述含水量的差与送入所述脱水部时相比缩小。
8.如权利要求2或3所述的基片处理装置，其特征在于：
所述调节控制部至少在所述曝光处理后调节各个所述基片的所述含水量，以使各个所述基片之所述加热处理开始时的所述含水量的差缩小。
9.如权利要求8所述的基片处理装置，其特征在于：
所述调节控制部根据所述曝光处理用的装置内的滞留时间，在所述曝光处理后调节各个所述基片的所述含水量。
10.如权利要求9所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：
输送所述基片的输送装置；和
使所述含水量减少的脱水部，
所述调节控制部控制所述输送装置，以将所述曝光处理后的至少一部分所述基片送入所述脱水部，在设定的时机从所述脱水部送出所述基片，其中所述设定的时机被设定成能够使随着所述曝光处理用的装置内的滞留时间变短而所述基片在所述脱水部内的滞留时间变长。
11.如权利要求9所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：
输送所述基片的输送装置；和
使所述含水量增加的加湿部，
所述调节控制部控制所述输送装置，以将所述曝光处理后的至少一部分所述基片送入所述加湿部，在设定的时机从所述加湿部送出所述基片，其中所述设定的时机被设定成能够使随着所述曝光处理用的装置内的滞留时间变长而所述基片在所述加湿部内的滞留时间变长。
12.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述调节控制部控制所述热处理部以随着所述曝光处理用的装置内的滞留时间变长而所述基片的所述加热处理的时间变长。
13.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
在基片上形成含金属的抗蚀剂的覆膜的步骤；
对形成有所述覆膜并对该覆膜实施了曝光处理的所述基片进行加热处理的步骤；
对实施了所述加热处理的所述基片的所述覆膜进行显影处理的步骤；和
使各个所述基片之在涂敷于所述基片上的所述覆膜内进行所述加热处理时反应的水分量的差缩小的步骤。
14.一种计算机可读取的存储介质，其特征在于：
存储有用于使装置执行权利要求13所述的基片处理方法的程序。
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