TWI805786B - 基板處理系統、基板搬送方法、及控制程式 - Google Patents

基板處理系統、基板搬送方法、及控制程式 Download PDF

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Abstract

[課題]提供對分別進行規定之處理的複數個處理模組，依序搬送基板而對基板進行一連串之處理時，抑制生產率之降低，而且可以抑制基板引起的處理結果之不均勻的技術。 [解決手段]一種基板處理系統，係具備：處理部，具有分別進行規定之處理的複數個處理模組；搬出入部，保持複數片基板，並對處理部進行基板之搬出入；搬送部，進行基板之搬送；及控制部，對處理部、搬出入部、及搬送部進行控制；控制部，係使複數片基板從搬出入部依序搬送至處理部，並且使已被搬送的基板對複數個處理模組依序以序列方式進行搬送而進行控制，而且，針對從搬出入部之規定之模組搬出基板之後至搬出次一基板為止之間隔進行設定，並依據該間隔之設定值將複數片基板從規定之模組依序搬出而進行控制。

Description

基板處理系統、基板搬送方法、及控制程式
本揭示關於基板處理系統、基板搬送方法、及控制程式。
作為對複數片基板進行處理的基板處理系統，具有：分別進行規定之處理的複數個處理模組；及對彼等複數個處理模組搬送基板的搬送機構，且對複數個處理模組依序序列地搬送基板而進行控制者被提案(例如專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]專利第6160614號公報
[發明所欲解決之課題]
本揭示提供在對分別進行規定之處理的複數個處理模組，依序以序列方式搬送基板而對基板進行一連串之處理時，可以抑制生產率之降低，而且可以抑制基板引起的處理結果之不均勻的技術。 [解決課題之手段]
本揭示之一實施形態的基板處理系統，係對複數片基板進行處理的基板處理系統，具備：處理部，具有分別進行規定之處理的複數個處理模組；搬出入部，將複數片基板進行保持，並對上述處理部進行基板之搬出入；搬送部，對上述複數個處理模組分別進行基板之搬送，且在上述搬出入部內及上述搬出入部與上述處理部之間進行基板之搬送；及控制部，對上述處理部、上述搬出入部、及上述搬送部進行控制；上述控制部，係使複數片基板從上述搬出入部依序搬送至上述處理部，並且使已被搬送的基板對上述複數個處理模組依序以序列方式進行搬送而進行控制，而且，針對從上述搬出入部之規定之模組搬出基板之後至搬出次一基板為止之間隔進行設定，依據該間隔之設定值將複數片基板從上述規定之模組依序搬出而進行控制。 [發明效果]
依據本揭示提供，針對進行複數種處理之個別處理的複數個處理模組，依序以序列方式搬送基板而對基板進行一連串之處理時，可以抑制生產率之降低，而且可以抑制基板引起的處理結果之不均勻的技術。
以下，參照圖面說明實施形態。
圖1係表示一實施形態的基板處理系統之概略剖面圖。該基板處理系統1係對基板W實施複數種處理者，具有：處理部2；將複數片基板W進行保持，對處理部2進行基板之搬出入的搬出入部3；及控制部4。基板無特別限定，例如為半導體晶圓。
處理部2具有對基板W實施規定之真空處理的複數個(本例中為10個)處理模組PM1~PM10。藉由第1搬送裝置11將基板W依序搬送至彼等複數個處理模組PM1~PM10。第1搬送裝置11具有複數個搬送模組TM1~TM5。搬送模組TM1~TM5具有：分別以真空保持的平面形狀為六角狀之容器30a、30b、30c、30d、30e；及設置於各容器內的多關節構造之搬送機構31a、31b、31c、31d、31e。在搬送模組TM1~TM5之搬送機構之間設置有分別作為搬送緩衝部之交接部41、42、43、44。搬送模組TM1~TM5之容器30a、30b、30c、30d、30e連通而構成一個搬送室12。搬送室12朝圖中Y方向延伸，處理模組PM1~PM10經由可以開/關的閘閥G於搬送室12之兩側被連接各5個。處理模組PM1~PM10之閘閥G，在搬送模組進出處理模組時被開啟，在進行處理時被關閉。
搬出入部3連接於處理部2之一端側。搬出入部3具有：大氣搬送室(EFEM)21；與大氣搬送室21連接的3個裝載口22、對準器模組23、以及2個裝載鎖定模組LLM1及LLM2；及設置於大氣搬送室21內的第2搬送裝置24。
大氣搬送室21形成為以圖中X方向作為長邊方向的長方體狀。3個裝載口22設置於大氣搬送室21之與處理部2相反側之長邊壁部。各裝載口22具有載置台25與搬送口26，於載置台25載置有收納複數片基板的基板收納容器亦即FOUP20，載置台25上之FOUP20係經由搬送口26以密閉之狀態連接於大氣搬送室21。
對準器模組23係與大氣搬送室21之一方之短邊壁部連接。於對準器模組23進行基板W之對準。
2個裝載鎖定模組LLM1及LLM2，為了設為可以在大氣壓之大氣搬送室21與真空氛圍之搬送室12之間進行基板W之搬送者，而成為在大氣壓與和搬送室12同程度之真空之間壓力可變。2個裝載鎖定模組LLM1及LLM2分別具有2個搬送口，一方之搬送口經由閘閥G2連接於大氣搬送室21之處理部2側之長邊壁部，另一方之搬送口經由閘閥G1連接於處理部2之搬送室12。裝載鎖定模組LLM1使用於將基板W從搬出入部3搬送至處理部2時，裝載鎖定模組LLM2使用於將基板W從處理部2搬送至搬出入部3時。又，於裝載鎖定模組LLM1及LLM2進行脫氣處理等之處理亦可。
大氣搬送室21內之第2搬送裝置24，係具有多關節構造，對裝載口22上之FOUP20、對準器模組23、裝載鎖定模組LLM1及LLM2進行基板W之搬送。具體而言，第2搬送裝置24從裝載口22之FOUP20取出未處理之基板W，搬送至對準器模組23，從對準器模組23將基板W搬送至裝載鎖定模組LLM1。又，第2搬送裝置24受取從處理部2已被搬送至裝載鎖定模組LLM2的處理後之基板W，將基板W搬送至裝載口22之FOUP20。又，圖1中示出受取第2搬送裝置24之基板W的拾取器為1個之例，但拾取器為2個亦可。
又，藉由上述第1搬送裝置11與第2搬送裝置24構成處理系統1之搬送部。
上述處理部2中，於搬送室12之一方側，從裝載鎖定模組LLM1側依序配置有處理模組PM1、PM3、PM5、PM7、PM9，於搬送室12之另一方側，從裝載鎖定模組LLM2側依序配置有處理模組PM2、PM4、PM6、PM8、PM10。又，第1搬送裝置11中，從裝載鎖定模組LLM1及LLM2側依序配置有搬送模組TM1、TM2、TM3、TM4、TM5。
搬送模組TM1之搬送機構31a可以進出裝載鎖定模組LLM1及LLM2、處理模組PM1及PM2以及交接部41。搬送模組TM2之搬送機構31b可以進出處理模組PM1、PM2、PM3、及PM4以及交接部41及42。搬送模組TM3之搬送機構31c可以進出處理模組PM3、PM4、PM5、及PM6以及交接部42及43。搬送模組TM4之搬送機構31d可以進出處理模組PM5、PM6、PM7、及PM8以及交接部43及44。搬送模組TM5之搬送機構31e可以進出處理模組PM7、PM8、PM9、及PM10以及交接部44。
第2搬送裝置24及第1搬送裝置11之搬送模組TM1~TM5為如此般構成，因此如圖2所示，從FOUP20取出的基板W，於處理部2中沿著大致U字狀之路徑P在一方向以序列方式進行搬送於各處理模組中進行處理，並返回FOUP20。亦即，基板W係依據處理模組PM1、PM3、PM5、PM7、PM9、PM10、PM8、PM6、PM4、PM2之依序進行搬送於各別之處理模組進行規定之處理。
處理系統1，例如可以用於MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory)使用的積層膜(MTJ膜)之製造。於MTJ膜之製造，存在有前洗淨處理、成膜處理、氧化處理、加熱處理、冷卻處理等之複數種處理，彼等處理各自在處理模組PM1~PM10進行。處理模組PM1~PM10之1個以上成為使基板W待機的待機模組亦可。
控制部4對基板處理系統1之各構成部例如搬送模組TM1~TM5(搬送機構31a~31e)、及第2搬送裝置24、處理模組PM1~PM10、裝載鎖定模組LLM1及LLM2、搬送室12、閘閥G、G1、G2等進行控制。控制部4之典型為電腦。圖3表示控制部4之硬體構成之一例。控制部4具備：主控制部101；鍵盤，滑鼠等之輸入裝置102；印表機等之輸出裝置103；顯示裝置104；記憶裝置105；外部介面106；及將彼等相互連接的匯流排107。主控制部101具有CPU(中央處理裝置)111、RAM112及ROM113。記憶裝置105進行控制所必要的資訊之記錄及讀取。記憶裝置105具有電腦可讀取的記憶媒體，於記憶媒體記憶有對基板W的處理之處理配方等。
控制部4中，CPU111以RAM112作為作業區域使用，藉由執行記憶於ROM113或記憶裝置105之記憶媒體的程式，於基板處理裝置1中執行基板亦即晶圓W之處理。
圖4為控制部4之功能方塊圖，主要表示基板W之搬送控制功能。控制部4具有搬送控制部121、間隔設定部122、基板檢測部123、滯留檢測部124、及間隔設定模組變更部125。又，控制部4亦具有搬送控制功能以外之其他之功能，於此省略說明。
搬送控制部121對搬送模組TM1~TM5(搬送機構31a~31e)及第2搬送裝置24進行控制。具體而言，依據以下方式進行控制：基板W從FOUP20被搬出，經由對準器模組23、裝載鎖定模組LLM1到達處理部2，依序被搬送至各處理模組，經由裝載鎖定模組LLM2返回FOUP20。搬送控制部121內建有計數器。間隔設定部122具有，針對從搬出入部3之規定之模組搬出某一基板W之後至搬出次一基板W為止之間隔進行設定，並將該設定值傳送至搬送控制部121的功能。基板檢測部123對系統內之基板W之位置進行檢測。已檢測的基板W之位置被顯示於顯示裝置104之裝置畫面。滯留檢測部124，係具有對基板W之滯留進行檢測，並回授至搬送控制部121的功能。間隔設定模組變更部125，係具有針對用於設定搬出基板W之後至搬出次一基板W為止之間隔的模組進行變更設定，並將該變更傳送至搬送控制部121的功能。
以下，具體說明。 搬送控制部121，在從搬出入部3之規定之模組依序搬出複數片基板時，係依據間隔設定部122所設定的間隔之設定值，依序搬出複數片基板W而對第2搬送裝置24等之搬送機構進行控制。此時，間隔作為裝置參數被設定。間隔設定部122依據製程所要求的生產率可以將間隔變更為適當之值。
被設定有間隔的規定之模組(間隔設定模組)，例如為裝載口22(FOUP20)。間隔設定模組為裝載口22(FOUP20)之情況下，搬送控制部121從FOUP20取出基板W之後，依據間隔設定部122所設定的間隔之設定值取出次一基板W，依此而對第2搬送裝置24進行控制。間隔設定部122之設定值，例如將處理模組PM1~PM10之中之處理時間最長者之時間作為基準而進行設定。
又，間隔設定部122設定的設定值(參數)可於中途變更。該情況下，搬送控制部121較好是將參數變更設為即時有效。先行基板從間隔設定模組被搬出後(間隔計數器計測中)參數被變更之情況下，搬送控制部121，係在已變更的參數與該時之實測時間之差值之計數器時間後進行後續基板之搬出。
例如間隔之設定值(參數)為120秒時如以下。 (a)先行基板搬出後，經過30秒時，將參數變更為100秒之情況下，從參數變更時點起70秒後(從先行基板搬出起100秒後)進行後續基板之搬送。 (b)先行基板搬出後，經過30秒時，將參數變更為10秒之情況下，在參數變更時點後立即進行後續基板之搬出。
間隔設定模組變更部125係對上述間隔設定模組之變更進行設定。例如將間隔設定模組從裝載口22(FOUP20)變更為對準器模組23或裝載鎖定模組LLM1。若已變更的間隔設定模組為對準器模組23之情況下，搬送控制部121，係從對準器模組23搬出基板W之後依據設定的間隔取出次一基板W，依此而對第2搬送裝置24進行控制。此時，搬送控制部121，在將基板W從FOUP20搬送至對準器模組23時，係以不考慮間隔的通常之搬送的方式對第2搬送裝置24進行控制。已變更的間隔設定模組為裝載鎖定模組LLM1之情況下，搬送控制部121，在從裝載鎖定模組LLM1搬出基板W之後，係依據設定的間隔取出次一基板W的方式對搬送模組TM1之搬送機構31a進行控制。
又，以上之說明中，將間隔設定模組之初期設定設為裝載口22(FOUP20)，但間隔設定模組之初期設定亦可以設為其他之模組。
滯留檢測部124，不受制於上述間隔設定，在規定之處理模組發生基板之滯留之情況下，對該滯留進行檢測，並將滯留時間回授至搬送控制部121。接受到回授的搬送控制部121，係將間隔設定部122所設定的間隔之設定值之殘餘時間延長滯留時間值。滯留檢測部124之滯留檢測，係依據基板檢測部123對基板W之位置檢測結果，在來自規定之模組的基板W之搬出之延遲時間為規定時間以上時，將該基板W視為滯留，以該搬出延遲時間作為滯留時間。滯留時間係在基板開始移動才獲知，因此滯留時間之檢測係依據滯留被解除基板W開始移動之時序進行。接收到回授的搬送控制部121，係以間隔設定部122所設定的間隔之殘餘時間被延長搬出延遲時間之值的方式再度設定計數器。
但是，若考慮生產率之降低時，再度設定計數器之最大值，亦即延長後之間隔之再度設定，較好是設為間隔設定部122之設定值。 例如間隔設定部122所設定的間隔設定值為280秒時係如以下。 (a)先行基板之滯留時間為30秒，計數器之經過時間為100秒之情況下， 再度設定為280-100+30=210秒之計數器。 (b)先行基板之滯留時間為300秒，計數器之經過時間為100秒之情況下， 280-100+300=480秒，但是比起設定值280秒更長，因此再度設定為280秒之計數器。
視為滯留檢測部124之滯留的規定時間，以可以設定為較佳。該規定時間為實質上可以設為發生滯留的時間，例如被設定為15秒。亦即，滯留檢測部124，在基板W從規定之模組之搬出延遲時間長至規定時間(例如15秒)以上時，視為發生滯留而將回授傳送至搬送控制部121。
又，在基板W之滯留解除而複數片基板開始移動時，搬送控制部121僅接受最初開始移動的基板W之回授。先行基板基於某些原因而滯留之情況下，接續其之基板亦滯留，成為複數片基板滯留，此時滯留被解除而開始移動的基板為複數片，從滯留檢測部124傳送彼等複數片基板之回授。彼等基板之中，最初開始移動的基板之滯留時間最長，因此搬送控制部121設為僅接受最初開始移動的基板之回授。
又，搬送控制部121設為針對一次傳送回授時之基板，之後不接受回授。如上述般複數片基板滯留之後，滯留被解除時，先頭之基板不滯留而可以進行搬送，但第2片以後之基板，基於先頭之基板在各處理模組之處理時間而會有滯留複數次之情況。此時，若每次都接受滯留之回授，則搬送循環將大為紊亂並導致生產率之降低。因此，搬送控制部121針對已傳送過一次回授的基板即不再接受其之回授。
又，搬送控制部121具有：在設定的間隔已經過並從間隔設定模組將基板W搬出時，若檢測出在該基板W之搬送端之模組發生基板W之滯留之情況下，停止從間隔設定模組之基板W之搬出的功能。藉由基板檢測部123檢測出滯留被解除之情況下，搬送控制部121解除搬出停止。
再者，搬送控制部121具有：先行的基板不存在之情況(先行基板之資訊發生軟體遺失之情況)，不論設定的間隔時間，而從間隔設定模組即時搬出次一基板W之功能。又，設定的間隔時間比起先行基板W之搬送時間長之情況及先行基板W之製程工作被中止而基板比預定更早返回之情況下，在基板返回之時點，同樣地，將次一基板即時搬出。
再者，搬送控制部121具有：在裝載鎖定模組(LLM1)之大氣開放延遲之情況下，從間隔設定模組將第1片基板W搬出時，不論間隔設定值，而在大氣開放處理結束之後進行搬出的功能。
接著，說明如以上構成的基板處理系統1中的處理動作。以下之處理動作係在控制部4之控制之下執行。
首先，藉由第2搬送裝置24從裝載口22上之FOUP20取出基板W，搬送至對準器模組23。在對準器模組23進行基板W之對準之後，藉由第2搬送裝置24取出基板W並搬送至裝載鎖定模組LLM1。此時裝載鎖定模組LLM1為大氣壓，受取基板W之後實施真空排氣。
之後，藉由第1搬送裝置11中的搬送模組TM1之搬送機構31a，將基板W從裝載鎖定模組LLM1內取出，搬送至處理模組PM1。接著，於處理模組PM1對基板W進行規定之處理。之後，基板W藉由搬送模組TM1~TM5之搬送機構31a~31e依序被搬送至處理模組PM3、PM5、PM7、PM9、PM10、PM8、PM6、PM4、PM2，於彼等處理模組中依序進行規定之處理。在處理模組PM2之處理結束之後，基板W藉由搬送模組TM1之搬送機構31a被搬送至裝載鎖定模組LLM2。此時裝載鎖定模組LLM2為真空，受取基板W之後開放為大氣。
之後，裝載鎖定模組LLM2內之基板W藉由第2搬送裝置24被搬送至裝載口22之FOUP20內。
對複數片基板W重複進行以上之一連串之處理。
習知技術中，此種之基板處理系統中的搬送系統，係重視搬送效率，以藉由觸發搬送而在最短時間連續搬送複數片基板的方式進行控制。
但是，各處理模組之處理時間並非恆定，即使第1片基板無等待時間被搬送來，第2片以後之基板，因為配方時間較長的處理模組而不得不在之前之處理模組中待機，從而製程結果不同。
例如MRAM之MTJ膜之製造之情況下，存在前洗淨處理、成膜處理、氧化處理、加熱處理即冷卻處理等之複數種處理。此時之處理時間，例如處理模組PM7中為最長之280秒，之前之處理模組PM1、PM3，PM5中為數十秒。因此，第2片以後之基板，在處理模組PM7之先行基板之處理結束為止成為在處理模組PM1、PM3，PM5中待機。
此時，待機的處理模組PM1、PM3，PM5中進行的處理，若為氧化處理或冷卻處理等之待機中基板之狀態有可能變化的處理之情況下，第1片基板與第2片以後之基板之製程結果會不同。
另一方面，藉由軟體之功能隔開基板之間隔，來防止後續基板之滯留可以抑制製程結果之不均勻，但是維持既存之控制之狀態下隔開基板之搬送間隔時，將導致生產率降低。
因此，本實施形態中，藉由間隔設定部122針對從搬出入部3之規定之模組搬出某一基板之後至搬出次一基板為止之間隔進行設定，藉由搬送控制部121依據已設定的間隔之設定值將複數片基板從間隔設定模組依序搬出，依此方式對基板W之搬送進行控制。
據此，基板W之搬出間隔可以配合處理所要求的生產率適當地設定，可以抑制生產率之降低，而且可以消除處理模組中之基板W之滯留，可以抑制基板引起的處理結果之不均勻。
藉由以處理模組PM1~PM10之中的處理時間最長者之時間作為基準來設定間隔設定部122之設定值，能夠更有效地抑制基板之滯留之產生。
又，間隔設定部122所設定的設定值(參數)在中途可以變更，搬送控制部121可以即時有效地進行參數變更，可以進行極細的搬送控制。
基板W在全部之處理模組PM1~PM10中如預定般進行處理，且如預定般進行搬送之情況，僅藉由此種功能可以有效地抑制基板W之滯留。但是，實際上，處理模組中會有錯誤或突發性的延遲發生，會有無法按預定般之時間處理之情況，該情況下，即使具有上述功能乃會發生基板W之滯留。
針對此，藉由滯留檢測部124檢測出在規定之處理模組中產生的滯留，並回授至搬送控制部121，將間隔設定部122所設定的間隔之設定值之殘餘時間延長來自該處理模組之搬出延遲時間之值。此時之滯留時間在基板開始移動始能獲知，因此滯留檢測部124，係依據檢測出來自規定之模組之基板W之搬出延遲時，亦即，依據滯留被解除而基板開始移動之時序來檢測滯留。接著，接收到回授的搬送控制部121，以使間隔設定部122所設定的設定值(參數)延長滯留時間值的方式對計數器進行再度設定。據此，即使發生非預期性基板W之滯留，亦可以抑制後續基板之等待時間，可以防止滯留之傳遞。
此時，藉由以再度設定的計數器之最大值作為間隔設定部122之間隔之設定值，可以盡力抑制生產率之降低。
又，滯留檢測部124之視為滯留的規定時間可以進行設定，據此可以防止實質上未視為滯留之諸如搬送模組之爭奪或處理單元之電漿點火之重試等之輕微的事項被檢測為滯留。
再者，當基板W之滯留被解除而複數片基板開始移動時，從複數片基板被傳送回授信號，但搬送控制部121設定成為僅接受最初開始移動的基板W之回授。最初開始移動的基板W之滯留時間為最長，對應於此來延長間隔設定值之計數器即充分，據此，可以抑制基板搬送之過度調整引起的生產率之降低。
再者，搬送控制部121設定成為不接受已傳送一次回授的基板之回授。據此，複數片基板滯留之後，滯留被解除時，針對有可能複數次滯留的第2片以後之基板，在發生滯留之每一次都接受滯留之回授而導致搬送循環紊亂之事可以被回避。亦即，藉此，亦可以抑制基板搬送之過度調整引起的生產率之降低。
再者，搬送控制部121具有：在經過設定的間隔而從間隔設定模組將基板W搬出時，若在該基板W之搬送端之模組中檢測出基板W之滯留產生之情況下，停止基板W之搬出的功能。據此，可以回避從間隔設定模組新搬出的基板W發生滯留之危險性。
再者，搬送控制部121具有：先行的基板不存在之情況(先行基板之資訊因軟體而遺失之情況)，不論設定的間隔時間，從間隔設定模組即時搬出基板W的功能。據此，可以消除過度的等待時間，可以進一步提高生產率。又，具有設定的間隔時間比起先行基板W之搬送時間長之情況及先行基板W比預定更早返回之情況下，在基板返回之時點，同樣地將次一基板即時搬出之功能，因此可以獲得同樣之效果。
又，藉由間隔設定模組變更部125可以對間隔設定模組之變更進行設定，因此可以消除間隔設定模組固定引起的不良狀況。例如裝載鎖定模組LLM1之大氣開放時間較長，從裝載口22將基板W搬出時開始裝載鎖定模組LLM1之大氣開放時，在該基板W到達裝載鎖定模組LLM1之前有可能大氣開放乃未結束。此情況下，依據裝載口22(FOUP20)來設定間隔的話，搬送循環會紊亂。此一情況下，將間隔設定模組變更為對準器模組23係有效的。但是，第2搬送裝置24之拾取器有2個之情況下，若間隔設定模組變更為對準器模組23則會有不合適，因此以裝載鎖定模組LLM1之大氣開放時間短作為前提，而將間隔設定模組設為裝載口22。
若裝載鎖定模組(LLM1)之大氣開放延遲之情況下，從間隔設定模組將第1片基板W搬出時，則不論間隔設定值，以大氣開放處理結束之後搬出的方式進行控制亦可。據此，則可以回避無法享受間隔設定之恩惠的第1片基板W，在搬入裝載鎖定模組LLM1之前之待機。
以上，針對實施形態進行說明，但此次揭示的實施形態全部之點僅為例示，並非用來限制者。上述實施形態在不脫離申請專利範圍及其主旨之範圍內可以藉由各種形態進行省略、置換、變更。
例如實施形態之處理系統1僅為例示，只要是對複數個處理模組依序以序列方式搬送基板而進行處理者即可。又，作為處理之例雖示出MRAM之MTJ膜之製造，但不限定於此。
1:處理系統 2:處理部 3:搬出入部 4:控制部 11:第1搬送裝置 20:FOUP 22:裝載口 23:對準器模組 24:第2搬送裝置 121:搬送控制部 122:間隔設定部 123:基板檢測部 124:滯留檢測部 125:間隔設定模組變更部 LLM1，LLM2:裝載鎖定模組 PM1~PM10:處理模組 TM1~TM5:搬送模組 W:基板
[圖1]表示一實施形態的基板處理系統之概略剖面圖。 [圖2]表示一實施形態的基板處理系統中的基板之搬送路徑之概略剖面圖。 [圖3]表示一實施形態的基板處理系統中的控制部之硬體構成之一例之方塊圖。 [圖4]表示一實施形態的基板處理系統中的控制部之功能方塊圖。
4:控制部
24:第2搬送裝置
121:搬送控制部
122:間隔設定部
123:基板檢測部
124:滯留檢測部
125:間隔設定模組變更部
TM1~TM5:搬送模組

Claims (14)

  1. 一種基板處理系統，係對複數片基板進行處理的基板處理系統，具備：處理部，具有分別進行規定之處理的複數個處理模組；搬出入部，將複數片基板進行保持，並對上述處理部進行基板之搬出入；搬送部，對上述複數個處理模組分別進行基板之搬送，且在上述搬出入部內及上述搬出入部與上述處理部之間進行基板之搬送；及控制部，對上述處理部、上述搬出入部、及上述搬送部進行控制；上述控制部，係使複數片基板從上述搬出入部依序搬送至上述處理部，並且使已被搬送的基板對上述複數個處理模組依序以序列方式進行搬送而進行控制，而且，針對從上述搬出入部之規定之模組搬出基板之後至搬出次一基板為止之間隔進行設定，依據該間隔之設定值將複數片基板從上述規定之模組依序搬出而進行控制，並且可以變更上述間隔之設定值，在先行的基板從上述規定之模組搬出後若上述間隔之設定值已變更之情況下，係在已變更的間隔之設定值與在那之前之實測時間之差值的時間後進行後續之基板的搬出而進行控制。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中上述控制部，若在規定之處理模組中發生基板之滯留的情況下，檢測出該基板之滯留，並將該結果回授，以使上述間隔之殘餘時間延長滯留時間之值的方式進行再度設定。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理系統，其中在上述規定之處理模組中的滯留時間為規定時間以上時，視為發生滯留。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理系統，其中上述控制部，係依據滯留被解除而基板開始移動之時序，將從上述規定之處理模組之基板之搬出延遲時間設為滯留時間。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理系統，其中上述控制部，在基板之滯留被解除而複數片基板開始移動時，僅接受最初開始移動的基板之回授。
  6. 如申請專利範圍第4項之基板處理系統，其中上述控制部，針對已回授一次滯留結果之基板，不接受之後之回授。
  7. 如申請專利範圍第2或3項之基板處理系統，其中已延長了上述間隔之殘餘時間後的再度設定值之最大值，成為上述間隔之設定值。
  8. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理系統，其中上述控制部，在上述規定之模組中經過設定的間隔，而從上述規定之模組搬出基板時，若檢測出在基板之搬送端之模組中發生基板之滯留之情況下，停止從上述規定之模組之基板之搬出。
  9. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理系統，其中先行的基板不存在之情況下，不論上述間隔之設定值，上述控制部從間隔設定模組將次一基板即時搬出。
  10. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理系統，其中上述搬出入部具有裝載口，該裝載口用於載置收納複數片基板的基板收納容器，上述裝載口作為被設定有上述間隔的上述規定之模組而發揮功能。
  11. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理系統，其中 上述處理部之複數個處理模組係在真空中進行處理，上述搬出入部具有：裝載口，用於載置收納複數片基板的基板收納容器；對準器模組，進行基板之對準；及裝載鎖定模組，在大氣壓與真空之間可以變換壓力；被設定有上述間隔的上述規定之模組，係上述裝載口、上述對準器模組、與上述裝載鎖定模組之任一。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板處理系統，其中上述控制部可以變更被設定有上述間隔的上述規定之模組。
  13. 一種基板搬送方法，係在基板處理系統中進行基板之搬送的基板搬送方法，該基板處理系統具有：處理部，具有分別進行規定之處理的複數個處理模組；及搬出入部，將複數片基板進行保持，並對上述處理部進行基板之搬出入；該基板搬送方法具有：針對將保持於上述搬出入部的基板從上述搬出入部之規定之模組搬出之後至搬出次一基板為止之間隔進行設定，並依據該間隔之設定值將複數片基板從上述規定之模組依序搬出的工程；將從上述規定之模組依序已被搬出的基板搬送至上述處理部的工程；及將已搬送至上述處理部的基板，依序以序列方式對上 述複數個處理模組進行搬送的工程；並且在該基板搬送方法中，可以變更上述間隔之設定值，在先行的基板從上述規定之模組搬出後若上述間隔之設定值已變更之情況下，係在已變更的間隔之設定值與在那之前之實測時間之差值的時間後進行後續之基板的搬出而進行控制。
  14. 一種控制程式，係在電腦上動作而於基板處理系統中控制基板之搬送者，該基板處理系統具有：處理部，具有分別進行規定之處理的複數個處理模組；及搬出入部，將複數片基板進行保持，並對上述處理部進行基板之搬出入；上述控制程式在執行時，係使電腦控制上述基板處理系統以便執行基板搬送方法，該基板搬送方法具有以下工程：針對將保持於上述搬出入部的基板從上述搬出入部之規定之模組搬出之後至搬出次一基板為止之間隔進行設定，並依據該間隔之設定值將複數片基板從上述規定之模組依序搬出的工程；將從上述規定之模組依序已被搬出的基板搬送至上述處理部的工程；及將已搬送至上述處理部的基板，依序以序列方式對上述複數個處理模組進行搬送的工程；並且在該基板搬送方法中，可以變更上述間隔之設定 值，在先行的基板從上述規定之模組搬出後若上述間隔之設定值已變更之情況下，係在已變更的間隔之設定值與在那之前之實測時間之差值的時間後進行後續之基板的搬出而進行控制。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11437254B2 (en) 2020-06-24 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Sequencer time leaping execution
US11385628B2 (en) 2020-06-24 2022-07-12 Applied Materials, Inc. Scheduling substrate routing and processing
JP2022052165A (ja) 2020-09-23 2022-04-04 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置、基板搬送方法及びプログラム
JP2022076547A (ja) 2020-11-10 2022-05-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法、および制御プログラム
TWI825875B (zh) * 2022-01-17 2023-12-11 騰璽科技股份有限公司 半導體機台系統及其製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200633825A (en) * 2005-01-07 2006-10-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing system and substrate processing program
US20150268660A1 (en) * 2012-09-21 2015-09-24 SCREEN Holdings Co., Ltd. Schedule making device, substrate processing apparatus, schedule making program, schedule making method, and substrate processing method
TW201812905A (zh) * 2016-07-21 2018-04-01 日立國際電氣股份有限公司 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法、程式

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52119160A (en) 1976-03-31 1977-10-06 Nec Corp Semiconductor circuit with insulating gate type field dffect transisto r
JP3174409B2 (ja) * 1992-09-08 2001-06-11 株式会社日立国際電気 半導体製造装置、及び半導体製造装置に於ける基板処理方法
JP4477982B2 (ja) 2004-10-08 2010-06-09 東京エレクトロン株式会社 クラスタツールの処理システム及び滞在時間監視プログラム
JP5237082B2 (ja) 2008-12-24 2013-07-17 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5280901B2 (ja) * 2009-03-18 2013-09-04 光洋サーモシステム株式会社 基板処理システムおよび基板処理方法
KR101842039B1 (ko) 2011-08-16 2018-03-26 세메스 주식회사 웨이퍼 처리 방법
JP5572666B2 (ja) 2012-05-24 2014-08-13 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP6697984B2 (ja) 2016-08-31 2020-05-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理システム
CN110462809B (zh) 2017-04-06 2023-07-25 东京毅力科创株式会社 基片处理装置和基片输送方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200633825A (en) * 2005-01-07 2006-10-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing system and substrate processing program
US20150268660A1 (en) * 2012-09-21 2015-09-24 SCREEN Holdings Co., Ltd. Schedule making device, substrate processing apparatus, schedule making program, schedule making method, and substrate processing method
TW201812905A (zh) * 2016-07-21 2018-04-01 日立國際電氣股份有限公司 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法、程式

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Publication number Publication date
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US11127615B2 (en) 2021-09-21
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