TWI791877B - 蒸鍍罩之製造方法及有機電激發光顯示裝置之製造方法 - Google Patents

蒸鍍罩之製造方法及有機電激發光顯示裝置之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明係一種蒸鍍罩之製造方法及有機電激發光顯示裝置之製造方法，其中，蒸鍍罩之製造方法係具備：經由塗佈樹脂溶液於基板之一方的面上之時，於基板的一方的面上，形成樹脂層之樹脂層形成工程，和經由除去基板的至少一部分之時，於樹脂層，形成樹脂層未接觸於基板的一方的面之非接觸範圍的工程，和於樹脂層形成非接觸範圍之後，使樹脂層與液體接觸，或者加熱樹脂層之工程，和使樹脂層與液體接觸，或者加熱樹脂層之工程之後，經由加工樹脂層之時，於樹脂層形成第2開口部之樹脂層加工工程。

Description

蒸鍍罩之製造方法及有機電激發光顯示裝置之製造方法
本揭示之實施形態係有關蒸鍍罩之製造方法及有機電激發光顯示裝置之製造方法。
伴隨著使用有機電激發光元件之製品的大型化，或者基板尺寸的大型化，對於蒸鍍罩而言，大型化的要求亦持續升高。並且，使用於由金屬所構成之蒸鍍罩之製造的金屬板亦作為大型化。但在目前的金屬加工技術中，對於大型的金屬板，精確度佳而形成縫隙之情況係為困難，無法對應於縫隙之高精細化。另外，對於作為僅由金屬所成之蒸鍍罩之情況，從伴隨著大型化而其質量亦增大，而包含框體的總質量亦增大之情況，成為對於處理帶來障礙。
如此之情況下，對於專利文獻1係提案有：層積設置有縫隙之金屬層，和對應於位置於金屬層之表面進行蒸鍍製作之圖案的開口部則複數列配置於縱橫之樹脂罩所成之蒸鍍罩。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第5994952號公報
[發明欲解決之課題]
蒸鍍罩之製造方法係包含：塗佈樹脂溶液於基板的面上而於基板的面上，形成樹脂層之工程，和經由雷射加工等而加工樹脂層，於樹脂層形成開口部的工程。經由塗佈而形成樹脂層之情況，對於樹脂層之內部有殘留有偏差者。當於殘留有偏差之樹脂層，形成開口部時，認為之後在產生有偏差的緩和時，開口部的位置則產生變化。
本揭示之實施形態係其目的為提供：可有效果地解決如此之課題的蒸鍍罩之製造方法者。 [為了解決課題之手段]
本揭示之一實施形態係一種蒸鍍罩之製造方法，其特徵為具備：經由塗佈樹脂溶液於基板之一方的面上，於前述基板的前述一方的面上，形成樹脂層之樹脂層形成工程， 和經由除去前述基板的至少一部分之時，於前述樹脂層，形成前述樹脂層未接觸於前述基板的前述一方的面之非接觸範圍的工程， 和於前述樹脂層形成前述非接觸範圍之後，使前述樹脂層與液體接觸，或者加熱前述樹脂層之工程， 和使前述樹脂層與液體接觸，或者加熱前述樹脂層之工程之後，經由加工前述樹脂層之時，於前述樹脂層形成第2開口部之樹脂層加工工程。
在有關本揭示之一實施形態的蒸鍍罩之製造方法中，使前述樹脂層與液體接觸，或者加熱前述樹脂層之工程係包含：使前述樹脂層與液體接觸之液體接觸工程亦可。
在有關本揭示之一實施形態的蒸鍍罩之製造方法中，前述液體接觸工程係包含：超音波處理前述樹脂層之超音波處理工程亦可。
在有關本揭示之一實施形態的蒸鍍罩之製造方法中，使前述樹脂層與液體接觸，或者加熱前述樹脂層之工程係更包含：前述液體接觸工程之後，除去附著在前述樹脂層之液體的乾燥工程亦可。
在有關本揭示之一實施形態的蒸鍍罩之製造方法中，使前述樹脂層與液體接觸，或者加熱前述樹脂層之工程係包含：加熱前述樹脂層之加熱工程亦可。
在有關本揭示之一實施形態的蒸鍍罩之製造方法中，前述樹脂層之厚度係亦可為3μm以上10μm以下。
在有關本揭示之一實施形態的蒸鍍罩之製造方法中，前述樹脂層形成工程係具有：作為前述基板而準備金屬板之工程，和於前述金屬板之前述一方的面上，形成樹脂層之工程， 形成前述非接觸範圍之工程係具有：經由蝕刻前述金屬板而於前述金屬板，形成第1開口部的工程， 使前述樹脂層與液體接觸，或者加熱前述樹脂層之工程係包含：使含有加熱形成有前述第1開口部的前述金屬板，和層積於前述金屬板之前述樹脂層的層積體之前述樹脂層與液體接觸，或者加熱前述層積體之前述樹脂層的工程亦可。
有關本揭示之一實施形態的蒸鍍罩之製造方法係更具備：在賦予張力於前述層積體之狀態下，固定支持體於前述層積體之支持體固定工程， 使前述樹脂層與液體接觸，或者加熱前述樹脂層之工程係包含：使固定於前述支持體的前述層積體的前述樹脂層與液體接觸，或者加熱固定於前述支持體的前述層積體的前述樹脂層之工程亦可。
在有關本揭示之一實施形態的蒸鍍罩之製造方法中，前述金屬板之厚度係亦可為5μm以上100μm以下。
在有關本揭示之一實施形態的蒸鍍罩之製造方法中，形成前述非接觸範圍之工程係具有自前述基板剝離前述樹脂層的工程， 使前述樹脂層與液體接觸，或者加熱前述樹脂層之工程係包含：使自前述基板加以剝離之前述樹脂層與液體接觸，或者加熱自前述基板加以剝離之前述樹脂層之工程亦可。
有關本揭示之一實施形態的蒸鍍罩之製造方法係更具備固定支持體於前述樹脂層之支持體固定工程，使前述樹脂層與液體接觸，或者加熱前述樹脂層之工程係包含：使固定於前述支持體的前述樹脂層與液體接觸，或者加熱固定於前述支持體的前述樹脂層之工程亦可。
有關本揭示之一實施形態的蒸鍍罩之製造方法係具備：前述樹脂層形成工程之後，經由電鍍處理而部分地形成金屬層於前述樹脂層上藉此形成層積體的工程， 形成前述非接觸範圍的工程係包含：使前述層積體的前述樹脂層與液體接觸，或者加熱前述層積體的前述樹脂層之工程亦可。
有關本揭示之一實施形態的蒸鍍罩之製造方法係更具備：固定支持體於前述層積體之支持體固定工程， 使前述樹脂層與液體接觸，或者加熱前述樹脂層之工程係包含：使固定於前述支持體的前述層積體的前述樹脂層與液體接觸，或者加熱固定於前述支持體的前述層積體的前述樹脂層之工程亦可。
在有關本揭示之一實施形態的蒸鍍罩之製造方法中，前述金屬層之厚度係亦可為1μm以上50μm以下。
本揭示之一實施形態係有機電激發光顯示裝置之製造方法，其特徵為具備：準備經由上述記載之蒸鍍罩之製造方法所製造之蒸鍍罩的工程， 和前述蒸鍍罩之前述樹脂層與被蒸鍍基板呈相對地，組合前述蒸鍍罩與前述被蒸鍍基板之工程， 和藉由前述蒸鍍罩之前述樹脂層的前述第2開口部而使蒸鍍材料附著於前述被蒸鍍基板之蒸鍍工程。
有關本揭示之一實施形態的有機電激發光顯示裝置之製造方法係具備：前述蒸鍍工程之後，洗淨前述蒸鍍罩之工程亦可。
在有關本揭示之一實施形態的有機電激發光顯示裝置之製造方法中，洗淨前述蒸鍍罩之工程係包含：浸漬前述蒸鍍罩於洗淨液的工程亦可。
在有關本揭示之一實施形態的有機電激發光顯示裝置之製造方法中，洗淨前述蒸鍍罩之工程係包含使超音波產生於前述洗淨液的工程亦可。 [發明效果]
如根據本揭示的實施形態，可抑制樹脂層之開口部的位置產生變化者。
以下，對於有關一實施形態之光罩的構成及其製造方法，參照圖面之同時，詳細地加以說明。然而，以下所示之實施形態係本揭示的實施形態之一例，而本揭示係並非限定於此等實施形態所解釋之構成。另外，在本說明書中，「板」、「基材」、「薄片」、「薄膜」等用語係僅依據稱呼的不同，並非相互加以區別者。例如，「板」係亦包含如可稱為薄片或薄膜之構件的概念。另外，「面(薄片面、薄膜面)」係指：將成為對象之板狀(薄片狀，薄膜狀)之構件，在全體性且整體性而視之情況，指與成為對象的板狀構件(薄片狀構件，薄膜狀構件)之平面方向一致的面者。另外，對於板狀(薄片狀，薄膜狀)之構件而言而使用的法線方向係指：對於該構件的面(薄片面，薄膜面)而言之法線方向者。更且，在本說明書中而使用，對於特定形狀或幾何學條件以及此等程度，例如，「平行」或「正交」等用語或長度或角度的值等係未嚴格束縛意思，而包含可期待同樣機能程度之範圍而做的解釋。
另外，在本實施形態所參照之圖面中，對於同一部分或具有同樣機能之部分，係有附上同一符號或類似的符號，其反覆之說明省略之情況。另外，圖面的尺寸比率係與說明之狀況上有與實際的比率不同之情況，或構成之一部分則自圖面被省略之情況。
(第1實施形態) 首先，經由圖1乃至圖9，對於第1實施形態加以說明。圖1乃至圖9係顯示第1實施形態的圖。
(蒸鍍罩之構成) 對於經由本實施形態之蒸鍍罩的構成，使用圖1及圖2加以說明。然而，在此所說明之蒸鍍罩係並非限定於以下所說明之形態的構成，而如為滿足形成有第1開口部之金屬層與，於與該第1開口部重疊之位置，形成對應於蒸鍍製作之圖案之第2開口部的樹脂罩之條件者，亦可為任何之形態。例如，形成於金屬層之第1開口部係亦可為條紋狀(未圖示)。另外，於未與1畫面全體重疊之位置，設置金屬層之第1開口部亦可。此蒸鍍罩係亦可為經由後述之蒸鍍罩之製造方法所製作，而亦可為由其他的方法而加以製作。
如圖1及圖2所示，有關本實施形態之蒸鍍罩10係為了同時形成複數畫面分之蒸鍍圖案之蒸鍍罩。此蒸鍍罩10係具備：設置有第1開口部21之金屬層20，和層積於金屬層20，設置對應於所蒸鍍製作之圖案的複數之第2開口部31之樹脂罩30。另外，對於金屬層20係固定有支持體40。
此蒸鍍罩10係為了同時形成複數畫面分之蒸鍍圖案而使用之構成，而在1個蒸鍍罩10，可同時形成對應於複數製品之蒸鍍圖案者。在此，「第2開口部」係指：意味作為呈使用蒸鍍罩10而製作之圖案，例如，對於將該蒸鍍罩使用於在有機電激發光顯示器的有機層之形成之情況，係第2開口部31的形狀係成為該有機層的形狀。另外，「1畫面」係指由對應於1製品之第2開口部31之集合體所成，而對於該1製品為有機電激發光顯示器之情況，對於形成1個有機電激發光顯示器必要之有機層的集合體，也就是，成為有機層之第2開口部31之集合體則成為「1畫面」。然而，成為1畫面的範圍，亦稱為「有効部」。並且，蒸鍍罩10係欲同時形成複數畫面分的蒸鍍圖案，對於樹脂罩30係上述「1畫面」則拉開特定的間隔而加以複數畫面分配置。即，對於樹脂罩30係為了構成複數畫面而加以設置必要的第2開口部31。
金屬層20係設置於樹脂罩30之一方的面。在圖2的例中，金屬層20係設置於樹脂罩30的面之中，Z方向負側的面。金屬層20係其各邊具有各延伸於X方向及Y方向之長方形形狀。另外，對於金屬層20係形成有延伸於X方向及/或Y方向之複數的第1開口部21。然而，第1開口部21係形成為細長縫隙狀亦可。另外，第1開口部21係設置於與樹脂罩30重疊之位置。此情況，在平面視，配置複數之第2開口部31於1個之第1開口部21的內側。對於第1開口部21之配置例，未特別限定，而第1開口部21則複數配置於縱方向，及橫方向亦可，延伸於縱方向的第1開口部21則複數列配置於橫方向亦可，延伸於橫方向的第1開口部21則複數列配置於縱方向亦可。另外，僅配置1列於縱方向或者橫方向亦可。
各第1開口部21係其各邊具有各延伸於X方向及Y方向之長方形形狀。各第1開口部21係各至少設置於與1畫面全體重疊之位置。 各第1開口部21的邊長L1係例如，作為光罩之有效部的邊長以上，有效部的邊長正40mm以下亦可。鄰接之第1開口部21彼此之間隔W2係例如，作為1mm以上50mm以下亦可。
對於金屬層20之材料而無特別限定，而在蒸鍍罩的領域，可適宜選擇使用以往公知的構成，例如，可舉出不鏽鋼，鐵鎳合金，鋁合金等之金屬材料者。作為金屬層20之鐵鎳合金，例如，可使用鎳及鈷的含有量，以合計為30質量%以上且54質量%以下，且鈷的含有量為0質量%以上且6質量%以下之鐵合金者。作為含有鎳或者鎳及鈷的鐵合金之具體例係可舉出：含有34質量%以上且38質量%以下的鎳之因鋼材，加上於30質量%以上且34質量%以下的鎳，更含有鈷之超級鎳鈷材等者。另外，作為構成蒸鍍罩10之金屬板的材料係亦可使用含有34質量%以上且54質量%以下的鎳之低熱膨脹Fe-Ni系鍍敷合金等。
對於金屬層20之厚度T1亦未特別限定，但為了更有效果地防止陰影的產生，係100μm以下者為佳，而50μm以下者為更佳，35μm以下者特別理想。然而，經由將金屬層20之厚度T1作為1μm以上之時，可降低金屬層20之斷裂或變形的風險之同時，可確保處理性。然而，陰影係指：經由自蒸鍍源所釋放之蒸鍍材的一部分則衝突於金屬層20之中支持體40側的面之附近部分，而未到達至蒸鍍對象物之時，產生成為較作為目的之蒸鍍膜厚為薄之膜厚的未蒸鍍部分之現象者。特別是伴隨著微細化第2開口部31之形狀，經由陰影的影響係變大。
樹脂罩30係設置於金屬罩20之另一方的面。在圖2的例中，樹脂罩30係設置於金屬罩20的面之中，Z方向負側的面。樹脂罩30係其各邊具有各延伸於X方向及Y方向之長方形形狀。此情況，樹脂罩30係具有與金屬層20同一之外形形狀，但未限定於此，而樹脂罩30與金屬層20則具有不同之外形形狀亦可。
對於樹脂罩30係為了構成複數畫面而加以設置必要的第2開口部31。複數之第2開口部31係在層積金屬層20與樹脂罩30時，設置於與金屬層20之第1開口部21重疊之位置。各第2開口部31之形狀係未特別加以限制，但例如為四角形形狀。第2開口部31之尺寸L2係例如為8μm以上32μm以下。
樹脂罩30係可適宜選擇使用以往公知的樹脂材料，對於其材料未加以限定，但可經由雷射加工等而形成高精細之第2開口部31，而使用由熱或經時之尺寸變化率或吸濕率為小，輕量的材料為佳。作為如此之材料係可舉出：聚醯亞胺樹脂，聚醯胺樹脂，聚醯胺醯亞胺樹脂，聚酯樹脂，聚乙烯樹脂，聚乙烯醇樹脂，聚丙烯樹脂，聚碳酸酯樹脂，聚苯乙烯樹脂，聚丙烯腈樹脂，乙烯-乙酸乙烯共聚物樹脂，聚乙烯-乙烯醇共聚物樹脂，乙烯甲基丙烯酸共聚物樹脂，聚氯乙烯樹脂，聚偏二氯乙烯樹脂，玻璃紙，離子聚合物樹脂等。在上述例示之材料之中，其熱膨脹係數為16ppm/℃以下的樹脂材料為佳，吸濕率為1.0%以下之樹脂材料為佳，而具備此雙方條件的樹脂材料為特別理想。由作為使用此樹脂材料之樹脂罩者，可使第2開口部31之尺寸精確度提升，且可縮小由熱或經時之尺寸變化率或吸濕率者。
對於樹脂罩30之厚度T2亦未特別限定，但3μm以上25μm以下者為佳。由將樹脂罩30之厚度T2作為此範圍內者，可降低針孔等之缺陷或變形等之風險，且可有效果地防止陰影的產生。特別是，由將樹脂罩30之厚度T2，作為3μm以上10μm下，更理想係4μm以上8μm以下者，更可有效果地防止形成超過400ppi之高精細圖案時之陰影的影響者。另外，樹脂罩30與金屬層20係亦可直接加以接合，而藉由黏著劑層加以接合亦可。對於藉由黏著劑層而接合樹脂罩30與金屬層20之情況係樹脂罩30與黏著劑層之合計濃度則為上述理想之厚度的範圍內者為佳。
支持體40係設置於金屬層20之一方的面。在圖2的例中，支持體40係設置於金屬層20的面之中Z方向負側的面。此支持體40係亦稱為框體，而支持樹脂罩30及金屬層20之構成。
在第1實施形態中，支持體40係樹脂罩30及金屬層20則呈未彎曲地，將樹脂罩30與金屬層20，拉伸於其面方向之狀態而支持。此支持體40係略長方形形狀的框構件，而具有使設置於樹脂罩30之第2開口部31露出於蒸鍍源側之貫通孔41。即，複數之第2開口部31係以平面視而位置於貫通孔41之內側。支持體40之外周係成為較樹脂罩30及金屬層20之外周為大。對於支持體40之材料未特別限定，但可使用剛性大的金屬材料，例如，SUS，因鋼材，陶瓷材料等者。其中，金屬製之支持體40係與金屬層20之熔接為容易，而在變形等之影響小的點而為理想。
對於支持體40之厚度T3，亦未特別限定，但從剛性等的點為10mm以上50mm以下程度者為佳。支持體40之貫通孔41的外周端面，和支持體40之外周端面間的寬度W2係如為可固定該支持體40與金屬層20之寬度，未特別限定，而例如，可例示10mm以上250mm以下程度之寬度者。
然而，是否設置支持體40係為任意，未必設置支持體40亦可。在本實施形態中，蒸鍍罩10係亦可包含支持體40(附有支持體蒸鍍罩)，而未含有支持體40者亦可。
(蒸鍍罩之製造方法) 接著，對於本實施形態之蒸鍍罩之製造方法，使用圖3乃至圖6加以說明。首先，使用圖3(a)-(e)，對於形成具有含有非接觸範圍的樹脂層之中間體的工程加以說明。
首先，對於使用圖3(a)-(b)，經由塗佈樹脂溶液於基板之一方的面上之時，形成樹脂層30A於基板的前述一方的面上之樹脂層30A形成工程加以說明。首先，如圖3(a)所示，準備基板。在本實施形態中，作為基板而使用金屬板20A。金屬板20A係為了製作上述之蒸鍍罩10之金屬層20的構成。金屬板20A係亦可為例如，寬度250mm以上1000mm以下之帶狀的金屬材。另外，作為金屬板20A之材料係例如，可適當地使用鐵鎳合金之因鋼材。然而，金屬板20A係適宜，施以洗淨及表面處理。
接著，如圖3(b)所示，形成樹脂層30A於金屬板20A之一方的面。此樹脂層30A係為了製作上述之蒸鍍罩10之樹脂罩30的構成。具體而言，於金屬板20A之表面的略全域，例如塗佈聚醯亞胺塗料等之樹脂溶液，再經由加熱此而進行乾燥，得到樹脂層30A。塗佈於金屬板20A之一方的面上之樹脂溶液的厚度係例如，3μm以上250μm以下。
接著，對於使用圖3(c)-(e)，經由除去金屬板20A等之基板之至少一部分，形成非接觸範圍於樹脂層30A之工程加以說明。非接觸範圍係指：樹脂層30A之中，未接觸於金屬板20A之一方的面之範圍。在非接觸範圍中，樹脂層30A係自來自金屬板20A受到的拘束加以解放。在以下的說明中，將形成非接觸範圍於樹脂層30A之工程亦稱為解放工程。在解放工程中，首先，於金屬板20A之另一方的面，塗工遮蔽構件，例如，光阻材。金屬板20A之另一方的面係指：未設置有樹脂層30A的面。接著，由將光阻材的特定處進行曝光，顯像者，如圖3(c)所示，金屬板20A之中形成有第1開口部21之位置則形成自光阻材所露出之光阻圖案51。作為遮蔽構件而使用之光阻材係處理性為佳，有著期望的解像性的構成者為佳。
接著，如圖3(d)所示，作為耐蝕刻罩而使用此光阻圖案51，經由蝕刻法而蝕刻加工金屬板20A。經由此，得到設置有延伸於縱方向及/或橫方向之複數的第1開口部21之金屬層20。
接著，如圖3(e)所示，洗淨除去光阻圖案51。然而，除去光阻圖案51之後，將樹脂層30A及金屬層板20裁斷成對應於支持體40之尺寸亦可。
如此作為，得到具有設置有第1開口部21之金屬層20，和層積於金屬層20之樹脂層30A的層積體。在層積體中，樹脂層30A係部分含有未接觸於金屬板20A之一方的面的非接觸範圍35。在以下的說明中，將如圖3(e)所示之層積體，具有包含非接觸範圍35之樹脂層30A的構件者，亦稱為中間體15。
然而，在上述中，舉例說明過作為遮蔽構件而使用光阻材之情況，但取代塗工光阻材而層積光膜光阻劑，進行同樣的圖案化亦可。然而，中間體15之金屬層20係未加以限定於經由在上述所例示之方法所形成之構成者，而亦可使用市售品。另外，取代於經由蝕刻之第1開口部21的形成，亦可照射雷射光而形成第1開口部21。
但，經由在塗佈樹脂溶液，使樹脂溶液乾燥而形成樹脂層30A之情況，有著偏差殘留於樹脂層30A之內部者。在本實施形態中，在含有非接觸範圍35之狀態的樹脂層30A，提案於形成有第2開口部31之前的狀態的樹脂層30A，實施為了降低內部的偏差之緩和工程者。
圖4係顯示緩和工程之一例的圖。在圖4所示的例中，緩和工程係包含使樹脂層30A與液體接觸之液體接觸工程。在液體接觸工程中，首先，準備收容有溶媒等之液體62的容器61。作為液體62係可使用水，有機溶劑，鹼性水溶液等者。作為有機溶液係可使用NMP(N-甲基-2-吡咯烷酮)等者。作為鹼性水溶液係可使用日本橫濱油脂工業股份有限公司製之semicleanRPG-1等。
接著，使含有形成有第1開口部21之金屬板20A所成之金屬層20，和層積於金屬層20之樹脂層30A的中間體15，浸漬於液體62中。使中間體15浸漬於液體62中之時間係理想為10分以上60分以下，而更理想為15分以上30分以下。液體為水之情況，水的溫度係理想為20℃以上100℃以下，而更理想為20℃以上60℃以下。然而，載置中間體15於容器61之內部之後，充填液體62於容器61亦可。
自液體62取出中間體15之後，使中間體15乾燥。乾燥係亦可為自然乾燥，而使用乾燥機，烘烤機等之乾燥處理亦可。另外，作為液體62而使用如NMP之沸點高之有機溶媒之情況，自液體62取出中間體15之後，使中間體15再次浸漬於具有較液體62為低之沸點的低沸點溶液，之後，自低沸點溶液取出中間體15而使中間體15進行乾燥亦可。作為低沸點溶液係可使用異丙醇等之醇或水。
如經由後述之實施例所支持地，經由使水等之液體接觸於具有殘留偏差的樹脂層30A之時，可降低樹脂層30A之內部的偏差者。
上述之液體接觸工程係包含超音波處理樹脂層30A之超音波處理工程亦可。例如，對於容器61係設置有機械性振動之超音波振動子。經由超音波振動子產生振動之時，呈可使液體62產生超音波地加以構成。超音波的頻率係例如，40kHz以上170kHz以下。另外，施加於超音波振動子之電力係例如為100W以上500W以下。
圖5係顯示緩和工程之其他例的圖。在圖5所示的例中，緩和工程係包含加熱樹脂層30A之加熱工程。在加熱工程中，例如，將含有形成有第1開口部21之金屬板20A所成之金屬層20，和層積於金屬層20之樹脂層30A的中間體15，使用烘烤機71而進行加熱。加熱中間體15之時間係理想為10分以上120分以下，而更理想為30分以上60分以下。加熱溫度係理想為80℃以上150℃以下，而更理想為100℃以上120℃以下。
如經由後述之實施例所支持地，經由加熱具有殘留偏差的樹脂層30A之時，可降低樹脂層30A之內部的偏差者。
上述之液體接觸工程及加熱工程係亦可實施雙方。例如，在液體接觸工程之後，實施加熱工程亦可。此情況，加熱工程係亦作為除去附著於中間體15之樹脂層30A等之液體的乾燥工程而發揮機能。另外，上述之液體接觸工程及加熱工程係亦可僅實施任一方。
接著，如圖6(a)所示，準備支持體40之同時，實施固定中間體15之金屬層20於支持體40之支持體固定工程。此時，中間體15之金屬層20係在延伸的狀態而熔接於支持體40亦可。在本實施形態，此工程係為任意的工程，但在通常的蒸鍍裝置中使用蒸鍍罩10之情況，使用固定有支持體40之構成者為多之故，在此時間進行該工程為佳。對於固定金屬層20於支持體40之方法係無特別加以限定，而例如，對於支持體40含有金屬之情況，如適宜採用點熔接等以往公知的工程方法即可。
接著，實施加工樹脂層30A而於樹脂層30A形成第2開口部31之樹脂層加工工程。如在圖6(b)中以箭頭所示，對於中間體15之樹脂層30A而言，自金屬層20側照射雷射，於樹脂層30A，形成對應所蒸鍍製作之圖案之第2開口部31。作為此雷射，係例如可使用波長248nm之KrF的激光雷射或波長355nm之YAG雷射者。其間，於樹脂層30A之中金屬層20之相反側的面，貼著保護薄膜，在此狀態，自金屬層20側照射雷射而形成第2開口部31。此情況，使用對應於所蒸鍍製作之圖案的未圖示之雷射用光罩，設置集光透鏡於此雷射用光罩與樹脂層30A之間，經由使用所謂縮小投影光學系統的雷射加工法而形成第2開口部31亦可。由如此作為而得到圖1及圖2所示之蒸鍍罩10。
然而，雖未圖示，但在樹脂層加工工程中，對於未固定於支持體40之狀態的中間體15之樹脂層30A而言，照射雷射亦可。此情況，在形成第2開口部31於樹脂層30A之後，於金屬層20固定支持體40亦可。
接著，實施檢查形成於樹脂層30A之第2開口部31的位置之檢查工程亦可。在檢查工程中，例如，將第2開口部31之理想的位置與第2開口部31之實際的位置的差為容許範圍以內之蒸鍍罩10，判定為合格。第2開口部31之理想的位置係例如，作為對於蒸鍍罩10上之特定的基準點之相對的位置而加以預先訂定。基準點係例如，蒸鍍罩10之中心位置。第2開口部31之位置係指：例如，第2開口部31之中心點。檢查對象之第2開口部31的數係為任意。例如，檢查複數之第2開口部31的所有亦可，而亦可檢查一部分的第2開口部31。
(蒸鍍裝置之構成) 接著，對於使用上述之蒸鍍罩10而使蒸鍍材料蒸鍍於蒸鍍對象物之蒸鍍裝置，參照圖7而加以說明。
如圖7所示，蒸鍍裝置80係具有配置於其內部之蒸鍍源(例如，坩鍋81)，加熱器82，及蒸鍍罩10。另外，蒸鍍裝置80係更具有：為了將蒸鍍裝置80之內部作為真空環境的排氣手段(未圖示)。坩鍋81係收容有機發光材料等之蒸鍍材料92。加熱器82係加熱坩鍋81，在真空環境下而使蒸鍍材料92蒸發。蒸鍍罩10係呈與坩鍋81對向地加以配置。即，蒸鍍罩10係樹脂罩30則呈對面於使蒸鍍材料92附著之蒸鍍對象物的被蒸鍍基板，例如，有機電激發光基板91地，配置於蒸鍍裝置80內。另外，蒸鍍裝置80係具有配置於被蒸鍍基板91與樹脂罩30相反側的面之磁石83亦可。經由設置此磁石83之時，經由磁力而將蒸鍍罩10吸引至磁石83側，而可使蒸鍍罩10密著於被蒸鍍基板91。
圖8係顯示使用圖7所示之蒸鍍裝置80所製造之有機電激發光裝置90之剖面圖。如圖8所示，有機電激發光裝置90係具備：被蒸鍍基板，例如，包含有機電激發光基板91，和設置成圖案狀於被蒸鍍基板91上之蒸鍍材料92之畫素。
然而，對於欲進行經由複數色的彩色顯示情況，係各準備搭載有對應於各色之蒸鍍罩10之蒸鍍裝置80，依序投入被蒸鍍基板91於各蒸鍍裝置80。經由此，例如，可依序使紅色用之有機發光材料，綠色用之有機發光材料及紅藍色用之有機發光材料，蒸鍍於被蒸鍍基板91者。
(有機電激發光顯示裝置之製造方法) 接著，對於經由本實施形態之有機電激發光顯示裝置之製造方法，參照圖9(a)-(c)加以說明。經由本實施形態之有機電激發光顯示裝置之製造方法係經由使用上述之蒸鍍罩10之蒸鍍法而蒸鍍蒸鍍材料92於蒸鍍對象物之被蒸鍍基板91，形成蒸鍍圖案之構成。
首先，如圖9(a)所示，準備具備：圖1及圖2所示之蒸鍍罩10，和收容有蒸鍍材料92之坩鍋81及加熱器82的蒸鍍裝置80。
接著，如圖9(b)所示，被蒸鍍基板91與蒸鍍罩10之樹脂罩30呈對向地，組合被蒸鍍基板91與蒸鍍罩10。例如，將被蒸鍍基板91設置於蒸鍍罩10之樹脂罩30上。此時，直接觀察例如被蒸鍍基板91之未圖示的對準標記，和蒸鍍罩10之未圖示的對準標記，該對準標記彼此呈重疊地進行被蒸鍍基板91之位置校準同時，設置被蒸鍍基板91於蒸鍍罩10。
接著，實施使蒸鍍材料92蒸鍍於設置在蒸鍍罩10之樹脂罩30上的被蒸鍍基板91之蒸鍍工程。此時，例如，如圖9(c)所示，配置磁石83於被蒸鍍基板91與蒸鍍罩10相反側的面。經由設置此磁石83之時，經由磁力而將蒸鍍罩10吸引至磁石83側，而可使樹脂罩30密著於被蒸鍍基板91。接著，加熱器82則加熱坩鍋81而使蒸鍍材料92蒸發。並且，自坩鍋81蒸發而到達至蒸鍍罩10之蒸鍍材料92係通過金屬層20之第1開口部21及樹脂罩30之第2開口部31而附著於被蒸鍍基板91。
由如此作為，以對應於樹脂罩30之第2開口部31的位置之所期望的圖案，蒸鍍材料92則被蒸鍍於被蒸鍍基板91。即，蒸鍍材料92係形成為對應於樹脂罩30之複數的第2開口部31形狀，具體而言係各角部帶圓潤之複數的多角形形狀的圖案。由如此作為，得到具備：被蒸鍍基板91，和含有設置為圖案狀之蒸鍍材料92之畫素的有機電激發光顯示裝置90(參照圖8)。
但，如此此作為，使用蒸鍍罩10而反覆製作有機電激發光顯示裝置90之情況，對於蒸鍍罩10係附著有有機物等。為了除去如此之有機物等，蒸鍍罩10係在使用後經由浸漬於洗淨液而加以洗淨。此時，經由使洗淨液產生超音波之超音波洗淨而加以洗淨蒸鍍罩10亦可。使洗淨液產生超音波之頻率係例如為40kHz以上170kHz以下。當於構成蒸鍍罩10之樹脂罩30之樹脂層30A的內部殘留有偏差時，因偏差的緩和引起而樹脂層30A產生變位，其結果，認為形成於樹脂層30A之第2開口部31之位置亦產生變化者。
在此，在本實施形態中，對於形成第2開口部31之前的狀態之樹脂層30A而言，實施緩和工程，降低樹脂層30A之內部的偏差。經由此，在形成第2開口部31於樹脂層30A之後，樹脂層30A則與液體接觸，以及加熱樹脂層30A之情況，可抑制第2開口部31的位置產生變位的情況。因此，可抑制蒸鍍罩10則在檢查工程中判定為合格而加以出貨之後，第2開口部31之理想的位置與第2開口部31之實際位置的差超過容許範圍之情況。
(緩和工程及支持體固定工程的變形例) 在上述之實施形態中，例示在實施緩和工程之後，固定支持體40於中間體15之支持體固定工程的例。但未限定於此，而在緩和工程之前實施支持體固定工程亦可。例如，如圖10所示，在緩和工程之液體接觸工程中，在賦予張力之狀態，對於固定有支持體40之中間體15而言，使液體接觸亦可。另外，如圖11所示，在緩和工程之加熱工程中，在賦予張力之狀態，加熱固定有支持體40之中間體15亦可。
(第2實施形態) 接著，參照圖12及圖13，對於第2實施形態加以說明。圖12及圖13係顯示第2實施形態的圖。第2實施形態係未設置金屬層20的點等則與上述之第1實施形態不同之構成。在圖12及圖13中，對於與圖1乃至圖11所示之第1實施形態同一部分係附有同一符號而詳細說明係省略之。然而，在以下中，作為主要，將與第1實施形態之不同點為中心加以說明。
圖12係顯示經由第2實施形態之蒸鍍罩10A之剖面圖。蒸鍍罩10A係具備：設置有對應於蒸鍍製作之圖案的複數之第2開口部31之樹脂罩30，按固定於樹脂罩30之支持體40A。支持體40A係亦稱為開光罩之構件。
支持體40A係設置於樹脂罩30之一方的面上。對於支持體40A係形成有複數之貫通孔41A，而各貫通孔41A係各形成為對應於1畫面之尺寸。另外，對於貫通孔41A係以平面示，呈重疊複數之第1開口部21B地加以配置。
此支持體40A係在未賦予張力之狀態或賦予張力的狀態，接合於樹脂罩30而支持此等之構成。支持體40A係厚度為20μm以上10mm以下之薄片的構件，例如，經由因鋼或因鋼合金等之金屬材料而加以形成亦可。然而，雖未圖示，但於支持體40A之一方的面，更加設置與第1實施形態情況同樣的支持體40亦可。於支持體40A之一方的面，設置與第1實施形態情況同樣的支持體40之情況，支持體40A之厚度係理想為20μm以上1mm以下。於支持體40A之一方的面，未設置與第1實施形態情況同樣的支持體40之情況，支持體40A之厚度係理想為1μm以上10mm以下。作為支持體40A係例如，削去具有1mm以上厚度之厚的金屬板而使用亦可。例如，部分性地削去10mm程度之金屬板，在面內厚度之不同的範圍，製作支持體40A亦可。
(蒸鍍罩之製造方法) 接著，對於本實施形態之蒸鍍罩之製造方法，使用圖13(a)-(d)加以說明。13(a)-(d)係顯示形成具有包含非接觸範圍的樹脂層之中間體的工程圖。
首先，如圖13(a)所示，準備基板。在本實施形態中，作為基板而使用玻璃板50。玻璃板50之厚度係例如為0.1mm以上2.8mm以下。
接著，如圖13(b)所示地，於玻璃板50上形成樹脂層30A。此樹脂層30A係為了製作上述之蒸鍍罩10A之樹脂罩30的構成。具體而言，於玻璃板50之表面的略全域，例如塗佈聚醯亞胺塗料等之樹脂溶液，再經由加熱此等而進行乾燥之時，得到樹脂層30A。塗佈於玻璃板50之一方的面上之樹脂溶液的厚度係例如為3μm以上250μm以下。
接著，如圖13(c)所示，實施固定支持體40於樹脂層30A之支持體固定工程。之後，如圖13(d)所示，包含使固定於支持體40之狀態的樹脂層30A，自玻璃板50進行剝離之剝離工程。經由此，如圖13(c)所示，於樹脂層30A，可使樹脂層30A未接觸於玻璃板50之一方的面之非接觸範圍35產生者。經由此，可得到具有包含非接觸範圍35之樹脂層30A的中間體15者。如此，在本實施形態中，自玻璃板50使樹脂層30A剝離之剝離工程則構成經由除去基板而於樹脂層30A，形成非接觸範圍35之解放工程。
接著，實施使中間體15之樹脂層30A與液體接觸，或者加熱樹脂層30A之緩和工程。之後，實施加工樹脂層30A而於樹脂層30A形成第2開口部31之樹脂層加工工程。經由此，得到設置有第2開口部31之樹脂罩30。緩和工程及樹脂層加工工程係因與上述之第1實施形態之情況同樣之故，省略說明。
在本實施形態中，對於形成第2開口部31之前的狀態之樹脂層30A而言，實施緩和工程，降低樹脂層30A之內部的偏差。經由此，可抑制在形成第2開口部31於樹脂層30A之後，第2開口部31之位置產生變位的情況。
然而，雖未圖示，但在本實施形態中，與上述之實施形態的情況同樣地，在實施緩和工程之後，實施固定支持體40於中間體15之支持體固定工程亦可。
(第3實施形態) 接著，參照圖14乃至圖16，對於第3實施形態加以說明。圖14乃至圖16係顯示第3實施形態的圖。第3實施形態係經由鍍敷處理而形成金屬層20的點等則與上述之第1實施形態不同之構成。在圖14乃至圖16中，對於與圖1乃至圖11所示之第1實施形態或圖12及圖13所示之第2實施形態同一部分，係附上同一符號，詳細說明係省略之。然而，在以下中，作為主要，將與第1實施形態或第2實施形態之不同點為中心加以說明。
(蒸鍍罩之構成) 對於經由本實施形態之蒸鍍罩的構成，使用圖14而加以說明。
如圖14所示，經由本實施形態之蒸鍍罩10B係具備：設置有複數之第1開口部21B之金屬層20B，和層積於金屬層20B，設置有對應於蒸鍍製作之圖案的複數之第2開口部31之樹脂罩30。另外，對於金屬層20B係固定有支持體40A。
金屬層20B係設置於樹脂罩30之一方的面上。在圖14的例中，金屬層20B係設置於樹脂罩30的面之中Z方向負側的面。對於金屬層20B係形成有延伸於縱方向及/或橫方向之複數的第1開口部21B。在本實施形態中，金屬層20B係經由電解電鍍而加以形成。對於如此之金屬層20B之材料，未特別限定，例如可舉出鎳或鎳合金等之金屬材料者。對於金屬層20B的厚度亦未有特別限定，但作為1μm以上50μm以下亦可。
樹脂罩30係設置於金屬層20B之另一方的面上。在圖14的例中，樹脂罩30係設置於金屬層20B的面之中Z方向正側的面。對於樹脂罩30係為了構成複數畫面而設置有必要的第2開口部31。此情況，於金屬層20B之各第1開口部21B，各在平面視，各1個之第2開口部31則呈重疊地加以設置。但未限於此，而於各第1開口部21B，以平面視，複數之第2開口部31則呈重疊地加以設置亦可。
支持體40A係設置於金屬層20B之一方的面上。在圖14的例中，支持體40係設置於金屬層20B的面之中Z方向負側的面。對於支持體40A係形成有複數之貫通孔41A，而各貫通孔41A係各形成為對應於1畫面之尺寸。另外，對於貫通孔41A係以平面視，呈重疊複數之第1開口部21B及複數的第2開口部31地加以配置。
此支持體40A係在未賦予張力之狀態或賦予張力的狀態，接合於金屬層20B而支持此等之構成。支持體40A係厚度為20μm以上10mm以下之薄片的構件，例如，經由因鋼或因鋼合金等之金屬材料而加以形成亦可。然而，雖未圖示，但於支持體40A之一方的面，更加設置與第1實施形態情況同樣的支持體40亦可。於支持體40A之一方的面，設置與第1實施形態情況同樣的支持體40之情況，支持體40A之厚度係理想為20μm以上1mm以下。於支持體40A之一方的面，未設置與第1實施形態情況同樣的支持體40之情況，支持體40A之厚度係理想為1μm以上10mm以下。作為支持體40A係例如，削去具有1mm以上厚度之厚的金屬板而使用亦可。例如，部分性地削去10mm程度之金屬板，在面內厚度之不同的範圍，製作支持體40A亦可。
(蒸鍍罩之製造方法) 接著，對於本實施形態之蒸鍍罩之製造方法，使用圖15及圖16加以說明。首先，使用圖15(a)-(f)，對於形成具有含有非接觸範圍的樹脂層之中間體的工程加以說明。
首先，使用圖15(a)-(b)，對於於基板之一方的面上，塗佈樹脂溶液，形成樹脂層30A於基板的前述一方的面上之樹脂層形成工程加以說明。首先，如圖15(a)所示，準備基板。在本實施形態中，與第2實施形態情況同樣地，作為基板而使用玻璃板50。接著，與第2實施形態情況同樣地，如圖15(b)所示地，於玻璃板50上形成樹脂層30A。塗佈於玻璃板50之一方的面上之樹脂溶液的厚度係例如為3μm以上250μm以下。
接著，使用圖15(c)-(f)，對於於樹脂層30A，至少部分性使樹脂層30A未接觸於金屬板20A之一方的面之非接觸範圍產生的解放工程而加以說明。首先，如圖15(c)所示，於樹脂層30A上，形成例如由鎳等之金屬所成之未圖示的薄片層，接著，塗佈感光性光阻劑於薄片層上，再進行乾燥。接著，經由對於此感光性光阻劑而言，藉由光罩而進行曝光，顯像之時，形成具有對應於第1開口部21B之圖案的光阻層56。
接著，如圖15(d)所示，對於玻璃基板55及樹脂層30A而言，施以電解電鍍。經由此，於形成於樹脂層30A之薄片層上之未存在有光阻層56的部分，使鎳等之金屬析出，形成金屬層20B。
接著，如圖15(e)所示，經由依序除去光阻層56及薄片層之時，於樹脂層30A上，形成設置有第1開口部21B之金屬層20B。
之後，如圖15(f)所示，實施使層積有金屬層20B之狀態的樹脂層30A，自玻璃板50進行剝離之剝離工程。經由此，如圖15(f)所示，於樹脂層30A，可使樹脂層30A未接觸於玻璃板50之一方的面之非接觸範圍35產生者。經由此，可得到具有含有非接觸範圍35之樹脂層30A，和層積於樹脂層30A之金屬層20B之中間體15。如此，在本實施形態中，與第2實施形態情況同樣地，自玻璃板50使樹脂層30A剝離之剝離工程則構成經由除去基板而於樹脂層30A，形成非接觸範圍35之解放工程。
接著，實施使中間體15之樹脂層30A與液體接觸，或者加熱樹脂層30A之緩和工程。緩和工程係因與上述之第1實施形態之情況同樣之故，省略說明。
接著，如圖16(a)所示，準備支持體40之同時，實施固定中間體15之金屬層20於支持體40之支持體固定工程。之後，實施加工樹脂層30A而於樹脂層30A形成第2開口部31之樹脂層加工工程。如在圖16(b)中以箭頭所示，對於中間體15之樹脂層30A而言，自金屬層20B側照射雷射，形成對應所蒸鍍製作之圖案之第2開口部31。經由此，得到設置有第2開口部31之樹脂罩30。
在本實施形態中，對於形成第2開口部31之前的狀態之樹脂層30A而言，實施緩和工程，降低樹脂層30A之內部的偏差。經由此，可抑制在形成第2開口部31於樹脂層30A之後，第2開口部31之位置產生變位的情況。
然而，雖未圖示，但在形成第2開口部31於樹脂層30A之樹脂層加工工程之後，實施固定金屬層20於支持體40之支持體固定工程亦可。
(蒸鍍罩之製造方法的變形例1) 接著，對於經由本實施形態之蒸鍍罩之製造方法之變形例，使用圖17(a)-(f)加以說明。
首先，如圖17(a)-(e)所示，於玻璃板50之一方的面上形成樹脂層30A之後，於樹脂層30A之一方的面上，形成設置有第1開口部21B之金屬層20B。此等之工程係因與圖15(a)-(e)所示之上述的工程同樣之故，省略詳細之說明。
接著，如圖17(f)所示，將含有樹脂層30A及金屬層20B之層積體的金屬層20B，固定於支持體40A。此時，層積體的金屬層20B係在未賦予張力之狀態，熔接於支持體40A。
之後，如圖17(g)所示，實施使層積有金屬層20B及支持體40A之狀態的樹脂層30A，自玻璃板50進行剝離之剝離工程。經由此，如圖17(g)所示，於樹脂層30A，可使樹脂層30A未接觸於玻璃板50之一方的面之非接觸範圍35產生者。可得到具有含有非接觸範圍35之樹脂層30A，和層積於樹脂層30A之金屬層20B之中間體15，其中，固定支持體40A之中間體15。
接著，實施使中間體15之樹脂層30A與液體接觸，或者加熱樹脂層30A之緩和工程。緩和工程係與圖10或圖11所示之上述的緩和工程情況同樣地，對於固定有支持體之狀態的中間體15而言加以實施。
之後，實施加工樹脂層30A而於樹脂層30A形成第2開口部31之樹脂加工工程。經由此，得到設置有第2開口部31之樹脂罩30。
亦可因應必要而適宜組合上述實施形態及變形例所揭示之複數的構成要素。或者，自上述實施形態及變形例所揭示之全構成要素，削除幾個構成要素亦可。 [實施例]
接著，經由實施例而更具體地說明本發明，但本發明係只要不超出其內容，並不限定於以下的實施例之記載。
(實施例1) 由以下的步驟，製作經由上述之第1實施形態之蒸鍍罩10。首先，準備具有20μm之厚度，含有鐵鎳合金的金屬板20A。金屬板20A的形狀係長邊730mm、短邊460mm之矩形狀。在金屬板20A的鎳之含有比率係為36質量%。接著，於金屬板20A上具有5μm之厚度，形成含有聚醯亞胺之樹脂層30A。接著，蝕刻金屬板20A而於金屬板20A形成第1開口部21。由如此作為，得到具有包含非接觸範圍35之樹脂層30A的中間體15者。接著，在賦予張力於中間體15之狀態，於中間體15之金屬層20，固定支持體40。
接著，使用純水，將固定於支持體40之中間體15，進行15分鐘超音波處理。頻率數為80kHz，而純水的溫度係25℃。之後，使用烘烤機將中間體15，以100℃進行30分鐘加熱。
之後，照射雷射光至樹脂層30A，於樹脂層30A形成第2開口部31。第2開口部31之尺寸係16μm。由如此作為而製作蒸鍍罩10。
之後，測定蒸鍍罩10之樹脂層30A的第2開口部31之位置。具體而言，如圖18所示，對於基準點P0而言，測定蒸鍍罩10中之複數的第2開口部31之中心點P1的位置。基準點P0係蒸鍍罩10之中心位置。測定對象之第2開口部31的個數係36。作為測定器係使用SINTO S-PRECISION製之自動2･3次元座標測定機AMIC-700。
接著，洗淨蒸鍍罩10。具體而言，使用純水將蒸鍍罩10進行15分鐘超音波洗淨之後，使用烘烤機而將蒸鍍罩10，以100℃進行30分鐘加熱而使其乾燥。頻率數為80kHz，而純水的溫度係25℃。另外，烘烤機的溫度係100℃，而加熱時間係30分鐘。
第1次洗淨之後，再次測定蒸鍍罩10之樹脂層30A的第2開口部31之位置。另外，在第1次洗淨之前後中，算出各第2開口部31之位置的變化量。將在36個之第2開口部31之位置的變化量之平均值，最大值及最小值，示於圖19。
接著，再次洗淨蒸鍍罩10。洗淨條件係與第1次洗淨的情況同一。
第2次洗淨之後，再次測定蒸鍍罩10之樹脂層30A的第2開口部31之位置。另外，在第2次洗淨之前後中，算出各第2開口部31之位置的變化量。將在36個之第2開口部31之位置的變化量之平均值，最大值及最小值，示於圖19。
(比較例1) 在形成第2開口部31於樹脂層30A之前，未實施樹脂層30A之超音波處理及加熱以外係與實施例1之情況同樣作為，製作蒸鍍罩10。另外，與實施例1之情況同樣作為，測定蒸鍍罩10之樹脂層30A的第2開口部31之位置。
接著，與實施例1之情況同樣，洗淨蒸鍍罩10。另外，第1次洗淨之後，與實施例1之情況同樣地，再次測定蒸鍍罩10之樹脂層30A的第2開口部31之位置。另外，在第1次洗淨之前後中，算出各第2開口部31之位置的變化量。將在36個之第2開口部31之位置的變化量之平均值，最大值及最小值，示於圖19。
如圖19所示，在實施例1之第1次洗淨之前後的各第2開口部31之位置的變化量之平均值係在X方向及Y方向之任一中，均為1μm以下，而具體而言係為0.6μm以下。另一方面，在比較例1之第1次洗淨之前後的各第2開口部31之位置的變化量之平均值係在X方向及Y方向之任一中，均超過1μm。從此情況，在形成第2開口部31於樹脂層30A之前，實施樹脂層30A之超音波處理及加熱情況係可以說是能貢獻於因洗淨引起之第2開口部31之位置的變化抑制。
如圖19所示，在實施例1之第1次洗淨之前後的各第2開口部31之位置的變化量之平均值及最大值係與在實施例1之第2次洗淨之前後的各第2開口部31之位置的變化量之平均值同等。從此情況，在實施例1之蒸鍍罩10中，對於更反覆實施洗淨工程之後，亦期待第2開口部31之位置安定情況。
(實施例2) 與實施例1之情況同樣作為，製作具有包含非接觸範圍35之樹脂層30A的中間體15。接著，在賦予張力於中間體15之狀態，於中間體15之金屬層20，固定支持體40。
接著，使固定於支持體40之中間體15進行15分鐘浸漬於純水之中。純水的溫度係25℃。之後，使用烘烤機將中間體15，以100℃進行30分鐘加熱。
之後，照射雷射光至樹脂層30A，於樹脂層30A形成第2開口部31。第2開口部31之尺寸係16μm。由如此作為而製作蒸鍍罩10。
之後，與實施例1之情況同樣作為，測定蒸鍍罩10之樹脂層30A的第2開口部31之位置。接著，洗淨蒸鍍罩10。具體而言，使蒸鍍罩10進行15分浸漬於純水之中之後，使用烘烤機而將蒸鍍罩10，以100℃進行30分鐘加熱而使其乾燥。純水的溫度係25℃。另外，烘烤機的溫度係100℃，而加熱時間係30分鐘。
第1次洗淨之後，再次測定蒸鍍罩10之樹脂層30A的第2開口部31之位置。另外，在第1次洗淨之前後中，算出各第2開口部31之位置的變化量。將在36個之第2開口部31之位置的變化量之平均值，最大值及最小值，示於圖20。
(比較例2) 在形成第2開口部31於樹脂層30A之前，未實施浸漬於樹脂層30A之純水中之浸漬及加熱以外係與實施例2之情況同樣作為，製作蒸鍍罩10。另外，與實施例2之情況同樣作為，測定蒸鍍罩10之樹脂層30A的第2開口部31之位置。
接著，與實施例2之情況同樣，洗淨蒸鍍罩10。另外，第1次洗淨之後，與實施例2之情況同樣地，再次測定蒸鍍罩10之樹脂層30A的第2開口部31之位置。另外，在第1次洗淨之前後中，算出各第2開口部31之位置的變化量。將在36個之第2開口部31之位置的變化量之平均值，最大值及最小值，示於圖20。
如圖20所示，在實施例2之第1次洗淨之前後的各第2開口部31之位置的變化量之平均值係在X方向及Y方向之任一中，均為1μm以下，而具體而言係為0.8μm以下。另一方面，在比較例2之第1次洗淨之前後的各第2開口部31之位置的變化量之平均值係在X方向及Y方向之任一中，均超過1μm。從此情況，在形成第2開口部31於樹脂層30A之前，實施浸漬於樹脂層30A之純水中之浸漬及加熱情況係可以說是能貢獻於因洗淨引起之第2開口部31之位置的變化抑制。
然而，雖說明過對於上述實施形態之幾個變形例，但當然，亦可適宜組合複數之變形例而適用者。
10:蒸鍍罩 15:中間體 20:金屬層 20A:金屬板 21:第1開口部 30:樹脂罩 30A:樹脂層 31:第2開口部 35:非接觸範圍 40:支持體 41:貫通孔 50:玻璃板 60:洗淨裝置 61:容器 62:液體 70:加熱裝置 71:烘烤機
圖1係顯示經由第1實施形態之蒸鍍罩的平面圖。 圖2係沿著線II-II而視圖1之蒸鍍罩的剖面圖。 圖3係顯示在經由第1實施形態的蒸鍍罩之製造方法中，形成具有含有非接觸範圍的樹脂層之中間體的工程圖。 圖4係顯示緩和工程之一例的圖。 圖5係顯示緩和工程之一例的圖。 圖6係顯示於樹脂層形成第2開口部之工程的圖。 圖7係顯示蒸鍍裝置之概略圖。 圖8係顯示使用蒸鍍罩所製作之有機電激發光顯示裝置之概略圖。 圖9係顯示使用蒸鍍罩所製作之有機電激發光顯示裝置之製造方法的概略圖。 圖10係顯示緩和工程之一變形例的圖。 圖11係顯示緩和工程之一變形例的圖。 圖12係顯示經由第2實施形態之蒸鍍罩的剖面圖。 圖13係顯示在經由第2實施形態的蒸鍍罩之製造方法中，形成具有含有非接觸範圍的樹脂層之中間體的工程圖。 圖14係顯示經由第3實施形態之蒸鍍罩的剖面圖。 圖15係顯示在經由第3實施形態的蒸鍍罩之製造方法中，形成具有含有非接觸範圍的樹脂層之中間體的工程圖。 圖16係顯示於樹脂層形成第2開口部之工程的圖。 圖17係顯示在經由第3實施形態之一變形例的蒸鍍罩之製造方法中，形成具有含有非接觸範圍的樹脂層之中間體的工程圖。 圖18係在實施例中，顯示第2開口部的位置之測定方法的圖。 圖19係在實施例1及比較例1中，顯示測定在洗淨前後的第2開口部之位置的變化量的結果圖。 圖20係在實施例2及比較例2中，顯示測定在洗淨前後的第2開口部之位置的變化量的結果圖。
10:蒸鍍罩
20:金屬層
21:第1開口部
30:樹脂罩
31:第2開口部
40:支持體
41:貫通孔
L1:邊長
T1~T3:厚度
W2:間隔

Claims (16)

  1. 一種蒸鍍罩之製造方法，其特徵為具備：經由塗佈樹脂溶液於基板之一方的面上，於前述基板的前述一方的面上，形成樹脂層之樹脂層形成工程，和經由除去前述基板的至少一部分之時，於前述樹脂層，形成前述樹脂層未接觸於前述基板的前述一方的面之非接觸範圍的工程，和於前述樹脂層形成前述非接觸範圍之後，使前述樹脂層與液體接觸，或者加熱前述樹脂層之工程，和使前述樹脂層與液體接觸，或者加熱前述樹脂層之工程之後，經由加工前述樹脂層之時，於前述樹脂層形成第2開口部之樹脂層加工工程；形成前述非接觸範圍之工程係具有：自前述基板剝離前述樹脂層之整體之工程，使前述樹脂層與液體接觸，或者加熱前述樹脂層之工程係包含：使自前述基板所剝離之前述樹脂層與液體接觸，或者加熱自前述基板所剝離之前述樹脂層之工程。
  2. 一種蒸鍍罩之製造方法，其特徵為具備：經由塗佈樹脂溶液於基板之一方的面上，於前述基板的前述一方的面上，形成樹脂層之樹脂層形成工程，和經由除去前述基板的至少一部分之時，於前述樹脂層，形成前述樹脂層未接觸於前述基板的前述一方的面之 非接觸範圍的工程，和於前述樹脂層形成前述非接觸範圍之後，使前述樹脂層與液體接觸，或者加熱前述樹脂層之工程，和使前述樹脂層與液體接觸，或者加熱前述樹脂層之工程之後，經由加工前述樹脂層之時，於前述樹脂層形成第2開口部之樹脂層加工工程；將前述樹脂層與液體接觸，或者加熱前述樹脂層之工程係包含：使前述樹脂層浸潰於液體中，之後從液體取出前述樹脂層之工程。
  3. 一種蒸鍍罩之製造方法，其特徵為具備：經由塗佈樹脂溶液於基板之一方的面上，於前述基板的前述一方的面上，形成樹脂層之樹脂層形成工程，和經由除去前述基板的至少一部分之時，於前述樹脂層，形成前述樹脂層未接觸於前述基板的前述一方的面之非接觸範圍的工程，和於前述樹脂層形成前述非接觸範圍之後，使前述樹脂層與液體接觸，或者加熱前述樹脂層之工程，和使前述樹脂層與液體接觸，或者加熱前述樹脂層之工程之後，經由加工前述樹脂層之時，於前述樹脂層形成第2開口部之樹脂層加工工程；將前述樹脂層與液體接觸，或者加熱前述樹脂層之工程係包含：使前述樹脂層與液體接觸之液體接觸工程，前述液體接觸工程係包含：超音波處理前述樹脂層之 超音波處理工程。
  4. 一種蒸鍍罩之製造方法，其特徵為具備：經由塗佈樹脂溶液於基板之一方的面上，於前述基板的前述一方的面上，形成樹脂層之樹脂層形成工程，和經由除去前述基板的至少一部分之時，於前述樹脂層，形成前述樹脂層未接觸於前述基板的前述一方的面之非接觸範圍的工程，和於前述樹脂層形成前述非接觸範圍之後，使前述樹脂層與液體接觸，或者加熱前述樹脂層之工程，和使前述樹脂層與液體接觸，或者加熱前述樹脂層之工程之後，經由加工前述樹脂層之時，於前述樹脂層形成第2開口部之樹脂層加工工程；將前述樹脂層與液體接觸，或者加熱前述樹脂層之工程係包含：使前述樹脂層與液體接觸之液體接觸工程，述液體接觸工程之後，除去附著於前述樹脂層之乾燥工程。
  5. 如申請專利範圍第1項乃至第4項任一項記載之蒸鍍罩之製造方法，其中，前述樹脂層的厚度係3μm以上10μm以下。
  6. 如申請專利範圍第1項乃至第4項任一項記載之蒸鍍罩之製造方法，其中，前述樹脂層形成工程係具有：作為前 述基板而準備金屬板之工程，和於前述金屬板的前述一方的面上，形成樹脂層之工程，形成前述非接觸範圍之工程係具有：經由蝕刻前述金屬板而於前述金屬板，形成第1開口部的工程，使前述樹脂層與液體接觸，或者加熱前述樹脂層之工程係包含：使含有形成有前述第1開口部的前述金屬板，和層積於前述金屬板之前述樹脂層的層積體之前述樹脂層與液體接觸，或者加熱前述層積體之前述樹脂層的工程。
  7. 如申請專利範圍第6項記載之蒸鍍罩之製造方法，其中，更具備：在賦予張力於前述層積體的狀態下，固定支持體於前述層積體的支持體固定工程，使前述樹脂層與液體接觸，或者加熱前述樹脂層之工程係包含：使固定於前述支持體的前述層積體的前述樹脂層與液體接觸，或者加熱固定於前述支持體的前述層積體的前述樹脂層之工程。
  8. 如申請專利範圍第6項記載之蒸鍍罩之製造方法，其中，前述金屬板的厚度係5μm以上100μm以下。
  9. 如申請專利範圍第1項記載之蒸鍍罩之製造方法，其中，更具備：固定支持體於前述樹脂層之支持固定工程，使前述樹脂層與液體接觸，或者加熱前述樹脂層之工程係包含：使固定於前述支持體的前述樹脂層與液體接 觸，或者加熱固定於前述支持體的前述樹脂層之工程。
  10. 如申請專利範圍第1項乃至第4項任一項記載之蒸鍍罩之製造方法，其中，具備：前述樹脂層形成工程之後，經由鍍敷處理而於前述樹脂層上，部分地形成金屬層藉此形成層積體的工程，形成前述非接觸範圍的工程係包含：使前述層積體的前述樹脂層與液體接觸，或者加熱前述層積體的前述樹脂層之工程。
  11. 如申請專利範圍第10項記載之蒸鍍罩之製造方法，其中，更具備：固定支持體於前述層積體之支持體固定工程，使前述樹脂層與液體接觸，或者加熱前述樹脂層之工程係包含：使固定於前述支持體的前述層積體的前述樹脂層與液體接觸，或者加熱固定於前述支持體的前述層積體的前述樹脂層之工程。
  12. 如申請專利範圍第10項記載之蒸鍍罩之製造方法，其中，前述金屬板的厚度係1μm以上50μm以下。
  13. 一種有機電激發光顯示裝置之製造方法，其特徵為具備：準備經由記載於申請專利範圍第1項至第4項之任一項之蒸鍍罩之製造方法所製造之蒸鍍罩的工程， 和前述蒸鍍罩之前述樹脂層與被蒸鍍基板呈對向地，組合前述蒸鍍罩與前述被蒸鍍基板之工程，和藉由前述蒸鍍罩之前述樹脂層的前述第2開口部而使蒸鍍材料附著於前述被蒸鍍基板之蒸鍍工程。
  14. 如申請專利範圍第13項記載之有機電激發光顯示裝置之製造方法，其中，具備：前述蒸鍍工程之後，洗淨前述蒸鍍罩之工程。
  15. 如申請專利範圍第14項記載之有機電激發光顯示裝置之製造方法，其中，洗淨前述蒸鍍罩之工程係包含：將前述蒸鍍罩浸漬於洗淨液的工程。
  16. 如申請專利範圍第15項記載之有機電激發光顯示裝置之製造方法，其中，洗淨前述蒸鍍罩之工程係包含：使超音波產生於前述洗淨液的工程。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210091382A (ko) * 2020-01-13 2021-07-22 삼성디스플레이 주식회사 마스크, 이의 제조 방법, 및 표시 패널 제조 방법
JP2024050156A (ja) * 2022-09-29 2024-04-10 大日本印刷株式会社 マスクの製造方法、マスク、蒸着層の形成方法及び有機半導体素子の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014135246A (ja) * 2013-01-11 2014-07-24 Dainippon Printing Co Ltd 蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法
JP2016130348A (ja) * 2015-01-14 2016-07-21 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法
TW201735418A (zh) * 2015-12-25 2017-10-01 鴻海精密工業股份有限公司 蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩之製造方法及有機半導體元件之製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1428769A (en) * 1972-02-28 1976-03-17 Nippon Sheet Glass Co Ltd Surface protective coating on an article
JP4937745B2 (ja) * 2004-07-16 2012-05-23 旭化成イーマテリアルズ株式会社 ポリアミド
JP5935628B2 (ja) 2012-09-24 2016-06-15 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法
JP6698265B2 (ja) * 2014-02-14 2020-05-27 大日本印刷株式会社 蒸着マスク装置の製造方法、基板付蒸着マスクおよび積層体
JP6467931B2 (ja) * 2015-01-14 2019-02-13 大日本印刷株式会社 蒸着パターン形成方法、有機半導体素子の製造方法、及び蒸着装置
KR102343278B1 (ko) * 2015-02-04 2021-12-24 삼성디스플레이 주식회사 가요성 기판의 제조 방법
JP6160747B2 (ja) * 2015-07-03 2017-07-12 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク準備体、有機半導体素子の製造方法、及び蒸着マスク
JP6430668B2 (ja) * 2016-02-10 2018-11-28 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク、および有機半導体素子の製造方法
JP6465075B2 (ja) * 2016-05-26 2019-02-06 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、有機半導体素子の製造方法、及びに有機ｅｌディスプレイの製造方法
JP6845848B2 (ja) * 2016-06-02 2021-03-24 富士フイルム株式会社 積層体の製造方法、半導体素子の製造方法および積層体
JP6891449B2 (ja) * 2016-10-27 2021-06-18 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク準備体、有機半導体素子の製造方法、及び有機ｅｌディスプレイの製造方法
JP6410247B1 (ja) 2017-01-31 2018-10-24 堺ディスプレイプロダクト株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク、および有機半導体素子の製造方法
JP6304425B2 (ja) * 2017-04-06 2018-04-04 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、金属マスク付き樹脂層、及び有機半導体素子の製造方法
JP6327542B2 (ja) * 2017-07-20 2018-05-23 大日本印刷株式会社 積層マスクおよび積層マスクの製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014135246A (ja) * 2013-01-11 2014-07-24 Dainippon Printing Co Ltd 蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法
JP2016130348A (ja) * 2015-01-14 2016-07-21 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法
TW201735418A (zh) * 2015-12-25 2017-10-01 鴻海精密工業股份有限公司 蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩之製造方法及有機半導體元件之製造方法

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