TWI782419B

TWI782419B - 電子裝置

Info

Publication number: TWI782419B
Application number: TW110105309A
Authority: TW
Inventors: 廣木正明
Original assignee: 日商半導體能源研究所股份有限公司
Priority date: 2014-11-28
Filing date: 2015-11-12
Publication date: 2022-11-01
Also published as: US20200278721A1; KR20220105626A; KR102421492B1; US10185363B2; TW202339545A; CN111243437A; TWI720928B; KR102464795B1; KR102354101B1; CN105654855B; US11977415B2; US11347270B2; CN105654855A; CN111243437B; TWI804447B; JP6625408B2; TW201626847A; US10627866B2; US20160157372A1; KR102551171B1

Abstract

本發明提供一種耐用性高的電子裝置。本發明提供一種可靠性高的電子裝置。本發明提供一種新穎電子裝置。一種電子裝置包括第一板、第二板、具有撓性的顯示部、及具有撓性的蓄電裝置，第一板與第二板互相面對，顯示部和蓄電裝置設置在第一板和第二板之間，顯示部包括面對蓄電裝置的第一面，第一面包括沒有固定到蓄電裝置的第一區域，第一區域與顯示部的顯示區域重疊。

Description

電子裝置

本發明係關於一種電子裝置、顯示裝置、發光裝置、蓄電裝置、這些裝置的驅動方法、以及這些裝置的製造方法。

注意，在本說明書中，電子裝置是指藉由被供應電力而操作的所有裝置，並且是指包括電源的電子裝置、包括例如為蓄電池的電源的電子裝置及電光學裝置、以及包括蓄電池的資訊終端裝置等都是電子裝置。電子裝置亦是指處理資訊的所有設備。注意，本發明的一個實施方式不侷限於上述技術領域。本說明書等所揭露的發明的一個實施方式的技術領域關於一種物件、方法或製造方法。此外，本發明的一個實施方式關於一種製程(process)、機器(machine)、產品(manufacture)以及組成物(composition of matter)。由此，明確而言，本說明書所揭露的本發明的一個實施方式的技術領域的例子包括半導體裝置、顯示裝置、液晶顯示裝置、發光裝置、照明設備、蓄電裝置、記憶體裝置、成像裝置、這些裝置的驅動方法或者這些裝置的製造方法。

近年來，發展了像是戴在頭上的顯示裝置等戴在人體使用的顯示裝置，將這些裝置稱為頭戴顯示器或可穿戴式顯示器。戴在人體使用的電子裝置，例如助聽器等被要求輕量化及小型化。

隨著電子裝置的輕量化，電子裝置所包括的蓄電池也被要求輕量化及小型化。

專利文獻1及專利文獻2揭露了具備撓性顯示裝置的電子書終端。

[專利文獻1]日本專利申請公開第2010-282181號公報

[專利文獻2]日本專利申請公開第2010-282183號公報

為了給使用者帶來舒適的佩戴感，戴在人體使用的顯示裝置被要求輕量化及小型化，並且包括用於顯示裝置的驅動裝置及電源的整體電子裝置還需要具備輕量化。

另外，戴在人體使用的顯示裝置及包括該顯示裝置的電子裝置被要求可攜性佳以及耐用性高。

此外，當將戴在人體使用的顯示裝置及包括該顯示裝置的電子裝置反復地戴脫時，被重複施加像是彎曲等外力。其結果，有時造成顯示部、外觀部及包括在顯示裝置或電子裝置中的蓄電裝置等的損壞。

本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種耐用性高的電子裝置。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種可靠性高的電子裝置。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種新穎電子裝置。

本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種耐用性高的顯示裝置。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種可靠性高的顯示裝置。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種新穎顯示裝置。

此外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種戴在人體使用的電子裝置。此外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種戴在手臂上使用的電子裝置。

此外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種戴在人體使用的顯示裝置。此外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種戴在手臂上使用的顯示裝置。

此外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種戴在身體的一部分上使用的蓄電裝置。此外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種戴在手臂上使用的蓄電裝置。

注意，上述目的的記載並不妨礙其他目的存在。本發明的一個實施方式並不需要實現所有上述目的。可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載顯而易見地看出並衍生上述以外的目的。

本發明的一個實施方式是一種電子裝置，該電子裝置包括第一板、第二板、具有撓性的顯示部、及具有撓性的蓄電裝置，第一板與第二板互相面對，顯示部和蓄電裝置設置在第一板和第二板之間，顯示部具有面對蓄電裝置的第一面，第一面具有沒有固定到蓄電裝置的第一區域，第一區域與顯示部所具有的顯示區域重疊。

另外，本發明的一個實施方式是一種電子裝置，該電子裝置包括第一板、第二板、具有撓性的顯示部、及具有撓性的蓄電裝置，第一板與第二板配置成互相面對，顯示部和蓄電裝置設置在第一板和第二板之間，在顯示部和蓄電裝置之間有空間。

另外，本發明的一個實施方式是一種電子裝置，該電子裝置包括第一板、第二板、具有撓性的顯示部、具有撓性的蓄電裝置、及黏合層，顯示部包括具有撓性的電路板，第一板與第二板互相面對，顯示部和蓄電裝置設置在第一板和第二板之間，顯示部隔著設置於其間的黏合層固定到第一板，蓄電裝置的至少一部分與第二板接觸，蓄電裝置的區域與第一板分開。

本發明的一個實施方式是一種電子裝置，該電子裝置包括第一板、第二板、具有撓性的顯示部、及具有撓性的蓄電裝置，第一板與第二板互相面對，顯示部和蓄電裝置設置在第一板和第二板之間，在顯示部和蓄電裝置之間包括吸震緩衝構件。

在上述實施方式任一者的電子裝置中，較佳為在被佩戴時使該第二板接觸於使用者的手臂。

在上述實施方式的任一者中，較佳的是顯示部包括第一端部和第二端部，蓄電裝置包括第三端部和第四端部，第一端部和第三端部彼此固定，第二端部和第四端部之間的距離根據電子裝置的變形而改變。

本發明的另一個實施方式是一種電子裝置，該電子裝置包括具有撓性的第一外殼、具有撓性的第二外殼、具有撓性的顯示部、及具有撓性的蓄電裝置，第一外殼包括具有透光性的第一面，顯示部設置於第一外殼的內部，顯示部的一區域與第一面接觸，蓄電裝置設置於第二外殼的內部。在上述實施方式中，較佳為在佩戴電子裝置時使該第二外殼接觸於使用者的手臂。

藉由本發明的一個實施方式，能夠提供一種耐用性高的電子裝置。藉由本發明的一個實施方式，能夠提供一種可靠性高的電子裝置。藉由本發明的一個實施方式，能夠提供一種新穎電子裝置。

藉由本發明的一個實施方式，能夠提供一種耐用性高的顯示裝置。藉由本發明的一個實施方式，能夠提供一種可靠性高的顯示裝置。藉由本發明的一個實施方式，能夠提供一種新穎顯示裝置。

此外，藉由本發明的一個實施方式，能夠提供一種戴在身體的一部分上使用的電子裝置。藉由本發明的一個實施方式，能夠提供一種戴在手臂上使用的電子裝置。

藉由本發明的一個實施方式，能夠提供一種戴在身體的一部分上使用的蓄電裝置。藉由本發明的一個實施方式，能夠提供一種戴在手臂上使用的蓄電裝置。

藉由本發明的一個實施方式，能夠提供一種戴在人體使用的顯示裝置。藉由本發明的一個實施方式，能夠提供一種戴在手臂上使用的顯示裝置。

注意，這些效果的記載不妨礙其他效果的存在。本發明的一個實施方式並不需要達到所有上述效果。可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載顯而易見地看出並衍生上述以外的效果。

10:加工構件

100:電子裝置

102:顯示部

103:蓄電裝置

104:電路板

105:箭頭

106:蓄電裝置

107:電路板

111:板

112:板

113:板

121:密封部

126:外殼

131:扣件

151:板

152:顯示元件

153:電路部

161:區域

162:區域

163:距離

164:區域

165:區域

171:端部

172:端部

173:端部

174:端部

180:沉積室

181a:原料供應部

181b:原料供應部

182:控制部

182a:流量控制器

182b:流量控制器

182c:流量控制器

182h:加熱機構

183:導入口

183:排出口

184:排氣裝置

185:支撐部

186:加熱機構

187:門

201:正極集電器

202:正極活性物質層

203:正極

204:負極集電器

205:負極活性物質層

206:負極

207:隔離體

208:電解液

209:外包裝體

300:蓄電池

301:正極罐

302:負極罐

303:墊片

304:正極

305:正極集電器

306:正極活性物質層

307:負極

308:負極集電器

309:負極活性物質層

310:隔離體

400:電子裝置

401:充電器

510:正極引線電極

511:負極引線電極

512:銲錫區域

513:彎曲部

514:密封部

601:前驅物

602:前驅物

700:顯示裝置

701:基板

702:像素部

704:源極驅動電路部

705:基板

706:閘極驅動電路部

708:FPC端子部

710:信號線

711:佈線部

712:密封材料

716:FPC

721:閘極電極

722:半導體層

723:電極

724:電極

730:絕緣膜

732:密封膜

734:絕緣膜

736:彩色膜

738:遮光膜

750:電晶體

752:電晶體

760:連接電極

764:絕緣膜

766:絕緣膜

768:絕緣膜

769:絕緣膜

770:平坦化絕緣膜

772:導電膜

774:導電膜

775:液晶元件

776:液晶層

778:結構體

780:異方性導電膜

782:發光元件

784:導電膜

786:EL層

788:導電膜

790:電容器

790a:電容器

790b:電容器

799:保護膜

1700:曲面

1701:平面

1702:曲線

1703:曲率半徑

1704:曲率中心

1800:曲率中心

1801:薄膜

1802:曲率半徑

1803:薄膜

1804:曲率半徑

1805:電極及電解液等

圖1是示出本發明的一個實施方式的電子裝置的透視圖；

圖2A至圖2D是示出本發明的一個實施方式的電子裝置的剖面圖；

圖3A和圖3B是示出本發明的一個實施方式的電子裝置的透視圖及剖面圖；

圖4A至圖4C是示出本發明的一個實施方式的電子裝置的剖面圖；

圖5A和圖5B是示出本發明的一個實施方式的電子裝置的剖面圖；

圖6A至圖6C是示出本發明的一個實施方式的電子裝置的剖面圖；

圖7A至圖7C是示出本發明的一個實施方式的電子裝置的圖；

圖8A和圖8B是本發明的一個實施方式的電子裝置的剖面圖；

圖9A和圖9B是示出本發明的一個實施方式的電子裝置的剖面圖；

圖10是示出薄型蓄電池的外觀的圖；

圖11A和圖11B是示出薄型蓄電池的剖面的圖；

圖12是示出本發明的一個實施方式的電子裝置的透視圖；

圖13A和圖13B是說明薄型蓄電池的製造方法的圖；

圖14A和圖14B是說明薄型蓄電池的製造方法的圖；

圖15是示出薄型蓄電池的外觀的圖；

圖16A至圖16C是說明面的曲率半徑的圖；

圖17A至圖17D是說明膜的曲率半徑的圖；

圖18A和圖18B是說明硬幣型蓄電池的圖；

圖19是示出薄型蓄電池的剖面圖；

圖20是示出顯示裝置的俯視圖；

圖21是示出顯示裝置的剖面圖；

圖22是示出顯示裝置的剖面圖；

圖23是示出顯示裝置的剖面圖；

圖24是示出顯示裝置的剖面圖；

圖25是示出顯示裝置的剖面圖；

圖26是示出本發明的一個實施方式的電子裝置的圖；

圖27A至圖27D是用來說明沉積原理的剖面示意圖；

圖28是說明根據實施方式的沉積装置的結構的圖。

下面，參照圖式對本發明的實施方式進行詳細說明。但是，本發明不侷限於以下說明，而所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是於此揭露的方式及詳細內容可以被修改為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅侷限在以下所示的實施方式的說明中。

注意，在本說明書中，顯示裝置在其範疇中包括如下模組的任一者：在其中有附接到顯示面板(顯示裝置)的諸如FPC(Flexible Printed Circuit：撓性印刷電路)或TCP(Tape Carrier Package：捲帶式封裝)之連接器的模組；具有在TCP的端部設置有印刷線路板的TCP的模組；以及將IC(積體電路)藉由COG(Chip On Glass：晶粒玻璃接合)方式直接安裝在形成有顯示元件的基板上的模組。

在本說明書中，用語“平行”是指兩條直線形成的角度為-10°以上且10°以下。因此，也包括該角度為-5°以上且5°以下的情形。另外，用語“實質上平行”是指兩條直線形成的角度為-30°以上且30°以下。此外，用語“垂直”是指兩條直線的角度為80°以上且100°以下。因此，也包括該角度為85°以上且95°以下的情形。另外，用語“實質上垂直”是指兩條直線形成的角度為60°以上且120°以下。

在本說明書中，六方晶系包括三方晶系和菱方晶系。

本發明的一個實施方式的電子裝置較佳為包括半導體裝置、顯示裝置、液晶顯示裝置、發光裝置、照明設備、蓄電裝置、記憶體裝置以及成像裝置等。

實施方式1

在本實施方式中，示出能夠戴在身體的一部分上的電子裝置100的一個例子。

〈電子裝置100的例子〉

圖1示出電子裝置100的透視圖的一個例子。

圖1所示的電子裝置100包括顯示部102、板112、以及與板112的至少一部分接觸的蓄電裝置103。蓄電裝置103較佳為沿著板112的曲率半徑大的區域配置。在圖1所示的電子裝置100中，蓄電裝置103和顯示部102經配置使得至少部分彼此重疊。藉由這樣的結構，電子裝置內部可具有高的佈局彈性。

顯示部102較佳為包括電路板104。電子裝置100也可以包括電路板107。電路板107較佳為與蓄電裝置103及電路板104電連接。電路板107也可以例如包括用於驅動顯示部102的驅動電路。電路板107較佳為設置有用來從蓄電裝置供電的轉換器電路。在此，有時將顯示部102和電路板107統稱為顯示模組。

電子裝置100較佳為包括板111。當電子裝置100包括板111時，較佳為使用扣件131將板111和板112互相固定。扣件131既可以是如圖1所示的帶狀，又可以是螺絲狀。例如，板111和板112可設置有螺絲孔，且使用具有螺絲狀的扣件131彼此固定。

可以藉由型鍛將板111與板112彼此固定。例如，在電子裝置100中，也可以對板111及板112穿孔，將扣件131插入於該孔部，然後使扣件131變形(型鍛)而固定。作為這種扣件131，例如可以使用鉚釘等。

對於扣件131，例如可以使用金屬、陶瓷以及樹脂等材料。至於金屬，較佳為使用在被鈍化時不容易生銹的材料，例如可以使用不鏽鋼、鎂、鋁以及鈦等。

圖2A示出圖1所示的電子裝置100的剖面圖。圖2B示出沿著圖2A所示的虛線A-B並實質上垂直於圖2A的剖面的剖面圖。注意，為方便起見，在圖2B中，以比圖2A大的比例尺進行圖示。

顯示部102較佳為在板151上包括顯示元件152或電路部153。在此，電路部153較佳為包括用於驅動顯示元件152的驅動電路。電路板104較佳為與電路部153等連接。電路板104也可以包括用於驅動顯示元件152的驅動電路。

顯示部102所具有的顯示區域例如是指設置有顯示元件152的區域。另外，也可以是指電子裝置100中所顯示的顯示影像或文字資訊等的面。例如，可以在板111的正面或背面設置例如遮光板，遮蔽來自設置有顯示元件152的區域的一部分光，由此改變顯示區域的形狀。在圖1所示的例子中，設置有顯示元件152的區域為實質上四邊形，但是設置有顯示元件的區域的形狀不侷限於四邊形。

板151較佳為具有撓性。當板151具有撓性時，例如顯示部102可以具有撓性。

板151的例子包括塑膠基板。可以將具有撓性的基板附接到板等。藉由使用具有撓性的板151，可以製造具有撓性的顯示裝置。當顯示裝置具有撓性時，可以將其附接到曲面或不規則形狀上，藉以實現各種各樣的用途。此外，藉由使用塑膠基板等具有撓性的板151，可以實現顯示裝置的薄膜化及輕量化。另外，使用塑膠基板等具有撓性的板151的顯示裝置不容易破壞，例如可以提高對掉落時的衝擊的耐久性。

可以將電子裝置100戴在人體的手臂等上。當將電子裝置100例如戴在人體的手臂等的部分時，板112與身體之該部分接觸。

板112例如較佳為具有沿著手臂的形狀。另外，也可以將電子裝置100戴在機器人等的手臂上。在此，作為機器人的例子，可以舉出工作機器人、裝置附帶的機器人、人形機器人等。

板112較佳為具有帶弧形的形狀。或者，板112也可以具有曲面和平坦面。板112例如較佳為具有沿著曲面的形狀。板112例如較佳為具有沿著橢圓柱的側面的形狀。例如，板112的一部分也可以具有拱橋形狀、英文字母“C”形狀、橢圓狀、或橢圓的一部分被去掉的形狀等。當板112具有這樣的帶弧形的形狀時，電子裝置100可以更舒適的配適像是手臂等身體。電子裝置100能夠依據手臂的形狀戴在手臂周圍。板112具有沿著四邊形的三邊的剖面形狀。

板112例如也可以具有沿著圓柱體的形狀。具體而言，板112例如可以具有沿著圓柱、橢圓柱、棱柱的形狀。板112也可以具有沿著圓錐、棱錐等錐的形狀。

板112較佳為組態以戴上圓柱體。在此，作為圓柱體的例子，可以舉出柱狀、錐狀、金字塔狀、側面的配向連續地變化的圓柱等。

當將電子裝置100戴上人體的手臂等時，電子裝置100有可能會受到外力而變形。例如，藉由在圖2A所示的箭頭105的方向上使板112等的形狀改變，可以容易佩戴電子裝置100。因此，板112較佳為具有撓性。

隨著板112的變形，電子裝置100的另一部分也會變形。因此，有時電子裝置100的其他部分也較佳為具有撓性。例如，顯示部102較佳為具有撓性。板111及蓄電裝置103也較佳為具有撓性。在此，作為板111也可以使用薄膜等。

由於被施加外力而電子裝置100變形。隨著電子裝置100的變形，蓄電裝置103變形。

由於施加到電子裝置100的外力所引起的蓄電裝置103的形狀的變化量較佳為在被施加外力的期間保持。例如，將電子裝置100戴在手臂上等時產生的蓄電裝置103的形狀的變化量較佳為在佩戴電子裝置100時保持。因為保持蓄電裝置103的形狀的變化量，所以蓄電裝置103適合於安裝到曲率半徑更小的電子裝置100。另外，蓄電裝置103適合於使用在可動的電子裝置100。再者，由於保持蓄電裝置103的形狀的變化量，因此電子裝置100的形狀可以適應身體部分。

例如，當蓄電裝置103的彈性力等很大時，隨著電子裝置100的變形而蓄電裝置103暫時變形，但是，有時之後會恢復原來的形狀。就是說，從變形前的形狀的蓄電裝置103的變形的變化量會隨時間而變小。在此，當蓄電裝置103恢復原來的形狀時，例如，電子裝置100所包括的其他部分有可能產生歪曲。

如圖2C所示，電子裝置100也可以包括密封部121。圖2C示出在圖2B所示的電子裝置100中設置密封部121的例子。藉由設置密封部121，有可能可以進一步提高包括板111、板112和密封部121的外殼的密封性。另外，當因外力而板111和板112變形時，密封部121可以緩和外力所引起的變形，因而保持電子裝置100整體的結構。

對於密封部121，例如可以使用樹脂等。至於樹脂，例如可以使用人造橡膠。

圖2D示出電子裝置100包括密封部121的另一例子。圖2D所示的電子裝置100的剖面與圖2B所示的電子裝置100的不同之處在於：板111的形狀不同、以及具有密封部121。在此，在圖2D所示的剖面中，板111具有折彎為L字形狀的端部。電子裝置100具有包括由其端面折彎為L字形狀的板111、密封部121和板112的外殼。

顯示部102中的顯示元件152和板151的厚度的總和較佳為1μm以上且1mm以下，更佳為5μm以上且200μm以下。蓄電裝置103的厚度例如是50μm以上且30mm以下，有時比顯示元件的厚度大。

當對其厚度互不相同的物件施加外力時，有時各物件的在被施加外力時的彎曲程度不同，明確而言就是曲率半徑的變化程度等不同。在此，曲率半徑的變化程度例如是指外力所引起的變形的變化量、變化量的時間變化以及變化的回應速度等。

因此，在其厚度互不相同的兩個物件被互相固定的區域中，在施加外力時，任一個物件產生歪曲，這有可能導致裂縫或損傷。在此，兩個物件互相固定的區域例如是指處於兩個物件的接觸面被互相附接等的區域。

在此，將考慮在將電子裝置100戴上手臂等上時，電子裝置100受到外力而變形的情況。在此情況下，較佳為具有顯示部102和蓄電裝置103沒有被互相固定的區域。

因此，較佳為在蓄電裝置103和顯示部102之間有空間。或者，較佳為在蓄電裝置103和顯示部102之間包括可以變形或流動的物質。例如，也可以提供水等液體或凝膠狀物質。或者，較佳為顯示部102具有不附接到蓄電裝置103的區域。尤其是，顯示元件較佳為設置在顯示部102不與蓄電裝置103相附接的區域中。或者，顯示部102較佳為具有與蓄電裝置103分開的區域。藉由採用這種結構，可以提高顯示部102及蓄電裝置103的可靠性。此外，藉由採用這種結構，可以抑制顯示部102或蓄電裝置103產生歪曲。另外，藉由採用這種結構，可以抑制顯示部102及蓄電裝置103產生裂縫或損傷。

較佳的是，蓄電裝置103和顯示部102具有互相接觸的面，並且互相接觸的面容易彼此滑動。

較佳的是，顯示部102具有面對蓄電裝置103的第一面，第一面具有沒有固定到蓄電裝置103的第一區域。第一區域較佳為與顯示部102的顯示元件152重疊。

顯示部102和蓄電裝置103較佳為具有沒有彼此固定的第一區域。顯示部102和蓄電裝置103也可以具有沒有彼此固定的第一區域、一個或兩個以上的彼此固定的區域。例如，顯示部102和蓄電裝置103可在一個端部區域彼此固定。或者，可在兩個以上的區域彼此固定，亦即在一個端部區域和在另一個或其它區域彼此固定。也可以使用例如黏合層等使顯示部102和蓄電裝置103彼此固定。或者，顯示部102和蓄電裝置103也可以隔著緩衝劑、多孔材料或設置於其間等材料彼此固定。

或者，較佳的是，如圖2A所示，顯示部102具有端部171和端部172，蓄電裝置103具有端部173和端部174，端部171和端部173固定到電路板107，端部172和端部174不相互固定。

或者，較佳的是，蓄電裝置103和顯示部102互相接觸，並且互相接觸的面容易彼此滑動。

當蓄電裝置103和顯示部102的接觸的面容易彼此滑動時，有時蓄電裝置103和顯示部102中的一個受到的外力不容易傳導到蓄電裝置103和顯示部102中的另一個。藉由減少彼此所受到的外力的影響，可以防止歪曲等變形。

有時蓄電裝置103的外包裝體的材料和顯示部102中的設置有顯示元件的薄膜使用不同的材料形成。在此情況下，蓄電裝置103和顯示部102可在被施加外力時的彎曲程度彼此不同，明確而言就是曲率半徑的變化程度等不同。當在蓄電裝置103和顯示部102被施加外力時的彎曲程度彼此不同的情形，明確而言就是曲率半徑的變化程度等不同時，蓄電裝置103的外包裝體和顯示部102中的一個或兩個有可能產生歪曲。尤其是，顯示部102很薄，所以可以說更容易產生歪曲。

當電子裝置100掉落或電子裝置100撞到物件等時，電子裝置100所包括的各部分會受到衝擊。

即使在此情況下，當在蓄電裝置103和顯示部102之間有空間時，空間可以吸收衝擊，而可以減少來自外部的衝擊。作為一個例子，考慮電子裝置100與物件相撞，並且板111和物件接觸的情況。在此情況下，板111受到的衝擊不直接傳導到蓄電裝置103及電路板107，從而可以減少衝擊。

至於電路板104，例如可以使用具有撓性的電路板。作為具有撓性的電路板，例如較佳為使用在具有撓性的樹脂薄膜上設置佈線而成的FPC(撓性印刷電路板：Flexible Printed Circuit)。當作為電路板104使用FPC時，隨著在佩戴時電子裝置100改變其形狀，電路板104可改變其形狀，並且可以防止在電子裝置100變形時，例如在電路板104和電路部153等的連接部、或電路板104和電路板107的連接部使電路板104等產生裂縫而損傷。

在此，在電子裝置100中，顯示部102的至少一部分也可以與板111接觸。或者，在電子裝置100中，也可以在顯示部102和板111之間設置黏合層或包括觸控感測器的層。作為黏合層的例子，也可以將具有黏結性的薄片附接到板111上，且將顯示部102貼合到該黏結性薄片。或者，板111也可以包括觸控感測器。在顯示部102的至少一部分接觸於板111的內表面的情形中，當顯示部102具有撓性時，而容易使顯示部102的形狀適應板111的內表面的形狀。即使在板111因外力而變形的情況下，也可以防止顯示部102的劣化或損傷。

板111及板112中的每一個的表面較佳為具有曲面。另外，板111及板112的每一個例如較佳為具有其剖面為圓形或弧形的形狀。

此外，在戴脫電子裝置100時，板111及板112較佳為具有如下形狀，幾乎不使剖面形狀中的曲率半徑大的區域變形，而使板111及板112之剖面中的端部具有撓性。例如，剖面形狀中的板111及板112較佳為具有英文字母的“C”形狀、橢圓狀或橢圓的一部分被去掉的形狀等。當板111及板112之剖面具有帶弧形的形狀，電子裝置100可提高對於手臂等身體的佩戴性。例如，在將電子裝置100戴在手臂上的情況下，將電子裝置100能夠以適合於手臂的形狀的方式戴在手臂上。注意，板111及板112的剖面也可以具有矩形狀，例如具有方括號形狀。

板111的至少一部分較佳為具有透光性。板 111的例子包括玻璃、石英、塑膠、撓性板、包括樹脂的貼合薄膜、包含纖維狀材料的紙、或者基材薄膜等。作為玻璃的例子，包括鋇硼矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸鹽玻璃或鈉鈣玻璃等。作為撓性板、貼合薄膜、基材薄膜等的例子，可以舉出如下例子。例如可以舉出以聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚碸(PES)、及聚四氟乙烯(PTFE)為代表的塑膠。此外，作為例子，有丙烯酸等合成樹脂等。此外，作為例子，可以舉出聚丙烯、聚酯、聚氟化乙烯、聚氯乙烯等。或者，作為例子，可以舉出聚醯胺(芳族聚醯胺)、聚醯亞胺、環氧、或無機蒸鍍薄膜等。

板111也可以包括具有透光性的第一區域、具有半透光性或遮光性的第二區域。在圖3A所示的電子裝置100的例子中，板111包括具有透光性的區域164和具有遮光性的區域165。

作為板112，可以使用板111所使用上述任何的材料。或者，作為板112，可以使用金屬、不鏽鋼、具有不鏽鋼箔的板、鎢、具有鎢箔的板、紙類或半導體(例如單晶半導體或矽半導體)等。

此外，對於板112，例如可以使用比板111剛性高的材料。例如，對於板112可以使用不鏽鋼材料。藉由使用不鏽鋼材料，將板112用作用來防止顯示部102及蓄電裝置103過翹曲或者產生很大的扭曲變形的保護材料。當將電子裝置戴在手臂上時，不銹鋼材料僅允許改變成某種形狀，亦即向一個方向的彎曲，這有助於可靠性的提高。

另外，如圖2A和圖2B所示，板111或板112的端部也可以具有圓形。當板111及板112的端部具有圓形時，電子裝置有時可以提高佩戴性。

圖3B是圖2A中的由虛線圍繞的區域C的放大圖。在此，不互相固定顯示部102所包括的板151的端部和蓄電裝置103的端部。當將電子裝置100戴在手臂等上時，板112的形狀在圖2A所示的箭頭105的方向上改變，且據此，電子裝置100也隨之變形。因為沒有互相固定板151的端部和蓄電裝置103的端部，所以有時板151的端部和蓄電裝置103的端部之間的距離163隨著電子裝置100的形狀改變而發生變化。

相較之下，當顯示部102和蓄電裝置103彼此固定時，有時距離163不必然隨著電子裝置100的變形而發生變化。例如，當板151的端部和蓄電裝置103的端部互相固定時，除了在顯示部102或蓄電裝置103受到破損的情況或因溫度而顯示部102或蓄電裝置103發生伸縮的情況等以外，即便電子裝置100變形，距離163也沒有發生變化。

如圖4A至圖4C所示，電子裝置100也可以在顯示部102和蓄電裝置103之間包括板113。圖4A至圖4C的電子裝置100與圖1的電子裝置100的不同之處在於：設置有板113。

在蓄電裝置103和顯示部102之間設置有板113，因為蓄電裝置103和顯示部102中的一個受到的外力不容易傳導到蓄電裝置103和顯示部102中的另一個，所以是較佳的。

對於板113可以使用板112所使用的材料。此外，對於板113，例如可以使用撓性板、包括樹脂的附接薄膜以及基材薄膜等。

圖4A示出電子裝置100的剖面，圖4B示出沿著圖4A所示的點劃線A-B並實質上垂直於圖4A所示的剖面的剖面，圖4C示出圖4A的由虛線圍繞的區域D的放大圖。如圖4C所示，板113包括面對顯示部的第一面，且第一面包括與顯示元件152重疊的區域161。

或者，例如，板113也可以包括面對顯示部102所包括的板151的第一面，第一面也可以包括隔著提供於其間的板151面對顯示元件152的區域161。

在此，考慮區域161固定到顯示部102的情況。在此情況下，在相對於區域161一側上的板113的區域162較佳為沒有固定到像是板112、蓄電裝置103等的電子裝置100的其他部分中的除顯示部102及板111之外的組件。在此，“固定”例如是指被附接或者用螺絲等扣件進行固定等。

或者，例如在區域162固定到像是板112、蓄電裝置103等電子裝置100的其他部分中的除顯示部102及板111之外的組件的情況下，區域161較佳為沒有固定到顯示部102。

或者，板113也可以沒有固定到顯示部102和蓄電裝置103。

板113也可以包括沒有固定到顯示部102的區域、一個或多個固定到顯示部102的區域。或者，例如，也可以具有顯示部102和蓄電裝置103隔著提供於其間的板113互相固定的區域。

雖然圖4C所示的剖面示出區域161面對顯示部102的中央附近的例子，區域161也可以廣泛地存在於與顯示元件152重疊的區域。

較佳的是，板113和蓄電裝置103具有互相接觸的面，且互相接觸的面彼此容易滑動。或者，較佳的是，板113和顯示部102具有互相接觸的面，且互相接觸的面彼此容易滑動。在此，“容易滑動”例如是指摩擦係數小。或者，“容易滑動”例如是指表面凹凸小。

作為板113，也可以使用緩衝劑。在此，例如也可以使用有氣泡的材料作為緩衝材料。圖5A和圖5B示出作為板113使用所謂的緩衝氣泡墊(氣墊)的例子。或者，作為板113也可以使用多孔材料。

圖6A至圖6C示出電子裝置100具有兩個外殼的例子。圖6A示出電子裝置100的剖面，圖6B示出沿著圖6A中的沿著虛線A-B的剖面。圖6A至圖6C示出電子裝置100包括作為第一外殼的由板111、板112和密封部121等構成的外殼、以及作為第二外殼的圖6A至圖 6C所示的外殼126的例子。電子裝置100在第一外殼的內部設置顯示部102和電路板107。在外殼126內部設置蓄電裝置103。

外殼126較佳為具有撓性。外殼126可以如圖6A至圖6C所示的單一組件，或又可以使用螺絲等固定兩個以上的組件形成。外殼126例如可以使用與密封部121相同的材料。

例如，較佳為使用扣件131將外殼126的端部附近固定到第一外殼。在圖6A至圖6C所示的例子中，使用扣件131將外殼126固定到板112的端部附近。

外殼126的至少一部分較佳為與板112的一個面接觸。外殼126也可以附接到板112的一個面。

或者，外殼126也可以具有固定到第一外殼的第一區域、沒有固定到第一外殼的第二區域。在板112和外殼126的在被施加外力時的彎曲程度不同，明確而言就是曲率半徑的變化程度等不同的情況下，由於具有沒有固定的第二區域，可以在該區域中緩和外力的影響。

可以在外殼126和第一外殼的板112之間具有空間。

〈電子裝置100如何的佩戴例子〉

圖7A至圖7C示出如何佩戴電子裝置100的例子。圖7A示出將電子裝置100戴在手臂上(手腕上)的例子。圖7B示出將電子裝置100戴在上臂的例子。另外，圖7C示出袖章型裝置的電子裝置100的例子。

也可以將電子裝置100戴在手臂以外的部位，例如腿、手指等。此外，例如也可以將電子裝置100使用帶子等固定於手臂或腿等。在此，根據電子裝置100被佩戴的部位的尺寸，例如手臂的圍度，有時電子裝置100比手臂的圍度更長。例如，在圖2A等所示的剖面中，在板112等比手臂的剖面的外周還長時，板112的額外區域可彼此重疊。在上述區域中，板112的區域可與板111的表面接觸。

如圖26所示，電子裝置100也可以具有在沿著手臂方向上很長的顯示區域。在圖26中，當電子裝置100的顯示區域的沿著手臂方向上的長度為手臂的剖面寬度的1倍以上，較佳為1.5倍以上時，由此電子裝置100可以具有寬的顯示區域。另一方面，當顯示區域的沿著手臂方向上的長度小於手臂的剖面寬度時，可以實現更輕量且容易佩戴的電子裝置100。

〈電子裝置100的變形例子〉

如圖8A所示的電子裝置100的例子所示，也可以將顯示部102和蓄電裝置103相鄰地配置。圖8A所示的電子裝置100與圖2A至圖2C所示的電子裝置100之間的不同之處在於：將蓄電裝置103配置在顯示部102旁。當蓄電裝置103與顯示部102相鄰地配置，例如可以使電子裝置100更薄。藉由使電子裝置100更薄，有時提高佩戴性。

如圖8B所示的電子裝置100的例子所示，板111或板112的剖面也可以為環狀。

如圖9A和圖9B所示的電子裝置100的例子所示，電子裝置100也可以包括蓄電裝置103及蓄電裝置106。在此，蓄電裝置103較佳為具有撓性。作為蓄電裝置103，例如可以使用將層壓薄膜用作外包裝體的薄型蓄電池。另外，蓄電裝置106也可以不具有撓性。此外，蓄電裝置106也可以具有與蓄電裝置103不同的形狀。例如，作為蓄電裝置106，也可以使用硬幣型(或按鈕型)蓄電池、方形蓄電池、圓筒型蓄電池等。在例如電子裝置100包括記憶體等的情況下，可將蓄電裝置106用作保持資料的蓄電池。此外，將蓄電裝置106例如可以用作蓄電裝置103的預備蓄電池。至於硬幣型蓄電池，參照實施方式3。

在圖1、圖2A至圖2D、圖3A及3B、圖4A至4C、圖5A及5B、圖6A至6C、圖7A至7C、圖8A及8B以及至圖9A及9B所示的電子裝置100中，例如在板112的剖面中，較佳為將曲率半徑設定為10mm以上，更佳為設定為5mm以上。此外，使如圖1、圖2A至圖2D、圖3A及3B、圖4A至4C、圖5A及5B、圖6A至6C、圖7A至7C、圖8A及8B以及至圖9A及9B所示的電子裝置100容易戴在手臂上，例如在板112的剖面中，較佳為將曲率半徑設定為20mm以上，更佳為設定為 15mm以上。

此外，電子裝置100較佳為具有將手臂的剖面的一半以上包起來的形狀。

〈蓄電裝置〉

蓄電裝置103較佳為具有彎曲形狀。當蓄電裝置103具有彎曲形狀時，可以在板111的曲率半徑大的區域中設置蓄電裝置103。此外，蓄電裝置103較佳為具有撓性。具有撓性的蓄電裝置的外包裝體是撓性薄膜，蓄電裝置可以隨板111的曲率半徑大的區域的曲面部分改變其形狀。在當電子裝置100被施加外力時，例如將電子裝置100戴在手臂上等時，蓄電裝置103可以根據板112的形狀之改變而改變其形狀。

在此，可以使用二次電池、電容器等作為蓄電裝置103。

至於二次電池，可以使用鋰離子二次電池。或者，也可以使用取代鋰的鹼金屬(例如，鈉或鉀等)、鹼土金屬(例如，鈣、鍶、鋇、鈹或鎂等)的二次電池。另外，，也可以使用將空氣中的氧等用作活性材料的空氣二次電池作為二次電池。至於空氣二次電池，例如可以使用鋰空氣電池等。

至於電容器可以使用雙電層電容器。或者，可以使用氧化還原電容器作為電容器。或者，也可以使用鋰離子電容器等複合電容器作為電容器。

在本實施方式中示出作為具有撓性的蓄電裝置103使用其外包裝體包括薄膜的薄型二次電池的例子。圖10示出薄型二次電池的外觀圖。此外，圖11A示出沿著圖10中的點劃線A1-A2切斷的剖面，且圖11B示出沿著圖10中的點劃線B1-B2切斷的剖面。

薄型二次電池包括薄片狀的正極203、薄片狀的負極206、隔離體207、電解液208、由薄膜構成的外包裝體209、正極引線電極510、以及負極引線電極511。在設置在外包裝體209內的正極203與負極206之間設有隔離體207。另外，外包裝體209內被注入電解液208。正極203包括正極集電器201及正極活性物質層202。負極206包括負極集電器204及負極活性物質層205。

圖19示出沿著圖10中的點劃線A1-A2的剖面的其他例子。在圖19中，示出正極203只在正極集電器201的一個面上包括正極活性物質層202的例子。同樣地，示出負極206也只在負極集電器204的一個面上包括負極活性物質層205的例子。

作為正極集電器201及負極集電器204的材料，可以使用不鏽鋼、金、鉑、鋅、鐵、鎳、銅、鋁、鈦、鉭等金屬及這些金屬的合金等導電性高且不與鋰離子等載體離子合金化的材料而形成。或者，也可以使用添加有矽、鈦、釹、鈧以及鉬等改善耐熱性的元素的鋁合金。另外，也可以使用與矽起反應形成矽化物的金屬元素形成。作為與矽起反應而形成矽化物的金屬元素，可以舉出鋯、鈦、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢、鈷、以及鎳等。作為正極集電器201及負極集電器204可以適當地使用箔狀、板狀(薄片狀)、網狀、圓柱狀、線圈狀、打孔金屬網狀、擴張金屬網狀等形狀。較佳為使用具有10μm以上且30μm以下的厚度的正極集電器201及負極集電器204。

正極活性物質層202可以包含例如載體離子能夠嵌入和抽出的材料。至於載體離子，可以使用鋰、其他鹼金屬離子(例如，鈉離子、鉀離子等)、鹼土金屬離子(例如，鈣離子、鍶離子、鋇離子、鈹離子或鎂離子等)。

鋰離子能夠對其嵌入和從其抽出的材料的例子有包括橄欖石型結晶結構、層狀岩鹽型結晶結構或者尖晶石型結晶結構的含鋰材料等。至於正極活性物質，例如可以使用LiFeO₂、LiCoO₂、LiNiO₂、LiMn₂O₄、V₂O₅、Cr₂O₅、MnO₂等化合物。

或者，可以使用含鋰複合磷酸鹽(通式為LiMPO₄(M為Fe(II)、Mn(II)、Co(II)、Ni(II)中的一種以上)。作為通式LiMPO₄的典型例子，可以舉出LiFePO₄、LiNiPO₄、LiCoPO₄、LiMnPO₄、LiFe_aNi_bPO₄、LiFe_aCo_bPO₄、LiFe_aMn_bPO₄、LiNi_aCo_bPO₄、LiNi_aMn_bPO₄(a+b為1以下，0<a<1，0<b<1)、LiFe_cNi_dCo_ePO₄、LiFe_cNi_dMn_ePO₄、LiNi_cCo_dMn_ePO₄(c+d+e為1以下， 0<c<1，0<d<1，0<e<1)、LiFe_fNi_gCo_hMn_iPO₄(f+g+h+i為1以下，0<f<1，0<g<1，0<h<1，0<i<1)等。

尤其是，LiFePO₄實際上滿足正極活性物質被要求的內容諸如安全性、穩定性、高容量密度、高電位、初期氧化(充電)時能夠抽出的鋰離子的存在等，所以是較佳的。

層狀岩鹽型結晶結構的含鋰材料包括像是鈷酸鋰(LiCoO₂)、LiNiO₂、LiMnO₂、Li₂MnO₃的含鋰材料。另外，有像是LiNi_0.8Co_0.2O₂等NiCo類含鋰材料(通式為LiNi_xCo_1-xO₂(0<x<1))；LiNi_0.5Mn_0.5O₂等NiMn類含鋰材料(通式為LiNi_xMn_1-xO₂(0<x<1))；以及LiNi_1/3Mn_1/3Co_1/3O₂等NiMnCo類含鋰材料(也稱為NMC。通式為LiNi_xMn_yCo_1-x-yO₂(x>0，y>0，x+y<1))。例子還包括有Li(Ni_0.8Co_0.15Al_0.05)O₂、Li₂MnO₃-LiMO₂(M=Co、Ni、Mn)等。

作為具有尖晶石型的結晶結構的含鋰材料的例子包括LiMn₂O₄、Li_1+xMn_2-xO₄、LiMn_2-xAl_xO₄(0<x<2)、LiMn_1.5Ni_0.5O₄等。

當在LiMn₂O₄等含有錳的具有尖晶石型結晶結構的含鋰材料中添加少量鎳酸鋰(LiNiO₂或LiNi_1-xM_xO₂(M=Co、Al等))時，因為具有抑制錳的溶出或電解液的分解等優點，所以是較佳的。

或者，可以使用通式為Li_(2-j)MSiO₄(M為Fe(II)、Mn(II)、Co(II)、Ni(II)中的一種以上，0

j

2)等的含鋰材料作為正極活性物質。作為材料可以使用通式Li_(2-j)MSiO₄的典型例子的鋰化合物：Li_(2-j)FeSiO₄、Li_(2-j)NiSiO₄、Li_(2-j)CoSiO₄、Li_(2-j)MnSiO₄、Li_(2-j)Fe_kNi_lSiO₄、Li_(2-j)Fe_kCo_lSiO₄、Li_(2-j)Fe_kMn_lSiO₄、Li_(2-j)Ni_kCo_lSiO₄、Li_(2-j)Ni_kMn_lSiO₄(k+l為1以下，0<k<1，0<l<1)、Li_(2-j)Fe_mNi_nCo_qSiO₄、Li_(2-j)Fe_mNi_nMn_qSiO₄、Li_(2-j)Ni_mCo_nMn_qSiO₄(m+n+q為1以下，0<m<1，0<n<1，0<q<1)、Li_(2-j)Fe_rNi_sCo_tMn_uSiO₄(r+s+t+u為1以下，0<r<1，0<s<1，0<t<1，0<u<1)等。

此外，可以使用以通式A_xM₂(XO₄)₃(A=Li、Na、Mg，M=Fe、Mn、Ti、V、Nb、Al，X=S、P、Mo、W、As、Si)表示的鈉超離子導體(nasicon)型化合物作為正極活性物質。鈉超離子導體型化合物的例子包括有Fe₂(MnO₄)₃、Fe₂(SO₄)₃、Li₃Fe₂(PO₄)₃等。此外，可以使用：以通式Li₂MPO₄F、Li₂MP₂O₇、Li₅MO₄(M=Fe、Mn)表示的化合物；NaF₃、FeF₃等鈣鈦礦氟化物；TiS₂、MoS₂等金屬硫族化合物(硫化物、硒化物、碲化物)；LiMVO₄等具有反尖晶石型的晶體結構的材料；釩氧化物(V₂O₅、V₆O₁₃、LiV₃O₈等)；錳氧化物；以及有機硫化合物等材料作為正極活性物質。

至於正極活性物質，也可以使用含鈉材料。例如，可以使用NaMn₂O₄、NaNiO₂、NaCoO₂、NaFeO₂、NaNi_0.5Mn_0.5O₂、NaCrO₂、NaFeO₂等。另外，也可以使用 Na₂FePO₄F、Na₂VPO₄F、Na₂MnPO₄F、Na₂CoPO₄F、Na₂NiPO₄F等氟化磷酸鹽。另外，可以使用NaFeBO₄、Na₃Fe₂(BO₄)₃等硼酸鹽。

也可以將對這些物質添加稀土元素而成的物質用作正極活性物質。稀土元素是指Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu。可以使用添加有這些元素中的一種或多種元素而成的正極活性物質。

正極活性物質層202除了包含上述正極活性物質之外還可以包含用來提高活性物質的黏結性的黏合劑(binder)、用來提高正極活性物質層202的導電性的導電添加劑等。

可以使用能夠溶解且析出用作載體離子的金屬或載體離子能夠嵌入且抽出的材料作為負極活性物質層205。例如可以使用鋰金屬、碳類材料以及合金類材料等。用作載體離子的金屬的例子包括鋰、其他鹼金屬(例如，鈉或鉀等)、鹼土金屬(例如，鈣、鍶、鋇、鈹或鎂等)等。

鋰金屬的氧化還原電位低(比標準氫電極低3.045V)，每單位重量及體積的比容量高(分別為3860mAh/g，2062mAh/cm³)，所以是較佳的。

碳類材料的例子包括有石墨、易石墨化碳(graphitizing carbon)(軟碳)、難石墨化碳(non-graphitizing carbon)(硬碳)、碳奈米管、石墨烯、碳黑等。

石墨的例子包括有像是中間相碳微球(MCMB)、焦炭基人造石墨(coke-based artificial graphite)、瀝青基人造石墨(pitch-based artificial graphite)等人造石墨及球狀化天然石墨等天然石墨。

當鋰離子嵌入石墨中時(在鋰-石墨層間化合物的生成時)，石墨示出與鋰金屬相同程度的低電位(0.3V以下vs.Li/Li⁺)。由此，鋰離子二次電池可以示出高操作電壓。此外，石墨具有如下優點：每單位體積的容量較高；體積膨脹小；較便宜；與鋰金屬相比安全性高等，所以是較佳的。

作為負極活性物質，也可以使用合金類材料。在此，用語「合金類材料」是指能夠利用用作載體離子的金屬的合金化及脫合金化反應進行充放電反應的材料。例如在載體離子是鋰離子的情況下，例如可以使用包含Mg、Ca、Al、Si、Ge、Sn、Pb、Sb、As、Bi、Ag、Au、Zn、Cd、Hg和In等中的至少一種的材料作為合金類材料。這種元素的容量比碳高，尤其是矽具有4200mAh/g之顯著高的理論容量。由此，較佳為將矽用於負極活性物質。將使用這種元素的化合物中的藉由形成與鋰的鍵合而可以進行充放電反應的材料也可稱為合金類材料。例如可以舉出SiO、Mg₂Si、Mg₂Ge、SnO、SnO₂、Mg₂Sn、SnS₂、V₂Sn₃、FeSn₂、CoSn₂、Ni₃Sn₂、Cu₆Sn₅、Ag₃Sn、Ag₃Sb、Ni₂MnSb、CeSb₃、LaSn₃、La₃Co₂Sn₇、CoSb₃、 InSb和SbSn等。

或者，對於負極活性物質，可以像是使用二氧化鈦(TiO₂)、鋰鈦氧化物(Li₄Ti₅O₁₂)、鋰-石墨層間化合物(Li_xC₆)、五氧化鈮(Nb₂O₅)、氧化鎢(WO₂)、氧化鉬(MoO₂)等氧化物。

此外，對於負極活性物質，可以使用包含鋰和過渡金屬的氮化物的具有Li₃N型結構的Li_3-xM_xN(M=Co、Ni、Cu)。例如，Li_2.6Co_0.4N₃示出高的充放電容量(900mAh/g、1890mAh/cm³)，所以是較佳的。

較佳的是，使用包含鋰和過渡金屬的氮化物，在這情形中，鋰離子包含在在負電極活性材料中，因此可以將負電極活性材料與用於正極活性材料的像是V₂O₅、Cr₃O₈等不包含鋰離子的材料組合。當使用含有鋰離子的材料作為正極活性物質時，藉由預先使包含在正極活性材料中的鋰離子抽出，用於負電極活性材料也可以使用包含鋰和過渡金屬的氮化物。

或者，也可以將引起變換反應的材料用於負電極活性材料。例如，可使用將像是氧化鈷(CoO)、氧化鎳(NiO)、氧化鐵(FeO)等不引起與鋰的合金反應的過渡金屬氧化物。其它引起變換反應的材料的例子包括Fe₂O₃、CuO、Cu₂O、RuO₂、Cr₂O₃等氧化物、CoS_0.89、NiS、CuS等硫化物、Zn₃N₂、Cu₃N、Ge₃N₄等氮化物、NiP₂、FeP₂、CoP₃等磷化物、FeF₃、BiF₃等氟化物。注意，由於上述氟化物之任一者的電位高，所以也可以用作正電極活性材料。

負極活性物質層205除了包含上述負極活性物質之外還可以包含用來提高活性物質的黏結性的黏合劑以及用來提高負極活性物質層205的導電性的導電添加劑等。

至於電解液208的電解質，使用具有載體離子遷移率並具有載體離子的鋰離子的材料。作為電解質的典型例子，有LiPF₆、LiClO₄、Li(FSO₂)₂N、LiAsF₆、LiBF₄、LiCF₃SO₃、Li(CF₃SO₂)₂N、Li(C₂F₅SO₂)₂N等鋰鹽。這些電解質既可以單獨使用，又可以以兩種以上的任意的組合及比率使用。為了使反應生成物更穩定，也可以對電解質溶液添加少量(1wt%)的碳酸伸乙烯酯(VC)使得進一步減少電解液的分解量。例如，作為含有鈉離子的電解質，可以使用NaPF₆、NaN(SO₂CF₃)₂、NaClO₄、NaBF₄、CF₃SO₃Na、NaAsF₆等。

作為電解液208的溶劑，使用載體離子能夠移動的材料。至於電解液的溶劑，較佳為使用非質子有機溶劑。非質子有機溶劑的典型例子包括碳酸乙烯酯(EC)、碳酸丙烯酯、碳酸二甲酯、碳酸二乙酯(DEC)、γ-丁內酯、乙腈、乙二醇二甲醚、四氫呋喃等中的一種或多種。當使用凝膠化的高分子材料作為電解液的溶劑時，抗液體洩漏等的安全性得到改善。另外，能夠實現蓄電池的薄型化及輕量化。凝膠化的高分子材料的典型例子包括矽酮膠、丙烯酸樹脂膠、丙烯腈膠、聚氧化乙烯類膠、聚氧化丙烯類膠、氟類聚合物的膠等。或者，藉由作為電解液的溶劑使用一個或多個具有阻燃性及非揮發性的特性的離子液體(室溫融鹽)，即使當蓄電池的內部短路或過充電等而使內部溫度上升時，也可以防止蓄電池的破裂或起火等。

作為隔離體207，可以使用絕緣體。例如，可以使用纖維素(紙)。或者，可以使用設置有空孔的聚合物，諸如聚丙烯及聚乙烯等。

二次電池使用較薄且具有撓性的薄膜(例如層壓薄膜)作為外包裝體。層壓薄膜是指基材薄膜與黏結性合成樹脂薄膜的疊層薄膜或兩種以上的疊層薄膜。對於基材薄膜，可以使用PET及PBT等聚酯、尼龍6、尼龍66等聚醯胺、無機蒸鍍薄膜或紙。對於黏結性合成樹脂薄膜，可以使用PE及PP等聚烯烴、丙烯酸合成樹脂、環氧合成樹脂等。利用層壓設備藉由熱壓合使用層壓薄膜將物件層壓在一起。注意，較佳為施用塗佈底塗劑(Anchor Coat Agent)作為層壓步驟的預處理，使得可以增加層壓薄膜與被處理體之間的黏合力。至於塗佈底塗劑，可以使用異氰酸酯類材料等。

至於使用由薄膜構成的外包裝體的薄型二次電池的製造方法，參照實施方式4。

〈顯示部的製造方法〉

以下，將示出顯示部102的製造方法的一個例子。

顯示部102具有撓性。顯示部102在具有撓性的板151上包括顯示元件152。

作為在具有撓性的板151上製造顯示元件152的方法的例子包括有如下方法：在具有撓性的板151上直接製造顯示元件152的方法；在像是玻璃基板等具有剛性的基板上形成包括顯示元件152的層，利用蝕刻或研磨等去除基板，然後將包括該顯示元件152的層與具有撓性的板151彼此附接的方法；在像是玻璃基板等具有剛性的基板上設置剝離層，在其上形成包括顯示元件152的層，然後利用剝離層使具有剛性的基板與包括顯示元件152的層彼此分離，並將該包括顯示元件152的層與具有撓性的板151彼此附接的方法；等。

在本實施方式中，採用日本專利申請公開第2003-174153號公報所揭露的技術，該技術是可以進行400℃以上的加熱處理且可以提高顯示元件的可靠性的製造方法，亦即在玻璃基板等具有剛性的基板上設置剝離層的技術，使得顯示部102可以是能夠顯示高精細度的影像的主動矩陣型顯示裝置。

藉由利用日本專利申請公開第2003-174153號公報所揭露的技術，可以將在活性層中包括多晶矽的電晶體或包括氧化物半導體層的電晶體設置在撓性基板或薄膜上。此外，這些電晶體用作切換元件，並且設置電致發光元件(EL元件)。

EL元件的一般結構中，在一對電極之間設置包括發光有機化合物或無機化合物的層(以下稱為發光層)，且當對元件施加電壓時，電子及電洞從一對電極分開注入及傳輸至發光層。當這些載子(電子及電洞)的重合時，發光有機化合物或無機化合物處於激發態，並且當發光有機化合物或無機化合物返回至基態時發光。

另外，由有機化合物形成的激發態可以是單重激發態和三重激發態的類型，並且將來自單重激發態的發光稱為螢光，將來自三重激發態的發光稱為磷光。

由於這種發光元件通常使用厚度為次微米至幾微米的薄膜形成，因此其大的優勢是可被製造得又薄又輕。另外，上述發光元件具有另一種優點在於，從注入載子到發光的時間之周期至多約為數微秒，所以發光元件的回應速度非常快。再者，因為可在幾伏至幾十伏的直流電壓下獲得足夠的發光，所以耗電量相對較低。

EL元件的視角比液晶元件寬，在顯示區域具有曲面的情況下，顯示部102中的顯示元件較佳為使用EL元件。此外，由於EL元件不需要設置液晶元件所需的背光，所以使降低耗電量變為可能，還可以減少構件個數，總厚度也可以減薄，由此較佳的是使用EL元件作為顯示部102的顯示元件。

注意，在具有撓性的板151上製造顯示元件152的方法不侷限於上述方法(日本專利申請公開第2003-174153號公報)。EL元件的製造方法及材料使用已知的製造方法及已知的材料即可，所以在此省略說明。

用於顯示部102的顯示裝置也可以顯示簡單的單色發光或只顯示數字，因此也可以採用被動矩陣型顯示裝置，此時使用日本專利申請公開第2003-174153號公報所揭露的技術以外的製造方法，在具有撓性的板151上製造顯示元件152即可。

將藉由上述方法獲得的顯示部102附接到蓄電裝置103並使蓄電裝置103與顯示部102彼此電連接。再者，為了改善電子裝置100的外觀品質，也可以將顯示部102以外的部分提供金屬覆蓋物、塑膠覆蓋物、橡膠覆蓋物覆蓋。

在電子裝置100設置有顯示部102的情形中，螢幕尺寸沒有特別的限制。例如，顯示部102的螢幕尺寸可以是板112的尺寸以下。例如，當電子裝置戴在手腕上時，成年人的手腕附近的手腕圍為18cm±5cm，因此螢幕尺寸的最大值為手腕圍23cm×手腕至肘的距離。成年人的手腕至肘的距離為1英尺(30.48cm)以下，因此，例如形成圓筒狀的板112的尺寸的23cm×30.48cm可以說是手臂戴式電子裝置100的顯示部的最大螢幕尺寸。注意，這裡的螢幕尺寸不是指具有曲面的狀態的尺寸，而是指平坦的狀態的螢幕尺寸。也可以將多個顯示部設置在一個電子裝置中，例如也可以採用具有比第一顯示部小的第二顯示部的電子裝置。板112的尺寸較佳為比顯示部的螢幕尺寸大。在使用EL元件的情形中，當螢幕尺寸為能夠配置在支撐結構體上的尺寸時，則顯示面板與FPC的總重量可以為1g以上且小於10g。

設置有顯示部102的電子裝置100的厚度最小的部分可以為5mm以下。電子裝置100的最厚部分的厚度，其為顯示部102與FPC彼此連接的部分，可以將這部分的厚度設定為小於1cm。

此外，可以將電子裝置100的總重量設定為小於100g。

如圖2A等剖面圖所示，當要將電子裝置100戴在手臂上時，藉由在箭頭105的方向上使支撐結構體的一部分移動來可以將電子裝置100戴在手臂上。電子裝置100的總重量小於100g，較佳為50g以下，厚度最大的部分很薄，為1cm以下，由此可以提供實現了輕量化的電子裝置。

例如，在本說明書等中，顯示元件、作為包括顯示元件的裝置的顯示裝置、發光元件以及作為包含發光元件的裝置的發光裝置能夠採用各種模式或者能夠包括各種元件。顯示元件、顯示裝置、發光元件或發光裝置例如具有EL(電致發光)元件(包含有機物及無機物的EL元件、有機EL元件、無機EL元件)、LED(白色LED、紅色LED、綠色LED、藍色LED等)、電晶體(根據電流發光的電晶體)、電子發射元件、液晶元件、電子墨水、電泳元件、柵光閥(GLV)、電漿顯示器(PDP)、利用MEMS(微機電系統)的顯示元件、數位微鏡裝置(DMD)、DMS(數位微快門)、MIRASOL (在日本註冊的商標)、IMOD(干涉調變)元件、快門方式的MEMS顯示元件、光干涉方式的MEMS顯示元件、電濕潤(electrowetting)元件、壓電陶瓷顯示器、使用碳奈米管的顯示元件等中的至少一種。除了上述以外，還可以包括對比度、亮度、反射率、透射率等因電作用或者磁作用而產生變化的顯示媒體。包括EL元件的顯示裝置的例子包括EL顯示器。包括電子發射器的顯示裝置包括場致發射顯示器(FED)或SED方式平面型顯示器(SED：Surface-conduction Electron-emitter Display：表面傳導電子發射顯示器)等。包括液晶元件的顯示裝置的例子包括有液晶顯示器(透射型液晶顯示器、半透射型液晶顯示器、反射型液晶顯示器、直觀型液晶顯示器、投射型液晶顯示器)等。包括電子墨水、電子液態粉末(electronic liquid powder)(在日本的註冊商標)或電泳元件的顯示裝置的一個例子包括電子紙。當要實現半透射型液晶顯示器或反射型液晶顯示器時，使像素電極的一部分或全部具有反射電極的功能。例如，形成像素電極的一部分或全部來包含鋁、銀等。在此情況下，此時也可以將像是SRAM等記憶體電路設置在反射電極下，導致降低耗電量。注意，在使用LED的情況下，也可以在LED電極或氮化物半導體下設置石墨烯或石墨。石墨烯或石墨也可以層疊多個層，而成為多層膜。當藉由此方式設置石墨烯或石墨時，可以容易在其上形成氮化物半導體，例如包括晶體的n型GaN半導體層。還有，也可以在其上設置包括晶體的p型GaN半導體層等來形成LED。注意，也可以在石墨烯或石墨與包括晶體的n型GaN半導體層之間設置AlN層。也可以利用MOCVD形成LED所包括的GaN半導體層。注意，當設置石墨烯時，也可以利用濺射法形成LED所包括的GaN半導體層。

在本發明的一個實施方式的電子裝置中，除了顯示裝置以外，還可以包括其他半導體電路，例如用來防止過充電的控制電路、攝像元件、陀螺儀感測器或加速度感測器等感測器、觸控面板等。另外，可以具備像藉由接觸於身體的一部分測量脈搏、表面溫度、以及血氧濃度等的感測器等。例如，當除了顯示裝置以外還安裝有攝像元件時，可以在顯示裝置上顯示所拍攝的影像。當包括有像是陀螺儀感測器或加速度感測器等感測器時，可以根據臂戴式電子裝置的方向或動作切換導通狀態和關閉狀態來降低耗電量。當包括觸控面板時，並藉由觸摸觸控面板上的預定的位置來可以進行電子裝置的操作或資訊的輸入。在上述結構中，當除了顯示裝置以外還包括有記憶體、CPU時，可以實現可穿戴式電腦。

當本發明的一個實施方式的電子裝置用作臂戴式電子裝置的顯示部連同習知的可攜式資訊終端的顯示部時，本發明的一個實施方式的電子裝置可以用作子顯示器。

本實施方式可以與其他實施方式之任一者適當地組合來建置。

實施方式2

在本實施方式中，示出可以適用於本發明的一個實施方式的電子裝置的顯示裝置的一個例子。

[顯示裝置的俯視圖]

圖20是顯示裝置的一個例子的俯視圖。圖20所示的顯示裝置700包括：設置在第一基板701上的像素部702；設置在第一基板701上的源極驅動電路部704及閘極驅動電路部706；以圍繞像素部702、源極驅動電路部704及閘極驅動電路部706的方式設置的密封材料712；以及以與第一基板701面對的方式設置的第二基板705。由密封材料712密封第一基板701及第二基板705。也就是說，像素部702、源極驅動電路部704及閘極驅動電路部706被第一基板701、密封材料712及第二基板705密封。雖然在圖20中未圖示，但是在第一基板701與第二基板705之間設置有顯示元件。

在顯示裝置700中，與像素部702、源極驅動電路部704及閘極驅動電路部706電連接的FPC(Flexible printed circuit：撓性印刷電路)端子部708設置在不同於由密封材料712圍繞且在第一基板701之上的區域中。另外，FPC端子部708連接於FPC716，並且透過FPC716對像素部702、源極驅動電路部704及閘極驅動電路部706供應各種信號等。另外，像素部702、源極驅動電路部704、閘極驅動電路部706以及FPC端子部708與信號線710連接。由FPC716供應的各種信號等經由信號線710供應到像素部702、源極驅動電路部704、閘極驅動電路部706以及FPC端子部708。

也可以在顯示裝置700中設置多個閘極驅動電路部706。示出顯示裝置700的例子，在其中源極驅動電路部704及閘極驅動電路部706形成在也形成有像素部702的第一基板701上，但是並不侷限於該結構。例如，可以只將閘極驅動電路部706形成在第一基板701上，或者可以只將源極驅動電路部704形成在第一基板701上。此時，也可以採用將形成有源極驅動電路或閘極驅動電路等的基板(例如，由單晶半導體膜、多晶半導體膜形成的驅動電路基板)安裝於第一基板701的結構。注意，對另行形成的驅動電路基板的連接方法沒有特別的限制，而可以採用COG(Chip On Glass：晶粒玻璃接合)方法、打線接合方法等。

顯示裝置700所包括的像素部702、源極驅動電路部704及閘極驅動電路部706包括佈線部或多個電晶體，作為佈線部或多個電晶體可以適用本發明的一個實施方式的半導體裝置。

顯示裝置700可以包括各種元件。該元件例子包括使用液晶元件、EL(電致發光)元件(包含有機物和無機物的EL元件、有機EL元件或無機EL元件)、LED(白色LED、紅色LED、綠色LED、藍色LED 等)、電晶體(根據電流而發光的電晶體)、電子發射元件、電子墨水、電泳元件、GLV、PDP、使用MEMS的顯示元件、DMD、DMS、MIRASOL(在日本註冊的註冊商標)、IMOD(干涉測量調節)元件、快門方式的MEMS顯示元件、光干涉方式的MEMS顯示元件、電潤濕元件、壓電陶瓷顯示器或使用碳奈米管的顯示元件等藉由電作用或磁作用改變對比度、亮度、反射率、透射率等而發生變化的顯示媒體。

作為顯示裝置700的顯示方式，可以採用逐行掃描方式或隔行掃描方式等。另外，作為當進行彩色顯示時在像素中控制的顏色要素，不侷限於RGB(R表示紅色，G表示綠色，B表示藍色)這三種顏色。例如，可以由R像素、G像素、B像素及W(白色)像素的四個像素構成。或者，如PenTile排列，也可以由RGB中的兩個顏色構成一個顏色要素，並根據顏色要素選擇不同的兩個顏色來構成。或者可以對RGB追加黃色(yellow)、青色(cyan)、洋紅色(magenta)等中的一種以上的顏色。另外，各個顏色要素的點的顯示區域的大小可以不同。但是，所揭露的發明不侷限於彩色顯示的顯示裝置，而也可以應用於黑白顯示的顯示裝置。

為了將白色光(W)用於背光(有機EL元件、無機EL元件、LED、螢光燈等)使顯示裝置進行全彩色顯示，也可以使用彩色層(也稱為濾光片)。至於彩色層，例如可以適當地組合紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)、黃色(Y)等而使用。藉由使用彩色層，可以獲得與不使用彩色層的情況相比較高的顏色再現性。此時，也可以藉由設置具有彩色層的區域和不具有彩色層的區域，將不具有彩色層的區域中的白色光直接用於顯示。藉由部分地設置不具有彩色層的區域，在顯示明亮的影像時，可以抑制彩色層所引起的亮度降低而減少耗電量兩成至三成左右。注意，在使用像是有機EL元件或無機EL元件等自發光元件進行全彩色顯示時，元件可以發射他們分別的顏色R、G、B、Y及白色(W)的光。藉由使用自發光元件，有時與使用彩色層的情況相比進一步減少耗電量。

在本實施方式中，參考圖21及圖24說明作為顯示元件使用液晶元件及EL元件的結構。注意，圖21是沿著圖20所示的點劃線Q-R的剖面圖，且示出包括作為顯示元件之液晶元件的結構。然而，圖24是沿著圖20所示的點劃線Q-R的剖面圖，包括作為顯示元件使用EL元件的結構。

下面，首先說明圖21與圖24所示的共同部分，接著說明不同的部分。

[顯示裝置的共同部分]

圖21及圖24所示的顯示裝置700包括：引線配線部711；像素部702；源極驅動電路部704；以及FPC端子部708。引線配線部711包括信號線710。像素部702包括電晶體750及電容器790(電容器790a或電容器790b)。源極驅動電路部704包括電晶體752。

信號線710在與用作電晶體750、電晶體752的源極電極及汲極電極的導電膜同一的製程中形成。注意，信號線710也可以使用在與用作電晶體750或電晶體752的源極電極及汲極電極的導電膜不同的製程中形成的導電膜，諸如使用用作閘極電極的導電膜。作為信號線710，例如，當使用包含銅元素的材料時，起因於佈線電阻的信號延遲等較少，而可以實現大螢幕的顯示。

可以使用各種電晶體作為電晶體750及電晶體752。電晶體750及電晶體752包括閘極電極721、半導體層722、一對電極723及電極724。在半導體層722和閘極電極721之間設置有絕緣膜。

在顯示裝置700中，像是電晶體750或電晶體752等電晶體的結構沒有特別的限制。例如，可以採用交錯型電晶體或反交錯型電晶體。可以使用頂閘極型或底閘極型的電晶體結構。對於用於電晶體的半導體材料沒有特別的限制，例如可以舉出矽、鍺、碳化矽、氮化鎵等。或者，也可以使用包含銦、鎵和鋅中的至少一個的氧化物半導體諸如In-Ga-Zn類金屬氧化物等。

對用於電晶體的半導體材料的結晶性也沒有特別的限制，可以使用非晶半導體或結晶半導體(微晶半導體、多晶半導體、單晶半導體或其一部分具有結晶區域的半導體)。當使用結晶半導體時可以抑制電晶體的特性劣化，所以是較佳的。

在此，較佳為將氧化物半導體用於在像素、驅動電路或觸控感測器等中使用的電晶體等半導體裝置。尤其較佳為使用具有能帶間隙比矽寬的氧化物半導體。使用具有能帶間隙比矽寬且載子密度比矽小的半導體材料，可以降低電晶體的關態電流(off-state current)，所以是較佳的。

例如，上述氧化物半導體較佳為至少包含銦(In)或鋅(Zn)。更佳的是，氧化物半導體包含以In-M-Zn類氧化物(M是Al、Ti、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce或Hf等金屬)表示的氧化物。

至於半導體層，尤其較佳為使用如下氧化物半導體膜：包括多個結晶部，該結晶部的c軸配向垂直於形成有半導體層的表面或半導體層的頂面的方向，並且在其中相鄰的結晶部沒有晶界的氧化物半導體膜。

這種氧化物半導體因為不具有晶界，所以抑制使顯示面板彎曲時的應力導致在氧化物半導體膜中產生裂縫的情況。因此，可以將這種氧化物半導體用於在彎曲狀態下而使用的撓性顯示面板等。

使用用於半導體層的這種材料，可以實現一種電特性變動得到抑制且可靠性高的電晶體。

由於其關態電流較低，因此能夠長期間保持經過電晶體而儲存於電容器中的電荷。當將這種電晶體用於像素時，能夠在保持各顯示區域所顯示的影像的灰階下進行停止驅動電路的操作。其結果是，可以實現耗電量極小的電子裝置。

為了實現電晶體的特性穩定化等，較佳為設置基底膜。可以使用氧化矽膜、氮化矽膜、氧氮化矽膜、氮氧化矽膜等無機絕緣膜並以單層或疊層製造形成基底膜。基底膜可以藉由濺射法、CVD(Chemical Vapor Deposition：化學氣相沉積)法(電漿CVD法、熱CVD法、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金屬化學氣相沉積)法等)或ALD(Atomic Layer Deposition：原子層沉積)法、塗佈法、印刷法等形成。注意，基底膜並非必要設置。

FPC端子部708包括連接電極760、異方性導電膜780及FPC716。注意，連接電極760透過與用作電晶體750、電晶體752的源極電極及汲極電極的導電膜同一的製程中形成。連接電極760與FPC716所包括的端子透過異向性導電膜780電連接。

例如可以使用玻璃基板作為第一基板701及第二基板705。至於玻璃基板，也可以使用具有曲面的玻璃基板。

也可以使用具有撓性的基板作為第一基板701及第二基板705。該具有撓性的基板的例子包括塑膠基板。具有撓性的基板可以附接到板。

可以使用具有撓性的基板製造具有撓性的顯示裝置。當顯示裝置具有撓性時，可以將該顯示裝置附接到曲面或不規則形狀上，因而實現各種各樣的用途。

例如，使用像是塑膠基板等具有撓性的基板，因而顯示裝置可以薄膜化及輕量化。此外，使用像是塑膠基板等具有撓性的基板的顯示裝置不容易破壞，例如可以相當地耐受對掉落時的衝擊。

另外，在第二基板705側設置用作黑矩陣的遮光膜738、用作濾色片的彩色膜736、接觸於遮光膜738和彩色膜736的絕緣膜734。

在第一基板701與第二基板705之間設置有結構體778。結構體778是藉由選擇性地對絕緣膜進行蝕刻而得到的柱狀的間隔物，且設置來控制第一基板701與第二基板705之間的距離(液晶盒厚(cell gap))。注意，也可以使用球狀的間隔物作為結構體778。在圖21中示出結構體778可設置在第二基板705側的例子，但是本發明的實施方式不侷限於此。例如，如圖24所示，也可以在第一基板701側上設置結構體778或者在第一基板701和第二基板705的兩者上設置有結構體778。

在圖21及圖24中，在電晶體750、電晶體752和電容器790上設置絕緣膜764、絕緣膜766、絕緣膜768。

顯示裝置700也可以包括保護膜799。較佳為均勻地形成保護膜799。較佳為使用ALD法作為保護膜799的形成方法的例子。保護膜799例如具有可以保護顯示元件或電晶體的功能。像是保護膜799等保護膜例如可具有其他功能。因此，可將像是保護膜799等保護膜簡單地稱為膜。例如，將保護膜799等保護膜稱為第一膜、第二膜等。

在對於電晶體750或電晶體752的半導體層使用氧化物半導體的情況下，具有阻擋氧、氫、水等的效果的絕緣膜設置為絕緣膜768，因為可以防止氧從電晶體750或電晶體752所包括的半導體層擴散到外部，且防止氫、水等從外部進入半導體層中，所以是較佳的。絕緣膜768也可以被用作保護膜。

例如，可以使用包含氧化鋁、氧化鎂、氧化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、氮化矽、氧化鎵、氧化鍺、氧化釔、氧化鋯、氧化鑭、氧化釹、氧化鉿及氧化鉭中的一種以上的絕緣膜形成絕緣膜768。絕緣膜768也可以是上述材料的疊層。另外，絕緣膜768也可以包含鑭(La)、氮、鋯(Zr)等作為雜質。

[使用液晶元件作為顯示元件的顯示裝置的結構例子]

圖21所示的顯示裝置700包括電容器790a。電容器790a具有在一對電極間設置有介電質的結構。

此外，圖21所示的顯示裝置700包括液晶元件775。液晶元件775包括導電膜772、導電膜774及液晶層776。導電膜774設置在第二基板705側並被用作相對電極。圖21所示的顯示裝置700可以取決於由施加到導電膜772及導電膜774間的電壓改變液晶層776的配向狀態，由此控制光的透過及非透過的這類方式而能夠顯示影像。

導電膜772連接到電晶體750所包括的被用作源極電極及汲極電極的導電膜。導電膜772形成在絕緣膜768上並被用作像素電極，亦即顯示元件的一個電極。

作為導電膜772，可使用像是銦錫氧化物、包含氧化鎢的銦氧化物、包含氧化鎢的銦鋅氧化物、包含氧化鈦的銦氧化物、包含氧化鈦的銦錫氧化物、銦鋅氧化物、添加有氧化矽的銦錫氧化物等透光導電材料來形成。

雖然在圖21中未圖示，但是也可以分別在導電膜772、導電膜774與液晶層776接觸的一側設置配向膜。雖然在圖21中未圖示，但是也可以適當地設置像是偏振光構件、相位差構件、抗反射構件等光學構件(光學基板)等。例如，也可以藉由利用偏振光基板及相位差基板來採用圓偏振光。此外，也可以使用背光、側光等作為光源。

在使用液晶元件作為顯示元件的情況下，可以使用熱致液晶、低分子液晶、高分子液晶、聚合物分散型液晶、鐵電液晶、反鐵電液晶等。這些液晶材料根據條件呈現出膽固醇相、層列相、立方相、掌性向列相、均質相等。

或者，在採用橫向電場模式的情況下，也可以使用不使用配向膜的呈現藍相的液晶。藍相是液晶相的一種，是指當使膽固醇型液晶的溫度上升時即將從膽固醇相轉變到均質相之前產生的相。因為藍相只在較窄的溫度範圍內出現，所以將其中混合了幾wt%以上的掌性試劑的液晶組合物用於液晶層，以為了改善溫度範圍。包含呈現藍相的液晶和掌性試劑的液晶組成物具有短的回應時間，並且其具有光學各向同性，因此不需要配向處理，且降低視角依賴性。不需要設置配向膜因而不需要摩擦處理，據此可以防止由於摩擦處理而引起的靜電破壞，由此可以降低製程中的液晶顯示裝置的不良和破損。

當使用液晶元件作為顯示元件時，可以使用：TN(Twisted Nematic：扭曲向列)模式、IPS(In-Plane-Switching：平面內切換)模式、FFS(Fringe Field Switching：邊緣電場切換)模式、ASM(Axially Symmetric aligned Micro-cell：軸對稱排列微單元)模式、OCB(Optical Compensated Birefringence：光學補償彎曲)模式、FLC(Ferroelectric Liquid Crystal：鐵電性液晶)模式以及AFLC(Anti Ferroelectric Liquid Crystal：反鐵電性液晶)模式等。

另外，也可以使用常黑型液晶顯示裝置，例如採用垂直配向(VA)模式的透過型液晶顯示裝置。可以舉出幾個垂直配向模式例子，例如可以使用MVA(Multi-Domain Vertical Alignment：多象限垂直配向)模式、PVA(Patterned Vertical Alignment：垂直配向構型)模式、ASV(Advanced Super View：高級超視覺)模式等。

顯示裝置700也可以包括保護膜799。圖22及圖23各示出顯示裝置700包括保護膜799的例子。在圖23所示的例子中，密封材料的端部有凹處。於此說明保護膜799的形成方法。首先，使用密封材料712將設置有電晶體等的第一基板701和設置有彩色膜736等的第二基板705彼此附接。接著，使用ALD法形成保護膜799。注意，藉由掩蔽可以防止保護膜799的形成在對於與異方性導電膜780的連接部等。

ALD法可以對於形成面極均勻地、緻密地進行成膜。利用ALD法例如可以使用如下材料形成保護膜：氧化鋁、氧化鉿、氧化鋯、氧化鈦、氧化鋅、氧化銦、氧化錫、氧化錫銦(ITO)、氧化鉭、氧化矽、氧化錳、氧化鎳、氧化鉺、氧化鈷、氧化碲、鈦酸鋇、氮化鈦、氮化鉭、氮化鋁、氮化鎢、氮化鈷、氮化錳、氮化鉿等。另外，保護膜不侷限為絕緣膜，也可以沉積導電膜。例如，可以沉積釕、鉑、鎳、鈷、錳、銅等形成膜。

當藉由ALD法在顯示面板的側面部形成的保護膜799時，可以抑制水分等外部成分的進入。其結果是，可以抑制電晶體特性的變動，可以使週邊電路的操作穩定。再者，可以降低邊框尺寸，擴大像素區域，進而增加顯示裝置的解析度。

藉由使用保護膜799，即使縮短週邊電路的端部和基板端部的距離，也可獲得穩定的電晶體特性，亦即由於保護膜799的高阻擋性，所以週邊電路的操作穩定，因此可以使顯示面板的邊框變窄。例如，可以將從週邊電路到基板端部(面板加工時的截斷部)的距離設定為300μm或更短，較佳為200μm或更短。或者，顯示面板的端部可具有也可以是如圖23所示的具有凹凸的形狀的結構。

[使用發光元件的顯示裝置作為顯示元件]

圖24所示的顯示裝置700具有電容器790b。電容器790b採用在一對電極間具有介電質的結構。更詳細地說，透過用作電晶體750的閘極電極的導電膜相同的製程而形成的導電膜被使用為電容器790b的一個電極，而用作電晶體750的源極電極或汲極電極的導電膜被使用為電容器790b的另一個電極。另外，用作電晶體750的閘極絕緣膜的絕緣膜被使用為該對電極之間的介電質。

另外，在圖24中，在絕緣膜768上設置有平坦化絕緣膜770。

平坦化絕緣膜770可以使用具有耐熱性的有機材料如聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺醯胺樹脂、苯并環丁烯類樹脂、聚醯胺樹脂、環氧樹脂等形成。注意，也可以藉由層疊多個由這些材料形成的絕緣膜，形成平坦化絕緣膜770。或者，如圖21所示，也可以採用不設置平坦化絕緣膜770的結構。

圖24所示的顯示裝置700包括發光元件782。發光元件782包括導電膜784、EL層786及導電膜 788。在圖24所示的顯示裝置700中，藉由使發光元件782所包括的EL層786發光，可以顯示影像。

導電膜784與用作電晶體750所包括的源極電極及汲極電極的導電膜連接。導電膜784形成在平坦化絕緣膜770上來被用作像素電極，亦即顯示元件的一個電極。透射可見光的導電膜或反射可見光的導電膜可以使用作為導電膜784。例如，較佳為使用包含選自銦(In)、鋅(Zn)、錫(Sn)中的一種的材料用於透射可見光的導電膜。例如，較佳為使用包含鋁或銀的材料用於反射可見光的導電膜。

在圖24所示的顯示裝置700中，在平坦化絕緣膜770及導電膜784上設置有絕緣膜730。絕緣膜730覆蓋導電膜784的一部分。注意，發光元件782採用頂部發射結構。因此，導電膜788具有透光性且透射從EL層786發射的光。雖然在本實施方式中例示出頂部發射結構，但是本發明的一實施方式不侷限於此。例如，也可以應用於向導電膜784側發射光的底部發射結構或向導電膜784側及導電膜788側的兩者發射光的雙面發射結構。

另外，在與發光元件782重疊的位置上設置有彩色膜736，並在與絕緣膜730重疊的位置、引線配線部711及源極驅動電路部704中設置有遮光膜738。彩色膜736及遮光膜738使用絕緣膜734覆蓋。在發光元件782與絕緣膜734之間的空間填充密封膜732。雖然例示出在圖24所示的顯示裝置700中設置彩色膜736的結構，但是本發明的一實施方式並不侷限於此。例如，在藉由分離塗色法來形成EL層786時，也可以採用不設置彩色膜736的結構。

如圖25所示，顯示裝置700也可以包括保護膜799。當藉由ALD法在顯示面板的側面部形成保護膜799時，可以抑制水分等外部成分的進入。尤其是，當作為EL層786使用有機EL層時，由於抑制水分的進入可以抑制EL層的劣化，且可以延長發光元件的使用壽命，所以是較佳的。

例如，可以在附接設置有電晶體和發光元件等的第一基板701與第二基板705之後，形成保護膜799。

本實施方式可以與其他實施方式適當地組合而使用。

實施方式3

在本實施方式中，將示出藉由無線供電對蓄電裝置進行充電的方法的例子。對於無線供電可以利用電場、磁場、電磁波等。可以使用天線及線圈等接受電場、磁場、電磁波等。

本發明的一個實施方式的電子裝置較佳為包括天線、線圈等以接收電場、磁場、以及電磁波等。另外，本發明的一個實施方式的電子裝置較佳為包括用來充電的電容器。

當使用耦合線圈及耦合電容器時，可以以非接觸的方式對蓄電裝置進行充電。另外，可以將耦合線圈換成天線。在此，示出作為蓄電裝置使用二次電池的例子。藉由利用在初級線圈中產生的交流磁場而在次級線圈中產生電壓的電磁感應法使充電器的初級線圈與電子裝置的次級線圈磁耦合方式，非接觸地將電力傳輸到次級線圈側。由於此種機制，將二次電池充電。由於較佳為以與結構體的曲面接觸的方式設置線圈，所以較佳為也將電子裝置的線圈設置在具有撓性的薄膜上。在此，也可以將電子裝置中的線圈用作天線。

可在包括顯示模組的臂戴式電子裝置的二次電池中設置天線以為了非接觸的方式對二次電池充電，可另外設置記憶體而設置致能收發電子資料的功能的天線；或者藉由取得位置資訊或GPS時間而設置使用GPS功能使能顯示位置資訊或時間的功能的天線。

由於電子裝置是要與身體的一部分接觸，所以出於安全起見較佳為不露出對二次電池進行充電或放電的輸入輸出端子。在輸入輸出端子露出的情況下，則有像是雨的水而使輸入輸出端子發生短路或者使輸入輸出端子與身體接觸而導致觸電。藉由使用天線可以實現其輸入輸出端子不露出在電子裝置的表面上的結構。

注意，由於本實施例除了設置天線、線圈以及無線供電轉換器以外的結構與實施方式1相同，所以在此省略其他詳細說明。

根據實施方式1，固定至板上蓄電裝置，亦即在此為二次電池，顯示模組附接到二次電池。二次電池較佳為具有彎曲形狀。此外，二次電池較佳為具有撓性。設置與二次電池電連接的無線供電轉換器及天線。使無線供電轉換器固定以使得與顯示部的一部分重疊。

無線供電轉換器和天線的重量為10g以下，總重量可以為與實施方式1差不多的重量。

圖12示出具有天線(未圖示)的電子裝置400及充電器401的示意圖。當在充電器401上配置電子裝置400時，從充電器401的天線向電子裝置400供應電力，可以對電子裝置400的二次電池充電。

直到充滿電的量或到充滿電需要多久等的資訊可以顯示在電子裝置400的顯示部上。

本實施方式可以與其他實施方式自由地組合。

實施方式4

在本實施方式中，對實施方式1所示的薄型蓄電池的製造方法及硬幣型蓄電池的結構的例子進行說明。

[薄型二次電池的製造方法]

對實施方式1所示包括薄膜的外包裝體的薄型二次電池的製造方法進行說明。圖10為薄型二次電池的外觀圖。圖11A示出沿著圖10中的點劃線A1-A2切斷的剖面，且圖11B示出沿著圖10中的點劃線B1-B2切斷的剖面。

對薄型二次電池的製造方法進行說明。

較佳為將隔離體207形成以具有袋狀，並以包圍正極203和負極206中一個。例如，如圖13A所示，以夾住正極203的方式將隔離體207對折，使用密封部514在與正極203重疊的區域的外側進行密封，因此可以將正極203確實地支撐在隔離體207內。然後，如圖13B所示，較佳為交替層疊被隔離體207包圍的正極203和負極206並將它們配置在外包裝體209內，來形成薄型二次電池。

圖14B示出將集電器銲錫到引線電極的例子。作為例子，示出將正極集電器201銲錫到正極引線電極510的例子。藉由超音波銲錫等在銲錫區域512中將正極集電器201銲錫到正極引線電極510。由於正極集電器201包括圖14B所示的彎曲部513，因此可能緩解在製造薄型二次電池之後因從外部施加的力量而產生的應力，從而提高薄型二次電池的可靠性。

在圖13A和圖13B、圖14A及圖14B所示的薄型二次電池中，藉由超音波銲錫將正極引線電極510與正極203所包括的正極集電器201銲錫在一起，並且將負極引線電極511與負極206所包括的負極集電器204銲錫在一起。正極集電器201及負極集電器204也可以兼作與外部電接觸的端子。此時，也可以不使用引線電極而將正極集電器201及負極集電器204以其一部分露出在外包裝體209外側的方式配置。

另外，在圖10中，將正極引線電極510及負極引線電極511配置在同一邊上，但是如圖15所示，也可以將正極引線電極510及負極引線電極511配置在不同的邊上。可以自由地配置在本發明的一個實施方式的蓄電池中的引線電極，因此其設計彈性高。據此，包括本發明的一個實施方式的蓄電池的產品可以具有高度的設計彈性。另外，可以增加各包括本發明的一個實施方式的蓄電池的產品的生產率。

至於在薄型蓄電池中的外包裝體209，例如可以使用具有下三層結構的薄膜：在由聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、離子聚合物、聚醯胺等材料構成的膜上設置鋁、不鏽鋼、銅、鎳等撓性高的金屬薄膜，並且在該金屬薄膜上作為外包裝體的外表面設置聚醯胺類樹脂、聚酯類樹脂等絕緣性合成樹脂薄膜。

在圖11A及圖11B中的例子包括五組正電極活性材料層和負電極活性材料層的組合(各組中的正電極及負電極活性材料層設定使用設置於其之間的隔離體彼些面對)，活性材料層的組合數目當然不侷限於五組，既可以多於五組又可以少於五組。當使用活性材料層數較多時，可以具有高容量的蓄電池。相反的，當使用活性材料層數較少時，可以具有薄型且撓性高的蓄電池。

在上述結構中，二次電池的外包裝體209可以在曲率半徑為30mm以上，較佳為曲率半徑為10mm以上的範圍內改變其形狀。一片或二片薄膜被使用為二次電池的外包裝體，在二次電池具有疊層結構的情況下，當彎曲時二次電池具有夾在薄膜的兩個曲面間的剖面。

參照圖16A至圖16C說明面的曲率半徑。在圖16A中，在曲面1700沿著其而截斷的平面1701上，使曲面1700的曲線1702的一部分近似圓弧，將該圓的半徑作為曲率半徑1703，將圓中心作為曲率中心1704。圖16B示出曲面1700的俯視圖。圖16C示出隨著平面1701截斷曲面1700時的剖面圖。當由平面截斷曲面時，出現在剖面上的曲線的曲率半徑根據平面對曲面的角度或截斷位置而不同，但是在本說明書等中，將最小的曲率半徑定義為面的曲率半徑。

在包括作為外包裝體的兩片薄膜夾著電極及電解液等的組件1805的二次電池彎曲的情況下，較近於二次電池的曲率中心1800一側的薄膜1801的曲率半徑1802比較遠於曲率中心1800一側的薄膜1803的曲率半徑1804小(圖17A)。當使二次電池彎曲使其剖面呈圓弧形時，離曲率中心1800較近一側的薄膜表面受到壓縮應力，離曲率中心1800較遠一側的薄膜表面受到拉伸應力(圖17B)。然而，藉由在外包裝體的表面形成包括凹部或凸部的圖案時，當被施加壓縮應力或拉伸應力時，能夠將應變的影響降低到允許範圍內。因此，二次電池可以改變其形狀，使得在離曲率中心較近側的外包裝體具有曲率半徑為30mm以上，較佳為10mm以上。

注意，二次電池的剖面形狀不侷限於簡單的圓弧狀，也可以為其一部分呈圓弧的形狀，例如可以使用圖17C所示的形狀、波狀(圖17D)、S字形狀等。當二次電池的曲面為具有多個曲率中心的形狀時，二次電池可以改變其形狀，使得相對多個曲率中心的曲率半徑中曲率半徑最小的曲面中，其為離曲率中心較近的外包裝體的表面，具有的曲率半徑為30mm以上，較佳為10mm以上。

接著，對製造二次電池之後進行的老化製程進行說明。較佳為在製造二次電池之後進行老化製程。舉例來說，老化製程可以在下面條件下進行。首先，以0.001C以上且0.2C以下的速率進行充電。將溫度例如設定為室溫以上且40℃以下即可。如果發生電解液的分解並產生氣體，而且在室內充滿該氣體，則會出現電解液不能與電極表面接觸的某些區域。就是說，電極的實效反應面積減小，實效的電流密度增高。

在電流密度過高時，跟著電極的電阻發生電壓降低，鋰在嵌入活性物質的同時也在活性材料表面進行鋰沉積。該鋰沉積有時導致容量的降低。例如，在鋰沉積之後，如果塗膜等在表面上成長時，在表面沉積的鋰不能溶解，而產生無助於容量的鋰。此外，在所析出的鋰物理性地崩潰而不與電極導通時，同樣地產生無助於容量的鋰。因此，較佳為在因電壓降低而電極的電位到達鋰電位之前進行脫氣。

在進行脫氣之後，也可以將充電狀態在高於室溫，較佳為30℃以上且60℃以下、更佳為35℃以上且60℃以下的溫度下保持例如1小時以上且100小時以下。在初次進行充電時，在表面分解的電解液形成塗膜。例如當在進行脫氣之後在高於室溫的溫度下保持充電狀態時，有可能使所形成的塗膜緻密化。

在此，在使薄型蓄電池彎曲時，較佳為在進行該脫氣之後使其彎曲。藉由在進行脫氣之後使薄型蓄電池彎曲，可以防止例如在由於彎曲被施加應力的區域中發生鋰沉積。

[硬幣型蓄電池]

接著，作為蓄電裝置的一個例子，參照圖18A和圖18B說明硬幣型蓄電池的一個例子。圖18A是硬幣型(單層扁平型)蓄電池的外觀圖，圖18B是其剖面圖。

在硬幣型蓄電池300中，兼用作正電極端子的正電極罐301和兼用作負電極端子的負電極罐302由使用聚丙烯等形成的墊片303彼此絕緣並密封。另外，負極307包括負極集電器308和以與負極集電器308接觸的方式設置的負極活性物質層309。負電極活性物質層309包含實施方式1所示的負極活性物質。對於負極307，較佳為使用實施方式2所示的負電極。

正電極304包括正電極集電器305和以與正電極集電器305接觸的方式設置的正極活性物質層306。關於正電極活性材料層306，可以參照正電極活性材料層202的記載。關於隔離體310，參照隔離體207的記載即可。關於電解液，參照電解液208的記載即可。

注意，用於硬幣型蓄電池300的正電極304及負電極307中的每一個僅有一面設置有活性材料層。

對於正極罐301、負極罐302，可以使用對電解液具有抗腐蝕性的鎳、鋁及鈦等金屬、以及這些金屬的合金，或這些金屬與其他金屬的合金(例如，不鏽鋼)。或者，為了防止因電解液而引起的腐蝕，正電極罐301和負電極罐302較佳為被鎳或鋁等覆蓋。正電極罐301與正電極304電連接，負電極罐302與負電極307電連接。

將這些負極307、正極304及隔離體310浸漬到電解質中，接著如圖18B所示，將正極罐301設置在下方，並依次層疊正極304、隔離體310、負極307、負極罐302，使墊片303介於正極罐301與負極罐302之間並進行壓合，由此製造硬幣型蓄電池300。

本實施方式可以與其他實施方式自由地組合來建置。

實施方式5

在本實施方式中，說明可以在製造本發明的一個實施方式的顯示裝置時使用的沉積方法及沉積設備。

《CVD成膜和ALD成膜》

習知的利用CVD法的沉積装置在進行沉積時將一種或多種用於反應的源氣體(前驅物(precursor))同時供應到處理室。在利用ALD法的沉積装置中，將用於反應的前驅物依次引入處理室，並且，按該順序反復地引入氣體，由此進行成膜。例如，藉由切換各開關閥(也稱為高速閥)來將兩種以上的前驅物依次供應到處理室內。例如，引入第一前驅物，為了防止多種前驅物混合，在引入第一前驅物之後引入惰性氣體(氬或氮等)等，然後引入第二前驅物。或者，也可以利用真空抽氣將第一前驅物排出來代替引入惰性氣體，然後引入第二前驅物。

圖27A至圖27D示出ALD法的沉積過程。第一前驅物601附著到基板表面(參照圖27A)，由此形成第一單層(參照圖27B)。此時，前驅物所包含的金屬原子等可以與存在於基板表面上的羥基鍵合。金屬原子也可以與甲基、乙基等烷基鍵合。該第一單層與在排氣第一前驅物601之後引入的第二前驅物602起反應(參照圖27C)，由此第二單層層疊在第一單層上因而形成薄膜(參照圖27D)。例如，在第二前驅物包含氧化劑時，包括於第一前驅物中的金屬原子或與金屬原子鍵合的烷基、與氧化劑起化學反應，而可以形成氧化膜。

ALD法是基於表面化學反應的沉積方法，藉由此方法前驅物附著於表面，被自終止機構(self-terminating mechanism)停止附著，由此形成一個層。例如，像是三甲基鋁等前驅物與該存在於表面上的羥基 (OH基)起反應。此時，只發生熱所引起的表面反應，因此前驅物進入來與該表面接觸，前驅物中的金屬原子等可以藉由熱能量附著於該被成膜表面。前驅物有如下特徵：具有高蒸汽壓；在沉積之前在熱上穩定而不分解；以及對基板的化學附著速度較快等。因為前驅物在氣體狀態下被引入，所以在具有交替引入的第一前驅物和第二前驅物充分擴散的時間時，即使在具有縱橫比高的凹凸的區域中也可以高覆蓋率地進行成膜。

在ALD法中，重複氣體引入順序多次直到獲得所希望的厚度為止，可以良好的步階覆蓋性形成薄膜。由於薄膜的厚度可以根據氣體引入的重複次數來進行調節，所以ALD法可以準確地調節厚度。藉由改善排氣能力，可以增加沉積速度，並且可以降低膜中的雜質濃度。

ALD法具有使用加熱的ALD法(熱ALD法)及使用電漿的ALD法(電漿ALD法)。在熱ALD法中，使用熱能量使前驅物起反應，而在電漿ALD法中，是在自由基的狀態下使前驅物起反應。

ALD法可以準確地形成極薄的膜。此外，用膜對凹凸的面的覆蓋率及該膜的膜密度是高的。

另外，在熱ALD法中不會引起電漿損傷，因此可以抑制在膜中產生缺陷。

《電漿ALD》

或者，當利用電漿ALD法時，可以以比當使用熱量的ALD法(熱ALD法)時更低的溫度進行成膜。例如，電漿ALD法即使在100℃以下也能夠進行成膜而不降低沉積速度。另外，在電漿ALD法中，可以由電漿形成N₂自由基，因此可以形成氮化物膜及氧化物膜。

此外，在電漿ALD法可以提高氧化劑的氧化性。由此，在利用ALD形成膜時，可以減少殘留在膜中的前驅物或從前驅物脫離的有機成分，並且可以減少膜中的碳、氯、氫等，所以可以形成雜質濃度低的膜。

另外，當將發光元件(有機EL元件等)用於顯示元件時，當製程溫度高時，則有可能加速發光元件的劣化。在此，使用利用電漿ALD法，可以降低製程溫度，因此可以抑制發光元件的劣化。

當進行電漿ALD時，為了使自由基種生成，使用ICP(Inductively Coupled Plasma：電感耦合電漿)。由此可以在離開基板的狀態下生成電漿，從而抑制對於基板或其表面形成有ALD膜的膜的電漿損傷。

如上述，利用電漿ALD法，與其他沉積方法相比，可以降低製程溫度，並且增加表面的覆蓋率，由此可以在製造顯示面板後在基板的側面部形成電漿ALD膜。由此可以抑制水從外部進入。因此，在面板的端部週邊電路的驅動操作的可靠性得到改善(電晶體特性的可靠性得到改善)，所以即使在採用邊框窄的情況，也可以實現穩定的操作。

接著，參照圖28對作為可以在製造本發明的一個實施方式的顯示裝置時使用的沉積設備的沉積設備ALD的一個例子進行說明。

[沉積設備ALD的結構例子]

圖28是說明對於在製造本發明的一個實施方式的顯示模組時使用的沉積設備ALD的剖面圖。在本實施方式中說明的沉積設備ALD包括沉積室180、與沉積室180連接的控制部182。

控制部182包括提供控制信號的控制單元(未圖示)以及被提供控制信號的流量控制器182a、流量控制器182b及流量控制器182c。例如，可以將高速閥用於流量控制器。明確而言，藉由使用ALD用閥等可以精密地控制流量。控制部182還包括控制流量控制器及管道溫度的加熱機構182h。

向流量控制器182a供應控制信號、第一原料及惰性氣體，並具有根據控制信號供應第一原料或惰性氣體的功能。

向流量控制器182b供應控制信號、第二原料及惰性氣體，並具有根據控制信號供應第二原料或惰性氣體的功能。

向流量控制器182c供應控制信號，並具有根據控制信號連接到排氣單元185的功能。

《原料供應部》

原料供應部181a具有供應第一原料的功能，並與流量控制器182a連接。

原料供應部181b具有供應第二原料的功能，並與流量控制器182b連接。

可以將汽化器或加熱單元等用於各個原料供應部。由此，可以由固體原料或液體原料生成氣體原料。

注意，原料供應部的數目不侷限於兩個，也可以具有三個以上的原料供應部。

《原料》

第一原料可以使用各種物質之任一者。

例如，可以將揮發性有機金屬化合物、揮發性金屬醇鹽等用於第一原料。

可以將與第一原料起反應的各種物質之任一者用於第二原料。例如，可以將有助於氧化反應的物質、有助於還原反應的物質、有助於加成反應的物質、有助於分解反應的物質或有助於加水分解反應的物質等用於第二原料。

另外，可以使用自由基等。例如，可以使用藉由將原料供應給電漿源而獲得的電漿等。明確而言，可以使用氧自由基、氮自由基等。

還可以將高頻電源或光源用於電漿源。例如，可以使用感應耦合型或電容耦合型的高頻電源。或者，可以將準分子雷射器、準分子燈、低壓汞燈或同步加速器輻射光源用作光源。第二原料較佳為在接近室溫的溫度下與第一原料起反應的原料。例如，較佳為在室溫以上且200℃以下，更佳為50℃以上且150℃以下反應的原料。

《排氣裝置185》

排氣裝置185具有排氣功能並與流量控制器182c連接。注意，可以在排出口184與流量控制器182c之間設置捕捉用以被排出之原料的陷阱。可以將乾燥泵、渦輪泵及/或其類似等用作排氣單元185。藉由使用渦輪泵可以縮短排氣所需要的時間。藉由使用去除單元去除排出的氣體等。

《控制部182》

控制單元供應控制流量控制器的控制信號或控制加熱機構的控制信號等。例如，在第一步驟中，將第一原料供應至加工基材的表面。接著，在第二步驟中，供應與第一原料起反應的第二原料。由此，第一原料與第二原料的反應生成物沉積於加工構件10的表面。

注意，沉積於加工構件10的表面的反應生成物的量可以藉由反復進行第一步驟和第二步驟來控制。

注意，供應至加工構件10的第一原料的量受限於加工構件10的表面能夠吸附的最大可能量。例如，選擇條件使得第一原料的單分子層形成於加工構件10的表面上，並且形成的第一原料的單分子層與第二原料發生反應，藉此可以形成相當均勻的含有第一原料與第二原料的反應生成物的層。

由此，即使當表面具有複雜結構時可以在加工構件10的表面上將各種材料沉積。例如，可以在加工構件10上形成厚度為3nm以上且200nm以下的膜。

例如，當加工構件10的表面形成有被稱為針孔的小孔等時，藉由將材料沉積到針孔內可以填埋針孔。

使用排氣單元185將第一原料或第二原料之剩餘物從沉積室180排出。例如，可以邊導入氬或氮等惰性氣體邊進行排氣。

《沉積室180》

沉積室180包括導入口183，從其供應第一原料、第二原料及惰性氣體以及包括排出口184，從其排出第一原料、第二原料及惰性氣體。

沉積室180包括：具有支撐一個或多個加工構件10之功能的支撐部186、具有加熱一個或多個加工構件之功能的加熱機構187、具有打開或關閉用以加載或卸載一個或多個加工構件10之功能的的門188。

例如，可以將電阻加熱器或紅外線燈等用於加熱機構187。

加熱機構187具有例如加熱至80℃以上，100℃以上或150℃以上的加熱功能。

加熱機構187例如將一個或多個加工構件10加熱為室溫以上且200℃以下，較佳為50℃以上且150℃以下。

沉積室180具有壓力調節器及壓力檢測器。

《支撐部186》

支撐部186支撐一個或多個加工構件10。由此，例如可以在每次處理中在一個或多個加工構件10上形成絕緣膜。

〈膜的例子〉

對能夠使用本實施方式中說明的沉積設備ALD形成的膜進行說明。

例如，可以形成含有氧化物、氮化物、氟化物、硫化物、三元化合物、金屬或聚合物的膜。

例如，可以沉積含有氧化鋁、氧化鉿、鋁矽酸鹽、矽酸鉿、氧化鑭、氧化矽、鈦酸鍶、氧化鉭、氧化鈦、氧化鋅、氧化鈮、氧化鋯、氧化錫、氧化釔、氧化鈰、氧化鈧、氧化鉺、氧化釩或氧化銦等材料。

例如，可以沉積含有氮化鋁、氮化鉿、氮化矽、氮化鉭、氮化鈦、氮化鈮、氮化鉬、氮化鋯或氮化鎵等的材料。

例如，可以沉積含有銅、鉑、釕、鎢、銥、鈀、鐵、鈷或鎳等材料。

例如，可以沉積含有硫化鋅、硫化鍶、硫化鈣、硫化鉛、氟化鈣、氟化鍶或氟化鋅等材料。

例如，可以沉積含有如下物質的材料：含有鈦及鋁的氮化物；含有鈦及鋁的氧化物；含有鋁及鋅的氧化物；含有錳及鋅的硫化物；含有鈰及鍶的硫化物；含有鉺及鋁的氧化物；含有釔及鋯的氧化物；等。

《含有氧化鋁的膜》

例如，可以將使含有鋁前驅化合物的原料氣化而獲得的氣體用作第一原料。具體地，可以使用三甲基鋁(TMA，化學式為Al(CH₃)₃)或三(二甲基醯胺)鋁、三異丁基鋁、鋁三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)等。

可以將水蒸氣(化學式為H₂O)用作第二原料。

使用沉積設備ALD可以從上述第一原料及第二原料形成含有氧化鋁的膜。

《含有氧化鉿的膜》

例如，可以將使含有鉿前驅化合物的原料氣化而獲得的氣體用作第一原料。具體地，可以使用含有四二甲基醯胺鉿(TDMAH，化學式為Hf[N(CH₃)₂]₄)或四(乙基甲基醯胺)鉿等鉿醯胺的原料。

可以將臭氧用作第二原料。

《含有鎢的膜》

例如，可以將WF₆氣體用作第一原料。

可以將B₂H₆氣體或SiH₄氣體等用作第二原料。

本實施方式可以與其他實施方式之任一者自由地組合。

實施方式6

在本實施方式中，對氧化物半導體膜的結構進行說明。

氧化物半導體膜可以分類為非單晶氧化物半導體膜和單晶氧化物半導體膜。或者，氧化物半導體例如可以分類為結晶氧化物半導體和非晶氧化物半導體。

非單晶氧化物半導體的例子包括CAAC-OS(C-Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor：c軸配向結晶氧化物半導體)、多晶氧化物半導體、微晶氧化物半導體以及非晶氧化物半導體等。此外，作為結晶氧化物半導體，可以舉出單晶氧化物半導體、CAAC-OS、多晶氧化物半導體以及微晶氧化物半導體等。

首先，對CAAC-OS膜進行說明。

CAAC-OS膜是具有多個呈c軸配向的結晶部的氧化物半導體膜之一。

利用穿透式電子顯微鏡(TEM：Transmission Electron Microscope)觀察CAAC-OS膜的明視野影像及繞射圖案的複合分析影像(也稱為高解析度TEM影像)，可以觀察到多個結晶部。但是，在高解析度TEM影像中觀察不到結晶部與結晶部之間的明確的邊界，亦即晶界(grain boundary)。因此，在CAAC-OS膜中，不容易發生起因於晶界的電子遷移率的降低。

根據從實質上平行於樣本面的方向觀察的CAAC-OS膜的高解析度剖面TEM影像可知在結晶部中金屬原子排列為層狀。各個金屬原子層具有形成有CAAC-OS膜的面(之後，形成CAAC-OS膜的面也稱為被形成面)或CAAC-OS膜的頂面的形態反應凸凹的形狀並以平行於CAAC-OS膜的形成面或CAAC-OS膜的頂面的方式排列。

另一方面，根據從實質上垂直於樣本面的方向觀察的CAAC-OS膜的高解析度平面TEM影像可知在結晶部中金屬原子排列為三角形狀或六角形狀組態。但是，在不同的結晶部之間金屬原子的排列沒有規律性。

使用X射線繞射(XRD：X-Ray Diffraction)設備對CAAC-OS膜進行結構分析。例如，當藉由面外(out-of-plane)法分析包括InGaZnO₄結晶的CAAC-OS膜時，在繞射角(2θ)為31°附近時會出現峰值。該峰值被指定為InGaZnO₄結晶的(009)面，其指示CAAC-OS膜中的結晶具有c軸配向性，並且c軸配向實質上垂直於CAAC-OS膜的形成面或頂面的方向。

注意，當藉由面外(out-of-plane)法分析具有InGaZnO₄結晶的CAAC-OS膜時，除了在2θ為31°附近的峰值之外，有時還在2θ為36°附近觀察到峰值。2θ為36°附近的峰值指示著CAAC-OS膜的一部分中含有不呈c軸配向性的結晶。較佳的是，在CAAC-OS膜中在2θ為31°附近時出現峰值而在2θ為36°附近時不出現峰值。

CAAC-OS膜是具有低雜質濃度的氧化物半導體膜。雜質是指氫、碳、矽、過渡金屬元素等氧化物半導體膜的主要成分以外的元素。尤其是，像是矽等元素與氧的結合力比包括在氧化物半導體膜中的金屬元素與氧的結合力更強而藉由從氧化物半導體膜奪取氧而打亂氧化物半導體膜的原子排列使得結晶性降低。此外，鐵或鎳等重金屬、氬、二氧化碳等因為其原子半徑(分子半徑)大而在包含在氧化物半導體膜內部時成為打亂氧化物半導體膜的原子排列使得結晶性降低的主要因素。注意，包含在氧化物半導體膜中的雜質有時成為載子陷阱或載子發生源。

CAAC-OS膜是具有缺陷態密度低的氧化物半導體膜。在一些情形中，氧化物半導體膜中的氧缺位成為載子陷阱或者當在其中俘獲氫時而成為載子發生源。

將雜質濃度低且缺陷態密度低(氧缺之數目少)的狀態稱為“高純度本質”或“實質上高純度本質”狀態。高純度本質或實質上高純度本質的氧化物半導體膜具有少的載子產生源，因此可以具有低的載子密度。因此，包括該氧化物半導體膜的電晶體很少具有負臨界電壓 (也很少經常導通)。高純度本質或實質上高純度本質的氧化物半導體膜具有少的載子陷阱。據此，包括該氧化物半導體膜的電晶體具有電特性上的小變動，而具有高可靠性。被氧化物半導體膜中的載子陷阱俘獲的電荷到被釋放需要長時間，且有時像固定電荷那樣動作。因此，包括具有雜質濃度高且缺陷態密度高的氧化物半導體膜的電晶體在一些情況下具有不穩定的電特性。

具有雜質或缺陷之氧化物半導體的特性有時被光或熱等而發生改變。例如，包含於氧化物半導體中的雜質有時會成為載子陷阱或載子產生源。另外，氧化物半導體中的氧缺位有時會成為載子陷阱或當俘獲氫時而成為載子產生源。

雜質及氧缺位少的CAAC-OS為載子密度低的氧化物半導體。明確而言，可以使用具有載子密度低於8×10¹¹/cm³，較佳低於1×10¹¹/cm³，更佳低於1×10¹⁰/cm³且為1×10^-9/cm³以上的氧化物半導體。將這種氧化物半導體稱為高純度本質或實質上高純度本質的氧化物半導體。CAAC-OS具有低雜質濃度和低缺陷態密度。亦即，CAAC-OS可以說是具有穩定的特性的氧化物半導體。

隨著在電晶體中使用CAAC-OS膜，由於可見光或紫外光的照射所以電特性的變動小。

接著，將對微晶氧化物半導體膜進行說明。

在微晶氧化物半導體膜的高解析度TEM影像中有觀察到結晶部的區域及觀察不到明確的結晶部的區域。包含在微晶氧化物半導體膜中的結晶部的尺寸大多為1nm以上且100nm以下或1nm以上且10nm以下。尤其是，將具有尺寸為1nm以上且10nm以下或1nm以上且3nm以下的微晶特別稱為奈米晶(nc：nanocrystal)。包括奈米晶的氧化物半導體膜稱為nc-OS(nanocrystalline Oxide Semiconductor：奈米晶氧化物半導體)膜。另外，例如在nc-OS膜的高解析度TEM影像中，有時觀察不到明確的晶界。

在nc-OS膜中，微小區域(例如1nm以上且10nm以下的區域，特別是1nm以上且3nm以下的區域)具有週期性原子排列。在nc-OS膜中在不同的結晶部之間沒有晶體配向的規律性。因此，觀察不到膜整體上的配向性。據此，有時nc-OS膜依據某些分析方法無法與非晶氧化物半導體膜進行區分。例如，在藉由利用具有其直徑比結晶部大的X射線的XRD設備的面外(out-of-plane)法對nc-OS膜進行結構分析時，表示結晶面的峰值未出現。另外，光暈圖案顯示於藉由使用具有探束探針直徑比結晶部之尺寸大(例如，50nm以上)的電子束所獲得nc-OS膜的選區電子繞射圖案中的繞射圖案中。同時，斑點顯示於藉由使用探束直徑近於結晶部或者比結晶部之尺射小的電子束所獲得nc-OS膜的奈米束電子繞射圖案。另外，在nc-OS膜的奈米束電子繞射圖案中，有時顯示具有在圓圈(環狀的)圖案中亮度高的區域。再者，在nc-OS膜的奈米束電子繞射圖案中，有時還觀察到環狀的區域內的多個斑點。

nc-OS膜相較於非晶氧化物半導體膜具有高規律性的氧化物半導體膜。因此，nc-OS膜具有比非晶氧化物半導體膜更低的缺陷態密度。注意，nc-OS膜中在不同的結晶部之間沒有晶體配向的規律性。所以，nc-OS膜具有比CAAC-OS膜高的缺陷態密度。

接著，將對非晶氧化物半導體膜進行說明。

非晶氧化物半導體膜具有無序的原子排列並且不具有結晶部。例如，如在石英中非晶氧化物半導體膜不具有特定狀態。

在非晶氧化物半導體膜的高解析度TEM影像中，發現不到結晶部。

當使用XRD設備藉由面外(out-of-plane)法對非晶氧化物半導體膜進行結構分析時，表示結晶面的峰值沒有出現。當非晶氧化物半導體膜受到電子繞射時，觀察到光暈圖案。另外，當非晶氧化物半導體膜受到奈米束電子繞射時，觀察不到斑點，而光暈圖案出現。

注意，氧化物半導體膜可具有呈現nc-OS膜與非晶氧化物半導體膜之間的物性的結構。將具有這種結構的氧化物半導體膜特別稱為類非晶(amorphous-like)氧化物半導體(a-like OS：amorphous-like Oxide Semiconductor)膜。

在a-like OS膜的高解析度TEM影像中，有時觀察到空隙。另外，在高解析度TEM影像中，有明確地觀察到結晶部的區域及觀察不到結晶部的區域。在一些情況中，由於TEM觀察中採用微量的電子束而引起a-like OS膜晶化，由此發生結晶部的生長。另一方面，在良好的nc-OS膜中，幾乎難以藉由使用於TEM觀察的微量的電子束而發生晶化。

注意，a-like OS膜及nc-OS膜的結晶部的尺寸可以使用高解析度TEM影像進行測量。例如，InGaZnO₄結晶具有層狀結構，在其中在In-O層之間包括兩個Ga-Zn-O層。InGaZnO₄結晶的單位晶格具有包括三個In-O層和六個Ga-Zn-O層的一共九個層在c軸方向上堆疊於其中的結構。據此，這些彼此相鄰的層之間的距離與(009)面上的晶格間隔(也稱為d值)實質上相等，從晶體結構分析求出其值為0.29nm。因此，著眼於高解析度TEM影像的晶格條紋，在晶格的間隔為0.28nm以上且0.30nm以下的晶格條紋中，每個晶格條紋都對應於InGaZnO₄結晶的a-b面。

另外，有時氧化物半導體膜的密度因結構而不同。例如，當決定了氧化物半導體膜的組成時，藉由將氧化物半導體膜的密度與具有與氧化物半導體膜相同組成的單晶氧化物半導體膜的密度進行比較，可以推測出該氧化物半導體膜的結構。例如，a-like OS膜的密度為具有相同組成的單晶氧化物半導體膜的密度的78.6%以上且小於92.3%。例如，nc-OS膜的密度和CAAC-OS膜的密度為具有相同組成的單晶氧化物半導體膜的密度的92.3%以上且小於100%。注意，沉積具有其密度小於單晶氧化物半導體膜的密度的78%的氧化物半導體膜是困難的。

使用具體例子對上述內容進行說明。例如，在具有In：Ga：Zn=1：1：1之原子個數比的氧化物半導體膜的情況中，具有菱方晶系結構的單晶InGaZnO₄的密度為6.357g/cm³。據此，在具有In：Ga：Zn=1：1：1之原子個數比的氧化物半導體膜的情況中，a-like OS膜的密度為5.0g/cm³以上且小於5.9g/cm³。例如，在具有In：Ga：Zn=1：1：1之原子個數比的氧化物半導體膜的情況中，nc-OS膜的密度和CAAC-OS膜的密度為5.9g/cm³以上且小於6.3g/cm³。

注意，具有某種組成的氧化物半導體不存在於單晶結構中是有可能性的。在此情況中，具有不同組成的單晶氧化物半導體以適當比率結合，其使得可以算出相當於所希望的組成的單晶氧化物半導體的密度是可能的。根據組成不同的單晶氧化物半導體的組合比例使用加權平均計算具有所希望的組成的單晶氧化物半導體膜的密度即可。注意，較佳為使用儘可能以少的單晶氧化物半導體的種類來計算密度。

注意，氧化物半導體膜例如可以是包括非晶氧化物半導體膜、a-like OS膜、微晶氧化物半導體膜和CAAC-OS膜中的兩種以上的疊層膜。

本實施方式可以與其他實施方式適當地組合來建置。

本案是基於在2014年11月28日於日本專利局申請的日本專利申請案第2014-242053號，其整體內容於此合併參考。