TWI781695B - 基板支承裝置以及利用其的基板搬出方法 - Google Patents
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Abstract
本發明公開一種基板支承裝置以及利用其的基板搬出方法。根據本發明提供一種基板支承裝置,包括:靜電吸盤(electrostatic chuck),通過靜電力支承基板;解除卡緊單元(dechucking unit),使基板從靜電吸盤隔開,以使基板脫離靜電吸盤的殘留靜電力而從靜電吸盤分離;以及舉起單元,為了搬出基板,使得從靜電吸盤分離的基板向靜電吸盤的上側移動。
Description
本發明涉及基板支承裝置以及利用其的基板搬出方法。
等離子體處理裝置是用等離子體處理(蝕刻、蒸鍍等)基板的裝置。在這樣的等離子體處理裝置中,可以利用通過靜電力支承基板的靜電吸盤(electrostatic chuck)。
在等離子體處理製程之後,為了搬出基板,用升降銷等裝置使基板從靜電吸盤上升,當以靜電吸盤方式卡緊基板時,由於殘留在基板和靜電吸盤之間的靜電力而基板不能從靜電吸盤順暢地分離,由此可能發生當通過升降銷進行基板的上升時基板的位置脫離或基板損壞等問題。
專利文獻1:韓國授權專利公報第10-0899078號(2009年5月25日公告)
本發明提供基板支承裝置以及利用其的基板搬出方法,通過在基板上升之前將基板從靜電吸盤解除卡緊,能夠防止在基板上升時位置脫離、滑動或損壞的問題。
根據本發明的一方面,提供一種基板支承裝置,包括:靜電吸盤(electrostatic chuck),通過靜電力支承基板;解除卡緊單元(dechucking unit),使基板從靜電吸盤隔開,以使基板脫離靜電吸盤的殘留靜電力而從靜電吸盤分離;以及舉起單元,為了搬出基板,使得從靜電吸盤分離的基板向靜電吸盤的上側移動,解除卡緊單元位於與舉起單元隔開處,解除卡緊單元接觸於基板的部分設置成與舉起單元接觸於基板的部分不重疊。
提供一種基板支承裝置,包括:靜電吸盤,通過靜電力支承基板;解除卡緊單元,使基板從靜電吸盤隔開,以使基板脫離靜電吸盤的殘留靜電力而從靜電吸盤分離;以及舉起單元,為了搬出基板,使得從靜電吸盤分離的基板向靜電吸盤的上側移動,解除卡緊單元推舉基板的外周部而將基板從靜電吸盤分離。
較佳地,解除卡緊單元包括:聚焦環,配置成覆蓋靜電吸盤的上面中除被安放基板的區域以外的區域,並具有環形構造以將基板的外周部遍及整體圓周來支承;以及驅動單元,使聚焦環相對于靜電吸盤向上側移動。
較佳地,在聚焦環中形成有用於安放基板的外周部的安放槽。
較佳地,驅動單元包括:致動器,產生用於聚焦環的上下移動的驅動力;以及驅動桿,介於致動器和聚焦環之間而將致動器的驅動力向聚焦環傳遞,在靜電吸盤中形成有供驅動桿能夠移動地插入的貫通孔。
較佳地,基板支承裝置還包括:氣密部件,介於貫通孔和驅動桿之間,並用於保持被設置靜電吸盤的腔室的密閉。
較佳地,氣密部件包括:托架,在驅動桿形成為從貫通孔隔開;以及波紋管部件,一端結合於托架且另一端結合於靜電吸盤的下面以覆蓋貫通孔,從而防止通過貫通孔解除腔室的密閉。
較佳地,聚焦環包括:內側環;以及外側環,支承內側環,驅動桿的一端結合於外側環。
較佳地,驅動桿為多個,多個驅動桿沿著聚焦環的圓周配置成隔開一定間隔。
較佳地,基板支承裝置還包括:導桿,向上下方向延伸而用於引導聚焦環的上下移動,聚焦環設置成能夠沿著導桿的長度方向移動。
較佳地,驅動單元包括:致動器,產生用於聚焦環的上下移動的驅動力;以及驅動台,結合於致動器而用於將驅動力向聚焦環傳遞,驅動台能夠向上下方向移動地結合於導桿。
較佳地,基板支承裝置還包括:移動限制部件,設置於導桿以及驅動台中的至少任一個而用於限制聚焦環的上下移動範圍。
較佳地,移動限制部件包括:上限制部件,位於驅動台的上側並形成於導桿或者驅動台,從而制約聚焦環的上側移動;以及下限制部件,位於驅動台的下側並形成於導桿或者驅動台,從而制約聚焦環的下側移動。
較佳地,上限制部件以及下限制部件中的至少任一個能夠向上下方向移動地結合於導桿且形成於驅動台,從而在聚焦環上下移動時與聚焦環一起向上下方向移動。
較佳地,上限制部件以及下限制部件中的至少任一個以在內部收納導桿的管形構造形成,並且一端形成於驅動台且另一端沿著導桿的長度方向延伸,從而在聚焦環上下移動時限制驅動台的移動範圍。
較佳地,上限制部件以及下限制部件中的至少任一個形成於導桿的外周面而限制驅動台的移動範圍。
較佳地,導桿為多個,多個導桿配置成以聚焦環為中心對稱。
較佳地,解除卡緊單元使基板從靜電吸盤隔開比用於搬出基板的搬出臂的厚度小的距離,舉起單元使基板從靜電吸盤向上側移動比用於搬出基板的搬出臂的厚度大的距離。
另外,根據本發明的另一方面,提供一種基板搬出方法,包括下列步驟:利用解除卡緊單元使基板從靜電吸盤隔開,以使基板脫離靜電吸盤的殘留靜電力而從靜電吸盤分離的步驟;以及為了搬出基板,利用舉起單元使得從靜電吸盤分離的基板向靜電吸盤的上側移動的步驟,解
除卡緊單元位於與舉起單元隔開處,解除卡緊單元接觸於基板的部分設置成與舉起單元接觸於基板的部分不重疊。
較佳地,基板搬出方法還包括下列步驟:利用搬出臂將通過舉起單元向靜電吸盤的上側移動的基板向腔室的外部搬出的步驟。
較佳地,使基板從靜電吸盤隔開的步驟利用解除卡緊單元使基板從靜電吸盤隔開比搬出臂的厚度小的距離來執行,使基板向靜電吸盤的上側移動的步驟利用舉起單元使基板從靜電吸盤向上側移動比搬出臂的厚度大的距離來執行。
根據本發明,通過在基板上升之前將基板從靜電吸盤解除卡緊,能夠有效地防止在基板上升時位置脫離、滑動或損壞的問題。
1:基板
10:等離子體處理裝置
20:腔室
30:等離子體生成單元
40:搬出單元
42:搬出臂
50:底座
100:基板支承裝置
110:靜電吸盤
112:貫通孔
120:解除卡緊單元
122:聚焦環
122a:外側環
122b:內側環
123:安放槽
124:驅動單元
125:致動器
126:驅動台
127:驅動桿
130:舉起單元
132:升降銷
134:升降單元
140:氣密部件
142:托架
144:波紋管部件
150:導桿
160:移動限制部件
162:上限制部件
164:下限制部件
圖1是設置有根據本發明的一實施例的基板支承裝置的等離子體處理裝置的圖。
圖2至圖4是示出利用根據本發明的一實施例的基板支承裝置的基板搬出過程的圖。
圖5是示出根據本發明的一實施例的基板支承裝置的解除卡緊單元的立體圖。
本發明可以施加各種變換並具有各種實施例,在附圖中例示特定實施例並以詳細的說明進行詳細說明。但是,其並不用於將本發明限於特定實施方式,應理解為包括包括在本發明的構思以及技術範圍中的所有變換、等同物乃至替代物。在對本發明的說明中,當判斷為針對相關習知技術的具體說明可能導致本發明的主旨模糊時,省略其詳細的說明。
第一、第二等用語可以用於說明各種構成要件,但所述構成要件不應限定於所述用語。所述用語僅用於將一個構成要件區分於其它構成要件的目的。
本申請中所使用的用語只是用於說明特定實施例,並不是要限定本發明。只要在文脈上沒有明確表示為不同,單數表達包括複數表達。在本申請中,應理解為“包括”或者“具有”等用語是要指稱說明書中記載的特徵、數位、步驟、動作、構成要件、部件或者它們的組合的存在,並不是要預先排除一個或者其以上的其它特徵、數位、步驟、動作、構成要件、部件或者它們的組合的存在或者附加可能性。
以下,參照所附附圖來詳細說明根據本發明的基板支承裝置以及利用其的基板搬出方法的實施例,在參照所附附圖進行的說明中,相同或對應的構成要件標注相同的附圖標記,省略針對其的重複說明。
如圖1所示,等離子體處理裝置10可以構成為包括劃分用於用等離子體對基板1進行處理的空間的腔室20、設置於這樣的腔室20中並用於支承基板1的基板支承裝置100以及產生用於處理基板1的等離子體的等離子體生成單元30。
根據本實施例,如圖1至圖5所示,作為用於在等離子體處理裝置10的腔室20內將基板1卡緊/解除卡緊的裝置,提出基板支承裝置100,該基板支承裝置100包括:靜電吸盤110,通過靜電力支承基板1;解除卡緊單元120,使基板1從靜電吸盤110隔開,以使得基板1擺脫靜電吸盤110的殘留靜電力而從靜電吸盤110分離;以及舉起單元130,為了搬出基板1,使從靜電吸盤110分離的基板1向靜電吸盤110的上側移動。
根據這樣的本實施例,為了搬出基板1,在通過舉起單元130使基板1從靜電吸盤110上升之前,利用解除卡緊單元120將基板1從靜電吸盤110物理解除卡緊,從而能夠有效防止在通過舉起單元130使基板1上升時由於基板1和靜電吸盤110間殘留靜電力而基板1從靜電吸盤110滑動導致位置脫離或基板1受損等問題。
當以靜電吸盤110方式卡緊基板1時,即使在等離子體處理製程之後為了搬出基板1而切斷施加於靜電吸盤110的電源,在基板1和靜電吸
盤110之間殘留靜電力,如此若在由於殘留靜電力而基板1從靜電吸盤110未分離的狀態下通過舉起單元130的舉起銷推舉基板1,則可能產生基板1在靜電吸盤110中滑動導致位置脫離或破裂等問題。
對此,在本實施例的情況下,在通過舉起單元130使基板1上升之前,作為事先製程,通過解除卡緊單元120將基板1從靜電吸盤110物理隔開,由此基板1不再受到殘留靜電力的影響而能夠從靜電吸盤110分離,因此之後即使為了搬出基板1而通過舉起單元130將基板1向上側抬起的情況下,也能夠有效地防止基板1的位置脫離或損壞等問題。
以下,參照圖1至圖5,更具體地說明根據本實施例的基板支承裝置100的各結構。
如圖1以及圖2所示,靜電吸盤110可以通過靜電力支承基板1。若基板1移送到腔室20內部而安放於靜電吸盤110的上面,則電源施加於靜電吸盤110而能夠產生靜電力。通過基於這種靜電的引力,基板1能夠在等離子體處理製程過程中穩定地卡緊於靜電吸盤110的上面。
如圖2以及圖3所示,解除卡緊單元120可以使基板1從靜電吸盤110隔開,以使得基板1脫離靜電吸盤110的殘留靜電力而從靜電吸盤110分離。
在通過舉起單元130使基板1上升之前,可以通過解除卡緊單元120使基板1從靜電吸盤110物理分離,如此在基板1的舉起製程之前,使基板1脫離靜電吸盤110的靜電力的影響,從而能夠有效地防止基板1的位置脫離或者基板1的損壞等。
解除卡緊單元120只要使基板1隔開能夠脫離殘留靜電的影響程度的最小距離(隔開距離)d1足以,由此解除卡緊單元120可以使基板1從靜電吸盤110隔開比用於搬出基板1的搬出臂42的厚度(圖4的t)小的距離。更具體地,解除卡緊單元120可以使基板1從靜電吸盤110的上面隔開約1mm至2mm距離。
在此情況下,解除卡緊單元120可以如圖2以及圖3所示那樣推舉基板1的外周部而使基板1從靜電吸盤110分離。如此,通過在基板1的外周部施加負載來進行推舉而不是在內側施加負載,能夠在解除卡緊過程中防止基板1的傾斜並保持基板1的水平對齊,因此能夠將基板1更穩定且有效地從靜電吸盤110解除卡緊。
對此,舉起單元130的升降銷132能夠如圖4所示那樣推舉基板1的內側部而使其從靜電吸盤110進一步上升。
如圖2以及圖3所示,解除卡緊單元120可以由聚焦環122以及使其相對於靜電吸盤110向上側移動的驅動單元124構成。
聚焦環122是用於防止靜電吸盤110的上面被等離子體處理並控制等離子體的電磁流動的結構,可以配置成覆蓋靜電吸盤110的上面中被安放基板1的區域以外的區域。
在本實施例的情況下,應用聚焦環122來實現解除卡緊單元120,從而能夠通過一個結構同時執行聚焦環122本來的功能和解除卡緊功能。
聚焦環122可以配置於靜電吸盤110的上面而支承基板1的外周部,更具體地,可以具有環形構造以遍及基板1的外周部整個圓周進行支承。而且,聚焦環122可以構成為單環或者直徑不同的2個單位環(外側環122a、內側環122b)以多級結合的構造。此時,外側環122a可以支承內側環122b。
另外,在聚焦環122中可以形成用於安放基板1的安放槽123。具體地,在聚焦環122的內側環122b內周面中可以形成具有與基板1的外周邊角對應的形狀的安放槽123以安放基板1的外周部。
如此,聚焦環122形成為環形構造而將基板1的外周部遍及整體圓周來支承,進而在聚焦環122的內周面形成用於安放基板1的安放槽123,從而基板1能夠遍及整體圓周無傾斜地更穩定地被支承。
如圖2以及圖3所示,驅動單元124是提供用於使聚焦環122上下移動的驅動力的結構,可以由致動器125、驅動台126以及驅動桿127構成。
致動器125可以結合於底座50而產生用於使聚焦環122上下移動的驅動力,例如可以由氣壓缸構成。而且,驅動台126可以結合於致動器125而將致動器125的驅動力經由驅動桿127向聚焦環122傳遞。
驅動桿127可以介於致動器125和聚焦環122之間而將致動器125的驅動力向聚焦環122傳遞。驅動桿127可以是一端結合於聚焦環122的下面,具體地外側環122a的下面且另一端結合於驅動台126,隨著驅動台126的上升而推舉聚焦環122。
如圖5所示,驅動桿127可以配置為多個,多個驅動桿127可以配置成沿著聚焦環122的圓周而分別隔開一定的間隔(120度角度)。由此,在升降聚焦環122時,能夠將聚焦環122穩定地支承為水平對齊狀態。
在此情況下,如圖2以及圖3所示,在靜電吸盤110中可以形成貫通孔112以供驅動桿127可移動地插入。因此,可以利用介於這樣的貫通孔112和驅動桿127之間的氣密部件140,保持腔室20的密閉。
作為氣密部件140,可以應用波紋管部件144,隨著利用這樣的波紋管部件144的伸縮性,能夠在不妨礙驅動桿127的上下移動的同時實現針對腔室20的有效密封。
更具體地,氣密部件140可以由托架142以及波紋管部件144構成,托架142在驅動桿127形成為從貫通孔112隔開,波紋管部件144的一端結合於托架142且另一端以覆蓋貫通孔112的方式結合於靜電吸盤110的下面,從而防止通過貫通孔112解除腔室20的密閉。
即,在驅動桿127的外周面可以形成環型的托架142,這樣的托架142可以配置成從靜電吸盤110的下面隔開。而且,在托架142和靜電吸盤110的下面之間可以設置波紋管部件144。
如此,在靜電吸盤110和托架142之間設置波紋管部件144以收納貫通孔112,從而在升降聚焦環122時,能夠在形成波紋管部件144的伸縮的同時有效地保持腔室20的密封。
如圖2以及圖3所示,導桿150可以向上下方向延伸而引導聚焦環122的上下移動。導桿150可以一端支承於底座50且另一端結合於靜電吸盤110的下面來支承。
聚焦環122可以設置成能夠沿著導桿150的長度方向移動。更具體地,驅動台126能夠向上下方向移動地結合於導桿150,聚焦環122與這樣的驅動台126通過驅動桿127結合而一體地上下移動,因此如此通過驅動台126支承聚焦環122的上下移動,從而聚焦環122的上下移動能夠通過導桿150保持水平對齊並穩定地實現。
如圖5所示,導桿150為多個,多個導桿150可以配置成以聚焦環122為中心對稱。如此,導桿150配置為左右對稱構造,從而能夠無偏心地更穩定地升降驅動聚焦環122。
如圖2以及圖3所示,移動限制部件160可以形成於導桿150以及驅動台126中的至少任一個而限制聚焦環122的上下移動範圍。移動限制部件160可以由形成於導桿150或者驅動台126而分別制約聚焦環122的上側/下側移動的上限制部件162和下限制部件164構成。在此,移動限制部件160可以一體地形成於導桿150或者驅動台126,或者除此之外結合於導桿150或者驅動台126來形成。
如此,通過移動限制部件160物理制約聚焦環122的移動範圍,從而能夠無誤差地準確地實現用於解除基板1的卡緊的最小範圍的升降驅動。
上限制部件162可以位於驅動台126的上側且形成於驅動台126而制約聚焦環122的上側移動。即,上限制部件162能夠向上下方向移動
地結合於導桿150且形成於驅動台126,從而在聚焦環122上下移動時,能夠與聚焦環122一起向上下方向移動。
另外,上限制部件162形成為在內部收納導桿150的管形構造,一端形成於驅動台126且另一端沿著導桿150的長度方向延伸,從而在聚焦環122上下移動時,能夠限制驅動台126的移動範圍。
如此,上限制部件162實現為一端形成於驅動台126的管形構造,由此能夠無傾斜地更穩定地引導驅動台126的上下移動。
如圖3所示,管形構造的上限制部件162的另一端被靜電吸盤110的下面阻擋,由此能夠限制聚焦環122的上側移動,在如圖2所示那樣聚焦環122下降而安放於靜電吸盤110上面的情況下,上限制部件162的另一端在解除基板1的卡緊時能夠與靜電吸盤110的下面隔開基板1和靜電吸盤110間的隔開距離d1。
下限制部件164可以位於驅動台126的下側且形成於導桿150,從而制約聚焦環122的下側移動。下限制部件164可以形成於導桿150的外周面而限制驅動台126的下側移動範圍。
如圖2所示,若聚焦環122下降而基板1安放於靜電吸盤110上面,則下限制部件164可以制約驅動台126不再向下側移動,在如圖3所示那樣聚焦環122上升的情況下,下限制部件164可以與驅動台126下面隔開基板1和靜電吸盤110間的隔開距離d1。
在本實施例的情況下,提出了上限制部件162具有沿著導桿150的長度方向延伸的管形構造並滑動地結合於導桿150,下限制部件164以環型構造形成於導桿150的構造,但是與此相反地,當然也可以下限制部件164以管形構造滑動地結合於導桿150而上限制部件162以環型形成於導桿150,也可以上限制部件162和下限制部件164都以管形構造滑動地結合於導桿150,或以環型構造形成於導桿150。
如圖3以及圖4所示,舉起單元130可以為了搬出基板1,使得從靜電吸盤110分離的基板1向靜電吸盤110的上側移動。可以是,通過解除卡緊單元120使基板1從靜電吸盤110以最小限度範圍物理分離,以便1次使基板1脫離靜電吸盤110的殘留靜電影響之後,充分地推舉基板1,以便能夠投入用於2次搬出基板1的搬出臂42。
因此,舉起單元130可以使基板1從靜電吸盤110向上側移動比用於搬出基板1的搬出臂42的厚度t大的距離d2。在此情況下,舉起單元130將基板1的內側部向上側推舉,由此搬出單元40的搬出臂42可以通過基板1的內側部之外的剩餘空間向基板1的下面側進入而有效地搬出基板1。
舉起單元130可以由位於基板1的內側部而將基板1向上側推舉的升降銷132和使這樣的升降銷132相對於靜電吸盤110升降的升降單元134構成。
在本實施例的情況下,在舉起基板1之前,通過解除卡緊單元120從靜電吸盤110物理揭下基板1,因此其後即使利用升降銷132將基板1向上側推舉,也能夠在沒有基板1的位置脫離、滑動或者損壞等問題的情況下進行穩定的搬出製程。
接下來,說明根據本發明的另一實施例的基板搬出方法。
根據本實施例,如圖2至圖4所示,提出一種基板搬出方法,其包括下列步驟:利用解除卡緊單元120使基板1從靜電吸盤110隔開,以使基板1脫離靜電吸盤110的殘留靜電力而從靜電吸盤110分離的步驟;為了搬出基板1,利用舉起單元130使得從靜電吸盤110分離的基板1向靜電吸盤110的上側移動的步驟;以及利用搬出臂42將基板1向腔室20的外部搬出的步驟。
關於為了執行這樣的基板搬出方法而利用的解除卡緊單元120、舉起單元130及搬出單元40,以及與它們有機連接的氣密部件140、導桿
150及移動限制部件160的構造和功能,已通過前述的實施例進行了說明,因此下面以利用這些結構的基板搬出製程為中心說明本實施例。
首先,如圖2以及圖3所示,利用解除卡緊單元120使基板1從靜電吸盤110隔開,以使基板1脫離靜電吸盤110的殘留靜電力而從靜電吸盤110分離。
作為通過聚焦環122推舉基板1的外周部而使基板1從靜電吸盤110隔開以脫離殘留靜電力的製程,若驅動台126通過致動器125上升,則聚焦環122可以通過驅動桿127上升的同時將基板1從靜電吸盤110解除卡緊而可以隔開比搬出臂42的厚度t小的距離d1。
在此情況下,可以是,在驅動台126的上側結合有上限制部件162,上限制部件162以管形構造形成而可滑動地支承於導桿150,因此能夠沒有驅動台126的傾斜地且穩定地引導基於致動器125進行的驅動台126的上升驅動。
接著,如圖3以及圖4所示,為了搬出基板1,可以利用舉起單元130使得從靜電吸盤110分離的基板1向靜電吸盤110的上側移動。
作為通過解除卡緊單元120將從靜電吸盤110分離的基板1向上側舉起的製程,其可以通過利用舉起單元130的升降銷132推舉基板1的內側部來執行。由此,基板1可以從靜電吸盤110的上面上升超過搬出臂42的厚度t的距離d2而存在。
接著,如圖4所示,可以利用搬出臂42將通過舉起單元130向靜電吸盤110的上側移動的基板1向腔室20的外部搬出。
若基板1通過舉起單元130上升d2距離,則搬出單元40的搬出臂42可以插入到基板1和靜電吸盤110之間的空間而支承基板1的下面,之後,搬出臂42可以將基板1向腔室20的外部搬出。
以上,對本發明的一實施例進行了說明,但在本技術領域中具有通常知識的人能夠在不脫離申請專利範圍中記載的本發明的構思的範圍
內,通過構成要件的附加、變更、刪除或者追加等對本發明進行各種修改以及變更,其也包括在本發明的權利範圍內。
1:基板
50:底座
100:基板支承裝置
110:靜電吸盤
112:貫通孔
120:解除卡緊單元
122:聚焦環
122a:外側環
122b:內側環
123:安放槽
124:驅動單元
125:致動器
126:驅動台
127:驅動桿
130:舉起單元
132:升降銷
134:升降單元
140:氣密部件
142:托架
144:波紋管部件
150:導桿
160:移動限制部件
162:上限制部件
164:下限制部件
Claims (19)
- 一種基板支承裝置,包括:一靜電吸盤,通過靜電力支承一基板;一解除卡緊單元,包括一聚焦環,配置成覆蓋該靜電吸盤的上面中除被安放該基板的區域以外的區域,並具有環形構造以將該基板的外周部遍及整體圓周來支承;以及一驅動單元,使該聚焦環相對於該靜電吸盤向上側移動,該解除卡緊單元係使該基板從該靜電吸盤隔開,以使該基板脫離該靜電吸盤的殘留靜電力而從該靜電吸盤分離;一舉起單元,為了搬出該基板,使得從該靜電吸盤分離的該基板向該靜電吸盤的上側移動;以及一導桿,向上下方向延伸而用於引導該聚焦環的上下移動,其中該解除卡緊單元係與該舉起單元隔開,該解除卡緊單元接觸於該基板的部分設置成與該舉起單元接觸於該基板的部分不重疊,其中該驅動單元包括:一致動器,產生用於該聚焦環的上下移動的驅動力;以及一驅動台,結合於該致動器而用於將驅動力向該聚焦環傳遞;該基板支承裝置還包括:一移動限制部件,設置於該導桿以及該驅動台中的至少任一個而用於限制該聚焦環的上下移動範圍。
- 根據請求項1所述的基板支承裝置,其中:該解除卡緊單元推舉該基板的外周部而將該基板從該靜電吸盤分離。
- 根據請求項1所述的基板支承裝置,其中,在該聚焦環中形成有用於安放該基板的外周部的一安放槽。
- 根據請求項1所述的基板支承裝置,其中,該驅動單元包括:一驅動桿,介於該致動器和該聚焦環之間而將該致動器的驅動力向該聚焦環傳遞,在該靜電吸盤中形成有供該驅動桿能夠移動地插入的一貫通孔。
- 根據請求項4所述的基板支承裝置,其中, 該基板支承裝置還包括:一氣密部件,介於該貫通孔和該驅動桿之間,並用於保持被設置該靜電吸盤的一腔室的密閉。
- 根據請求項5所述的基板支承裝置,其中,該氣密部件包括:一托架,在該驅動桿形成為從該貫通孔隔開;以及一波紋管部件,一端結合於該托架且另一端結合於該靜電吸盤的下面以覆蓋該貫通孔,從而防止通過該貫通孔解除該腔室的密閉。
- 根據請求項4所述的基板支承裝置,其中,該聚焦環包括:一內側環;以及一外側環,支承該內側環,該驅動桿的一端結合於該外側環。
- 根據請求項4所述的基板支承裝置,其中,該驅動桿為多個,多個該驅動桿沿著該聚焦環的圓周配置成隔開一定間隔。
- 根據請求項1所述的基板支承裝置,其中,該聚焦環設置成能夠沿著該導桿的長度方向移動。
- 根據請求項9所述的基板支承裝置,其中,該驅動台能夠向上下方向移動地結合於該導桿。
- 根據請求項1所述的基板支承裝置,其中,該移動限制部件包括:一上限制部件,位於該驅動台的上側並形成於該導桿或者該驅動台,從而制約該聚焦環的上側移動;以及一下限制部件,位於該驅動台的下側並形成於該導桿或者該驅動台,從而制約該聚焦環的下側移動。
- 根據請求項11所述的基板支承裝置,其中,該上限制部件以及該下限制部件中的至少任一個能夠向上下方向移動地結合 於該導桿且形成於該驅動台,從而在該聚焦環上下移動時與該聚焦環一起向上下方向移動。
- 根據請求項12所述的基板支承裝置,其中,該上限制部件以及該下限制部件中的至少任一個以在內部收納該導桿的管形構造形成,並且一端形成於該驅動台且另一端沿著該導桿的長度方向延伸,從而在該聚焦環上下移動時限制該驅動台的移動範圍。
- 根據請求項11所述的基板支承裝置,其中,該上限制部件以及該下限制部件中的至少任一個形成於該導桿的外周面而限制該驅動台的移動範圍。
- 根據請求項9所述的基板支承裝置,其中,該導桿為多個,多個該導桿配置成以該聚焦環為中心對稱。
- 根據請求項1或2所述的基板支承裝置,其中,該解除卡緊單元使該基板從該靜電吸盤隔開比用於搬出該基板的搬出臂的厚度小的距離,該舉起單元使該基板從該靜電吸盤向上側移動比用於搬出該基板的搬出臂的厚度大的距離。
- 一種基板搬出方法,包括下列步驟:利用一解除卡緊單元使一基板從一靜電吸盤隔開,以使該基板脫離該靜電吸盤的殘留靜電力而從該靜電吸盤分離的步驟,該解除卡緊單元包括一聚焦環,配置成覆蓋該靜電吸盤的上面中除被安放該基板的區域以外的區域,並具有環形構造以將該基板的外周部遍及整體圓周來支承;以及一驅動單元,使該聚焦環相對於該靜電吸盤向上側移動;為了搬出該基板,利用一舉起單元使得從該靜電吸盤分離的該基板向該靜電吸盤的上側移動的步驟;以及以向上下方向延伸之一導桿導引該聚焦環上下移動的步驟,其中該解除卡緊單元係與該舉起單元隔開,該解除卡緊單元接觸於該基板的部分設置成與該舉起單元接觸於該基板的部 分不重疊,其中該驅動單元包括:一致動器,產生用於該聚焦環的上下移動的驅動力;以及一驅動台,結合於該致動器而用於將驅動力向該聚焦環傳遞,該基板搬出方法還包括:利用設置於該導桿以及該驅動台中的至少任一個的一移動限制部件來限制該聚焦環的上下移動範圍之步驟。
- 根據請求項17所述的基板搬出方法,其中,該基板搬出方法還包括下列步驟:利用一搬出臂將通過該舉起單元向該靜電吸盤的上側移動的該基板向一腔室的外部搬出的步驟。
- 根據請求項18所述的基板搬出方法,其中,使該基板從該靜電吸盤隔開的步驟利用該解除卡緊單元使該基板從該靜電吸盤隔開比該搬出臂的厚度小的距離來執行,使該基板向該靜電吸盤的上側移動的步驟利用該舉起單元使該基板從該靜電吸盤向上側移動比該搬出臂的厚度大的距離來執行。
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Families Citing this family (2)
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---|---|---|---|---|
US20240183790A1 (en) * | 2022-12-06 | 2024-06-06 | Kla Corporation | Lifter assembly with bellows for optical inspection system |
KR102639129B1 (ko) * | 2023-07-19 | 2024-02-21 | 주식회사 기가레인 | 웨이퍼 디척킹 장치 및 방법 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5677824A (en) * | 1995-11-24 | 1997-10-14 | Nec Corporation | Electrostatic chuck with mechanism for lifting up the peripheral of a substrate |
JP2004047513A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 静電吸着構造および静電吸着方法ならびにプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
KR20080023569A (ko) * | 2006-09-11 | 2008-03-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 식각프로파일 변형을 방지하는 플라즈마식각장치 |
JP2011181873A (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-15 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | ウエハリフト回転機構、ステージ装置及びイオン注入装置 |
CN102915944A (zh) * | 2011-08-02 | 2013-02-06 | 东京毅力科创株式会社 | 基板交接方法 |
US8840754B2 (en) * | 2010-09-17 | 2014-09-23 | Lam Research Corporation | Polar regions for electrostatic de-chucking with lift pins |
TW201622057A (zh) * | 2014-11-10 | 2016-06-16 | Advanced Micro Fab Equip Inc | 電漿處理裝置、基板卸載裝置及方法 |
US11133193B2 (en) * | 2019-10-22 | 2021-09-28 | Xia Tai Xin Semiconductor (Qing Dao) Ltd. | Plasma processing device and method of adjusting an edge ring of a plasma processing device |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3693182B2 (ja) * | 1993-11-04 | 2005-09-07 | アネルバ株式会社 | 基板処理装置 |
JP2000100787A (ja) * | 1998-09-18 | 2000-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 真空処理装置 |
JP2001230239A (ja) * | 2000-02-15 | 2001-08-24 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
JP4489904B2 (ja) * | 2000-04-14 | 2010-06-23 | 株式会社アルバック | 真空処理装置及び基板保持方法 |
KR100899078B1 (ko) | 2008-07-31 | 2009-05-25 | 김준규 | 램리서치 티시피/레인보우 장치의 정전 척 디척킹 장치 |
JP2014075372A (ja) * | 2010-12-27 | 2014-04-24 | Canon Anelva Corp | 静電吸着装置 |
KR20120134368A (ko) * | 2011-06-02 | 2012-12-12 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 기판 척킹 디척킹 장치 |
KR101234020B1 (ko) * | 2012-01-25 | 2013-02-18 | 주식회사 에스에프에이 | 정전척 캐리어를 이용한 기판의 진공처리장치 |
KR101909479B1 (ko) * | 2016-10-06 | 2018-10-19 | 세메스 주식회사 | 기판 지지 유닛, 그를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 그 제어 방법 |
JP6812224B2 (ja) * | 2016-12-08 | 2021-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び載置台 |
KR102063108B1 (ko) * | 2017-10-30 | 2020-01-08 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
-
2020
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5677824A (en) * | 1995-11-24 | 1997-10-14 | Nec Corporation | Electrostatic chuck with mechanism for lifting up the peripheral of a substrate |
JP2004047513A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 静電吸着構造および静電吸着方法ならびにプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
KR20080023569A (ko) * | 2006-09-11 | 2008-03-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 식각프로파일 변형을 방지하는 플라즈마식각장치 |
JP2011181873A (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-15 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | ウエハリフト回転機構、ステージ装置及びイオン注入装置 |
US8840754B2 (en) * | 2010-09-17 | 2014-09-23 | Lam Research Corporation | Polar regions for electrostatic de-chucking with lift pins |
CN102915944A (zh) * | 2011-08-02 | 2013-02-06 | 东京毅力科创株式会社 | 基板交接方法 |
TW201622057A (zh) * | 2014-11-10 | 2016-06-16 | Advanced Micro Fab Equip Inc | 電漿處理裝置、基板卸載裝置及方法 |
TWI567863B (zh) * | 2014-11-10 | 2017-01-21 | Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc | Plasma processing device, substrate unloading device and method |
US11133193B2 (en) * | 2019-10-22 | 2021-09-28 | Xia Tai Xin Semiconductor (Qing Dao) Ltd. | Plasma processing device and method of adjusting an edge ring of a plasma processing device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent |