JP2023129999A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】載置台の載置面上での基板の位置調整を、専用の駆動系を用いずに行う。【解決手段】基板を処理する基板処理装置であって、基板が載置される載置面を有する載置台と、前記載置台が内部に設置された処理容器と、前記載置面に載置された基板の周縁に対し側方から進退可能に構成され当該周縁に当接する当接部を有する位置調整機構と、前記載置台以外の当該基板処理装置の構成部材と前記載置台とを相対的に鉛直方向に移動させる移動機構と、を備え、前記位置調整機構は、前記移動機構による相対的な移動が行われることにより、前記載置面に載置された基板の周縁に対し前記当接部が進退するように構成されている。【選択図】図１

Description

本開示は、基板処理装置に関する。

特許文献１には、上面に基板を載置するためのステージと、ステージの上面から突出して設けられ基板の周縁と接触して基板の位置を規制するための基準ブロックと、ステージの上面に載置された基板を押圧し基板の周縁を基準ブロックへ押し当てて位置決めするための押圧用アームと、を備えた基板の位置決め装置が開示されている。

特許文献２には、基板が載置面に載置される載置台を備える基板保持装置が開示されている。この基板保持装置は、載置面上の基板の周縁に対して当接する当接位置と離間する離間位置との間で移動可能なアライメントピンを、載置面に基板が載置された状態で離間位置から当接位置へ移動させることで載置面上での基板の位置を調整する位置調整処理を実行する位置調整機構を備える。位置調整機構は、アライメントピンの下端部を支持しつつアライメントピンを水平方向へ駆動する位置調整アクチュエータを有する。

特開平８－４６０１７号公報 特開２０１７－１１２１９７号公報

本開示にかかる技術は、載置台の載置面上での基板の位置調整を、専用の駆動系を用いずに行う。

本開示の一態様は、基板を処理する基板処理装置であって、基板が載置される載置面を有する載置台と、前記載置台が内部に設置された処理容器と、前記載置面に載置された基板の周縁に対し側方から進退可能に構成され当該周縁に当接する当接部を有する位置調整機構と、前記載置台以外の当該基板処理装置の構成部材と前記載置台とを相対的に鉛直方向に移動させる移動機構と、を備え、前記位置調整機構は、前記移動機構による相対的な移動が行われることにより、前記載置面に載置された基板の周縁に対し前記当接部が進退するように構成されている。

本開示にかかる技術によれば、載置台の載置面上での基板の位置調整を、専用の駆動系を用いずに行うことができる。

第１実施形態にかかる基板処理装置としての成膜装置の構成の概略を模式的に示す説明図であり、成膜装置の一部を断面で示している。 載置台の上面図である。 位置調整機構の配設位置を説明するための上面図である。 位置調整機構の側面図である。 位置調整機構の上面図である。 ウェハの位置合わせ工程時の位置調整機構の状態を示す図である。 ウェハの位置合わせ工程時の位置調整機構の状態を示す図である。 ウェハの位置合わせ工程時の位置調整機構の状態を示す図である。 第２実施形態にかかる基板処理装置としての成膜装置が有する位置調整機構の側面図である。 図９の位置調整機構の動作を説明するための図である。 図９の位置調整機構の動作を説明するための図である。 図９の位置調整機構の動作を説明するための図である。

半導体デバイス等の製造プロセスでは、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）等の基板に対して、所定の膜を形成する成膜処理等の各種基板処理が行われる。この基板処理は、減圧された処理容器内の載置台の載置面に基板が載置された状態で行われる。

また、基板処理の際、基板は載置面上で適切に位置調整されている必要があり、基板処理によっては１ｍｍ未満の高い精度で位置調整することが求められる。
そのため、従来、載置面上での基板の位置調整に関する技術が提案されている（特許文献１、２参照）。しかし、特許文献１、２に開示の位置調整方法では、位置調整専用の駆動系を用いている。このように、位置調整専用の駆動系を、載置台の昇降用の駆動系等の基板処理に必須な駆動系の他に設けることが難しい場合がある。例えば、処理容器内にスペース上の制約がある場合である。基板を処理する際に処理容器内を真空雰囲気とする形態では上述のようなスペース上の制約がある場合が多い。

そこで、本開示にかかる技術は、載置台の載置面上での基板の位置調整を、専用の駆動系を用いずに行う。

以下、本実施形態にかかる基板処理装置について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

（第１実施形態）
＜成膜装置＞
図１は、第１実施形態にかかる基板処理装置としての成膜装置の構成の概略を模式的に示す説明図であり、成膜装置の一部を断面で示している。図２は、後述の載置台の上面図である。図３は、後述の位置調整機構の配設位置を説明するための上面図である。

図１の成膜装置１は、基板としてのウェハＷを成膜処理し、当該ウェハＷ上に例えば金属膜を形成するように構成されている。

成膜装置１は処理容器１０と載置台３０とを有する。
処理容器１０は、その内部に載置台３０が設置されるものであり、減圧可能に構成されている。この処理容器１０は、例えば、金属材料を用いて、円筒状に形成されている。

処理容器１０の側壁１１には、ウェハＷの搬入出口（図示せず）が設けられており、この搬入出口には、当該搬入出口を開閉するゲートバルブ（図示せず）が設けられている。

処理容器１０の底壁１２には、排気口１２ａが形成されている。また、底壁１２には、後述のベローズ３６を収容する収容部２０の上部の開口２０ａと排気口１２ａとが連通するように、当該収容部２０が接続されている。収容部２０は、上部と側部に開口２０ａ、２０ｂを有し、開口２０ａと開口２０ｂが互いに連通している。これら開口２０ａ、２０ｂを介して処理容器１０が排気されるように、収容部２０の側部には、排気管２１の一端が接続されている。排気管２１の他端は、真空ポンプ等を有する排気機構２２に接続されている。

載置台３０は、載置部３１と、基部３２と、囲繞部３３と、を有する。載置部３１は静電チャックとしてもよい。

載置部３１は、円板状に形成されており、その上面の中央部が、ウェハＷが載置される載置面３１ａを構成する。載置部３１が静電チャックである場合、当該載置部３１は、載置面３１ａに載置されたウェハＷを静電吸着により保持する。

基部３２は、円板状に形成されており、例えば、その内部に、温度調節部材（図示せず）が設けられている。温度調節部材は、載置面３１ａの温度を調節して当該載置面３１ａに載置されたウェハＷの温度を調節するものであり、例えば抵抗加熱式のヒータである。

また、載置部３１の上面の外周部は、中央部より高く形成されている。すなわち、載置部３１は、図１及び図２に示すように、平面視において載置面３１ａを囲み且つ上方に突出するように設けられた、載置面３１ａと同心となる環状（具体的には円環状）の土手部３１ｂを有する。土手部３１ｂの高さは例えば１～３ｍｍである。

また、載置部３１の上部の外周部には、後述の位置調整機構６０に対応する位置に、下方に凹む凹部３１ｃが設けられている。凹部３１ｃは、載置面３１ａの径方向に延びると共に土手部３１ｂを貫くように、形成されている。なお、以下の説明では、「径方向」とは「載置面３１ａの径方向」を意味する。また、凹部３１ｃ内には、後述の位置調整機構６０の当接部６０ａが配設される。

囲繞部３３は、平面視において載置面３１ａを囲繞する。具体的には、囲繞部３３は、平面視において土手部３１ｂを囲繞する。例えば、囲繞部３３は、平面視において、載置面３１ａと同心の環状（具体的には円環状）となるように形成されている。
囲繞部３３の具体的な構成については後述する。

図１に示すように、載置台３０の下面の中央部すなわち基部３２の下面の中央部には、処理容器１０の底壁１２の排気口１２ａを通じて底壁１２を貫通し、さらに、収容部２０の底壁２０ｃを貫通するように、上下方向に延在する支柱３４の上端部が接続されている。支柱３４の下端は、移動機構３５に接続されている。移動機構３５は、支柱３４を介して、載置台３０と後述のクランプリング５０とを相対的に鉛直方向に移動させる。具体的には、移動機構３５は、支柱３４を介して、載置台３０を昇降させることにより、載置台３０とクランプリング５０とを相対的に鉛直方向に移動させる。

移動機構３５は、載置台３０の移動を駆動する駆動部（図示せず）が設けられている。上記駆動部は、上記移動のための駆動力を発生する駆動源として例えばモータを有する。移動機構３５（の駆動部）は後述の制御部１００により制御される。

移動機構３５は、載置台３０を、上方の処理位置と下方の待機位置との間で鉛直方向に移動させる。処理位置は、ウェハＷに処理が行われる時の位置である。待機位置は、処理容器１０の前述の搬出入口(図示せず)から処理容器１０内に進入するウェハＷの搬送機構（図示せず）と、処理容器１０内の下方に設けられた受け渡しピン（図示せず）との間で、ウェハＷを受け渡している時の位置である。

また、支柱３４には、フランジ３４ａが設けられている。そして、このフランジ３４ａの下面と、収容部２０の底壁２０ｃの上面との間には、支柱３４の外周を囲むように、ベローズ３６が設けられている。このベローズ３６が設けられているため、収容部２０の底壁２０ｃにおける支柱３４の貫通部分によって処理容器１０の気密性が失われることがない。

また、載置台３０に対向するように、処理容器１０の天壁１３には、処理ガスとしての成膜ガスの供給部１４が設けられている。供給部１４は、成膜ガスを処理容器１０内に供給する。供給部１４が供給する成膜ガスは、金属膜を成膜するための成膜ガスである。供給部１４には、供給管４０の一端が接続されている。供給管４０の他端は、成膜ガスの供給源等を有する供給機構４１に接続されている。

さらに、処理容器１０内における天壁１３と載置台３０との間には、カバー部材としてのクランプリング５０が設けられている。クランプリング５０は、載置台３０の載置面３１ａに載置されたウェハＷの外周部を覆う。例えば、クランプリング５０は、平面視において、載置面３１ａと同心の環状（具体的には円環状）となるように形成されている。クランプリング５０の材料には例えばアルミニウム、ステンレスといった金属や、アルミナ、窒化アルミといったセラミックが用いられる。クランプリング５０の内周側端には、載置台３０の載置面３１ａに載置されたウェハＷの外周部に接触する接触部５１を有する。接触部５１は、載置面３１ａと同心の環状（具体的には円環状）となり且つ下方に突出するように形成されている。

また、処理容器１０内には、クランプリング５０を水平に支持する支持部材（図示せず）が設けられている。この支持部材は、例えば３本設けられ、載置台３０に対するウェハＷの受け渡しを妨げないように、クランプリング５０の周方向に互いに間隔を空けて設けられている。

載置台３０が待機位置に位置するとき、クランプリング５０は上記支持部材に支持された状態にある。一方、載置台３０が処理位置に位置するとき、クランプリング５０は、載置面３１ａに載置されたウェハＷの全周に亘って当該ウェハＷの外周部に接触部５１が接触し且つ当該ウェハＷの外周部を覆う形態で、載置台３０に支持された状態となる。クランプリング５０は、ウェハＷ及び後述の位置調整機構６０の伸縮部材６１を介して載置台３０に支持される。

クランプリング５０の下面における後述の位置調整機構６０に対応する位置には、下方に突出する凸部５２が設けられている。凸部５２を設けた意味については後述する。

また、図２に示すように、載置台３０には、成膜抑制ガスを供給するガス吐出部としての吐出口３１ｄが設けられている。成膜抑制ガスは、載置台３０の載置面３１ａに載置されたウェハＷの外周部またはクランプリング５０の少なくともいずれか一方への成膜を抑制する成膜阻害ガスである。吐出口３１ｄは、載置面３１ａに開口するように形成されている。また、吐出口３１ｄは、載置面３１ａの外周部（具体的には例えば平面視でクランプリング５０の内周端より外側の部分）に、載置面３１ａの周方向に沿って複数形成されている。
なお、吐出口３１ｄは、成膜抑制ガスの供給源等を有する供給機構（図示せず）に接続されている。

さらに、図１に示すように、処理容器１０内には、載置面３１ａ上でのウェハＷの位置を調整する位置調整機構６０が設けられている。位置調整機構６０は、当接部６０ａを有する。当接部６０ａは、載置台３０の載置面３１ａに載置されたウェハＷの周縁に対し側方から進退可能に構成され当該周縁に当接する。そして、位置調整機構６０は、移動機構３５による載置台３０とクランプリング５０との相対的な移動（具体的には載置台３０の昇降）が行われることにより、載置面３１ａに載置されたウェハＷの周縁に対し当接部６０ａが進退するように構成されている。位置調整機構６０は、図３に示すように、例えば複数（好ましくは３以上）設けられ、載置台３０の周方向に沿って等間隔で設けられる。位置調整機構６０は、少なくとも以下のように構成されている。すなわち、少なくとも、当接部６０ａ（具体的にはその内周側端）が、最内側の位置である位置合わせの基準位置Ｌ１（後述の図６参照）と、基準位置Ｌ１から外側に退避した退避位置Ｌ２（後述の図６参照）との間で移動するように、位置調整機構６０は構成されている。基準位置Ｌ１に位置する当接部６０ａに周縁が当接する載置面３１ａ上のウェハＷは、当該載置面３１ａ上において適切な位置となる。位置調整機構６０の具体的な構成については後述する。

以上のように構成される成膜装置１には、図１に示すように、制御部１００が設けられている。制御部１００は、例えばＣＰＵ等のプロセッサやメモリを備えたコンピュータにより構成され、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、成膜装置１における後述のウェハ処理を実現するためのプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部１００にインストールされたものであってもよい。また、上記記憶媒体は、一時的なものであっても、非一時的なものであってもよい。

＜位置調整機構６０＞
続いて、図２を参照し、図４及び図５を用いて、位置調整機構６０の構成例について説明する。図４及び図５はそれぞれ、位置調整機構６０の側面図及び上面図である。また、図４及び図５は、位置調整機構６０の周囲の部材も示されており、図４では当該周囲の部材を断面で示している。

図４及び図５に示すように、各位置調整機構６０は伸縮部材６１を有する。伸縮部材６１は、径方向に沿って伸縮自在に構成され、当接部６０ａが先端側に設けられて、基端部が囲繞部３３に固定されている。伸縮部材６１は、径方向に沿って伸びることにより、当接部６０ａが載置面３１ａに載置されたウェハＷの周縁に向かって移動するように構成されている。

この伸縮部材６１は、例えば、第１軸部材６１ａ、第１リンク６１ｂ、第２軸部材６１ｃ、第２リンク６１ｄ、第３軸部材６１ｅ及びスライダ６１ｆを有する。第１軸部材６１ａ、第１リンク６１ｂ、第２軸部材６１ｃ、第２リンク６１ｄ、第３軸部材６１ｅ及びスライダ６１ｆの材料には例えばアルミニウムが用いられる。

第１軸部材６１ａは、水平面において径方向と直交する方向に軸が延びるように、囲繞部３３に固定され、鉛直方向にも径方向にも移動しないようなっている。

第１リンク６１ｂは、その基端部が第１軸部材６１ａに軸支され、その先端部が第２軸部材６１ｃに軸支されている。

第２軸部材６１ｃは、第１リンク６１ｂの先端部と第２リンク６１ｄの基端部を連結するものであり、第１軸部材６１ａと同様、水平面において径方向と直交する方向に軸が延びるように設けられている。ただし、第２軸部材６１ｃは、第１軸部材６１ａとは異なり、固定されておらず、鉛直方向及び径方向の両方に移動可能になっている。

第２リンク６１ｄは、その基端部が第２軸部材６１ｃに軸支され、また、その先端部が第３軸部材６１ｅに軸支されている。

第３軸部材６１ｅは、第２リンク６１ｄの先端部とスライダ６１ｆの基端部を連結するものであり、第１軸部材６１ａと同様、水平面において径方向と直交する方向に軸が延びるように設けられている。ただし、第３軸部材６１ｅは、第１軸部材６１ａとは異なり、鉛直方向及び径方向のうち径方向にのみ移動可能に、囲繞部３３に支持されている。

スライダ６１ｆは、前述の当接部６０ａであり、基端部が第３軸部材６１ｅに固定され、先端側が載置台３０の外周部の上面（具体的には凹部３１ｃの底面）に支持される。スライダ６１ｆの先端側の厚さは、例えば、当該先端側の上端が土手部３１ｂの上端から突出しない厚さである。

この構成により、伸縮部材６１は、径方向に沿って伸縮自在となっており、また、径方向に沿って伸縮したときに、第３軸部材６１ｅが径方向に移動し且つスライダ６１ｆの先端側が載置台３０の凹部３１ｃの底面上を径方向に摺動する。

伸縮部材６１は、載置台３０との間の摩擦力を低減する摩擦低減膜で覆われていてもよい。伸縮部材６１は、その全体が上記摩擦低減膜で覆われていてもよいし、スライダ６１ｆのみ等、その一部のみが上記摩擦低減膜で覆われていてもよい。摩擦低減膜は、成膜処理時の載置面３１ａの温度が２００℃未満と低い場合、例えばフッ素樹脂膜であり、２００℃以上と高い場合、例えばダイヤモンドライクカーボン膜である。

また、伸縮部材６１は、スライダ６１ｆの先端側のみ、載置部３１の上面の上方に位置する。伸縮部材６１のそれ以外の部分は、囲繞部３３の上方に位置する。

載置台３０が待機位置等に位置しクランプリング５０から離間しており伸縮部材６１にクランプリング５０が接触していない状態では、当該伸縮部材６１の一部（具体的には第２軸部材６１ｃによる連結部分）がクランプリング５０に向けて突出するように、すなわち、上方に突出するように、当該伸縮部材６１が径方向に縮んでいる。それに対し、載置台３０の上昇が行われることにより、伸縮部材６１の上方に突出していた部分がクランプリング５０により載置台３０に向けて押圧されて、当該伸縮部材６１が径方向に延び、スライダ６１ｆが、載置面３１ａ上のウェハＷに向かって移動する。クランプリング５０による押圧により、スライダ６１ｆは少なくとも前述の基準位置Ｌ１まで移動する。

また、伸縮部材６１は、一方向からの力のみで、径方向に縮んだ状態から伸びた後、再び縮むように構成されている。具体的には、伸縮部材６１は、クランプリング５０による載置台３０に向けた力すなわち下方への力のみで、第２軸部材６１ｃによる連結部分が上方に突出する形態で径方向に縮んだ状態から伸び切った後、当該連結部分が下方に突出する形態で縮むように構成されている。この伸縮の過程で、スライダ６１ｆが、前述の退避位置Ｌ２から基準位置Ｌ１へ移動した後、弱退避位置Ｌ３に移動する。弱退避位置Ｌ３（後述の図８参照）は、基準位置Ｌ１の外側であるが退避位置Ｌ２よりも内側の位置すなわち当該基準位置Ｌ１に近い位置である。

さらに、位置調整機構６０はバネ６２を有する。バネ６２は、伸縮部材６１が以下の形態で縮むように当該伸縮部材６１を付勢する。すなわち、伸縮部材６１のクランプリング５０に押圧される部分（具体的には第２軸部材６１ｃによる連結部分）がクランプリング５０に向けて突出する形態である。

囲繞部３３の上面における伸縮部材６１に対応する位置には、下方に凹む凹部３３ａが設けられている。凹部３３ａには、第１リンク６１ｂ及び第２リンク６１ｄと、スライダ６１ｆの基端側と、が収容される。凹部３３ａは径方向に延びるように形成されている。
また、凹部３３ａは、例えば以下のように形成される。すなわち、凹部３３ａは、伸縮部材６１が伸び切ってスライダ６１ｆが基準位置Ｌ１に位置する状態において、伸縮部材６１の略全体（具体的には囲繞部３３の上方に位置する部分）が当該凹部３３ａ内に収まるように形成される。このように凹部３３ａが形成されていても、伸縮部材６１を前述のように下方に突出する形態で縮ませるために、クランプリング５０の凸部５２が設けられている。

さらに、凹部３３ａの底面には、下方に凹みバネ６２の下側が収容される収容凹部３３ｂが形成されている。

囲繞部３３の上面において、径方向と直交する方向で凹部３３ａと隣接する位置には、径方向外側から順に、下方に凹む凹部３３ｃ、３３ｄを有する。凹部３３ｃ、３３ｄに対しては、当該凹部３３ｃ、３３ｄの開口部を塞ぐ蓋部材３３ｅが設けられている。
凹部３３ｃと蓋部材３３ｅとは、第１軸部材６１ａを固定する軸固定部を構成する。
凹部３３ｄと蓋部材３３ｅとは、第３軸部材６１ｅを径方向に移動可能に支持する軸支持部を構成する。

＜ウェハ処理＞
続いて、成膜装置１を用いて行われる、ウェハＷの位置合わせ工程を含むウェハ処理について、図６～図８を用いて説明する。図６～図８は、ウェハＷの位置合わせ工程時の位置調整機構６０の状態を示す図である。なお、このウェハ処理は、制御部１００の下、行われる。

（ステップＳ１：載置）
まず、載置台３０の載置面３１ａにウェハＷが載置される。
具体的には、処理容器１０のウェハＷの搬出入口（図示せず）に設けられたゲートバルブ（図示せず）が開かれ、処理容器１０に隣接する真空雰囲気の搬送室（図示せず）から、上記搬出入口を介して、ウェハＷを保持した搬送機構（図示せず）が真空雰囲気の処理容器１０内に挿入される。そして、ウェハＷが、前述の待機位置に位置する載置台３０の上方に搬送される。次いで上昇した支持ピン（図示せず）の上にウェハＷが受け渡され、その後、上記搬送機構は処理容器１０から抜き出され、上記ゲートバルブが閉じられる。それと共に、上記支持ピンの下降が行われ、所定の温度に調整された載置台３０の載置面３１ａ上にウェハＷが載置される。

このとき、各位置調整機構６０の伸縮部材６１は、図６に示すように、バネ６２からの付勢力により、第２軸部材６１ｃによる連結部分がクランプリング５０に向けて（すなわち上方に向けて）突出する形態で、最も縮んだ状態にある。そのため、各位置調整機構６０のスライダ６１ｆが退避位置Ｌ２に位置する。退避位置Ｌ２は土手部３１ｂの内周端より外側に位置する。したがって、載置面３１ａ上へのウェハＷの載置が、スライダ６１ｆにより妨げられることはない。

（ステップＳ２：位置調整及びクランプリング５０の設置）
次いで、載置面３１ａ上でのウェハＷの位置調整及びクランプリング５０の設置が行われる。
具体的には、載置台３０が待機位置から処理位置まで上昇される。
上昇開始直後から、クランプリング５０が各位置調整機構６０の伸縮部材６１に接触するまでは、各伸縮部材６１のスライダ６１ｆの位置は退避位置Ｌ２のままである。

クランプリング５０が各位置調整機構６０の伸縮部材６１に接触し始めてからも、載置台３０の上昇を継続することで、まず、支持部材（図示せず）に支持されていたクランプリング５０が、各伸縮部材６１の第２軸部材６１ｃによる連結部分に受け渡され支持される。その後、クランプリング５０が自重により載置台３０に近づいていき、その過程で、各伸縮部材６１の第２軸部材６１ｃによる連結部分が、クランプリング５０により下方に向けて押圧され、各伸縮部材６１が伸びていく。

図７に示すように、クランプリング５０による押圧により各伸縮部材６１が伸び切ると、各伸縮部材６１のスライダ６１ｆは基準位置Ｌ１となる。これにより、ウェハＷが載置面３１ａ上の適切な位置からずれた位置に載置されていた場合に、ずれた方向に位置するスライダ６１ｆとウェハＷの周縁を当接させ、当該ウェハＷをずれが解消する方向に移動させ、適切な位置に位置させることができる。つまり、載置面３１ａ上でのウェハＷの位置を調整することができる。
この際、吐出口３１ｄから載置面３１ａとウェハＷの裏面との間に成膜阻害ガスを供給してもよい。これにより、載置面３１ａとウェハＷの裏面との間の摩擦力を低下させ、スライダ６１ｆによるウェハＷの移動を容易にすることができる。

なお、各伸縮部材６１が伸び切った状態では、クランプリング５０は、載置面３１ａに載置されたウェハＷの外周部に接触部５１が接触するほどには、まだ載置台３０に近づいていない。各伸縮部材６１が伸び切る前すなわちスライダ６１ｆが基準位置Ｌ１に到達する前に、クランプリング５０の接触部５１がウェハＷの外周部に接触してしまうと、スライダ６１ｆによるウェハＷの移動が阻害されるおそれがあるから、である。
また、基準位置Ｌ１は、クランプリング５０の接触部５１の内周端より外側に位置する。

各伸縮部材６１が伸び切った後も、クランプリング５０が自重により載置台３０に近づいていく。各伸縮部材６１の第２軸部材６１ｃによる連結部分が、クランプリング５０により下方に向けて押圧され、各伸縮部材６１が縮んでいき、スライダ６１ｆが基準位置Ｌ１から外側に遠ざかる。また、クランプリング５０が自重により載置台３０に近づいていく結果、最終的に、図８に示すように、載置面３１ａに載置されたウェハＷの外周部に接触部５１が接触する。つまり、クランプリング５０が、載置台３０に対し設置され、ウェハＷ及び伸縮部材６１を介して載置台３０に支持される。このとき、各伸縮部材６１は、第２軸部材６１ｃによる連結部分が下方に向けて突出する形態で縮んでおり、スライダ６１ｆが前述の弱退避位置Ｌ３に位置する。
なお、スライダ６１ｆが弱退避位置Ｌ３に移動するまでの間に伸縮部材６１の第２軸部材６１ｃによる連結部分が凹部３３ａの底面に接触しないよう、当該凹部３３ａは設けられている。

クランプリング５０の設置が完了すると、載置部３１が静電チャックである場合は静電チャックによりウェハＷが吸着保持される。
なお、載置台３０が処理位置に到達する前に、クランプリング５０の設置が完了してもよいし、載置台３０が処理位置に到達した後に、クランプリング５０の設置が完了してもよい。
載置面３１ａ上でのウェハＷの位置が前述のように調整されているため、設置されたクランプリング５０と当該ウェハＷは同心となる。

（ステップＳ３：膜形成）
その後、ウェハＷ上に金属膜が形成される。
具体的には、供給部１４から成膜ガスが供給される。供給された成膜ガスがウェハＷの表面で熱により分解し、ウェハＷ上に金属膜が形成される。

供給部１４からの成膜ガスの供給の他に、吐出口３１ｄからの成膜抑制ガスの供給も行われる。供給された成膜抑制ガスは、載置部３１の土手部３１ｂとクランプリング５０との間、伸縮部材６１が設けられた囲繞部３３とクランプリング５０との間を流れ、開口２０ａ、２０ｂを介して排出される。このように成膜抑制ガスを供給することより、ウェハＷの外周部、載置部３１の土手部３１ｂ、クランプリング５０、囲繞部３３、伸縮部材６１等に金属膜が形成されるのを抑制することができる。

なお、金属膜の形成中、スライダ６１ｆが弱退避位置Ｌ３のままである。

金属膜形成が完了すると、供給部１４からの成膜ガスの供給、吐出口３１ｄからの成膜抑制ガスの供給が停止され、載置部３１が静電チャックである場合は静電チャックによるウェハＷの吸着保持も停止される。

（ステップＳ４：搬出）

そして、ステップＳ１と逆の手順で、ウェハＷが処理容器１０から搬出される。

（本実施形態の主な効果）
以上のように、本実施形態によれば、載置台３０の載置面３１ａ上でのウェハＷの位置調整を、位置調整専用の駆動系を用いずに行うことができる。また、本実施形態では、位置調整専用の駆動系が不要なため、当該駆動系に起因したパーティクルの問題が生じない。

また、本実施形態によれば、載置面３１ａ上でのウェハＷとクランプリング５０とを確実に同心とすることができる。したがって、ウェハＷの所望の領域にのみ所望の厚さで成膜することができる。

さらに、本実施形態では金属膜の形成中、スライダ６１ｆが弱退避位置Ｌ３に位置し、ウェハＷの周縁部と当接していない。したがって、ウェハＷが成膜中に熱膨張することによりスライダ６１ｆに当接してウェハＷが破損するのを抑制することができる。また、ウェハＷが成膜中に熱膨張することによりスライダ６１ｆに当接し当該スライダ６１ｆが縮みクランプリング５０が持ち上がるのを抑制することができる。

（第１実施形態の変形例）
以上の例では、クランプリング５０を設置する際、載置台３０を上昇させたが、載置台３０を移動させずに、クランプリング５０を下降させるようにしてもよい。
また、以上の例では、クランプリング５０は固定されていなかったが、固定されていてもよい。

（第２実施形態）
＜成膜装置＞
図９は、第２実施形態にかかる基板処理装置としての成膜装置が有する位置調整機構の側面図である。また、図９では、位置調整機構の周囲の部材を断面で示している。

図９の位置調整機構６０Ａを有する成膜装置は、第１実施形態と異なり、クランプリング５０を有していない。
さらに、図９の位置調整機構６０Ａは、第１実施形態と異なり、支持部材２００を有する。支持部材２００は、伸縮部材６１を下方から支持可能に構成されている。具体的には、支持部材２００は、伸縮部材６１を以下の状態で支持可能に構成されている。すなわち、伸縮部材６１における第２軸部材６１ｃによる連結部分が上方に突出する形態で当該伸縮部材６１が径方向に縮んだ状態である。
また、支持部材２００は、載置台３０が待機位置に位置するときは、処理容器１０の底壁１２に支持される。ただし、支持部材２００は、載置台３０が、待機位置の上方に位置すると、処理容器１０の底壁１２による支持が解除される。

この支持部材２００は、載置台３０の囲繞部３３を厚さ方向に貫通する貫通孔２０１に挿通される。
また、支持部材２００は、底壁１２による支持が解除されたときに、伸縮部材６１（具体的には例えば第１リンク６１ｂの先端部）に吊持されるように構成されている。

載置台３０が待機位置に位置し支持部材２００が処理容器１０の底壁１２に支持されている状態では、伸縮部材６１の第２軸部材６１ｃによる連結部分が上方に突出するように、当該伸縮部材６１が径方向に縮んでいる。それに対し、底壁１２と載置台３０との相対的な移動が行われることにより（具体的には載置台３０の上昇が行われることにより）、処理容器１０の底壁１２による支持部材２００の支持が解除され、支持部材２００による伸縮部材６１の支持も解除される。その結果、伸縮部材６１の上方に突出していた部分が、伸縮部材６１及び支持部材２００に作用する重力により下方に移動し、当該伸縮部材６１が径方向に延び、スライダ６１ｆが、載置面３１ａ上のウェハＷに向かって移動する。伸縮部材６１及び支持部材２００に作用する重力により、スライダ６１ｆは少なくとも前述の基準位置Ｌ１まで移動する。

本実施形態においても、伸縮部材６１は、一方向からの力のみで、径方向に縮んだ状態から伸びた後、再び縮むように構成されている。具体的には、伸縮部材６１は、当該伸縮部材６１及び支持部材２００に作用する下方への重力のみで、第２軸部材６１ｃによる連結部分が上方に突出する形態で径方向に縮んだ状態から伸び切った後、当該連結部分が下方に突出する形態で縮むように構成されている。この伸縮の過程で、スライダ６１ｆが、図１０に示す退避位置Ｌ２から図１１に示す基準位置Ｌ１へ移動した後、図１３に示す弱退避位置Ｌ３に移動する。なお、スライダ６１ｆが弱退避位置Ｌ３まで移動すると、伸縮部材６１の第２軸部材６１ｃによる連結部分は凹部３３ａの底面に支持される。

本実施形態によっても、載置台３０の載置面３１ａ上でのウェハＷの位置調整を、位置調整専用の駆動系を用いずに行うことができる。
また、本実施形態では、伸縮部材６１を伸ばし基準位置Ｌ１までスライダ６１ｆを移動させるための力として、当該伸縮部材６１に作用する重力だけでなく伸縮部材６１に吊持された支持部材２００に作用する重力も加わる。したがって、スライダ６１ｆにウェハＷの周縁が当接していても、当該スライダ６１ｆを基準位置Ｌ１まで容易に移動させることができる。すなわち、スライダ６１ｆによるウェハＷの移動を容易に行うことができる。

（第２実施形態の変形例）
支持部材２００が、伸縮部材６１に吊持されず、処理容器１０の底壁１２に固定されていてもよい。この場合、載置台３０の上昇が行われることにより、支持部材２００による伸縮部材６１の支持が解除される。その結果、伸縮部材６１の上方に突出していた部分が、伸縮部材６１に作用する重力により下方に移動し、当該伸縮部材６１が径方向に延び、スライダ６１ｆが、載置面３１ａ上のウェハＷに向かって移動する。

（その他の変形例）
以上では、本開示にかかる位置調整技術を、成膜装置に適用していたが、エッチング装置やクリーニング装置等、成膜処理以外の他の基板処理を行う装置に適用してもよい。

また、以上では、スライダ６１ｆの先端側の厚さが、例えば、当該先端側の上端が土手部３１ｂの上端から突出しない厚さとした。しかし、スライダ６１ｆの先端側の厚さが、当該先端側の上端から突出する厚さでもよい。この場合、ウェハＷが土手部３１ｂに乗り上げるように載置台３０に載置されていても、ウェハＷを土手部３１ｂから落として載置面３１ａ上に載置することができる。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

１ 成膜装置
１０ 処理容器
１２ 底壁
３０ 載置台
３１ａ 載置面
３５ 移動機構
５０ クランプリング
６０、６０Ａ 位置調整機構
６０ａ 当接部
Ｗ ウェハ

Claims (10)

1. 基板を処理する基板処理装置であって、
   基板が載置される載置面を有する載置台と、
   前記載置台が内部に設置された処理容器と、
   前記載置面に載置された基板の周縁に対し側方から進退可能に構成され当該周縁に当接する当接部を有する位置調整機構と、
   前記載置台以外の当該基板処理装置の構成部材と前記載置台とを相対的に鉛直方向に移動させる移動機構と、を備え、
   前記位置調整機構は、前記移動機構による相対的な移動が行われることにより、前記載置面に載置された基板の周縁に対し前記当接部が進退するように構成されている、基板処理装置。
2. 前記載置面の周方向に沿って前記位置調整機構を複数有する、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記位置調整機構は、前記載置面の径方向に沿って伸縮自在に構成され前記当接部が設けられた伸縮部材を有し、
   前記伸縮部材は、当該伸縮部材が伸びることにより、前記当接部が、前記載置面に載置された基板の周縁に向かって移動するように構成されている、請求項１または２に記載の基板処理装置。
4. 前記伸縮部材は、一方向からの力で、縮んだ状態から伸びた後、再び縮むように構成されている、請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記載置台以外の当該基板処理装置の前記構成部材は、前記載置面に載置された基板の表面の外周部を覆うカバー部材であり、
   前記伸縮部材は、前記移動機構による前記カバー部材と前記載置台との相対的な移動が行われることにより、前記カバー部材により前記載置台に向けて押圧されて伸びるように構成されている、請求項３または４に記載の基板処理装置。
6. 前記位置調整機構は、前記伸縮部材が前記カバー部材に向けて突出する形態で縮むように当該伸縮部材を付勢する付勢部材を有する、請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記載置台の前記載置面に載置された基板の外周部または前記カバー部材の少なくともいずれか一方への成膜を抑制する成膜抑制ガスを供給するガス吐出部を有する、請求項５または６に記載の基板処理装置。
8. 前記載置台以外の当該基板処理装置の前記構成部材は、前記処理容器の底壁であり、
   前記位置調整機構は、
   前記伸縮部材が縮むように当該伸縮部材を下方から支持可能に構成され、前記底壁により支持される支持部材を有し、
   前記移動機構による前記底壁と前記載置台との相対的な移動が行われることにより前記支持部材による前記伸縮部材の支持が解除されて当該伸縮部材が伸びるように構成されている、請求項３または４に記載の基板処理装置。
9. 前記支持部材は、前記底壁による当該支持部材の支持が解除されたときに、前記伸縮部材に吊持されるように構成されている、請求項８に記載の基板処理装置。
10. 前記伸縮部材は、前記載置台との間の摩擦力を低減する摩擦低減膜で覆われている、請求項３～９のいずれか１項に記載の基板処理装置。

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