TWI763687B - 配線基板的製造方法、配線基板 - Google Patents

配線基板的製造方法、配線基板

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Abstract

本發明的配線基板的製造方法具有以下製程：製程A， 準備第1導電性薄膜，該第1導電性薄膜包含基板以及在基板的至少一個主面上配置之圖案狀金屬層，且具有3維形狀；製程B，在第1導電性薄膜的至少一個主面上配置耐擦傷性層，從而得到帶有耐擦傷性層之薄膜；以及製程C，在第1模具以及第2模具中的一個模具上，以耐擦傷性層和一個模具相向之方式配置帶有耐擦傷性層之薄膜，將第1模具和第2模具進行鎖模，並向由第1模具和第2模具形成之模穴內注入樹脂，從而得到包含第1導電性薄膜以及樹脂層之配線基板。

Description

配線基板的製造方法、配線基板
本發明涉及一種配線基板的製造方法以及配線基板。
在基板上形成有金屬層之導電性薄膜用於各種用途。例如，近年來隨著觸控面板在行動電話或可攜式游戲機等中的搭載率上升，對於能夠進行多點檢測的靜電電容式觸控面板感測器用導電性薄膜的需求急劇擴大。
另一方面，隨著如上所述的觸控面板等設備的普及，搭載該些之設備的種類變得多樣化，為了進一步提高設備的操作性，提出了觸控面為曲面之觸控面板。
例如在專利文獻1中，公開有一種不會發生由拉深加工時的斷線而引起之感測器功能的不良狀況，且觸控面的透視性優異之3維曲面觸控面板。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]：日本特開2013-246741號公報
專利文獻1中所記載的3維曲面觸控面板包含具有基材片和主電極層且具有3維形狀之配線基板。該種具有3維形狀之配線基板其自身不 具有支撐性(不具有所謂自身支撐性)的情況較多，操作性差。
並且，如上所述的配線基板還存在在操作時易產生傷痕之問題。
本發明鑑於上述情況，將提供一種能夠容易地製造自身支撐性以及耐擦傷性優異之、具有3維形狀之配線基板作為課題。
並且，本發明還將提供一種具有上述特性之配線基板作為課題。
本發明者對上述課題進行深入研究之結果，發現藉由以下構成能夠解決上述課題。
(1)一種配線基板的製造方法，具有以下製程：製程A，準備第1導電性薄膜，該第1導電性薄膜包含基板以及在上述基板的至少一個主面上配置之圖案狀金屬層，且具有3維形狀；製程B，在上述第1導電性薄膜的至少一個主面上配置耐擦傷性層，從而得到帶有耐擦傷性層之薄膜；以及製程C，在第1模具以及第2模具中的一個模具上，以上述耐擦傷性層和上述一個模具相向之方式配置上述帶有耐擦傷性層之薄膜，將上述第1模具和上述第2模具進行鎖模，並向由上述第1模具和上述第2模具形成之模穴內注入樹脂，從而得到包含上述第1導電性薄膜以及樹脂層之配線基板。
(2)如(1)所述之配線基板的製造方法，其中，在上述製程C中，將包含基板以及在上述基板的至少一個主面上配置之圖案狀金屬層、且具有3維形狀之第2導電性薄膜進一步配置於上述第1模具以及上述第2模 具中的另一個模具上，將上述第1模具和上述第2模具進行鎖模，並向由上述第1模具和上述第2模具形成之模穴內注入樹脂，從而得到包含上述第1導電性薄膜、上述樹脂層以及上述第2導電性薄膜之配線基板。
(3)如(1)或(2)所述之配線基板的製造方法，其中，在上述製程A和上述製程B之間、和/或在上述製程B和上述製程C之間，還具有對上述第1導電性薄膜中的上述圖案狀金屬層實施防銹處理以及遷移抑制處理中的至少一種處理之製程F。
(4)如(1)至(3)中任一項所述之配線基板的製造方法，其中，在上述耐擦傷性層以及上述樹脂層的至少一個中，包含防銹劑以及遷移抑制劑中的至少一種。
(5)一種配線基板的製造方法，具有以下製程：製程A，準備第1導電性薄膜，該第1導電性薄膜包含基板以及在上述基板的至少一個主面上配置之圖案狀金屬層，且具有3維形狀；製程D，在第1模具以及第2模具中的至少一個模具上配置上述第1導電性薄膜，將上述第1模具和上述第2模具進行鎖模，並向由上述第1模具和上述第2模具形成之模穴內注入樹脂，從而得到帶有樹脂層之薄膜；以及製程E，在上述帶有樹脂層之薄膜的至少一個主面上配置耐擦傷性層，從而得到配線基板。
(6)如(5)所述之配線基板的製造方法，其中，在上述製程D中， 將包含基板以及在上述基板的至少一個主面上配置之圖案狀金屬層、且具有3維形狀之第2導電性薄膜進一步配置於上述第1模具以及上述第2模具中的另一個模具上，將上述第1模具和上述第2模具進行鎖模，並向由上述第1模具和上述第2模具形成之模穴內注入樹脂，從而得到包含上述第1導電性薄膜、上述樹脂層以及上述第2導電性薄膜之帶有樹脂層之薄膜。
(7)如(5)或(6)所述之配線基板的製造方法，其中，在上述製程A和上述製程D之間，還具有對上述第1導電性薄膜中的上述圖案狀金屬層實施防銹處理之製程G。
(8)如(5)至(7)中任一項所述之配線基板的製造方法，其中，在上述製程A和上述製程D之間或者在上述製程D和上述製程E之間，還具有對上述第1導電性薄膜中的上述圖案狀金屬層實施遷移抑制處理之製程H。
(9)如(5)至(8)中任一項所述之配線基板的製造方法，其中，在上述耐擦傷性層以及上述樹脂層中的至少一個上，含有防銹劑以及遷移抑制劑中的至少一種。
(10)如(1)至(9)中任一項所述之配線基板的製造方法，其中，上述製程A具有：製程X1，在基板上形成具有與電鍍觸媒或其前驅物進行相亙作用之官能基之圖案狀被鍍敷層，從而得到帶有被鍍敷層之基板；製程X2，使上述帶有被鍍敷層之基板變形，從而得到具有3維形狀之 帶有被鍍敷層之基板；以及製程X3，對於上述具有3維形狀之帶有被鍍敷層之基板中的上述圖案狀被鍍敷層實施電鍍處理，從而在上述圖案狀被鍍敷層上形成圖案狀金屬層，在上述製程X2之後且上述製程X3之前還具有對上述圖案狀被鍍敷層賦予電鍍觸媒或其前驅物之製程X4，或者電鍍觸媒或其前驅物包含於上述製程X1的上述圖案狀被鍍敷層中。
(11)如(1)至(10)中任一項所述之配線基板的製造方法，其中，上述配線基板為觸控面板感測器用配線基板。
(12)一種配線基板，其包含：導電性薄膜，包含基板以及在上述基板的至少一個主面上配置之圖案狀金屬層，且具有3維形狀；耐擦傷性層；以及樹脂層。
(13)如(12)中所述之配線基板，其中，在上述圖案狀金屬層上配置有防銹劑以及遷移抑制劑中的至少一種。
依本發明，可提供一種能夠容易地製造自身支撐性以及耐擦傷性優異之、具有3維形狀之配線基板之方法。
並且，依本發明，還將提供一種具有上述特性之配線基板作為課題。
10:第1導電性薄膜
12:基板
12a:半球部
12b:平坦部
14:圖案狀金屬層
16:耐擦傷性層
18a、18b:帶有耐擦傷性層之薄膜
20:第1模且
22:第2模具
24a、24b、24c、24d:配線基板
26:樹脂層
28:帶有樹脂層之薄膜
30:金屬細線
31:格子
C:模穴
W:格子31的一邊的長度
圖1係具有3維形狀之第1導電性薄膜的一實施形態的剖面圖。
圖2A係圖1中所記載的第1導電性薄膜的立體圖。
圖2B係圖1中所記載的第1導電性薄膜的局部放大剖面圖。
圖2C係圖案狀金屬層的局部放大俯視圖。
圖3係帶有耐擦傷性層之薄膜的一實施形態的剖面圖。
圖4係將帶有耐擦傷性層之薄膜配置於第1模具上之示意圖。
圖5係將第1模具和第2模具進行鎖模時的示意圖。
圖6係配線基板的一實施形態的剖面圖。
圖7係帶有耐擦傷性層之薄膜的另一實施形態的剖面圖。
圖8係配線基板的另一實施形態的剖面圖。
圖9係將帶有耐擦傷性層之薄膜配置於第2模具上之示意圖。
圖10係配線基板的另一實施形態的剖面圖。
圖11係將帶有耐擦傷性層之薄膜配置於第1模具上以及第2模具上之示意圖。
圖12係將第1導電性薄膜配置於第1模具上之示意圖。
圖13係帶有樹脂層之薄膜的一實施形態的剖面圖。
圖14係配線基板的另一實施形態的剖面圖。
以下，對本發明的配線基板的製造方法進行詳述。
另外，在本說明書中用“~”表示之數值範圍表示將記載於“~”前後之數值作為下限值以及上限值而包含之範圍。並且，本發明中之圖係用於更容易理解發明之示意圖，各層的厚度關係或位置關係等未必與實際一致。
並且，(甲基)丙烯醯基意指丙烯醯基和/或甲基丙烯醯基。並且，(甲基)丙烯酸基意指丙烯酸基和/或甲基丙烯酸基。
在本發明的配線基板的製造方法中，包括設置耐擦傷性層之製程以及藉由嵌入成形來設置樹脂層之製程。藉由使用耐擦傷性層，耐擦傷性得到提高，藉由使用樹脂層，自身支撐性得到提高。
<<第1實施形態>>
本發明的配線基板的製造方法的第1實施形態具有後述之製程A~製程C。
以下，參閱附圖，對各製程的步驟進行詳述。
<製程A>
製程A係準備第1導電性薄膜之製程，該第1導電性薄膜包含基板以及配置於基板的至少一個主面上之圖案狀金屬層，且具有3維形狀。
另外，在本說明書中，準備係意指關於上述第1導電性薄膜，使用後述之原材料來製造或單純藉由購買等方法來購置等。並且，在本說明書中，主面意指構成上述基板之面中，相亙面對之面積最大的面，相當於與基板的厚度方向相向之面。
圖1中示出在本製程中準備之第1導電性薄膜的一實施形態。圖2A係第1導電性薄膜的一實施形態的立體圖，圖1係其A-A剖面上之剖面圖。圖2B係導電性薄膜的局部放大剖面圖。
如圖1、圖2A以及圖2B中所示，第1導電性薄膜10包含基板12以及配置於基板12的一個主面上之圖案狀金屬層14，且局部具有半球狀的3維形狀。亦即，基板12具有半球部12a以及從半球部12a的底部向外側擴展之平坦部12b，圖案狀金屬層14配置於半球部12a上。並且，如圖2B所示，圖案狀金屬層14配置於基板12的半球部12a的外表面上。
另外，在圖1、圖2A以及圖2B中示出具有半球形狀的形狀之第1導電性薄膜的形態，但只要第1導電性薄膜具有3維形狀(立體形狀)，則不限於該形態。例如，作為3維形狀，例如可舉出包含曲面之3維形狀，更具體地，可舉出半圓柱形狀、波形形狀、凸凹形狀以及圓柱狀等。
並且，在圖1、圖2A以及圖2B中，圖案狀金屬層14配置於基板12的半球部12a的外表面上，但並不限於該形態。例如，亦可以配置於基板12的半球部12a的內表面上，亦可以配置於內表面以及外表面兩者。亦即，在第1導電性薄膜中，圖案狀金屬層可僅配置於具有兩個主面之基板的一個主面上，亦可配置於兩個主面上。
並且，如圖2A所示，圖案狀金屬層14以5根條紋狀配置，但並不限於該形態，可以係任意的配置圖案。
圖2C係圖案狀金屬層14的局部放大俯視圖，圖案狀金屬層14由複數個金屬細線30構成，且具有網格狀的圖案，前述網格狀的圖案包含 基於交叉之金屬細線30之複數個格子31。
金屬細線30的線寬並無特別的限制，1000μm以下為較佳，500μm以下為更佳，300μm以下為進一步較佳，2μm以上為較佳，5μm以上為更佳。
金屬細線30的厚度並無特別的限制，從導電性的觀點來看，可從0.00001~0.2mm中選擇，30μm以下為較佳，20μm以下為更佳，0.01~9μm為進一步較佳，0.05~3μm為特佳。
格子31包含由金屬細線30包圍之開口區域。格子31的一邊的長度W為1500μm以下為較佳，1300μm以下為更佳，1000μm以下為進一步較佳，5μm以上為較佳，30μm以上為更佳，80μm以上為進一步較佳。
另外，在圖2C中，格子31具有大致菱形的形狀。但是，亦可設為其他多邊形(例如三角形、四角形、六角形以及不規則的多邊形)。並且，一邊的形狀除了直線狀以外，亦可設為彎曲形狀或圓弧狀。當設為圓弧狀時，例如可將相向之2個邊設為向外側凸的圓弧狀，並將其他相向之2個邊設為向內側凸的圓弧狀。而且，亦可將各邊的形狀設為向外側凸的圓弧和向內側凸的圓弧相連續之波浪線形狀。當然，亦可將各邊的形狀設為正弦曲線。
另外，在圖2C中，圖案狀金屬層14具有網格狀的圖案，但並不限於該形態。
(基板)
基板只要具有2個主面，且為支撐圖案狀金屬層者，則其種類並無特別的限制。作為基板，具有可撓性之基板(絶縁基板為較佳)為較佳，樹 脂基板為更佳。
作為樹脂基板的材料，例如可舉出聚醚碸系樹脂、聚丙烯酸系樹脂、聚氨酯系樹脂、聚酯系樹脂(聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯)、聚碳酸酯系樹脂、聚碸系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚烯烴系樹脂、纖維素系樹脂、聚氯乙烯系樹脂以及環烯烴系樹脂等。
基板的厚度(mm)並無特別的限制，從操作性以及薄型化的平衡的觀點來看，0.05~2mm為較佳，0.1~1mm為更佳。
並且，基板可以係複數層構造，例如，作為其一個層可包含功能性薄膜。另外，基板本身可以係功能性薄膜。
(圖案狀金屬層)
關於構成圖案狀金屬層之金屬的種類並無特別的限制，例如可舉出銅、鉻、鉛、鎳、金、銀、錫以及鋅等，從導電性的觀點來看，銅、金、或銀為較佳，銅或銀為更佳。
(第1導電性薄膜的製造方法)
具有3維形狀之第1導電性薄膜能夠藉由公知的方法來製造。關於詳細內容將在後段總結並進行詳述。
<製程B>
製程B係在第1導電性薄膜的至少一個主面上配置耐擦傷性層來得到帶有耐擦傷性層之薄膜之製程。
例如，藉由實施本製程，如圖3所示，可得到在第1導電性薄膜10的兩個面上配置有耐擦傷性層16之帶有耐擦傷性層之薄膜18a。帶有耐擦傷 性層之薄膜18a具有源自第1導電性薄膜10之3維形狀。
另外，在圖3中示出耐擦傷性層16配置於第1導電性薄膜10的兩個面上之形態，但並不限於該形態，亦可如圖7所示，僅在第1導電性薄膜10的一個主面上配置耐擦傷性層16。
並且，耐擦傷性層16配置於第1導電性薄膜10中的圖案狀金屬層14上為較佳。
作為耐擦傷性層，能夠使用公知的耐擦傷性層，例如可舉出所謂硬塗層或者自我修復層等。
作為硬塗層，能夠使用公知的層，例如可舉出將具有不飽和雙鍵之化合物進行聚合硬化而得到之層以及利用溶膠凝膠反應進行熱硬化而得到之層。
硬塗層的厚度為0.4~35μm為較佳，1~30μm為更佳，1.5~20μm為進一步較佳。
硬塗層的形成方法並無特別的限制，例如可舉出以下方法：使包含具有不飽和雙鍵之化合物以及根據需要而使用之添加劑(例如聚合引發劑、透光性粒子或者溶劑)之硬塗層形成用組成物與第1導電性薄膜接觸，在第1導電性薄膜上形成塗膜，並使塗膜硬化，從而形成硬塗層。
具有不飽和雙鍵之化合物在硬化後作為黏合劑而發揮功能。具有不飽和雙鍵之化合物為具有2個以上的聚合性不飽和基之多官能單體為較佳。並且，聚合性不飽和基為3個以上為更佳。
作為具有不飽和雙鍵之化合物，可舉出(甲基)丙烯醯基、乙烯基、 苯乙烯基以及烯丙基等具有聚合性不飽和基之化合物。其中，作為聚合性不飽和基，(甲基)丙烯醯基為較佳。
作為具有不飽和雙鍵之化合物的具體例，可舉出伸烷基二醇的(甲基)丙烯酸二酯類、聚氧伸烷基二醇的(甲基)丙烯酸二酯類、多元醇的(甲基)丙烯酸二酯類、環氧乙烷或環氧丙烷加成物的(甲基)丙烯酸二酯類、環氧(甲基)丙烯酸酯類、氨酯(甲基)丙烯酸酯類以及聚酯(甲基)丙烯酸酯類等。
作為能夠藉由溶膠凝膠法進行熱硬化的化合物，例如可舉出原矽酸甲酯等矽烷化合物。
作為包含於硬塗層形成用組成物中之其他添加劑的具體例，可參閱日本特開2012-103689號公報的0025~0043段中所記載的光聚合引發劑、透光性粒子以及溶劑等，該內容已納入本說明書中。
自我修復層(自我修復性層)係產生於層表面上之傷痕具有進行自我修復之功能(自我修復性)之層。另外，自我修復性係藉由彈性恢復來使傷痕進行修復，從而變得不易產生傷痕之功能，更具體地係指如下性質，亦即以施加了500g荷重之黃銅刷來擦拭層的表面，並在擦拭後立即以肉眼確認傷痕的存在時，在20~25℃的環境下，在產生傷痕後3分鐘內傷痕恢復。
作為自我修復層，能夠使用公知的層。例如，作為自我修復層可舉出包含著具有軟段和硬段之樹脂之層。軟段藉由發揮緩衝作用來緩解外力，並發揮使傷痕彈性恢復之功能，硬段發揮抵抗外力之功能。
更具體而言，作為自我修復層中所包含之材料，例如可舉出具有聚碳酸酯骨架之氨脂樹脂、具有聚己內酯骨架之氨脂樹脂以及具有聚酯骨架之氨脂樹脂等，該些聚碳酸酯骨架、聚己內酯骨架以及聚酯骨架作為軟段而發揮功能，氨脂鍵作為硬段而發揮功能。
自我修復層的厚度為0.5~50μm為較佳，1~30μm為更佳。
耐擦傷性層的形成方法並無特別的限制。如上所述，在形成硬塗層時，可舉出使用硬塗層形成用組成物之方法。並且，在形成自我修復層時，可舉出使包含上述材料之組成物與第1導電性薄膜接觸並根據需要來實施乾燥處理之方法。
在耐擦傷性層中，可根據需要而包含後述之防銹劑以及遷移抑制劑中的至少一種。
<製程C>
製程C係如下製程：在能夠形成模穴的第1模具以及第2模具中的一個模具上，以耐擦傷性層和一個模具相向之方式配置帶有耐擦傷性層之薄膜，將第1模具和第2模具進行鎖模，並向由第1模具和第2模具形成之模穴內注入樹脂，從而得到包含第1導電性薄膜以及樹脂層之配線基板。
在本製程中，首先如圖4所示，以耐擦傷性層16與第1模具20相向之方式將帶有耐擦傷性層之薄膜18a配置(安裝)於第1模具20上。接著，如圖5所示，將第1模具20以及第2模具22進行鎖模，並從未圖示之射出口向由第1模具20和第2模具22形成之模穴C內注入樹脂(射出注入)。另外在注入時，通常樹脂以公知的加熱方式進行加熱，溶融之樹脂被注入 到模穴C內。並且，模具(第1模具和/或第2模具)亦可以以公知的加熱方式進行加熱。
之後，根據需要將模具進行冷卻來使樹脂硬化，並從模具卸下成形體亦即配線基板24a。如圖6所示，配線基板24a依次包含耐擦傷性層16、第1導電性薄膜10、耐擦傷性層16以及樹脂層26。
藉由實施上述製程，能夠將樹脂層26不留空隙地配置在帶有耐擦傷性層之薄膜18a上，且能夠得到自身支撐性以及耐擦傷性優異之配線基板24a。
另外，配置於第1模具上之帶有耐擦傷性層之薄膜中的圖案狀金屬層的配置位置並無特別的限制，可配置成朝向第1模具側，亦可配置成朝向模穴側。
模穴係設置於第1模具和第2模具之間之用於形成樹脂層之空間。
另外，在圖4中，第1模具20的形狀為凹狀，第2模具22的形狀為凸狀，但並不限於該形態，可根據帶有耐擦傷性層之薄膜的3維形狀(立體形狀)來選擇最佳形狀的模具。亦即，可選擇具有與帶有耐擦傷性層之薄膜的3維形狀對應之形狀之模具。
在本製程中，配置成帶有耐擦傷性層之薄膜中的耐擦傷性層與2個模具中的至少一個相向。在圖4中，使用了在第1導電性薄膜10的兩個面上配置有耐擦傷性層16之帶有耐擦傷性層之薄膜18a，且以一個耐擦傷性層16與第1模具20相向之方式將帶有耐擦傷性層之薄膜18a配置於第1模具 20上。
並且，如上所述，當使用如圖7所示那樣的僅在第1導電性薄膜10的一個主面上配置有耐擦傷性層16之帶有耐擦傷性層之薄膜18b時，以耐擦傷性層16與第1模具20相向之方式將帶有耐擦傷性層之薄膜18b配置(安裝)於第1模具20上。當為該種形態時，藉由實施該製程C，可得到如圖8所示那樣的依次包含耐擦傷性層16、第1導電性薄膜10以及樹脂層26之配線基板24b。
注入(填充)到模穴中之樹脂的種類並無特別的限制，能够使用公知的樹脂。例如，可舉出聚醚碸系樹脂、聚丙烯酸系樹脂、聚氨酯系樹脂、聚酯系樹脂(聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯)、聚碳酸酯系樹脂、聚碸系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚烯烴系樹脂、纖維素系樹脂、聚氯乙烯系樹脂以及環烯烴系樹脂等。
並且，還可以將後述之防銹劑以及遷移抑制劑中的至少一種與樹脂一同注入。當為該形態時，在所得到之樹脂層中包含防銹劑以及遷移抑制劑中的至少一種。
並且，基板的材料與注入到模穴中之樹脂可相同亦可不同。若基板的材料與注入到模穴中之樹脂為相同的樹脂，則兩者的熱膨脹係數(熱線膨脹係數以及熱體膨脹係數)相等，因此即使配線基板的溫度發生變化(例如因使用而發熱)，亦不易產生由熱膨脹係數的差引起之應力以及應變。由於不易產生上述應力以及應變，因此進一步提高上述配線基板的耐久性。
在圖4中，關於將帶有耐擦傷性層之薄膜18a配置於第1模具 20(凹狀模具)上之形態進行了描述，但並不限於該形態，亦可如圖9所示，將帶有耐擦傷性層之薄膜18a配置於第2模具(凸狀模具)上來實施上述處理。
另外，此時如圖10所示，可得到依次包含樹脂層26、耐擦傷性層16、第1導電性薄膜10以及耐擦傷性層16之配線基板24c。
<任意製程>
在上述第1實施形態中，可包含除上述之製程A~製程C以外的其他製程。
例如，在製程A和製程B之間和/或在製程B和製程C之間，可包含對第1導電性薄膜中的圖案狀金屬層實施防銹處理以及遷移抑制處理中的至少一種處理之製程F。
藉由實施上述處理，在圖案狀金屬層上配置防銹劑以及遷移抑制劑中的至少一種。
作為防銹處理，能夠使用公知的防銹處理，例如可舉出使防銹劑接觸第1導電性薄膜中的圖案狀金屬層之方法。作為防銹劑，能夠使用公知的材料，例如可舉出揮發性防銹劑以及水溶性防銹劑等。
並且，作為其他方法，還可以舉出以不易氧化的金屬來包覆圖案狀金屬層之方法。例如可舉出以鍍金來包覆圖案狀金屬層之方法。
遷移抑制處理係防止圖案狀金屬層間的遷移之處理，能夠使用公知的處理。例如可舉出使遷移抑制劑與第1導電性薄膜中的圖案狀金屬層接觸之方法。作為遷移抑制劑，能夠使用公知的材料，例如可舉出雜環 化合物(例如三唑、苯并三唑)、苯酚化合物以及磷系化合物等。
<<第1實施形態的變形例>>
在上述第1實施形態中，如圖4以及圖9所示，在第1模具20以及第2模具22中的一個上配置有帶有耐擦傷性層之薄膜18a，但並不限於該形態，亦可如圖11所示，在第1模具20以及第2模具22兩者上配置包含導電性薄膜之積層體。例如，如圖11中具體所示，可在第1模具20以及第2模具22兩者上配置帶有耐擦傷性層之薄膜18a。在該種形態中，若以與上述第1實施形態相同的步驟向模穴內注入樹脂，則可得到依次包含耐擦傷性層16、第1導電性薄膜10、耐擦傷性層16、樹脂層26、耐擦傷性層16、第1導電性薄膜10以及耐擦傷性層16之配線基板。亦即，所得到之配線基板中包含2片第1導電性薄膜10。
通常，靜電電容式觸控面板感測器能夠藉由將在一個面上配置有圖案狀金屬層之2片導電性薄膜相向配置來形成。因此，按照上述步驟，能夠在具有3維形狀之導電性薄膜之間不包含空隙地將兩者一體化，所得到之成形體能夠作為靜電電容式觸控面板感測器來很好地應用。
另外，在圖11中，在第2模具22上配置有具有耐擦傷性層16、第1導電性薄膜10、耐擦傷性層16之帶有耐擦傷性層之薄膜18a，但並不限於該形態，亦可在第2模具22上配置第2導電性薄膜，前述第2導電性薄膜包含基板以及在基板的至少一個主面上配置之圖案狀金屬層，且具有3維形狀。另外，可在上述第2導電性薄膜的主面的至少一個上配置耐擦傷性層。
並且，關於配置於第1模具上之帶有耐擦傷性層之薄膜中的圖案狀金屬層和配置於第2模具上之第2導電性薄膜中的圖案狀金屬層的配置並無特別的限制，兩者可配置成朝向模穴側，亦可配置成僅一個朝向模穴側，亦可配置成兩者均朝向模具側。
<<第2實施形態>>
本發明的配線基板的製造方法的第2實施形態具有製程A、製程D以及製程E。
製程A：準備第1導電性薄膜之製程，該第1導電性薄膜包含基板以及在基板的至少一個主面上配置之圖案狀金屬層，且具有3維形狀
製程D：在能夠形成模穴的第1模具以及第2模具中的至少一個模具上配置第1導電性薄膜，將第1模具和第2模具進行鎖模，並向由第1模具和第2模具形成之模穴內注入樹脂，從而得到帶有樹脂層之薄膜之製程
製程E：在帶有樹脂層之薄膜的至少一個主面上配置耐擦傷性層來得到配線基板之製程
上述製程A與在第1實施形態中說明之製程A的含義相同，因此省略說明。以下，參閱附圖對製程D以及製程E進行詳述。
<製程D>
製程D係在能夠形成模穴的第1模具以及第2模具中的至少一個模具上配置第1導電性薄膜，將第1模具和第2模具進行鎖模，並向由第1模具和第2模具形成之模穴內注入樹脂，從而得到帶有樹脂層之薄膜之製程。
在本製程中，首先如圖12所示，將具有3維形狀之第1導電性薄膜10 配置(安裝)於第1模具20上。接著，按照與上述之製程C相同的步驟，將第1模具20和第2模具22進行鎖模，並從射出口向由第1模具20和第2模具22形成之模穴內注入樹脂(射出注入)。
之後，根據需要使模具冷卻來使樹脂硬化，並從模具卸下成形體亦即帶有樹脂層之薄膜28。如圖13所示，帶有樹脂層之薄膜28具有3維形狀，且依次包含第1導電性薄膜10以及樹脂層26。
作為注入到模穴中之樹脂，可舉出在製程C中已進行說明之樹脂。並且，如在製程C中所述，可將防銹劑以及遷移抑制劑與樹脂一同注入到模穴中。
另外，在圖12中，描述了將第1導電性薄膜配置於第1模具(凹狀模具)上之形態，但並不限於該形態，亦可將第1導電性薄膜配置於第2模具(凸狀模具)上來實施上述之處理。
<製程E>
製程E係在帶有樹脂層之薄膜的至少一個主面上配置耐擦傷性層來得到配線基板之製程。
藉由實施本製程，例如如圖14所示，在帶有樹脂層之薄膜28的兩個面上配置耐擦傷性層16，從而得到依次包含耐擦傷性層16、第1導電性薄膜10、樹脂層26以及耐擦傷性層16之配線基板24d。
另外，在圖14中，在帶有樹脂層之薄膜28的兩個面上配置有耐擦傷性層16，但並不限於該形態，亦可僅在帶有樹脂層之薄膜28的2個主面中的任一個上配置耐擦傷性層16。
耐擦傷性層16的定義以及形成方法如在第1實施形態的製程B中所述。
<任意製程>
在上述第2實施形態中，亦可包含除上述之製程A、製程D以及製程E以外的其他製程。
例如，在製程A和製程D之間，可包含對第1導電性薄膜中的圖案狀金屬層實施防銹處理之製程G。
並且，例如在製程A和製程D之間和/或在製程D和製程E之間，可包含對第1導電性薄膜中的圖案狀金屬層實施遷移抑制處理之製程H。
在上述製程G中實施之防銹處理以及在上述製程H中實施之遷移抑制處理的步驟與在第1實施形態中敘述之各處理的步驟相同。
<<第2實施形態的變形例>>
在上述之第2實施形態中，如圖12所示，在第1模具20上配置有第1導電性薄膜10，但並不限於該形態，亦可在第1模具20以及第2模具22中的一個上配置第1導電性薄膜，並進一步在第1模具20以及第2模具22中的另一個上配置包含基板以及在基板的至少一個主面上配置之圖案狀金屬層、且具有3維形狀之第2導電性薄膜，以此來實施上述製程D。另外，在上述第2導電性薄膜的主面的至少一個上可配置有耐擦傷性層。
藉由實施上述處理，可得到包含第1導電性薄膜、樹脂層以及第2導電性薄膜且具有3維形狀之帶有樹脂層之薄膜。
<配線基板>
藉由上述步驟得到之配線基板具有3維形狀，並且耐擦傷性以及自身支撐性優異，能夠應用於各種用途。例如，能夠應用於觸控面板感測器、半導體晶片、FPC(柔性印刷電路，Flexible printed circuits)、COF(覆晶薄膜，Chip on Film)、TAB(捲帶式自動接合，Tape Automated Bonding)、天線、多層配線基板以及主機板等各種用途。其中，使用於觸控面板感測器(靜電電容式觸控面板感測器)為較佳。在將上述配線基板應用於觸控面板感測器時，配線基板中的圖案狀金屬層作為觸控面板感測器中的檢測電極或引出配線而發揮功能。
並且，本發明的配線基板還能夠用作發熱體。亦即，藉由使電流在圖案狀金屬層中流動，圖案狀金屬層的溫度上升，圖案狀金屬層作為熱電線而發揮功能。
<<導電性薄膜的製造方法>>
導電性薄膜的製造方法並無特別的限制，能夠採用公知的方法。
作為導電性薄膜的製造方法的較佳形態之一，可舉出具有以下製程X1~製程X4之方法。
以下，對各製程進行詳述。
(製程X1)
製程X1係在基板上形成具有與電鍍觸媒或其前驅物進行相亙作用之官能基(以下亦稱作“相亙作用性基”)之圖案狀被鍍敷層，從而得到帶有被鍍敷層之基板之製程。
形成上述圖案狀被鍍敷層之方法並無特別的限制，使包含以下化合物X 或組成物Y之被鍍敷層形成用組成物與基板接觸來在基板上形成被鍍敷層前驅物層，對該被鍍敷層前驅物層以圖案狀賦予能量(例如曝光)，進而進行顯影，藉此形成帶有被鍍敷層之基板之方法為較佳。
化合物X：具有與電鍍觸媒或其前驅物進行相亙作用之官能基(以下，亦僅稱作“相亙作用性基”)以及聚合性基之化合物
組成物Y：包含具有與電鍍觸媒或其前驅物進行相亙作用之官能基之化合物以及具有聚合性基之化合物之組成物
以下，對上述方法進行詳述。首先，對在本方法中使用之材料進行詳述，之後對步驟進行詳述。
(化合物X)
化合物X係具有相亙作用性基和聚合性基之化合物。
相亙作用性基意指能夠與賦予到圖案狀被鍍敷層上之電鍍觸媒或其前驅物進行相亙作用之官能基，例如可以舉出能夠與電鍍觸媒或其前驅物形成靜電相亙作用的官能基以及能夠與電鍍觸媒或其前驅物配位形成的含氮官能基、含硫官能基及含氧官能基等。
作為相亙作用性基，更具體而言可舉出胺基、醯胺基、醯伸胺基、脲基、第三級胺基、銨基、脒基、三嗪環、三唑環、苯并三唑基、咪唑基、苯并咪唑基、喹啉基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、喹唑啉基、喹噁啉基、嘌呤基、三嗪基、哌啶基、哌嗪基、吡咯啶基、吡唑基、苯胺基、包含烷基胺結構之基團、包含異三聚氰酸結構之基團、硝基、亞硝基、偶氮基、重氮基、疊氮基、氰基以及氰酸基等含氮官能基；醚基、羥基、酚性羥基、 羧酸基、碳酸酯基、羰基、酯基、包含N-氧化物結構之基團、包含S-氧化物結構之基團以及包含N-羥基結構之基團等含氧官能基；噻吩基、硫醇基、硫脲基、三聚硫氰酸基、苯并噻唑基、巰基三嗪基、硫醚基、硫氧基、亞碸基、碸基、亞硫酸酯基、包含亞碸亞胺結構之基團、包含亞碸鎓鹽結構之基團、磺酸基以及包含磺酸酯結構之基團等含硫官能基；磷酸基、磷醯胺基、膦基以及包含磷酸酯結構之基團等含磷官能基；包含氯原子以及溴原子等鹵原子之基團等，還能夠在採用鹽結構之官能基中使用其鹽。
其中，從極性較高且對電鍍觸媒或其前驅物等的吸附能較高來看，羧酸基、磺酸基、磷酸基以及硼酸基等離子性極性基、醚基或者氰基為較佳，羧酸基或者氰基為更佳。
在化合物X中可包含2種以上的相亙作用性基。
聚合性基係可藉由能量賦予來形成化學鍵之官能基，例如可舉出自由基聚合性基以及陽離子聚合性基等。其中，從反應性更優異之觀點來看，陽離子聚合性基為較佳。作為陽離子聚合性基，例如可舉出丙烯酸酯基(丙烯醯氧基)、甲基丙烯酸酯基(甲基丙烯醯氧基)、衣康酸酯基、巴豆酸酯基、異巴豆酸酯基、馬來酸酯基等不飽和羧酸酯基、苯乙烯基、乙烯基、丙烯醯胺基以及甲基丙烯醯胺基等。其中，甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基、乙烯基、苯乙烯基、丙烯醯胺基或者甲基丙烯醯胺基為較佳，甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基或者苯乙烯基為更佳。
在化合物X中可包含2種以上的聚合性基。並且，在化合物X中所包含之聚合性基的數量並無特別的限制，可以係1個，亦可以係2個以上。
上述化合物X可以係低分子化合物，亦可以係高分子化合物。低分子化合物意指分子量小於1000的化合物，高分子化合物意指分子量為1000以上的化合物。
當上述化合物X為聚合物時，聚合物的重量平均分子量並無特別的限制，從溶解性等操作性更優異之觀點來看，1000~700000為較佳，2000~200000為更佳。尤其從聚合靈敏度的觀點來看，若為20000以上則為進一步較佳。
具有該種聚合性基以及相亙作用性基之聚合物的合成方法並無特別的限制，可使用公知的合成方法(參閱日本特開2009-280905號的[0097]~[0125]段)。
作為聚合物的較佳的形態，可舉出包含以下述式(a)表示之具有聚合性基之重複單元(以下，亦適當稱作聚合性基單元)以及以下述式(b)表示之具有相亙作用性基之重複單元(以下，亦適當稱作相亙作用性基單元)之共聚體。
Figure 106123565-A0305-02-0026-1
上述式(a)以及式(b)中，R1~R5分別獨立地表示氫原子或 者取代或未取代的烷基(例如甲基、乙基、丙基以及丁基等)。另外，取代基的種類並無特別的限制，可舉出甲氧基、氯原子、溴原子以及氟原子等。
另外，作為R1，以氫原子、甲基或者溴原子取代之甲基為較佳。作為R2，以氫原子、甲基或者溴原子取代之甲基為較佳。作為R3，氫原子為較佳。作為R4，氫原子為較佳。作為R5，以氫原子、甲基或者溴原子取代之甲基為較佳。
上述式(a)以及式(b)中，X、Y以及Z分別獨立地表示單鍵或者取代或未取代的2價有機基。作為2價有機基，可舉出取代或未取代的2價脂肪族羥基(碳數1~8為較佳。例如亞甲基、伸乙基以及伸丙基等伸烷基)、取代或未取代的2價芳香族羥基(碳數6~12為較佳。例如伸苯基)、-O-、-S-、-SO2-、-N(R)-(R：烷基)、-CO-、-NH-、-COO-、-CONH-以及將該些進行組合之基團(例如伸烷氧基、伸烷氧羰基以及伸烷羰氧基等)等。
作為X、Y以及Z，從聚合物容易合成且圖案狀金屬層的密合性更優異之觀點來看，單鍵、酯基(-COO-)、醯胺基(-CONH-)、醚基(-O-)或者取代或未取代的2價芳香族羥基為較佳，單鍵、酯基(-COO-)或者醯胺基(-CONH-)為更佳。
上述式(a)以及式(b)中，L1以及L2分別獨立地表示單鍵或者取代或未取代的2價有機基。作為2價有機基的定義，與上述之關於X、Y以及Z所述之2價有機基的含義相同。
作為L1，從聚合物容易合成且圖案狀金屬層的密合性更優異之觀點來 看，脂肪族羥基或者具有氨基甲酸酯鍵或脲鍵之2價有機基(例如脂肪族羥基)為較佳，其中，總碳數係1~9者為較佳。另外，在此L1的總碳數表示以L1表示之取代或未取代的2價有機基中所包含之總碳原子數。
並且，從圖案狀金屬層的密合性更優異之觀點來看，L2為單鍵或者2價脂肪族羥基、2價芳香族羥基、或將該些進行組合之基團為較佳。其中，L2為單鍵或者總碳數為1~15為較佳。另外，L2的總碳數表示以L2表示之取代或未取代的2價有機基中所包含之總碳原子數。
上述式(b)中，W表示相亙作用性基。相亙作用性基的定義如上所述。
從反應性(硬化性、聚合性)以及在合成時抑制凝膠化的觀點來看，上述聚合性基單元的含有量相對於聚合物中的所有重複單元為5~50莫耳%為較佳，5~40莫耳%為更佳。
並且，從對電鍍觸媒或其前驅物之吸附性的觀點來看，上述相亙作用性基單元的含有量相對於聚合物中的所有重複單元為5~95莫耳%為較佳，10~95莫耳%為更佳。
(單體的較佳形態)
當上述化合物係所謂單體時，作為較佳形態之一可舉出以式(X)表示之化合物。
[化2]
Figure 106123565-A0305-02-0029-2
式(X)中，R11~R13分別獨立地表示氫原子或者取代或未取代的烷基。作為未取代的烷基，可舉出甲基、乙基、丙基以及丁基。並且，作為取代烷基，可舉出以甲氧基、氯原子、溴原子或者氟原子等取代之甲基、乙基、丙基以及丁基。另外，作為R11，氫原子或者甲基為較佳。作為R12，氫原子為較佳。作為R13，氫原子為較佳。
L10表示單鍵或者2價有機基。作為2價有機基，可舉出取代或未取代的脂肪族羥基(碳數1~8為較佳)、取代或未取代的芳香族羥基(碳數6~12為較佳)、-O-、-S-、-SO2-、-N(R)-(R：烷基)、-CO-、-NH-、-COO-、-CONH-以及將該些進行組合之基團(例如伸烷氧基、伸烷氧羰基以及伸烷羰氧基等)等。
式(X)中，作為L10的較佳形態之一，可舉出-NH-脂肪族羥基-或者-CO-脂肪族羥基-。
W的定義與式(b)中的W的定義相同，表示相亙作用性基。相亙作用性基的定義如上所述。
式(X)中，作為W的較佳形態，可舉出離子性極性基，羧酸基為更佳。
(組成物Y)
組成物Y係包含具有相亙作用性基之化合物以及具有聚合性基之化合 物之組成物。亦即，被鍍敷層前驅物層包含具有相亙作用性基之化合物以及具有聚合性基之化合物2種。相亙作用性基以及聚合性基的定義如上所述。
具有相亙作用性基之化合物係具有相亙作用性基之化合物。相亙作用性基的定義如上所述。作為該種化合物，可以係低分子化合物，亦可以係高分子化合物。作為具有相亙作用性基之化合物的較佳形態，可舉出具有以上述之式(b)表示之重複單元之高分子化合物(例如聚丙烯酸)。另外，具有相亙作用性基之化合物中不包含聚合性基。
具有聚合性基之化合物係所謂單體，從所形成之圖案狀被鍍敷層的硬度更優異之觀點來看，具有2個以上的聚合性基之多官能單體為較佳。作為多官能單體，具體而言，使用具有2~6個聚合性基之單體為較佳。從對反應性產生影響之交聯反應中的分子的運動性的觀點來看，所使用之多官能單體的分子量為150~1000為較佳，200~800為更佳。
具有聚合性基之化合物中可包含有相亙作用性基。
另外，具有相亙作用性基之化合物和具有聚合性基之化合物的質量比(具有相亙作用性基之化合物的質量/具有聚合性基之化合物的質量)並無特別的限制，從所形成之圖案狀被鍍敷層的強度以及鍍敷適合性的平衡的觀點來看，0.1~10為較佳，0.5~5為更佳。
在被鍍敷層形成用組成物中可根據需要而包含有其他成分(例如聚合引發劑、溶劑、增感劑、硬化劑、聚合抑制劑、抗氧化劑、抗靜電劑、填充劑、粒子、阻燃劑、潤滑劑、塑化劑等)。
在本方法中所使用之基板的種類如上所述。
使被鍍敷層形成用組成物和基板接觸之方法並無特別的限制，例如可舉出將被鍍敷層形成用組成物塗佈到基板上之方法、或者將基板浸漬於被鍍敷層形成用組成物中之方法。
對於在形成於基板上之被鍍敷層前驅物層以圖案狀賦予能量之方法並無特別的限制。例如，使用加熱處理或曝光處理(光照射處理)等為較佳，從處理在短時間內結束之觀點來看，曝光處理為較佳。藉由賦予能量，被鍍敷層前驅物層中的化合物中的聚合性基被活化，在化合物之間產生交聯，進行層的硬化。
另外，在實施上述曝光處理時，為得到所希望的圖案狀被鍍敷層，使用具有規定形狀的開口部之遮罩來進行曝光處理為較佳。
接著，對於以圖案狀被賦予能量之被鍍敷層前驅物層實施顯影處理，藉此形成圖案狀被鍍敷層。
顯影處理的方法並無特別的限制，可根據所使用之材料的種類來實施最合適的顯影處理。作為顯影液，例如可舉出有機溶劑以及鹼水溶液。
(製程X2)
製程X2係使帶有被鍍敷層之基板變形來得到具有3維形狀之帶有被鍍敷層之基板之製程。另外，在製程X2中，以被鍍敷層的至少一部分變形之方式使帶有被鍍敷層之基板變形為較佳。
如上所述，若使帶有被鍍敷層之基板變形為所希望的形狀，則隨著基板的變形，被鍍敷層亦配合著變形。
帶有被鍍敷層之基板的變形方法並無特別的限制，例如能夠使用真空成形、吹氣成形、自由吹氣成形、壓空成形、真空-壓空成形以及熱壓成形等公知的方法。作為在變形時實施之熱處理的溫度，係基板的材料的熱變形溫度以上的溫度為較佳，設為玻璃轉變溫度(Tg)+50~350℃的範圍為較佳。
藉由實施上述步驟，可得到具有3維形狀之帶有被鍍敷層之基板。3維形狀的形態並無特別的限制，可以係如圖2A所示的半球狀，亦可以係其他形狀。
(製程X3、製程X4)
製程X3係對具有3維形狀之帶有被鍍敷層之基板中的圖案狀被鍍敷層實施電鍍處理，從而在圖案狀被鍍敷層上形成圖案狀金屬層之製程。
另外，在本處理方法中，在製程X3之前還具有向圖案狀被鍍敷層賦予電鍍觸媒或其前驅物之製程X4，或者電鍍觸媒或其前驅物包含於製程X1的圖案狀被鍍敷層中。
以下，對實施製程X4之形態進行詳述。
製程X4係向圖案狀被鍍敷層賦予電鍍觸媒或其前驅物之製程。由於在圖案狀被鍍敷層中含有上述相亙作用性基，因此上述相亙作用性基根據其功能來黏附(吸附)被賦予之電鍍觸媒或其前驅物。
電鍍觸媒或其前驅物係作為電鍍處理的觸媒或電極來發揮功能者。
因此，所使用之電鍍觸媒或其前驅物的種類根據電鍍處理的種類來適當確定。
另外，所使用之電鍍觸媒或其前驅物為無電解電鍍觸媒或其前驅物為較佳。以下，主要對無電解電鍍觸媒或其前驅物等進行詳述。
無電解電鍍觸媒只要係在無電解電鍍時成為活性核者，則能夠使用任意者，具體地可舉出具有自我觸媒還原反應的觸媒功能之金屬(作為離子化傾向低於Ni的能夠進行無電解電鍍之金屬而已知者)等。具體地可舉出Pd、Ag、Cu、Ni、Pt、Au以及Co等。
作為該無電解電鍍觸媒，可使用金屬膠體。
在本製程中所使用之無電解電鍍觸媒前驅物只要係可藉由化學反應成為無電解電鍍觸媒者，則能夠沒有特別限制地使用。主要使用作為上述無電解電鍍觸媒而舉出之金屬的金屬離子。
作為將電鍍觸媒或其前驅物賦予到圖案狀被鍍敷層上之方法，例如可製備出將電鍍觸媒或其前驅物分散或溶解於恰當的溶劑中之溶液，並將該溶液塗佈到圖案狀被鍍敷層上，或者在該溶液中浸漬帶有被鍍敷層之基板。
作為上述溶劑，可適當地使用水或有機溶劑。
接著，對已被賦予電鍍觸媒或其前驅物之圖案狀被鍍敷層進行電鍍處理。
電鍍處理的方法並無特別的限制，例如可舉出無電解電鍍處理或者電解電鍍處理(電鍍處理)。在本製程中，可單獨實施無電解電鍍處理，亦可在實施無電解電鍍處理後進一步實施電解電鍍處理。
以下，對無電解電鍍處理以及電解電鍍處理的步驟進行詳述。
無電解電鍍處理係指電鍍使用溶解有欲析出之金屬離子之溶液，並藉由化學反應來使金屬析出之處理。
無電解電鍍處理例如在將被賦予無電解電鍍觸媒之帶有被鍍敷層之基板進行水洗來去除多餘的無電解電鍍觸媒(金屬)後，浸漬於無電解電鍍液中來進行為較佳。作為所使用之無電解電鍍液，能夠使用公知的無電解電鍍液。
在普通的無電解電鍍液中除了溶劑(例如水)以外，主要包含有電鍍用金屬離子、還原劑以及提高金屬離子的穩定性之添加劑(穩定劑)。在該電鍍液中，除了該些以外，亦可包含電鍍液的穩定劑等公知的添加劑。
當被賦予到圖案狀被鍍敷層上之電鍍觸媒或其前驅物具有作為電極之功能時，能夠對被賦予該電鍍觸媒或其前驅物之圖案狀被鍍敷層進行電鍍。
另外，如上所述，在本製程中，在上述無電解電鍍處理後，能夠根據需要進行電解電鍍處理。在該種形態中，可適當調整所形成之圖案狀金屬層的厚度。
另外，上述中對實施製程X4之形態進行了敘述，但如上所述，當電鍍觸媒或其前驅物包含於製程X1的圖案狀被鍍敷層中時，可不實施製程X4。
藉由實施上述處理，在圖案狀被鍍敷層上形成圖案狀金屬層。因此，藉由配合欲形成之圖案狀金屬層的形狀來形成圖案狀被鍍敷層，能夠得到所希望的第1導電性薄膜。
另外，關於第1導電性薄膜，能夠藉由將圖案狀金屬層表面(例如銅表面)進行氧化或以其他金屬進行包覆來減少源自於電鍍金屬的色澤或金屬光澤。從電阻或配線寬度的觀點來看，已知有以鈀取代之方法。
另外，第1導電性薄膜的製造方法並不限於上述方法。
例如可舉出以下方法，該方法具有以下製程：製程Y1，在基板上形成具有與電鍍觸媒或其前驅物進行相亙作用之官能基以及聚合性基之圖案狀被鍍敷層前驅物層，從而得到帶有被鍍敷層前驅物層之基板；製程Y2，使帶有被鍍敷層前驅物層之基板變形，從而得到具有3維形狀之帶有被鍍敷層前驅物層之基板；製程Y3，向被鍍敷層前驅物層以圖案狀賦予能量，從而形成圖案狀被鍍敷層；以及製程Y4，對圖案狀被鍍敷層實施電鍍處理，從而在圖案狀被鍍敷層上形成圖案狀金屬層，並且在製程Y3之後且製程Y4之前還具有向圖案狀被鍍敷層賦予電鍍觸媒或其前驅物之製程Y5，或者電鍍觸媒或其前驅物包含於製程A的圖案狀被鍍敷層前驅物層中。
並且，例如可舉出以下方法，該方法具有以下製程：製程Z1，在基板上形成具有與電鍍觸媒或其前驅物進行相亙作用之官能基以及聚合性基之被鍍敷層前驅物層，從而得到帶有被鍍敷層前驅物層之基板； 製程Z2，使帶有被鍍敷層前驅物層之基板變形，從而得到具有3維形狀之帶有被鍍敷層前驅物層之基板；製程Z3，經由具有與被鍍敷層前驅物層的面形狀對應之立體形狀且具有開口部之光罩，對被鍍敷層前驅物層以圖案狀進行曝光；製程Z4，對曝光後的被鍍敷層前驅物層進行顯影，從而形成圖案狀被鍍敷層；以及製程Z5，對圖案狀被鍍敷層實施電鍍處理，從而在圖案狀被鍍敷層上形成圖案狀金屬層，在製程Z4之後且製程Z5之前還具有向圖案狀被鍍敷層賦予電鍍觸媒或其前驅物之製程Z6，或者電鍍觸媒或其前驅物包含於製程A的圖案狀被鍍敷層前驅物層中。
並且，在上述基板和圖案狀被鍍敷層之間，可配置有用於提高兩者的密合性之底漆層。
並且，在上述中對使用被鍍敷層前驅物層之態樣進行了敘述，但亦可在基板上將包含具有相亙作用性基之化合物之組成物以圖案狀進行塗佈，以此來形成包含相亙作用性基之圖案狀被鍍敷層。
[實施例]
以下，藉由實施例對本發明更詳細地進行說明，但本發明並不限於該些實施例。
<實施例1>
(底漆層形成用組成物的製備)
將以下成分進行混合來得到底漆層形成用組成物。
Figure 106123565-A0305-02-0037-3
(被鍍敷層形成用組成物的製備)
將以下成分進行混合來得到被鍍敷層形成用組成物。
Figure 106123565-A0305-02-0037-5
Figure 106123565-A0305-02-0037-6
在聚碳酸酯樹脂薄膜(TEIJIN LIMITED.製PANLITE PC-2151，厚度：125μm)上將底漆層形成用組成物以平均乾燥膜厚成為1μm之方式進行棒塗，並在80℃中乾燥3分鐘。之後，對所形成之底漆層形成用組成物層以1000mJ的照射量照射UV(紫外線)，從而形成底漆層。
接著，在上述底漆層上，將被鍍敷層形成用組成物以膜厚成為0.5μm之方式進行棒塗，從而得到帶有被鍍敷層前驅物層之薄膜。
接著，對帶有被鍍敷層前驅物層之薄膜，隔著具有L/S=10μm/10μm的梳形配線狀的開口部之遮罩，利用高壓水銀灯進行UV照射(5000mJ)。接著，對實施了UV照射之帶有被鍍敷層前驅物層之薄膜，利用碳酸鈉水溶液(1質量%)實施顯影處理，從而得到帶有被鍍敷層之薄膜。
接著，將帶有被鍍敷層之薄膜進行真空熱成形而成為半球狀，從而得到帶有半球狀的被鍍敷層之薄膜。另外，此時以圖案狀被鍍敷層位於半球狀的基板的內表面上(內側)之方式進行上述真空熱成形。
接著，將Pd觸媒賦予液OMNISHIELD 1573活化劑(Rohm and Haas Electronic Materials K.K.製)以成為3.6體積%之方式用純水進行稀釋，在以0.1N的HCl將pH調整為4.0之水溶液中，將半球狀的帶有被鍍敷層之薄膜以45℃浸漬5分鐘，之後，以純水清洗2次。接著，將所得到之半球狀的帶有被鍍敷層之薄膜在還原劑CIRCUPOSIT PB OXIDE CONVERTER 60C(Rohm and Haas Electronic Materials K.K.製)的0.8體積%水溶液中以30℃浸漬5分鐘，之後，以純水清洗2次。之後，製成混合有CIRCUPOSIT 4500(Rohm and Haas Electronic Materials K.K.製)的M劑12體積%、A劑6體積%以及B劑10體積%之無電解電鍍液，將所得到之半球狀的帶有被鍍敷層之薄膜在該電鍍液中以45℃浸漬15分鐘，並以純水進行洗浄來形成圖案狀金屬層，從而得到具有半球狀的曲面之導電性薄膜1(參閱圖2A)。
將具有半球狀的曲面之導電性薄膜1的梳形配線的引出配線部分進行掩蔽，並浸漬於硬塗液(Momentive Performance Materials Inc.製，UVHC5000)中後，對已塗佈有硬塗液之上述導電性薄膜1進行UV照射 (4000mJ)，從而在導電性薄膜1的兩個主面上形成硬塗層(參閱圖3)。
接著，在具有能夠形成模穴的第1模具以及第2模具之射出成形機中的第1模具以及第2模具中，以所得到之導電性薄膜1中的圖案狀金屬層朝向模穴側之方式將導電性薄膜1配置(安裝)於第1模具上(參閱圖4)。另外，第1模具的形狀係與所得到之導電性薄膜1的3維形狀對應之形狀(一致形狀)。
接著，將第1模具以及第2模具以成為2mm的間隙之方式進行鎖模，向所形成之模穴內注入(射出)聚碳酸酯樹脂來嵌入成形，將所得到之成形體從模具取下，從而得到配線基板A1(依次具有硬塗層、導電性薄膜1、硬塗層以及樹脂層之配線基板)。
<實施例2>
以圖案狀被鍍敷層位於半球狀的基板的外表面上(外側)之方式進行上述真空熱成形，以所得到之導電性薄膜1中的圖案狀金屬層朝向與模穴側相反的一側之方式將導電性薄膜1配置於第1模具上(參閱圖4)，除此以外按照與實施例1相同的步驟來得到配線基板A2。
<實施例3>
在將導電性薄膜1浸漬於硬塗液之前，對導電性薄膜1實施以下防銹處理，除此以外按照與實施例1相同的步驟來得到配線基板A3。
(防銹處理)
將導電性薄膜1浸漬於防銹劑(JOHOKKU CHEMICAL CO.,LTD.製，BT-120)的1質量%水溶液(防銹處理液)中後，將從防銹處理液中取出之 導電性薄膜1進行水洗。
<實施例4>
在將導電性薄膜1浸漬於硬塗液之前，對導電性薄膜1實施在實施例3中示出之防銹處理，除此以外按照與實施例2相同的步驟來得到配線基板A4。
<實施例5>
在將導電性薄膜1浸漬於硬塗液之前，對導電性薄膜1實施以下遷移抑制處理，除此以外按照與實施例1相同的步驟來得到配線基板A5。
(遷移抑制處理)
將導電性薄膜1浸漬於1,2,3-三唑(相當於遷移抑制劑)的1質量%水溶液(遷移處理液)中後，將從遷移處理液中取出之導電性薄膜1進行水洗。
<實施例6>
在將導電性薄膜1浸漬於硬塗液之前，對導電性薄膜1實施在實施例5中示出之遷移抑制處理，除此以外按照與實施例2相同的步驟來得到配線基板A6。
<實施例7>
作為硬塗液，使用以固體成分計含有1質量%的1,2,3-三唑之硬塗液(Momentive Performance Materials Inc.製，UVHC5000)，除此以外按照與實施例2相同的步驟來得到配線基板A7。
<實施例8>
在將導電性薄膜1浸漬於硬塗液之前，對導電性薄膜1實施以下複合處理，除此以外按照與實施例1相同的步驟來得到配線基板A8。
(複合處理(防銹處理以及遷移抑制處理))
在分別以1質量%包含防銹劑(JOHOKKU CHEMICAL CO.,LTD.製，BT-120)以及1,2,3-三唑之水溶液(混合處理液)中浸漬導電性薄膜1後，從混合處理液中取出導電性薄膜1並進行水洗。
<實施例9>
在將導電性薄膜1浸漬於硬塗液之前，對導電性薄膜1實施在實施例8中示出之複合處理，除此以外按照與實施例2相同的步驟來得到配線基板A9。
<實施例10>
作為硬塗液，使用以固體成分計分別含有1質量%的防銹劑(JOHOKKU CHEMICAL CO.,LTD.，BT-120)和1,2,3-三唑之硬塗液(Momentive Performance Materials Inc.製，UVHC5000)，除此以外按照與實施例2相同的步驟來得到配線基板A10。
<實施例11>
在對導電性薄膜1實施在實施例8中示出之複合處理之前，將導電性薄膜1浸漬於氯化鈀的鹽酸溶液中來將銅表面以鈀進行取代，除此以外按照與實施例9相同的步驟來得到配線基板A11。
<實施例12>
將硬塗液變更為SilFORT PHC587(Momentive Performance Materials Inc.製)，且不進行UV硬化而是以130℃加熱30分鐘，除此以外按照與實施例10相同的步驟來得到配線基板A12。
<實施例13>
對在實施例1中得到之具有半球狀的曲面之導電性薄膜1實施在實施例8中實施之複合處理。
接著，在具有能夠形成模穴的第1模具以及第2模具之射出成形機中的第1模具以及第2模具中，以所得到之導電性薄膜1中的圖案狀金屬層朝向模穴側之方式將導電性薄膜1配置於第1模具上(參閱圖4)。
接著，將第1模具以及第2模具進行鎖模，向所形成之模穴內注入(射出)聚碳酸酯樹脂來進行嵌入成形，並將所得到之成形體從模具取下。
接著，將所得到之成形體浸漬於硬塗液(Momentive Performance Materials Inc.製，UVHC5000)中後，對已塗佈有硬塗液之上述成形體進行UV照射(4000mJ)，從而得到配線基板A13(依次具有硬塗層、導電性薄膜1、樹脂層以及硬塗層之配線基板)。
<實施例14>
在製造導電性薄膜1時，以圖案狀被鍍敷層位於半球狀的基板的外表面上(外側)之方式進行真空熱成形，以所得到之導電性薄膜1中的圖案狀金屬層朝向與模穴側相反的一側之方式將導電性薄膜1配置於第1模具上(參閱圖4)，除此以外按照與實施例13相同的步驟來得到配線基板A14。
<比較例1>
將在實施例1中得到之導電性薄膜1直接用作配線基板C1。
<比較例2>
僅實施硬塗層的形成，且不實施嵌入成形，除此以外按照與實施例1相同的步驟來得到配線基板C2(依次具有硬塗層、導電性薄膜1以及硬塗層之配線基板)。
<比較例3>
不實施硬塗層的形成而僅實施嵌入成形，除此以外按照與實施例1相同的步驟來得到配線基板C3(依次具有導電性薄膜1以及樹脂層之配線基板)。
<各種評價>
(自身支撐性)
以藉由實施例以及比較例得到之配線基板的半球部朝向上側之方式將配線基板設置於支撐體上，在半球部上放上500g的砝碼，並按照以下基準來評價自身支撐性。
“A”：半球部未被壓垮
“B”：半球部被壓垮
(耐鋼絲絨性(耐擦傷性))
在藉由實施例以及比較例得到之配線基板的半球部的外表面上，在施加500g/cm2的荷重的同時將#0000的鋼絲絨以200mm/s往復100次，並按照以下基準來進行評價。
“A”：半球部的霧度的上升為0.5%以下
“B”：半球部的霧度的上升超過0.5%
使用各向異性導電性黏合劑(CP920CM-25AC)(Dexerials Corporation製)，將藉由實施例以及比較例得到之配線基板中的引出配線和柔性配線板(FPC)進行壓接，並進行以下防銹性(壓接部分的電阻測定)以及耐遷移性的評價。
(防銹性)
利用測試儀對上述中得到之樣本中的引出配線和FPC測定電阻，並按照以下基準進行評價。
“A”：1Ω以下
“B”：超過1Ω
(耐遷移性)
對在上述中得到之樣本，在85℃、85%的環境下施加5V的DC(直流電，Direct Current)的同時放置100小時，並按照以下基準進行評價。
“A”：未短路，且進行剖面觀察時未產生樹枝狀的銅的滲出(枝晶)
“B”：未短路，但產生了枝晶
“C”：短路
表1中的“硬塗層處理的順序”欄中，將先實施硬塗層處理而後實施嵌入成形處理之情況表示為“先”，將先實施嵌入成形處理而後實施硬塗層處理之情況表示為“後”。並且，將未實施硬塗層處理之情況表示為“無”，將不實施嵌入成形處理而實施硬塗層處理之情況表示為“有”。
表1中的“金屬層的位置”欄中，將在實施嵌入成形處理時圖案狀金 屬層位於模穴側之情況表示為“內表面”，將圖案狀金屬層位於與模穴側相反的一側之情況表示為“外表面”。並且，將未實施嵌入成形處理之情況表示為“無”。
表1中的“防銹處理”欄中，將實施了防銹處理之情況表示為“有”，將未實施防銹處理之情況表示為“無”。
表1中的“遷移抑制處理”欄中，將實施了遷移抑制處理之情況表示為“有”，將未實施遷移抑制處理之情況表示為“無”。
表1中，關於比較例1以及2，由於在進行鋼絲絨耐受性評價時半球部被壓垮，因此未能進行評價(表1中表示為“-”)。
Figure 106123565-A0305-02-0046-7
如上述表1所示，依本發明的製造方法得到了顯示出所希望的效果之配線基板。並且可確認，在實施了防銹處理的情況下ACF壓接時的電阻的上升進一步得到抑制，在實施了遷移抑制處理的情況下耐遷移性更加優異。
另一方面，在未實施規定的處理的比較例1~3中未得到所希望的效果。
<實施例15>
代替具有梳形配線狀的開口部圖案之遮罩，使用配合True TOUCH Evaluation kit CYTK58(Cypress Semiconductor Corp.製觸摸驅動用IC(積體電路，Integrated circuit))的驅動模式來製作之遮罩，除此以外按照與實施例1相同的步驟來得到導電性薄膜2。
接著，代替具有梳形配線狀的開口部圖案之遮罩，使用配合True TOUCH Evaluation kit CYTK58(Cypress Semiconductor Corp.製觸摸驅動用IC(Integrated circuit))的驅動模式來製作之遮罩，且以圖案狀被鍍敷層位於半球狀的外表面之方式進行真空熱成形，除此以外按照與實施例1相同的步驟來得到導電性薄膜3。
對所得到之導電性薄膜2以及導電性薄膜3實施在實施例8中示出之複合處理。
接著，將所得到之導電性薄膜2配置於第1模具上，將所得到之導電性薄膜3配置於第2模具上，將第1模具以及第2模具進行鎖模，並向所形成之模穴內注入(射出)聚碳酸酯樹脂來進行嵌入成形，將所得到之成 形體從模具取下。
接著，將所得到之成形體浸漬於硬塗液(Momentive Performance Materials Inc.製，UVHC5000)中後，對塗佈有硬塗液之上述成形體進行UV照射(500mJ)，從而得到配線基板A15(依次具有硬塗層、導電性薄膜2、樹脂層、導電性薄膜3以及硬塗層之配線基板)。
將所得到之配線基板A15用作觸控面板感測器時，進行了正常驅動。
10:第1導電性薄膜
16:耐擦傷性層
24a:配線基板
26:樹脂層

Claims (10)

  1. 一種配線基板的製造方法，具有以下製程：製程A，準備第1導電性薄膜，該第1導電性薄膜包含具有3維形狀的基板以及在前述具有3維形狀的基板的至少一個主面上配置之具有3維形狀的圖案狀金屬層；製程B，在前述第1導電性薄膜的至少一個主面上配置耐擦傷性層，從而得到帶有耐擦傷性層之薄膜；以及製程C，在第1模具以及第2模具中的一個模具上，以前述耐擦傷性層和前述一個模具相向之方式配置前述帶有耐擦傷性層之薄膜，將前述第1模具和前述第2模具進行鎖模，並向由前述第1模具和前述第2模具形成之模穴內注入樹脂，從而得到包含前述第1導電性薄膜以及樹脂層之配線基板。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之配線基板的製造方法，其中在前述製程A和前述製程B之間和/或在前述製程B和前述製程C之間，還具有對前述第1導電性薄膜中的前述圖案狀金屬層實施防銹處理以及遷移抑制處理中的至少一種處理之製程F。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之配線基板的製造方法，其中在前述耐擦傷性層以及前述樹脂層的至少一個中，包含防銹劑以及遷移抑制劑中的至少一種。
  4. 一種配線基板的製造方法，具有以下製程： 製程A，準備第1導電性薄膜，該第1導電性薄膜包含具有3維形狀的基板以及在前述具有3維形狀的基板的至少一個主面上配置之具有3維形狀的圖案狀金屬層；製程D，在第1模具以及第2模具中的至少一個模具上配置前述第1導電性薄膜，將前述第1模具和前述第2模具進行鎖模，並向由前述第1模具和前述第2模具形成之模穴內注入樹脂，從而得到帶有樹脂層之薄膜；以及製程E，在前述帶有樹脂層之薄膜的至少一個主面上配置耐擦傷性層，從而得到配線基板。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之配線基板的製造方法，其中在前述製程D中，將包含具有3維形狀的基板以及在前述具有3維形狀的基板的至少一個主面上配置之具有3維形狀的圖案狀金屬層之第2導電性薄膜進一步配置於前述第1模具以及前述第2模具中的另一個模具上，將前述第1模具和前述第2模具進行鎖模，並向由前述第1模具和前述第2模具形成之模穴內注入樹脂，從而得到包含前述第1導電性薄膜、前述樹脂層以及前述第2導電性薄膜之帶有樹脂層之薄膜。
  6. 如申請專利範圍第4項或第5項所述之配線基板的製造方法，其中在前述製程A和前述製程D之間，還具有對前述第1導電性薄膜中的前述圖案狀金屬層實施防銹處理之製程G。
  7. 如申請專利範圍第4項或第5項所述之配線基板的製造方法，其中 在前述製程A和前述製程D之間或者在前述製程D和前述製程E之間，還具有對前述第1導電性薄膜中的前述圖案狀金屬層實施遷移抑制處理之製程H。
  8. 如申請專利範圍第4項或第5項所述之配線基板的製造方法，其中在前述耐擦傷性層以及前述樹脂層中的至少一個中，包含防銹劑以及遷移抑制劑中的至少一種。
  9. 如申請專利範圍第1項或第4項所述之配線基板的製造方法，其中，前述製程A具有以下製程：製程X1，在基板上形成具有與電鍍觸媒或其前驅物進行相亙作用之官能基之圖案狀被鍍敷層，從而得到帶有被鍍敷層之基板；製程X2，使前述帶有被鍍敷層之基板變形，從而得到具有3維形狀之帶有被鍍敷層之基板；以及製程X3，對於前述具有3維形狀之帶有被鍍敷層之基板中的前述圖案狀被鍍敷層實施電鍍處理，從而在前述圖案狀被鍍敷層上形成具有3維形狀的圖案狀金屬層，在前述製程X2之後且前述製程X3之前，還具有向前述圖案狀被鍍敷層賦予電鍍觸媒或其前驅物之製程X4，或者電鍍觸媒或其前驅物包含於前述製程X1的前述圖案狀被鍍敷層中。
  10. 如申請專利範圍第1項或第4項所述之配線基板的製造方法，其中前述配線基板係觸控面板感測器用配線基板。
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