TWI756452B - 堆疊體 - Google Patents

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Abstract

一種堆疊體，其係具有「經沿一個以上方向延伸的偏光件材料薄膜」與「設置於前述偏光件材料薄膜之上且經沿一個以上方向延伸的基材薄膜」之堆疊體，前述偏光件材料薄膜的延伸倍率X為1.5以上且5.5以下，將前述堆疊體以延伸倍率6.0/X倍完成自由端單軸延伸時之前述偏光件材料薄膜的厚度T2為20μm以下，前述偏光件材料薄膜之延伸方向與前述基材薄膜之延伸方向所夾成的角度θ2未達1°，前述基材薄膜的延伸倍率Y小於前述偏光件材料薄膜的延伸倍率X。

Description

堆疊體
本發明係關於堆疊體。
作為液晶顯示裝置及有機電致發光顯示裝置等顯示裝置，自以往便被要求顯示面積大、重量輕，且厚度薄者。因此，構成顯示裝置之面板亦自以往便被要求更薄者。
顯示裝置中，一般使用具備偏光件及保護偏光件之保護薄膜的偏光板。為了構成厚度薄的顯示裝置，偏光板亦被要求為更薄者。尤其一般用作為偏光件之聚乙烯醇等材料，在顯示裝置之使用環境下有時會收縮，故在薄且面積大之顯示裝置中，由此種收縮所致之翹曲可能成為問題。因此，藉由採用所謂厚度10 μm以下之薄偏光件，除了可期待由偏光件之厚度降低本身所致之顯示裝置之厚度降低以外，亦可期待如前所述之翹曲之發生的降低。
然而，藉由以往的製造方法，在欲製造此種厚度之薄的聚乙烯醇偏光件之情況下，頻繁發生偏光件熔斷。目前已提案有數種方法，作為防止此種偏光件之熔斷且製造包含薄偏光件之偏光板的方法。例如於專利文獻1中，已提案：將未延伸聚乙烯醇系薄膜貼附於未延伸高密度聚乙烯製之基材薄膜作為堆疊體，於對該堆疊體完成延伸處理之後，剝離基材薄膜，獲得聚乙烯醇系薄膜的方法。
並且，於專利文獻2中，已提案藉由於非晶質酯系熱塑性樹脂基材塗布包含聚乙烯醇系樹脂之水溶液，製作聚乙烯醇系樹脂膜層做成堆疊體，於對該堆疊體完成延伸處理之後，使二色性物質配向做成著色堆疊體，對該著色堆疊體進行延伸處理而獲得光學薄膜」的方法。
『專利文獻』 《專利文獻1》：日本專利公表第2016-505404號公報（對應公報：美國專利申請公開第2016/084990號說明書） 《專利文獻2》：日本專利第4691205號公報（對應公報：美國專利申請公開第2012/057232號說明書）
在藉由專利文獻1及2所記載之方法製造薄偏光板的情況下，有時因以高延伸倍率延伸堆疊體而在延伸處理後之基材薄膜產生相位差。在此種情況下，由於難以將基材薄膜直接拿來作為偏光板保護薄膜使用，而變得要剝離丟棄，故產生浪費的材料。再者，有可能要另外準備用以保護偏光板的保護薄膜，而產生貼附於偏光板之操作。
並且，就獲得具有充足幅寬之薄型偏光板而言，雖可考慮準備幅寬尺寸極寬的基材薄膜以塗布或貼附偏光件的材料（例如聚乙烯醇材料），但若基材薄膜之幅寬尺寸過大，則有所謂生產困難的問題。
因此，本發明之目的在於提供堆疊體，其可有效率製造即使以基材薄膜作為保護薄膜仍可使用且厚度薄的偏光板。
為了解決上述課題而進行研究的結果，本發明人發現使用經以指定延伸倍率X延伸之偏光件材料薄膜與經以小於X之延伸倍率Y延伸之基材薄膜作為堆疊體，偏光件材料薄膜之延伸方向與基材薄膜之延伸方向所夾成的角度未達1°，藉此得解決上述課題，進而完成本發明。
因此，根據本發明提供下述〔1〕~〔9〕。
〔1〕一種堆疊體，其係具有「經沿一個以上方向延伸的偏光件材料薄膜」與「設置於前述偏光件材料薄膜之上且經沿一個以上方向延伸的基材薄膜」之堆疊體；前述偏光件材料薄膜的延伸倍率X為1.5以上且5.5以下；將前述堆疊體以延伸倍率6.0/X倍完成自由端單軸延伸時之前述偏光件材料薄膜的厚度T2為20μm以下；前述偏光件材料薄膜之延伸方向與前述基材薄膜之延伸方向所夾成的角度θ2未達1°；前述基材薄膜的延伸倍率Y小於前述偏光件材料薄膜的延伸倍率X。
〔2〕如〔1〕所記載之堆疊體，前述偏光件材料薄膜為由乾式延伸獲得的偏光件材料薄膜。
〔3〕如〔1〕或〔2〕所記載之堆疊體，前述偏光件材料薄膜的Nz係數為0.95以上且1.5以下。
［4］如［1］～［3］之任一項所記載之堆疊體，前述基材薄膜之在50℃～120℃之溫度條件下完成自由端單軸延伸成4.0倍時所產生之面內方向的相位差Re2為0 nm以上且20 nm以下。
［5］如［1］～［4］之任一項所記載之堆疊體，前述基材薄膜為由選自環烯烴樹脂、非晶質聚酯樹脂、聚烯烴樹脂及丙烯酸樹脂之至少一種而成的薄膜。
［6］如［1］～［5］之任一項所記載之堆疊體， 前述基材薄膜為由環烯烴樹脂而成的薄膜； 前述環烯烴樹脂包含環烯烴系聚合物； 前述環烯烴系聚合物由選自降𦯉烯系單體之開環聚合物的氫化物、降𦯉烯系單體與α-烯烴所形成的加成共聚物及其氫化物之至少一種而成。
［7］如［1］～［5］之任一項所記載之堆疊體， 前述基材薄膜為由環烯烴樹脂而成的薄膜； 前述環烯烴樹脂包含環烯烴系聚合物； 前述環烯烴系聚合物由將嵌段共聚物［D］氫化的嵌段共聚物氫化物而成，所述嵌段共聚物［D］由「以源自芳族乙烯化合物之重複單元［I］作為主成分的聚合物嵌段［A］」與「以源自芳族乙烯化合物之重複單元［I］及源自鏈狀共軛二烯化合物之重複單元［II］作為主成分之聚合物嵌段［B］或以源自鏈狀共軛二烯化合物之重複單元［II］作為主成分之聚合物嵌段［C］」而成。
［8］如［1］～［7］之任一項所記載之堆疊體，前述基材薄膜含有塑化劑及／或軟化劑。
［9］如［8］所記載之堆疊體，前述塑化劑及／或軟化劑為酯系塑化劑、脂族烴聚合物或此些的混合物。
在延伸本發明之堆疊體而獲得的偏光板中，即使於經過延伸堆疊體之工序後，仍可減小在基材薄膜顯現之相位差防止破斷發生，故可提供「可有效率製造即使以基材薄膜作為保護薄膜仍可使用且厚度薄的偏光板」的堆疊體。
以下揭示實施型態及示例物以詳細說明本發明。惟本發明並非限定於以下所揭示之實施型態及示例物者，在未脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍的範圍中亦可任意變更而實施。
此外，於本申請案中，所謂「長條狀」薄膜，係指相對於薄膜的幅寬具有5倍以上之長度者，以具有10倍或其以上之長度為佳，具體係指具有收捲成輥狀以儲存或運輸之程度的長度者。相對於薄膜之幅寬的長度之比例的上限並未特別受限，但得定為例如100,000倍以下。
於本申請案中，薄膜之面內方向的相位差Re及厚度方向的相位差Rth係根據式Re＝（nx－ny）×d及Rth＝｛［（nx＋ny）／2］－nz｝×d而算出。並且，薄膜之Nz係數係由［（nx－nz）／（nx－ny）］所表示之值，亦得由（Rth／Re）＋0.5表示。於此，nx為薄膜之面內之慢軸方向的折射率（面內的最大折射率），ny為垂直於薄膜之面內之慢軸之方向的折射率，nz為薄膜之厚度方向的折射率，d為薄膜的厚度（nm）。除非另有註明，否則量測波長定作係為可見光區域之代表波長的590 nm。
［1.堆疊體的概要］
圖1為繪示本發明之堆疊體10之一例的剖面示意圖。如圖1所示，本發明之堆疊體10具有「經沿一個以上方向以延伸倍率X延伸的偏光件材料薄膜11」與「設置於偏光件材料薄膜之上，經沿一個以上方向以小於X之延伸倍率Y延伸的基材薄膜12」。於圖1中，元件13為接合偏光件材料薄膜11與基材薄膜12之接合劑。
本發明之堆疊體10得作為用以製造偏光板的材料。
［2.偏光件材料薄膜］
偏光件材料薄膜為用以製造偏光件的薄膜（偏光件用薄膜）。於本發明中，偏光件材料薄膜以係面內方向之相位差Re1為10 nm以上且厚度T1為40 μm以下的薄膜為佳。偏光件材料薄膜，係可藉由將包含偏光件材料的未延伸薄膜延伸處理成面內方向之相位差為10 nm以上且厚度為40 μm以下而獲得。偏光件材料薄膜為包含偏光件材料的（延伸）薄膜。於本申請案中，為了與偏光件材料薄膜區別，有時將「係為用以獲得偏光件材料薄膜的薄膜，未供給至用以做成指定相位差及厚度之延伸處理者」（包含偏光件材料之未延伸薄膜）稱為「原料薄膜」。
於本發明中之原料薄膜，雖只要得達成本發明之目的則不盡然受限，但因成本效率高而以聚乙烯醇樹脂薄膜為佳。
於本發明中，雖不盡然限定於聚乙烯醇樹脂（以下有時簡稱為PVA），但因取得性等，而以使用「藉由皂化由聚合乙酸乙烯酯獲得之聚乙酸乙烯酯而製造者」為佳。PVA就所謂延伸性或所獲得之薄膜的偏光性能等優異的觀點而言，聚合度以在500～8000的範圍為佳，皂化度以90莫耳%以上為佳。於此所謂聚合度為依據JIS K6726-1994之記載所量測之平均聚合度，所謂皂化度為依據JIS K6726-1994之記載所量測之值。聚合度之較佳範圍為1000～6000，更佳範圍為1500～4000。皂化度之較佳範圍為95莫耳%以上，更佳範圍為99莫耳%以上。PVA只要不會對本發明的效果產生負面影響，則亦可為乙酸乙烯酯與能夠共聚合之其他單體所形成的共聚物或接枝聚合物。
於本發明中，PVA原料薄膜的製法並未特別受限，可藉由公知的方法製造，例如可採用「使用將PVA溶解於溶劑之PVA溶液作為製膜原液，再藉由澆鑄製膜法、濕式製膜法（排放至貧溶劑中）、乾濕式製膜法、膠體製膜法（先將PVA水溶液冷卻膠體化後，將溶劑抽離去除，而獲得PVA原料薄膜的方法）及其組合的方法」或「將含有溶劑之PVA熔融者作為製膜原液而進行的熔融擠出製膜法」等任意方法。其中，澆鑄製膜法及熔融擠出製膜法就可獲得透明性高且著色少的PVA原料薄膜而言為佳，以熔融擠出製膜法為較佳。
於本發明中，為了改善其機械特性或二次加工時的工序通過性等，PVA原料薄膜以相對於PVA含有甘油等多元醇等塑化劑0.01～30質量%為佳，並且為了改善其操作性或薄膜外觀等，以相對於PVA含有陰離子系界面活性劑、非離子系界面活性劑等界面活性劑0.01～1質量%為佳。
PVA原料薄膜在未妨礙本發明之效果的範圍中，亦可視需求更包含抗氧化劑、紫外線吸收劑、滑劑、酸鹼度調整劑、無機微粒子、著色劑、防腐劑、抗真菌劑、上述成分以外之其他高分子化合物、水分等其他成分。PVA原料薄膜可包含一種或二種以上的此些其他成分。
原料薄膜的厚度以50 μm以下為佳，以40 μm以下為較佳，以30 μm以下為更佳，且以5 μm以上為佳，以10 μm以上為較佳，以15 μm以上為更佳。藉由原料薄膜的厚度為前述範圍的下限值以上，可獲得具有充分高偏光度的偏光板，藉由其為前述範圍的上限值以下，可有效提升偏光板之對於彎曲的耐受性。
偏光件材料薄膜係可藉由對原料薄膜進行延伸處理而獲得。作為延伸處理的方法，可列舉：乾式延伸及濕式延伸等。相較於濕式延伸，乾式延伸之設備與工序較為簡易，故作為偏光件材料薄膜，以藉由乾式延伸而獲得者為佳。作為乾式延伸，可使用拉幅（tenter）延伸、懸浮（float）延伸、熱輥延伸等延伸方法。所謂乾式延伸，係指在高溫（例如100℃以上）氣體環境下延伸的延伸處理方法。作為使用於乾式延伸的氣體，可舉出空氣。
延伸原料薄膜以做成偏光件材料薄膜時的延伸條件，得為了可獲得期望偏光件材料薄膜而適當選擇。舉例而言，延伸原料薄膜以做成偏光件材料薄膜時的延伸態樣，得定為單軸延伸、雙軸延伸等任意態樣。並且，在原料薄膜為長條狀薄膜的情況下，延伸方向亦可為縱向（平行於長條狀薄膜之長邊方向的方向）、橫向（平行於長條狀薄膜之幅寬方向的方向）及斜向（既非縱向亦非橫向的方向）之任一者。
延伸原料薄膜以做成偏光件材料薄膜時的延伸倍率X為1.5以上，以2.0以上為佳，以2.5以上為較佳，且為5.5以下，以4.5以下為佳，以3.5以下為較佳。換言之，偏光件材料薄膜係經以1.5以上且5.5以下之延伸倍率X延伸的薄膜，以係經以2.0以上且4.5以下之延伸倍率X延伸的薄膜為佳，以係經以2.5以上且3.5以下之延伸倍率X延伸的薄膜為較佳。若將延伸倍率X定為前述範圍之上限值以下，則可於延伸原料薄膜以做成偏光件材料薄膜時防止破斷發生。並且，若將延伸倍率X定為前述範圍之下限值以上，則可降低延伸堆疊體以獲得偏光板時的延伸倍率。在藉由雙軸延伸等沿二個以上方向之延伸進行原料薄膜之延伸的情況下，延伸倍率X為各延伸之倍率的乘積。
乾式延伸原料薄膜以做成偏光件材料薄膜時的延伸溫度，以100℃以上為佳，以110℃以上為較佳，另以150℃以下為佳，以140℃以下為較佳。藉由乾式延伸的溫度為前述範圍，可獲得均勻膜厚的偏光件材料薄膜。
偏光件材料薄膜的厚度T1，以40 μm以下為佳，以30 μm以下為佳，以20 μm以下為較佳，且以3 μm以上為佳，以5 μm以上為較佳。藉由偏光件材料薄膜的厚度T1為前述範圍的下限值以上，可獲得具有充分高偏光度的偏光板，藉由其為前述範圍的上限值以下，可有效提升偏光板之對於彎曲的耐受性。
偏光件材料薄膜的形狀及尺寸得視期望用途而適當調整。在製造效率上，偏光件材料薄膜以係長條狀薄膜為佳。
偏光件材料薄膜之面內方向的相位差Re1以10 nm以上為佳，以50 nm以上為較佳，以100 nm以上為更佳，且以500 nm以下為佳，以400 nm以下為較佳。藉由偏光件材料薄膜之面內方向的相位差Re1為上述範圍的下限值以上，可將在延伸處理堆疊體以做成偏光板時的延伸倍率壓低，以將延伸處理後之基材的相位差維持於低值。藉由偏光件材料薄膜之面內方向的相位差Re1為上述範圍的上限值以下，可降低延伸原料薄膜以做成偏光件材料薄膜時的延伸倍率，而可避免於單獨延伸原料薄膜時產生皺紋等問題。
偏光件材料薄膜的Nz係數以0.95以上為佳，以0.99以上為較佳，且以1.5以下為佳，以1.4以下為較佳。藉由Nz係數為前述範圍內，可獲得擁有充足偏光度的偏光件。
［3.基材薄膜］
於本發明之堆疊體中，使用經沿一個以上方向延伸的薄膜作為基材薄膜。於本案說明書中，為了與基材薄膜區別，亦將獲得基材薄膜前（延伸處理前）之薄膜稱為「未延伸薄膜」。
基材薄膜之厚度以5 μm以上為佳，以10 μm以上為較佳，另以50 μm以下為佳，以30 μm以下為較佳。藉由基材薄膜之厚度為前述範圍的下限值以上，可獲得貼合面狀態良好的堆疊體，藉由其為前述範圍的上限值以下，可減小於延伸堆疊體以獲得偏光板時產生於基材薄膜的相位差。
作為基材薄膜，在50℃～120℃之溫度條件下完成自由端單軸延伸成4.0倍時所產生之面內方向的相位差Re2，以0 nm以上且20 nm以下為佳，以10 nm以下為較佳。藉由基材薄膜之前述面內方向的相位差Re2為上述範圍內，即使經過包含延伸處理之偏光板的製造工序，仍可將基材薄膜做成相位差的顯現性為足夠低者。
基材薄膜係藉由樹脂而形成。作為形成基材薄膜之樹脂並無特別限定。基材薄膜以係由選自環烯烴樹脂、非晶質聚酯樹脂、聚烯烴樹脂及丙烯酸樹脂之至少一種而成的薄膜為佳，以係由環烯烴樹脂而成的薄膜為較佳。
作為形成基材薄膜之環烯烴樹脂，包含環烯烴系聚合物，環烯烴系聚合物以降𦯉烯系單體之開環聚合物的氫化物、降𦯉烯系單體與α-烯烴所形成的加成共聚物及其氫化物為佳。此些之中作為環烯烴系聚合物，就即使在已延伸的情況下亦難以顯現相位差的觀點而言，以降𦯉烯系單體與α-烯烴所形成的加成共聚物及其氫化物為佳。作為降𦯉烯系單體之開環聚合物的氫化物、降𦯉烯系單體與α-烯烴的加成共聚物及／或其氫化物，可列舉記載於日本專利公開第H2-180976號公報、日本專利公開第H3-109418號公報、日本專利公開第H3-223328號公報、日本專利公開第H4-301415號公報、日本專利公開第H5-212828號公報、日本專利公開第H7-145213號公報等的高分子化合物。
並且，作為形成基材薄膜的環烯烴樹脂，包含環烯烴系聚合物，且環烯烴系聚合物以由將嵌段共聚物［D］之主鏈及側鏈之碳－碳不飽和鍵以及芳環之碳－碳不飽和鍵氫化的嵌段共聚物氫化物等而成者為佳，所述嵌段共聚物［D］由「以源自芳族乙烯化合物之重複單元［I］作為主成分的聚合物嵌段［A］」與「以源自芳族乙烯化合物之重複單元［I］及源自鏈狀共軛二烯化合物之重複單元［II］作為主成分之聚合物嵌段［B］或以源自鏈狀共軛二烯化合物之重複單元［II］作為主成分之聚合物嵌段［C］」而成。作為此種嵌段共聚物氫化物，可列舉記載於國際專利公開第2000/32646號、國際專利公開第2001/081957號、日本專利公開第2002-105151號公報、日本專利公開第2006-195242號公報、日本專利公開第2011-13378號公報、國際專利公開第2015/002020號等的高分子化合物。
［3.1.塑化劑及軟化劑］
於本發明中，基材薄膜以含有塑化劑及／或軟化劑（塑化劑及軟化劑中之任一者或二者）為佳。藉由含有塑化劑及／或軟化劑，可減小於延伸堆疊體以獲得偏光板時產生於基材薄膜的相位差。
作為塑化劑及／或軟化劑，得使用可均勻溶解乃至於分散於形成基材薄膜之樹脂者。作為塑化劑及軟化劑之具體例，可列舉：由多元醇與一元羧酸而成之酯系塑化劑（以下稱為「多元醇酯系塑化劑」）及由多元羧酸與一元醇而成之酯系塑化劑（以下稱為「多元羧酸酯系塑化劑」）等酯系塑化劑，以及磷酸酯系塑化劑、醣酯系塑化劑及其他聚合物軟化劑。
於本發明中，作為係為較佳使用之酯系塑化劑之原料的多元醇之例，並未特別受限，但以乙二醇、甘油、三羥甲丙烷為佳。
作為多元醇酯系塑化劑之例，可列舉：乙二醇酯系塑化劑、甘油酯系塑化劑及其他多元醇酯系塑化劑。
作為多元羧酸酯系塑化劑之例，可列舉：二羧酸酯系塑化劑及其他多元羧酸酯系塑化劑。
作為磷酸酯系塑化劑之例，具體上可列舉：磷酸三乙醯酯、磷酸三丁酯等磷酸烷酯；磷酸三環戊酯、磷酸環己酯等磷酸環烷酯；磷酸三苯酯、磷酸三甲苯酯等磷酸芳酯。
作為醣酯系塑化劑，具體上可列舉以五乙酸葡萄糖酯、五丙酸葡萄糖酯、五丁酸葡萄糖酯、八乙酸蔗糖酯、八苯甲酸蔗糖酯等為佳，在此之內以八乙酸蔗糖酯為較佳。
作為聚合物軟化劑，具體上可列舉：脂族烴系聚合物、脂環烴系聚合物、聚丙烯酸乙酯、聚甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯與甲基丙烯酸-2-羥基乙酯所形成的共聚物、甲基丙烯酸甲酯與丙烯酸甲酯與甲基丙烯酸-2-羥基乙酯所形成的共聚物等丙烯酸系聚合物；聚乙烯基異丁基醚、聚-N-乙烯氫吡咯酮等乙烯系聚合物；聚苯乙烯、聚-4-羥基苯乙烯等苯乙烯系聚合物；聚丁二酸丁二酯、聚對酞酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯；聚環氧乙烷、聚環氧丙烷等聚醚；聚醯胺、聚胺酯、聚脲等。
作為脂族烴系聚合物之具體例，可列舉：聚異丁烯、聚丁烯、聚-4-甲基戊烯、聚-1-辛烯、乙烯─α-烯烴共聚物等的低分子量物及其氫化物；聚異戊二烯、聚異戊二烯─丁二烯共聚物等的低分子量物及其氫化物等。就易於均勻溶解乃至於分散於環烯烴樹脂的觀點而言，脂族烴系聚合物以數量平均分子量為300～5,000為佳。
此些聚合物軟化劑可為由一種重複單元而成之均聚合物，亦可為具有多個重複結構物的共聚物。並且，亦可將上述聚合物合併二種以上使用。
於本發明中，作為塑化劑及／或軟化劑，以酯系塑化劑、脂族烴系聚合物及此些之混合物為佳。
在基材薄膜中之塑化劑及／或軟化劑（以下亦稱為「塑化劑等」）的比例，相對於形成基材薄膜之樹脂100重量份，以0.2重量份以上為佳，以0.5重量份以上為較佳，以1.0重量份以上更為較佳，另以40重量份以下為佳，以30重量份以下為較佳。藉由將塑化劑等的比例定為前述範圍內，即使經過包含延伸處理之偏光板的製造工序，亦可將基材薄膜做成相位差的顯現性為足夠低者。
［3.2.任意成分］
基材薄膜得包含除了樹脂及塑化劑等之外的任意成分。作為任意成分之例，可列舉：抗氧化劑、紫外線吸收劑、光穩定劑等穩定劑；滑劑等樹脂改質劑；染料或顏料等著色劑；及抗靜電劑。此些摻合劑可使用單獨一種，或可組合二種以上使用，其摻合量在無損本發明目的之範圍內予以適當選擇。
［4.基材薄膜的製造方法］
基材薄膜得藉由將包含用以形成基材薄膜之成分（樹脂及視需求而添加之成分）的組成物（以下亦稱為「樹脂組成物」）透過任意成形方法成形為薄膜狀而製造未延伸薄膜之後，將該未延伸薄膜延伸而製造。
作為將樹脂組成物成形為薄膜狀的方法之例，可列舉熔融擠出成形。熔融擠出工序得藉由「利用擠製機使樹脂組成物熔融，自安裝於該擠製機的T字模擠出成薄膜狀，並使經擠出之薄膜密合於一個以上之冷卻輥成形並予以牽引的方法」而進行。在熔融擠出成形中的成形條件得配合所使用之樹脂組成物的組成及分子量等條件而適當設定。
未延伸薄膜的厚度得視其使用目的等而適當設定。未延伸薄膜的厚度以10 μm以上為佳，以15 μm以上為較佳，另以100 μm以下為佳，以50 μm以下為較佳。未延伸薄膜可捲成輥狀再供給至之後的延伸工序，或者亦可供給至接續於熔融擠出工序的延伸工序。
延伸未延伸薄膜以做成基材薄膜時的延伸條件，得為了可獲得期望基材薄膜而適當選擇。
延伸未延伸薄膜以做成基材薄膜時的延伸態樣，得定為單軸延伸、雙軸延伸等任意態樣。並且，在未延伸薄膜為長條狀薄膜的情況下，延伸方向亦可為縱向（平行於長條狀薄膜之長邊方向的方向）、橫向（平行於長條狀薄膜之幅寬方向的方向）及斜向（既非縱向亦非橫向的方向）之任一者。
於本發明中，偏光件材料薄膜之延伸方向與基材薄膜之延伸方向所夾成的角度θ2未達1°。
於計算θ2時，在偏光件材料薄膜為沿二個以上方向延伸原料薄膜而獲得之薄膜的情形中，及在基材薄膜為沿二個以上方向延伸未延伸薄膜而獲得之薄膜的情形中，將延伸倍率較大的延伸方向定為薄膜的延伸方向。
於本發明中，將延伸未延伸薄膜以做成基材薄膜時的延伸倍率Y，定為小於延伸原料薄膜以做成偏光件材料薄膜時的延伸倍率。延伸倍率Y若大於延伸倍率X，則將堆疊體延伸成6.0／X倍時，基材薄膜會破斷。
延伸倍率Y以1.1以上為佳，以1.2以上為較佳，且以5.0以下為佳，以4.0以下為較佳。
［5.堆疊體的製造方法］
其次，說明本發明之堆疊體的製造方法之一例。
堆疊體的製造方法包含：沿一個以上方向延伸原料薄膜以獲得偏光件材料薄膜的工序（a）、延伸未延伸薄膜以獲得基材薄膜的工序（h），與將基材薄膜層設置於偏光件材料薄膜上以獲得堆疊體的工序（b）。
圖2為繪示將基材薄膜12設置於偏光件材料薄膜11之上以製造堆疊體10之製造裝置200之一例的概略示意圖。製造裝置200具備：輸送裝置201、202；延伸裝置204、206；貼合裝置205；及收捲裝置203。
如圖2所示，可藉由將經自輸送裝置201輸送的原料薄膜1運送至延伸裝置204，於延伸裝置204進行延伸處理，以獲得偏光件材料薄膜11（工序（a））。另一方面，可藉由將經自輸送裝置202輸送的未延伸薄膜2運送至延伸裝置206，於延伸裝置206進行延伸處理，以獲得基材薄膜12（工序（h））。
其次，可將偏光件材料薄膜11運送至貼合裝置205，並視需求於貼合裝置205塗布接合劑13，再與基材薄膜12貼合，藉此獲得堆疊體10（工序（b））。所製造的堆疊體10可藉由收捲裝置203收捲成輥的形狀，並供給至進一步的工序。於工序（b）中，接合劑為任意成分。並且，亦可於工序（b）中將接合劑塗布於基材薄膜之後再與偏光件材料薄膜貼合。
雖因於偏光件材料薄膜與基材薄膜之間塗布接合劑可防止兩薄膜間之剝離等問題而為佳，但在即使不使用接合劑仍可於偏光件材料薄膜與基材薄膜之間獲得充足接合力的情況下，亦可不使用接合劑。
於工序（a）中之原料薄膜的延伸處理以透過在［2.偏光件材料薄膜］之項目中已說明的條件及方法（延伸處理的方法、延伸的態樣、延伸倍率、延伸溫度）進行為佳。
於工序（h）中之基材薄膜的延伸處理以透過在［4.基材薄膜的製造方法］之項目中已說明的條件及方法（延伸處理的方法、延伸的態樣、延伸倍率、延伸溫度）進行為佳。
於工序（a）中之延伸處理及於工序（h）中之延伸處理，係以基材薄膜之延伸方向與偏光件材料薄膜之延伸方向所夾成的角度θ2未達1°的方式進行。若θ2為1°以上，則會易於偏向偏光件的吸收軸方向。角度θ2以未達0.5°為佳，以0°為較佳。角度θ2的容許誤差通常為±0.5°的範圍，以±0.3°的範圍為較佳。
於工序（b）中，作為貼合偏光件材料薄膜11與基材薄膜12的接合劑13，並無特別的限制，得使用例如：丙烯酸系接合劑、胺甲酸酯系接合劑、聚酯系接合劑、聚乙烯醇系接合劑、聚烯烴系接合劑、改質聚烯烴系接合劑、聚乙烯基烷基醚系接合劑、橡膠系接合劑、氯乙烯─乙酸乙烯酯系接合劑、SEBS（苯乙烯─乙烯─丁烯─苯乙烯共聚物）系接合劑、乙烯─苯乙烯共聚物等乙烯系接合劑、乙烯─（甲基）丙烯酸甲酯共聚物、乙烯─（甲基）丙烯酸乙酯共聚物等丙烯酸酯系接合劑等。
對基材薄膜之貼附於偏光件材料薄膜的面，亦可施以電暈處理、皂化處理、底塗處理、錨式塗布處理等易接合處理。
本發明之堆疊體10得作為用以製造偏光板的材料。於此情況下，堆疊體於進行延伸處理及染色處理等處理後做成為偏光板。
［6.偏光板的製造方法］
偏光板的製造方法包含：上述工序（a）及上述工序（b），與對經過此些而獲得之堆疊體以一個以上之方向進行延伸的工序（c）。偏光板的製造方法亦可包含：於工序（b）之後將偏光件材料薄膜以二色性物質染色的工序（d）。偏光件材料薄膜的染色，亦可對形成堆疊體10之前的偏光件材料薄膜進行。藉由此種製造方法，延伸偏光件材料薄膜並進一步任意染色，如此一來變成得發揮作為偏光件之功能的薄膜。偏光板的製造方法，得更包含任意工序。作為任意工序之例，可列舉：於工序（c）之後，直接或經由接合劑將保護薄膜貼合於偏光件材料薄膜的工序（e1），及於偏光件材料薄膜設置黏合劑層的工序（e2）。
偏光板可藉由例如圖3所示之製造裝置而製造。
圖3為繪示藉由對堆疊體10進行延伸處理及其他任意處理製造偏光板100之製造裝置300之一例的概略示意圖。製造裝置300具備：輸送裝置301、307；處理裝置302～305；乾燥裝置306、309；貼合裝置308；及收捲裝置310。
如圖3所示，將經自輸送裝置301輸送的堆疊體10運送至處理裝置302～305，進行染色處理（工序（d））及延伸處理（工序（c））等處理。於乾燥裝置306乾燥已進行此些處理之後的堆疊體，可獲得偏光板100。
圖4為繪示使用本發明之堆疊體而獲得之偏光板100的剖面示意圖。於偏光板100中，如圖4所示，於偏光件材料薄膜111之其中一面（圖示上側面）之上堆疊有基材薄膜112。圖4中，元件113為接合劑。圖4所示之偏光板100，雖可直接拿來作為偏光板使用，但亦可於偏光件材料薄膜111之未堆疊有基材薄膜112之側的面（圖示下側面）堆疊保護薄膜。
在於偏光件材料薄膜111堆疊保護薄膜115的情況下，如圖3所示，可將偏光板100運送至貼合裝置308，於偏光件材料薄膜111之未堆疊有基材薄膜112之側的面塗布接合劑，與經自輸送裝置307輸送的保護薄膜115貼合，藉此獲得具備保護薄膜115的偏光板120（工序（e1））。所製造的偏光板120可藉由收捲裝置310收捲成輥的形狀，並供給至進一步的工序。
圖5為繪示具備保護薄膜115之偏光板120的剖面示意圖。於此偏光板120中，如圖5所示，於偏光件材料薄膜111之其中一面（圖示上側面）之上堆疊基材薄膜112，於偏光件材料薄膜111之另一面側（圖示下側面）堆疊有保護薄膜115。圖5中，元件113、114為接合劑。用以將保護薄膜貼合於偏光件材料薄膜的接合劑，可使用與將基材薄膜貼合於偏光件材料薄膜的接合劑同樣者。
作為使用本發明之堆疊體製造偏光板時之延伸處理的方法並未特別受限，但以濕式延伸為佳。
使用本發明之堆疊體藉由濕式延伸製造偏光板時的延伸倍率，以1.2以上為佳，以1.5以上為較佳，且以5.0以下為佳，以4.0以下為較佳。若將堆疊體的延伸倍率定為前述範圍的上限值以下，則即使經過包含延伸處理之偏光板的製造工序，仍可降低基材薄膜之相位差的顯現，防止偏光板之破斷發生，若將延伸倍率定為前述範圍的下限值以上，則可獲得擁有充分偏光性能的偏光板。
堆疊體的延伸溫度並無特別限制。舉例而言，在使用聚乙烯醇系樹脂作為偏光件材料的情況下，具體延伸溫度以50℃以上為佳，以55℃以上為較佳，以60℃以上為尤佳，且以160℃以下為佳，以120℃以下為較佳，以110℃以下為尤佳。藉由延伸溫度為前述範圍的下限值以上，可順利進行延伸，並且藉由其為前述範圍的上限值以下，可藉由延伸進行有效的配向。前述延伸溫度的範圍以係乾式延伸及濕式延伸之任一方法皆為佳，但以濕式延伸的情形為尤佳。
堆疊體的延伸處理為包含沿至少一個方向延伸的處理，可包含僅一個方向之延伸，亦可包含沿二個以上方向之延伸。作為堆疊體的延伸處理，以進行單軸延伸為佳，以進行自由端單軸延伸為更佳，以進行縱向自由端單軸延伸為尤佳。在包含僅一個方向之延伸的延伸處理中，係以此延伸之延伸倍率落於前述指定延伸倍率之範圍的方式進行延伸。並且，在包含沿二個以上方向之延伸的延伸處理中，係以各延伸之延伸倍率之乘積落於前述指定延伸倍率之範圍的方式進行延伸。在包含沿二個以上方向之延伸的延伸處理中，此些延伸可同時進行，亦可逐次進行。
以延伸倍率6.0/X倍將堆疊體完成自由端單軸延伸時之堆疊體延伸後之偏光件材料薄膜的厚度T2為20μm以下，以15μm以下為佳，且以1μm以上為佳，以3μm以上為較佳。於此，X為延伸原料薄膜以做成偏光件材料薄膜時的延伸倍率。藉由前述T2為上限值以下，可減小對堆疊體進行延伸處理而獲得之偏光板的厚度，且藉由T2為下限值以上，可獲得具有充分高偏光度的偏光板。
〔7.本發明的效果〕
本發明的堆疊體具有經延伸的偏光件材料薄膜與經延伸的基材薄膜。換言之，於使用本發明之堆疊體製造偏光板時，由於使用經預先延伸者作為偏光件材料薄膜，故可降低延伸堆疊體以製造偏光板時的延伸倍率。其結果，可減小顯現於經過延伸堆疊體之工序後之基材薄膜的相位差，並可將基材薄膜直接作為保護薄膜使用。
再者，如上所述，於本發明中，由於使用預先經延伸者作為偏光件材料薄膜，故於堆疊基材薄膜以作成堆疊體時，不需要如使用未延伸偏光件材料薄膜時般之幅寬尺寸極寬的基材薄膜，而得有效率地進行偏光板的製造。
綜上，根據本發明可提供堆疊體，其可有效率製造即使以基材薄膜作為保護薄膜仍可使用且厚度薄的偏光板。
並且，於本發明中，偏光件材料薄膜之延伸方向與基材薄膜之延伸方向所夾成的角度θ2未達1°，並將基材薄膜的延伸倍率設定成小於偏光件材料薄膜的延伸倍率，故可減低偏光板的翹曲。
『實施例』
以下參照實施例及比較例進一步詳細說明本發明，但本發明並非受限於下述實施例者。於以下關於成分之量比的「份」及「%」，除非另有註記否則表示重量份。
［評價方法］
〔重量平均分子量（Mw）及分子量分布（Mw／Mn）〕
嵌段共聚物及嵌段共聚物氫化物的分子量，係在38℃下量測作為將THF定為溶析液之依據GPC的標準聚苯乙烯換算值。使用TOSOH公司製之HLC8020GPC作為量測裝置。
〔氫化率〕
嵌段共聚物氫化物的氫化率係藉由1 H-NMR光譜或GPC分析而算出。氫化率99%以下之區域係量測1 H-NMR光譜而算出，超過99%之區域係藉由GPC分析並自依據由UV檢測器及RI檢測器之峰值面積的比例而算出。
〔面內相位差Re1、Re2與Nz係數的量測方法〕
在波長590 nm使用相位差量測裝置（Axometrics公司製，製品名「Axoscan」），量測Re及Rth，並據此求出Nz係數。相位差Re2的量測試樣，係對與用於製造堆疊體者相同的基材薄膜（例如在實施例1之情況下為基材薄膜A）在與製作出偏光板時相同的溫度條件下（惟實施例6為110℃）以4.0倍之延伸倍率進行自由端單軸延伸而製備。
［厚度的量測方法］
原料薄膜之延伸前與延伸後的厚度、基材薄膜的厚度、偏光板所包含之各層體的厚度，以下述方法量測。
使用切片機切割偏光板之後，使用TEM觀察其剖面。量測五處厚度方向的尺寸，並採用此量測值的平均作為厚度。
〔堆疊體之貼合面狀態的評價〕
以目視觀察堆疊體，將未產生條紋或孔隙者定為「良」，有產生者定為「不良」。
〔延伸性的評價〕
藉由以下基準評價延伸堆疊體以製造偏光板的工序中之工序穩定性。 A：未發生破斷（送料10次而破斷0次）。 B：幾乎未發生破斷（送料10次而破斷1次）。 C：頻繁發生破斷而無法製成偏光板。
［偏光板之翹曲的評價］
將黏合劑貼合於偏光板之偏光件側，並裁成200 mm×290 mm的尺寸。將此薄膜貼合於厚度0.7 mm且A4尺寸的玻璃板，靜置於80℃的高溫槽500小時。靜置後，將翹曲的玻璃板以凹面朝上的方式置放於平滑的工作台，量測四角的高度再算出平均值，並藉由以下基準評價。高度愈小表示翹曲愈小。 A：未達1.5 mm B：1.5 mm以上且未達3.0 mm C：3.0 mm以上
［實施例1］
（1-1）基材薄膜的製造
（1-1-1）聚合物X的製作
參照日本專利公開第2002-105151號公報所記載之製造例，於第1階段使苯乙烯單體25份聚合後，於第2階段使苯乙烯單體30份及異戊二烯單體25份聚合，之後於第3階段使苯乙烯單體20份聚合而獲得嵌段共聚物［D1］後，氫化該嵌段共聚物合成嵌段共聚物氫化物［E1］。嵌段共聚物氫化物［E1］之Mw為84,500，Mw／Mn為1.20，主鏈及芳環的氫化率為近乎100%。
將作為抗氧化劑的肆{3-[3,5-二(三級丁基)-4-羥基苯基]丙酸}新戊四醇酯（松原產業公司製，製品名「Songnox1010」）0.1份熔融混煉於嵌段共聚物氫化物［E1］100份而摻合後，做成顆粒狀，獲得成形用的聚合物X。
（1-1-2）未延伸薄膜A的製造
將（1-1-1）中製造的聚合物X供給至具備T字模的熱熔融擠製薄膜成形機。自T字模擠出聚合物X，並以4 m／分鐘的牽引速度收捲成輥，藉此將聚合物X成形為薄膜狀。藉此，獲得由聚合物X而成的長條狀未延伸薄膜A（厚度25 μm）。
（1-1-3）基材薄膜A的製造
使用縱向單軸延伸機，於延伸溫度130℃沿長邊方向以延伸倍率2.0對未延伸薄膜A進行延伸，獲得基材薄膜A（縱向單軸延伸）。基材薄膜A的厚度為13 μm，面內方向的相位差為2 nm。
（1-2）偏光件材料薄膜的製造
使用未延伸聚乙烯醇薄膜（平均聚合度約2400，皂化度99.9莫耳%，厚度20 μm，以下亦稱為「PVA20」）作為原料薄膜。
使用縱向單軸延伸機，於延伸溫度130℃沿長邊方向以延伸倍率3.0對原料薄膜進行乾式延伸，獲得偏光件材料薄膜。偏光件材料薄膜的厚度T1為12 μm，Re1為345 nm，Nz係數為1.0。基材薄膜之延伸方向與偏光件材料薄膜之延伸方向所夾成的角度為0°。
（1-3）堆疊體的製造
混合水100重量份、聚乙烯醇系接合劑（日本合成化學公司製之「Z-200」）3重量份及交聯劑（日本合成化學公司製之「SPM-01」）0.3重量份，獲得接合劑組成物。對（1-1-3）中所獲得之基材薄膜A的單面施以電暈處理，於其上塗布此接合劑組成物，並貼合至偏光件材料薄膜之其中一面。在此狀態下，使接合劑組成物在70℃下加熱乾燥5分鐘。藉此，獲得具有「偏光件材料薄膜」／「接合層」／「基材薄膜A」之層體結構的堆疊體。接合劑層的厚度為1 μm。
評價所獲得之堆疊體的貼合面狀態。結果揭示於表1。
（1-4）偏光板的製造（濕式）
透過導輥沿長邊方向連續運送（1-3）中所獲得之堆疊體，並同時進行下述操作。
對前述堆疊體進行浸漬於包含碘及碘化鉀之染色溶液的染色處理與延伸染色處理後之堆疊體的第一延伸處理」。隨後，對第一延伸處理後之堆疊體進行在包含硼酸及碘化鉀之65℃的酸浴中延伸的第二延伸處理。將由第一延伸處理中之延伸倍率與第二延伸處理中之延伸倍率的乘積所表示之總延伸倍率設定成為2.0。於第一延伸處理及第二處理中的延伸方向皆定為長邊方向。
將第二延伸處理後之堆疊體在乾燥機中於70℃乾燥5分鐘而獲得偏光板。量測偏光板中之基材薄膜的厚度及相位差Re2，以及偏光件材料薄膜的厚度T2，連同翹曲及延伸性的評價結果揭示於表1。
〔實施例2〕
除了使用以下（2-1）中所獲得之基材薄膜B代替基材薄膜A，使用以下（2-2）中所獲得之偏光件材料薄膜代替（1-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，以及以（1-4）中之總延伸倍率改為4.0的方式延伸堆疊體以外，其餘比照實施例1製造偏光板，並與實施例1同樣進行評價，結果揭示於表1。
（2-1）基材薄膜B的製造
使用縱向單軸延伸機，於延伸溫度130℃沿長邊方向以延伸倍率1.2將（1-1-2）中所獲得之未延伸薄膜A延伸，獲得基材薄膜B（縱向單軸延伸）。基材薄膜B的厚度為21 μm，面內方向的相位差為2 nm。
（2-2）偏光件材料薄膜的製造
使用未延伸聚乙烯醇薄膜（平均聚合度約2400，皂化度99.9莫耳%，厚度30 μm，以下亦稱為「PVA30」）作為原料薄膜。
使用縱向單軸延伸機，於延伸溫度130℃沿長邊方向以延伸倍率1.5對原料薄膜（PVA30）進行延伸，獲得偏光件材料薄膜。偏光件材料薄膜的厚度T1為24 μm，Re1為345 nm，Nz係數為1.0。
〔實施例3〕
除了使用以下（3-2）中所獲得之偏光件材料薄膜代替（1-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，以及以（1-4）中之總延伸倍率改為1.2的方式延伸堆疊體」以外，其餘比照實施例1製造偏光板，並與實施例1同樣進行評價，結果揭示於表1。
（3-2）偏光件材料薄膜的製造
使用縱向單軸延伸機，於延伸溫度130℃沿長邊方向以延伸倍率5.0對原料薄膜（PVA20）進行延伸，獲得偏光件材料薄膜。偏光件材料薄膜的厚度T1為9 μm，Re1為325 nm，Nz係數為1.0。
〔實施例4〕
除了使用以下（4-1）中所獲得之基材薄膜D代替（1-1）中所獲得之基材薄膜A以外，其餘比照實施例1製造偏光板，並與實施例1同樣進行評價，結果揭示於表1。
（4-1）基材薄膜D的製造
使用縱向單軸延伸機，於延伸溫度130℃沿長邊方向以延伸倍率1.5對（1-1-2）中所獲得之未延伸薄膜A進行延伸之後，沿幅寬方向以延伸倍率1.3進行延伸，而獲得基材薄膜D（雙軸縱延伸）。基材薄膜D的厚度為13 μm，面內方向的相位差為1 nm。
〔實施例5〕
除了使用以下（5-1）中所獲得之基材薄膜E代替（1-1）中所獲得之基材薄膜A以外，其餘比照實施例1製造偏光板，並與實施例1同樣進行評價，結果揭示於表2。
（5-1）基材薄膜E的製造
（5-1-2）未延伸薄膜E的製造
將（1-1-1）中製造的聚合物X與相對於聚合物X之100重量份以20重量份之比例添加之聚異丁烯（JX日鑛日石能源公司製之「日石聚丁烯　HV-300」，數量平均分子量1,400）所形成的混合物，供給至具備T字模的熱熔融擠製薄膜成形機。自T字模擠出聚合物X及聚異丁烯的混合物，並以4 m／分鐘的牽引速度收捲成輥，藉此獲得呈薄膜狀且長條狀的未延伸薄膜E（厚度25 μm）。
（5-1-3）基材薄膜E的製造
使用縱向單軸延伸機，於延伸溫度130℃沿長邊方向以延伸倍率2.0對未延伸薄膜E進行延伸，獲得基材薄膜E（縱向單軸延伸）。基材薄膜E的厚度為13 μm，面內方向的相位差為2 nm。
〔實施例6〕
藉由以下方法製造偏光板，並與實施例1同樣進行評價，結果揭示於表2。
（6-1）基材薄膜F的製造
將丙烯酸樹脂（住友化學公司製之SUMIPEX HT55X）供給至具備T字模的熱熔融擠製薄膜成形機。自T字模擠出丙烯酸樹脂，並以4 m／分鐘的牽引速度收捲成輥，藉此將丙烯酸樹脂成形為薄膜狀。藉此，獲得由丙烯酸樹脂而成之長條狀的未延伸薄膜F（厚度25 μm）。
使用未延伸薄膜F代替（1-1-2）中所獲得之未延伸薄膜A，使用縱向單軸延伸機，於延伸溫度130℃沿長邊方向以延伸倍率1.3對該未延伸薄膜F進行延伸，獲得基材薄膜F（縱向單軸延伸）。基材薄膜F的厚度為19 μm，面內方向的相位差為2 nm。
（6-3）堆疊體的製造
除了使用（6-1）中所製造之基材薄膜F代替（1-1-3）中所獲得之基材薄膜A以外，其餘比照實施例1之（1-3）而獲得具有「偏光件材料薄膜」／「接合層」／「基材薄膜F」之層體結構的堆疊體。
（6-4）偏光板的製造（乾式）
使用縱向單軸延伸機，於延伸溫度110℃沿長邊方向以延伸倍率1.8對（6-3）中所獲得之堆疊體進行延伸。將已延伸之堆疊體浸漬於包含碘、碘化鉀及硼酸之染色溶液而染色，並於60℃之溫風下乾燥。隨後，使用縱向單軸延伸機，於延伸溫度90℃沿長邊方向以延伸倍率1.1將已染色之堆疊體延伸而獲得偏光板。
［比較例1］
（C1-1）基材薄膜C1的製造
使用縱向單軸延伸機，於延伸溫度130℃沿長邊方向以延伸倍率3.5對（1-1-2）中所獲得之未延伸薄膜A進行延伸，獲得基材薄膜C1（縱向單軸延伸）。基材薄膜C1的厚度為13 μm，面內方向的相位差為3 nm。
（C1-3）堆疊體的製造
除了於（1-3）中使用基材薄膜C1代替基材薄膜A以外，其餘比照（1-3）而獲得具有「偏光件材料薄膜」／「接合劑」／「基材薄膜C1」之層體結構的堆疊體。於比較例1中，偏光件材料薄膜的延伸倍率X為3.0，小於基材薄膜C1的延伸倍率3.5。
（C1-4）偏光板的製造（濕式）
除了使用（C1-3）中所獲得之堆疊體代替（1-4）中之堆疊體以外，其餘比照（1-4）製造偏光板，並與實施例1同樣進行評價，結果揭示於表2。相較於偏光件材料薄膜，基材薄膜較難伸展，於基材薄膜發生破斷，而無法穩定進行偏光板的製造。
［比較例2］
（C2-3）堆疊體的製造
藉由以下程序，於基材薄膜C2的表面製作聚乙烯醇（PVA）膜層，以製造堆疊體。
使用「使異酞酸6 mol%共聚合之非晶質聚對酞酸乙二酯（非晶質PET，玻璃轉移溫度為75℃）」的連續網狀基材薄膜（厚度200 μm）作為基材薄膜C2。作為形成PVA層的PVA水溶液，係使用「以使聚合度1000以上、皂化度99 %以上、玻璃轉移溫度80℃的PVA粉末成為濃度為4～5重量%的方式溶解於水而獲得」的水溶液。
將PVA水溶液塗布於基材薄膜C2之其中一面，並於50～60℃之溫度乾燥，藉此於基材薄膜C2的表面製作PVA層，而獲得具有「PVA層」／「基材薄膜C2」之層體結構的堆疊體。於本比較例中，PVA層雖係藉由PVA水溶液的塗布、乾燥而形成者，但仍將膜層的厚度與面內方向的相位差分別記載於表2之「延伸後之厚度T1」與「延伸後之Re1」的欄位。
（C2-4）偏光板的製造
將（C2-3）中所獲得之堆疊體放置於經設定成130℃之延伸溫度環境之烘箱所配備的延伸裝置，並以延伸倍率呈1.8倍的方式進行自由端單軸延伸（第一延伸處理）。
對第一延伸處理後之堆疊體進行浸漬於包含碘及碘化鉀之染色溶液的染色處理。隨後，將染色處理後之堆疊體放置於經設定成包含硼酸及碘化鉀之65℃之硼酸水溶液之處理裝置所配備的延伸裝置，並以延伸倍率呈3.3倍的方式進行自由端單軸延伸處理（第二延伸處理）。延伸方向於第一延伸處理及第二延伸處理皆定為長邊方向。
自硼酸水溶液取出第二延伸處理後的堆疊體，並以碘化鉀水溶液將附著於在非晶質PET基材上製作之3 μm厚的PVA層之表面的硼酸洗淨之後，藉由利用60℃之溫風的乾燥工序乾燥，獲得偏光板。量測在偏光板中之基材薄膜的厚度及相位差Re2，以及PVA層的厚度T2，連同延伸性及翹曲的評價結果揭示於表2。
實施例及比較例的結果揭示於表1及表2。
表中，所謂Acryl意謂丙烯酸樹脂。
表中，延伸方向（°）係將薄膜的幅寬方向定為0°時的角度。表2中，所謂非晶質PET意謂非晶質聚對酞酸乙二酯。
『表1』
Figure 107125488-A0304-0001
『表2』
Figure 107125488-A0304-0002
由表1及表2的結果可知，根據本發明得減小顯現於經過延伸堆疊體之工序後之基材薄膜的相位差，並得防止破斷發生，故得有效率製造即使以基材薄膜作為保護薄膜仍可使用且厚度薄的偏光板。
1‧‧‧原料薄膜2‧‧‧未延伸薄膜10‧‧‧堆疊體11‧‧‧偏光件材料薄膜12‧‧‧基材薄膜13‧‧‧接合劑100‧‧‧偏光板111‧‧‧偏光件材料薄膜112‧‧‧基材薄膜113、114‧‧‧接合劑115‧‧‧保護薄膜120‧‧‧具備保護薄膜的偏光板200‧‧‧製造裝置201、202‧‧‧輸送裝置203‧‧‧收捲裝置204、206‧‧‧延伸裝置205‧‧‧貼合裝置300‧‧‧製造裝置301、307‧‧‧輸送裝置302～305‧‧‧處理裝置306、309‧‧‧乾燥裝置308‧‧‧貼合裝置310‧‧‧收捲裝置
圖1為繪示本發明之堆疊體之一例的剖面示意圖。 圖2為繪示本發明之堆疊體之製造工序之一例的示意圖。 圖3為繪示使用本發明之堆疊體之偏光板之製造工序之一例的示意圖。 圖4為繪示使用本發明之堆疊體製造之偏光板的剖面示意圖。 圖5為繪示使用本發明之堆疊體製造之偏光板的剖面示意圖。
10:堆疊體
11:偏光件材料薄膜
12:基材薄膜
13:接合劑

Claims (8)

  1. 一種堆疊體，其具有：經沿一個以上方向延伸的偏光件材料薄膜；以及設置於前述偏光件材料薄膜之上且經沿一個以上方向延伸的基材薄膜；前述偏光件材料薄膜的延伸倍率X為1.5以上且5.5以下；將前述堆疊體以延伸倍率6.0/X倍完成自由端單軸延伸時之前述偏光件材料薄膜的厚度T2為20μm以下；前述偏光件材料薄膜之延伸方向與前述基材薄膜之延伸方向所夾成的角度θ2未達1°；前述基材薄膜的延伸倍率Y小於前述偏光件材料薄膜的延伸倍率X；前述基材薄膜之在50℃~120℃之溫度條件下完成自由端單軸延伸成4.0倍時所產生之面內方向的相位差Re2為0nm以上且20nm以下。
  2. 如請求項1所述之堆疊體，其中前述偏光件材料薄膜為由乾式延伸獲得的偏光件材料薄膜。
  3. 如請求項1或2所述之堆疊體，其中前述偏光件材料薄膜的Nz係數為0.95以上且1.5以下。
  4. 如請求項1或2所述之堆疊體，其中前述基材薄膜為由選自環烯烴樹脂、非晶質聚酯樹脂、聚烯烴樹脂及丙烯酸樹脂之至少一種而成的薄膜。
  5. 如請求項1或2所述之堆疊體，其中前述基材薄膜為由環烯烴樹脂而成的薄膜；前述環烯烴樹脂包含環烯烴系聚合物；前述環烯烴系聚合物由選自降
    Figure 107125488-A0305-02-0042-1
    烯系單體之開環聚合物的氫化物、降
    Figure 107125488-A0305-02-0042-2
    烯系單體與α-烯烴所形成的加成共聚物及其氫化物之至少一種而成。
  6. 如請求項1或2所述之堆疊體，其中前述基材薄膜為由環烯烴樹脂而成的薄膜；前述環烯烴樹脂包含環烯烴系聚合物；前述環烯烴系聚合物由將嵌段共聚物〔D〕氫化的嵌段共聚物氫化物而成，所述嵌段共聚物〔D〕由以源自芳族乙烯化合物之重複單元〔I〕作為主成分的聚合物嵌段〔A〕，與以源自芳族乙烯化合物之重複單元〔I〕及源自鏈狀共軛二烯化合物之重複單元〔II〕作為主成分之聚合物嵌段〔B〕或以源自鏈狀共軛二烯化合物之重複單元〔II〕作為主成分之聚合物嵌段〔C〕而成。
  7. 如請求項1或2所述之堆疊體，其中前述基材薄膜含有塑化劑及/或軟化劑。
  8. 如請求項7所述之堆疊體，其中前述塑化劑及/或軟化劑為酯系塑化劑、脂族烴聚合物或此些的混合物。
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