TWI759513B - 堆疊體 - Google Patents

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TWI759513B
TWI759513B TW107125486A TW107125486A TWI759513B TW I759513 B TWI759513 B TW I759513B TW 107125486 A TW107125486 A TW 107125486A TW 107125486 A TW107125486 A TW 107125486A TW I759513 B TWI759513 B TW I759513B
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真島啟
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日商日本瑞翁股份有限公司
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Abstract

一種堆疊體，其係具有偏光件材料薄膜與設置於前述偏光件材料薄膜之上的未延伸之基材薄膜的堆疊體，其中前述偏光件材料薄膜之面內方向的相位差Re1為10 nm以上，前述偏光件材料薄膜的厚度T1為40 μm以下。偏光件材料薄膜得定為藉由乾式延伸而獲得之偏光件材料薄膜。較佳為前述偏光件材料薄膜係以1.5以上且5.5以下之延伸倍率X延伸的薄膜，且將前述堆疊體以延伸倍率6.0／X自由端單軸延伸時，前述偏光件材料薄膜的厚度T2為20 μm以下。

Description

堆疊體
本發明係關於一種堆疊體。
作為液晶顯示裝置及有機電致發光顯示裝置等顯示裝置，自以往便要求顯示面積大、重量輕，且厚度薄者。因此，構成顯示裝置之面板亦自以往便要求薄者。
在顯示裝置上，一般使用具備偏光件及保護偏光件之保護薄膜的偏光板。為了構成厚度薄的顯示裝置，要求偏光板亦為更薄者。尤其，一般作為偏光件使用之聚乙烯醇等材料，由於在顯示裝置的使用環境下有收縮的情形，故在薄且面積大的顯示裝置中，因如此收縮所導致的彎曲可能成為問題。因此，透過採用厚度10 μm以下之薄偏光件，除了可期待偏光件厚度的減少本身所致之顯示裝置厚度的減少以外，還可期待如前所述之捲曲之發生的減少。
不過，在欲藉由以往的製造方法，製造此種厚度薄的聚乙烯醇之偏光件的情形中，偏光件的熔斷頻繁發生。已提案幾種方法作為製造此種防止偏光件的熔斷且包含薄偏光件之偏光板的方法。例如在專利文獻1中，已提案有將未延伸聚乙烯醇系薄膜貼附於未延伸高密度聚乙烯製的基材薄膜做成堆疊體，並在對該堆疊體進行延伸處理之後，剝離基材薄膜以獲得聚乙烯醇系薄膜的方法。
並且，在專利文獻2中，已提案藉由將包含聚乙烯醇系樹脂之水溶液塗布於非晶質酯系熱塑性樹脂基材，將聚乙烯醇系樹脂膜層製膜做成堆疊體，在對該堆疊體進行延伸處理之後，使二色性物質配向做成著色堆疊體，進而對該著色堆疊體進行延伸處理以獲得光學薄膜的方法。
『專利文獻』 《專利文獻1》：日本專利公表第2016-505404號公報（對應公報：美國專利申請公開第2016/084990號說明書） 《專利文獻2》：日本專利第4691205號公報（對應公報：美國專利申請公開第2012/057232號說明書）
在依據專利文獻1及2所記載之方法製造薄偏光板之情形中，有時因以高延伸倍率延伸堆疊體，而在延伸處理後之基材薄膜中產生相位差。在此種情況下，由於難以直接將基材薄膜作為偏光板保護薄膜使用，而變得要剝離丟棄，故產生浪費的材料。再者，有可能增加另外準備用以保護偏光板之保護薄膜，並貼附於偏光板的工作。
並且，為獲得足夠之幅寬的薄型偏光板，雖然可考慮準備寬度尺寸極寬的基材薄膜，並塗布或貼附偏光件的材料（例如聚乙烯醇材料），但若基材薄膜之寬度尺寸過大，則有生產困難的問題。
因此，本發明之目的在於提供「可有效率製造即使以基材薄膜作為保護薄膜仍可使用且厚度薄的偏光板」的堆疊體。
為了解決上述問題而進行研究的結果，本發明人發現，藉由使用面內方向的相位差為10 nm以上且厚度為40 μm以下的薄膜作為偏光件材料薄膜，得解決上述問題，進而完成本發明。
因此，根據本發明提供提供下述〔1〕～〔10〕。
［1］一種堆疊體，其係具有偏光件材料薄膜與設置於前述偏光件材料薄膜之上的未延伸之基材薄膜的堆疊體，其中 前述偏光件材料薄膜之面內方向的相位差Re1為10 nm以上， 前述偏光件材料薄膜的厚度T1為40 μm以下。
［2］如［1］所記載之堆疊體，其中前述偏光件材料薄膜為藉由乾式延伸而獲得之偏光件材料薄膜。
［3］如［1］或［2］所記載之堆疊體，其中前述偏光件材料薄膜係以1.5以上且5.5以下之延伸倍率X延伸的薄膜， 前述堆疊體以延伸倍率6.0／X自由端單軸延伸時，前述偏光件材料薄膜的厚度T2為20 μm以下。
［4］如［1］～［3］之任一項所記載之堆疊體，其中前述偏光件材料薄膜的Nz係數為0.95以上且1.5以下。
［5］如［1］～［4］之任一項所記載之堆疊體，其中前述基材薄膜在50℃～120℃的溫度條件下自由端單軸延伸成4.0倍時顯現之面內方向的相位差Re2為0 nm以上且20 nm以下。
［6］如［1］～［5］之任一項所記載之堆疊體，其中前述基材薄膜係由選自環烯烴樹脂、非晶質聚酯樹脂、聚烯烴樹脂及丙烯酸樹脂之至少一種而成的薄膜。
［7］如［1］～［6］之任一項所記載之堆疊體，其中前述基材薄膜係由環烯烴樹脂而成的薄膜， 前述環烯烴樹脂包含環烯烴系聚合物， 前述環烯烴系聚合物係由選自降𦯉烯系單體之開環聚合物的氫化物、降𦯉烯系單體與α-烯烴的加成共聚物及其氫化物之至少一種而成。
［8］如［1］～［6］之任一項所記載之堆疊體，其中前述基材薄膜係由環烯烴樹脂而成的薄膜， 前述環烯烴樹脂包含環烯烴系聚合物， 前述環烯烴系聚合物係由將嵌段共聚物［D］氫化的嵌段共聚物氫化物而成，所述嵌段共聚物［D］係由： 以源自芳族乙烯化合物之重複單元［I］作為主成分的聚合物嵌段［A］，與 以源自芳族乙烯化合物之重複單元［I］及源自鏈狀共軛二烯化合物之重複單元［II］作為主成分的聚合物嵌段［B］，或以源自鏈狀共軛二烯化合物之重複單元［II］作為主成分的聚合物嵌段［C］而成。
［9］如［1］～［8］之任一項所記載之堆疊體，其中前述基材薄膜含有塑化劑及／或軟化劑。
［10］如［9］所記載之堆疊體，其中前述塑化劑及／或軟化劑為酯系塑化劑、脂族烴聚合物或此等之混合物。
在延伸本發明之堆疊體而獲得之偏光板中，由於即使經過延伸堆疊體的工序之後仍可減小在基材薄膜顯現的相位差，故能夠提供可有效率製造即使以基材薄膜作為保護薄膜仍可使用，且厚度薄的偏光板的堆疊體。
以下揭示實施型態及示例物以詳細說明本發明。惟本發明並非限定於以下所說明之實施型態及示例物者，在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍中，亦可任意變更並實施。
於本申請中，所謂「長條狀」之薄膜，係指相對於薄膜之幅寬，具有5倍以上之長度者，以具有10倍或其以上之長度為佳，具體而言係指具有「可收捲成輥狀儲存或搬運之程度的長度」者。相對於薄膜之幅寬的長度之比例的上限，並不特別受限，但得定為例如：100,000倍以下。
於本申請中，薄膜之面內方向的相位差Re及厚度方向的相位差Rth，係依循式Re＝（nx－ny）×d及Rth＝｛［（nx＋ny）／2］－nz｝×d而計算出。並且薄膜的Nz係數係由［（nx－nz）／（nx－ny）］所表示之值，亦得表示為［（Rth／Re）＋0.5］。於此，nx係薄膜之面內之慢軸方向的折射率（面內的最大折射率），ny係垂直於薄膜之面內之慢軸之方向的折射率，nz係薄膜之厚度方向的折射率，d係薄膜的厚度（nm）。量測波長，除非另有註記，否則設為可見光區域的代表性波長590 nm。
〔1.堆疊體之概要〕
圖1係繪示本發明之堆疊體10的剖面示意圖之一例。如圖1所繪示，本發明之堆疊體10，面內方向的相位差為指定值，且具有指定之厚度的偏光件材料薄膜11與設置於偏光件材料薄膜之上的未延伸之基材薄膜12。於圖1中，13係接合偏光件材料薄膜11與基材薄膜12的接合劑。
本發明之堆疊體10得作為用以製造偏光件（偏光板）的材料。
〔2.偏光件材料薄膜〕
偏光件材料薄膜係用以製造偏光件的薄膜（偏光件用薄膜）。在本發明中，偏光件材料薄膜係面內方向的相位差Re1為10 nm以上，且厚度T1為40 μm以下的薄膜。偏光件材料薄膜可藉由對包含偏光件之材料的未延伸之薄膜，以使面內方向的相位差呈10 nm以上，且厚度呈40 μm以下的方式進行延伸處理而獲得。偏光件材料薄膜係包含偏光件之材料的（延伸）薄膜。於本申請中，為了與偏光件材料薄膜做出區別，有時會將用以獲得偏光件材料薄膜的薄膜，且未供予用以做成指定之相位差及厚度的延伸處理者（包含偏光件之材料的未延伸之薄膜）稱為「原料薄膜」。
在本發明中，原料薄膜只要為得達成本發明之目的者則不盡然受限，但就成本效率之高低而言，以聚乙烯醇樹脂之薄膜為佳。
在本發明中，聚乙烯醇樹脂（以下有時簡稱為PVA。）不盡然受限，但就取得性等而言，以使用藉由皂化聚乙酸乙烯酯而製造者為佳，所述聚乙酸乙烯酯係聚合乙酸乙烯酯而獲得者。PVA，就延伸性及所獲得之薄膜的偏光性能等優異的觀點而言，聚合度以位於500～8000之範圍為佳，皂化度以90莫耳%以上為佳。於此，所謂聚合度，係遵循JIS K6726-1994之記載而量測之平均聚合度，所謂皂化度，係遵循JIS K6726-1994之記載而量測之值。聚合度之較佳範圍為1000～6000，以1500～4000為更佳。皂化度之較佳範圍為95莫耳%以上，以99莫耳%以上為更佳。PVA只要對本發明之效果沒有負面影響，亦可為乙酸乙烯酯與能共聚合之其他單體的共聚物或接枝聚合物。
在本發明中，PVA之原料薄膜的製法並不特別受限，可藉由眾所周知的方法製造，舉例而言，可採用「以將PVA溶解於溶劑之PVA溶液作為製膜原液使用，依循澆鑄製膜法、濕式製膜法（往不良溶劑中的排出）、乾濕式製膜法、凝膠製膜法（先將PVA水溶液冷卻凝膠化後，抽離去除溶劑，獲得PVA之原料薄膜的方法）及此等之組合的方法」或「將已熔融含有溶劑之PVA者作為製膜原液進行的熔融擠製製膜法」等任意方法。此等之中，澆鑄製膜法及熔融擠製製膜法，就獲得透明性高且著色少之PVA的原料薄膜而言為佳，以熔融擠製製膜法為較佳。
在本發明中，PVA之原料薄膜，為了改善機械性質及二次加工時之工序通過性等，以相對於PVA含有甘油等多元醇等塑化劑0.01～30質量%為佳，並且為了改善操作性及薄膜外觀等，以相對於PVA含有陰離子系界面活性劑、非離子系界面活性劑等界面活性劑0.01～1質量%為佳。
PVA之原料薄膜，在不妨礙本發明之效果的範圍內亦可視需求更包含抗氧化劑、紫外線吸收劑、滑劑、pH調整劑、無機微粒子、著色劑、防腐劑、抗真菌劑、上述成分以外之其他高分子化合物、水分等其他成分。PVA之原料薄膜可包含一種或二種以上之此等其他成分。
原料薄膜的厚度以50 μm以下為佳，以40 μm以下為較佳，以30 μm以下為更佳，且以5 μm以上為佳，以10 μm以上為較佳，以15 μm以上為更佳。藉由原料薄膜的厚度為前述範圍之下限值以上，可獲得具有足夠高之偏光度的偏光板，且藉由為前述範圍之上限值以下，可有效提高對偏光板之彎曲的耐受性。
偏光件材料薄膜可藉由對原料薄膜進行延伸處理而獲得。作為延伸處理的方法，可列舉：乾式延伸及濕式延伸等。乾式延伸因相比於濕式延伸，設備及工序較為精簡，故作為偏光件材料薄膜，以藉由乾式延伸而獲得者為佳。作為乾式延伸，可使用拉幅式延伸、懸浮延伸、熱輥延伸等延伸方法。所謂乾式延伸，係指在高溫（例如：100℃以上）的氣體環境下延伸之延伸處理的方法。作為乾式延伸中所使用之氣體，可舉出空氣。
在延伸原料薄膜做成偏光件材料薄膜時的延伸之條件，得為了可獲得期望之偏光件材料薄膜而適當選擇。舉例而言，延伸原料薄膜做成偏光件材料薄膜時之延伸的態樣，得作為單軸延伸、雙軸延伸等任意態樣。並且，在原料薄膜為長條狀之薄膜的情況下，延伸的方向亦可為縱向（平行於長條狀之薄膜的長邊方向之方向）、橫向（平行於長條狀之薄膜的幅寬方向之方向）及斜向（既非縱向亦非橫向之方向）之任一者。
在將原料薄膜延伸做成偏光件材料薄膜時的延伸倍率X，以1.5以上為佳，以2.0以上為較佳，以2.5以上為更佳，另一方面以5.5以下為佳，以4.5以下為較佳，以3.5以下為更佳。簡言之，偏光件材料薄膜以「以1.5以上且5.5以下的延伸倍率X延伸之薄膜」為佳，以「以2.0以上且4.5以下的延伸倍率X延伸之薄膜」為較佳，以「以2.5以上且3.5以下的延伸倍率X延伸之薄膜」為更佳。若將延伸倍率X定為前述範圍之上限值以下，可防止在延伸原料薄膜做成偏光件材料薄膜時發生斷裂。並且，若將延伸倍率X定為前述範圍之下限值以上，可降低在延伸堆疊體獲得偏光板時的延伸倍率。在藉由雙軸延伸等往二個以上之方向的延伸進行原料薄膜之延伸的情形中，延伸倍率X係各延伸之倍率的乘積。
在將對原料薄膜乾式延伸做成偏光件材料薄膜時的延伸溫度，以100℃以上為佳，以110℃以上為較佳，另一方面以150℃以下為佳，以140℃以下為較佳。藉由乾式延伸之溫度位於前述範圍內，可獲得均勻膜厚的偏光件材料薄膜。
偏光件材料薄膜得厚度T1為40 μm以下，以30 μm以下為佳，以20 μm以下為較佳，且以3 μm以上為佳，以5 μm以上為較佳。藉由偏光件材料薄膜的厚度T1為前述範圍之下限值以上，可獲得具有足夠高之偏光度的偏光板，且藉由為前述範圍之上限值以下，可有效提高偏光板之對彎曲的耐受性。
偏光件材料薄膜的形狀及尺寸得適當調整成相應於期望用途者。在製造效率上，偏光件材料薄膜以長條狀的薄膜為佳。
偏光件材料薄膜之面內方向的相位差Re1為10 nm以上，以50 nm以上為佳，以100 nm以上為較佳，且以500 nm以下為佳，以400 nm以下為較佳。藉由偏光件材料薄膜之面內方向的相位差Re1為上述範圍之下限值以上，可壓低在對堆疊體進行延伸處理做成偏光板時的延伸倍率，以將延伸處理後之基材的相位差維持在低值。藉由偏光件材料薄膜之面內方向的相位差Re1為上述範圍之上限值以下，可降低在延伸原料薄膜做成偏光件材料薄膜時的延伸倍率，而可避免在單獨延伸原料薄膜時產生皺褶等問題。
偏光件材料薄膜的Nz係數以0.95以上為佳，以0.99以上為較佳，且以1.5以下為佳，以1.4以下為較佳。藉由Nz係數位於前述範圍內，可獲得擁有充足之偏光度的偏光件。
〔3.基材薄膜〕
在本發明之堆疊體中，使用未延伸之薄膜作為基材薄膜。
基材薄膜的厚度以5 μm以上為佳，以10 μm以上為較佳，且以50 μm以下為佳，以30 μm以下為較佳。藉由基材薄膜的厚度為前述範圍之下限值以上，可獲得良好之貼合面狀的堆疊體，且藉由為前述範圍之上限值以下，可減小在延伸堆疊體獲得偏光板時顯現於基材薄膜的相位差。
作為基材薄膜，在50℃～120℃之溫度條件下自由端單軸延伸成4.0倍時顯現之面內方向的相位差Re2，以0 nm以上且20 nm以下者為佳，以10 nm以下者為較佳。藉由基材薄膜之前述面內方向的相位差Re2位於上述範圍內，可將基材薄膜做成「即使經過包含延伸處理之偏光板的製造工序，相位差之顯現性仍足夠低」者。
基材薄膜係藉由樹脂所形成。作為形成基材薄膜的樹脂並無特別限定。基材薄膜以係由選自環烯烴樹脂、非晶質聚酯樹脂、聚烯烴樹脂及丙烯酸樹脂之至少一種而成的薄膜為佳，以由環烯烴樹脂而成的薄膜為較佳。
作為形成基材薄膜的環烯烴樹脂，包含環烯烴系聚合物，且環烯烴系聚合物以降𦯉烯系單體之開環聚合物的氫化物、降𦯉烯系單體與α-烯烴的加成共聚物及其氫化物為佳。此等之中，作為環烯烴系聚合物，就在延伸之情況下亦難以顯現相位差的觀點而言，以降𦯉烯系單體與α-烯烴的加成共聚物及其氫化物為佳。作為降𦯉烯系單體的開環聚合物之氫化物、降𦯉烯系單體與α-烯烴的加成共聚物及／或其氫化物，可列舉：日本專利公開第H2-180976號公報、日本專利公開第H3-109418號公報、日本專利公開第H3-223328號公報、日本專利公開第H4-301415號公報、日本專利公開第H5-212828號公報、日本專利公開第H7-145213號公報等所記載之高分子化合物。
並且，作為形成基材薄膜之環烯烴樹脂，包含環烯烴系聚合物，且環烯烴系聚合物以「係由將嵌段共聚物［D］之主鏈及側鏈的碳─碳不飽和鍵以及芳環之碳─碳不飽和鍵氫化之嵌段共聚物氫化物等而成者」為佳，所述嵌段共聚物［D］，係由以源自芳族乙烯化合物之重複單元［I］作為主成分的聚合物嵌段［A］，與以源自芳族乙烯化合物之重複單元［I］及源自鏈狀共軛二烯化合物之重複單元［II］作為主成分的聚合物嵌段［B］或以源自鏈狀共軛二烯化合物之重複單元［II］作為主成分的聚合物嵌段［C］而成者。作為此種嵌段共聚物氫化物，可列舉：國際專利公開第2000/32646號、國際專利公開第2001/081957號、日本專利公開第2002-105151號公報、日本專利公開第2006-195242號公報、日本專利公開第2011-13378號公報、國際專利公開第2015/002020號等所記載之高分子化合物。
〔3.1.塑化劑及軟化劑〕
在本發明中，基材薄膜以含有塑化劑及／或軟化劑（塑化劑及軟化劑之中的任一者或兩者）為佳。藉由含有塑化劑及／或軟化劑，可減小在延伸堆疊體獲得偏光板時於基材薄膜產生的相位差。
作為塑化劑及軟化劑，得使用可均勻溶解乃至於分散至形成基材薄膜之樹脂中者。作為塑化劑及軟化劑之具體例，可列舉：由多元醇與一元羧酸而成之酯系塑化劑（以下稱為「多元醇酯系塑化劑」。）及由多元羧酸與一元醇而成之酯系塑化劑（以下稱為「多元羧酸酯系塑化劑」。）等酯系塑化劑，以及磷酸酯系塑化劑、醣酯系塑化劑及其他聚合物軟化劑。
在本發明中，作為屬於較佳使用之酯系塑化劑之原料的多元醇之例，並不特別受限，但以乙二醇、甘油、三羥甲丙烷為佳。
作為多元醇酯系塑化劑之例，可列舉：乙二醇酯系塑化劑、甘油酯系塑化劑及其他多元醇酯系塑化劑。
作為多元羧酸酯系塑化劑之例，可列舉二羧酸酯系塑化劑及其他多元羧酸酯系塑化劑。
作為磷酸酯系塑化劑之例，具體上可列舉：磷酸三乙醯酯、磷酸三丁酯等磷酸烷酯；磷酸三環戊酯、磷酸環己酯等磷酸環烷酯；磷酸三苯酯、磷酸三甲苯酯等磷酸芳酯。
作為醣酯系塑化劑，具體上可列舉以五乙酸葡萄糖酯、五丙酸葡萄糖酯、五丁酸葡萄糖酯、八乙酸蔗糖酯、八苯甲酸蔗糖酯等為佳，在此之內以八乙酸蔗糖酯為較佳。
作為聚合物軟化劑，具體上可列舉：脂族烴系聚合物、脂環烴系聚合物、聚丙烯酸乙酯、聚甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯與甲基丙烯酸-2-羥基乙酯的共聚物、甲基丙烯酸甲酯與丙烯酸甲酯與甲基丙烯酸-2-羥基乙酯的共聚物等丙烯酸系聚合物；聚乙烯基異丁基醚、聚-N-乙烯氫吡咯酮等乙烯系聚合物；聚苯乙烯、聚-4-羥基苯乙烯等苯乙烯系聚合物；聚丁二酸丁二酯、聚對酞酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯；聚環氧乙烷、聚環氧丙烷等聚醚；聚醯胺、聚胺酯、聚脲等。
作為脂族烴系聚合物之具體例，可列舉：聚異丁烯、聚丁烯、聚-4-甲基戊烯、聚-1-辛烯、乙烯─α-烯烴共聚物等的低分子量物及其氫化物；聚異戊二烯、聚異戊二烯─丁二烯共聚物等的低分子量物及其氫化物等。就易於均勻溶解乃至於分散至環烯烴樹脂的觀點而言，脂族烴系聚合物以數量平均分子量300～5,000為佳。
此等聚合物軟化劑可為由一種重複單元而成之均聚物，亦可為具有多個重複結構物的共聚物。並且，亦可將上述聚合物合併二種以上使用。
在本發明中，作為塑化劑及／或軟化劑，以酯系塑化劑、脂族烴系聚合物及此等之混合物為佳。
在基材薄膜中之塑化劑及／或軟化劑（以下亦稱為「塑化劑等」）的比例，相對於形成基材薄膜之樹脂100重量份，以0.2重量份以上為佳，以0.5重量份以上為較佳，以1.0重量份以上更為較佳，另一方面以40重量份以下為佳，以30重量份以下為較佳。藉由將塑化劑等的比例定為前述範圍內，即使經過包含延伸處理之偏光板的製造工序，仍可將基材薄膜做成相位差之顯現性為足夠低者。
〔3.2.任意成分〕
基材薄膜除了樹脂及塑化劑等之外得包含任意成分。作為任意成分之例，可列舉：抗氧化劑、紫外線吸收劑、光穩定劑等穩定劑；滑劑等樹脂改質劑；染料或顏料等著色劑；以及抗靜電劑。此等摻合劑可單獨使用一種，或組合二種以上使用，並在不損及本發明之目的之範圍內適當選擇其摻合量。
〔4.基材薄膜的製造方法〕
基材薄膜得藉由將包含用以形成基材薄膜之成分（樹脂及視需求而添加之成分）的組成物（以下亦稱為「樹脂組成物」）透過任意成形方法成形成薄膜狀而製造。
作為將樹脂組成物成形成薄膜狀的方法之例，可舉出熔融擠製成形。熔融擠製工序得藉由「利用擠製機使樹脂組成物熔融，自安裝於該擠製機之T字模擠製成薄膜狀，並使經擠製之薄膜密合於一個以上之冷卻輥成形拉製」的方法進行。在熔融擠製成形中的成形條件得配合所使用之樹脂組成物的組成及分子量等條件而適當設定。
〔5.堆疊體的製造方法〕
其次說明本發明之堆疊體的製造方法之一例。
堆疊體的製造方法包含：將原料薄膜沿一個以上之方向延伸，獲得面內方向的相位差Re1為10 nm，厚度T1為40 μm以上之偏光件材料薄膜的工序（a）與將基材薄膜層設置於偏光件材料薄膜上獲得堆疊體［A］的工序（b）。
圖2係繪示將基材薄膜12設置於偏光件材料薄膜11上製造堆疊體10的製造裝置200之一例的概略示意圖。製造裝置200具備捲出裝置201&202、延伸裝置204、貼合裝置205，以及收捲裝置203。
如圖2所繪示，將自捲出裝置201捲出之原料薄膜1運送至延伸裝置204，利用延伸裝置204進行延伸處理，藉此獲得偏光件材料薄膜11（工序（a））。將如此獲得之偏光件材料薄膜11運送至貼合裝置205，並視需求以貼合裝置205塗布接合劑13，與自捲出裝置202捲出之基材薄膜12貼合，藉此獲得堆疊體10（工序（b））。所製造之堆疊體10可藉由收捲裝置203收捲成輥的形狀，以供予進一步之工序。於工序（b）中，接合劑係為任意成分。並且，於工序（b）中接合劑亦可在塗布於基材薄膜之後與偏光件材料薄膜貼合。
雖因在偏光件材料薄膜與基材薄膜之間塗布接合劑，可防止兩薄膜間的剝離等問題而佳，但在即使不使用接合劑仍可在偏光件材料薄膜與基材薄膜之間獲得充分之接合力的情況下，亦可不使用接合劑。
在工序（a）中之原料薄膜的延伸處理，以透過在〔2.偏光件材料薄膜〕之項目中已說明之條件及方法（延伸處理的方法、延伸的樣態、延伸倍率、延伸溫度）進行為佳。
作為在工序（b）中，貼合偏光件材料薄膜11與基材薄膜12的接合劑13，並無特別限制，得使用例如：丙烯酸系接合劑、胺甲酸酯系接合劑、聚酯系接合劑、聚乙烯醇系接合劑、聚烯烴系接合劑、改質聚烯烴系接合劑、聚乙烯基烷基醚系接合劑、橡膠系接合劑、氯乙烯─乙酸乙烯酯系接合劑、SEBS（苯乙烯─乙烯─丁烯─苯乙烯共聚物）系接合劑、乙烯─苯乙烯共聚物等乙烯系接合劑、乙烯─（甲基）丙烯酸甲酯共聚物、乙烯─（甲基）丙烯酸乙酯共聚物等丙烯酸酯系接合劑等。
在基材薄膜之貼附於偏光件材料薄膜的面上，亦可施以電暈處理、皂化處理、底塗處理、錨式塗布處理等易接合處理。
本發明之堆疊體10得作為用以製造偏光板的材料。在此情況下，堆疊體在進行延伸處理及染色處理等處理之後做成偏光板。
〔6.偏光板的製造方法〕
偏光板的製造方法包含上述工序（a）及工序（b）與將經過此等而獲得之堆疊體沿一個以上之方向延伸的工序（c）。偏光板的製造方法亦可在工序（b）後包含將偏光件材料薄膜以二色性物質染色的工序（d）。偏光件材料薄膜的染色，亦可對形成堆疊體10之前的偏光件材料薄膜進行。藉由此種製造方法，偏光件材料薄膜受到延伸並進一步任意染色，如此一來變成得發揮作為偏光件之功能的薄膜。偏光板的製造方法，得更包含任意工序。作為任意工序之例，可列舉：在工序（c）後，將保護薄膜直接或透過接合劑貼合至偏光件材料薄膜的工序（e1），以及在偏光件材料薄膜上設置黏合劑層的工序（e2）。
偏光板可藉由例如圖3所繪示之製造裝置而製造。
圖3係繪示藉由對堆疊體10進行延伸處理及其他任意處理而製造偏光板100的製造裝置300之一例的概略示意圖。製造裝置300具備捲出裝置301&307、處理裝置302～305、乾燥裝置306&309、貼合裝置308，以及收捲裝置310。
如圖3所繪示，將自捲出裝置301捲出之堆疊體10運送至處理裝置302～305，進行染色處理（工序（d））及延伸處理（工序（c））等處理。將已進行此等之處理後的堆疊體以乾燥裝置306乾燥，即可獲得偏光板100。
圖4係繪示使用本發明之堆疊體而獲得之偏光板100的剖面示意圖。在偏光板100中，如圖4所繪示，偏光件材料薄膜111之一面（圖式上側面）上堆疊有基材薄膜112。圖4中，113係接合劑。如圖4所繪示之偏光板100可直接作為偏光板使用，但亦可在偏光件材料薄膜111未堆疊有基材薄膜112之側的面（圖式下側面）堆疊保護薄膜。
在於偏光件材料薄膜111上堆疊保護薄膜115之情形中，如圖3所繪示，將偏光板100運送至貼合裝置308，並將接合劑塗布於偏光件材料薄膜111未堆疊有基材薄膜112之側的面上，與自捲出裝置307捲出之保護薄膜115貼合，藉此獲得具備保護薄膜115的偏光板120（工序（e1））。所製造之偏光板120，可藉由收捲裝置310收捲成輥的形狀，以供予進一步之工序。
圖5係繪示具備保護薄膜115之偏光板120的剖面示意圖。在此偏光板120中，如圖5所繪示，於偏光件材料薄膜111之一面（圖式上側面）上堆疊有基材薄膜112，並於偏光件材料薄膜111之另一面側（圖式下側面）堆疊有保護薄膜115。圖5中，113、114係接合劑。用以將保護薄膜貼合至偏光件材料薄膜的接合劑，可使用與將基材薄膜貼合至偏光件材料薄膜的接合劑相同者。
作為使用本發明之堆疊體製造偏光板時的延伸處理之方法，並不特別受限，但以濕式延伸為佳。
使用本發明之堆疊體並藉由濕式延伸以製造偏光板時的延伸倍率，以1.2以上為佳，以1.5以上為較佳，且以5.0以下為佳，以4.0以下為較佳。若將堆疊體的延伸倍率定為前述範圍之上限值以下，則即使經過包含延伸處理之偏光板的製造工序，仍可降低基材薄膜之相位差的顯現並防止偏光板發生斷裂，且若將延伸倍率定為前述範圍之下限值以上，則可獲得擁有充足之偏光性能的偏光板。
堆疊體的延伸溫度並無特別限制。舉例而言，在使用聚乙烯醇系樹脂作為偏光件之材料的情形中，具體上延伸溫度以50℃以上為佳，以55℃以上為較佳，以60℃以上為尤佳，且以160℃以下為佳，以120℃以下為較佳，以110℃以下為尤佳。藉由延伸溫度為前述範圍之下限值以上可順利進行延伸，並且，藉由為前述範圍之上限值以下可透過延伸進行有效的配向。前述延伸溫度之範圍，雖以乾式延伸及濕式延伸之任一種方法皆為佳，但尤以濕式延伸的情形為佳。
堆疊體的延伸處理係包含向至少一個方向延伸的處理，可包含僅一個方向的延伸，亦可包含向二個以上之方向的延伸。作為堆疊體的延伸處理，以進行單軸延伸為佳，以自由端單軸延伸為更佳，以縱向的自由端單軸延伸為尤佳。在僅包含一個方向之延伸的延伸處理中，係以其延伸的延伸倍率落於前述指定之延伸倍率之範圍內的方式進行延伸。並且，在包含向二個以上之方向延伸的延伸處理中，係以各延伸之延伸倍率的乘積落於前述指定之延伸倍率之範圍的方式進行延伸。於包含向二個以上之方向延伸的延伸處理中，其等之延伸可同時進行，亦可依序進行。
將堆疊體以延伸倍率6.0／X自由端單軸延伸時的堆疊體延伸後之偏光件材料薄膜的厚度T2，以20 μm以下為佳，以15 μm以下為較佳，且以1 μm以上為佳，以3 μm以上為較佳。於此，X係延伸原料薄膜做成偏光件材料薄膜時的延伸倍率。藉由前述T2為上限值以下，可減小對堆疊體進行延伸處理而獲得之偏光板的厚度，且藉由T2為下限值以上，可獲得具有足夠高之偏光度的偏光板。
〔7.本發明的效果〕
若使用本發明之堆疊體製造偏光板，由於使用經預先延伸之偏光件材料薄膜，故可降低在延伸該堆疊體製造偏光板時的延伸倍率。藉此，由於可抑制於延伸處理後的在基材薄膜之相位差的顯現，故可不須剝離基材薄膜而直接使用基材薄膜作為偏光件材料薄膜之其中一面的保護薄膜，且可減少浪費的材料。並且，在本發明中，由於使用已預先延伸者作為偏光件材料薄膜，故在堆疊基材薄膜做成堆疊體時，得不需幅寬尺寸如使用未延伸之偏光件材料薄膜時之極寬的基材薄膜，而有效率進行偏光板的製造。綜上，根據本發明，可提供可有效率製造即使以基材薄膜作為保護薄膜仍可使用，且厚度薄的偏光板的堆疊體。
『實施例』
以下參照實施例及比較例以進一步詳細說明本發明，但本發明並非受限於下述實施例者。以下關於成分之量比的「份」及「%」，除非另有註記否則表示重量份。
［評價方法］
〔重量平均分子量（Mw）及分子量分布（Mw／Mn）〕
嵌段共聚物及嵌段共聚物氫化物的分子量，係在38℃下量測做成藉由以THF作為溶析液之GPC而得到之標準聚苯乙烯換算值。使用TOSOH公司製，HLC8020GPC作為量測裝置。
〔氫化率〕
嵌段共聚物氫化物的氫化率係藉由1 H-NMR光譜或GPC分析算出。氫化率99 %以下之區域係量測1 H-NMR光譜而算出，超過99 %之區域係藉由GPC分析自UV檢測器及RI檢測器之峰值面積的比例算出。
〔面內相位差Re1、Re2與Nz係數的量測方法〕
在波長590 nm使用相位差量測裝置（Axometric公司製　製品名「Axoscan」），量測Re及Rth，並基於此等而求出Nz係數。相位差Re2的量測試樣，係將與製造堆疊體時所使用者相同的基材薄膜（例如：在實施例1的情況下為基材薄膜A），在與製作偏光板時相同的溫度條件下（惟實施例7為110℃）自由端單軸延伸成4.0倍而製備。
〔厚度的量測方法〕
原料薄膜之延伸前與延伸後的厚度、基材薄膜的厚度、偏光板所包含之各層體的厚度係以下述方法量測。
使用切片機切割偏光板之後，使用TEM觀察其剖面。量測五處厚度方向之尺寸，並採用此量測值的平均作為厚度。
〔堆疊體之貼合面狀的評價〕
以目視觀察堆疊體，將未產生條紋或孔隙者定為「良」，有產生者定為「不良」。
〔延伸性的評價〕
藉由以下基準評價在延伸堆疊體製造偏光板之工序中的工序穩定性。 A：未發生斷裂（送料10次而斷裂0次）。 B：幾乎未發生斷裂（送料10次而斷裂1次）。 C：頻繁發生斷裂而無法偏光板化。
〔實施例1〕
（1-1）基材薄膜的製造
（1-1-1）聚合物X的製作
參照日本專利公開第2002-105151號公報所記載之製造例，在第1階段使苯乙烯單體25份聚合後，在第2階段使苯乙烯單體30份及異戊二烯單體25份聚合，之後在第3階段使苯乙烯單體20份聚合獲得嵌段共聚物［D1］後，將該嵌段共聚物氫化合成嵌段共聚物氫化物［E1］。嵌段共聚物氫化物［E1］的Mw為84,500，Mw／Mn為1.20，主鏈及芳環的氫化率為幾乎100 %。
於嵌段共聚物氫化物［E1］100份中，熔融混煉作為抗氧化劑的肆{3-[3,5-二(三級丁基)-4-羥基苯基]丙酸}新戊四醇酯（松原產業公司製，製品名「Songnox1010」）0.1份而摻和後，做成顆粒狀，獲得成形用的聚合物X。
（1-1-2）基材薄膜A的製造
將在（1-1-1）中製造的聚合物X供給至具備T字模的熱熔融擠製薄膜成形機。自T字模將聚合物X擠出，並以4 m／分鐘之牽引速度收捲至輥，藉此將聚合物X成形成薄膜狀。藉此，獲得由聚合物X而成之長條狀的基材薄膜A（厚度25 μm）。
（1-2）偏光件材料薄膜的製造
使用未延伸聚乙烯醇薄膜（平均聚合度約2400，皂化度99.9莫耳%，厚度20 μm，以下亦稱為「PVA20」）作為原料薄膜。
將原料薄膜使用縱向單軸延伸機，在延伸溫度130℃下以延伸倍率3.0沿長邊方向乾式延伸，獲得偏光件材料薄膜。偏光件材料薄膜的厚度T1為12 μm，Re1為345 nm，Nz係數為1.0。
（1-3）堆疊體的製造
混合水100重量份、聚乙烯醇系接合劑（日本合成化學公司製「Z-200」）3重量份及交聯劑（日本合成化學公司製「SPM-01」）0.3重量份，獲得接合劑組成物。對在（1-1-2）中所獲得之基材薄膜A的單面施以電暈處理，在其上塗布此接合劑組成物，並貼合至偏光件材料薄膜之一面。在此狀態下，使接合劑組成物在70℃下加熱乾燥5分鐘。藉此，獲得具有「偏光件材料薄膜」／「接合層」／「基材薄膜A」之層體結構的堆疊體［A］。接合劑層的厚度為1 μm。在該堆疊體中基材薄膜A係未延伸之薄膜。
評價所獲得之堆疊體的貼合面狀。結果揭示於表1。
（1-4）偏光板的製造（濕式）
將在（1-3）中所獲得之堆疊體，透過導輥沿長邊方向連續運送，同時進行下述操作
對前述堆疊體進行浸漬於包含碘及碘化鉀之染色溶液的染色處理與將染色處理後之堆疊體延伸的第一延伸處理。隨後，對第一延伸處理後之堆疊體進行在包含硼酸及碘化鉀之65℃之酸浴中延伸的第二延伸處理。以由在第一延伸處理中之延伸倍率與在第二延伸處理中之延伸倍率的乘積所表示之總延伸倍率呈2.0的方式設定。在第一延伸處理及第二處理中的延伸方向皆定為長邊方向。
將第二延伸處理後之堆疊體於乾燥機中在70℃下乾燥5分鐘獲得偏光板。量側在偏光板中之基材薄膜的厚度及相位差Re2，以及偏光件材料薄膜的厚度T2，與延伸性的評價結果一併揭示於表1。
〔實施例2〕
除了使用在以下（2-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，代替在（1-2）中所獲得之偏光件材料薄膜以外，比照實施例1操作製造偏光板，並比照實施例1進行評價，結果揭示於表1。
（2-2）偏光件材料薄膜的製造
將原料薄膜（PVA20）使用拉幅式延伸機，在延伸溫度130℃下以延伸倍率3.0沿長邊方向延伸，獲得偏光件材料薄膜。偏光件材料薄膜的厚度T1為7 μm，Re1為270 nm，Nz係數為1.4。
〔實施例3〕
除了使用在以下（3-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，代替在（1-2）中所獲得之偏光件材料薄膜以外，比照實施例1製造偏光板，並比照實施例1進行評價，結果揭示於表1。
（3-2）偏光件材料薄膜的製造
使用斜向延伸用拉幅式延伸機，在延伸溫度130℃下以延伸倍率3.0對原料薄膜（PVA20）進行斜向延伸，獲得平均配向角為45°的偏光件材料薄膜。偏光件材料薄膜的厚度T1為7 μm，Re1為310 nm，Nz係數為1.1。
〔實施例4〕
除了使用在以下（4-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，代替在（1-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，及以在（1-4）中之總延伸倍率呈4.0的方式延伸堆疊體以外，比照實施例1製造偏光板，並比照實施例1進行評價，結果揭示於表1。
（4-2）偏光件材料薄膜的製造
使用未延伸聚乙烯醇薄膜（平均聚合度約2400，皂化度99.9莫耳%，厚度30 μm，以下亦稱為「PVA30」）作為原料薄膜。
將偏光件材料（PVA30）使用縱向單軸延伸機，在延伸溫度130℃下以延伸倍率1.5沿長邊方向延伸，獲得偏光件材料薄膜。偏光件材料薄的厚度T1為24 μm，Re1為345 nm，Nz係數為1.0。
〔實施例5〕
除了使用在以下（5-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，代替在（1-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，及以在（1-4）中之總延伸倍率呈1.2的方式延伸堆疊體以外，比照實施例1製造偏光板，並比照實施例1進行評價，結果揭示於表1。
（5-2）偏光件材料薄膜的製造
使用縱向單軸延伸機，在延伸溫度130℃下以延伸倍率5.0沿長邊方向對原料薄膜（PVA20）進行延伸，獲得偏光件材料薄膜。偏光件材料薄膜的厚度T1為9 μm，Re1為325 nm，Nz係數為1.0。
〔實施例6〕
除了使用在以下（6-1）中所獲得之基材薄膜B，代替在（1-1）中所獲得之基材薄膜A以外，比照實施例1製造偏光板，並比照實施例1進行評價，結果揭示於表1。
（6-1）基材薄膜B的製造
將「在（1-1-1）所製造之聚合物X」與「以相對於聚合物X 100重量份為20重量份之比例添加之聚異丁烯（JX日鑛日石能源公司製「日石聚丁烯　HV-300」，數量平均分子量1,400）」的混合物，供給至具備T字模的熱熔融擠製薄膜成形機。自T字模將聚合物X及聚異丁烯的混合物擠出，並以4 m／分鐘的牽引速度收捲至輥，藉此獲得呈薄膜狀且長條狀的基材薄膜B（厚度25 μm）。
〔實施例7〕
藉由以下方法製造偏光板，並比照實施例1進行評價，結果揭示於表1。
（7-1）基材薄膜C的製造
將丙烯酸樹脂（住友化學公司製，SUMIPEX HT55X）供給至具備T字模的熱熔融擠製薄膜成形機。自T字模將丙烯酸樹脂擠出，並以4 m／分鐘的牽引速度收捲至輥，藉此將丙烯酸樹脂成形成薄膜狀。藉此，獲得由丙烯酸樹脂而成之長條狀的基材薄膜C（厚度25 μm）。
（7-3）堆疊體的製造
除了使用在（7-1）製造之基材薄膜C，代替在（1-3）中的基材薄膜A以外，比照實施例1之（1-3）操作，獲得具有「偏光件材料薄膜」／「接合層」／「基材薄膜C」之層體結構的堆疊體。
（7-4）偏光板的製造（乾式）
將在（7-3）獲得之堆疊體使用縱向單軸延伸機，在延伸溫度110℃下以延伸倍率1.8沿長邊方向延伸。將已延伸之堆疊體浸漬於包含碘、碘化鉀及硼酸的染色溶液以染色，並以60℃之溫風乾燥。隨後，將已染色之堆疊體，使用縱向單軸延伸機，在延伸溫度90℃下以延伸倍率1.1沿長邊方向延伸獲得偏光板。
〔比較例1〕
（C1-3）堆疊體的製造
除了使用原料薄膜（PVA20：未延伸之聚乙烯醇薄膜），代替在（1-3）的偏光件材料薄膜以外，比照實施例1之（1-3）操作，獲得具有「原料薄膜」／「接合劑」／「基材薄膜A」之層體結構的堆疊體。於本比較例中，製造堆疊體時使用的原料薄膜雖係未延伸，但仍將該原料薄膜之面內方向的相位差記載於表2之「延伸後的Re1」之欄。
（C1-4）偏光板的製造
除了使用在（C1-3）中所獲得之堆疊體，代替在（1-3）中所獲得之堆疊體，以及以總延伸倍率呈6.0的方式進行延伸處理以外，比照實施例1之（1-4）製造偏光板，並比照實施例1進行評價，結果揭示於表2。相比於原料薄膜，基材薄膜難以伸長且於基材薄膜上發生斷裂，無法穩定進行偏光板的製造。
〔比較例2〕
（C2-3）堆疊體的製造
藉由以下程序，在基材薄膜D的表面上製作聚乙烯醇（PVA）膜層，以製造堆疊體。
使用使異酞酸6 mol%共聚合之非晶質聚對酞酸乙二酯（非晶質PET，玻璃轉移溫度為75℃）的連續網狀基材薄膜（厚度200 μm）作為基材薄膜D。作為形成PVA膜層的PVA水溶液，使用「以使聚合度1000以上、皂化度99 %以上、玻璃轉移溫度80℃的PVA粉末成為濃度為4～5重量%的方式溶解於水而獲得」的水溶液。
將PVA水溶液塗布於基材薄膜D之一面上，並在50～60℃之溫度下乾燥，藉此在基材薄膜D的表面上製作PVA膜層，獲得具有PVA膜層／基材薄膜D之層體結構的堆疊體［A］。於本比較例中，PVA膜層雖係藉由PVA水溶液的塗布、乾燥而形成者，但仍將膜層的厚度與面內方向的相位差分別記載於表4之「延伸後的厚度T1」與「延伸後的相位差Re1」之欄。
（C2-4）偏光板的製造
將在（C2-3）中所獲得之堆疊體置於配備在「經設定成130℃之延伸溫度環境的烘箱」的延伸裝置，並以延伸倍率呈1.8倍的方式進行自由端單軸延伸（第一延伸處理）。
對第一延伸處理後之堆疊體進行「浸漬於包含碘及碘化鉀之染色溶液的染色處理」。隨後，將染色處理後之堆疊體置於配備在「包含硼酸及碘化鉀之經設定成65℃的硼酸水溶液之處理裝置」的延伸裝置，並以延伸倍率呈3.3倍的方式進行自由端單軸延伸處理（第二延伸處理）。延伸方向，第一延伸處理及第二延伸處理皆定為長邊方向。
將第二延伸處理後之堆疊體自硼酸水溶液取出，並將在非晶性PET基材上製作之3 μm厚的PVA膜層之表面上所附著的硼酸，以碘化鉀水溶液洗淨之後，藉由以60℃之溫風的乾燥工序乾燥獲得偏光板。量測在偏光板中之基材薄膜的厚度及相位差Re2，以及PVA膜層的厚度T2，將延伸性的評價結果一併揭示於表2。
實施例的結果揭示於表1，而比較例的結果揭示於表2。
表1、2中，所謂Acryl意謂丙烯酸樹脂。
表1、2中，延伸方向（°）係將薄膜的幅寬方向定為0°時的角度。
表2中，所謂非晶質PET意謂非晶質聚對酞酸乙二酯。
『表1』 表1
Figure 107125486-A0304-0001
『表2』 表2
Figure 107125486-A0304-0002
由表1的結果可知，根據本發明可減小顯現於過延伸堆疊體的工序後之基材薄膜的相位差，藉此得有效率製造即使以基材薄膜作為保護薄膜仍可使用且厚度薄的偏光板。
1‧‧‧原料薄膜10‧‧‧堆疊體11‧‧‧偏光件材料薄膜12‧‧‧基材薄膜13‧‧‧接合劑100‧‧‧偏光板111‧‧‧偏光件材料薄膜112‧‧‧基材薄膜113、114‧‧‧接合劑115‧‧‧保護薄膜120‧‧‧具備保護薄膜的偏光板200‧‧‧製造裝置201、202‧‧‧捲出裝置203‧‧‧收捲裝置204‧‧‧延伸裝置205‧‧‧貼合裝置300‧‧‧製造裝置301、307‧‧‧捲出裝置302～305‧‧‧處理裝置306、309‧‧‧乾燥裝置308‧‧‧貼合裝置310‧‧‧收捲裝置
〈圖1〉圖1係繪示本發明之堆疊體之一例的剖面示意圖。
〈圖2〉圖2係繪示本發明之堆疊體的製造工序之一例的示意圖。
〈圖3〉圖3係繪示使用「本發明之堆疊體」之偏光板的製造工序之一例的示意圖。
〈圖4〉圖4係繪示延伸處理後之堆疊體的剖面示意圖。
〈圖5〉圖5係繪示使用本發明之堆疊體製造之偏光板的剖面示意圖。
10‧‧‧堆疊體
11‧‧‧偏光件材料薄膜
12‧‧‧基材薄膜
13‧‧‧接合劑

Claims (9)

  1. 一種堆疊體，其係具有偏光件材料薄膜與設置於該偏光件材料薄膜之上的未延伸之基材薄膜的堆疊體，其中該偏光件材料薄膜係用以製造偏光件的薄膜，該偏光件材料薄膜之面內方向的相位差Re1為10nm以上，該偏光件材料薄膜的厚度T1為40μm以下，該基材薄膜在50℃~120℃的溫度條件下自由端單軸延伸成4.0倍時顯現之面內方向的相位差Re2為0nm以上且20nm以下。
  2. 如請求項1所述之堆疊體，其中該偏光件材料薄膜為藉由乾式延伸而獲得之偏光件材料薄膜。
  3. 如請求項1或2所述之堆疊體，其中該偏光件材料薄膜係以1.5以上且5.5以下之延伸倍率X延伸的薄膜，該堆疊體以延伸倍率6.0/X自由端單軸延伸時，該偏光件材料薄膜的厚度T2為20μm以下。
  4. 如請求項1或2所述之堆疊體，其中該偏光件材料薄膜的Nz係數為0.95以上且1.5以下。
  5. 如請求項1或2所述之堆疊體，其中該基材薄膜係由選自環烯烴樹脂、非晶質聚酯樹脂、聚烯烴樹脂及丙烯酸樹脂之至少一種而成的薄膜。
  6. 如請求項1或2所述之堆疊體，其中該基材薄膜係由環烯烴樹脂而成的薄膜， 該環烯烴樹脂包含環烯烴系聚合物，該環烯烴系聚合物係由選自降
    Figure 107125486-A0305-02-0038-1
    烯系單體之開環聚合物的氫化物、降
    Figure 107125486-A0305-02-0038-2
    烯系單體與α-烯烴的加成共聚物及其氫化物之至少一種而成。
  7. 如請求項1或2所述之堆疊體，其中該基材薄膜係由環烯烴樹脂而成的薄膜，該環烯烴樹脂包含環烯烴系聚合物，該環烯烴系聚合物係由將嵌段共聚物〔D〕氫化的嵌段共聚物氫化物而成，所述嵌段共聚物〔D〕係由：以源自芳族乙烯化合物之重複單元〔I〕作為主成分的聚合物嵌段〔A〕，與以源自芳族乙烯化合物之重複單元〔I〕及源自鏈狀共軛二烯化合物之重複單元〔II〕作為主成分的聚合物嵌段〔B〕，或以源自鏈狀共軛二烯化合物之重複單元〔II〕作為主成分的聚合物嵌段〔C〕而成。
  8. 如請求項1或2所述之堆疊體，其中該基材薄膜含有塑化劑及/或軟化劑。
  9. 如請求項8所述之堆疊體，其中該塑化劑及/或軟化劑為酯系塑化劑、脂族烴聚合物或此等之混合物。
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