TWI767034B - 偏光板的製造方法及顯示裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種偏光板的製造方法，其依序包含：將包含偏光件之材料的原料薄膜以延伸倍率X沿一個以上之方向延伸以獲得偏光件材料薄膜的工序（a）、將基材薄膜設置於前述偏光件材料薄膜上以獲得堆疊體［A］的工序（b）、將前述堆疊體［A］以延伸倍率Z沿一個以上之方向延伸的工序（c），X為1.5以上且5.5以下，Z為1.2以上且5.0以下，X＊Z為5.1以上且9.0以下，經由工序（c）後之偏光件材料薄膜的厚度T為20 μm以下。

Description

偏光板的製造方法及顯示裝置的製造方法
本發明係關於偏光板的製造方法及顯示裝置的製造方法。
作為液晶顯示裝置及有機電致發光（EL）顯示裝置等顯示裝置，以往要求顯示面積大、重量輕，且厚度薄者。因此，構成顯示裝置之面板亦自以往便要求薄者。
在顯示裝置上，一般使用具備偏光件及保護偏光件之保護薄膜的偏光板。為了構成厚度薄的顯示裝置，要求偏光板亦為更薄者。尤其，一般作為偏光件使用之聚乙烯醇等材料，由於在顯示裝置的使用環境下會有收縮的情形，故在薄且面積大的顯示裝置中，因如此收縮所導致的彎曲可能造成問題。因此，透過採用厚度10 μm以下之薄偏光件，除了可期待因偏光件的厚度降低本身所致之顯示裝置的厚度降低之外，還可期待降低如前所述之彎曲的產生。
不過，在欲藉由以往的製造方法，製造此種厚度薄的聚乙烯醇之偏光件的情形中，偏光件的熔斷頻繁發生。已提案幾種方法作為製造此種防止偏光件的熔斷且包含薄偏光件之偏光板的方法。例如在專利文獻1中，已提案有將未延伸之聚乙烯醇系薄膜貼附於未延伸之高密度聚乙烯製的基材薄膜並做成堆疊體，在對該堆疊體進行延伸處理之後，剝離基材薄膜以獲得聚乙烯醇系薄膜的方法。
並且，在專利文獻2中，已提案「藉由將包含聚乙烯醇系樹脂之水溶液塗布於非晶質酯系熱塑性樹脂基材，製作聚乙烯醇系樹脂膜層做成堆疊體，在對該堆疊體進行延伸處理之後，使二色性物質配向做成著色堆疊體，進而對該著色堆疊體進行延伸處理以獲得光學薄膜」的方法。
『專利文獻』 《專利文獻1》：日本專利公表第2016-505404號公報（對應公報：美國專利申請公開第2016/084990號說明書） 《專利文獻2》：日本專利第4691205號公報（對應公報：美國專利申請公開第2012/057232號說明書）
在依據專利文獻1及2所記載之方法製造薄偏光板之情形中，有時因以高延伸倍率延伸堆疊體，而在延伸處理後之基材薄膜中產生相位差。在此種情況下，由於難以直接將基材薄膜作為偏光板保護薄膜使用，而要剝離並丟棄，故產生浪費的材料。再者，有可能增加另外準備用以保護偏光板之保護薄膜並貼附於偏光板的工作。
並且，為獲得足夠之幅寬的薄型偏光板，雖然有考慮準備寬度尺寸極寬的基材薄膜，並塗布或貼附偏光件的材料（例如：聚乙烯醇材料），但若基材薄膜之寬度尺寸過大，則有生產困難的問題。
因此，本發明之目的在於提供即使以基材薄膜作為保護薄膜仍可使用，且即使厚度薄仍可有效率製造之偏光板的製造方法，以及具備前述偏光板之顯示裝置的製造方法。
為了解決上述問題而研究的結果，本發明人發現藉由將包含「已以指定之延伸倍率延伸之偏光件材料薄膜」的堆疊體以指定之延伸倍率延伸，得解決上述問題，進而完成本發明。
因此，根據本發明提供下述〔1〕～〔22〕。
［1］一種偏光板的製造方法，其依序包含： 工序（a），將包含偏光件之材料的原料薄膜以延伸倍率X沿一個以上之方向延伸以獲得偏光件材料薄膜；工序（b），將基材薄膜設置於前述偏光件材料薄膜上以獲得堆疊體［A］；以及工序（c），將前述堆疊體［A］以延伸倍率Z沿一個以上之方向延伸，X及Z滿足下述式（1）～（3）的關係：1.5≦X≦5.5 （1）1.2≦Z≦5.0 （2）5.1≦X＊Z≦9.0 （3）經由工序（c）後之偏光件材料薄膜的厚度T為20 μm以下。
［2］如［1］所記載之偏光板的製造方法，其包含在前述工序（b）之後，將前述偏光件材料薄膜以二色性物質染色的工序（d）。
［3］如［1］或［2］所記載之偏光板的製造方法，其中在50℃～160℃之溫度條件下進行前述工序（c）。
［4］如［1］或［2］所記載之偏光板的製造方法，其中前述偏光件材料薄膜係由聚乙烯醇樹脂而成。
［5］如［1］～［4］之任一項所記載之偏光板的製造方法，其中經由前述工序（c）後之基材薄膜之面內方向的相位差為20 nm以下。
［6］如［1］～［5］之任一項所記載之偏光板的製造方法，其包含在前述工序（c）之後，在前述堆疊體［A］之偏光件材料薄膜上，直接或透過接合劑貼合保護薄膜的工序（e1），或在前述偏光件材料薄膜上設置黏合劑層的工序（e2）。
［7］如［1］～［6］之任一項所記載之偏光板的製造方法，其中前述基材薄膜層係由選自環烯烴樹脂、非晶質聚酯樹脂、聚烯烴樹脂、丙烯酸樹脂之至少一種而成之薄膜。
［8］如［1］～［7］之任一項所記載之偏光板的製造方法，其中前述基材薄膜係由環烯烴樹脂而成之薄膜， 前述環烯烴樹脂包含環烯烴系聚合物， 前述環烯烴系聚合物係由選自降𦯉烯系單體之開環聚合物的氫化物、降𦯉烯系單體與α-烯烴的加成共聚物及其氫化物之至少一種而成。
［9］如［1］～［7］之任一項所記載之偏光板的製造方法，其中前述基材薄膜係由環烯烴樹脂而成之薄膜，前述環烯烴樹脂包含環烯烴系聚合物，前述環烯烴系聚合物係由將嵌段共聚物〔丁〕氫化的嵌段共聚物氫化物而成，所述嵌段共聚物〔丁〕係由以源自芳族乙烯化合物之重複單元〔I〕作為主成分的聚合物嵌段〔甲〕，與以源自芳族乙烯化合物之重複單元〔I〕及源自鏈狀共軛二烯化合物之重複單元〔II〕作為主成分的聚合物嵌段〔乙〕或以源自鏈狀共軛二烯化合物之重複單元〔II〕作為主成分的聚合物嵌段〔丙〕而成。
〔10〕如〔1〕~〔9〕之任一項所記載之偏光板的製造方法，其中前述基材薄膜層含有塑化劑及/或軟化劑。
〔11〕如〔10〕所記載之偏光板的製造方法，其中前述塑化劑及/或軟化劑為酯系塑化劑、脂族烴聚合物或此等之混合物。
〔12〕如〔1〕~〔11〕之任一項所記載之偏光板的製造方法，其中前述工序(a)的延伸方向與偏光件材料薄膜的幅寬方向所夾之角θ1為90°，前述工序(c)的延伸方向與堆疊體〔A〕的幅寬方向所夾之角θ2為90°。
〔13〕如〔1〕~〔11〕之任一項所記載之偏光板的製造方法，其中前述工序(a)的延伸方向與偏光件材料薄膜的幅寬方向所夾之角θ1為0°，前述工序(c)的延伸方向與堆疊體〔A〕的幅寬方向所夾之角θ2為0°。
〔14〕如〔1〕~〔11〕之任一項所記載之偏光板的製造方法，其中前述工序（a）的延伸方向與偏光件材料薄膜的幅寬方向所夾之角θ1，及前述工序（c）的延伸方向與堆疊體［A］的幅寬方向所夾之角θ2之中，任一者為90°，而另一者為0°。
［15］如［1］～［11］之任一項所記載之偏光板的製造方法，其中前述工序（a）的延伸方向與偏光件材料薄膜的幅寬方向所夾之角θ1為90°，而前述工序（c）的延伸方向與堆疊體［A］的幅寬方向所夾之角θ2（°）滿足下述式（4）。 θ2≠90 （4）
［16］如［1］～［11］之任一項所記載之偏光板的製造方法，其中前述工序（a）的延伸方向與偏光件材料薄膜的幅寬方向所夾之角θ1（°）滿足下述式（5），而前述工序（c）的延伸方向與堆疊體［A］的幅寬方向所夾之角θ2為90°。 θ1≠90 （5）
［17］如［1］～［11］之任一項所記載之偏光板的製造方法，其中前述工序（a）的延伸方向與偏光件材料薄膜的幅寬方向所夾之角θ1（°），及前述工序（c）的延伸方向與堆疊體［A］的幅寬方向所夾之角θ2（°）滿足下述式（6）及下述式（7）。 θ1≠90 （6） θ2≠90 （7）
［18］如［15］～［17］之任一項所記載之偏光板的製造方法，其中前述θ1與前述θ2之差的絕對值為50以下。
［19］如［2］～［18］之任一項所記載之偏光板的製造方法，其中前述二色性物質為有機染料。
［20］一種顯示裝置的製造方法，其將藉由如［12］～［14］之任一項所記載之製造方法而獲得之偏光板堆疊至液晶面板。
［21］一種顯示裝置的製造方法，其將藉由如［15］～［17］之任一項所記載之製造方法而獲得之偏光板堆疊至有機EL面板或無機EL面板。
［22］一種顯示裝置的製造方法，其將藉由如［19］所記載之製造方法而獲得之偏光板堆疊至車載用顯示面板。
根據本發明，即使經由延伸堆疊體的工序後仍得減小顯現於基材薄膜的相位差，故可提供可將基材薄膜作為保護薄膜使用且即使厚度薄仍可有效率製造之偏光板的製造方法，以及具備前述偏光板之顯示裝置的製造方法。
以下揭示實施型態及示例物以詳細說明本發明。惟本發明並非限定於以下所示之實施型態及示例物者，在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍中，亦可任意變更並實施。
於本申請中，所謂「長條狀」之薄膜，係指相對於薄膜之幅寬，具有5倍以上之長度者，以具有10倍或其以上之長度為佳，具體而言係指具有「可收捲成輥狀儲存或搬運之程度的長度」者。相對於薄膜之幅寬的長條狀之比例的上限，並未特別受限，但得定為例如：100,000倍以下。
於本申請中，薄膜之面內方向的相位差Re及厚度方向的相位差Rth，係依循式Re＝（nx－ny）×d及Rth＝｛［（nx＋ny）／2］－nz｝×d而計算出。並且薄膜的Nz係數係由［（nx－nz）／（nx－ny）］所表示之值，亦得表示為［（Rth／Re）＋0.5］。於此，nx係薄膜之面內之慢軸方向的折射率（面內的最大折射率），ny係垂直於薄膜之面內之慢軸之方向的折射率，nz係薄膜之厚度方向的折射率，d係薄膜的厚度（nm）。量測波長，除非另有註記，否則設為可見光區域的代表波長590 nm。
〔實施型態1：偏光板的製造方法〕
〔1.偏光板的製造方法之概要〕
參照圖1～4同時說明關於本發明之實施型態1之偏光板的製造方法。
圖1係繪示藉由本實施型態之製造方法獲得之偏光板100的剖面示意圖。於偏光板100中，如圖1所繪示，偏光件材料薄膜111之一面（圖示上側面）上堆疊有基材薄膜112。圖1中，113係接合劑層。藉由本實施型態之製造方法而獲得之偏光板100雖包含接合劑層113，但藉由本發明之製造方法而獲得之偏光板亦可為不包含接合劑層的結構。
本實施型態之偏光板的製造方法依序包含：將包含偏光件之材料的原料薄膜以延伸倍率X沿一個以上之方向延伸以獲得偏光件材料薄膜的工序（a）、將基材薄膜設置於偏光件材料薄膜上以獲得堆疊體［A］的工序（b），及將堆疊體［A］以延伸倍率Z沿一個以上之方向延伸的工序（c）。本實施型態之偏光板的製造方法包含在工序（b）之後將偏光件材料薄膜以二色性物質染色的工序（d）。
圖2係繪示製造經由工序（a）與工序（b）獲得之堆疊體［A］的製造裝置200之一例的概略示意圖。製造裝置200具備捲出裝置201、202；延伸裝置204；貼合裝置205；及收捲裝置203。
如圖2所繪示，將自捲出裝置201捲出之原料薄膜1運送至延伸裝置204，並藉由利用延伸裝置204進行之延伸處理獲得偏光件材料薄膜11（工序（a））。將如此獲得之偏光件材料薄膜11運送至貼合裝置205，以貼合裝置205塗布接合劑，並藉由與自捲出裝置202捲出之基材薄膜12貼合而獲得堆疊體10（工序（b））。所製造之堆疊體10可藉由收捲裝置203收捲成輥的形狀，以供予進一步之工序。
圖4係繪示經由工序（c）及工序（d）以製造本實施型態之偏光板100的製造裝置300之一例的概略示意圖。製造裝置300具備捲出裝置301、307；處理裝置302～305；乾燥裝置306、309；貼合裝置308及收捲裝置310。
如圖4所繪示，將自捲出裝置301捲出之堆疊體10運送至處理裝置302～305，並進行以二色性物質染色之染色處理（工序（d））、延伸堆疊體之延伸處理（工序（c））等處理。將已進行此等之處理後的堆疊體以乾燥裝置306乾燥，即可獲得偏光板100。
以下詳細說明各工序。
〔2.工序（a）〕
工序（a）係將包含偏光件之材料的原料薄膜以延伸倍率X沿一個以上之方向延伸以獲得偏光件材料薄膜的工序。
〔2.1.原料薄膜〕
在本發明中，所謂原料薄膜，係指用以獲得偏光件材料薄膜的薄膜，且未供予延伸處理者（包含偏光件之材料的未延伸之薄膜）。
在本發明中，原料薄膜只要為得達成本發明之目的者則不盡然受限，但就成本效率之高低而言，以聚乙烯醇樹脂之薄膜為佳。
在本發明中，聚乙烯醇樹脂（以下有時簡稱為PVA。）不盡然受限，但就取得性等而言，以使用「藉由皂化聚乙酸乙烯酯而製造」者為佳，所述聚乙酸乙烯酯係聚合乙酸乙烯酯而獲得者。PVA，就延伸性及所獲得之薄膜的偏光性能等優異的觀點而言，聚合度以位於500～8000之範圍為佳，皂化度以90莫耳%以上為佳。於此，所謂聚合度，係遵循JIS K6726-1994之記載而量測之平均聚合度，所謂皂化度，係遵循JIS K6726-1994之記載而量測之值。聚合度之較佳範圍為1000～6000，以1500～4000為更佳。皂化度之較佳範圍為95莫耳%以上，以99莫耳%以上為更佳。PVA只要對本發明之效果沒有負面影響，亦可為「乙酸乙烯酯與能共聚合之其他單體」的共聚物或接枝聚合物。
在本發明中，PVA之原料薄膜的製法並不特別受限，可藉由眾所周知的方法製造，舉例而言，可採用「將PVA溶解於溶劑之PVA溶液作為製膜原液使用，並根據延流製膜法、濕式製膜法（往不良溶劑中的排出）、乾濕式製膜法、凝膠製膜法（先將PVA水溶液冷卻凝膠化後，萃取去除溶劑，獲得PVA之原料薄膜的方法）及此等之組合的方法」或「將熔融含有溶劑之PVA者作為製膜原液進行的熔融擠製製膜法」等任意方法。此等之中，延流製膜法及熔融擠製製膜法就獲得透明性高且著色少之PVA的原料薄膜而言為佳，以熔融擠製製膜法為較佳。
在本發明中，PVA之原料薄膜，為了改善機械性質或二次加工時之工序通過性等，以相對於PVA含有甘油等多元醇等塑化劑0.01～1質量%為佳，並且為了改善操作性或薄膜外觀等，以相對於PVA含有陰離子系界面活性劑、非離子系界面活性劑等界面活性劑0.01～30質量%為佳。
PVA之原料薄膜，在不妨礙本發明之效果的範圍內亦可視需求更包含抗氧化劑、紫外線吸收劑、滑劑、pH調整劑、無機微粒子、著色劑、防腐劑、滅真菌劑、上述成分以外之其他高分子化合物、水分等其他成分。PVA之原料薄膜可包含一種或二種以上之此等之其他成分。
原料薄膜的厚度以50 μm以下為佳，以40 μm以下為較佳，以30 μm以下為更佳，且以5 μm以上為佳，以10 μm以上為較佳，以15 μm以上為更佳。藉由原料薄膜的厚度為前述範圍之下限值以上可獲得具有足夠高之偏光度的偏光板，且藉由為前述範圍之上限值以下可有效提高偏光板之對於彎曲的耐受性。
〔2.2.偏光件材料薄膜〕
偏光件材料薄膜係用以製造偏光件的薄膜（偏光件用薄膜）。偏光件材料薄膜可藉由將原料薄膜以延伸倍率X沿一個以上之方向延伸而獲得。偏光件材料薄膜係包含偏光件之材料的（延伸）薄膜。
作為延伸原料薄膜的方法，可列舉：乾式延伸及濕式延伸等。乾式延伸因相比於濕式延伸，設備及工序較為精簡，故原料薄膜之延伸處理的方法以乾式延伸為佳。作為乾式延伸，可使用拉幅式延伸、懸浮延伸、熱輥延伸等延伸方法。所謂乾式延伸，係指在高溫（例如：100℃以上）的氣體環境下延伸之延伸處理的方法。作為乾式延伸中所使用之氣體可舉出空氣。
在延伸原料薄膜做成偏光件材料薄膜時的延伸之條件，得為了可獲得期望之偏光件材料薄膜而適當選擇。舉例而言，延伸原料薄膜做成偏光件材料薄膜時的延伸之態樣，得作為單軸延伸、雙軸延伸等任意態樣。並且，在原料薄膜為長條狀之薄膜的情況下，延伸的方向亦可為縱向方向（平行於長條狀之薄膜的長邊方向之方向）、橫向方向（平行於長條狀之薄膜的幅寬方向之方向）及斜向方向（既非縱向亦非橫向之方向）之任一者。關於在工序（a）中的延伸方向與在工序（c）中的延伸方向之關係，將於說明工序（c）時說明。
在延伸原料薄膜做成偏光件材料薄膜時之延伸倍率X為1.5以上且5.5以下，滿足上述（1）式（1.5≦X≦5.5）。延伸倍率X以2.0以上為佳，以2.5以上為較佳，另一方面以4.5以下為佳，以3.5以下為較佳。簡言之，偏光件材料薄膜以「以2.0以上且4.5以下之延伸倍率X延伸之薄膜」為佳，以「以2.5以上且3.5以下之延伸倍率X延伸之薄膜」為較佳。若將延伸倍率X定為前述範圍之上限值以下，可防止在延伸原料薄膜做成偏光件材料薄膜時發生斷裂。並且，若將延伸倍率X定為前述範圍之下限值以上，可降低在延伸堆疊體獲得偏光板時的延伸倍率。在藉由雙軸延伸等向二個以上之方向之延伸進行原料薄膜之延伸的情形中，延伸倍率X係各延伸之倍率的乘積。
在將原料薄膜乾式延伸做成偏光件材料薄膜時之延伸溫度，以100℃以上為佳，以110℃以上為較佳，另一方面以150℃以下為佳，以140℃以下為較佳。藉由乾式延伸之溫度位於前述範圍內，可獲得均勻膜厚的偏光件材料薄膜。
偏光件材料薄膜的厚度T1，以40 μm以下為佳，以30 μm以下為較佳，以20 μm以下為更佳，且以3 μm以上為佳，以5 μm以上為較佳。藉由偏光件材料薄膜的厚度T1為前述範圍之下限值以上，可獲得具有足夠高之偏光度的偏光板，且藉由為前述範圍之上限值以下，可有效提高偏光板之對彎曲的耐受性。
偏光件材料薄膜之面內方向的相位差Re1，以10 nm以上為佳，以50 nm以上為較佳，以100 nm以上為更佳，且以500 nm以下為佳，以400 nm以下為較佳。藉由偏光件材料薄膜之面內方向的相位差Re1為上述範圍之下限值以上，可壓低在對堆疊體進行延伸處理做成偏光板時的延伸倍率，以將延伸處理後之基材的相位差維持在低值。藉由偏光件材料薄膜之面內方向的相位差Re1為上述範圍之上限值以下，可降低在延伸原料薄膜做成偏光件材料薄膜時的延伸倍率，避免在單獨延伸原料薄膜時產生皺褶等問題。
偏光件材料薄膜的Nz係數以0.95以上為佳，以0.99以上為較佳，且以1.5以下為佳，以1.4以下為較佳。藉由Nz係數位於前述範圍內，可獲得擁有足夠之偏光度的偏光件。
偏光件材料薄膜的形狀及尺寸得適當調整成相應於期望用途者。在製造效率上，偏光件材料薄膜以長條狀之薄膜為佳。
〔3.工序（b）〕
工序（b）係將基材薄膜設置於偏光件材料薄膜上以獲得堆疊體［A］的工序。在工序（b）中，可藉由接合劑貼合偏光件材料薄膜與基材薄膜，以將基材薄膜之層體設置於偏光件材料薄膜上。於本實施型態之製造方法中，在工序（b）中使用接合劑，而在本發明之製造方法中接合劑係為任意成分。雖然就「若於偏光件材料薄膜與基材薄膜之間塗布接合劑，可防止兩薄膜間的剝離等問題」這點而佳，但若是在「即使不使用接合劑仍可在偏光件材料薄膜與基材薄膜之間獲得足夠之接合力」的情況下，亦可不使用接合劑。
［3.1.接合劑］
作為貼合偏光件材料薄膜與基材薄膜的接合劑，並無特別的限制，得使用例如：丙烯酸系接合劑、胺甲酸酯系接合劑、聚酯系接合劑、聚乙烯醇系接合劑、聚烯烴系接合劑、改質聚烯烴系接合劑、聚乙烯基烷基醚系接合劑、橡膠系接合劑、氯乙烯─乙酸乙烯酯系接合劑、SEBS（苯乙烯─乙烯─丁烯─苯乙烯共聚物）系接合劑、乙烯─苯乙烯共聚物等乙烯系接合劑、乙烯─（甲基）丙烯酸甲酯共聚物、乙烯─（甲基）丙烯酸乙酯共聚物等丙烯酸酯系接合劑等。
亦可對基材薄膜之貼附於偏光件材料薄膜的面施予電暈處理、皂化處理、底塗處理、錨式塗布處理等易接合處理。
〔3.2.基材薄膜〕
基材薄膜係由樹脂而形成。作為形成基材薄膜之樹脂並無特別限定。基材薄膜以由選自環烯烴樹脂、非晶質聚酯樹脂、聚烯烴樹脂及丙烯酸樹脂至少一種而成之薄膜為佳，以由環烯烴樹脂而成之薄膜為較佳。
作為形成基材薄膜之環烯烴樹脂，以「包含環烯烴系聚合物，且環烯烴系聚合物為降𦯉烯系單體之開環聚合物的氫化物、降𦯉烯系單體與α-烯烴的加成共聚物及其氫化物」為佳。此等之中，作為環烯烴系聚合物，就即使在延伸之情況下仍難以顯現相位差的觀點而言以「降
Figure 107125487-A0305-02-0018-1
烯系單體與α-烯烴的加成共聚物及其氫化物為佳。作為降
Figure 107125487-A0305-02-0018-2
烯系單體的開環聚合物之氫化物、降
Figure 107125487-A0305-02-0018-3
烯系單體與α-烯烴的加成共聚物及/或其氫化物，可列舉：日本專利公開第H2-180976號公報、日本專利公開第H3-109418號公報、日本專利公開第H3-223328號公報、日本專利公開第H4-301415號公報、日本專利公開第H5-212828號公報、日本專利公開第H7-145213號公報等所記載之高分子化合物。
並且，作為形成基材薄膜之環烯烴樹脂，以「包含環烯烴系聚合物，且環烯烴系聚合物係由將嵌段共聚物〔丁〕之主鏈及側鏈的碳-碳不飽和鍵以及芳環之碳-碳不飽和鍵氫化之嵌段共聚物氫化物等而成者」為佳，所述嵌段共聚物〔丁〕，係由以源自芳族乙烯化合物之重複單元〔I〕作為主成分的聚合物嵌段〔甲〕，與以源自芳族乙烯化合物之重複單元〔I〕及源自鏈狀共軛二烯化合物之重複單元〔II〕作為主成分的聚合物嵌段〔乙〕或以源自鏈狀共軛二烯化合物之重複單元〔II〕作為主成分的聚合物嵌段〔丙〕而成者。作為此種嵌段共聚物氫化物，可列舉：國際專利公開第2000/32646號、國際專利公開第2001/081957號、日本專利公開第2002-105151號公報、日本專利公開第2006-195242號公報、日本專利公開第2011-13378號公報、國際專利公開第2015/002020號等所記載之高分子化合物。
〔3.2.1.塑化劑及軟化劑〕
在本發明中，基材薄膜以含有塑化劑及/或軟化劑（塑化劑及軟化劑之中的任一者或兩者）為佳。藉由含有塑化劑及／或軟化劑，可減小在延伸堆疊體獲得偏光板時顯現於基材薄膜的相位差。
作為塑化劑及軟化劑，得使用可均勻溶解乃至於分散至形成基材薄膜之樹脂中者。作為塑化劑及軟化劑之具體例，可列舉：由多元醇與一元羧酸而成之酯系塑化劑（以下稱為「多元醇酯系塑化劑」。）及由多元羧酸與一元醇而成之酯系塑化劑（以下稱為「多元羧酸酯系塑化劑」。）等酯系塑化劑，以及磷酸酯系塑化劑、醣酯系塑化劑及其他聚合物軟化劑。
在本發明中，作為係為較佳使用之酯系塑化劑之原料的多元醇之例，並不特別受限，但以乙二醇、甘油、三羥甲丙烷為佳。
作為多元醇酯系塑化劑之例，可列舉：乙二醇酯系塑化劑、甘油酯系塑化劑及其他多元醇酯系塑化劑。
作為多元羧酸酯系塑化劑之例，可列舉二羧酸酯系塑化劑及其他多元羧酸酯系塑化劑。
作為磷酸酯系塑化劑之例，具體上可列舉：磷酸三乙醯酯、磷酸三丁酯等磷酸烷酯；磷酸三環戊酯、磷酸環己酯等磷酸環烷酯；磷酸三苯酯、磷酸三甲苯酯等磷酸芳酯。
作為醣酯系塑化劑，具體上可列舉較佳為：五乙酸葡萄糖酯、五丙酸葡萄糖酯、五丁酸葡萄糖酯、八乙酸蔗糖酯、八苯甲酸蔗糖酯等，在此之內以八乙酸蔗糖酯為較佳。
作為聚合物軟化劑，具體上可列舉：脂族烴系聚合物、脂環烴系聚合物、聚丙烯酸乙酯、聚甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯與甲基丙烯酸-2-羥基乙酯的共聚物、甲基丙烯酸甲酯與丙烯酸甲酯與甲基丙烯酸-2-羥基乙酯的共聚物等丙烯酸系聚合物；聚乙烯基異丁基醚、聚-N-乙烯氫吡咯酮等乙烯系聚合物；聚苯乙烯、聚-4-羥基苯乙烯等苯乙烯系聚合物；聚丁二酸丁二酯、聚對酞酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯；聚環氧乙烷、聚環氧丙烷等聚醚；聚醯胺、聚胺酯、聚脲等。
作為脂族烴系聚合物之具體例，可列舉：聚異丁烯、聚丁烯、聚-4-甲基戊烯、聚-1-辛烯、乙烯─α-烯烴共聚物等低分子量物及其氫化物；聚異戊二烯、聚異戊二烯─丁二烯共聚物等低分子量物及其氫化物等。就易於均勻溶解乃至於分散至環烯烴樹脂的觀點而言，脂族烴系聚合物以數量平均分子量300～5,000為佳。
此等聚合物軟化劑可為由一種重複單元而成之單獨聚合物，亦可為具有多個重複結構物的共聚物。並且，亦可將上述聚合物合併二種以上使用。
在本發明中，作為塑化劑及／或軟化劑，以酯系塑化劑、脂族烴系聚合物及此等之混合物為佳。
在基材薄膜中之塑化劑及／或軟化劑（以下亦稱為「塑化劑等」）的比例，相對於形成基材薄膜之樹脂100重量份，以0.2重量份以上為佳，以0.5重量份以上為較佳，以1.0重量份以上更為較佳，另一方面以40重量份以下為佳，以30重量份以下為較佳。藉由將塑化劑等的比例定為前述範圍內，即使經由包含延伸處理之偏光板的製造工序，仍可將基材薄膜做成相位差之顯現性為足夠低者。
〔3.2.2.任意成分〕
基材薄膜得包含除了樹脂及塑化劑等之外的任意成分。作為任意成分之例，可列舉：抗氧化劑、紫外線吸收劑、光穩定劑等穩定劑；滑劑等樹脂改質劑；染料或顏料等著色劑；及抗靜電劑。此等摻合劑可使用單獨一種，或組合二種以上使用，並在不損及本發明之目的之範圍內適當選擇其摻合量。
〔3.3.基材薄膜的製造方法〕
基材薄膜得藉由將「包含用以形成基材薄膜之成分（樹脂及視需求而添加之成分）的組成物（以下亦稱為『樹脂組成物』）」透過任意成形方法成形成薄膜狀而製造。
作為將樹脂組成物成形成薄膜狀的方法之例，可舉出熔融擠製成形。熔融擠製工序得藉由利用擠製機使樹脂組成物熔融，自安裝於該擠製機之T字模擠製成薄膜狀，並使經擠製之薄膜密合於一個以上之冷卻輥成形拉製的方法進行。在熔融擠製成形中的成形條件得配合使用之樹脂組成物的組成及分子量等條件而適當設定。
基材薄膜的厚度以5 μm以上為佳，以10 μm以上為較佳，且以50 μm以下為佳，以30 μm以下為較佳。藉由基材薄膜的厚度為前述範圍之下限值以上，可獲得良好之貼合面狀的堆疊體，且藉由為前述範圍之上限值以下，可減小在延伸堆疊體獲得偏光板時顯現於基材薄膜的相位差。
〔3.4.堆疊體［A］〕
圖3係繪示經由工序（b）而獲得之堆疊體［A］的剖面示意圖。如圖3所繪示，在本實施型態中，堆疊體10包含已延伸之偏光件材料薄膜11、接合劑層13及基材薄膜12。在本發明之製造方法中經由工序（b）而獲得之堆疊體亦可為不含接合劑層的結構。在本申請中，為了區分「於製造偏光板的工序中進行延伸處理之前的堆疊體［A］」與「於在製造偏光板的工序中已進行延伸處理之後的堆疊體」，有時將後者稱為「延伸堆疊體」。
〔4.工序（c）〕
工序（c）係將經由工序（b）而獲得之堆疊體［A］以延伸倍率Z沿一個以上之方向延伸的工序。作為延伸堆疊體［A］的方法並不特別受限，但以濕式延伸為佳。
於工序（c）中之堆疊體［A］的延伸倍率Z為1.2以上且5.0以下，滿足上述（2）式（1.2≦Z≦5.0）。延伸倍率Z以1.5以上為佳，以2.0以上為較佳，且以4.5以下為佳，以4.0以下為較佳。若將堆疊體［A］的延伸倍率定為前述範圍之上限值以下，則即使經由包含延伸處理之偏光板的製造工序，仍可降低基材薄膜之相位差的顯現並防止偏光板發生斷裂，且若將延伸倍率定為前述範圍之下限值以上，則可獲得擁有足夠之偏光性能的偏光板。
並且，於本發明中，在工序（a）中之延伸倍率X與在工序（c）中之堆疊體之延伸倍率Z的乘積（以下亦稱為「延伸倍率的乘積」）為5.1以上且9.0以下，滿足上述（3）式（5.1≦X＊Z≦9.0）。延伸倍率的乘積（X＊Z）以5.5以上為佳，以6.0以上為較佳，且以8.0以下為佳，以7.0以下為較佳。若將延伸倍率的乘積定為前述範圍之上限值以下，則即使經由包含延伸處理之偏光板的製造工序，仍可降低基材薄膜之相位差的顯現並防止偏光板發生斷裂，且若將延伸倍率定為前述範圍之下限值以上，則可獲得擁有足夠之偏光性能的偏光板。
在工序（c）中之堆疊體［A］的延伸溫度並無特別限制。舉例而言，在使用聚乙烯醇系樹脂作為偏光件之材料的情形中，具體上延伸溫度以50℃以上為佳，以55℃以上為較佳，以60℃以上為尤佳，且以160℃以下為佳，以120℃以下為較佳，以110℃以下為尤佳。藉由延伸溫度為前述範圍之下限值以上可順利進行延伸，並且，藉由為前述範圍之上限值以下可透過延伸進行有效的配向。前述延伸溫度之範圍，雖以乾式延伸及濕式延伸之任一種方法皆為佳，但尤以濕式延伸的情形為佳。
在工序（c）中之堆疊體［A］的延伸處理係包含向至少一個方向延伸的處理，可包含僅一個方向的延伸，亦可包含向二個以上之方向的延伸。作為堆疊體［A］的延伸處理，以進行單軸延伸為佳，以自由端單軸延伸為更佳，以縱向的自由端單軸延伸為尤佳。在包含僅一個方向之延伸的延伸處理中，係以「其延伸的延伸倍率落於前述指定之延伸倍率之範圍」的方式進行延伸。並且，在包含向二個以上之方向延伸的延伸處理中，係以「各延伸之延伸倍率的乘積落於前述指定之延伸倍率之範圍」的方式進行延伸。在包含向二個以上之方向延伸的延伸處理中，此等之延伸可同時進行，亦可依序進行。
針對在工序（a）中之延伸方向與在工序（c）中之延伸方向的關係進行說明。在工序（a）中之原料薄膜的延伸方向及在工序（c）中之堆疊體［A］的延伸方向，並無特別限定，但可定為以下（1）～（6）所揭示之態樣。於本申請中，當要計算下述θ1與θ2時，在於一個工序中沿二個以上之方向延伸之情況下，將延伸倍率大者的延伸方向定為此工序中的延伸方向。並且，θ1及θ2得在不損及本發明之效果的範圍內包含容許誤差。舉例而言，在θ1及θ2為0°的情形或90°的情形中，得包含±0.5°的容許誤差。
工序（a）的延伸方向與偏光件材料薄膜的幅寬方向所夾之角θ1及工序（c）的延伸方向與堆疊體［A］的幅寬方向所夾之角θ2可定為以下態樣。 （1）θ1為90°，θ2為90°。 （2）θ1為0°，θ2為0°。 （3）θ1及θ2之中，任一者為90°，另一者為0°。 （4）θ1為90°，θ2（°）滿足下述式（4）。 θ2≠90 （4） （5）θ1（°）滿足下述式（5），θ2為90°。 θ1≠90 （5） （6）θ1（°）及θ2（°）滿足下述式（6）及下述式（7）。 θ1≠90 （6） θ2≠90 （7）
上述樣態（1）較佳為在偏光板之用途為液晶顯示裝置用的偏光板之情況，而（4）～（6）較佳為用於EL顯示裝置的偏光板之情況。
並且，在樣態（4）～（6）中，以θ1與θ2之差的絕對值為50以下為佳，以30以下為較佳，以10以下為更佳。
〔5.工序（d）〕
工序（d）係將偏光件材料薄膜以二色性物質染色的工序。本實施型態之製造方法包含工序（d），但在本發明之製造方法中為任意工序。工序（d）在工序（b）之後即可，亦可在前述工序（c）之前進行。並且，偏光件材料薄膜的染色亦可對形成堆疊體［A］之前的偏光件材料薄膜進行。經由工序（c）及工序（d），將偏光件材料薄膜延伸並進一步任意染色，如此一來，變成得發揮作為偏光件之功能的薄膜。
作為在工序（d）中之將偏光件材料薄膜染色的二色性物質，可列舉：碘、有機染料等。使用此等之二色性物質的染色方法係為任意。舉例而言，將偏光件材料薄膜之層體浸漬於包含二色性物質的染色溶液中，藉此進行染色。並且，在使用碘作為二色性物質之情形中，就提高染色效率的觀點而言，染色溶液亦可包含碘化鉀等碘化物。
二色性物質並無特別受限，但在於車載用之顯示裝置使用偏光板之情形中，作為二色性物質，以有機染料為佳。
〔6.在偏光板中之各層體的特性〕
經由工序（a）～工序（d）而獲得本實施型態之偏光板。
經由工序（c）後（堆疊體延伸後）之偏光件材料薄膜的厚度T為20 μm以下。偏光件材料薄膜的厚度T以15 μm以下為佳，以10 μm以下為較佳，且以1 μm以上為佳，以3 μm以上為較佳。藉由厚度T為上限值以下，可減小偏光板的厚度，且藉由厚度T為下限值以上，可獲得具有足夠高之偏光度的偏光板。
經由工序（c）後之基材薄膜之面內方向的相位差Re以20 nm以下為佳。基材薄膜之面內方向的相位差Re以15 nm以下為較佳，以10 nm以下為更佳，且以0 nm以上為佳。藉由基材薄膜之前述面內方向的相位差Re位於上述範圍內，即使經由包含延伸處理之偏光板的製造工序，仍可將基材薄膜做成相位差之顯現性足夠低者。
［7.本實施型態的效果］
根據本實施型態，延伸包含「透過工序（a）而獲得之經預先延伸之偏光件材料薄膜」的堆疊體［A］，藉此製造偏光板，故可降低在延伸該堆疊體［A］製造偏光板時的延伸倍率。藉此，可抑制已對堆疊體［A］進行延伸處理後的基材薄膜中之相位差的顯現，故可不須剝離基材薄膜而將基材薄膜直接使用作為偏光件材料薄膜之其中一面的保護薄膜，且減少浪費的材料。並且，在本實施型態中，由於使用透過工序（a）而獲得之經預先延伸之偏光件材料薄膜，故在將基材薄膜堆疊至偏光件材料薄膜做成堆疊體［A］時，得不需寬度尺寸如使用未延伸之偏光件材料薄膜時般極寬的基材薄膜，而有效率地進行偏光板的製造。綜上根據本實施型態，可提供即使基材薄膜作為保護薄膜仍可使用，且即使厚度薄仍可有效率製造之偏光板的製造方法。
〔實施型態2：偏光板的製造方法〕
參照圖5同時說明關於本發明之實施型態2之偏光板的製造方法。
圖5係繪示藉由關於本發明之實施型態2之偏光板的製造方法獲得之偏光板120的剖面示意圖。於此偏光板120中，如圖5所繪示，在偏光件材料薄膜111之其中一面（圖示上側面）上堆疊基材薄膜112，並在偏光件材料薄膜111之另一面側（圖示下側面）堆疊保護薄膜115。圖5中113、114為接合劑層。用以將保護薄膜貼合於偏光件材料薄膜的接合劑，可使用與將基材薄膜貼合於偏光件材料薄膜的接合劑相同者。
有關本實施型態之偏光板120的製造方法，包含：上述工序（a）、工序（b）、工序（d）及工序（c），與將保護薄膜直接或透過接合劑貼合於「工序（c）後之延伸堆疊體的偏光件材料薄膜」上的工序（e1）。
具體而言，如圖4所繪示，將實施型態1之偏光板100運送至貼合裝置308，並將接合劑塗布於偏光件材料薄膜111之未堆疊有基材薄膜112側的面，與自捲出裝置307捲出之保護薄膜115貼合，藉此獲得具備保護薄膜115的偏光板120（工序（e1））。所製造之偏光板120可藉由收捲裝置310收捲成為輥的形狀，以供予進一步之工序。
由於與實施型態1之製造方法相同，係藉由延伸包含「透過工序（a）而獲得之經預先延伸之偏光件材料薄膜」的堆疊體以製造偏光板，故「藉由本實施型態之製造方法而獲得之偏光板」亦具有與實施型態1同様的作用效果。
〔實施型態3：偏光板的製造方法〕
參照圖6同時說明關於本發明之實施型態3之偏光板的製造方法。
圖6係繪示藉由關於本發明之實施型態3之偏光板的製造方法獲得之偏光板130的剖面示意圖。在此偏光板130中，如圖6所繪示，在偏光件材料薄膜111之其中一面（圖示上側面）上堆疊有基材薄膜112，偏光件材料薄膜111之另外一面側（圖示下側面）堆疊有黏合劑層116。
本實施型態之偏光板的製造方法包含：上述工序（a）、工序（b）、工序（d）及工序（c），與將黏合劑層設置於「工序（c）後之延伸堆疊體的偏光件材料薄膜」上的工序（e2）。
作為形成黏合劑層的黏合劑，得使用市售之各種黏合劑，例如：包含丙烯酸聚合物作為係為主成分之聚合物的黏合劑。
有關實施型態3之偏光板130，舉例而言，係藉由將黏合劑層自「具有市售之黏合劑層的薄膜（例如：藤森工業製「MASTACK系列」）」轉印至「實施型態1之偏光板100之偏光件材料薄膜111之未堆疊有基材薄膜112側的面」上形成黏合劑層而獲得。
由於與實施型態1之製造方法相同，係藉由延伸包含「透過工序（a）而獲得之經預先延伸之偏光件材料薄膜」的堆疊體以製造偏光板，故「藉由本實施型態之製造方法而獲得之偏光板」亦具有與實施型態1同様的作用效果。
［液晶顯示裝置］
藉由本發明之偏光板的製造方法而獲得之偏光板得成為液晶顯示裝置的材料。
通常液晶顯示裝置依序具備光源、光源側偏光板、液晶單元及觀看側偏光板，而藉由本發明而獲得之偏光板亦可在光源側偏光板及觀看側偏光板之任一者使用。
作為液晶單元之驅動方式，可列舉例如：平面切換（IPS）模式、垂直排列（VA）模式、多區域垂直排列（MVA）模式、連續焰火狀排列（CPA）模式、混合排列向列（HAN）模式、扭轉向列（TN）模式、超扭轉向列（STN）模式、光學補償雙折射（OCB）模式等。
［實施型態4：液晶顯示裝置的製造方法］
參照圖7同時說明具備「藉由本發明之製造方法而獲得之偏光板」之關於實施型態4之顯示裝置的製造方法。在本實施型態中，將本發明之偏光板做成光源側偏光板及觀看側偏光板並分別堆疊至液晶面板上，藉此製造顯示裝置。
圖7係繪示藉由關於實施型態4之製造方法獲得之液晶顯示裝置400的剖面示意圖。液晶顯示裝置400，如圖7所繪示，具有二片基板410、420與位於其間的液晶層430，以及分別配置於二片基板410、420之外側的偏光板100、100。二片偏光板100係實施型態1之偏光板。如圖7所繪示，二片偏光板100，係以各自之基材薄膜112如圖7所繪示地配置於偏光件材料薄膜111與液晶層430之間的方式而堆疊。
根據本實施型態，可提供具備「即使以基材薄膜作為保護薄膜仍可使用，且即使厚度薄仍可有效率製造之本發明的偏光板」之顯示裝置的製造方法。
［實施型態5：液晶顯示裝置的製造方法］
參照圖8同時說明具備「藉由本發明之製造方法而獲得之偏光板」之關於實施型態5之顯示裝置的製造方法。在本實施型態中，使用本發明之偏光板作為光源側偏光板及觀看側偏光板之其中一者的偏光板，並將該偏光板堆疊至液晶面板上，藉此製造顯示裝置。
圖8係繪示藉由關於本發明之實施型態5之製造方法獲得之液晶顯示裝置450的剖面示意圖。液晶顯示裝置450，如圖8所繪示，具有二片基板410、420與位於其間的液晶層430，以及配置於下側基板410之外側（圖示下側）的偏光板120。偏光板120係實施型態2之偏光板。如圖8所繪示，偏光板120，係以基材薄膜112配置於偏光件材料薄膜111與液晶層430之間的方式堆疊。
根據本實施型態，可提供具備「即使基材薄膜作為保護薄膜仍可使用，且即使厚度薄仍可有效率製造之本發明的偏光板」之顯示裝置的製造方法。
［EL顯示裝置］
藉由本發明之偏光板的製造方法獲得之偏光板得成為EL顯示裝置的材料。
通常有機EL顯示裝置，自光出射側依序具備：基板、透明電極、發光層及金屬電極層，而藉由本發明之製造方法而獲得之偏光板配置於基板的光出射側。
EL顯示裝置具有二片基板與位於其間的發光層，以及配置於二片基板之其中一者之基板外側的偏光板。該顯示裝置可藉由將本發明之偏光板堆疊至有機EL面板或無機EL面板上而製造。
［實施型態6：有機EL顯示裝置的製造方法］
參照圖9同時說明具備「藉由本發明之製造方法而獲得之偏光板」之關於實施型態6之顯示裝置的製造方法。在本實施型態中，將本發明之偏光板堆疊至有機EL面板上，藉此製造顯示裝置。
圖9係繪示藉由關於本發明之實施型態6之製造方法獲得之有機EL顯示裝置500的剖面示意圖。有機EL顯示裝置500具有二片基板510、520與位於其間的發光層530，以及配置於下側基板510之外側（圖示下側）的偏光板100。偏光板100係實施型態1之偏光板。如圖9所繪示，偏光板100，係以基材薄膜112配置於偏光件材料薄膜111與發光層530之間的方式堆疊。
根據本實施型態，可提供具備「即使以基材薄膜作為保護薄膜仍可使用，且即使厚度薄仍可有效率製造之本發明的偏光板」的顯示裝置。
［實施型態7：有機EL顯示裝置的製造方法］
參照圖10同時說明具備「藉由本發明之製造方法而獲得之偏光板」之關於實施型態7之顯示裝置的製造方法。在本實施型態中，將本發明之偏光板堆疊至有機EL面板上，藉此製造顯示裝置。
圖10係繪示藉由關於本發明之實施型態7之製造方法獲得之有機EL顯示裝置550的剖面示意圖。有機EL顯示裝置550具有二片基板510、520與位於其間的發光層530，以及配置於下側基板510之外側（圖示下側）的偏光板120。偏光板120係實施型態2之偏光板。如圖10所繪示，偏光板120，係以基材薄膜112配置於偏光件材料薄膜111與發光層530之間的方式堆疊。
根據本實施型態，可提供具備「即使以基材薄膜作為保護薄膜仍可使用，且即使厚度薄仍可有效率製造之本發明的偏光板」的顯示裝置。
［其他實施型態］
（1）在實施型態4中，揭示了將實施型態1之偏光板分別使用於光源側偏光板及觀看側偏光板者，但可由實施型態2或3之偏光板構成任一者之偏光板，亦可使用二片實施型態2或3之偏光板。
（2）在實施型態5中，將實施型態2之偏光板使用於光源側偏光板及觀看側偏光板之其中一者，但亦可使用實施型態1或3之偏光板。
（3）在實施型態6及7中，揭示了將實施型態1之偏光板與實施型態2之偏光板分別使用於有機EL顯示裝置之例，但並不受限於此。舉例而言，亦可將實施型態3之偏光板使用於無機EL顯示裝置。
『實施例』
以下參照實施例及比較例以進一步詳細說明本發明，但本發明並非受限於下述實施例者。以下關於成分之量比的「份」及「%」，除非另有註記否則表示重量份。
〔評價方法〕
〔重量平均分子量（Mw）及分子量分布（Mw／Mn）〕
嵌段共聚物及嵌段共聚物氫化物的分子量，係在38℃下量測作為將THF做成溶析液之依據GPC的標準聚苯乙烯換算值。使用TOSOH公司製，HLC8020GPC作為量測裝置。
〔氫化率〕
嵌段共聚物氫化物的氫化率係藉由1 H-NMR光譜或GPC分析而算出。氫化率99%以下之區域係量測1 H-NMR光譜而算出，超過99%之區域係藉由GPC分析並自UV檢測器及RI檢測器所致之峰值面積的比例而算出。
〔面內相位差Re與Nz係數的量測方法〕
在波長590 nm使用相位差量測裝置（Axometric公司製　製品名「Axoscan」），量測Re及Rth，並基於此等以求出Nz係數。
〔厚度的量測方法〕
原料薄膜之延伸前與延伸後的厚度、基材薄膜的厚度、偏光板所包含之各層體的厚度以下述方法量測。
使用切片機切割偏光板之後，使用TEM觀察其剖面。量測五處厚度方向之尺寸，並採用此量測值的平均作為厚度。
〔堆疊體之貼合面狀的評價〕
以目視觀察堆疊體，將未產生條紋或孔隙者定為「良」，有產生者定為「不良」。
〔偏光度的量測〕
使用紫外光可見光分光光度計(日本分光公司製，製品名「V7100」)，量測偏光板之單體穿透率(Ts)、平行穿透率(TP)及正交穿透率(Tc)，並藉由次式求出偏光度(P)。此外，Ts、TP及Tc係藉由JIS Z 8701之2度視野(C光源)量測，並進行視感度修正的Y值。
偏光度(P)(%)=〔(TP-Tc)/(TP+Tc)〕1/2×100
此外，量測係將偏光板之偏光件材料薄膜側以成為入光側的方式配置而進行。
〔延伸性的評價〕
藉由以下基準評價延伸堆疊體製造偏光板的工序中之工序穩定性。
A：未發生斷裂(送料10次而斷裂0次)。
B：幾乎未發生斷裂(送料10次而斷裂1次)。
C：頻繁發生斷裂而無法偏光板化。
〔實施例1〕
(1-1)基材薄膜的製造
(1-1-1)聚合物X的製作
參照日本專利公開第2002-105151號公報所記載之製造例，在第1階段中使苯乙烯單體25份聚合後，在第2階段中使苯乙烯單體30份及異戊二烯單體25份聚合，之後在第3階段中使苯乙烯單體20份聚合獲得嵌段共聚物〔丁1〕後，將該嵌段共聚物氫化合成嵌段共聚物氫化物〔戊1〕。嵌段共聚物氫化物〔 戊1〕之Mw為84,500，Mw/Mn為1.20，主鏈及芳環的氫化率為幾乎100%。
於嵌段共聚物氫化物〔戊1〕100份中，熔融混煉作為抗氧化劑的肆{3-[3,5-二(三級丁基)-4-羥基苯基]丙酸}新戊四醇酯(松原產業公司製，製品名「Songnox1010」)0.1份而摻合後，做成顆粒狀，獲得成形用的聚合物X。
(1-1-2)基材薄膜A的製造
將在(1-1-1)中製造的聚合物X供給至具備T字模的熱熔融擠製薄膜成形機。自T字模將聚合物X擠出，並以4m/分鐘的牽引速度收捲至輥，藉此將聚合物X成形成薄膜狀。藉此，獲得由聚合物X而成之長條的基材薄膜A(厚度20μm)。
(1-2)偏光件材料薄膜的製造(工序(a))
使用未延伸聚乙烯醇薄膜(平均聚合度約2400，皂化度99.9莫耳%、厚度20μm，以下亦稱為「PVA20」)作為原料薄膜。
將原料薄膜，使用縱向單軸延伸機，在延伸溫度130℃下以延伸倍率3.0沿長邊方向乾式延伸，獲得偏光件材料薄膜。偏光件材料薄膜的厚度T1為12μm，面內方向的相位差Re1為345nm，Nz係數為1.0。
(1-3)堆疊體的製造(工序(b))
混合水100重量份、聚乙烯醇系接合劑(日本合成化學公司製「Z-200」)3重量份及交聯劑(日本合成化學公司製「SPM-01」）0.3重量份，獲得接合劑組成物。對在（1-1-2）中所獲得之基材薄膜A的單面施予電暈處理，在其上塗布此接合劑組成物，並貼合至偏光件材料薄膜之一面。在此狀態下，使接合劑組成物在70℃下加熱乾燥5分鐘。藉此，獲得具有「偏光件材料薄膜」／「接合劑層」／「基材薄膜A」之層體結構的堆疊體［A］。接合劑層的厚度為1 μm。在該堆疊體［A］中基材薄膜A係未延伸之薄膜。
評價所獲得之堆疊體［A］的貼合面狀。結果揭示於表1。
（1-4）偏光板的製造（濕式）（工序（d）、工序（c））
將在（1-3）中所獲得之堆疊體［A］，透過導輥沿長邊方向連續運送，並同時進行下述操作。
對前述堆疊體［A］進行「浸漬於包含碘及碘化鉀之染色溶液的染色處理」與「延伸染色處理後之堆疊體的第一延伸處理」。隨後，對第一延伸處理後之堆疊體進行「在包含硼酸及碘化鉀之65℃之酸浴中延伸的第二延伸處理」。由在第一延伸處理中之延伸倍率與在第二延伸處理中之延伸倍率的乘積所表示之總延伸倍率以呈2.0的方式設定。在第一延伸處理及第二處理中的延伸方向皆定為長邊方向（縱向單軸延伸，θ2＝90°）。
將第二延伸處理後之延伸堆疊體於乾燥機中在70℃下乾燥5分鐘獲得偏光板。量測偏光板的厚度（整體厚度）、在偏光板中之基材薄膜的厚度（基材厚度）及相位差Re（基材Re）、偏光件材料薄膜的厚度T，以及在單體穿透率42.8%下的偏光度（%），並與延伸性之評價結果一同揭示於表1。
〔實施例2〕
除了使用在以下（2-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，代替在（1-2）中所獲得之偏光件材料薄膜以外，比照實施例1操作製造偏光板，並比照實施例1進行評價，結果揭示於表1。
（2-2）偏光件材料薄膜的製造
使用未延伸聚乙烯醇薄膜（平均聚合度約2400，皂化度99.9莫耳%，厚度30 μm，以下亦稱為「PVA30」）作為原料薄膜。
將原料薄膜（PVA30），使用縱向單軸延伸機，在延伸溫度130℃下以延伸倍率3.0沿長邊方向延伸，獲得偏光件材料薄膜。偏光件材料薄膜的厚度T1為17 μm，Re1為520 nm。
〔實施例3〕
除了使用在以下（3-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，代替在（1-2）中所獲得之偏光件材料薄膜製造堆疊體［A］，及變更在（1-4）中的延伸倍率，藉此將總延伸倍率變更為3.0以外，比照實施例1製造偏光板，並比照實施例1進行評價，結果揭示於表1。
（3-2）偏光件材料薄膜的製造
將原料薄膜（PVA20），使用拉幅式延伸機，在延伸溫度130℃下以延伸倍率2.0沿長邊方向端延伸，獲得偏光件材料薄膜。偏光件材料薄膜的厚度T1為10 μm，Re1為280 nm。（雙軸縱向延伸）
〔實施例4〕
使用在以下（4-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，代替在（1-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，並藉由下述（4-3）的方法及（4-4）的方法製造偏光板，比照實施例1進行評價，結果揭示於表1。
（4-2）偏光件材料薄膜的製造
將原料薄膜（PVA20），使用拉幅式延伸機，在延伸溫度130℃下以延伸倍率3.0沿幅寬方向延伸，獲得偏光件材料薄膜。偏光件材料薄膜的厚度T1為7 μm，Re1為240 nm。（橫向單軸延伸）
（4-3）堆疊體［A］的製造
除了使用在（4-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，代替在（1-2）中所獲得之偏光件材料薄膜以外，比照（1-3）操作，獲得具有「偏光件材料薄膜」／「接合劑層」／「基材薄膜A」之層體結構的堆疊體［A］。
（4-4）偏光板的製造
除了使用在（4-3）中所獲得之堆疊體［A］，代替在（1-3）中所獲得之堆疊體［A］，以及變更延伸倍率及延伸方向，藉此將總延伸倍率變更為2.0且將延伸方向變更為橫向單軸延伸（θ2＝0°）以外，比照（1-4）操作製造偏光板。
〔實施例5〕
使用在以下（5-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，代替在（1-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，並藉由下述（5-3）的方法及（5-4）的方法製造偏光板，比照實施例1進行評價，結果揭示於表1。
（5-2）偏光件材料薄膜的製造
將原料薄膜（PVA20），使用拉幅式延伸機，在延伸溫度130℃下以延伸倍率1.5沿幅寬方向延伸，獲得偏光件材料薄膜。偏光件材料薄膜的厚度T1為13 μm，Re1為250 nm。（橫向單軸延伸）
（5-3）堆疊體［A］的製造
除了使用在（5-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，代替在（1-2）中所獲得之偏光件材料薄膜以外，比照（1-3）操作，獲得具有「偏光件材料薄膜」／「接合劑層」／「基材薄膜A」之層體結構的堆疊體［A］。
（5-4）偏光板的製造
除了使用在（5-3）中所獲得之堆疊體［A］，代替在（1-3）中所獲得之堆疊體［A］，及變更延伸倍率，藉此將總延伸倍率變更為5.0以外，比照（1-4）操作製造偏光板。
〔實施例6〕
使用在以下（6-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，代替在（1-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，並藉由下述（6-3）的方法及（6-4）的方法製造偏光板，比照實施例1進行評價，結果揭示於表1。
（6-2）偏光件材料薄膜的製造
除了將原料薄膜（PVA20）以延伸倍率1.5延伸以外，比照（1-2）操作，獲得偏光件材料薄膜。偏光件材料薄膜的厚度T1為16 μm，Re1為345 nm。
（6-3）堆疊體［A］的製造
除了使用在（6-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，代替在（1-2）中所獲得之偏光件材料薄膜以外，比照（1-3）操作，獲得具有「偏光件材料薄膜」／「接合劑層」／「基材薄膜A」之層體結構的堆疊體［A］。
（6-4）偏光板的製造
除了使用在（6-3）中所獲得之堆疊體［A］，代替在（1-3）中所獲得之堆疊體［A］，以及變更延伸倍率及延伸方向，藉此將總延伸倍率變更為5.0且將延伸方向變更為橫向單軸延伸（θ2＝0°）以外，比照（1-4）操作製造偏光板。
〔實施例7〕
使用在（1-3）中所獲得之堆疊體［A］，並藉由以下（7-4）的方法製造偏光板，比照實施例1進行評價，結果揭示於表2。
（7-4）偏光板的製造
將在（1-3）中所獲得之堆疊體［A］，以延伸倍率呈1.8的方式，在延伸溫度110℃下沿斜向方向（θ2＝45°）延伸。將已延伸之堆疊體浸漬於包含碘、碘化鉀及硼酸的染色溶液以染色，並以60℃的溫風乾燥。隨後，將已染色之堆疊體，以延伸倍率呈1.1的方式，在延伸溫度90℃下沿斜向方向（θ2＝45°）延伸獲得偏光板（乾式斜向延伸）。
〔實施例8〕
除了使用在以下（8-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，代替在（1-2）中所獲得之偏光件材料薄膜以外，比照實施例1操作製造偏光板，並比照實施例1進行評價，結果揭示於表2。
（8-2）偏光件材料薄膜的製造
將原料薄膜（PVA20），使用斜向延伸用拉幅式延伸機，在延伸溫度130℃下以延伸倍率3.0沿斜向方向（θ1＝45°）延伸，獲得偏光件材料薄膜。偏光件材料薄膜的厚度T1為7 μm，Re1為310 nm。
〔實施例9〕
使用在以下（9-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，代替在（1-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，並藉由下述（9-3）的方法及（9-4）的方法製造偏光板，比照實施例1進行評價，結果揭示於表2。
（9-2）偏光件材料薄膜的製造
將原料薄膜（PVA20），使用斜向延伸用拉幅式延伸機，在延伸溫度130℃下以延伸倍率3.0沿傾斜方向（θ1＝45°）延伸，獲得偏光件材料薄膜。偏光件材料薄膜的厚度T1為7 μm，Re1為310 nm。
（9-3）堆疊體［A］的製造
除了使用在（9-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，代替在（1-2）中所獲得之偏光件材料薄膜以外，比照（1-3）操作，獲得具有「偏光件材料薄膜」／「接合劑層」／「基材薄膜A」之層體結構的堆疊體［A］。
（9-4）偏光板的製造
使用在（9-3）中所獲得之堆疊體［A］，代替在（1-3）中所獲得之堆疊體［A］，並以延伸倍率呈1.8的方式，在延伸溫度110℃下沿傾斜方向（θ2＝45°）延伸。將已延伸之堆疊體浸漬於包含碘、碘化鉀及硼酸的染色溶液以染色，且以60℃之溫風乾燥。隨後，將已染色之堆疊體，以延伸倍率為1.1的方式，在延伸溫度90℃下沿傾斜方向（θ2＝45°）延伸獲得偏光板（乾式斜向延伸）。
〔實施例10〕
（10-1）基材薄膜B的製造
除了變更在（1-1-2）之將聚合物X擠製成形的條件，使厚度呈25 μm以外，比照（1-1）操作，獲得由聚合物X而成之長條的基材薄膜B（厚度25 μm）。
（10-2）偏光件材料薄膜的製造
除了將延伸倍率變更為1.5以外，比照實施例1之（1-2）操作，獲得偏光件材料薄膜。偏光件材料薄膜的厚度T1為16 μm，Re1為230 nm。
（10-3）堆疊體［A］
除了使用在（10-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，代替在（1-2）中所獲得之原料薄膜，以及使用在（10-1）中所獲得之基材薄膜B，代替基材薄膜A以外，比照（1-3）操作，獲得具有「偏光件材料薄膜」／「接合劑層」／「基材薄膜B」之層體結構的堆疊體［A］。
（10-4）偏光板的製造
除了使用在（10-3）中所獲得之堆疊體［A］，代替在（1-3）中所獲得之堆疊體［A］，及變更延伸倍率藉此將總延伸倍率變更為4.5以外，比照實施例1之（1-4）操作製造偏光板，並比照實施例1進行評價，結果揭示於表2。
〔實施例11〕
（11-2）偏光件材料薄膜的製造
除了將延伸倍率變更為5.5以外，比照（1-2）操作，獲得偏光件材料薄膜。偏光件材料薄膜的厚度T1為9 μm，Re1為325 nm。
（11-3）堆疊體［A］
除了使用在（11-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，代替在（1-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，以及使用在（10-1）中所獲得之基材薄膜B，代替基材薄膜A以外，比照（1-3）操作，獲得具有「偏光件材料薄膜」／「接合劑層」／「基材薄膜B」之層體結構的堆疊體［A］。
（11-4）偏光板的製造
除了使用在（11-3）中所獲得之堆疊體［A］，代替在（1-3）中所獲得之堆疊體［A］，及變更延伸倍率，藉此將總延伸倍率變更為1.2以外，比照實施例1之（1-4）操作製造偏光板，並比照實施例1進行評價，結果揭示於表2。
〔實施例12〕
（12-2）偏光件材料薄膜的製造
除了將原料薄膜（PVA20）以延伸倍率3.5延伸以外，比照（1-2）操作，獲得偏光件材料薄膜。偏光件材料薄膜的厚度T1為11 μm，Re1為340 nm。
（12-3）堆疊體［A］
除了使用在（12-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，代替在（1-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，以及使用在（10-1）中所獲得之基材薄膜B，代替基材薄膜A以外，比照（1-3）操作，獲得具有「偏光件材料薄膜」／「接合劑層」／「基材薄膜B」之層體結構的堆疊體［A］。
（12-4）偏光板的製造
除了使用在（12-3）中所獲得之堆疊體［A］，代替在（1-3）中所獲得之堆疊體［A］，及變更延伸倍率，藉此將總延伸倍率變更為2.5以外，比照實施例1操作製造偏光板，並比照實施例1進行評價，結果揭示於表2。
〔實施例13〕
（13-2）偏光件材料薄膜的製造
除了將延伸倍率變更為2.6以外，比照（1-2）操作，獲得偏光件材料薄膜。偏光件材料薄膜的厚度T1為12 μm，Re1為335 nm。
（13-3）堆疊體［A］
除了使用在（13-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，代替在（1-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，以及使用在（10-1）中所獲得之基材薄膜B，代替基材薄膜A以外，比照（1-3）操作，獲得具有「偏光件材料薄膜」／「接合劑層」／「基材薄膜B」之層體結構的堆疊體［A］。
（13-4）偏光板的製造
除了使用在（13-3）中所獲得之堆疊體［A］，代替在（1-3）中所獲得之堆疊體［A］以外，比照實施例1操作製造偏光板，並比照實施例1進行評價，結果揭示於表3。
〔實施例14〕
除了使用在以下（14-1）中所獲得之基材薄膜D，代替在（1-1）中所獲得之基材薄膜A以外，比照實施例1操作製造偏光板，並比照實施例1進行評價，結果揭示於表3。
（14-1）基材薄膜D的製造
將在（1-1-1）所製造之聚合物X與以相對於聚合物X100重量份20重量份之比例添加之聚異丁烯（JX日鑛日石能源公司製「日石聚丁烯　HV-300」，數量平均分子量1,400）的混合物，供給至具備T字模的熱熔融擠製薄膜成形機。自T字模將聚合物X及聚異丁烯的混合物擠出，並以4 m／分鐘的牽引速度收捲至輥，藉此獲得呈薄膜狀且長條狀的基材薄膜D（厚度25 μm）。
〔實施例15〕
使用在以下（15-3）中所獲得之堆疊體［A］，並藉由以下（15-4）的方法製造偏光板，比照實施例1進行評價，結果揭示於表3。
（15-3）堆疊體［A］的製造
除了使用基材薄膜B，代替基材薄膜A以外，比照（1-3）操作，獲得具有「偏光件材料薄膜」／「接合劑層」／「基材薄膜B」之層體結構的堆疊體［A］。
（15-4）偏光板的製造
透過導輥沿長邊方向連續運送在（15-3）中所獲得之堆疊體［A］，並進行下述操作。
對前述堆疊體［A］進行浸漬於包含C.I.直接紅81、三聚磷酸鈉及無水芒硝之染色溶液的染色處理，與延伸經施予染色處理之堆疊體［A］的第一延伸處理。隨後，對經延伸之堆疊體［A］進行在包含硼酸之65℃的酸浴中延伸的第二延伸處理。由在第一延伸處理中之延伸倍率與在第二延伸處理中之延伸倍率的乘積所表示之總延伸倍率以呈2.0倍的方式設定。之後，將經延伸之堆疊體［A］，於乾燥機中在70℃下乾燥5分鐘獲得偏光板。
〔實施例16〕
使用在（16-3）中所獲得之堆疊體［A］，並藉由以下（16-4）的方法製造偏光板，比照實施例1進行評價，結果揭示於表3。
（16-3）堆疊體［A］的製造
除了使用基材薄膜B，代替基材薄膜A以外，比照（1-3）操作，獲得具有「偏光件材料薄膜」／「接合劑層」／「基材薄膜B」之層體結構的堆疊體［A］。
（16-4）偏光板的製造
對在（16-3）中所獲得之堆疊體［A］進行浸漬於包含C.I.直接紅81、三聚磷酸鈉及無水芒硝之染色溶液的染色處理，並於乾燥機中在70℃下乾燥5分鐘。將所獲得之堆疊體［A］的處理物，使用縱向單軸延伸機，在延伸溫度110℃下以延伸倍率2.0倍沿長邊方向延伸。隨後，浸漬於包含硼酸的酸浴進行交聯處理，在70℃下乾燥5分鐘獲得偏光板。基材薄膜的厚度為18 μm，相位差為1 nm。並且，延伸堆疊體之偏光件材料薄膜的厚度為8 μm。
〔實施例17〕
藉由以下方法製造偏光板，並比照實施例1進行評價，結果揭示於表3。
（17-1）基材薄膜E的製造
將丙烯酸樹脂（住友化學公司製，SUMIPEX HT55X）供給至具備T字模的熱熔融擠製薄膜成形機。自T字模將丙烯酸樹脂擠出，並以4 m／分鐘的牽引速度收捲至輥，藉此將丙烯酸樹脂成形成薄膜狀。藉此，獲得由丙烯酸樹脂而成之長條的基材薄膜E（厚度25 μm）。
（17-3）堆疊體［A］的製造
除了使用在（17-1）中所製造之基材薄膜E，代替在（1-3）中的基材薄膜A以外，比照實施例1之（1-3）操作，獲得具有偏光件材料薄膜／接合劑層／基材薄膜E之層體結構的堆疊體［A］。
（17-4）偏光板的製造
將在（17-3）所獲得之堆疊體［A］，使用縱向單軸延伸機，以延伸倍率呈1.8的方式，在延伸溫度110℃下延伸。將已延伸之堆疊體浸漬於包含碘、碘化鉀及硼酸的染色溶液以染色並以60℃之溫風乾燥。隨後，使用縱向單軸延伸機，將已染色之堆疊體在延伸溫度90℃下，以延伸倍率呈1.1的方式延伸獲得偏光板。
〔實施例18〕
使用在（18-3）中所獲得之堆疊體［A］，並藉由以下（18-4）的方法製造偏光板，比照實施例1進行評價，結果揭示於表3。
（18-3）堆疊體［A］的製造
除了使用基材薄膜B，代替基材薄膜A以外，比照（1-3）操作，獲得具有「偏光件材料薄膜」／「接合劑層」／「基材薄膜B」之層體結構的堆疊體［A］。
（18-4）偏光板的製造
將在（18-3）中所獲得之堆疊體［A］，以延伸倍率呈1.8的方式，在延伸溫度110℃下延伸。將已延伸之堆疊體浸漬於包含碘、碘化鉀及硼酸的染色溶液以染色，並以60℃之溫風乾燥。隨後，使用縱向單軸延伸機，將已染色之堆疊體在延伸溫度90℃下，以延伸倍率呈1.1的方式延伸獲得偏光板。
〔比較例1〕
（C1-2）偏光件材料薄膜的製造
除了將延伸倍率變更為1.2以外，比照（1-2）操作，獲得偏光件材料薄膜。偏光件材料薄膜的厚度T1為18 μm，Re1為200 nm。
（C1-3）堆疊體［A］的製造
除了使用在（C1-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，代替在（1-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，以及使用基材薄膜B，代替基材薄膜A以外，比照（1-3）操作，獲得具有「偏光件材料薄膜」／「接合劑層」／「基材薄膜B」之層體結構的堆疊體［A］。
（C1-4）偏光板的製造
除了使用在（C1-3）中所獲得之堆疊體［A］，代替在（1-3）中所獲得之堆疊體［A］，及變更延伸倍率，藉此將總延伸倍率變更為5.1以外，比照實施例1之（1-4）操作製造偏光板，並比照實施例1進行評價，結果揭示於表4。相比於偏光件材料薄膜，基材薄膜難以伸長且於基材薄膜發生斷裂，無法穩定進行偏光板的製造。
〔比較例2〕
（C2-2）偏光件材料薄膜的製造
除了將延伸倍率變更為5.7以外，比照（1-2）操作，獲得偏光件材料薄膜。偏光件材料薄膜的厚度T1為8 μm，Re1為320 nm。
（C2-3）堆疊體［A］的製造
除了使用在（C2-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，代替在（1-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，以及使用基材薄膜B，代替基材薄膜A以外，比照（1-3）操作，獲得具有「偏光件材料薄膜」／「接合劑層」／「基材薄膜B」之層體結構的堆疊體［A］。
（C2-4）偏光板的製造
除了使用在（C2-3）中所獲得之堆疊體［A］，代替在（1-3）中所獲得之堆疊體［A］，及變更延伸倍率，藉此將總延伸倍率變更為1.2以外，比照實施例1之（1-4）操作製造偏光板，並比照實施例1進行評價，結果揭示於表4。在工序中之薄膜的輸送性差經常發生斷裂，因而無法穩定進行偏光板的製造。
〔比較例3〕
（C3-3）堆疊體［A］的製造
除了使用原料薄膜（PVA20：未延伸的聚乙烯醇薄膜），代替在（1-3）中的偏光件材料薄膜，以及使用基材薄膜B，代替基材薄膜A以外，比照（1-3）操作，獲得具有「原料薄膜」／「接合劑層」／「基材薄膜B」之層體結構的堆疊體［A］。
（C3-4）偏光板的製造
除了使用在（C3-3）中所獲得之堆疊體［A］，代替在（1-3）中所獲得之堆疊體［A］，以及以總延伸倍率呈6.0的方式進行延伸處理以外，比照（1-4）製造偏光板，並比照實施例1進行評價，結果揭示於表4。相比於偏光件材料薄膜，基材薄膜難以伸長且於基材薄膜發生斷裂，無法穩定進行偏光板的製造。
〔比較例4〕
（C4-3）堆疊體［A］的製造
藉由以下程序，在基材薄膜C4的表面製作聚乙烯醇（PVA）膜層，以製造堆疊體［A］。
使用「使異酞酸6 mol%共聚合之非晶質聚對酞酸乙二酯（非晶質PET，玻璃轉移溫度為75℃）」的連續網狀基材薄膜（厚度200 μm）作為基材薄膜C4。作為形成PVA膜層的PVA水溶液，使用「以使聚合度1000以上、皂化度99%以上、玻璃轉移溫度80℃的PVA粉末成為濃度為4～5重量%的方式溶解於水而獲得」的水溶液。
將PVA水溶液塗布於基材薄膜C4之一面上，並在50～60℃之溫度下乾燥，藉此在基材薄膜C4的表面上製作PVA膜層，獲得具有PVA膜層／基材薄膜C4之層體結構的堆疊體［A］。於本比較例中，PVA膜層雖係藉由PVA水溶液的塗布、乾燥而形成者，但仍將膜層的厚度與面內方向的相位差分別記載於表4之「延伸後的厚度T1」與「延伸後的相位差Re1」之欄。
（C4-4）偏光板的製造
將在（C4-3）中所獲得之堆疊體［A］置於配備在「經設定成130℃之延伸溫度環境的烘箱」的延伸裝置，並以延伸倍率呈1.8倍的方式進行自由端單軸延伸（第一延伸處理）。
對第一延伸處理後之堆疊體［A］進行「浸漬於包含碘及碘化鉀之染色溶液的染色處理」。隨後，將染色處理後之堆疊體［A］置於配備在「包含硼酸及碘化鉀之經設定成65℃的硼酸水溶液之處理裝置」的延伸裝置，並以延伸倍率呈3.3倍的方式對自由端單軸進行延伸處理（第二延伸處理）。延伸方向，第一延伸處理及第二延伸處理皆定為長邊方向。
將第二延伸處理後之堆疊體［A］自硼酸水溶液取出，並將附著於「製作於非晶性PET基材上之3 μm厚的PVA膜層」的表面上之硼酸，以碘化鉀水溶液洗淨之後，藉由透過60℃之溫風的乾燥工序乾燥獲得偏光板。量測在偏光板中之基材薄膜的厚度及相位差Re（基材Re）、PVA膜層的厚度T、整體厚度，以及偏光度，並將延伸性的評價結果一同揭示於表4。
實施例及比較例的結果揭示於表1～4。
表中，所謂Acryl意謂丙烯酸樹脂。
表中，延伸方向（°）係將薄膜的幅寬方向定為0°時的角度。
表中，所謂非晶質PET意謂非晶質聚對酞酸乙二酯。
『表1』
Figure 107125487-A0304-0001
『表2』
Figure 107125487-A0304-0002
『表3』
Figure 107125487-A0304-0003
『表4』
Figure 107125487-A0304-0004
由表1～4的結果可知，根據本發明可減小顯現於經由延伸堆疊體之工序之後的基材薄膜的相位差，並得藉此提供即使以基材薄膜作為保護薄膜仍可使用，且即使厚度薄仍可有效率製造之偏光板的製造方法。
1‧‧‧原料薄膜10‧‧‧堆疊體11‧‧‧偏光件材料薄膜12‧‧‧基材薄膜13‧‧‧接合劑層100、120、130‧‧‧偏光板111‧‧‧偏光件材料薄膜112‧‧‧基材薄膜113、114‧‧‧接合劑層115‧‧‧保護薄膜116‧‧‧黏合劑層200‧‧‧製造裝置201、202‧‧‧捲出裝置203‧‧‧收捲裝置204‧‧‧延伸裝置205‧‧‧貼合裝置300‧‧‧製造裝置301、307‧‧‧捲出裝置302～305‧‧‧處理裝置306、309‧‧‧乾燥裝置308‧‧‧貼合裝置310‧‧‧收捲裝置400、450‧‧‧液晶顯示裝置（顯示裝置）410、420‧‧‧基板430‧‧‧液晶層500、550‧‧‧有機EL顯示裝置（顯示裝置）510、520‧‧‧基板530‧‧‧發光層
〈圖1〉圖1係繪示以關於本發明之實施型態1的製造方法獲得之偏光板的剖面示意圖。
〈圖2〉圖2係繪示堆疊體［A］之製造工序之一例的示意圖。
〈圖3〉圖3係繪示經由繪示於圖2之製造工序獲得之堆疊體［A］的剖面示意圖。
〈圖4〉圖4係繪示在實施型態1～3之製造方法中之自堆疊體［A］製造偏光板的製造工序之一例的示意圖。
〈圖5〉圖5係繪示藉由關於本發明之實施型態2的製造方法獲得之偏光板的剖面示意圖。
〈圖6〉圖6係繪示藉由關於本發明之實施型態3的製造方法獲得之偏光板的剖面示意圖。
〈圖7〉圖7係繪示藉由關於本發明之實施型態4的製造方法獲得之顯示裝置的剖面示意圖。
〈圖8〉圖8係繪示藉由關於本發明之實施型態5的製造方法獲得之顯示裝置的剖面示意圖。
〈圖9〉圖9係繪示藉由關於本發明之實施型態6的製造方法獲得之顯示裝置的剖面示意圖。
〈圖10〉圖10係繪示藉由關於本發明之實施型態7的製造方法獲得之顯示裝置的剖面示意圖。
100‧‧‧偏光板
111‧‧‧偏光件材料薄膜
112‧‧‧基材薄膜
113‧‧‧接合劑層

Claims (22)

  1. 一種偏光板的製造方法，其依序包含：工序（a），將包含偏光件之材料的原料薄膜以延伸倍率X沿一個以上之方向延伸以獲得偏光件材料薄膜；工序（b），將基材薄膜設置於該偏光件材料薄膜上以獲得堆疊體［A］；以及工序（c），將該堆疊體［A］以延伸倍率Z沿一個以上之方向延伸，X及Z滿足下述式（1）～（3）的關係：1.5≦X≦5.5 （1）1.2≦Z≦5.0 （2）5.1≦X＊Z≦9.0 （3）經由工序（c）後之偏光件材料薄膜的厚度T為20 μm以下。
  2. 如請求項1所述之偏光板的製造方法，其包含在該工序（b）之後，將該偏光件材料薄膜以二色性物質染色的工序（d）。
  3. 如請求項1或2所述之偏光板的製造方法，其中在50℃～160℃之溫度條件下進行該工序（c）。
  4. 如請求項1或2所述之偏光板的製造方法，其中該偏光件材料薄膜係由聚乙烯醇樹脂而成。
  5. 如請求項1或2所述之偏光板的製造方法，其中經由該工序（c）後之基材薄膜之面內方向的相位差為20 nm以下。
  6. 如請求項1或2所述之偏光板的製造方法，其包含在該工序(c)之後，於該堆疊體〔A〕之偏光件材料薄膜上，直接或透過接合劑貼合保護薄膜的工序(e1)，或在該偏光件材料薄膜上設置黏合劑層的工序(e2)。
  7. 如請求項1或2所述之偏光板的製造方法，其中該基材薄膜層係由選自環烯烴樹脂、非晶質聚酯樹脂、聚烯烴樹脂、丙烯酸樹脂之至少一種而成之薄膜。
  8. 如請求項1或2所述之偏光板的製造方法，其中該基材薄膜係由環烯烴樹脂而成之薄膜，該環烯烴樹脂包含環烯烴系聚合物，該環烯烴系聚合物係由選自降
    Figure 107125487-A0305-02-0062-4
    烯系單體之開環聚合物的氫化物、降
    Figure 107125487-A0305-02-0062-5
    烯系單體與α-烯烴的加成共聚物及其氫化物之至少一種而成。
  9. 如請求項1或2所述之偏光板的製造方法，其中該基材薄膜係由環烯烴樹脂而成之薄膜，該環烯烴樹脂包含環烯烴系聚合物，該環烯烴系聚合物係由將嵌段共聚物〔丁〕氫化的嵌段共聚物氫化物而成，所述嵌段共聚物〔丁〕係由以源自芳族乙烯化合物之重複單元〔I〕作為主成分的聚合物嵌段〔甲〕，與以源自芳族乙烯化合物之重複單元〔I〕及源自鏈狀共軛二烯化合物之重複單元〔II〕作為主成分的聚合物嵌段〔乙〕或以源自鏈狀共軛二烯化合物之重複單元〔II〕作為主成分的聚合物嵌段〔丙〕而成。
  10. 如請求項1或2所述之偏光板的製造方法，其中該基材薄膜層含有塑化劑及/或軟化劑。
  11. 如請求項10所述之偏光板的製造方法，其中該塑化劑及/或軟化劑為酯系塑化劑、脂族烴聚合物或此等之混合物。
  12. 如請求項1或2所述之偏光板的製造方法，其中該工序(a)的延伸方向與偏光件材料薄膜的幅寬方向所夾之角θ1為90°，該工序(c)的延伸方向與堆疊體〔A〕的幅寬方向所夾之角θ2為90°。
  13. 如請求項1或2所述之偏光板的製造方法，其中該工序(a)的延伸方向與偏光件材料薄膜的幅寬方向所夾之角θ1為0°，該工序(c)的延伸方向與堆疊體〔A〕的幅寬方向所夾之角θ2為0°。
  14. 如請求項1或2所述之偏光板的製造方法，其中該工序(a)的延伸方向與偏光件材料薄膜的幅寬方向所夾之角θ1，及該工序(c)的延伸方向與堆疊體〔A〕的幅寬方向所夾之角θ2之中，任一者為90°，而另一者為0°。
  15. 如請求項1或2所述之偏光板的製造方法，其中該工序(a)的延伸方向與偏光件材料薄膜的幅寬方向所夾之角θ1為90°，而該工序(c)的延伸方向與堆疊體〔A〕的幅寬方向所夾之角θ2(°)滿足下述式(4)：θ2≠90 (4)。
  16. 如請求項1或2所述之偏光板的製造方法，其中該工序（a）的延伸方向與偏光件材料薄膜的幅寬方向所夾之角θ1（°）滿足下述式（5）：θ1≠90 （5）而該工序（c）的延伸方向與堆疊體［A］的幅寬方向所夾之角θ2為90°。
  17. 如請求項1或2所述之偏光板的製造方法，其中該工序（a）的延伸方向與偏光件材料薄膜的幅寬方向所夾之角θ1（°），及該工序（c）的延伸方向與堆疊體［A］的幅寬方向所夾之角θ2（°）滿足下述式（6）及下述式（7）：θ1≠90 （6）θ2≠90 （7）。
  18. 如請求項15所述之偏光板的製造方法，其中該θ1與該θ2之差的絕對值為50以下。
  19. 如請求項2所述之偏光板的製造方法，其中該二色性物質為有機染料。
  20. 一種顯示裝置的製造方法，其將藉由如請求項12至14之任一項所述之製造方法獲得之偏光板堆疊至液晶面板。
  21. 一種顯示裝置的製造方法，其將藉由如請求項15至17之任一項所述之製造方法獲得之偏光板堆疊至有機EL面板或無機EL面板。
  22. 一種顯示裝置的製造方法，其將藉由如請求項19所述之製造方法獲得之偏光板堆疊至車載用顯示面板。
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