TWI748191B - 傳送線路、傳送線路的製造方法及傳送線路的製造裝置 - Google Patents

Abstract

提供一種涵蓋全周進行屏蔽而降低串音的薄型傳送 線路。

傳送線路20係具備將由傳送線路導體32和接地 導體33所構成的第1導體31形成於第1基材34的第1主面34a而成之基底30，第1基材34的第1主面34a與覆蓋層35、基底30中之第1主面34a的相反側之面與第1屏蔽物40的第2主面42a之側、基底30中之第1主面34a的相反側之面與第1屏蔽物40的第2主面42a之側、以及覆蓋層35與第2屏蔽物45的第2主面42a之側係彼此熱壓接，且第2導體41與第3導體46係彼此藉由超音波接合，配設成藉由第2導體41與第3導體46將傳送線路導體32分別包圍。

Description

傳送線路、傳送線路的製造方法及傳送線路的製造裝置

本發明係關於傳送線路、傳送線路的製造方法及傳送線路的製造裝置。

近年來，電子機器之高密度安裝技術的發展顯著，使用敷銅層板(CCL；Copper Clad Laminate)之薄型傳送線路的需要日益升高。

以往，有提出一種平板(flat)型屏蔽電纜的製造方法(專利文獻1：日本特許第3497110號公報)，其係具有：在由液晶聚合物構成之絕緣體層的一主面的單側區域或中央區域，以彼此絕緣隔離之方式形成信號配線及接地配線之工程；在前述絕緣體層的另一主面，將具有可與前述接地配線連接的導電性突起部之導電性箔定位並積層配置之工程；將前述積層體加壓並一體化，使貫穿前述絕緣體層的導電性突起部與接地配線電性連接之工程；使前述絕緣體層沿著前述各配線之形成區域的外側彎折非形成區域，而使各配線的形成區域面及非形成區域面對向並一體化，將前述另一主面的導電性箔進行屏蔽層化之工程。

有提出一種高頻信號線路(專利文獻2：日本實用新案登錄第3173143號公報)，其構成為具備：具有可撓性的介電元件(液晶聚合物)；線狀信號線，設置於前述介電元件；接地導體，設於前述介電元件且與前述信號線對向；和輔助接地導體，在前述介電元件之主面的法線方向，相對於前述信號線設置在前 述接地導體的相反側，其中包含兩個主要部及橋接部，在從該法線方向俯視觀看時，該兩個主要部係挾持前述信號線，並且沿著該信號線延伸，該橋接部係連接該兩個主要部，並且與該信號線交叉；及通孔導體，將前述輔助接地導體與前述接地導體電性連接；在前述法線方向，前述信號線與前述輔助接地導體的間隔係小於前述信號線與前述接地導體的間隔。

且，有提出一種在信號導體的兩側，將接地導體配置在與信號導體相同的平面上，將該等信號導體及接地導體從上下兩方向以電性絕緣薄膜被覆，作成設有導電性接著層的面彼此面對並以金屬遮蔽層被覆於電性絕緣薄膜的外側而成之信號傳送用纜線(專利文獻3：日本特開2006-202714號公報)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特許第3497110號公報

[專利文獻2]日本實用新案登錄第3173143號公報

[專利文獻3]日本特開2006-202714號公報

期望傳送線路具有可維持抑制外來雜訊的屏蔽性能並且與省空間對應之薄型構造。尤其，降低傳送線路間的串音(cross talk)是課題所在。又，對於傳送線路的製造廠商，要求以可因應於行動資訊終端等急速需求擴大的短生產時間來生產傳送線路或其中間體。

此處，傳送線路的中間體係指成為傳送線路之前階 段的半成品，尤其是指涵蓋全周進行屏蔽之構造的狀態之半成品。

對於上述課題，專利文獻1的傳送線路，在將敷銅層板彎曲的構造上，於涵蓋全周範圍進行屏蔽的情況時難以薄型化。又，專利文獻2的傳送線路，由於在側面未實施屏蔽，所以與涵蓋全周進行屏蔽的構造相比，屏蔽性能變差，且串音變大。 而專利文獻2及專利文獻3的傳送線路，由於係使焊料膏或導電性接著劑等的導電糊熱硬化來連接接地導體與屏蔽導體，所以導電糊的熱硬化時間成為瓶頸，無法將生產時間(生產節拍：takt time)設成比熱硬化時間還短。又，在使用接著劑將敷銅層板彼此接合的情況也會有同樣的問題。在習知技術方面，也想到在傳送線路間打設通路來謀求降低串音之方法，惟因需要多數的通路加工，所以製造成本會變高。

本發明係有鑑於上述情事而完成者，目的在提供一種藉由將對向配置的敷銅層板相互接合的構成涵蓋全周進行屏蔽而降低串音之薄型傳送線路、及以一貫的生產線製造將薄型傳送線路或其中間體且藉由在不使用接著劑或導電糊的情況下將敷銅層板彼此接合，使得生產時間(生產節拍)比導電糊或接著劑的熱硬化時間還短之構成的傳送線路的製造方法、以及傳送線路的製造裝置。

作為一實施形態，藉由如以下揭示之解決手段，得以解決前述課題。

本發明的傳送線路，其特徵為：具備：基底，係將由傳送線路導體和與前述傳送線路導體的 輸入端及輸出端分別接近之接地導體所構成的第1導體形成於片狀且由熱塑性樹脂所構成之第1基材的第1主面而成；覆蓋層，為覆蓋前述傳送線路導體的片狀且由熱塑性樹脂所構成；第1屏蔽物，係將第2導體形成於片狀且由熱塑性樹脂所構成之第2基材的第2主面而成；及第2屏蔽物，係將第3導體形成於片狀且由熱塑性樹脂所構成的第3基材而成；前述第1基材中之前述第1主面與前述覆蓋層、前述基底中之前述第1主面的相反側的面與前述第1屏蔽物的前述第2主面之側、前述基底中之前述第1主面的相反側的面與前述第1屏蔽物的前述第2主面之側、及前述覆蓋層與前述第2屏蔽物的前述第2主面之側係彼此熱壓接；前述第2導體和前述第3導體係彼此藉由超音波接合，配設成以前述第2導體和前述第3導體包圍前述傳送線路導體。

本發明的傳送線路，其特徵為：具備：基底，係將由傳送線路導體和與前述傳送線路導體的輸入端及輸出端分別接近之接地導體所構成之第1導體形成於片狀且由熱塑性樹脂所構成之第1基材的第1主面，並且前述第1導體中至少前述傳送線路導體以既定節距形成有複數個而成；覆蓋層，為覆蓋各前述傳送線路導體的片狀且由熱塑性樹脂所構成；第1屏蔽物，係將第2導體形成於片狀且由熱塑性樹脂所構成之第2基材的第2主面而成；及第2屏蔽物，係將第3導體形成於片狀且由熱塑性樹脂所構成的第3基材而成；前述第1基材中之前述第1主面與前述覆蓋層、前述基底中之前述第1主面的相反側的面與前述第1屏蔽物的前述第2主面之側、前述基底中之前述第1主面的相反側的面與前述第1屏蔽 物的前述第2主面之側、及前述覆蓋層與前述第2屏蔽物的前述第2主面之側係彼此熱壓接；對向配置的前述第2導體和前述第3導體係彼此藉由超音波接合，配設成以前述第2導體和前述第3導體將前述傳送線路導體分別包圍。

根據此構成，成為以夾著基底及覆蓋層而對向配置之第1屏蔽物的第2導體與第2屏蔽物的第3導體藉由超音波接合的狀態下包圍傳送線路導體之方式涵蓋全周範圍屏蔽而降低串音之薄型傳送線路。且，由於係在不使用接著劑或導電糊的情況下，將第1屏蔽物的第2導體與第2屏蔽物的第3導體藉由超音波接合，所以至少可作成接著劑或導電糊的厚度程度之薄型構造。

舉例來說，在長度方向的兩側形成有切斷面。根據此構成，由於長度方向的兩側被切斷，所以寬度尺寸會成為一定。

本發明的傳送線路的製造方法，係為具備將由傳送線路導體和與前述傳送線路導體的輸入端及輸出端分別接近之接地導體所構成的第1導體以既定節距形成於片狀第1基材的第1主面而成之基底、覆蓋前述傳送線路導體的片狀覆蓋層、將第2導體形成於片狀第2基材的第2主面而成之第1屏蔽物、以及將第3導體形成於片狀第3基材而成之第2屏蔽物之傳送線路的製造方法，或者具備將由傳送線路導體和與前述傳送線路導體的輸入端及輸出端分別接近之接地導體所構成的第1導體形成於片狀且由熱塑性樹脂所構成之第1基材的第1主面並且前述第1導體中至少前述傳送線路導體以既定節距形成有複數個而成之基底、為覆蓋各前述傳送線路導體的片狀且由熱塑性樹脂所構成之 覆蓋層、將第2導體形成於片狀且由熱塑性樹脂所構成之第2基材的第2主面而成之第1屏蔽物、以及將第3導體形成於片狀且由熱塑性樹脂所構成的第3基材而成之第2屏蔽物之傳送線路的製造方法，其特徵為具備：第1熱壓接步驟，將前述覆蓋層熱壓接於前述第1主面；不要區域去除步驟，對熱壓接有前述覆蓋層的第1中間體，去除前述傳送線路導體與前述傳送線路導體之間的不要區域以形成貫通前述第1中間體之貫通孔；第2熱壓接步驟，對形成有前述貫通孔的第2中間體，將前述第1屏蔽物的前述第2主面之側熱壓接於前述基底中之前述第1主面的相反側的面；及第1接合步驟，在熱壓接有前述第1屏蔽物的狀態下，將前述第3導體的露出面藉由超音波接合於前述第2導體的露出面。

根據此構成，藉由將基底、覆蓋層、第1屏蔽物及第2屏蔽物以既定節距傳送，可經由第1熱壓接步驟、不要區域去除步驟、第2熱壓接步驟、及第1接合步驟，將涵蓋全周範圍屏蔽而降低串音之薄型傳送線路或其中間體以一貫的生產線製造。且，由於係在不使用接著劑或導電糊下，將第1屏蔽物的第2導體與第2屏蔽物的第3導體藉由超音波接合，所以可使生產時間(生產節拍)比導電糊或接著劑的熱硬化時間更短，所需的構成構件也可抑制為最小限度。

較佳為，前述第2熱壓接步驟係對前述第2中間體，將前述第1屏蔽物的前述第2主面之側熱壓接於前述基底中之前述第1主面的相反側的面，並且將前述第2屏蔽物的前述第2主面之側熱壓接於前述覆蓋層。根據此構成，由於係對第2中 間體，將第1屏蔽物的第2主面之側熱壓接於基底之第1主面的相反側之面，同時，將第2屏蔽物的第2主面之側熱壓接於覆蓋層，所以可防止第1屏蔽物或第2屏蔽物產生皺褶。

本發明的傳送線路的製造裝置，其特徵為具備：基底供給機，係供給將由傳送線路導體和與前述傳送線路導體的輸入端及輸出端分別接近之接地導體所構成的第1導體以既定節距形成於片狀第1基材的第1主面而成之基底，或者供給將由傳送線路導體和與前述傳送線路導體的輸入端及輸出端分別接近之接地導體所構成的第1導體形成於片狀且由熱塑性樹脂所構成之第1基材的第1主面並且前述第1導體中至少前述傳送線路導體以既定節距形成有複數個而成之基底；覆蓋層供給機，供給覆蓋前述傳送線路導體的片狀覆蓋層；第1屏蔽物供給機，供給將第2導體形成於片狀第2基材的第2主面而成之第1屏蔽物；第2屏蔽物供給機，供給將第3導體形成於片狀第3基材而成之第2屏蔽物；第1熱壓接機，將前述覆蓋層熱壓接於第1主面；不要區域去除機，對熱壓接有前述覆蓋層的第1中間體，去除前述傳送線路導體和前述傳送線路導體之間的不要區域以形成貫通前述第1中間體的貫通孔；第2熱壓接機，對形成有前述貫通孔的第2中間體，將前述第1屏蔽物的前述第2主面之側熱壓接於前述基底中之前述第1主面的相反側的面；以及第1接合機，在熱壓接有前述第1屏蔽物的狀態下，將前述第3導體的露出面藉由超音波接合於前述第2導體的露出面。

根據此構成，第1熱壓接機、沖切機、第2熱壓接機及第1接合機係關聯地動作，將挾持基底及覆蓋層而對向配置之第1屏蔽物的第2導體與第2屏蔽物的第3導體經由貫通孔進行超音波接合。因此，能以一貫的生產線製造將涵蓋全周範圍屏蔽而降低串音之薄型傳送線路或其中間體。且，由於係在不使用接著劑或導電糊下，將第1屏蔽物的第2導體與第2屏蔽物的第3導體進行超音波接合，所以可使生產時間(生產節拍)比導電糊或接著劑的熱硬化時間還短，可在短時間生產。

根據本發明的傳送線路，由於係在不使用接著劑或導電糊下，將第1屏蔽物的第2導體與第2屏蔽物的第3導體進行超音波接合，所以可實現涵蓋全周屏蔽而降低串音的薄型傳送線路。又，根據本發明的傳送線路的製造方法及傳送線路的製造裝置，能以一貫的生產線製造將涵蓋全周屏蔽而降低串音的薄型傳送線路或其中間體。

1‧‧‧傳送線路的製造裝置

2‧‧‧第1熱壓接機

3‧‧‧不要區域去除機

4‧‧‧第2熱壓接機

5‧‧‧接合機(第1超音波接合機)

6‧‧‧接合機(第2超音波接合機)

7‧‧‧雷射加工機

8‧‧‧檢查機

9‧‧‧分割取出機

10‧‧‧控制器

11‧‧‧基底供給機

12‧‧‧覆蓋層供給機

13‧‧‧第1屏蔽物供給機

14‧‧‧第2屏蔽物供給機

15‧‧‧張力調節機

16‧‧‧節距進給機

17‧‧‧移載機

18‧‧‧托盤

20‧‧‧傳送線路

30‧‧‧基底

31‧‧‧第1導體

32‧‧‧傳送線路導體

33‧‧‧接地導體

34‧‧‧第1基材

34a‧‧‧第1主面

35‧‧‧覆蓋層

40‧‧‧第1屏蔽物

41‧‧‧第2導體

42‧‧‧第2基材

42a‧‧‧第2主面

45‧‧‧第2屏蔽物

46‧‧‧第3導體

47‧‧‧第3基材

51‧‧‧第1中間體

52‧‧‧第2中間體

53‧‧‧第3中間體

54‧‧‧第4中間體

55‧‧‧第5中間體

56‧‧‧第6中間體

P1‧‧‧節距

R1‧‧‧不要區域

U1‧‧‧貫通孔

V1‧‧‧窗部

圖1係示意地表示本發明的實施形態之傳送線路的製造裝置的配置構成之構成圖。

圖2A係表示本實施形態的基底的概略的平面圖，圖2B係表示本實施形態的覆蓋層熱壓接於基底而成的第1中間體的概略之平面圖，圖2C係表示形成有本實施形態的貫通孔之第2中間體的概略之平面圖。

圖3A係表示藉由超音波接合有本實施形態的第2屏蔽物的第4中間體的概略之平面圖，圖3B係表示形成有本實施形態的 窗部之第6中間體的概略之平面圖。

圖4A係表示本實施形態的傳送線路的概略之平面圖，圖4B係表示本實施形態的傳送線路的概略之側面圖。

圖5A係表示本實施形態的基底的概略之剖面圖，圖5B係表示本實施形態的覆蓋層熱壓接於基底而成的第1中間體的概略之剖面圖，圖5C係表示形成有本實施形態的貫通孔之第2中間體的概略之剖面圖。

圖6A係表示藉由超音波接合有本實施形態的第2屏蔽物之第4中間體的概略之剖面圖，圖6B係表示本實施形態的傳送線路的概略之剖面圖。

圖7A係表示本實施形態的傳送線路的其他例的概略之剖面圖，圖7B係表示本實施形態的傳送線路的其他例的概略之剖面圖。

圖8A係示意地表示本實施形態的第1熱壓接機之圖，圖8B係示意地表示本實施形態的不要區域去除機之圖，圖8C係示意地表示本實施形態的第2熱壓接機之圖。

圖9A係示意地表示本實施形態的超音波接合機之圖，圖9B係示意地表示本實施形態的雷射加工機之圖，圖9C係示意地表示本實施形態的檢查機之圖。

圖10係示意地表示本發明的實施形態之傳送線路的製造裝置的其他例的配置構成之構成圖。

圖11係表示本發明的實施形態之傳送線路的製造程序之流程圖。

[用以實施發明的形態] (第1實施形態)

以下，參照圖式，詳細說明關於本發明的實施形態。圖1係示意地顯示本實施形態的傳送線路的製造裝置1的例子之構成圖，圖中的左側為上游側，圖中的右側為下游側。傳送線路的製造裝置1從上游側依序配設有第1熱壓接機2、不要區域去除機3、第2熱壓接機4、第1接合機5、第2接合機6、雷射加工機7、檢查機8、分割取出機9、移載機17、以及控制此等的控制器10。此外，在用以說明實施形態的全圖中，有在具有相同功能的構件附上相同符號，並省略其重複說明的情況。

在第1熱壓接機2的上游側，有基底供給機11和張力調節機15、以及覆蓋層(cover lay)供給機12和張力調節機15分別配設。在第2熱壓接機4的上游側，配設有第1屏蔽物供給機13和張力調節機15、以及第2屏蔽物供給機14和張力調節機15。此處，舉例來說，張力調節機15係具有張力輥，藉由該張力輥的位置將片狀工件(基底30、覆蓋層35、第1中間體51、第1屏蔽物40、第2屏蔽物45)的張力保持在一定範圍內。

在第2熱壓接機4的上游側配設有節距進給機(pitch feeding device)16，又，在檢查機8的上游側配設有節距進給機16。節距進給機16舉例來說，具有進給輥，藉由前述進給輥的進給量將片狀工件(第1中間體52、第6中間體56)的進給節距保持為一定值。

圖8A係示意地顯示第1熱壓接機2之圖。第1熱壓接機2舉例來說，係構成為內建有加熱器的加壓板，藉由對向 配置的兩個前述加壓板，將基底30及覆蓋層35從上下方向挾持且加壓，並且進行加熱而形成第1中間體51。

圖8B係示意地顯示不要區域去除機3的圖。不要區域去除機3舉例來說，係構成為具有沖切刀及承接沖切刀的墊座，藉由利用前述沖切刀沖切第1中間體51的不要區域R1以去除該不要區域R1來形成貫通第1中間體51的貫通孔U1，並形成第2中間體52。作為上述以外的構成，不要區域去除機3係可適用利用雷射照射去除不要區域R1的雷射加工機。

圖8C係示意地顯示第2熱壓接機4之圖。第2熱壓接機4舉例來說，係構成為具有內建有加熱器的加壓板，藉由對向配置的兩個前述加壓板，將第1屏蔽物40及第2中間體52從上下方向挾持且加壓並且進行加熱，且構成為在將第1屏蔽物40熱壓接於基底30之同時，將第2屏蔽物45熱壓接於覆蓋層35。

在此，第1熱壓接機2與第2熱壓接機4係可作成同樣的裝置構成。藉此，裝置的維修(maintenance)變容易。

圖9A係示意地顯示第1接合機5(第1超音波接合機)或第2接合機6(第2超音波接合機)之圖。第1接合機5舉例來說，係構成為具有：內建有振動體之本體部；附設於該本體部且以傳達自振動體的振動進行超音波振動之頭部(焊頭(horn))；以及承接該頭部之承接部。第1接合機5(第1超音波接合機)係構成為藉由對向配置的前述頭部及承接部，使第1屏蔽物40熱壓接於基底30，並且將第2屏蔽物45被熱壓接於覆蓋層35的狀態下之工件從上下方向挾持，並且使前述頭部超音波振動以藉由超音波接合形成第4中間體54。

或者，第1接合機5(第1超音波接合機)係構造成藉由對向配置的前述頭部及承接部，將第2屏蔽物45重疊於第3中間體53的狀態下的工件從上下方向挾住而挾持，並且使前述頭部超音波振動以藉由超音波接合形成第4中間體54，該第3中間體53係第1屏蔽物40熱壓接於基底30而成。

在此，第4中間體54係指作為傳送線路20之前階段的半成品，且為涵蓋全周範圍進行屏蔽之構造的狀態下之半成品。

第2接合機6(第2超音波接合機)舉例來說，係建構成具有：內建有振動體之本體部；附設於該本體部且以傳達自振動體的振動進行超音波振動之頭部(焊頭)；以及承接該頭部之承接部；藉由對向配置的前述頭部及承接部，將第4中間體54從上下方向挾住而挾持，並且使前述頭部超音波振動以藉由超音波接合形成第5中間體55。在此，第1接合機5和第2接合機6係作成同樣的裝置構成。藉此，裝置的維修變容易。或者，也有將進行超音波振動的頭部對向配置以作成兼具第1接合機5和第2接合機6兩者的功能之構成的情況。

圖9B係示意地顯示雷射加工機7之圖。雷射加工機7係構成為藉由雷射照射去除既定區域以使第3導體46局部露出而形成第6中間體56。

圖9C係示意地顯示檢查機8之圖。檢查機8係構成為使接觸銷與傳送線路導體32接觸並通電，藉此來檢查傳送線路導體32是否沒有斷線、或者導通程度是否在正常範圍內，該接觸銷係以既定間隔向下方突出。作為上述以外的構成，係有檢查機8構成為利用相機拍攝傳送線路導體32的影像並進行影 像解析，藉此檢查傳送線路導體32是否斷線或者導通程度是否在正常範圍內之情況，或者，有檢查機8構成為進行藉由將傳送線路導體32通電所致之電氣特性檢查、和拍攝傳送線路導體32且進行影像解析所致之外觀特性檢查兩者。

如圖1所示，在檢查機8的下游側，配設有從第6中間體56取出傳送線路20的分割取出機9。舉例來說，分割取出機9係構成為具有沖切刀及承接沖切刀的墊座，利用前述沖切刀，將經線上(in-line)檢查的第6中間體56沿著既定的切割線沖切而將傳送線路20分離，以取出傳送線路20。在上述以外的構成方面，有分割取出機9將經線上檢查的第6中間體56沿著既定的切割線進行劃線(scribe)以將傳送線路20分離，而取出傳送線路20之構成的情況，或者分割取出機9將經線上檢查的第6中間體56沿著既定的切割線進行雷射照射以將傳送線路20分離，而取出傳送線路20之構成的情況。

在分割取出機9的下游側，配置有收納傳送線路20的托盤(tray)18。以上述一貫的生產線製造且經線上檢查的傳送線路20，係藉由移載機17，例如在被真空吸附的狀態下搬送且收納於托盤18。

根據本實施形態，能以一個生產線一貫地製造將涵蓋整周屏蔽且降低串音的薄型傳送線路20。接著，由於係未使用接著劑或導電糊，而進行熱壓接或超音波接合來製造傳送線路20，所以可使生產時間(生產節拍)變得比導電糊或接著劑的熱硬化時間更短，所需的構成構件也被抑制為最小限度。

如上述，第2熱壓接機4係將第1屏蔽物40熱壓接於基底30，並將第2屏蔽物45熱壓接之構成。根據此構成， 由於係將第1屏蔽物40和第2屏蔽物45一次同時地進行熱壓接，所以在熱壓接時，可防止在第1屏蔽物40或第2屏蔽物45產生皺摺。

上述的製造裝置係為一例。傳送線路的製造裝置1並不限定於上述實施形態。在上述以外的構成方面，例如，有省略接合機5的下游側之製造設備或檢查機器等的情況。在此情況下，在涵蓋全周進行屏蔽之構造的第4中間體54的狀態，完成傳送線路的製造裝置1的製造。而且，經由在捲取狀態、長條狀態、個別包裝狀態等下收容於搬送容器或托盤等，而以第4中間體54的形式被出貨，或者第4中間體54在其他的生產線進行後加工，或者第4中間體54在電子機器的組裝線被組裝並加工，而成為傳送線路20。

在上述以外的構成方面，例如有構成為配置焊接機來取代第2超音波接合機6，藉由與焊接機對向配置的頭部及承接部，將第4中間體54從上下方向挾住而挾持，並且從頭部供給焊劑並加熱等，利用焊接來形成第5中間體55的情況。或者，有構成為配置接著接合機來取代第2超音波接合機6，藉由使用接著劑或導電糊的接合來形成第5中間體55的情況。

又，在上述以外的構成方面，例如有構成為配置蝕刻加工機來取代雷射加工機7，藉由蝕刻去除既定區域以使第3導體46局部露出來形成第6中間體56之情況。

接著，以下，說明關於本發明之傳送線路的製造裝置1的其他例。

圖10係示意地顯示上述實施形態之傳送線路的製造裝置1的其他例的配置構成之構成圖。圖10的例子中，在第 2熱壓接機4的上游側，配設有第1屏蔽物供給機13及張力調節機15。又，在第1接合機5的上游側，配設有第2屏蔽物供給機14及張力調節機15。於此構成的情況，藉由第2熱壓接機4，第1屏蔽物40被熱壓接於基底30而成為第3中間體53。且，藉由第1接合機5，第2屏蔽物45被超音波熔接於第2屏蔽物45與第3中間體53經重疊之狀態下的工件，而成為第4中間體54。

根據此構成，例如，在第1屏蔽物40的尺寸或熱容量比第2屏蔽物45的尺寸或熱容量大的情況，將第1屏蔽物40熱壓接於基底30是容易且確實的，又，將第2屏蔽物45超音波熔接於基底30是容易且確實的。

可依據傳送線路20的尺寸、材質等的規格或者構成零件的尺寸、材質等的規格，選擇圖1的構成或圖10的構成，又，可適當地追加或省略圖1或圖2之構成的製造設備或檢查機器等。

接著，以下，說明關於本發明之傳送線路20及傳送線路20的製造方法。

圖11係顯示傳送線路20的製造程序之流程圖。傳送線路20舉例來說，係依第1熱壓接步驟S1、不要區域去除步驟S2、第2熱壓接步驟S3、第1接合步驟S4、第2接合步驟S5、雷射加工步驟S6、檢查步驟S7、分割步驟S8的順序來製造。

上述的製造程序係為一例。傳送線路20的製造程序，在上述以外的構成方面，係可同時進行第1接合步驟S4焊第2接合步驟S5，且可省略第2接合步驟S5。又，除上述外， 可省略雷射加工步驟S6，可省略檢查步驟S7，可省略分割步驟S8。且，有將第4中間體54、第5中間體55、第6中間體56或傳送線路20在一個薄片(sheet)以長度方向的既定節距配置有複數個狀態下出貨，在接下來的工程之電子機器的組裝線分割薄片，將傳送線路20取出來使用的情況。

圖2A係顯示基底30的概略之平面圖，圖2B係顯示第1中間體51的概略之平面圖，圖2C係顯示第2中間體52的概略之平面圖。又，圖3A係顯示第4中間體54的概略之平面圖，圖3B係顯示第6中間體56的概略之平面圖。且，圖4A係顯示傳送線路20的概略之平面圖，圖4B係顯示傳送線路20的概略之側面圖。

圖5A係在傳送線路導體32的位置顯示基底30的概略之剖面圖，同樣地，圖5B係顯示第1中間體51的概略之剖面圖，圖5C係顯示第2中間體52的概略之剖面圖。又，圖6A係顯示第4中間體54的概略之剖面圖，且，圖6B係在傳送線路導體32的位置顯示傳送線路20的概略之剖面圖。

如圖2A和圖5A所示，基底30係由敷銅層板(CCL)所構成，傳送線路導體32係以長度方向的既定節距P1形成於片狀第1基材34的第1主面34a。第1導體31包含：形成直線狀的傳送線路導體32；及接地導體33，與傳送線路導體32的輸入端與輸出端分別接近，接近輸入端、輸出端的側形成「U字狀」或「ㄈ字狀」。舉例來說，在接地導體33及傳送線路導體32的輸入端及輸出端，例如透過焊劑或導電糊接合連接器(未圖示)。在上述以外的構成方面，有第1導體31係由和傳送線路導體32的輸入端和輸出端分別一對一地接近，且形成為「U字 狀」或「ㄈ字狀」的複數個接地導體33所構成之情況。

關於基底30方面，在片狀的第1基材34，傳送線路導體32係以長度方向的既定節距配設有複數個，在圖2A的狀態下，在傳送線路導體32和傳送線路導體32之間有不要區域R1。

第1導體31係由例如銅箔所構成。第1基材34係例如由熱塑性樹脂所構成。第1基材34係由例如液晶聚合物(LCP)、聚醯亞胺(PI)、聚醯胺(PA)、或聚醚醚酮(PEEK)所構成。片狀基底30係例如在捲取狀態下安裝於基底供給機11，以可連續加工的方式供給。

第1導體31係例如厚度為5[μm]以上且25[μm]以下的銅箔。第1基材34係例如厚度為50[μm]以上且150[μm]以下的液晶聚合物(LCP)。第1導體31係例如將敷銅層板(CCL)進行圖案蝕刻而形成。

基底30例如作為第1熱壓接步驟S1的前處理，係藉由電漿照射裝置，對貼合有第1導體31之側的面(第1主面34a)照射含氧的電漿，以去除有機物，並進行改質。藉由照射含氧的電漿，在第1熱壓接時，密接度得以提升。除上述外，有在第1熱壓接機2的上游側配設電漿照射裝置，對第1主面34a照射含氧的電漿之情況(未圖示)。

覆蓋層35例如係由熱塑性樹脂構成。覆蓋層35，例如係由液晶聚合物(LCP)、聚醯亞胺(PI)、聚醯胺(PA)、或聚醚醚酮(PEEK)所構成。例如，覆蓋層35係以捲取狀態安裝於覆蓋層供給機12，並以可連續加工的方式供給。

覆蓋層35係為例如厚度為25[μm]以上且 125[μm]以下的液晶聚合物(LCP)。

第1屏蔽物40係例如由敷銅層板(CCL)所構成，第2導體41係形成於片狀第2基材42的第2主面42a。第2導體41有貼合於第2基材42整面的情況、或者以網目狀貼合的情況。

第2導體41係例如由銅箔所構成。第2基材42係例如由熱塑性樹脂所構成。第2基材42係例如由液晶聚合物(LCP)、聚醯亞胺(PI)、聚醯胺(PA)、或聚醚醚酮(PEEK)所構成。第1屏蔽物40係例如以捲取狀態安裝於第1屏蔽物供給機13，並以可連續加工的方式供給。

第2導體41係例如厚度為5[μm]以上且25[μm]以下的銅箔。第2基材42係例如厚度為5[μm]以上且25[μm]以下的聚醯亞胺(PI)。第1屏蔽物40係為例如敷銅層板(CCL)在其原樣的狀態下被使用。

第1屏蔽物40係例如作為第2熱壓接步驟S3的前處理，係藉由電漿照射裝置，對貼合有第2導體41之側的面(第2主面42a)照射含氧的電漿，以去除有機物，並進行改質。藉由照射含氧的電漿，在第2熱壓接時，密接度得以提升。除上述外，有在第2熱壓接機4的上游側配設電漿照射裝置，對第2主面42a照射含氧的電漿之情況(未圖示)。

第2屏蔽物45係例如由敷銅層板(CCL)所構成，第3導體46係形成於片狀第3基材47的單面。第3導體46有貼合於第3基材47整面的情況、或者以網目狀貼合的情況。

第3導體46係由例如銅箔所構成。第3基材47係例如由熱塑性樹脂所構成。第3基材47係例如由液晶聚合物 (LCP)、聚醯亞胺(PI)、聚醯胺(PA)、或聚醚醚酮(PEEK)所構成。第2屏蔽物45係例如以捲取狀態安裝於第2屏蔽物供給機14，並以可連續加工的方式供給。

第3導體46係例如厚度為5[μm]以上且25[μm]以下的銅箔。第3基材47係例如厚度為5[μm]以上且25[μm]以下的聚醯亞胺(PI)。第2屏蔽物45係為例如敷銅層板(CCL)在其原樣的狀態下被使用。第2屏蔽物45例如係以第1屏蔽物40同一材料構成。

第2屏蔽物45係為例如作為第1接合步驟S4的前處理，藉由電漿照射裝置，對貼合有第3導體46之側的面照射含氧的電漿，以去除有機物，並進行改質。藉由照射含氧的電漿，第1接合步驟S4中之密接度得以提升。除上述外，有在第1接合機5的上游側配設電漿照射裝置，對貼合有第3導體46之側的面照射含氧的電漿之情況(未圖示)。

第1熱壓接步驟S1係如圖2B和圖5B所示，將覆蓋層35熱壓接於第1基材34的第1主面34a。舉例而言，將第1基材34和覆蓋層35設為同種材料，以第1基材34及覆蓋層35之熔點以下的加熱溫度，且以荷重撓曲溫度或以荷重撓曲溫度為中心而在正負20[℃]以內的加熱溫度、較佳為正負5[℃]以內的加熱溫度、更佳為正負2[℃]以內的加熱溫度，在既定壓力下一邊加壓既定時間一邊加熱並進行熱壓接，而作成第1中間體51。

第1熱壓接步驟S1係以例如180[℃]以上280[℃]以下的加熱溫度、10[MPa]以上60[MPa]以下的加壓力、5[秒]以上240[秒]以下的加熱．加壓時間進行熱壓接。熱壓接係例如 在大氣中進行。

不要區域去除步驟S2係如圖2C和圖5C所示，對第1中間體51，將傳送線路導體32與傳送線路導體32之間的不要區域R1藉由沖切去除以形成貫通第1中間體51的貫通孔U1，而作成第2中間體52。貫通孔U1係為例如長方形狀或圓角的長方形狀，在長度方向以既定間隔P2形成。既定間隔P2宜為2.5[mm]以下。藉此，串音的降低效果變高。舉例來說，貫通孔U1的長度係設定為相對於傳送線路導體32的全長為0.2倍以上且小於1.0倍。

在傳送線路導體32的全長超過500[mm]的情況下，舉例來說，既定間隔P2設定為1.5[mm]以上。藉此，第2導體41與第3導體46的接合變容易。在傳送線路導體32的全長為500[mm]以下的情況下，舉例來說，既定間隔P2設定為小於0.5[mm]。藉此，串音的降低效果變更高。例如，既定間隔P2被設定為0.0[mm]。藉此，串音的降低效果變得最高。

第2熱壓接步驟S3係如圖3A和圖6A所示，對第2中間體52，在基底30之與第1主面34a相反側的面，將第1屏蔽物40的第2主面42a之側進行熱壓接，與此同時，將第2屏蔽物46熱壓接於基底30的第1主面34a。舉例來說，將第1基材34和第2基材42設為不同種材料，將第2基材42和第3基材47設為相同材料，以第1基材34之熔點以下的加熱溫度，且以第1基材34的荷重撓曲溫度或第1基材34的荷重撓曲溫度為中心而在正負20[℃]以內的加熱溫度、較佳為正負5[℃]以內的加熱溫度、更佳為正負2[℃]以內的加熱溫度，在既定壓力下一邊加壓既定時間一邊加熱並進行熱壓接。

或者，第2熱壓接步驟S3係對第2中間體52，在基底30之與第1主面34a相反側的面，將第1屏蔽物40的第2主面42a之側進行熱壓接。舉例來說，將第1基材34和第2基材42設為不同材料，以第1基材34之熔點以下的加熱溫度，且以第1基材34的荷重撓曲溫度或第1基材34的荷重撓曲溫度為中心而在正負20[℃]以內的加熱溫度、較佳為正負5[℃]以內的加熱溫度、更佳為正負2[℃]以內的加熱溫度，以既定壓力一邊加壓既定時間一邊加熱並進行熱壓接。

第2熱壓接步驟S3係在例如180[℃]以上280[℃]以下的加熱溫度、10[MPa]以上60[MPa]以下的加壓力、5[秒]以上240[秒]以下的加熱．加壓時間進行熱壓接。熱壓接係例如在大氣中進行。

接續第2熱壓接步驟S3，第1接合步驟S4係將第3導體46的露出面藉由超音波接合於第2導體41的露出面。舉例來說，將第2導體41和第3導體46設為相同材料，藉由一邊以焊頭的按壓力為500[N]以上且2500[N]以下的按壓力按壓，一邊施加頻率為15[kHz]以上且200[kHz]以下的超音波振動來進行超音波接合，而作成第4中間體54。

如上述，以一貫的生產線所製造出的第4中間體54係以涵蓋全周範圍屏蔽的構造之第4中間體54的形式出貨，或者第4中間體54係在其他生產線進行後加工，或者第4中間體54係在電子機器的組裝線組裝且加工，而成為傳送線路20。

圖11的例子中，接續第1接合步驟S4而進行第2接合步驟S5。第2接合步驟S5，係對第4中間體54，將第3導體46的端部藉由超音波接合於接地導體33的端部。在此，接 地導體33的端部係為傳送線路導體32的側之各者的端部。又，第3導體46的端部係兩者的端部。舉例來說，將第2導體41與第3導體46設為同一材料，藉由一邊以焊頭的按壓力為500[N]以上且2500[N]以下的按壓力按壓，一邊施加頻率為15[kHz]以上且200[kHz]以下的超音波振動來進行超音波接合，而作成第5中間體55。

圖11的例子中，接續第2接合步驟S5，進行雷射加工步驟S6。雷射加工步驟S6係如圖3B所示，針對第5中間體55，藉由雷射照射使第3導體46中之與接地導體33接合面之相反側的面局部露出並以既定間隔形成窗部V1，而作成第6中間體56。窗部V1係為例如四角形狀或圓角四角形狀，且以既定間隔形成複數個。雷射照射係以既定輸出照射既定時間。雷射照射係可適用已知的設備和已知的工法。此外，也有省略雷射加工步驟S6的情況。

圖11的例子中，接續雷射加工步驟S6來進行檢查步驟S7。檢查步驟S7係針對第6中間體56，使檢查機8的接觸銷與傳送線路導體32接觸來進行通電，藉此檢查傳送線路導體32沒有斷線、以及導通程度在正常範圍內。導通檢查係可適用已知的設備和已知的工法。此外，也有沒有在此進行檢查步驟S7，而是在其他的生產線進行檢查步驟S7之情況。

圖11的例子中，接續檢查步驟S7而進行分割步驟S8。分割步驟S8係利用分割取出機9的沖切刀，將經線上檢查的第6中間體56沿著既定的切割線沖切，藉此將傳送線路20分離並取出。分割取出係可適用已知的設備和已知的工法。此外，也有沒有在此進行分割步驟S8，而是在其他的生產線進行之情 況。

如上述，以一貫的生產線製造且經線上檢查的傳送線路20，係藉由移載機17，例如在被真空吸附的狀態下搬送且收納於托盤18。

舉例來說，圖4A和圖6B係顯示平行配設有兩條傳送線路導體32之二芯構造的傳送線路20。在上述以外的構成方面，如圖7A所示，有作成三條傳送線路導體32分別平行配設的三芯構造的傳送線路20之情況。或者，如圖7B所示，有作成分別四條以上的傳送線路導體32分別平行配設的多芯構造的傳送線路20之情況。

根據本實施形態，藉由將基底30、覆蓋層35、第1屏蔽物40、及第2屏蔽物45以既定節距P1傳送，可經由第1熱壓接步驟S1、不要區域去除步驟S2、第2熱壓接步驟S3、及第1接合步驟S4，以一貫的生產線製造涵蓋全周範圍進行屏蔽且降低串音的薄型傳送線路20。且，因不使用接著劑或導電糊，而使第1屏蔽物40的第2導體和第2屏蔽物的第3導體進行超音波接合，所以可使生產時間(生產節拍)比導電糊或接著劑的熱硬化時間更短，所需的構成構件也能夠抑制為最小限度。

又，根據此構成，在第2導體41與第3導體46藉由超音波接合的狀態下，可將與傳送線路導體32的輸入端及輸出端接近配置之接地導體33同時藉由超音波接合於第3導體46。因第1屏蔽物40和第2屏蔽物45成為一體構造體，所以可防止在將接地導體33同時藉由超音波接合於第3導體46時產生皺褶或應力變形。且，根據此構成，由於第3導體46係與第2屏蔽物45成為一體構造體，所以可容易地將藉由雷射使第 3導體46中之與導體33接合面的相反側的面局部露出之窗部V1以既定間隔形成。

藉由上述實施形態之傳送線路的製造裝置1及傳送線路的製造方法，可製造屏蔽性能優異且降低傳送線路間的串音之薄型並且與省空間之構造對應的傳送線路20。

本實施形態的傳送線路20係具備：基底30，係第1導體31形成於片狀且由熱塑性樹脂所構成之第1基材34的第1主面34a，並且第1導體31中至少傳送線路導體32以既定節距P1形成有複數個，該第1導體31係包含傳送線路導體32、和傳送線路導體32的輸入端及輸出端分別接近之接地導體33；覆蓋層35，為覆蓋各傳送線路導體32的片狀且由熱塑性樹脂所構成；第1屏蔽物40，第2導體41形成於片狀且由熱塑性樹脂所構成之第2基材42的第2主面42a；及第2屏蔽物45，第3導體46形成於片狀且由熱塑性樹脂所構成的第3基材47；第1基材34中之第1主面34a與覆蓋層35、基底30中之第1主面34a的相反側的面與第1屏蔽物40的第2主面42a之側、基底30中之第1主面34a的相反側的面與第1屏蔽物40的第2主面42a之側、及覆蓋層35與第2屏蔽物45的第2主面42a之側係彼此熱壓接，且經對向配置的第2導體41與第3導體46係彼此藉由超音波接合，配設成以第2導體41和第3導體46分別包圍傳送線路導體32的方式配設。

如圖4A、圖4B及圖6B所示，根據本實施形態，以在夾著基底30及覆蓋層35而對向配置之第1屏蔽物40的第2導體41與第2屏蔽物45的第3導體46藉由超音波接合的狀態下包圍傳送線路導體32之方式，成為涵蓋全周範圍屏蔽且已 降低串音之薄型的傳送線路20。且，因不使用接著劑或導電糊，而使第1屏蔽物40的第2導體41與第2屏蔽物45的第3導體46進行超音波接合，所以至少可作成接著劑或導電糊的厚度的程度之薄型構造。又，與習知技術在傳送線路間打設通路以謀求串音降低的方法相比較，可大幅降低製造成本。

舉例來說，接地導體33的端部和第3導體46的端部係彼此藉由超音波接合。根據此構成，藉由對於傳送線路導體32的輸入端及輸出端之屏蔽效果，可防止外來雜訊。

又，在第3基材47以既定間隔形成有複數個窗部V1，藉由窗部V1，使第3導體46的一部分以可進行外部連接的方式露出。根據此構成，舉例來說，構成為可容易將藉由窗部V1而露出之第3導體46的一部分與行動資訊終端的框體或接地配線外部連接以提高屏蔽性能。

如圖6B所示，在長度方向的兩側形成有切斷面。根據此構成，因長度方向的兩側被切斷，故寬度尺寸成為一定。

以上，本發明並不受限於上述的實施形態。上述的例子中，係設成將片狀基底30以捲取狀態供給之構成，但不受限於此，也能夠以既定尺寸的單片狀堆疊於匣盒(magazine)中，並從前述匣盒藉由供給輥等供給到生產線。關於覆蓋層35、第1屏蔽物40、第2屏蔽物45，也同樣地以既定尺寸的單片狀堆疊於匣盒，也可從前述匣盒藉由供給輥等供給到生產線。

20‧‧‧傳送線路

32‧‧‧傳送線路導體

34‧‧‧第1基材

35‧‧‧覆蓋層

40‧‧‧第1屏蔽物

41‧‧‧第2導體

42‧‧‧第2基材

42a‧‧‧第2主面

45‧‧‧第2屏蔽物

46‧‧‧第3導體

47‧‧‧第3基材

54‧‧‧第4中間體

Claims (12)

1. 一種傳送線路，其特徵為：具備：基底，係將由傳送線路導體和與前述傳送線路導體的輸入端及輸出端分別接近之接地導體所構成的第1導體形成於片狀且由熱塑性樹脂所構成之第1基材的第1主面而成；覆蓋層，為覆蓋前述傳送線路導體的片狀且由熱塑性樹脂所構成；第1屏蔽物，係將第2導體形成於片狀且由熱塑性樹脂所構成之第2基材的第2主面而成；及第2屏蔽物，係將第3導體形成於片狀且由熱塑性樹脂所構成的第3基材而成，前述第1基材中之前述第1主面與前述覆蓋層、前述基底中之前述第1主面的相反側的面與前述第1屏蔽物的前述第2主面之側、及前述覆蓋層與前述第2屏蔽物的前述第2主面之側係彼此熱壓接，前述第2導體和前述第3導體係彼此藉由超音波接合，配設成以前述第2導體和前述第3導體包圍前述傳送線路導體，在前述第3基材以既定間隔形成有複數個窗部，藉由前述窗部使前述第3導體的一部分以可進行外部連接的方式露出。
2. 一種傳送線路，其特徵為：具備：基底，係將由傳送線路導體和與前述傳送線路導體的輸入端及輸出端分別接近之接地導體所構成之第1導體形成於片狀且由熱塑性樹脂所構成之第1基材的第1主面，並且前述第1導體中至少前述傳送線路導體以既定節距形成有複數個而成；覆蓋層，為覆蓋各前述傳送線路導體的片狀且由熱塑性樹脂所構成；第1屏蔽物，將第2導體形成於片狀且由熱塑性樹脂所構成之第2基材的第2主面而成；及第2屏蔽物，將第3導體形成於 片狀且由熱塑性樹脂所構成的第3基材而成，前述第1基材中之前述第1主面與前述覆蓋層、前述基底中之前述第1主面的相反側的面與前述第1屏蔽物的前述第2主面之側、及前述覆蓋層與前述第2屏蔽物的前述第2主面之側係彼此熱壓接，對向配置的前述第2導體和前述第3導體係彼此藉由超音波接合，配設成以前述第2導體和前述第3導體分別包圍前述傳送線路導體，在前述第3基材以既定間隔形成有複數個窗部，藉由前述窗部使前述第3導體的一部分以可進行外部連接的方式露出。
3. 如請求項1或2之傳送線路，其中在長度方向的兩側形成有切斷面。
4. 如請求項1或2之傳送線路，其中前述接地導體的端部和前述第3導體的端部係彼此藉由超音波接合。
5. 一種傳送線路的製造方法，係為具備由傳送線路導體和與前述傳送線路導體的輸入端及輸出端分別接近之接地導體所構成的第1導體以既定節距形成於片狀第1基材的第1主面而成之基底、覆蓋前述傳送線路導體的片狀覆蓋層、將第2導體形成於片狀第2基材的第2主面而成之第1屏蔽物、以及將第3導體形成於片狀第3基材而成之第2屏蔽物之傳送線路的製造方法，或者具備將由傳送線路導體和與前述傳送線路導體的輸入端及輸出端分別接近之接地導體所構成的第1導體形成於片狀且由熱塑性樹脂所構成之第1基材的第1主面並且前述第1導體中至少前述傳送線路導體以既定節距形成有複數個而成之基底、為覆蓋各前述傳送線路導體的片狀且由熱塑性樹脂所構成之覆蓋層、 將第2導體形成於片狀且由熱塑性樹脂所構成之第2基材的第2主面而成之第1屏蔽物、以及將第3導體形成於片狀且由熱塑性樹脂所構成的第3基材而成之第2屏蔽物之傳送線路的製造方法，其特徵為具備：第1熱壓接步驟，將前述覆蓋層熱壓接於前述第1主面；不要區域去除步驟，對熱壓接有前述覆蓋層的第1中間體，去除前述傳送線路導體與前述傳送線路導體之間的不要區域以形成貫通前述第1中間體之貫通孔；第2熱壓接步驟，對形成有前述貫通孔的第2中間體，將前述第1屏蔽物的前述第2主面之側熱壓接於前述基底中之前述第1主面的相反側的面；及第1接合步驟，在熱壓接有前述第1屏蔽物的狀態下，將前述第3導體的露出面藉由超音波接合於前述第2導體的露出面。
6. 如請求項5之傳送線路的製造方法，其中前述第2熱壓接步驟係對前述第2中間體，將前述第1屏蔽物的前述第2主面之側熱壓接於前述基底中之前述第1主面的相反側的面，並且將前述第2屏蔽物的前述第2主面之側熱壓接於前述覆蓋層。
7. 如請求項5或6之傳送線路的製造方法，其係具有在前述第2導體和前述第3導體藉由超音波接合的狀態下，將前述第3導體的端部藉由超音波接合於前述接地導體的端部之第2接合步驟。
8. 如請求項7之傳送線路的製造方法，其係具有在前述接地導體和前述第3導體藉由超音波接合的狀態下，藉由雷射照射使前述第3導體的一部分露出之雷射加工步驟。
9. 一種傳送線路的製造裝置，其特徵為具備：基底供給機，係供給將由傳送線路導體和與前述傳送線路導體的輸入端及輸出端分別接近之接地導體所構成的第1導體以既定節距形成於片狀第1基材的第1主面而成之基底，或者供給將由傳送線路導體和與前述傳送線路導體的輸入端及輸出端分別接近之接地導體所構成的第1導體形成於片狀且由熱塑性樹脂所構成之第1基材的第1主面並且前述第1導體中至少前述傳送線路導體以既定節距形成有複數個而成之基底；覆蓋層供給機，供給覆蓋前述傳送線路導體的片狀覆蓋層；第1屏蔽物供給機，供給將第2導體形成於片狀第2基材的第2主面而成之第1屏蔽物；第2屏蔽物供給機，供給將第3導體形成於片狀第3基材而成之第2屏蔽物；第1熱壓接機，將前述覆蓋層熱壓接於第1主面；不要區域去除機，對熱壓接有前述覆蓋層的第1中間體，去除前述傳送線路導體和前述傳送線路導體之間的不要區域以形成貫通前述第1中間體的貫通孔；第2熱壓接機，對形成有前述貫通孔的第2中間體，將前述第1屏蔽物的前述第2主面之側熱壓接於前述基底中之前述第1主面的相反側的面；以及第1接合機，在熱壓接有前述第1屏蔽物的狀態下，將前述第3導體的露出面藉由超音波接合於前述第2導體的露出面。
10. 如請求項9之傳送線路的製造裝置，其中前述第2熱壓接機係構成為對前述第2中間體，將前述第1屏蔽物的前述第2主面之側熱壓接於前述基底中之前述第1主面的相反側之 面，並且將前述第2屏蔽物的前述第2主面之側熱壓接於前述覆蓋層。
11. 如請求項9或10之傳送線路的製造裝置，其具備第2接合機，該第2接合機係在前述第2導體和前述第3導體藉由超音波接合的狀態下，將前述第3導體的端部藉由超音波接合於前述接地導體的端部。
12. 如請求項11之傳送線路的製造裝置，其具備雷射加工機，該雷射加工機係在前述接地導體和前述第3導體藉由超音波接合的狀態下，藉由雷射照射使前述第3導體的一部分露出。

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