TWI745426B - 半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種半導體裝置的製造方法，其包括如下步驟：準備在表面具有連接端子(30)的複數個半導體晶片(40)被埋入於密封材料(10)之內部的結構體之步驟，在結構體中之埋入半導體晶片(40)的連接端子(30)的一側之面上的區域形成第1絶緣性樹脂膜(60)之步驟，在第1絶緣性樹脂膜(60)及結構體中形成使連接端子(30)的一部分露出的第1開口部(250)之步驟，以覆蓋露出之連接端子(30)及第1絶緣性樹脂膜(60)的方式形成導電膜(110)之步驟，及在導電膜(110)的表面形成第2絶緣性樹脂膜(70)，且於第2絶緣性樹脂膜(70)形成使導電膜(110)的一部分露出的第2開口部(300)之步驟，在形成第2開口部(300)之步驟中，在第2絶緣性樹脂膜(70)中之半導體晶片(40)上形成的區域之外部形成第2開口部(300)。又，其特徵在於，作為構成第1絶緣性樹脂膜(60)之樹脂材料，使用含有鹼可溶性樹脂之感光性樹脂組成物，且關於由該感光性樹脂組成物構成之液滴，藉由懸滴法測量之該液滴的表面張力成為20mN/m以上且45mN/m以下。

Description

半導體裝置的製造方法
本發明係關於一種半導體裝置之製造方法。
近年來，存在相對於電子設備向小型化、輕量化及高功能化等要求逐漸增高的趨勢。伴隨於此，對裝載於該電子設備的半導體密封亦要求進一步的小型化及高密度化。這幾年，作為能夠實現滿足該要求的半導體密封之技術，提出有與能夠設置大於晶片尺寸的重新配線區域之散出型晶圓級密封(散出型WLP，Fan-Out WLP)相關的多種方案(例如，專利文獻1等)。
並且，在習知之代表性的散出型WLP的製造步驟中，在製作複數個半導體晶片被埋入於密封材料之內部的結構體之後，進行如下步驟：在上述結構體中之配設有設置於上述半導體晶片的連接端子的一側的面上區域塗佈清漆狀樹脂組成物來形成絶緣性樹脂膜(例如，專利文獻1等)。
專利文獻1：日本特開2014-236095號公報
本發明人等，對藉由專利文獻1等中記載之習知之製造步驟得到的散出型WLP的可靠性進行了研究。其結果，在對半導體晶片進行密封之密封材料上形成的絶緣性樹脂膜的內部產生凹陷等而出現樹脂組成物的塗佈不均，藉此發現該絶緣性樹脂膜之可靠性下降。
另外，在本說明書中，絶緣性樹脂膜的凹陷表示對絶緣性樹脂膜產生厚度 不均而絶緣性樹脂膜的基底露出。
本發明提供一種以高成品率製作具有可靠性優異的絶緣性樹脂膜之散出型半導體裝置之技術。
依本發明，提供一種半導體裝置的製造方法，其包括如下步驟：準備在表面具有連接端子的複數個半導體晶片被埋入於密封材料之內部的結構體之步驟，在上述結構體中之配設有設置於上述半導體晶片的連接端子的一側之面上區域形成第1絶緣性樹脂膜之步驟，在上述第1絶緣性樹脂膜及上述結構體中形成使上述連接端子的一部分露出的第1開口部之步驟，以覆蓋露出之上述連接端子及上述第1絶緣性樹脂膜中之至少一部分的方式形成導電膜之步驟，在上述導電膜的表面形成第2絶緣性樹脂膜之步驟，及在上述第2絶緣性樹脂膜中之形成於上述半導體晶片上的區域之外部形成使上述導電膜的一部分露出的第2開口部之步驟，構成上述第1絶緣性樹脂膜之樹脂材料係含有鹼可溶性樹脂的感光性樹脂組成物，藉由懸滴法測量之由上述感光性樹脂組成物構成的液滴的表面張力為20mN/m以上且45mN/m以下。
依本發明，能夠提供一種以高成品率製作具有可靠性優異的絶緣性樹脂膜的散出型半導體裝置之技術。
上述之目的及其他目的、特徵及優點藉由以下敘述之較佳實施形態及附隨其之以下圖式得以進一步明確。
圖1係用於說明本實施形態之半導體裝置的製造方法的一例的圖。
圖2係用於說明本實施形態之半導體裝置的製造方法的一例的圖。
圖3係用於說明本實施形態之半導體裝置的製造方法的一例的圖。
圖4係用於說明本實施形態之半導體裝置的製造方法的一例的圖。
圖5係用於說明本實施形態之半導體裝置的製造方法的一例的圖。
以下，使用圖式對本發明的實施形態進行說明。另外，在所有圖式中，對同樣的構成要件標註同樣的符號，並適當省略說明。
(第1實施形態)
圖1~3均係用於說明本實施形態之半導體裝置100之製造方法的一例的圖。
如圖1~3所示，本實施形態之半導體裝置100之製造方法(以下，還示出本製造方法。)包括：準備在表面具有連接端子30的複數個半導體晶片40被埋入於密封材料10之內部的結構體之步驟，在上述結構體中之埋入有半導體晶片40的連接端子30的一側之面上的區域形成第1絶緣性樹脂膜60之步驟，在第1絶緣性樹脂膜60及結構體中形成使連接端子30的一部分露出的第1開口部250之步驟，以覆蓋露出的連接端子30及第1絶緣性樹脂膜60的方式形成導電膜110之步驟，及在導電膜110的表面形成第2絶緣性樹脂膜70，且在第2絶緣性樹脂膜70形成使導電膜110的一部分露出的第2開口部300之步驟。在此，本製造方法的特徵為，在形成上述第2開口部300之步驟中，在第2絶緣性樹脂膜70中之半導體晶片 40上形成的區域之外部形成第2開口部300。並且，在本製造方法中，作為構成、上述第1絶緣性樹脂膜60之樹脂材料，使用包括鹼可溶性樹脂的感光性樹脂組成物，且關於由該感光性樹脂組成物構成的液滴，藉由懸滴法測量之該液滴的表面張力成為20mN/m以上且45mN/m以下者特別重要。
以下，參閲圖1~3對本製造方法進行詳細說明。並且，本實施形態之製造方法為以如下為特徵的方法：從半導體晶片40中之與配設有電極墊30的一側相反的一側的面密封該半導體晶片40。
首先，準備如下結構體：如圖1(a)所示，藉由對形成鈍化膜50而預先已鈍化之半導體晶圓進行單個化所得到之複數個半導體晶片40以規定的間隔配置，且該半導體晶片40的端子面(配設有電極墊30的一側的面)貼附於黏著構件200的黏著面。該結構體之製作方法可以使用以將半導體晶圓貼附於黏著構件200的黏著面之狀態進行單個化之方法，亦可以使用在外部對半導體晶圓進行單個化之後，將得到的複數個半導體晶片40晶片接合於上述黏著構件200的黏著面之方法。另外，作為形成上述鈍化膜50之材料，能夠使用為了形成後述的第1絶緣性樹脂膜60而使用之感光性樹脂組成物。
並且，在上述結構體中，關於複數個半導體晶片40，較佳為以設置於各自的表面的電極墊30均朝向同一方向之方式複數個半導體晶片40被埋入於密封材料10的內部。
並且，在本製造方法中，可以在上述半導體晶片40中具備的電極墊30上形成有由銅等金屬構成的立柱形狀的導體部。而且，亦可以在與該導體部的配設有電極墊的一側相反的一側的端面形成有焊接凸點。
接著，如圖1(b)所示，藉由半導體密封用樹脂組成物的硬化物覆蓋於黏著構件200所貼附的複數個半導體晶片40而進行密封。另外，在本實施形態中，半導體密封用樹脂組成物的硬化物表示密封材料。作為該半導體密封 用樹脂組成物，能夠使用公知的材料，例如可舉出含有環氧樹脂、無機填充材料及硬化劑之環氧樹脂組成物等。
並且，在本製造方法中，作為使用半導體密封用樹脂組成物來對半導體晶片40進行密封之方法，可舉出傳遞成形法、壓縮成形法、射出成形法及層壓法等。其中，從不保留未填充部分而形成密封材料10之觀點考慮，係傳遞成形法、壓縮成形法或層壓法為較佳。因此，本製造方法中使用之半導體密封用樹脂組成物係顆粒狀、粉粒狀、錠狀或板狀的形態為較佳。並且，從抑制密封材料10成形時發生半導體晶片40的位置偏離之觀點考慮，係壓縮成形法尤為最佳。
接著，如圖1(c)所示，剝離黏著構件200。如此，能夠獲得在表面具有電極墊30的複數個半導體晶片40被埋入於密封材料10的內部之結構體。另外，黏著構件200係在降低該黏著構件200與結構體之間的密合性之後從該結構體剝離為較佳。具體而言，可舉出藉由對黏著構件200與結構體的接合部位例如進行紫外線照射及熱處理，而使形成該接合部位的黏著構件200的黏著層劣化以降低密合性之方法。另外，作為黏著構件200，只要係與半導體晶片40接合者，並無特別限定，但例如可舉出背磨膠帶與黏結劑層積層而成之構件。
在此，圖1(c)中所示之結構體係半導體晶片40中之與配設有電極墊30的一側相反的一側的面被密封材料10覆蓋的態樣相關者，但在本製造方法中可以具有如下步驟：在剝離黏著構件200之前，以使半導體晶片40中之與配設有電極墊30的一側相反的一側的面露出的方式藉由公知的方法來研磨去除密封材料10。
接著，如圖2(a)所示，在得到的結構體中，在埋入有電極墊30的一側的表面上形成第1絶緣性樹脂膜60。具體而言，對上述結構體中之埋入有電極墊30的一側的表面上塗佈清漆狀樹脂組成物，並藉由進行乾燥，形成第1絶 緣性樹脂膜60。該第1絶緣性樹脂膜60的膜厚例如能夠設為5μm以上且300μm以下。並且，作為樹脂組成物的塗佈方法，能夠採用旋塗法、狹縫塗佈法及噴墨法等公知的方法，但其中，係採用旋塗法為較佳。
而且，在本製造方法中，如上所述，作為構成第1絶緣性樹脂膜60之樹脂材料，使用含有鹼可溶性樹脂的感光性樹脂組成物，且關於由該感光性樹脂組成物構成的液滴，其藉由懸滴法測量之該液滴的表面張力成為20mN/m以上且45mN/m以下這點非常重要。如此，能夠以高成品率在密封材料10上形成形狀可靠性優異的第1絶緣性樹脂膜60。並且，關於本製造方法中使用之感光性樹脂組成物的詳細內容，將在後面進行敘述。
在本製造方法中，在形成第1絶緣性樹脂膜60之前，對密封材料10中之形成該第1絶緣性樹脂膜60的一側的表面實施等離子處理為較佳。如此，能夠提高第1絶緣性樹脂膜60之潤濕性，因此其結果，能夠設成密封材料10與第1絶緣性樹脂膜60的密合性更良好者。該等離子處理中，例如作為處理氣體，能夠使用氬氣、氧化性氣體或氟系氣體。作為氧化性氣體，可舉出O2氣體、O3氣體、CO氣體、CO2氣體、NO氣體及NO2氣體等。作為處理氣體，例如，係使用氧化性氣體為較佳。並且，作為氧化性氣體，例如係使用O2氣體為較佳。藉此，能夠在密封材料10的表面形成特定的官能基。因此，能夠更提高相對於密封材料10之第1絶緣性樹脂膜60的密合性、塗佈性，並能夠更提高半導體裝置之可靠性。
本製造方法中之等離子處理的條件並無特別限定，但除了灰化處理以外，亦可以係與源自非活性氣體的等離子體接觸之處理。並且，本製造方法之等離子處理係不對處理對象施加偏壓來進行之等離子處理或使用非反應性氣體來進行之等離子處理為較佳。
並且，在本製造方法中，代替上述等離子處理，可以實施化學液處理，亦 可以實施等離子處理及化學液處理這兩者。作為能夠使用於該化學液處理之藥劑，例如可舉出過錳酸鉀、過錳酸鈉等鹼性過錳酸鹽水溶液。
接著，如圖2(b)所示，在第1絶緣性樹脂膜60中形成使電極墊30的一部分露出的第1開口部250。在此，作為上述第1開口部250之形成方法，能夠使用曝光顯影法及雷射加工法。並且，關於形成之第1開口部250，較佳為進行去除形成該第1開口部250時產生的膠渣之除膠渣處理。該除膠渣處理方法例如能夠藉由以下方法來進行。首先，將具有形成第1開口部250的第1絶緣性樹脂膜60之結構體浸漬於含有機溶劑的溶脹液中，接著浸漬於鹼性過錳酸鹽水溶液中而進行處理。作為上述過錳酸鹽，例如能夠使用過錳酸鉀及過錳酸鈉等。當使用過錳酸鉀作為過錳酸鹽時，浸漬之過錳酸鉀水溶液的溫度係45℃以上為較佳，且95℃以下為較佳。對過錳酸鉀水溶液的浸漬時間係2分鐘以上為較佳，且20分鐘以下為較佳。如此，能夠更確實地提高第1絶緣性樹脂膜60與密封材料10的密合性。
除膠渣處理僅用上述濕法處理便足夠，但代替上述濕法，或與此同時，亦可以進行等離子體照射。此時，作為處理氣體，例如能夠使用氬氣體、O2氣體、O3氣體、CO氣體、CO2氣體、NO氣體、NO2氣體或氟系氣體。
接著，如圖2(c)所示，以覆蓋露出的電極墊30及第1絶緣性樹脂膜60的方式形成導電膜110。導電膜110例如能夠設為在鍍焊錫膜、鍍錫膜及鍍鎳膜上積層有鍍金膜之2層結構的鍍膜，並且還能夠設為藉由非電解電鍍而形成之凸點下金屬(UBM)膜。並且，導電膜110的膜厚例如能夠設為2μm以上且10μm以下。而且，關於得到的導電膜110，從提高最終得到的半導體裝置100的耐久性之觀點考慮，可以以與上述方法同樣的方法對其表面進行等離子處理。
作為上述電鍍處理方法，例如能夠採用電解電鍍法或非電解電鍍法。當使用非電解電鍍法時，能夠以如下方式形成導電膜110。另外，在此，對 形成由鎳及金這2層構成的導電膜110之例子進行說明，但並不限定於此。
首先，形成鍍鎳膜。當進行非電解鍍鎳時，在電鍍液中浸漬圖2(b)所示之結構體。藉此，能夠在電極墊30及第1絶緣性樹脂膜60的表面上形成導電膜110。電鍍液作為鎳鉛及還原劑，例如能夠使用含有次磷酸鹽者。接著，在鍍鎳膜上進行非電解鍍金。非電解鍍金之方法並無特別限定，例如能夠藉由金離子與基底金屬離子的取代而進行的取代鍍金來進行。
接著，如圖3(a)所示，在導電膜110的表面形成第2絶緣性樹脂膜70。然後，如圖3(b)所示，在第2絶緣性樹脂膜70中之半導體晶片40上形成的區域的外部形成使導電膜110之一部分露出的第2開口部300。
另外，第2絶緣性樹脂膜70及第2開口部300之形成方法能夠使用與上述第1絶緣性樹脂膜60及第1開口部250之形成方法相同的方法。並且，作為形成第2絶緣性樹脂膜70之材料，能夠使用為了形成上述第1絶緣性樹脂膜60而使用之感光性樹脂組成物。
接著，圖3(c)所示，在第2開口部300內露出的導電膜110上熔融焊接凸點80或接合線的端部而進行熔合。藉此，能夠獲得本實施形態之半導體裝置100。
然後，雖然未圖示，但藉由以包含至少1個半導體晶片40的方式對半導體裝置100沿該半導體裝置100中形成的切割線進行切斷，能夠對複數個半導體密封進行單個化。
並且，在本製造方法中，從圖3(b)所示之結構體出發，能夠製作出具有下述多層配線結構之半導體裝置，該多層配線結構係依序積層複數個導電膜(配線層)及絶緣性樹脂膜而成。藉由本製造方法，例如能夠製作出具備4層導電膜(配線層)及5層絶緣性樹脂膜之半導體裝置。此時，導電膜(配線層)之形成方法能夠使用與導電膜110之形成方法相同的方法。並且，絶緣性 樹脂膜之形成方法能夠使用與第1絶緣性樹脂膜60之形成方法相同的方法。
在製作具有上述多層配線結構之半導體裝置的情況下，藉由與上述方法相同的方法，在最外層熔接焊接凸點80，或熔融接合線的端部而使其熔接於導電膜(配線層)，而能夠將得到的半導體裝置電連接。
並且，上述本製造方法係與從圖1(c)所示的結構體出發，僅在該結構體中之一側表面形成絶緣性樹脂膜及導電膜(配線層)之方法相關者，但當圖1(c)所示的結構體處於半導體晶片40中之與配設有電極墊30的一側相反的一側的面亦露出之狀態時，可以對結構體的兩面形成絶緣性樹脂膜。
並且，本製造方法亦能夠適用於製作晶片尺寸的半導體密封之步驟，但從提高半導體密封的生產率之觀點考慮，較佳為適用於先前技術此段落中所述的晶圓級密封之步驟、或製作以使用大於晶圓尺寸的大面積面板為前提之面板級密封之步驟。
(第2實施形態)
本實施形態之製造方法在以從半導體晶片40中之配設有電極墊30的一側的面對該半導體晶片40進行密封為特徵的方法的這一點上與第1實施形態不同。但是，在本實施形態之製造方法中，在能夠獲得密封材料10與第1絶緣性樹脂膜60的密合性優異的半導體裝置的這一點上，發揮與第1實施形態相同的效果。
參閲圖4~5對本製造方法進行說明。另外，圖4~5均係用於說明本實施形態之半導體裝置100之製造方法的一例的圖。
首先，準備在基底基板的一側的表面上配置有剝離膜的支撐體500。作為上述基底基板的具體例，可舉出面板、晶圓、玻璃基板及不銹鋼板等。
接著，如圖4(a)所示，在上述支撐體500的剝離膜上配置在電極墊30上形成金屬柱130而成的半導體晶片40。此時，以半導體晶片40具備之電極墊30朝向與配置有支撐體500的一側的面相反的一側的面的方式，在支撐體 500上配置半導體晶片40。
接著，如圖4(b)所示，從半導體晶片40中之配設有電極墊30的一側的面使用半導體密封用樹脂組成物對該半導體晶片40進行密封。
接著，如圖4(c)所示，以使半導體晶片40中之電極墊30上形成之金屬柱130的表面露出的方式，研磨去除密封材料10。
接著，如圖4(d)所示，分離支撐體500而選擇性地進行去除。如此，半導體晶片40、電極墊30及金屬柱130被埋入於密封材料10，且能夠獲得處於金屬柱130中之與配設有電極墊30的面相反的一側的面露出狀態之結構體。此時，支撐體500係降低支撐體500與密封材料10之間的密合性之後進行剝離為較佳。具體而言，藉由對支撐體500與密封材料10的接合部位例如藉由進行紫外線照射及熱處理而使支撐體500中之形成有該接合部位的材料劣化而降低密合性之後進行剝離為較佳。
並且，上述選擇性地去除係指去除一部分或整個支撐體500。能夠採用使用酸性溶液及鹼性溶液而進行化學蝕刻之方法、進行物理研磨之方法、進行物理剝離之方法、等離子體照射法及雷射燒蝕法等方法。其中，係使用酸性溶液及鹼性溶液而進行化學蝕刻去除之方法較佳。另外，作為此時使用的上述酸性溶液之具體例，可舉出混合酸及三氯化鐵水溶液等。
並且，在本製造方法中，參閲圖4(d)，剝離支撐體500之時機並不限定於上述之時機，亦可以係製作圖5所示的半導體裝置100之後。
接著，在本製造方法中，從圖4(d)所示的結構體出發，以與第1實施形態中敘述之方法相同的方法，形成第1絶緣性樹脂膜60、導電膜110、第2絶緣性樹脂膜70及焊接凸點80。如此，能夠獲得圖5所示的半導體裝置100。
接著，對本製造方法中使用之感光性樹脂組成物、半導體密封用樹脂組成物及黏著構件200的結構進行說明。
<感光性樹脂組成物>
本製造方法中使用之感光性樹脂組成物例如為了形成第1絶緣性樹脂膜60、第2絶緣性樹脂膜70及鈍化膜50等永久膜而使用。此時，藉由使感光性樹脂組成物硬化，而能夠獲得構成永久膜之硬化膜。在本實施形態中，例如藉由將塗佈感光性樹脂組成物而獲得的樹脂膜進行曝光及顯影而以希望之形狀圖案化之後，藉由熱處理等使該樹脂膜硬化而形成永久膜。
本製造方法中使用之感光性樹脂組成物含有鹼可溶性樹脂。而且，本製造方法中使用之感光性樹脂組成物需要係藉由懸滴法測量之由該感光性樹脂組成物構成的液滴的表面張力以成為20mN/m以上且45mN/m以下的方式控制者。如此，能夠提高對為了形成第1絶緣性樹脂膜60而使用之感光性樹脂組成物的密封材料10之潤濕性。因此，依據本製造方法，藉由使用液滴的表面張力在上述數值範圍內之感光性樹脂組成物，在形成第1絶緣性樹脂膜60時，能夠有效地抑制凹陷等由該感光性樹脂組成物的塗佈不均引起的不良情況的產生。亦即，依據本製造方法，藉由使用液滴的表面張力在上述數值範圍內之感光性樹脂組成物，能夠在密封材料10上以高成品率製作可靠性優異的第1絶緣性樹脂膜60。
依據本製造方法中使用之感光性樹脂組成物，認為與習知之樹脂材料相比，能夠高度控制形成第1絶緣性樹脂膜60時相對於密封材料10的易融合性(塗佈性)與第1絶緣性樹脂膜60相對於密封材料10的接合強度(密合性)之間的平衡。尤其依據表面張力在上述數值範圍內之感光性樹脂組成物，在抑制凹陷等由感光性樹脂組成物的塗佈不均引起的不良情況的產生這一觀點上，能夠以高成品率製作出可靠性優異的第1絶緣性樹脂膜60。
藉此，即使在對第1絶緣性樹脂膜60與被黏體亦即密封材料10的接合界面，因形成兩者之材料的線膨脹係數差而產生的剪切應力發揮作用的情況下，其結 果，亦能夠防止在該接合界面產生剝離及龜裂。具體而言，藉由使用表面張力在上述數值範圍內之感光性樹脂組成物，能夠將第1絶緣性樹脂膜60與被黏體亦即密封材料10的接合界面的剝離耐久性提高至能夠克服上述剪切應力之程度。
在此，如上所述，包括藉由懸滴法測量之本製造方法中使用之感光性樹脂組成物的液滴的表面張力的下限值為20mN/m以上，但較佳為25mN/m以上。如此，能夠提高相對於感光性樹脂組成物的密封材料10的潤濕性，其結果，能夠提高彼此密合的第1絶緣性樹脂膜60與密封材料10的接合界面中之黏著強度(密合性)。並且，亦能夠提高操作性。
另一方面，如上所述，由藉由懸滴法測量之本製造方法中使用之感光性樹脂組成物構成的液滴的表面張力的上限值為45mN/m以下，但係42mN/m以下為較佳，40mN/m以下為更佳。如此，能夠提高相對於作為被黏體的密封材料10的感光性樹脂組成物的塗佈性。並且，以控制成使液滴的表面張力的上限值成為上述數值範圍內時，在抑制凹陷等由感光性樹脂組成物的塗佈不均引起的不良情況的產生這一觀點上，能夠以高成品率製作出可靠性優異的第1絶緣性樹脂膜60。
並且，將在230℃、90分鐘的條件下對本製造方法中使用之感光性樹脂組成物進行熱處理而得到的10mm×60mm×10μm厚度的硬化物用作試驗片，在23℃、拉伸速度5mm/分鐘的條件下，藉由依照JIS K7161的方法進行拉伸試驗時，上述試驗片的拉伸伸長率較佳為20%以上且200%以下，進一步較佳為25%以上且200%以下。如此，能夠形成不易受到因作用於與密封材料10的接合界面的界面應力所導致之影響的耐久性優異的第1絶緣性樹脂膜60，其結果，能夠抑制剝離及龜裂等產生。
並且，在230℃、90分鐘的條件下對本製造方法中使用之感光性樹脂組成物進行熱處理而得到的硬化物的玻璃轉移溫度較佳為180℃以上，進一 步較佳為200℃以上。如此，能夠實現與密封材料10的密合性及耐熱性非常優異之樹脂膜。並且，上述玻璃轉移溫度的上限值只要係300℃以下左右便足夠。
並且，將在230℃、90分鐘的條件下對本製造方法中使用之感光性樹脂組成物進行熱處理而得到的10mm×60mm×10μm厚度的硬化物用作試驗片，在23℃、拉伸速度5mm/分鐘的條件下藉由依照JIS K7161之方法進行拉伸試驗時，上述試驗片的拉伸彈性率較佳為2GPa以上且5GPa以下，進一步較佳為2.5GPa以上且4GPa以下。如此，能夠形成不易受到因作用於與密封材料10的接合界面的界面應力所導致之影響的耐久性優異的第1絶緣性樹脂膜60，其結果，能夠抑制剝離或龜裂等的產生。
並且，本製造方法中使用之感光性樹脂組成物的硬化溫度較佳為150℃以上且250℃以下，進一步較佳為160℃以上且230℃以下。如此，能夠實現與密封材料10的密合性及耐熱性非常優異的樹脂膜。
另外，在本實施形態中，例如藉由分別適當地選擇感光性樹脂組成物的製備方法、構成感光性樹脂組成物的各原料成分的種類及摻合比例，能夠將藉由懸滴法測量之表面張力的值設在希望的範圍內。具體而言，將後述之特定的鹼可溶性樹脂溶解於特定的溶劑，進而適當地控制交聯劑、矽烷偶合劑、溶解促進劑及界面活性劑等各成分的種類、含量為較佳。
作為感光性樹脂組成物的製備方法，例如認為在氮環境下進行各成分的混合非常重要。但是，本實施形態之感光性樹脂組成物的製備方法並不限定於此。
本發明人等對如下方法進行了研究，該方法係將由感光性樹脂組成物構成的液滴的表面張力控制在特定的數值範圍內，且提高相對於感光性樹脂組成物的密封材料的塗佈性及感光性樹脂組成物的硬化物與密封材料的密合性，進而提高半導體裝置之可靠性。其結果發現，將具備特定的結構單元之鹼可溶性樹脂溶解於特定的溶劑中，進而藉由交聯劑、矽烷偶合劑、溶解促進劑 及界面活性劑等添加物，來提高鹼可溶性樹脂的分散性非常重要。
首先，作為前提，為了提高絶緣性樹脂膜的拉伸伸長率及拉伸彈性率等機械特性，作為鹼可溶性樹脂，例如包含具備後述的特定的結構者為較佳。
在此，為了使具有特定的結構的鹼可溶性樹脂充分分散於清漆狀的感光性樹脂組成物中，而使用後述的特定的溶劑為較佳。
並且，作為交聯劑，例如組合使用不同的2種以上為較佳。藉此，能夠適當地控制鹼可溶性樹脂彼此纏結。藉此，能夠提高鹼可溶性樹脂的分散性。
而且，作為矽烷偶合劑，例如包含後述的特定的結構單元者為較佳，而且，組合特定的結構的鹼可溶性樹脂與特定的結構的矽烷偶合劑為較佳。
並且，作為溶解促進劑，例如包含後述的特定的結構單元者為較佳。藉此，能夠提高感光性樹脂組成物中的原料成分彼此的相容性。
而且，作為界面活性劑，例如使用具備後述的特定的官能基者為較佳。
藉由適當地控制以上要素，能夠將由感光性樹脂組成物構成的液滴的表面張力控制在適當的數值範圍內。
如上所述，感光性樹脂組成物含有鹼可溶性樹脂。而且，在該感光性樹脂組成物中，從能夠藉由微影術對塗佈該感光性樹脂組成物而獲得的塗佈膜進行圖案化之觀點考慮，含有感光劑為較佳。
以下，對構成感光性樹脂組成物之各成分進行詳述。
(鹼可溶性樹脂)
作為鹼可溶性樹脂的具體例，可舉出酚樹脂；羥基苯乙烯樹脂(聚羥基苯乙烯)；(甲基)丙烯酸樹脂、(甲基)丙烯酸酯樹脂等丙烯酸樹脂；聚苯并
Figure 106130554-A0202-12-0014-31
唑前驅物及聚醯亞胺前驅物等具有醯胺鍵之前驅物；對上述前驅物進行脫水閉環而獲得的聚醯亞胺及聚苯并
Figure 106130554-A0202-12-0014-32
唑等具有醯胺鍵之樹脂；降茨烯及環烷烴等環狀烯烴單體的聚合物(環狀烯烴系樹脂)；及該等的共聚物等。該等可以單獨使用 1種，亦可以併用2種以上。其中，從提高感光性樹脂組成物的顯影性、硬化性、密合性及成膜性、以及硬化該樹脂膜而成之硬化膜的機械強度及耐熱性，進而提高相對於其他構件的密合性之觀點考慮，係含有選自由酚樹脂、羥基苯乙烯樹脂、聚醯亞胺、聚醯亞胺前驅物、聚苯并
Figure 106130554-A0202-12-0015-33
唑、聚苯并
Figure 106130554-A0202-12-0015-34
唑前驅物、降茨烯及環烷烴等環狀烯烴單體的聚合物(環狀烯烴系樹脂)以及該等的共聚物組成的群中之1種或2種以上為較佳，係包含選自由酚樹脂、羥基苯乙烯樹脂、聚醯亞胺、聚醯亞胺前驅物、聚苯并
Figure 106130554-A0202-12-0015-35
唑、聚苯并
Figure 106130554-A0202-12-0015-36
唑前驅物及該等的共聚物組成的群中之1種或2種以上為更佳。藉此，能夠提高絶緣樹脂膜的玻璃轉移溫度、拉伸伸長率及拉伸彈性率等機械特性，並能夠提高半導體裝置之可靠性。
並且，從藉由感光性樹脂組成物而形成耐熱性及機械特性的平衡優異之硬化膜之觀點考慮，係具有由下述通式(1)表示之重複單元的醯胺鍵之前驅物為特佳。
另外，在本實施形態中，聚苯并
Figure 106130554-A0202-12-0015-37
唑前驅物、聚醯亞胺前驅物係聚醯胺樹脂之一種，且具備醯胺鍵。
Figure 106130554-A0202-12-0015-1
式(1)中，X及Y為有機基。R1為羥基、-O-R3、烷基、醯氧基或環烷基，當具有複數個時，彼此可以相同亦可以不同。R2為羥基、羧基、-O-R3或-COO-R3，當具有複數個時，彼此可以相同亦可以不同。R1及R2中之R3為碳數1~15的有機基。當作為R1沒有羥基時，R2的至少1個為羧基。當作為R2沒有羧基時，R1的至少1為羥基。m為0~8的整數，n為0~8的整數。
另外，在由式(1)表示之聚醯胺樹脂中，X、Y、R1~R3、m及n分別在每 個重複單元中可以相同，亦可以彼此不同。
在具有由式(1)表示之結構的具有醯胺鍵的前驅物中，藉由產生加熱脫水或使用了觸媒的脫水反應，生成聚醯亞胺樹脂或聚苯并
Figure 106130554-A0202-12-0016-38
唑樹脂、或包含醯亞胺鍵及
Figure 106130554-A0202-12-0016-39
唑環的共聚物。當作為鹼可溶性樹脂使用具有醯胺鍵的前驅物時，鹼可溶性樹脂還可以含有聚醯亞胺樹脂及聚苯并
Figure 106130554-A0202-12-0016-40
唑樹脂中之一者或兩者。
當具有由式(1)表示之醯胺鍵的前驅物係聚苯并
Figure 106130554-A0202-12-0016-41
唑前驅物時，R1中的至少一個為羥基。此時，藉由加熱脫水或使用了觸媒之脫水反應，在R1與醯胺結構之間發生脫水閉環，而生成具有
Figure 106130554-A0202-12-0016-42
唑環的聚苯并
Figure 106130554-A0202-12-0016-43
唑樹脂。此時，鹼可溶性樹脂中包含聚苯并
Figure 106130554-A0202-12-0016-44
唑前驅物或聚苯并
Figure 106130554-A0202-12-0016-45
唑樹脂中的至少一者。
並且，當具有由式(1)表示之醯胺鍵的前驅物係聚醯亞胺前驅物時，R2中的至少一個為羧基。此時，藉由加熱脫水或使用了觸媒的脫水反應，在R2與醯胺結構之間發生脫水閉環(醯亞胺化)，而生成聚醯亞胺樹脂。此時，鹼可溶性樹脂中含有聚醯亞胺前驅物或聚醯亞胺樹脂中的至少一者。
作為具有由式(1)表示之結構的具有醯胺鍵的前驅物之X的有機基，例如可舉出由苯環、萘環或雙酚結構等結構構成的芳香族基、由吡咯環或呋喃環等結構構成的雜環式有機基、及矽氧烷基。
具有由式(1)表示之結構的具有醯胺鍵的前驅物中之X為有機基。在此，作為X，例如係在該結構單元中包含芳香族環者為較佳。藉此，能夠提高絶緣樹脂膜的玻璃轉移溫度、拉伸伸長率及拉伸彈性率等機械特性，並能夠進一步提高半導體裝置之可靠性。
另外，在本實施形態中，芳香族環表示苯環；萘環、蒽環、芘環等縮合芳香環；吡啶環、吡咯環等雜芳香環等。
具有由式(1)表示之結構的具有醯胺鍵的前驅物中之Y為有機 基，作為該等有機基可舉出與X相同者。作為式(1)中之Y，例如可舉出由苯環、萘環或雙酚結構等結構構成的芳香族基；由吡咯環、吡啶環或呋喃環等結構構成的雜環式有機基；及矽氧烷基等。
具有由式(1)表示之結構的具有醯胺鍵的前驅物中之Y為有機基。
在此，作為Y，例如係在該結構單元中包含芳香族環為較佳。藉此，能夠提高絶緣樹脂膜的玻璃轉移溫度、拉伸伸長率及拉伸彈性率等機械特性，並能夠提高半導體裝置之可靠性。
在此，在具有由式(1)表示之結構的具有醯胺鍵的前驅物中，X、Y均包含芳香族環為較佳。藉此，前驅物的分子鏈彼此變得容易相互作用，進一步提高絶緣樹脂膜的玻璃轉移溫度、拉伸伸長率及拉伸彈性率等機械特性，並能夠進一步提高半導體裝置之可靠性。
當為具有由式(1)表示之醯胺鍵的前驅物時，亦能夠以不會影響硬化物的力學性能及耐熱性之程度，使用包含具有至少1個選自烯基、炔基及羥基中之有機基的脂肪族基或環式化合物基之酸酐或單羧酸，將該前驅物的末端的胺基作為醯胺進行封端。而且，具有由式(1)表示之醯胺鍵的前驅物可以係具有藉由含氮環狀化合物對該前驅物的至少一側的末端進行封端的基團者。藉此，能夠提高與金屬配線(尤其銅配線)等的密合性。
作為包含具有至少1個選自烯基、炔基及羥基中之有機基的脂肪族基或環式化合物基的酸酐或單羧酸，例如可舉出順丁烯二酸酐、檸康酸酐、2,3-二甲基順丁烯二酸酐、4-環己烯-1,2-二羧酸酐、外-3,6-環氧-1,2,3,6-四氫鄰苯二甲酸酐、5-降茨烯-2,3-二羧酸酐、甲基-5-降茨烯-2,3-二羧酸酐、伊康酸酐、氯橋酸酐、5-降茨烯-2-羧酸、4-乙炔基鄰苯二甲酸酐、4-苯基乙炔基鄰苯二甲酸酐、4-羥基鄰苯二甲酸酐、4-羥基苯甲酸及3-羥基苯甲酸。 該等可以單獨使用，亦可以將2種以上組合使用，已封端之醯胺部分的一部分可以係脫水閉環。
並且，當為具有由式(1)表示之醯胺鍵的前驅物時，亦能夠使用包含具有至少1個選自烯基、炔基及羥基中之有機基的脂肪族基或環式化合物基之胺衍生物，將前驅物的末端的羧酸殘基作為醯胺進行封端。
當為具有由式(1)表示之醯胺鍵的前驅物時，可以以不會影響硬化物的力學性能及耐熱性之程度，在末端的至少一側具有藉由含氮環狀化合物進行封端的基團。藉此，能夠提高與金屬配線(尤其銅配線)等的密合性。作為含氮環狀化合物，例如可舉出1-(5-1H-三唑)甲基胺基、3-(1H-吡唑)胺基、4-(1H-吡唑)胺基、5-(1H-吡唑)胺基、1-(3-1H-吡唑)甲基胺基、1-(4-1H-吡唑)甲基胺基、1-(5-1H-吡唑)甲基胺基、(1H-四唑-5-基)胺基及1-(1H-四唑-5-基)甲基-胺基及3-(1H-四唑-5-基)苯并-胺基。
具有由式(1)表示之醯胺鍵的前驅物例如能夠使選自具有包含該式(1)中由X表示之基團的結構的二胺、雙(胺基苯酚)或二胺基苯酚等中之化合物、和選自具有包含該式(1)中由Y表示之基團的結構的四羧酸酐、1,2,4-苯三甲酸酐、二羧酸或二氯化二醯基、二羧酸衍生物、羥基二羧酸及羥基二羧酸衍生物等中之化合物反應來合成。另外，當為了獲得具有由式(1)表示之醯胺鍵的前驅物而使用二羧酸時，為了提高反應產率等，亦可以使用預先使1-羥基-1,2,3-苯并三唑等反應之活性酯型二羧酸衍生物。
並且，當例如以300~400℃對具有由式(1)表示之醯胺鍵的前驅物進行加熱時，該前驅物進行脫水閉環，其結果，能夠以聚醯亞胺、聚苯并
Figure 106130554-A0202-12-0018-46
唑或兩者的共聚物等方式獲得耐熱性優異的樹脂。
在此，當具有由式(1)表示之醯胺鍵的前驅物係聚苯并
Figure 106130554-A0202-12-0018-47
唑前 驅物時，該式(1)中之R1中的至少一個為羥基。此時，藉由加熱脫水或使用了觸媒的脫水反應，在R1與醯胺結構之間發生脫水閉環，而生成具有
Figure 106130554-A0202-12-0019-48
唑環的聚苯并
Figure 106130554-A0202-12-0019-49
唑樹脂。此時，鹼可溶性樹脂中含有聚苯并
Figure 106130554-A0202-12-0019-50
唑前驅物或聚苯并
Figure 106130554-A0202-12-0019-51
唑樹脂中的至少一者。
並且，當具有由式(1)表示之醯胺鍵的前驅物係聚醯亞胺前驅物時，該式(1)中之R2中的至少一個為羧基。此時，藉由加熱脫水或使用了觸媒的脫水反應，在R2與醯胺結構之間發生脫水閉環(醯亞胺化)，而生成聚醯亞胺樹脂。此時，鹼可溶性樹脂中包含聚醯亞胺前驅物或聚醯亞胺樹脂中的至少一者。
作為鹼可溶性樹脂中之酚樹脂，例如能夠使用以酚醛清漆型酚樹脂為代表之苯酚化合物與醛化合物的反應物，或以苯酚芳烷基樹脂為代表之苯酚化合物與二甲醇化合物或其衍生物的反應物。其中，從抑制顯影步驟中之膜減損之觀點，提高熱穩定性之觀點，並且製造成本之觀點考慮，使用使苯酚化合物與醛化合物反應而獲得的酚樹脂為特佳。
作為苯酚化合物，例如能夠使用苯酚、鄰甲酚、間甲酚或對甲酚等甲酚類；2,3-二甲酚、2,4-二甲酚、2,5-二甲酚、2,6-二甲酚、3,4-二甲酚或3,5-二甲酚等二甲酚類；鄰乙基酚、間乙基酚或對乙基酚等乙基酚類；異丙基苯酚、丁基苯酚或對第三丁基苯酚等烷基苯酚類；或間苯二酚、鄰苯二酚、對苯二酚、鄰苯三酚或間苯三酚等多元苯酚類。該等苯酚化合物能夠單獨使用，亦可以將2種以上組合使用。
作為醛化合物，只要係具有醛基的有機基則並無特別限定，但例如能夠使用福馬林、聚甲醛、乙醛、苯甲醛或水楊醛。作為苯甲醛，能夠使用藉由烷基、烷氧基或羥基中的至少1種藉由取代者或未經取代者。該等醛化合物能夠單獨使用，亦可以將2種以上組合使用。
在本實施形態中，例如藉由在酸觸媒下使上述苯酚化合物與上述醛化合物反應而合成，獲得作為鹼可溶性樹脂的酚樹脂。作為酸觸媒，並無特別限定，但例如能夠使用草酸、硝酸、硫酸、硫酸二乙酯、乙酸、對甲苯磺酸、酚磺酸或苯磺酸。
作為二甲醇化合物，例如能夠使用1,4-苯二甲醇、1,3-苯二甲醇、4,4’-聯苯二甲醇、3,4’-聯苯二甲醇、3,3’-聯苯二甲醇或2,6-萘二甲醇等二甲醇化合物；1,4-雙(甲氧基甲基)苯、1,3-雙(甲氧基甲基)苯、4,4’-雙(甲氧基甲基)聯苯、3,4’-雙(甲氧基甲基)聯苯、3,3’-雙(甲氧基甲基)聯苯或2,6-萘二羧酸甲酯等雙(烷氧基甲基)化合物；或1,4-雙(氯甲基)苯、1,3-雙(氯甲基)苯、1,4-雙(溴甲基)苯、1,3-雙(溴甲基)苯、4,4-雙(氯甲基)聯苯、3,4’-雙(氯甲基)聯苯、3,3’-雙(氯甲基)聯苯、4,4’-雙(溴甲基)聯苯、3,4’-雙(溴甲基)聯苯或3,3’-雙(溴甲基)聯苯等雙鹵代烷基化合物。該等二甲醇化合物能夠單獨使用，亦可以將2種以上組合使用。
作為鹼可溶性樹脂中之羥基苯乙烯樹脂，能夠使用藉由使羥基苯乙烯及苯乙烯或該等衍生物自由基聚合、陽離子聚合及陰離子聚合而得到的聚合反應物或共聚合反應物。
作為鹼可溶性樹脂中之酚樹脂，例如能夠使用以酚醛清漆型酚樹脂為代表之苯酚化合物與醛化合物的反應物或以苯酚芳烷基樹脂為代表之苯酚化合物與二甲醇化合物或其衍生物的反應物。其中，從抑制顯影步驟中之膜減損之觀點、提高熱穩定性之觀點並且製造成本之觀點考慮，使用使苯酚化合物與醛化合物反應而獲得的酚樹脂特佳。
當鹼可溶性樹脂為降茨烯及環烷烴等環狀烯烴單體的聚合物(環狀烯烴系樹脂)時，作為該聚合物之聚合方法，可舉出加成聚合法及開環聚合 法。該等聚合物可以係無規共聚物，亦可以係嵌段共聚物，還可以係交替共聚物。
而且，作為上述環狀烯烴單體的具體例，可舉出環己烯及環辛烯等單環體；降茨烯、降茨二烯、二環戊二烯、二氫雙環戊二烯、四環十二烯(tetracyclododecene)、三環戊二烯、二氫三環戊二烯、四環戊二烯及二氫四環戊二烯等多環體。並且，關於該等單體中鍵結有官能基之取代物，亦能夠用作本實施形態之環狀烯烴單體。
並且，作為本實施形態之環狀烯烴系樹脂，從耐熱性之觀點考慮，係降茨烯系樹脂為較佳。以下，以本實施形態之環狀烯烴系樹脂係降茨烯系樹脂之情況為例子，對該環狀烯烴系樹脂進行說明。另外，上述降茨烯系樹脂能夠藉由如下公知之所有聚合方法來獲得，亦即例如開環複分解(ROMP)、ROMP和氫化反應之組合、基於自由基或陽離子之聚合、使用了陽離子性鈀聚合起始劑之聚合及使用了除此以外的聚合起始劑(例如，鎳及其他過渡金屬的聚合起始劑)之聚合等。
在此，當本實施形態之環狀烯烴系樹脂為環狀烯烴單體的加成聚合物時，作為該加成聚合物的具體例，可舉出下述(1)~(3)中所示者。
(1)對降茨烯型單體進行加成(共)聚合而獲得的降茨烯型單體的加成(共)聚合物。
(2)降茨烯型單體與乙烯及α-烯烴類的加成共聚物。
(3)降茨烯型單體、非共軛二烯烴及如依據需要與其他單體的加成共聚物之加成聚合物。
上述加成聚合物藉由基於金屬觸媒之配位聚合或自由基聚合來獲得。其中，配位聚合中，在過渡金屬觸媒存在下，藉由將單體在溶液中進行聚合而能夠獲得聚合物。作為配位聚合中使用之金屬觸媒的例子，可舉出(甲苯)雙(五 氟苯基)鎳、亞甲基雙(五氟苯基)鎳、(苯基)雙(五氟苯基)鎳、雙(四氫)雙(五氟苯基)鎳、雙(乙酸乙酯)雙(五氟苯基)鎳及雙(二
Figure 106130554-A0202-12-0022-52
烷)雙(五氟苯基)鎳等公知之金屬觸媒。
當本實施形態之環狀烯烴系樹脂為環狀烯烴單體的開環聚合物時，作為該開環聚合物的具體例，可舉出下述(4)~(6)中所示者。
(4)降茨烯型單體的開環(共)聚合物及依據需要對該(共)聚合物進行加氫的樹脂。
(5)降茨烯型單體與乙烯及α-烯烴類的開環共聚物及依據需要對該(共)聚合物進行加氫的樹脂。
(6)降茨烯型單體與非共軛二烯烴或其他單體的開環共聚物。
上述開環聚合物藉以如下方式獲得：藉由公知的開環聚合法，將鈦及鎢化合物作為觸媒，對至少一種以上的降茨烯型單體進行開環(共)聚合以製造開環(共)聚合物，接著，依據需要藉由通常之加氫方法對前述開環(共)聚合物中的碳-碳雙鍵進行加氫以製造熱塑性飽和降茨烯系樹脂。
並且，在本實施形態中，上述降茨烯系樹脂可以作為依據需要對上述(1)~(6)中示出之(共)聚合物進行加氫的聚合物等開環聚合物。
鹼可溶性樹脂的含量相對於感光性樹脂組成物的不揮發成分總量較佳為10重量%以上且70重量%以下，更佳為15重量%以上且65重量%以下，進一步較佳為20重量%以上且50重量%以下。藉由將鹼可溶性樹脂的含量設成上述下限值以上，能夠提高感光性樹脂組成物的硬化性。藉此，能夠提高使用感光性樹脂組成物來形成之永久膜的耐熱性、機械強度及耐久性。另一方面，藉由將鹼可溶性樹脂的含量設成上述上限值以下，能夠實現微影術中之分辨率之提高。
另外，感光性樹脂組成物中的不揮發成分的比例(重量%)例如能夠以如下 方式測量。首先，已測量重量(w0)之鋁杯中作為試樣量取感光性樹脂組成物1.0g。此時，將試樣和鋁杯之總重量設為w1。接著，將鋁杯在調整為210℃的熱風乾燥機中在常壓下保持1小時之後，從熱風乾燥機取出並冷卻至室溫。接著，測量已冷卻的試樣和鋁杯的總重量(w2)。然後，由以下式計算出感光性樹脂組成物中的不揮發成分的比例(重量%)。
式：不揮發量(重量%)=(w2-w0)/(w1-w0)×100
(感光劑)
本實施形態之感光性樹脂組成物可以含有感光劑。作為該感光劑，能夠使用藉由光而產生酸的化合物亦即光活性化合物。
作為感光劑的具體例，可舉出感光性二唑醌化合物；感光性二唑萘醌化合物；二芳基碘鎓鹽、三芳基硫鎓鹽或硫鎓/硼酸鹽等鎓鹽、2-硝基二苯乙二酮酯化合物、N-亞胺基磺酸化合物、醯亞胺磺酸化合物、2,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三
Figure 106130554-A0202-12-0023-53
化合物、及二氫吡啶化合物等。該等可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。其中，靈敏度及溶劑溶解性優異的感光性二唑醌化合物及感光性二唑萘醌化合物為較佳。作為該等之具體例，可舉出苯酚化合物之1,2-苯醌雙疊氮-4-磺酸酯、1,2-萘醌雙疊氮-4-磺酸酯及1,2-萘醌雙疊氮-5-磺酸酯等。
感光劑的含量相對於鹼可溶性樹脂100重量份較佳為1重量份以上且50重量份以下，更佳為5重量份以上且40重量份以下，進一步較佳為8重量份以上且35重量份以下。如此，能夠將感光性樹脂組成物的圖案化性能設為良好者。
(交聯劑)
本實施形態之感光性樹脂組成物可以含有交聯劑。作為該交聯劑，只要係具有可與鹼可溶性樹脂反應的基團之化合物則能夠使用公知的交聯劑。作為交 聯劑的具體例，可舉出環氧化合物、烷氧基甲基化合物、羥甲基化合物及氧雜環丁烷化合物等。作為交聯劑，上述具體例中，能夠使用1種或將2種以上組合使用。另外，作為交聯劑，上述具體例中，例如係將結構不同之2種以上組合使用為較佳。藉此，2種以上的交聯結構適當地彼此交織，而能夠提高鹼可溶性樹脂的分散性。並且，能夠進一步提高感光性樹脂組成物的硬化物的拉伸伸長率及拉伸彈性率等機械特性。
其中，從形成良好的耐熱性及機械特性優異的硬化膜之觀點考慮，作為交聯劑，例如係包含烷氧基甲基化合物或羥甲基化合物為較佳。
作為上述交聯劑適當之羥甲基化合物，具體而言，可舉出對二甲苯二醇等。
作為能夠用作上述交聯劑之環氧化合物的具體例，可舉出烯丙基縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二環氧丙基醚、新戊二醇二縮水甘油醚、甘油聚縮水甘油醚、山梨糖醇聚縮水甘油醚、雙酚A(或F)的縮水甘油醚等縮水甘油醚；己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯等縮水甘油酯；3,4-環氧環己基甲基(3,4-環氧環己烷)羧酸酯、3,4-環氧-6-甲基環己基甲基(3,4-環氧-6-甲基環己烷)羧酸酯、雙(3,4-環氧-6-甲基環己基甲基)己二酸酯、二環戊二烯氧化物、雙(2,3-環氧環戊基)醚、Daicel Corporation.製的CELLOXIDE2021、CELLOXIDE2081、CELLOXIDE2083、CELLOXIDE2085、CELLOXIDE8000、EPOLEAD GT401等脂環式環氧；2,2’-(((((1-(4-(2-(4-(環氧乙烷-2-基甲氧基)苯基)丙烷-2-基)苯基)乙烷-1,1-二基)雙(4,1-伸苯基))雙(氧基))雙(亞甲基))雙(環氧乙烷)(例如，Techmore VG3101L(Printec Corporation製))、EPOLIGHT 100MF(KyoeiSha chemical Co.，Ltd製)、EPIOL TMP(NOF CORPORATION製)、1,4-環己烷二甲醇二縮水甘油醚(New Japan Chemical co.,ltd.製、Showa Denko K.K.製等)等脂肪族縮水甘油醚；3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-雙(縮水甘油基氧 基)-1,1’-聯苯等芳香族縮水甘油醚；1,1,3,3,5,5-六甲基-1,5-雙(3-(環氧乙烷-2-基-甲氧基)丙基)三矽氧烷(例如，DMS-E09(GeleSt公司製))等。並且，例如能夠使用LX-01(DAISO CO.,LTD.製)、jER1001、jER1002、jER1003、jER1004、jER1007、jER1009、jER1010、jER828、jER825(商品名；MitSubiShi Chemical Corporation製)等雙酚A型環氧樹脂；jER807(商品名；MitSubiShi Chemical Corporation製)等雙酚F型環氧樹脂；jER152、jER154(商品名；MitSubiShi Chemical Corporation製)、EPPN201、EPPN202(商品名；Nippon Kayaku Co.，Ltd.製)等苯酚酚醛清漆型環氧樹脂；EOCN102、EOCN103S、EOCN104S、1020、1025、1027(商品名；Nippon Kayaku Co.，Ltd.製)、jER157S70(商品名；MitSubiShi Chemical Corporation製)等甲酚酚醛清漆型環氧樹脂；ARALDITE CY179、ARALDITE CY184(商品名；Huntsman Advanced Material製)、ERL-4206、4221、4234、4299(商品名；Dow Chemical Company製)、EPICLON200、EPICLON400(商品名；DIC Corporation製)、jER871、jER872(商品名；MitSubiShi Chemical Corporation製)等環狀脂肪族環氧樹脂；聚[(2-環氧乙烷基)-1,2-環己二醇]2-乙基-2-(羥甲基)-1,3-丙二醇醚(3：1)等多官能脂環式環氧樹脂；及EHPE-3150(Daicel Corporation.製)。感光性樹脂組成物能夠包含一種或二種以上的上述中例示之環氧化合物。
作為能夠用作上述交聯劑之氧雜環丁烷化合物的具體例，可舉出1,4-雙{[(3-乙基-3-氧雜環丁基)甲氧基]甲基}苯、雙[1-乙基(3-氧雜環丁基)]甲醚、4,4’-雙[(3-乙基-3-氧雜環丁基)甲氧基甲基]聯苯、4,4’-雙(3-乙基-3-氧雜環丁基甲氧基)聯苯、乙二醇雙(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、二乙二醇雙(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、雙(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)二酚酸酯、三羥基甲基丙烷三(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、新戊四醇四(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、聚[[3-[(3 -乙基-3-氧雜環丁基)甲氧基]丙基]矽倍半氧烷]衍生物、氧雜環丁基矽酸酯、苯酚酚醛清漆型氧雜環丁烷及1,3-雙[(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲氧基]苯等。感光性樹脂組成物能夠包含一種或二種以上上述中例示之氧雜環丁烷化合物。並且，感光性樹脂組成物能夠併用環氧化合物及氧雜環丁烷化合物。
作為能夠作為上述交聯劑而使用之其他具體例，可舉出1,4-雙(甲氧基甲基)苯、4,4’-聯苯二甲醇、4,4’-雙(甲氧基甲基)聯苯、HonShu Chemical InduStry Co.,Ltd.製的TMOM-BP、DML-DP、TMOM-BP-MF、SANWA CHEMICAL CO.,LTD.製的NIKALAC MX-270、MX-290、MX-370等含羥甲基或烷氧基甲基化合物、1,4-雙{[(3-乙基-3-氧雜環丁基)甲氧基]甲基}苯、雙[1-乙基(3-氧雜環丁基)]甲醚、4,4’-雙[(3-乙基-3-氧雜環丁基)甲氧基甲基]聯苯等含氧雜環丁基化合物等。該等可以單獨使用1種，亦可以將2種以上組合使用。
在本實施形態之感光性樹脂組成物中，交聯劑的含量相對於鹼可溶性樹脂100重量份較佳為1重量份以上且100重量份以下，更佳為2重量份以上且50重量份以下。當交聯劑的含量在上述範圍內時，能夠形成耐化學性及分辨率優異的硬化膜，因此為較佳。
(矽烷偶合劑)
本實施形態之感光性樹脂材料可以含有矽烷偶合劑。該矽烷偶合劑係含有有機矽者為較佳。如此，能夠提高藉由感光性樹脂組成物形成之樹脂膜的顯影時及硬化後相對於其他構件的密合性。
作為上述矽烷偶合劑的具體例，3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、對苯乙烯基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、N-2-(胺乙基)-3-胺丙基三乙氧基矽烷、3-胺丙基 三甲氧基矽烷、N-苯基-3-胺丙基三甲氧基矽烷及藉由使具有胺基的矽化合物與酸二酐或酸酐反應而獲得的矽化合物等。
並且，作為具有上述胺基的矽化合物的具體例，可舉出3-胺丙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺丙基三甲氧基矽烷、3-胺丙基甲基二甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺丙基三乙氧基矽烷及3-胺丙基三乙氧基矽烷等。該等可以單獨使用1種，亦可以將2種以上組合使用。
並且，作為上述酸二酐或酸酐的具體例，可舉出順丁烯二酸酐、氯順丁烯二酸酐、氰順丁烯二酸酐、檸康酸、鄰苯二甲酸酐、1,2,4,5-苯四甲酸酐、4,4’-二鄰苯二甲酸二酐、4,4’-氧二鄰苯二甲酸酐及4,4’-羰基二鄰苯二甲酸酐等。該等可以單獨使用1種，亦可以將2種以上組合使用。
作為鹼可溶性樹脂，當含有聚苯并
Figure 106130554-A0202-12-0027-54
唑前驅物或聚醯亞胺前驅物時，作為矽烷偶合劑，例如係包含由下述式(S1)或式(S2)表示之結構單元者為較佳。另外，在下述式(S1)、式(S2)中，沒有記載原子符號之部分表示任意原子。
像這樣含有與聚苯并
Figure 106130554-A0202-12-0027-55
唑前驅物、聚醯亞胺前驅物的結構單元類似的結構之矽烷偶合劑，藉此感光性樹脂組成物與密封材料之醯胺鍵彼此強力地相互作用。而且，在鹼可溶性樹脂、矽烷偶合劑具備芳香族環之態樣中，藉由π電子的堆疊而進一步強力地相互作用。因此，鹼可溶性樹脂與矽烷偶合劑相互作用，且該矽烷偶合劑與密封材料相互作用，藉此能夠提高由感光性樹脂組成物之硬化物構成的絶緣性樹脂膜與密封材料的密合性。並且，在絶緣性樹脂膜與密封材料的界面變得難以出現剝離、龜裂，並能夠提高半導體裝置之可靠性。
Figure 106130554-A0202-12-0028-2
Figure 106130554-A0202-12-0028-3
作為矽烷偶合劑，上述具體例中，例如，含有結構不同之2種以上為較佳，含有結構不同之3種以上為更佳。藉此，能夠提高相對於密封材料10的含有成分之感光性樹脂組成物的親和性。因此，能夠進一步提高感光性樹脂組成物的硬化物與密封材料10的密合性以及半導體裝置之可靠性。
作為結構不同之矽烷偶合劑，例如，含有包含由上述式(S1)表示之結構單元者及包含由上述式(S2)表示之結構單元者為較佳。
矽烷偶合劑的含量相對於鹼可溶性樹脂100重量份較佳為0.05重量份以上且50重量份以下，更佳為0.1重量份以上且20重量份以下，進一步較佳為0.5重量份以上且10重量份以下。藉由矽烷偶合劑的含量在上述範圍內，提高感光性樹脂組成物的保存性，並且藉由該組成物能夠形成相對於其他部件之密合性優異的樹脂膜。
(溶解促進劑)
本實施形態之感光性樹脂組成物可以含有溶解促進劑。溶解促進劑係提高使用感光性樹脂組成物而形成之塗膜相對於曝光部的顯影液之溶解性，而能夠改善圖案化時的浮渣之成分。作為該溶解促進劑，係具有苯酚性羥基之化合物為較佳。
作為鹼可溶性樹脂，當含有具備芳香族環的聚苯并
Figure 106130554-A0202-12-0029-56
唑前驅物或具備芳香族環的聚醯亞胺前驅物時，作為溶解促進劑，例如係具備聯苯酚型骨架者或具備雙酚A型骨架者為較佳。藉此，鹼可溶性樹脂的骨架與溶解促進劑相互作用，而能夠更提高鹼可溶性樹脂的分散性。
在此，作為具備聯苯酚型骨架之溶解促進劑，例如由下述通式(D1)表示者為較佳，並且，作為具備雙酚A型骨架者，例如由下述通式(D2)表示者為較佳。
Figure 106130554-A0202-12-0029-4
(上述通式(D1)中，R3至R12分別獨立地為氫、羥基或碳數1以上且10以下的有機基， R3至R7中之至少1個及R8至R12中之至少1個包含羥基。)
Figure 106130554-A0202-12-0029-5
(上述通式(D2)中，R3至R12分別獨立地為氫、羥基或碳數1以上且10以下的有機基，R3至R7中之至少1個及R8至R12中之至少1個包含羥基。)
上述通式(D1)、通式(D2)中之R3至R12分別獨立地為氫、羥基或碳數1以上且10以下的有機基，例如係氫、羥基或碳數1以上且5以下的有機 基為較佳，係氫、羥基或碳數1以上且3以下的有機基為較佳。
另外，R3至R12為1價有機基。在此，1價有機基表示原子價。亦即，表示R3至R12分別與其他原子鍵結的鍵結鍵為1個。
作為上述通式(D1)、通式(D2)中之具有構成R3至R12的有機基，具體而言，可舉出甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、新戊基、己基、庚基、辛基、壬基及癸基等烷基；烯丙基、戊烯基及乙烯基等烯基；乙炔基等炔基；次甲基及亞乙基等次烷基；苯基、萘基及蒽基等芳基；二苯乙二酮及苯乙基等芳烷基；金剛烷基、環戊基、環己基及環辛基等環烷基；甲苯基及二甲苯基等烷芳基等。
在上述通式(D1)、通式(D2)中，R3至R7中之至少1個及R8至R12中之至少1個包含羥基。從提高鹼可溶性樹脂的分散性之觀點考慮，例如，R5及R10包含羥基為較佳，R5及R10係羥基為更佳。
(界面活性劑)
本實施形態之感光性樹脂組成物可以含有界面活性劑。本實施形態之界面活性劑例如係包含氟基(例如，氟化烷基)及矽烷醇基之化合物或包含將矽氧烷鍵設為主骨架之化合物者。
在本實施形態中，作為上述界面活性劑，使用氟系界面活性劑或矽氧酮系界面活性劑為更佳，使用氟系界面活性劑為特佳。作為該氟系界面活性劑的具體例，可舉出DIC CORPORATION製的Magafac F-171、F-173、F-444、F-470、F-471、F-475、F-482、F-477、F-554、F-556及F-557；Sumitomo 3M Limited製的Novec FC4430及FC4432等。另外，氟系界面活性劑表示具備氟基之界面活性劑。
作為界面活性劑，例如包含氟系界面活性劑為較佳。藉此，能夠提高感光性樹脂組成物中之原料成分的整合性。因此，能夠提高鹼可溶性樹脂的分散性。 並且，藉由包含氟系界面活性劑，能夠提高相對於密封材料10之感光性樹脂組成物的整合性。因此，能夠提高塗佈性。
界面活性劑的含量相對於鹼可溶性樹脂100重量份較佳為0.005重量份以上且5重量份以下，更佳為0.01重量份以上且2重量份以下，最佳為0.01重量份以上且1重量份以下。藉此，能夠提高使用感光性樹脂組成物而獲得的樹脂膜的平坦性。
另外，感光性樹脂組成物除了上述各成分以外，依據需要還可以包含硬化劑、抗氧化劑、填充劑及增感劑等添加物。
(溶劑)
感光性樹脂組成物可以含有溶劑。此時，感光性樹脂組成物例如成為清漆狀。
作為該溶劑的具體例，可舉出N-甲基-2-吡咯烷酮、γ-丁內酯(GBL)、N,N-二甲基乙醯胺、二甲基亞碸、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘乙二醇二丁醚、丙二醇單甲醚、二丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、甲基-1,3-丁二醇乙酸酯、1,3-丁二醇-3-單甲醚、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯及甲基-3-甲氧基丙酸酯等。該等可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。
作為溶劑，上述具體例中，例如係具備酯鍵者為較佳。並且，作為具備酯鍵之溶劑，例如係雜環式化合物為較佳。作為雜環式化合物，例如係包含內酯環者為較佳。
本發明人等，對鹼可溶性樹脂與溶劑的組合進行了研究。其結果，作為鹼可溶性樹脂，在結構單元中包含芳香族環者，相對於溶劑之分散性低。在鹼可溶性樹脂的分散性低之習知之感光性樹脂組成物中，由感光性樹脂組成物構成的液滴的表面張力不會成為上述之特定的數值範圍內。此時，感光性樹脂組成 物的塗佈性低，無法製作出半導體裝置。並且，即使對塗佈下功夫而製作出半導體裝置，絶緣性樹脂膜與密封材料的密合性亦低，而且，存在導致半導體裝置之可靠性下降這一不良情況。於是，本發明人等，對能夠適當地分散在其結構單元中包含芳香族環的鹼可溶性樹脂之溶劑進行了研究，其結果，具備上述特定的官能基及結構之溶劑明確了鹼可溶性樹脂的分散性優異。
溶劑的含量例如相對於鹼可溶性樹脂100重量份，係100重量份以上為較佳，130重量份以上為更佳。並且，溶劑的含量例如相對於鹼可溶性樹脂100重量份係300重量份以下為較佳，250重量份以下為更佳。藉此，能夠更有效地提高感光性樹脂組成物的操作性。
<半導體密封用樹脂組成物>
作為本實施形態之半導體密封用樹脂組成物，例如可舉出含有熱固化性樹脂、無機填充材料及硬化劑之環氧樹脂組成物。
(熱固化性樹脂)
作為熱固化性樹脂的具體例，可舉出苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、雙酚A酚醛清漆樹脂及含三
Figure 106130554-A0202-12-0032-57
骨架苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂；未改質之可溶酚樹脂、由桐油、亞麻油及核桃油等改質之油改質可溶酚樹脂等可溶型酚醛清漆樹脂等酚樹脂；雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚E型環氧樹脂、雙酚M型環氧樹脂、雙酚P型環氧樹脂及雙酚Z型環氧樹脂等雙酚型環氧樹脂；苯酚酚醛清漆型環氧樹脂及甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等酚醛清漆型環氧樹脂；聯苯型環氧樹脂、芳烷基聯苯型環氧樹脂、芳基伸烷基型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、苯氧基型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、降茨烯型環氧樹脂、金剛烷型環氧樹脂及茀型環氧樹脂等的環氧樹脂；脲醛(尿素)樹脂及三聚氰胺樹脂等具有三
Figure 106130554-A0202-12-0032-58
環的樹脂；不飽和聚酯樹脂；聚矽胺化合物等馬來醯亞胺樹脂；聚胺酯樹脂；二烯丙基鄰苯二 甲酸酯樹脂；矽氧酮樹脂；苯并
Figure 106130554-A0202-12-0033-59
樹脂；氰酸酯樹脂；聚醯亞胺樹脂；聚醯胺醯亞胺樹脂；苯并環丁烯樹脂、酚醛清漆型氰酸酯樹脂、雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚E型氰酸酯樹脂及四甲基雙酚F型氰酸酯樹脂等雙酚型氰酸酯樹脂等。其中，可以單獨使用1種，亦可以併用具有不同之重量平均分子量的2種以上，還可以併用1種或2種以上和該等預聚物。
熱固化性樹脂的含量相對於半導體密封用樹脂組成物總量，較佳為1質量%以上且38質量%以下，進一步較佳為1.5質量%以上且35質量%以下，更佳為2質量%以上且30質量%以下，最佳為3質量%以上且25質量%以下。藉由將熱固化性樹脂的含量設成上述數值範圍以上，能夠抑制熱固化性樹脂的流動性下降。並且，藉由將熱固化性樹脂的含量設成上述數值範圍以下，能夠抑制熱固化性樹脂的熱放散性的下降。
並且，作為上述熱固化性樹脂，係使用環氧樹脂為較佳。作為上述環氧樹脂，與其分子量、分子結構無關，能夠使用1個分子內具有2個以上環氧基的單體、寡聚物及所有聚合物。作為該等環氧樹脂的具體例，可舉出聯苯型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、茋型環氧樹脂及對苯二酚型環氧樹脂等晶體性環氧樹脂；甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂及萘酚酚醛清漆型環氧樹脂等酚醛清漆型環氧樹脂；含伸苯基骨架之苯酚芳烷基型環氧樹脂、含亞聯苯骨架中苯酚芳烷基型環氧樹脂及含伸苯基骨架之萘酚芳烷基型環氧樹脂等苯酚芳烷基型環氧樹脂；三苯甲烷型環氧樹脂及烷基改質三苯甲烷型環氧樹脂等3官能型環氧樹脂；二環戊二烯改質苯酚型環氧樹脂及萜烯改質苯酚型環氧樹脂等改質苯酚型環氧樹脂；以及含三
Figure 106130554-A0202-12-0033-60
環氧樹脂等含雜環環氧樹脂等，該等可以單獨使用1種，亦可以將2種以上組合使用。
在半導體密封用樹脂組成物中可以含有硬化劑。上述硬化劑只要係與熱固化性樹脂反應而被硬化者即可。在此，作為能夠在作為熱固化性樹脂 使用環氧樹脂時使用的硬化劑的具體例，可舉出乙二胺、三亞甲基二胺、四亞甲基二胺及六亞甲基二胺等碳數2~20的直鏈脂肪族二胺；間苯二胺、對苯二胺、對二甲苯二胺、4,4’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯基丙烷、4,4’-二胺基二苯基醚、4,4’-二胺基二苯碸、4,4’-二胺基二環己烷、雙(4-胺基苯基)苯基甲烷、1,5-二胺基萘烷、間二甲苯二胺、對二甲苯二胺、1,1-雙(4-胺基苯基)環己烷及二氰基二胺等胺類；苯胺改質可溶樹脂及二甲醚可溶樹脂等可溶型酚樹脂；苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂及壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂；含伸苯基骨架之苯酚芳烷基樹脂及含亞聯苯骨架苯酚芳烷基樹脂等苯酚芳烷基樹脂；如萘骨架及蒽骨架那樣具有縮合多環結構的酚樹脂；聚對羥基苯乙烯等聚氧苯乙烯；包含六氫鄰苯二甲酸酐(HHPA)及甲基四氫鄰苯二甲酸酐(MTHPA)等脂環族酸酐、1,2,4-苯三甲酸酐(TMA)、1,2,4,5-苯四甲酸酐(PMDA)、二苯基酮四羧酸(BTDA)等芳香族酸酐等的酸酐等；多硫化物醚、硫酯及硫醚等聚硫醇化合物；異氰酸酯預聚物及嵌段化異氰酸酯等異氰酸酯化合物；含羧酸之聚酯樹脂等有機酸類等。該等可以單獨使用1種，亦可以將2種以上組合使用。其中，從提高密封材料10的耐濕性、可靠性之觀點考慮，係1個分子內具有至少2個苯酚性羥基的化合物為較佳，作為其具體例，苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂及壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂；可溶型酚樹脂；聚對羥基苯乙烯等聚氧苯乙烯；含伸苯基骨架苯酚芳烷基樹脂、含伸聯苯骨架苯酚芳烷基樹脂等。
在半導體密封用樹脂組成物中可以含有硬化促進劑。上述硬化促進劑例如只要係促進環氧基等官能基與硬化劑的硬化反應者即可，作為其具體例，可舉出1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一碳烯-7等二氮雜雙環烯烴及其衍生物；三丁基胺及二苯乙二酮二甲基胺等胺系化合物；2-甲基咪唑等咪唑化合物；三 苯鏻及甲基二苯鏻等有機鏻類；四苯硼酸四苯鏻、四苯甲酸硼酸四苯鏻、四萘甲酸硼酸四苯鏻、四萘甲醯氧基硼酸四苯鏻及四萘氧基硼酸四苯鏻等四取代鏻四取代硼酸鹽；加成苯醌之三苯鏻等。該等可以單獨使用1種，亦可以將2種以上組合使用。
並且，在半導體密封用樹脂組成物中除了上述成分以外，依據需要還可以摻合γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷等矽烷偶合劑；炭黑等著色劑；天然蠟、合成蠟及高級脂肪酸或其金屬鹽類；石蠟、石蠟氧化物或氧化聚乙烯等石蠟系蠟等脫模劑；矽氧油及矽氧橡膠等低應力劑；水滑石等離子捕獲劑；氫氧化鋁等阻燃劑；抗氧化劑等各種添加劑。
當半導體密封用樹脂組成物含有石蠟系蠟等脫模劑時，存在習知之感光性樹脂組成物與半導體密封用樹脂組成物的親和性差，且塗佈性差這一不良情況。然而，在本實施形態中，該感光性樹脂組成物與半導體密封用樹脂組成物的親和性高，因此即使在半導體密封用樹脂組成物包含脫模劑時亦能夠發現良好的塗佈性之觀點上非常方便。
並且，半導體密封用樹脂組成物例如包含矽烷偶合劑為較佳。藉此，能夠提高密封用樹脂組成物與感光性樹脂組成物的親和性，並能夠提高感光性樹脂組成物的塗佈性。另外，當感光性樹脂組成物包含由上述式(S1)或式(S2)表示之結構單元時，密封用樹脂組成物作為矽烷偶合劑包含胺基矽烷為較佳。藉此，密封用樹脂組成物及感光性樹脂組成物中包含之矽烷偶合劑彼此發揮源自醯胺鍵的相互作用，能夠進一步提高塗佈性。
<黏著構件200>
本實施形態之黏著構件200只要係能夠黏著半導體晶片40者，則並無特別限定，例如，可以係由支撐薄膜及黏結劑層構成者。
支撐薄膜的構成材料並無特別限定，例如，係含有選自由聚乙 烯、聚丙烯、乙烯/丙烯共聚物、聚烯烴、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚對酞酸乙二酯、聚對酞酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚胺酯、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物、乙烯/(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯/(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、乙烯基聚異戊二烯、聚碳酸酯、聚伸苯基硫醚、聚醚醚酮、丙烯腈丁二烯苯乙烯共聚物、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺及氟樹脂組成的群中之1種以上樹脂者為較佳。
並且，為了提高與黏結劑層的密合性，能夠對支撐薄膜的表面實施化學或物理性表面處理。另外，在不破壞發明的效果之範圍內，在支撐薄膜中可以包含有各種添加劑(填充材料、增塑劑、抗氧化劑、阻燃劑、抗靜電劑)。
並且，作為黏著構件200的黏結劑層能夠使用由含有丙烯酸系黏結劑、橡膠系黏結劑、乙烯烷基醚系黏結劑、矽氧酮系黏結劑及聚酯系黏結劑等的第一樹脂組成物構成者，其中係丙烯酸系黏結劑為較佳。
以上，參閲圖式對本發明的實施形態進行了敘述，但該等係本發明之例示，亦能夠採用上述以外之各種結構樣。
[實施例]
以下，藉由實施例及比較例對本發明進行說明，但本發明並不限定於此。
<合成例1>
．鹼可溶性樹脂(A-1)的合成
在具備溫度計、攪拌機、原料投入口及乾燥氮氣導入管的4口玻璃製分離式燒瓶內加入使206.6g(0.8mol)的二苯醚-4,4’-二羧酸與245.0g(1.6mol)的1-羥基-1,2,3-苯并三唑一水合物反應而得到的二羧酸衍生物的混合物422.8g(0.8mol)、232.5g(0.9mol)的2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)丙烷及23.2g (0.200mol)的3-胺基-5-巰基-1,2,4-三唑。然後，在上述分離式燒瓶內添加1583g的N-甲基-2-吡咯烷酮，並溶解了各原料成分。接著，使用油浴，在90℃反應了5小時。接著，在上述分離式燒瓶內添加68.9g(0.4mol)的4-乙炔基鄰苯二甲酸酐及68.9g的N-甲基-2-吡咯烷酮，在90℃攪拌3小時的同時使其反應之後，冷卻至23℃而結束了反應。
將過濾分離式燒瓶內的反應混合物而得到的過濾物投入到水/異丙醇=3/1(容積比)的溶液中。然後，濾出沉澱物，用水充分清洗之後，在真空條件下，乾燥該沉澱物。如此，得到了由下述式(2)表示之聚苯并
Figure 106130554-A0202-12-0037-61
唑前驅物亦即聚醯胺樹脂而作為鹼可溶性樹脂(A-1)。並且，得到的鹼可溶性樹脂(A-1)的重量平均分子量為17,040。
Figure 106130554-A0202-12-0037-6
<合成例2>
．鹼可溶性樹脂(A-2)的合成
在具備溫度計、攪拌機、原料投入口及乾燥氮氣導入管的4口玻璃製分離式燒瓶內加入129.2g(0.5mol)的2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)丙烷。然後，上述分離式燒瓶內添加1290mL的丙酮，溶解了2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)丙烷。接著，一邊將預先在丙酮100mL中溶解了185.6g(1.0mol)的4-硝基苯甲醯氯而得到的溶液以溫度達到小於20℃的方式冷卻，一邊在上述分離式燒瓶內經30分鐘滴加並混合。接著，將得到的混合液的溫度加熱至40℃後攪拌了2小時之後，緩慢添加138.0g(1.0mol)的碳酸鉀，然後再攪拌了2小時。然後，不加熱混合液，在室溫下再攪拌了18小時。接著，一邊激烈地攪拌混合液，一邊 緩慢添加氫氧化鈉水溶液之後，加溫至55℃後再攪拌了30分鐘。攪拌結束後，將混合液冷卻至室溫之後，使用10重量%的鹽酸水溶液進行pH調整，以使該混合液的pH成為6.0~7.0的範圍內。接著，用水清洗濾出混合液中析出的析出物而得到濾液之後，在60~70℃的溫度下進行乾燥，得到了雙-N,N’-(對硝基苯甲醯基)-2,2-雙(4-羥基苯基)丙烷之固體。
接著，將得到的固體557g添加到由3340g的丙酮及1670g的甲醇構成之混合溶劑中，藉由加熱至50℃，完全溶解了該固體。接著，一邊經30分鐘添加50℃的純水3340mL，一邊加熱至65℃。然後，緩慢冷卻至室溫而濾出析出的晶體之後，藉由在70℃進行乾燥而提純，得到了由下述式(3)表示之雙-N,N’-(對硝基苯甲醯基)-2,2-雙(4-羥基苯基)丙烷。
Figure 106130554-A0202-12-0038-7
接著，在1L燒瓶內加入以上述方法得到的278g的雙-N,N’-(對硝基苯甲醯基)-2,2-雙(4-羥基苯基)丙烷之後，藉由在該燒瓶內再添加5重量%的鈀-碳觸媒14g及醋酸乙酯2500g而得到了懸濁液。接著，對上述燒瓶內吹掃氫氣，一邊以成為50~55℃的溫度的方式加熱，一邊振蕩35分鐘而進行了還原反應。反應結束後，冷卻至35℃，並且向燒瓶內的懸濁液吹掃氮氣。接著，藉由濾出懸濁液，去除上述鈀-碳觸媒之後，藉由將得到的濾液通過蒸發器，使溶劑成分蒸發。藉由將如此得到的生成物在90℃進行乾燥，得到了由下述式(4)表示之雙-N,N’-(對胺基苯甲醯基)-2,2-雙(4-羥基苯基)丙烷。
Figure 106130554-A0202-12-0039-8
在具備溫度計、攪拌機、原料投入口及乾燥氮氣導入管的4口玻璃製分離式燒瓶內加入以上述方法得到的雙-N,N’-(對胺基苯甲醯基)-2,2-雙(4-羥基苯基)丙烷446.9g(0.9mol)及3-胺基-5-巰基-1,2,4-三唑23.2g(0.200mol)。接著，在該分離式燒瓶內添加705g的γ-丁內酯並使其溶解。接著，在分離式燒瓶內添加248.2g(0.8mol)的4,4’-氧雙鄰苯二甲酸酐及372g的γ-丁內酯之後，在23℃攪拌混合18小時。然後，添加N,N-二甲基甲醯胺二甲基縮醛35.7g(0.3mol)，而在23℃再攪拌混合5小時後結束了反應。
將過濾分離式燒瓶內的反應混合物而得到的過濾物投入到水/異丙醇=3/1(容積比)的溶液中。然後，濾出沉澱物，並用水充分清洗之後，在真空條件下，乾燥了該沉澱物。如此，得到了由下述式(5)表示之聚醯亞胺前驅物及聚苯并
Figure 106130554-A0202-12-0039-62
唑前驅物亦即聚醯胺樹脂而作為鹼可溶性樹脂(A-2)。並且，得到的鹼可溶性樹脂(A-2)的重量平均分子量為15,200。
Figure 106130554-A0202-12-0039-9
<合成例3>
．鹼可溶性樹脂(A-3)的合成
在具備溫度計、攪拌機、原料投入口及乾燥氮氣導入管的4口玻璃製分離式燒瓶內加入232.5g(0.9mol)的2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)丙烷及23.2g(0.200mol)的3-胺基-5-巰基-1,2,4-三唑。接著，在該分離式燒瓶內添加597g的N-甲基-2-吡咯烷酮並使其溶解。接著，將預先在N-甲基-2-吡咯 烷酮499g中溶解了118.0g(0.4mol)的4,4’-氧基二苯甲醯氯及95.7g(0.4mol)的癸二醯氯而得到的溶液以溫度成為小於20℃的方式冷卻的同時經30分鐘滴加到上述分離式燒瓶內。滴加結束後，在室溫下攪拌24小時。接著，添加68.9g(0.4mol)的4-乙炔基鄰苯二甲酸酐及68.9g的N-甲基-2-吡咯烷酮，再攪拌混合24小時後結束了反應。
將過濾分離式燒瓶內的反應混合物而得到的過濾物投入到水/異丙醇=3/1(容積比)的溶液中。然後，濾出沉澱物，並用水充分清洗之後，在真空條件下，乾燥了該沉澱物。如此，得到了由下述式(6)表示之聚苯并
Figure 106130554-A0202-12-0040-63
唑前驅物亦即聚醯胺樹脂而作為鹼可溶性樹脂(A-3)。並且，得到的鹼可溶性樹脂(A-3)的重量平均分子量為17,040。
Figure 106130554-A0202-12-0040-10
<合成例4>
．鹼可溶性樹脂(A-4)的合成
在具備溫度計、攪拌機、原料投入口及乾燥氮氣導入管的4口玻璃製圓底燒瓶內裝入100.1g(0.50mol)的4,4-二羥基二苯基甲烷、63.1g(0.50mol)的間苯三酚、169.6g(0.7mol)的4,4’-雙(甲氧基甲基)聯苯、7.7g(0.05mol)的硫酸二乙酯及340g的γ-丁內酯之後，一邊油浴該圓底燒瓶且使反應液回流，一邊在100℃進行6小時的縮聚反應。接著，將得到的反應液冷卻至室溫之後，將800g的γ-丁內酯添加到圓底燒瓶內並進行攪拌混合直至達到均勻。然後，藉由將圓底燒瓶內的反應液滴加混合於10L水中，以析出樹脂成分。接著，濾出已析出的樹脂成分並回收之後，藉由進行50℃的真空乾燥，得到了由下述式(7)表示之酚樹脂而作為鹼可溶性樹脂(A-4)。得到的鹼可溶性樹脂(A-4)的重量平 均分子量為9,800。
Figure 106130554-A0202-12-0041-11
<合成例5>
．感光劑(B-1)的合成
在具備溫度計、攪拌機、原料投入口及乾燥氮氣導入管的4口分離式燒瓶內加入11.04g(0.026mol)的TrisP-PA(HonShu Chemical InduStry Co.,Ltd.製)、18.81g(0.070mol)的1,2-萘醌-2-雙疊氮-4-磺醯氯及170g的丙酮，攪拌並使其溶解。
接著，使用恆溫水槽而一邊以反應溶液的溫度成為35℃以上的方式冷卻燒瓶，一邊在該燒瓶內緩慢滴加混合了三乙胺7.78g(0.077mol)及丙酮5.5g的混合溶液。滴加後，在室溫下反應3小時，添加1.05g(0.017mol)的乙酸並再反應30分鐘。
接著，將過濾分離式燒瓶內的反應混合物而得到的濾液投入到由990mL的水及10mL的乙酸構成的混合溶液中。然後，濾出沉澱物，用水充分清洗之後，在真空條件下，乾燥了該沉澱物。如此，得到了由下述式(8)表示之二唑萘醌化合物而作為感光劑(B-1)。
Figure 106130554-A0202-12-0041-13
<合成例6>
．矽烷偶合劑(D-2)的合成
在具備攪拌機及冷卻管的適當之尺寸的反應容器內將45.6g(300mmol)的環己烯-1,2-二羧酸酐溶解於970g的γ-丁內酯中，並使用恆溫槽進行溫度調整，以使溶液的溫度成為30℃。接著，經60分鐘向反應容器內滴加混合了62g(280mmol)的3-胺丙基三乙氧基矽烷。滴加結束後，藉由在30℃攪拌混合18小時，得到了由下述式(9)表示之矽烷偶合劑(D-2)。
Figure 106130554-A0202-12-0042-14
<合成例7>
．矽烷偶合劑(D-3)的合成
在具備攪拌機及冷卻管的適當之尺寸的反應容器內，將32.2g(100mmol)的，3,3’,4,4’-二苯基酮四羧酸二酐溶解成669g的γ-丁內酯，並使用恆溫槽進行溫度調整，以使溶液的溫度成為30℃。接著，經60分鐘向反應容器內滴加混合了42.1g(190mmol)的3-胺丙基三乙氧基矽烷。滴加結束後，藉由在30℃攪拌混合18小時，得到了由下述式(10)表示之矽烷偶合劑(D-3)。
Figure 106130554-A0202-12-0042-30
<感光性樹脂組成物的製作>
製作出各實施例，各比較例的半導體裝置的製造中使用之感光性樹脂組成 物。以下，進行詳細說明。
首先，依照下述表1中所示之摻合量，將溶劑(G)以外之各原料成分溶解於下述表1中所示之量的溶劑(G)中，以使摻合後的黏度成為約500mPa．s，然後在氮環境下進行了攪拌。然後，用孔徑0.2μm的聚乙烯製過濾器進行過濾而得到了濾液而作為清漆狀的感光性樹脂組成物。
下述中示出感光性樹脂組成物的原料成分。
[鹼可溶性樹脂(A)]
．鹼可溶性樹脂A-1：藉由上述合成例1得到的鹼可溶性樹脂(A-1)(聚醯胺樹脂)
．鹼可溶性樹脂A-2：藉由上述合成例2得到的鹼可溶性樹脂(A-2)(聚醯胺樹脂)
．鹼可溶性樹脂A-3：藉由上述合成例3得到的鹼可溶性樹脂(A-3)(聚醯胺樹脂)
．鹼可溶性樹脂A-4：藉由上述合成例4得到的鹼可溶性樹脂(A-4)(酚樹脂)
．鹼可溶性樹脂A-5：聚羥基苯乙烯樹脂(Maruzen Petrochemical CO,LTD.製，MARUKAIYNCUY S-1P)
[感光劑(B)]
．感光劑B-1：藉由上述合成例5得到的感光劑(B-1)(二唑萘醌化合物)
[熱交聯劑(C)]
．熱交聯劑C-1：對二甲苯二醇(Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.製，下述式(11)中的(C-1))
．熱交聯劑C-2：四甲氧基甲基甘脲(SANWA CHEMICAL CO.,LTD.製，NIKALAC MX-270，下述式(11)中的(C-2))
Figure 106130554-A0202-12-0044-16
[矽烷偶合劑(D)]
．矽烷偶合劑D-1：3-甲基丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷(Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.製)
．矽烷偶合劑D-2：藉由上述合成例6得到的矽烷偶合劑
．矽烷偶合劑D-3：藉由上述合成例7得到的矽烷偶合劑
[溶解促進劑(E)]
．溶解促進劑E-1：4,4’-聯苯酚(HonShu Chemical InduStry Co.,Ltd.製，下述式(12)中的(E-1))
．溶解促進劑E-2：2,2’-雙(4-羥基-3,5-二甲基苯)丙烷(HonShu Chemical InduStry Co.,Ltd.製，Bis-26X-A，下述式(12)中的(E-2))
Figure 106130554-A0202-12-0044-17
[界面活性劑(F)]
．界面活性劑F-1：氟系界面活性劑(DIC CORPORATION製，Magafac F-556)
．界面活性劑F-2：氟系界面活性劑(Sumitomo 3M Limited製，FC4430)
[溶劑(G)]
．溶劑G-1：γ-丁內酯(GBL)
．溶劑G-2：丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)
．溶劑G-3：甲醯胺
對得到的各實施例及比較例1之清漆狀的感光性樹脂組成物進行了下述所示之測量及評價。將測量結果及評價結果示於下述表1中。
．液滴的表面張力：對得到的各實施例及比較例1之清漆狀的感光性樹脂組成物，藉由以下詳細示出之懸濁法，測量了由該感光性樹脂組成物構成的液滴的表面張力。另外，單位為mN/m。
首先，將清漆狀的感光性樹脂組成物填充於帶18G針體的注射器，並使用全自動接觸角測量儀(Kyowa Interface Science Co.,Ltd製，DM-901)，製作出由該感光性樹脂組成物構成的5μL的液滴。接著，藉由young-Laplace法，對已製作出的液滴的形狀進行分析並測量了該液滴的表面張力。
．硬化物的玻璃轉移溫度(Tg)：藉由在氮環境下，且在230℃、90分鐘的條件下，對得到的實施例1~11及比較例1之清漆狀的感光性樹脂組成物進行熱處理而使其硬化，得到了由該感光性樹脂組成物的硬化物構成的試驗片(30mm×5mm×10μm厚度)。接著，使用熱機械分析裝置(Seiko Instruments Inc.製，TMA/SS6000)，測量了以10℃/分鐘的升溫速度得到的試驗片的熱膨脹率。接著，依據得到的測量結果，從熱膨脹率的拐點計算出硬化物的玻璃轉移溫度(Tg)。另外，單位為℃。
．硬化物的拉伸伸長率：藉由在氮環境下，且在230℃、90分鐘的條件下，對得到的實施例1~11及比較例1之清漆狀的感光性樹脂組成物進行熱處理而使其硬化，得到了由該感光性樹脂組成物的硬化物構成的試驗片(10mm×60mm×10μm厚)度。接著，對得到的試驗片，使用拉伸試驗機 (ORIENTEC CORPORATION製，Tensilon RTC-1210A)，在23℃環境下，藉由依照JIS K7161之方法實施拉伸試驗，測量了試驗片的拉伸伸長率。另外，拉伸伸長率的單位為%。並且，拉伸試驗中之拉伸速度設成5mm/分鐘。將評價結果示於下述表1中。
．硬化物的拉伸彈性率：藉由在氮環境下，且在230℃、90分鐘的條件下，對得到的實施例1~11及比較例1之清漆狀的感光性樹脂組成物進行熱處理而使其硬化，得到了由該感光性樹脂組成物的硬化物構成的試驗片(10mm×60mm×10μm厚)。接著，對得到的試驗片，使用拉伸試驗機(ORIENTEC CORPORATION製，Tensilon RTC-1210A)，在23℃環境下，藉由依照JIS K7161之方法實施拉伸試驗，並依據得到的測量結果製作出應力-應變曲線。接著，從製作出的應力-應變曲線的初始梯度計算出拉伸彈性率。另外，拉伸彈性率的單位為GPa。並且，拉伸試驗中之拉伸速度設成5mm/分鐘。將評價結果示於下述表1中。
並且，關於得到的實施例12之清漆狀的感光性樹脂組成物，除了在氮環境下，且在溫度180℃、90分鐘的條件下，對清漆狀的感光性樹脂組成物進行熱處理而使其硬化以外，在與上述實施例1~11及比較例1之清漆狀的感光性樹脂組成物相同的條件下，計算出硬化物的玻璃轉移溫度、拉伸伸長率及拉伸彈性率。
將評價結果示於下述表1中。
並且，關於得到的實施例13之清漆狀的感光性樹脂組成物，除了氮環境下，且在溫度250℃、90分鐘的條件下，對清漆狀的感光性樹脂組成物進行熱處理而使其硬化以外，在與上述實施例1~11及比較例1之清漆狀的感光性樹脂組成物相同的條件下，計算出硬化物的玻璃轉移溫度、拉伸伸長率及拉伸彈性率。
將評價結果示於下述表1中。
<半導體裝置的製作>
藉由以下方法製作出各實施例之半導體裝置。
．半導體晶片內置密封材料樹脂基板的製作
首先，將在表面具備鋁電路且以10mm×10mm的大小切片的模擬元件晶圓以縱橫分別隔著10mm的間隔來配置在黏貼有熱剝離性薄膜的SUS製的載體中之貼附有上述薄膜的一側的面上。此時，在模擬元件晶圓中以使鋁電路朝向與上述熱剝離性薄膜對置的一側的面的方式配置該模擬元件晶圓。接著，使用壓縮成形機，在模具溫度125℃、成形壓力5MPa、硬化時間10分鐘的條件下，以埋設模擬元件晶圓的方式，對由環氧樹脂組成物(Sumitomo Bakelite Co.,Ltd.製)的硬化物構成的密封材料進行了成形。另外，環氧樹脂組成物係包含作為環氧樹脂之多官能環氧樹脂、作為硬化劑之多官能酚樹脂、作為無機填充材料之二氧化矽、作為偶合劑之胺基矽烷偶合劑及作為脫模劑之石蠟系蠟者。
接著，使用加熱至200℃的加熱板一邊對熱剝離性薄膜進行加熱，一邊從載體剝離，然後，藉由在175℃、4小時的條件下，進行後硬化(後熟化)，得到了內置有圖1(c)所示之半導體晶片的密封材料樹脂基板(複數個半導體晶片被埋入於密封材料的內部之結構體，以下，亦稱為晶片內置密封材料樹脂基板。)。
．第1絶緣性樹脂膜的形成
首先，對藉由上述方法得到的晶片內置密封材料樹脂基板中之配設有半導體晶片的一側的面，使用間歇式等離子處理裝置(March公司製，AP-1000)，在輸出能800W、氣體量200sccm、時間1分鐘的條件下，實施了氧等離子處理。接著，使用旋轉塗佈機，對晶片內置密封材料樹脂基板中之配設有半導體晶片的一側的面，塗佈藉由上述方法製作的清漆狀的感光性樹脂組成物之後，藉由 加熱板進行120℃、4分鐘的預烘處理，形成了膜厚約9.0μm的樹脂膜。接著，對半導體晶片的鋁電路，經由光掩模，使用寬頻帶曝光機(Micro‧tec company,Ltd.製，MA-8 SUSS)進行了充分的曝光處理。然後，在2.38重量%的四甲基氫氧化銨水溶液中，關於樹脂膜的膜厚，以預烘後的膜厚與顯影後的膜厚之差成為1.5μm的方式，一邊調節顯影時間一邊進行2次攪拌顯影處理，藉此溶解去除曝光部，然後用純水沖洗10秒鐘。然後，藉由在氧環境下，且在230℃、90分鐘的條件下，進行熱處理而使其硬化，以使鋁電路的一部分露出的方式製作出設置有開口部的絶緣性樹脂膜。以下，將具備上述絶緣性樹脂膜的晶片內置密封材料樹脂基板，亦以帶樹脂膜的密封材料基板來表示。
另外，實施例12與實施例1相同地使用感光性樹脂組成物，並藉由將樹脂膜的硬化條件設為氧環境下、溫度180℃ 30分鐘來製作出絶緣性樹脂膜。
並且，實施例13與實施例1相同地使用感光性樹脂組成物，並藉由將樹脂膜的硬化條件設為氧環境下、於溫度250℃ 30分鐘來製作出絶緣性樹脂膜。
．配線層的形成
在藉由上述方法得到的帶樹脂膜的密封材料基板中之開口部內露出的鋁電路及絶緣性樹脂膜之上部，使用濺射裝置及抗蝕劑，形成了依次安裝500Å的Ti膜及3000Å的Cu膜而成之濺射膜。接著，在上述濺射膜上，使用Cu形成厚度7μm的鍍膜。然後，去除抗蝕劑之後，藉由用化學液對上述濺射層進行蝕刻，得到了具有由Cu構成的配線層(Cu配線層)之帶Cu配線層之密封材料基板。
．第2絶緣性樹脂膜的形成
對藉由上述方法得到的帶Cu配線層的密封材料基板中之配設有Cu配線層的一側的面，使用間歇式等離子處理裝置(March公司製，AP-1000)，在輸出能800W、氣體量200sccm、時間1分鐘的條件下，實施了氧等離子處理。接著，使用旋轉塗佈機，對帶Cu配線層的密封材料基板中之配設有Cu配線層的一側的面， 塗佈藉由上述方法製作的清漆狀的感光性樹脂組成物之後，藉由用加熱板進行120℃、4分鐘的預烘處理，形成了膜厚約11.0μm的樹脂膜。接著，在帶Cu配線層的密封材料基板中配設有半導體晶片的區域外形成的Cu配線層的一部分，經由光掩模，使用寬頻帶曝光機(Micro‧tec company,Ltd.製，MA-8 SUSS)進行了充分的曝光處理。然後，在2.38重量%的四甲基氫氧化銨水溶液中，關於樹脂膜的膜厚，以使預烘後的膜厚與顯影後的膜厚之差成為1.5μm的方式，藉由一邊調節顯影時間一邊進行2次攪拌顯影處理，溶解去除曝光部之後，用純水沖洗10秒鐘。然後，藉由在氧環境下，且在230℃、90分鐘的條件下，進行熱處理而使其硬化，製作出以使Cu配線層的一部分露出的方式設置有開口部的絶緣性樹脂膜，得到了希望的半導體裝置。
對得到的半導體裝置及藉由依據上述半導體裝置的製造方法之方法製作出的結構體，進行了下述中所示的測量及評價。將測量結果及評價結果示於下述表1中。
．相對於感光性樹脂組成物的密封材料之塗佈性：首先，以與上述方法相同的方法，製作出大小為35mm×35mm×300μm厚度的半導體晶片內置密封材料樹脂基板。接著，對得到的半導體晶片內置密封材料樹脂基板中之配設有半導體晶片的一側的面，使用間歇式等離子處理裝置(March公司製，AP-1000)，在輸出能800W、氣體量200sccm、時間1分鐘的條件下，實施了氧等離子處理。接著，使用旋轉塗佈機，對半導體晶片內置密封材料樹脂基板中之配設有半導體晶片的一側的面，以使膜厚成為10μm的方式塗佈藉由上述方法製作的實施例1~13、比較例1之清漆狀的感光性樹脂組成物。然後，藉由用加熱板進行120℃、4分鐘的預烘處理，得到了評價用結構體。依據以下基準對該結構體中之由感光性樹脂組成物構成的樹脂膜的外觀進行了評價。另外，在半導體裝置的製造步驟上，從端部起切斷5mm的區域來使用半導體晶片內置密封材 料樹脂基板。因此，在5mm以內的區域產生有凹陷者在實際使用沒有問題。
◎：在半導體晶片內置密封材料樹脂基板的表面整體形成有良好形狀之樹脂膜。
○：在從半導體晶片內置密封材料樹脂基板的端部起5mm以內的區域產生有凹陷得到了確認，但在實際使用上沒有問題程度之級別。
×：確認到從遠離半導體晶片內置密封材料樹脂基板的端部遠離5mm之區域產生有在實際使用上存在問題的級別之凹陷。
．感光性樹脂組成物的硬化物與密封材料的密合性：首先，以與上述方法相同的方法，製作出大小為35mm×35mm×300μm厚度的半導體晶片內置密封材料樹脂基板。接著，對得到的半導體晶片內置密封材料樹脂基板中之配設有半導體晶片的一側的面，使用間歇式等離子處理裝置(March公司製，AP-1000)，在輸出能800W、氣體量200sccm、時間1分的條件下，實施了氧等離子處理。接著，使用旋轉塗佈機，對半導體晶片內置密封材料樹脂基板中之配設有半導體晶片的一側的面，以使膜厚成為10μm的方式塗佈藉由上述方法製作的實施例1~13之清漆狀的感光性樹脂組成物之後，用加熱板進行了120℃、4分鐘的預烘處理。然後，藉由在氮環境下、且在230℃、90分鐘的條件下，進行熱處理而使其硬化，得到了由感光性樹脂組成物的硬化物構成的樹脂膜。
接著，對得到的上述樹脂膜使用切割機，以縱橫1mm間隔來各添加了11個切痕。如此，得到了具有100個獨立的樹脂膜的結構體。接著，對於得到的結構體，使用高加速老化測試裝置，進行了125℃、相對濕度100%、300小時的處理(高加速老化處理)。接著，對上述處理後的結構體中之樹脂膜，充分貼附黏著力為3N/10mm以上的Cellotape(註冊商標)後實施了剝離該膠帶等剝離試驗。以下表1係表示藉由上述剝離試驗剝離的樹脂膜的數量。
另外，比較例1之清漆狀的感光性樹脂組成物相對於半導體晶片內置密封材 料樹脂基板產生凹陷，因此無法以使膜厚成為10μm的方式塗佈。因此，未進行密合性的評價。
．半導體裝置之可靠性：對藉由上述方法得到的各10個的實施例1~13之半導體裝置，用熱循環試驗機在-65℃~150℃的溫度範圍內進行了500次循環之冷熱循環試驗。接著，關於冷熱循環試驗後的半導體裝置，切出其截面，對由感光性樹脂組成物的硬化物構成的樹脂膜與密封材料之間的界面確認了剝離及龜裂的有無。
評價結果設成如下。
◎：所有10個半導體裝置中未觀察到剝離及龜裂。
○：10個中1個半導體裝置中觀察到剝離或龜裂。
△：10個中2個半導體裝置中觀察到剝離或龜裂，但成品率上沒有問題。
×：10個中3個以上的半導體裝置中觀察到剝離或龜裂。
另外，比較例1之清漆狀的感光性樹脂組成物相對於半導體晶片內置密封材料樹脂基板產生凹陷，因此無法以使膜厚成為約9.0μm的方式塗佈。因此，無法製作半導體裝置，因此未進行可靠性的評價。
將與上述評價項目相關之評價結果與各成分的摻合比率一同示於以下表1中。
Figure 106130554-A0202-12-0052-18
由上述表1可知，具備使用藉由懸滴法測量之液滴的表面張力滿足規定之條件的感光性樹脂組成物而形成的絶緣性樹脂膜之半導體裝置確認到均係在密封材料與該絶緣性樹脂膜的接合界面中之有無剝離及龜裂這點上可靠性優異。
並且，當使用了比較例1的感光性樹脂組成物時，因會產生凹陷而無法在密封材料上形成希望的絶緣性樹脂膜。亦即，當使用了比較例1的感光性樹脂組成物時，無法製作出希望的半導體裝置。
(比較例2)
並且，作為比較例2的半導體裝置，使用與上述實施例1相同的感光性樹脂組成物，不進行氧等離子處理，而以與實施例1相同的方法製作出半導體裝置。
具體而言，當形成第1絶緣性樹脂膜時，對晶片內置密封材料樹脂基板中之配設有半導體晶片的一側的面，未進行氧等離子處理。並且，當形成第2絶緣性樹脂膜時，對帶Cu配線層的密封材料基板中之配設有Cu配線層的一側的面，未進行氧等離子處理。關於該等以外，以與實施例1相同的方法製作半導體裝置，得到了比較例2的半導體裝置。
對於比較例2的半導體裝置之感光性樹脂組成物的密封材料之塗佈性進行了評價。具體而言，對半導體晶片內置密封材料樹脂基板中之配設有半導體晶片的一側的面，不實施氧等離子處理，而以與實施例1相同的方法，對於感光性樹脂組成物的密封材料之塗佈性進行了評價。將評價結果示於下述表2中。
並且，對比較例2的半導體裝置之感光性樹脂組成物的硬化物與密封材料的密合性進行了評價。具體而言，對半導體晶片內置密封材料樹脂基板中之配設有半導體晶片的一側的面，不實施氧等離子處理，而與實施例1相同的方法，對感光性樹脂組成物的硬化物與密封材料的密合性進行了評價。將評 價結果示於下述表2中。
並且，以與上述實施例1相同的方法對比較例2的半導體裝置之可靠性進行了評價。將評價結果示於下述表2中。
Figure 106130554-A0202-12-0054-19
由上述表1、表2確認到，各實施例的半導體裝置與比較例2的半導體裝置相比，相對於感光性樹脂組成物的密封材料的塗佈性、感光性樹脂組成物的硬化物與密封材料的密合性及半導體裝置之可靠性優異。
該申請主張基於2016年9月8日於日本申請的日本專利申請2016-175593號之優先權，並將其公開之全部編入於此。

Claims (15)

  1. 一種半導體裝置的製造方法，其包括如下步驟：準備在表面具有連接端子的複數個半導體晶片被埋入於密封材料之內部的結構體之步驟，對上述密封材料的表面實施等離子處理之步驟，在上述結構體中之配設有設置於上述半導體晶片的連接端子的一側之面上區域形成第1絶緣性樹脂膜之步驟，在上述第1絶緣性樹脂膜及上述結構體形成使上述連接端子的一部分露出的第1開口部之步驟，以覆蓋露出之上述連接端子及上述第1絶緣性樹脂膜之至少一部分的方式形成導電膜之步驟，在上述導電膜的表面形成第2絶緣性樹脂膜之步驟，及在上述第2絶緣性樹脂膜中之形成於上述半導體晶片上的區域之外部形成使上述導電膜的一部分露出的第2開口部之步驟；構成上述第1絶緣性樹脂膜之樹脂材料係含有鹼可溶性樹脂的感光性樹脂組成物，藉由懸滴法測量之由上述感光性樹脂組成物構成的液滴的表面張力為20mN/m以上且45mN/m以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，上述鹼可溶性樹脂包含選自由酚樹脂、羥基苯乙烯樹脂、聚醯亞胺、聚醯亞胺前驅物、聚苯并
    Figure 106130554-A0305-02-0057-6
    唑、聚苯并
    Figure 106130554-A0305-02-0057-7
    唑前驅物、環狀烯烴系樹脂及該等的共聚物組成的群中之1種或2種以上。
  3. 如申請專利範圍第2項之半導體裝置的製造方法，其中，上述鹼可溶性樹脂包含上述聚醯亞胺前驅物或上述聚苯并
    Figure 106130554-A0305-02-0057-5
    唑前驅物， 上述聚醯亞胺前驅物及上述聚苯并
    Figure 106130554-A0305-02-0058-8
    唑前驅物在其結構單元中包含芳香族環。
  4. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，將在230℃、90分鐘的條件下藉由對上述感光性樹脂組成物進行熱處理所得到的10mm×60mm×10μm厚度的硬化物用作試驗片，且在23℃、拉伸速度5mm/分鐘的條件下藉由依照JIS K7161之方法進行拉伸試驗時，上述試驗片的拉伸伸長率為20%以上且200%以下。
  5. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，將在230℃、90分鐘的條件下藉由對上述感光性樹脂組成物進行熱處理所得到的硬化物之玻璃轉移溫度為180℃以上。
  6. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，構成上述第2絶緣性樹脂膜之樹脂材料係上述感光性樹脂組成物。
  7. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，上述密封材料係含有環氧樹脂、無機填充材料及硬化劑之環氧樹脂組成物的硬化物。
  8. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，上述感光性樹脂組成物進而含有感光劑，上述感光劑係光活性化合物。
  9. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，上述感光性樹脂組成物進而含有交聯劑，上述交聯劑係選自環氧化合物、烷氧基甲基化合物、羥甲基化合物及氧雜環丁烷化合物中之1種或2種以上。
  10. 如申請專利範圍第9項之半導體裝置的製造方法，其中，上述交聯劑包含結構不同之2種以上。
  11. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，上述感光性樹脂組成物進而含有矽烷偶合劑，上述矽烷偶合劑包含由下述式(S1)或下述式(S2)表示之結構單元，
    Figure 106130554-A0305-02-0059-1
    Figure 106130554-A0305-02-0059-9
  12. 如申請專利範圍第11項之半導體裝置的製造方法，其中，上述矽烷偶合劑包含結構不同之2種以上。
  13. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，上述感光性樹脂組成物進而含有溶解促進劑，上述溶解促進劑包含由下述通式(D1)或下述通式(D2)表示者，
    Figure 106130554-A0305-02-0059-3
     上述通式(D1)中，R3至R12分別獨立地為氫、羥基或碳數1以上10以下的有機基，R3至R7中之至少1個及R8至R12中之至少1個包含羥基，
    Figure 106130554-A0305-02-0059-4
     上述通式(D2)中，R3至R12分別獨立地為氫、羥基或碳數1以上10以下的有機基，R3至R7中之至少1個及R8至R12中之至少1個包含羥基。
  14. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，上述感光性樹脂組成物進而含有界面活性劑，上述界面活性劑包含氟系界面活性劑。
  15. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，上述感光性樹脂組成物進而含有溶劑，上述溶劑具備酯鍵。
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