TWI740074B - 膜形成方法、膜形成裝置及形成有膜之複合基板 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種能夠減少膜的表面凹凸之膜形成方法。藉由沿著應形成基板的表面的膜之預定區域的邊緣塗佈油墨並使其硬化而形成框部分。藉由在預定區域的內部塗佈油墨並使其硬化，形成設置了未塗佈有油墨之間隙之粗塗佈部分。在形成了框部分及粗塗佈部分之後，在粗塗佈部分的間隙塗佈油墨，經過了比從形成框部分時的油墨塗佈至硬化為止的時間以及從形成粗塗佈部分時的油墨塗佈至硬化為止的時間中的任一個時間還長的時間之後，使塗佈於間隙之油墨硬化而形成覆蓋預定區域的整個區域之膜。

Description

膜形成方法、膜形成裝置及形成有膜之複合基板
本申請主張基於2018年1月30日申請之日本專利申請案第2018-013310號的優先權。該申請的全部內容藉由參閱援用於本說明書中。 　　本發明係有關一種膜形成方法、膜形成裝置及形成有膜之複合基板。
已知有一種藉由噴墨印刷法來形成蝕刻的抗蝕劑膜之技術(下述專利文獻1)。與利用旋塗法來形成抗蝕劑膜之方法相比，不需要光微影製程，因此能夠減少製程數量。 (先前技術文獻) (專利文獻) 　　專利文獻1：日本特開2010-56266號公報
(本發明所欲解決之課題) 　　為了使抗蝕劑膜相對於蝕刻環境具有耐受性，需要某一程度的厚度。利用噴墨印刷法來形成抗蝕劑膜時，一般在抗蝕劑膜的表面上顯現反映了油墨的液滴的原來的形狀之凹凸，並在抗蝕劑膜的厚度上產生偏差。若使相對薄的部分的抗蝕劑膜具有充分的蝕刻耐受性，則會導致相對厚的部分的抗蝕劑膜過於變厚。因此，會無端地消耗油墨。 　　本發明的目的在於，提供一種能夠減少膜的表面的凹凸之膜形成方法及膜形成裝置。本發明的另一目的在於，提供一種形成了減少膜的表面的凹凸之膜之複合基板。 (用以解決課題之手段) 　　依本發明的一觀點，提供一種膜形成方法，其中， 　　藉由沿著應形成基板的表面的膜之預定區域的邊緣塗佈油墨並使其硬化而形成框部分， 　　藉由在前述預定區域的內部塗佈油墨並使其硬化，形成設置了未塗佈有油墨之間隙之粗塗佈部分， 　　在形成了前述框部分及前述粗塗佈部分之後，在前述粗塗佈部分的間隙塗佈油墨，經過了比從形成前述框部分時的油墨的塗佈至硬化為止的時間以及從形成前述粗塗佈部分時的油墨的塗佈至硬化為止的時間中的任一個時間長的時間之後，使塗佈於前述粗塗佈部分的間隙之油墨硬化而形成覆蓋前述預定區域的整個區域之膜。 　　依本發明的另一觀點，提供一種膜形成裝置，其具有： 　　工作台，保持基板； 　　噴墨頭，與保持於前述工作台之基板對向，並朝向基板噴出經液滴化之油墨； 　　移動機構，使保持於前述工作台之基板和前述噴嘴頭中的一個相對於另一個移動； 　　硬化裝置，使塗佈於保持在前述工作台之基板的油墨硬化； 　　控制裝置，記憶定義基板的表面中應形成膜之預定區域的位置及形狀之圖像資料，並依據前述圖像資料來控制前述噴墨頭、前述移動機構及前述硬化裝置，藉此在前述預定區域塗佈油墨， 　　前述控制裝置藉由沿著前述預定區域的邊緣塗佈油墨並使其硬化而形成框部分， 　　前述控制裝置藉由在前述預定區域的內部塗佈油墨並使其硬化，形成設置了未塗佈有油墨之間隙之粗塗佈部分， 　　在形成了前述框部分及前述粗塗佈部分之後，在前述粗塗佈部分的間隙塗佈油墨，經過了比從形成前述框部分時的油墨的塗佈至硬化為止的時間以及從形成前述粗塗佈部分時的油墨的塗佈至硬化為止的時間中的任一個時間還長的時間之後，使塗佈於前述粗塗佈部分的間隙之油墨硬化而形成覆蓋前述預定區域的整個區域之膜。 　　依本發明的又一觀點，提供一種複合基板，其具有： 　　粗塗佈部分，在基板的表面設置了未塗佈有油墨之間隙；及 　　塗佈膜，配置於前述基板之上，並填補前述粗塗佈部分的間隙。 (發明之效果) 　　在粗塗佈部分的間隙塗佈了油墨之後，在經過了比直至形成框部分及粗塗佈部分時的油墨的硬化為止的時間還長之時間後，使油墨硬化，因此油墨向面內方向擴展。因此，膜表面的凹凸變小，表面變得平滑。因此，整體能夠減少膜表面的凹凸。
參閱圖1A～圖6，對基於實施例之膜形成裝置及膜形成方法進行說明。圖1A係基於實施例之膜形成裝置的概略正面圖。在基台10之上經由移動機構11而支撐工作台12。定義x軸及y軸朝向水平方向，z軸朝向鉛垂上方之xyz正交坐標系。移動機構11被控制裝置50控制，並使工作台12沿x方向及y方向這兩個方向移動。作為移動機構11，例如，能夠使用包括X方向移動機構11X與Y方向移動機構11Y之XY載物台。X方向移動機構11X使Y方向移動機構11Y相對於基台10沿x方向移動，Y方向移動機構11Y使工作台12相對於基台10沿y方向移動。另外，移動機構11亦可以具有將沿平行z軸的虛擬直線作為旋轉軸而改變工作台12的旋轉方向的姿勢之功能。 　　在工作台12的上表面(保持面)保持有應形成膜之基板20。基板20例如藉由真空吸盤而固定於工作台12。油墨噴出單元30例如藉由門型的支撐構件13而相對於基台10能夠升降地支撐於工作台12的上方。油墨噴出單元30具有與基板20對向之複數個噴嘴孔。從各噴嘴孔朝向基板20的表面噴出經液滴化之光硬化性(例如紫外線硬化性)的油墨。油墨的噴出藉由控制裝置50被控制。 　　圖1A中，示出使油墨噴出單元30相對於基台10靜止並移動基板20之例子，相反地，亦可以使基板20相對於基台10靜止並移動油墨噴出單元30。如此，只要設為使基板20和油墨噴出單元30中的一個相對於另一個相對移動之結構即可。 　　圖1B係工作台12及油墨噴出單元30的平面圖。在工作台12的保持面保持有基板20。在基板20的上方支撐有油墨噴出單元30。油墨噴出單元30包括噴墨頭31及硬化用光源33。在噴墨頭31的與基板20對向之面設置有複數個噴嘴孔32。複數個噴嘴孔32在x方向等間隔地排列。硬化用光源33在y方向上分別配置於噴墨頭31的兩側，且發揮使附著在基板20之油墨硬化之硬化裝置之功能。移動機構11藉由由控制裝置50進行控制，使工作台12沿x方向及y方向移動。而且，控制裝置50控制來自噴墨頭31的油墨的噴出。 　　使基板20沿y方向移動之同時，從噴墨頭31噴出經液滴化之油墨，藉此在x方向上例如能夠以300dpi的解析度在基板20塗佈油墨。藉由由位於基板20的移動方向的下游側之硬化用光源33放射之光來硬化附著在基板20之油墨。將使基板20沿y方向移動之同時，從噴墨頭31噴出經液滴化之油墨之處理稱為“掃程(pass，指圖像成形需要噴印的次數)”。使基板20沿x方向僅偏離相當於300dpi之間隔的1/4而執行4次掃程，藉此能夠在x方向上以1200dpi的解析度使油墨附著於基板20。在4次掃程中的第1次及第3次的掃程中，使基板20沿y軸的正方向移動，在第2次及第4次的掃程中，使基板20沿y軸的負方向移動。如此，藉由使基板20沿y方向往返移動來執行複數次掃程。 　　藉由執行4次掃程，能夠在x方向上相當於兩端之噴嘴孔32的間隔之寬度的區域塗佈油墨。在基板20的尺寸大於兩端的噴嘴孔32的間隔之情況下，將4次掃程設為1組，使基板20沿x方向偏離而執行複數組，藉此能夠在基板20的整個區域塗佈油墨。 　　圖2A係塗佈油墨之基板20的平面圖。在基板20的表面設定有應形成膜之複數個預定區域21。定義預定區域21的形狀及位置之圖像資料記憶於控制裝置50。圖2A中，作為一例，示出4個預定區域21以2行2列的行列狀配置於正方形的基板20的表面之例子。 　　圖2B係基板20的剖面圖。在基底基板22之上形成有導電膜23。基底基板22例如係透明玻璃基板，導電膜23係由銦錫氧化物(ITO)等構成之透明導電膜。除此之外，基板20可以係設置有銅箔之柔性基板、ITO覆膜、設置有金屬膜之玻璃板等。 　　接著，參閱圖3A～圖3D、圖4A～圖4D及圖5A～圖5D，對基於實施例之膜形成方法進行說明。圖3A、圖4A、圖5A係基於實施例之膜形成方法的各製程結束時的基板20的平面圖。圖3B、圖4B、圖5B分別係放大了圖3A、圖4A、圖5A的一部分之平面圖。圖3C及圖3D分別係圖3B的單點虛線3C-3C及單點虛線3D-3D的剖面圖。圖4C及圖4D分別係圖4B的單點虛線4C-4C及單點虛線4D-4D的剖面圖。圖5C及圖5D分別係圖5B的單點虛線5C-5C及單點虛線5D-5D的剖面圖。 　　首先，如圖3A～圖3D所示，藉由執行複數個掃程，沿著基板20的表面的預定區域21的邊緣塗佈油墨之同時，以在預定區域21的內部產生未塗佈有油墨之間隙之方式塗佈油墨。在掃程的執行中，藉由從硬化用光源33向基板20照射硬化用的光來使油墨硬化。藉此，形成沿著預定區域21的邊緣之框部分25，且在預定區域21的內部形成具有間隙之粗塗佈部分26。如此，框部分25的形成及粗塗佈部分26的形成例如同時並行地進行。 　　如圖3B及圖3C所示，框部分25藉由油墨的複數個液滴相互連續而具有沿著預定區域21的邊緣之脊狀的形狀。如圖3B及圖3D所示，粗塗佈部分26未覆蓋預定區域21的內部的整個區域，並留有基板20的表面露出之間隙。圖3B中，示出油墨的複數個液滴各自孤立分佈之例子。 　　作為一例，藉由1個液滴而在直徑約50μm的圓形的區域塗佈有油墨。該情況下，若沿x方向及y方向以600dpi的解析度在預定區域21的邊緣塗佈油墨，則油墨的液滴彼此能夠連續而形成脊狀的框部分25。若在預定區域21的內部沿x方向及y方向以300dpi的解析度塗佈油墨，則能夠形成油墨各自的液滴孤立之粗塗佈部分26。圖3A及圖3B中，示出在預定區域21的內部之相當於三角格的格點之位置塗佈了油墨之例子。 　　圖6中，用點陣圖圖像表示應塗佈油墨之像素。預定區域21區分為正方格狀例如以600dpi的解析度配置之複數個像素29。在圖6中，對應塗佈油墨之像素29標註陰影線。在預定區域21的最外周的所有像素29塗佈油墨。相對於最外周的像素29以外的內部的像素29，油墨的塗佈對象的像素29在x方向上隔1個以直線狀配置，在y方向上隔1個且以交錯狀配置。因此，塗佈油墨之對象的像素29配置於與三角格的格點對應之位置。 　　接著，如圖4A～圖4D所示，在被框部分25包圍之預定區域21的內部中在粗塗佈部分26的間隙塗佈油墨。此時，未點亮硬化用光源33(圖1B)。因此，油墨未被硬化而形成液態油墨的膜27。藉由框部分25阻擋液態油墨，防止從預定區域21向外側的油墨的流出。在預定區域21的內部，油墨的複數個液滴相互接觸而向面內方向擴展，變得無法進行液滴的區分，液態油墨的膜27的表面被平坦化。 　　接著，如圖5A～圖5D所示，藉由從硬化用光源33(圖1B)向液態油墨的膜27(圖4A、圖4B、圖4D)照射硬化用的光34而使油墨硬化。藉此，形成油墨硬化之塗佈膜28。能夠藉由點亮硬化用光源33，且無需從噴墨頭31噴出油墨，並使基板20沿y方向移動來進行硬化用的光34的照射。 　　該方法中，在粗塗佈部分26的間隙部分塗佈了油墨(圖4A～圖4D)之後，直至使油墨硬化(圖5A～圖5D)為止經過之時間變得比從形成框部分25(圖3A～圖3C)時的油墨的塗佈至硬化為止的時間以及從形成粗塗佈部分26(圖3A、圖3B、圖3D)時的油墨的塗佈至硬化為止的時間中的任一個時間還長。在該時間，油墨不同之液滴彼此連續融合，變得無法進行液滴的區分。 　　在到此為止的製程中，形成有複合基板，其具有：粗塗佈部分26，在基板20的表面設置了未塗佈有油墨之間隙；及塗佈膜28，配置於基板20之上，並填補粗塗佈部分26的間隙。 　　藉由將覆蓋預定區域21之膜用作蝕刻用的抗蝕劑膜而蝕刻導電膜23，能夠僅在預定區域21殘留導電膜23。在蝕刻導電膜23之後，去除覆蓋預定區域21之抗蝕劑膜。 　　接著，參閱圖7A～圖7C，對藉由採用基於本實施例之膜形成裝置及膜形成方法而得到之優異之效果進行說明。 　　圖7A係藉由基於本實施例之方法來形成粗塗佈部分26時的基板20的剖面圖。藉由使油墨的液滴41彈著於應塗佈油墨之像素而形成粗塗佈部分26。 　　圖7B係藉由基於本實施例之方法來塗佈油墨並填補粗塗佈部分26的間隙時的基板20的剖面圖。藉由使油墨的液滴42彈著於粗塗佈部分26的間隙的部分，在粗塗佈部分26的間隙形成液態油墨的膜27。在間隙塗佈之油墨的量只要根據所需要之膜的厚度來設定即可。 　　圖7C係在預定區域21的整個區域利用剛塗佈了油墨之後硬化之方法來形成膜時的基板20的剖面圖。附著在基板20之油墨融合之前使油墨硬化，因此形成在某一程度反映了油墨的液滴的形狀之凹凸殘留在表面之膜44。必須將具有凹凸之膜的最薄部分的厚度設為所需之膜厚。因此，凸部的厚度變成所需以上的厚度。而且，在存在由於某些不良情況而無法噴出油墨之噴嘴孔32(圖1B)之情況下，會導致產生未塗佈有油墨之未塗部分。在這種情況下，為了覆蓋預定區域21的整個區域，有餘裕地進行重塗亦為佳。因此，導致油墨的使用量進一步增加。 　　與此相對，在本實施例中，在填補粗塗佈部分26的間隙的製程中，油墨融合之後使其硬化，因此與圖7C的例子相比，膜的表面被平坦化。並且，只要使融合之後的油墨的膜的厚度成為所需之膜厚即可，因此無需直至所需以上的厚度為止塗佈油墨。而且，即使存在油墨的噴出不良的噴嘴孔32，相鄰之像素的油墨向利用不良的噴嘴孔32應塗佈之像素擴展，因此能夠防止未塗部分的產生。因此，無需進行所需以上的重塗，並能夠減少油墨的使用量。 　　在形成框部分25及粗塗佈部分26(圖3A～圖3D)時，油墨彈著在基板20之後，油墨向面內方向擴展且形狀崩塌之前進行硬化為較佳。例如，將從油墨的彈著至硬化為止的時間設為0.2秒以下為較佳。與此相對，在粗塗佈部分26的間隙塗佈油墨時，油墨彈著在基板20之後油墨向面內方向擴展而充分融合，變得無法進行油墨不同的液滴的區分之後硬化為較佳。例如，將從油墨的彈著至硬化為止的時間設為0.5秒以上為較佳。 　　接著，參閱圖8A～圖8C，對藉由採用基於上述實施例之膜形成裝置及膜形成方法而得到之其他的優異之效果進行說明。 　　圖8A係在未形成上述實施例的粗塗佈部分26(圖3A、圖3B、圖3D)之狀態下，在被框部分25包圍之區域塗佈油墨，並利用油墨融合之後硬化之方法(基於比較例之方法)來形成了塗佈膜28之基板20的平面圖。圖8B係放大了圖8A的一部分之平面圖。圖8C係圖8B的單點虛線8C-8C的剖面圖。 　　存在如下情況：若在被框部分25包圍之區域塗佈油墨，直至油墨融合為止不進行硬化而等待，則藉由產生油墨的液滴彼此的吸引，在基板20的表面產生未被油墨覆蓋之空隙40。若在產生了空隙40的狀態下使油墨硬化，則無法形成覆蓋預定區域21的整個區域的膜。該種空隙40在寬的整體塗佈區域塗佈油墨融合的情況下容易產生。 　　與此相對，本實施例中，在框部分25的內部形成有被硬化之粗塗佈部分26，因此僅在圖4A～圖4D中示出之油墨的塗佈製程中填補粗塗佈部分26的間隙即可。因此，在基板20的表面容易產生油墨的漏塗(空隙)。為了防止油墨的漏塗的產生，使成為形成粗塗佈部分26時的油墨的塗佈對象之像素29(圖6)的預定區域21內的分佈密度設成均勻為較佳。 　　接著，參閱圖9A及圖9B，對上述實施例的變形例進行說明。 　　圖9A及圖9B係表示利用基於變形例之方法來形成框部分25及粗塗佈部分26(圖3A～圖3D)時定義應塗佈油墨之像素之點陣圖圖像之圖。在圖9A及圖9B中，對應塗佈油墨之像素標註陰影線。 　　上述實施例中，形成粗塗佈部分26(圖3B)時塗佈油墨之像素29位於三角格的格點，粗塗佈部分26由在預定區域21內離散分佈之油墨的複數個島構成。 　　圖9A所示之變形例中，形成粗塗佈部分26時應塗佈油墨之像素29及未塗佈油墨之像素29構成黑白方格模樣。彈著於沿斜方向相鄰之像素29之油墨相互連續，因此粗塗佈部分26形成為在預定區域21的內部連續之膜。在該膜上離散分佈有基板20的表面露出之複數個間隙。如此，可以離散分佈間隙，以代替離散分佈油墨。 　　圖9B所示之變形例中，將複數個例如3個連續之像素29設定為油墨的塗佈對象的像素組。油墨的塗佈對象的複數個像素組在預定區域21內幾乎離散均等地分佈。如此，可以連續複數個油墨的塗佈對象的像素29。 　　並且，上述實施例及變形例中，規則性地配置了塗佈對象的像素29，但亦可以不規則(無規則)地配置。 　　接著，對上述實施例的又一變形例進行說明。 　　上述實施例中，在使粗塗佈部分26的間隙塗佈之油墨硬化之圖5A～圖5D的製程中，使用了設置於油墨噴出單元30之硬化用光源33(圖1B)，但亦可以使用其他的硬化用光源。例如，可以在粗塗佈部分26的間隙塗佈了油墨之後，從工作台12(圖1A、圖1B)搬出基板20，利用其他的硬化用的裝置來使油墨硬化。 　　上述實施例中，將在基板20形成之膜用作蝕刻時的抗蝕劑膜，但亦可以用於其他的用途。例如，在基板表面在減少油墨的使用量，且以不產生漏塗之方式欲形成膜之情況下，能夠應用上述實施例及變形例。 　　上述實施例僅係例示，當然亦能夠進行實施例及變形例中示出的結構的局部代替或者組合。本文不按每個實施例依次提及對實施例及變形例之基於相同結構之相同作用效果。而且，本發明並不限定於上述實施例及變形例。例如，本發明亦包含此領域具有通常知識的技術人員顯然能進行的各種變更、改良、組合等。
10‧‧‧基台11‧‧‧移動機構
11X:X方向移動機構
11Y:Y方向移動機構
12:工作台
13:支撐構件
20:基板
21:預定區域
22:基底基板
23:導電膜
25:框部分
26:粗塗佈部分
27:液態油墨的膜
28:塗佈膜
29:像素
30:油墨噴出單元
31:噴墨頭
32:噴嘴孔
33:硬化用光源
34:硬化用的光
40:空隙
41、42:油墨的液滴
44:膜
50:控制裝置
圖1A係基於實施例的膜形成裝置的概略正面圖，圖1B係膜形成裝置的工作台及油墨噴出單元的平面圖。 　　圖2A及圖2B分別係塗佈油墨之基板的平面圖及剖面圖。 　　圖3A係框部分的形成製程結束時的基板的平面圖，圖3B係放大了圖3A的一部分之平面圖，圖3C及圖3D分別係圖3B的單點虛線3C-3C及單點虛線3D-3D的剖面圖。 　　圖4A係在粗塗佈部分的間隙塗佈油墨之製程結束時的基板的平面圖，圖4B係放大了圖4A的一部分之平面圖，圖4C及圖4D分別係圖4B的單點虛線4C-4C及單點虛線4D-4D的剖面圖。 　　圖5A係使在粗塗佈部分的間隙塗佈之油墨硬化之製程結束時的基板的平面圖，圖5B係放大了圖5A的一部分之平面圖，圖5C及圖5D分別係圖5B的單點虛線5C-5C及單點虛線5D-5D的剖面圖。 　　圖6係表示應塗佈油墨的像素之圖。 　　圖7A係藉由基於本實施例之方法來形成粗塗佈部分時的基板的剖面圖，圖7B係藉由基於本實施例之方法來塗佈油墨並填補粗塗佈部分的間隙時的基板的剖面圖，圖7C係在預定區域的整個區域利用剛塗佈了油墨之後硬化之方法來形成膜時的基板的剖面圖。 　　圖8A係在未形成本實施例的粗塗佈部分之狀態下，在被框部分包圍之區域塗佈油墨，並利用油墨融合之後硬化之方法(基於比較例之方法)來形成了膜之基板的平面圖，圖8B係放大了圖8A的一部分之平面圖，圖8C係8B的單點虛線8C-8C的剖面圖。 　　圖9A及圖9B係表示利用基於變形例之方法來形成框部分及粗塗佈部分時應塗佈油墨之像素之圖。
20‧‧‧基板
21‧‧‧應形成膜之預定區域
22‧‧‧基底基板
23‧‧‧導電膜
25‧‧‧框部分
26‧‧‧粗塗佈部分
x‧‧‧方向
y‧‧‧方向
z‧‧‧方向
3C-3C‧‧‧單點虛線
3D-3D‧‧‧單點虛線

Claims (6)

  1. 一種膜形成方法，其中藉由沿著應形成基板的表面的膜之預定區域的邊緣塗佈油墨並使其硬化藉此形成框部分，藉由在前述預定區域的內部塗佈油墨並使其硬化，形成設置有未塗佈油墨之間隙之粗塗佈部分，在形成了前述框部分及前述粗塗佈部分之後，在前述粗塗佈部分的間隙塗佈油墨，並在經過了比形成前述框部分時的從油墨的塗佈至硬化為止的時間以及形成前述粗塗佈部分時的從油墨的塗佈至硬化為止的時間的任一個時間還長的時間之後，使塗佈於前述粗塗佈部分的間隙之油墨硬化而形成覆蓋前述預定區域的整個區域之膜。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之膜形成方法，其中形成覆蓋前述預定區域的整個區域之膜時，在將油墨進行液滴化並進行塗佈之後，在變得無法區分油墨不同之液滴之後，使油墨硬化。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之膜形成方法，其中同時並行地進行前述框部分的形成及前述粗塗佈部分的形成。
  4. 一種膜形成裝置，其具有： 工作台，保持基板；噴墨頭，與保持於前述工作台之基板對向，並朝向基板使油墨液滴化而進行噴出經液滴化之油墨；移動機構，使保持於前述工作台之基板和前述噴嘴頭的一個相對於另一個移動；硬化裝置，使塗佈於保持於前述工作台之基板之油墨硬化；控制裝置，記憶定義基板的表面之應形成膜之預定區域的位置及形狀之圖像資料，並依據前述圖像資料來控制前述噴墨頭、前述移動機構及前述硬化裝置，藉此在前述預定區域塗佈油墨，前述控制裝置係藉由沿著前述預定區域的邊緣塗佈油墨並使其硬化而形成框部分，藉由在前述預定區域的內部塗佈油墨並使其硬化，形成設置有未塗佈油墨之間隙之粗塗佈部分，在形成了前述框部分及前述粗塗佈部分之後，在前述粗塗佈部分的間隙塗佈油墨，並在經過了比形成前述框部分時的從油墨的塗佈至硬化為止的時間以及形成前述粗塗佈部分時的從油墨的塗佈至硬化為止的時間的任一個時間還長的時間之後，使塗佈於前述粗塗佈部分的間隙之油墨硬化而形成覆蓋前述預定區域的整個區域之膜。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之膜形成裝置，其中前述控制裝置係形成覆蓋前述預定區域的整個區域之 膜時，在將油墨進行液滴化並進行塗佈之後，在變得無法區分油墨不同之液滴之後，使油墨硬化。
  6. 如申請專利範圍第4或5項所述之膜形成裝置，其中前述控制裝置係同時並行地進行前述框部分的形成及前述粗塗佈部分的形成。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7464378B2 (ja) * 2019-11-22 2024-04-09 住友重機械工業株式会社 インク塗布制御装置及びインク塗布方法
JP7446854B2 (ja) * 2020-03-02 2024-03-11 住友重機械工業株式会社 インク塗布装置、インク塗布装置の制御装置、及びインク塗布方法
JP2021181054A (ja) * 2020-05-19 2021-11-25 住友重機械工業株式会社 インク塗布装置、その制御装置、及びインク塗布方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5719040A (en) * 1980-07-09 1982-02-01 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Production of catalyst employing metal base material
TW200504798A (en) * 2003-05-09 2005-02-01 Seiko Epson Corp Substrate, device, method of manufacturing device, method of manufacturing active-matrix substrate, electrooptical apparatus and electronic apparatus
TW200920493A (en) * 2007-02-21 2009-05-16 Musashi Engineering Inc Cleaning method, nozzle inspecting method, application control method and filming method in ink-jet applying apparatus
JP5719040B1 (ja) 2013-08-20 2015-05-13 株式会社小松製作所 建設機械用コントローラ
TW201637723A (zh) * 2015-04-27 2016-11-01 Sumitomo Heavy Industries 膜形成裝置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4179288B2 (ja) * 2005-02-01 2008-11-12 セイコーエプソン株式会社 膜パターン形成方法
JP2010056266A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Casio Comput Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP5600662B2 (ja) * 2010-12-15 2014-10-01 日本特殊陶業株式会社 伝導体パターンの形成方法
WO2013011775A1 (ja) * 2011-07-15 2013-01-24 住友重機械工業株式会社 薄膜形成方法及び薄膜形成装置
JP5874228B2 (ja) * 2011-07-26 2016-03-02 セイコーエプソン株式会社 印刷装置及び印刷方法
US9857502B2 (en) * 2011-09-09 2018-01-02 Lg Innotek Co., Ltd. Method of fabricating film of substrate and film, backlight unit and liquid crystal display using the same
JP2014104385A (ja) * 2012-11-26 2014-06-09 Sumitomo Heavy Ind Ltd 基板製造方法及び基板製造装置
JP6156633B2 (ja) * 2013-06-28 2017-07-05 住友重機械工業株式会社 薄膜形成方法及び薄膜形成装置
JP2015026655A (ja) * 2013-07-25 2015-02-05 住友重機械工業株式会社 薄膜形成方法及び薄膜形成装置
JP6274832B2 (ja) * 2013-11-26 2018-02-07 住友重機械工業株式会社 薄膜形成方法及び薄膜形成装置
JP6289880B2 (ja) * 2013-11-26 2018-03-07 住友重機械工業株式会社 薄膜形成方法及び薄膜形成装置
JP6085578B2 (ja) * 2014-03-11 2017-02-22 住友重機械工業株式会社 膜形成方法及び膜形成装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5719040A (en) * 1980-07-09 1982-02-01 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Production of catalyst employing metal base material
TW200504798A (en) * 2003-05-09 2005-02-01 Seiko Epson Corp Substrate, device, method of manufacturing device, method of manufacturing active-matrix substrate, electrooptical apparatus and electronic apparatus
TW200920493A (en) * 2007-02-21 2009-05-16 Musashi Engineering Inc Cleaning method, nozzle inspecting method, application control method and filming method in ink-jet applying apparatus
JP5719040B1 (ja) 2013-08-20 2015-05-13 株式会社小松製作所 建設機械用コントローラ
TW201637723A (zh) * 2015-04-27 2016-11-01 Sumitomo Heavy Industries 膜形成裝置

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