TWI737707B - 表面處理方法及表面處理液 - Google Patents

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Abstract

本發明提供可進行被處理體表面之良好親水化或疏水化，且可於被處理體上形成表面處理效果高的區域與表面處理效果低的區域之表面處理方法、及該表面處理方法中較佳使用之表面處理液。
本發明係對於施以曝光及烘烤之由感光性表面處理液所成之塗佈膜進行清洗，而形成膜厚10nm以下之具有表面改質功能之薄膜的表面處理方法，感光性表面處理液含有(A)樹脂、(B)光酸產生劑及(C)溶劑，作為(A)樹脂係使用具有選自由羥基、氰基及羧基所成之群之1個以上之基的官能基I及官能基I以外之親水性基或疏水性基的官能基II之樹脂，且作為(B)光酸產生劑係使用藉由光之作用而產生pKa為1以下之強酸之化合物。

Description

表面處理方法及表面處理液
本發明係有關表面處理方法及於該表面處理方法中較好地使用之表面處理液。
過去以來，使用各種表面處理液進行各種物品表面之性質改質。表面改質中，針對物品表面之親水化或疏水化之要求增大，而提案多數之進行親水化或疏水化之表面處理方法，及該方法所用之表面處理液。
關於該表面處理方法，已提案有使用至少含有使丙烯醯胺單體與特定骨架之含有矽氧之單(甲基)丙烯酸酯單體共聚合而成之重量平均分子量1500~50000之共聚物之表面調整劑，而對被膜表面賦予親水性及防污性之方法(專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第5437523號公報
然而，使用專利文獻1中記載之表面調整劑進行親水化處理時，即使使用僅含表面調整劑之溶液處理被處理體之表面，表面調整劑亦不易附著於被處理體表面，而難以獲得期望之親水化效果。
因此，專利文獻1中記載之方法，係使用於表面調整劑之溶液中調配丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂、醇酸樹脂、環氧樹脂、聚胺樹脂等之樹脂作為被膜形成成分之液體作為表面處理液。
因此，使用含有專利文獻1中記載之表面調整劑與被膜形成成分之表面處理液時，由於被處理體表面以含樹脂之被膜被覆，故即使為良好親水化，但亦會損及到被處理體所具有之有用表面特性。
且，根據經表面處理之材料用途而定，有時必須於應進行表面處理之部位與不應進行表面處理之部位使表面處理效果產生差異。理想上，經表面處理之部位與未經表面處理之部位較好經微細圖型化。
然而，使用專利文獻1中記載之方法中使用之表面調整劑之方法難以於每部位使表面處理效果產生差異，亦難以分別微細且精密地塗佈表面處理劑而設置經表面處理之部位與未經表面處理之部位。其結果，以專利文獻1所記載之方法，難以於應進行表面處理之部位與不應進行表面處理之部位使表面處理效果產生差異。
本發明係鑑於上述課題，目的在於提供即使不含被膜形成性之樹脂，亦可進行被處理體表面之良好親 水化或疏水化，且可於被處理體上形成表面處理效果高的區域與表面處理效果低的區域之表面處理方法、及該表面處理方法中較佳使用之表面處理液。
本發明人等發現藉由對於施以曝光及烘烤之由感光性表面處理液所成之塗佈膜進行清洗，而形成膜厚10nm以下之具有表面改質功能之薄膜的表面處理方法中，於感光性表面處理液含有(A)樹脂、(B)光酸產生劑及(C)溶劑，作為(A)樹脂係使用具有選自由羥基、氰基及羧基所成之群之1個以上之基的官能基I及官能基I以外之親水性基或疏水性基的官能基II之樹脂，且作為(B)光酸產生劑係使用藉由光之作用而產生pKa為1以下之強酸之化合物，可解決上述課題，因而完成本發明。具體而言，本發明提供以下者。
本發明之第一樣態係一種表面處理方法，其係使用感光性表面處理液之表面處理方法，且包含下述步驟：於被處理體表面塗佈感光性表面處理液，形成塗佈膜，使塗佈膜之至少一部分曝光，使經曝光之塗佈膜進行烘烤，及使經烘烤之塗佈膜進行清洗，而於被處理體之表面經曝光部位形成膜厚10nm以下之薄膜， 感光性表面處理液含有(A)樹脂、(B)光酸產生劑及(C)溶劑，(A)樹脂具有選自由羥基、氰基及羧基所成之群之1個以上之基的官能基I、及官能基I以外之親水性基或疏水性基的官能基II，(B)光酸產生劑係產生pKa為1以下之強酸。
本發明之第二樣態係一種感光性表面處理液，其係第一樣態之該表面處理方法中所用之感光性表面處理液，且含有(A)樹脂、(B)光酸產生劑及(C)溶劑，(A)樹脂具有選自由羥基、氰基及羧基所成之群之1個以上之基的官能基I、及官能基I以外之親水性基或疏水性基的官能基II，(B)光酸產生劑係產生pKa為1以下之強酸。
本發明之第三樣態係一種感光性表面處理液，其含有(A)樹脂、(B)光酸產生劑及(C)溶劑，(A)樹脂具有選自由羥基、氰基及羧基所成之群之1個以上之基的官能基I、及官能基I以外之親水性基或疏水性基的官能基II，(B)光酸產生劑係產生pKa為1以下之強酸。
依據本發明，即使不含被膜形成性之樹脂，亦可進行被處理體表面之良好親水化或疏水化，且可於被 處理體上形成表面處理效果高的區域與表面處理效果低的區域。
《表面處理方法》
以下，針對使用感光性表面處理液之表面處理方法進行說明。
該表面處理方法係包含下述步驟之方法：於被處理體表面塗佈感光性表面處理液，形成塗佈膜，使塗佈膜之至少一部分曝光，使經曝光之塗佈膜進行烘烤，及使經烘烤之塗佈膜進行清洗，而於被處理體之表面經曝光部位形成膜厚10nm以下之薄膜。
作為感光性表面處理液(以下亦記為「處理液」)係使用下述處理液：含有(A)樹脂、(B)光酸產生劑及(C)溶劑，且(A)樹脂具有選自由羥基、氰基及羧基所成之群之1個以上之基的官能基I、及前述官能基I以外之親水性基或疏水性基的官能基II，(B)光酸產生劑係產生pKa為1以下之強酸。
以下針對感光性表面處理液與表面處理方法中所含之各步驟加以說明。
<感光性表面處理液>
以下針對感光性表面處理液所含之必需或任意成分加以說明。
[(A)樹脂]
(A)樹脂具有選自由羥基、氰基及羧基所成之群之1個以上之基的官能基I。藉由後述之(B)光酸產生劑產生之pKa為1以下之強酸，而提高官能基I與非處理體表面之反應性、或提高相互作用，而使(A)樹脂結合或者附著於被處理體表面。
(A)樹脂具有官能基I以外之親水性基或疏水性基的官能基II。若使用含有具有親水性基之(A)樹脂之處理液則可進行親水化處理，若使用含有具有疏水性基之(A)樹脂之處理液則可進行疏水化處理。
親水性基或疏水性基只要是過去以來被本技藝者認知為親水性基或疏水性基之官能基則未特別限定，可於其中適當選擇。
(A)樹脂之種類只要具有特定官能基且於(C)溶劑中可溶，則未特別限定。作為(A)樹脂之例，舉例為(甲基)丙烯酸樹脂、酚醛清漆樹脂、聚酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂及聚矽氧樹脂等。該等樹脂中，基於官能基之導入、及容易調整具有官能基之單位之含有比率之觀點，較好為(甲基)丙烯酸樹脂。
作為親水性基之具體例，舉例為聚氧伸烷基(例如聚氧伸乙基、聚氧伸丙基、氧伸乙基與氧伸丙基經嵌段或無規鍵結之聚氧伸烷基等)、胺基、羧基、羥基、磺酸基等。且含有該等基之有機基亦較好作為親水性基。
親水性基為酸性基時，該酸性基亦可形成鹽。構成鹽之陽離子並未特別限定，可為金屬離子，亦可為有機陽離子。作為陽離子，較好為金屬離子，更好為鹼金屬離子，特佳為鈉離子或鉀離子。
(A)樹脂具有含有羥基、氰基及羧基之親水性基或疏水性基作為官能基II時，該親水性基或疏水性基中所含之羥基、氰基或羧基亦可發揮作為官能基I之角色。
因此，(A)樹脂具有含有羥基、氰基及羧基之親水性基或疏水性基作為官能基II時，(A)樹脂亦可不具有官能基I。
又，含有羥基及羧基之親水性基中，包含羥基本身及羧基本身。
基於使處理液之親水化效果優異之觀點，作為親水性基，較好為以下述式(A1)表示之基：-NH-R1‧‧‧(A1)
(式(A1)中，R1係經選自胺基、磺酸基及羥基所成之群之1個以上之基取代之碳原子數1~4之烷基、或氫原子)。
作為式(A1)表示之親水性基中之R1之具體例 舉例為胺基及以下述式表示之基。
Figure 106110567-A0202-12-0008-1
Figure 106110567-A0202-12-0008-2
Figure 106110567-A0202-12-0009-3
上述式(A1)表示之親水性基中之R1之具體例中，作為更佳之基舉例為以下之基。
Figure 106110567-A0202-12-0010-4
上述式(A1)表示之親水性基中之R1之具體例中，作為特佳之基舉例為以下之基。
Figure 106110567-A0202-12-0011-5
作為疏水性基之具體例舉例為例如氟化烴基、矽烷基、矽氧烷基、碳原子數6~20之烷基及碳原子數10~20之芳香族烴基等。
作為氟化烴基較好為針對式(A3)中後述之基。
矽烷基之較佳例，舉例為後述式(A4)表示之n為0之基。作為矽烷基之具體例舉例為例如三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、三丙基矽烷基、三異丙基矽烷基、第三丁基二甲基矽烷基及三苯基矽烷基等。
矽烷氧基可為直鏈狀，亦可為分支鏈狀。矽烷氧基可為1價基，亦可為2價以上之多價基。因此，所謂有機矽氧烷化合物相當於具有矽氧烷基作為疏水性基之化合物。作為矽氧烷基之較佳例舉例為後述式(A4)表示之n為1以上之基。
作為(A)樹脂，基於易導入各種官能基、容易調整官能基量之觀點，較好為含有不飽和鍵之單體的聚合物。該聚合物可為均聚物，亦可為共聚物。
該情況，較好為(A)樹脂具有之官能基I係源自以下述式(A2)或下述式(A2-1)表示之單體：CH2=CR2-(R3)a-CO-R4‧‧‧(A2)
(式(A2)中，R2為氫原子或甲基，R3為2價之烴基，a為0或1，R4為-OH、-O-R5、或-NH-R5，R5係經選自羥基、氰基及羧基所成之群之1個以上之官能基取代之烴基)，CH2=CR2-(R3)a-SO3X‧‧‧(A2-1)
(式(A2-1)中，R2、R3及a與式(A2)相同，X為氫原子或鹼金屬)。
上述式(A2)中，R3為2價烴基。2價烴基之碳原子數只要不阻礙本發明目的之範圍，則未特別限定。基於容易獲得或調製(A)樹脂之觀點，作為R3之2價烴基之碳原子數較好為1~20，更好為1~12，特佳為1~10，最好為1~6。
作為R3之2價烴基可為脂肪族基，亦可為芳香族基，亦可為含脂肪族部分與芳香族部分之烴基。2價烴基為脂肪族基時，該脂肪族基可為飽和脂肪族基亦可為不飽和脂肪族基。且，該脂肪族基之構造可為直鏈狀、分支狀、環狀，亦可為該等構造之組合。
作為R3之較佳具體例舉例為亞甲基、乙烷- 1,2-二基、乙烷-1,1-二基、丙烷-1,3-二基、丙烷-1,1-二基、丙烷-2,2-二基、正丁烷-1,4-二基、正戊烷-1,5-二基、正己烷-1,6-二基、正庚烷-1,7-二基、正辛烷-1,8-二基、正壬烷-1,9-二基、正癸烷-1,10-二基、鄰-伸苯基、間-伸苯基、對-伸苯基、萘-2,6-二基、萘-2,7-二基、萘-1,4-二基、聯苯-4,4’-二基等。
R4為-OH、-O-R5、或-NH-R5，R5係經選自羥基、氰基及羧基所成之群之1個以上之官能基取代之烴基。
構成R5基之主骨架之烴基可為直鏈狀、分支鏈狀、或環狀之脂肪族基，亦可為芳香族烴基。
直鏈狀、分支鏈狀、或環狀之脂肪族基之碳原子數較好為1~20，更好為1~12。
作為直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族基之較佳具體例舉例為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、第二戊基、第三戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基等。
作為環狀脂肪族基之較佳例舉例為環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基及環辛基等之環烷基，或自金剛烷、降冰片烷、異冰片烷、三環癸烷、及四環癸烷等之多環烷去除1個氫原子之基、或此等之多環烷之C1-C4烷基取代物去除1個氫原子之基。
作為芳香族烴基之較佳具體例，舉例為苯基、萘基、 蒽基、菲基及聯苯基等。芳香族烴基亦可經甲基、乙基等之C1-C4烷基取代。
作為源自以式(A2)表示之單體之單位之特佳具體例舉例為下述a2-1~a2-9之單位。下述a2-1~a2-9之單位中，更好為a2-1~a2-4之單位。
Figure 106110567-A0202-12-0014-6
作為以式(A2-1)表示之單體之較佳例舉例為對-乙烯基苯磺酸、對-乙烯基苯磺酸鈉、對-乙烯基苯磺酸鉀、間-乙烯基苯磺酸、間-乙烯基苯磺酸鈉、間-乙烯基苯磺酸鉀、乙烯基磺酸、乙烯基磺酸鈉及乙烯基磺酸鉀。
(A)樹脂具有疏水性基作為官能基II時，較好為官能基II為源自下式(A3)表示之單體：CH2=CR2-(CO-O)b-R6‧‧‧(A3)
(式(A3)中，R2為氫原子或甲基，b為0或1，R6為氟化烴基或以下式(A4)表示之基：-SiR7R8-(-O-SiR7R8-)n-R9‧‧‧(A4)
R7、R8及R9分別獨立為碳原子數1~6之烴基，n為0以上之整數)。
式(A3)中，R6為氟化烴基時，構成該氟化烴基之主骨架之烴基與構成前述R5之基的主骨架之烴基相同。該氟化烴基亦可為烴基所具有之氫原子全部經氟原子取代之基。
作為R6之氟化烴基之具體例，舉例為-CF3、-CF2CF3、-(CF2)2CF3、-(CF2)3CF3、-(CF2)4CF3、-(CF2)5CF3、-(CF2)6CF3、-(CF2)7CF3、-(CF2)8CF3、-(CF2)9CF3、-CH2CF3、-CH2CF2CF3、-CH2(CF2)2CF3、-CH2(CF2)3CF3、-CH2(CF2)4CF3、-CH2(CF2)5CF3、-CH2(CF2)6CF3、-CH2(CF2)7CF3、-CH2(CF2)8CF3、-CH2CH2CF3、-CH2CH2CF2CF3、-CH2CH2(CF2)2CF3、-CH2CH2(CF2)3CF3、-CH2CH2(CF2)4CF3、-CH2CH2(CF2)5CF3、-CH2CH2(CF2)6CF3、-CH2CH2(CF2)7CF3、-CH2CF2H、-CH2CF2CF2H、-CH2(CF2)2CF2H、-CH2(CF2)3CF2H、-CH2(CF2)4CF2H、-CH2(CF2)5CF2H、-CH2(CF2)6CF2H、-CH2(CF2)7CF2H、-CH2(CF2)8CF2H、-CH2CH2CF2H、-CH2CH2CF2CF2H、-CH2CH2(CF2)2CF2H、-CH2CH2(CF2)3CF2H、-CH2CH2(CF2)4CF2H、-CH2CH2(CF2)5CF2H、-CH2CH2(CF2)6CF2H、-CH2CH2(CF2)7CF2H、及-CH(CF3)2等之鏈狀氟化烷基；五氟苯基、鄰-三氟甲基苯基、間-三氟甲基苯基、對-三氟甲基苯基等之氟化芳香族烴基；八氟金剛烷基等之氟化脂環式基。
式(A3)中，R6為式(A4)表示之基時，R7、R8及R9較好分別獨立為甲基、乙基或苯基，更好R7、R8及R9均為甲基。
式(A4)中，n之上限，在不損及本發明目的之範圍內並未特別限定。n較好為0以上35以下之整數，更好為0以上10以下之整數。
作為源自式(A3)表示之單體之具有疏水性基 之單位之特佳具體例舉例為下述a3-1~a3-24之單位。下述單位中，更佳為a3-8、a3-12、a3-18、a3-19及a3-22之單位。
Figure 106110567-A0202-12-0016-7
又，(A)樹脂具有親水性基作為官能基II時，官能基II較佳為源自下式(A5)表示之單體：CH2=CR2-CO-NH-R1‧‧‧(A5)
(式(A5)中，R1係經選自胺基、磺酸基及羥基所成之群之1個以上之基取代之碳原子數1~4之烷基、或氫原子，R2為氫原子或甲基)。
式(A5)中，關於R1係如前述。
作為源自式(A5)表示之單體之具有親水性基之單位的特佳具體例舉例為下述a5-1~a5-5之單位。下述單位中，更好為a5-1~a5-4之單位。
Figure 106110567-A0202-12-0017-8
(A)樹脂為具有不飽和鍵之單體之聚合物時，該聚合物在不阻礙本發明目的之範圍內，亦可含有前述之源自式(A2)表示之單體之單位、源自式(A3)表示之單體之單位及源自式(A5)表示之單體之單位以外之其他構成單位。
作為其他構成單位，舉例為源自例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁基、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸正戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸苯酯、N-甲基(甲基)丙烯醯胺、N-乙基(甲基)丙烯醯胺、N-正丙基(甲基)丙烯醯胺、N-異丙基(甲基)丙烯醯胺、N-正丁基(甲基)丙烯醯 胺、N-正戊基(甲基)丙烯醯胺、N-異戊基(甲基)丙烯醯胺、N-苯基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二乙基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二正丙基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二正丁基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二正戊基(甲基)丙烯醯胺、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、β-甲基苯乙烯、鄰-甲基苯乙烯、間-甲基苯乙烯、對-甲基苯乙烯及氯苯乙烯等之單體之構成單位。
(A)樹脂為具有不飽和鍵之單體之聚合物時，該聚合物所含之全部構成單位中之源自式(A2)表示之單體之構成單位之莫耳比率較好為0.1~50莫耳%，更好為1~20莫耳%，特佳為1~15莫耳%。
(A)樹脂為具有不飽和鍵之單體之聚合物時，該聚合物所含之全部構成單位中之源自式(A3)或(A5)表示之單體之構成單位之莫耳比率較好為50~99.9莫耳%，更好為60~99莫耳%，特佳為70~99莫耳%。
惟，源自式(A5)表示之單體之構成單位含有羥基、氰基、羧基之任一基時，聚合物所含之全部構成單位中之源自式(A5)表示之單體之構成單位之比率可為100%。
且，以下述式(A6)表示之矽氧烷化合物作為(A)樹脂亦較佳：A1-SiR10R11-O-(-SiR10A2-O-)p-SiR10R11A3‧‧‧(A6)
(式(A6)中，R10及R11分別獨立為碳原子數1~6之烴基，A1、A2及A3分別獨立為羥基、氰基、羧基或碳原子數1~6之烴基，A1、A2及A3之至少1個為羥基、氰基或 羧基，p為0以上之整數)。以式(A6)表示之矽氧烷化合物相當為具有矽烷氧基作為疏水性基之(A)樹脂。
式(A6)中，分別複數存在之R10可相同亦可不同。且式(A6)中，分別複數存在之R11可相同亦可不同。
較好R10及R11分別獨立為甲基、乙基或苯基，更好R10及R11均為甲基。
且，A1、A2及A3為碳原子數1~6之烴基時，較好A1、A2及A3分別獨立為甲基、乙基或苯基，更好為甲基。
處理液中所含之(A)樹脂之量，在不阻礙本發明目的之範圍內並未特別限定，可考慮處理液之塗佈性等而適當決定。典型上，處理液中之(A)樹脂量較好為處理液中之(A)樹脂量與後述之(C)溶劑之量之關係為以下關係之量。
將處理液中之樹脂質量設為100質量份時，後述之(C)溶劑之量較好為100~100000質量份，更好為500~80000質量份，特佳為1000~60000質量份。
[(B)光酸產生劑]
處理液含有(B)光酸產生劑。(B)光酸產生劑係藉由光之作用產生pKa為1以下之強酸。又，pKa為水中之值。
(B)光酸產生劑所產生之強酸藉由作用於(A)樹脂具有之官能基I而促進(A)樹脂對被處理體表面之附著或鍵結。
(B)光酸產生劑之種類若為藉由光之作用產生pKa為1以下之強酸之化合物，則未特別限定。(B)光酸產生劑可組合2種以上使用。
作為(B)光酸產生劑所產生之強酸之較佳例舉例為氟化脂肪族羧酸(例如三氟乙酸等)、氟磺酸、碳原子數1~30之烷磺酸(例如甲烷磺酸、十二烷磺酸等)、芳基磺酸(例如苯磺酸、對-甲苯磺酸等)、碳原子數1~30之氟烷磺酸(例如三氟甲烷磺酸、五氟乙烷磺酸、七氟丙烷磺酸、九氟丁烷磺酸、十一氟戊烷磺酸及十三氟己烷磺酸)、雙磺醯亞胺化合物、2個磺醯基以氟伸烷基連結之環狀磺醯亞胺化合物及N-醯基氟烷磺酸醯胺等。
該等強酸含有氟烷基或氟伸烷基時，該等基可為部分氟化之氟烷基或氟伸烷基，亦可為完全氟化之全氟烷基或全氟伸烷基。
該等強酸中，較好為氟磺酸、碳原子數1~30之烷磺酸、碳原子數1~30之氟烷磺酸、雙(氟烷基磺醯基)醯亞胺酸、2個磺醯基以氟伸烷基連結之環狀磺醯亞胺酸及N-醯基氟烷磺酸醯胺，較佳為碳原子數1~30之氟烷磺酸、雙磺醯亞胺化合物、2個磺醯基以氟伸烷基連結之環狀磺醯亞胺化合物及N-醯基氟烷磺酸醯胺。
作為碳原子數1~30之氟烷磺酸較佳為三氟甲烷磺酸、五氟乙烷磺酸、七氟丙烷磺酸及九氟壬烷磺酸等。
作為雙磺醯亞胺化合物較好為以下式(B1)表 示之化合物。
Figure 106110567-A0202-12-0021-9
式(B1)中，X1及X2分別獨立表示經至少1個拉電子性基取代之烴基。烴基在不損及(B1)表示之化合物之強酸性之範圍內，亦可經拉電子性基以外之各種基取代。X1及X2之碳原子數較好為1~20，更好為1~10，特佳為1~7。
作為以拉電子性基取代之烴基較好為氟化烷基、具有硝基之芳基。氟化烷基可為直鏈狀，可為分支鏈狀，亦可為環狀。氟化烷基較好為完全氟化之全氟烷基。作為具有硝基之芳基，較好為鄰-硝基苯基、間-硝基苯基及對-硝基苯基，更好為對-硝基苯基。
作為式(B1)表示之化合物之較佳具體例舉例為下式之化合物。
Figure 106110567-A0202-12-0021-10
2個磺醯基以氟伸烷基連結之環狀磺醯亞胺化合物較好為下式(B2)表示之化合物。
Figure 106110567-A0202-12-0022-14
式(B2)中，X3表示至少1個氫原子經氟原子取代之直鏈狀或分支狀之伸烷基。X3之碳原子數較好為2~6，更好為3~5，特佳為3。
作為式(B2)表示之化合物之較佳具體例舉例為下式化合物。
Figure 106110567-A0202-12-0022-12
作為N-醯基氟烷磺醯胺較好為下式(B3)表示之化合物。
Figure 106110567-A0202-12-0022-13
式(B3)中，X4表示至少1個氫原子經氟原子取代之直鏈狀或分支狀之烷基。X4之碳原子數較好為1~10，更好為1~7，特佳為1~3。
X5為烴基。關於烴基，與構成前述R5之基的主骨架之烴基相同。
作為式(B3)表示之化合物之較佳具體例舉例為下式化合物。
Figure 106110567-A0202-12-0023-15
作為(B)光酸產生劑較好為可產生上述說明之較佳強酸的化合物。
作為該化合物較好為由源自上述強酸之陰離子與鎓離子所成之鎓鹽化合物。作為鎓離子，更好為錪離子及鋶離子，更好為鋶離子。
作為鎓離子之較佳例舉例為三苯基鋶、三-對-甲苯基鋶、4-(苯硫基)苯基二苯基鋶、雙[4-(二苯基鋶)苯基]硫醚、雙[4-{雙[4-(2-羥基乙氧基)苯基]鋶}苯基]硫醚、雙{4-[雙(4-氟苯基)鋶]苯基}硫醚、4-(4-苯甲醯基-2-氯苯硫基)苯基雙(4-氟苯基)鋶、7-異丙基-9-氧代-10-硫雜-9,10-二氫蒽-2-基二-對甲苯鋶、7-異丙基-9-氧代-10-硫雜-9,10-二氫蒽-2-基二苯基鋶、2-[(二苯基)鋶]噻噸酮、4-[4-(4-第三丁基苯甲醯基)苯硫基]苯基二-對-甲苯基鋶、4-(4-苯甲醯基苯硫基)畚箕二苯基鋶、二苯基苯甲醯甲基鋶、4-羥基苯基甲基苄基鋶、2-萘基甲基(1-乙氧羰基)乙基鋶、4-羥基苯基甲基苯甲醯甲基鋶、苯基[4-(4-聯苯基硫基)苯基]4-聯苯基鋶、苯基[4-(4-聯苯基硫基)苯基]3-聯苯基鋶、[4-(4-乙醯基苯硫基)苯基]二苯基鋶、十八烷基甲基苯甲醯甲基鋶、二苯基錪、二-對-甲苯基錪、雙(4-十二烷基苯基)錪、雙(4-甲氧基苯基)錪、(4-辛氧基苯基)苯基 錪、雙(4-癸氧基)苯基錪、4-(2-羥基十四烷氧基)苯基苯基錪、4-異丙基苯基(對-甲苯基)錪或4-異丁基苯基(對-甲苯基)錪等。
又，以下式(B4)表示之鋶離子亦較好作為構成鎓鹽之鎓離子。
Figure 106110567-A0202-12-0024-16
上述式(B4)中，Rb1分別獨立表示選自由氫原子、烷基、羥基、烷氧基、烷羰基、烷羰氧基、烷氧羰基、鹵素原子、可具有取代基之芳基、芳羰基所成之群之基。X6係以下述式(B5)表示之構造。
Figure 106110567-A0202-12-0024-17
上述式(B5)中，X7表示碳原子數1~8之伸烷基、碳原子數6~20之伸芳基、或碳原子數8~20之雜環化合物之2價基，X7亦可經選自碳原子數1~8之烷基、碳原子數1~8之烷氧基、碳原子數6~10之芳基、羥基、氰基、硝基之各基及鹵素所成之群選出之至少一種取代。X8表示-O-、-S-、-SO-、-SO2-、-NH-、-NRb2-、-CO-、 -COO-、-CONH-、碳原子數1~3之伸烷基或伸苯基。h表示括弧內構造之重複單位數。h+1個X6及h個X7各可相同亦可不同。Rb2係碳原子數1~5之烷基或碳原子數6~10之芳基。
上述式(B4)表示之鋶離子之具體例舉例為4-(苯硫基)苯基二苯基鋶、4-(4-苯甲醯基-2-氯苯硫基)苯基雙(4-氟苯基)鋶、4-(4-苯甲醯基苯硫基)苯基二苯基鋶、苯基[4-(4-聯苯硫基)苯基]4-聯苯基鋶、苯基[4-(4-聯苯硫基)苯基]3-聯苯基鋶、[4-(4-乙醯基苯硫基)苯基]二苯基鋶、二苯基[4-(對-聯三苯硫基)苯基]二苯基鋶。
又，由具有萘環之陽離子部與源自上述強酸之陰離子部所成之鎓鹽亦較好作為(B)光酸產生劑。所謂該「具有萘環」意指具有源自萘之構造，意指維持至少2個環之構造與該等之芳香族性。該萘環可具有碳原子數1~6之直鏈狀或分支狀之烷基、羥基、碳原子數1~6之直鏈狀或分支狀之烷氧基等之取代基。源自萘環之構造可為1價基(游離原子價為1個)，亦可為2價基以上(游離原子價為2個)，但期望為1價基(惟，此時與上述取代基鍵結之部分除外而算游離原子價)。萘環之數較好為1~3。
作為具有萘環之鎓離子較好為下述式(B6)表示之鎓離子。
Figure 106110567-A0202-12-0026-18
上述式(B6)中，Rb3、Rb4、Rb5中之至少1個表示下述式(B7)表示之基，其餘為碳原子數1~6之直鏈狀或分支狀烷基、可具有取代基之苯基、羥基、或碳原子數1~6之直鏈狀或分支狀烷氧基。或者，亦可為Rb3、Rb4、Rb5中之至少1個表示下述式(B7)表示之基，其餘2個各獨立為碳原子數1~6之直鏈狀或分支狀伸烷基，且該等之末端鍵結成為環狀。
Figure 106110567-A0202-12-0026-19
上述式(B7)中，Rb6、Rb7分別獨立表示羥基、碳原子數1~6之直鏈狀或分支狀之烷氧基、或碳原子數1~6之直鏈狀或分支狀之烷基，Rb8表示單鍵或可具有取代基之碳原子數1~6之直鏈狀或分支狀之伸烷基。l及m分別獨立表示0~2之整數，l+m為3以下。惟，Rb6存在複數時，該等相互可相同亦可不同。且，Rb7存在複數時，該等相互可相同亦可不同。
上述Rb3、Rb4、Rb5中以上述式(B7)表示之基之數，基於化合物之安定性之觀點，較佳為1個，其餘為 為碳原子數1~6之直鏈狀或分支狀伸烷基，且該等之末端亦可鍵結成為環狀。該情況下，上述2個伸烷基構成含硫原子之3~9員環。構成環之原子(包含硫原子)之數較好為5~6。
且，作為上述伸烷基可具有之取代基舉例為氧原子(該情況，與構成伸烷基之碳原子一起形成羰基)、羥基等。
且，作為苯基可具有之取代基舉例為羥基、碳原子數1~6之直鏈狀或分支狀之烷氧基、碳原子數1~6之直鏈狀或分支狀之烷基等。
作為該等陽離子部之較佳者可舉例為下述式(B8)、(B9)表示者等，特佳為下述式(B9)表示之構造。
Figure 106110567-A0202-12-0027-20
處理液中之(B)光酸產生劑之含量，只要可良好進行利用處理液之表面處理則未特別限定。處理液中之(B)光酸產生劑含量相對於(A)樹脂100質量份，較好為0.1~20質量份，更好為0.1~10質量份，特佳為0.1~5質量份。
[(C)溶劑]
(C)溶劑若為可溶解(A)樹脂與(B)光酸產生劑之溶劑則未特別限定。處理液中，(A)樹脂與(B)光酸產生劑若溶解特定量，則處理液亦可含有未溶解狀態之(A)樹脂與(B)光酸產生劑。(A)樹脂與(B)光酸產生劑較好於處理液中完全溶解。
處理液含不溶物時，於表面處理時，有於被處理體表面附著不溶物之情況。該情況，經表面處理之被處理體表面可藉由如後述之方法清洗，而去除附著於被處理體表面之不溶物。
(C)溶劑可為水，亦可為有機溶劑，亦可為有機溶劑之水溶液。
作為(C)溶劑使用之有機溶劑之具體例舉例為甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、第二丁醇、異丁醇、第三丁醇、正戊醇、第二戊醇、異戊醇、第三戊醇等之C1-C5之醇類；二甲基亞碸等之亞碸類；二甲基碸、二乙基碸、雙(2-羥基乙基)碸、四亞甲基碸等之碸類；N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二乙基乙醯胺等之醯胺類；N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮、N-丙基-2-吡咯啶酮、N-羥甲基-2-吡咯啶酮、N-羥乙基-2-吡咯啶酮等之內醯胺類；1,3-二甲基-2-咪唑啶酮、1,3-二乙基-2-咪唑啶酮、 1,3-二異丙基-2-咪唑啶酮等之咪唑啶酮類；二甲基甘醇、二甲基二甘醇、二甲基三甘醇；甲基乙基二甘醇、二乙基二甘醇、三乙二醇丁基甲基醚等之二烷二醇醚類；乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單正丙醚、乙二醇單正丁醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單正丙醚、二乙二醇單正丁醚、三乙二醇單甲醚、三乙二醇單乙醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單正丙醚、丙二醇單正丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、二丙二醇單正丙醚、二丙二醇單正丁醚、三丙二醇單甲醚、三丙二醇單乙醚等之(聚)烷二醇單烷醚類；乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯等之(聚)烷二醇單烷醚乙酸酯類；二甲醚、二乙醚、甲基乙基醚、二丙醚、二異丙醚、二丁醚、二異戊醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇甲基乙基醚、二乙二醇二乙醚、四氫呋喃等之其他醚類；甲基乙基酮、環己酮、2-庚酮、3-庚酮等之酮類；2-羥基丙酸甲酯、2-羥基丙酸乙酯等之乳酸烷酯類；2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、羥基乙酸乙酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、乙酸3-甲基-3-甲氧基丁酯、丙酸3-甲基-3-甲氧基丁酯、乙酸 乙酯、乙酸正丙酯、乙酸異丙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丁酯、甲酸正戊酯、乙酸異戊酯、丙酸正丁酯、丁酸乙酯、丁酸正丙酯、丁酸異丙酯、丁酸正丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸正丙酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、2-氧代丁酸乙酯等之其他酯類；β-丁內酯、γ-丁內酯、δ-戊內酯等之內酯類；正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、甲基辛烷、正癸烷、正十一烷、正十二烷、2,2,4,6,6-五甲基庚烷、2,2,4,4,6,8,8-七甲基壬烷、環己烷、甲基環己烷等之直鏈狀、分支鏈狀或環狀之脂肪族烴類；苯、甲苯、二甲苯、1,3,5-三甲基苯、萘等之芳香族烴類；對-薄荷烷、二苯基薄荷烷、檸烯、松油烯、冰片烷、降冰片烷、蒎烷等之萜品類；等。
(C)溶劑為水與有機溶劑之混合溶劑時，(C)溶劑中之有機溶劑含量較好為10質量%以上，更好為20質量%以上。
<其他成分>
處理液在不阻礙本發明範圍內，亦可含有(A)樹脂、(B)光酸產生劑及(C)溶劑以外之各種成分。作為其他成分舉例為例如著色劑、界面活性劑、消泡劑、黏度調整劑等。
<處理液之調製方法>
調製處理液之方法並未特別限定。處理液典型上藉由均一混合個別特定量之(A)樹脂、(B)光酸產生劑與(C)溶劑及根據需要之其他成分而調製。
<塗佈膜形成步驟>
將以上說明之表面處理液塗佈於被處理體表面而形成塗佈膜。
表面處理液之塗佈方法並未特別限定。作為塗佈方法之具體例舉例為旋轉塗佈法、噴霧法、輥塗佈法、浸漬法等。被處理體為基板時，基於可均一塗佈表面處理液而可使基板表面均一親水化或疏水化，作為塗佈方法較好為旋轉塗佈法。
被處理體之塗佈表面處理液之面的材質並未特別限定，可為有機材料，亦可為無機材料。
作為有機材料舉例為PET樹脂及PBT樹脂等之聚酯樹脂、各種尼龍、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚乙烯及聚丙烯等之聚烯烴、聚苯乙烯、(甲基)丙烯酸樹脂等之各種樹脂材料。
且，各種阻劑材料中所含之感光性樹脂成分及鹼可溶性之樹脂成分亦較好作為有機材料。
作為無機材料舉例為玻璃、矽及、酮、鋁、鐵、鎢等之各種金屬。金屬亦可為合金。
利用前述表面處理液進行表面處理之面的材 質並未特別限定，塗佈表面處理液之面的材質為有機材料時，較好使用含有具有羥基及/或羧基作為官能基I之(A)樹脂之表面處理液。
塗佈表面處理液之面的材質為無機材料時，作為(A)樹脂所具有之官能基I較好為羥基、羧基及氰基之任一者。
被處理體之形狀並未特別限定。被處理體可為平坦基板例如球狀，及可為柱狀等之立體形狀。且，被處理體表面可為平滑，亦可為具有規則或不規則之凹凸。
表面處理液於塗佈於被處理體表面後，亦可根據需要加熱塗佈膜去除(C)溶劑之至少一部分。
<曝光步驟>
對於如以上形成之塗佈膜照射例如波長為300~500nm之紫外線或可見光線進行曝光。曝光係對欲進行親水化或疏水化之部位進行。
欲使形成塗佈膜之部位全體高度親水化或疏水化時，對於塗佈膜全面進行曝光。欲使形成塗佈膜之部位之一部分高度親水化或疏水化，其他部位之親水化或疏水化程度降低時，僅對欲高度親水化或疏水化之處位置選擇性地進行曝光。
位置選擇性地進行曝光之方法並未特別限定，但通常透過光罩進行。
作為放射線之線源，可使用低壓水銀燈、高 壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵素燈、氬氣雷射等。且，放射線包含微波、紅外線、可見光線、紫外線、X射線、γ射線、電子束、正子束、中子束、離子束等。放射線照射量(曝光量)典型上於例如使用超高壓水銀燈時，為100~10000mJ/cm2。
<烘烤步驟>
其次，烘烤經曝光之塗佈膜。烘烤溫度典型上較好為40~200℃，更好為60~150℃。烘烤時間較好為10~6000秒，更好為10~300秒。
<清洗步驟>
經烘烤之塗佈膜進行清洗。
如前述，含有具有特定官能基之(A)樹脂與(B)光酸產生劑之表面處理液塗佈於被處理體表面後進行曝光時，藉由自(B)光酸產生劑產生之強酸之作用，使(A)樹脂良好地附著或鍵結於被處理體表面。
不過，被處理體表面尤其是未曝光部，亦以某程度之量存在有未附著或鍵結於該表面之(A)樹脂。
因此，藉由清洗塗佈膜，將未附著或鍵結於該表面之(A)樹脂等沖洗掉。
其結果，藉由清洗，於被處理體表面之經曝光部位形成膜厚10nm以下之薄膜。
薄膜膜厚可使用分光橢圓偏振儀測定。
使用含有具有親水性基作為官能基II之(A)樹脂之表面處理液時，較好利用水進行清洗。且，使用含有具有疏水性基作為官能基II之(A)樹脂之表面處理液時，較好利用有機溶劑進行清洗。有機溶劑較好為表面處理液中作為(C)溶劑而含有之有機溶劑。
清洗後，藉由使被處理體之表面乾燥，獲得良好親水化或疏水化之物品。
藉由以上說明之方法表面處理之各種物品，可僅於必要之部位高度親水化或疏水化，另一方面可使其他部位之親水化或疏水化程度降低。作為施以該表面處理之物品較好為例如細胞培養器具及供包含細胞等之生物試料之液體流通之微流路裝置等。藉由表面處理，而對各種物品賦予防污性及防霧性等。
[實施例]
以下，藉由實施例更詳細說明本發明，但本發明不受該等實施例之限定。
[實施例1~10及比較例1~4]
各實施例及比較例中，作為(A)樹脂係使用表1記載之樹脂。
表1中記載之構成單位A-1a~A-6a係對(A)樹脂賦予親水性基或疏水性基之構成單位。表示A-6a之式中，n係括弧內之單位重複數。
表1中記載之構成單位A-1b~A-3b係對(A)樹脂賦予羥基、氰基或羧基之構成單位。
表1中記載之構成單位A-1c~A-2c係不具有親水性基、疏水性基、羥基、氰基及羧基之任一者之構成單位。
表1中記載之化合物1~4分別係下述構造之有機矽氧烷化合物。表示化合物1~4之式中，n、n1及n2分別為括弧內之單位重複數。
Figure 106110567-A0202-12-0035-21
Figure 106110567-A0202-12-0035-22
Figure 106110567-A0202-12-0036-23
以下之矽氧烷化合物中，化合物1之羥基量為58mgKOH/mol，化合物3之羧基量為4000g/mol，化合物4之直接鍵結於矽原子之氫原子量為60g/mol。
Figure 106110567-A0202-12-0036-24
Figure 106110567-A0202-12-0036-25
實施例及比較例中，使用以下之光酸產生劑B1~B3。B1及B2係產生pKa為1以下之強酸的光酸產生劑，B3係產生pKa超過1之酸的光酸產生劑。
Figure 106110567-A0202-12-0037-26
將表1記載之種類的(A)樹脂10質量份、表2記載之種類及量的(B)光酸產生劑均一混合於表2記載之種類及量之(C)溶劑中，獲得各實施例及比較例之表面處理液。
表2中之PGME係丙二醇單甲醚，PGMEA係丙二醇單甲醚乙酸酯。
所得表面處理液以1000rpm 30秒之條件旋轉塗佈於玻璃基板上後，進行100℃ 60秒之乾燥獲得塗佈膜。
對於所得塗佈膜透過遮罩，使用HMW-532D(ORC公司製)以曝光量1000mJ/cm2進行曝光。
經曝光之塗佈膜於100℃烘烤60秒後，予以清洗，獲得經表面處理之玻璃基板。
使用具有親水性之樹脂之實施例1~3、實施例7、比較例1及比較例4以水進行清洗。其他實施例及比較例以PGMEA進行清洗。
使經清洗之玻璃基板乾燥後，針對曝光部與未曝光部分別測定玻璃基板之水接觸角。水接觸角之測定係使用Dropmaster700(協和界面科學股份有限公司製)將純水液滴(2.0μL)滴下於經表面處理之基板表面，測定滴下10秒後之接觸角。水接觸角之測定結果記於表2。
又，針對乾燥後之基板，以分光橢圓偏振儀確認經曝光部位，於實施例觀察到膜厚10nm以下之薄膜存在，比較例未觀察到薄膜存在。
Figure 106110567-A0202-12-0038-27
依據實施例可知，使用含有具有選自由羥基、氰基及羧基所成之群之1個以上之基的官能基I及官能基I以外之親水性基或疏水性基的官能基II之(A)樹脂及產生pKa為1以下之強酸之(B)光酸產生劑的表面處理液時，使由表面處理液所成之塗佈膜曝光後，施以烘烤及 清洗，可僅使基板上之經曝光部位良好親水化或疏水化。
依據比較例1~3可知，(A)樹脂不含羥基、氰基及羧基之任一者時，表面處理液即使含有產生pKa為1以下之強酸之(B)光酸產生劑，亦無法使曝光部良好地親水化或疏水化。
依據比較例4可知，即使(A)樹脂具有羧基的官能基I及親水性基之官能基II，於含有產生pKa超過1之酸之(B)光酸產生劑時，亦無法使曝光部良好地親水化或疏水化。
[實施例11~15]
實施例11中，使用使(A)樹脂之10質量份與(B)光酸產生劑0.1質量份、PGMEA 1000質量份均一混合所得之表面處理液。
實施例11之表面處理液所含之樹脂係以莫耳比95：5(A-4a：A-2b)含有前述A-4a單位與A-2b單位之樹脂。
又，實施例11之表面處理液中所含之(B)光酸產生劑係前述之B2化合物。
除分別使用表3記載之種類的表面處理液，且將基板種類變更為表3記載之種類，並對塗佈膜全面進行曝光以外，與實施例1同樣，測定表面處理後之水的接觸角。測定結果記於表1。又，PET薄膜、矽晶圓之未處理狀態的水接觸角，於PET薄膜係約70°，矽晶圓約10°。
Figure 106110567-A0202-12-0040-28
依據實施例11可知，作為表面處理液中所含之樹脂(A)具有氰基作為官能基I時，由無機材料(矽)所成之基板表面經良好疏水化。
依據實施例12~15可知，作為表面處理液中所含之樹脂(A)具有羥基或羧基作為官能基I時，由無機材料(矽)所成之基板表面及由有機材料(PET)所成之基板表面均經良好疏水化。

Claims (11)

  1. 一種表面處理方法，其係使用感光性表面處理液之表面處理方法，且包含下述步驟：於被處理體表面塗佈前述感光性表面處理液，形成塗佈膜，使前述塗佈膜之至少一部分曝光，使經曝光之前述塗佈膜進行烘烤，及使經烘烤之前述塗佈膜進行清洗，而於前述被處理體之表面經曝光部位形成膜厚10nm以下之薄膜，前述感光性表面處理液含有(A)樹脂、(B)光酸產生劑及(C)溶劑，前述(A)樹脂具有選自由羥基、氰基及羧基所成之群之1個以上之基的官能基I、及前述官能基I以外之親水性基或疏水性基的官能基II，前述(B)光酸產生劑係產生pKa為1以下之強酸。
  2. 如請求項1之表面處理方法，其中前述塗佈膜之曝光係透過光罩位置選擇性地進行。
  3. 如請求項1或2之表面處理方法，其中前述官能基II之前述親水性基係以下述式(A1)表示之基：-NH-R1‧‧‧(A1)(式(A1)中，R1係經選自胺基及磺酸基所成之群之1 個以上之基取代之碳原子數1~4之烷基、或氫原子)或以下述式(A2-1)表示之基：CH2=CR2-(R3)a-SO3X‧‧‧(A2-1)(式(A2-1)中，R2為氫原子或甲基，R3為2價之烴基，a為0或1，X為氫原子或鹼金屬)。
  4. 如請求項1或2之表面處理方法，其中前述官能基I係源自以下述式(A2)表示之單體：CH2=CR2-(R3)a-CO-R4‧‧‧(A2)(式(A2)中，R2為氫原子或甲基，R3為2價之烴基，a為0或1，R4為-OH、-O-R5、或-NH-R5，R5係經選自羥基、氰基及羧基所成之群之1個以上之官能基取代之烴基)。
  5. 如請求項1或2之表面處理方法，其中前述官能基II之前述疏水性基係選自由氟化烴基、矽烷基及矽氧烷基所成之群之1個以上之基。
  6. 如請求項1或2之表面處理方法，其中前述官能基II為疏水性基且係源自下式(A3)表示之單體：CH2=CR2-(CO-O)b-R6‧‧‧(A3)(式(A3)中，R2為氫原子或甲基，b為0或1，R6為氟化烴基或以下式(A4)表示之單體：-SiR7R8-(-O-SiR7R8-)n-R9‧‧‧(A4) R7、R8及R9分別獨立為碳原子數1~6之烴基，n為0以上之整數)。
  7. 如請求項1或2之表面處理方法，其中前述官能基II為親水性基且係源自下式(A5)表示之單體：CH2=CR2-CO-NH-R1‧‧‧(A5)(式(A5)中，R1係經選自胺基、及磺酸基所成之群之1個以上之基取代之碳原子數1~4之烷基、或氫原子，R2為氫原子或甲基)。
  8. 如請求項1或2之表面處理方法，其中前述(A)樹脂係以下述式(A6)表示之矽氧烷化合物：A1-SiR10R11-O-(-SiR10A2-O-)p-SiR10R11A3‧‧‧(A6)(式(A6)中，R10及R11分別獨立為碳原子數1~6之烴基，A1、A2及A3分別獨立為羥基、氰基、羧基或碳原子數1~6之烴基，A1、A2及A3之至少1個為羥基、氰基或羧基，p為0以上之整數)。
  9. 如請求項1或2之表面處理方法，其中塗佈前述表面處理液之面的材質為有機材料，前述(A)樹脂具有羥基及/或羧基作為前述官能基I。
  10. 一種感光性表面處理液，其係如請求項1或2之表面處理方法中所用之感光性表面處理液，且 含有(A)樹脂、(B)光酸產生劑及(C)溶劑，前述(A)樹脂具有選自由羥基、氰基及羧基所成之群之1個以上之基的官能基I、及前述官能基I以外之親水性基或疏水性基的官能基II，前述(B)光酸產生劑係產生pKa為1以下之強酸。
  11. 一種感光性表面處理液，其含有(A)樹脂、(B)光酸產生劑及(C)溶劑，前述(A)樹脂具有選自由羥基、氰基及羧基所成之群之1個以上之基的官能基I、及前述官能基I以外之親水性基或疏水性基的官能基II，且為含有下述疏水性基的樹脂或式(A6)表示的矽氧烷化合物，其中該疏水性基為選自由式(A4)表示之基、碳原子數6~20之烷基、碳原子數10~20之芳香族烴基、具有末端CF3基之碳原子數7~10之鏈狀氟化烷基、具有末端CF2H基之鏈狀氟化烷基、氟化芳香族烴基及氟化脂環式基所成群之1種以上之基，-SiR7R8-(-O-SiR7R8-)n-R9‧‧‧(A4)(式(A4)中，R7、R8及R9分別獨立為碳原子數1~6之烴基，n為0以上之整數)A1-SiR10R11-O-(-SiR10A2-O-)p-SiR10R11A3‧‧‧(A6)(式(A6)中，R10及R11分別獨立為碳原子數1~6之烴基，A1、A2及A3分別獨立為羥基、氰基、羧基或碳原子數1~6之烴基，A1、A2及A3之至少1個為羥基、氰基或羧基，p為0以上之整數) 前述(B)光酸產生劑係產生pKa為1以下之強酸。
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