TWI732474B - 模組基板及印刷基板 - Google Patents

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Abstract

實施形態提供一種可將來自半導體裝置之熱有效率地放散之模組基板及印刷基板。  實施形態之模組基板，其具備：印刷基板，其具有貫通孔；半導體裝置，其以覆蓋貫通孔之方式安裝於印刷基板；及傳熱性之多角柱，其設置於貫通孔內；且半導體裝置具有接地端子或電源端子，多角柱係於多角柱之角，被貫通孔之內壁支持，多角柱係與接地端子或電源端子連接。

Description

模組基板及印刷基板
本發明之實施形態係關於一種模組基板及印刷基板。
於在印刷基板安裝有半導體裝置之模組基板中，存在為了半導體裝置之散熱而於印刷基板背面設置包含金屬之散熱用片材之情形。然而，存在僅利用散熱用片材無法獲得充分之散熱性之情形。
本發明之實施形態提供一種可將來自半導體裝置之熱有效率地放散之模組基板及印刷基板。
實施形態之模組基板，其具備：印刷基板，其具有貫通孔；半導體裝置，其以覆蓋貫通孔之方式安裝於印刷基板；及傳熱性之多角柱，其設置於貫通孔內；且半導體裝置具有接地端子或電源端子，多角柱係於多角柱之角，被貫通孔之內壁支持，多角柱係與接地端子或電源端子連接。
以下，一面參照圖式一面對本發明詳細地進行說明。再者，並不藉由下述實施形態限定本發明。又，下述實施形態中之構成要素中包含業者可容易地設想者或實質上相同者。
[實施形態1]  以下，使用圖式對實施形態1進行說明。
(模組基板之構成例)  圖1係表示實施形態1之模組基板1之構成例之剖視圖。如圖1所示，模組基板1具備印刷基板10及IC封裝20。IC封裝20之數量並不限定於1個。
印刷基板10係於內部及表面配置有複數個配線層及連接各配線層之導通孔等的樹脂製基板。印刷基板10例如依據M.2等標準而構成。
IC封裝20係半導體裝置。IC封裝20例如構成為SSD(Solid State Drive，固態驅動器)。
其次，針對印刷基板10說明詳細之構成。印刷基板10具備連接器11、安裝區域12等。連接器11能夠與主機電腦等外部設備連接。連接器11設置於印刷基板10之一端部。安裝區域12設置於印刷基板10之一面。於安裝區域12，安裝IC封裝20等。
於印刷基板10之安裝區域12，設置貫通印刷基板10之貫通孔13。貫通孔13係利用鑽孔器等機械地設置之孔。貫通孔13之直徑例如大於將印刷基板10內之配線層間連接之導通孔。
貫通孔13之內壁由藉由鍍銅等而形成之金屬膜14覆蓋。金屬膜14電性連接於作為設置於印刷基板10之配線層之一的接地線15。
於貫通孔13中，插入作為傳熱構件之金屬塊30。金屬塊30由銅等傳熱性優異之金屬材料構成。金屬塊30藉由機械性壓緊、使用焊料或導電性接著劑之接著等，而與覆蓋貫通孔13之內壁之金屬膜14電性連接。
於印刷基板10之具有安裝區域12之面之另一側之面，配置包含例如銅等金屬之散熱用片材40。金屬塊30係與散熱用片材40接觸。散熱用片材40使安裝於印刷基板10之IC封裝20發出之熱擴散而促進散熱。
其次，針對IC封裝20說明詳細之構成。圖2係實施形態1之IC封裝20之剖視圖。如圖2所示，IC封裝20具備非揮發性記憶體21、及控制非揮發性記憶體21之控制器22。
非揮發性記憶體21非揮發地記憶資料。非揮發性記憶體21例如包含複數個記憶體晶片21c。非揮發性記憶體21例如係NAND(Not-AND，反及)型快閃記憶體、NOR型快閃記憶體、ReRAM(Resistance Random Access Memory，阻變式隨機存取記憶體)、及FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory，鐵電式隨機存取記憶體)等各種記憶媒體中之任一者。
控制器22例如係構成為SoC(System-on-a-Chip，晶片上系統)之半導體積體電路。控制器22例如構成為FPGA(Field-Programmable Gate Array，現場可程式化閘陣列)或ASIC(Application Specific Integrated Circuit，特殊應用積體電路)。控制器22按照來自主機電腦等外部設備之要求，控制非揮發性記憶體21之動作。例如，控制器22進行針對非揮發性記憶體21之資料之讀寫。
非揮發性記憶體21與控制器22作為IC封裝20由密封構件23密封。於IC封裝20之單面，設置球狀柵格等複數個端子24。又，例如，非揮發性記憶體21與控制器22並非被密封於1個IC封裝20，而是分別作為獨立個體被密封。
如圖1所示，IC封裝20之複數個端子24中之一部分端子24g電性連接於金屬膜14及金屬塊30之至少任一者。以下，將一部分端子24g稱為複數個接地端子。複數個接地端子24g直接或間接地與金屬塊30電性連接。
第1配線包含接地線15及金屬膜14，且與金屬塊30連接。藉此，IC封裝20經由金屬膜14及金屬塊30之至少任一者而連接於接地線15。第1配線有助於IC封裝20之接地(grounding)強化。藉由第1配線，而模組基板1之電特性提高。
(貫通孔之構成例)  其次，使用圖3，對實施形態1之印刷基板10所具有之貫通孔13之幾個構成例進行說明。圖3(a)係表示實施形態1之貫通孔13之第1構成例之俯視圖。圖3(b)係表示實施形態1之貫通孔13之第2構成例之俯視圖。圖3(c)係表示實施形態1之貫通孔13之第3構成例之俯視圖。
於貫通孔13之第1構成例中，貫通孔13為大致圓形。貫通孔13之內壁由金屬膜14覆蓋。插入至貫通孔13之金屬塊30之剖面例如為正方形。再者，該剖面並不限定於正方形，只要為具有三個以上之角之多邊形即可。即，金屬塊30具有多角柱形狀。較佳為，該正方形之對角線之長度為與貫通孔13之直徑大致相等之大小。
於貫通孔13之第2構成例中，貫通孔13由為大致圓形之第1貫通孔13b、及以大致等間隔配置於第1貫通孔13b之外周部之4個小徑之第2貫通孔13s構成。至少各個第2貫通孔13s之內壁由金屬膜14覆蓋。為了形成第2構成例之貫通孔13，只要使用相對大口徑用之鑽孔器形成具有第1曲率之第1貫通孔13b，使用小口徑用之鑽孔器形成具有較第1曲率小之第2曲率之第2貫通孔13s即可。插入至第2構成例之貫通孔13之金屬塊30之剖面例如為正方形。較佳為，該正方形之對角線之長度為與隔著第1貫通孔13b對向之2個第2貫通孔13s之中心間之距離大致相等的大小。金屬塊30之角之至少2個被第2貫通孔13s之內壁支持。例如，金屬塊30之角之至少2個與第2貫通孔13s之內壁接觸。藉此，金屬塊30與第2貫通孔13s之金屬膜14電性連接。
於貫通孔13之第3構成例中，貫通孔13由具有複數個圓重疊而成之形狀之第3貫通孔13v、及以大致等間隔配置於第3貫通孔13v之外周部之4個小徑之第4貫通孔13f構成。至少各個第4貫通孔13f之內壁由金屬膜14覆蓋。第3貫通孔13v係例如藉由複數次使用大口徑用之鑽孔器而形成。插入至第3構成例之貫通孔13之金屬塊30之剖面例如為長方形。較佳為，該長方形之對角線之長度為與隔著第3貫通孔13v對向之2個第4貫通孔13f之中心間之距離大致相等之大小。
(端子之配置例)  其次，使用圖4，對實施形態1之IC封裝20所具有之複數個端子24之幾個配置例進行說明。圖4(a)係表示實施形態1之IC封裝20之端子24之第1配置例的圖。圖4(b)係表示實施形態1之IC封裝20之端子24之第2配置例的圖。圖4(a)及圖4(b)表示了IC封裝20之背面、亦即與印刷基板10接觸之複數個端子24排列之面。於圖4(a)及圖4(b)中，以虛線表示第2構成例之貫通孔13與金屬塊30。
於端子24之第1配置例中，IC封裝20於背面之中央部具有複數個接地端子24g。於複數個接地端子24g之周圍，配置複數個低電壓用電源端子24c及複數個高電壓用電源端子24d。於位於複數個接地端子24g之中心部之1個接地端子24gs之正下方配置金屬塊30。藉此，1個接地端子24gs與金屬塊30直接連接。其他複數個接地端子24g連接於具有金屬膜14之第2貫通孔13s中之任一者。
於端子24之第2配置例中，IC封裝20於背面具有複數個接地端子24g及複數個低電壓用電源端子24c。此處，將矩形狀之IC封裝20之背面之對向之2條邊設為1對，將自任意一對之1條邊朝向另一條邊之方向設為1方向，將自另一對之1條邊朝向另一條邊之方向設為2方向。複數個接地端子24g配置於IC封裝20之背面之上述1方向之中央附近且靠上述2方向之一側，亦即，於上述2方向上配置於自中央偏離之位置。複數個低電壓用電源端子24c配置於IC封裝20之背面之上述1方向之中央附近且靠上述2方向之另一側，亦即，於與上述2方向相反之方向上配置於自中央偏離之位置。於複數個接地端子24g與複數個低電壓用電源端子24c之上述1方向兩側，配置複數個高電壓用電源端子24d。
插入至貫通孔13之金屬塊30位於複數個接地端子24g之中心部之正下方。因此，位於複數個接地端子24g之中心部之1個接地端子24gs與金屬塊30直接連接。其他複數個接地端子24g連接於複數個第2貫通孔13s中之任一者。
插入至貫通孔13之金屬塊30位於複數個低電壓用電源端子24c之中心部之正下方。因此，位於複數個低電壓用電源端子24c之中心部之1個低電壓用電源端子24cs與金屬塊30直接連接。其他複數個低電壓用電源端子24c連接於複數個第2貫通孔13s中之任一者。再者，於金屬塊30及金屬膜14與複數個低電壓用電源端子24c連接之情形時，金屬膜14與被施加低電壓用之電源電壓之低電壓用電源線連接。
第2配線包含印刷基板10之低電壓用電源線及金屬膜14，且與金屬塊30連接。藉此，IC封裝20經由金屬膜14及金屬塊30之至少任一者而連接於低電壓用電源線。第2配線有助於IC封裝20之接地強化。藉由第2配線，而模組基板1之電特性提高。
根據實施形態1之模組基板1，印刷基板10具有供金屬塊30插入之貫通孔13。藉此，確保具有較大之截面面積之傳熱路徑，促進熱自印刷基板10之正面向背面傳遞。因此，可將來自IC封裝20之熱有效率地放散。
根據實施形態1之模組基板1，IC封裝20之複數個接地端子24g經由金屬塊30，或者經由貫通孔13內表面之金屬膜14，而與接地線15連接。藉此，強化IC封裝20之接地，提高電特性。
根據實施形態1之模組基板1，IC封裝20之複數個低電壓用電源端子24c經由金屬塊30，或者經由貫通孔13內表面之金屬膜14，而與印刷基板10之低電壓用電源線連接。藉此，IC封裝20之電特性進一步提高。
根據實施形態1之模組基板1，金屬塊30插入至貫通孔13之構成係使用機械加工而形成。藉此，可廉價且簡便地獲得有效率地進行散熱且提高IC封裝20之電特性之構成。
[實施形態2]  其次，對實施形態2進行說明。實施形態2之模組基板係印刷基板所具有之傳熱構件與實施形態1不同。
(模組基板之構成例)  圖5係表示實施形態2之模組基板2之構成例之剖視圖。如圖5所示，模組基板2具備印刷基板110及IC封裝20。
印刷基板110係於內部及表面配置有複數個配線層及連接各配線層之導通孔等之樹脂製基板。印刷基板110亦依據例如M.2等標準而構成。
於印刷基板110設置有貫通印刷基板110之貫通孔113。貫通孔113係利用鑽孔器等機械地設置之孔。貫通孔113之內壁未被金屬膜覆蓋。貫通孔113係大致圓形。於貫通孔113之上端部附近之內壁，印刷基板110所具備之電源線16露出。於貫通孔113之下端部附近之內壁，印刷基板110所具備之接地線15露出。
於貫通孔113，插入有作為傳熱構件之晶片電容器130。晶片電容器130具備本體130b、配置於本體130b之一端之電源用外部電極130ed及配置於另一端之接地用外部電極130eg。於本體130b，並列地排列有未圖示之複數個陶瓷介電層。露出於貫通孔113之內壁之電源線16與一端部之電源用外部電極130ed電性連接。又，接地線15與另一端部之接地用外部電極130eg電性連接。
實施形態2中之IC封裝20例如於設置有端子24之面之中央部具有複數個高電壓用電源端子24d。複數個高電壓用電源端子24d連接於晶片電容器130之電源用外部電極130ed及印刷基板110之電源線16之至少任一者。
實施形態2中之IC封裝20例如於複數個高電壓用電源端子24d之外緣部具有1個接地端子24gu。1個接地端子24gu連接於印刷基板110所具備之接地線15。
實施形態2中之第1配線包含印刷基板110之接地線15，且與晶片電容器130之一接地用外部電極130eg連接。
實施形態2中之第2配線包含印刷基板110之電源線16，且與晶片電容器130之一電源用外部電極130ed連接。
根據實施形態2之模組基板2，印刷基板110具有供晶片電容器130插入之貫通孔113。藉此，可促進熱自印刷基板110之正面向背面傳遞，從而將來自IC封裝20之熱有效率地放散。
根據實施形態2之模組基板2，IC封裝20之複數個高電壓用電源端子24d直接地或經由晶片電容器130之一端之電源用外部電極130ed而與印刷基板110之電源線16連接。又，IC封裝20之1個接地端子24gu經由晶片電容器130之另一端之接地用外部電極130eg而與印刷基板110之接地線15連接。藉此，可將IC封裝20之雜訊去除而提高電特性。
根據實施形態2之模組基板2，與IC封裝20電性連接之晶片電容器130例如配置於所安裝之IC封裝20正下方之貫通孔113內。藉此，可於IC封裝20之極附近配置晶片電容器130，有助於減少IC封裝20之雜訊。
根據實施形態2之模組基板2，晶片電容器130插入至貫通孔113之構成係使用機械加工而形成。藉此，可廉價且簡便地獲得有效率地進行散熱且提高IC封裝20之電特性之構成。
(實施形態2之變化例)  其次，使用圖6，對實施形態2之變化例之模組基板3進行說明。實施形態2之變化例之模組基板3係印刷基板210所具備之晶片電容器230之構成與實施形態2不同。
圖6係表示實施形態2之變化例之模組基板3之構成例的剖視圖。如圖6所示，模組基板3具備印刷基板210及IC封裝20。
印刷基板210係於內部及表面配置有複數個配線層及連接各配線層之導通孔等的樹脂製基板。印刷基板210亦依據例如M.2等標準而構成。
於印刷基板210設置貫通印刷基板210之貫通孔213。貫通孔213之內壁可由金屬膜覆蓋，亦可不由金屬膜覆蓋。貫通孔213係大致圓形。於貫通孔213之內壁，印刷基板210所具備之電源線16露出。於貫通孔213之內壁，印刷基板210所具備之接地線15露出。
於實施形態2之變化例中之貫通孔213，插入有作為傳熱構件之晶片電容器230。晶片電容器230具備本體230b、電源用外部電極230ed、及接地用外部電極230eg。晶片電容器230構成為並非於長邊方向而是於短邊方向之一端部具備電源用外部電極230ed及於另一端部具備接地用外部電極230eg之縱橫反轉型晶片電容器。
實施形態2之變化例中之露出於貫通孔213之內壁之電源線16與一端部之電源用外部電極230ed電性連接。又，接地線15與另一端部之接地用外部電極230eg電性連接。
實施形態2之變化例中之IC封裝20例如於設置有端子24之面之中央部具有複數個高電壓用電源端子24d。複數個高電壓用電源端子24d連接於晶片電容器230之電源用外部電極230ed及印刷基板210之電源線16之至少任一者。
實施形態2之變化例中之IC封裝20中，例如與複數個高電壓用電源端子24d相鄰地具有複數個接地端子24g。複數個接地端子24g連接於晶片電容器230之接地用外部電極230eg及印刷基板210所具備之接地線15之至少任一者。
實施形態2之變化例中之第1配線包含印刷基板210之接地線15，且與晶片電容器230之接地用外部電極230eg連接。
實施形態2之變化例中之第2配線包含印刷基板210之電源線16，且與晶片電容器230之電源用外部電極230ed連接。
根據實施形態2之變化例之模組基板3，IC封裝20之複數個接地端子24g直接地或者經由晶片電容器230之一端之接地用外部電極230eg而與印刷基板210之接地線15連接。藉此，電性連接變得更加牢固，可將IC封裝20之雜訊去除而提高電特性。
[實施形態3]  其次，使用圖7及圖8，對實施形態3進行說明。實施形態3之模組基板具備縱橫反轉型晶片電容器作為印刷基板所具有之傳熱構件。
圖7係表示實施形態3之模組基板4之構成例之剖視圖。模組基板4具備印刷基板310及IC封裝20。
印刷基板310係於內部及表面配置有複數個配線層及連接各配線層之導通孔等的樹脂製基板。印刷基板310亦依據例如M.2等標準而構成。
於印刷基板310設置貫通印刷基板310之貫通孔213。貫通孔213之內壁由金屬膜覆蓋。於貫通孔213之內壁，印刷基板310所具備之電源線16露出。於貫通孔213之內壁，印刷基板310所具備之接地線15露出。
實施形態3中之IC封裝20例如於設置有端子24之面之中央部具有複數個高電壓用電源端子24d。複數個高電壓用電源端子24d連接於晶片電容器230之電源用外部電極230ed及印刷基板310之電源線16之至少任一者。
實施形態3中之IC封裝20中，例如與複數個高電壓用電源端子24d相鄰地具有複數個接地端子24g。複數個接地端子24g連接於晶片電容器230之接地用外部電極230eg及印刷基板310所具備之接地線15之至少任一者。
圖8(a)係表示實施形態3之貫通孔213之第1構成例之圖。圖8(b)係表示實施形態3之貫通孔213之第2構成例之圖。
如圖8(a)所示，作為實施形態3之第1構成例，印刷基板310之貫通孔213具有大致圓形之第1貫通孔213b、及4個小徑之第2貫通孔213s，4個第2貫通孔213s由金屬膜214覆蓋。於覆蓋幾個第2貫通孔213s之金屬膜214，連接有印刷基板310所具備之電源線16。又，於覆蓋其他幾個第2貫通孔213s之金屬膜214，連接有印刷基板310所具備之接地線15。
如圖8(b)所示，作為實施形態3之第2構成例，印刷基板310之貫通孔213具有大致圓形之第3貫通孔213v、及4個小徑之第4貫通孔213f，4個第4貫通孔213f由金屬膜214覆蓋。於覆蓋幾個第4貫通孔213f之金屬膜214，連接有印刷基板310所具備之電源線16。又，於覆蓋其他幾個第4貫通孔213f之金屬膜214，連接有印刷基板310所具備之接地線15。
於第1貫通孔213b或第3貫通孔213v，插入作為傳熱構件之晶片電容器230。晶片電容器230具備本體230b、電源用外部電極230ed、及接地用外部電極230eg。晶片電容器230構成為並非於長邊方向而是於短邊方向之一端部具備電源用外部電極230ed及於另一端部具備接地用外部電極230eg之縱橫反轉型晶片電容器。
露出於第1貫通孔213b或第3貫通孔213v之內壁之電源線16與電源用外部電極230ed直接地或者經由覆蓋第2貫通孔213s或第4貫通孔213f之內壁之金屬膜214而電性連接。又，接地線15與接地用外部電極230eg直接地或者經由覆蓋第2貫通孔213s或第4貫通孔213f之內壁之金屬膜214而電性連接。
實施形態3中之第1配線包含印刷基板310之接地線15，且與晶片電容器230之一接地用外部電極230eg連接。亦可於第1配線包含形成於小徑之第2貫通孔213s或第4貫通孔213f之內壁之金屬膜214。
實施形態3中之第2配線包含印刷基板310之電源線16，且與晶片電容器230之另一電源用外部電極230ed連接。亦可於第2配線包含形成於小徑之第2貫通孔213s或第4貫通孔213f之內壁之金屬膜214。
圖9係表示實施形態3之IC封裝20之端子24之配置例的俯視圖。圖9表示了IC封裝20之背面、亦即與印刷基板310接觸之複數個端子24排列之面。於圖9中，以虛線表示實施形態3之第2構成例之貫通孔213(第3貫通孔213v及第4貫通孔213f)與插入至貫通孔213之晶片電容器230。
於圖9之例中，IC封裝20於背面之中央部附近具有複數個接地端子24gd。此處，將作為矩形狀平板之IC封裝20之背面之對向的2條邊設為1對，將自任意一對之1條邊朝向另一條邊之方向設為1方向，將自另一對之1條邊朝向另一條邊之方向設為2方向。IC封裝20之背面中，於複數個接地端子24gd之上述1方向之一側，配置複數個高電壓用電源端子24d。又，於複數個接地端子24gd之上述1方向之另一側，配置複數個高電壓用電源端子24d與複數個低電壓用電源端子24c。複數個低電壓用電源端子24c配置於上述2方向之中央部附近。複數個高電壓用電源端子24d配置於複數個低電壓用電源端子24c之上述2方向之兩側。
於圖9之例中之複數個接地端子24gd中之一部分接地端子24gp之正下方，配置有晶片電容器230之接地用外部電極230eg。接地端子24gp與接地用外部電極230eg直接連接。另一部分之接地端子24ga連接於由金屬膜214覆蓋之第4貫通孔213f中之任一者。
於圖9之例中之複數個高電壓用電源端子24d中之一部分高電壓用電源端子24dp之正下方，配置有晶片電容器230之電源用外部電極230ed。高電壓用電源端子24dp與電源用外部電極230ed直接連接。另一部分之高電壓用電源端子24da連接於由金屬膜214覆蓋之第4貫通孔213f中之任一者。
根據實施形態3之模組基板4，IC封裝20之複數個接地端子24g、一部分接地端子24gp、或另一部分接地端子24ga直接地或者經由晶片電容器230之一端之接地用外部電極230eg而與印刷基板310之接地線15連接。藉此，電性連接變得更加牢固，可將IC封裝20之雜訊去除而提高電特性。
對本發明之若干個實施形態進行了說明，但該等實施形態係作為示例而提出者，並非意圖限定發明之範圍。該等新穎之實施形態能以其他各種形態實施，於不脫離發明主旨之範圍內，可進行各種省略、置換、變更。該等實施形態或其變化包含於發明之範圍或主旨中，並且包含於申請專利範圍所記載之發明及其均等之範圍內。
[相關申請案] 本申請案享有以日本專利申請案2019-173734號(申請日：2019年9月25日)為基礎申請案之優先權。本申請案藉由參照該基礎申請案而包含基礎申請案之所有內容。
1               模組基板  2               模組基板  3               模組基板  4               模組基板  10             印刷基板  11             連接器  12             安裝區域  13             貫通孔  13b           第1貫通孔  13f            第4貫通孔  13s            第2貫通孔  13v           第3貫通孔  14             金屬膜  15             接地線  16             電源線  20             IC封裝  21             非揮發性記憶體  21c            記憶體晶片  22             控制器  23             密封構件  24             端子  24c            複數個低電壓用電源端子  24cs          1個低電壓用電源端子  24d           複數個高電壓用電源端子  24da          另一部分高電壓用電源端子  24dp          一部分高電壓電源端子  24g           複數個接地端子  24ga          另一部分接地端子  24gd          複數個接地端子  24gp          一部分接地端子  24gs          1個接地端子  24gu          1個接地端子  30             金屬塊  40             散熱用片材  110           印刷基板  113           貫通孔  130           晶片電容器  130b          本體  130ed        電源用外部電極  130eg        接地用外部電極  210           印刷基板  213           貫通孔  213b          第1貫通孔  213f          第4貫通孔  213s          第2貫通孔  213v          第3貫通孔  214           金屬膜  230           晶片電容器  230b          本體  230ed        電源用外部電極  230eg        接地用外部電極  310           印刷基板
圖1係表示實施形態1之模組基板之構成例之剖視圖。  圖2係實施形態1之IC(integrated circuit，積體電路)封裝之剖視圖。  圖3(a)係表示實施形態1之貫通孔之第1構成例之圖。(b)係表示實施形態1之貫通孔之第2構成例之圖。(c)係表示實施形態1之貫通孔之第3構成例之圖。  圖4(a)係表示實施形態1之IC封裝之端子之第1配置例的圖。(b)係表示實施形態1之IC封裝之端子之第2配置例的圖。  圖5係表示實施形態2之模組基板之構成例之剖視圖。  圖6係表示實施形態2之變化例之模組基板之構成例的剖視圖。  圖7係表示實施形態3之模組基板之構成例之剖視圖。  圖8(a)係表示實施形態3之貫通孔之第1構成例之圖。(b)係表示實施形態3之貫通孔之第2構成例之圖。  圖9係表示實施形態3之IC封裝之端子之配置例的俯視圖。
1            模組基板  10          印刷基板  11          連接器  12          安裝區域  13          貫通孔  14          金屬膜  15          接地線  20          IC封裝  24g        複數個接地端子  30          金屬塊  40          散熱用片材

Claims (8)

  1. 一種模組基板，其具備：印刷基板，其具有貫通孔；半導體裝置，其以覆蓋上述貫通孔之方式安裝於上述印刷基板；及傳熱性之多角柱，其設置於上述貫通孔內；且上述半導體裝置具有接地端子或電源端子，上述多角柱係於上述多角柱之角，被上述貫通孔之內壁支持，上述多角柱係與上述接地端子或上述電源端子連接。
  2. 如請求項1之模組基板，其中上述印刷基板係於安裝上述半導體之面的另一側之面配置散熱用片材，上述多角柱係與上述散熱用片材接觸。
  3. 如請求項1或2之模組基板，其中上述多角柱係金屬塊，上述貫通孔之內壁係由金屬膜覆蓋，上述金屬塊或上述金屬膜係與上述接地端子連接。
  4. 如請求項1或2之模組基板，其中上述多角柱係晶片電容器，上述晶片電容器具備： 第1外部電極，其電性連接於上述電源端子；及第2外部電極，其電性連接於上述接地端子。
  5. 如請求項1或2之模組基板，其中自安裝上述半導體裝置之面觀察時之上述貫通孔之形狀係圓形。
  6. 如請求項1或2之模組基板，其中自安裝上述半導體裝置之面觀察時之上述貫通孔之形狀包含複數個第1圓弧及複數個第2圓弧，上述第2圓弧之曲率小於上述第1圓弧之曲率，於一個第1圓弧與其他第1圓弧之間存在上述第2圓弧。
  7. 如請求項1或2之模組基板，其中上述半導體裝置包含非揮發性記憶體及控制上述非揮發性記憶體之控制器。
  8. 一種印刷基板，其具備可安裝半導體裝置之安裝區域、及貫通孔，且構成為：可以覆蓋上述貫通孔之方式來安裝上述半導體裝置；上述貫通孔係：配置於上述安裝區域內，且可設置與上述半導體裝置連接之傳熱性之多角柱；上述多角柱係：於上述多角柱之角，被上述貫通孔之內壁支持。
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