JP2005310957A - 表示装置 - Google Patents

表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2005310957A
JP2005310957A JP2004124234A JP2004124234A JP2005310957A JP 2005310957 A JP2005310957 A JP 2005310957A JP 2004124234 A JP2004124234 A JP 2004124234A JP 2004124234 A JP2004124234 A JP 2004124234A JP 2005310957 A JP2005310957 A JP 2005310957A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit board
semiconductor
heat sink
drive circuit
circuit module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2004124234A
Other languages
English (en)
Inventor
Atsuyuki Kobayashi
Yuji Sano
勇司 佐野
敬幸 小林
Original Assignee
Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd
富士通日立プラズマディスプレイ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd, 富士通日立プラズマディスプレイ株式会社 filed Critical Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd
Priority to JP2004124234A priority Critical patent/JP2005310957A/ja
Priority claimed from TW094103995A external-priority patent/TWI278795B/zh
Publication of JP2005310957A publication Critical patent/JP2005310957A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1306Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires

Abstract

【課題】 駆動回路モジュール及び表示装置に関し、半導体素子が発生する熱を放熱することができ且つ半導体素子がフローティング状態で駆動されることができるようにすることを目的とする。
【解決手段】 駆動回路モジュールは、絶縁層42を有する放熱板38と、放熱板38に固定されたフレキシブル回路基板36と、配線パターン46と、絶縁層42を介して放熱板38に搭載された半導体素子44とを備え、半導体素子44は配線パターン46及びフレキシブル回路基板36に電気的に接続される構成とする。
【選択図】 図4

Description

本発明は例えばプラズマ表示装置などの表示装置及び駆動回路モジュールに関する。

プラズマ表示装置はそれぞれに複数の電極を設けた一対のガラス基板からなる。あるプラズマ表示装置では、3種類の電極が設けられる。例えば、3種類の電極は、複数の互いに平行なアドレス電極と、アドレス電極と直交する方向に互いに平行に、交互に配置された複数のX電極及び複数のY電極とである(例えば、特許文献1、2、3、4参照)。

アドレス電極はアドレス駆動回路モジュールを介してアドレスパルス発生回路に接続され、X電極は維持駆動回路モジュールを介してX電極維持パルス発生回路に接続され、Y電極は走査駆動回路モジュールを介してY電極維持パルス発生回路に接続される。アドレス駆動回路モジュール及び走査駆動回路モジュールの各々は、リジッドな駆動回路基板と、このリジッドな駆動回路基板に接続されたフレキシブル回路基板と、フレキシブル回路基板に搭載された複数の半導体素子とからなる(例えば、特許文献1、2、3参照)。各半導体素子の入力端子はリジッドな回路基板の配線パターンに電気的に接続され、各半導体素子の出力端子はフレキシブル回路基板の配線パターンに電気的に接続される。

半導体素子は多量の熱を発生するので、半導体素子が発生する熱を半導体素子から逃がす必要が生じることがある。半導体素子が発生する熱を放熱するために、プラズマ表示パネルに隣接して放熱板を配置し、半導体素子をこの放熱板に取付け、半導体素子の入力端子を回路基板にボンディングワイヤで接続するとともに、半導体素子の出力端子をガラス基板の電極にボンディングワイヤで接続する提案がある(例えば、特許文献1参照)。

しかし、電極数の少ないガラス基板の場合には、半導体素子の出力端子とガラス基板の電極とを直接に接続することはできるかもしれないが、電極数の多いガラス基板の場合には、半導体素子の出力端子とガラス基板の電極とを直接に接続することはできない。このため、通常はフレキシブル回路基板を使用し、フレキシブル回路基板の端子をガラス基板の電極に接続する。

特に、走査駆動回路モジュールの半導体素子は、走査及び維持作動のために多量の熱を発生するので、半導体素子が発生する熱を放熱するのが望ましい。しかし、走査駆動回路モジュールの半導体素子はフローティング状態で駆動されているので、全ての半導体素子を共通の放熱板(金属板)に直接に取り付けることはできない。

特開2000−172191号公報 特開2000−250425号公報 特開2001−13883号公報 特開2003−115568号公報

本発明の目的は、半導体素子が発生する熱を放熱することができ且つ半導体素子がフローティング状態で駆動されることができるようにした駆動回路モジュール及び表示装置を提供することである。

本発明による駆動回路モジュールは、絶縁層を有する放熱板と、該放熱板に固定されたフレキシブル回路基板と、配線パターンと、該絶縁層を介して該放熱板に搭載された半導体素子とを備え、該半導体素子は該配線パターン及び該フレキシブル回路基板に電気的に接続されることを特徴とするものである。

この構成によれば、半導体素子は絶縁層を介して放熱板に取付けられている。半導体素子は薄い絶縁層を介して放熱板に近接して配置され、半導体素子が発生した熱は比較的に小さな熱抵抗で放熱板に伝達され、放熱板から放熱される。さらに、半導体素子と放熱板とは絶縁層によって電気的に分離されており、半導体素子と放熱板との間の絶縁性が確保され、半導体素子をフローティングで駆動することができる。

また、本発明による駆動回路モジュールは、絶縁性の材料からなる放熱板と、該放熱板に固定されたフレキシブル回路基板と、配線パターンと、該放熱板に搭載された半導体素子とを備え、該半導体素子は該配線パターン及び該フレキシブル回路基板に電気的に接続されることを特徴とするものである。

この構成によれば、半導体素子は絶縁性の材料からなる放熱板に取付けられている。半導体素子が発生した熱は比較的に小さな熱抵抗で放熱板に伝達され、放熱板から放熱される。さらに、半導体素子と放熱板とは電気的に分離されており、半導体素子と放熱板との間の絶縁性が確保され、半導体素子をフローティングで駆動することができる。

また、本発明による駆動回路モジュールは、放熱板と、該放熱板に固定されたフレキシブル回路基板と、該放熱板に固定されたリジッドな回路基板と、該放熱板に搭載された半導体素子と、該リジッドな回路基板に取付けられたコネクタとを備え、該半導体素子は該リジッドな回路基板及び該フレキシブル回路基板に電気的に接続されることを特徴とするものである。

この構成によれば、半導体素子が発生した熱は比較的に小さな熱抵抗で放熱板に伝達され、放熱板から放熱される。半導体素子と放熱板とは電気的に分離されており、半導体素子と放熱板との間の絶縁性が確保され、半導体素子をフローティングで駆動することができる。さらに、該リジッドな回路基板と該フレキシブル回路基板は該放熱板に固定されており、リジッドな回路基板と、フレキシブル回路基板と、半導体素子と、放熱板とは、一体的な駆動回路モジュールを形成する。リジッドな回路基板に固定されているコネクタは、シャーシに固定された部材に設けられた相手方のコネクタに嵌合固定されるので、このコネクタ及び相手方のコネクタによって一体的な駆動回路モジュールを表示装置のシャーシに機械的に支持することができる。

また、本発明による駆動回路モジュールは、放熱板と、該放熱板に固定されたフレキシブル回路基板と、該放熱板に固定されたリジッドな回路基板と、該放熱板に搭載された半導体素子とを備え、該半導体素子は、該放熱板とは電気的に分離され、かつリジッドな回路基板及び該フレキシブル回路基板に電気的に接続され、該放熱板は該フレキシブル回路基板と該リジッドな回路基板の少なくとも一方の基板に設けた配線パターンに相当する位置に重なった領域に切り欠き部を有することを特徴とするものである。

この構成によれば、半導体素子が発生した熱は比較的に小さな熱抵抗で放熱板に伝達され、放熱板から放熱される。半導体素子と放熱板とは電気的に分離されており、半導体素子と放熱板との間の絶縁性が確保され、半導体素子をフローティングで駆動することができる。さらに、該放熱板は該リジッドな回路基板の配線パターンに相当する位置に切り欠き部を有するので、配線パターンと、絶縁層と、放熱板とによって形成される寄生容量が低減される。従って、信号に入るノイズを低減することができる。

また、本発明による駆動回路モジュールは、放熱板と、該放熱板に固定されたフレキシブル回路基板と、配線パターンと、該放熱板に搭載された半導体素子とを備え、該半導体素子は、該放熱板とは電気的に分離され、かつ、該駆動回路に電気的に接続され、該半導体素子と該フレキシブル回路基板との間の電気的な接続は異方性導電材料及びはんだの少なくとも一つによって行われていることを特徴とするものである。

この構成によれば、半導体素子は絶縁層を介して放熱板に取付けられている。半導体素子が発生した熱は比較的に小さな熱抵抗で放熱板に伝達され、放熱板から放熱される。半導体素子と放熱板とは電気的に分離されており、半導体素子と放熱板との間の絶縁性が確保され、半導体素子をフローティングで駆動することができる。さらに、異方性導電材料又ははんだを用いることによって、半導体素子とフレキシブル回路基板との電気的な接続をより簡単に行うことができる。

また、本発明による表示装置は、一対の対向する基板と、該基板に設けられた複数の駆動用電極と、上記した駆動回路モジュールとを備え、該フレキシブル回路基板は駆動用の電極と接続されていることを特徴とするものである。

この構成によれば、半導体素子は絶縁性を有する放熱板に取付けられている。半導体素子が発生した熱は比較的に小さな熱抵抗で放熱板に伝達され、放熱板から放熱される。半導体素子と放熱板とは電気的に分離されており、半導体素子と放熱板との間の絶縁性が確保され、半導体素子をフローティングで駆動することができる。従って、鮮明な表示を実現することができ、耐久性の高い表示装置を得ることができる。

従って、本発明によれば、半導体素子と放熱板との絶縁性を確保しつつ、半導体素子が発生する熱の放熱性を向上することができる。

以下本発明の実施例について図面を参照して説明する。図1は本発明の実施例によるプラズマ表示装置の一部を示す略斜視図である。図2は図1のプラズマ表示装置の電極の配置を示す図である。図3は回路基板を含む図1のプラズマ表示装置を示す略斜視図である。本発明はプラズマ表示装置を例として説明するが、本発明はプラズマ表示装置に限定されるものではなく、多数の駆動用電極を有するその他の表示装置、例えば、LCD、EL、FEDなどにも適用可能である。

プラズマ表示装置10は、対向する一対のガラス基板12、14と、一方のガラス基板12に固定されたシャーシ20と、シャーシ20に配置された駆動回路とからなる。ガラス基板12は複数の互いに平行なアドレス電極16を有し、ガラス基板14はアドレス電極16と直交する方向に互いに平行に延びる維持放電電極18を有する。図2において、維持放電電極18は、交互に配置されたX電極18xとY電極18yとを含む。隔壁22がアドレス電極16と平行に隣接する2つのアドレス電極16の間に形成される。

図3に示されるように、シャーシ20にはアドレス電極16、X電極18x、及びY電極18yのための駆動回路を有する回路基板が配置されている。アドレスパルス発生回路基板24はアドレス駆動回路モジュール26を介してアドレス電極16に接続される。X電極維持パルス発生回路基板28は維持駆動回路モジュール30を介してX電極18xに接続される。Y電極維持パルス発生回路基板32は走査駆動回路モジュール34を介してY電極18yに接続される。さらに、シャーシ20には電源回路基板35が配置される。各駆動回路モジュール26、30、34は、シャーシ20に配置されたパルス発生回路基板24、28、32とシャーシ20とは反対側に配置された電極16、18x、18yとを接続するために、フレキシブル回路基板を含む。また、各駆動回路モジュール26、34は、駆動用の半導体素子を含む。

プラズマ表示装置10の基本的な作動においては、ガラス基板14側が表示側となる。表示セルは隣接する2つの隔壁22並びに隣接するX電極18xとY電極18yとの間に形成される。1つの表示セルにおいては、アドレス電極16とY電極18yとの間に高い書き込み電圧パルスを印加して放電により種火(プライミング)を生成し、それから、X電極18xとY電極18yとの間に維持放電電圧パルスを印加して放電を持続させ、表示セルを発光させる。

図4は図3の走査駆動回路モジュール34を示す断面図である。走査駆動回路モジュール34は、Y電極18yに接続されるフレキシブル回路基板36と、配線パターン46と、放熱板38と、絶縁層42と、絶縁層42を介して放熱板38に搭載された半導体素子(半導体チップ)44とを備える。なお、半導体素子44はICチップに限定されることなく、MOSFETなどにも適用可能である。放熱板38はアルミニウム等の熱伝導率の大きい金属板で作られる。半導体素子44の入力端子は配線パターン46に電気的に接続され、半導体素子44の出力端子はフレキシブル回路基板36に電気的に接続される。

図4においては、配線パターン46はリジッドな回路基板74の導体層として形成されている。リジッドな回路基板74はベースフィルム74Aと、ベースフィルム74Aの一方の側に形成された導体層74Bと、導体層74Bを覆うカバーフィルム74Cとからなり、導体層74Bが配線パターン46を形成するようにパターニングされている。リジッドな回路基板74のベースフィルム74Aは例えばガラスエポキシ樹脂で作られている。また、フレキシブル回路基板36はベースフィルム36Aと、ベースフィルム36Aの一方の側に形成された導体層36Bと、導体層36Bを覆うカバーフィルム36Cとからなり、導体層74Bが配線パターンを有するようにパターニングされている。フレキシブル回路基板36のベースフィルム36Aは例えばポリイミドで作られている。

絶縁層42は絶縁性の樹脂で作られる。絶縁層42は例えばエポキシ樹脂、又はシリコーン樹脂で作られる。絶縁層42は熱伝導性が高く、且つ絶縁性をもつものであることが好ましく、そのために、絶縁性の無機フィラーを混入した樹脂で作ることができる。例えば、絶縁層42はフィラー入りエポキシ樹脂で作ることができる。

半導体素子44の入力端子はボンディングワイヤ48によって配線パターン46に電気的に接続され、半導体素子44の出力端子はボンディングワイヤ50によってフレキシブル回路基板36の配線パターンに電気的に接続される。半導体素子44及びボンディングワイヤ48、50は封止樹脂54によって封止される。

リジッドな回路基板74及びフレキシブル回路基板36は、絶縁層42を有する放熱板38に載っており、接着剤又はねじによって放熱板38に固定される。半導体素子44はリジッドな回路基板74及びフレキシブル回路基板36とは独立的に絶縁層42を有する放熱板38に載っており、接着剤によって絶縁層42に固定される。後で説明するように、半導体素子44と絶縁層42との間には導体層が配置され、この導体層は配線パターンのフローティンググランドに接続される。

さらに、コネクタ58がリジッドな回路基板74の端部に取付けられる。配線パターン46はコネクタ58によってY電極維持パルス発生回路基板32に接続される。コネクタ58は、Y電極維持パルス発生回路基板32に接続された相手方コネクタの端子に接続される端子と、配線パターン46に接続される端子を有する。

以上の構成によれば、半導体素子44は薄い絶縁層42を介して放熱板38に近接して配置され、半導体素子44が発生した熱は比較的に小さな熱抵抗で放熱板38に伝達され、大きな熱伝導率及び熱容量を有する放熱板38から放熱される。さらに、半導体素子44と放熱板38とは絶縁層42によって電気的に分離されており、半導体素子44と放熱板38との間の絶縁性は確保され、半導体素子44をフローティングで駆動することができる。

図5は図4の走査駆動回路モジュール34の変化例を示す断面図である。走査駆動回路モジュール34は、Y電極18yに接続されるフレキシブル回路基板36と、配線パターン46と、放熱板38と、絶縁層42と、絶縁層42を介して放熱板38に搭載された半導体素子(半導体チップ)44とを備える。放熱板38はアルミニウム等の熱伝導率の大きい金属板で作られる。半導体素子44の入力端子は配線パターン46に電気的に接続され、半導体素子44の出力端子はフレキシブル回路基板36の配線パターンに電気的に接続される。

配線パターン46はリジッドな回路基板74の導体層として形成されている。リジッドな回路基板74はベースフィルム74Aと、ベースフィルム74Aの一方の側に形成された導体層74Bと、導体層74Bを覆うカバーフィルム74Cとからなり、導体層74Bが配線パターン46を形成するようにパターニングされている。リジッドな回路基板74のベースフィルム74Aは例えばガラスエポキシ樹脂で作られている。また、フレキシブル回路基板36はベースフィルム36Aと、ベースフィルム36Aの一方の側に形成された導体層36Bと、導体層36Bを覆うカバーフィルム36Cとからなり、導体層74Bが配線パターンを有するようにパターニングされている。フレキシブル回路基板36のベースフィルム36Aは例えばポリイミドで作られている。

図5においては、絶縁層42は放熱板38の表面に非導電性となる処理をされた部分である。放熱板38がアルミニウムで作られている場合には、絶縁層42はアルミニウムにアルマイト処理された部分である。アルマイト処理された部分は熱伝導性が高く且つ絶縁性が高い。あるいは、絶縁層42は金属の放熱板38にその他の非導電性の処理(例えば表面酸化や薬品を用いたエッチングによる絶縁化)を施した部分とすることができる。

図5の走査駆動回路モジュール34のその他の特徴は図4の走査駆動回路モジュール34の特徴と同様であり、作用も同様である。

図6は図4の走査駆動回路モジュール34の変化例を示す断面図である。走査駆動回路モジュール34は、Y電極18yに接続されるフレキシブル回路基板36と、配線パターン46と、絶縁性の材料で作られた放熱板38と、放熱板38に搭載された半導体素子(半導体チップ)44とを備える。半導体素子44の入力端子は配線パターン46に電気的に接続され、半導体素子44の出力端子はフレキシブル回路基板36の配線パターンに電気的に接続される。

図6においては、図4の絶縁層42はなく、放熱板38は絶縁性の材料で作られる。例えば、放熱板38は熱伝導性が高く且つ絶縁性が高いセラミックで作られる。例えば、放熱板38の材料として、アルミナ(Al23 )や窒化アルミ(AlN)を使用することができる。図6の走査駆動回路モジュール34のその他の特徴は図4の走査駆動回路モジュール34の特徴と同様である。

以上の構成によれば、半導体素子44は非導電性の材料からなる放熱板38に搭載されているので、半導体素子44が発生した熱は比較的に小さな熱抵抗で放熱板38に伝達され、大きな熱伝導率及び熱容量を有する放熱板38から放熱される。さらに、半導体素子44は放熱板38とは電気的に分離されており、半導体素子44と放熱板38との間の絶縁性は確保され、半導体素子44をフローティングで駆動することができる。

図7は本発明の他の実施例の走査駆動回路モジュール34を示す断面図である。図8は図7のコネクタと相手方コネクタとの嵌合を示す図である。走査駆動回路モジュール34は、Y電極18yに接続されるフレキシブル回路基板36と、配線パターン46と、放熱板38と、絶縁層42と、絶縁層42を介して放熱板38に搭載された半導体素子(半導体チップ)44とを備える。放熱板38はアルミニウム等の熱伝導率の大きい金属板で作られる。半導体素子44の入力端子は配線パターン46に電気的に接続され、半導体素子44の出力端子はフレキシブル回路基板36の配線パターンに電気的に接続される。

配線パターン46はリジッドな回路基板74の導体層として形成されている。リジッドな回路基板74及びフレキシブル回路基板36の構成は図4に示したものと同様である。絶縁層42はフレキシブル回路基板36のベースフィルム36Aを半導体素子44の下まで延長することによりベースフィルム36Aの一部として形成されている。

さらに、コネクタ58がリジッドな回路基板74の端部に取付けられる。コネクタ58は相手方コネクタ76に嵌合固定される。つまり、走査駆動回路モジュール34を矢印Aの方向に移動させることにより、コネクタ58を相手方コネクタ76に嵌合固定することができる。相手方コネクタ76は図3のY電極維持パルス発生回路基板32に接続されたものであり、シャーシ20に固定されている。従って、コネクタ58は相手方コネクタ76を介してY電極維持パルス発生回路基板32に電気的に接続され、シャーシ20に機械的に固定される。従って、コネクタ58は走査駆動回路モジュール34を機械的に支持することができる。コネクタ58は相手方コネクタ76の端子に接続される端子と、配線パターン46に接続される端子(例えば破線で示したピン)を有する。

図7及び図8の実施例では、フレキシブル回路基板36がリジッドな回路基板74に固定されていなくても、フレキシブル回路基板36はリジッドな回路基板74とともに放熱板38に固定され、これらの部材は走査駆動回路モジュール34として一体化されているので、コネクタ58をリジッドな回路基板74に固定し、相手方コネクタ76と嵌合固定できるようにしておけば、放熱板38を支持するために特別の支持手段を設けなくても、放熱板38をシャーシ20に支持することができる。

図9は図7及び図8の走査駆動回路モジュール34の変化例を示す図である。図9の走査駆動回路モジュール34は、絶縁性の材料からなる放熱板38を含む。さらに、導体層40が放熱板38と半導体素子44の間に配置されている。導体層40はフローティンググランドに接続される。その他の点は、図7及び図8の走査駆動回路モジュール34と同様である。従って、図9の走査駆動回路モジュール34の作用は図7及び図8の走査駆動回路モジュール34の作用と同様である。

図10は図7及び図8の走査駆動回路モジュール34の変化例を示す図である。図10の走査駆動回路モジュール34は、絶縁層42の上に導体層40を有し、半導体素子44が導体層40の上に配置されている点を除くと、図7及び図8の走査駆動回路モジュール34と同様である。半導体素子44は銀ペーストやはんだ付けによって導体層40に固定される。導体層40はボンディングワイヤ52によって配線パターン46のフローティンググランドに接続される。従って、半導体素子44及びその周辺回路からなる各IC回路群の中で、放熱板38を介した相互緩衝(クロストーク)を軽減することができる。特に誤動作の発生原因となる入力信号へのクロストークを大幅に低減させることができる。その他の点については、図10の走査駆動回路モジュール34の作用は図7及び図8の走査駆動回路モジュール34の作用と同様である。

図11は図4の走査駆動回路モジュール34の変化例を示す図である。図11の走査駆動回路モジュール34は、リジッドな回路基板74及びフレキシブル回路基板36が多層回路基板となっている点を除くと、図4の走査駆動回路モジュール34と同様である。すなわち、フレキシブル回路基板36はベースフィルム36Aと、ベースフィルム36Aの上側に形成された第1の導体層36Bと、第1の導体層36Bを覆う第1のカバーフィルム36Cと、ベースフィルム36Aの下側に形成された第2の導体層36Dと、第2の導体層36Dを覆う第2のカバーフィルム36Eとからなる。フレキシブル回路基板36のベースフィルム36Aは例えばポリイミドで作られている。また、リジッドな回路基板74はベースフィルム74Aと、ベースフィルム74Aの上側に形成された第1の導体層74Bと、第1の導体層74Bを覆う第1のカバーフィルム74Cと、ベースフィルム74Aの下側に形成された第2の導体層74Dと、第2の導体層74Dを覆う第2のカバーフィルム74Eとからなる。リジッドな回路基板74のベースフィルム74Aは例えばガラスエポキシ樹脂で作られている。多層回路基板では、複数の導体層はスルーホールで接続されている。

図11の走査駆動回路モジュール34の作用は図4の走査駆動回路モジュール34の作用と同様である。図11の実施例以外の全ての実施例においても、リジッドな回路基板74及びフレキシブル回路基板36の少なくとも一方を多層回路基板で形成することができる。

図12は図4の走査駆動回路モジュール34の変化例を示す図である。図12の走査駆動回路モジュール34は、放熱板38に放熱フィン78が取付けられている点を除くと、図4の走査駆動回路モジュール34と同様である。放熱フィン78により、放熱板38の放熱作用はさらに促進される。

図12の走査駆動回路モジュール34の作用は図4の走査駆動回路モジュール34の作用と同様である。図12の実施例以外の全ての実施例においても、放熱板38に放熱フィン78を取付けることができる。

図13は本発明の他の実施例の走査駆動回路モジュール34を示す断面図である。図14は図13の走査駆動回路モジュール34を示す平面図である。図14においては、ボンディングワイヤ及び封止樹脂は省略されている。走査駆動回路モジュール34は、Y電極18yに接続されるフレキシブル回路基板36と、配線パターン46と、放熱板38と、導体層40を有する絶縁層42と、絶縁層42を介して放熱板38に搭載された半導体素子(半導体チップ)44とを備える。放熱板38はアルミニウム等の熱伝導率の大きい金属板で作られる。半導体素子44の入力端子は配線パターン46に電気的に接続され、半導体素子44の出力端子はフレキシブル回路基板36の配線パターンに電気的に接続される。

配線パターン46はリジッドな回路基板74の導体層として形成されている。リジッドな回路基板74及びフレキシブル回路基板36の構成は図4に示したものと同様である。絶縁層42はフレキシブル回路基板36のベースフィルム36Aを半導体素子44の下まで延長することによりベースフィルム36Aの一部として形成されている。ただし、絶縁層42は前に説明した樹脂や放熱板38の被処理部分とすることもできる。導体層40はフレキシブル回路基板36の導体層36Bの一部として形成することができる。80はリジッドな回路基板74及びフレキシブル回路基板36を放熱板に固定するための接着剤である。なお、他の図においては、接着剤は示されていないが、接着剤は適宜使用される。

さらに、コネクタ58がリジッドな回路基板74の端部に取付けられる。コネクタ58は相手方コネクタに嵌合固定される。相手方コネクタは図3のY電極維持パルス発生回路基板32に接続されたものであり、シャーシ20に固定されている。

図13及び図14においては、放熱板38は、リジッドな回路基板74の配線パターン46に相当する位置に切り欠き部38Bを有する。つまり、図14において、配線パターン46の下に位置する放熱板38の部分は横倒しのU字状に形成されている。リジッドな回路基板74の配線パターン46のグランドはフローティンググランドとなっているが、放熱板38は配線パターン46に電気的に接続されていないので、放熱板38と、絶縁層(リジッドな回路基板74のベースフィルム74A)と、駆動回路46とは、寄生容量を形成し、寄生容量が大きくなると配線パターン46の信号配線にノイズが混入する。配線パターン46の下に位置する放熱板38の部分が切り欠き部38Bとなっているので、寄生容量が形成されなくなり、信号配線へのノイズの混入が低減される。また、リジッドな回路基板74にはチップコンデンサやチップ抵抗等の部材がはんだ付けされているが、それらの部材が切り欠き部38B内の領域に位置するので、放熱板38からの熱にあおられることがなく、はんだ付け部の信頼性が低下することがない。

図13及び図14の走査駆動回路モジュール34の基本的な作用は他の実施例の基本的な作用と同様である。さらに、図13及び図14の放熱板38の特徴は他の実施例にも適用することができる。

図15は本発明の他の実施例の走査駆動回路モジュール34を示す断面図である。走査駆動回路モジュール34は、Y電極18yに接続されるフレキシブル回路基板36と、配線パターン46と、導電性の金属板からなる放熱板38と、放熱板38の上に形成された絶縁層42と、絶縁層42を介して放熱板38に搭載された半導体素子(半導体チップ)44とを備える。導体層40が絶縁層42の上に形成され、半導体素子44は導体層40の上に配置される。半導体素子44の入力端子は配線パターン46に電気的に接続され、半導体素子44の出力端子はフレキシブル回路基板36の配線パターンに電気的に接続される。

図15においては、配線パターン46は絶縁層42の表面に直に設けられた導体層に形成された配線パターンからなる。

この構成によれば、半導体素子44は絶縁層42を介して放熱板38に取付けられている。半導体素子44が発生した熱は比較的に小さな熱抵抗で放熱板38に伝達され、放熱板38から放熱される。半導体素子44と放熱板38とは電気的に分離されており、半導体素子44と放熱板38との間の絶縁性が確保され、半導体素子44をフローティングで駆動することができる。さらに、配線パターン46は放熱板38に設けた絶縁層42の上に形成されているので、配線パターン46のために別の回路基板を用いる必要がない。図15の特徴は前に説明した絶縁層42を有する全ての実施例に適用可能である。

図16は本発明の他の実施例の走査駆動回路モジュール34を示す断面図である。走査駆動回路モジュール34は、Y電極18yに接続されるフレキシブル回路基板36と、配線パターン46と、絶縁性の材料からなる放熱板38と、放熱板38に搭載された半導体素子(半導体チップ)44とを備える。導体層40が絶縁性の材料からなる放熱板38の上に形成され、半導体素子44は導体層40の上に配置される。半導体素子44の入力端子は配線パターン46に電気的に接続され、半導体素子44の出力端子はフレキシブル回路基板36の配線パターンに電気的に接続される。

図16においては、配線パターン46は絶縁性の材料からなる放熱板38の表面に直に設けられた配線パターンからなる。

この構成によれば、半導体素子44は絶縁性を有する放熱板38に取付けられている。半導体素子44が発生した熱は比較的に小さな熱抵抗で放熱板38に伝達され、放熱板38から放熱される。半導体素子44と放熱板38とは電気的に分離されており、半導体素子44と放熱板38との間の絶縁性が確保され、半導体素子44をフローティングで駆動することができる。さらに、配線パターン46は放熱板38に形成されているので、配線パターン46のために別の回路基板を用いる必要がない。図16の特徴は前に説明した絶縁性を有する放熱板38を有する全ての実施例に適用可能である。

図17は図15及び図16の走査駆動回路モジュール34の変化例を示す断面図である。図15及び図16においてはコネクタ58が用いられているが、図17においてはコネクタ58は用いられていない。図17においては、絶縁性を有する放熱板38に形成された配線パターン46が放熱板38とともに相手方コネクタ76に嵌合される。

図18は図15及び図16の走査駆動回路モジュール34の変化例を示す部分略図である。図18においては、半導体素子44とフレキシブル回路基板36との間に中間導体層82が設けられ、ボンディングワイヤ50は半導体素子44と中間導体層82を接続するようになっている。さらに、中間導体層82は異方性導電フィルム84によってフレキシブル回路基板36の導体層36Bに接続される。配線パターン46と、半導体素子44の下の導体層40と、中間導体層82は、放熱板38の上の絶縁層42の上に形成される。これによって、フレキシブル回路基板36と半導体素子44との電気的な接続を容易に行うことができるようになる。なお、図18の絶縁層42を有する放熱板38の代わりに、絶縁性を有する放熱板38を用いることができる。

図19は図18の走査駆動回路モジュール34の変化例を示す断面図である。図19においては、図18の異方性導電フィルム84の代わりに、はんだ86によって、中間導体層82をフレキシブル回路基板36の導体層36Bに接続している。これによって、フレキシブル回路基板36と半導体素子44との電気的な接続を容易に行うことができる。特に、フレキシブル回路基板36にワイヤボンディングを行うのに際して、軟らかいフレキシブル回路基板36にワイヤを打ちつけるのは難しいので、加熱接着などの処理をしてフレキシブル回路基板36を放熱板38に固く固定しておくことが必要である。図18及び図19に示されるように、放熱板38に固く固定されている半導体素子44と中間導体層82とをワイヤボンディングするのはそれほど難しくない。そして、中間導体層82とフレキシブル回路基板36とを異方性導電フィルム84(図18)やはんだ86(図19)によって接続するのは比較的に容易である。従って、半導体素子44とフレキシブル回路基板36との間の電気的な接続を異方性導電材料及びはんだの少なくとも一つによって行うと、電気的な接続作業を容易に行うことができる。

以上の実施例においては、半導体素子44と配線パターン46との接続並びに半導体素子44とフレキシブル回路基板36との接続は主としてボンディングワイヤによって行われているが、これらの接続はボンディングワイヤに限定されるものではなく、例えば、これらの接続ははんだ付けやフリップチップ等のその他の接続手段によって実施されることもできる。また、導体層の端子や電極にはアルミニウムや銅の上に金メッキや錫メッキを行うことができる。

以上説明した実施例は、下記の特徴を含む。
(付記1)
絶縁層を有する放熱板と、該放熱板に固定されたフレキシブル回路基板と、配線パターンと、該絶縁層を介して該放熱板に搭載された半導体素子とを備え、該半導体素子は該配線パターン及び該フレキシブル回路基板に電気的に接続されることを特徴とする駆動回路モジュール。
(付記2)
該絶縁層は非導電性の樹脂で作られることを特徴とする付記1に記載の駆動回路モジュール。
(付記3)
該絶縁層は該放熱板の非導電性の処理をされた部分であることを特徴とする付記1に記載の駆動回路モジュール。
(付記4)
該配線パターンは該放熱板の該絶縁層に固定されたリジッドな回路基板の導体層として形成されていることを特徴とする付記1に記載の駆動回路モジュール。
(付記5)
該配線パターンは該放熱板の該絶縁層の上に形成されていることを特徴とする付記1に記載の駆動回路モジュール。
(付記6)
該配線パターンに接続されるコネクタを含むことを特徴とする付記1に記載の駆動回路モジュール。
(付記7)
絶縁性の材料からなる放熱板と、該放熱板に固定されたフレキシブル回路基板と、配線パターンと、該放熱板に搭載された半導体素子とを備え、該半導体素子は該配線パターン及び該フレキシブル回路基板に電気的に接続されることを特徴とする駆動回路モジュール。
(付記8)
該配線パターンは該放熱板に固定されたリジッドな回路基板の導体層として形成されていることを特徴とする付記7に記載の駆動回路モジュール。
(付記9)
該配線パターンは該放熱板の上に形成されていることを特徴とする付記7に記載の駆動回路モジュール。
(付記10)
該放熱板を構成する絶縁性の材料がセラミックからなることを特徴とする付記7に記載の駆動回路モジュール。
(付記11)
該配線パターンに接続されるコネクタを含むことを特徴とする付記7に記載の駆動回路モジュール。
(付記12)
放熱板と、該放熱板に固定されたフレキシブル回路基板と、該放熱板に固定されたリジッドな回路基板と、該フレキシブル回路基板の一部である絶縁層を介して該放熱板に搭載された半導体素子と、該リジッドな回路基板に取付けられたコネクタとを備え、該半導体素子は該リジッドな回路基板及び該フレキシブル回路基板に電気的に接続されることを特徴とする駆動回路モジュール。
(付記13)
放熱板と、該放熱板に固定されたフレキシブル回路基板と、該放熱板に固定されたリジッドな回路基板と、該放熱板に搭載された半導体素子とを備え、該半導体素子は、該放熱板とは電気的に分離され、かつ、該リジッドな回路基板及び該フレキシブル回路基板に電気的に接続され、該放熱板は該フレキシブル回路基板と該リジッドな回路基板の少なくとも一方の基板に設けた配線パターンに相当する位置に重なった領域に切り欠き部を有することを特徴とする駆動回路モジュール。
(付記14)
該放熱板は絶縁層を有し、該半導体素子は該絶縁層を介して該放熱板に搭載されていることを特徴とする付記13に記載の駆動回路モジュール。
(付記15)
該フレキシブル回路基板は該絶縁層に固定されていることを特徴とする付記14に記載の駆動回路モジュール。
(付記16)
該絶縁層は該フレキシブル回路基板の一部であることを特徴とする付記14に記載の駆動回路モジュール。
(付記17)
放熱板と、該放熱板に固定されたフレキシブル回路基板と、配線パターンと、該放熱板に搭載された半導体素子とを備え、該半導体素子は、該放熱板とは電気的に分離され、かつ、該配線パターン及び該フレキシブル回路基板に電気的に接続され、該半導体素子と該フレキシブル回路基板との間の電気的な接続は異方性導電材料及びはんだの少なくとも一つによって行われていることを特徴とする駆動回路モジュール。
(付記18)
該放熱板は絶縁層を有し、該半導体素子は該絶縁層を介して該放熱板に搭載されていることを特徴とする付記17に記載の駆動回路モジュール。
(付記19)
該フレキシブル回路基板は該絶縁層に固定されていることを特徴とする付記18に記載の駆動回路モジュール。
(付記20)
該絶縁層は該フレキシブル回路基板の一部であることを特徴とする付記18に記載の駆動回路モジュール。
(付記21)
該放熱板は該絶縁層と該半導体素子との間に導体層があることを特徴とする付記18に記載の駆動回路モジュール。
(付記22)
該放熱板は絶縁性の材料からなることを特徴とする付記17に記載の駆動回路モジュール。
(付記23)
該放熱板の該絶縁層と該半導体素子との間に導体層があり、該導体層に該半導体素子が電気的に接続されていることを特徴とする請求項1,7,12,13,17のいずれか1項に記載の駆動回路モジュール。
(付記24)
該放熱板は放熱フィンを有することを特徴とする付記1から23のいずれか1項に記載の駆動回路モジュール。
(付記25)
一対の対向する基板と、該基板に設けられた複数の駆動用の電極と、付記1から24のいずれか1項に記載の駆動回路モジュールとを備え、該フレキシブル回路基板は該駆動用の電極と接続されていることを特徴とする表示装置。

以上説明したように、本発明によれば、半導体素子と放熱板との絶縁性を確保しつつ、半導体素子を放熱板と近接配置して放熱性を向上させた表示装置を得ることができる。

図1は本発明の実施例によるプラズマ表示装置の一部を示す略斜視図である。 図2は図1のプラズマ表示装置の電極の配置を示す図である。 図3は回路基板を含む図1のプラズマ表示装置を示す略斜視図である。 図4は図3の走査駆動回路モジュールを示す断面図である。 図5は図4の走査駆動回路モジュールの変化例を示す断面図である。 図6は図4の走査駆動回路モジュールの変化例を示す断面図である。 図7は本発明の他の実施例の走査駆動回路モジュールを示す断面図である。 図8は図7のコネクタと相手方コネクタとの嵌合を示す図である。 図9は図7及び図8の走査駆動回路モジュールの変化例を示す図である。 図10は図7及び図8の走査駆動回路モジュールの変化例を示す図である。 図11は図4の走査駆動回路モジュールの変化例を示す図である。 図12は図7の走査駆動回路モジュールの変化例を示す図である。 図13は本発明の他の実施例の走査駆動回路モジュールを示す断面図である。 図14は図13の走査駆動回路モジュールを示す平面図である。 図15は本発明の他の実施例の走査駆動回路モジュールを示す断面図である。 図16は本発明の他の実施例の走査駆動回路モジュールを示す断面図である。 図17は図15及び図16の走査駆動回路モジュールの変化例を示す部分略図である。 図18は図15及び図16の走査駆動回路モジュールの変化例を示す断面図である。 図19は図18の走査駆動回路モジュールの変化例を示す断面図である。

符号の説明

10…プラズマ表示装置
12、14…ガラス基板
16…アドレス電極
18…維持放電電極
20…シャーシ
22…隔壁
24…アドレスパルス発生回路基板
26…アドレス駆動回路モジュール
28…X電極維持パルス発生回路基板
30…維持駆動回路モジュール
32…Y電極維持パルス発生回路基板
34…走査駆動回路モジュール
36…フレキシブル回路基板
38…放熱板
40…導体層
42…絶縁層
44…半導体素子
46…配線パターン
48、50、52…ボンディングワイヤ
54…封止樹脂
74…リジッドな回路基板
76…相手方コネクタ
78…放熱フィン

Claims (10)

  1. 絶縁層を有する放熱板と、該放熱板に固定されたフレキシブル回路基板と、配線パターンと、該絶縁層を介して該放熱板に搭載された半導体素子とを備え、該半導体素子は該配線パターン及び該フレキシブル回路基板に電気的に接続されることを特徴とする駆動回路モジュール。
  2. 該絶縁層は非導電性の樹脂で作られることを特徴とする請求項1に記載の駆動回路モジュール。
  3. 該絶縁層は該放熱板の非導電性の処理をされた部分であることを特徴とする請求項1に記載の駆動回路モジュール。
  4. 絶縁性の材料からなる放熱板と、該放熱板に固定されたフレキシブル回路基板と、配線パターンと、該放熱板に搭載された半導体素子とを備え、該半導体素子は該配線パターン及び該フレキシブル回路基板に電気的に接続されることを特徴とする駆動回路モジュール。
  5. 該放熱板を形成する絶縁性の材料がセラミックであることを特徴とする請求項4に記載の駆動回路モジュール。
  6. 放熱板と、該放熱板に固定されたフレキシブル回路基板と、該放熱板に固定されたリジッドな回路基板と、該フレキシブル回路基板の一部である絶縁層を介して該放熱板に搭載された半導体素子と、該リジッドな回路基板に取付けられたコネクタとを備え、該半導体素子は該リジッドな回路基板及び該フレキシブル回路基板に電気的に接続されることを特徴とする駆動回路モジュール。
  7. 放熱板と、該放熱板に固定されたフレキシブル回路基板と、該放熱板に固定されたリジッドな回路基板と、該放熱板に搭載された半導体素子とを備え、該半導体素子は、該放熱板とは電気的に分離され、かつ、該リジッドな回路基板及び該フレキシブル回路基板に電気的に接続され、該放熱板は該フレキシブル回路基板と該リジッドな回路基板の少なくとも一方の基板上に設けた配線パターンに相当する位置に重なった領域に切り欠き部を有することを特徴とする駆動回路モジュール。
  8. 放熱板と、該放熱板に固定されたフレキシブル回路基板と、配線パターンと、該放熱板に搭載された半導体素子とを備え、該半導体素子は、該放熱板とは電気的に分離され、かつ、該配線パターン及び該フレキシブル回路基板に電気的に接続され、該半導体素子と該フレキシブル回路基板との間の電気的な接続は異方性導電材料及びはんだの少なくとも一つによって行われていることを特徴とする駆動回路モジュール。
  9. 該放熱板の絶縁層と該半導体素子との間に導体層があり、該導体層に該半導体素子が電気的に接続されていることを特徴とする請求項1,4,6,7,8のいずれか1項に記載の駆動回路モジュール。
  10. 一対の対向する基板と、該基板に設けられた複数の駆動用の電極と、請求項1から9のいずれか1項に記載の駆動回路モジュールとを備え、該フレキシブル回路基板は該駆動用の電極と接続されていることを特徴とする表示装置。
JP2004124234A 2004-04-20 2004-04-20 表示装置 Withdrawn JP2005310957A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004124234A JP2005310957A (ja) 2004-04-20 2004-04-20 表示装置

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004124234A JP2005310957A (ja) 2004-04-20 2004-04-20 表示装置
TW094103995A TWI278795B (en) 2004-04-20 2005-02-05 Display device
US11/052,909 US20050230818A1 (en) 2004-04-20 2005-02-09 Display device
EP05250771A EP1589576A3 (en) 2004-04-20 2005-02-10 Heat dissipation in a drive circuit module for e.g. a plasma display device
KR1020050016748A KR20060043270A (ko) 2004-04-20 2005-02-28 디스플레이 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005310957A true JP2005310957A (ja) 2005-11-04

Family

ID=35439389

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004124234A Withdrawn JP2005310957A (ja) 2004-04-20 2004-04-20 表示装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005310957A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7967454B2 (en) 2007-09-21 2011-06-28 Seiko Epson Corporation Electro-optic apparatus and electronic equipment
JP2012110231A (ja) * 2012-03-15 2012-06-07 Fuji Electric Co Ltd 電力変換装置
JP2019045777A (ja) * 2017-09-06 2019-03-22 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器及びプロジェクター

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7967454B2 (en) 2007-09-21 2011-06-28 Seiko Epson Corporation Electro-optic apparatus and electronic equipment
JP2012110231A (ja) * 2012-03-15 2012-06-07 Fuji Electric Co Ltd 電力変換装置
JP2019045777A (ja) * 2017-09-06 2019-03-22 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器及びプロジェクター

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106171049B (zh) 电子设备
JP4264375B2 (ja) パワー半導体モジュール
US6441520B1 (en) Power module
US6331221B1 (en) Process for providing electrical connection between a semiconductor die and a semiconductor die receiving member
KR970005707B1 (ko) 다층 배선 기판, 이 기판을 이용한 반도체 장치 및 다층 배선 기판의 제조방법
JP3983120B2 (ja) Icチップの実装構造及びディスプレイ装置
JP4037589B2 (ja) 樹脂封止形電力用半導体装置
US6946740B2 (en) High power MCM package
DE102006009021B4 (de) Halbleiterbauelement mit Elektrodenteil
JP3960230B2 (ja) 半導体モジュールおよびその製造方法並びにスイッチング電源装置
US7253449B2 (en) Light source module of light emitting diode
DE102006012429B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE102013103119B4 (de) PCB-BASIERTER FENSTERRAHMEN FÜR HF-LEISTUNGSPACKAGE, Halbleiterpackage und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterpackage
US6956288B2 (en) Semiconductor device with folded film substrate and display device using the same
JP3925615B2 (ja) 半導体モジュール
US8030749B2 (en) Semiconductor device
US6972479B2 (en) Package with stacked substrates
US8786073B2 (en) Packaging device for matrix-arrayed semiconductor light-emitting elements of high power and high directivity
KR100412056B1 (ko) 마이크로웨이브하이브리드집적회로
US7935982B2 (en) Side view type LED package
DE10306643B4 (de) Anordnung in Druckkontaktierung mit einem Leistungshalbleitermodul
DE102004060935B4 (de) Leistungshalbleitervorrichtung
DE102004019443B3 (de) Leistungsmodul
KR20150022742A (ko) 반도체 장치
EP2690658B1 (en) Power semiconductor module and power unit device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061227

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20070413

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20070416

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20070627