JP2011108838A - 電子制御装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】パターンが配線された基板を積層した多層基板において、放熱用金属と発熱する電子素子を備えても、クラックの発生による電流経路の導通不良の発生を防ぐ電子制御装置を提供する。
【解決手段】電子基板8は、電子素子1を面実装した際に電子素子が接する面に接続する電気信号線11を含む電流経路Aと、電子素子の接面部6が電子基板の面16に露出する放熱用金属13に当接して面実装した際の放熱経路Cと、が重複しないように、電気信号線を配線する。このため、クラックの発生による電流経路の導通不良の発生を防ぐことができる。
【選択図】図5
【解決手段】電子基板8は、電子素子1を面実装した際に電子素子が接する面に接続する電気信号線11を含む電流経路Aと、電子素子の接面部6が電子基板の面16に露出する放熱用金属13に当接して面実装した際の放熱経路Cと、が重複しないように、電気信号線を配線する。このため、クラックの発生による電流経路の導通不良の発生を防ぐことができる。
【選択図】図5
Description
本発明は、電子制御装置の構造の技術に関する。
図1は、MOS型電解効果トランジスタ、特に、パワーMOSFETとよばれる電子素子を示している。トランジスタの用途は、例えば、制御対象であるモータを制御するために利用され、特に、パワーMOSFETは、大きな電流(例えば、45A)を出力することができ、大きなトルクを出力するモータをそのスイッチ機能によりPWM制御することができる。
パワーMOSFETは図1に示すように、電子素子であるトランジスタのチップ5が、パッケージ2により封止されている。トランジスタチップ5の3つの電極のうち、ソース電極及びゲート電極が端子3及び端子4と電気的に接続され、それら端子がパッケージ2の外部に備わっている。また、パワーMOSFET1の裏を表す図2のように、トランジスタチップ5の3つの電極のうちドレイン電極が、端子板6と電気的に接続されパッケージの底面に表出している。このようにドレイン電極のみがパッケージの底面に設けられている理由は、高集積化及び大電力化を可能にするためとされており、制御基板を小型化したり、大きなトルクを出力するモータをPWM制御するには、このような構造を持つパワーMOSFET1が適している。
パワーMOSFET1のスイッチ機能の発揮によって、モータをPWM制御する際に、パワーMOSFET1において、ゲート電極−ドレイン電極間に電圧がかかると、オン抵抗が高くなって熱が発生してしまう。そこで、図2に示すように、パワーMOSFET1のパッケージ2の底面に表出して設けられている端子板6が、パッケージ内の熱を放出する機能も担っている。
図3は、パワーMOSFET1などの電子部品が電子基板8に面実装された電子制御装置7を示している。図3に示すように、パワーMOSFET1が、電子基板8へ面実装されると、端子板6の面が電子基板8の面と接することによって、端子板6の熱が電子基板8へ伝わり、一定の放熱効果が得られる。しかし、電子基板8の素材は、絶縁性を有する樹脂であるためその放熱効果は限定的であり、その放熱効果が十分でない場合は、パワーMOSFET1自体の劣化や故障、又は、周辺部品の劣化や故障を招く虞がある。
より放熱効果を得る技術として、パワーMOSFET1の端子板6が電子基板8の面に接する位置にスルーホールを設けることによって放熱効果を得る技術がある。他にも、その位置に、金属柱を埋設することによって、より放熱効果を得る技術がある。具体的には、金属柱は、電子基板8を貫通し、その接する面とその面とは反対側の面とに露出するとともに、露出した部分が電子基板8の両面と平面形状をなすように埋設される。これにより、放熱効果の高い金属がパワーMOSFET1において発生した熱を吸収するとともに、吸収した熱をパワーMOSFET1が面実装された電子基板8の面とは反対側へ放出するので、スルーホールを設けるより高い放熱効果が得られる。このような技術は、例えば、特許文献1に開示されている。
しかし、パターンが配線された基板を積層した多層電子基板において、この技術を採用すると、各層間においてクラックが発生しやすくなり、発生したクラックにより電子基板8における電流経路で導通不良が発生する虞がある。
その導通不良の詳細を説明する。図4は、図3に示す電子制御装置1におけるX軸方向に沿ったIII−III線での断面図である。電子基板8Xは、パターン11Xが配線された基板15Xが4枚積層された多層基板である。電子基板8Xは、各層に配線されたパターン11X同士が電気的に接続されるようにするためのスルーホール12Xを有している。スルーホール12Xは、電子基板8Xに開いた孔であって、孔の縁が電導効果を有する金属により覆われるとともに、各層のパターン11Xと電気的に接続されている。
更に、電子基板8Xは、前述した放熱用の金属柱13Xを埋設する。電子基板8Xにおいて金属柱13Xが埋設されている孔(以降、金属柱孔という)の縁14Xには、スルーホール12Xと同様に、電導効果を有する金属により覆われるとともに、各層のパターン11Xと電気的に接続されている。
このような放熱手段を、多層電子基板を備える電子制御装置へ採用すると、図4に示すように、電子基板8Xにおいては、ドレイン電極と接続する端子板6Xから入力される電気の流れと、ゲート電極と接続する端子4Xへ出力する電気の流れと、パターン11Xにおける電気の流れと、から構成される電流経路AXが、金属柱13Xや金属柱孔の縁14Xを経由することになってしまう。つまり、パワーMOSFET1Xの端子板6Xから金属柱13Xへ伝導し反対側の面へ放出される熱の放出経路CXと電流経路AXとが一部重複することになってしまう。
そうすると、パワーMOSFET1が発生させた熱を吸収した金属柱13Xへ、電流経路AXのうちパワーMOSFET1の端子板6X以後を流れる大きな電気(例えば、電流値:45A)が加って、金属柱13や金属柱孔の縁14Xが熱膨張しやすくなる。金属柱13Xや金属柱孔の縁14Xが熱膨張すると、金属柱孔の縁14XにおいてクラックBが発生し、電流経路AXの一部を構成する金属柱孔の縁14Xにおいて導通不良が発生する虞がある。
更に、金属柱孔の縁14Xと金属柱13Xを電流経路としても利用しているため、金属柱13Xの放熱効果も低下してしまう虞もある。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、電子素子の放熱機能を維持しつつ、クラックの発生による電流経路の導通不良を防ぐことができる電子基板を備えた電子制御装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、請求項1の発明は、制御対象を制御する電子制御装置であって、前記制御対象を制御するための電子部品が実装される電子基板と、前記電子基板に配線される電気信号を伝達する電気信号線と、前記電子基板に貫通して両面に露出する金属と、前記電子基板へ実装される際に前記電子基板の面と接する接面部に電気信号線の接続を行う電子素子と、を備え、前記電子素子は、前記電子基板において、前記接面部が前記電子基板の面に露出する前記金属に当接して実装されるとともに、前記接面部に接続する前記電気信号線を、前記金属と非接触にして配線されることを特徴とする。
また、請求項2の発明は、請求項1に記載の電子制御装置において、前記電子基板は、前記電気信号線が配線された基板を積層した多層電子基板であることを特徴とする。
また、請求項3の発明は、請求項1ないし請求項2の何れかに記載の電子制御装置において、前記制御対象はモータであり、前記電子素子は、パッケージにより封止され、前記電子基板へ実装される際に前記電子基板の面と接する前記パッケージの接面部に電気信号線の接続を行うとともに、前記モータを制御するための電流を生成するトランジスタであることを特徴とする。
また、請求項4の発明は、請求項1ないし請求項2の何れかに記載の電子制御装置において、前記電子素子は、電流計測用のシャント抵抗であることを特徴とする。
また、請求項5の発明は、請求項1ないし4の何れかに記載の電子制御装置は、車両に搭載されることを特徴とする。
また、請求項6の発明は、制御対象を制御する電子制御装置であって、前記制御対象を制御するための電子部品が実装される電子基板と、前記電子基板に配線される電気信号を伝達する電気信号線と、前記電子基板に貫通して両面に露出する金属と、前記電子基板へ実装される際に前記電子基板の面と接する接面部に電気信号線の接続を行う電子素子と、を備え、前記電子基板は、前記電子素子の前記接面部に接続する前記電気信号線を含む電流経路と、前記電子素子が前記接面部が前記電子基板の面に露出する前記金属に当接して実装された際の放熱経路と、が重複しないように、前記電気信号線を備えることを特徴とする。
請求項1ないし4の発明によれば、パッケージにより封止され、実装される際に電子基板の面と接するパッケージの面に電気信号線の接続を行う電子素子を、そのパッケージの面が貫通して露出する金属を備える電子基板のその金属に当接して、電子基板へ実装されるとともに、電子素子のパッケージの面に接続する電子基板の電気信号線を、金属と非接触にして配線することにより、電子基板を備えた電子制御装置において、電子素子の放熱機能を維持しつつ、クラックの発生による電流経路の導通不良を防ぐことができる。
本発明は、制御対象を制御する電子制御装置の技術に関するものであり、全ての技術分野における電子制御装置に適用されるものであるが、便宜上、車両の電動ステアリング・モータを制御する操舵電子制御装置を実施の形態として、添付図面を参照しながら説明を行う。
<代表の形態>
(電子素子)
図1は、MOS型電解効果トランジスタ、特に、パワーMOSFETとよばれる電子素子を示している。トランジスタは、例えば、車両制御において利用される、制御対象である電動ステアリング・モータを制御する際に用いられる。このモータは、大きな電力が必要とされる制御対象であるため、特に、パワーMOSFETを利用して制御する必要がある。
(電子素子)
図1は、MOS型電解効果トランジスタ、特に、パワーMOSFETとよばれる電子素子を示している。トランジスタは、例えば、車両制御において利用される、制御対象である電動ステアリング・モータを制御する際に用いられる。このモータは、大きな電力が必要とされる制御対象であるため、特に、パワーMOSFETを利用して制御する必要がある。
パワーMOSFETは図1に示すように、電子素子であるトランジスタのチップ5が、パッケージ2により封止されている。トランジスタチップ5の3つの電極のうち、ソース電極及びゲート電極が端子3及び端子4と電気的に接続され、それら端子がパッケージ2の外部に備わっている。また、パワーMOSFET1の裏を表す図2に示すように、トランジスタチップ5の3つの電極のうちドレイン電極は端子板6と電気的に接続されパッケージの底面に表出している。このようにドレイン電極のみがパッケージの底面に設けられている理由は、高集積化及び大電力化を可能にするためであるとされ、車両の小型化や軽量化のために、或いは、車両に備わる大出力を必要とする電動ステアリング・モータを制御するために、このような構造を持つパワーMOSFET1が適している。
また、パワーMOSFET1のスイッチ機能の発揮によって、モータをPWM制御する際は、パワーMOSFET1において、ゲート電極−ドレイン電極間に電圧がかかって、オン抵抗が高くなり熱が発生してしまうため、図2に示すように、パワーMOSFET1のパッケージ2の底面に表出して設けられている端子板6が、パッケージ内の熱を放出する機能も担っている。このパワーMOSFET1は、電子制御装置に備わる電子基板に面実装されている。
(電子制御装置)
図3は、電子制御装置7を示している。電子制御装置7は、制御対象である電動ステアリング・モータを制御する機能を担い、電子部品が実装された電子基板8を備える。電子基板8は、後述するように、電気信号を電子部品へ伝達する電気信号線、つまり、パターンが配線された基板を所定枚(例えば、4枚)積層した多層電子基板から構成される。また、電子基板8は、前述したパワーMOSFET1、記憶機能を担うROMやRAMなどのメモリと演算機能を担うCPUを有するマイコン9、電荷の蓄放電機能を担うキャパシタ10、パターン11、及び、他の層を構成する電子基板が有するパターンと電気的に接続するスルーホール12などを備える。
(電子制御装置)
図3は、電子制御装置7を示している。電子制御装置7は、制御対象である電動ステアリング・モータを制御する機能を担い、電子部品が実装された電子基板8を備える。電子基板8は、後述するように、電気信号を電子部品へ伝達する電気信号線、つまり、パターンが配線された基板を所定枚(例えば、4枚)積層した多層電子基板から構成される。また、電子基板8は、前述したパワーMOSFET1、記憶機能を担うROMやRAMなどのメモリと演算機能を担うCPUを有するマイコン9、電荷の蓄放電機能を担うキャパシタ10、パターン11、及び、他の層を構成する電子基板が有するパターンと電気的に接続するスルーホール12などを備える。
電子制御装置7は、車両の電動ステアリング・モータを制御する操舵電子制御装置であり、物理的な現象を捕らえるセンサからの入力値とROMなどに記憶されている制御プログラムとに基づいてCPUが他の電子部品と協働してステアリング機能を発揮すべく、制御対象であるステアリング・モータを制御する。
(電子基板)
図5は、図3に示す電子制御装置1におけるX軸方向に沿ったIII−III線での断面図である。電子基板8は、パターン11が配線された基板15が所定枚数(例えば、4枚)積層された多層電子基板である。電子基板8は、各層に配線されたパターン11が電気的に接続するためのスルーホール12を有している。スルーホール12は、電子基板8に開いた孔であって、孔の縁が電導効果を有する金属により覆われるとともに、各層のパターン11と電気的に接続されている。なお、電子基板8の両面の表面16は絶縁効果を有する樹脂などによりコーティングされている。
(電子基板)
図5は、図3に示す電子制御装置1におけるX軸方向に沿ったIII−III線での断面図である。電子基板8は、パターン11が配線された基板15が所定枚数(例えば、4枚)積層された多層電子基板である。電子基板8は、各層に配線されたパターン11が電気的に接続するためのスルーホール12を有している。スルーホール12は、電子基板8に開いた孔であって、孔の縁が電導効果を有する金属により覆われるとともに、各層のパターン11と電気的に接続されている。なお、電子基板8の両面の表面16は絶縁効果を有する樹脂などによりコーティングされている。
また、電子基板8は、放熱用の金属柱13を埋設する。電子基板8において金属柱13が埋設されている金属柱孔には、図3に示したようなスルーホール12と同様の電導効果を有する金属の縁によって覆うことはしない。つまり、この金属柱孔付近においては各層のパターン11とは電気的に非接続にする。
更に、電子基板8は、パワーMOSFET1が面実装された際に、パワーMOSFET1のパッケージの面であって、電子基板8の面と接する接面部であるパワーMOSFET1の端子板6と電気的に接続するパターン11を、金属柱13と非接触になるように備える。換言すると、電子基板8は、パワーMOSFET1が面実装された際に、パワーMOSFET1のパッケージの面であって、電子基板8の面と接する接面部であるパワーMOSFET1の端子板6と電気的に接続するパターン11を、金属柱13から引き離すとともに、金属柱13とは電気的に非接続にする。
これにより、図5に示すように、パワーMOSFET1は、ドレイン電極と接続する端子板6から入力される電気の流れと、ゲート電極と接続する端子4へ出力する電気の流れと、パターン11における電気の流れと、から構成される電流経路Aが金属柱13を経由、又は、接触することはない。
従って、パワーMOSFET1の端子板6から金属柱13へ伝導し反対側の面へ放出される熱の放出経路Cと電流経路Aとが重複しないことによって、電子基板8の金属柱孔の縁において電気が流れないため、金属柱13Yを熱膨張さることなく、かつ、金属柱孔の縁14にクラックBを発生させることもない。つまり、クラックBの発生による電流経路Aにおける導通不良の発生を防ぐことができ、更に、金属柱13の放熱効果の低下も防ぐこともできる。
なお、パターン17は電子基板8の内層であって、金属柱13の側面を狭持するとともに、他のパターン11や電子部品と電気的に非接続にして備わる。これにより、電子基板8は金属柱13を固定することができる。
<変形例>
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、この発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。以下では他の実施の形態について、主に上記実施の形態とは相違する点を説明する。
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、この発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。以下では他の実施の形態について、主に上記実施の形態とは相違する点を説明する。
<変形例1>
上記実施の形態においては、制御対象を電動ステアリング・モータであると説明したが、スロットル・モータ、変速ギヤ・ソレノイド、クーリングファン・モータ、パワーウィンドウ・モータ、エアバッグ・スクイブ、シート・モータ、エアコン・モータ、又は、ワイパ・モータなども制御対象であっても良い。
上記実施の形態においては、制御対象を電動ステアリング・モータであると説明したが、スロットル・モータ、変速ギヤ・ソレノイド、クーリングファン・モータ、パワーウィンドウ・モータ、エアバッグ・スクイブ、シート・モータ、エアコン・モータ、又は、ワイパ・モータなども制御対象であっても良い。
また、上記実施の形態においては、電子制御装置を電動ステアリング・モータを制御する操舵電子制御装置として説明をしたが、スロットル・モータを制御するエンジン電子制御装置、変速ギヤ・ソレノイドを制御するトランスミッション電子制御装置、クーリングファン・モータを電子制御するクーリングファン電子制御装置、パワーウィンドウ・モータを制御するパワーウィンドウ電子制御装置、エアバッグ・スクイブを制御するエアバッグ電子制御装置、シート・モータを制御するシート電子制御装置、エアコン・モータを制御するエアコン電子制御装置、又は、ワイパ・モータを制御するワイパ電子制御装置なども電子制御装置であっても良い。
<変形例2>
上記実施の形態においては、図2に示すように、電子素子であるパワーMOSFET1におけるトランジスタチップ5の3つの電極のうちドレイン電極は端子板6と電気的に接続されパッケージの底面に表出し、更に、底面に表出して設けられている端子板6が、パッケージ内の熱を放出する機能も担っている、と説明したが、図7に示すように、トランジスタチップの3つの電極のうちドレイン電極は2つの端子板6Zと電気的に接続されて、パッケージ2Zの底面に表出して設けられるとともに、これとは別にして、パッケージ2Z内の熱を放熱するための放熱板20がパッケージ2Zの底面に表出して設けられているパワーMOSFET1であっても良い。
上記実施の形態においては、図2に示すように、電子素子であるパワーMOSFET1におけるトランジスタチップ5の3つの電極のうちドレイン電極は端子板6と電気的に接続されパッケージの底面に表出し、更に、底面に表出して設けられている端子板6が、パッケージ内の熱を放出する機能も担っている、と説明したが、図7に示すように、トランジスタチップの3つの電極のうちドレイン電極は2つの端子板6Zと電気的に接続されて、パッケージ2Zの底面に表出して設けられるとともに、これとは別にして、パッケージ2Z内の熱を放熱するための放熱板20がパッケージ2Zの底面に表出して設けられているパワーMOSFET1であっても良い。
このような電子素子であるパワーMOSFET1Zであっても、本発明と同様の作用効果を奏することができる。
<変形例3>
上記実施の形態においては、電子素子を図1及び図2に示すパワーMOSFET1として説明したが、パワーMOSFET1と同様に、電子基板に面実装される電子素子であって、電子素子が機能を発揮する際に発熱するとともに、電子基板に面実装される際に、電子基板に接する接面部が電流経路の一部になっているとともに、発熱した熱をその接面部から放出可能な電子素子であれば、どのような電子素子であっても良い。
上記実施の形態においては、電子素子を図1及び図2に示すパワーMOSFET1として説明したが、パワーMOSFET1と同様に、電子基板に面実装される電子素子であって、電子素子が機能を発揮する際に発熱するとともに、電子基板に面実装される際に、電子基板に接する接面部が電流経路の一部になっているとともに、発熱した熱をその接面部から放出可能な電子素子であれば、どのような電子素子であっても良い。
例えば、図8に示すシャント抵抗17のような電子素子が考えられる。シャント抵抗とは、回路の電流を検出するための抵抗器である。
このような用途で利用する、シャント抵抗17も、電流検出機能を発揮する際に発熱するとともに、電子基板に面実装される際に、電子基板に接する接面部である端子18及び端子19が電流経路の一部になっているとともに、発熱した熱をその端子18及び端子19から放出可能である。
従って、このような電子素子であるシャント抵抗17であっても、本発明と同様の作用効果を奏することができる。
<変形例4>
上記実施の形態の電子基板における電流経路とは相違する電流経路を説明する。図6は、図3に示す電子制御装置7におけるX軸方向に沿ったIII−III線での断面図である。電子基板8Yは、パターン11Yが配線された基板15Yが所定枚(例えば、4枚)積層された多層電子基板である。電子基板8Yは、各層に配線されたパターン11Yが電気的に接続するためのスルーホール12Yを有しており、スルーホール12Yは、電子基板8Yに開いた孔であって、孔の縁が電導効果を有する金属により覆われるとともに、各層のパターン11Yと電気的に接続されている。なお、電子基板8Yの両面の表面16Yは絶縁効果を有する樹脂などによりコーティングがされている。
上記実施の形態の電子基板における電流経路とは相違する電流経路を説明する。図6は、図3に示す電子制御装置7におけるX軸方向に沿ったIII−III線での断面図である。電子基板8Yは、パターン11Yが配線された基板15Yが所定枚(例えば、4枚)積層された多層電子基板である。電子基板8Yは、各層に配線されたパターン11Yが電気的に接続するためのスルーホール12Yを有しており、スルーホール12Yは、電子基板8Yに開いた孔であって、孔の縁が電導効果を有する金属により覆われるとともに、各層のパターン11Yと電気的に接続されている。なお、電子基板8Yの両面の表面16Yは絶縁効果を有する樹脂などによりコーティングがされている。
また、電子基板8Yは、前述した放熱用の金属柱13Yを埋設する。電子基板8Yにおいて金属が埋設されている金属柱孔の縁14Yには、スルーホール12Yと同様に、電導効果を有する金属により覆われるが、各層のパターン11Yと電気的に接続されていない。
更に、電子基板8Yには、パワーMOSFET1Yが面実装される際に、パワーMOSFET1Yのパッケージの面であって、電子基板8の面と接する接面部であるパワーMOSFET1Yの端子板6Yと、電気的に接続するパターン11Yを金属柱13Yから遠ざかる方向へ引き出すとともに、金属柱13Y及び金属柱孔の縁14Yに電気的に非接続に備える。
つまり、図6に示すように、パワーMOSFET1Yは、ドレイン電極と接続する端子板6Yから入力される電気の流れと、ゲート電極と接続する端子4Yへ出力する電気の流れと、パターン11Yを流れる電気と、から構成される電流経路AYが、金属柱13Yや金属柱孔の縁14Yを経由、又は、接触しない。
従って、パワーMOSFET1の端子板6から金属柱13へ伝導し反対側の面へ放出される熱の放出経路Cと電流経路Aが重複しないことによって、電子基板8の金属柱孔の縁において電気が流れないため、金属柱13Yを熱膨張さることなく、かつ、金属柱孔の縁14にクラックBを発生させることもない。つまり、クラックBの発生による電流経路Aにおける導通不良の発生を防ぐことができ、更に、金属柱13の放熱効果の低下も防ぐこともできる。
なお、金属柱孔の縁14Yは電子基板8Yにおいて、金属柱13Yの側面を狭持するとともに、他のパターン11Yや電子部品と電気的に接続されないように備わる。これによって、電子基板8Yは金属柱13Yを固定するとともに放熱効果を増加させることができる。
<変形例5>
上記実施の形態の電子基板における電流経路とは相違する電流経路を説明する。上記実施の形態いおいては、電子基板8は、パワーMOSFET1が面実装される際に、パワーMOSFET1のパッケージの面であって、電子基板8の面と接する接面部であるパワーMOSFET1の端子板6と電気的に接続するパターン11を、金属柱13から遠ざかる方向へ引き出すとともに、金属柱13と接触するように備え、かつ、金属柱13を非接地にして備える。
上記実施の形態の電子基板における電流経路とは相違する電流経路を説明する。上記実施の形態いおいては、電子基板8は、パワーMOSFET1が面実装される際に、パワーMOSFET1のパッケージの面であって、電子基板8の面と接する接面部であるパワーMOSFET1の端子板6と電気的に接続するパターン11を、金属柱13から遠ざかる方向へ引き出すとともに、金属柱13と接触するように備え、かつ、金属柱13を非接地にして備える。
このようにすれば、パターン11と金属柱13とを接触させても、金属柱13が接地していないため、電流が金属柱孔の縁14や金属柱13を流れない。従って、パワーMOSFET1の端子板6から金属柱13へ伝導し反対側の面へ放出される熱の放出経路Cと電流経路Aが重複しないことによって、電子基板8の金属柱孔の縁14において電気が流れず、金属柱13Yを熱膨張さることなく、かつ、金属柱孔の縁14にクラックBを発生させることもない。つまり、クラックBの発生による電流経路Aにおける導通不良の発生を防ぐことができ、更に、金属柱13の放熱効果の低下も防ぐこともできる。
1 パワーMOSFET
10 キャパシタ
11 パターン
12 スルーホール
13 金属
14 縁
15 基板
17 パターン
2 パッケージ
3 端子
4 端子
5 トランジスタチップ
6 端子板
7 電子制御装置
8 電子基板
A 電流経路
B クラック
C 放出経路
10 キャパシタ
11 パターン
12 スルーホール
13 金属
14 縁
15 基板
17 パターン
2 パッケージ
3 端子
4 端子
5 トランジスタチップ
6 端子板
7 電子制御装置
8 電子基板
A 電流経路
B クラック
C 放出経路
Claims (6)
- 制御対象を制御する電子制御装置であって、
前記制御対象を制御するための電子部品が実装される電子基板と、
前記電子基板に配線される電気信号を伝達する電気信号線と、
前記電子基板に貫通して両面に露出する金属と、
前記電子基板へ実装される際に前記電子基板の面と接する接面部に電気信号線の接続を行う電子素子と、
を備え、
前記電子素子は、前記電子基板において、前記接面部が前記電子基板の面に露出する前記金属に当接して実装されるとともに、前記接面部に接続する前記電気信号線を、前記金属と非接触にして配線されることを特徴とする電子制御装置。 - 請求項1に記載の電子制御装置において、
前記電子基板は、前記電気信号線が配線された基板を積層した多層電子基板であることを特徴とする電子制御装置。 - 請求項1ないし請求項2の何れかに記載の電子制御装置において、
前記制御対象はモータであり、
前記電子素子は、パッケージにより封止され、前記電子基板へ実装される際に前記電子基板の面と接する前記パッケージの接面部に電気信号線の接続を行うとともに、前記モータを制御するための電流を生成するトランジスタであることを特徴とする電子制御装置。 - 請求項1ないし請求項2の何れかに記載の電子制御装置において、
前記電子素子は、電流計測用のシャント抵抗であることを特徴とする電子制御装置。 - 請求項1ないし4の何れかに記載の電子制御装置は、車両に搭載されることを特徴とする電子制御装置。
- 制御対象を制御する電子制御装置であって、
前記制御対象を制御するための電子部品が実装される電子基板と、
前記電子基板に配線される電気信号を伝達する電気信号線と、
前記電子基板に貫通して両面に露出する金属と、
前記電子基板へ実装される際に前記電子基板の面と接する接面部に電気信号線の接続を行う電子素子と、
を備え、
前記電子基板は、前記電子素子の前記接面部に接続する前記電気信号線を含む電流経路と、前記電子素子が前記接面部が前記電子基板の面に露出する前記金属に当接して実装される際の放熱経路と、が重複しないように、前記電気信号線を備えることを特徴とする電子制御装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009262202A JP2011108838A (ja) | 2009-11-17 | 2009-11-17 | 電子制御装置 |
DE102010060502A DE102010060502A1 (de) | 2009-11-17 | 2010-11-11 | Elektronische Steuervorrichtung für Leistungs-MOS-Feldeffekttransistor |
US12/944,991 US20110115001A1 (en) | 2009-11-17 | 2010-11-12 | Electronic control device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009262202A JP2011108838A (ja) | 2009-11-17 | 2009-11-17 | 電子制御装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011108838A true JP2011108838A (ja) | 2011-06-02 |
Family
ID=43993100
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009262202A Withdrawn JP2011108838A (ja) | 2009-11-17 | 2009-11-17 | 電子制御装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110115001A1 (ja) |
JP (1) | JP2011108838A (ja) |
DE (1) | DE102010060502A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013012689A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-17 | Kyocera Corp | 配線基板 |
KR20160035799A (ko) * | 2014-09-24 | 2016-04-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지의 멀티 적층체 |
WO2017119248A1 (ja) * | 2016-01-07 | 2017-07-13 | 株式会社村田製作所 | 多層基板、電子機器及び多層基板の製造方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6711262B2 (ja) * | 2016-12-26 | 2020-06-17 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
US10269678B1 (en) * | 2017-12-05 | 2019-04-23 | Nxp Usa, Inc. | Microelectronic components having integrated heat dissipation posts, systems including the same, and methods for the fabrication thereof |
JP2021052082A (ja) * | 2019-09-25 | 2021-04-01 | キオクシア株式会社 | モジュール基板およびプリント基板 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3174393B2 (ja) | 1992-04-24 | 2001-06-11 | シチズン時計株式会社 | 電子部品搭載用基板の製造方法 |
DE19813672C1 (de) * | 1998-03-27 | 1999-05-20 | Daimler Chrysler Ag | Luftfederungsanlage für Fahrzeuge |
GB2359600A (en) * | 2000-02-25 | 2001-08-29 | Westinghouse Brake & Signal | Controlling a pneumatic brake system |
JP4653095B2 (ja) * | 2004-07-16 | 2011-03-16 | 株式会社小松製作所 | 車両のトランスミッションの潤滑油供給制御装置 |
JP2009262202A (ja) | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Kasai Kogyo Co Ltd | 機械加工装置 |
-
2009
- 2009-11-17 JP JP2009262202A patent/JP2011108838A/ja not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-11-11 DE DE102010060502A patent/DE102010060502A1/de not_active Withdrawn
- 2010-11-12 US US12/944,991 patent/US20110115001A1/en not_active Abandoned
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KR102222988B1 (ko) | 2014-09-24 | 2021-03-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지의 멀티 적층체 |
WO2017119248A1 (ja) * | 2016-01-07 | 2017-07-13 | 株式会社村田製作所 | 多層基板、電子機器及び多層基板の製造方法 |
JPWO2017119248A1 (ja) * | 2016-01-07 | 2018-10-04 | 株式会社村田製作所 | 多層基板、電子機器及び多層基板の製造方法 |
US10813209B2 (en) | 2016-01-07 | 2020-10-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer substrate, electronic device, and a method for manufacturing a multilayer substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110115001A1 (en) | 2011-05-19 |
DE102010060502A1 (de) | 2011-06-16 |
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