JP6670353B2 - ゲートドライバユニットおよびパワーモジュール - Google Patents
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Description
しており、前記複数の第1外面隔離領域、前記複数の第2外面隔離領域および前記複数の第2内面隔離領域は、前記第1ドライバ基板および前記第2ドライバ基板の厚さ方向視において、各別に重なっており、且つ重なるものどうしが互いに導通していることを特徴としている。
が、前記厚さ方向視において重なっている。
2からなる3組の高圧側回路61および低圧側回路62が互いに並列に接続されている。各組の高圧側回路61と低圧側回路62との間に、U相端子721、V相端子722およびW相端子723がそれぞれ接続されている。
適用されてもよい。また、高圧側回路61は、たとえばショットキーバリアダイオード(SBD)を含んでいる。特に、この実施形態では、前記ショットキーバリアダイオードは、SiC半導体デバイス(SiC−SBD)で構成されている。高圧側回路61には、高圧側ゲート端子733および高圧側ソース端子734からなる2つの高圧側組制御端子731が接続されている。高圧側組制御端子731は、複数の制御端子73に含まれる。高圧側ゲート端子733は、高圧側回路61のゲート電流用の端子である。高圧側ソース端子734は、高圧側回路61のソース電流用の端子である。
適用されてもよい。また、低圧側回路62は、たとえばショットキーバリアダイオード(SBD)を含んでいる。特に、この実施形態では、前記ショットキーバリアダイオードは、SiC半導体デバイス(SiC−SBD)で構成されている。低圧側回路62には、低圧側ゲート端子735および低圧側ソース端子736からなる2つの低圧側組制御端子732が接続されている。低圧側組制御端子732は、複数の制御端子73に含まれる。低圧側ゲート端子735は、低圧側回路62のゲート電流用の端子である。高圧側ソース端子734は、高圧側回路61のソース電流用の端子である。
の第1外面隔離領域18、第2外面隔離領域28および第2内面隔離領域29が、1つの2次領域42を構成している。また、この2次領域42は、高圧側領域421として定義される。高圧側領域421を構成する第1外面隔離領域18、第2外面隔離領域28および第2内面隔離領域29は、は、第1スルーホール部17、第1内層16、貫通導電部32および第2スルーホール部27を適宜介することにより、互いに導通している。
トA1における絶縁耐圧が高められていることから、より正確且つ確実な電流制御が期待できる。
れていることが好ましいが、グランドラインに接続されていない構成であってもよい。
B1,B2 パワーモジュール
1 第1ドライバ基板
11 第1外面
12 第1内面
13 第1基材
14 第1配線パターン
15 第1外層
15A 導電膜
16 第1内層
17 第1スルーホール部
171 内面導体層
172 封止材
18 第1外面隔離領域
2 第2ドライバ基板
21 第2外面
22 第2内面
23 第2基材
24 第2配線パターン
25 第2外層
25A 導電膜
26 第2内層
27 第2スルーホール部
271 内面導体層
272 封止材
28 第2外面隔離領域
29 第2内面隔離領域
3 接合層
31 絶縁本体
32 貫通導電部
35 中間基板
351 基材
352 配線パターン
353 スルーホール部
354 シールド領域
42 2次領域
421 高圧側領域
422 低圧側領域
41 1次領域
51 高圧側トランス
52 低圧側トランス
53 高圧側駆動IC
54 低圧側駆動IC
55 内蔵部品
56 コネクタ
61 高圧側回路
611 スイッチング素子
62 低圧側回路
621 スイッチング素子
71 入力端子
72 出力端子
721 U相端子
722 V相端子
723 W相端子
73 制御端子
731 高圧側組制御端子
732 低圧側組制御端子
733 高圧側ゲート端子
734 高圧側ソース端子
735 低圧側ゲート端子
736 低圧側ソース端子
81 ケース
82 封止樹脂
Claims (5)
- 基板と、
前記基板に平行である第1の方向に並ぶように設けられた複数のトランスと、
複数の駆動回路と、
複数のスイッチング素子と、
前記複数のトランス、前記複数の駆動回路および前記複数のスイッチング素子を電気的に接続する複数の導電部と、を備え、
前記複数のトランスの少なくともいずれか、前記複数の駆動回路の少なくともいずれかおよび前記複数のスイッチング素子の少なくともいずれかは、前記第1の方向と直交する方向であって前記基板の厚さ方向である第2の方向視において少なくとも部分的に重なっている、パワーモジュール。 - 前記複数の駆動回路の少なくともいずれかは、前記第2方向において前記複数のトランスの少なくともいずれかと前記複数のスイッチング素子の少なくともいずれかとの間に位置する、請求項1に記載のパワーモジュール。
- 前記基板は、基材および該基材に形成された配線パターンを具備しており、
前記配線パターンは、前記複数のスイッチング素子に対して絶縁された1次領域と、前記複数のスイッチング素子の少なくともいずれかに導通する2次領域と、を含む、請求項1または2に記載のパワーモジュール。 - 前記1次領域に導通し、かつ外部に接続される接続部を備える、請求項3に記載のパワーモジュール。
- 前記接続部は、前記基板に支持されている、請求項4に記載のパワーモジュール。
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