TWI732048B - 基板接合方法及基板接合裝置 - Google Patents

基板接合方法及基板接合裝置 Download PDF

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TWI732048B
TWI732048B TW106133905A TW106133905A TWI732048B TW I732048 B TWI732048 B TW I732048B TW 106133905 A TW106133905 A TW 106133905A TW 106133905 A TW106133905 A TW 106133905A TW I732048 B TWI732048 B TW I732048B
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山內朗
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Abstract

基板接合裝置(100)，當基板(301)與基板(302)的接合面的中央部比周部往基板(302)側突出使基板(301)彎曲的狀態下，使基板(301)的接合面的中央部接觸基板(302)與基板(301)的接合面。此時，基板接合裝置(100)，藉由保持基板(301)的周部，使基板(301)與基板(302)的假接合停止進行。於是，基板接合裝置(100)，測量基板(301)對基板(302)的位置偏離量。之後，基板接合裝置(100)，使基板(301)的接合面脫離基板(302)的接合面。

Description

基板接合方法及基板接合裝置
本發明係關於基板接合方法及基板接合裝置。
提議一接合方法，使基板之間接觸的狀態下測量兩基板的位置偏離量時，重複根據測量的位置偏離量之兩基板的位置相合，直到測量的位置偏離量收在容許範圍內，測量的位置偏離量收在容許範圍內時，接合基板之間(例如參照專例文件1)。此接合方法中，在一方基板的接合面全體接觸另一方基板的接合面的狀態下測量位置偏離量。
[先行技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第2011-66287號公開公報
但是，專例文獻1中記載的接合方法中，兩基板的位置偏移未收在容許範圍內而一方基板脫離另一方基板時，因為一方基板的接合面全體接觸另一方基板的接合面，擔心不能從另一方基板剝下一方基板。又，強行從另一方基板剝下一方基板時，由於存在基板界面上的OH基損壞，也擔心不能接合或實行上述接合方法的裝置故障。因此，從另一方基板 剝下一方基板時，必須以適當的拉開壓力剝下。
本發明，有鑑於上述事由而形成，以提供基板接合方法及基板接合裝置為目的，2個基板之間接觸後，再度進行2個基板的位置相合之際，可以防止一方的基板不能從另一方基板剝下。
為了達成上述目的，根據本發明的基板接合方法，係接合第1基板與第2基板的基板接合方法，包括：第1接觸步驟，當上述第1基板與上述第2基板的接合面的中央部比周部往上述第2基板側突出使上述第1基板彎曲的狀態下，使上述第1基板的接合面的中央部接觸上述第2基板與上述第1基板的接合面；假接合停止步驟，藉由保持上述第1基板的周部，使上述第1基板與上述第2基板的假接合停止進行；測量步驟，測量上述第1基板對上述第2基板的位置偏離量；脫離步驟，使上述第1基板的接合面脫離上述第2基板的接合面；位置調整步驟，上述第1基板的接合面與上述第2基板的接合面離間的狀態下，調整上述第1基板對上述第2基板的相對位置，使上述位置偏離量變小；以及第2接觸步驟，直到上述位置偏離量成為預先設定的位置偏離量臨界值以下為止，實行上述第1接觸步驟、上述測量步驟、上述脫離步驟及上述位置調整步驟後，經由實行上述第1接觸步 驟，在上述第1基板的接合面的中央部接觸上述第2基板的接合面的狀態下，使上述第1基板的周部接觸上述第2基板的周部。
根據其它觀點所見的本發明的基板接合裝置，係接合第1基板與第2基板的基板接合裝置，包括：第1支持台，具有第1保持部，在保持上述第1基板的周部的狀態下支持；第2支持台，具有第2保持部且對向上述第1支持台配置的同時，對向上述第1支持台側，在保持上述第2基板的狀態下支持；按壓部，藉由往上述第2基板側按壓上述第1基板的中央部，上述第1基板的接合面的中央部往上述第2基板側突出，使上述第1基板彎曲；支持台驅動部，使上述第1支持台與上述第2支持台的至少一方，往上述第1支持台與上述第2支持台互相接近的第1方向或上述第1支持台與上述第2支持台互相遠離的第2方向移動；測量部，藉由上述支持台驅動部使上述第1支持台與上述第2支持台的至少一方往上述第1方向移動，上述第1基板的接合面的中央部與上述第2基板的接合面接觸的狀態下，上述第1方向及上述第2方向直交的方向中，測量上述第1基板對第2基板的位置偏離量；位置調整部，在上述第1基板對上述第2基板的上述第1方向及上述第2方向直交的方向中，調整相對位置，使上述位置偏離量變小；以及控制部，控制上述第1保持部、上述第2保持部、上述按 壓部、上述支持台驅動部、上述測量部及上述位置調整部個別的動作；其中，上述第1支持台，藉由保持上述第1基板的周部，使上述第1基板與上述第2基板的假接合停止進行。
根據本發明，基板接合裝置，在第1基板與第2基板的接合面的中央部比周部往第2基板側突出使上述第1基板彎曲的狀態下，使第1基板的接合面的中央部接觸第2基板與第1基板的接合面。在此，基板接合裝置，藉由保持上述第1基板的周部，使第1基板與第2基板的接合停止進行。於是，基板接合裝置，測量第1基板對第2基板的位置偏離量之後，使第1基板的接合面脫離第2基板的接合面。藉此，因為停止進行從第1基板與第2基板的那些中央部往周部進行的接合，做出第1基板與第2基板的中央部接觸且第1基板與第2基板的周部互相離間的形狀。因此，基板接合裝置，要使第1基板的接合面脫離第2基板的接合面時，第1基板的接合面，從第1基板與第2基板的周部往中央部緩緩從第2基板的接合面剝下去。因此，抑制第1基板黏住第2基板不能剝下，而且以適當的壓力不給基板接合裝置及第1基板、第2基板的接合面(界面)帶來不良影響，可以從第2基板剝下第1基板。
100‧‧‧基板接合裝置
200‧‧‧密室
201‧‧‧真空泵
202B‧‧‧排氣管
202C‧‧‧排氣管
203B‧‧‧排氣閥
203C‧‧‧排氣閥
301‧‧‧基板
301c‧‧‧中央部
301s‧‧‧周部
302‧‧‧基板
302c‧‧‧中央部
302s‧‧‧周部
401‧‧‧台架
402‧‧‧上端
403‧‧‧台架驅動部
404‧‧‧上端驅動部
405‧‧‧XY方向驅動部
406‧‧‧昇降驅動部(支持台驅動部)
407‧‧‧旋轉驅動部
408‧‧‧第1壓力感應器
411‧‧‧壓電致動器
412‧‧‧第2壓力感應器
420‧‧‧基板加熱部
421、422‧‧‧加熱器
431‧‧‧第1按壓機構
431a‧‧‧第1按壓部
431b‧‧‧第1驅動部
432‧‧‧第2按壓機構
432a‧‧‧第2按壓部
432b‧‧‧第2驅動部
440‧‧‧保持機構(第1保持部、第2保持部)
440a~440d‧‧‧吸附部
500‧‧‧位置測量部
501‧‧‧第1攝影部
502‧‧‧第2攝影部
503‧‧‧窗部
504、505‧‧‧鏡子
600‧‧‧接合面處理裝置
601‧‧‧密室
603‧‧‧台架
610‧‧‧活性化處理部
611‧‧‧電漿發生源
612‧‧‧陷阱板
613‧‧‧偏壓電源
620‧‧‧親水化處理部
621‧‧‧水蒸氣產生裝置
622‧‧‧供給閥
623‧‧‧供給管
700‧‧‧控制部
701‧‧‧MPU(微處理單元)
702‧‧‧主記憶部
703‧‧‧輔助記憶部
704‧‧‧界面
705‧‧‧連接各部的匯流排
800‧‧‧外形對準裝置
801‧‧‧距離測量部
802‧‧‧基板厚度測量部
803‧‧‧台架
810‧‧‧邊緣辨識感應器
811‧‧‧吹風機
910‧‧‧載入鎖定(load lock)室
920‧‧‧第2搬送裝置
921‧‧‧真空搬送機械人
930‧‧‧第1搬送裝置
931‧‧‧大氣搬送機械人
940‧‧‧洗淨裝置
950‧‧‧反轉裝置
961‧‧‧導入埠
962‧‧‧取出埠
2401‧‧‧台架
2402‧‧‧上端
3401‧‧‧台架
3402‧‧‧上端
3440‧‧‧靜電夾盤
C1‧‧‧中心
G1、G2‧‧‧距離
GAa、GAb‧‧‧攝影影像
MK1a、MK1b、MK2a、MK2b‧‧‧對準記號
p0‧‧‧彎曲量
S71、S72‧‧‧間隙
[第1圖]係根據本發明的實施形態的基板接合系統的概略構成圖； [第2A圖]係根據實施形態的外形對準裝置的概略正面圖；[第2B圖]係根據實施形態的接合面處理裝置的概略正面圖；[第3圖]係根據實施形態的基板接合裝置內部的概略正面圖；[第4A圖]係顯示根據實施形態的台架上設置的保持機構的構成的概略正面圖；[第4B圖]係顯示根據實施形態的台架及上端的構成的概略剖面圖；[第5A圖]係顯示根據實施形態的台架及上端附近的概略立體圖；[第5B圖]係說明根據實施形態的微調整上端的方法圖；[第6A圖]係顯示在接合的2個基板中的一方設置的2個對準記號；[第6B圖]係顯示在接合的2個基板中的另一方設置的2個對準記號；[第7A圖]係顯示基板的對準記號的拍攝影像概略圖；[第7B圖]係顯示基板的對準記號互相偏離的狀態的概略圖；[第8圖]係顯示根據實施形態的控制部的構成方塊圖；[第9圖]係顯示根據實施形態的基板接合裝置實行之基板接合處理流程的流程圖；[第10圖]係用以說明根據實施形態的基板接合裝置算出2個基板間的距離的處理圖； [第11A圖]係顯示以根據實施形態的台架及上端保持基板的狀態的概略剖面圖；[第11B圖]係顯示接近根據實施形態的台架及上端的狀態的概略剖面圖；[第12A圖]係顯示根據實施形態的基板接合裝置使2個基板的中央部之間接觸的狀態圖；[第12B圖]係顯示根據實施形態的基板接合裝置使一方的基板脫離另一方的基板的圖；[第13圖]係顯示根據實施形態的基板接合裝置使一方的基板脫離另一方的基板的狀態圖；[第14A圖]係顯示根據實施形態的基板接合裝置使2個基板接合的狀態圖；[第14B圖]係顯示根據實施形態的基板接合裝置使2個基板接合的狀態圖；[第15A圖]係顯示根據變形例的基板接合裝置使一方的基板脫離另一方的基板的狀態圖；[第15B圖]係顯示根據變形例的基板接合裝置使一方的基板脫離另一方的基板的狀態圖；[第16A圖]係顯示根據變形例的基板接合裝置使2個基板的中央部之間接觸的狀態圖；[第16B圖]係顯示根據變形例的基板接合裝置使2個基板的中央部之間接觸的狀態圖；[第17圖]係顯示根據變形例的基板接合裝置使2個基板的中央部之間接觸的狀態圖； [第18A圖]係顯示根據變形例的基板接合裝置使台架及上端保持基板的狀態圖；[第18B圖]係顯示根據變形例的基板接合裝置使台架及上端保持基板的狀態圖；[第19A圖]係顯示根據變形例的基板接合裝置使一方的基板脫離另一方的基板的狀態圖；[第19B圖]係顯示根據變形例的基板接合裝置以靜電夾盤保持2個基板的狀態圖；[第20A圖]係顯示根據變形例的基板接合裝置保持2個基板的狀態圖；以及[第20B圖]係顯示根據變形例的基板接合裝置測量一方基板的彎曲量的狀態圖。
以下，關於本發明的實施形態的基板接合裝置，邊參照圖面，邊說明。
根據本實施形態的基板接合裝置，係在減壓下的密室內，關於2個基板的接合面進行活性化處理及親水化處理後，使基板之間接觸，經由加壓及加熱，接合2個基板的裝置。 活性化處理，對基板的接合面撞擊特定的粒子，活性化基板的接合面。又，親水化處理，在以活性化處理活性化的基板的接合面近旁，藉由供給水，親水化基板的接合面。
根據本實施形態的基板接合系統，如第1圖所示，包括導入埠961、取出埠962、第1搬送裝置930、洗淨裝置940、外形對準裝置800、反轉裝置950、接合面處理裝置 600、基板接合裝置100、第2搬送裝置920、控制部700以及載入鎖定(load lock)室910。第1搬送裝置930內、洗淨裝置940內與外形對準裝置800中，設置HEPA(高效率微粒空氣，High Efficiency Particulate Air)過濾器(未圖示)，這些裝置內成為乾淨的大氣壓環淨。另一方面，反轉裝置950內、接合面處理裝置600內與基板接合裝置100內，設定為真空空氣。控制部700，係控制第1搬送裝置930、洗淨裝置940、外形對準裝置800、反轉裝置950、接合面處理裝置600、基板接合裝置100及第2搬送裝置920。互相接合的2個基板301、302，首先配置在導入埠961中。其次，基板301、302，由第1搬送裝置930的大氣搬送機械人931，從導入埠961往洗淨裝置940搬送，洗淨裝置940中實施除去基板301、302上存在的異物的洗淨。接著，基板301、302，由大氣搬送機械人931從洗淨裝置940往外形對準裝置800搬送，外形對準裝置800中實施那些外形對準的同時也實施基板厚度的測量。之後，基板301、302，由大氣搬送機械人931往大氣開放的載入鎖定(load lock)室910內搬送。於是，藉由排出載入鎖定(load lock)室910內存在的氣體，載入鎖定(load lock)室910內的真空度變成與第2搬送裝置920內的真空度相同時，基板301、302由第2搬送裝置920，往接合面處理裝置600、基板接合裝置100搬送過去。在此，基板302，被搬送至反轉裝置950，在反轉裝置950中正反反轉後，往基板接合裝置100搬送。基板301、302，在接合面處理裝置600中實行那些接合面的活性化處理及親水化處理。之後，基板301、302，在基板接合裝置100中互相接合。 第2搬送裝置920，具有真空搬送機械人921，由真空搬送機械人921將基板301、302從載入鎖定(load lock)室910往接合面處理裝置600，從接合面處理裝置600往反轉裝置950或基板接合裝置100搬送。基板接合裝置100中互相接合的基板301、302，由真空搬送機械人921再往載入鎖定(load lock)室910搬送。之後，大氣開放載入鎖定(load lock)室910時，互相接合的基板301、302，由大氣搬送機械人931從載入鎖定(load lock)室910取出，往取出埠962搬送。
外形對準裝置800，如第2A圖所示，具有邊緣辨識感應器810、基板厚度測量部802、台架803。台架803可在載置基板301、302的載置面直交的中心軸周圍旋轉。邊緣辨識感應器810，使用雷射辨識基板301、302的邊緣。基板厚度測量部802，由雷射變位計構成，不接觸基板301、302而測量基板301、302的厚度。外形對準裝置800，藉由使台架803旋轉，邊旋轉基板301、302(參照第2A圖的箭頭AR11)，由邊緣辨識感應器810辨識基板301、302的邊緣的同時，由基板厚度測量部802測量基板301、302的厚度。
接合面處理裝置600，如第2B圖所示，具有密室601、活性化處理部610、親水化處理部620、以及載置基板301、302的台架603。密室601，經由排氣管202B與排氣閥203B連接至真空泵201。使排氣閥203B在開狀態，讓真空泵201動作時，密室601內的氣體，通過排氣管202B往密室601外排出，降低(減壓)密室601內的氣壓。活性化處理部610具有電漿發生源611、陷阱板612以及偏壓電源613。活性化處 理部610，以電漿發生源611產生電漿時，成為只有使通過陷阱板612的原子團往台架603降流的構成。又，電漿發生源611如果是ICP(電感耦合電漿，Inductively Coupled Plasma)裝置的話，因為以線圈誘捕離子，有時不設陷阱板。又，偏壓電源613，藉由對台架603上載置的基板301、302施加交流電壓，基板301、302的接合面近旁吸引具有動能的離子，以交流電場使離子重複對基板301、302衝突的護套區域產生。於是，藉由偏壓電源613，以具有基板301、302的接合面近旁產生的動能之離子，離子蝕刻基板301、302的接合面後，經由原子團處理那些接合面，那些接合面上可高效率產生OH基。
親水化處理部620，藉由活性化處理部610活化的基板301、302的接合面上附著水或含有OH物質，使基板301、302的接合面親水化。親水化處理部620，對密室601內的基板301、302的接合面的周圍供給水(H2O)，實行親水化處理。親水化處理部620，包括水蒸氣產生裝置621、供給閥622、供給管623。水蒸氣產生裝置621，在存積的水中以氬(Ar)、氮(N2)、氦(He)、氧(O2)等的載子氣體起泡產生水蒸氣。水蒸氣及載子氣體的流量經由控制供給閥622的開度調整。
基板接合裝置100，如第3圖所示，包括密室200與台架(支持台、第1支持台)401、上端(支持台、第2支持台)402、台架驅動部403、上端驅動部404、基板加熱部420及位置測量部500。又，基板接合裝置100，包括測量台架401與上端402之間的距離的距離測量部(未圖示)以及吐出氣體的吹風機(第2氣體吐出部)811。又，以下的說明中，適當說明第 3圖的±Z方向為上下方向、XY方向為水平方向。
密室200，經由排氣管202C與排氣閥203C連接至真空泵201。使排氣閥203C在開狀態，讓真空泵201動作時，密室200內的氣體，通過排氣管202C往密室200外排出，降低(減壓)密室200內的氣壓。又，改變排氣閥203C的開閉量，藉由調節排氣量，可以調節密室200內的氣壓(真空度)。又，在密室200的一部分，設置為了以位置測量部500測量基板301、302間的相對位置使用的窗部503。
台架401與上端402，在密室200內，在Z方向中互為對向配置。台架401，以其上面支持基板301，上端402，以其下面支持基板302。又，台架401的上面與上端402的下面，基板301、302與台架401、上端402的接觸面是鏡面，考慮難以從台架401、上端402剝下的情況，施行粗面加工也可以。台架401及上端402，如第4A圖所示，具有保持基板301、302的保持機構(第1保持部、第2保持部)440、按壓基板301的中央部的第1按壓機構431以及按壓基板302的中央部的第2按壓機構432。保持機構440，以具有複數(第4A圖中4個)圓環狀的吸附部(次保持部)440a、440b、440c、440d的真空夾盤構成。吸附部440a、440b、440c、440d設置在台架401、上端402中載置基板301、302的區域中。吸附部440a、440b、440c、440d，互有不同的徑，配置成同心圓狀。基板301、302，在台架401、上端402中以設置的吸附部440a、440b、440c、440d吸附的狀態下，由台架401、上端402保持。在此，吸附部440a、440b，對向基板301、302的中央部，吸附部440c、 440d對向基板301、302的周部。
吸附部440a、440b、440c、440d，各別可以得到吸附基板301、302的狀態與不吸附的狀態。例如，可以是不真空吸附配置在台架401、上端402的較內側的吸附部440a、440b的狀態而真空吸附配置在台架401、上端402的較外側的吸附部440c、440d的狀態。又，由位於最靠近台架401、上端402的中心C1的吸附部440a的半徑L1、吸附部440a與外側鄰接吸附部440a的吸附部440b之間的距離L2、吸附部440b與外側鄰接吸附部440b的吸附部440c之間的距離L3、以及吸附部440c與位於最外側的吸附部440d之間的距離L4，決定基板301、302的固定位置。
第1按壓機構431，如第4B圖所示，設置在台架401的中央部，第2按壓機構432設置在上端402的中央部。第1按壓機構431，具有可出沒上端402側的第1按壓部431a、驅動第1按壓部431a的第1按壓驅動部431b。第2按壓機構432，具有可出沒台架401側的第2按壓部432a、驅動第2按壓部432a的第2按壓驅動部432b。作為按壓驅動部431b、432b，可以採用的構成例如藉由控制嵌入第1、第2按壓部431a、432a的一部分的圓筒瓦斯瓶內的氣壓，驅動第1、第2按壓部431a、432a。或者，作為第1、第2按壓驅動部431b、432b，採用音圈馬達(Voice Coil Motor)也可以。接觸第1、第2按壓部431a、432a中的基板301、基板302的頭頂部，具有圓頂狀的形狀。又，第1、第2按壓部431a、432a，以控制施加於基板301、302的壓力維持一定的壓力控制以及控制基板 301、302的接觸位置維持一定的位置控制中的任一完成。例如，藉由位置控制第1按壓部431a、壓力控制第2按壓部432a，以一定的壓力在一定的位置按壓基板301、302。
基板加熱部420，由加熱器421、422構成。加熱器421、422，例如由電熱加熱器構成。加熱器421、422，經由對台架401、上端402支持的基板301、302傳導熱，加熱基板301、302。又，經由調節加熱器421、422的發熱量，可以調節基板301、302以及這些接合面的溫度。
回到第3圖，台架驅動部403，可以使台架401往XY方向移動、在Z軸周圍旋轉。
上端驅動部404，具有往上方向(第2方向)或下方向(第1方向)(參照第3圖的箭頭AR1)昇降上端402的昇降驅動部(支持台驅動部)406、往XY方向使上端402移動的XY方向驅動部405、以及使上端402往Z軸周圍旋轉方向(參照第3圖的箭頭AR2)旋轉的旋轉驅動部407。以XY方向驅動部405與旋轉驅動部407，構成位置調整部，調整基板301對基板302的上下方向直交的方向(XY方向、Z軸周圍的旋轉方向)中的相對位置。又，上端驅動部404，具有用以調整上端402對台架401的傾斜的壓電致動器(piezo actuator)411、以及用以測量對上端402施加的壓力的第2壓力感應器412。XY方向驅動部405及旋轉驅動部407，在X方向、Y方向、Z軸周圍的旋轉方向中，經由使上端402對台架401相對移動，可以對準台架401保持的基板301與上端402保持的基板302。
昇降驅動部406，經由使上端402往下方向移動， 將台架401與上端402互相靠近。又，昇降驅動部406，經由使上端402往上方向移動，將台架401與上端402分離。經由昇降驅動部406使上端402往下方向移動，台架401保持的基板301與上端402保持的基板302接觸。於是，基板301、302之間接觸的狀態中，使昇降驅動部406對上端402往靠近台架401的方向的驅動力作用時，對基板301按壓基板302。又，昇降驅動部406中，設置第1壓力感應器408，測量昇降驅動部406對上端402往靠近台架401的方向作用的驅動力。根據第1壓力感應器408的測量值，以昇降驅動部406對基板301按壓基板302時，可以檢出對基板301、302的接合面作用的壓力。第1壓力感應器408，例如以荷重元(LOAD CELL)構成。
壓電致動器411、第2壓力感應器412，分別如第5A圖所示，各存在3個。3個壓電致動器411與3個第2壓力感應器412，配置在上端402與XY方向驅動部405之間。3個壓電致動器411，固定至上端402的上面不是同一直線上的3個位置，平面視圓形的上端402的上面的周部中沿著上端402的周方向等間隔排列的3個位置。3個第2壓力感應器412，分別連接壓電致動器411的上端部與XY方向驅動部405的下面。3個壓電致動器411，可各別往上下方向伸縮。於是，藉由3個壓電致動器411伸縮，微調整上端402的X軸周圍及Y軸周圍的傾斜與上端402的上下方向位置。例如，如第5B圖的虛線所示，上端402對台架401傾斜時，使3個壓電致動器411中的1個伸長(參照第5B圖的箭頭AR3)，藉由調整上端402的姿勢，可以使上端402的下面與台架401的上面成為 平行狀態。又，3個第2壓力感應器412，測量在上端402下面的3個位置上的加壓力。於是，為了以3個第2壓力感應器412測量的加壓力變得相等，藉由分別驅動3個壓電致動器411，維持上端402的下面與台架401的上面平行的同時，可以使基板301、302之間接觸。
距離測量部，以雷射距離計構成，不接觸台架401及上端402，測量台架401與上端402之間的距離。具體而言，例如上端402是透明時，距離測量部，根據從上端402的上方往台架401照射雷射光時在台架401的上面的反射光與在上端402的下面的反射光之間的差異，測量台架401與上端402之間的距離。距離測量部，如第5A圖所示，在台架401的上面的3處部位P11、P12、P13與在上端402的下面的Z方向中對向部位P11、P12、P13的3處部位P21、P22、P23之間的距離。
回到第3圖，位置測量部(測量部)500，測量上下方向直交的方向(XY方向、Z軸周圍的旋轉方向)中基板301與基板302的位置偏離量。位置測量部500，具有複數(第3圖中2個)的第1攝影部501、第2攝影部502、鏡子504、505。第1攝影部501、第2攝影部502，分別具有攝影元件(未圖示)與同軸照明系。作為第1攝影部501、第2攝影部502的同軸照明系的光源，使用射出透過基板301、302及台架401、密室200中設置的窗部503的光(例如紅外光)的光源。
例如，第6A圖及第6B圖所示，基板(第1基板)301中，設置2個記號(以下稱「對準記號」)MK1a、MK1b，基板(第2基板)302中，設置2個對準記號MK2a、MK2b。基板接合裝 置100，邊以位置測量部500辨識設置在兩基板301、302的各對準記號MK1a、MK1b、MK2a、MK2b的位置，邊實行兩基板301、302的位置相合動作(對準動作)。更詳細說來，基板接合裝置100，首先，邊以位置測量部500辨識設置在基板301、302的對準記號MK1a、MK1b、MK2a、MK2b，邊實行基板301、302的粗略對準動作(rough對準動作)，使2個基板301、302對向。之後，基板接合裝置100，在2個基板301、302對向的狀態下，邊同時以位置測量部500辨識設置在兩基板301、302的對準記號MK1a、MK1b、MK2a、MK2b，邊實行更精緻的對準動作(fine對準動作)。
在此，如第3圖所示，攝影部(第1攝影部)501的同軸照明系的光源(未圖示)射出的光，以鏡子504反射往上方進行，透過窗部503及基板301、302的一部分或全部(參照第3圖的虛線箭頭SC1、SC2)。透過基板301、302的一部分或全部的光，以基板301、302的對準記號MK1a、MK2a反射，往下進行，透過窗部503以鏡子504反射入射至第1攝影部501的攝影元件。又，攝影部(第2攝影部)502的同軸照明系的光源(未圖示)射出的光，以鏡子505反射往上方進行，透過窗部503及基板301、302的一部分或全部。透過基板301、302的一部分或全部的光，以基板301、302的對準記號MK1a、MK2a反射，往下進行，透過窗部503以鏡子505反射入射至第2攝影部502的攝影元件。以此方式，位置測量部500，如第7A圖所示，取得包含2個基板301、302的對準記號MK1a、MK2a的攝影影像GAa與包含2個基板301、302的對準記號MK1b、 MK2b的攝影影像GAb。又，同時實行第1攝影部501產生的攝影影像GAa的攝影動作與第2攝影部502產生的攝影影像GAb的攝影動作。又，測量基板301、302的位置偏離量的測量位置，根據基板301的周部中吸附(保持)至台架401的吸附位置(保持位置)決定。具體而言，基板301、302以吸附部440c、440d吸附時，測量基板301、302的位置偏離量的測量位置，至少設定在吸附部440c的內側。
吹風機811，配置在台架401及上端402的側方，與台架401的上面及上端402的下面平行而且向台架401、上端402的中央部吐出氣體。吹風機811吐出的氣體，通常是氮氣或非活性氣體，但有時候在親水化接合中最好是含有水分的氣體。
控制部700，如第8圖所示，具有MPU(微處理單元，Micro Processing Unit)701、主記憶部702、輔助記憶部703、界面704以及連接各部的匯流排705。主記憶部702，由揮發性記憶體構成，用作MPU701的作業區域。輔助記憶部703，由非揮發性記憶體構成，記憶實行MPU701的程式。又，輔助記憶部703，對於後述的基板301、302的相對算出的位置偏離量△x、△y、△θ也記憶預先設定的位置偏離量臨界值△xth、△yth、△θ th。以下界面704，轉換從第1壓力感應器408、第2壓力感應器412、距離測量部801、基板厚度測量部802及邊緣辨識感應器810輸入的測量信號為測量資訊，輸出至匯流排705。又，界面704，轉換從第1攝影部501及第2攝影部502輸入的攝影影像信號為攝影影像資訊，輸出至匯流排705。又，MPU701，藉由讀入輔助記憶部703記憶的程式至 主記憶部702再實行，經由界面704，分別輸出控制信號至保持機構440、壓電致動器411、第1驅動部431b、第2驅動部432b、基板加熱部420、台架驅動部403、上端驅動部404、吹風機811、活性化處理部610、親水化處理部620、真空搬送機械人921以及大氣搬送機械人931。
控制部700，如第7B圖所示，根據從第1攝影部501取得的攝影影像GAa，算出基板301、302中設置的1組對準記號MK1a、MK2a互相間的位置偏離量△xa、△ya。又，第7B圖，顯示1組對準記號MK1a、MK2a互相偏離的狀態。同樣地，控制部700，根據從第2攝影部502取得的攝影影像GAb，算出基板301、302中設置的另1組對準記號MK1b、MK2b互相間的位置偏離量△xb、△yb。
之後，控制部700，根據這2組對準記號的位置偏離量△xa、△ya、△xb、△yb與2組記號的幾何學關係，算出X方向、Y方向及Z軸周圍的旋轉方向中2個基板301、302的位置偏離量△x、△y、△θ。於是，控制部700，為了降低算出的位置偏離量△x、△y、△θ，使上端402往X方向及Y方向移動或在Z軸周圍旋轉。藉此，降低2個基板301、302的相對位置偏離量△x、△y、△θ。以此方式，基板接合裝置100，實行補正2個基板301、302在水平方向中的位置偏離量△x、△y、△θ的精緻對準動作。
其次，關於本實施形態的基板接合裝置100實行的基板接合處理，邊參照第9至14B圖，邊說明。此基板接合處理，係控制部700啟動用以實行基板接合處理的程式作為契機開始。又，第9圖中，假設基板301、302由第1搬送裝置930搬送至外形對準裝置800內。
首先，外形對準裝置800，如第9圖所示，以基板厚度測量部802測量基板301、302分別的厚度t1、t2(步驟S1)。此時，基板厚度測量部802，測量基板301、302的複數處所(例如3處)中的厚度。於是，控制部700，關於各基板301、302，算出基板厚度測量部802測量的複數的測量值的平均值作為厚度t1、t2(參照第10圖)。於是，厚度測量結束的各基板301、302，以第2搬送裝置920的真空搬送機械人921，從外形對準裝置800往載入鎖定室910搬送。於是，經由排出載入鎖定室910內存在的氣體，載入鎖定室910內的真空度與第2搬送裝置920內的真空度相同時，基板301、302由第2搬送裝置920往接合面處理裝置600搬送。
其次，接合面處理裝置600，以活性化處理部610實行活化基板301、302的接合面的活性化處理，以親水化處理部620實行親水化基板301、302的接合面的親水化處理(親水處理步驟)(步驟S2)。在此，首先，活性化處理部610，藉由使具有動能的離子衝突基板301、302的接合面，使基板301、302的接合面活化。於是，親水化處理部620，將水蒸氣產生裝置621中產生的水蒸氣與載子氣體一起通過供給管623導入密室200內。藉此，基板301、302的接合面上形成以氫氧基(OH基)終端化的層。
接著，基板接合裝置100，由距離測量部801，在不以台架401及上端402保持基板301、302的狀態下，測量台 架401的上面與上端402的下面之間的距離(步驟S3)。此時，距離測量部801，如第5A圖所示，分別測量台架401的上面中3處部位P11、P12、P13與上端402的下面中對應的3處部位P21、P22、P23之間的距離。於是，控制部700算出距離測量部801測量的3個測量值的平均值作為距離G1(參照第10圖)。
之後，活性化處理及親水化處理結束的基板301、302，由第2搬送裝置920的真空搬送機械人921，從接合面處理裝置600搬送至基板接合裝置100時，基板接合裝置100保持基板301、302(步驟S4)。此時，基板301、302，例如如第11A圖的箭頭所示，在以台架401、上端402中設置的吸附部440a、440b、440c、440d全部吸附的狀態下，由台架401、上端402保持。在此，基板接合裝置100，對基板301、302實行上述的粗略對準動作。
其次，基板接合裝置100，根據台架401與上端402之間的距離G1與基板301、302的厚度t1、t2，算出基板301、302間的距離(步驟S5)。在此，控制部700，根據基板301、302的厚度t1、t2以及台架401與上端402之間的距離G1，算出基板301、302間的距離G2(參照第10圖)。
回到第9圖，接著，基板接合裝置100，使上端402往下方向移動接近基板301、302之間(步驟S6)。基板接合裝置100，如第11B圖所示，直到基板301、302之間的距離變成比距離G2短的距離G11為止使上端402往下方向移動。此距離G11，如後述藉由使基板301、302彎曲，設定為基板301、302之間能接觸的距離。距離G11，例如設定為30μm(微米)左右。又，基板接合裝置100，根據算出的基板301、302間的距離G2，算出用以使基板301、302間的距離為距離G11的上端402的移動量，只移動上端402算出的移動量。
之後，基板接合裝置100，由位置測量部500，測量基板301、302的相對位置偏離量(步驟S7)。在此，控制部700，首先，根據位置測量部500的第1攝影部501及第2攝影部502，取得非接觸狀態中的2個基板301、302(參照第11B圖)的攝影影像GAa、Gab(參照第7A圖)。於是，控制部700，根據2個攝影影像GAa、Gab，分別算出2個基板301、302在X方向、Y方向以及Z軸周圍的旋轉方向的位置偏離量△x、△y、△θ。具體而言，控制部700，例如根據同時讀取Z方向上離間的對準記號MK1a、MK2a的攝影影像GAa，使用向量相關法算出位置偏離量△xa、△ya(參照第7B圖)。同樣地，根據同時讀取Z方向上離間的對準記號MK1b、MK2b的攝影影像GAb，使用向量相關法算出位置偏離量△xb、△yb(參照第7B圖)。於是，控制部700，根據位置偏離量△xa、△ya、△xb、△yb，算出2個基板301、302在水平方向中的位置偏離量△x、△y、△θ。
接著，基板接合裝置100，為了補正算出的基板301、302的相對位置偏離量△x、△y、△θ，藉由使基板302對基板301相對移動，實行位置相合(步驟S8)。在此，基板接合裝置100，在固定台架401的狀態下，為了解除位置偏離量△x、△y、△θ，使上端402往X方向、Y方向以及Z軸周圍的旋轉方向移動。
其次，基板接合裝置100，在基板301、302只離 間距離G11的狀態下，使基板301、302彎曲(步驟S9)。基板接合裝置100，例如如第12A圖所示，對基板301的接合面的周部301s，以中央部301c往基板302側突出的形狀，使基板301彎曲。此時，基板接合裝置100，以台架401的周緣側的2個吸附部440c、440d吸附基板301的同時，停止台架401的中央側的2個吸附部440a、440b產生的基板301吸附(參照第12A圖的箭頭AR41、AR42)。此時，基板接合裝置100，在基板301、302的周部中離基板301、302的中央部的距離不同的2個吸附位置(保持位置)，使台架401、上端402保持基板301、302。於是，基板接合裝置100，在使台架401吸附(保持)基板301的周部301s的狀態下，以第1按壓部431a往基板302側按壓基板301的中央部。藉此，基板301，彎曲使其接合面的中央部301c往基板302側突出。又，基板接合裝置100，例如如第12A圖所示，對於基板302的接合面的周部302s，以中央部302c往基板301側突出的形狀，使基板302彎曲。此時，基板接合裝置100，以上端402的周緣側的2個吸附部440c、440d吸附基板302的同時，使上端402的中央部側的2個吸附部440a、440b停止吸附基板302(參照第12A圖的箭頭AR41、AR42)。於是，基板接合裝置100，使上端402吸附(保持)基板302的周部302s的狀態下，以第2按壓部432a往基板301側按壓基板302的中央部。藉此，基板302，彎曲使其接合面的中央部302c往基板301側突出。
在此，4個吸附部440a、440b、440c、440d分別的吸附動作，根據基板301從基板302剝離的容易度、起因於 基板301、302之間的假接合的位置偏離產生的位置、以及基板301與基板302的假接合狀態下基板302對基板301的振動停止位置決定。基板301、302之間假接合的區域面積比既定大小的第1面積大時，基板302變得不能從基板301剝下。另一方面，基板301、302之間假接合的區域面積未滿比第1面積小的既定大小的第2面積時，不產生起因於基板301、302之間的假接合的位置偏離，或者，基板301、302之間假接合的區域面積未滿比第1面積小的既定大小的第3面積時，基板302對基板301振動。於是，4個吸附部440a、440b、440c、440d，為了使基板301、302之間假接合的區域面積成為第2面積以上第1面積以下，分別進行吸附動作。本實施形態中，使吸附部440c、440d吸附基板301、302，使吸附部440a、440b停止吸附基板301、302，但根據上述的「基板301從基板302剝離的容易度」、「起因於基板301、302之間的假接合的位置偏離產生的位置」、以及「基板301與基板302的假接合狀態下基板302對基板301的振動衰減位置」，有時最好只使吸附部440d吸附基板301、302，使吸附部440a、440b、440c停止吸附基板301、302。或者，有時最好使吸附部440b、440c、440d吸附基板301、302，只使吸附部440a停止吸附基板301、302。根據本實施形態的基板接合裝置100中，有關基板301、302決定的最適當吸附位置中，為了吸附基板301、302，可以控制複數的吸附部440a、440b、440c、440d分別的吸附動作。
於是，基板接合裝置100，藉由使台架401的第1按壓部431a的突出量與上端402的第2按壓部432a的突出 量增加，使2個基板301、302的接合面的中央部之間接觸(步驟S10)。即，基板接合裝置100，如第12A圖所示，基板301與基板302的接合面的中央部相較於周部，往基板302側突出使基板301彎曲的狀態下，使基板301的接合面的中央部接觸基板302與基板301的接合面(第1接觸步驟)。之後，基板301與基板302的假接合係同心狀地波擴大緩緩往外側前進。在此，基板接合裝置100，藉由保持基板301的周部，使基板301與基板302的假接合停止進行(假接合停止步驟)。在此，所謂「假接合狀態」，意味在可以使基板302脫離基板301的狀態下，基板301與基板302之間接合的狀態。於是，設定基板301的接合面的中央部往基板302側的突出量與基板301的接合面中的吸附位置(保持位置)，使基板301的接合面與基板302的接合面之間的接觸區域大小成為可以讓基板301的接合面從基板302的接合面脫離的大小。又，採用像本實施形態的基板接合方法的親水化接合時，達到基板301、302的接合面中存在的OH基之間接合的前階段的基板301、302間水分子介於其間的狀態，係可以好幾次重複基板302從基板301剝離與基板301、302之間的貼合，所謂的假接合狀態。於是，為了從此假接合狀態往基板301、302的接合面存在的OH基之間接合的狀態(本接合)轉移，黏合基板301、302的狀態下，必須藉由施加既定大小以上的壓力、加熱，除去基板301、302間存在的水分子，使OH基之間為接合的狀態。
接著，基板接合裝置100，以位置測量部500，測量基板301對基板302的位置偏離量(測量步驟)(步驟S11)。 此步驟S11實行的處理，與上述步驟S7實行的處理相同。
之後，基板接合裝置100，判定算出的位置偏離量△x、△y、△θ全部是否在預先設定的位置偏離量臨界值△xth、△yth、△θ th以下(步驟S12)。在此，控制部700，首先，比較輔助記憶部703記憶的位置偏離量臨界值△xth、△yth、△θ th與算出的位置偏離量△x、△y、△θ。於是，控制部700，根據比較結果，判定算出的位置偏離量△x、△y、△θ全部是否在分別對應的位置偏離量臨界值△xth、△yth、△θ th以下。
假設，由基板接合裝置100，判定為算出的位置偏離量△x、△y、△θ的其一比預先設定的位置偏離量臨界值△xth、△yth、△θ th大(步驟S12：No)。在此情況下，基板接合裝置100，使基板302的接合面脫離基板301的接合面(脫離步驟)(步驟S13)。此時，基板接合裝置100，邊使上端402上升擴大基板301、302間的間隙，邊使第1按壓部431a往埋沒入台架401的方向(參照第12B圖的箭頭AR51)移動的同時，使第2按壓部432a往埋沒入上端402的方向(參照第12B圖的箭頭AR52)移動。在此，基板接合裝置100，控制上端402的上升，使基板302從基板301剝下之際基板302的拉開壓力為一定。又，基板接合裝置100，使台架401的中央部側的2個吸附部440a、440b兩方產生的基板301的吸附再啟動(參照第12B圖的箭頭AR61)。又，基板接合裝置100，使上端402的中央部側的2個吸附部440a、440b兩方產生的基板302的吸附再啟動(參照第12B圖的箭頭AR62)。在此，基板接合裝置100再啟動基板301、302的吸附的時機，係邊擴大基板301、 302間的間隙邊使第1按壓部431a往埋沒入台架401而使第2按壓部432a往埋沒入上端402的時機的前後時機也可以，同時也可以。此時，基板接合裝置100，以吹風機811，對基板301的周部與基板302的周部之間的間隙，從基板301、302的周緣往基板301、302的中央部的方向吹氣體(參照第12B圖的箭頭AR6)。此時，根據吹風機811吹氣體的壓力與吸附部440a、440b吸附的引壓之間的壓差，產生往基板302從基板301剝下的方向的力量。藉此，如第13圖所示，基板302從基板301脫離，解除基板301與基板302的接觸狀態。
接著，基板接合裝置100，用以使算出的位置偏離量△x、△y、△θ全部在位置偏離量臨界值△xth、△yth、△θ th以下的基板301、302的補正移動量(步驟S14)。在此，控制部700，算出只移動相當於使基板302接觸基板301的狀態下的基板301與基板302的位置偏離量△x、△y、△θ與基板302未接觸基板301的狀態下的基板301與基板302的位置偏離量的差異的移動量之補正移動量。以此方式，藉由只補償相當於基板301、302之間接觸的狀態下的位置偏離量與基板301、302未接觸的狀態下的位置偏離量的差異的移動量再對準，基板301、302之間再次接觸時，同樣的基板301、302的接觸引起的位置偏離發生的話，基板301、302的位置偏離將會消失。
之後，基板接合裝置100，在2個基板301、302的非接觸狀態，即2個基板301、302在水平方向中可自由移動的狀態中，為了補正2個基板301、302的相對位置偏離量△x、△y、△θ，實行位置相合(步驟S15)。在此，基板接合 裝置100，在固定台架401的狀態下，只以步驟S14算出的補正移動量往X方向、Y方向以及Z軸周圍的旋轉方向使上端402移動。以此方式，基板接合裝置100，在基板301的接合面與基板302的接合面離間的狀態下，調整基板302對基板301的相對位置，使基板301、302的位置偏離量變小(位置調整步驟)。於是，基板接合裝置100，再次實行步驟S9的處理。
另一方面，假設，由基板接合裝置100，判定為算出的位置偏離量△x、△y、△θ全部在預先設定的位置偏離量臨界值△xth、△yth、△θ th以下(步驟S12：Yes)。在此情況下，基板接合裝置100，經由加壓及加熱2個基板301、302，實行所謂本接合基板301、302之間的接合處理(接合步驟)(步驟S16)。在此，基板接合裝置100，例如根據第12A圖所示的狀態，如第14A圖所示，吸附基板301、302的吸附部440c、440d中，使台架401及上端402的中央部側的吸附部440c停止。即，基板接合裝置100，藉由從基板301、302的周部中離基板301、302的中央部距離短的吸附位置(保持位置)開始依序使基板301、302的吸附(保持)停止，使基板301的周部與基板302的周部接觸。藉此，基板301、302之間的接觸部分，從基板301、302的中央部開始往周緣側擴大過去。其次，基板接合裝置100，如第14B圖所示，經由使吸附基板301、302的吸附部440d停止，使基板301、302的接合面全體為接觸的狀態(第2接觸步驟)。之後，基板接合裝置100，在基板301、302的接合面全體互相接觸的狀態下，對基板301、302施加壓力的同時，以加熱器421、422加熱基板301、302。即，基板接 合裝置100，從步驟S9到步驟S15中，直到基板301、302的位置偏離量變成位置偏離量臨界值以下為止，實行基板301、302之間的接觸、位置偏離量的測量、基板302從基板301脫離及基板301、302的位置相合。之後，基板接合裝置100，在基板302的接合面的中央部接觸基板301的接合面的中央部的狀態下，使基板301的周部接觸基板302的周部。
如以上的說明，根據本實施形態的基板接合裝置100，彎曲基板301(302)，使基板301(302)的接合面的中央部301c(302c)相較於周部301s(302s)往基板302(301)側突出。於是，基板接合裝置100，在此狀態下，使基板301(302)的接合面的中央部接觸基板302(301)的接合面。在此，基板接合裝置100，藉由保持基板301(302)的周部，使基板301與基板302的假接合停止進行。於是，基板接合裝置100，測量基板301對基板302的位置偏離量後，使基板302的接合面脫離基板301的接合面。藉此，因為停止進行基板301與基板302從這些中央部往周部進行的接合，作出基板301與基板302的中央部接觸且基板301與基板302的周部互相離間的形狀。因此，基板接合裝置100要使基板301的接合面脫離基板302的接合面時，基板301的接合面，從基板301與基板302的周部開始往中央部緩緩從基板302的接合面剝下去。因此，抑制基板302黏貼基板301變得不剝離。又，彎曲基板301使基板301的接合面的中央部301c相較於周部301s往基板302側突出的同時，彎曲基板302使基板302的接合面的中央部302c比周部302s往基板301側突出。藉此，因為基板301、基板302兩方 彎曲成相同形狀，降低添加於基板301或基板302的變形。
不過，基板301、302的接合面之間假接合的狀態中，發現基板301的周部與基板302的周部之間置入像刀具的刃之楔狀物，可以從基板301、302的周部開始緩緩剝下。但是，此時，因為楔狀物接觸基板301、302的接合面，基板301、302的接合面損傷，有成為基板301、302接合不良的原因的危險。相對於此，根據本實施形態的基板接合裝置100，吸附保持離基板301、302的背面中的基板301、302的周緣一定的位置。藉此，基板301、302之間的接合中，不損傷基板301、302的接合面，可以確保基板301的周部與基板302的周部之間的間隙，即，可以使基板301、302的形狀成為與基板301的周部與基板302的周部之間置入像刀具的刃之楔狀物時相同的形狀。
又，另一方面，基板301、302之間假接合的區域面積未滿比第1面積小的既定大小的第2面積時，起因於基板301、302之間的假接合的位置偏離不發生，或者，基板302對基板301振動。於是，根據本實施形態的基板接合裝置100中，起因於基板301、302假接合，為了產生基板301對基板302的位置偏離，決定基板301、302之間的基板間距離以及基板301、302的吸附位置。又，決定基板301、302之間的基板間距離以及基板301、302的吸附位置，以衰減基板301對基板302的振動。具體而言，決定基板接合裝置100的吸附位置，使基板301、302之間假接合的區域面積成為第2面積、第3面積以上。藉此，因為基板301、302的位置偏離量的測量精度提高，基板301、302之間可以以高位置精度接合。
基板301、302之間假接合的區域面積比既定大小的第1面積大時，基板302變得不會從基板301剝離。於是，根據本實施形態的基板接合裝置100中，設定基板301(302)的接合面的中央部往基板302(301)側的突出量與基板301(302)的接合面中的吸附位置，使基板301的接合面與基板302的接合面的接觸區域大小成為可以讓基板302脫離基板301的大小。具體而言，決定基板接合裝置100的吸附位置，使基板301、302之間假接合的區域面積成為第1面積以下。藉此，基板接合裝置100使基板301的接合面脫離基板302的接合面之際，因為降低添加於基板301或基板302的變形，抑制基板301或基板302的破損。
又，根據本實施形態的基板接合裝置100，使基板301的接合面脫離基板302的接合面之際，由吹風機811，對基板301的周部與基板302的周部之間的間隙，從基板301、302的周緣往基板301、302的中央部的方向吹氣體。藉此，基板接合裝置100使基板301的接合面脫離基板302的接合面之際，因為基板302變得容易脫離基板301，降低添加於基板301或基板302的變形。
又，根據本實施形態的基板接合裝置100，在基板301的周部離基板301的中央部的距離不同的4個吸附位置，使台架401保持基板301，在基板302的周部離基板302的中央部的距離不同的4個吸附位置，使上端402保持基板302。於是，基板接合裝置100，從基板301、302的周部中離基板301、302的中央部距離短的吸附位置開始，藉由依序使基板301、302的吸附停止，使基板301(302)的周部與基板 302(301)的周部接觸。在此，彎曲的一方的基板301(302)，在復原至原先的平板狀的過程中從其中央部開始往基板301、302的周緣側依序接觸另一方基板(302)301。藉此，2個基板301、302間存在的空氣，在一方基板301(302)復原成平板狀的過程中往基板301、302的周緣側壓出。因此，基板301、302之間接合時，防止氣體進入基板301、302間。於是，藉由防止氣體進入2個基板301、302間，抑制在接合的2個基板301、302間發生所謂的空隙。
(變形例)
以上，說明關於本發明的各實施形態，但本發明不限定於上述各實施形態的構成。例如，補正移動量，可以根據以基板302對基板301的位置偏離作為參數的函數決定。又，作為此函數的參數，包含基板302對基板301的位置偏離量以外的參數也可以。作為如此的參數，舉出例如表示台架401、上端402的移動機構中固有的誤差、位置測量部500的誤差等的參數。
根據實施形態的基板接合裝置100，使基板302的接合面脫離基板301的接合面時，說明關於以台架401的2個吸附部440a、440b兩方再啟動基板301的吸附的同時，上端402的2個吸附部440a、440b兩方再啟動基板302的吸附的範例。但，基板接合裝置100，使基板302的接合面脫離基板301的接合面的方法不限定於此。例如，基板接合裝置100，在停止台架401的吸附部440a、440b與上端402的440a、440b的狀態下，使上端402遠離台架401，讓基板302的接合面脫離基板301的接合面也可以。即，基板接合裝置100，在基板 301的周部中的保持位置，使台架401保持基板301的同時，在基板302的周部中的保持位置，使上端402保持基板302。於是，基板接合裝置100，在此狀態下，藉由使上端402往遠離台架401的方向(上方)移動，讓基板301的接合面脫離基板302的接合面。在此，基板接合裝置100的控制部700，在台架401的吸附部440c、440d吸附基板301的周部的同時，控制保持機構440，使上端402的吸附部440c、440d吸附基板302的周部。於是，控制部700，在此狀態下，藉由控制上端驅動部404使上端402往上方移動，讓基板301的接合面脫離基板302的接合面。又，基板接合裝置100，也可以是藉由使台架401往遠離上端402的方向(下方)移動，讓基板301的接合面脫離基板302的接合面的構成。
或者，基板接合裝置100，使基板302的接合面脫離基板301的接合面時，在基板301的周部以吸附部440c、440d，根據使台架401保持基板301的狀態，比起基板301的周部位於中央部側之離基板301的中央部距離長的吸附部開始依序保持基板301，藉此使基板301的接合面脫離基板302的接合面的構成也可以。即，基板接合裝置100係使台架401的吸附部440b吸附保持基板301後，使台架401的吸附部440a吸附保持基板301的構成也可以。又，基板接合裝置100係使上端402的吸附部440b吸附保持基板301後，使上端402的吸附部440a吸附保持基板301的構成也可以。
基板接合裝置100，例如如第12A圖所示，根據以基板301、302的周部保持基板301、302的狀態，首先，如 第15A圖所示再啟動台架401的吸附部440b與上端402的吸附部440b產生的基板301、302的吸附(參照第15A圖的箭頭AR611、AR621)。又，第15A及15B圖中，關於與實施形態同樣的構成，附上與第12B圖相同的符號。此時，基板接合裝置100，在停止狀態中維持台架401的吸附部440a與上端402的吸附部440a。其次，如第15B圖所示，基板接合裝置100，再啟動台架401的附部440a與上端402的吸附部440a產生的基板301、302的吸附(參照第15B圖的箭頭AR612、AR622)。於是，如第13圖所示，基板302脫離基板301，解除基板301與基板302的接觸狀態。
又，基板接合裝置100，係使上端402往上方遠離台架401的同時，藉由輪流再啟動台架401及上端402的吸附部440b、440a產生的基板301的吸附，使基板301的接合面脫離基板302的接合面的構成也可以。即，基板接合裝置100，使基板302的接合面脫離基板301的接合面時，在基板301、302的周部使台架401、上端402保持基板301、302的狀態下，使上端402往上方遠離台架401的同時，比起基板301、302的周部位於中央部側之離基板301、302的中央部距離長的吸附部開始依序保持基板301、302也可以。
不過，實施形態中，使台架401與上端402之間的間隔一定的狀態下，同時再啟動台架401、上端402分別的吸附部440a、440b產生的基板301、302的吸附。即，藉由以台架401再啟動基板301全面的吸附，以上端402再啟動基板302全面的吸附，從基板301剝下基板302。在此情況下，台 架401、上端402或基板301、302的接合界面中，有時候數百N(牛頓)的力作用。在此情況下，有台架401、上端402的損傷或基板301、302的接合面損傷(damage)發生的危險。
相對於此，根據上述本變形例的構成，基板301、302假接合的狀態下，從基板301剝下基板302之際，從基板301、302的周部開始往中心部依序剝下去。藉此，相較於同時再啟動台架401的吸附部440a、440b產生的基板301的吸附的情況，降低施加於台架401往上方的力。又，相較於同時再啟動上端402的吸附部440a、440b產生的基板302的吸附的情況，降低施加於上端402往下方的力。藉此，使基板301的接合面脫離基板302的接合面之際，抑制產生台架401往上方移動引起的台架401的位置偏離、上端402往下方移動引起的上端402的位置偏離。又，降低基板301的中央部被台架401吸附之際添加於基板301的衝擊、基板302的中央部被上端402吸附之際添加於基板302的衝擊。因此，使基板301的接合面脫離基板302的接合面之際，抑制基板301、302的接合面的損傷(damage)。藉此，使基板301、302的接合面之間再度接觸，要讓基板301、302之間接合時，可以抑制起因於基板301、302的接合面的損傷而基板301、302之間不接合。
實施形態中，基板接合裝置100，在上述的第9圖的步驟S9、S10的處理中，如第12A圖所示，使台架401吸附基板301的周部301s的狀態下，說明關於只以第1按壓部431a按壓基板301的中央部使基板301彎曲的範例。在此，基板接合裝置100，在步驟S9、S10的處理中，使上端402吸 附基板302的周部302s的狀態下，藉由只以第2按壓部432a按壓基板302的中央部使基板302彎曲。但，基板接合裝置，在步驟S9、S10的處理中，不限定於只以第1按壓部431a、第2按壓部432a使基板301、302彎曲。例如，如第16A圖所示，基板接合裝置，以台架401的周緣側的2個吸附部440c、440d吸附基板301的同時，從台架401的中央部側的2個吸附部(第1氣體吐出部)440a、440b對台架401與基板301之間的間隙S71吐出空氣也可以(參照第16A圖的箭頭AR711)。藉此，基板301彎曲，使與其基板302的接合面的中央部301c比周部301s往基板302側突出。又，基板接合裝置，以上端402的周緣側的2個吸附部440c、440d吸附基板302的同時，從上端402的中央部側的2個吸附部440a、440b對上端402與基板302之間的間隙S72吐出空氣也可以。藉此，基板302彎曲，使與其基板301的接合面的中央部302c比周部302s往基板301側突出。此時，如第16A圖所示，基板301的中央部301c與基板302的中央部302c成為接觸的狀態。
其次，基板接合裝置，如第16B圖所示，使第1按壓部431a往上方突出(參照第16B圖的箭頭AR751)讓第1按壓部431a的前端部接觸基板301的中央部。又，基板接合裝置，使第2按壓部432a往下方突出(參照第16B圖的箭頭AR752)讓第2按壓部432a的前端部接觸基板302的中央部。之後，基板接合裝置，停止從台架401的2個吸附部440a、440b吐出空氣的同時，停止從台架402的2個吸附部440a、440b吐出空氣。又，基板接合裝置，使第1按壓部431a的前端部 接觸基板301的中央部的同時，使第2按壓部432a的前端部接觸基板302的中央部後，也可以繼續從台架401、上端402分別的吸附部440a、440b吐出空氣。
根據本構成，因為使基板301、302彎曲之際降低施加於基板301、302的應力，抑制基板301、302的接合面損傷。
實施形態中，說明關於使第1按壓部431a的前端部接觸基板301的中央部，使第2按壓部432a的前端部接觸基板302的中央部的基板接合裝置100。但是，基板接合裝置，不一定限定於備置具有第1按壓部431a、第2按壓部432a的台架401、上端402的構成。例如，基板接合裝置，如第17圖所示，不備置按壓部，備置只具有吸附部440a、440b、440c、440d的台架2401、上端2402也可以。在此情況下，基板接合裝置，以台架2401的周緣側的2個吸附部440c、440d吸附基板301的同時，藉由從台架2401的中央部側的2個吸附部440a、440b對台架2401與基板301之間的間隙S71吐出空氣，使基板301彎曲。又，基板接合裝置，以上端2402的周緣側的2個吸附部440c、440d吸附基板302的同時，藉由從上端2402的中央部側的2個吸附部440a、440b對上端2402與基板302之間的間隙S72吐出空氣，使基板302彎曲。
根據本構成，具有簡化台架2401、上端2402的構成的優點。
又，實施形態中，說明保持機構440由真空夾盤構成的情況，但不限於此，例如保持機構由機械式夾盤或靜電夾盤構成也可以。或者，保持機構，組合真空夾盤、機械式夾盤及靜電夾盤中的至少2種夾盤的構成也可以。又，實施形態中，說明保持機構440以圓環狀的吸附部440a、440b、440c、440d構成的範例，但吸附部的構造不限定於此，例如經由台架401的上面、上端402的下面的複數處開口的孔吸附基板301、基板302的構造也可以。又，保持機構440，係在離台架401或上端402的中心距離不同的複數(例如4個)的圓環狀的各個區域，設置互為獨立動作的靜電夾盤的構成也可以。
實施形態中，保持機構440，說明關於以4個圓環狀的吸附部440a、440b、440c、440d構成的範例，但吸附部的數量不限定於4個，保持機構以複數的吸附部構成也可以。例如，保持機構以3個以下的吸附部構成也可以，以5個以上的吸附部構成也可以。
實施形態中，上述脫離步驟(參照第9圖的步驟S13)中，說明關於由吹風機811對基板301的周部與基板302的周部之間的間隙吹氣體的基板接合裝置100。但是，基板接合裝置，不限於備置吹風機811的構成。基板接合裝置，不備置吹風機811，在脫離步驟(步驟S13)中，不對基板301的周部與基板302的周部之間的間隙吹氣體也可以。
實施形態中，基板接合裝置100，在保持基板301、302的步驟(第9圖的步驟S4)中，從基板301、302的中央部往周緣依序使台架401、上端402保持基板301、302也可以。即，基板接合裝置100，從離基板301、302的中央部距離短的保持位置開始，藉由依序使支持台保持基板301、302，在 離基板301、302的中央部的距離不同的複數的保持位置，使台架401、上端402保持基板301、302也可以。在此，基板接合裝置100，為了使台架401、上端402中離載置基板301、302的區域中央部距離短的吸附部開始依序保持基板301、302，控制吸附部440a、440b、440c、440d的動作。例如第18A圖所示，假設基板301往基板302側凸起彎曲，基板302往基板301側凸起彎曲。於是，基板接合裝置100，首先，由台架401、上端402的吸附部440a，吸附保持基板301、302的中央部301c、302c(參照第18A圖的箭頭AR811、AR821)。之後，基板接合裝置100，由台架401、上端402的吸附部440b吸附保持基板301、302後，如第18B圖所示，由吸附部440c吸附保持基板301、302(參照第18B圖的箭頭AR811、AR812、AR813、AR821、AR822、AR823)。最後，基板接合裝置100，藉由以吸附部440d吸附保持基板301、302，，如第11A圖所示，使台架401、上端402保持基板301、302。
根據本構成，即使基板301、302彎曲的情況下，也可以使台架401、上端402不變形地保持基板301、302。例如，從外周開始保持的情況下，只有中央部彎曲的部分會發生變形。
又，保持機構，係組合真空夾盤與靜電夾盤的構成，即，假設保持機構，在台架、上端中具有離載置基板301、302的區域的中央部的距離不同的複數的吸附部以及複數的靜電夾盤。在此情況下，基板接合裝置，在保持上述基板301、302的步驟(第9圖的步驟S4)中，首先以真空夾盤使基板301、302面接觸台架、上端的保持面的形式吸附，之後，以靜電夾盤保持基板301、302也可以。在此，基板接合裝置的控制部，使台架401、上端402中從離載置基板301、302的區域的中央部距離短的吸附部開始依序吸附保持基板301、302後，為了使複數的靜電夾盤保持基板301、302，控制複數的吸附部及複數的靜電夾盤的動作。例如，如第19A圖所示，基板接合裝置，也可以備置具有4個圓環狀的吸附部440a、440b、440c、440d以及靜電夾盤3440的台架3401、上端3402。此基板接合裝置，首先，經由吸附部440a、440b使台架3401、上端3402的保持面3401a、3402a吸附基板301、302(參照第19A圖的箭頭AR811、AR812、AR813、AR814、AR821、AR822、AR823、AR824)。在此，基板接合裝置，從基板301、302的中央部往周緣依序使台架3401、上端3402吸附保持基板301、302。又，基板接合裝置，沒對靜電夾盤3440施加電壓。於是，基板接合裝置，如第19B圖所示，成為基板301、302面接觸台架3401、上端3402的保持面3401a、3402a的狀態時，施加電壓至靜電夾盤3440的同時，停止吸附部440a、440b、440c、440d產生的基板301、302的吸附。以此方式，成為基板301、302以靜電夾盤3440由台架3401、上端3402吸附保持的狀態。
實施形態中，基板接合裝置100，使上述的基板301、302彎曲的步驟(參照第9圖的步驟S9)中，說明關於使台架401、上端402的吸附部440a、440b產生的基板301、302的吸附停止的範例。但，不限於此，例如，基板接合裝置100，是大氣開放連通至吸附部440a、440b的配管系統(未圖示)的構成也可以，或者，使吸附部440a、440b稍微吐出氣體的構成 也可以。根據本構成，使基板301、302彎曲的步驟中，因為基板301、302變得容易彎曲，基板301、302不變形可以自然地從台架401、上端402剝下。
實施形態中，前述的接合步驟(第9圖的步驟S16)中，基板接合裝置100，根據第12A圖所示的狀態，說明使台架401及上端402的吸附部440c、440d停止的範例。但是，不限於此，基板接合裝置，在接合步驟中，是大氣開放連通至吸附部440c、440d的配管系統(未圖示)的構成也可以，或是，使吸附部440c、440d稍微吐出氣體的構成也可以。根據本構成，接合步驟中，因為基板301、302變得容易從台架401、上端402剝下，可以良好接合基板301、302之間。
實施形態中，基板接合裝置100，緊接位置相合步驟(參照第9圖的步驟S8)之前，也可以實行測量台架401、上端402保持的基板301、302的彎曲量的基板彎曲量測量步驟。例如第20A圖所示，有時以台架401、上端402保持的基板301、302的中央部突出的形狀彎曲。在此情況下，基板301、302的中央部之間的距離，變得比台架401、上端402間的距離G1減去台架401、上端402的厚度得到的距離G2短。例如，以基板301、302的中央部突出的形狀彎曲。在此情況下，如同實施形態，為了使距離G2成為所希望的距離，將上端402接近台架401時，台架401、上端402的中央部之間的距離變得比所希望的距離短。因此，例如基板301、302的中央部的彎曲量合計10μm以上時，為了使距離G2成為10μm，使台架401、上端402之間接近時，基板301、302接觸，變得不能進行位置相合步驟。
相對於此，根據本變形例的基板接合裝置，至少具有檢出第2按壓部432a的位置的變位感應器(未圖示)。於是，本變形例的基板接合裝置，緊接位置相合步驟之前的彎曲量測量步驟中，根據變位感應器，檢出第2按壓部432a以極微小的壓力接觸無彎曲的平坦基準基板(未圖示)的狀態下的第2按壓部432a的位置，以及如第20B圖所示，第2按壓部432a以極微小的壓力接觸基板302的狀態下的第2按壓部432a的位置。即，檢出使第2按壓部432a以不彎曲基準基板的大小的壓力接觸基準基板的狀態下的第2按壓部432a的位置，以及使第2按壓部432a以不彎曲基板302的大小的壓力接觸基板302的狀態下的第2按壓部432a的位置。於是，基板接合裝置，根據變位感應器檢出的上述2個位置的差異，算出基板302離上端402的彎曲量p0。於是，基板接合裝置，為了使距離G2減去相當於基板302的彎曲量p0與預先設定的倍率的積之合的距離補正量得到的距離成為所希望的距離，使上端402接近台架401。上述距離補正量，例如，只是彎曲量p0的2倍也可以。或者，上端402保持的基板302的自重產生的彎曲大時，台架401保持的基板301的彎曲量看做基板302的彎曲量p0的0.8倍，上述距離補正量為彎曲量p0的1.8倍也可以。
又，彎曲量測量步驟結束後，使台架401的第1按壓部431a只突出根據上述距離補正量的突出量後，轉移至位置相合步驟即可。因此，作為台架401，沒有第1按壓部431a的位置測量機能的構成，例如可以成為只有單純的壓電致動器的構成。
根據本構成，緊接位置相合的步驟之前，可以抑制基板301、302之間的接觸。
又，實施形態中，說明關於距離測量部801測量台架401的上面的3處部位與上端402的下面的3處部位之間的距離的範例。但是，距離測量部801的測量處數量不限定為3處，例如2處以下也可以，4處以上也可以。又，各實施形態中，說明關於測量台架401的上面與上端402的下面之間的距離與基板301、302的厚度之後算出基板301、302之間的距離的構成。但是，不限於此，例如基板接合裝置，也可以是在基板301以台架401保持、基板302以上端402保持的狀態下，直接測量基板301、302間的距離的構成。
又，實施形態中，說明關於位置測量部500具有2個第1攝影部501、第2攝影部502的範例，但位置測量部500的構成不限定於此，例如位置測量部，係只具有1個攝影部，使此攝影部往X方向或Y方向移動，逐次拍攝攝影影像GAa、GAb的構成也可以。
又，實施形態中，說明關於基板接合裝置100在基板301、302的接合面全體互相接觸的狀態下，對基板301、302施加壓力的同時，以加熱器421、422加熱基板301、302的範例。但，不限於此，例如，基板接合裝置100在基板301、302的接合面全體互相接觸的狀態下，只對基板301、302施加壓力而不加熱的構成也可以。或者，基板接合裝置100在基板301、302的接合面全體互相接觸的狀態下，只實行基板301、302的加熱而不施加壓力的構成也可以。
又，實施形態中，說明關於基板接合裝置100中對基板301、302實行加壓及加熱的範例，但不限定於此構成。與基板接合裝置100不同的裝置中，實行基板301、302的加壓處理及/或加熱處理的構成也可以。例如基板接合裝置100，也可以是實行直到基板301、302的假接合為止，之後，在其他的加熱裝置(未圖示)中，實行加熱處理的構成。在此情況下，加熱處理設定為180℃ 2小時左右的條件。藉此，可以達到生產效率提高。
又，實施形態中，說明關於採用親水化接合作為基板301、302之間的接合方法之範例，但採用的接合方法不限於此，其他的方法也可以。例如，採用表面活性化直接接合方法也可以。或者，採用金屬或焊錫系材料介於其間的基板之間的接合方法也可以。
又，實施形態中，說明關於基板301、302之間在真空中接合的構成，但不限於此，基板301、302之間在大氣壓下接合的構成也可以，或者，填充任意的氣體的空氣下接合的構成也可以。
又，實施形態中，說明關於對台架401移動上端402的構成，但不限定於此，例如對上端402移動台架401的構成也可以。
又，實施形態中，說明關於壓電致動器411與第2壓力感應器412在水平面內相同位置的構成，但不限於此，水平面內壓電致動器411的位置與第2壓力感應器412的位置不同也可以。
又，實施形態中，說明關於從第1攝影部501、第2攝影部502射出，以基板301、302的對準記號MK1a、MK2a反射的紅外光由第1攝影部501、第2攝影部502檢出，測量基板301、302的位置偏離的構成。但是，不限於此，例如從基板301、302的厚度方向中的一方往基板301、302的對準記號MK1a、MK2a照射的紅外光，在基板301、302的厚度方向中的另一方檢出的構成也可以。或者，利用可見光，藉由直接讀取基板301、302的對準記號MK1a、MK2a，測量基板301、302的位置偏離量的構成也可以。
又，實施形態中，說明關於在洗淨裝置940中實施基板301、302的洗淨後，在接合面處理裝置600中實行基板301、302的接合面的活性化處理及親水化處理，之後，在接合裝置100中實行基板301、302的接合的範例。但，基板301、302的洗淨、活性化處理及親水化處理、接合的順序不限定於此。例如，實行基板301、302的接合面的活性化處理及親水化處理後，實施基板301、302的洗淨，之後，實行基板301、302的接合也可以。
又，實施形態中，說明關於在接合面處理裝置600中供給基板301、302的水氣體的親水化處理的範例，但實行供給水氣體的親水化處理的場所不限定於接合面處理裝置600。例如，載入鎖定(load lock)室910中實行基板301、302的親水化處理的構成也可以。
以上，說明關於本發明的實施形態及變形例(還包括文字記載。以下相同。)，但本發明不限定於此。本發明， 包含適當組合實施形態及變形例，並包含施加適當變更。
本申請，根據2016年9月30日申請的日本國專利申請的專利申請第2016-193116號。本說明書中納入日本國專利申請的專利申請第2016-193116號的說明書、專利申請範圍及圖面全體作為參照。
本發明，例如適於CMOS影像感應器或記憶體、運算元件、MEMS的製造。
100‧‧‧基板接合裝置
200‧‧‧密室
201‧‧‧真空泵
202C‧‧‧排氣管
203C‧‧‧排氣閥
301‧‧‧基板
302‧‧‧基板
401‧‧‧台架
402‧‧‧上端
403‧‧‧台架驅動部
404‧‧‧上端驅動部
405‧‧‧XY方向驅動部
406‧‧‧昇降驅動部(支持台驅動部)
407‧‧‧旋轉驅動部
408‧‧‧第1壓力感應器
411‧‧‧壓電致動器
412‧‧‧第2壓力感應器
420‧‧‧基板加熱部
421、422‧‧‧加熱器
431‧‧‧第1按壓機構
432‧‧‧第2按壓機構
500‧‧‧位置測量部
501‧‧‧第1攝影部
502‧‧‧第2攝影部
503‧‧‧窗部
504、505‧‧‧鏡子
811‧‧‧吹風機
AR1、AR2‧‧‧箭頭
SC1、SC2‧‧‧虛線箭頭

Claims (22)

  1. 一種基板接合方法，係接合第1基板與第2基板的基板接合方法，包括：第1接觸步驟，在上述第1基板被配置於上述第2基板的下方之狀態下，當上述第1基板與上述第2基板的接合面的中央部比周部往上述第2基板側突出使上述第1基板彎曲的狀態下，使上述第1基板的接合面的中央部接觸上述第2基板與上述第1基板的接合面；假接合停止步驟，藉由保持上述第1基板的周部，使上述第1基板與上述第2基板的假接合停止進行；測量步驟，測量上述第1基板對上述第2基板的位置偏離量；脫離步驟，使上述第1基板的接合面脫離上述第2基板的接合面；位置調整步驟，上述第1基板的接合面與上述第2基板的接合面離間的狀態下，調整上述第1基板對上述第2基板的相對位置，使上述位置偏離量變小；以及第2接觸步驟，在上述第1基板被配置於上述第2基板的下方之狀態下，直到上述位置偏離量成為預先設定的位置偏離量臨界值以下為止，實行上述第1接觸步驟、上述測量步驟、上述脫離步驟及上述位置調整步驟後，經由實行上述第1接觸步驟，在上述第1基板的接合面的中央部接觸上述第2基板的接合面的狀態下，使上述第1基板的周部接觸上述第2基板的周部；上述第1接觸步驟中，在上述第1基板的周部中離上述第1基 板的中央部距離不同的複數的保持位置，使第1支持台保持上述第1基板的同時，在上述第2基板的周部中離上述第2基板的中央部距離不同的複數的保持位置，使第2支持台保持上述第2基板；上述第2接觸步驟中，從上述第1基板的周部中離上述第1基板的中央部距離短的保持位置開始，依序解除上述第1基板的保持的同時，從上述第2基板的周部中離上述第2基板的中央部距離短的保持位置開始，依序解除上述第2基板的保持，藉此，使上述第1基板的周部接觸上述第2基板的周部。
  2. 一種基板接合方法，係接合第1基板與第2基板的基板接合方法，包括：第1接觸步驟，當上述第1基板與上述第2基板的接合面的中央部比周部往上述第2基板側突出使上述第1基板彎曲的狀態下，使上述第1基板的接合面的中央部接觸上述第2基板與上述第1基板的接合面；假接合停止步驟，藉由保持上述第1基板的周部，使上述第1基板與上述第2基板的假接合停止進行；測量步驟，測量上述第1基板對上述第2基板的位置偏離量；脫離步驟，使上述第1基板的接合面脫離上述第2基板的接合面；位置調整步驟，上述第1基板的接合面與上述第2基板的接合面離間的狀態下，調整上述第1基板對上述第2基板的相對位置，使上述位置偏離量變小；以及 第2接觸步驟，直到上述位置偏離量成為預先設定的位置偏離量臨界值以下為止，實行上述第1接觸步驟、上述測量步驟、上述脫離步驟及上述位置調整步驟後，經由實行上述第1接觸步驟，在上述第1基板的接合面的中央部接觸上述第2基板的接合面的狀態下，使上述第1基板的周部接觸上述第2基板的周部；上述第1接觸步驟中，在上述第1基板的周部中的保持位置，使第1支持台保持上述第1基板的狀態下，藉由對上述第1支持台與上述第1基板之間的間隙吐出能使上述第1基板彎曲之壓力的氣體，上述第1基板與上述第2基板的接合面的中央部比周部往第2基板側突出，使上述第1基板彎曲。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述的基板接合方法，其中，上述脫離步驟中，在上述第1基板的周部中的保持位置，使上述第1支持台保持上述第1基板的同時，在上述第2基板的周部中的保持位置，使上述第2支持台保持上述第2基板的狀態下，藉由使上述第1支持台與上述第2支持台的至少一方往遠離另一方的方向移動，使上述第1基板的接合面脫離上述第2基板的接合面。
  4. 一種基板接合方法，係接合第1基板與第2基板的基板接合方法，包括：第1接觸步驟，當上述第1基板與上述第2基板的接合面的中央部比周部往上述第2基板側突出使上述第1基板彎曲的狀態下，使上述第1基板的接合面的中央部接觸上述 第2基板與上述第1基板的接合面；假接合停止步驟，藉由保持上述第1基板的周部，使上述第1基板與上述第2基板的假接合停止進行；測量步驟，測量上述第1基板對上述第2基板的位置偏離量；脫離步驟，使上述第1基板的接合面脫離上述第2基板的接合面；位置調整步驟，上述第1基板的接合面與上述第2基板的接合面離間的狀態下，調整上述第1基板對上述第2基板的相對位置，使上述位置偏離量變小；以及第2接觸步驟，直到上述位置偏離量成為預先設定的位置偏離量臨界值以下為止，實行上述第1接觸步驟、上述測量步驟、上述脫離步驟及上述位置調整步驟後，經由實行上述第1接觸步驟，在上述第1基板的接合面的中央部接觸上述第2基板的接合面的狀態下，使上述第1基板的周部接觸上述第2基板的周部；上述第1接觸步驟中，在上述第1基板的周部中離上述第1基板的中央部距離不同的複數的保持位置，使第1支持台保持上述第1基板的同時，在上述第2基板的周部中離上述第2基板的中央部距離不同的複數的保持位置，使第2支持台保持上述第2基板；上述脫離步驟中，在上述第1基板的周部中的保持位置，根據支持台保持上述第1基板的狀態，比起上述第1基板的周部位於中央部側且從離上述第1基板的中央部距離長 的保持位置開始藉由依序保持上述第1基板，使上述第1基板的接合面脫離上述第2基板的接合面。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的基板接合方法，其中，上述脫離步驟中，更藉由使上述第1支持台與上述第2支持台的至少一方往遠離另一方的方向移動，使上述第1基板的接合面脫離上述第2基板的接合面。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的基板接合方法，其中，上述第1接觸步驟中，上述第2基板與上述第1基板的接合面的中央部比周部往上述第1基板側突出使上述第2基板彎曲的狀態下，使上述第2基板的接合面的中央部接觸上述第1基板與上述第2基板的接合面。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的基板接合方法，其中，上述脫離步驟中，對上述第1基板的周部與上述第2基板的周部之間的間隙，從上述第1基板及上述第2基板的周緣往上述第1基板的周部與上述第2基板的中央部的方向吹氣體。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的基板接合方法，更包括：親水化處理步驟，在上述第1接觸步驟之前，進行上述第1基板的接合面與上述第2基板的接合面上附著水或含有OH物質的親水化處理。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的基板接合方法，更包括：接合步驟，在上述第2接觸步驟之後，對上述第1基板與上述第2基板至少進行加熱與加壓中的一方再接合。
  10. 一種基板接合方法，係接合第1基板與第2基板的基板接 合方法，包括：第1接觸步驟，在上述第1基板被配置於上述第2基板的下方之狀態下，在上述第1基板的周部中離上述第1基板的中央部的距離不同的複數的保持位置，使支持台支持上述第1基板，上述第1基板與上述第2基板的接合面的中央部比周部往上述第2基板側突出使上述第1基板彎曲的狀態下，使上述第1基板的接合面的中央部接觸上述第2基板與上述第1基板的接合面；以及第2接觸步驟，上述第1基板的接合面的中央部接觸上述第2基板的接合面的狀態下，上述第1基板的周部中從離上述第1基板的中央部距離短的保持位置開始，藉由依序解除上述第1基板的保持，使上述第1基板的周部接觸上述第2基板的周部。
  11. 一種基板接合方法，係接合第1基板與第2基板的基板接合方法，包括：第1接觸步驟，在上述第1基板的周部中離上述第1基板的中央部的距離不同的複數的保持位置，使支持台支持上述第1基板，上述第1基板與上述第2基板的接合面的中央部比周部往上述第2基板側突出使上述第1基板彎曲的狀態下，使上述第1基板的接合面的中央部接觸上述第2基板與上述第1基板的接合面；脫離步驟，在上述第1基板的周部中的保持位置，根據支持台保持上述基板的狀態，比起上述第1基板的周部位於中央部側且從離上述第1基板的中央部距離長的保持位置 開始，藉由依序保持上述第1基板，使上述第1基板的接合面脫離上述第2基板的接合面；以及第2接觸步驟，上述脫離步驟後，經由實行上述第1接觸步驟，上述第1基板的接合面的中央部接觸上述第2基板的接合面的狀態下，使上述第1基板的周部接觸上述第2基板的周部。
  12. 一種基板接合方法，係接合第1基板與第2基板的基板接合方法，包括：第1接觸步驟，當上述第1基板與上述第2基板的接合面的中央部比周部往上述第2基板側突出使上述第1基板彎曲的狀態下，使上述第1基板的接合面的中央部接觸上述第2基板與上述第1基板的接合面；假接合停止步驟，藉由保持上述第1基板的周部，使上述第1基板與上述第2基板的假接合停止進行；測量步驟，測量上述第1基板對上述第2基板的位置偏離量；脫離步驟，使上述第1基板的接合面脫離上述第2基板的接合面；位置調整步驟，上述第1基板的接合面與上述第2基板的接合面離間的狀態下，調整上述第1基板對上述第2基板的相對位置，使上述位置偏離量變小；以及第2接觸步驟，直到上述位置偏離量成為預先設定的位置偏離量臨界值以下為止，實行上述第1接觸步驟、上述測量步驟、上述脫離步驟及上述位置調整步驟後，經由實行 上述第1接觸步驟，在上述第1基板的接合面的中央部接觸上述第2基板的接合面的狀態下，使上述第1基板的周部接觸上述第2基板的周部；上述脫離步驟中，對支持上述第1基板之第1支持台與上述第1基板之間的間隙、以及支持上述第2基板之第2支持台與上述第2基板之間的間隙的至少其中一方，一邊施加朝上述第1基板及上述第2基板互相剝離方向的引壓，一邊對上述第1基板的周部與上述第2基板的周部之間的間隙，從上述第1基板及上述第2基板的周緣往上述第1基板與上述第2基板的中央部的方向吹氣體。
  13. 一種基板接合裝置，係接合第1基板與第2基板的基板接合裝置，包括：第1支持台，具有第1保持部，在保持上述第1基板的周部的狀態下支持；第2支持台，具有第2保持部且對向上述第1支持台配置的同時，對向上述第1支持台側，在保持上述第2基板的狀態下支持；按壓部，藉由往上述第2基板側按壓上述第1基板的中央部，上述第1基板的接合面的中央部往上述第2基板側突出，使上述第1基板彎曲；支持台驅動部，使上述第1支持台與上述第2支持台的至少一方，往上述第1支持台與上述第2支持台互相接近的第1方向或上述第1支持台與上述第2支持台互相遠離的第2方向移動； 測量部，藉由上述支持台驅動部使上述第1支持台與上述第2支持台的至少一方往上述第1方向移動，上述第1基板的接合面的中央部與上述第2基板的接合面接觸的狀態下，上述第1方向及上述第2方向直交的方向中，測量上述第1基板對第2基板的位置偏離量；位置調整部，調整上述第1基板對上述第2基板的上述第1方向及上述第2方向直交的方向中的相對位置，使上述位置偏離量變小；以及控制部，控制上述第1保持部、上述第2保持部、上述按壓部、上述支持台驅動部、上述測量部及上述位置調整部個別的動作；上述第1保持部，以上述第1支持台上載置上述第1基板的區域中設置的複數的次保持部構成；上述第2保持部，以上述第1支持台上載置上述第1基板的區域中設置的複數的次保持部構成；上述控制部，在上述第1基板被配置於上述第2基板的下方、且上述第1基板的接合面的中央部與上述第2基板的接合面的中央部接觸的狀態中，在上述第1基板的周部中從對向離上述第1基板的中央部距離短的保持位置之次保持部開始依序使上述第1基板的保持停止的同時，上述第2基板的周部中從對向離上述第2基板的中央部距離短的保持位置之次保持部開始依序使上述第2基板的保持停止，藉此，使上述第1基板的周部接觸上述第2基板的周部。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的基板接合裝置，其中，上述 測量部，在上述第1基板的周部，根據上述第1支持台及上述第2支持台保持的位置決定的測量位置中，測量上述位置偏離量。
  15. 如申請專利範圍第13項所述的基板接合裝置，其中，上述控制部係，在使上述第1基板的接合面的中央部與上述第2基板的接合面接觸的狀態下，以維持上述第1基板與上述第2基板之間的基板間距離的方式，控制上述支持台驅動部；上述第1支持台，藉由保持上述第1基板的周部，使上述第1基板與上述第2基板的假接合停止進行。
  16. 如申請專利範圍第14項所述的基板接合裝置，其中，上述複數的次保持部，係徑互不同的圓環狀，配置成同心圓狀；上述控制部，上述第1基板的接合面的中央部往上述第2基板側突出使上述第1基板彎曲之際，使上述複數的次保持部中對向上述第1基板的周部的次保持部保持上述第1基板，使對向上述第1基板的中央部的次保持部的動作停止。
  17. 如申請專利範圍第13項所述的基板接合裝置，其中，上述第1保持部，具有第1氣體吐出部，在保持上述第1基板的周部的狀態下，對上述第1支持台與上述第1基板間的間隙吐出氣體；上述控制部，藉由控制上述第1保持部，在上述第1保持部保持上述第1基板的周部的狀態下，使上述第1氣體吐出部吐出能使上述第1基板彎曲之壓力的氣體，上述第1 基板與上述第2基板的接合面的中央部比周部往上述第2基板側突出，使上述第1基板彎曲。
  18. 如申請專利範圍第13項所述的基板接合裝置，其中，上述控制部，在上述第1保持部保持上述第1基板的周部的同時，上述第2保持部保持上述第2基板的周部的狀態下，藉由控制上述第1保持部、上述第2保持部及上述支持台驅動部，使上述第1支持台與上述第2支持台中至少一方往上述第2方向移動，使上述第1基板的接合面脫離上述第2基板的接合面。
  19. 一種基板接合裝置，係接合第1基板與第2基板的基板接合裝置，包括：第1支持台，具有第1保持部，在保持上述第1基板的周部的狀態下支持；第2支持台，具有第2保持部且對向上述第1支持台配置的同時，對向上述第1支持台側，在保持上述第2基板的狀態下支持；按壓部，藉由往上述第2基板側按壓上述第1基板的中央部，上述第1基板的接合面的中央部往上述第2基板側突出，使上述第1基板彎曲；支持台驅動部，使上述第1支持台與上述第2支持台的至少一方，往上述第1支持台與上述第2支持台互相接近的第1方向或上述第1支持台與上述第2支持台互相遠離的第2方向移動；測量部，藉由上述支持台驅動部使上述第1支持台與上述 第2支持台的至少一方往上述第1方向移動，上述第1基板的接合面的中央部與上述第2基板的接合面接觸的狀態下，上述第1方向及上述第2方向直交的方向中，測量上述第1基板對第2基板的位置偏離量；位置調整部，調整上述第1基板對上述第2基板的上述第1方向及上述第2方向直交的方向中的相對位置，使上述位置偏離量變小；以及控制部，控制上述第1保持部、上述第2保持部、上述按壓部、上述支持台驅動部、上述測量部及上述位置調整部個別的動作；上述第1保持部，具有為徑互不同的圓環狀、在上述第1支持台中之載置上述第1基板的區域設置成同心圓狀的複數的次保持部；上述控制部，根據對向上述第1基板的周部的次保持部保持上述第1基板的狀態，控制上述第1保持部，比起上述第1基板的周部在中央部側從對向離上述第1基板的中央部距離長的保持位置的次保持部開始藉由依序保持上述第1基板，使上述第1基板的接合面脫離上述第2基板的接合面。
  20. 如申請專利範圍第19項所述的基板接合裝置，其中，上述控制部，根據對向上述第1基板的周部的次保持部保持上述第1基板的狀態，為了比起上述第1基板的周部在中央部側從對向離上述第1基板的中央部距離長的保持位置的次保持部開始依序保持上述第1基板，控制上述第1保持 部的同時，藉由控制上述第1保持部、上述第2保持部及上述支持台驅動部，使上述第1支持台與上述第2支持台的至少一方往上述第2方向移動，使上述第1基板的接合面脫離上述第2基板的接合面。
  21. 如申請專利範圍第13項所述的基板接合裝置，更包括：第2氣體吐出部，藉由上述支持台驅動部往上述第1方向移動上述第1支持台與上述第2支持台的至少一方，上述第1基板的接合面的中央部與上述第2基板的接合面接觸的狀態中，以上述第1基板與上述第2基板重疊的方向直交的方向，在上述第1基板的周部與上述第2基板的周部對向的位置上配置，對上述第1基板的周部與上述第2基板的周部之間的間隙，從上述第1基板及上述第2基板的周緣往上述第1基板及上述第2基板的中央部的方向吹氣體；上述控制部，更控制上述第2氣體吐出部的動作，在上述第1基板的接合面脫離上述第2基板的接合面之際，從上述第2氣體吐出部對上述第1基板的周部與上述第2基板的周部之間的間隙吹氣體。
  22. 一種基板接合裝置，係接合第1基板與第2基板的基板接合裝置，包括：第1支持台，具有第1保持部，在保持上述第1基板的周部的狀態下支持；第2支持台，具有第2保持部且對向上述第1支持台配置的同時，對向上述第1支持台側，在保持上述第2基板的 狀態下支持；按壓部，藉由往上述第2基板側按壓上述第1基板的中央部，上述第1基板的接合面的中央部往上述第2基板側突出，使上述第1基板彎曲；支持台驅動部，使上述第1支持台與上述第2支持台的至少一方，往上述第1支持台與上述第2支持台互相接近的第1方向或上述第1支持台與上述第2支持台互相遠離的第2方向移動；測量部，藉由上述支持台驅動部使上述第1支持台與上述第2支持台的至少一方往上述第1方向移動，上述第1基板的接合面的中央部與上述第2基板的接合面接觸的狀態下，上述第1方向及上述第2方向直交的方向中，測量上述第1基板對第2基板的位置偏離量；位置調整部，調整上述第1基板對上述第2基板的上述第1方向及上述第2方向直交的方向中的相對位置，使上述位置偏離量變小；以及第2氣體吐出部，藉由上述支持台驅動部往上述第1方向移動上述第1支持台與上述第2支持台的至少一方，上述第1基板的接合面的中央部與上述第2基板的接合面接觸的狀態中，以上述第1基板與上述第2基板重疊的方向直交的方向，在上述第1基板的周部與上述第2基板的周部對向的位置上配置，對上述第1基板的周部與上述第2基板的周部之間的間隙，從上述第1基板及上述第2基板的周緣往上述第1基板及上述第2基板的中央部的方向吹氣 體；以及控制部，控制上述第1保持部、上述第2保持部、上述按壓部、上述支持台驅動部、上述測量部、上述位置調整部以及上述第2氣體吐出部個別的動作；上述控制部，控制上述第2氣體吐出部的動作，在上述第1基板的接合面脫離上述第2基板的接合面之際，對支持上述第1基板之第1支持台與上述第1基板之間的間隙、以及支持上述第2基板之第2支持台與上述第2基板之間的間隙的至少其中一方，施加朝上述第1基板及上述第2基板互相剝離方向的引壓，一邊控制上述第1保持部及上述第2保持部，一邊從上述第2氣體吐出部對上述第1基板的周部與上述第2基板的周部之間的間隙吹氣體。
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