JP2019079893A - アライメント方法、接合方法、樹脂成形方法、接合装置、樹脂成形装置および基板 - Google Patents

Abstract

【課題】製品の不良率を低減できるアライメント方法、接合方法、樹脂成形方法、接合装置、樹脂成形装置および基板を提供する。【解決手段】基板接合装置１００は、基板３０１、３０２を、樹脂層３３１、３３２を介して接合する。基板接合装置１００は、基板３０１、３０２を樹脂層３３１、３３２を介して接触させ、基板３０１、３０２が樹脂層３３１、３３２を介して接触した状態で、基板３０１の基板３０２に対する位置ずれ量を測定する。そして、基板接合装置１００は、基板３０１、３０２が樹脂層３３１、３３２を介して接触した状態で、位置ずれ量が小さくなるように、基板３０１を基板３０２に対して移動させて基板３０１の基板３０２に対する相対的な位置を調整してから、樹脂層３３１、３３２を硬化させる。【選択図】図１

Description

本発明は、アライメント方法、接合方法、樹脂成形方法、接合装置、樹脂成形装置および基板に関する。

部品をヘッドに保持するとともに基板をステージに保持し、ヘッドに保持された部品とステージに保持された基板とを互いに離間させた状態で、ステージのヘッドに対する相対的な位置調整を行った後、部品を基板に接合する方法が提案されている（例えば特許文献１参照）。この方法では、ヘッドに保持された部品とステージに保持された基板とを互いに離間させた状態で、部品および基板それぞれに設けられたアライメントマークの撮影画像に基づいて、部品の基板に対する相対的な位置について目標位置からの位置ずれ量を測定してから、その位置ずれ量が小さくなるようにステージのヘッドに対する相対的な位置を調整する。

特開２０１１−０６６２８７号公報

ところで、特許文献１に記載された方法では、部品と基板とを互いに樹脂層を介して加圧接触させる際、位置ずれが生じ、位置ずれが生じた状態で樹脂層が硬化してしまう。この場合、部品を基板に接合することにより作製される製品が不良となってしまうため、この方法により作製される製品の不良率が増加してしまう虞がある。

本発明は、上記事由に鑑みてなされたものであり、製品の不良率を低減できるアライメント方法、接合方法、樹脂成形方法、接合装置、樹脂成形装置および基板を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明に係るアライメント方法は、
第１基板と第２基板とを樹脂層を介して接触させ前記第１基板の前記第２基板に対する位置を調整してから前記樹脂層を硬化させるアライメント方法であって、
前記第１基板と前記第２基板とを、前記第１基板と前記第２基板との少なくとも一方を被覆する樹脂層を介して接触させる接触工程と、
前記第１基板と前記第２基板とが前記樹脂層を介して接触した状態で、前記第１基板の前記第２基板に対する位置ずれ量を測定する位置ずれ測定工程と、
前記第１基板と前記第２基板とが前記樹脂層を介して接触した状態で、前記位置ずれ量が小さくなるように、前記第１基板を前記第２基板に対して移動させて前記第１基板の前記第２基板に対する相対的な位置を調整する位置調整工程と、
前記樹脂層を硬化させる樹脂層硬化工程と、を含む。

他の観点から見た本発明に係る接合装置は、
第１基板と第２基板とを樹脂層を介して接合する接合装置であって、
前記第１基板を支持する第１支持部と、
前記第２基板を支持する第２支持部と、
前記第２支持部を前記第１支持部に近づく方向または前記第１支持部から遠ざかる方向へ駆動する第２支持部駆動部と、
前記第２支持部駆動部により前記第２支持部と前記第１支持部とが互いに近づく方向へ移動させて前記第１基板と第２基板とを前記樹脂層を介して接触させた状態にして、前記第１基板の前記第２基板に対する位置ずれ量を測定する位置ずれ測定部と、
前記第１基板と前記第２基板とが前記樹脂層を介して接触した状態で、前記位置ずれ量が小さくなるように、前記第１支持部を駆動して前記第１基板の前記第２基板に対する相対位置を調整する第１支持部駆動部と、
前記樹脂層を硬化させる樹脂層硬化部と、を備える。

他の観点から見た本発明に係る樹脂成形装置は、
モールドを樹脂層が形成された複合基板上の前記樹脂層に押し付けて樹脂部を成形する樹脂成形装置であって、
前記モールドを支持する第１支持部と、
前記複合基板を支持する第２支持部と、
前記第２支持部を前記第１支持部に近づく方向または前記第１支持部から遠ざかる方向へ駆動する第２支持部駆動部と、
前記第２支持部駆動部により前記第２支持部と前記第１支持部とが互いに近づく方向へ移動させて前記樹脂層と前記モールドとを接触させた状態にして、前記モールドの前記複合基板に対する位置ずれ量を測定する位置ずれ測定部と、
前記樹脂層と前記モールドとが接触した状態で、前記位置ずれ量が小さくなるように、前記第１支持部を駆動して前記モールドの前記複合基板に対する相対位置を調整する第１支持部駆動部と、
前記樹脂層を硬化させる樹脂層硬化部と、を備える。

他の観点から見た本発明に係る基板は、
アライメントマークを有し一部が樹脂層により被覆された基板であって、
前記アライメントマークは、前記樹脂層により被覆されていない。

本発明によれば、アライメント方法が、第１基板と第２基板とが樹脂層を介して接触した状態で、第１基板の第２基板に対する位置ずれ量を測定する位置ずれ測定工程と、位置ずれ量が小さくなるように第１基板を第２基板に対して移動させて第１基板の第２基板に対する相対的な位置を調整する位置調整工程と、を含む。これにより、第１基板と第２基板とを樹脂層を介して接触させた状態で、第１基板の第２基板に対する位置ずれを修正することができるので、第１基板と第２基板とを精度よく接合することができる。従って、第１基板と第２基板とを互いに接合することにより作製される製品について第１基板の第２基板に対する位置ずれに起因した製品不良の発生率を低減できる。また、本発明によれば、樹脂成形装置が、第２支持部駆動部により第２支持部と第１支持部とが互いに近づく方向へ移動させて樹脂層とモールドとを接触させた状態にして、モールドの複合基板に対する位置ずれ量を測定する位置ずれ測定部と、樹脂層とモールドとが接触した状態で、位置ずれ量が小さくなるように、第１支持部を駆動してモールドの複合基板に対する相対位置を調整する第１支持部駆動部と、を備える。これにより、モールドを複合基板の樹脂層に接触させた状態で、モールドの複合基板に対する位置ずれを修正することができるので、複合基板に樹脂部分を精度よく形成することができる。従って、複合基板に樹脂部分を形成することにより作製される製品について樹脂部分の位置ずれに起因した製品不良の発生率を低減できる。

実施の形態１に係る基板接合装置の概略正面図である。 （Ａ）は実施の形態１に係るステージおよびヘッド付近を示す概略斜視図であり、（Ｂ）はヘッドと測距センサとピエゾアクチュエータとの位置関係を示す平面図である。 実施の形態１に係るステージ駆動部の動作を説明するための概略平面図である。 （Ａ）は実施の形態１に係る２つの基板の一方に設けられた２つのアライメントマークを示す図であり、（Ｂ）は実施の形態１に係る２つの基板の他方に設けられた２つのアライメントマークを示す図である。 （Ａ）は実施の形態１に係る２つの基板の一方におけるアライメントマーク近傍の概略断面図であり、（Ｂ）は実施の形態１に係る２つの基板の他方におけるアライメントマーク近傍の概略断面図である。 （Ａ）は実施の形態１に係る基板のアライメントマークの撮影画像を示す概略図であり、（Ｂ）はアライメントマークが互いにずれている状態を示す概略図である。 実施の形態１に係る制御部の構成を示すブロック図である。 実施の形態１に係る基板接合装置が実行する基板接合処理の流れの一例を示すフローチャートである。 実施の形態１に係る基板接合装置が２つの基板間の距離を算出する処理を説明するための図である。 （Ａ）は実施の形態１に係るステージおよびヘッドの温度変化の時間プロファイルを示す図であり、（Ｂ）は実施の形態１に係る樹脂層の硬さの時間プロファイルを示す図である。 （Ａ）は実施の形態１に係るステージおよびヘッドの温度変化の時間プロファイルを示す図であり、（Ｂ）は実施の形態１に係る樹脂層の硬さの時間プロファイルを示す図である。 実施の形態１に係るステージおよびヘッドに対して互いに近づく方向へ加わる圧力の時間プロファイルを示す図である。 実施の形態１に係る基板接合装置が実行する相対的位置変更処理の流れの一例を示すフローチャートである。 （Ａ）は実施の形態１に係る基板接合装置が２つの基板同士を、樹脂層を介して接触させた状態を示す模式図であり、（Ｂ）は実施の形態１に係る基板接合装置が位置調整工程を実行する様子を示す模式図である。 （Ａ）は実施の形態１に係る基板接合装置におけるステージ押圧部分の初期位置からの移動距離の時間プロファイルを示す図であり、（Ｂ）は実施の形態１に係る２つの基板の位置ずれ量の時間プロファイルを示す図である。 （Ａ）は実施の形態１に係る基板接合装置におけるステージ押圧部分の初期位置からの移動距離の時間プロファイルを示す図であり、（Ｂ）は実施の形態１に係る２つの基板の位置ずれ量の時間プロファイルを示す図である。 （Ａ）は実施の形態１に係る基板接合装置が位置調整工程においてステージを一方向へ移動させる様子を示す模式図であり、（Ｂ）は実施の形態１に係る基板接合装置が位置調整工程においてステージを上記一方向とは反対の方向へ移動させる様子を示す模式図である。 （Ａ）は実施の形態１に係る基板接合装置が位置調整工程を実行する様子を示す模式図であり、（Ｂ）は実施の形態１に係る基板接合装置が位置調整工程を終了した状態を示す模式図である。 実施の形態２に係る樹脂成形装置が実行する樹脂成形処理の流れの一例を示すフローチャートである。 （Ａ）は実施の形態２に係る樹脂成形装置がモールドと複合基板とを保持した状態を示す模式図であり、（Ｂ）は実施の形態２に係る樹脂成形装置がモールドと複合基板とを接触させた状態を示す模式図である。 実施の形態２に係る樹脂成形装置がモールドの複合基板に対する位置を調整する様子を示す模式図である。 （Ａ）は変形例に係る２つの基板の一方におけるアライメントマーク近傍の概略断面図であり、（Ｂ）は変形例に係る２つの基板の他方におけるアライメントマーク近傍の概略断面図である。 （Ａ）は変形例に係る２つの基板の一方におけるアライメントマーク近傍の概略断面図であり、（Ｂ）は変形例に係る２つの基板の他方におけるアライメントマーク近傍の概略断面図である。 （Ａ）は変形例に係る２つの基板の一方におけるアライメントマーク近傍の概略断面図であり、（Ｂ）は変形例に係る２つの基板の他方におけるアライメントマーク近傍の概略断面図である。 （Ａ）は実施の形態１に係る基板接合装置におけるステージ押圧部分の初期位置からの移動距離の時間プロファイルを示す図であり、（Ｂ）は実施の形態１に係る２つの基板の位置ずれ量の時間プロファイルを示す図である。 変形例に係る基板接合装置が実行する相対位置変更処理の一例を示すフローチャートである。 （Ａ）は変形例に係る基板接合装置の一部の概略正面図であり、（Ｂ）はヘッドと測距センサとの位置関係を示す平面図である。

（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１に係る基板接合装置について、図を参照しながら説明する。本実施の形態に係る基板接合装置は、２つの基板を、樹脂層を介して接触させた状態で加圧および加熱することにより、２つの基板を樹脂層を介して接合する。

本実施の形態に係る基板接合装置１００は、図１に示すように、チャンバ２００と第１支持部であるステージ４０１と第２支持部であるヘッド４０２とステージ駆動部４０３とヘッド駆動部４０４と基板加熱部４２０と位置測定部５００とを備える。また、基板接合装置１００は、ステージ４０１とヘッド４０２との間の距離を測定するために使用される測距センサ４１３と反射板４１４とを備える。なお、以下の説明において、適宜図１の±Ｚ方向を上下方向、ＸＹ方向を水平方向として説明する。

基板３０１、３０２は、Ｓｉ基板、サファイア基板、ガラス基板等である。基板（第１基板）３０１の表面には、樹脂層３３１が形成されており、基板（第２基板）３０２の表面にも、樹脂層３３２が形成されている。樹脂層３３１、３３２は、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂から形成されている。熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル樹脂等が挙げられる。

チャンバ２００は、排気管２０２Ｃと排気弁２０３Ｃとを介して真空ポンプ２０１に接続されている。排気弁２０３Ｃを開状態にして真空ポンプ２０１を作動させると、チャンバ２００内の気体が、排気管２０２Ｃを通してチャンバ２００外へ排出され、チャンバ２００内の気圧が低減（減圧）される。また、排気弁２０３Ｃの開閉量を変動させて排気量を調節することにより、チャンバ２００内の気圧（真空度）を調節することができる。また、チャンバ２００の一部には、位置測定部５００により基板３０１、３０２間における相対位置を測定するために使用される窓部５０３が設けられている。

ステージ４０１とヘッド４０２とは、チャンバ２００内において、Ｚ方向において互いに対向するように配置されている。ステージ４０１は、その上面で基板３０１を支持し、ヘッド４０２は、その下面で基板３０２を支持する。なお、ステージ４０１の上面とヘッド４０２の下面とは、基板３０１、３０２のステージ４０１、ヘッド４０２との接触面が鏡面でステージ４０１、ヘッド４０２から剥がれにくい場合を考慮して、粗面加工が施されていてもよい。ステージ４０１およびヘッド４０２は、基板３０１、３０２を保持する保持機構（図示せず）を有する。保持機構は、真空チャックであり、基板３０１、３０２を吸着保持する。

基板加熱部４２０は、ヒータ４２１、４２２から構成される。ヒータ４２１，４２２は、例えば電熱ヒータから構成される。ヒータ４２１，４２２は、ステージ４０１、ヘッド４０２に支持されている基板３０１，３０２に熱を伝達することにより基板３０１、３０２を加熱する。また、ヒータ４２１，４２２の発熱量を調節することにより、基板３０１、３０２や樹脂層３３１、３３２の温度を調節できる。基板加熱部４２０は、樹脂層３３１、３３２の温度をそれらが硬化する温度に調整することにより、樹脂層３３１、３３２を硬化させる樹脂層硬化部として機能する。

測距センサ４１３は、図２（Ａ）に示すように、３つ存在し、反射板４１４も３つ存在する。なお、図２（Ａ）においては、図示を簡略化するために、ステージ４０１、ヘッド４０２を概略形状で示している。測距センサ４１３は、例えばレーザ干渉式の測距センサである。測距センサ４１３としてレーザ干渉式のものを採用することにより、測定された距離が、ステージ４０１、ヘッド４０２、基板３０１、３０２、樹脂層３３１、３３２等の温度変化の影響を受けないという利点がある。３つの測距センサ４１３は、ステージ４０１の上面に平行な面内において、同一直線上ではない互いに異なる位置Ｐ１１、Ｐ１２、Ｐ１３に配置されている。３つの測距センサ４１３は、円柱状のステージ４０１の周面においてステージ４０１の周方向に等間隔で固定されている。３つの反射板４１４は、ヘッド４０２の外周部における各測距センサ４１３それぞれに対向し、ヘッド４０２の下面に平行な面内において、同一直線上ではない互いに異なる位置Ｐ２１、Ｐ２２、Ｐ２３に配置されている。３つの反射板４１４は、円柱状のヘッド４０２の周面に固定されている。各測距センサ４１３は、レーザ光を対向する反射板４１４へ出射したときの反射光を用いて、測距センサ４１３から反射板４１４までの距離を測定する。即ち、測距センサ４１３は、ステージ４０１の上面に平行な面内の３つの位置Ｐ１１、Ｐ１２、Ｐ１３におけるＺ軸方向における距離を測定する。

図１に戻って、第１支持部駆動部であるステージ駆動部４０３は、ステージ４０１をＸＹ方向へ移動させたり、Ｚ軸周りに回転させたりすることができる。ステージ駆動部４０１は、例えば図３に示すように、２つのステージ４０１を側方から押圧する押圧部４３１を、矢印ＡＲ４３１、ＡＲ４３２に示すように互いに逆方向へ移動させることにより、ステージ４０１をＺ軸周りに回転させる方向（以下、適宜「θ方向」と称する。）へ移動させる。この場合、ステージ４０１をθ方向へ移動させると、Ｘ方向またはＹ方向におけるステージ４０１の位置が変化する。従って、ステージ駆動部４０３は、ステージ４０１をθ方向へ移動させる際、それに伴うＸ方向またはＹ方向へのステージ４０１の位置ずれを補正するようにステージ４０１をＸ方向またはＹ方向へ移動させる。

第２支持部駆動部であるヘッド駆動部４０４は、ヘッド４０２を上方向または下方向に昇降させる昇降駆動部４０６と、ヘッド４０２をＸＹ方向へ移動させるＸＹ方向駆動部４０５と、ヘッド４０２をＺ軸周りの回転方向に回転させる回転駆動部４０７と、を有する。ＸＹ方向駆動部４０５および回転駆動部４０７が、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ軸周りの回転方向において、ヘッド４０２をステージ４０１に対して相対的に移動させることにより、ステージ４０１に保持された基板３０１とヘッド４０２に保持された基板３０２とのアライメントが可能となる。

昇降駆動部４０６は、ヘッド４０２を下方向へ移動させることにより、ステージ４０１とヘッド４０２とを互いに近づける。また、昇降駆動部４０６は、ヘッド４０２を上方向に移動させることにより、ステージ４０１とヘッド４０２とを離れさせる。昇降駆動部４０６がヘッド４０２を下方向へ移動させることにより、ステージ４０１に保持された基板３０１とヘッド４０２に保持された基板３０２とが接触する。そして、基板３０１、３０２同士が接触した状態において昇降駆動部４０６がヘッド４０２に対してステージ４０１に近づく方向への駆動力を作用させると、基板３０２が基板３０１に押し付けられる。また、昇降駆動部４０６には、昇降駆動部４０６がヘッド４０２に対してステージ４０１に近づく方向へ作用させる駆動力を測定する第１圧力センサ４０８が設けられている。第１圧力センサ４０８の測定値から、昇降駆動部４０６により基板３０２が基板３０１に押し付けられたときに基板３０１、３０２の接合面に作用する圧力が検出できる。第１圧力センサ４０８は、例えばロードセルから構成される。

また、ヘッド駆動部４０４は、ヘッド４０２のステージ４０１に対する傾きを調整するためのピエゾアクチュエータ４１１と、ヘッド４０２に加わる圧力を測定するための第２圧力センサ４１２と、を有する。ピエゾアクチュエータ４１１、第２圧力センサ４１２は、それぞれ図２（Ａ）に示すように、３つずつ存在する。なお、図２（Ａ）においては、図示を簡略化するために、ステージ４０１、ヘッド４０２を概略形状で示している。３つのピエゾアクチュエータ４１１と３つの第２圧力センサ４１２とは、ヘッド４０２とＸＹ方向駆動部４０５との間に配置されている。３つのピエゾアクチュエータ４１１は、図２（Ｂ）に示すように、平面視円形のヘッド４０２の上面の周部においてヘッド４０２の周方向に沿って等間隔に並んだ３つの位置ＰＥ１１、ＰＥ１２、ＰＥ１３に固定されている。３つの第２圧力センサ４１２は、それぞれピエゾアクチュエータ４１１の上端部とＸＹ方向駆動部４０５の下面とを接続している。３つのピエゾアクチュエータ４１１は、各別に上下方向に伸縮可能である。そして、３つのピエゾアクチュエータ４１１が伸縮することにより、ヘッド４０２のＸ軸周りおよびＹ軸周りの傾きとヘッド４０２の上下方向の位置とが微調整される。例えばヘッド４０２がステージ４０１に対して傾いている場合、３つのピエゾアクチュエータ４１１のうちの１つを伸長させてヘッド４０２の姿勢を微調整することにより、ヘッド４０２の下面とステージ４０１の上面とが平行な状態にすることができる。また、３つの第２圧力センサ４１２は、ヘッド４０２の下面における３つの位置での加圧力を測定する。そして、３つの第２圧力センサ４１２で測定された加圧力が等しくなるように３つのピエゾアクチュエータ４１１それぞれを駆動することにより、ヘッド４０２の下面とステージ４０１の上面とを平行に維持しつつ基板３０１、３０２同士を接触させることができる。

図１に戻って、位置測定部５００は、上下方向に直交する方向（ＸＹ方向、Ｚ軸周りの回転方向）における、基板３０１と基板３０２との位置ずれ量を測定する。位置測定部５００は、複数（図１では２つ）の第１撮像部５０１、第２撮像部５０２と、ミラー５０４、５０５と、を有する。第１撮像部５０１、第２撮像部５０２は、それぞれ、撮像素子（図示せず）と同軸照明系とを有している。第１撮像部５０１、第２撮像部５０２の同軸照明系の光源としては、基板３０１、３０２およびステージ４０１、チャンバ２００に設けられた窓部５０３を透過する光（例えば赤外光）を出射する光源が用いられる。

例えば図４（Ａ）に示すように、基板（第１基板）３０１には、２つのアライメントマーク（第１アライメントマーク）ＭＫ１ａ、ＭＫ１ｂが設けられている。また、例えば図４（Ｂ）に示すように、基板（第２基板）３０２には、２つのアライメントマーク（第２アライメントマーク）ＭＫ２ａ、ＭＫ２ｂが設けられている。アライメントマークＭＫ１ａ、ＭＫ１ｂは、図５（Ａ）に示すように、基板３０１における樹脂層３３１により被覆されていない非被覆部（第１非被覆部）Ａ１に設けられている。また、アライメントマークＭＫ２ａ、ＭＫ２ｂは、図５（Ｂ）に示すように、基板３０２における樹脂層３３２により被覆されていない非被覆部（第２非被覆部）Ａ２に設けられている。即ち、基板３０１（３０２）は、アライメントマークＭＫ１ａ、ＭＫ１ｂ（ＭＫ２ａ、ＭＫ２ｂ）を有し一部が樹脂層３３１（３３２）により被覆されている。そして、アライメントマークＭＫ１ａ、ＭＫ１ｂ（ＭＫ２ａ、ＭＫ２ｂ）は、樹脂層３３１（３３２）により被覆されていない。基板接合装置１００は、位置測定部５００により両基板３０１、３０２に設けられた各アライメントマークＭＫ１ａ、ＭＫ１ｂ、ＭＫ２ａ、ＭＫ２ｂの位置を認識しながら、両基板３０１、３０２の位置合わせ動作（アライメント動作）を実行する。基板接合装置１００は、２つの基板３０１、３０２が対向した状態で、位置測定部５００により２つの基板３０１、３０２に設けられたアライメントマークＭＫ１ａ、ＭＫ２ａ、ＭＫ１ｂ、ＭＫ２ｂを同時に認識しながらアライメント動作を実行する。

ここにおいて、図１に示すように、撮像部（第１撮像部）５０１の同軸照明系の光源（図示せず）から出射された光は、ミラー５０４で反射されて上方に進行し、窓部５０３および基板３０１、３０２の一部あるいは全部を透過する（図１の破線矢印ＳＣ１、ＳＣ２参照）。基板３０１、３０２の一部あるいは全部を透過した光は、基板３０１、３０２のアライメントマークＭＫ１ａ，ＭＫ２ａで反射され、下向きに進行し、窓部５０３を透過してミラー５０４で反射されて第１撮像部５０１の撮像素子に入射する。また、撮像部（第２撮像部）５０２の同軸照明系の光源（図示せず）から出射された光は、ミラー５０５で反射されて上方に進行し、窓部５０３および基板３０１、３０２の一部あるいは全部を透過する。基板３０１、３０２の一部あるいは全部を透過した光は、基板３０１、３０２のアライメントマークＭＫ１ａ，ＭＫ２ａで反射され、下向きに進行し、窓部５０３を透過してミラー５０５で反射されて第２撮像部５０２の撮像素子に入射する。このようにして、位置測定部５００は、図６（Ａ）に示すように、２つの基板３０１、３０２のアライメントマークＭＫ１ａ，ＭＫ２ａを含む撮影画像ＧＡａと、２つの基板３０１、３０２のアライメントマークＭＫ１ｂ，ＭＫ２ｂを含む撮影画像ＧＡｂと、を取得する。なお、第１撮像部５０１による撮影画像ＧＡａの撮影動作と第２撮像部５０２による撮影画像ＧＡｂの撮影動作とは、同時に実行される。

制御部７００は、図７に示すように、ＭＰＵ（Micro Processing Unit）７０１と、主記憶部７０２と、補助記憶部７０３と、インタフェース７０４と、各部を接続するバス７０５と、を有する。主記憶部７０２は、揮発性メモリから構成され、ＭＰＵ７０１の作業領域として使用される。補助記憶部７０３は、不揮発性メモリから構成され、ＭＰＵ７０１が実行するプログラムを記憶する。また、補助記憶部７０３は、後述する基板３０１、３０２の相対的な算出した位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθに対して予め設定された位置ずれ量閾値Δｘｔｈ、Δｙｔｈ、Δθｔｈも記憶する。インタフェース７０４は、第１圧力センサ４０８、第２圧力センサ４１２および測距センサ４１３から入力される測定信号を測定情報に変換してバス７０５へ出力する。また、インタフェース７０４は、第１撮像部５０１および第２撮像部５０２から入力される撮影画像信号を撮影画像情報に変換してバス７０５へ出力する。また、ＭＰＵ７０１は、補助記憶部７０３が記憶するプログラムを主記憶部７０２に読み込んで実行することにより、インタフェース７０４を介して、保持機構４４０、ピエゾアクチュエータ４１１、基板加熱部４２０、ステージ駆動部４０３およびヘッド駆動部４０４それぞれへ制御信号を出力する。

制御部７００は、図６（Ｂ）に示すように、第１撮像部５０１から取得した撮影画像ＧＡａに基づいて、基板３０１、３０２に設けられた１組のアライメントマークＭＫ１ａ，ＭＫ２ａ相互間の位置ずれ量Δｘａ、Δｙａを算出する。なお、図６（Ｂ）は、１組のアライメントマークＭＫ１ａ，ＭＫ２ａが互いにずれている状態を示している。同様に、制御部７００は、第２撮像部５０２から取得した撮影画像ＧＡｂに基づいて、基板３０１、３０２に設けられた他の１組のアライメントマークＭＫ１ｂ，ＭＫ２ｂ相互間の位置ずれ量Δｘｂ、Δｙｂを算出する。

その後、制御部７００は、これら２組のアライメントマークの位置ずれ量Δｘａ、Δｙａ、Δｘｂ、Δｙｂと２組のマークの幾何学的関係とに基づいて、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ軸周りの回転方向における２つの基板３０１、３０２の相対的な位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθを算出する。そして、制御部７００は、算出した位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθが低減されるように、例えばステージ４０１をＸ方向およびＹ方向へ移動させたりＺ軸周りに回転させたりする。これにより、２つの基板３０１、３０２の相対的な位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθが低減される。このようにして、基板接合装置１００は、２つの基板３０１、３０２の水平方向における位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθを補正するアライメント動作を実行する。

次に、本実施の形態に係る基板接合装置１００が実行する基板接合処理について図８乃至図１８を参照しながら説明する。この基板接合処理は、制御部７００において、ＭＰＵ７０１が補助記憶部７０３に記憶された基板接合処理を実行するためのプログラムを主記憶部７０２に読み込んで実行したことを契機として開始される。なお、基板３０１、３０２それぞれの厚さは、基板３０１、３０２が基板接合装置１００へ搬送される前に、事前に測定されているものとする。基板３０１、３０２の厚さは、例えば基板３０１、３０２の複数箇所（例えば３箇所）における厚さの測定値の平均値に設定される。そして、制御部７００が、測定された基板３０１、３０２の厚さを示す情報を補助記憶部７０３に記憶しているものとする。

まず、基板３０１、３０２が基板接合装置１００内へ搬送され、基板接合装置１００が、基板３０１、３０２を保持する（ステップＳ１）。このとき、基板３０１、３０２は、図９に示すように、ステージ４０１、ヘッド４０２に設けられた保持機構４４０により吸着された状態で、ステージ４０１、ヘッド４０２に保持される。

次に、基板接合装置１００は、基板３０１、３０２間の距離を算出する（ステップＳ２）。ここにおいて、測距センサ４１３は、図２（Ａ）に示すようにステージ４０１の上面に平行な面内の３箇所の位置Ｐ１１、Ｐ１２、Ｐ１３におけるＺ軸方向の距離それぞれを測定する。そして、制御部７００は、測距センサ４１３により測定して得られた３つの測定値の平均値を距離Ｇ０（図９参照）から、ステージ４０１の上面と測距センサ４１３の上面との間の距離Ｄ１、反射板４１４の下面とヘッド４０２の下面との間の距離Ｄ２を差し引いて得られる距離Ｇ１をステージ４０１の上面とヘッド４０２の下面との間の距離Ｇ１として算出する。そして、制御部７００は、基板３０１，３０２の厚さｔ１、ｔ２と、ステージ４０１の上面とヘッド４０２の下面との間の距離Ｇ１と、から基板３０１、３０２間の距離Ｇ２（図９参照）を算出する。

その後、基板接合装置１００は、位置測定部５００を用いて取得した撮影画像情報に基づいて、基板３０１、３０２の相対的な位置ずれ量を測定する（ステップＳ３）。ここにおいて、制御部７００は、まず、位置測定部５００の第１撮像部５０１および第２撮像部５０２から、非接触状態における２つの基板３０１、３０２の撮影画像ＧＡａ，ＧＡｂ（図６（Ａ）参照）を取得する。そして、制御部７００は、２つの撮影画像ＧＡａ，ＧＡｂに基づいて、２つの基板３０１、３０２のＸ方向、Ｙ方向およびＺ軸周りの回転方向の位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθそれぞれを算出する。具体的には、制御部７００は、例えばＺ方向に離間したアライメントマークＭＫ１ａ，ＭＫ２ａを同時に読み取った撮影画像ＧＡａに基づき、ベクトル相関法を用いて位置ずれ量Δｘａ、Δｙａ（図６（Ｂ）参照）を算出する。同様に、Ｚ方向に離間したアライメントマークＭＫ１ｂ，ＭＫ２ｂを同時に読み取った撮影画像ＧＡｂに基づき、ベクトル相関法を用いて位置ずれ量Δｘｂ、Δｙｂ（図６（Ｂ）参照）を算出する。そして、制御部７００は、位置ずれ量Δｘａ、Δｙａ、Δｘｂ、Δｙｂに基づいて、２つの基板３０１、３０２の水平方向における位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθを算出する。

図８に戻って、次に、基板接合装置１００は、算出した基板３０１、３０２の相対的な位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθを小さくするように基板３０２を基板３０１に対して相対的に移動させることにより、位置合わせを実行する（ステップＳ４）。ここにおいて、基板接合装置１００は、例えばヘッド４０２を固定した状態で、位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθが解消するように、ステージ４０１をＸ方向、Ｙ方向およびＺ軸周りの回転方向へ移動させる。

続いて、基板接合装置１００は、ヘッド４０２を下方向へ移動させて基板３０１、３０２同士を近づけて（ステップＳ５）、２つの基板３０１、３０２を、樹脂層３３１、３３２を介して接触させる（接触工程）（ステップＳ６）。ここで、基板接合装置１００は、算出した基板３０１、３０２間の距離Ｇ２から基板３０２を基板３０１に接触させるためのヘッド４０２の移動量を算出し、算出した移動量だけヘッド４０２を動かす。

その後、基板接合装置１００は、ステージ４０１、ヘッド４０２の温度を樹脂層３３１、３３２が軟化する第１温度に調節する（ステップＳ７）。ここで、基板接合装置１００は、基板加熱部４２０により、ステージ４０１、ヘッド４０２を加熱することにより、ステージ４０１、ヘッド４０２の温度を第１温度まで昇温させる。

樹脂層３３１、３３２が熱硬化性樹脂の場合、基板接合装置１００は、例えば図１０（Ａ）に示すように、時刻Ｔ１から時刻Ｔ２にかけて、ステージ４０１、ヘッド４０２の温度を室温（例えば２５℃）ＲＴから第１温度ＴＨ１まで昇温させる。このとき、図１０（Ｂ）に示すように、樹脂層３３１、３３２の硬さＳが、硬さＳ１０から硬さＳ１１へ変化する。硬さＳ１０は、基板３０１、３０２間に互いに接合された樹脂層３３１、３３２が介在した状態で、基板３０１を基板３０２に対して移動させることが不可能な硬さである。一方、硬さＳ１１は、基板３０１、３０２間に互いに接合された樹脂層３３１、３３２が介在した状態で、基板３０１を基板３０２に対して移動させることが可能な硬さである。

一方、樹脂層３３１、３３２が熱可塑性樹脂の場合、基板接合装置１００は、例えば図１１（Ａ）に示すように、時刻Ｔ２１から時刻Ｔ２２にかけて、ステージ４０１、ヘッド４０２の温度を室温ＲＴから第１温度ＴＨ２１まで昇温させる。このとき、図１１（Ｂ）に示すように、樹脂層３３１、３３２の硬さＳが、硬さＳ２０から硬さＳ２１へ変化する。硬さＳ２０は、基板３０１、３０２間に互いに接合された樹脂層３３１、３３２が介在した状態で、基板３０１を基板３０２に対して移動させることが不可能な硬さである。一方、硬さＳ２１は、基板３０１、３０２間に互いに接合された樹脂層３３１、３３２が介在した状態で、基板３０１を基板３０２に対して移動させることが可能な硬さである。

図８に戻って、次に、基板接合装置１００は、基板３０１、３０２が樹脂層３３１、３３２を介して接触した状態で、基板３０２の基板３０１に対する平行度（傾き）を調整する（傾き調整工程）（ステップＳ８）。ここで、基板接合装置１００は、測距センサ４１３により測定された距離に基づいて、３つのピエゾアクチュエータ４１１の伸縮量を変化させることにより、ヘッド４０２のステージ４０１に対する傾きを変化させる。

続いて、基板接合装置１００は、基板３０１、３０２が樹脂層３３１、３３２を介して接触した状態で、測距センサ４１３により測定された距離に基づいて、基板３０１、３０２の間の基板間距離が予め設定された基準距離となるように基板間距離を調整する（距離調整工程）（ステップＳ９）。このとき、基板接合装置１００は、図１２に示すように、時刻Ｔ３１から時刻Ｔ３２にかけて、ヘッド４０２をステージ４０１に近づく方向へ移動させることにより、基板３０１、３０２に加わる圧力を上昇させていく。そして、基板接合装置１００は、時刻Ｔ３２において、圧力（第１圧力）ＰＲ１が基板３０１、３０２に対して互いに近づく方向へ加わった状態とする。この圧力ＰＲ１は、基板３０１、３０２が樹脂層３３１、３３２を介して接触した状態で、基板３０１が基板３０２に対して移動可能な圧力である。

図８に戻って、その後、基板接合装置１００は、基板３０１、３０２が樹脂層３３１、３３２を介して接触した状態で、基板３０１の基板３０２に対する相対的な位置ずれ量を測定する（位置ずれ測定工程）（ステップＳ１０）。ここで、基板接合装置１００は、まず、基板３０１、３０２が樹脂層３３１、３３２を介して接触した状態における２つの基板３０１、３０２の撮影画像ＧＡａ，ＧＡｂ（図６（Ａ）参照）を取得する。そして、基板接合装置１００は、２つの撮影画像ＧＡａ，ＧＡｂに基づいて、２つの基板３０１、３０２のＸ方向、Ｙ方向およびＺ軸周りの回転方向の位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθそれぞれを算出する。

次に、基板接合装置１００は、Ｘ、Ｙ、θ方向の全てにおいて、算出した位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθが予め設定された位置ずれ量閾値Δｘｔｈ、Δｙｔｈ、Δθｔｈ以下であるか否かを判定する（ステップＳ１１）。ここにおいて、制御部７００が、まず、補助記憶部７０３が記憶する位置ずれ量閾値Δｘｔｈ、Δｙｔｈ、Δθｔｈと、算出した位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθと、を比較する。そして、制御部７００は、比較結果に基づいて、算出した位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθの全てが、それぞれ対応する位置ずれ量閾値Δｘｔｈ、Δｙｔｈ、Δθｔｈ以下であるか否かを判定する。

基板接合装置１００により、算出した位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθのいずれかが、予め設定された位置ずれ量閾値Δｘｔｈ、Δｙｔｈ、Δθｔｈよりも大きいと判定されたとする（ステップＳ１１：Ｎｏ）。この場合、基板接合装置１００は、基板３０１、３０２が樹脂層３３１、３３２を介して接触した状態で、基板３０１の基板３０２に対する相対的な位置ずれ量が小さくなるように、基板３０１の基板３０２に対する相対的な位置を調整する相対的位置変更処理を実行する（位置調整工程）（ステップＳ１２）。

ここで、基板接合装置１００が実行する相対的位置変更処理について図１３乃至図１８を参照しながら詳細に説明する。まず、基板接合装置１００は、基板接合処理において過去に相対位置変更処理を実行しておらず１回目の相対位置変更処理であるか否かを判定する（ステップＳ１０１）。基板接合装置１００は、１回目の相対位置変更処理であると判定すると（ステップＳ１０１：Ｙｅｓ）、算出した位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθに基づいて、ステージ４０１の移動量を、位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθよりも大きい第１移動量Ｍｘ１、Ｍｙ１、Ｍθ１に設定する（ステップＳ１０２）。第１移動量Ｍｘ１、Ｍｙ１、Ｍθ１は、位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθよりも予め設定されたマージン量だけ大きい移動量に設定される。このマージン量は、例えば樹脂層３３１、３３２が軟化した状態における樹脂層３３１、３３２の流動性と基板３０１の基板３０２に対する移動速度との関係に基づいて設定される。例えば図１４（Ａ）に示すように、基板３０１が基板３０２に対して位置ずれ量△ＤＰ１だけずれているとする。この場合、基板接合装置１００は、ステージ４０１の移動量を、位置ずれ量△ＤＰ１よりも大きい第１移動量Ｍ１に設定する。続いて、基板接合装置１００は、後述するステップＳ１０５の処理を実行する。

一方、基板接合装置１００が、過去に相対位置変更処理を実行しており、２回目以降の相対位置変更処理であると判定したとする（ステップＳ１０１：Ｎｏ）。この場合、基板接合装置１００は、前回の相対位置変更処理前の位置ずれの方向とは逆方向への位置ずれが発生しているか否かを判定する（ステップＳ１０３）。即ち、基板接合装置１００は、基板３０１の基板３０２に対する位置ずれ方向が前回の相対位置変更処理前の位置ずれ方向から反対方向へ逆転しているか否かを判定する。基板接合装置１００は、前回の相対位置変更処理前の位置ずれの方向とは逆方向への位置ずれが発生していないと判定すると（ステップＳ１０３：Ｎｏ）、そのまま後述のステップＳ１０５の処理を実行する。

一方、基板接合装置１００は、前回の相対位置変更処理前の位置ずれの方向とは逆方向への位置ずれが発生していると判定すると（ステップＳ１０３：Ｙｅｓ）、ステージ４０１の移動量を前回の相対位置変更処理における第１移動量Ｍｘ１（Ｍｙ１、Ｍθ１）よりも大きい第３移動量Ｍｘ３（Ｍｙ３、Ｍθ３）に設定する（ステップＳ１０４）。

次に、基板接合装置１００は、設定した第１移動量Ｍｘ１、Ｍｙ１、Ｍθ１または第３移動量Ｍｘ３（Ｍｙ３、Ｍθ３）に基づいて、ステージ４０１をヘッド４０２に対してＸ、Ｙ、θ方向（第１方向）へ移動させる（ステップＳ１０５）。例えば図１４（Ｂ）に示すように、ステージ４０１を矢印ＡＲ１１に示す方向へ移動させるとする。この場合、樹脂層３３１、３３２の流動性に応じて、ステージ４０１を移動させるためにステージ４０１を押圧するステージ押圧部分４０１ａと、ヘッド４０２を支持するヘッド支持部分４０２ａに撓みが生じる。なお、図１４（Ａ）、（Ｂ）において、ステージ押圧部分４０１ａは、ステージ駆動部４０３がステージ４０１をＸＹ方向へ移動させたり、Ｚ軸周りに回転させたりするためにステージ４０１に接触させる部材を模式的に示したものである。また、ヘッド支持部分４０２ａは、ヘッド４０２を支持する昇降駆動部４０６、ＸＹ方向駆動部４０５、回転駆動部４０７、ピエゾアクチュエータ４１１等を纏めて模式的に示したものである。そして、ステージ４０１にステージ押圧部分４０１ａの復元力が矢印ＡＲ１１方向へ作用するとともに、ヘッド４０２にヘッド支持部分４０２ａの復元力が矢印ＡＲ１２方向へ作用する。この状態で、基板３０１の基板３０２に対して矢印ＡＲ１１方向へ樹脂層３３１、３３２の流動性に応じた速度で移動していく。ここで、基板３０１の移動速度は、第１移動量が算出した位置ずれ量と同じ場合に比べて速いので、第１移動量が算出した位置ずれ量と同じ場合に比べて早く位置ずれ量が小さくなっていく。ここで、ステージ４０１は、図１５（Ａ）、図１６（Ａ）に示すように、例えば時刻Ｔ１１、Ｔ２１１において、ステージ押圧部分４０１ａが初期位置ＳＰ０から第１移動量Ｍ１だけ移動する。このとき、基板３０１の基板３０２に対する位置ずれ量は、図１５（Ｂ）、図１６（Ｂ）に示すように、ステージ押圧部分４０１ａ、ヘッド支持部分４０２ａの撓みが緩和されるに伴って変化していく。

また、例えば図１６（Ｂ）に示すように、時刻Ｔ２１２において、基板３０１の基板３０２に対する位置ずれ量の大きさが△ＤＰ２になったとする。この場合、例えば図１７（Ａ）に示すように、基板３０１、３０２に対向方向において、基板３０２のアライメントマークＭＫ２ａ、ＭＫ２ｂが、それぞれ基板３０１のアライメントマークＭＫ１ａ、ＭＫ１ｂの外側に位置している場合がある。この場合、基板接合装置１００は、図１７（Ｂ）に示すように、ステージ４０１の移動量を第１移動量Ｍ１よりも大きい第３移動量Ｍ３に設定することにより、ステージ４０１の目標位置を初期位置ＳＰ０から矢印ＡＲ１４方向へずれた位置ＳＰ３に設定する。

図１３に戻って、その後、基板接合装置１００は、基板３０１、３０２が樹脂層３３１、３３２を介して接触した状態で、基板３０１、３０２の相対的な位置ずれ量を算出する（ステップＳ１０６）。

次に、基板接合装置１００は、Ｘ方向において、算出したＸ方向の位置ずれ量Δｘが予め設定された位置ずれ量閾値Δｘｔｈ以下であるか否かを判定する（ステップＳ１０７）。基板接合装置１００は、算出した位置ずれ量Δｘが位置ずれ量閾値Δｘｔｈを超えていると判定すると（ステップＳ１０７：Ｎｏ）、そのまま後述のステップＳ１０８の処理を実行する。

一方、基板接合装置１００は、算出した位置ずれ量Δｘが位置ずれ量閾値Δｘｔｈ以下であると判定すると（ステップＳ１０７：Ｙｅｓ）、ステージ４０１の移動量を前述の第１移動量Ｍｘ１に予め設定されたマージン量を加えた第２移動量Ｍｘ２に設定する（ステップＳ１０８）。このマージン量は、前述のステージ押圧部分４０１ａ、ヘッド支持部分４０２ａの撓みを無くすために移動させるべきステージ４０１の移動量に基づいて決定される。このマージン量は、例えば絶対値がステージ４０１の第１移動量Ｍｘ１の２５％程度の負の量に設定される。例えば第１移動量が２０μｍである場合、マージン量は−５μｍ程度に設定される。例えば図１５（Ｂ）に示すように、時刻Ｔ１２において、基板３０１の基板３０２に対する位置ずれ量が０になったとする。この場合、図１８（Ａ）に示すように、基板３０１、３０２が互いに対向する方向において、基板３０２のアライメントマークＭＫ２ａ、ＭＫ２ｂが、それぞれ基板３０１のアライメントマークＭＫ１ａ、ＭＫ１ｂの内側に入った状態となる。この場合、基板接合装置１００は、ステージ４０１の移動量を第１移動量Ｍ１からマージン量△ＤＳＰＭだけ差し引いて得られる第２移動量Ｍ２に設定することにより、ステージ４０１の目標位置を初期位置ＳＰ０から△ＤＳＰＭだけ矢印ＡＲ１１方向へずれた位置ＳＰ２に設定する。

図１３に戻って、次に、基板接合装置１００は、Ｙ方向において、算出したＹ方向の位置ずれ量Δｙが予め設定された位置ずれ量閾値Δｙｔｈ以下であるか否かを判定する（ステップＳ１０９）。基板接合装置１００は、算出した位置ずれ量Δｙが位置ずれ量閾値Δｘｔｈを超えていると判定すると（ステップＳ１０９：Ｎｏ）、そのまま後述のステップＳ１１１の処理を実行する。

一方、基板接合装置１００は、算出した位置ずれ量Δｙが位置ずれ量閾値Δｙｔｈ以下であると判定すると（ステップＳ１０９：Ｙｅｓ）、ステージ４０１の移動量を前述の第１移動量Ｍｙ１に予め設定されたマージン量を加えた第２移動量Ｍｙ２に設定する（ステップＳ１１０）。このマージン量は、前述と同様に、ステージ押圧部分４０１ａ、ヘッド支持部分４０２ａの撓みを無くすために移動させるべきステージ４０１の移動量に基づいて決定される。

続いて、基板接合装置１００は、θ方向において、算出したθ方向の位置ずれ量Δθが予め設定された位置ずれ量閾値Δθｔｈ以下であるか否かを判定する（ステップＳ１１１）。基板接合装置１００は、算出した位置ずれ量Δθが位置ずれ量閾値Δθｔｈを超えていると判定すると（ステップＳ１１１：Ｎｏ）、そのまま後述のステップＳ１１３の処理を実行する。

一方、基板接合装置１００は、算出した位置ずれ量Δθが位置ずれ量閾値Δθｔｈ以下であると判定すると（ステップＳ１１１：Ｙｅｓ）、ステージ４０１の移動量を前述の第１移動量Ｍθ１に予め設定されたマージン量を加えた第２移動量Ｍθ２に設定する（ステップＳ１１２）。このマージン量は、前述と同様に、ステージ押圧部分４０１ａ、ヘッド支持部分４０２ａの撓みが無くすためにステージ４０１を移動させるべき移動量に基づいて決定される。

その後、基板接合装置１００は、設定した第２移動量Ｍｘ２、Ｍｙ２、Ｍθ２に基づいて、ステージ４０１をヘッド４０２に対してＸ方向に沿った反対方向（第２方向）へ移動させる（ステップＳ１１３）。これにより、図１８（Ｂ）に示すように、ステージ押圧部分４０１ａ、ヘッド支持部分４０２ａの撓みが無くなった状態となる。そして、基板接合装置１００は、再び図８のステップＳ１０の処理を実行する。

図８に戻って、基板接合装置１００は、基板３０１、３０２が樹脂層３３１、３３２を介して接触した状態で、基板３０１、３０２の相対的な位置ずれ量を算出し（ステップＳ１０）、再び前述のステップＳ１１の処理を実行する。

また、基板接合装置１００が、ステップＳ１２の処理において、Δｘ、Δｙ、Δθ方向の全てにおいて、算出した位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθが位置ずれ量閾値Δｘｔｈ、Δｙｔｈ、Δθｔｈ以下であると判定したとする（ステップＳ１１：Ｙｅｓ）。この場合、基板接合装置１００は、ステージ４０１、ヘッド４０２の温度を樹脂層３３１、３３２が硬化する第２温度または第３温度に調節するとともに、基板３０１、３０２に加える圧力を加圧することにより、樹脂層３３１、３３２を硬化させる（樹脂層硬化工程）（ステップＳ１３）。ここで、基板接合装置１００は、基板加熱部４２０により、ステージ４０１、ヘッド４０２を加熱、或いは、基板加熱部４２０による加熱を停止させることにより、ステージ４０１、ヘッド４０２の温度を第２温度まで昇温または第３温度まで高温させる。

樹脂層３３１、３３２が熱硬化性樹脂の場合、基板接合装置１００は、例えば図１０（Ａ）に示すように、時刻Ｔ３から時刻Ｔ４にかけて、ステージ４０１、ヘッド４０２の温度を第１温度ＴＨ１から第２温度ＴＨ２まで昇温させる。このとき、図１０（Ｂ）に示すように、樹脂層３３１、３３２の硬さＳが、硬さＳ１１から硬さＳ１２へ変化する。硬さＳ１２は、基板３０１、３０２間に互いに接合された樹脂層３３１、３３２が介在した状態で、基板３０１を基板３０２に対して移動させることが不可能な硬さである。即ち、基板接合装置１００は、相対的位置変更処理を実行する際、樹脂層３３１、３３２を第１温度ＴＨ１にし、樹脂層３３１、３３２を硬化させる際、樹脂層３３１、３３２を樹脂層３３１、３３２が硬化する第２温度ＴＨ２にする。

一方、樹脂層３３１、３３２が熱可塑性樹脂の場合、基板接合装置１００は、例えば図１１（Ａ）に示すように、時刻Ｔ２３から時刻Ｔ２４にかけて、ステージ４０１、ヘッド４０２の温度を第１温度ＴＨ２１から第３温度である室温ＲＴまで降温させる。このとき、図１１（Ｂ）に示すように、樹脂層３３１、３３２の硬さＳが、硬さＳ２１から硬さＳ２０へ変化する。硬さＳ２０は、基板３０１、３０２間に互いに接合された樹脂層３３１、３３２が介在した状態で、基板３０１を基板３０２に対して移動させることが不可能な硬さである。即ち、基板接合装置１００は、相対的位置変更処理を実行する際、樹脂層３３１、３３２の温度を第１温度ＴＨ２３にし、樹脂層３３１、３３２を硬化させる際、樹脂層３３１、３３２の温度を、樹脂層３３１、３３２が硬化する第３温度ＲＴにする。

また、基板接合装置１００は、図１２に示すように、時刻Ｔ３３から時刻Ｔ３４にかけて、ヘッド４０２をステージ４０１に近づく方向へ押圧することにより、基板３０１、３０２から樹脂層３３１、３３２に加わる圧力を上昇させていく。そして、基板接合装置１００は、時刻Ｔ３４において、圧力（第２圧力）ＰＲ２が樹脂層３３１、３３２に加わった状態とする。この圧力ＰＲ２は、例えば樹脂層３３１、３３２が硬化した状態で互いに堅固に接着し、樹脂層３３１、３３２が基板３０１、３０２の互いに対向する面内全体に広がる圧力であり、最終目的圧力に相当する。

以上説明したように、本実施の形態に係る基板接合装置１００は、基板３０１、３０２が樹脂層３３１、３３２を介して接触した状態で、基板３０１の基板３０２に対する位置ずれ量を測定し、位置ずれ量が小さくなるように基板３０１を基板３０２に対して移動させて基板３０１の基板３０２に対する相対的な位置を調整する。これにより、基板３０１の基板３０２に対する相対的な位置を調整した後において基板３０１、３０２に物理的な衝撃が加わる可能性を低減することができるので、基板３０１、３０２を精度よく接合することができる。従って、基板３０１、３０２を互いに接合することにより作製される製品について基板３０１の基板３０２に対する位置ずれに起因した製品不良の発生率を低減できる。

本実施の形態に係る基板接合装置１００によれば、例えば、第１基板３０１に形成されたパターンの位置と第２基板３０２に形成されたパターンの位置とを精度良く合わすことができる。また、第１基板３０１と第２基板３０２とを微小な電極を介して接合する必要がある場合、第１基板３０１の電極と第２基板３０２の電極とを精度良く合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態に係る樹脂成形装置は、図１に示した実施の形態１に係る基板接合装置１００と同様の構成を有し、ステージ４０１にモールドを保持し、ヘッド４０２に複合基板を保持している点が実施の形態１と相違する。なお、実施の形態１と同様の構成については適宜図１と同じ符号を使って説明する。本実施の形態に係る樹脂成形装置は、モールドを樹脂層が形成された複合基板上の樹脂層に押し付けて樹脂部を成形する装置である。この樹脂成形装置は、複合基板をヘッド４０２に保持させるとともにモールドをステージ４０１に保持させた状態で、ヘッド４０２をステージ４０１に近づけることにより、モールドを複合基板の樹脂層に押し付けることにより、モールドの形状に応じたパターンを複合基板の樹脂層に転写する。

次に、本実施の形態に係る樹脂成形装置が実行する樹脂成形処理について図１９乃至図２１を参照しながら説明する。この樹脂成形処理は、制御部７００において、ＭＰＵ７０１が補助記憶部７０３に記憶された樹脂成形処理を実行するためのプログラムを主記憶部７０２に読み込んで実行したことを契機として開始される。ここで、図２０（Ａ）に示すように、モールド２３０１は、例えばガラスから形成され、表面に凹凸形状が形成されたものである。また、複合基板２３０２は、Ｓｉ基板、サファイア基板、ガラス基板等の基板２３２１上に樹脂層２３２２が形成されたものである。樹脂層２３２２は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等から形成される。

まず、樹脂成形装置は、図１９に示すように、実施の形態１で説明したステップＳ１の処理と同様にして、モールド２３０１、複合基板２３０２が樹脂成形装置内へ搬送され、モールド２３０１、複合基板２３０２がそれぞれステージ４０１、ヘッド４０２に保持される（ステップＳ５０１）。このとき、モールド２３０１、複合基板２３０２は、図２０（Ａ）に示すように、ステージ４０１、ヘッド４０２に設けられた保持機構４４０により吸着された状態で、ステージ４０１、ヘッド４０２に保持される。

図１９に戻って、続いて、樹脂成形装置は、実施の形態１で説明したステップＳ２の処理と同様にして、モールド２３０１と複合基板２３０２との間の距離を算出する（ステップＳ５０２）。

その後、樹脂成形装置は、実施の形態１で説明したステップＳ３の処理と同様にして、位置測定部５００を用いて取得した撮影画像情報に基づいて、モールド２３０１、複合基板２３０２の相対的な位置ずれ量を算出する（ステップＳ５０３）。次に、樹脂成形装置は、実施の形態１で説明したステップＳ４の処理と同様にして、算出したモールド２３０１、複合基板２３０２の相対的な位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθを補正するようにモールド２３０１を複合基板２３０２に対して相対的に移動させることにより、位置合わせを実行する（ステップＳ５０４）。続いて、樹脂成形装置は、ヘッド４０２を下方向へ移動させてモールド２３０１を複合基板２３０２に近づけて（ステップＳ５０５）モールド２３０１を複合基板２３０２に接触させる（ステップＳ５０６）。

その後、樹脂成形装置は、実施の形態１で説明したステップＳ８の処理と同様にして、ステージ４０１、ヘッド４０２の温度を樹脂層２３２２が軟化する第１温度に調節する（ステップＳ５０７）。次に、樹脂成形装置は、モールド２３０１と複合基板２３０２との平行度を調整し（ステップＳ５０８）、モールド２３０１と複合基板２３０２との間の距離を予め設定された距離となるように調整する（ステップＳ５０９）。ここで、樹脂成形装置は、モールド２３０１の上端面と複合基板２３０２の基板２３２１の下面との間の距離が予め設定された距離となるように調整する。また、樹脂成形装置は、モールド２３０１と複合基板２３０２とに、モールド２３０１が複合基板２３０２に対して移動可能な圧力が加わるように、モールド２３０１と複合基板２３０２の基板２３２１とが互いに近づく方向へ加わる圧力を調整する。

その後、樹脂成形装置は、モールド２３０１と複合基板２３０２との相対的な位置ずれ量を算出する（ステップＳ５１０）。

次に、樹脂成形装置は、実施の形態１で説明したステップＳ１２の処理と同様にして、Ｘ、Ｙ、θ方向の全てにおいて、算出した位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθが予め設定された位置ずれ量閾値Δｘｔｈ、Δｙｔｈ、Δθｔｈ以下であるか否かを判定する（ステップＳ５１１）。樹脂成形装置により、算出した位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθのいずれかが、予め設定された位置ずれ量閾値Δｘｔｈ、Δｙｔｈ、Δθｔｈよりも大きいと判定されたとする（ステップＳ５１１：Ｎｏ）。この場合、樹脂成形装置は、モールド２３０１が複合基板２３０２の樹脂層２３２２に接触した状態で、モールド２３０１の複合基板２３０２に対する相対的な位置を変更する相対的位置変更処理を実行する（位置調整工程）（ステップＳ５１２）。

この相対的位置変更処理の内容は、実施の形態１で説明した相対的位置変更処理の内容と同様である。例えば図２０（Ｂ）に示すように、モールド２３０１が複合基板２３０２に対して位置ずれ量△ＤＰだけずれているとする。この場合、樹脂成形装置は、図２１に示すように、ステージ４０１の移動量を、位置ずれ量△ＤＰよりも大きい第１移動量△ＤＳＰ１に設定して、ステージ４０１をヘッド４０２に対して第１移動量△ＤＳＰ１だけ移動させる。その後、樹脂成形装置は、実施の形態１で説明した相対的位置変更処理と同様に、モールド２３０１が複合基板２３０２に接触した状態で、モールド２３０１の複合基板２３０２に対する相対的な位置ずれ量を算出する。そして、樹脂成形装置は、位置ずれ量に応じて、ステージ４０１の移動量を第２移動量または第３移動量に設定し、設定した移動量に基づいてステージ４０１を移動させる。

続いて、樹脂成形装置は、モールド２３０１が複合基板２３０２に接触した状態で、モールド２３０１の複合基板２３０２に対する相対的な位置ずれ量を算出し（ステップＳＳ５１０）、再び前述のステップＳ５１１の処理を実行する。

また、樹脂成形装置が、ステップＳ５１１の処理において、Δｘ、Δｙ、Δθ方向の全てにおいて、算出した位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθが位置ずれ量閾値Δｘｔｈ、Δｙｔｈ、Δθｔｈ以下であると判定したとする（ステップＳ５１１：Ｙｅｓ）。この場合、樹脂成形装置は、ステージ４０１、ヘッド４０２の温度を複合基板２３０２の樹脂層２３２２が硬化する第２温度または第３温度に調節する（ステップＳ５１３）。次に、樹脂成形装置は、ヘッド４０２を上方へ移動させることにより、モールド２３０１を複合基板２３０２から離脱させる（ステップＳ５１４）。

以上説明したように、本実施の形態に係る樹脂成形装置は、モールド２３０１が複合基板２３０２に接触した状態で、モールド２３０１の複合基板２３０２に対する位置ずれ量を測定し、位置ずれ量が小さくなるようにモールド２３０１を複合基板２３０２に対して移動させてモールド２３０１の複合基板２３０２に対する相対的な位置を調整する。これにより、モールド２３０１の複合基板２３０２に対する相対的な位置を調整した後においてモールド２３０１または複合基板２３０２に物理的な衝撃が加わる可能性を低減することができるので、複合基板２３０２に樹脂部分を精度よく成形することができる。従って、複合基板２３０２に樹脂部分を成形することにより作製される製品について樹脂部分の位置ずれに起因した製品不良の発生率を低減できる。

例えば、複合基板２３０２の両面に微小な樹脂部を成形して構造物を作製する場合、複合基板２３０２の両面に設けられた樹脂部同士の位置精度が必要になる。また、複合基板２３０２上にパターンが形成されており、このパターン上に樹脂部を成形する場合に樹脂部の位置精度が必要となる。これに対して、本実施の形態に係る樹脂成形装置によれば、複合基板２３０２の両面に微小な樹脂部を精度良く成形することができ、また、複合基板２３０２上に形成されたパターン上に精度良く樹脂部を成形することができる。

（変形例）
以上、本発明の各実施の形態について説明したが、本発明は前述の各実施の形態の構成に限定されるものではない。例えば図２２（Ａ）に示すように、基板３３０１のアライメントマークＭＫ１ａ、ＭＫ１ｂが、基板３３０１における樹脂層３３３１により被覆されていない非被覆部Ａ１に形成された凹部３３１３の底に設けられていてもよい。また、図２２（Ｂ）に示すように、基板３３０２のアライメントマークＭＫ２ａ、ＭＫ２ｂが、基板３３０２における樹脂層３３３２により被覆されていない非被覆部Ａ２に形成された凹部３３２３の底に設けられていてもよい。即ち、基板３３０１（３３０２）は、アライメントマークＭＫ１ａ、ＭＫ１ｂ（ＭＫ２ａ、ＭＫ２ｂ）を有し一部が樹脂層３３３１（３３３２）により被覆されるとともに凹部３３１３（３３２３）が形成されている。そして、アライメントマークＭＫ１ａ、ＭＫ１ｂ（ＭＫ２ａ、ＭＫ２ｂ）は、凹部３３１３（３３２３）の底に配設されており、アライメントマークＭＫ１ａ、ＭＫ１ｂ（ＭＫ２ａ、ＭＫ２ｂ）および凹部３３１３（３３２３）が、樹脂層３３３１（３３３２）により被覆されていない。

本構成によれば、基板３３０１における非被覆部Ａ１の周縁部からアライメントマークＭＫ１ａ、ＭＫ１ｂまでの沿面距離、基板３３０２における非被覆部Ａ２の周縁部からアライメントマークＭＫ２ａ、ＭＫ２ｂまでの沿面距離が長くなる。これにより、例えば基板接合装置１００が基板３３０１、３３０２を、樹脂層３３３１、３３３２を介して接触させた状態で位置調整を実行する際、樹脂層３３３１、３３３２がアライメントマークＭＫ１ａ、ＭＫ１ｂ、ＭＫ２ａ、ＭＫ２ｂまで流動しにくくなる。従って、樹脂層３３３１、３３３２の一部がアライメントマークＭＫ１ａ、ＭＫ１ｂ、ＭＫ２ａ、ＭＫ２ｂまで流動して覆うことによるアライメント動作の不良の発生が抑制される。

或いは、図２３（Ａ）に示すように、基板４３０１のアライメントマークＭＫ１ａ、ＭＫ１ｂが、基板４３０１における樹脂層４３３１により被覆されていない非被覆部Ａ１に形成された環状溝４３１３の内側の内側部位４３１４に設けられていてもよい。また、図２３（Ｂ）に示すように、基板４３０２のアライメントマークＭＫ２ａ、ＭＫ２ｂが、基板４３０２における樹脂層４３３２により被覆されていない非被覆部Ａ２に形成された環状溝４３２３の内側の内側部位４３２４に設けられていてもよい。即ち、基板４３０１（４３０２）は、アライメントマークＭＫ１ａ、ＭＫ１ｂ（ＭＫ２ａ、ＭＫ２ｂ）を有し一部が樹脂層４３３１（４３３２）により被覆されるとともに環状溝４３１３（４３２３）が形成されている。アライメントマークＭＫ１ａ、ＭＫ１ｂ（ＭＫ２ａ、ＭＫ２ｂ）は、環状溝４３１３（４３２３）の内側に配設されている。そして、環状溝４３１３（４３２３）および環状溝４３１３（４３２３）の内側部位４３１４（４３２４）は、樹脂層４３３１（４３３２）により被覆されていない。ここで、基板４３０１、４３０２における、環状溝４３１３、４３２３の外周部の厚さは、内側部位４３１４、４３２４の厚さに略等しくなっている。

本構成によれば、基板４３０１、４３０２における、環状溝４３１３、４３２３の外周部の厚さは、内側部位４３１４、４３２４の厚さに略等しくなっている。これにより、基板４３０１、４３０２の厚さ方向におけるアライメントマークＭＫ１ａ、ＭＫ１ｂとアライメントマークＭＫ２ａ、ＭＫ２ｂとの間の距離が短縮される。従って、位置測定部５００によるアライメントマークＭＫ１ａ、ＭＫ１ｂ、ＭＫ２ａ、ＭＫ２ｂの同時認識を良好に実行できる。

或いは、図２４（Ａ）に示すように、基板５３０１のアライメントマークＭＫ１ａ、ＭＫ１ｂが、基板５３０１における樹脂層５３３１により被覆されていない非被覆部（第１非被覆部）Ａ１に形成された段部５３１３に設けられていてもよい。また、図２４（Ｂ）に示すように、基板５３０２のアライメントマークＭＫ２ａ、ＭＫ２ｂが、基板５３０２における樹脂層５３３２により被覆されていない非被覆部（第２非被覆部）Ａ２に形成された段部５３２３に設けられていてもよい。ここで、段部５３１３、５３２３は、基板５３０１、５３０２の厚さ方向において、基板５３０１、５３０２における樹脂層５３３１、５３３２が形成される一面よりも他面側に位置する面を構成している。即ち、基板５３０１（５３０２）は、アライメントマークＭＫ１ａ、ＭＫ１ｂ（ＭＫ２ａ、ＭＫ２ｂ）を有し一部が樹脂層５３３１（５３３２）により被覆されるとともに段部５３１３（５３２３）が形成されている。そして、アライメントマークＭＫ１ａ、ＭＫ１ｂ（ＭＫ２ａ、ＭＫ２ｂ）は、段部５３１３（５３２３）の底に配設されている。そして、アライメントマークＭＫ１ａ、ＭＫ１ｂ（ＭＫ２ａ、ＭＫ２ｂ）および段部５３１３（５３２３）が、樹脂層５３３１（５３３２）により被覆されていない。

なお、前述の変形例では、基板３３０１、３３０２、４３０１、４３０２、５３０１、５３０２の例について説明したが、これらと同様の凹部、環状溝、段部を有するモールドであってもよい。

各実施の形態において、樹脂層３３１、３３２が熱硬化性樹脂の場合、基板接合装置１００が、例えば図２５（Ａ）に示すように、時刻Ｔ３１から時刻Ｔ３４にかけて、ステージ４０１、ヘッド４０２の温度を室温ＲＴから第２温度ＴＨ３４まで連続的に昇温させるものであってもよい。この場合、図２５（Ｂ）に示すように、樹脂層３３１、３３２の硬さＳが、時刻Ｔ３２乃至Ｔ３３の期間だけ、硬さＳ３０よりも軟らかい硬さＳ３１以下硬さＳ３２以上の硬さに軟化する。硬さＳ３１以下硬さＳ３２以上の硬さは、基板３０１、３０２間に互いに接合された樹脂層３３１、３３２が介在した状態で、基板３０１を基板３０２に対して移動させることが不可能な硬さである。

本構成によれば、処理時間を短縮できるので、その分、スループットを向上させることができる。

実施の形態１では、基板接合装置１００が、算出した位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθが位置ずれ量閾値Δｘｔｈ、Δｙｔｈ、Δθｔｈ以下となるように、ステージ４０１の移動量を、第１移動量Ｍｘ１、Ｍｙ１、Ｍθ１に設定する例について説明した。但し、これに限らず、例えば基板接合装置１００が、算出した位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθ以下の基板３０１の基板３０２に対する基板移動量Δｘｔａ、Δｙｔａ、Δθｔａに対応する第４移動量Ｍｘ４、Ｍｙ４、Ｍθ４だけステージ４０１をＸ、Ｙ、θ方向（第１方向）へ移動させる前記位置ずれ量を小さくする第１方向へ移動させるものであってもよい。この場合、基板接合装置１００は、位置ずれ量の算出と、相対的位置変更処理と、を繰り返すことにより、ステージ４０１をヘッド４０２に対して一方向のみに移動させて、位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθを予め設定された位置ずれ量閾値Δｘｔｈ、Δｙｔｈ、Δθｔｈ以下にする。

本変形例に係る基板接合処理では、実施の形態１における相対位置変更処理の内容が異なる。本変形例に係る相対位置変更処理では、図２６に示すように、基板接合装置１００は、まず、ステージ４０１の移動量を、算出した位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθ以下の基板３０１の基板３０２に対する基板移動量Δｘｔａ、Δｙｔａ、Δθｔａに対応する第４移動量Ｍｘ４、Ｍｙ４、Ｍθ４に設定する（ステップＳ２０１）。ここで、基板接合装置１００は、例えば基板移動量Δｘｔａ、Δｙｔａ、Δθｔａを、算出された位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθに予め設定された倍率を乗じて得られる量に設定するものであってもよい。

次に、基板接合装置１００は、設定した第４移動量Ｍｘ４、Ｍｙ４、Ｍθ４に基づいて、ステージ４０１をヘッド４０２に対してＸ、Ｙ、θ方向（第１方向）へ移動させる（ステップＳ２０２）。なお、基板接合装置１００は、ステージ４０１をヘッド４０２に対して第４移動量Ｍｘ４、Ｍｙ４、Ｍθ４だけＸ、Ｙ、θ方向へ移動させた後、予め設定された待機時間経過後に位置ずれ量を測定するようにしてもよい。その後、基板接合装置１００は、ステップＳ２０３乃至Ｓ２１０の処理を実行する。ここで、ステップＳ２０３乃至Ｓ２１０の処理は、実施の形態１で説明した図１３のステップＳ１０６乃至Ｓ１１３の処理と同様である。そして、基板接合装置１００は、Ｘ、Ｙ、θ方向の全てにおいて、算出した位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθが、位置ずれ量閾値Δｘｔｈ、Δｙｔｈ、Δθｔｈ以下となるまで、位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθの測定する処理（図８のステップＳ１０参照）と、相対位置変更処理（図８のＳ１２参照）とを繰り返し実行する。

ここで、基板接合装置１００は、基板移動量Δｘｔａ、Δｙｔａ、Δθｔａが小さくなる毎に、第４移動量Ｍｘ４、Ｍｙ４、Ｍθ４を算出する際に位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθに乗じる倍率を小さくしていってもよい。また、基板接合装置１００は、基板移動量Δｘｔａ、Δｙｔａ、Δθｔａが小さくなる毎に、ステージ４０１をヘッド４０２に対して移動させた後、位置ずれ量を測定するまでの待機時間を短縮していってもよい。

本構成によれば、基板３０１、３０２の位置ずれ量を比較的早く位置ずれ量閾値以下に収束させることができるので、その分、スループットを向上させることができる。

また、基板接合装置１００は、ステージ４０１のヘッド４０２に対する累積移動量と基板３０１の基板３０２に対する累積移動量との差分量に基づいて第４移動量を算出してもよい。この場合、基板接合装置１００は、ステージ４０１の累積移動量を算出し、基板３０１の基板３０２に対する累積移動量を算出する。続いて、基板接合装置１００は、算出したステージ４０１の累積移動量と基板３０１の基板３０２に対する累積移動量との差分量を算出する。その後、基板接合装置１００は、ステージ４０１の移動量を、前述の目標量Δｘｔａ、Δｙｔａ、Δθｔａよりも算出した差分量だけ大きい第４移動量Ｍｘ４、Ｍｙ４、Ｍθ４に設定する。その後、基板接合装置１００は、設定した第４移動量Ｍｘ４、Ｍｙ４、Ｍθ４に基づいて、ステージ４０１をヘッド４０２に対してＸ、Ｙ、θ方向（第１方向）へ移動させる。

本構成によれば、基板３０１を基板３０２に対して目標量だけ正確に移動させることができるので、その分、基板３０１の基板３０２に対する位置ずれ量を比較的早く位置ずれ量閾値以下に収束させることができる。

更に、基板接合装置１００は、ステージ４０１をヘッド４０２に対して、第４移動量Ｍｘ４、Ｍｙ４、Ｍθ４だけ移動させた後、予め設定された基準時間後に基板３０１の基板３０２に対する位置ずれ量を測定し、基板３０１が基板３０２に対して基準時間内に移動した第５移動量を算出するようにしてもよい。そして、基板接合装置１００は、第４移動量Ｍｘ４、Ｍｙ４、Ｍθ４と第５移動量に基づいて、次にステージ４０１を移動させる際のステージ４０１の移動量として設定する第４移動量を算出してもよい。この場合、基板接合装置１００は、ステージ４０１の移動量を、算出した位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθよりも小さい目標量Δｘｔａ、Δｙｔａ、Δθｔａに対応する第４移動量Ｍｘ４、Ｍｙ４、Ｍθ４に設定する。続いて、基板接合装置１００は、設定した第４移動量Ｍｘ４、Ｍｙ４、Ｍθ４に基づいて、ステージ４０１をヘッド４０２に対してＸ、Ｙ、θ方向（第１方向）へ移動させる。その後、基板接合装置１００は、予め設定された基準時間だけ待機した後、基板３０１、３０２が樹脂層３３１、３３２を介して接触した状態で、基板３０１の基板３０２に対する相対的な位置ずれ量を算出する。次に、基板接合装置１００は、算出した位置ずれ量から基準時間内での基板３０１の基板３０２に対する移動量である第５移動量を算出する。続いて、基板接合装置１００は、第４移動量Ｍｘ４、Ｍｙ４、Ｍθ４と第５移動量に基づいて、次にステージ４０１を移動させる際のステージ４０１の移動量として設定する第４移動量を算出する。

本構成によれば、基板３０１、３０２の位置ずれ量を比較的早く位置ずれ量閾値以下に収束させることができるので、その分、スループットを向上させることができる。

実施の形態１では、基板接合装置１００が、樹脂層３３１、３３２の温度を第１温度（図１０（Ａ）の温度ＴＨ１または図１１（Ａ）の温度ＴＨ２１）にした状態で相対的位置変更処理を実行する例について説明した。但し、これに限らず、例えば基板接合装置１００が、樹脂層３３１、３３２の温度を第１温度から第２温度へ変化させている期間、または、樹脂層３３１、３３２を第２温度にしてから樹脂層３３１、３３２が硬化するまでの期間において相対的位置変更処理を実行してもよい。例えば樹脂層３３１、３３２が熱硬化性樹脂から形成されている場合、基板接合装置１００が、図１０（Ａ）における時刻Ｔ３から時刻Ｔ４の期間、或いは、時刻Ｔ４直後の期間において相対的位置変更処理を実行してもよい。また、例えば樹脂層３３１、３３２が熱可塑性樹脂から形成されている場合、基板接合装置１００が、図１１（Ａ）における時刻Ｔ２３から時刻Ｔ２４の期間、或いは、時刻Ｔ２４直後の期間において相対的位置変更処理を実行してもよい。

本構成によれば、樹脂層３３１、３３２を第１温度で維持する期間を短縮することができるので、その分、スループットを向上させることができる。

実施の形態１では、基板接合装置１００が、樹脂層３３１、３３２に加わる圧力を第１圧力（図１２の圧力ＰＲ１）にした状態で相対的位置変更処理を実行する例について説明した。但し、これに限らず、例えば基板接合装置１００が、樹脂層３３１、３３２に加える圧力を第１圧力から第２圧力へ変化させている期間、または、樹脂層３３１、３３２に加える圧力を第２圧力にしてから樹脂層３３１、３３２が硬化するまでの期間において相対的位置変更処理を実行してもよい。例えば基板接合装置１００が、図１２における時刻Ｔ３３から時刻Ｔ３４の期間、或いは、時刻Ｔ３４直後の期間において相対的位置変更処理を実行してもよい。

本構成によれば、樹脂層３３１、３３２に第１圧力が加わった状態で維持する期間を短縮することができるので、その分、スループットを向上させることができる。

各実施の形態では、樹脂層３３１、３３２、２３２２が熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂から形成されている例について説明したが、これに限らず、例えば樹脂層３３１、３３２、２３２２が、紫外線硬化性樹脂から形成されていてもよい。紫外線硬化性樹脂としては、例えばアクリレート系、エポキシ系の紫外線硬化性樹脂を採用することができる。この場合、基板接合装置または樹脂成形装置は、紫外線照射装置を備え、樹脂層３３１、３３２、２３２２に紫外線を照射することにより、樹脂層３３１、３３２、２３２２を硬化させるようにすればよい。

実施の形態１では、基板接合装置１００が、基板３０１、３０２の位置ずれ量が位置ずれ量閾値以下であると判定した場合、適宜、ステージ４０１を第２移動量だけ移動させることにより、ステージ押圧部分４０１ａ、ヘッド支持部分４０２ａの撓みを無くす例について説明した。但し、ステージ押圧部分４０１ａ、ヘッド支持部分４０２ａの撓みを無くす方法はこれに限定されない。例えば、基板接合装置１００が、基板３０１、３０２の位置ずれ量が位置ずれ量閾値以下であるとき、ステージ４０１が基板３０１の吸着保持を解除する構成であってもよい。或いは、ステージ４０１が基板３０１の吸着保持を解除する際、ヘッド４０２をステージ４０１から遠ざけて加圧力を解除したり、ステージ４０１から基板３０１へ基板３０１がステージ４０１から離脱する方向へ気体を吹き付けるようにしたりしてもよい。この場合、ステージ４０１による基板３０１の吸着保持がスムーズに解除される。

本構成によれば、ステージ押圧部分４０１ａ、ヘッド支持部分４０２ａの撓みを無くすためにステージ４０１を移動させる必要がないので、その分、処理時間を短縮することができる。

各実施の形態では、保持機構４４０が真空チャックから構成される場合について説明したが、これに限らず、例えば保持機構が機械式チャックや静電チャックから構成されていてもよい。或いは、保持機構が、真空チャック、機械式チャックおよび静電チャックのうちの少なくとも２種類のチャックを組み合わせた構成であってもよい。

各実施の形態では、円柱状のステージ４０１の周面に固定された３つの測距センサ４１３と、円柱状のヘッド４０２の周面に固定された３つの反射板４１４と、を用いて、ステージ４０１の上面とヘッド４０２の下面との間の距離を測定する例について説明した。但し、ステージ４０１の上面とヘッド４０２の下面との間の距離を測定する方法は、これに限定されるものではない。例えば基板接合装置が、ステージ４０１の下方またはヘッド４０２の上方に配置された３つの測距センサを備え、これらの３つの測距センサを用いて、ステージ４０１の上面の３箇所の部位とヘッド４０２の下面の３箇所の部位との間の距離を直接測定する構成であってもよい。また、各実施の形態では、ステージ４０１の上面とヘッド４０２の下面との間の距離と基板３０１、３０２の厚さとを測定してから基板３０１、３０２間の距離を算出する構成について説明した。但し、これに限らず、例えば基板接合装置が、基板３０１がステージ４０１に保持され、基板３０２がヘッド４０２に保持された状態で、基板３０１、３０２間の距離を直接測定する構成であってもよい。

各実施の形態では、基板３０２の基板３０１に対する平行度の調整、或いは、モールド２３０１の複合基板２３０２に対する平行度の調整を行う場合について説明したが、これに限らず、平行度の調整を、基板接合処理または樹脂成形処理を複数回実施する毎に１回行い基板３０１、３０２間の隙間調整を毎回行うようにしてもよい。また、基板接合処理または樹脂成形処理を実施する毎に、平行度の調整を行わずに基板３０１、３０２間の隙間調整を実施するようにしてもよい。或いは、基板接合処理または樹脂成形処理を実施する毎に、基板３０１、３０２間の隙間調整を行わずに平行の調整を実施するようにしてもよい。。

各実施の形態では、基板接合装置１００が、３つの測距センサ４１３を備え、ステージ４０１の外周部の３箇所の位置Ｐ１１、Ｐ１２、Ｐ１３とヘッド４０２の外周部の３つの位置Ｐ２１、Ｐ２２、Ｐ２３との間の距離を測定する例について説明した。但し、基板接合装置は、３つの測距センサを備えるものに限定されず、例えば２つの測距センサを備え、ステージ４０１またはステージ４０１の外周部の２箇所と、ヘッド４０２またはヘッド４０２の外周部の２箇所と、の間の距離を測定するものであってもよい。或いは、基板接合装置が、４つ以上の測距センサを備え、ステージ４０１、ヘッド４０２それぞれの４箇所以上の部位における距離を測定するものであってもよい。或いは、基板接合装置が、１つの測距センサのみを備え、ステージ４０１、ヘッド４０２それぞれの１箇所における距離を測定するものであってもよい。基板接合装置が、１つの測距センサのみを備え、測距センサを移動させながら、ステージ４０１、ヘッド４０２それぞれの複数箇所における距離を測定するものであってもよい。

各実施の形態では、基板接合装置１００が、３つのピエゾアクチュエータ４１１を備える構成について説明したが、ピエゾアクチュエータ４１１の数は３つに限定されない。例えば図２７（Ａ）に示す基板接合装置２１００のように、上側に突出する半球状部２４１６を有するヘッド２４０２と、ヘッド２４０２を支持するバネ２４１７と、球面軸受２４１５と、２つのピエゾアクチュエータ４１１と、を備えるものであってもよい。なお、図２７（Ａ）において、実施の形態１と同様の構成については、図１と同一の符号を付している。また、基板接合装置２１００は、ステージ４０１の外周部の２箇所に配置された測距センサ４１３と、ヘッド２４０２の外周部に配置された反射板４１４と、を備える。そして、ヘッド２４０２は、バネ２４１７の付勢力によって半球状部２４１６が球面軸受２４１５に押し付けられた状態で支持されている。ここで、ヘッド２４０２の回転中心位置ＣＰは、Ｚ軸方向において予め設定された位置に存在している。この基板接合装置２１００では、図２７（Ｂ）に示すように、平面視におけるステージ４０１、ヘッド２４０２の外周部における２つの位置Ｐ２１１、Ｐ２１２においてステージ４０１、ヘッド２４０２の間の距離を測定する。そして、基板接合装置２１００は、２つの位置Ｐ２１１、Ｐ２１２におけるステージ４０１、ヘッド２４０２の間の距離に基づいて、２つのピエゾアクチュエータ４１１を駆動することにより、ヘッド２４０２の平行度調整およびステージ４０１、ヘッド２４０２の間の距離の調整を実行する。

実施の形態２において、樹脂成形装置が、モールドが複合基板に比べて小さく、樹脂成形装置が、複合基板上における複数箇所において個別にモールドを押し付けてモールドに対応する形状の樹脂部を成形するものであってもよい。或いは、実施の形態１において、接合装置が、半導体チップのような部品を、樹脂層を介して基板に接合するものであってもよい。

各実施の形態では、位置測定部５００が２つの第１撮像部５０１、第２撮像部５０２を有する例について説明したが、位置測定部５００の構成はこれに限定されるものではなく、例えば位置測定部が、撮像部を１つだけ有し、この撮像部をＸ方向またはＹ方向へ移動させることにより撮影画像ＧＡａ，ＧＡｂを逐次的に撮影する構成であってもよい。

各実施の形態では、アライメントマークが１つの基板或いはモールドに２つ設けられているものについて説明したが、これに限らず、アライメントマークが１つの基板或いはモールドに１つだけ設けられているものであってもよいし、３つ以上設けられているものであってもよい。また、各実施の形態では、アライメントマークが平面視円形状、円環状である例について説明したが、アライメントマークの形状はこれに限定されるものではなく、例えば矩形状、矩形枠状であってもよい。この場合、１つのアライメントマークの撮像画像から、θ方向の位置ずれ量を算出することが可能となる。

各実施の形態では、ステージ４０１に対してヘッド４０２が移動する構成について説明したが、これに限らず、例えばヘッド４０２に対してステージ４０１が移動する構成であってもよい。また、各実施の形態では、ステージ４０１をヘッド４０２に対してＸ方向、Ｙ方向、θ方向へ移動させる構成について説明したが、これに限らず、例えばステージ４０１がＸ方向、Ｙ方向へ移動しヘッド４０２がθ方向へ移動する構成であってもよい。或いは、ステージ４０１がθ方向へ移動しヘッド４０２がＸ方向、Ｙ方向へ移動する構成であってもよい。

各実施の形態では、ピエゾアクチュエータ４１１と第２圧力センサ４１２とが水平面内において同じ位置にある構成について説明したが、これに限らず、水平面内においてピエゾアクチュエータ４１１の位置と第２圧力センサ４１２の位置とが異なっていてもよい。

更に、実施の形態では、第１撮像部５０１、第２撮像部５０２から出射され、基板３０１、３０２のアライメントマークＭＫ１ａ，ＭＫ２ａで反射された赤外光を第１撮像部５０１、第２撮像部５０２で検出することにより、基板３０１、３０２の位置ずれを測定する構成について説明した。但し、これに限らず、例えば基板３０１、３０２の厚さ方向における一方から基板３０１、３０２のアライメントマークＭＫ１ａ，ＭＫ２ａに向けて照射した赤外光を、基板３０１、３０２の厚さ方向における他方で検出する構成であってもよい。或いは、可視光を用いて基板３０１、３０２のアライメントマークＭＫ１ａ，ＭＫ２ａを直接読み取ることにより、基板３０１、３０２の位置ずれ量を測定する構成であってもよい。

本発明は、例えばＣＭＯＳイメージセンサやメモリ、演算素子、ＭＥＭＳの製造に好適である。

１００，２１００：基板接合装置、２００：チャンバ、２０１：真空ポンプ、２０２Ｂ，２０２Ｃ：排気管、２０３Ｂ，２０３Ｃ：排気弁、３０１，３０２，２３２１，３３０１，３３０２，４３０１，４３０２，５３０１，５３０２：基板、３３１，３３２，２３２２，３３３１，３３３２，４３３１，４３３２，５３３１，５３３２：樹脂層、４０１：ステージ、４０２，２４０２：ヘッド、４０３：ステージ駆動部、４０４：ヘッド駆動部、４０５：ＸＹ方向駆動部、４０６：昇降駆動部、４０７：回転駆動部、４０８：第１圧力センサ、４１１：ピエゾアクチュエータ、４１２：第２圧力センサ、４２０：基板加熱部、４２１，４２２：ヒータ、４４０：保持機構、５００：位置測定部、５０１：第１撮像部、５０２：第２撮像部、５０３：窓部、５０４，５０５：ミラー、７００：制御部、７０１：ＭＰＵ、７０２：主記憶部、７０３：補助記憶部、７０４：インタフェース、７０５：バス、２３０１：モールド、２３０２：複合基板、２４１５：球面軸受、２４１６：半球状部、２４１７：ばね、３３１３，３３２３：凹部、４３１３，４３２３：環状溝、４３１４、４３２４：内側部位、５３１３，５３２３：段部、Ａ１，Ａ２：非被覆部、ＣＰ：回転中心位置、ＧＡａ，ＧＡｂ：撮影画像、ＭＫ１ａ，ＭＫ１ｂ，ＭＫ２ａ，ＭＫ２ｂ：アライメントマーク

Claims (36)

1. 第１基板と第２基板とを樹脂層を介して接触させ前記第１基板の前記第２基板に対する位置を調整してから前記樹脂層を硬化させるアライメント方法であって、
   前記第１基板と前記第２基板とを、前記第１基板と前記第２基板との少なくとも一方を被覆する樹脂層を介して接触させる接触工程と、
   前記第１基板と前記第２基板とが前記樹脂層を介して接触した状態で、前記第１基板の前記第２基板に対する位置ずれ量を測定する位置ずれ測定工程と、
   前記第１基板と前記第２基板とが前記樹脂層を介して接触した状態で、前記位置ずれ量が小さくなるように、前記第１基板を前記第２基板に対して移動させて前記第１基板の前記第２基板に対する相対的な位置を調整する位置調整工程と、
   前記樹脂層を硬化させる樹脂層硬化工程と、を含む、
   アライメント方法。
2. 前記第１基板と前記第２基板とが前記樹脂層を介して接触した状態で、前記第１基板と前記第２基板との間の基板間距離が予め設定された基準距離となるように前記基板間距離を調整する距離調整工程を更に含む、
   請求項１に記載のアライメント方法。
3. 前記第１基板と前記第２基板とが前記樹脂層を介して接触した状態で、前記第１基板の前記第２基板に対する傾きを調整する傾き調整工程を更に含む、
   請求項１または２に記載のアライメント方法。
4. 前記位置調整工程は、前記樹脂層の温度を上昇させて前記樹脂層を軟化させた状態で行われる、
   請求項１乃至３のいずれか１項に記載のアライメント方法。
5. 前記樹脂層は、熱硬化性樹脂から形成されている、
   請求項４に記載のアライメント方法。
6. 前記位置調整工程は、前記樹脂層の温度を軟化する第１温度にした状態で行われ、
   前記樹脂層硬化工程は、前記樹脂層の温度を、前記第１温度よりも高く前記樹脂層が硬化する第２温度にした状態で行われる、
   請求項５に記載のアライメント方法。
7. 前記位置調整工程は、前記樹脂層の温度を前記第１温度から前記第２温度へ変化させている期間、または、前記樹脂層の温度を前記第２温度にしてから前記樹脂層が硬化するまでの期間において行われる、
   請求項６に記載のアライメント方法。
8. 前記樹脂層は、熱可塑性樹脂から形成されている、
   請求項４に記載のアライメント方法。
9. 前記位置調整工程は、前記樹脂層の温度を軟化する第１温度にした状態で行われ、
   前記樹脂層硬化工程は、前記樹脂層の温度を、前記第１温度よりも低く前記樹脂層が硬化する第３温度にした状態で行われる、
   請求項８に記載のアライメント方法。
10. 前記位置調整工程は、前記樹脂層の温度を前記第１温度から前記第３温度へ変化させている期間、または、前記樹脂層の温度を前記第３温度にしてから前記樹脂層が硬化するまでの期間において行われる、
    請求項９に記載のアライメント方法。
11. 前記樹脂層は、紫外線硬化性樹脂から形成され、
    前記樹脂層硬化工程において、前記樹脂層に紫外線を照射する、
    請求項１乃至３のいずれか１項に記載のアライメント方法。
12. 前記位置調整工程は、前記樹脂層に、前記第１基板が前記第２基板に対して移動可能な第１圧力を加えた状態で行われ、
    前記樹脂層硬化工程は、前記樹脂層に、最終目的圧力である第２圧力を加えた状態で行われる、
    請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のアライメント方法。
13. 前記位置調整工程は、前記樹脂層に加える圧力を前記第１圧力から前記第２圧力へ変化させている期間、または、前記樹脂層に加える圧力を前記第２圧力にしてから前記樹脂層が硬化するまでの期間において行われる、
    請求項１２に記載のアライメント方法。
14. 前記第２基板を支持する第２支持部と、前記第１基板を支持し前記第２支持部に対して移動可能な第１支持部と、を使用し、
    前記位置調整工程において、前記第１支持部を前記第２支持部に対して、前記位置ずれ量よりも大きい第１移動量だけ前記位置ずれ量を小さくする第１方向へ移動させる、
    請求項１乃至１３のいずれか１項に記載のアライメント方法。
15. 前記位置調整工程において、前記第１移動量だけ前記第１方向へ移動させた後、前記位置ずれ量が予め設定された位置ずれ量閾値以下になった場合、前記第１移動量に予め設定されたマージン量を加えた第２移動量だけ前記第１方向とは反対方向の第２方向へ移動させる、
    請求項１４に記載のアライメント方法。
16. 前記位置調整工程において、前記第１移動量だけ前記第１方向へ移動させた後、前記位置ずれ量が前記位置ずれ量閾値よりも大きく且つ位置ずれ方向が前記第１方向とは反対方向の第２方向から前記第１方向へ逆転した場合、前記第１移動量よりも大きい第３移動量だけ前記第２方向へ移動させる、
    請求項１５に記載のアライメント方法。
17. 前記第１支持部は、前記第２支持部に対して複数方向に沿って移動可能であり、
    前記位置調整工程において、前記複数方向それぞれについて、前記第１移動量だけ前記第１方向へ移動させた後、前記位置ずれ量が前記位置ずれ量閾値以下になった場合、前記第２移動量だけ前記第２方向へ移動させる、
    請求項１６に記載のアライメント方法。
18. 前記第１支持部は、前記第１基板を保持する保持機構を有し、
    前記位置調整工程において、前記複数方向全てについて、前記位置ずれ量が前記位置ずれ量閾値以下であるとき、前記第１支持部が前記第１基板の保持状態を解除する、
    請求項１７に記載のアライメント方法。
19. 前記第２基板を支持する第２支持部と、前記第１基板を支持し前記第２支持部に対して移動可能な第１支持部と、を使用し、
    前記位置調整工程において、前記第１支持部を前記第２支持部に対して、前記第１基板の前記第２基板に対する移動量が前記位置ずれ量以下の目標量に対応する第４移動量だけ前記位置ずれ量を小さくする第１方向へ移動させ、
    前記位置ずれ測定工程および前記位置調整工程を繰り返すことにより、前記第１支持部を前記第２支持部に対して前記第１方向のみに移動させて、前記位置ずれ量を予め設定された位置ずれ量閾値以下にする、
    請求項１乃至１３のいずれか１項に記載のアライメント方法。
20. 前記第１支持部は、前記第２支持部に対して複数方向に沿って移動可能であり、
    前記位置調整工程において、前記複数方向それぞれについて、前記第１支持部を前記第２支持部に対して、前記位置ずれ量以下の前記第１基板の前記第２基板に対する基板移動量に対応する第４移動量だけ前記位置ずれ量を小さくする前記第１方向へ移動させ、
    前記位置ずれ測定工程および前記位置調整工程を繰り返すことにより、前記複数方向それぞれについて、前記第１支持部を前記第２支持部に対して前記第１方向のみに移動させて、前記位置ずれ量を予め設定された位置ずれ量閾値以下にする、
    請求項１９に記載のアライメント方法。
21. 前記目標量は、前記位置ずれ量に予め設定された倍率を乗じて得られる量である、
    請求項２０に記載のアライメント方法。
22. 前記基板移動量が小さくなる毎に、前記倍率を小さくする、
    請求項２１に記載のアライメント方法。
23. 前記位置ずれ測定工程および前記位置調整工程を繰り返す場合、前記位置調整工程において、前記第１支持部を前記第２支持部に対して、前記第４移動量だけ前記第１方向へ移動させた後、予め設定された待機時間経過後に前記位置ずれ測定工程を行う、
    請求項２０乃至２２のいずれか１項に記載のアライメント方法。
24. 前記基板移動量が小さくなる毎に、前記待機時間を短縮していく、
    請求項２３に記載のアライメント方法。
25. 前記第４移動量は、前記第１支持部の前記第２支持部に対する累積移動量と前記第１基板の前記第２基板に対する累積移動量との差分量に基づいて算出される、
    請求項１９に記載のアライメント方法。
26. 前記位置調整工程において、前記第１支持部を前記第２支持部に対して、前記第４移動量だけ前記第１方向へ移動させた後、予め設定された基準時間後に前記位置ずれ測定工程を行うことにより、前記第１基板が前記第２基板に対して前記基準時間内に移動した第５移動量を算出し、前記第４移動量と前記第５移動量に基づいて、次の前記位置調整工程において用いられる第４移動量を算出する、
    請求項１９に記載のアライメント方法。
27. 前記第１基板および前記第２基板は、アライメントマークを有し、前記第１基板と前記第２基板とのうち一部が前記樹脂層により被覆された少なくとも一方において、
    前記アライメントマークは、前記樹脂層により被覆されていない、
    請求項１乃至２６のいずれか１項に記載のアライメント方法。
28. 前記第１基板および前記第２基板は、アライメントマークを有し、前記第１基板と前記第２基板とのうち一部が前記樹脂層により被覆された少なくとも一方において、
    前記一方は、段部が形成されており、
    前記アライメントマークは、前記一方における前記段部に配設され、
    前記アライメントマークおよび前記段部は、前記樹脂層により被覆されていない、
    請求項１乃至２６のいずれか１項に記載のアライメント方法。
29. 前記第１基板および前記第２基板は、アライメントマークを有し、前記第１基板と前記第２基板とのうち一部が前記樹脂層により被覆された少なくとも一方において、
    前記一方は、環状溝が形成されており、
    前記アライメントマークは、前記一方における前記環状溝の内側に配設され、
    前記環状溝および前記環状溝の内側は、前記樹脂層により被覆されていない、
    請求項１乃至２６のいずれか１項に記載のアライメント方法。
30. 請求項１乃至２９のいずれか１項に記載のアライメント方法を用いて、
    前記第１基板と前記第２基板とを接合する、
    接合方法。
31. 前記第１基板および前記第２基板のいずれか一方は、モールドであり、
    請求項１乃至２９のいずれか１項に記載のアライメント方法を用いて、前記樹脂層を成形する、
    樹脂成形方法。
32. 第１基板と第２基板とを樹脂層を介して接合する接合装置であって、
    前記第１基板を支持する第１支持部と、
    前記第２基板を支持する第２支持部と、
    前記第２支持部を前記第１支持部に近づく方向または前記第１支持部から遠ざかる方向へ駆動する第２支持部駆動部と、
    前記第２支持部駆動部により前記第２支持部と前記第１支持部とが互いに近づく方向へ移動させて前記第１基板と第２基板とを前記樹脂層を介して接触させた状態にして、前記第１基板の前記第２基板に対する位置ずれ量を測定する位置ずれ測定部と、
    前記第１基板と前記第２基板とが前記樹脂層を介して接触した状態で、前記位置ずれ量が小さくなるように、前記第１支持部を駆動して前記第１基板の前記第２基板に対する相対位置を調整する第１支持部駆動部と、
    前記樹脂層を硬化させる樹脂層硬化部と、を備える、
    接合装置。
33. モールドを樹脂層が形成された複合基板上の前記樹脂層に押し付けて樹脂部を成形する樹脂成形装置であって、
    前記モールドを支持する第１支持部と、
    前記複合基板を支持する第２支持部と、
    前記第２支持部を前記第１支持部に近づく方向または前記第１支持部から遠ざかる方向へ駆動する第２支持部駆動部と、
    前記第２支持部駆動部により前記第２支持部と前記第１支持部とが互いに近づく方向へ移動させて前記樹脂層と前記モールドとを接触させた状態にして、前記モールドの前記複合基板に対する位置ずれ量を測定する位置ずれ測定部と、
    前記樹脂層と前記モールドとが接触した状態で、前記位置ずれ量が小さくなるように、前記第１支持部を駆動して前記モールドの前記複合基板に対する相対位置を調整する第１支持部駆動部と、
    前記樹脂層を硬化させる樹脂層硬化部と、を備える、
    樹脂成形装置。
34. アライメントマークを有し一部が樹脂層により被覆された基板であって、
    前記アライメントマークは、前記樹脂層により被覆されていない、
    基板。
35. アライメントマークを有し一部が樹脂層により被覆されるとともに段部が形成されている基板であって、
    前記アライメントマークは、前記段部に配設され、
    前記アライメントマークおよび前記段部は、前記樹脂層により被覆されていない、
    基板。
36. アライメントマークを有し一部が樹脂層により被覆されるとともに環状溝が形成されている基板であって、
    前記アライメントマークは、前記環状溝の内側に配設され、
    前記環状溝および前記環状溝の内側は、前記樹脂層により被覆されていない、
    基板。

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