TWI616346B - 基板處理系統、包含於其中之層壓設備及基板處理方法 - Google Patents

Abstract

提供基板處理系統。基板處理系統包含含有其中第一基板對應於第二基板以使第一基板與第二基板彼此接觸之第一層壓構件之第一腔室，於是初步層壓第一及第二基板，以及含有其中初步層壓之第一基板與第二基板被施壓及層壓於彼此上之第二層壓構件之第二腔室。

Description

基板處理系統、包含於其中之層壓設備及基板處理方法 相關申請案之交互參照

本申請案主張2013年7月29日於韓國智慧財產局(Korean Intellectual Property Office)提出之韓國專利申請字號10-2013-0089824之利益，其揭露之全部內容整合於此以作為參照。

本發明之一或多個實施例係關於用於層壓薄板玻璃於載體玻璃上之基板處理系統，包含於其中之層壓設備及使用該基板處理系統之基板處理方法。

顯示裝置隨往輕量化、易攜帶性與可折疊性的潮流改變。為此，需要更薄的顯示裝置。

為了製造平板顯示裝置，基板及密封基板可在顯示裝置製造後蝕刻以降低顯示裝置之總厚度。然而，用上述方法製造的顯示裝置可能具有難以製作超薄平板顯示裝置之限制。

薄板玻璃可用作為基板以製作平板顯示裝置。然而，當薄板玻璃被單獨處理，薄板玻璃可能容易受損。因此，在薄板玻璃被層壓於載體玻璃上後，顯示裝置可被製造，然後載體玻璃可被移除。

載體玻璃可包含在中央部位之分離區以及在外圍部位之吸附區。因此，當薄板玻璃被層壓於載體玻璃上時，薄板玻璃必須要無錯置地正確層壓，以輕易地附著或分離於載體玻璃。

同樣地，當薄板玻璃正層壓於載體玻璃上時，氣阱可能發生在兩玻璃間。結果，製造顯示器時，薄板玻璃中之破裂或圖樣錯誤可能因氣阱而發生。同樣地，亦難以在移除載體玻璃前移除氣阱。因此，當薄板玻璃層壓於載體玻璃上時，需要最小化氣阱。

同樣地，當薄板玻璃層壓於載體玻璃上時，可能因兩玻璃間熱膨脹係數之差異及層壓時的壓力而發生彎曲現象。如果無法適當地控制彎曲，則破裂可能發生在薄板玻璃中。

本發明之一或多個實施例包含用於層壓薄板玻璃於載體玻璃上之基板處理系統、包含於其中之層壓設備以及使用該基板處理系統之基板處理方法。

其他態樣將會部份陳述在隨後敘述中以而部份會從描述中變得更明顯，或者可藉由實行所示實施例而了解。

根據本發明之一或多個實施例，基板處理系統包含：包含其中第一基板對應於第二基板，以使第一基板與第二基板接觸於彼此，從而初步層壓 第一及第二基板之第一層壓構件之第一腔室；包含其中初步層壓之第一及第二基板被施壓及層壓於彼此上之第二層壓構件之第二腔室；以及包含輸送第一及第二基板之機械手臂之第三腔室，第三腔室連結於第一及第二腔室。

基板處理系統可進一步包含：清潔至少第一基板之頂面之第一清潔單元，第一清潔單元連接於第三腔室；以及清潔至少第二基板之頂面之第二清潔單元，第二清潔單元連接於第三腔室。

第一清潔單元可包含以第三腔室之方向輸送第一基板之複數個輸送滾筒，第二清潔單元包含以第三腔室之方向輸送第二基板之複數個輸送滾筒，以及第一清潔單元之輸送滾筒之間的距離小於第二清潔單元之輸送滾筒之間的距離。

第一及第二清潔單元可各維持在大氣壓，第一到第三腔室可各維持在真空狀態，以及用於調整壓力之第一輔助腔室可放置於第一清潔單元與第三腔室間，以及用於調整壓力之第二輔助腔室可放置於第二清潔單元與第三腔室間。

機械手臂可從第一輔助腔室輸送第一基板到第一腔室以及從第二輔助腔室輸送第二基板到第一腔室。

基板處理系統可更進一步包含連結於第二腔室以調整壓力之第三輔助腔室。

第一層壓構件可包含：於其上放置第二基板之平台；以對應於第二基板之方向輸送第一基板之對準單元；以及靜電施加於其外圍面之第一滾筒單元，第一滾筒單元從對準單元，以其旋轉方向沿外圍面，藉由靜電輸送第一 基板，以初步層壓第一基板到第二基板上，其中平台可放置於第一滾筒單元下，以及對準單元可放置於第一滾筒單元上。

第二層壓構件可包含：施壓給初步層壓之第一及第二基板以層壓第一及第二基板於彼此上之第二滾筒單元；包含輸送被初步層壓之第一及第二基板到第二滾筒單元之複數個輸送滾筒之第一輸送單元；以及包含載運被施壓及層壓到彼此上之第一及第二基板到第三輔助腔室之複數個載運滾筒之第二輸送單元。

根據本發明之一或多個實施例，使第一及第二基板接觸於彼此以初步層壓第一及第二基板之層壓設備包含：於其上放置第二基板之平台；對準單元以一方向輸送第一基板以對應於第二基板；靜電施加於其外圍面之滾筒單元，滾筒單元從對準單元，以其旋轉方向沿外圍面，藉由靜電輸送第一基板，以初步層壓第一基板到第二基板上，其中平台被放置於滾筒單元下，以及對準單元被放置於滾筒單元上。

對準單元可包含以一方向輸送第一基板之複數個輸送滾筒及偵測第一基板之扭曲之偵測部分，以及層壓設備可更進一步包含在第一基板之扭曲被偵測部分偵測到時，調整輸送滾筒之位置，以更正第一基板之扭曲之第一控制單元。

層壓設備可更進一步包含根據第一基板是否接觸滾筒單元，控制靜電施加到滾筒之外圍面之第二控制單元。

第二控制單元可與滾筒單元之旋轉速率聯動以根據第一基板是否接觸第二基板，控制平台之移動。

平台及滾筒單元以對應於第一及第二基板之厚度總和的距離在空間上互相隔離。

根據本發明之一或多個實施例，施壓給被初步層壓於彼此上之第一及第二基板以層壓第一及第二基板之層壓設備包含：施壓給被初步層壓於彼此上之第一及第二基板，以層壓第一基板及第二基板之滾筒單元；包含輸送被初步層壓於彼此上之第一及第二基板到滾筒單元之複數個輸送滾筒之第一輸送單元；以及包含載運被施壓及層壓到彼此上之第一及第二基板到輔助腔室之複數個載運滾筒之第二輸送單元。

滾筒單元可具有以軟性材料製成之外圍面。

各輸送滾筒及載運滾筒可根據第一及第二基板之彎曲程度而設定高度。

根據本發明之一或多個實施例，基板處理方法包含：在大氣壓力下分別清潔至少第一基板及第二基板之頂面；在真空狀態中使第一基板之頂面接觸第二基板之頂面，以初步層壓第一及第二基板到彼此上；以及在真空狀態中施壓給被初步層壓之第一及第二基板以層壓第一及第二基板到彼此上。

第一及第二基板之初步層壓可包含：對準第一基板以使第一基板被放置於第二基板上以對應第二基板；以及沿一圓弧形軌跡往第二基板輸送第一基板使第一基板及第二基板之頂面接觸於彼此。

施壓給第一及第二基板以層壓第一及第二基板包含滾動接觸於彼此之第一及第二基板以層壓第一及第二基板。

11‧‧‧第一基板

12‧‧‧第二基板

12a‧‧‧分離區

12b‧‧‧接合區

100‧‧‧基板處理系統

111‧‧‧第一清潔單元

112‧‧‧第二清潔單元

111a、112a、1311a‧‧‧輸送滾筒

121‧‧‧第一輔助腔室

122‧‧‧第二輔助腔室

123‧‧‧第三輔助腔室

131‧‧‧第一腔室

132‧‧‧第二腔室

133‧‧‧第三腔室

133a‧‧‧機械手臂

1311‧‧‧對準單元

1311b‧‧‧偵測部分

1312‧‧‧平台

1313‧‧‧第一滾筒單元

1314‧‧‧第一控制單元

1315‧‧‧第二控制單元

1321‧‧‧輸送滾筒

1322‧‧‧載運滾筒

1323‧‧‧滾筒單元

d‧‧‧距離

S51、S52、S53‧‧‧步驟

從以下實施例之敘述，配合所附圖式，這些以及/或其他態樣將會變得明顯及更容易地被領會，其中：第1A及1B圖為根據本發明實施例之第一及第二基板之示意圖；第2圖為根據本發明實施例之基板處理系統之示意圖；第3圖為第2圖之第一清潔單元之圖；第4圖為第2圖之第二清潔單元之圖；第5圖為使用第2圖之基板處理系統之基板處理方法之流程圖；第6圖為描繪第2圖之第一腔室之第一層壓設備之詳圖；第7A到7C圖為描繪驅動第2圖之第一腔室中之第一層壓設備的過程之圖。

第8圖為描繪第2圖之第二腔室之第二層壓設備之詳圖；以及第9A及9B圖為描繪驅動第2圖之第二腔室中之第二層壓設備的過程之圖。

因為本發明可有多樣的修改實施例，例示性實施例被繪製於圖式中。然而，這不限制本發明於特定實施例中以及應被了解的是，本發明涵蓋本發明之概念與技術範疇中之所有修改、等效應用及置換。在本發明之描述中，關於廣泛已知功能或配置之細節描述將被排除以免不必要地模糊本發明主旨。

其需被了解的是，雖然詞彙「第一(first)」、「第二(second)」被用於文中以描述各種元件，這些元件不應被該類詞彙限制。該類詞彙只用來區別一部件與其他部件。

除非指出並非如此，否則單數形式之詞彙可包含複數形式。詞彙「包含(include)」、「包含(comprise)」、「包含(including)」及「包含(comprising)」如用於文中，指明特徵、形狀、操作、元件、部件或其組合，但並不排除其他特徵、形狀、操作、元件、部件或其組合。

在下文中，根據本發明實施例之基板處理系統及使用其之基板處理之方法將藉參照所附圖式詳細描述。在所附圖式之描述中，相同參照符號代表在各處之相同元件，且刪除重沓的解釋。在圖式中，層及區域之尺寸可為了清楚描述而誇大或縮減。在圖式中，層及區域之尺寸為了清楚描述而誇大。

如同文中使用，詞彙「以及/或(and/or)」包含一或多個相關所述項目之任何及所有組合。表示如「至少其中之一(at least one of)」，當先行於一列元件時，為修飾整列元件而非修飾列表中之個別元件。

第1A及1B圖為根據本發明實施例之第一基板11及第二基板12之示意圖。第2圖為根據本發明實施例之基板處理系統100之示意圖。第3圖為第2圖之第一清潔單元111之圖。第4圖為第2圖之第二清潔單元112之圖。

根據本發明實施例之基板處理系統100為用於層壓具有小厚度之第一基板11及為載體基板之第二基板12之系統。

在本說明書中，第一基板11可具有小厚度及被用作為顯示裝置之下基板。舉例來說，參照第1A及1B圖，第一基板11可為薄板玻璃。薄板玻璃可具有約數μm到約500μm之厚度。也就是說，薄板玻璃可具有約1μm到約100μm之厚度。當薄板玻璃具有約1μm到約20μm之厚度，平板顯示裝置可為可折疊的。

在本說明書中，第二基板12被用作為在製造顯示裝置於第一基板11上的流程中支持第一基板11之載體基板。舉例來說，參照第1B圖，第二基板12可為載體玻璃。載體玻璃包含接合區12b以及分離區12a在其頂面上。

接合區12b環繞分離區12a並具有封閉形狀在載體玻璃之邊緣。接合區12b可為未經處理之裸玻璃。因此，當薄板玻璃層壓於接合區12b上以實行熱處理時，共價鍵形成在薄板玻璃與接合區12b間之介面。因此，薄板玻璃被固定於載體玻璃。

分離區12a在載體玻璃之中央部位上。舉例而言，分離區12a之表面可被蝕刻。或者，如同第1A圖中所示，金屬氧化物層可被設置於分離區12a之表面上。因此，雖然熱處理在薄板玻璃層壓於載體玻璃上之後實行，共價鍵不會形成在薄板玻璃與分離區12a間之介面。當顯示裝置形成於薄板玻璃上，且接著沿著接合區12b及分離區12a間之邊界切開以移除對應於分離區12a之部分薄板玻璃，而獲得平板顯示裝置。

根據本發明之實施例，第一及第二基板11及12不受限於上述結構。也就是說，第一及第二基板11及12各可以不同材料及結構實現。舉例來說，第一基板11可用聚醯亞胺製成之塑膠薄膜。

參照第2圖，根據本發明實施例之基板處理系統100有其中複數腔室連接於彼此之叢集結構。根據本發明實施例之基板處理系統100包含用以初步層壓第一及第二基板11及12之第一腔室131、用以施壓給及層壓第一及第二基板11及12之第二腔室132、包含用以輸送第一及第二基板11及12之機械手臂133a之第三腔室133、用以清潔第一基板11之第一清潔單元111、用以清潔第二基板12之第二清潔單元112、連接第一清潔單元111到第三腔室133之第一輔助腔室 121、連接第二清潔單元112到第三腔室133之第二輔助腔室122、以及連接第二腔室132到外部之第三輔助腔室123。

第一腔室131包含連接於第三腔室133之第一層壓設備以初步層壓第一及第二基板11及12。第一層壓設備初步層壓第一及第二基板11及12以對應第一及第二基板11及12。第一層壓設備之細節描述將提供在後。說明書中之初步層壓意味著第一基板11被設置在第二基板12之頂面之適合位置上以物理上接觸第二基板12。也就是說，第一基板11可對準並單純放置於第二基板12。然後，第一及第二基板11及12於其間之介面上未接合於彼此。第一腔室131維持在真空狀態以當第一及第二基板11及12接觸彼此時避免引入顆粒或雜質並降低第一層壓設備中之劣化。

第二腔室132包含連接於第三腔室133之第二層壓設備及第三輔助腔室123以施壓給及層壓接觸於彼此之第一及第二基板11及12。第二層壓設備先後施壓給第一及第二基板11及12以接合第一及第二基板11及12。在此流程中，第一及第二基板11及12之間的氣阱可被移除。第二層壓設備之詳細結構會在之後描述。本說明書中之施壓及層壓意味著單純接觸彼此之第一及第二基板11及12接合於彼此。當第一及第二基板11及12被施壓及層壓於彼此上時，第一及第二基板11及12可藉由第一及第二基板11及12間介面之型態導致之凡得瓦力而不被簡單地分離。第二腔室132被維持在真空狀態以當第一及第二基板11及12接合彼此時避免引入顆粒或雜質並降低第二層壓設備中之劣化。

因第二腔室132被維持在真空狀態，第二腔室132未直接地連接於有大氣壓力之外部，而是透過第三輔助腔室123連接於外部。第三輔助腔室配置以調整壓力。

第三腔室133可被連接於第一腔室131、第二腔室132、第一輔助腔室121以及第二輔助腔室122。因第三腔室133連接於第一腔室131及第二腔室132，第三腔室133維持在真空狀態。用於分別地從第一及第二輔助腔室121及122輸送第一及第二基板11及12進入第三腔室133以從第一腔室131輸送接觸彼此之第一及第二基板11及12進入第二腔室132之機械手臂133a被設置在第三腔室133中。機械手臂133a可具有適合輸送第一及第二基板11及12之形狀並依配置或驅動方法為各種修改。此外，因為機械手臂133a在先前以被廣泛了解，省略其詳細敘述。

第一清潔單元111透過第一輔助腔室121連接於第三腔室133。參照第3圖，第一清潔單元111清潔至少第一基板11之頂面。藉由通過第二腔室132，接合於彼此之第一及第二基板11及12於熱處理期間在其間的介面上共價地鍵結於彼此。因此，第一及第二基板11及12可更穩固地結合於彼此。第一及第二基板11及12之各頂面應有親水性。因此，第一基板11之頂面於第一清潔單位111中可有親水性。第一清潔單元111可包含用於給予第一基板11之頂面親水性之裝置。舉例來說，第一清潔單元111可透過噴水器或灑水器提供水、臭氧水或含氧水以清潔第一基板11。因為水具有如氫氧基(OH-)之親水基團，親水性可被給予第一基板11之表面。如果有機汙染物質或有機微粒存在於第一基板11之表面上，第一及第二基板11及12之間的接合可能被干擾。因此，物理清潔流程，舉例來說，使用刷子，可被額外地在第一清潔單元111實行。此外，給予第一基板11之表面之親水性因為水之蒸發，可隨時間經過而降低。因此，第一清潔單元111可與第一及第二腔室131及132連結成列。接觸第二基板12之第一基板11之表面應被清潔，以及此外，清潔表面之表面接觸不應發生在第一及第二基板接 合於彼此前。因此，第一基板11以接觸第二基板12之第一基板11頂面向上的狀態置於第一清潔單元111之中。此外，第一基板11之頂面不應接觸除了第二基板12以外之其他部件。第一清潔單元111可維持在大氣壓。

因為第一清潔單元111維持在大氣壓，且將被連接到第一清潔單元111之第三腔室133維持在真空狀態，用於調整壓力之第一輔助腔室121可設置於第一清潔單元111與第三腔室133之間。

第二清潔單元112透過第二輔助腔室122連接於第三腔室133。參照第4圖，第二清潔單元112可與第一清潔單元111不同在於第二清潔單元112清潔至少第二基板12之頂面。第一清潔單元111清潔薄板玻璃，而第二清潔單元清潔厚度大於薄板玻璃之載體玻璃。因此，相較於設置在第二清潔單元112中之複數輸送滾筒112a之安排，設置在第一清潔單元111中之複數輸送滾筒111a可被密集地安排，以避免薄板玻璃於輸送時受損。因為第二清潔單元112之其他組成、型態及作用實質上與第一清潔單元111相同，省略其重複描述。

因為第二清潔單元112維持在大氣壓，且將連結第二清潔單元112之第三腔室133維持在真空狀態，用於調整壓力之第二輔助腔室122可設置在第二清潔單元112與第三腔室133之間。

第5圖為使用第2圖之基板處理系統100之基板處理方法之流程圖。使用第2圖之基板處理系統100之基板處理方法隨著參照第5圖被概略地描述。

首先，第一及第二基板11及12分別地被置入第一及第二清潔單元111及112以在大氣壓下實行清潔過程(步驟S51)。在此過程中，第一基板11之頂面可有親水性，以及此外，第二基板12之頂面可有親水性。

清潔之第一及第二基板11及12分別地被納入第一及第二輔助腔室121及122。

設置於第三腔室133中之機械手臂133a同時地或先後地輸送清潔之第一及第二基板11及12進入第一腔室131。第一基板11在真空狀態下以第一基板11之頂面向上之狀態對準於第二基板12。此處，第一基板11可設置於第二基板12上。當第一基板11之頂面沿著圓弧形軌跡從面朝上變面朝下被倒置時，第一基板11之頂面可接觸第二基板12之頂面。因此，第一及第二基板11及12可初步層壓於彼此(步驟S52)。

接觸彼此之第一及第二基板11及12透過機械手臂133a被輸送進第二腔室132。

第一及第二基板11及12可於輸送方向透過滾動方法先後地被施壓並因此接合於彼此。因此，第一及第二基板11及12可被施壓-層壓(press-laminated)在彼此上(步驟S53)。

接合於彼此之第一及第二基板11及12，被連續地輸送進第三輔助腔室123然後被送出第三輔助腔室123。

第6圖為描繪第2圖之第一腔室131之第一層壓設備之詳圖。第7A到7C圖為描繪驅動第2圖之第一腔室131中之第一層壓設備的過程之圖。在下文中，第一層壓設備之結構及驅動方法將藉參照第6到7C圖被詳細描述。

第一層壓設備可為用於實行第一及第二基板11及12之初步層壓之設備。也就是說，第一層壓設備將第一及第二基板11及12彼此對齊以單純地使第一及第二基板11及12接觸彼此。第一層壓設備包含第二基板12設置於其上 之平台1312、對準單元1311、控制對準單元1311之第一控制單元1314以及控制第一滾筒單元1313及平台1312之第二控制單元1315。

於實行初步層壓時，平台1312可提供第二基板12設置於其上之位置。平台1312可有平坦頂面。此外，平台1312可以至少在第一滾筒單元1313之旋轉方向及相反於旋轉方向之方向線性地移動。平台1312可藉由螺釘或直線導軌線性地移動。舉例來說，透過能達到的精確位置控制之線性導軌可用於平台1312之移動。當實行初步層壓時，平台1312被設置在第一滾動單元1313下。

對準單元1311可在第一控制單元1314的控制下對準第一及第二基板11及12於彼此。細節上，對準單元1311可包含複數個輸送滾筒1311a以及偵測部分1311b。對準單元1311被設置於第一滾筒單元1313上。

複數個輸送滾筒1311a可輸送從機械手臂133a傳輸之第一基板11至第一滾筒單元1313。偵測部分1311b設置在各複數個輸送滾筒1311a之端點上，也就是說，鄰接於第一滾筒單元1313之各複數個輸送滾筒1311a之邊緣。然而，本發明並不受限於偵測部分1311b之位置。舉例來說，偵測部分1311b可沿輸送滾筒1311a之安排方向線性地設置。

偵測部分1311b偵測第一基板11與第二基板12之對準。舉例來說，偵測部分1311b可包含攝影機、紅外線感應器、光學感應器等等。偵測部分1311b可判定從輸送滾筒1311a輸送之第一基板11是否被二維地扭曲或發生多少扭曲。舉例來說，偵測部分1311b可比較第一基板11之位置值與第一基板11之設定理想位置值以判定第一基板11實際上扭曲了多少。

參照回第1A圖，第一基板11可完全地覆蓋設置於第二基板12之中央部位之分離區12a並接觸接合區12b。因此，當第一基板11以第一基板11被二 維地扭曲的狀態設置於第二基板12上時，分離區12a可被暴露於外部導致第一及第二基板11及12間接合的問題。因此，其可能難以保證產品可靠性。此外，就第一層壓設備而言，第一基板11以第一基板11之頂面向上的狀態輸送，以最小化設備空間。然後，第一基板11之頂面被倒置以面朝下，從而接觸第二基板12。以此方式，因為在輸送第一基板11期間不可能修正第一基板11之扭曲，可能需要透過使用對準單元1311以對準第一及第二基板11及12於彼此之過程。

當第一基板11之二維扭曲未被偵測部分1311b偵測到時，第一基板11就這樣被供給到第一滾筒單元1313。然而，當第一基板11之二維扭曲被偵測部分1311b偵測到時，第一控制單元1314可調整位置，舉例來說，輸送滾筒1311a之平角，以修正第一基板11之扭曲。為此，複數個輸送滾筒可以平角個別地調整。舉例而言，角度調整單元可被提供在各輸送滾筒1311a上以調整各輸送滾筒1311a之平角。因為機械裝置如角度調整單元在先前已被廣泛了解，省略其細節描述。然而，本發明之實施例不限於此。舉例來說，第一基板11之扭曲可透過分離的修正裝置，如機械手臂133a，直接修正。

靜電可被施加於第一滾筒單元1313之外圍面以透過使用電吸引力輸送第一基板11。舉例來說，第一滾筒單元1313可為靜電放電(electrostatic discharge,ESD)滾筒。第一滾筒單元1313可沿其外圍面輸送自對準單元1311輸送之第一基板11以接觸在平台1312上之第二基板12。第一滾筒單元1313以與設置於對準單元1311中之各輸送滾筒1311a之旋轉方向相同方向旋轉。第二控制單元1315可根據第一滾筒單元1313之外圍面之位置控制靜電之施加。舉例來說，當第一基板11從對準單元1311接觸第一滾筒單元1313時，靜電被施加。當第一基板11被輸送時，靜電被施加到接觸第一基板11之第一滾筒單元1313之整個外圍 面。此外，當第一及第二基板11及12接觸彼此時，靜電未被施加於第一滾筒單元1313之外圍面所以第一基板11從第一滾筒單元1313分離以接觸第二基板12。如上所述，第二控制單元1315可根據第一基板11之接觸狀態控制到第一滾筒單元1313之外圍面之靜電施加。

第二控制單元1315可根據第一滾筒單元1313之旋轉速率控制平台1312之位置。當第一滾筒單元1313旋轉以允許第一基板11接觸第二基板12時，第二控制單元1315可根據第一滾筒單元1313之旋轉方向及速率移動平台1312。結果，整個第一基板11可先後地接觸第二基板12。

第一滾筒單元1313可執行用於往第二基板12之上側輸送第一基板11之簡單功能以及可不施壓給接觸彼此之第一及第二基板11及12。因此，第一滾筒單元1313之表面可用堅硬材料製成。此外，第一滾筒單元1313及平台1312可以等於或大於相對應之第一及第二基板11及12之厚度總和之距離d在空間上彼此相距。也就是說，第一滾筒單元1313及平台1312可以對應第一及第二基板11及12之厚度總和之距離d在空間上彼此相距，因第一滾筒單元1313不施壓給第一及第二基板11及12，如果第一滾筒單元1313以大於第一及第二基板11及12之厚度總和之距離平台1312空間上相距，第一滾筒單元1313可為可操作的。

參照第7A圖，從第三腔室133之機械手臂133a輸送之第一基板11被設置於對準單元1311之輸送滾筒1311a上，以及第二基板12被設置於平台1312上。此處，第一基板11被設置於第二基板12上，因為第一基板11透過第一滾筒單元1313被放置於第二基板12上。

第一基板11在對準單元1311與第二基板12對準。細節上，當第一基板11沿輸送滾筒1311a輸送時，第一基板之二維扭曲藉由偵測部分1311b偵測。此處，如果發生第一基板11之扭曲，第一基板11之扭曲可被修正。

參照第7B圖，當對準之第一基板11先後地接觸以一方向旋轉之第一滾筒單元1313，靜電可被先後地施加給第一滾筒單元1313之外圍面。因此，第一基板11沿圓弧形軌跡在第一滾筒單元1313之外圍面上往第二基板輸送。

參照第7C圖，當對準之第一基板11先後地接觸第二基板12，可停止對第一滾筒單元1313外圍面靜電之施加。同時地，支撐第二基板12之平台1312可以第一滾筒單元1313之旋轉方向移動。此處，平台1312之移動速率及第一滾筒單元1313之旋轉速率可彼此聯動。因此，第一及第二基板11及12可先後地接觸彼此。

根據本發明之實施例，第一基板11可以第一基板11之親水面朝上的狀態對準。然後第一基板11之親水面可被倒置以面向下側，沿圓弧形軌跡去接觸第二基板12之親水面。在上述方法中，在起始階段，第一基板11被設置在第二基板12上。因此，相較於比較實施例，上述方法可為更穩定，因為第一基板11之親水面被倒置以接觸第二基板12之親水面。因此，可避免第一基板11之損傷。此外，相較於比較實施例，因用於倒置第一基板11所需之空間相對較小，設備體積可被最小化。

第8圖為描繪第二腔室132之第二層壓設備之詳圖。第9A及9B圖為描繪驅動第2圖之第二腔室中之第二層壓設備的過程之圖。在下文中，第二層壓設備之結構及驅動方法藉參照第8到9B圖描述。

第二層壓設備可為用於接合接觸彼此之第一及第二基板11及12之設備。也就是說，第二層壓設備施壓給接觸彼此之第一及第二基板11及12，透過使用滾動方法以層壓第一及第二基板11及12。第二層壓設備包含施壓給第一及第二基板11及12以接合第一基板11到第二基板12之滾筒單元1323，以及分別設置於滾筒單元1323之前端及後端之第一及第二輸送單元。

滾筒單元1323可為透過使用滾動方法施壓給二基板之單元。滾筒單元1323可包含至少二上與下滾筒。滾筒單元1323可具有以如胺甲酸乙酯、橡膠等等之軟性材料製成之外圍面。因此，雖然第一基板11透過滾筒單元1323被施壓及接合，第一基板11之損傷可被避免。在其中兩基板透過滾筒單元1323接合於彼此之方法中，因兩基板透過線接觸先後地被接合，兩基板之間的氣阱可被移除。

第一及第二基板11及12彼此可有不同厚度、表面狀態以及被施壓時之壓力分佈。此外，由於基板具有分離區12a及接合區12b，將接合於彼此之兩基板之部分可為不均勻。因此，當兩基板透過使用滾筒單元1323施壓及接合時，可能發生第一基板11或第一及第二基板11及12之彎曲或翹曲。如果顯示裝置形成於彎曲的第一基板11上，則可能發生圖樣形成錯誤以劣化顯示裝置之可靠性。要解決上述限制，根據本發明之實施例，可提供第一及第二輸送單元。

第一輸送單元包含複數個輸送滾筒1321以輸送接觸彼此之第一及第二基板11及12到滾筒單元1323。第二輸送單元包含複數個載運滾筒1322以載運過滾筒單元1323接合於彼此之第一及第二基板11及12到第三輔助腔室123。各複數個輸送及載運滾筒1321及1322可根據第一及第二基板11及12之彎曲 及翹曲設置高度。也就是說，各輸送滾筒1321及載運滾筒1322可設定高度以抵消第一及第二基板11及12之彎曲及翹曲。

根據本發明之實施例，複數輸送及載運滾筒1321及1322之高度可設定如下：初步層壓於彼此上之第一及第二基板11及12之彎曲或翹曲程度可透過厚度、表面狀態、被施壓時壓力分佈以及透過滾筒單元1323施加於各第一及第二基板11及12之壓力的整體考量而決定。彎曲或翹曲程度可透過模擬或複數個實驗推測。此外，輸送及載運滾筒1321及1322可事先地設定以抵消彎曲或翹曲。也就是說，在層壓過程實行前，可先設定第一及第二輸送單元。

舉例來說，參照第9A圖，如果假設通過第一輸送單元之第一及第二基板11及12未近乎彎曲或翹曲，第一輸送單元之輸送滾筒1321可被設置為平行於滾筒單元1323。然而，對於透過通過滾筒單元1323而接合於彼此之第一及第二基板11及12之情形來說，如果假設發生朝向第一基板11之彎曲，參照第9B圖，第二輸送單元之載運滾筒1322可被設置向下傾斜以透過重力抵消彎曲。然而，這僅是範例，以及因此，可根據基板之狀態及滾動之程度採取各種應用。

操作第8圖之第二層壓設備之方法將被簡單描述。

首先，接觸彼此之第一及第二基板11及12透過機械手臂133a從第一腔室131被輸送到第二腔室132。第一及第二基板11及12透過第一輸送單元被輸送到滾筒單元1323。

當通過滾筒單元1323時，第一及第二基板11及12可先後以線接觸方法滾動，然後層壓及接合於彼此。此處，兩基板間之氣阱可被移除。因第一及第二基板11及12在第一腔室131中預先對準於彼此，在第二腔室132中可不發生兩基板間之未對準。

接合於彼此之第一及第二基板11及12可透過第二輸送單元被輸送進第三輔助腔室123，然後，可實行下一個過程。

在根據本發明實施例之基板處理系統100及使用其之基板處理方法中，當顯示裝置於第一及第二基板11及12接合於彼此後形成於第一基板11上，氣阱可不發生在第一及第二基板11及12之間以避免第一基板11被彎曲或翹曲，從而提升可靠性。

第一及第二層壓設備可獨立於基板處理系統100使用。此外，第一及第二層壓設備可彼此一同或單獨地使用。

根據本發明之實施例，薄板玻璃及載體玻璃可容易地被對準於彼此。此外，當薄板玻璃及載體玻璃層壓於彼此時，可不發生氣阱。另外，薄板玻璃及載體玻璃可根據兩玻璃之彎曲程度層壓。

需被了解的是，本文中所述之例示性實施例應被認為僅係描述之意思且並不用於限制。各實施例中特徵或態樣之描述應典型地被認為通用於其他實施例中之其他相似特徵或態樣。雖然本發明之一或多個實施例已參照圖式而描述，所屬領域中一般技術人員將了解的是，可對其進行各種形式上或細節上的變化而不偏離如以下發明申請專利範圍所定義之本發明之精神與範疇。

11‧‧‧第一基板

12‧‧‧第二基板

131‧‧‧第一腔室

133a‧‧‧機械手臂

1311‧‧‧對準單元

1311a‧‧‧輸送滾筒

1311b‧‧‧偵測部分

1312‧‧‧平台

1313‧‧‧第一滾筒單元

1314‧‧‧第一控制單元

1315‧‧‧第二控制單元

d‧‧‧距離

Claims (17)

1. 一種基板處理系統，其包含：一第一腔室，其包含其中一第一基板對應於一第二基板，以使該第一基板與該第二基板接觸於彼此，從而初步層壓該第一基板及該第二基板之一第一層壓構件；一第二腔室，其包含其中被初步層壓之該第一基板及該第二基板被施壓及層壓在彼此上之一第二層壓構件；以及一第三腔室，其包含輸送該第一基板及該第二基板之一機械手臂，該第三腔室連結於該第一腔室及該第二腔室；其中該第二層壓構件包含：一第二滾筒單元，其施壓給被初步層壓之該第一基板及該第二基板其以層壓該第一基板及該第二基板於彼此上；一第一輸送單元，其包含輸送被初步層壓之該第一基板及該第二基板到該第二滾筒單元之複數個輸送滾筒；以及一第二輸送單元，其包含載運被施壓及層壓到彼此上之該第一基板及該第二基板到一第三輔助腔室之複數個載運滾筒；其中各該複數個輸送滾筒及複數個載運滾筒係根據該第一基板及該第二基板之彎曲程度設定高度。
2. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理系統，其進一步包含：一第一清潔單元，其清潔至少該第一基板之一頂面，該第一清潔單元連接於該第三腔室；以及一第二清潔單元，其清潔至少該第二基板之一頂面，該第二清潔單元連接於該第三腔室。
3. 如申請專利範圍第2項所述之基板處理系統，其中該第一清潔單元包含以該第三腔室之方向輸送該第一基板之複數個輸送滾筒，該第二清潔單元包含以該第三腔室之方向輸送該第二基板之複數個輸送滾筒，以及該第一清潔單元之該複數個輸送滾筒之間的距離小於該第二清潔單元之該複數個輸送滾筒之間的距離。
4. 如申請專利範圍第2項所述之基板處理系統，其中該第一清潔單元及該第二清潔單元各維持在大氣壓，該第一腔室到該第三腔室各維持在真空狀態，以及用於調整壓力之一第一輔助腔室放置於該第一清潔單元與該第三腔室間，以及用於調整壓力之一第二輔助腔室放置於該第二清潔單元與該第三腔室間。
5. 如申請專利範圍第4項所述之基板處理系統，其中該機械手臂從該第一輔助腔室輸送該第一基板到該第一腔室以及從該第二輔助腔室輸送該第二基板到該第一腔室。
6. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理系統，其更進一步包含連結於該第二腔室之該第三輔助腔室以調整壓力。
7. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理系統，其中該第一層壓構件包含：一平台，該第二基板被放置於其上；一對準單元，以對應於該第二基板之方向輸送該第一基板；以及 一第一滾筒單元，靜電施加於其外圍面，該第一滾筒單元從該對準單元，以其旋轉方向沿外圍面，藉由靜電輸送該第一基板，以初步層壓該第一基板到該第二基板上，其中該平台被放置於該第一滾筒單元下，以及該對準單元被放置於該第一滾筒單元上。
8. 一種使一第一基板及一第二基板接觸於彼此以初步層壓該第一基板及該第二基板之層壓設備，該層壓設備包含：一平台，該第二基板被放置於其上；一對準單元，以一個方向輸送該第一基板以對應於該第二基板；一第一滾筒單元，靜電施加於其外圍面處，該第一滾筒單元從該對準單元，以其旋轉方向沿外圍面，藉由該靜電輸送該第一基板，以初步層壓該第一基板到該第二基板上，其中該平台被放置於該第一滾筒單元下，以及該對準單元被放置於該滾筒單元上；其中被初步層壓於彼此上之該第一基板及該第二基板藉由一第一輸送單元輸送及藉由一第二滾筒單元層壓，以及被施壓及層壓到彼此上之該第一基板及該第二基板藉由一第二輸送單元載運；其中該第一輸送單元包含複數個輸送滾筒及該第二輸送單元包含複數個載運滾筒，各該複數個輸送滾筒及複數個載運滾筒係根據該第一基板及該第二基板之彎曲程度設定高度。
9. 如申請專利範圍第8項所述之層壓設備，其中該對準單元包含 以一個方向輸送該第一基板之複數個輸送滾筒以及偵測該第一基板之扭曲之一偵測部分，以及該層壓設備更進一步包含當該第一基板之扭曲被該偵測部分偵測到時，調整該複數個輸送滾筒之位置以更正該第一基板之扭曲之一第一控制單元。
10. 如申請專利範圍第8項所述之層壓設備，其更進一步包含根據該第一基板是否接觸該滾筒單元，控制靜電施加到該滾筒單元之外圍面之一第二控制單元。
11. 如申請專利範圍第10項所述之層壓設備，其中該第二控制單元與該滾筒單元之旋轉速率聯動以根據該第一基板是否接觸該第二基板，控制該平台之移動。
12. 如申請專利範圍第8項所述之層壓設備，其中該平台及該滾筒單元以對應於該第一基板及該第二基板之厚度總和之距離空間上互相隔離。
13. 一種施壓給被初步層壓於彼此上之一第一基板及一第二基板以層壓該第一基板及該第二基板之層壓設備，該層壓設備包含：一滾筒單元，其施壓給被初步層壓於彼此上之該第一基板及該第二基板以層壓該第一基板及該第二基板；一第一輸送單元，其包含輸送被初步層壓於彼此上之該第一基板及該第二基板到該滾筒單元之複數個輸送滾筒；以及一第二輸送單元，其包含載運被施壓及層壓到彼此上之該第一基板及該第二基板到一輔助腔室之複數個載運滾筒； 其中各該複數個輸送滾筒及複數個載運滾筒係根據該第一基板及該第二基板之彎曲程度設定高度。
14. 如申請專利範圍第13項所述之層壓設備，其中該滾筒單元具有以一軟性材料製成之外圍面。
15. 一種基板處理方法，其包含：在大氣壓力下分別清潔至少一第一基板及一第二基板之頂面；在真空狀態中使該第一基板之頂面接觸該第二基板之頂面以初步層壓該第一基板及該第二基板到彼此上；以及在真空狀態中施壓給被初步層壓之該第一基板及該第二基板以層壓該第一基板及該第二基板到彼此上，根據該第一基板及該第二基板之彎曲程度設定複數個輸送滾筒及複數個載運滾筒之高度。
16. 如申請專利範圍第15項所述之基板處理方法，其中該第一基板及該第二基板之初步層壓包含：對準該第一基板以使該第一基板被放置於該第二基板上以對應該第二基板；以及沿一圓弧形軌跡往該第二基板輸送該第一基板以使該第一基板及該第二基板之頂面接觸於彼此。
17. 如申請專利範圍第15項所述之基板處理方法，其中施壓給該第一基板及該第二基板以層壓該第一基板及該第二基板包含滾動接觸於彼此之該第一基板及該第二基板以層壓該第一基板及該第二基板。