TWI731438B - 成膜裝置 - Google Patents

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TWI731438B
TWI731438B TW108137474A TW108137474A TWI731438B TW I731438 B TWI731438 B TW I731438B TW 108137474 A TW108137474 A TW 108137474A TW 108137474 A TW108137474 A TW 108137474A TW I731438 B TWI731438 B TW I731438B
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平松孝浩
波戸信義
岩尾有佑
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日商東芝三菱電機產業系統股份有限公司
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Abstract

本發明的目的在於提供一種成膜裝置，可不減低成膜品質，不減低成膜速度，而在基板上形成薄膜，且謀求改善成膜處理的產能。對此，本發明係沿著基板搬送路徑用圓周(M1)上配置加熱室(H10)及成膜室(F10)。加熱室(H10)及成膜室(F10)係彼此鄰接配置。藉由基板搬送裝置(8)，將複數個基板(10)以沿著基板搬送路徑用圓周(M1)上的基板旋轉方向(R1)作為移動方向同時搬送。在藉由加熱室(H10)內的紅外線照射器(2、4)實行基板(10)的加熱處理之後，實行藉由成膜室(F10)內的薄膜形成噴嘴(1L、1H)對基板(10)進行的噴霧噴射處理，而在複數個基板(10)的表面上以及反面上分別形成薄膜。

Description

成膜裝置
本發明有關於使用於太陽電池等電子裝置的製造，在基板上形成膜的成膜裝置。
在基板上形成膜的方法有化學氣相成長(CVD(Chemical Vapor Deposition))法。然而，化學氣相成長法常須在真空下成膜，除了真空泵等，必須使用大型的真空容器。進一步地，從成本等觀點來看，化學氣相成長法中，有著要成膜的基板難以採用大面積者的問題。對此，可在大氣壓下進行成膜處理的噴霧法受到注目。
關於利用噴霧法的成膜裝置之先前技術，例如存在有專利文獻1的技術。
專利文獻1的技術，係從原料溶液噴出口以及反應材料噴出口對配置在大氣中的基板噴射霧化的原料溶液以及反應材料，其中，該原料溶液噴出口以及反應材料噴出口係設在包含噴霧噴射用噴嘴等的噴霧噴射頭部的底面。藉由該噴射而在基板上形成膜。另外，反應材料係指有助於與原料溶液反應的材料。
以專利文獻1為代表的以往的成膜裝置，係藉由同時實施利用薄膜形成噴嘴的噴霧噴射處理以及利用加熱機構的加熱處理，在基板上形成薄膜。
另外，一般係在將基板載置在上表面上的基板積載台的內部設有加熱機構，並將此基板積載台使用作為平面型加熱手段。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2017/068625號
如上所述，以往的成膜裝置，一般係在基板積載台的內部設有加熱機構，並將基板積載台使用作為平面型加熱手段，其中，該基板積載台係將屬於成為成膜對象物的基材之基板載置在其上表面上。
使用如基板積載台的平面型加熱手段時，使基板積載台的上表面與基板的下表面接觸，使基板積載台與基板間傳熱而實施基板的加熱處理。
但是，基板並非平板形狀，其下表面彎曲或下表面呈現具有凹凸的構造時，平面型加熱手段中，基板積載台的上表面與基板的反面之接觸變得只有部分而己。因此，藉由加熱機構實施加熱處理時，基板的加熱變得不均勻，有著基板產生翹曲、變形等問題點。
本發明的目的在於提供一種成膜裝置，以解決如上述的問題點，，可不減低成膜品質與成膜速度而在基板上形成薄膜，且謀求改善成膜處理的產能。
本發明之成膜裝置係具備，基板搬送部，係沿著預定的圓周上搬送基板；加熱機構，係設在沿著前述預定的圓周上配置的加熱室內，與前述加熱室內的前述基板不接觸地實施加熱前述基板的加熱處理；以及噴霧噴射部，係設在沿著前述預定的圓周上配置的成膜室內，實施將原料溶液霧化而得之原料霧朝前述成膜室內的前述基板噴射之噴霧噴射處理；前述加熱室與前述成膜室係彼此分離配置，在藉由前述基板搬送部搬送前述基板的狀態下，藉由前述加熱機構實行加熱處理之後，藉由前述噴霧噴射部實行噴霧噴射處理，而在前述基板上形成薄膜。
請求項第1項所述之本案發明之成膜裝置由於具備與加熱室內的基板不接觸地實行加熱基板的加熱處理之加熱機構，故藉由加熱機構實施的加熱處理，不論基板的形狀如何，皆可均勻地加熱基板。
進一步地，由於將熱機構及噴霧噴射部分離地配置於加熱室及成膜室，使加熱處理與噴霧噴射處理彼此不受影響，所以噴霧噴射處理不會對加熱處理造成不良影響。
結果，請求項第1項所述之本案發明之成膜裝置係在加熱機構實行加熱處理之後，利用噴霧噴射部實行噴霧噴射處理，藉此可不減低成膜品質，不減低成膜速度，而在基板的表面形成薄膜。
進一步地，請求項第1項所述之本案發明之成膜裝置係在預定的圓周上配置設有加熱機構之加熱室及設有噴霧噴射部之成膜室，且藉由基板搬送機構沿著上述預定的圓周上搬送基板。
因此，請求項第1項所述之本案發明之成膜裝置係藉由基板搬送部使基板在預定的圓周上繞圈複數次而搬送，藉此可抑制加熱機構及噴霧噴射部的數量於必要最小限度，且可提高包含加熱處理及噴霧噴射處理的成膜處理的產能。
藉由以下的詳細說明與圖式，應可更明瞭本發明之目的、特徴、適用場合、及優點。
1H、1L、11至13:薄膜形成噴嘴
2、4:紅外線照射器
31、41:燈載置台
42、32:紅外線燈
6、6A、6B:基板保持具
60:基板框體
61至63:基板導引構件
64:基板導引構件
66:基板頂銷
68:銷支持台
69:銷裝設台
8:基板搬送裝置
8r:旋轉本體
8p:旋轉輔助構件
10:基板
21至23、231至233:噴霧噴射口
51:滾筒
52:運送帶
53:運送機
71至75:成膜裝置
83、91:上部容器
84、92:下部容器
88:開口部
98:開口部
101:薄膜形成噴嘴
102、104:紅外線照射器
107:氣簾
110:基板
112:薄膜製造裝置
121、141:燈載置台
122、142:紅外線燈
801、802:加熱室
901、902:成膜室
C1至C3:中心點
CB、CA:圓弧長
d1至d3:半徑
F10、F21、F22、F30:成膜室
H10、H21、H22、H30:加熱室
LR:紅外線
MT:原料霧
M1至M3:基板搬送路徑用圓周
R1至R3:基板旋轉方向
第1圖係示意顯示本發明之實施方式1之成膜裝置的平面構造的說明圖。
第2圖係顯示實施方式1之成膜裝置的剖面構造之剖面圖。
第3圖係示意顯示本發明之實施方式2之成膜裝置的平面構造的說明圖。
第4圖係示意顯示本發明之實施方式3之成膜裝置的平面構造的說明圖。
第5圖係示意顯示本發明之實施方式4之成膜裝置的平面構造的說明圖。
第6圖係顯示實施方式4之成膜裝置的剖面構造之剖面圖。
第7圖係顯示實施方式4之基板保持具的第1態樣之平面構造之平面圖(其1)。
第8圖係顯示實施方式4之基板保持具的第1態樣之平面構造之平面圖(其2)。
第9圖係顯示第8圖之C-C剖面之剖面構造之剖面圖。
第10圖係顯示實施方式4之基板保持具的第2態樣之平面構造之平面圖(其1)。
第11圖係顯示實施方式4之基板保持具的第2態樣之平面構造之平面圖(其2)。
第12圖係顯示第11圖之D-D剖面之剖面構造剖面圖。
第13圖係示意顯示本發明之實施方式5之成膜裝置中薄膜形成噴嘴的平面構造的說明圖。
第14圖係示意顯示實施方式5之成膜裝置的第1變形例之薄膜形成噴嘴的平面構造的說明圖。
第15圖係示意顯示實施方式5之成膜裝置的第2變形例之薄膜形成噴嘴的平面構造的說明圖。
第16圖係顯示本發明之前提技術之成膜裝置的概略構成之說明圖。
<前提技術>
可考量改掉以往的平面型加熱手段而使用紅外線照射器作為加熱機構。藉由使用紅外線照射器，可不接觸基板而以屬於電磁波的紅外線直接加熱，故可無關於基板的形狀而均勻地加熱。
但是，原料溶液霧化而得的原料霧會吸收紅外線，且原料霧會因加熱而蒸發，故有形成在基板上的薄膜的成膜品質、成膜處理中的成膜速度減低的問題。另外，噴射原料霧之噴霧噴射處理本身也有妨礙基板加熱的問題。
為了解決這些問題，可考慮將加熱步驟與成膜步驟(噴霧噴射步驟)分離而分別於各自的空間進行的改良製法。藉由使用此改良製法，不論基板的形狀如何，都可不減低薄膜的成膜品質，不減低成膜處理中成膜速度而成膜。
但是，基板剛結束加熱步驟之後，基板的溫度便會急劇地減低，所以須要反覆進行加熱步驟與成膜步驟。因此，考量了第一方法：分別準備複數個進行加熱處理的加熱機構以及進行噴霧噴射處理的噴霧噴射部，並將複數個加熱機構與複數個噴霧噴射部多次交互排列。進一步地，考量了第二方法：使基板在單一的加熱機構與單一的噴霧噴射部之間來回複數次。
第16圖係顯示本發明之前提技術之上述第一方法具體化之成膜裝置的概略構成之說明圖。第16圖中係標記XYZ直角座標系。
如第16圖所示，前提技術的薄膜製造裝置112係包含加熱室801、802、成膜室901、902、二個薄膜形成噴嘴101、以及二組紅外線照射器102、104的組合，以及運送機53作為主要構成要素。
紅外線照射器102係由燈載置台121以及複數個紅外線燈122所構成，複數個紅外線燈122係裝設於燈載置台121的上部。因此，紅外線照射器102可從複數個紅外線燈122朝上方(+Z方向)照射紅外線。藉由利用紅外線照射器102的上述紅外線照射，可對載置於運送帶52的上表面之複數個基板110的反面實行加熱處理(第一方向加熱處理)。
紅外線照射器104係由燈載置台141以及複數個紅外線燈142所構成，複數個紅外線燈142係裝設於燈載置台141的下部。因此，紅外線照射器104可從複數個紅外線燈142朝下方(-Z方向)照射紅外線。藉由利用紅外線照射器104的上述紅外線照射，可對載置於運送帶52的上表面之複數個基板110的表面實行加熱處理(第二方向加熱處理)。
作為基板搬送部之運送機53係以運送帶52的上表面載置複數個基板110，並且將複數個基板110沿搬送方向(X方向)搬送。運送機53係具備設在左右兩端的搬送用的一對滾筒51，以及繞掛於一對滾筒51的無端狀的搬送用運送帶52。
運送機53可藉由一對滾筒51的旋轉驅動，使上方側(+Z方向側)的運送帶52沿著搬送方向(X方向)移動。
運送機53的一對滾筒51中，一個設在加熱室801外的左方(-X方向)，另一個設在成膜室902的右方(+X方向)。另外，運送帶52的中央部係設在加熱室801、加熱室802、成膜室901以及成膜室902中的任一者的內部。
因此，運送帶52藉由一對滾筒51的旋轉驅動，可經由設在加熱室801、802各者的左右(-X方向，+X方向)的側面的一部分之一對開 口部88，以及設在成膜室901、902各者的左右的側面之一部分之一對開口部98，在加熱室801、802之內部、成膜室901、902之內部、以及外部之間移動。
加熱室801、802與成膜室901、902係以加熱室801、成膜室901、加熱室802、成膜室902的順序，由左方至右方鄰接設置。另外，加熱室801的右側的開口部88與成膜室901的左側的開口部98共用，成膜室901的右側的開口部98與加熱室802的左側的開口部88共用，加熱室802的右側的開口部88與成膜室902的開口部98共用。
運送機53的一部分係收納於加熱室801、802。加熱室801、802之內部以及周邊的構成係相同，故以下以加熱室801為中心做說明。
加熱室801係由上部容器83、下部容器84以及一對開口部88所構成。一對開口部88係在Z方向的高度方向，位於上部容器83與下部容器84之間。因此，設在加熱室801內的開口部88、88間的運送機53係配置在高於下部容器84而低於上部容器83的位置。
於加熱室801之周邊，作為第一方向加熱部之紅外線照射器102係以未圖示的固定手段，固定在下部容器84外的下方(-Z方向)側之與運送機53分離的位置。
於加熱室801之周邊，作為第二方向加熱部之紅外線照射器104係以未圖示的固定手段，固定在上部容器83外的上方(+Z方向)側之與運送機53分離的位置。藉由紅外線照射器102以及紅外線照射器104構成加熱機構。
另外，紅外線照射器102、104皆配置在俯視下與加熱室801內的運送帶52的上表面區域(線狀的一對運送機鏈包夾的區域)重疊的位置。
加熱室801、802係分別以不會吸收從紅外線照射器102、104照射的紅外線而穿透性優異的紅外線透過材料作為構成材料。具體而言，加熱室801、802係分別採用石英玻璃作為構成材料。
第一方向加熱部之紅外線照射器102係從基板110的反面側(另一主面側)朝+Z方向(第一方向)照射紅外線，從反面側加熱基板110，進行第一方向加熱處理。
第二方向加熱部之紅外線照射器104係從基板110的表面側(一主面側)朝+Z方向的相反方向之-Z方向(第二方向)照射紅外線，從表面側加熱基板110，進行第二方向加熱處理。
另外，加熱室801在實行紅外線照射器102、104的加熱處理(第一方向加熱處理以及第二方向加熱處理)時，基板110係收容於內部。
加熱室801可在進行加熱處理之際，藉由氣簾107來遮擋上部容器83、下部容器84間的開口部88，將載置在運送帶52上的複數個基板110與外部隔離。
如此，前提技術的薄膜製造裝置112係具有作為第一加熱機構的設在加熱室801之外部周邊之紅外線照射器102、104，以及作為第二加熱機構之設在加熱室802之外部周邊之紅外線照射器102、104。
並且，對加熱室801內的複數個基板110，藉由紅外線照射器102、104實行第一加熱處理，對加熱室802內的複數個基板110，藉由 紅外線照射器102、104實行第二加熱處理。該等第一以及第二加熱處理係分別包含上述第一方向加熱處理以及第二方向加熱處理。
成膜室901、902係分別收納薄膜形成噴嘴101以及運送機53的一部分。由於成膜室901、902之內部構成相同，故以下係以成膜室901為中心做說明。
成膜室901係由上部容器91、下部容器92以及一對開口部98所構成。一對開口部98係在Z方向之高度方向，位於上部容器91與下部容器92之間。因此，設在成膜室901內的開口部98、98間之運送機53係配置在高於下部容器92而低於上部容器91的位置。
成膜室901中，作為噴霧噴射部之薄膜形成噴嘴101係藉由未圖示之固定手段固定配置在上部容器91內。此時，薄膜形成噴嘴101係以噴射面與運送帶52的上表面為相對向的位置關係來配置。
成膜室901中，薄膜形成噴嘴101係從設在噴射面的噴射口，向下方(-Z方向)噴射原料霧MT而實行噴霧噴射處理。
如此，前提技術的薄膜製造裝置112具有作為第一噴霧噴射部之設在成膜室901內的薄膜形成噴嘴101，且具有作為第二噴霧噴射部之設在成膜室902內的薄膜形成噴嘴101。
並且，藉由設在成膜室901內的薄膜形成噴嘴101實行第一噴霧噴射處理，藉由設在成膜室902內的薄膜形成噴嘴101實行第二噴霧噴射處理。
成膜室901、902分別可在進行噴霧噴射處理之際，藉由氣簾107遮擋上部容器91、下部容器92間的開口部98，將薄膜形成噴嘴101，以及載置在運送帶52上的複數個基板110與外部隔離。
因此，前提技術的薄膜製造裝置112可藉由氣簾107，使加熱室801、802各別的一對開口部88以及成膜室901、902各別的一對開口部98皆成為封閉狀態，藉由使運送機53的運送帶52沿著搬送方向(X方向)移動而設定成膜環境。
前提技術的薄膜製造裝置112係在上述成膜環境下，以對加熱室801、802內的基板110進行的加熱處理與對成膜室901、902內的基板110進行的噴霧噴射處理彼此不會受到影響的方式，分別分離地配置二組紅外線照射器102、104的組合以及二個薄膜形成噴嘴101。
並且，前提技術的薄膜製造裝置112係在上述成膜環境下，對加熱室801內的複數個基板110藉由紅外線照射器102、104的紅外線照射實行第一加熱處理之後，在成膜室901內藉由薄膜形成噴嘴101實行第一噴霧噴射處理。
之後，薄膜製造裝置112係在上述成膜環境下，對加熱室802內的複數個基板110藉由紅外線照射器102、104的紅外線照射實行第二加熱處理後，在成膜室902內藉由薄膜形成噴嘴101實行第二噴霧噴射處理。
結果，前提技術的薄膜製造裝置112最終可於成膜室902中載置在運送帶52的上表面之基板110的表面上形成薄膜。
如此，前提技術的薄膜製造裝置112可與基板110之間不具有接觸關係，藉由二組紅外線照射器102、104的組合來加熱基板110，故可不使基板110變形而無論基板110的形狀如何皆進行均勻的加熱。
進一步地，前提技術的薄膜製造裝置112係以加熱處理與噴霧噴射處理彼此不會受到影響的方式，將二組紅外線照射器102、104以及二個薄膜形成噴嘴101各別分離地配置。因此，薄膜製造裝置112在分別實行第一、第二加熱處理以及第一、第二噴霧噴射處理時，可確實地回避上述原料霧蒸發現象的產生。
結果，前提技術的薄膜製造裝置112，可不減低成膜品質，不減低成膜速度，而在基板110的表面上形成薄膜。
前提技術的薄膜製造裝置112係如上所述，以第一、第二加熱處理以及第一、第二噴霧噴射處理間不會受到影響的方式，以第一、第二的順序交互配置第一、第二加熱機構以及第一、第二噴霧噴射部。
並且，前提技術的薄膜製造裝置112的特徵在於以第一、第二的順序，交互實行第一、第二加熱處理以及第一、第二噴霧噴射處理。
因此，前提技術的薄膜製造裝置112可藉由實行二次交互反覆的加熱處理以及噴霧噴射處理，使要成膜之薄膜的膜厚變厚，或藉由膜質不同的二個膜的積層構造來形成薄膜。
另外，上述之薄膜製造裝置112係顯示了二個加熱機構與二個噴霧噴射部的組合，但亦可實現n(n≧2)個加熱機構與n個噴霧噴射部的組合之擴張變形例。
上述擴張變形例具有實行第一至第n的加熱處理之第一至第n的加熱機構，以及實行第一至第n的噴霧噴射處理之第一至第n的噴霧噴射部。
上述擴張變形例係以第一至第n的加熱處理以及第一至第n的噴霧噴射處理間不會受到影響的方式，以第一至第n的順序，交互分離地配置第一至第n的加熱機構以及第一至第n的噴霧噴射部。
並且，上述擴張變形例的特徵在於以第一、第二、…第n的順序，交互實行第一至第n的加熱處理以及第一至第n的噴霧噴射處理。
因此，上述擴張變形例可藉由交互重覆實行n(≧2)次加熱處理以及噴霧噴射處理，使要成膜之薄膜的膜厚變厚，或藉由膜質不同的n層膜的積層構造來形成薄膜。
此外，前提技術的薄膜製造裝置112中，就對加熱室801、802內的基板110進行之第一以及第二加熱處理而言，係同時進行由紅外線照射器102進行之第一方向加熱處理以及由紅外線照射器104進行之第二方向加熱處理。
結果，前提技術的薄膜製造裝置112可更均勻地加熱分別於加熱室801、802內的基板110。
然而，如第16圖所示的前提技術所代表的第一方法中，由於需設置複數個作為加熱機構的紅外線照射器102、104，以及作為噴霧噴射部的薄膜形成噴嘴101，故有招致成本上升的問題點。
另一方面，第二方法中，由於在單一的加熱機構與單一的噴霧噴射部之間移動之際，必然會產生皆無法實行加熱處理以及噴霧噴射處理之任一者的閒置時間，故有成膜處理的產能變低的問題點。
以下所述的實施方式的目的在於解決上述第一及第二方法的問題點，將加熱機構以及噴霧噴射部的數量抑制於必要最小限度，而且，提高成膜處理的產能。
<實施方式1>
第1圖係示意顯示本發明之實施方式1之成膜裝置71的平面構造的說明圖。第2圖係顯示實施方式1之成膜裝置71之剖面構造之剖面圖。第2圖係顯示第1圖之A-A剖面，第1圖、第2圖中分別顯示XYZ直角座標系。
如第1圖所示，設定基板搬送路徑用圓周M1(預定的圓周)，此圓周係以中心點C1為中心，半徑為d1的圓周。
沿著基板搬送路徑用圓周M1上，圓弧狀地配置彼此分離的加熱室H10以及成膜室F10各者。加熱室H10以及成膜室F10係彼此鄰接配置，且以基板搬送路徑用圓周M1上實質上不產生閒置空間的方式設置。
藉由如後詳述之基板搬送裝置8，沿著基板搬送路徑用圓周M1上，以基板旋轉方向R1作為移動方向，同時搬送複數個基板10。俯視下，複數個基板10分別呈矩形形狀。複數個基板10係各別的中心恆常地位於基板搬送路徑用圓周M1上而被搬送。
如第2圖所示，作為第一方向加熱部之紅外線照射器2以未圖示的固定手段，固定於加熱室H10內與基板10分離的位置。作為第二方向加熱部之紅外線照射器4以未圖示的固定手段，固定於加熱室H10內與基板10分離的位置。藉由紅外線照射器2與紅外線照射器4的組合而構成加熱機構。加熱室H10除了後述的旋轉用側面開口區域之外，不具有與外部連通之開口區域。
另外，俯視下，紅外線照射器2、4係呈矩形形狀，在加熱室H10內離散地配置複數個。例如，在對應第1圖所示之複數個基板10(15個基板10)的位置，離散地配置複數個紅外線照射器2、4。並且，紅外線照射器2、4係在沿著基板搬送路徑用圓周M1搬送基板10之際，以俯視下包含基板10全體的方式，設計為比基板10稍為寬的形狀。
如此，加熱室H10內，紅外線照射器2、4係離散地設置複數個，但以下為了簡化說明，係以一組紅外線照射器2、4為代表做說明。
紅外線照射器2係由燈載置台31以及紅外線燈32所構成，紅外線燈32係裝設於燈載置台31的上部。因此，紅外線照射器2可從紅外線燈32朝上方(+Z方向(第一方向))照射紅外線LR。藉由紅外線照射器2進行上述的紅外線照射，可對基板10實行加熱處理(第一方向加熱處理)。
紅外線照射器4係由燈載置台41以及紅外線燈42所構成，紅外線燈42係裝設於燈載置台41的下部。因此，紅外線照射器4可從紅外線燈42朝下方(-Z方向)照射紅外線LR。藉由紅外線照射器4進行上述的紅外線照射，可對基板10實行加熱處理(第二方向加熱處理)。
如此，作為第一方向加熱部之紅外線照射器2係藉由向+Z方向(第一方向)照射紅外線LR，進行不接觸基板10而加熱基板10之第一方向加熱處理。+Z方向係設為基板10的反面朝向表面之方向。
另一方面，作為第二方向加熱部之紅外線照射器4係藉由向+Z方向的相反方向之-Z方向(第二方向)照射紅外線LR，進行不接觸基板10而加熱基板10之第二方向加熱處理。-Z方向係設為基板10的表面朝向反面之方向。
如此，紅外線照射器2、4係設於加熱室H10內，發揮作為實行加熱加熱室H10內的基板10之加熱處理(第一方向加熱處理+第二方向加熱處理)之加熱機構的功能。
作為第一方向噴霧噴射部之薄膜形成噴嘴1L係藉由未圖示的固定手段，固定配置成在成膜室F10內位於基板10的下方。此時，薄膜形成噴嘴1L係以噴霧噴射口與基板10的反面為相對向的位置關係來配置。
作為第二方向噴霧噴射部之薄膜形成噴嘴1H係藉由未圖示的固定手段，固定配置在成膜室F10內。此時，薄膜形成噴嘴1H係以噴霧噴射口與基板10的表面為相對向的位置關係來配置。另外，成膜室F10除了後述之旋轉用側面開口區域之外，不具有與外部連通的開口區域。
成膜室F10內，薄膜形成噴嘴1L係實行從噴霧噴射口向上方(+Z方向；第一方向)噴射原料霧MT之第一方向噴霧噴射處理。
成膜室F10內，薄膜形成噴嘴1H係實行從噴霧噴射口向下方(-Z方向；第二方向)噴射原料霧MT之第二方向噴霧噴射處理。
如此，實施方式1之成膜裝置71係具有作為第一方向噴霧噴射部之薄膜形成噴嘴1L，以及作為第二方向噴霧噴射部之薄膜形成噴嘴1H。因此，實施方式1之成膜裝置71係藉由薄膜形成噴嘴1L、1H的組合來構成噴霧噴射部，噴霧噴射部係藉由第一方向噴霧噴射處理以及第二方向噴霧噴射處理的組合來實行噴霧噴射處理。
如上所述，薄膜形成噴嘴1L、1H係設在沿著基板搬送路徑用圓周M1上配置的成膜室F10內，發揮作為實行將原料溶液霧化而得之原料霧MT朝向成膜室F10的基板10噴射之噴霧噴射處理之噴霧噴射部之功能。
此種構成的實施方式1之成膜裝置71係藉由未圖示之基板搬送裝置8，使複數個基板10(第1圖中顯示十六個基板10)沿著基板搬送路徑用圓周M1上，朝基板旋轉方向R1搬送。並且，藉由加熱室H10內的紅外線照射器2、4(加熱機構)實行加熱處理之後，藉由成膜室F10內的薄膜形成噴嘴1L、1H(噴霧噴射部)實行噴霧噴射處理，而在複數個基板10的表面上以及反面上分別形成薄膜。
實施方式1之成膜裝置71，由於具備不與加熱室H10的基板10接觸而實行加熱基板10的加熱處理之加熱機構(紅外線照射器2、4)，故藉由加熱機構實行加熱處理，不論基板10的形狀如何，皆可均勻地加熱基板。
進一步地，由於以加熱處理與噴霧噴射處理彼此不會受到影響的方式，將加熱機構以及噴霧噴射部分離地配置在加熱室H10以及成膜室F10，故噴霧噴射處理不會對加熱處理有不良影響。
結果，實施方式1之成膜裝置71在藉由加熱機構實行加熱處理之後，藉由噴霧噴射部實行噴霧噴射處理，可不減低成膜品質，不減低成膜速度，而在基板10上形成薄膜。
實施方式1之成膜裝置71係在基板搬送路徑用圓周M1(預定的圓周)上配置設有紅外線照射器2、4(加熱機構)之加熱室H10以及設有薄膜形成噴嘴1L、1H(噴霧噴射部)之成膜室F10，而且，藉由基板搬送裝置8(基板搬送部)沿著基板搬送路徑用圓周M1上同時搬送複數個基板10。
因此，實施方式1之成膜裝置71係藉由基板搬送裝置8，以沿著基板搬送路徑用圓周M1上旋轉複數次的方式搬送複數個基板10，可將紅外線照射器2、4以及薄膜形成噴嘴1L、1H的數量抑制在必要最小限度，而且，可提高包含加熱處理以及噴霧噴射處理之成膜處理的產能。
這是因為，加熱室H10以及成膜室F10均沿著基板搬送路徑用圓周M1上配置，藉由使複數個基板10各者沿著基板搬送路徑用圓周M1反覆旋轉，可使設於加熱室H10內的紅外線照射器2、4以及設於成膜室F10內的薄膜形成噴嘴1L、1H，複數次使用於加熱處理用以及噴霧噴射處理用。
另外，即便搬送的基板只有一片時，也可發揮上述效果。另外，藉由將成膜室F10以及加熱室H10在基板搬送路徑用圓周M1上不設置間隙地鄰接配置，可使加熱處理移至噴霧噴射處理，以及噴霧噴射處理移至加熱處理的移行期間，實質上接近“0”。因此，實施方式1之成膜裝置71可謀求薄膜的成膜處理中的產能的進一步提升。
進一步地，實施方式1之成膜裝置71係沿著基板搬送路徑用圓周M1上同時旋轉搬送複數個基板，而可進一步謀求成膜處理中的產能提升。
此外，實施方式1之成膜裝置71中，就加熱室H10內進行的加熱處理而言，係同時進行藉由紅外線照射器2進行之第一方向加熱處理以及藉由紅外線照射器4進行之第二方向加熱處理。因此，可藉由上述第一方向加熱處理從基板10的反面加熱，且可藉由上述第二方向加熱處理從基板10的表面加熱。
結果，實施方式1之成膜裝置71可於加熱室H10內更均勻地加熱基板10。
進一步地，實施方式1之成膜裝置71藉由同時進行藉由薄膜形成噴嘴1L進行之第一方向噴霧噴射處理以及藉由薄膜形成噴嘴1H進行之第二方向噴霧噴射處理，可在基板的反面以及表面分別形成薄膜。
<實施方式2>
第3圖係本發明之實施方式2之成膜裝置72之平面構造的說明圖。第3圖中係標記XYZ直角座標系。以下係以實施方式2之成膜裝置72的固有特徴為中心做說明，與實施方式1之成膜裝置71相同特徴的說明則適宜地省略。
如第3圖所示，設定基板搬送路徑用圓周M2(預定的圓周)，此圓周係以中心點C2為中心，半徑為d2的圓周。
沿著基板搬送路徑用圓周M2上，圓弧狀地配置彼此分離的加熱室H21、H22以及成膜室F21、F22各者。加熱室H21、H22以及成 膜室F21、F22係沿著基板旋轉方向R2，以加熱室H21、成膜室F21、加熱室H22、以及成膜室F22的順序，彼此鄰接配置，且以基板搬送路徑用圓周M2上實質上不產生閒置空間的方式設置。
藉由如後詳述之基板搬送裝置8，沿著基板搬送路徑用圓周M2上，以基板旋轉方向R2作為移動方向，同時搬送複數個基板10。
作為第一及第二方向加熱部之紅外線照射器2、4係分別在加熱室H21、H22內，與裝設在加熱室H10內的實施方式1之紅外線照射器2、4同樣地裝設。加熱室H21、H22各者除了後述之旋轉用側面開口區域之外，設置為不具有與外部連通之開口區域。
另外，俯視下，紅外線照射器2、4係呈矩形形狀，在加熱室H21、H22各者內離散地配置複數個。例如，分別於加熱室H21、H22中，在對應第3圖所示之複數個基板10(七個基板10)的位置，離散地配置複數個紅外線照射器2、4(七組的紅外線照射器2、4)。並且，紅外線照射器2、4係在沿著基板搬送路徑用圓周M2搬送基板10之際，以俯視下包含基板10全體的方式，設計為比基板10稍為寬的形狀。
作為第一及第二方向噴霧噴射部之薄膜形成噴嘴1L、1H係分別在成膜室F21、F22內，與裝設在成膜室F10內之實施方式1之薄膜形成噴嘴1L、1H同樣地裝設。另外，成膜室F21、F22除了後述之旋轉用側面開口區域之外，設置為不具有與外部連通之開口區域。
此種構成的實施方式2之成膜裝置72係藉由基板搬送裝置8，使複數個基板10(第3圖中顯示十六個基板10)沿著基板搬送路徑用圓周M2上，朝基板旋轉方向R2搬送。
並且，藉由加熱室H21內的紅外線照射器2、4(加熱機構)實行第一加熱處理之後，藉由成膜室F21內的薄膜形成噴嘴1L、1H(噴霧噴射部)實行第一噴霧噴射處理。進一步地，藉由加熱室H22內的紅外線照射器2、4實行第二加熱處理之後，藉由成膜室F22內的薄膜形成噴嘴1L、1H實行第二噴霧噴射處理。結果，可在複數個基板10的表面上以及反面上分別形成薄膜。
因此，實施方式2之成膜裝置72係發揮與實施方式1之成膜裝置71相同的效果。以下，針對實施方式2之固有效果做說明。
實施方式2之成膜裝置72中，將設於加熱室H21、H22各者內的紅外線照射器2、4統合定為一個單位的加熱機構時，則在複數個加熱室(二個加熱室H21、H22)中之對應的加熱室內配置複數個加熱機構(二個單位的加熱機構)。
相同地，將設於成膜室F21、F22各者內的薄膜形成噴嘴1L、1H定為一個單位的噴霧噴射部時，則在複數個成膜室(二個成膜室F21、F22)之中之對應的成膜室內配置複數個噴霧噴射部(二個單位的噴霧噴射部)。
因此，實施方式2之成膜裝置72係以加熱室H21內作為起始點，沿著基板搬送路徑用圓周M2，以基板旋轉方向R2作為移動方向搬送一個基板10時，在旋繞一次下，依序實行加熱室H21內的第一加熱處理、成膜室F21內的第一噴霧噴射處理、加熱室H22內的第二加熱處理、以及成膜室F22內的第二噴霧噴射處理。
亦即，實施方式2之成膜裝置72係在基板10沿基板搬送路徑用圓周M2旋繞一次時，實行二次的加熱處理(第一及第二加熱處理)以及二次的噴霧噴射處理(第一及第二噴霧噴射處理)。
如此，實施方式2之成膜裝置72由於在沿著基板搬送路徑用圓周M2(預定的圓周)上旋轉搬送基板10之際，可使每一圈中對於同一的基板10之成膜處理(加熱處理+噴霧噴射處理)的次數增加，而可謀求成膜處理中的產能提升。
<實施方式3>
第4圖係示意顯示本發明之實施方式3之成膜裝置73之平面構造的說明圖。第4圖中係標記XYZ直角座標系。以下係以實施方式3之成膜裝置73的特徴為中心做說明，與實施方式1之成膜裝置71相同的特徴的說明則適宜地省略。
如第4圖所示，設定基板搬送路徑用圓周M3(預定的圓周)，此圓周係以中心點C3為中心，半徑為d3的圓周。
沿著基板搬送路徑用圓周M3上，圓弧狀地配置彼此分離的加熱室H30以及成膜室F30各者。加熱室H30以及成膜室F30係彼此鄰接配置，且以基板搬送路徑用圓周M3上實質上不產生閒置空間的方式設置。
藉由如後詳述之基板搬送裝置8，沿著基板搬送路徑用圓周M3上，以基板旋轉方向R3作為移動方向，同時搬送複數個基板10。
作為第一及第二方向加熱部之紅外線照射器2、4係於加熱室H30內，與裝設在加熱室H10內之實施方式1之紅外線照射器2、4同 樣地裝設。加熱室H30除了後述之旋轉用側面開口區域之外，設置為不具有與外部連通之開口區域。
另外，俯視下，紅外線照射器2、4係呈矩形形狀，在加熱室H30內離散地配置複數個。例如，在對應第4圖所示之複數個基板10的位置，離散地配置複數個紅外線照射器2、4。並且，紅外線照射器2、4係在沿著基板搬送路徑用圓周M3搬送基板10之際，以俯視下包含基板10全體的方式，設計為比基板10稍為寬的形狀。
作為第一及第二方向噴霧噴射部之薄膜形成噴嘴1L、1H係於成膜室F30內，與裝設在成膜室F10內之實施方式1之薄膜形成噴嘴1L、1H同樣地裝設。另外，成膜室F30除了後述之旋轉用側面開口區域之外，設置為不具有與外部連通之開口區域。
另外，俯視下，薄膜形成噴嘴1L、1H係呈矩形形狀，在成膜室F30內離散地配置複數個。例如，在第4圖所示之對應三個基板10之位置，離散地配置三組薄膜形成噴嘴1L、1H。
如此，成膜室F30內離散地設有複數個(三組)薄膜形成噴嘴1L、1H，但以下為了簡化說明，係以一組薄膜形成噴嘴1L、1H為代表做說明。
此種構成的實施方式3之成膜裝置73係藉由基板搬送裝置8，使複數個基板10(第4圖中顯示十六個基板10)沿著基板搬送路徑用圓周M3上，以基板旋轉方向R3作為移動方向來搬送。
並且，藉由紅外線照射器2、4(加熱機構)實行加熱處理之後，藉由薄膜形成噴嘴1L、1H(噴霧噴射部)實行噴霧噴射處理，而在複數個基板10的表面上以及反面上分別形成薄膜。
因此，實施方式3之成膜裝置73係發揮與實施方式1之成膜裝置71相同的效果。以下，針對實施方式3之特徴及效果做說明。
在此，考量於加熱室H30內藉由紅外線照射器2、4進行之加熱處理須實行達必要加熱時間TH3，於成膜室F30內藉由薄膜形成噴嘴1L、1H進行之噴霧噴射處理須實行達必要噴霧噴射時間TM3之情況。亦即，考量實行必要加熱時間TH3之加熱處理，之後，實行必要噴霧噴射時間TM3之噴霧噴射處理，藉此，可將所期望的薄膜高品質地成膜。
此時，必要加熱時間TH3之相對於必要噴霧噴射時間TM3之比，亦即必要時間比PT3，可由「PT3=TM3/TH3」求得。
在此，將加熱室H30之沿著基板搬送路徑用圓周M3上之圓弧狀的形成長度設為加熱步驟長度LH3，將成膜室F30之沿著基板搬送路徑用圓周M3上之圓弧狀的形成長度設為成膜步驟長度LM3時，則加熱步驟長度LH3之相對於成膜步驟長度LM3之比，即步驟長度比PL3，成為「PL3=LM3/LH3」。
實施方式3之成膜裝置73之特徵在於將步驟長度比PL3設計成匹配於必要時間比PT3。亦即，設計成實質上滿足「PL3=PT3」。
例如，必要時間比PT3為3/13時，將加熱步驟長度LH3以及成膜步驟長度LM3形成為步驟長度比PL3成為3/13。例如，如第4圖所示，加熱室H30係具有能夠以均等間隔同時收容十三個基板10的加熱 步驟長度LH3，而且，成膜室F30係具有能夠以均等間隔同時收容三個基板10的成膜步驟長度LM3。
如此，實施方式3之成膜裝置73中，係將加熱步驟長度LH3之相對於成膜步驟長度LM3之比，亦即步驟長度比PL3，設定與必要加熱時間TH3之相對於必要噴霧噴射時間TM3之比，亦即必要時間比PT3匹配。
將藉由基板搬送裝置8沿著基板搬送路徑用圓周M3上之基板旋轉方向R3的搬送速度設為V3。並且，求取滿足條件(1){TH3=LH3/V3}之搬送速度V3。將此時的搬送速度V3設為搬送速度V3H。
其次，求取滿足條件(2)「TM3=LM3/V3」之搬送速度V3。將此時的搬送速度V3設為搬送速度V3M。
實施方式3之成膜裝置73中，如前所述，由於步驟長度比PL3與必要時間比PT3相等，故{V3M(=LM3/TM3=(PL3‧LH3)/(PT3‧TH3)=LH3/TH3)=V3H}，致使搬送速度V3H與搬送速度V3M一致。
結果，實施方式3之成膜裝置73由於可將基板搬送裝置8之基板10的搬送速度V3定於最適當的一定值(V3H(=V3M))，而發揮可容易實行基板搬送裝置8的動作控制之效果。
進一步地，如第4圖所示，藉由使成膜室F30之成膜步驟長度LM3拉長為可同時收納三個基板10，亦可發揮即便不提升搬送速度V3亦確保充分的必要噴霧噴射時間TM3之效果。
(變形例)
另外，基板10的片數為一片時，就實施方式3之變形例而言，可考量步驟長度比PL3與必要時間比PT3不匹配之情況的態樣。變形例中，如下地決定基板搬送裝置8之搬送速度V3。
首先，決定滿足上述條件(1)之搬送速度V3(暫定為「V3H」)，其次，決定滿足上述條件(2)之搬送速度V3(暫定為「V3M」)。此時搬送速度V3H與搬送速度V3M不一致。
因此，實施方式3之變形例中，將基板搬送裝置8之基板10的搬送速度V3設為加熱室H30內的搬送速度V3H，以及成膜室F30內的搬送速度V3M，而在加熱室H30以及成膜室F30之間分別設定搬送速度V3。
如此，基板10的片數為一片時可適用的實施方式3之變形例的特徵在於基板搬送裝置8之基板10的搬送速度V3係根據加熱步驟長度LH3以及成膜步驟長度LM3，個別設定加熱室H30內的搬送速度V3H以及成膜室F30內的搬送速度V3H，以分別滿足必要加熱時間TH3以及必要噴霧噴射時間TM3。
實施方式3之變形例由於具有上述特徴，而能夠以滿足上述條件(1)以及條件(2)之最適條件，對一片基板10進行成膜處理。
另外，可使用條件(3){TH3=N‧(LH3/V3)}以及條件(4){TM3=N‧(LM3/V3)}來取代上述條件(1)以及條件(2)。在此，N係基板搬送路徑用圓周M3的旋轉數。旋轉數N係共通於加熱處理以及噴霧噴射處理。
另外，實施方式3之變形例係同時處理之成膜對象為一片基板10之情況，實施方式3之成膜裝置73當然可適用，且實施方式1之成膜裝置71或實施方式2之成膜裝置72亦可適用。
<實施方式4>
第5圖係示意顯示本發明之實施方式4之成膜裝置74之平面構造的說明圖。第6圖係顯示實施方式4之成膜裝置74之剖面構造之剖面圖。第6圖係顯示第5圖之B-B剖面，第5圖及第6圖中分別標記XYZ直角座標系。實施方式4之成膜裝置74中，除了具體顯示基板搬送裝置8之外，具有與實施方式1之成膜裝置71相同的構成。另外，第6圖係省略紅外線照射器2中之燈載置台31以及紅外線燈32，以及紅外線照射器4中之燈載置台41以及紅外線燈42之圖示。
以下，針對基板搬送裝置8做說明。基板搬送裝置8係包含旋轉本體8r、旋轉輔助構件8p、以及基板保持具6作為主要構成要素，藉由旋轉本體8r以及旋轉輔助構件8p構成旋轉機構部。
如第5圖及第6圖所示，旋轉本體8r係呈圓柱形狀，以中心點C1為中心沿著基板旋轉方向R1進行旋轉動作。亦即，旋轉本體8r係進行用以使複數個基板10沿著基板搬送路徑用圓周M1(預定的圓周)上搬送的旋轉動作。另外，旋轉本體8r的驅動源可考量為馬達等。
從旋轉本體8r的側面起，設有以中心點C1為中心，朝半徑方向放射狀地延伸的複數個旋轉輔助構件8p。因此，複數個旋轉輔助構件8p係伴隨著旋轉本體8r的旋轉動作，沿基板旋轉方向R1旋轉。
並且，複數個旋轉輔助構件8p的前端部分別連結設有基板保持具6。亦即，對應複數個旋轉輔助構件8p設有複數個基板保持具6。基板保持具6係保持基板10，且伴隨旋轉機構部(旋轉本體8r+旋轉輔助構件8p)的旋轉動作，與基板10一起在基板搬送路徑用圓周M1上被搬送。
第7圖及第8圖係顯示基板保持具6之第1態樣之基板保持具6A之平面構造之平面圖，第7圖係顯示保持基板10前的狀態，第8圖係顯示保持了基板10之狀態。第9圖係顯示第8圖之C-C剖面的剖面構造之剖面圖。第7圖至第9圖中分別標記XYZ直角座標系。
如第7圖至第9圖所示，基板保持具6A係包含基板框體60、基板導引構件61至63、以及銷支持台68作為主要構成要素。
基板框體60係內部具有略呈矩形形狀的空間區域之框體，空間區域係具有比基板10的形成面積稍為寬的面積。空間區域的四個角部設有俯視下呈直角三角形的銷支持台68。四個銷支持台68各者上設有基板導引構件61至63。
基板導引構件61、62係以彼此高度相同地設在銷支持台68上，基板導引構件61係設為用以定位X方向，基板導引構件62係設為用以定位Y方向。亦即，設置成為X方向相對向之基板導引構件61、61間的距離係與基板10的X方向的長度幾乎相等，Y方向相對向之基板導引構件62、62間的距離係與基板10的Y方向的長度幾乎相等。
基板導引構件63係在銷支持台68上設置成X方向的形成位置與基板導引構件62一致，且Y方向的形成位置與基板導引構件61一 致。如第9圖所示，基板導引構件63係設定為形成高度低於基板導引構件61、62。
如第8圖及第9圖所示，基板保持具6A係在四個基板導引構件63上載置基板10。亦即，四個基板導引構件63係從反面側支持基板10的反面的四個角部。
此時，X方向的定位係藉由在X方向相對向之二組基板導引構件61、61間配置基板10來進行，Y方向的定位係藉由在Y方向相對向之二組基板導引構件62、62間配置基板10來進行。
如此，基板保持具6A係以四個基板導引構件61定位X方向的位置，以四個基板導引構件62定位Y方向的位置，並且以四個基板導引構件63支持基板10，而可保持基板10。
此外，由於俯視下呈矩形形狀的基板10的定位係藉由四個基板導引構件61進行X方向之定位，並且藉由四個基板導引構件62進行Y方向之定位，以夾住基板10的態樣來進行，故強化了基板10的保持功能。
如上述地保持在第1態樣之基板保持具6A之基板10係定位成為其中心位於基板搬送路徑用圓周M1上。
因此，基板保持具6A係以使基板10的表面全面以及反面的角部除外的全域露出的狀態來保持基板10。亦即，俯視下呈矩形形狀的基板10的反面中，使與四個角部的四個基板導引構件63的前端部接觸的區域以外之全域露出。
如此，基板保持具6A係保持基板10且隨著旋轉本體8r的旋轉動作，與基板10一起在基板搬送路徑用圓周M1上被搬送。
如上所述，包含旋轉本體8r、旋轉輔助構件8p以及基板保持具6A作為主要構成要素之基板搬送裝置8的第1態樣，由於能夠以馬達等作為驅動源而使旋轉本體8r沿著基板旋轉方向R1實行旋轉動作，故能夠以比較低的成本實現基板搬送裝置8。
進一步地，由於基板保持具6A係以使基板10的表面全面以及反面的角部除外的全域均露出的狀態來保持基板10，故可不對加熱機構(紅外線照射器2、4)進行之加熱處理以及噴霧噴射部(薄膜形成噴嘴1L、1H)進行之噴霧噴射處理造成阻礙地形成薄膜。
另外，旋轉輔助構件8p的前端區域以及基板保持具6由於配置在加熱室H10以及成膜室F10內，故為了讓旋轉本體8r的旋轉動作安定進行，在加熱室H10以及成膜室F10之內側側面設有旋轉用側面開口區域(未圖示)，能夠通過旋轉用側面開口區域，使旋轉輔助構件8p的前端部配置在加熱室H10以及成膜室F10內。
第10圖及第11圖係顯示基板保持具6之第2態樣的基板保持具6B之平面構造之平面圖，第10圖係顯示保持基板10前的狀態，第11圖係顯示保持了基板10之狀態。第12圖係顯示第11圖之D-D剖面的剖面構造之剖面圖。第10圖至第12圖中分別標記XYZ直角座標系。
如第11圖所示，基板保持具6B係包含基板框體60、基板導引構件64、基板頂銷66以及銷裝設台69作為主要構成要素。
基板框體60係內部具有略呈矩形形狀的空間區域之框體，空間區域係具有比基板10的形成面積稍為寬的面積。在區隔出空間區域的基板框體60之四個內側側面各者的中央部設有基板導引構件64。四個基板導引構件64各者係俯視下呈半圓形。四個基板導引構件64係在基板框體60之內側側面設置成為半圓形的圓弧部分對應於X方向或Y方向。
四個銷裝設台69係在基板框體60的沿Y方向延伸之二個內側側面各設有二個，合計設有四個銷裝設台69。二個銷裝設台69係設在沿Y方向延伸之二個內側側面的兩端部附近。
從各銷裝設台69的底面起，設有剖面看來略U字狀的基板頂銷66。亦即，對應四個銷裝設台69設有四個基板頂銷66，且配置成為四個基板頂銷66的前端部分在保持基板10之際，位於基板10的四個頂點的稍為內側。
四個基板導引構件64之中，X方向相對向之二個基板導引構件64係設為用於X方向的基板10的定位，四個基板導引構件64之中，Y方向相對向之二個基板導引構件64係設為用於Y方向的基板10的定位而。
亦即，設置成為X方向相對向之基板導引構件64、64間的距離係與基板10的X方向的長度幾乎相等，Y方向相對向之基板導引構件64、64間的距離係與基板10的Y方向的長度幾乎相等。
如第11圖及第12圖所示，基板保持具6B係在四個基板頂銷66的前端部上載置基板10。亦即，四個基板頂銷66係從反面側支持基板10的反面的四個角部。
此時，X方向之定位係藉由配置於X方向相對向之一組之基板導引構件64、64之間而進行，Y方向之定位係藉由配置於Y方向相對向之一組之基板導引構件64、64之間而進行。
如此，基板保持具6B係以四個基板導引構件64定位X方向及Y方向之基板10之位置，並且以四個基板頂銷66支持基板10，而可保持基板10。
此外，由於俯視下呈矩形形狀的基板10的定位係藉由四個基板導引構件64之X方向以及Y方向之定位，以夾住基板10的態樣來進行，的保持功能。
如上述地保持在第2態樣之基板保持具6B之基板10係定位成為其中心位於基板搬送路徑用圓周M1上。
因此，基板保持具6B係以使基板10的表面全面以及反面的角部除外的全域露出的狀態來保持基板10。亦即，俯視下呈矩形形狀的基板10的反面中，使與四個角部的四個基板頂銷66的前端部接觸的區域以外之全域露出。
如此，基板保持具6B係保持基板10且隨著旋轉本體8r的旋轉動作，與基板10一起在基板搬送路徑用圓周M1上被搬送。
如上所述，包含旋轉本體8r、旋轉輔助構件8p以及基板保持具6B作為主要構成要素之基板搬送裝置8的第2態樣係與第1態樣同樣地，由於能夠以馬達等作為驅動源而使旋轉本體8r沿著基板旋轉方向R1實行旋轉動作，故能夠以比較低的成本實現基板搬送裝置8。
進一步地，基板保持具6B係以使基板10的表面全面以及反面的角部除外的全域均露出的狀態來保持基板10，故可不對加熱機構(紅外線照射器2、4)進行之加熱處理以及噴霧噴射部(薄膜形成噴嘴1L、1H)進行之噴霧噴射處理造成阻礙地形成薄膜。
另外，實施方式4中例示了使用基板搬送裝置8作為實施方式1之成膜裝置71之基板搬送部之構成，但當然也可使用基板搬送裝置8作為實施方式2及實施方式3之成膜裝置72及成膜裝置73之基板搬送部。
此時，藉由在加熱室H21、H22、成膜室F21、F22、加熱室H30、以及成膜室F30之內側側面設有旋轉用側面開口區域(未圖示)，能夠通過旋轉用側面開口區域，使旋轉輔助構件8p的前端部配置在加熱室H21、H22、成膜室F21、F22、加熱室H30、以及成膜室F30內。
<實施方式5>
第13圖係示意顯示本發明之實施方式5之成膜裝置75中薄膜形成噴嘴11之平面構造的說明圖。實施方式5之成膜裝置75除了將薄膜形成噴嘴1L、1H置換成薄膜形成噴嘴11之外，具有與實施方式1之成膜裝置71相同的構成。
以下，說明實施方式5使用之薄膜形成噴嘴11。另外，使用薄膜形成噴嘴11來取代第2圖所示之薄膜形成噴嘴1L、1H各者，從噴霧噴射口21噴射原料霧MT。
因此，使用薄膜形成噴嘴11作為薄膜形成噴嘴1L時，薄膜形成噴嘴11係設在基板10的下方，從噴霧噴射口21朝上方沿著第一方向 噴射原料霧MT。另一方面，使用薄膜形成噴嘴11作為薄膜形成噴嘴1H時，薄膜形成噴嘴11係設在基板10的上方，從噴霧噴射口21朝下方沿著第二方向噴射原料霧MT。
如第13圖所示，薄膜形成噴嘴11具有噴射原料霧MT之噴霧噴射口21。噴霧噴射口21具有外側(遠離中心點C1側)的圓弧長CB形成比內側(靠近中心點C1之側(參照第1圖))的圓弧長CA更長(CA<CB)的開口區域。
亦即，噴霧噴射口21之特徴在於具有開口區域隨著遠離基板搬送路徑用圓周M1(預定的圓周)的中心點C1而變寬的形狀。
實施方式5之成膜裝置75中，由於噴霧噴射部之薄膜形成噴嘴11的噴霧噴射口21具有上述特徴，故不論距基板搬送路徑用圓周M1(預定的圓周)的中心點C1的距離如何，皆可對基板10均等地噴射原料霧。
(第1變形例)
第14圖係示意顯示實施方式5之成膜裝置75的第1變形例之薄膜形成噴嘴12之平面構造的說明圖。與薄膜形成噴嘴11同樣地，使用薄膜形成噴嘴12來取代第2圖所示之薄膜形成噴嘴1L、1H各者，從噴霧噴射口22噴射原料霧MT。
如第14圖所示，薄膜形成噴嘴12係設置成使噴射原料霧MT之噴霧噴射口22的形成寬度(沿著基板搬送路徑用圓周M1之切線方向之形成長度)充分狹窄。在此，噴霧噴射口22的形成寬度以1mm以上、5mm以下為適當範圍，特別期望為2mm。
實施方式5之第1變形例之特徵在於噴霧噴射口22具有形成寬度充分狹窄的形狀。
作為噴霧噴射部之薄膜形成噴嘴12的噴霧噴射口22由於具有上述特徴，故不論距基板搬送路徑用圓周M1(預定的圓周)的中心點C1的距離如何，皆可對基板10均等地噴射原料霧。
(第2變形例)
第15圖係顯示實施方式5之成膜裝置75之第2變形例之薄膜形成噴嘴13之平面構造之說明圖。與薄膜形成噴嘴11同樣地，使用薄膜形成噴嘴13來取代第2圖所示之薄膜形成噴嘴1L、1H各者，從噴霧噴射口23噴射原料霧MT。
如第15圖所示，薄膜形成噴嘴13中，噴射原料霧MT之噴射噴霧噴射口23係由彼此離散地配置之三個噴霧噴射口231至233所構成。噴霧噴射口231至233各者的形成寬度(沿著基板搬送路徑用圓周M1的切線方向之形成長度)設置成充分狹窄。在此，噴霧噴射口231至233各者的形成寬度以1mm以上、5mm以下為適當範圍，特別期望為2mm。
實施方式5之第2變形例中之特徵在於於噴霧噴射口23中的噴霧噴射口231至233各者具有形成寬度充分狹窄的形狀。
作為噴霧噴射部之薄膜形成噴嘴13的噴霧噴射口23由於具有上述特徴，故不論距基板搬送路徑用圓周M1(預定的圓周)的中心點C1的距離如何，皆可對基板10均等地噴射原料霧。
進一步地，第2變形例中由於設有三個噴霧噴射口231至233，故不會使原料霧MT的噴射量減低。
另外，實施方式5中，顯示了使用薄膜形成噴嘴11至13作為實施方式1之成膜裝置71(包含實施方式4之成膜裝置74)的噴霧噴射部之例，但當然亦可使用薄膜形成噴嘴11至13作為實施方式2及實施方式3之成膜裝置72及成膜裝置73之噴霧噴射部。
已詳細說明了本發明，但上述之說明於全部的適用場合均為例示，並非限定用以本發明。應理解為在不脫離本發明之範圍可思及未例示之無數的變形例。
因此，本發明於其發明之範圍內，能夠將各實施方式自由組合，將各實施方式適宜地變形、省略。
1H、1L:薄膜形成噴嘴
2、4:紅外線照射器
10:基板
31、41:燈載置台
42、32:紅外線燈
71:成膜裝置
C1:中心點
F10:成膜室
H10:加熱室
LR:紅外線
MT:原料霧

Claims (10)

  1. 一種成膜裝置，係具備：基板搬送部(8)，係沿著預定的圓周上搬送基板(10)；加熱機構(2、4)，係設在沿著前述預定的圓周上配置的加熱室(H10、H21、H22、H30)內，與前述加熱室內的前述基板不接觸地實行加熱前述基板之加熱處理；以及噴霧噴射部(1H、1L)，係設在沿著前述預定的圓周上配置的成膜室(F10、F21、F22、F30)內，實行將原料溶液霧化而得之原料霧(MT)朝前述成膜室內的前述基板噴射之噴霧噴射處理；前述加熱室與前述成膜室係彼此分離配置，在藉由前述基板搬送部搬送前述基板的狀態下，藉由前述加熱機構實行加熱處理之後，藉由前述噴霧噴射部實行噴霧噴射處理，而在前述基板上形成薄膜。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之成膜裝置，其中，前述基板係包含複數個基板。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之成膜裝置，其中，前述加熱室係包含複數個加熱室(H21、H22)，前述加熱機構係包含複數個加熱機構，前述複數個加熱機構係配置在前述複數個加熱室之中對應之加熱室內；前述成膜室係包含複數個成膜室(F21、F22)，前述噴霧噴射部係包含複數個噴霧噴射部，前述複數個噴霧噴射部係配置在前述複數個成膜室之中對應之成膜室內。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之成膜裝置，其中， 前述加熱室(H30)具有沿著前述預定的圓周上之加熱步驟長度(LH3)，前述成膜室(F30)具有沿著前述預定的圓周上之成膜步驟長度(LM3)，前述加熱處理須實行達必要加熱時間(TH3)，前述噴霧噴射處理須實行達必要噴霧噴射時間(TM3)，前述加熱步驟長度的相對於前述成膜步驟長度之比，亦即步驟長度比(PL3)，係設定為與前述必要加熱時間之相對於前述必要噴霧噴射時間之比，亦即必要時間比(PT3)匹配。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之成膜裝置，其中，前述基板包含一片基板；前述加熱室(H30)具有沿著前述預定的圓周之加熱步驟長度(LH3)，前述成膜室具有沿著前述預定的圓周之成膜步驟長度(LM3)，前述加熱處理須實行達必要加熱時間(TH3)，前述噴霧噴射處理須實行達必要噴霧噴射時間(TM3)；前述基板搬送部之沿著前述預定的圓周上之基板的搬送速度(V3)，係根據前述加熱步驟長度及前述成膜步驟長度，分別設定前述加熱室內的搬送速度(V3H)及前述成膜室內的搬送速度(V3M)，以同時滿足前述必要加熱時間及前述必要噴霧噴射時間。
  6. 如申請專利範圍第1或2項所述之成膜裝置，其中，前述噴霧噴射部具有噴射前述原料霧之噴霧噴射口(21至23)；前述噴霧噴射口係具有開口區域隨著遠離前述預定的圓周的中心點而變寬的形狀。
  7. 如申請專利範圍第1或2項所述之成膜裝置，其中， 前述基板搬送部係包含：旋轉機構部(8r、8p)，係進行沿著前述預定的圓周上用以使前述基板搬送之旋轉動作；以及基板保持具(6、6A、6B)，係隨著前述旋轉動作沿著前述預定的圓周上保持且搬送前述基板。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之成膜裝置，其中，前述基板係俯視下呈矩形形狀的基板；前述基板保持具係以使前述基板的表面全面露出且使前述基板的反面的角部除外的全域露出之狀態來保持前述基板。
  9. 如申請專利範圍第1或2項所述之成膜裝置，其中，前述加熱機構係包含：第一方向加熱部(2)，係進行朝向第一方向照射紅外線而加熱前述基板之第一方向加熱處理；以及第二方向加熱部(4)，係進行朝向前述第一方向的相反方向之第二方向照射紅外線而加熱前述基板之第二方向加熱處理；前述加熱處理係包含前述第一方向加熱處理及前述第二方向加熱處理，前述第一方向係前述基板的反面朝向表面之方向，前述第二方向係前述基板的表面朝向反面之方向。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之成膜裝置，其中，前述噴霧噴射部係包含：第一方向噴霧噴射部(1L)，實行朝向前述第一方向噴射前述原料霧之第一方向噴霧噴射處理；以及 第二方向噴霧噴射部(1H)，實行朝向前述第二方向噴射前述原料霧之第二方向噴霧噴射處理；前述噴霧噴射處理包含前述第一方向噴霧噴射處理及前述第二方向噴霧噴射處理。
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