TWI733290B - 成膜裝置 - Google Patents

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TWI733290B
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織田容征
波戸信義
岩尾有佑
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日商東芝三菱電機產業系統股份有限公司
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Abstract

本發明之目的在於提供一種不會使成膜品質或成膜速度降低，而可在基板上形成薄膜，並且謀求成膜處理之產率提升的成膜裝置。而且，關於本發明，是在加熱室(H1)的加熱空間(91)內執行利用輸送帶(33)使基板(10)沿著基板移動方向(D1)移動的第1加熱處理。接下來，執行利用輸送帶(13)使基板(10)沿著搬送方向(D3)移動的第1搬送處理。此時，利用薄膜形成噴嘴(11H、11L)對基板(10)噴射原料霧氣(MT)。接下來，執行利用輸送帶(43)的第2加熱處理。然後執行利用輸送帶(23)的第2搬送處理。此時，利用薄膜形成噴嘴(12H、12L)對基板(10)噴射原料霧氣(MT)。

Description

成膜裝置
本發明是關於一種被用來製造太陽電池等的電子元件，並且在基板上形成膜的成膜裝置。
作為在基板上形成膜的方法，有化學氣相成長(CVD(Chemical Vapor Deposition))法。然而，利用化學氣相成長法必須在真空下成膜的情況變多，除了真空泵等之外，還需要使用大型的真空容器。此外，化學氣相成長法有以下問題：從成本等的觀點來看，採用大面積的基板作為所要成膜的基板是有困難的。因此，可在大氣壓力下進行成膜處理的霧氣法受到矚目。
作為關於利用霧氣法的成膜裝置的習知技術，存在有例如專利文獻1的技術。
專利文獻1的技術是從可設在包含霧氣噴射用噴嘴等的霧氣噴射頭部的底面的原料溶液噴出口及反應材料噴出口，對配置在大氣中的基板噴射經過霧化的原料溶液及反應材料。藉由該噴射，可在基板上形成膜。此外，反應材料是指有助於與原料溶液反應的材料。
以專利文獻1為代表的習知的成膜裝置是藉由同時執行由薄膜形成噴嘴所進行的霧氣噴射處理、以及由加熱機構所進行的加熱處理，而在基板上形成薄膜。
而且，一般是在將基板載置於上表面上的基板積載平台的內部設置加熱機構，並將該基板積載平台用來作為平面型加熱手段。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2017/068625號
如上所述，習知的成膜裝置一般是在將作為成為成膜對象物的基材的基板載置於上表面上的基板積載平台的內部設置加熱機構，並將基板積載平台用來作為平面型加熱手段。
使用如基板積載平台的平面型加熱手段的情況，是使基板積載平台的上表面與基板的下表面接觸，在基板積載平台、基板間傳熱來執行基板的加熱處理。
然而，基板呈現非平板形狀，其下表面是彎曲的、或是在下表面有凹凸的構造的情況，利用平面型加熱手段，基板積載平台的上表面與基板的背面的接觸就只有局部。因此，產生了在執行由加熱機構所進行 的加熱處理時，基板的加熱變得不均一，或是在基板產生彎曲而變形等的問題點。
本發明為了解決如上述的問題點，其目的在於提供一種不會使成膜品質或成膜速度降低，而可在基板上形成薄膜，並且謀求成膜處理之產率提升的成膜裝置。
本發明之成膜裝置具備：具有第1及第2加熱空間的第1及第2加熱室；以及設在前述第1及第2加熱空間的第1及第2加熱用移動機構，前述第1加熱用移動機構是在前述第1加熱空間內使基板朝第1方向移動而執行第1加熱處理，前述第2加熱用移動機構是在前述第2加熱空間內使前述基板朝第2方向移動而執行第2加熱處理，該成膜裝置又具備：搬送用移動機構，係執行：使前述基板沿著搬送方向移動，藉此使前述基板通過前述第1及第2加熱室外的成膜路徑，並且在第1及第2加熱室間搬送前述基板的搬送處理；以及霧氣噴射機構，係執行：將使原料溶液霧化而得的原料霧氣朝向通過前述成膜路徑的前述基板噴射的霧氣噴射處理，在執行前述第1及第2加熱處理當中至少一個加熱處理之後，執行由前述霧氣噴射機構所進行的前述霧氣噴射處理而在前述基板上形成薄膜。
申請專利範圍第1項所記載的本案發明的成膜裝置是在第1及第2加熱空間內使基板朝第1及第2方向移動而執行第1及第2加熱處理，因此不論基板的形狀如何，皆可均一地加熱基板。
申請專利範圍第1項所記載的本案發明的成膜裝置是將第1及第2加熱室分別與設在第1及第2加熱室外的成膜路徑分開配置，因此霧氣噴射處理不會對第1及第2加熱處理造成不好的影響。
因此，申請專利範圍第1項所記載的本案發明的成膜裝置不會使成膜品質或成膜速度降低，而可在基板形成薄膜。
此外，申請專利範圍第1項所記載的本案發明的成膜裝置可藉由在第1及第2加熱室間使基板移動的搬送處理的執行期間當中，對通過成膜路徑的基板執行霧氣噴射處理，可有效地執行霧氣噴射處理。
本發明之目的、特徵、樣態及優點可從以下的詳細說明及所附圖面更加明白。
2至4:紅外線照射器
10:基板
11H、11L、12H、12L:薄膜形成噴嘴
13、23、33、43:輸送帶
14、24、34、44:皮帶
15、25、35、45:滾輪
21、31、41、121、141:燈載置台
22、32、42、122、142:紅外線燈
37、47:基板保持構件
51:滾輪
52:皮帶
53:輸送帶
71:成膜裝置
83:上部容器
84:下部容器
88、98:開口部
91:加熱空間、上部容器
92:加熱空間、下部容器
101:薄膜形成噴嘴
102、104:紅外線照射器
107:氣簾
110:基板
801、802:加熱室
901、902:成膜室
112:薄膜製造裝置
C11、C12、C21、C22:門扇
D1、D2:基板移動方向
D3、D4:搬送方向
H1、H2:加熱室
LH:加熱步驟長度
LM:成膜步驟長度
MT:原料霧氣
P1、P2:位置
S0~S4:步驟
第1圖是本發明之實施形態的成膜裝置的剖面構造的示意說明圖。
第2圖是實施形態之成膜裝置的薄膜的成膜處理步驟的示意說明圖。
第3圖是本發明之前提技術的成膜裝置的概略構成的說明圖。
〈前提技術〉
作為加熱機構，可考慮取代習知的平面型加熱手段而使用紅外線照射器。藉由使用紅外線照射器，可不與基板接觸而利用本身為電磁波的紅外線直接加熱，因此不論基板的形狀如何，皆可均一地加熱。
然而，使原料溶液霧化而得的原料霧氣會吸收紅外線，原料霧氣受到加熱而蒸發，因此產生了在基板上所形成的薄膜的成膜品質、以及成膜處理當中的成膜速度降低的問題。而且，也有噴射原料霧氣的霧氣噴射處理本身會妨礙基板的加熱的問題。
為了解決這些問題，可考慮將加熱步驟及成膜步驟(霧氣噴射步驟)分開並且分別在其他空間進行的改良製法。藉由使用該改良製法，不論基板的形狀如何，可以不使薄膜的成膜品質及成膜處理當中的成膜速度降低地進行成膜。
然而，在基板剛結束加熱步驟之後，由於基板的溫度會快速降低，因此必須反覆加熱步驟及成膜步驟。因此，可考慮分別準備複數個進行加熱處理的加熱機構以及進行霧氣噴射處理的霧氣噴射機構，並將複數個加熱機構及複數個霧氣噴射機構交互排列多數個的第1方法。還可考慮使單一的加熱機構與單一的霧氣噴射機構之間的基板來回複數次的第2方法。
第3圖是將本發明之前提技術當中的上述第1方法具體化後的成膜裝置的概略構成的說明圖。第3圖標記有XYZ直角座標系統。
如第3圖所示，前提技術的薄膜製造裝置112的主要構成要件包含：加熱室801及802、成膜室901及902、兩個薄膜形成噴嘴101、兩組紅外線照射器102及104的組合以及輸送帶53。
紅外線照射器102由燈載置台121及複數個紅外線燈122構成，在燈載置台121的上部安裝複數個紅外線燈122。因此，紅外線照射器102可從複數個紅外線燈122朝向上方(+Z方向)照射紅外線。藉由由 紅外線照射器102所進行的上述紅外線照射，可執行對載置於皮帶52上表面的複數個基板110的背面的加熱處理(第1方向加熱處理)。
紅外線照射器104由燈載置台141及複數個紅外線燈142構成，在燈載置台141的下部安裝複數個紅外線燈142。因此，紅外線照射器104可從複數個紅外線燈142朝向下方(-Z方向)照射紅外線。藉由由紅外線照射器104所進行的上述紅外線照射，可執行對載置於皮帶52上表面的複數個基板110的表面的加熱處理(第2方向加熱處理)。
作為基板搬送部的輸送帶53是在皮帶52的上表面載置複數個基板110，同時朝搬送方向(X方向)搬送複數個基板110。輸送帶53具備：設在左右兩端的搬送用的一對滾輪51；以及架設在一對滾輪51之間的環狀搬送用的皮帶52。
輸送帶53可藉由一對滾輪51的旋轉驅動，使上方側(+Z方向側)的皮帶52沿著搬送方向(X方向)移動。
輸送帶53的一對滾輪51當中的一方設在加熱室801外的左方(-X方向)，另一方設在成膜室902的右方(+X方向)。並且，皮帶52的中央部設在加熱室801、加熱室802、成膜室901及成膜室902當中任一個的內部。
因此，皮帶52可藉由一對滾輪51的旋轉驅動，經由設在加熱室801及802各自的左右(-X方向、+X方向)的側面的一部份的一對開口部88、以及設在成膜室901及902各自的左右的側面的一部份的一對開口部98，而在加熱室801及802的內部、成膜室901及902的內部以及外部之間移動。
加熱室801及802以及成膜室901及902依加熱室801、成膜室901、加熱室802及成膜室902的順序，從左方到右方相鄰而設置。並且，加熱室801的右側的開口部88與成膜室901的左側的開口部98共用，成膜室901的右側的開口部98與加熱室802的左側的開口部88共用，加熱室802的右側的開口部88與成膜室902的左側的開口部98共用。
輸送帶53的一部份被收納在加熱室801及802。加熱室801及802的內部及週邊的構成相同，因此以下以加熱室801為中心加以說明。
加熱室801由上部容器83、下部容器84及一對開口部88構成。一對開口部88在Z方向的高度方向當中位於上部容器83與下部容器84之間。因此，設在加熱室801內的開口部88、88間的輸送帶53配置在比下部容器84高，比上部容器83低的位置。
在加熱室801的週邊，作為第1方向加熱部的紅外線照射器102利用未圖示的固定手段被固定在與下部容器84外的下方(-Z方向)側的輸送帶53分開的位置。
在加熱室801的週邊，作為第2方向加熱部的紅外線照射器104利用未圖示的固定手段被固定在與上部容器83外的上方(+Z方向)側的輸送帶53分開的位置。加熱機構由紅外線照射器102及紅外線照射器104構成。
此外，紅外線照射器102及104都是配置在從俯視角度看來與加熱室801內的皮帶52的上表面區域(被線狀的一對輸送帶鏈條夾住的區域)重疊的位置。
加熱室801及802分別以不會吸收從紅外線照射器102及104所照射的紅外線，且穿透性佳的紅外線穿透材料作為構成材料。具體而言，加熱室801及802分別採用石英玻璃作為構成材料。
作為第1方向加熱部的紅外線照射器102從基板110的背面側(另一方主面側)朝向+Z方向(第1方向)照射紅外線，而進行從背面側加熱基板110的第1方向加熱處理。
作為第2方向加熱部的紅外線照射器104從基板110的表面側(一方主面側)朝向與+Z方向為相反方向的-Z方向(第2方向)照射紅外線，而進行從表面側加熱基板110的第2方向加熱處理。
又，加熱室801在執行紅外線照射器102及104的加熱處理(第1方向加熱處理及第2方向加熱處理)時，是將基板110收容在內部。
加熱室801在進行加熱處理時，可利用氣簾107將上部容器83、下部容器84間的開口部88封住，藉此使載置於皮帶52上的複數個基板110與外部隔絕。
如此，前提技術的薄膜製造裝置112具有設在加熱室801的外部週邊的紅外線照射器102及104作為第1加熱機構，具有設在加熱室802的外部週邊的紅外線照射器102及104作為第2加熱機構。
而且，是利用紅外線照射器102及104對加熱室801內的複數個基板110執行第1加熱處理，利用紅外線照射器102及104對加熱室802內的複數個基板110執行第2加熱處理。這些第1及第2加熱處理分別包含上述第1方向加熱處理及第2方向加熱處理。
成膜室901及902各自收納薄膜形成噴嘴101及輸送帶53的一部份。成膜室901及902的內部構成相同，因此以下以成膜室901為中心加以說明。
成膜室901由上部容器91、下部容器92及一對開口部98構成。一對開口部98在Z方向的高度方向當中位於上部容器91與下部容器92之間。因此，設在成膜室901內的開口部98、98間的輸送帶53配置在比下部容器92高，比上部容器91低的位置。
在成膜室901當中，作為霧氣噴射機構的薄膜形成噴嘴101利用未圖示的固定手段固定配置在上部容器91內。此時，薄膜形成噴嘴101以噴射面與皮帶52的上表面相對向的位置關係配置。
在成膜室901當中，薄膜形成噴嘴101執行從設在噴射面的噴射口朝向下方(-Z方向)噴射原料霧氣MT的霧氣噴射處理。
如此，前提技術的薄膜製造裝置112具有設在成膜室901內的薄膜形成噴嘴101作為第1霧氣噴射機構，具有設在成膜室902內的薄膜形成噴嘴101作為第2霧氣噴射機構。
而且，是利用設在成膜室901的薄膜形成噴嘴101執行第1霧氣噴射處理，利用設在成膜室902內的薄膜形成噴嘴101執行第2霧氣噴射處理。
成膜室901及902分別在進行霧氣噴射處理時，可利用氣簾107將上部容器91、下部容器92間的開口部98封住，藉此使薄膜形成噴嘴101及載置於皮帶52上的複數個基板110與外部隔絕。
因此，前提技術的薄膜製造裝置112可利用氣簾107使加熱室801及802各自的一對開口部88以及成膜室901及902各自的一對開口部98全部形成關閉狀態，並且使輸送帶53的皮帶52沿著搬送方向(X方向)移動，藉此設定成膜環境。
前提技術的薄膜製造裝置112為了避免在上述成膜環境下，對加熱室801及802內的基板110進行的加熱處理與對成膜室901及902內的基板110進行的霧氣噴射處理彼此影響，而將兩組紅外線照射器102及104的組合以及兩個薄膜形成噴嘴101分開配置。
而且，前提技術的薄膜製造裝置112是在上述成膜環境下，對加熱室801內的複數個基板110執行由紅外線照射器102及104所進行的紅外線照射的第1加熱處理之後，在成膜室901內執行由薄膜形成噴嘴101所進行的第1霧氣噴射處理。
接下來，薄膜製造裝置112是在上述成膜環境下，對加熱室802內的複數個基板110執行由紅外線照射器102及104所進行的紅外線照射的第2加熱處理之後，在成膜室902內執行由薄膜形成噴嘴101所進行的第2霧氣噴射處理。
該結果，前提技術的薄膜製造裝置112最後可在成膜室902當中被載置於皮帶52上表面的基板110的表面上形成薄膜。
如此，前提技術的薄膜製造裝置112可在與基板110沒有接觸關係的狀態下，藉由兩組紅外線照射器102及104的組合來加熱基板110，因此不論基板110的形狀如何，可進行均一的加熱而不會使基板110變形。
再者，前提技術的薄膜製造裝置112是為了避免加熱處理與霧氣噴射處理彼此影響，而將兩組紅外線照射器102及104及兩個薄膜形成噴嘴101各自分開配置。因此，薄膜製造裝置112在分別執行第1及第2加熱處理以及第1及第2霧氣噴射處理時，可確實避免上述原料霧氣蒸發現象的發生。
該結果，前提技術的薄膜製造裝置112不會使成膜品質或成膜速度降低，而可在基板110的表面上形成薄膜。
前提技術的薄膜製造裝置112是如上所述，為了避免在第1及第2加熱處理以及第1及第2霧氣噴射處理間受影響，第1及第2加熱機構以及第1及第2霧氣噴射機構是以第1、第2的順序交互配置。
而且，前提技術的薄膜製造裝置112的特徵為，以第1、第2的順序交互執行第1及第2加熱處理以及第1及第2霧氣噴射處理。
因此，前提技術的薄膜製造裝置112藉由執行兩次交互反覆的加熱處理及霧氣噴射處理，可使所形成的薄膜的膜厚增加，或是以不同膜質的兩個膜所形成的積層構造形成薄膜。
此外，上述薄膜製造裝置112當中顯示出兩個加熱機構及兩個霧氣噴射機構的組合，但是可實現藉由利用n(n≧2)個加熱機構及n個霧氣噴射機構的組合的擴張變形例。
上述擴張變形例具有用來執行第1至第n加熱處理的第1至第n加熱機構，並且具有用來執行第1至第n霧氣噴射處理的第1至第n霧氣噴射機構。
上述擴張變形例為了避免在第1至第n加熱處理及第1至第n霧氣噴射處理間受影響，將第1至第n加熱機構及第1至第n霧氣噴射機構以第1至第n的順序交互分開配置。
而且，上述擴張變形例的特徵為，以第1、第2、…第n的順序交互執行第1至第n加熱處理以及第1至第n霧氣噴射處理。
因此，上述擴張變形例藉由交互反覆地執行n(≧2)次加熱處理及霧氣噴射處理，可使所形成的薄膜的膜厚增加，或是以不同膜質的n層的膜所形成的積層構造形成薄膜。
除此之外，前提技術的薄膜製造裝置112是同時進行：由紅外線照射器102所進行的第1方向加熱處理、以及由紅外線照射器104所進行的第2方向加熱處理，作為對加熱室801及802內的基板110進行的第1及第2加熱處理。
該結果，前提技術的薄膜製造裝置112可分別在加熱室801及802內更均一地加熱基板110。
然而，如第3圖所示的前提技術所代表的第1方法，必須設置複數個作為加熱機構的紅外線照射器102及104、以及作為霧氣噴射機構的薄膜形成噴嘴101，因此產生了會導致成本上升的問題點。
另一方面，第2方法在於單一的加熱機構與單一的霧氣噴射機構之間移動時，必定會產生不執行加熱處理及霧氣噴射處理任一處理的無謂的時間，因此有成膜處理當中的產率降低的問題點。
以下所述的實施形態為了也解決上述第1及第2方法的問題點，其目的在於將加熱機構及霧氣噴射機構的數量抑制在必要最小限度，並且提高成膜處理的產率。
〈實施形態〉
(構成)
第1圖是本發明之實施形態的成膜裝置71的剖面構造的示意說明圖。第1圖顯示出XYZ正交座標系統。
如該圖面所示，本實施形態的成膜裝置71具有加熱室H1及H2、薄膜形成噴嘴11H及11L、以及薄膜形成噴嘴12H及12L。
在加熱室H1內設有成為第1加熱用移動機構的輸送帶33及基板保持構件37。輸送帶33具備：設在上下兩端之間的搬送用的一對滾輪35、以及架設在一對滾輪35的環狀搬送用的皮帶34。此外，在皮帶34上每既定間隔分開設有複數個基板保持構件37。
各基板保持構件37以相對於皮帶34垂直立設的樣態設置，在基板保持構件37的上表面上可保持基板10。此時，基板10是以表面及背面與X方向平行的方式藉由基板保持構件37所保持。
第1圖是以示意圖表示，為了穩定性良好地保持基板10，基板保持構件37以基板保持構件37達到基板10的中心部的方式加長基板保持構件37的形狀，或是設置把持基板10的把持功能。
因此，輸送帶33藉由複數個基板保持構件37的一部份(圖面中，設在輸送帶33右側的皮帶34的既定數量的基板保持構件37)保持 2以上的既定數量的基板10，同時使既定數量的基板10朝基板移動方向D1移動。
並且，在加熱室H1是在內部具有紅外線照射器2至4作為第1加熱機構。紅外線照射器2設在加熱室H1的底面上，紅外線照射器3設在加熱室H1的右側面上，紅外線照射器4設在加熱室H1的上表面上。
紅外線照射器2由燈載置台21及複數個紅外線燈22構成，在燈載置台21的上部安裝複數個紅外線燈22。因此，紅外線照射器2可從複數個紅外線燈22朝向上方(+Z方向)照射紅外線。藉由由紅外線照射器2所進行的上述紅外線照射，可執行對由基板保持構件37所保持的既定數量的基板10的背面的加熱處理(第1方向加熱處理)。
紅外線照射器4由燈載置台41及複數個紅外線燈42構成，在燈載置台41的下部安裝複數個紅外線燈42。因此，紅外線照射器4可從複數個紅外線燈42朝向下方(-Z方向)照射紅外線。藉由由紅外線照射器4所進行的上述紅外線照射，可執行對由基板保持構件37所保持的既定數量的基板10的表面的加熱處理(第2方向加熱處理)。
紅外線照射器3由燈載置台31及複數個紅外線燈32構成，在燈載置台31的左部安裝複數個紅外線燈32。因此，紅外線照射器3可從複數個紅外線燈32朝向左方(-X方向)照射紅外線。藉由由紅外線照射器3所進行的上述紅外線照射，可執行對由基板保持構件37所保持的既定數量的基板10的右側面的加熱處理(第3方向加熱處理)。
如此，成膜裝置71的第1加熱機構具有三個紅外線照射器2至4(複數個加熱部)，三個紅外線照射器2至4沿著彼此不同的三個照射 方向(+Z方向、-Z方向、-X方向)照射紅外線，藉此可使加熱空間91的溫度分布均一。
輸送帶33可藉由一對滾輪35的旋轉驅動，使右側(+X方向側)的皮帶34沿著基板移動方向D1(+Z方向；第1方向)移動。如此，基板移動方向D1成為上升方向。
因此，輸送帶33隨著上述皮帶34的移動，可使被既定數量的基板保持構件37保持的既定數量的基板10沿著基板移動方向D1移動。具體而言，輸送帶33在初期狀態當中將基板10的表面位置設為位置P2(第2位置)時，可使基板10移動，使基板10的表面位置從位置P2直到上方的位置P1(第1位置)。
如此，第1加熱用移動機構的輸送帶33係在溫度分布均一的加熱空間91(第1加熱空間)內，使基板10朝基板移動方向D1(第1方向)移動，藉此執行對基板10的第1加熱處理。
此時，如前所述，作為第1加熱機構的紅外線照射器2至4，加熱空間91被設定為均一的溫度分布，因此，在加熱空間91當中可更均一地加熱既定數量的基板10。
另一方面，在加熱室H2內設有成為第2加熱用移動機構的輸送帶43及基板保持構件47。輸送帶43具備設在上下兩端之間的搬送用的一對滾輪45、以及架設在一對滾輪45之間的環狀搬送用的皮帶44。此外，在皮帶44上每既定間隔分開設有複數個基板保持構件47。
各基板保持構件47以相對於皮帶44垂直立設的樣態設置，在基板保持構件47的上表面上保持基板10。此時，基板10是以表面及背面與X方向平行的方式由基板保持構件47所保持。
第1圖是以示意圖表示，為了穩定性良好地保持基板10，基板保持構件47以達到基板10的中心部的方式加長基板保持構件47的形狀，或是設置把持基板10的把持功能。
因此，輸送帶43藉由複數個基板保持構件47的一部份(圖面中，設在輸送帶43左側的皮帶44的既定數量的基板保持構件47)保持2以上的既定數量的基板10，同時使既定數量的基板10朝基板移動方向D2移動。基板移動方向D2(-Z方向)與基板移動方向D1(+Z方向)為相反方向，成為下降方向。
另一方面，在加熱室H2是在內部具有紅外線照射器2至4作為第2加熱機構。紅外線照射器2設在加熱室H2的底面上，紅外線照射器3設在加熱室H2的左側面上，紅外線照射器4設在加熱室H2的上表面上。
設在加熱室H2內的紅外線照射器2及4與設在加熱室H1內的紅外線照射器2及4相同，因此附上相同的符號並適當省略說明。
紅外線照射器3由燈載置台31及複數個紅外線燈32構成，在燈載置台31的左部安裝複數個紅外線燈32。因此，紅外線照射器3可從複數個紅外線燈32朝向右方(+X方向)照射紅外線。藉由由紅外線照射器3所進行的紅外線照射，可執行對由基板保持構件47所保持的既定數量的基板10的左側面的加熱處理(第3方向加熱處理)。
如此，成膜裝置71的第2加熱機構具有三個紅外線照射器2至4(複數個加熱部)，三個紅外線照射器2至4沿著彼此不同的三個照射方向(+Z方向、-Z方向、+X方向)照射紅外線，藉此可使加熱空間92的溫度分布均一。
輸送帶43可藉由一對滾輪45的旋轉驅動，使左側(-X方向側)的皮帶44沿著基板移動方向D2(-Z方向；第2方向)移動。
因此，輸送帶43隨著上述皮帶44的移動，可使由既定數量的基板保持構件47所保持的既定數量的基板10沿著基板移動方向D2移動。具體而言，輸送帶43在初期狀態當中將基板10的表面位置設為位置P1(第1位置)時，可使基板10移動，使基板10的表面位置從位置P1直到下方的位置P2(第2位置)為止。
如此，第2加熱用移動機構的輸送帶43係在溫度分布均一的加熱空間92(第2加熱空間)內，使基板10朝基板移動方向D2(第2方向)移動，藉此執行對基板10的第2加熱處理。
此時，如前所述，藉由作為第2加熱機構的紅外線照射器2至4，加熱空間92被設定為均一的溫度分布，因此在加熱空間92當中可更均一地加熱既定數量的基板10。
成膜裝置71在加熱室H1及H2間設有兩個輸送帶13及23。
作為第1搬送用移動機構的輸送帶13具備：以包圍後面將詳述的薄膜形成噴嘴11L的方式設在四個端部的搬送用的四個滾輪15；以及架設在四個滾輪15之間的環狀搬送用的皮帶14。
上述構成的輸送帶13是將基板10載置於皮帶14的上表面，同時沿著作為第1搬送方向(+X方向)的搬送方向D3搬送該基板10。載置於皮帶14的上表面的基板10在Z方向當中的表面位置被設定為與位置P1相同程度。此外，輸送帶13可在皮帶14上載置至少一個基板10。
亦即，輸送帶13可藉由四個滾輪15的旋轉驅動，使上方側(+Z方向側)的皮帶14沿著搬送方向D3移動。該結果，輸送帶13可執行沿著從加熱室H1朝向加熱室H2的搬送方向D3(第1搬送方向)搬送基板10的搬送處理(第1搬送處理)。
作為第1霧氣噴射機構當中的第1方向霧氣噴射部的薄膜形成噴嘴11L以位於上方的皮帶14的下方，位於下方的皮帶14的上方，位於左方的皮帶14的右方，位於右方的皮帶14的左方的方式，利用未圖示的固定手段固定配置。此時，薄膜形成噴嘴11L以霧氣噴射口與配置在皮帶14上的基板10的背面相對向的位置關係配置。
作為第1霧氣噴射機構當中的第2方向霧氣噴射部的薄膜形成噴嘴11H以位於上方的皮帶14的更上方的方式，利用未圖示的固定手段固定配置。此時，薄膜形成噴嘴11H以霧氣噴射口與載置於皮帶14上的基板10的表面相對向的位置關係配置。
薄膜形成噴嘴11L執行從霧氣噴射口朝向上方(+Z方向；第1方向)噴射原料霧氣MT的第1方向霧氣噴射處理。
薄膜形成噴嘴11H執行從霧氣噴射口朝向下方(-Z方向；第2方向)噴射原料霧氣MT的第2方向霧氣噴射處理。
如此，實施形態的成膜裝置71具有薄膜形成噴嘴11L作為第1霧氣噴射機構的第1方向霧氣噴射部，具有薄膜形成噴嘴11H作為第1霧氣噴射機構的第2方向霧氣噴射部。因此，實施形態的成膜裝置71是藉由薄膜形成噴嘴11L及11H的組合而構成第1霧氣噴射機構，第1霧氣噴射機構執行藉由第1方向霧氣噴射處理及第2方向霧氣噴射處理的組合的第1霧氣噴射處理。
基板10藉由輸送帶13朝搬送方向D3被搬送的搬送路徑當中，原料霧氣MT所噴射的路徑成為第1成膜路徑。
因此，作為第1搬送用移動機構的輸送帶13係使基板10沿著搬送方向D3移動，藉此執行使其通過加熱室H1及H2外的上述第1成膜路徑，並且在加熱室H1及H2間搬送基板10的第1搬送處理。
另外，為了可執行第1搬送處理，必須使用未圖示的機器人手臂等的基板轉乘機構，進行以下的第1及第2轉乘處理。第1轉乘處理是將在加熱室H1內被基板保持構件37所保持，且表面位置為位置P1的基板10轉乘至皮帶14的上表面的左端的處理。第2轉乘處理是將被載置於皮帶14的上表面的右端上的基板10，以在加熱室H2內的表面位置成為位置P1的方式，使基板10保持在基板保持構件47的處理。
另外，執行第1轉乘處理時，在加熱室H1的右側面當中對應位置P1而設置的門扇C11形成開放狀態，執行第2轉乘處理時，在加熱室H2的左側面當中設在位置P1的門扇C21形成開放狀態。
因此，藉由輸送帶13及上述基板轉乘機構的組合便構成第1搬送用移動機構。以下為了說明的方便，省略第1及第2轉乘處理的說明，以利用輸送帶13的第2搬送處理為代表加以說明。
作為第1霧氣噴射機構的薄膜形成噴嘴11H及11L執行將使原料溶液霧化而得的原料霧氣MT朝向通過上述第1成膜路徑的基板10噴射的第1霧氣噴射處理。
作為第2搬送用移動機構的輸送帶23具備：以包圍後面將詳述的薄膜形成噴嘴12L的方式設在四個端部的搬送用的四個滾輪25；以及架設在四個滾輪25之間的環狀搬送用的皮帶24。
上述構成的輸送帶23將基板10載置於皮帶24的上表面，同時沿著作為第2搬送方向(-X方向)的搬送方向D4搬送該基板10。載置於皮帶24的上表面的基板10在Z方向當中的表面位置被設定為與位置P2相同程度。此外，在皮帶24上可載置至少一個基板10。
亦即，輸送帶23可藉由四個滾輪25的旋轉驅動，使上方側(+Z方向側)的皮帶24沿著搬送方向D4移動。該結果，輸送帶23可執行沿著從加熱室H2朝向加熱室H1的搬送方向D4(第2搬送方向)搬送基板10的搬送處理(第2搬送處理)。
作為第2霧氣噴射機構當中的第1方向霧氣噴射部的薄膜形成噴嘴12L以位於上方的皮帶24的下方，位於下方的皮帶24的上方，位於左方的皮帶24的右方，位於右方的皮帶24的左方的方式，利用未圖示的固定手段固定配置。此時，薄膜形成噴嘴12L以霧氣噴射口與配置於皮帶24上的基板10的背面相對向的位置關係配置。
作為第2霧氣噴射機構當中的第2方向霧氣噴射部的薄膜形成噴嘴12H以位於上方的皮帶24的更上方的方式，利用未圖示的固定手段固定配置。此時，薄膜形成噴嘴12H以霧氣噴射口與載置於皮帶24上的基板10的表面相對向的位置關係配置。
薄膜形成噴嘴12L執行從霧氣噴射口朝向上方(+Z方向；第1方向)噴射原料霧氣MT的第1方向霧氣噴射處理。
薄膜形成噴嘴12H執行從霧氣噴射口朝向下方(-Z方向；第2方向)噴射原料霧氣MT的第2方向霧氣噴射處理。
如此，實施形態的成膜裝置71具有薄膜形成噴嘴12L作為第2霧氣噴射機構的第1方向霧氣噴射部，具有薄膜形成噴嘴12H作為第2霧氣噴射機構的第2方向霧氣噴射部。因此，實施形態的成膜裝置71藉由薄膜形成噴嘴12L及12H的組合而構成第2霧氣噴射機構，第2霧氣噴射機構執行藉由第1方向霧氣噴射處理及第2方向霧氣噴射處理的組合的第2霧氣噴射處理。
基板10藉由輸送帶23朝搬送方向D4被搬送的搬送路徑當中，原料霧氣MT所噴射的路徑成為第2成膜路徑。
因此，作為第2搬送用移動機構的輸送帶23使基板10沿著搬送方向D4移動，藉此執行使其通過加熱室H1及H2外的上述第2成膜路徑，並且在加熱室H1及H2間搬送基板10的第2搬送處理。
另外，為了可執行第2搬送處理，必須使用未圖示的機器人手臂等的基板轉乘機構，進行以下的第3及第4轉乘處理。第3轉乘處理是將在加熱室H2內被基板保持構件47保持，且表面位置為位置P2的基 板10轉乘至皮帶24的上表面的右端的處理。第4轉乘處理是將載置於皮帶24的上表面的左端上的基板10，以在加熱室H1內的表面位置成為位置P2的方式，使基板10保持在基板保持構件37的處理。
另外，執行第3轉乘處理時，在加熱室H2的左側面當中設在位置P2的門扇C22形成開放狀態，執行第4轉乘處理時，在加熱室H1的右側面當中設在位置P2的門扇C12形成開放狀態。
因此，藉由輸送帶23及上述基板轉乘機構的組合便構成第2搬送用移動機構。以下為了說明的方便，省略第3及第4轉乘處理的說明，以由輸送帶23所進行的第2搬送處理為代表加以說明。
作為第2霧氣噴射機構的薄膜形成噴嘴12H及12L執行將使原料溶液霧化而得的原料霧氣MT，朝向通過上述第2成膜路徑的基板10噴射的第2霧氣噴射處理。
另外，輸送帶13的皮帶14及輸送帶23的皮帶24分別由一對線狀的輸送帶鏈條的組合構成，並且形成存在有原料霧氣MT通過用的開口部分的構造為佳。其原因在於為了使皮帶14及24的存在不會對薄膜形成噴嘴11L及12L的原料霧氣MT的噴射造成不好的影響。
(動作)
第2圖是本實施形態的成膜裝置71的薄膜的成膜處理步驟的示意說明圖。以下，參照該圖面，說明由成膜裝置71所進行的成膜處理內容。此外，以下為了說明的方便，針對對一片基板10進行的成膜處理加以說明。
首先，在步驟S0當中執行初期設定處理。亦即，在加熱室H1內，以基板10的表面位置成為位置P2的方式，使基板10保持在基板保持構件37。
接下來，在步驟S1當中執行第1加熱處理。具體而言，在加熱室H1內，在藉由作為第1加熱機構的紅外線照射器2至4將加熱空間91設定為既定的溫度的狀態下，藉由作為第1加熱用移動機構的輸送帶33及基板保持構件37保持基板10，同時使基板10沿著基板移動方向D1移動，藉此執行第1加熱處理。執行步驟S1之後，加熱室H1內的基板10的表面位置成為位置P1。
接下來，在步驟S2當中執行第1搬送處理(第1霧氣噴射處理)。第1搬送處理是藉由作為第1搬送用移動機構的主要構成要件的輸送帶13，使基板10沿著搬送方向D3移動，藉此使其通過加熱室H1及H2外的第1成膜路徑，並且在加熱室H1及H2間搬送基板10的處理。與該第1搬送處理併行地執行第1霧氣噴射處理。
第1霧氣噴射處理是藉由作為第1霧氣噴射機構的薄膜形成噴嘴11H及11L，將使原料溶液霧化而得的原料霧氣MT朝向通過第1成膜路徑的基板10噴射的處理。執行步驟S2之後，加熱室H2內的基板10的表面位置P1成為位置P1。
在執行步驟S1當中的第1加熱處理之後，可進行以下處理：執行步驟S2當中的第1霧氣噴射處理而在基板10的表面及背面上形成薄膜的一個單位的成膜處理。
接下來，在步驟S3當中執行第2加熱處理。具體而言，在加熱室H2內，在利用作為第2加熱機構的紅外線照射器2至4將加熱空間92設定為既定的溫度的狀態下，藉由作為第2加熱用移動機構的輸送帶43及基板保持構件47保持基板10，同時使基板10沿著基板移動方向D2移動，藉此執行第2加熱處理。執行步驟S3之後，加熱室H2內的基板10的表面位置成為位置P2。
接下來，在步驟S4當中執行第2搬送處理(第2霧氣噴射處理)。第2搬送處理是利用作為第2搬送用移動機構的主要構成要件的輸送帶23，使基板10沿著搬送方向D4移動，藉此使其通過加熱室H1及H2外的第2成膜路徑，並且在加熱室H1及H2間搬送基板10的處理。與該第2搬送處理併行地執行第2霧氣噴射處理。
第2霧氣噴射處理是利用作為第2霧氣噴射機構的薄膜形成噴嘴12H及12L，將使原料溶液霧化而得的原料霧氣MT朝向通過第2成膜路徑的基板10噴射的處理。執行步驟S4之後，加熱室H1內的基板10的表面位置成為位置P2。
在執行步驟S3當中的第2加熱處理之後，可進行以下處理：執行步驟S4當中的第2霧氣噴射處理而在基板10的表面及背面上形成薄膜的一個單位的成膜處理。
當步驟S4結束時，基板10是以在加熱室H1內的表面位置成為位置P2的方式被基板保持構件37所保持，因此會回到與步驟S0的初期設定相同的狀態。因此，可以不用再次執行步驟S0的初期設定處理，而是反覆從步驟S1至S4的處理。
在此，以步驟S1(第1加熱處理)、步驟S2(第1搬送處理)、步驟S3(第2加熱處理)及步驟S4(第2搬送處理)的順序執行的一連串的處理成為成膜裝置71的基準循環。
因此，本實施形態的成膜裝置71可執行至少一次基準循環，且可依需要反覆N(N≧2)次的基準循環。
此外，上述步驟S0至S4當中，為了說明的方便，以一片基板10作為成膜對象來說明。然而，當然亦可對複數個基板10併行地執行步驟S0至S4(第二次以後為步驟S1至S4)。例如，可將複數個基板10當中的一部份作為步驟S1的第1加熱對象，將另一部份作為步驟S2的第1搬送處理對象，將又另一部份作為步驟S3的第2加熱對象，將其餘的作為步驟S4的第2搬送處理對象。
(效果等)
本實施形態的成膜裝置71可如上所述執行由步驟S1至S4所構成的基準循環。
因此，在執行步驟S1的第1加熱處理之後，可進行以下處理：執行步驟S2當中的第1霧氣噴射處理而在基板10的表面及背面上形成薄膜的一個單位的成膜處理。除此之外，在執行步驟S3的第2加熱處理之後，可進行以下處理：執行步驟S4當中的第2霧氣噴射處理而分別在基板10的表面及背面上形成薄膜的一個單位的成膜處理。
因此，只要如第2圖所示的步驟S0進行將基板10配置在加熱室H1內的位置P2的初期設定，便可在步驟S0之後執行至少一次上述基準循環。
藉此，本實施形態的成膜裝置71能以一次的基準循環進行兩個單位的成膜處理。再者，藉由反覆進行N(N≧2)次上述基準循環，能以高的產率進行2‧N單位的成膜處理。
如此，本實施形態的成膜裝置71能夠藉由包含加熱室H1及H2、輸送帶33及43、基板保持構件37及47、輸送帶13及23、薄膜形成噴嘴11H及11L以及薄膜形成噴嘴12H及12L的所需最小限度的構成，並且藉由反覆進行N次的基準循環，以高的產率執行2‧N單位的成膜處理。
本實施形態的成膜裝置71是在成為第1加熱空間的加熱空間91內使基板10沿著作為第1方向的基板移動方向D1移動而執行第1加熱處理，並且在成為第2加熱空間的加熱空間92內使基板10沿著作為第2方向的基板移動方向D2移動而執行第2加熱處理。
因此，不論基板10的形狀如何，成膜裝置71皆可均一地加熱基板10。
再者，本實施形態的成膜裝置71是將加熱室H1及H2分別與設在加熱室H1及H2外的第1及第2成膜路徑各自分開配置，因此第1及第2霧氣噴射處理不會對第1及第2加熱處理造成不好的影響。
因此，本實施形態的成膜裝置71不會使成膜品質及成膜速度降低，而可在基板10的表面及背面上形成薄膜。
再者，本實施形態的成膜裝置71可藉由在執行使基板10在加熱室H1及H2間移動的第1及第2搬送處理的期間當中，對通過第1及 第2成膜路徑的基板執行第1及第2霧氣噴射處理，而有效地執行第1及第2霧氣噴射處理。
又，成膜裝置71當中，作為第2方向的基板移動方向D2是與作為第1方向的基板移動方向D1為相反方向，搬送方向D3及D4形成與基板移動方向D1及D2垂直的方向。
因此，加熱室H1內的輸送帶33在步驟S1所執行的第1加熱處理之執行當中，可使基板10的表面位置從位置P2上升至位置P1，使基板10較簡單地在搬送方向D3的延長線上移動。
同樣的，加熱室H2內的輸送帶43在步驟S3所執行的第2加熱處理之執行當中，可使基板10的表面位置從位置P1下降至位置P2，使基板10較簡單地在搬送方向D4的延長線上移動。
再者，基板移動方向D1及基板移動方向D2是與基板10的表面垂直的方向(Z方向)，搬送方向D3及D4是與基板10的表面平行的方向(X方向)。
因此，成膜裝置71當中的加熱室H1及H2可分別形成將可收容基板的面設為底面，將基板移動方向D1(D2)設為高度方向的柱狀，因此可謀求裝置面積的減少。
例如，基板10的表面形狀為圓形的情況，可使加熱室H1及H2分別形成圓柱狀。
此外，本實施形態的成膜裝置71的第1霧氣噴射機構可藉由同時進行由薄膜形成噴嘴11L所進行的第1方向霧氣噴射處理以及由薄 膜形成噴嘴11H所進行的第2方向霧氣噴射處理，在執行步驟S2的第1搬送處理(第1霧氣噴射處理)時，在基板10的背面及表面分別形成薄膜。
同樣的，本實施形態的成膜裝置71的第2霧氣噴射機構可藉由同時進行由薄膜形成噴嘴12L所進行的第1方向霧氣噴射處理以及由薄膜形成噴嘴12H所進行的第2方向霧氣噴射處理，在執行步驟S4的第2搬送處理(第2霧氣噴射處理)時，在基板10的背面及表面分別形成薄膜。
再者，實施形態的成膜裝置71對複數個基板10併行地執行第1加熱處理、第1搬送處理(第1霧氣噴射處理)、第2加熱處理、及第2搬送處理(第2霧氣噴射處理)，可更進一步謀求成膜處理時的產率的提升。
(關於加熱步驟長度LH及成膜步驟長度LM)
針對在加熱室H1及H2內執行的第1及第2加熱處理加以考察。以下，以第1及第2加熱處理所要求的加熱條件相同，第1及第2搬送處理所要求的成膜條件相同為前提，針對在加熱室H1內執行的第1加熱處理以及在第1成膜路徑執行的第1搬送處理(第1霧氣噴射處理)加以考察。
以下考慮在第2圖所示的步驟S1所執行的第1加熱處理必須執行必要加熱時間TH，在步驟S2所執行的第1霧氣噴射處理必須執行必要霧氣噴射時間TM的情形。亦即，考慮藉由執行必要加熱時間TH的加熱處理，接下來，執行必要霧氣噴射時間TM的霧氣噴射處理，而使所希望的薄膜以高品質成膜的情形。
從加熱室H1當中的位置P1到位置P2的距離被定為加熱步驟長度LH，沿著搬送方向D3的第1搬送路徑當中接受原料霧氣MT之噴射的第1成膜路徑的形成長度被定為成膜步驟長度LM，由輸送帶33所致 的沿著基板移動方向D1的基板10的移動速度被定為加熱用移動速度VH，由輸送帶13所致的基板10的移動速度被定為搬送用移動速度VM。
本實施形態的成膜裝置71當中，加熱步驟長度LH及加熱用移動速度VH設定為滿足必要加熱時間TH。亦即，以滿足式子(1){LH/VH=TH…(1)}的方式來設定加熱步驟長度LH及加熱用移動速度VH。
例如，在被加熱至既定溫度的加熱空間91內，基板10達到目標溫度為止的必要加熱時間TH為10秒的情況，加熱用移動速度VH為10cm/s的速度時，只要將加熱步驟長度LH設定為100cm即可。
同樣的，本實施形態的成膜裝置71當中，成膜步驟長度LM及搬送用移動速度VM設定為滿足必要霧氣噴射時間TM。亦即，以滿足式子(2){LM/VM=TM…(2)}的方式來設定成膜步驟長度LM及搬送用移動速度VM。
如此，本實施形態的成膜裝置71將加熱步驟長度LH及加熱用移動速度VH設定為滿足式子(1)，將成膜步驟長度LM及搬送用移動速度VM設定為滿足式子(2)。
因此，本實施形態的成膜裝置71並不會將加熱室H1及H2的加熱空間91及92的設定溫度提高到所需溫度以上，而能以基板10的溫度達到目標溫度的方式執行第1及第2加熱處理。
此外，成膜裝置71並不會將由薄膜形成噴嘴11H及11L以及薄膜形成噴嘴12H及12L所進行的第1及第2霧氣噴射處理當中的原料霧氣噴射量提高到所需量以上，而可精度良好地形成目標膜厚的薄膜。
此外，本實施形態的成膜裝置71將第2圖的步驟S1至S4所構成的基準循環的反覆執行次數規定為圈數的情況，圈數是設定為分別形成在基板10的表面及背面的薄膜的膜厚會形成既定的膜厚的次數。
因此，不用增大成膜裝置71的規模，而可在基板10的表面及背面分別形成具有既定膜厚的薄膜。
〈其他〉
上述實施形態顯示出第1及第2搬送用移動機構及第1及第2霧氣噴射機構，但是亦可考慮簡化為一個搬送用移動機構及一個霧氣噴射機構的樣態。
例如，可考慮針對薄膜形成噴嘴11H及11L以及輸送帶13的組合構造又設置使其朝上下方向(+Z方向、-Z方向)升降的升降機構的樣態。在該情況，藉由該升降機構，藉由使上述組合構造依需要移動至位置P1或位置P2附近，可使上述組合構造具有薄膜形成噴嘴12H及12L以及輸送帶23的功用。
此時，上述組合構造當中的輸送帶13位於位置P1附近的情況，可執行沿著搬送方向D3的搬送處理而執行以下的第1成膜處理，位於位置P2附近的情況，可執行沿著搬送方向D4的搬送處理而執行以下的第2成膜處理。
第1成膜處理是在執行加熱室H1內的第1加熱處理之後，執行由上述組合構造當中的薄膜形成噴嘴11H及11L所進行的原料霧氣MT的噴射處理的處理。第2成膜處理是在執行加熱室H2內的第2加熱處 理之後，執行由上述組合構造當中的薄膜形成噴嘴11H及11L所進行的原料霧氣MT的噴射處理的處理。
又，本實施形態是將基板移動方向D1及D2設定為與基板10的表面垂直的方向，將搬送方向D3及D4設定為與基板的表面平行的方向。作為實施形態的變形例，亦可考慮將基板移動方向D1及D2設定為與基板10的表面平行的方向，將搬送方向D3及D4設定為與基板的表面垂直的方向的樣態。然而，在該情況，薄膜形成噴嘴11H及11L以及薄膜形成噴嘴12H及12L的配置需要多費心。
又，本實施形態分別顯示出紅外線照射器2至4作為第1及第2加熱機構，但不限於此，只要是可將加熱空間91及92加熱至既定溫度的其他加熱部，皆可取代使用。
又，本實施形態當中，薄膜形成噴嘴11H及11L、薄膜形成噴嘴12H及12L、輸送帶13及輸送帶23只要存在於加熱室H1及H2外即可。例如，亦可如第3圖所示的成膜室901及902，將薄膜形成噴嘴11H及11L以及輸送帶13收容在與外部隔絕的成膜室，將薄膜形成噴嘴12H及12L以及輸送帶23收容在與外部隔絕的成膜室。
本發明已經過詳細說明，但上述說明在所有的狀況僅為例示，本發明並不限定於這些。未例示出的無數個變形例只要不脫離本發明的範圍，也可推想得出來。
2至4:紅外線照射器
10:基板
11H、11L、12H、12L:薄膜形成噴嘴
13、23、33、43:輸送帶
14、24、34、44:皮帶
15、25、35、45:滾輪
21、31、41:燈載置台
22、32、42:紅外線燈
37、47:基板保持構件
71:成膜裝置
91:加熱空間、上部容器
92:加熱空間、下部容器
C11、C12、C21、C22:門扇
D1、D2:基板移動方向
D3、D4:搬送方向
H1、H2:加熱室
LH:加熱步驟長度
LM:成膜步驟長度
MT:原料霧氣
P1、P2:位置

Claims (9)

  1. 一種成膜裝置，具備：具有第1及第2加熱空間(91、92)的第1及第2加熱室(H1、H2)；以及設在前述第1及第2加熱空間的第1及第2加熱用移動機構(33、37、43、47)，前述第1加熱用移動機構是在前述第1加熱空間內使基板(10)朝第1方向移動而執行第1加熱處理，前述第2加熱用移動機構是在前述第2加熱空間內使前述基板朝第2方向移動而執行第2加熱處理，該成膜裝置又具備：搬送用移動機構(13、23)，係執行：使前述基板沿著搬送方向移動，藉此使前述基板通過前述第1及第2加熱室外的成膜路徑，並且在第1及第2加熱室間搬送前述基板的搬送處理；以及霧氣噴射機構(11H、11L、12H、12L)，係執行：將使原料溶液霧化而得的原料霧氣(MT)朝向通過前述成膜路徑的前述基板噴射的霧氣噴射處理，在執行前述第1及第2加熱處理當中至少一個加熱處理之後，執行由前述霧氣噴射機構所進行的前述霧氣噴射處理而在前述基板上形成薄膜。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之成膜裝置，其中，前述第2方向是前述第1方向的相反方向，前述搬送方向是與前述第1及第2方向垂直的方向。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之成膜裝置，其中，第1及第2方向是與前述基板的表面垂直的方向， 前述搬送方向是與前述基板的表面平行的方向。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之成膜裝置，其中，前述第1方向是從下方朝向上方的上升方向，前述第2方向是從上方朝向下方的下降方向，前述成膜路徑係包含彼此為相同的形成長度的第1及第2成膜路徑，前述第1及第2成膜路徑係以彼此不重複的方式在前述第1方向當中設在互不相同的第1及第2位置，前述第1位置具有比前述第2位置在前述第1方向當中位於更上方的位置關係，前述搬送方向包含第1及第2搬送方向，前述第1搬送方向是從前述第1加熱室朝向前述第2加熱室的方向，前述第2搬送方向是從前述第2加熱室朝向前述第1加熱室的方向，前述搬送用移動機構包含第1及第2搬送用移動機構，前述第1搬送用移動機構執行：以前述基板會通過前述第1成膜路徑的方式，沿著前述第1搬送方向，使前述基板從前述第1加熱室移動至前述第2加熱室的第1搬送處理，前述第2搬送用移動機構執行：以前述基板會通過前述第2成膜路徑的方式，沿著前述第2搬送方向，使前述基板從前述第2加熱室移動至前述第1加熱室的第2搬送處理，前述搬送處理包含前述第1及第2搬送處理，前述霧氣噴射機構包含第1及第2霧氣噴射機構，前述第1霧氣噴射機構執行朝向通過前述第1成膜路徑的前述基板噴射的第1霧氣噴射處理，前述第2霧氣噴射機構執行朝向通過前述第2成膜路徑的前述基板噴 射的第2霧氣噴射處理，前述霧氣噴射處理包含前述第1及第2霧氣噴射處理，該成膜裝置係執行至少一次基準循環，該基準循環係以前述第1加熱處理、前述第1搬送處理、前述第2加熱處理及前述第2搬送處理的順序執行的一連串的處理。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之成膜裝置，其中，前述第1及第2加熱室各自從前述第1位置到前述第2位置為止的距離被定為加熱步驟長度，前述第1及第2成膜路徑的形成長度被定為相同的成膜步驟長度，由前述第1及第2加熱用移動機構所致的前述基板的移動速度被定為相同的加熱用移動速度，由前述第1及第2搬送用移動機構所致的前述基板的移動速度被定為相同的搬送用移動速度，前述第1及第2加熱處理必須執行必要加熱時間，前述第1及第2霧氣噴射處理必須執行必要霧氣噴射時間，前述加熱步驟長度及前述加熱用移動速度係設定為滿足前述必要加熱時間，前述成膜步驟長度及前述搬送用移動速度係設定為滿足前述必要霧氣噴射時間。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之成膜裝置，其中，前述基準循環的反覆執行次數被定為圈數，前述圈數係以薄膜的膜厚會形成既定的膜厚的方式設定。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項所述之成膜裝置，更具備： 設在前述第1加熱室內，不與前述基板接觸而加熱前述第1加熱空間的第1加熱機構；以及設在前述第2加熱室內，不與前述基板接觸而加熱前述第2加熱空間的第2加熱機構，前述第1及第2加熱機構分別具有沿著彼此不同的複數個照射方向照射紅外線而加熱前述基板的複數個加熱部(2至4)。
  8. 如申請專利範圍第4至6項中任一項所述之成膜裝置，其中，前述第1及第2霧氣噴射機構分別包含：執行朝向前述第1方向噴射前述原料霧氣的第1方向霧氣噴射處理的第1方向霧氣噴射部(11L、12L)；以及執行朝向前述第2方向噴射前述原料霧氣的第2方向霧氣噴射處理的第2方向霧氣噴射部(11H、12H)，前述第1及第2霧氣噴射處理分別包含前述第1方向霧氣噴射處理及前述第2方向霧氣噴射處理。
  9. 如申請專利範圍第1至6項中任一項所述之成膜裝置，其中，前述基板包含複數個基板。
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