JP6855147B2 - 成膜装置 - Google Patents
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Description
前記加熱室と前記成膜室とは互いに分離して配置され、前記基板搬送部によって前記基板を前記所定の円周に沿って搬送させることにより、前記加熱室内の前記加熱機構による加熱処理の実行後に、前記成膜室内の前記ミスト噴射部によるミスト噴射処理を実行して前記基板上に薄膜を成膜する。
加熱機構として、従来の平面型加熱手段に変えて赤外光照射器を用いることが考えられる。赤外光照射器を用いることにより、基板に接触することなく電磁波である赤外線で直接加熱できるため、基板の形状に関わらず均一に加熱することが可能となる。
図1はこの発明の実施の形態1である成膜装置71の平面構造を模式的に示す説明図である。図2は実施の形態1の成膜装置71の断面構造を示す断面図である。図2は図1のA−A断面を示しており、図1及び図2それぞれにXYZ直交座標系を示している。
図3はこの発明の実施の形態2である成膜装置72の平面構造を模式的に示す説明図である。図3にXYZ直交座標系を記している。以下、実施の形態2の成膜装置72の固有の特徴を中心に説明し、実施の形態1の成膜装置71と同様な特徴の説明は適宜省略する。
図4はこの発明の実施の形態3である成膜装置73の平面構造を模式的に示す説明図である。図4にXYZ直交座標系を記している。以下、実施の形態3の成膜装置73の特徴を中心に説明し、実施の形態1の成膜装置71と同様な特徴の説明は適宜省略する。
なお、基板10の枚数が1枚の場合、実施の形態3の変形例として、工程長比PL3が必要時間比PT3と適合していない場合における態様が考えられる。変形例では、基板搬送装置8による搬送速度V3を以下のように決定する。
図5はこの発明の実施の形態4である成膜装置74の平面構造を模式的に示す説明図である。図6は実施の形態4の成膜装置74の断面構造を示す断面図である。図6は図5のB−B断面を示しており、図5及び図6それぞれにXYZ直交座標系を記している。実施の形態4の成膜装置74は、基板搬送装置8を具体的に示した点を除き、実施の形態1の成膜装置71と同様な構成を有している。なお、図6では赤外光照射器2におけるランプ載置台31及び赤外光ランプ32、赤外光照射器4におけるランプ載置台41及び赤外光ランプ42の図示を省略している。
図13はこの発明の実施の形態5である成膜装置75における薄膜形成ノズル11の平面構造を模式的に示す説明図である。実施の形態5の成膜装置75は、薄膜形成ノズル1L及び1Hが薄膜形成ノズル11に置き換わった点を除き、実施の形態1の成膜装置71と同様な構成を有している。
図14は実施の形態5の成膜装置75の第1の変形例である薄膜形成ノズル12の平面構造を模式的に示す説明図である。薄膜形成ノズル12は、薄膜形成ノズル11と同様、図2で示した薄膜形成ノズル1L及び1Hそれぞれに変えて用いられ、ミスト噴射口22から原料ミストMTを噴射する。
図15は実施の形態5の成膜装置75の第2の変形例である薄膜形成ノズル13の平面構造を示す説明図である。薄膜形成ノズル13は、薄膜形成ノズル11と同様、図2で示した薄膜形成ノズル1L及び1Hそれぞれに変えて用いられ、ミスト噴射口23から原料ミストMTを噴射する。
2,4 赤外光照射器
6,6A,6B 基板保持具
8 基板搬送装置
10 基板
21〜23,231〜233 ミスト噴射口
71〜75 成膜装置
F10,F21,F22,F30 成膜室
H10,H21,H22,H30 加熱室
Claims (10)
- 所定の円周上に沿って基板(10)を搬送する基板搬送部(8)と、
前記所定の円周上に沿って配置された加熱室(H10,H21,H22,H30)内に設けられ、前記加熱室内の前記基板と接触することなく、前記基板を加熱する加熱処理を実行する加熱機構(2,4)と、
前記所定の円周上に沿って配置された成膜室(F10,F21,F22,F30)内に設けられ、原料溶液をミスト化して得られる原料ミスト(MT)を前記成膜室内の前記基板に向けて噴射するミスト噴射処理を実行するミスト噴射部(1H,1L)とを備え、
前記加熱室と前記成膜室とは互いに分離して配置され、前記基板搬送部によって前記基板を前記所定の円周に沿って搬送させることにより、前記加熱室内の前記加熱機構による加熱処理の実行後に、前記成膜室内の前記ミスト噴射部によるミスト噴射処理を実行して前記基板上に薄膜を成膜する、
成膜装置。 - 請求項1記載の成膜装置であって、
前記基板は複数の基板を含む、
成膜装置。 - 請求項1または請求項2記載の成膜装置であって、
前記加熱室は複数の加熱室(H21,H22)を含み、前記加熱機構は複数の加熱機構を含み、前記複数の加熱機構は前記複数の加熱室のうち対応する加熱室内に配置され、
前記成膜室は複数の成膜室(F21,F22)を含み、前記ミスト噴射部は複数のミスト噴射部を含み、前記複数のミスト噴射部は前記複数の成膜室のうち対応する成膜室内に配置される、
成膜装置。 - 請求項1から請求項3のうち、いずれか1項に記載の成膜装置であって、
前記加熱室(H30)は前記所定の円周上に沿った加熱工程長(LH3)を有し、前記成膜室(F30)は前記所定の円周上に沿った成膜工程長(LM3)を有し、前記加熱処理は必要加熱時間(TH3)の実行を必要とし、前記ミスト噴射処理は必要ミスト噴射時間(TM3)の実行を必要とし、
前記加熱工程長の前記成膜工程長に対する比である工程長比(PL3)は、前記必要加熱時間の前記必要ミスト噴射時間に対する比である必要時間比(PT3)と適合するように設定される、
成膜装置。 - 請求項1記載の成膜装置であって、
前記基板は1枚の基板を含み、
前記加熱室(H30)は前記所定の円周に沿った加熱工程長(LH3)を有し、前記成膜室は前記所定の円周に沿った成膜工程長(LM3)を有し、前記加熱処理は必要加熱時間(TH3)の実行を必要とし、前記ミスト噴射処理は必要ミスト噴射時間(TM3)の実行を必要とし、
前記基板搬送部による基板の前記所定の円周上に沿った搬送速度(V3)は、前記加熱工程長及び前記成膜工程長に基づき、前記必要加熱時間及び前記必要ミスト噴射時間を共に満足するように、前記加熱室内における搬送速度(V3H)と前記成膜室内における搬送速度(V3M)とが個別に設定されることを特徴とする、
成膜装置。 - 請求項1から請求項3のうち、いずれか1項に記載の成膜装置であって、
前記ミスト噴射部は前記原料ミストを噴射するミスト噴射口(21〜23)を有し、
前記ミスト噴射口は前記所定の円周の中心点から遠ざかるに従い開口領域が広くなる形状を有する、
成膜装置。 - 請求項1から請求項3のうち、いずれか1項に記載の成膜装置であって、
前記基板搬送部は、
前記所定の円周上に沿って前記基板を搬送させるための回転動作を行う回転機構部(8r,8p)と、
前記基板を保持し、かつ、前記回転動作に伴い前記所定の円周上に沿って搬送される基板保持具(6,6A,6B)とを含む、
成膜装置。 - 請求項7記載の成膜装置であって、
前記基板は平面視矩形状の基板であり、
前記基板保持具は、前記基板の表面の全面を露出させ、かつ、前記基板の裏面の角部を除く全領域を露出させた状態で、前記基板を保持することを特徴とする、
成膜装置。 - 請求項1から請求項3のうち、いずれか1項に記載の成膜装置であって、
前記加熱機構は、
第1の方向に向けて赤外光を照射して前記基板を加熱する第1方向加熱処理を行う第1方向加熱部(2)と、
前記第1の方向と反対方向となる第2の方向に向けて赤外光を照射して前記基板を加熱する第2方向加熱処理を行う第2方向加熱部(4)とを含み、
前記加熱処理は前記第1方向加熱処理と前記第2方向加熱処理とを含み、前記第1の方向は前記基板の裏面から表面に向かう方向であり、前記第2の方向は前記基板の表面から裏面に向かう方向である、
成膜装置。 - 請求項9記載の成膜装置であって、
前記ミスト噴射部は、
前記第1の方向に向けて前記原料ミストを噴射する第1方向ミスト噴射処理を実行する第1方向ミスト噴射部(1L)と、
前記第2の方向に向けて前記原料ミストを噴射する第2方向ミスト噴射処理を実行する第2方向ミスト噴射部(1H)とを含み、
前記ミスト噴射処理は前記第1方向ミスト噴射処理と前記第2方向ミスト噴射処理とを含む、
成膜装置。
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