TWI726300B - 光阻剝除劑 - Google Patents

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Abstract

本發明提供自基材上去除光阻的改善的剝除劑溶液,其表現出與銅、無鉛焊料及環氧系模塑化合物的改善的相容性。該剝除劑溶液包含一級溶劑、二級二醇醚溶劑、氫氧化鉀及胺。該溶液也表現出與含有氫氧化鉀的習用配方相比減少的碳酸鉀晶體形成,及與含有氫氧化四甲銨的配方相比延長的浴壽命。

Description

光阻剝除劑
相關申請案之相互參照 本案請求2018年4月12日申請的美國臨時專利申請案第62/656,843號之優先權,在此為了所有允許的目的而以引用之方式將其全文併入本文。
本發明大體上關於具有能自基材上有效去除光阻的組合物及使用此組合物的方法。所揭示的組合物是用於去除光阻的剝除劑溶液,該剝除劑溶液可基本上不含DMSO及/或NMP及/或TMAH,並且較佳地與銅、無鉛SnAg焊料及環氧系模塑化合物具有相容性。
用於去除晶片級封裝時使用的厚光阻之光阻剝除劑通常包含溶劑、胺類、氫氧化季銨類、無機氫氧化物、共溶劑、腐蝕抑製劑和其他添加劑的不同組合。用於此應用的許多產品包括當作溶劑的DMSO或NMP加上胺類或氫氧化季銨類或兩者。氫氧化四甲基銨(TMAH)是最常用的氫氧化季銨,因為它比其他氫氧化季銨類具有更低的成本及更好的性能。然而,卻有與TMAH相關的眾所周知的潛在健康影響。含有剝除劑組合物的TMAH的替代物是合乎需要的。
氫氧化鉀(KOH)是無機強鹼,當用於光阻剝除劑時將提供有利的性質,而沒有與TMAH相關的潛在健康影響。KOH成本低且具有良好的熱安定性,導致光阻剝除劑的浴壽命通常比使用TMAH的光阻剝除劑長。與KOH相關的一個問題是它與來自大氣的二氧化碳反應生成碳酸鉀。碳酸鉀是水溶性的,但通常不易溶於有機溶劑。使用KOH的光阻剝除劑通常具有與碳酸鉀晶體的沉澱問題。去除晶體可能需要額外清潔加工工具,其使用水溶解及/或沖洗掉晶體。
於本發明之一態樣中,提供自基材上有效去除或剝除正型或負型光阻、經過蝕刻製程之後的光阻或基材的蝕刻殘餘物之光阻剝除劑溶液。本發明的剝除劑溶液對光阻材料具有特別高的負載能力(loading capacity),並且當經受低於運輸、倉儲及在一些製造設施中使用時經常遇到的正常室溫之溫度時保持液體的能力。
該組合物提供KOH光阻剝除劑組合物,其表現出減少的碳酸鉀晶體形成和延長的浴壽命。該組合物另外不含含硫溶劑,並顯示出與銅、無鉛焊料及環氧系模塑化合物的改進的相容性。
根據本揭示內容的組合物通常包括伯二醇醚溶劑、無機鹼、與一級溶劑不同的二級二醇溶劑、胺和腐蝕抑製劑。合適的二醇醚溶劑包括二乙二醇丁基醚(DB)、二乙二醇乙基醚(DE)、二乙二醇甲基乙基醚(DME)、3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇(MMB)及/或二乙二醇(DEG)。合適的無機鹼包括氫氧化鉀(KOH)、氫氧化鋰(LiOH)及/或氫氧化鈉(NaOH)。合適的胺類包括單乙醇胺(MEA)、二乙醇胺(DEA)、三乙醇胺(TEA)、二伸乙基三胺(DETA)、三伸乙基四胺(TETA)及/或2-(2-胺基乙氧基)乙醇(AEE)。該組合物基本上不含DMSO、NMP和TMAH。根據本揭示內容的另一具體實例含有不同於一級和二級溶劑的另外或三級溶劑。合適的三級溶劑包括二醇醚及多羥基化合物(例如二醇、三醇等)等。
根據本揭示內容的另一具體實例包含DB、二級二醇醚溶劑、無機鹼例如氫氧化鉀(KOH)、胺和腐蝕抑製劑。此具體實例基本上不含三級二醇醚溶劑、DMSO、NMP和TMAH。
根據本揭示內容的另一具體實例含有DE、二級二醇醚溶劑、無機鹼例如氫氧化鉀(KOH)和腐蝕抑製劑。此具體實例基本上不含三級二醇醚溶劑、DMSO、NMP和TMAH。
本揭示內容的第二態樣提供使用上述新穎剝除劑溶液自基材上去除光阻及相關聚合性材料的方法。光阻可藉由使該基材與剝除溶液接觸足夠的時間以去除所需量的光阻,藉由自該剝除溶液去除該基材,用去離子水或溶劑自該基材上沖洗該剝除溶液並且乾燥該基材,而自其上具有光阻的選定基材去除光阻。
本揭示內容的第三態樣包括藉由所揭示的新穎方法所製造的電子裝置。
由以下更詳細的描述,結合藉由示例的方式舉例說明本發明原理之附圖將使本發明的其他特徵及優點將變得顯而易見。
本發明的具體實例提供一或更多以下益處:使用過程中固體沉澱少;該組合物具有於低於正常室溫的溫度及於運輸和倉儲時經常遇到的溫度下保持液態的能力,並且具有遠高於正常加工溫度的閃點,具有良好清潔能力、高負載能力、減少的結晶化及碳酸鉀或其它鹼金屬化合物沉澱的光阻剝除劑,即使是當本發明的剝除劑溶液包含鹼金屬氫氧化物,與銅、無鉛SnAg焊料及環氧系模塑化合物的相容性及延長的浴壽命時亦同。
本文引用的所有參考資料,包括出版物、專利申請案及專利,皆以引用的方式併入本文,如同各參考資料係單獨且經明確指明而以引用的方式併入並且於本文中闡述其全文。
於描述本發明的上下文中(尤其是於以下申請專利範圍的上下文中),除非於本文中另行指明或很清楚與上下文抵觸,否則使用措辭“一”及“該”及類似的關係措辭應被解釋為涵蓋單數和複數,也就是說“一或多於一”。除非另行指明,否則措辭“包含”、“具有”、“包括”及“含有”及其各自的共軛體應被解釋為開放式措辭(亦即,意指“包括,但不限於”),但是也包括“基本上由.....組成”和“由.....組成”的部分封閉或封閉式措辭。除非本文另行指明,否則本文對數值範圍的描述僅旨在用作單獨提及落入該範圍內的各自單獨值的簡寫方法,並且將各自單獨的值併入本說明書中,如同其於本文中單獨引用一樣,並且本文報導的任何值皆可以任何組合使用,作為其描述的態樣的範圍之起點或終點。除非於本文中另行指明或很清楚與上下文抵觸,否則本文所述的所有方法皆可以任何合適的順序進行。除非另行聲明,否則本文提供的任何和所有實施例或示例語言(例如,“諸如”)的使用僅旨在更適當地例示本發明,而不是限縮本發明的範圍。說明書中的任何言語皆不應被解釋為表示任何未請求保護的要素對於本發明的實行是必不可少的。所有百分比皆為重量百分比,並且所有重量百分比皆係以該組合物的總重量基準計(在其任何視需要的濃度及/或稀釋之前)。本文所述組分的所有重量百分比(包括實施例)皆係以純組分為基準計,也就是說,加於本發明組合物的無水組分。“一或更多”的每次使用皆意指可用“一或多於一”來取代。此外,“一或更多”也可用“二或多於二”或“三或多於三”或“四或多於四”等來取代。
本文描述本發明的較佳具體實例,包括發明人已知的進行本發明的最佳模式。在閱讀前文描述後,那些較佳具體實例的變化對於該領域普通技藝者來說可變得顯而易見。發明人期望熟練的技術人員適當地採用這些變化,並且發明人希望本發明以不同於本文具體描述的方式實施。因此,本發明包括適用法律所允許的後附申請專利範圍所述標的物的所有修飾例及等同物。再者,除非於本文中另行指明或很清楚與上下文抵觸,否則本發明包括上述元素所有可能變型的任何組合。
為了達成促進對請求保護的內容的理解之目的,現在將參考所例示的具體實例並且將使用特定語言來描述該具體實例。然而,應該理解的是,從而無意限制所請求保護的範圍,這些變化及進一步的修飾以及如其中所例示的原理的這種進一步應用被認為是該揭示內容關聯的領域之習知技藝者通常會想到的。
根據本揭示內容的組合物通常包括一級二醇醚溶劑、無機鹼、二級二醇醚溶劑、胺和腐蝕抑製劑。於一些具體實例中,該二醇醚溶劑包括二乙二醇丁基醚(DB)、二乙二醇乙基醚(DE)、二乙二醇甲基乙基醚(DME)、3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇(MMB) 及/或二乙二醇(DEG)。在一些具體實例中,該無機鹼包括氫氧化鉀(KOH)、氫氧化鋰(LiOH)及/或氫氧化鈉(NaOH)。於一些具體實例中,該胺包括單乙醇胺(MEA)、二乙醇胺(DEA)、三乙醇胺(TEA)、二伸乙基三胺(DETA)、三伸乙基四胺(TETA)及/或2-(2-胺基乙氧基)乙醇(AEE)(或其組合)。根據本揭示內容的另一實施方案含有另外的或三級溶劑。合適的三級溶劑包括二醇醚及多羥基化合物等。於一些具體實例中,該組合物不含或基本上不含二甲基亞碸(DMSO)及N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)。於一些具體實例中,該組合物可不含或基本上不含含硫溶劑。於一些具體實例中,該組合物可不含或基本上不含含醯胺的溶劑。於一些具體實例中,該組合物可不含或基本上不含氫氧化季銨。於一些具體實例中,該組合物可不含或基本上不含氫氧化四烷基銨。於一些具體實例中,該組合物可不含或基本上不含氫氧化四甲基銨(TMAH)。基本上不含意指小於1重量%或者小於0.1重量%或者小於0.01重量%或小於0.001重量%或不含,不含是不可檢測的量或0。
於一具體實例中,根據本揭示內容的組合物包括二乙二醇丁基醚(DB)作為一級溶劑、3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇(MMB)作為二級溶劑及二乙二醇作為三級溶劑、單乙醇胺、氫氧化鉀(KOH)及腐蝕抑製劑。該組合物另外表現出與銅、無鉛SnAg焊料及環氧系模塑化合物的改善相容性以及延長的浴壽命及抗沉澱性(resistance to precipitation)。
於一具體實例中,根據本揭示內容的組合物包括二乙二醇丁基醚(DB)作為一級溶劑、3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇(MMB)作為二級溶劑、氫氧化鉀(KOH)及腐蝕抑製劑。該組合物另外表現出與銅、無鉛SnAg焊料及環氧系模塑化合物的改善相容性以及延長的浴壽命及抗沉澱性。
於一具體實例中,根據本揭示內容的組合物包括二乙二醇丁基醚(DB)、胺、氫氧化鉀(KOH)及腐蝕抑製劑。該組合物另外表現出與銅、無鉛SnAg焊料及環氧系模塑化合物的改善相容性以及延長的浴壽命及抗沉澱性。
於一具體實例中,根據本揭示內容的組合物包括二乙二醇丁基醚(DB)作為一級溶劑、3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇(MMB)作為二級溶劑、氫氧化鉀(KOH)、胺及腐蝕抑製劑。該組合物另外表現出與銅、無鉛SnAg焊料及環氧系模塑化合物的改善相容性以及延長的浴壽命及抗沉澱性。
於一些具體實例中,該一級溶劑可包括二乙二醇丁基醚(DB)、二乙二醇甲基醚、二乙二醇乙基醚、二乙二醇丙基醚、丙二醇甲基醚、二丙二醇甲基醚、丙二醇丙基醚、二丙二醇乙二醇丙基醚、丙二醇苯基醚、丙二醇正丁基醚、二丙二醇正丁基醚、乙二醇丙基醚、乙二醇丁基醚、乙二醇苯基醚、三丙二醇甲基醚、二丙二醇二甲基醚、二乙二醇甲基乙基醚、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙基醚、3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇(MMB)、二乙二醇(DEG)或二丙二醇。於一些具體實例中,該一級溶劑的含量可為該組合物的至少約20重量%,或至少約30重量%,或至少約40重量%,或至少約50重量%,或至少約60重量%,或至少約65重量%,及/或小於約95重量%,及/或小於約90重量%,及/或小於約85重量%,及/或小於約80重量%,及/或小於約75重量%。於一些具體實例中,該一級溶劑的含量可為約20重量%至約90重量%、約20重量%至約80重量%、約20重量%至約70重量%、約為30重量%至約90重量%、約30重量%至約80重量%、約30重量%至約75重量%,及/或約30重量%至約70重量%,或由以下任一端點所界定的組合物的任何重量百分比範圍:20、30、40、42、46、50、52、55、58、60、62、65、70、72、75、78、80、82、85、90、95。該一級溶劑為該組合物提供光阻溶解能力。
於一些具體實例中,該二級溶劑可包括二乙二醇丁基醚、二乙二醇甲基醚、二乙二醇乙基醚、二乙二醇丙基醚、丙二醇甲基醚、二丙二醇甲基醚、丙二醇丙基醚、二丙二醇丙基醚、丙二醇苯基醚、丙二醇正丁基醚、二丙二醇正丁基醚、乙二醇丙基醚、乙二醇丁基醚、乙二醇苯基醚、三丙二醇甲基醚、二丙二醇二甲基醚、二乙二醇甲基乙基醚、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙基醚、3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇(MMB)、二乙二醇(DEG)、二丙二醇或丙二醇(PG)。於一些具體實例中,該二級溶劑與該一級溶劑不同。於一些具體實例中,該二級溶劑的含量可為該組合物的至少約5重量%,或至少約10重量%,或至少約15重量%,或至少約20重量%,及/或該組合物的小於約60重量%,及/或小於約50重量%,及/或小於約40重量%。於一些具體實例中,該二級溶劑的含量可為該組合物的約5重量%至約60重量%,或約5重量%至約50重量%,或約5重量%至約45重量%,或約5重量%至約40重量%,或約10重量%至約60重量%,或約10重量%至約50重量%,或約10重量%至約45重量%,及/或約10重量%至約40重量%,或由以下任一端點所界定的組合物的任何重量百分比範圍:2、5、8、10、12、15、18、20、25、28、30、35、38、40、42、45、46、50、52、55、58、60。該二級溶劑可被添加以改善無機鹼的安定性,增長浴壽命,減少沉澱,藉由改善溶解特性輔助光阻去除,及/或改善與例如金屬、聚合物介電質及環氧系模塑化合物等材料的相容性。
於一些具體實例中,該組合物可另外包括三級溶劑。於一具體實例中,該配方可含有約0.1重量%至約50重量%的三級溶劑。特別有用的三級溶劑包括二醇醚及下文更詳細描述的多羥基化合物。於一些具體實例中,該三級溶劑包括3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇(MMB)、二乙二醇(DEG)、二乙二醇甲基乙基醚(DME)或丙二醇(PG)。當存在時,該三級溶劑與該一級溶劑和該二級溶劑不同。該三級溶劑可被添加以改善碳酸鉀晶體的安定性以減少沉澱。
特別合適的配方具有充分低於0℃的凍結點以使運輸和倉儲期間的固化減至最少。更佳的配方具有低於約-10℃、低於約-15℃或低於約-19℃的凍結點,及約10 cm3 /升至約90 cm3 /升的負載能力。較佳的配方具有充分高於85℃的閃點以使使用期間的可燃性風險最小化。更佳的配方具有高於約90℃、高於約94℃的閃點。因為較佳的剝除劑溶液於低溫下保持液態,所以使對於在寒冷天氣期間接收或在該溶液可以使用之前儲存於沒加熱的倉庫中之剝除劑溶液已固化的桶液化的需求得以消除或最小化。使用桶形加熱器(drum heater)將已固化的剝除劑溶液熔化很耗時,需要額外的處理並且可能導致熔融溶液的組合物的不完全熔化及改質。
此外,根據本揭示內容的組合物顯示高的負載能力,使得該組合物能去除更大量的光阻而沒有固體沉澱。該負載能力係定義為在材料重新沉積於晶片上之前或在殘留物留於晶片上之前,每公升剝除劑溶液可去除的光阻或雙層材料的cm3 數目。舉例來說,若20公升的剝除劑溶液在重新沉積或殘留物留於晶片上之前可去除300 cm3 的光阻,則該負載能力為300 cm3 /20升= 15 cm3 /升。於一具體實例中,根據本揭示內容的組合物顯示負型旋塗光阻的負載能力約10 cm3 /升、約13 cm3 /升、約15 cm3 /升、約17 cm3 /升、約19 cm3 /升及/或約21 cm3 /升,於一些具體實例中、該組合物可具有大於約10 cm3 /升、大於約13 cm3 /升、大於約15 cm3 /升、大於約17 cm3 /升、大於約19 cm3 /升及/或大於約21 cm3 /升的負型旋塗光阻的負載能力。
根據本揭示內容的組合物也可表現出抗沉澱性。如本文所用,“抗沉澱”意指根據本揭示內容的組合物保持透明或者沒有可見的沉澱,包括在加熱時,舉例來說加熱至70℃或更高的溫度,持續3小時或更長的時間。
於一具體實例中,本發明組合物中的一級、二級及/或三級溶劑的重量百分比之總和可為該組合物的至少約50重量%,或至少約60重量%,或至少約70重量%,或至少約75重量%,或至少約80重量%,或至少約85重量%,及/或小於約99.5重量%,及/或小於約99重量%,及/或小於約95重量%,及/或小於約90重量%。於一具體實例中,該組合物中一級、二級及/或三級溶劑的重量百分比之總和可為該組合物的約50重量%至約99.5重量%,或約60重量%至約99.5重量%,或約70重量%至約99.5重量%,或約75重量%至約99.5重量%,或約80重量%至約99.5重量%,或約50重量%至約98重量% ,約60重量%至約98重量%,或約70重量%至約98重量%,或約75重量%至約98重量%,或約80重量%至約98重量%,或約50重量%至約90重量%,或約60重量%至約90重量%,或約70重量%至約90重量%,或約75重量%至約90重量%,及/或約80重量%至約90重量%,或由以下任一端點所界定的組合物的任何重量百分比範圍:45、48、50、52、55、58、60、62、65、68、70、72、75、78、80、82、85、88、90、95、98、99及99.5。
於一些具體實例中,該胺的含量可以該組合物的總重量為基準計為至少約1重量%,或至少約2重量%,或至少約3重量%,或至少約4重量%,或至少約5重量%的量存在,或在 至少約7重量%,及/或小於約30重量%,及/或小於約25重量%,及/或小於約20重量%,及/或小於約15重量%,及/或小於約10重量%。於一具體實例中,該胺的含量可為該組合物的約1重量%至約30重量%,或約1重量%至約25重量%,或約1重量%至約20重量%,或約1重量%至約15重量%,或約3重量%至約30重量%,或約3重量%至約25重量%,或約3重量%至約20重量%,或約3重量%至約15重量%,約5重量%至約 約30重量%,或約5重量%至約25重量%,或約5重量%至約20重量%,及/或約5重量%至約15重量%,或由以下任一端點所界定的組合物的任何重量百分比範圍:1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、12、15、18、20、22、25、28、30及33。
存於該組合物中的一級溶劑佔該剝除劑組合物的重量百分比與該二級溶劑或三級溶劑(當存在時)的重量百分比相等或更高(較佳為更高),若存在,該二級溶劑存有與該三級溶劑相等或更高(較佳為更高)的重量百分比。於一些具體實例中,該組合物中一級溶劑的重量百分比與二級溶劑的重量百分比之比率大於約1,大於約1.5,大於約2,大於約2.5,大於約3,或大於約3.5。於另一具體實例中,該組合物中二級溶劑的重量百分比與胺的重量百分比之比率大於約1,大於約1.5,大於約2,大於約2.5,大於約3,大於約3.5,大於約4,大於約5,大於約6,或大於約7。
於一些具體實例中,該無機鹼的含量可以該組合物的總重量為基準計為至少約0.1重量%,至少約0.5重量%,至少約1重量%,至少約1.5重量%,及/或小於約10重量%,及/ 或小於約7重量%,及/或小於約5重量%,及/或小於約4重量%,及/或小於約3重量%。於一具具體實例中,該無機鹼的含量可為該組合物的約0.1重量%至約10重量%,約0.1重量%至約7重量%,約0.1重量%至約3重量%,約為 1重量%至約10重量%,約1重量%至約7重量%,約1重量%至約5重量%,約1重量%至約4重量%,約1重量%至約3重量%,約1重量%至約5重量%,約0.5重量%至約10重量%,約0.5重量%至約7重量%,約0.5重量%至約5重量%,及/或約0.5重量%至約3重量%,或由以下任一端點所界定的組合物的任何重量百分比範圍:0.1、0.5、1、1.5、2、3、4、5、6、7、8、9及10。
當存在時,該三級溶劑的含量可為該組合物的至少約0.1重量%,至少約0.2重量%,至少約0.5重量%,至少約1重量%,至少約2重量%,至少約5重量%,小於約50重量%,小於約40重量%,小於約35重量%,小於約30重量%,小於約25重量%,小於約20重量%%。於一具體實例中,該三級溶劑的含量可為該組合物的約0.1重量%至約50重量%,約0.1重量%至約40重量%,約0.1重量%至約30重量%。重量%,約0.1重量%至約25重量%,約0.5重量%至約50重量%,約0.5重量%至約40重量%,約0.5重量%至約30重量%,約0.5重量%至約25重量%,約1重量%至約50重量%,約1重量%至約40重量%,約1重量%至約30重量%,及/或約1重量%至約 約25重量%,或由以下任一端點所界定的組合物的任何重量百分比範圍:0.1、0.2、0.5、1、1.5、2、3、4、5、6、7、8、9、10 and 12、15、20、22、25、28、30、33、35、40、45及50。
於一具體實例中,該組合物不含或基本上不含表面活性劑、非離子表面活性劑、陰離子表面活性劑及/或氟表面活性劑(fluorosurfactant)。
當存於本發明的組合物中時,水量可為該組合物的至少約0.01重量%,至少約0.1重量%,至少約0.5重量%,至少約1重量%,小於約5重量%,小於約4重量%,小於約3重量%,小於約2重量%,小於約1重量%及/或小於約0.5重量%。於一具體實例中,水的含量可為約0.01重量%至約5重量%,約0.01重量%至約2重量%,約0.01至約1重量%,約0.01至約0.5重量%。重量%,約0.1重量%至約5重量%,約0.1重量%至約2重量%,約0.1重量%至約1重量%,或約0.1重量%至約0.5重量%。於一具體實例中,該組合物可為不含或基本上不含水。水可被加於該組合物,或其可不被加於該組合物。水可作為雜質或與該組合物的其他組分例如溶劑、胺、腐蝕抑製劑或無機鹼相關的安定劑存在。舉例來說,該無機鹼氫氧化鉀是吸濕性並且通常含有呈水合物形態的水。於一具體實例中,該組合物可不含或基本上不含添加水。
合適的胺類可能是烷醇胺,其具有至少二碳原子並且具有在不同碳原子上的胺基和羥基取代基。合適的烷醇胺包括,但不限於,乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、二甲基乙醇胺、二乙基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-乙基二乙醇胺、異丙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺、N-甲基異丙醇胺、N-乙基異丙醇胺、N-丙基異丙醇胺、2-胺基丙-1-醇、N-甲基-2-胺基丙-1-醇、N-乙基-2-胺基丙-1-醇、1-胺基丙-3-醇、N-甲基-1-胺基丙-3-醇、N-乙基-1-胺基丙-3-醇、1-胺基丁-2-醇、N-甲基-1-胺基丁-2-醇、N-乙基-1-胺基丁-2-醇、2-胺基丁-1-醇、N-甲基-2-胺基丁-1-醇、N-乙基-2-胺基丁-1-醇、3-胺基丁-1-醇、N-甲基-3-胺基丁-1-醇、N-乙基-3-胺基丁-1-醇、1-胺基丁-4-醇、N-甲基-1-胺基丁-4-醇、N-乙基-1-胺基丁-4-醇、1-胺基-2-甲基丙-2-醇、2-胺基-2-甲基丙-1-醇、1-胺基戊-4-醇、2-胺基-4-甲基戊-1-醇、2-胺基己-1-醇、3-胺基庚-4-醇、1-胺基辛-2-醇、5-胺基辛-4-醇、1-胺基丙-2,3-二醇、2-胺基丙-1,3-二醇、叁(氧甲基)胺基甲烷、1,2-二胺基丙-3-醇、1,3-二胺基丙-2-醇、2-(2-胺基乙氧基)乙醇、胺基乙基乙醇胺、4-(2-羥乙基)嗎啉、1-(2-羥乙基)六氫吡啶及1-(2-羥乙基)六氫吡啶或其組合。
或者,合適的胺可為具有一或更多氮原子的烷基胺類,該氮原子有一對電子連接到非芳基烴上。該化合物可能是直鏈,支鏈或環狀的。合適的烷基胺類包括二伸乙基三胺、三伸乙基四胺、1,5-二胺基-2-甲基戊烷、1,3-二胺基戊烷、哌嗪、1-(2-胺基乙基)哌嗪、1,2-二胺基環己烷、1,3-二胺基丙烷、1-(2-胺基乙基)六氫吡啶及四伸乙基五胺或其組合。
該胺可藉由改善該組合物的溶解特性添加胺以輔助光阻除去。烷醇胺類及/或烷基胺類提供相同的益處。一或更多胺類皆可用於本發明的組合物,也就是說可使用胺類的任何組合(例如上文列出的那些)。
該三級溶劑可包括二醇醚、二醇或多羥基化合物,或這些中的二或更多者的組合。
該三級溶劑二醇醚類及多羥基化合物不含酯或胺基。該二醇醚或多羥基化合物可為脂族、脂環族、環狀或芳族,但是合宜地為脂族或脂環族。該二醇醚或多羥基化合物可為飽和或不飽和,而且適宜地具有一或更少不飽和鍵,或沒有不飽和鍵。該該醇、二醇醚、二醇及多羥基化合物適宜地不含雜原子。該該二醇醚及多羥基化合物適宜地僅含有碳、氧及氫原子。
如上所述,該三級溶劑可為具有二或更多羥基的多羥基化合物。該多羥基化合物理想上具有不大於500、或不大於400、或不大於350、或不大於300、或不大於275、或不大於250、或不大於225、或不超過200、或不大於175、或不大於150、或不大於125、或不大於100、或不大於75的數量平均分子量。
該多羥基化合物可包括乙二醇;1,2-丙二醇(丙二醇);1,3-丙二醇;1,2,3-丙三醇;1,2-丁二醇;1,3-丙二醇;2,3-丁二醇;1,4-丁二醇;1,2,3-丁三醇;1,2,4-丁三醇;1,2-戊二醇;1,3-戊二醇;1,4-戊二醇;1,5-戊二醇;2,3-戊二醇;2,4-戊二醇;3,4-戊二醇;1,2,3-戊三醇;1,2,4-戊三醇;1,2,5-戊三醇;1,3,5-戊三醇;驅蚊醇(etohexadiol);對-甲烷-3,8-多羥基化合物;2-甲基-2,4-戊二醇;2,2-二甲基-1,3-丙二醇;甘油;三羥甲基丙烷;木糖醇;阿拉伯糖醇;1,2-或1,3-環戊二醇;1,2-或1,3-環己二醇;2,3-降冰片烷二醇;1,8-辛二醇;1,2-環己烷二甲醇;1,3-環己烷二甲醇;1,4-環己烷二甲醇;2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇;羥基新戊醯羥基新戊酸酯(hydroxypivalyl hydroxypivalate);2-甲基-1,3-丙二醇;2-丁基-2-乙基-1,3-丙二醇;2-乙基-2-異丁基-1,3-丙二醇;1,6-己二醇;2,2,4,4-四甲基-1,6-己二醇;1,10-癸二醇;1,4-苯二甲醇;氫化雙酚A;1,1,1-三羥甲基丙烷;1,1,1-三羥甲基乙烷;季戊四醇;赤蘚糖醇;蘇糖醇;二季戊四醇;山梨糖醇;甘油;及木糖醇等,以及上述多羥基化合物和多羥基化合物中的二或更多之組合。
於例示性實例中,該溶液可包括乙二醇、1,2-丙二醇(丙二醇)、1,3-丙二醇、1,4-戊二醇、1,5-戊二醇、1,2-丁二醇、1,4-丁二醇或1,3-丁二醇的三級多羥基溶劑中之一或多者。
作為三級溶劑的二醇醚化合物可包括二乙二醇丁基醚、二乙二醇甲基醚、二乙二醇乙基醚、二乙二醇丙基醚、丙二醇甲基醚、二丙二醇甲基醚、丙二醇 丙基醚、二丙二醇丙基醚、丙二醇苯基醚、丙二醇正丁基醚、二丙二醇正丁基醚、乙二醇丙基醚、乙二醇丁基醚、乙二醇苯基醚、三丙二醇甲基醚、二丙二醇二甲基醚 醚、二乙二醇甲基乙基醚、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙基醚、3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇、二乙二醇及二丙二醇。
該組合物也可視需要地含有一或更多腐蝕抑制劑。合適的腐蝕抑制劑包括,但不限於,芳族羥基化合物,例如鄰苯二酚和間苯二酚;烷基鄰苯二酚類,例如甲基鄰苯二酚、乙基鄰苯二酚和第三丁基鄰苯二酚、苯酚類及五倍子酚(pyrogallol);芳香三唑類例如苯并三唑;烷基苯并三唑類;糖醇類例如甘油、山梨糖醇、赤蘚糖醇、木糖醇;羧酸類例如甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、異丁酸、草酸、丙二酸、丁二酸、癸二酸、十二烷酸、十一烷酸、戊二酸、馬來酸、富馬酸、苯甲酸、鄰苯二甲酸、1,2,3-苯三甲酸、乙醇酸、乳酸、蘋果酸、檸檬酸、乙酸酐、鄰苯二甲酸酐、反丁烯二酸酐、丁二酸酐、水楊酸、沒食子酸及沒食子酸酯類例如沒食子酸甲酯、沒食子酸丙酯;金屬鹽類例如硝酸銅(II)的水合物例如硝酸銅(II)半(五水合物);上述含有羧基的有機化合物的有機鹽、鹼性物質例如乙醇胺、三甲基胺、二乙基胺及吡啶類例如2-胺基吡啶等;及螯合化合物例如磷酸系螯合化合物(包括1,2-丙二胺四亞甲基膦酸和羥基乙烷膦酸在內)、羧酸系螯合化合物(例如乙二胺四醋酸及其鈉鹽和銨鹽、二羥基乙基甘胺酸及次氮基三乙酸(nitrilotriacetic acid)、胺系螯合化合物(例如聯吡啶、四苯基卟啉及菲啉)以及肟系螯合化合物(例如二甲基乙二肟及二苯基乙二肟)或其組合。
可以使用單一腐蝕抑制劑,或者可以使用腐蝕抑制劑的組合。已證明腐蝕抑制劑的有效量介於該組合物的約0.0001重量% (1 ppm) 至約10重量%。於一些具體實例中,該組合物可含有約0.0001重量% 至約7重量%、約0.0001重量% 至約3重量%、約0.001重量% 至約10重量%、約0.001 至約7重量%、約0.001 至約3重量%、約0.001重量% 至約2重量%、約0.001重量% 至約1重量%、0.001重量% 至約0.1重量%、約0.01重量% 至約7重量%、約0.01重量% 至約5重量%、約0.01重量% 至約3重量%、約0.01重量% 至約2重量%、約0.01重量% 至約1重量%、約0.05重量% 至約7重量%、約0.05重量% 至約5重量%、約0.05重量% 至約3重量%、約0.05重量% 至約2重量%、約0.05重量% 至約1重量%、約0.1重量% 至約7重量%、約0.1重量% 至約5重量%、約0.1重量% 至約3重量%、約0.1重量% 至約2重量%、約0.1重量% 至約1重量%、至少0.0001重量%、至少0.001重量%、至少0.01重量%、至少0.05重量%、至少0.1重量%、至少0.5重量%、小於約0.05重量%、小於約0.1重量%、小於約0.5重量%、小於約1重量%、小於約2重量%、小於約3重量%、小於約5重量%,及/或小於約7重量%的腐蝕抑制劑。
於一些具體實例中,該溶液可含有約0.001重量%至約3重量%的第一腐蝕抑制劑。於一具體實例中,該第一腐蝕抑制劑係硝酸銅(II)的水合物。於一些具體實例中,該溶液可另外含有約0.05重量%至約7重量%的第二腐蝕抑制劑。於其他具體實例中,該溶液可含有約0.001重量%至約2重量%、約0.001重量%至約1重量%, 0.001重量%至約0.1重量%、約0.01重量%至約3重量%、約0.01重量%至約2重量%、約0.01重量%至約1重量%、至少0.001重量%、至少0.01重量%、至少0.1重量%、小於約0.05重量%、小於約0.1重量%、小於約0.5重量%、小於約1重量%、小於約2重量%及/或小於約3重量%的第一腐蝕抑制劑。於其他具體實例中,該溶液可含有約0.05重量%至約5重量%、約0.05重量%至約3重量%、約0.05重量%至約2重量%、約0.05重量%至約1重量%、約0.1重量%至約7重量%、約0.1重量%至約5重量%、約0.1重量%至約3重量%、約0.1重量%至約2重量%、約0.1重量%至約1重量%、至少0.05重量%、至少0.1重量%、至少1重量%、小於1重量%、小於2重量%、小於約3重量%、小於約5重量%及/或小於約7重量%的第二腐蝕抑制劑。該第一和第二腐蝕抑制劑不相同。在其他具體實施例中,該第一腐蝕抑制劑和該第二腐蝕抑制劑皆可選自上述腐蝕抑制劑。於一些具體實例中,該組合物可基本上不含金屬鹽。於一些具體實例中,該組合物可基本上不含糖醇。
接觸該基材較佳為至少50℃的較佳溫度,而對於大多數應用,更佳為約50℃至約80℃的溫度。於另一具體實例中,該較佳溫度比該溶液的閃點低至少5°C,或比該溶液的閃點低至少10°C,或比該溶液的閃點低至少20°C點。或者,該較佳溫度係低於94°C、或低於90°C、或低於85°C、或至少55°C、或至少60°C、或至少65°C、或至少70°C、或至少75°C、或至少80°C。於另一具體實例中,該較佳溫度係約60 °C至約80 °C、約60 °C至約85 °C、約60 °C至約90 °C、約60 °C至約95 °C、約60 °C至約100 °C、約50 °C至約85 °C、約50 °C至約90 °C、約50 °C至約95 °C及/或約50 °C至約100 °C。對於該基材敏感或需要更長的去除時間之特定應用,較低的接觸溫度是合適的。舉例來說,當將基材再加工時,將該剝除劑溶液保持於至少20℃的溫度下較長時間以去除光阻並且避免損及該基材可能是合適的。
當浸漬基材時,該組合物的攪動附帶地促進光阻的去除。攪動可藉由機械攪拌、循環或藉由使惰性氣體起泡通過該組合物達到。當去除所需量的光阻時,該基材與該剝除劑溶液接觸並且用水或醇沖洗而移除。去離子水是水的較佳形式而且異丙醇(IPA)是較佳的醇。對於具有經受氧化的組分之基材,沖洗較佳在惰性氣氛作用之下進行。根據本揭示內容的較佳剝除劑溶液與現有的商業產品相比具有改進的光阻材料負載能力,並且能夠用特定體積的剝除劑溶液處理更大數量的基材。
此揭示內容提供的剝除劑溶液可用以去除存於單層或某些類型的雙層光阻中之聚合性光阻材料。舉例來說,雙層阻劑通常具有被第二聚合性層覆蓋的第一無機層或可具有二聚合性層。利用下文教導的方法,可自具有單一聚合物層的標準晶圓有效地去除單層聚合性光阻單層。該方法也可用以自具有由第一無機層和第二或外側聚合物層所構成之雙層的晶圓去除單一聚合物層。最後,可使用本發明的剝除劑組合物及/或方法自具有由二聚合性層所構成之雙層的晶圓有效地去除二聚合物層。
本揭示內容描述用於半導體裝置的先進封裝應用中去除厚光阻的化學溶液。於一具體實例中,所述的溶液含有二乙二醇丁基醚(DB)、無機鹼、胺、二級溶劑及至少一腐蝕抑制劑。於一些具體實例中,該溶液基本上不含DMSO及NMP。於一些具體實例中,該溶液不含或基本上不含氫氧化季銨。於一些具體實例中,該溶液不含或基本上不含沸點為至少100°C的醇類。於一些具體實例中,該胺係單乙醇胺、二伸乙基三胺、三伸乙基四胺及/或2-(2-胺基乙氧基)乙醇。於一些具體實例中,該二級溶劑係3-甲基-3-甲氧基-1-丁醇或二乙二醇。基本上不含意指小於1重量%,或者小於0.1重量%,或者小於0.01重量%或小於0.001重量%。基本上不含也包括不含沒有氫氧化季銨者。該溶液通常含有小於約5重量%的水。
本發明的組合物的一些具體實例可基本上不含,或者不含(如前面界定的那些措辭)沸點為至少100℃的醇類,其中醇類具有通用化學式R-OH,其中R係C4 -C30 烴基,例如苯甲醇及2-乙基己醇。
本發明的組合物的一些具體實例可基本上不含、或者不含(如前面界定的那些措辭)以下當中之一者或多於一者的任何組合:極性非質子溶劑、含硫化合物、含氮溶劑例如醯胺、丙二醇甲基醚乙酸酯、乙二醇醚乙酸酯溶劑、氧代銨化合物(oxoammonium compound)、羥胺及其衍生物、過氧化氫、氧化劑、無機酸、有機酸、吡唑、非鹼性金屬氫氧化物、二醇類、多元醇類、NMP、DMSO、二甲基乙醯胺、含氟化合物、含磷化合物、二甲基甲醯胺、二甲基碸、內酯溶劑、γ-丁內酯、乙二醇、丙二醇、四氫呋喃甲醇、呋喃甲醇、甘油、氫氧化季銨類、氫氧化四烷基銨、氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、表面活性劑、碳酸鉀、含金屬化合物、糖醇類、三唑和三唑衍生物、苯井三唑及芳族羥基化合物。 實施例
以下縮寫用於下列各種組合物中:DB =二乙二醇丁基醚; DEG =二乙二醇;MEA =單乙醇胺;DETA =二伸乙基三胺;TETA =三伸乙基四胺;MMB = 3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇;KOH =氫氧化鉀;NMP = N-甲基-2-吡咯烷酮;DE =二乙二醇乙基醚;AEE = 2-(2-胺基乙氧基)乙醇;DME =二乙二醇甲基乙基醚。
於以下實施例中,於燒杯中使用浸漬製程進行光阻移除。關於該浸漬製程,於燒杯中處理切成試樣尺寸的半導體晶圓樣品。在燒杯中裝入100 mL剝除組合物並且加熱至70℃的目標溫度。當該剝除組合物處於目標溫度時,將試樣放入燒杯中的試樣座,並且藉由攪拌棒稍微攪拌。於整個製程中將溫度保持於70℃的目標溫度。經過15分鐘的總處理時間之後,將該試樣自該燒杯取出,用去離子水和IPA沖洗,並且用空氣流乾燥。
表1列示各種發明性及比較性剝除組合物。
(所有百分比皆係以該配方的總重量為基準計的重%) 表1. 配方
Figure 108112182-A0304-0001
Figure 108112182-A0304-0002
Figure 108112182-A0304-0003
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Figure 108112182-A0304-0005
Figure 108112182-A0304-0006
Figure 108112182-A0304-0007
Figure 108112182-A0304-0008
Figure 108112182-A0304-0009
實施例1
表2列出實施例1利用該浸漬製程及具有60μm至70μm厚的JSR THB-151N負型旋塗光阻及電鍍Cu柱或微凸塊和Sn/Ag焊料蓋之半導體晶圓進行測試的剝除組合物。表2中所有組合物的加工溫度分別為70℃。
關於下文所述的實驗,有觀察到光阻去除現象並且相應地記下來。若自該晶圓試樣表面去除所有光阻,則將光阻去除定義為“清潔”;若自該表面去除至少95%的光阻而不是所有的光阻,則定義為“大概清潔”;而且若自該表面去除至少約80%的光阻但是少於95%的光阻,則定義為“局部清潔”。一般而言,較高胺濃度導致較好的光阻去除性能。 表2
Figure 108112182-A0304-0010
實施例2
於實施例2中,使用各種剝除組合物自電鍍Cu柱特徵及Sn/Ag焊料蓋的矽晶圓去除50μm厚的JSR THB-164N負型旋塗光阻。使用浸漬製程進行光阻移除。關於該浸漬製程,於燒杯中處理切成試樣尺寸的半導體晶圓樣品。在燒杯中裝入100 mL剝除組合物並且加熱至60℃的目標溫度。當該剝除組合物處於目標溫度時,將試樣放入燒杯中的試樣座,並且藉由攪拌棒稍微攪拌。於整個製程中將溫度保持於70℃的目標溫度。經過15分鐘的總處理時間之後,將該試樣自該燒杯取出,用去離子水和IPA沖洗,並且用空氣流乾燥。
關於以下實驗,有觀察到光阻去除現象並且相應地記下來。若自該晶圓試樣表面去除所有光阻,則將光阻去除定義為“清潔”;若自該表面去除至少95%的光阻則為“大概清潔”;若自該表面去除至少約80%的光阻則為“局部清潔”。
表3列出實施例2利用該浸漬製程及具有厚旋塗光阻及電鍍Cu特徵和Sn/Ag焊料蓋的半導體晶圓進行測試之剝除組合物。表3中所有組合物的加熱溫度皆為70℃。一般而言,較高胺濃度導致較好的光阻去除性能。 表3
Figure 108112182-A0304-0011
實施例3
於實施例3中,各種剝除組合物在加熱板上於70℃或85℃下加熱幾小時,並用錶玻璃蓋住燒杯。在加熱之前和之後滴定KOH以監測從最初每小時的強鹼滴。
表4列出實施例3所測試的剝除組合物。表4中的加熱溫度為70℃或85℃。KOH的減降較小者較佳。一般而言,較高的MMB濃度導致較小的KOH減降。 表4
Figure 108112182-A0304-0012
實施例4
於實施例4中,使用各種剝除組合物檢查於70℃或85℃下與環氧模塑化合物的相容性經30分鐘、60分鐘及90分鐘。監測體重損失以驗證相容性。較低的重量損失較佳。一般而言,較高濃度的DEG導致該模塑化合物的重量損失較多。
表5列出實施例4所測試的剝除組合物。表5中的加熱溫度為70℃或85℃。 表5
Figure 108112182-A0304-0013
實施例5
於實施例5中,使用各種剝除組合物並且在加熱板上於70℃下加熱經約3小時,並用錶玻璃蓋住燒杯。目視檢查溶液透明度和沈澱物形成以監測結晶作用。關於下文所述的實驗,結晶作用被描述為“無”是該溶液保持透明並且沒有觀察到固體的結晶或沉澱。若該溶液變渾濁但是未觀察到結晶或固體沉澱,則將結晶作用描述為“低”。若溶液變渾濁並且在燒杯側壁上觀察到少量結晶或觀察到固體沉澱,則將結晶作用描述為“中等”。若該溶液變渾濁並且在燒杯底部觀察到大量固體沉澱,則將結晶作用描述為“高”。一般而言,較高濃度的DEG導致較少的固體沉澱。
表6列出實施例5所測試的剝除組合物。表6中的加熱溫度為70℃。 表6
Figure 108112182-A0304-0014
實施例6
於實施例6中,使用各種剝除組合物來測定自電鍍Cu柱特徵及Sn/Ag焊料蓋的矽晶圓去除60μm厚的JSR THB-164N負型旋塗光阻之光阻負載能力。使用浸漬製程進行光阻移除。關於該浸漬製程,於燒杯中處理切成試樣尺寸的半導體晶圓樣品。在燒杯中裝入100 mL剝除組合物並且加熱至對應於所測試的各組合物之目標溫度。當該剝除組合物處於目標溫度時,將多重試樣放入燒杯中的試樣座,並且藉由攪拌棒稍微攪拌。於整個製程中將溫度保持於該目標溫度。經過50至60分鐘的總處理時間之後,將該試樣自該燒杯取出,用去離子水和IPA沖洗,並且用空氣流乾燥。用多重試樣重複進行實驗。檢查試樣的光阻去除,直到觀察到不完全的光阻去除為止。藉由添加完全去除該光阻的所有試樣的表面積乘以該光阻的60μm 厚度計算被去除的光阻體積而測定該光阻負載能力。將被去除的光阻總體積除以100mL以計算該光阻負載能力,並且將該值換算成cm3 /升。
表7列出實施例6所測試的剝離組合物及其對應的光阻負載能力。 表7
Figure 108112182-A0304-0015
實施例7
表8列出各種配方的閃點。 表8. 閃點
Figure 108112182-A0304-0016
儘管本發明已經參照一或更多實施例來描述,但是該領域之習知技藝者將理解,在不悖離本發明範圍的情況下,可進行各種改變,並且可用等效物取代其構成成分。此外,在不悖離本發明基本範圍的情況下,可進行許多修飾以使特定情況或材料適應本發明的教導。因此,其旨在本發明不限於作為實施本發明的最佳方式揭示的特定具體實例,而是本發明將包括落入後附申請專利範圍的範疇以內的所有具體實例。此外,於詳細描述中標記的所有數值應被解釋成精確值和近似值皆經明確標記。

Claims (22)

  1. 一種用於自基材去除光阻之剝除劑溶液,其包含:約20重量%至約90重量%的一級溶劑,其中前述一級溶劑係二乙二醇丁基醚、二乙二醇甲基醚、二乙二醇乙基醚、二乙二醇丙基醚、丙二醇甲基醚、二丙二醇甲基醚、丙二醇丙基醚、二丙二醇丙基醚、丙二醇苯基醚、丙二醇正丁基醚、二丙二醇正丁基醚、乙二醇丙基醚、乙二醇丁基醚、乙二醇苯基醚、三丙二醇甲基醚、二丙二醇二甲基醚、二乙二醇甲基乙基醚、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙基醚、3-甲基-3-甲氧基-1-丁醇、二乙二醇或二丙二醇;前述二級溶劑係二乙二醇甲基醚、二乙二醇乙基醚、二乙二醇丙基醚、丙二醇甲基醚、二丙二醇甲基醚、丙二醇丙基醚、二丙二醇丙基醚、丙二醇苯基醚、丙二醇正丁基醚、二丙二醇正丁基醚、乙二醇丙基醚、乙二醇丁基醚、乙二醇苯基醚、三丙二醇甲基醚、二丙二醇二甲基醚、二乙二醇甲基乙基醚、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙基醚、3-甲基-3-甲氧基-1-丁醇、二乙二醇、二丙二醇或丙二醇;約5重量%至約50重量%的二級溶劑,其中前述二級溶劑係二乙二醇甲基醚、二乙二醇乙基醚、二乙二醇丙基醚、丙二醇甲基醚、二丙二醇甲基醚、丙二醇丙基醚、二丙二醇丙基醚、丙二醇苯基醚、丙二醇正丁基醚、二丙二醇正丁基醚、乙二醇丙基醚、乙二醇丁基醚、乙二醇苯基醚、三丙二醇甲基醚、二丙二醇二甲基醚、二乙二醇甲基乙基醚、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙基醚、3-甲基-3-甲氧基-1-丁醇、二乙二醇、二丙二醇或丙二醇;大於1重量%至小於4重量%的無機鹼; 約1重量%至約30重量%的胺;約0.0001重量%至約10重量%的腐蝕抑制劑,其中該腐蝕抑制劑係甘油、木糖醇、山梨糖醇或硝酸銅(II)半(五水合物)(copper(II)nitrate hemi(pentahydrate))或其組合;其中該一級溶劑與該二級溶劑不同;其中該溶液顯出高於約90℃的閃點;而且其該溶液基本上不含氫氧化季銨。
  2. 如申請專利範圍第1項之溶液,其中前述一級溶劑係二乙二醇丁基醚或二乙二醇乙基醚。
  3. 如申請專利範圍第1項之溶液,其中該無機鹼包含氫氧化鉀。
  4. 如申請專利範圍第1項之溶液,其另外包含約0.1重量%至約5重量%的水。
  5. 如申請專利範圍第1項之溶液,其中該胺存有約1重量%至約20重量%的量。
  6. 如申請專利範圍第1項之溶液,其另外包含三級溶劑,該三級溶劑皆與該一級溶劑和該二級溶劑不同,其中該一級、二級及三級溶劑的量之總和係約50重量%至約97.9999重量%,其中該三級溶劑為二醇醚或多羥基化合物。
  7. 如申請專利範圍第6項之溶液,其中該三級溶劑為二醇醚。
  8. 如申請專利範圍第1項之溶液,其中該胺包含單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二伸乙基三胺、三伸乙基四胺或2-(2-胺基乙氧基)乙醇或其組合。
  9. 如申請專利範圍第1項之溶液,其 其中該一級溶劑係二乙二醇丁基醚並且存有約20重量%至約80重量%的量;其中該無機鹼存有約1重量%至約3重量%的量;其中該胺存有約3重量%至約20重量%的量;而且其中腐蝕抑制劑存有約0.001重量%至約1重量%的量。
  10. 如申請專利範圍第9項之溶液,其中該胺包含單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二伸乙基三胺、三伸乙基四胺或2-(2-胺基乙氧基)乙醇或其組合。
  11. 如申請專利範圍第1項之溶液,其中該腐蝕抑制劑包含硝酸銅(II)半(五水合物)(copper(II)nitrate hemi(pentahydrate))。
  12. 如申請專利範圍第1項之溶液,其中該腐蝕抑制劑存有約0.001重量%至約0.1重量%的量。
  13. 如申請專利範圍第1項之溶液,其中該腐蝕抑制劑存有約0.001重量%至約3重量%的量。
  14. 如申請專利範圍第1項之溶液,其中該溶液基本上不含含硫溶劑。
  15. 如申請專利範圍第1項之溶液,其中該溶液基本上不含沸點為至少100℃的醇。
  16. 如申請專利範圍第1項之溶液,其中前述無機鹼包含氫氧化鉀;前述胺包含單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二伸乙基三胺、三伸乙基四胺或2-(2-胺基乙氧基)乙醇或其組合;前述腐蝕抑制劑包含約0.001重量%至約3重量%的甘油、木糖醇、山梨糖醇或硝酸銅(II)的水合物或其組合。
  17. 如申請專利範圍第16項之溶液,其中該溶液基本上不含沸點為至少100℃的醇溶劑。
  18. 如申請專利範圍第16項之溶液,其中該二級溶劑係選自由3-甲基-3-甲氧基-1-丁醇、二乙二醇及二乙二醇甲基乙基醚所組成的群組。
  19. 如申請範圍第16項之溶液,其中該二級溶劑非為丙二醇。
  20. 如申請專利範圍第16項之溶液,其中該氫氧化鉀存有大於1重量%至約3重量%的量;其中該胺存有約3重量%至約20重量%的量;而且其中該腐蝕抑制劑存有約0.001重量%至約1重量%的量。
  21. 如申請專利範圍第16項之溶液,其中該一級溶劑的重量百分比及該二級溶劑的重量%之總和係以該組合物的總重量為基準計介於約50重量%與97.9999重量%之間。
  22. 一種清潔基材之方法,其包含以下步驟:將基材浸入如申請專利範圍第1至21項中任一項所述的溶液中。
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SG10201903002XA (en) 2019-11-28
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EP3553811B1 (en) 2022-03-09
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