TWI720428B

TWI720428B - 印刷電路板

Info

Publication number: TWI720428B
Application number: TW108106195A
Authority: TW
Inventors: 宋堯韓; 張俊亨; 閔太泓; 崔晸宇
Original assignee: 南韓商三星電機股份有限公司
Priority date: 2018-07-30
Filing date: 2019-02-23
Publication date: 2021-03-01
Also published as: JP2020021928A; TW202008858A; KR102163044B1; KR20200013471A

Abstract

一種印刷電路板包括：第一樹脂層，在所述第一樹脂層的一個表面上形成有第一電路；第二樹脂層，形成於所述第一樹脂層上，且在所述第二樹脂層的一個表面上形成有第二電路；以及通孔，共同穿過所述第一樹脂層及所述第二樹脂層，以電性連接所述第一電路與所述第二電路，其中在所述通孔的側表面上設置有突出部。

Description

印刷電路板

本揭露是有關於一種印刷電路板。

[相關申請案的交叉參考]

本申請案主張於2018年7月30日在韓國智慧財產局提出申請的韓國專利申請案第10-2018-0088702號的權利，所述韓國專利申請案的全部揭露內容出於所有目的併入本案供參考。

目前正在對5G商業化進行大量的開發研究。為了在5G時代在10GHz或大於10GHz的頻帶中平穩地傳送訊號，利用現有的材料及結構可能難以應對。因此，正在開發用於將所接收的高頻訊號無損耗地傳送至主板的新材料及結構。

在韓國專利公開案第10-2011-0002112(2011年1月6日)中，揭露了一種金屬系電路板及其製造方法。

提供本發明內容是為了以簡化的形式介紹一系列概念，所述一系列概念在下文中在實施方式中進一步闡述。本發明內容並不旨在識別所主張標的的關鍵特徵或本質特徵，亦並非旨在用於幫助確定所主張標的的範圍。

本揭露的目的是提供一種具有減少的訊號損耗的印刷電路板。

在一個一般態樣中，一種印刷電路板包括：第一樹脂層，在所述第一樹脂層的一個表面上形成有第一電路；第二樹脂層，形成於所述第一樹脂層上，且在所述第二樹脂層的一個表面上形成有第二電路；以及通孔，共同穿過所述第一樹脂層及所述第二樹脂層，以電性連接所述第一電路與所述第二電路，其中在所述通孔的側表面上設置有突出部。

在另一一般態樣中，一種印刷電路板包括：第一樹脂層；第二樹脂層，位於所述第一樹脂層上；以及通孔，共同穿過所述第一樹脂層及所述第二樹脂層，其中所述通孔包括：第一區，穿過所述第一樹脂層；第二區，穿過所述第二樹脂層；以及第三區，連接所述第一區與所述第二區且穿過所述第一樹脂層及所述第二樹脂層，且其中通孔寬度的最大值位於所述第三區中。

在又一一般態樣中，一種印刷電路板包括：層壓體，藉由交替重複地層壓熱固性樹脂層與熱塑性樹脂層而形成；通孔，共同穿過彼此鄰近的熱固性樹脂層及熱塑性樹脂層，其中在所述通孔的側表面上設置有突出部，所述突出部向外延伸以穿過彼此鄰近的所述第一樹脂層及所述第二樹脂層。

藉由以下詳細說明、圖式及申請專利範圍，其他特徵及態樣將顯而易見。

1:終端

2:主板

10、10':印刷電路板

110:第一樹脂層

120:第二樹脂層

130:熱固性第三樹脂層/第三樹脂層

140:熱塑性第四樹脂層/第四樹脂層

210:第一電路

220:第二電路

230:第三電路

300:覆蓋層

400:經表面處理層

B:通孔的下表面

BB:基頻晶片

D1、D2:距離

DC:可拆卸芯體

G:間隙

IF:中頻(IF)處理部

P:鍍覆層

RF1、RF2:射頻(RF)處理部

S:晶種層

U:通孔的上表面

V、VA、VB:通孔

V1:第一區

V2:第二區

V3:第三區

VH:通孔孔洞

W:突出部

WH:伸出部

圖1是示出可應用根據實施例的印刷電路板的終端的圖。

圖2是示出根據實施例的印刷電路板的圖。

圖3及圖4是示出根據一或多個實施例的印刷電路板的通孔的圖。

圖5及圖6是示出根據一或多個實施例的印刷電路板的通孔的鍍覆層的圖。

圖7是示出根據實施例的印刷電路板的圖。

圖8(a)至圖10(d)是示出根據一或多個實施例的用於製造印刷電路板的方法的圖。

在所有圖式及詳細說明全文中，相同的圖式編號指代相同的元件。所述圖式可能未必按比例繪製，且為清晰、說明及方便起見，可誇大圖式中的元件的相對大小、比例及繪示。

提供以下詳細說明是為了幫助讀者獲得對本文中所述方法、設備及/或系統的全面理解。然而，對於此項技術中具有通常知識者而言，在理解以下說明之後，本文中所述方法、設備及/或系統的各種改變、修改及等效形式將顯而易見。本文中所述操作順序僅為實例，且並非僅限於本文中所述該些操作順序，而是在理解以下說明之後，如對於此項技術中具有通常知識者而言將顯而易見，除必定以特定次序出現的操作以外，皆可有所改變。

本文中所述特徵可被實施為不同形式，且不應被解釋為僅限於本文中所述實例。確切而言，提供本文中所述實例是為了使此揭露內容將透徹及完整，並將向此項技術中具有通常知識者傳達本揭露。

應理解，儘管本文中可能使用用語「第一」、「第二」、「第三」、「第四」等中的任一者來闡述各種元件，然而該些元件不應受限於該些用語。該些用語僅用於區分各個元件。舉例而言，第一元件可被稱為第二元件，且類似地，在不背離本揭露的範圍的條件下，第二元件可被稱為第一元件。類似地，當闡述一種方法包括一系列操作時，所述操作的順序並非所述操作應按照順序執行的順序，任意技術操作可被省略及/或可向所述方法中添加本文中未揭露的另一任意操作。

除非另外指明，否則第一層位於第二層或基板「上」的任何陳述皆應被解釋為涵蓋其中第一層直接接觸第二層或基板的情形以及其中在第一層與第二層或基板之間設置有一或多個其他層的情形二者。

可使用例如「在...下方(below)」、「在...下面(beneath)」、「在...之下(under)」、「下部(lower)」、「底部(bottom)」、「在...上方(above)」、「在...之上(over)」、「上部(upper)」、「頂部(top)」、「左(left)」及「右(right)」中的任一者等闡述相對空間關係的用詞來方便地闡述一個裝置或元件與其他裝置或元件的空間關係。此類用詞應被解釋為囊括如圖式所示取向以及在使用或操作中處於其他取向的裝置。舉例而言，其中裝置包括基於圖式所示裝置的取向設置於第一層上方的第二層的實例亦囊括當裝置在使用或操作中上下翻轉時的裝置。

以下，將參照附圖詳細闡述本揭露的某些實施例。

圖1是示出可應用根據實施例的印刷電路板的終端的圖。

參照圖1，主板(main board)2安裝於終端(terminal)1上。可在主板2上安裝有射頻(radio frequency，RF)處理部(RF模組)RF1及RF2、中頻(intermediate frequency，IF)處理部(IF晶片)IF、基頻(baseband)晶片BB等。RF處理部RF1及RF2向IF處理部IF傳送訊號，以使經由天線接收的訊號衰減。或者RF處理部RF1及RF2接收自IF處理部IF放大的訊號，以經由天線傳送訊號。此處，欲在RF處理部RF1及RF2與IF處理部IF之間交換的訊號可為10GHz或大於10GHz的高頻訊號。

圖2是示出根據實施例的印刷電路板的圖。根據實施例的印刷電路板(圖1中的10及10')傳送高頻訊號，並連接主板(圖1所示2)上的RF處理部(圖1所示RF1及RF2)與IF處理部(圖1所示IF)。

參照圖2，根據實施例的印刷電路板可包括第一樹脂層110、第二樹脂層120、通孔V，且更包括第一電路210及第二電路220。

第一樹脂層110與第二樹脂層120彼此被上下層壓。舉例而言，第二樹脂層120層壓於第一樹脂層110上。

第一樹脂層110與第二樹脂層120可具有不同的物理性質。第一樹脂層110可為熱固性的且第二樹脂層120可為熱塑性的。

第一樹脂層110可為聚苯醚樹脂、改質的聚醯亞胺樹脂或改質的環氧樹脂等。

可根據第一樹脂層110的樹脂類型、樹脂中包含的填料的類型及含量等來控制第一樹脂層110的介電耗散因數(dielectric dissipation factor)(Df)。介電耗散因數是介電損耗的值，且介電損耗意指在樹脂層(介電質)中形成交流(AC)電場時造成的能量損耗。由於介電耗散因數與介電損耗成比例，因此介電耗散因數越小，介電損耗越小。具有低介電損耗特性的第一樹脂層110有利於減少高頻訊號傳送中的損耗。

第一樹脂層110的介電耗散因數可為0.003或小於0.003，較佳為0.002或小於0.002。另外，第一樹脂層110的介電常數(Dk)可為3.5或小於3.5。

第一樹脂層110的厚度可為10微米至40微米。另外，第一樹脂層110的模數可為10GPa或小於10GPa。

第二樹脂層120可為液晶聚合物(liquid crystal polymer，LCP)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，PTFE)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide，PPS)、聚苯醚(polyphenylene ether，PPE)或聚醯亞胺(polyimide，PI)等。

第二樹脂層120的介電耗散因數可為0.003或小於 0.003，較佳為0.002或小於0.002。另外，第二樹脂層120的介電常數可為3.5或小於3.5。

第二樹脂層120的厚度可為10微米至40微米。第二樹脂層120的厚度可與第一樹脂層110的厚度實質上相同，但並非僅限於此。第二樹脂層120可具有18ppm/℃或低於18ppm/℃的熱膨脹係數(coefficiemt of thermal expansion，CTE)以及260℃或高於260℃的熔點。

第一樹脂層110與第二樹脂層120之間的介面可包括粗糙表面。粗糙表面意指具有藉由表面處理(例如CZ處理)形成的凹部及凸部的表面。具有凹部及凸部的粗糙表面會改善第一樹脂層110與第二樹脂層120之間的黏附性。

圖3及圖4是示出根據一或多個實施例的印刷電路板的通孔的圖。圖5及圖6是示出根據一或多個實施例的印刷電路板的通孔的鍍覆層的圖。

參照圖2，通孔V共同穿過第一樹脂層110及第二樹脂層120。因此，通孔V的側表面接觸第一樹脂層110與第二樹脂層120之間的介面。

可在通孔V的側表面上形成有突出部W。突出部W可自通孔V的側表面延伸出，以穿過第一樹脂層110及第二樹脂層120。突出部W自通孔V的側表面向外突出，且同時穿過第一樹脂層110及第二樹脂層120。突出部W在第一樹脂層110與第二樹脂層120之間突出。

突出部W在上下方向上的厚度可朝外側變小。如圖2中所示，印刷電路板的突出部W的縱向截面可為三角形狀。

突出部W的最外點可位於第一樹脂層110與第二樹脂層120之間的介面處。當突出部W在上下方向上的厚度朝外側變小時，突出部W的最外點可為尖的，且尖點可位於第一樹脂層110與第二樹脂層120之間的介面處。

突出部W可沿著通孔V的側表面的圓周形成。參照圖4，相對於通孔V的側表面而量測的突出部W的長度可沿著通孔V的側表面的圓周而變化。U代表通孔V的上表面，且B代表通孔V的下表面。

突出部W的最外點可位於通孔V的最外點之外。當通孔V的橫截面自第一樹脂層110朝第二樹脂層120增大時，通孔V的最大寬度可為通孔V的上表面的寬度。突出部W可突出超過通孔V的上表面。圖2中示出突出部W的最外點與通孔V的上表面之間的間隙G。

突出部W可包括上傾斜表面及下傾斜表面。

上傾斜表面可自通孔的側表面向下向外形成且位於第二樹脂層120中。下傾斜表面可自通孔的側表面向上向外形成且位於第一樹脂層110中。

上傾斜表面及下傾斜表面可在第一樹脂層110與第二樹脂層120之間的介面處彼此接觸。在此種情形中，突出部W的最外點可具有尖頭(尖的)形狀，尖頭突出部W的最外點可位於第一樹脂層110與第二樹脂層120之間的介面處。

上傾斜表面相對於第一樹脂層110與第二樹脂層120之間的介面的傾斜角可大於下傾斜表面的傾斜角。在此種情形中，突出部W的穿過第一樹脂層110的體積可小於突出部W的穿過第二樹脂層120的體積。自第一樹脂層110與第二樹脂層120之間的介面至突出部W的上表面的距離(圖2中的D1)可大於至突出部W的下表面的距離(圖2中的D2)。

參照圖5及圖6，通孔V可包括通孔孔洞VH及鍍覆層P。

通孔孔洞VH可共同穿過彼此上下而置的第一樹脂層110及第二樹脂層120。鍍覆層P是形成於通孔孔洞VH中的鍍覆材料。

通孔孔洞VH可包括伸出部WH。伸出部WH可在第一樹脂層110與第二樹脂層120之間突出，且可向外突出以穿過第一樹脂層110及第二樹脂層120。鍍覆層P亦可形成於通孔孔洞VH的伸出部WH中。形成於通孔孔洞VH的伸出部WH中的鍍覆層變為突出部W。

鍍覆層P可包括晶種層S及電鍍層。晶種層S可為藉由無電鍍覆方法形成的無電鍍覆層。晶種層S不僅可形成於通孔孔洞VH的內壁及底部上，且亦可形成於通孔孔洞VH的伸出部WH之內。電鍍層可為利用晶種層S作為引入線(lead-in wire)而鍍覆的層，且填充通孔孔洞VH的除晶種層S之外的剩餘部分。

參照圖3，通孔V共同穿過第一樹脂層110及第二樹脂層120。通孔V可包括第一區V1、第二區V2及第三區V3。

第一區V1可穿過第一樹脂層110，且第二區V2可穿過第二樹脂層120。第三區V3可穿過第一樹脂層110及第二樹脂層120，且位於第一區V1與第二區V2之間以連接第一區V1與第二區V2。

通孔寬度的最大值可位於第三區V3中。亦即，第三區V3的寬度可大於第一區V1及第二區V2各自的寬度。使通孔寬度為最大值的點可位於第一樹脂層110與第二樹脂層120之間的介面處。

第三區V3的寬度可自第一樹脂層110朝第二樹脂層120增大且然後減小。使第三區V3的寬度最大的點是使通孔(V)的寬度為最大值的點。

第一區V1及第二區V2各自的寬度可朝上側增大。然而，第二區V2的上部寬度小於第三區V3的最大寬度。

第一區V1、第二區V2及第三區V3可一體形成且在其之間無任何介面。

電路是載送電訊號且由金屬製成的導電線。電路金屬可為銅(Cu)等。電路可傳送高頻訊號。當第一樹脂層110及第二樹脂層120具有低介電損耗特性且電路傳送高頻訊號時，可減少由第一樹脂層110及第二樹脂層120造成的訊號損耗。電路可包括第一電路210及第二電路220。

第一電路210是形成於第一樹脂層110的一個表面(例如，下表面)上的電路，且第二電路220是形成於第二樹脂層120的一個表面(例如，上表面)上的電路。第一電路210及第二電路220可經由通孔V進行電性連接。

特別地，第一電路210嵌入第一樹脂層110的一個表面(例如，下表面)中。亦即，第一電路210可被暴露於第一樹脂層110的下表面，但第一電路210的其他表面可接觸第一樹脂層110。

第二電路220可自第二樹脂層120的一個表面(例如，上表面)突出。亦即，第二電路220可接觸第二樹脂層120的上表面且向外突出。

通孔V可接觸第一電路210的上表面及第二電路220的下表面。此外，第一電路210可在其端部處包括第一接墊，且第二電路220可在其端部處包括第二接墊。通孔V可夾置於第一接墊與第二接墊之間，以分別接觸第一接墊及第二接墊。

電路可不形成於第一樹脂層110與第二樹脂層120之間的介面處。

圖7是示出根據實施例的印刷電路板的圖。

參照圖7，根據實施例的印刷電路板包括：層壓體，藉由交替重複地層壓熱固性樹脂層與熱塑性樹脂層而形成；以及通孔VA及VB，共同穿過彼此鄰近的熱固性樹脂層及熱塑性樹脂層。

根據實施例的印刷電路板可包括其中熱固性第一樹脂層110、熱塑性第二樹脂層120、熱固性第三樹脂層130及熱塑性第四樹脂層140按照次序層壓的層壓體。可在第一樹脂層110下方進一步層壓熱塑性樹脂層，且可在第四樹脂層140上進一步層壓熱固性樹脂層。

第一熱固性樹脂層110可為聚苯醚樹脂、改質的聚醯亞胺樹脂或改質的環氧樹脂等。

第二熱塑性樹脂層120可為液晶聚合物(LCP)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚苯硫醚(PPS)、聚苯醚(PPE)或聚醯亞胺(PI)等。

第二樹脂層120的介電耗散因數可為0.003或小於0.003，較佳為0.002或小於0.002。另外，第二樹脂層120的介電常數可為3.5或小於3.5。

第二樹脂層120的厚度可為10微米至40微米。第二樹脂層120的厚度可與第一樹脂層110的厚度實質上相同，但並非僅限於此。第二樹脂層120可具有18ppm/℃或低於18ppm/℃的CTE及260℃或高於260℃的熔點。

熱固性第三樹脂層130可為聚苯醚樹脂、改質的聚醯亞胺樹脂或改質的環氧樹脂等。

第三樹脂層130的介電耗散因數可為0.003或小於0.003，較佳為0.002或小於0.002。另外，第三樹脂層130的介電常數(Dk)可為3.5或小於3.5。

第三樹脂層130的厚度可為10微米至40微米。另外，第三樹脂層130的模數可為10GPa或小於10GPa。

第三樹脂層130可與第一樹脂層110相同。

熱塑性第四樹脂層140可為液晶聚合物(LCP)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚苯硫醚(PPS)、聚苯醚(PPE)或聚醯亞胺(PI)等。

第四樹脂層140的介電耗散因數可為0.003或小於0.003，較佳為0.002或小於0.002。另外，第四樹脂層140的介電常數可為3.5或小於3.5。

第四樹脂層140的厚度可為10微米至40微米。第四樹脂層140的厚度可與第三樹脂層130的厚度實質上相同，但並非僅限於此。第四樹脂層140可具有18ppm/℃或低於18ppm/℃的CTE及260℃或高於260℃的熔點。

第四樹脂層140可與第二樹脂層120相同。

根據實施例的印刷電路板的通孔VA及VB可共同穿過彼此鄰近的熱固性樹脂層及熱塑性樹脂層。可考量熱固性樹脂層及熱塑性樹脂層的層壓次序來形成通孔VA及VB。亦即，通孔VA及VB可共同穿過位於下側上的熱固性樹脂層及位於上側上的熱塑性樹脂層，但不能共同穿過位於下側上的熱塑性樹脂層及位於上側上的熱固性樹脂層。通孔VA及VB可具有與以上所述的通孔V相同的結構特徵。

通孔VA的穿過熱固性樹脂層(第一樹脂層110)的一部分的寬度可小於通孔VA的穿過熱塑性樹脂層(第二樹脂層120)的一部分的寬度。

通孔VB的穿過熱固性樹脂層(第三樹脂層130)的一部分的寬度可小於通孔VB的穿過熱塑性樹脂層(第四樹脂層140)的一部分的寬度。

在通孔VA及VB各自的側表面上設置有向外延伸以穿過彼此鄰近的熱固性樹脂層及熱塑性樹脂層的突出部W。

在通孔VA的側表面上形成有突出部W。突出部W可自通孔VA的側表面朝外側延伸，且穿過第一樹脂層110及第二樹脂層120。突出部W自通孔VA的側表面向外突出，且同時穿過第一樹脂層110及第二樹脂層120。突出部W在第一樹脂層110與第二樹脂層120之間突出。

在通孔VB的側表面上形成有突出部W。突出部W可自通孔VB的側表面延伸以穿過第三樹脂層130及第四樹脂層140。突出部W可自通孔VB的側表面向外側延伸，且同時穿過第三樹脂層130及第四樹脂層140。突出部W在第三樹脂層130與第四樹脂層140之間突出。

突出部W在上下方向上的厚度可朝外側變小。如圖2 中所示，印刷電路板的突出部W的縱向截面可為三角形狀。

突出部W的最外點可位於彼此鄰近的第一樹脂層與第二樹脂層之間的介面處。亦即，突出部W的最外點可位於第一樹脂層110與第二樹脂層120之間的介面(及第三樹脂層130與第四樹脂層140之間的介面)處。當突出部W在上下方向上的厚度朝外側變小時，突出部W的最外點可為尖的，且尖點可位於第一樹脂層110與第二樹脂層120(第三樹脂層130與第四樹脂層140)之間的介面處。

突出部W可沿著通孔VA及VB的側表面的圓周形成。參照圖4，相對於通孔VA及VB各自的側表面而量測的突出部W的長度可沿著通孔VA及VB各自的側表面的圓周而變化。

突出部W的最外點可位於通孔VA及VB的最外點之外。當通孔VA及VB的橫截面自第一樹脂層110朝第二樹脂層120增大時，通孔VA及VB各自的最大寬度可為通孔VA及VB各自的上表面的寬度。突出部W可突出超過通孔VA及VB各自的上表面。

突出部W可包括上傾斜表面及下傾斜表面。

上傾斜表面可自通孔VA及VB各自的側表面向下向外形成，且分別位於第二樹脂層120及第四樹脂層140中。下傾斜表面可自通孔VA及VB各自的側表面向上向外形成，且分別位於第一樹脂層110及第三樹脂層130中。

上傾斜表面及下傾斜表面可在彼此鄰近的熱固性樹脂層與熱塑性樹脂層之間的介面處彼此接觸。在此種情形中，突出部W的最外點具有尖頭形狀，且尖頭突出部W的最外點可位於彼此鄰近的熱固性樹脂層與熱塑性樹脂層之間的介面處。

上傾斜表面相對於熱固性樹脂層與熱塑性樹脂層之間的介面的傾斜角可大於下傾斜表面的傾斜角。在此種情形中，突出部W的穿過熱固性樹脂層的體積可小於穿過熱塑性樹脂層的體積。自熱固性樹脂層與熱塑性樹脂層之間的介面至突出部W的上表面的距離可大於距突出部W的下表面的距離。

通孔VA及VB可包括通孔孔洞VH及鍍覆層P。

通孔孔洞VH可共同穿過彼此鄰近的熱固性樹脂層及熱塑性樹脂層。鍍覆層P可為形成於通孔孔洞VH中的鍍覆材料。

通孔孔洞VH可包括伸出部WH。伸出部WH可在彼此鄰近的熱固性樹脂層與熱塑性樹脂層之間突出，且向外突出以穿過彼此鄰近的熱固性樹脂層及熱塑性樹脂層。鍍覆層P亦可形成於通孔孔洞VH的伸出部WH中。形成於伸出部WH上的鍍覆層變為突出部W。

鍍覆層P可包括晶種層S及電鍍層。晶種層S可為藉由無電鍍覆方法形成的無電鍍覆層。晶種層S不僅可形成於通孔孔洞VH的內壁及底部上，且亦可形成於通孔孔洞VH的伸出部WH之內。電鍍層是利用晶種層S作為引入線而鍍覆的層，且填充通孔孔洞VH的除晶種層S之外的剩餘部分。

電路可包括第一電路210、第二電路220、第三電路230 等。

第一電路210是形成於第一樹脂層110的下表面上的電路。第一電路210形成於熱塑性樹脂層(未示出)的上表面上且嵌入第一樹脂層110中，所述熱塑性樹脂層層壓於第一樹脂層110之下。

第二電路220是形成於第二樹脂層120的上表面上且嵌入第三樹脂層130中的電路。

第三電路230形成於第四樹脂層140的上表面上，且嵌入層壓於第四樹脂層140上的熱固性樹脂層(未示出)中。

第一電路210與第二電路220可經由通孔VA進行電性連接，且第二電路220與第三電路230可經由通孔VB進行電性連接。

通孔VA可接觸第一電路210的上表面及第二電路220的下表面。此外，第一電路210可在其端部處包括第一接墊，且第二電路220可在其端部處包括第二接墊。通孔VA可夾置於第一接墊與第二接墊之間，以分別接觸第一接墊及第二接墊。

通孔VB可接觸第二電路220的上表面及第三電路230的下表面。此外，第二電路220可在其端部處包括第二接墊，第三電路230可在其端部處包括第三接墊。通孔VB可夾置於第二接墊與第三接墊之間以分別接觸第二接墊及第三接墊。

電路可包括形成於層壓體的最外層上的最外層電路，且最外層電路中的最上電路自層壓體的最上層處的熱塑性樹脂層的上表面向外突出。此外，最外層電路中的最下電路嵌入層壓體的最下層處的熱固性樹脂層的下表面中。

在圖7中，最外層電路被示出為第三電路230。在最外層電路的表面上可形成有經表面處理層400。經表面處理層400可由具有低反應性的金屬(例如金(Au))製成，或者可由有機材料製成，但並非僅限於此。此外，所述經表面處理層可由多個層構成。

在層壓體的二個側表面上可更形成有覆蓋並保護最外層電路的覆蓋層300。覆蓋層300可為撓性覆蓋膜(coverlay)。在覆蓋層300中可形成有開口，且經表面處理層400可經由所述開口暴露出。

參照圖8(a)，提供包括晶種金屬層的可拆卸芯體DC，且在所述晶種金屬層上形成第一電路210。此外，在所述晶種金屬層上形成覆蓋第一電路210的熱固性第一樹脂層110。

參照圖8(b)，在熱固性第一樹脂層110上層壓熱塑性第二樹脂層120。雖然未示出，然而熱塑性第二樹脂層120可在上部上具有金屬箔(例如銅層)。此種金屬箔可用作晶種層。

參照圖8(c)，形成共同穿過第一樹脂層110及第二樹脂層120的通孔孔洞VH。可藉由雷射鑽孔等來形成通孔孔洞VH。通孔孔洞VH暴露出第一電路210。通孔孔洞VH包括在第一樹脂層110與第二樹脂層120之間突出的伸出部WH。

參照圖8(d)，在通孔孔洞VH中及在第二樹脂層120上形成晶種層S。

參照圖9(a)，在晶種層S上形成電解鍍覆層，且通孔孔洞VH填充有鍍覆層。此處，當移除不必要的晶種層時，會形成通孔VA及第二電路220。

參照圖9(b)至圖9(d)，重複上述製程以形成熱塑性第二樹脂層120上的熱固性第三樹脂層130及第三樹脂層130上的熱塑性第四樹脂層140、通孔VB以及第三電路230。

參照圖10(a)及圖10(b)，移除可拆卸芯體DC的一部分，且藉由蝕刻來移除可拆卸芯體DC中所包括的晶種金屬層。

參照圖10(c)，在第一樹脂層110的下表面及第四樹脂層140的上表面上形成覆蓋層300。參照圖10(d)，在第三電路230的經由覆蓋層300的開口暴露出的表面上形成經表面處理層400。

僅管本揭露包括特定實例，然而在理解本申請案的揭露內容之後將顯而易見的是，在不背離申請專利範圍及其等效範圍的精神及範圍的條件下，可在該些實例中作出各種形式及細節上的改變。本文中所述實例應僅被解釋為具有說明性意義，而非用於限制。對每一實例中的特徵或態樣的說明應被視作適用於其他實例中的相似特徵或態樣。若以不同的次序執行所述技術及/或若以不同的方式對所述系統、架構、裝置或電路中的組件加以組合及/或以其他組件或其等效組件進行替換或補充，則可達成適合的結果。因此，本揭露的範圍並非由詳細說明界定，而是由申請專利範圍及其等效範圍界定，且處於申請專利範圍及其等效範圍的範圍內的所有變型皆應被視作包含於本揭露中。