CN113922057A - 天线模块 - Google Patents
天线模块 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113922057A CN113922057A CN202110690714.XA CN202110690714A CN113922057A CN 113922057 A CN113922057 A CN 113922057A CN 202110690714 A CN202110690714 A CN 202110690714A CN 113922057 A CN113922057 A CN 113922057A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- antenna
- disposed
- layer
- wiring
- layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 43
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 49
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 49
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 48
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 34
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims description 29
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 20
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 13
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 260
- 238000000034 method Methods 0.000 description 41
- 230000008569 process Effects 0.000 description 40
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 35
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 24
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 20
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 16
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 15
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 14
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 12
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 12
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 12
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 10
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 10
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 10
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 10
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 10
- 101001134276 Homo sapiens S-methyl-5'-thioadenosine phosphorylase Proteins 0.000 description 9
- 102100022050 Protein canopy homolog 2 Human genes 0.000 description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 9
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 8
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 6
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 6
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 5
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 4
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 4
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- -1 Polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229920006336 epoxy molding compound Polymers 0.000 description 2
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 101100201843 Cyprinus carpio rsph1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100328516 Mus musculus Cnpy2 gene Proteins 0.000 description 1
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/36—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/02—Arrangements for de-icing; Arrangements for drying-out ; Arrangements for cooling; Arrangements for preventing corrosion
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
- H05K1/0243—Printed circuits associated with mounted high frequency components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4857—Multilayer substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
- H01L23/3677—Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5383—Multilayer substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/12—Supports; Mounting means
- H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
- H01Q1/2283—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles mounted in or on the surface of a semiconductor substrate as a chip-type antenna or integrated with other components into an IC package
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/12—Supports; Mounting means
- H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
- H01Q1/24—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set
- H01Q1/241—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM
- H01Q1/242—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM specially adapted for hand-held use
- H01Q1/243—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM specially adapted for hand-held use with built-in antennas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/36—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith
- H01Q1/38—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith formed by a conductive layer on an insulating support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q21/00—Antenna arrays or systems
- H01Q21/06—Arrays of individually energised antenna units similarly polarised and spaced apart
- H01Q21/061—Two dimensional planar arrays
- H01Q21/065—Patch antenna array
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
- H01Q9/04—Resonant antennas
- H01Q9/0407—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna
- H01Q9/0414—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna in a stacked or folded configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
- H05K1/0203—Cooling of mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/115—Via connections; Lands around holes or via connections
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
- H05K1/185—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit
- H05K1/186—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit manufactured by mounting on or connecting to patterned circuits before or during embedding
- H05K1/187—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit manufactured by mounting on or connecting to patterned circuits before or during embedding the patterned circuits being prefabricated circuits, which are not yet attached to a permanent insulating substrate, e.g. on a temporary carrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68345—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during the manufacture of self supporting substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68372—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to support a device or wafer when forming electrical connections thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
- H01L23/3128—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
- H01L23/49816—Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/095—Conductive through-holes or vias
- H05K2201/096—Vertically aligned vias, holes or stacked vias
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10098—Components for radio transmission, e.g. radio frequency identification [RFID] tag, printed or non-printed antennas
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0097—Processing two or more printed circuits simultaneously, e.g. made from a common substrate, or temporarily stacked circuit boards
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
本发明提供一种天线模块,所述天线模块包括:布线结构,包括多个绝缘层、多个布线层和多个过孔层;天线,设置在所述布线结构的上表面上;散热结构,围绕所述天线设置在所述布线结构的上表面上;以及包封件,设置在所述布线结构的上表面上并且覆盖所述天线和所述散热结构中的每个的至少一部分。
Description
本申请要求于2020年7月9日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0084613号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种天线模块。
背景技术
由于5G的到来,使得频带增大,因此用于发送/接收该频带内的频率的信号的天线模块变得更加重要。天线模块可具有这样的形式:片型天线可通过焊料结合而表面安装在天线基板上。然而,在减小上述类型的天线模块的尺寸方面可能存在困难,并且当使用焊料结合时,天线性能可能由于信号损失而劣化。此外,天线模块可能易受散热情况的影响。
发明内容
本公开的一方面在于提供一种天线模块,该天线模块可通过减小厚度等而具有减小的尺寸。
本公开的另一方面在于提供一种可改善天线性能的天线模块。
本公开的另一方面在于提供一种可具有改善的散热效果的天线模块。
根据本公开的一方面,可提供一种其中嵌入有天线的天线模块。
根据本公开的另一方面,天线可通过镀覆技术(而非焊料结合)连接到布线结构。
根据本公开的另一方面,散热结构还可与另一天线一起嵌入天线模块中。
例如,根据本公开的一方面,一种天线模块包括:布线结构,包括多个绝缘层、多个布线层和多个过孔层;天线,设置在所述布线结构的上表面上;散热结构,围绕所述天线设置在所述布线结构的上表面上;以及包封件,设置在所述布线结构的上表面上并且覆盖所述天线和所述散热结构中的每个的至少一部分,其中,所述多个布线层中的最上布线层的至少一部分通过所述多个过孔层中的最上过孔层的第一连接过孔连接到所述天线,并且其中,所述第一连接过孔穿过所述包封件的至少一部分。
例如,根据本公开的一方面,一种天线模块包括:布线结构;天线,设置在所述布线结构的上表面上;多个导体块,设置在所述布线结构的上表面上,与所述天线间隔开,并且围绕所述天线的侧表面的至少一部分;以及包封件,设置在所述布线结构的上表面上并且覆盖所述天线和所述多个导体块中的每个的至少一部分。
例如,根据本公开的一方面,一种天线模块包括:天线,具有连接焊盘,所述连接焊盘设置在所述天线的第一表面上;包封件,设置在所述天线周围并且接触所述天线的所述第一表面的至少一部分,所述天线的与所述第一表面相对的第二表面通过所述包封件暴露;绝缘结构,围绕所述包封件并且具有通孔,所述绝缘结构包括设置在所述天线周围的散热结构;第一连接过孔,连接到所述连接焊盘并且穿过所述包封件;以及布线结构,设置在所述包封件上并且具有面向所述天线的所述第一表面的第一表面,所述布线结构包括设置在所述布线结构的第一表面上并且连接到所述第一连接过孔和所述散热结构的第一布线层。
附图说明
根据以下结合附图的具体实施方式,本公开的上述和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解,在附图中:
图1是示出电子装置系统的示例的框图;
图2是示出电子装置的示例的示图;
图3是示出天线模块的示例的截面图;
图4至图6是示出制造图3中所示的天线模块的工艺的示例的截面图;
图7是示出天线模块的另一示例的截面图;
图8至图10是示出制造图7中所示的天线模块的工艺的示例的截面图;
图11是示出天线模块的另一示例的截面图;
图12是示出天线模块的另一示例的截面图;
图13是示出天线模块的另一示例的截面图;
图14是示出天线模块的另一示例的截面图;
图15是示出天线模块的另一示例的截面图;以及
图16是示出天线模块的另一示例的截面图。
具体实施方式
在下文中,将参照附图描述本公开的示例实施例。在附图中,为了描述的清楚性,可夸大或简要示出元件的形状、尺寸等。
图1是示出电子装置系统的示例的框图。
参照图1,电子装置1000中可容纳主板1010。芯片相关组件1020、网络相关组件1030、其他组件1040等可物理连接或电连接到主板1010。这些组件可通过各种信号线1090连接到下面要描述的其他部件。
芯片相关组件1020可包括:存储器芯片,诸如易失性存储器(例如,动态随机存取存储器(DRAM))、非易失性存储器(例如,只读存储器(ROM))、闪存等;应用处理器芯片,诸如中央处理器(例如,中央处理单元(CPU))、图形处理器(例如,图形处理单元(GPU))、数字信号处理器、密码处理器、微处理器、微控制器等;以及逻辑芯片,诸如模数转换器(ADC)、专用集成电路(ASIC)等。然而,芯片相关组件1020不限于此,而是还可包括其他类型的芯片相关组件。另外,芯片相关组件1020可彼此组合。芯片相关组件1020可具有包括上述芯片的封装件形式。
网络相关组件1030可包括基于诸如以下协议操作的组件:无线保真(Wi-Fi)(电气和电子工程师协会(IEEE)802.11系列等)、全球微波接入互操作性(WiMAX)(IEEE 802.16系列等)、IEEE 802.20、长期演进(LTE)、演进仅数据(Ev-DO)、高速分组接入+(HSPA+)、高速下行链路分组接入+(HSDPA+)、高速上行链路分组接入+(HSUPA+)、增强型数据GSM环境(EDGE)、全球移动通信系统(GSM)、全球定位系统(GPS)、通用分组无线业务(GPRS)、码分多址(CDMA)、时分多址(TDMA)、数字增强型无绳电信(DECT)、蓝牙、3G协议、4G协议和5G协议以及在上述协议之后指定的任何其他无线协议和有线协议。然而,网络相关组件1030不限于此,而是还可包括基于各种其他无线标准或协议或者有线标准或协议操作的组件。另外,网络相关组件1030可与上述芯片相关组件1020一起彼此组合。
其他组件1040可包括高频率电感器、铁氧体电感器、功率电感器、铁氧体珠、低温共烧陶瓷(LTCC)组件、电磁干扰(EMI)滤波器、多层陶瓷电容器(MLCC)等。然而,其他组件1040不限于此,而是还可包括用于各种其他目的的无源组件等。另外,其他组件1040可与上述芯片相关组件1020和/或网络相关组件1030一起彼此组合。
根据电子装置1000的类型,电子装置1000可包括可物理连接或电连接到主板1010或者可不物理连接或不电连接到主板1010的其他部件。这些其他部件可包括例如相机1050、天线1060、显示器1070、电池1080、音频编解码器、视频编解码器、功率放大器、指南针、加速度计、陀螺仪、扬声器、大容量存储单元(例如,硬盘驱动器)、光盘(CD)驱动器、数字通用盘(DVD)驱动器等。然而,这些其他部件不限于此,而是还可根据电子装置1000的类型等而包括用于各种目的的其他部件。
电子装置1000可以是智能电话、个人数字助理(PDA)、数字摄像机、数码相机、网络系统、计算机、监视器、平板PC、膝上型PC、上网本PC、电视机、视频游戏机、智能手表、汽车组件等。然而,电子装置1000不限于此,而可以是处理数据的任何其他电子装置。
图2是示出电子装置的示例的示图。
参照图2,电子装置可由智能电话1100实现。调制解调器1101以及通过刚性印刷电路板、柔性印刷电路板和/或刚柔印刷电路板连接到调制解调器1101的各种类型的天线模块1102、1103、1104、1105和1106可设置在智能电话1100中。如果需要,还可设置Wi-Fi模块1107。天线模块1102、1103、1104、1105和1106可包括用于5G移动通信的各种频带的天线模块1102、1103、1104和1105(诸如用于3.5GHz频带的天线模块1102、用于5GHz频带的天线模块1103、用于28GHz频带的天线模块1104、用于39GHz频带的天线模块1105等),并且还可包括用于4G的天线模块1106,但其示例实施例不限于此。电子装置不限于智能电话1100,并且可由上述其他电子装置实现。
图3是示出天线模块的示例的截面图。
参照该图,示例实施例中的天线模块800A可包括:布线结构300,包括多个绝缘层310、多个布线层320和多个过孔层330;天线100,设置在布线结构300的上表面上;散热结构500,围绕天线100设置在布线结构300的上表面上;以及包封件400,设置在布线结构300的上表面上并且覆盖天线100和散热结构500中的每个的至少一部分。如果需要,示例实施例中的天线模块800A可包括:钝化层600,设置在布线结构300的下表面上,覆盖多个绝缘层310中的最下绝缘层310,并且具有使最下布线层320的至少一部分暴露的开口;和/或电连接金属件650,设置在钝化层600的开口上并且连接到最下布线层320的暴露部分。
多个布线层320中的最上布线层320的至少一部分可通过多个过孔层330中的最上过孔层330的第一连接过孔335连接到天线100,并且可通过最上过孔层330的第二连接过孔337连接到散热结构500。例如,包封件400可填充多个绝缘层310中的最上绝缘层310的上表面与天线100的下表面之间的区域G1的至少一部分(即,包封件400覆盖天线的下表面的至少一部分),以及最上绝缘层310的上表面与散热结构500的下表面之间的区域G2的至少一部分。第一连接过孔335可穿过包封件400的至少一部分并且可连接到天线100的焊盘图案100P,并且第二连接过孔337可穿过包封件400的至少一部分并且可连接到设置在散热结构500的下侧的第一金属图案层520的至少一部分。
因此,示例实施例中的天线模块800A可具有这样的形式:天线100和散热结构500可嵌入天线模块800A中并且天线100可通过第一连接过孔335(而不是通过焊接结合)电连接到布线结构300(即,天线基板)中的布线层320。因此,即使包括天线100和散热结构500,天线模块800A的厚度也可减小,因此天线模块800A可具有减小的尺寸。此外,可通过使用第一连接过孔335的电连接来减少信号损失,从而可改善天线性能。此外,由天线100产生的热可通过散热结构500有效地散去。此外,由于散热结构500通过第二连接过孔337电连接到布线结构300中的布线层320,因此可提供有效的散热路径。
此外,最上绝缘层310的上表面可设置在与最上布线层320的上表面的高度水平相同的高度水平上,也就是说,最上绝缘层310可具有与最上布线层320的上表面基本上共面的上表面。此外,包封件400的上表面可设置在与天线100的上表面(即,例如,作为天线100的最上面的元件的最上天线图案100A的上表面)的高度水平相同的高度水平上。此外,包封件400的上表面可位于与散热结构500的上表面(即,例如,作为散热结构500的最上侧的元件的第一金属图案层520的上表面)的高度水平相同的高度水平上。元件可设置在相同的高度水平上的构造包括元件可设置在完全相同的高度水平或大致相同的高度水平上的构造。可通过载体容易地将天线100和散热结构500嵌入包封件400中,之后可容易地在包封件400上形成布线结构300。因此,天线100和散热结构500可埋入包封件400中,使得天线100和散热结构500的最上组件中的每个的上表面可从包封件400的上表面暴露。此外,最上布线层320可埋入最上绝缘层310的上侧中并且最上布线层320的上表面的至少一部分可与包封件400接触。
在下面的描述中,将参照附图更详细地描述根据示例实施例的天线模块800A的每个元件。
天线100可被构造成片型天线。例如,天线100可以是各种类型的片型天线中的一种,例如,天线100基本上可包括介电主体以及可分别设置在介电主体的上表面和下表面上的天线图案100A和焊盘图案100P。可仅设置单个天线100,但其示例实施例不限于此,并且多个天线100可并排设置在布线结构300上。例如,天线100可以以各种形式(诸如1×2的阵列、1×4的阵列和2×2的阵列)布置。
天线100的介电主体可包括具有高介电常数(Dk)的材料。例如,介电主体可包括陶瓷层和/或陶瓷-聚合物复合层。可选地,介电主体可包括绝缘层,该绝缘层包括具有高介电常数(Dk)的绝缘材料(诸如,聚四氟乙烯(PTFE))。陶瓷-聚合物复合层可通过将陶瓷填料分散在有机粘结剂中来获得。可使用聚合物(诸如PTFE或环氧树脂)作为有机粘结剂。可使用包括SiO2、TiO2、Al2O3等的填料作为陶瓷填料。陶瓷填料可具有各种形状,诸如角形形状或圆形形状。陶瓷填料的直径可以是50μm或更小。如果需要,陶瓷-聚合物复合层可包括玻璃纤维作为增强材料。
天线图案100A和焊盘图案100P中的每个可包括金属材料。可使用铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金作为所述金属材料。天线图案100A可以是耦合图案,并且还可在介电主体中设置与天线图案100A耦合的贴片图案。可通过天线图案100A在厚度方向(图3中的上下方向)上发送和接收RF(射频)信号。焊盘图案100P可将天线100连接到布线结构300。焊盘图案100P中的至少一个可通过设置在介电主体中的馈电过孔连接到设置在介电主体中的贴片图案,并且还可连接到布线结构300的馈电图案。焊盘图案100P中的至少另一个可连接到布线结构300的接地图案。
布线结构300可包括多个绝缘层310、多个布线层320和多个过孔层330。多个布线层320可分别设置在多个绝缘层310上和/或多个绝缘层310内。多个过孔层330可分别穿过多个绝缘层310,并且最上过孔层330可穿过包封件400的至少一部分。多个绝缘层310的数量、多个布线层320的数量和多个过孔层330的数量可不限于任何特定数量,并且可大于或小于图3中的示例示出的数量。
多个绝缘层310可包括绝缘材料。可使用热固性树脂(诸如环氧树脂)、热塑性树脂(诸如聚酰亚胺)或者通过将增强材料(诸如玻璃纤维、玻璃布、玻璃织物)和/或无机填料浸渍在热固性树脂或热塑性树脂中而制备的材料(诸如,半固化片、味之素堆积膜(Ajinomotobuild-up film,ABF)等)作为所述绝缘材料。然而,多个绝缘层310的绝缘材料的示例实施例不限于此,如果需要,每个绝缘层310可包括热塑性树脂层和热固性树脂层。例如,多个绝缘层310可包括热塑性树脂层和热固性树脂层交替层叠的层叠体。热塑性树脂层可包括有效传输高频率信号的材料,并且热固性树脂层可包括有利于传输高频率信号并具有良好结合性能的材料。通过这样的多层树脂层,可提供有利于高频率信号传输并具有优异粘合性能的绝缘主体。
为了易于高频率信号传输,可使用液晶聚合物(LCP)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚苯硫醚(PPS)、聚苯醚(PPE)、聚酰亚胺(PI)等作为热塑性树脂层的材料。可根据热塑性树脂层中包括的树脂的类型、树脂中包括的填料的类型和填料的含量来调节介电损耗因子(Df)。介电损耗因子(Df)是用于介电损耗的值,并且介电损耗是指当在树脂层(电介质)中形成交流(AC)电场时产生的功率损失。介电损耗因子(Df)与介电损耗成比例,并且介电损耗因子(Df)越低,介电损耗越低。具有低介电损耗特性的热塑性树脂层可在降低高频率信号传输中的损失方面是有利的。热塑性树脂层的介电损耗因子(Df)可以是0.003或更小,例如,可以是0.002或更小。热塑性树脂层还可具有低介电常数特性,并且介电常数(Dk)可以是例如3.5或更小。
为了易于高频率信号传输,可使用改性聚酰亚胺(PI)、聚苯醚(PPE)、改性环氧树脂等作为热固性树脂层的材料。可根据热固性树脂层的树脂的类型、树脂中包括的填料的类型和填料的含量来调节介电损耗因子(Df)。具有低介电损耗特性的热固性树脂层可在降低高频率信号传输中的损失方面是有利的。热固性树脂层的介电损耗因子(Df)可以是0.003或更小,例如,可以是0.002或更小。热固性树脂层的介电常数(Dk)可以是3.5或更小。
多个布线层320可包括金属材料。可使用铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金作为所述金属材料。多个布线层320可通过镀覆工艺(诸如,加成工艺(AP)、半AP(SAP)、改进的SAP(MSAP)、封孔(TT)工艺等)形成,因此可包括种子层(无电镀层)和在该种子层的基础上形成的电解镀层。如果需要,还可包括底漆铜箔(primer copper foil)。多个布线层320可根据相应层的设计执行各种功能。例如,多个布线层320可包括连接到天线100的馈电图案,并且还可包括接地图案和电力图案。如果需要,多个布线层320可包括除了馈电图案之外的其他信号传输图案。这些图案中的每个可包括线图案、面图案和/或焊盘图案。
多个过孔层330可包括金属材料。可使用铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金作为所述金属材料。多个过孔层330可通过镀覆工艺(诸如AP、SAP、MSAP或TT工艺)形成,因此可包括种子层(无电镀层)和在该种子层的基础上形成的电解镀层。多个过孔层330可根据设计来执行各种功能。例如,多个过孔层330可包括用于连接馈电图案的连接过孔、用于接地连接的连接过孔、用于电力连接的连接过孔以及用于其他信号连接的连接过孔。例如,设置在最上侧的过孔层330可包括上述第一连接过孔335和第二连接过孔337,并且第一连接过孔335可包括用于馈电的连接过孔和/或用于接地的连接过孔,并且第二连接过孔337可包括用于接地的连接过孔。每个连接过孔可通过在通路孔中完全填充金属材料而形成,或者可通过利用金属材料沿着通路孔的壁表面而形成。此外,连接过孔可具有各种形状,诸如锥形形状。
包封件400可包括绝缘材料。可使用热固性树脂(诸如环氧树脂)、热塑性树脂(诸如聚酰亚胺)或者通过将增强材料(诸如无机填料)浸渍在热固性树脂或热塑性树脂中而制备的树脂(诸如ABF)作为所述绝缘材料。然而,包封件400的绝缘材料的示例实施例不限于此,并且可使用具有低介电损耗因子(Df)的其他类型的绝缘树脂。包封件400可覆盖天线100的整个侧面,并且可覆盖天线100的上表面和下表面中的每个的至少一部分。
散热结构500可有效地散去由天线100产生的热。散热结构500可根据特定材料进一步提高天线模块800A的刚度,并且可有助于确保包封件400的厚度的均匀性。散热结构500可具有通孔500H,并且天线100可设置在通孔500H中。由于散热结构500具有通孔500H并且天线100设置在通孔500H中,因此可更容易地设置和嵌入天线100。散热结构500的通孔500H可具有连续地围绕天线100的侧表面的内壁,但其示例实施例不限于此。如果需要,散热结构500可包括彼此间隔开的多个单元。
散热结构500可包括:绝缘基板510,具有通孔500H,天线100设置在该通孔500H中;第一金属图案层520,设置在绝缘基板510的上表面和下表面中的每个上;以及第二金属图案层550,设置在通孔500H的壁表面上。此外,为了更好的散热效果,还可包括金属过孔层530,金属过孔层530可穿过绝缘基板510并且可将设置在绝缘基板510的上表面上的第一金属图案层520的至少一部分连接到设置在绝缘基板510的下表面上的第一金属图案层520的至少一部分。
绝缘基板510可包括绝缘材料。可使用包括玻璃纤维和增强材料的材料、覆铜层叠板(CCL)或半固化片作为所述绝缘材料。然而,绝缘基板510的绝缘材料的示例实施例不限于此,并且可使用玻璃、陶瓷、塑料等。
第一金属图案层520和第二金属图案层550可包括金属材料。可使用铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金作为所述金属材料。第一金属图案层520和第二金属图案层550可通过镀覆工艺(诸如AP、SAP、MSAP或TT工艺)形成,因此可包括种子层(无电镀层)和在该种子层的基础上形成的电解镀层。如果需要,还可包括底漆铜箔。第一金属图案层520和第二金属图案层550可包括接地图案。接地图案中的每个可包括线图案、面图案和/或焊盘图案。
金属过孔层530可包括金属材料。可使用铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金作为所述金属材料。金属过孔层530可通过镀覆工艺(诸如AP、SAP、MSAP或TT工艺)形成,因此可包括种子层(无电镀层)和在该种子层的基础上形成的电解镀层。金属过孔层530可包括用于接地连接的金属过孔。金属过孔层530的每个过孔可通过在通路孔中完全填充金属材料而形成,或者可通过利用金属材料沿着通路孔的壁表面而形成。此外,过孔可具有各种形状,诸如圆柱形形状、沙漏形形状等。
钝化层600可包括绝缘材料。可使用热固性树脂(诸如环氧树脂)、热塑性树脂(诸如聚酰亚胺)或者通过将增强材料(诸如无机填料)浸渍在热固性树脂或热塑性树脂中而制备的树脂(诸如ABF)作为所述绝缘材料。然而,钝化层600的绝缘材料的示例实施例不限于此,并且可使用包括感光材料的阻焊剂(SR)。钝化层600可覆盖设置在最下侧的绝缘层310,并且可具有用于使设置在最下侧的布线层320的至少一部分暴露的开口。
电连接金属件650可设置在钝化层600的开口上并且可连接到最下布线层320的暴露部分。电连接金属件650可提供用于将天线模块800A物理连接和/或电连接到外部组件的路径。例如,电连接金属件650可利用具有比铜(Cu)的熔点低的熔点的低熔点金属(诸如锡(Sn)或包括锡(Sn)的合金)形成。例如,电连接金属件650可利用焊料形成,但其示例实施例不限于此。电连接金属件650可被构造成焊盘、焊球、引脚等,并且可形成为多层或单层。当电连接金属件650包括多层时,电连接金属件650可包括铜柱和焊料,而当电连接金属件650包括单层时,电连接金属件650可包括锡-银焊料,但其示例实施例不限于此。
图4至图6是示出制造图3中所示的天线模块的工艺的示例的截面图。
参照图4,可使用CCL等制备绝缘基板510,铜箔M层叠在绝缘基板510的两个表面上。此后,可通过激光工艺或机械钻孔形成穿过绝缘基板510的通孔500H和通路孔530V。此后,可通过镀覆工艺填充通路孔530V来形成金属过孔层530,并且可在绝缘基板510的两个表面和通孔500H的壁表面上形成第一金属图案层520和第二金属图案层550。通过一系列工艺,可制备其中形成有通孔500H的散热结构500。
参照图5,可制备载体900。可使用玻璃基板、金属基板、绝缘基板等作为载体900。此后,可将粘合膜910(诸如裸片附着膜(DAF))附着到载体900的上表面和/或下表面上。可将制备的散热结构500附着到粘合膜910。此后,可将片型天线100附着到设置在散热结构500的通孔500H中的粘合膜910并且面向上和/或面向下。此后,可通过层叠ABF形成用于掩埋天线100和散热结构500的包封件400。
参照图6,可通过堆积工艺在包封件400上形成布线结构300。例如,可通过激光工艺在包封件400中形成用于暴露天线100的焊盘图案和散热结构500的第一金属图案层的通路孔,可通过镀覆工艺形成布线层和过孔层,可将绝缘材料层叠在包封件400上,可通过激光工艺在绝缘材料中形成通路孔,并且可通过镀覆工艺重复地形成布线层和过孔层,从而形成布线结构300。此后,如果需要,可在布线结构300上形成钝化层600。此后,可使制造的结构与载体900分离,并且可去除粘合膜910。如果需要,可在钝化层600的开口上进一步形成电连接金属件650。通过一系列工艺,可制造根据上述示例实施例的天线模块800A。
由于其他描述与上述的对应描述基本相同,因此将不再复述重复的描述。
图7是示出天线模块的另一示例的截面图。
参照该图,与前述示例实施例中描述的天线模块800A不同,在另一示例实施例中的天线模块800B中,多个导体块580可设置为散热结构。多个导体块580可设置在布线结构300的上表面上,可与天线100间隔开,并且可围绕天线100的侧表面的至少一部分。包封件400可覆盖多个导体块580中的每个的至少一部分。多个导体块580中的每个可包括导体材料。例如,多个导体块580中的每个可包括具有优异导热特性的金属材料(诸如铜(Cu))。
多个导体块580中的每个的上表面可设置在与包封件400的上表面的高度水平相同的高度水平上。如上所述,可通过载体容易地将天线100埋入包封件400中,并且多个导体块580也可与天线100一起埋入包封件400中,因此,多个导体块580的上表面可埋入包封件400中,使得天线100和多个导体块580中的每个的上表面可从包封件400的上表面暴露。此外,包封件400可填充最上绝缘层310的上表面和天线100的下表面之间的区域G1,并且还可填充最上绝缘层310的上表面和多个导体块580中的每个的下表面之间的区域G2的至少一部分。
其他描述与上述的对应描述基本相同,并且将不再复述重复的描述。
图8至图10是示出制造图7中所示的天线模块的工艺的示例的截面图。
参照图8,可制备载体900。可使用玻璃基板、金属基板、绝缘基板等作为载体900。可将粘合膜910(诸如DAF)附着到载体900的上表面和/或下表面。可将天线100和多个导体块580附着到粘合膜910。天线100可以是片型天线,并且可面朝上和/或面朝下附着。
参照图9,可通过层叠ABF来形成用于掩埋天线100和多个导体块580的包封件400。可通过堆积工艺在包封件400上形成布线结构300。例如,可通过激光工艺在包封件400中形成用于暴露天线100的焊盘图案和多个导体块580中的至少一个导体块的至少一部分的通路孔,可形成布线层和过孔层,可将绝缘材料层叠在包封件400上,可通过激光工艺在绝缘材料中形成通路孔,并且可通过镀覆工艺重复地形成布线层和过孔层,从而形成布线结构300。
参照图10,如果需要,可在布线结构300上形成钝化层600。可使制造的结构与载体900分离,并且可去除粘合膜910。如果需要,可在钝化层600的开口上进一步形成电连接金属件650。通过一系列工艺,可制造根据上述示例实施例的天线模块800B。
由于其他描述与上述的对应描述基本相同,因此将不再复述重复的描述。
图11是示出天线模块的另一示例的截面图。
图12是示出天线模块的另一示例的截面图。
参照这些图,在另一示例中的天线模块800C和800D中,布线结构300可包括:第一区域150,包括多个第一绝缘层160、多个第一布线层170和多个第一过孔层180;以及第二区域200,设置在第一区域150下方并且包括多个第二绝缘层210、多个第二布线层220和多个第二过孔层230。第一区域150可主要用作天线构件,并且第二区域200可主要用作重新分布构件。例如,多个第一绝缘层160的至少一部分可包括具有比多个第二绝缘层210的至少一部分的介电损耗因子(Df)低的介电损耗因子(Df)的材料。
多个第一绝缘层160可以是热塑性树脂层161和热固性树脂层162交替层叠的层叠体。热塑性树脂层161可包括有效地传输高频率信号的材料,并且热固性树脂层162可包括有利于传输高频率信号并具有优异结合特性的材料。通过多层树脂层161和162,可提供有利于高频率信号传输并具有优异粘合特性的绝缘主体。多个第一布线层170中的每个可设置在热塑性树脂层161上并且可埋入热固性树脂层162中,并且可通过多个第一过孔层180彼此连接。多个第一过孔层180中的每个可包括同时穿过彼此相邻的热塑性树脂层161和热固性树脂层162的连接过孔。
在高频率信号传输方面,可使用液晶聚合物(LCP)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚苯硫醚(PPS)、聚苯醚(PPE)、聚酰亚胺(PI)等作为热塑性树脂层161的材料。可根据热塑性树脂层161中的树脂的类型、树脂中包含的填料的类型和填料的含量来调节介电损耗因子(Df)。介电损耗因子(Df)是用于介电损耗的值,并且介电损耗是指当在树脂层(电介质)中形成交流(AC)电场时产生的功率损失。介电损耗因子(Df)与介电损耗成比例,并且介电损耗因子(Df)越小,介电损耗越小。具有低介电损耗特性的热塑性树脂层161可在降低高频率信号传输中的损失方面是有利的。热塑性树脂层161中的每个的介电损耗因子(Df)可以是0.003或更小,例如可以是0.002或更小。热塑性树脂层161的介电常数(Dk)可以是3.5或更小。
在高频率信号传输方面,可使用聚苯醚(PPE)、改性聚酰亚胺(PI)、改性环氧树脂等作为热固性树脂层162的材料。可根据热固性树脂层162中的树脂的类型、树脂中包括的填料的类型和填料的含量来调节介电损耗因子(Df)。具有低介电损耗特性的热固性树脂层162可在降低高频率信号传输中的损失方面是有利的。热固性树脂层162的介电损耗因子(Df)可以是0.003或更小,例如,可以是0.002或更小。热固性树脂层162的介电常数(Dk)可以是3.5或更小。
热塑性树脂层161的厚度可大于热固性树脂层162的厚度。上述厚度关系在高频率信号传输方面可能是期望的。在竖直方向上彼此相邻的热塑性树脂层161和热固性树脂层162之间的界面可包括粗糙表面。粗糙表面是指已被粗糙化以具有锯齿的表面。彼此上下相邻的热塑性树脂层161和热固性树脂层162可通过粗糙表面确保彼此之间的粘合力。
多个第一布线层170可包括金属材料。可使用铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金作为所述金属材料。多个第一布线层170可通过镀覆工艺(诸如AP、SAP、MSAP或TT工艺)形成,因此可包括种子层(无电镀层)和在该种子层的基础上形成的电解镀层。如果需要,可进一步包括底漆铜箔。多个第一布线层170可根据相应层的设计执行各种功能。例如,多个第一布线层170可包括连接到天线100的馈电图案,并且还可包括设置在馈电图案周围的接地图案,并且还可包括电力图案。这些图案中的每个图案可包括线图案、面图案和/或焊盘图案。
多个第一过孔层180可包括金属材料。可使用铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金作为所述金属材料。多个第一过孔层180可通过镀覆工艺(诸如AP、SAP、MSAP或TT工艺)形成,因此可包括种子层(无电镀层)和在该种子层的基础上形成的电解镀层。多个第一过孔层180可根据设计来执行各种功能。例如,多个第一过孔层180可包括用于连接馈电图案的连接过孔、用于接地连接的连接过孔、用于电力连接的连接过孔以及用于其他信号连接的连接过孔。多个第一过孔层180的最上过孔层可包括上述连接过孔335和337,并且连接过孔335和337可包括用于馈电的连接过孔和/或用于接地的连接过孔。每个连接过孔可通过在通路孔中完全填充金属材料而形成,或者可通过利用金属材料沿着通路孔的壁表面而形成。此外,连接过孔可具有各种形状,诸如锥形形状。
多个第二绝缘层210可包括绝缘材料。可使用热固性树脂(诸如环氧树脂)、热塑性树脂(诸如聚酰亚胺)或者通过将增强材料(诸如玻璃纤维)和/或无机填料浸渍在热固性树脂或热塑性树脂而制备的材料(诸如半固化片、ABF或感光电介质(PID))作为所述绝缘材料。
多个第二布线层220可包括金属材料。可使用铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金作为所述金属材料。多个第二布线层220可通过镀覆工艺(诸如AP、SAP、MSAP或TT工艺)形成,因此可包括种子层(无电镀层)和在该种子层的基础上形成的电解镀层。如果需要,可进一步包括底漆铜箔。多个第二布线层220可根据相应层的设计执行各种功能。例如,多个第二布线层220可包括接地图案、电力图案和信号图案。信号图案可包括除了接地图案、电力图案等之外的各种信号图案(诸如天线信号图案、数据信号图案等)。这些图案中的每个图案可包括线图案、面图案和/或焊盘图案。
多个第二过孔层230可包括金属材料。可使用铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金作为所述金属材料。多个第二过孔层230可通过镀覆工艺(诸如AP、SAP、MSAP或TT工艺)形成,因此可包括种子层(无电镀层)和在该种子层的基础上形成的电解镀层。多个第二过孔层230可根据设计执行各种功能。例如,多个第二过孔层230可包括用于信号连接的连接过孔、用于接地连接的连接过孔和用于电力连接的连接过孔。每个连接过孔可通过在通路孔中完全填充金属材料而形成,或者可通过利用金属材料沿着通路孔的壁表面而形成。此外,连接过孔可具有各种形状,例如锥形形状。
此外,与前述示例实施例中描述的天线模块800A和800B不同,在示例实施例中的天线模块800C和800D中,天线100'可以是包括介电部110以及天线图案120的片型贴片天线,天线图案120形成在介电部110内或介电部110上。多个片型贴片天线可独立地设置在布线结构300上。多个天线100'可以以各种形式(诸如1×2的阵列、1×4的阵列和2×2的阵列)布置。
介电部110可包括介电层111和112,以及设置在介电层111和112之间并将介电层111和112彼此结合的结合层113。具体地,天线100'可包括:第一介电层111;结合层113,设置在第一介电层111的上表面上;第二介电层112,设置在结合层113的上表面上;第一天线图案121,设置在结合层113的下表面上并且埋入所述第一介电层111中;第二天线图案122,设置在第二介电层112的上表面上并且具有在厚度方向上与第一天线图案121重叠的至少一部分;焊盘图案123和124,设置在所述第一介电层111的下表面上;以及馈电过孔130,穿过第一介电层111并且将第一天线图案121连接到焊盘图案123和124。介电层111和112中的每个可包括具有高介电常数(Dk)的材料。例如,介电层111和112中的每个可以是陶瓷层和/或陶瓷-聚合物复合层。然而,示例实施例不限于此,并且介电层111和112可包括具有高介电常数(Dk)的绝缘材料,诸如PTFE。陶瓷-聚合物复合层可通过将陶瓷填料分散在有机粘结剂中来获得。可使用诸如PTFE或环氧树脂的聚合物作为有机粘结剂。可使用包括SiO2、TiO2、Al2O3等的填料作为陶瓷填料。陶瓷填料可具有各种形状,诸如角形形状或圆形形状。陶瓷填料的直径可以是50μm或更小。如果需要,陶瓷-聚合物复合层可包括玻璃纤维作为增强材料。结合层113的介电常数(Dk)可比介电层111和112的介电常数(Dk)小,并且结合层113可包括具有良好结合强度的材料。例如,结合层113可包括具有比介电层111和112的材料的介电常数(Dk)低的介电常数(Dk)的聚合物,诸如PTFE或环氧树脂。结合层113的厚度可小于介电层111和112中的每个的厚度。
天线图案120可包括金属材料。可使用铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金作为所述金属材料。天线图案120可通过镀覆工艺(诸如AP、SAP、MSAP或TT工艺)形成,因此可包括种子层(无电镀层)和在该种子层的基础上形成的电解镀层。天线图案120可包括贴片图案121(即,第一天线图案)、耦合图案122(即,第二天线图案)以及焊盘图案123和124。
贴片图案121可通过设置在布线结构300中的馈电图案和馈电过孔接收RF信号并且可在厚度方向上发送信号,并且贴片图案121可通过设置在布线结构300中的馈电图案和馈电过孔向电子组件700(例如,射频IC(RFIC)710)发送在厚度方向上接收的RF信号。贴片图案121可具有固有谐振频率(诸如28GHz或39GHz),该固有谐振频率取决于诸如形状、尺寸和高度的固有因素。例如,贴片图案121可通过设置在布线结构300中的馈电图案和馈电过孔电连接到电子组件700(例如,RFIC 710),使得贴片图案121可发送和接收水平极(H极)RF信号和垂直极(V极)RF信号。
例如,耦合图案122可设置在贴片图案121的诸如沿厚度方向的上方。耦合图案122可被设置成使得耦合图案122的至少一部分可在厚度方向(例如,基于图11或图12中的截面,从上到下的方向)上与贴片图案121的至少一部分重叠。由于耦合图案122和贴片图案121之间的电磁耦合,可获得与上述固有谐振频率邻近的附加谐振频率,因此可获得更宽的带宽。
焊盘图案123和124可将天线100'连接到布线结构300。例如,焊盘图案123可通过穿过第一介电层111的馈电过孔130而连接到贴片图案121,并且可通过第一连接过孔335连接到设置在布线结构300的第一区域150中的多个第一布线层170的馈电图案。此外,焊盘图案124可围绕焊盘图案123设置,如果需要,那么焊盘图案124可通过连接过孔连接到设置在布线结构300的第一区域150中的多个第一布线层170的接地图案。
馈电过孔130可包括金属材料。可使用铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金作为所述金属材料。馈电过孔130可通过镀覆工艺(诸如AP、SAP、MSAP或TT工艺)形成,因此可包括种子层(无电镀层)和在该种子层的基础上形成的电解镀层。馈电过孔130可通过在通路孔中完全填充金属材料而形成,或者可通过利用金属材料沿着通路孔的壁表面而形成。此外,馈电过孔130可具有各种形状,诸如圆柱形形状、沙漏形形状等。
此外,与前述示例实施例中描述的天线模块800A和800B不同,另一示例中的天线模块800C和800D还可包括表面安装在布线结构300的下表面上的电子组件700。电子组件700可包括各种类型的有源组件和/或无源组件。例如,电子组件700可包括RFIC 710、电源管理IC(PMIC)720等。例如,电子组件700还可包括片型无源组件,诸如片型电容器或片型电感器。电子组件700可通过连接金属件715和725连接到设置在布线结构300的第二区域200中的多个第二布线层220的至少一部分。例如,连接金属件715和725可利用具有比铜(Cu)的熔点低的熔点的低熔点金属(诸如锡(Sn)或含锡(Sn)合金)形成。例如,连接金属件715和725可利用焊料形成,但所述材料的示例不限于此。
由于其他描述与上述的对应描述基本相同,因此将不再复述重复的描述。
图13是示出天线模块的另一示例的截面图。
图14是示出天线模块的另一示例的截面图。
参照这些图,与前述示例实施例中描述的天线模块800C和800D不同,在另一示例中的天线模块800E和800F中,半导体芯片730和无源组件740可作为电子组件表面安装在布线结构300的下表面上。半导体芯片730可包括RFIC、PMIC等。无源组件740可包括片型电容器、片型电感器等。可通过连接金属件735表面安装半导体芯片730。也可通过连接金属件(诸如焊料)表面安装和设置无源组件740。半导体芯片730可通过设置在布线结构300的下表面上的底部填充树脂750a进行固定。底部填充树脂750a可包括具有粘合特性的常规绝缘树脂,诸如环氧树脂。
此外,与前述示例实施例中描述的天线模块800C和800D不同,在另一示例中的天线模块800E和800F中,在布线结构300的下表面上可设置覆盖半导体芯片730和无源组件740的模制材料791。可通过模制材料791保护电子组件。模制材料791可以是常规环氧塑封料(EMC)。然而,模制材料791的示例实施例不限于此,并且ABF等可用作模制材料791。
此外,与前述示例实施例中描述的天线模块800C和800D不同,在另一示例中的天线模块800E和800F中,插入件780可设置在布线结构300的下表面上。插入件780可与诸如半导体芯片730和无源组件740的电子组件并排设置。插入件780可通过设置在上部的连接金属件785连接到设置在布线结构300的第二区域200中的多个第二布线层220的至少一部分。此外,插入件780可通过下侧上的连接金属件787连接到另一种类型的印刷电路板,诸如主板。插入件780可通过底部填充树脂750b固定。插入件780可以是使用绝缘树脂作为绝缘主体的有机插入件。然而,插入件780的示例实施例不限于此,并且可以是使用硅作为绝缘主体的硅插入件。插入件780可以是具有贯通部分(电子组件设置在该贯通部分中)的环形单基板,或者可包括彼此间隔开的多个单元。
由于其他描述与上述的对应描述基本相同,因此将不再复述重复的描述。
图15是示出天线模块的另一示例的截面图。
图16是示出天线模块的另一示例的截面图。
参照这些图,在另一示例中的天线模块800G和800H还可包括设置在布线结构300的下表面上并围绕电子组件(诸如半导体芯片730和无源组件740)的屏蔽罩792,而不包括模制材料791。可通过屏蔽罩792屏蔽电磁干扰(EMI)。屏蔽罩792可包括金属材料。可使用铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金作为所述金属材料。然而,屏蔽罩792的材料不限于金属,并且可以是例如包括金属粉末的合成树脂材料。
此外,与前述示例实施例中描述的天线模块800E和800F不同,在另一示例中的天线模块800G和800H中,连接器795和797还可设置在布线结构300的下表面上,而不设置插入件780。左连接器795可以是RF插座,并且可连接到设置在布线结构300的第二区域200中的多个第二布线层220的至少一部分。右连接器797可以是用于信号和/或电力的连接器,并且可连接到设置在布线结构300的第二区域200中的多个第二布线层220的至少一部分。天线模块800G和800H可通过连接器795和797连接到其他类型的印刷电路板,诸如主板。
由于其他描述与上述的对应描述基本相同,因此将不再复述重复的描述。
根据前述示例实施例,可提供一种通过减小厚度而具有减小的尺寸的天线模块。
此外,可提供一种改善天线性能的天线模块。
此外,可提供一种具有改善的散热效果的天线模块。
在示例实施例中,为了便于描述,术语“侧部”、“侧表面”等可用于表示参照附图中的截面在右/左方向上的部、表面,术语“上侧”、“上部”、“上表面”等可用于表示参照附图中的截面在向上方向上的侧、部、表面,并且术语“下侧”、“下部”、“下表面”等可用于表示参照附图中的截面在向下方向上的侧、部、表面。元件设置在侧区域、上侧、下侧、上区域或下区域的概念可包括元件在相应方向上与被配置为参考的元件直接接触的构造,以及元件不与被配置为参考的元件直接接触的构造。然而,为了便于描述,可如上定义这些术语,并且示例实施例的范围不特别限于上述术语。
在示例实施例中,术语“连接”可不仅仅表示“直接连接”,而且还包括借助于粘合层等的“间接连接”。此外,术语“电连接”可包括元件“物理连接”的情况和元件“不物理连接”的情况。此外,术语“第一”、“第二”等可用于将一个元件与另一个元件区分开,并且可不限制与元件相关的顺序和/或重要性等。在一些情况下,在不脱离示例实施例的范围的情况下,第一元件可被称为第二元件,类似地,第二元件可被称为第一元件。
在示例实施例中,术语“示例实施例”可不指一个相同的示例实施例,而是可被提供以描述和强调每个示例实施例的不同独特特征。可实现上述提出的示例实施例,而不排除与其他示例实施例的特征组合的可能性。例如,除非另有说明,否则即使在一个示例实施例中描述的特征未在另一示例实施例中描述,该描述也可被理解为与另一示例实施例相关。
虽然上面已经示出和描述了示例实施例,但是对于本领域技术人员显而易见的是,在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下,可做出修改和变型。
Claims (19)
1.一种天线模块,包括:
布线结构,包括多个绝缘层、多个布线层和多个过孔层;
天线,设置在所述布线结构的上表面上;
散热结构,围绕所述天线设置在所述布线结构的上表面上;以及
包封件,设置在所述布线结构的上表面上并且覆盖所述天线和所述散热结构中的每个的至少一部分,
其中,所述多个布线层中的最上布线层的至少一部分通过所述多个过孔层中的最上过孔层的第一连接过孔连接到所述天线,并且
其中,所述第一连接过孔穿过所述包封件的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的天线模块,
其中,所述最上布线层的至少一部分通过所述最上过孔层的第二连接过孔而连接到所述散热结构,并且
其中,所述第二连接过孔穿过所述包封件的至少一部分。
3.根据权利要求1所述的天线模块,其中,所述包封件填充所述多个绝缘层中的最上绝缘层的上表面与所述天线的下表面之间的区域的至少一部分,以及所述最上绝缘层的上表面与所述散热结构的下表面之间的区域的至少一部分。
4.根据权利要求3所述的天线模块,其中,所述最上布线层埋入所述最上绝缘层的上侧中,并且所述最上布线层的上表面的至少一部分与所述包封件接触。
5.根据权利要求1所述的天线模块,其中,所述散热结构包括:绝缘基板,具有通孔,所述天线设置在所述通孔中;第一金属图案层,设置在所述绝缘基板的上表面和下表面中的每个上;以及第二金属图案层,设置在所述通孔的壁表面上。
6.根据权利要求5所述的天线模块,其中,所述散热结构还包括金属过孔层,所述金属过孔层穿过所述绝缘基板并且将设置在所述绝缘基板的上表面上的第一金属图案层的至少一部分连接到设置在所述绝缘基板的下表面上的第一金属图案层的至少一部分。
7.根据权利要求5所述的天线模块,其中,所述包封件的上表面设置在与设置在所述绝缘基板的上表面上的第一金属图案层的上表面的高度水平相同的高度水平上。
8.根据权利要求1所述的天线模块,其中,所述散热结构包括多个导体块。
9.根据权利要求8所述的天线模块,其中,所述包封件的上表面设置在与所述多个导体块中的每个导体块的上表面的高度水平相同的高度水平上。
10.根据权利要求1所述的天线模块,其中,所述天线包括介电主体、设置在所述介电主体的上表面上的天线图案以及设置在所述介电主体的下表面上的焊盘图案。
11.根据权利要求10所述的天线模块,其中,所述包封件的上表面设置在与所述天线图案的上表面的高度水平相同的高度水平上。
12.根据权利要求1所述的天线模块,其中,所述天线包括:第一介电层;结合层,设置在所述第一介电层的上表面上;第二介电层,设置在所述结合层的上表面上;第一天线图案,设置在所述结合层的下表面上并且埋入所述第一介电层中;第二天线图案,设置在所述第二介电层的上表面上并且具有在厚度方向上与所述第一天线图案重叠的至少一部分;焊盘图案,设置在所述第一介电层的下表面上;以及馈电过孔,穿过所述第一介电层并且将所述第一天线图案连接到所述焊盘图案。
13.根据权利要求1所述的天线模块,所述天线模块还包括:
电子组件,设置在所述布线结构的下表面上并且连接到所述多个布线层中的最下布线层的至少一部分,
其中,所述电子组件包括电源管理集成电路、射频集成电路和无源组件中的至少一种。
14.根据权利要求1所述的天线模块,
其中,所述布线结构包括:第一区域,包括多个第一绝缘层、多个第一布线层和多个第一过孔层;以及第二区域,设置在所述第一区域下方并且包括多个第二绝缘层、多个第二布线层和多个第二过孔层,并且
其中,所述多个第一绝缘层包括热塑性树脂层和热固性树脂层交替层叠的层叠体。
15.一种天线模块,包括:
布线结构;
天线,设置在所述布线结构的上表面上;
多个导体块,设置在所述布线结构的上表面上,与所述天线间隔开,并且围绕所述天线的侧表面的至少一部分;以及
包封件,设置在所述布线结构的上表面上并且覆盖所述天线和所述多个导体块中的每个的至少一部分。
16.根据权利要求15所述的天线模块,其中,所述多个导体块中的每个包括铜(Cu)。
17.一种天线模块,包括:
天线,具有连接焊盘,所述连接焊盘设置在所述天线的第一表面上;
包封件,设置在所述天线周围并且接触所述天线的所述第一表面的至少一部分,所述天线的与所述第一表面相对的第二表面通过所述包封件暴露;
绝缘结构,围绕所述包封件并且具有通孔,所述绝缘结构包括设置在所述天线周围的散热结构;
第一连接过孔,连接到所述连接焊盘并且穿过所述包封件;以及
布线结构,设置在所述包封件上并且具有面向所述天线的所述第一表面的第一表面,所述布线结构包括设置在所述布线结构的第一表面上并且连接到所述第一连接过孔和所述散热结构的第一布线层。
18.根据权利要求17所述的天线模块,其中,所述布线结构还包括:第二布线层,设置在所述布线结构的与所述布线结构的第一表面相对的第二表面上;以及至少一个绝缘层,设置在所述第一布线层与所述第二布线层之间。
19.根据权利要求18所述的天线模块,所述天线模块还包括:
电子组件,设置在所述布线结构的第二表面上并且连接到所述第二布线层,
其中,所述电子组件包括电源管理集成电路、射频集成电路和无源组件中的至少一种。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2020-0084613 | 2020-07-09 | ||
KR1020200084613A KR20220006785A (ko) | 2020-07-09 | 2020-07-09 | 안테나 모듈 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113922057A true CN113922057A (zh) | 2022-01-11 |
Family
ID=79173038
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110690714.XA Pending CN113922057A (zh) | 2020-07-09 | 2021-06-22 | 天线模块 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11758646B2 (zh) |
KR (1) | KR20220006785A (zh) |
CN (1) | CN113922057A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023221045A1 (zh) * | 2022-05-19 | 2023-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种复合散热结构及显示装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150031029A (ko) | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 삼성전기주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
US10971825B2 (en) | 2017-07-28 | 2021-04-06 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Antenna module and method of manufacturing the same |
KR102411147B1 (ko) | 2017-07-28 | 2022-06-21 | 삼성전기주식회사 | 안테나 모듈 및 안테나 모듈 제조 방법 |
KR102025906B1 (ko) * | 2017-12-06 | 2019-11-04 | 삼성전자주식회사 | 안테나 모듈 |
US20200118949A1 (en) * | 2018-10-16 | 2020-04-16 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor package with antenna |
US10840197B2 (en) * | 2018-10-30 | 2020-11-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Package structure and manufacturing method thereof |
-
2020
- 2020-07-09 KR KR1020200084613A patent/KR20220006785A/ko not_active Application Discontinuation
-
2021
- 2021-03-11 US US17/198,643 patent/US11758646B2/en active Active
- 2021-06-22 CN CN202110690714.XA patent/CN113922057A/zh active Pending
-
2023
- 2023-07-27 US US18/227,108 patent/US20230371173A1/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023221045A1 (zh) * | 2022-05-19 | 2023-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种复合散热结构及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230371173A1 (en) | 2023-11-16 |
KR20220006785A (ko) | 2022-01-18 |
US20220013889A1 (en) | 2022-01-13 |
US11758646B2 (en) | 2023-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102022353B1 (ko) | 안테나 모듈 | |
KR102019354B1 (ko) | 안테나 모듈 | |
CN109887903B (zh) | 天线模块及其制造方法 | |
KR102268389B1 (ko) | 인쇄회로기판 및 이를 포함하는 안테나 모듈 | |
CN113745821A (zh) | 天线基板 | |
US11569586B2 (en) | Antenna | |
US11283174B2 (en) | Antenna | |
US20230371173A1 (en) | Antenna module | |
US11437724B2 (en) | Antenna module | |
US11658124B2 (en) | Connection structure embedded substrate | |
CN113540771A (zh) | 天线 | |
KR20190104978A (ko) | 안테나 모듈 | |
CN116264349A (zh) | 天线基板 | |
US11735814B2 (en) | Antenna module | |
CN113873756A (zh) | 印刷电路板 | |
CN114698226A (zh) | 天线板及包括该天线板的天线模块 | |
CN113905513A (zh) | 印刷电路板和包括该印刷电路板的天线模块 | |
US11432396B2 (en) | Printed circuit board and antenna module comprising the same | |
US11122679B2 (en) | Printed circuit board | |
US11521922B2 (en) | Printed circuit board | |
KR20220093508A (ko) | 패키지 구조체 | |
CN116156750A (zh) | 印刷电路板 | |
CN114258186A (zh) | 印刷电路板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |