TWI626151B - Copper foil for manufacturing printed wiring board, copper foil with carrier, copper-clad laminate, and method for producing printed wiring board using the same - Google Patents

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Abstract

本發明之目的在於提供一種印刷配線板製造用銅箔，其不另外需要追加的蝕刻步驟，有意義地減低Cu蝕刻的面內偏差，結果可抑制種子層之缺損或電路凹陷之發生。此銅箔係依順序具備第一銅層、蝕刻犧牲層及第二銅層，蝕刻犧牲層的蝕刻速率相對於Cu的蝕刻速率之比r係比1.0更高。

Description

印刷配線板製造用銅箔、附有載體的銅箔、覆銅層合板、及使用其之印刷配線板的製造方法
本發明關於印刷配線板製造用銅箔、附有載體的銅箔及覆銅層合板、以及使用彼等之印刷配線板的製造方法。
作為適合電路的微細化之印刷配線板的製造工法，廣泛採用MSAP(改良半加成法)法。MSAP法係適合形成極微細的電路之手法，為了活用其特徵，使用附有載體的極薄銅箔進行。例如，如圖4及5中所示，於基底基材111a上備有預浸體111b的絕緣樹脂基板111(視需要可內含下層電路111c)上，使用底漆層112，加壓而使極薄銅箔110密著(步驟(a))，剝離載體(未圖示)後，視需要藉由雷射穿孔而形成通孔113(步驟(b))。接著，施予化學鍍銅114(步驟(c))後，使用乾膜115，藉由曝光及顯像而以指定的圖型遮蔽(步驟(d))，施予電鍍銅116(步驟(e))。去除乾膜115而形成配線部分116a(步驟(f))後，將相鄰配線部分116a、116a間之不要的極薄銅箔等在彼等之厚度 全體中藉由蝕刻去除(步驟(g))，而得到以指定圖型形成的配線117。特別地，近年來隨著電子電路之小型輕量化，要求電路形成性更優異的(例如能形成線/間隔=15μm以下/15μm以下的微細電路)MSAP法用銅箔。例如，專利文獻1(國際公開第2012/046804號)中揭示於JIS-B-06012-1994規定的表面基底山的凹凸之平均間隔Sm為25μm以上的載體上，依順序層合剝離層、銅箔，自載體剝離銅箔而成之銅箔，藉由使用此銅箔，不損害配線的直線性，可蝕刻到線/間隔為15μm以下的極細寬度為止。
另一方面，作為適合輕量化或小型化的印刷配線板之製造工法，採用在支持體(芯)表面的金屬層上形成配線層，更形成增建層後，使用分離支持體(芯)的無芯增建法之製造方法。由如此方法所製造的印刷配線板係電路圖型被埋入絕緣層之中的類型者，故將此工法稱為ETS(Embedded Trace Substrate)工法。作為在表面上備有金屬層的支持體用之構件，使用附有載體的銅箔之無芯增建法的印刷配線板之製造方法的習知例係顯示於圖11及12中。於圖11及12所示之例中，首先將依順序備有載體212、剝離層214及銅箔216之附有載體的銅箔210層合於預浸體等的無芯支持體218上。其次，於銅箔216上形成光阻圖型220，經由圖型鍍敷(電鍍銅)222之形成及光阻圖型220之剝離而形成配線圖型224。然後，對於圖型鍍敷視需要施予粗化處理等的層合前處理而形成第一配線層226。接著，如圖12所示，層合用於形成增建層242 的絕緣層228及視需要的成為第二配線層238的種子層之附有載體的銅箔230(具備載體232、剝離層234及銅箔236)，剝離載體232，而且藉由雷射等開孔加工銅箔236及其正下方的絕緣層228。繼續，藉由化學鍍銅、光阻加工、電解鍍銅、光阻剝離及閃蝕等進行圖型化而形成第二配線層238，視需要重複此圖型化而形成到第n配線層240(n為2以上之整數)為止。然後，將無芯支持體218與載體212一起剝離而形成增建配線板244(亦稱為無芯配線板)，藉由閃蝕去除第一配線層226之配線圖型間露出的銅箔216與存在時增建層242的第n配線層240之配線圖型間露出的銅箔236等而成為指定的配線圖型，得到印刷配線板246。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2012/046804號
[專利文獻2]日本特開2014-63950號公報
還有，於MSAP法(參照圖4及5)中，在通孔113之形成(步驟(b))後且在化學鍍銅114之形成(步驟c))前，有以通孔底面的下層電路111c之圖型化或通孔周圍附著的飛濺之去除為目的，進行微蝕刻(Cu蝕刻)之情況。 近年來，從將電路微細化之觀點來看，比以往更預先減薄極薄銅層110的厚度，希望在前述微蝕刻後的時間點之種子層(極薄銅箔110)成為0.3μm左右的厚度。然而，若欲微蝕刻如此薄的極薄銅箔110與絕緣樹脂基板111之層合體，則如圖3中所示意地表示，在微蝕刻中因微蝕刻的面內偏差而在極薄銅箔110(種子層)中部分地發生缺損110a。因此，希望抑制如此的缺損之發生的手法。
另一方面，於ETS工法中，在無芯配線板製程的閃蝕步驟(參照圖11及12)中，露出的銅箔216中存在的微小針孔或閃蝕液之面內液黏附壓力的不均勻性等影響，在第一配線層226之面內閃蝕的量容易變不均勻。此時，如圖9中所示意地表示，不僅在應去除的銅箔216，而且在應殘留的銅電路(第一配線層226)之一部分，亦會不均勻地蝕刻，發生超出規格值的不均勻之電路凹陷226a。如此不均勻的電路凹陷226a係在印刷配線板的安裝步驟或可靠性試驗環境下，有造成連接不良或斷線等的不良狀況之虞。因此，提案用於減低如此配線層的蝕刻之嘗試。例如，專利文獻2(日本特開2014-63950號公報)中揭示設置以鎳所形成的蝕刻停止層，藉由選擇蝕刻來去除此蝕刻停止層，而抑制銅電路的不均勻溶解，抑制在面內不均勻發生的電路凹陷。然而，採用專利文獻2之手法時，如圖10中示意地表示，於銅蝕刻步驟中，不僅應去除的銅箔216而且本來不應去除的蝕刻停止層215亦有稍微溶出之情況。又，於形成蝕刻停止層215時亦針孔稍微 存在時，在銅蝕刻步驟中，銅電路(第一配線層226)亦可能局部地露出。若由於如此的不均勻溶出而銅電路(第一配線層226)局部地露出，則構成銅電路的Cu之溶解係被加速，發生局部大的電路凹陷226a。終究在設置蝕刻停止層215時，由於另外需要用於去除蝕刻停止層215的選擇蝕刻步驟，而製造步驟變多。
本發明者們此次得到以下的知識見解：於印刷配線板之製造中，藉由使用使蝕刻速率高的蝕刻犧牲層介於第一銅層與第二銅層之間存在的銅箔，可不另外需要追加的蝕刻步驟，有意義地減低Cu蝕刻的面內偏差，結果可抑制如上述的種子層之缺損或電路凹陷之發生。
因此，本發明之目的在於提供一種印刷配線板製造用銅箔，其不另外需要追加的蝕刻步驟，有意義地減低Cu蝕刻的面內偏差，結果可抑制種子層之缺損或電路凹陷之發生。
依照本發明之一態樣，提供一種印刷配線板製造用銅箔，其係依順序具備第一銅層、蝕刻犧牲層及第二銅層，前述蝕刻犧牲層的蝕刻速率相對於Cu的蝕刻速率之比r係比1.0更高。
依照本發明之另一態樣，提供一種附有載體的銅箔，其係依順序具備載體、剝離層及前述銅箔。
依照本發明之別的一態樣，提供一種覆銅層合板，其具備前述銅箔。
依照本發明之其他一態樣，提供一種印刷配 線板的製造方法，其特徵為使用前述銅箔或前述附有載體的銅箔來製造印刷配線板。
10‧‧‧銅箔
11‧‧‧第一銅層
12‧‧‧蝕刻犧牲層
13‧‧‧第二銅層
14‧‧‧附有載體的銅箔
15‧‧‧載體
16‧‧‧剝離層
18‧‧‧無芯支持體
26‧‧‧第一配線層
28‧‧‧絕緣層
30‧‧‧附有載體的銅箔
32‧‧‧載體
34‧‧‧剝離層
36‧‧‧銅箔
38‧‧‧第二配線層
40‧‧‧第n配線層
42‧‧‧增建配線層
46‧‧‧印刷配線板
110‧‧‧極薄銅箔
111‧‧‧絕緣樹脂基板
111a‧‧‧基底基材
111b‧‧‧預浸體
111c‧‧‧下層電路
112‧‧‧底漆層
113‧‧‧通孔
114‧‧‧化學鍍銅
115‧‧‧乾膜
116‧‧‧電鍍銅
116a‧‧‧配線部分
117‧‧‧配線
210‧‧‧附有載體的銅箔
212‧‧‧載體
214‧‧‧剝離層
215‧‧‧蝕刻停止層
216‧‧‧銅箔
218‧‧‧無芯支持體
220‧‧‧光阻圖型
222‧‧‧圖型鍍敷
224‧‧‧配線圖型
226‧‧‧第一配線層
228‧‧‧絕緣層
230‧‧‧附有載體的銅箔
232‧‧‧載體
234‧‧‧剝離層
236‧‧‧銅箔
238‧‧‧第二配線層
240‧‧‧第n配線層
242‧‧‧增建層
244‧‧‧增建配線板
246‧‧‧印刷配線板
圖1係顯示包含本發明之銅箔的附有載體的銅箔之一例的剖面模型圖。
圖2係說明MSAP法中的蝕刻犧牲層之機能用的剖面模型圖。
圖3係說明使用以往之銅箔的MSAP法中的種子層(極薄銅箔)之不均勻蝕刻用的剖面模型圖。
圖4係顯示使用MSAP法之印刷配線板的製造方法之習知例中的前半步驟之圖。
圖5係顯示使用MSAP法之印刷配線板的製造方法的習知例中之圖4所示的步驟後接著的後半步驟。
圖6係說明無芯增建法(ETS工法)中的蝕刻犧牲層之機能用的剖面模型圖。
圖7係顯示使用本發明之銅箔的無芯增建法(ETS工法)之印刷配線板的製造方法之一例的前半步驟之圖。
圖8係顯示使用本發明之銅箔的無芯增建法(ETS工法)之印刷配線板的製造方法之一例的圖7所示的步驟後接著的後半步驟。
圖9係說明使用以往之銅箔的ETS工法中的銅電路之不均勻蝕刻用的剖面模型圖。
圖10係說明使用以往之銅箔的ETS工法中的蝕刻停止層及銅電路之不均勻蝕刻用的剖面模型圖。
圖11係顯示使用無芯增建法(ETS工法)之印刷配線板的製造方法之習知例的前半步驟之圖。
圖12係顯示使用無芯增建法(ETS工法)之印刷配線板的製造方法之習知例中之圖11所示的步驟後接著的後半步驟。
圖13係說明在第二銅層不發生缺損時的蝕刻過程之圖。
圖14係示意地說明第一銅層之殘存引起第二銅層之缺損時的蝕刻過程之圖。
[實施發明的形態]
印刷配線板製造用銅箔
本發明之銅箔係用於印刷配線板之製造的銅箔。圖1中顯示本發明之銅箔的示意剖面圖。如圖1所示，銅箔10係依順序具備第一銅層11、蝕刻犧牲層12及第二銅層13。蝕刻犧牲層12由於即使可能為銅合金層，也不是金屬銅層，故銅箔10包含銅以外的金屬或合金作為其內層。因此，本發明之銅箔亦可稱為含犧牲層的銅箔或金屬箔，但由於兩表面以銅層構成，在製品型錄中可視為銅箔。又，「第一銅層」及「第二銅層」之名稱，一般而言 當與銅箔10的絕緣樹脂之層合時，不與絕緣樹脂密著的銅層為「第一銅層」，與絕緣樹脂密著的銅層為「第二銅層」。還有，將本發明之銅箔應用於ETS工法時，不形成電路圖型之側的銅層為「第一銅層」，形成電路圖型之側的銅層為「第二銅層」。此等之名稱中所包含的序列係依照製造時的製造順序者。例如，以如圖1所示之附有載體的銅箔14之形態供應銅箔10時，依載體15、剝離層16、第一銅層11、蝕刻犧牲層12及第二銅層13之順序製造。
而且，蝕刻犧性層12之特徵為：蝕刻犧性層12的蝕刻速率相對於Cu的蝕刻速率之比r係比1.0更高。如此地，於印刷配線板之製造中，由於使用使蝕刻速率高的蝕刻犧牲層12介於第一銅層11與第二銅層13之間存在的銅箔10，而不另外需要追加的蝕刻步驟，有意義地減低Cu蝕刻的面內偏差，結果可抑制如前述的種子層之缺損或電路凹陷之發生。即，藉由將蝕刻速率比r比1.0更高的蝕刻犧牲層12夾於2個銅層13、11之間，即使在Cu蝕刻時發生不均勻的溶解，也不是第二銅層13而是蝕刻犧牲層12不均勻地溶解。因此，即使發生Cu局部地露出之狀況，也可藉由局部電池反應而蝕刻犧牲層12優先地溶解，結果抑制基底的第二銅層13之溶解。
例如，於MSAP法之情況，如圖2中示意地表示，於對於銅箔10與絕緣層28之層合體的微蝕刻中，即使蝕刻犧牲層12不均勻地溶解而第二銅層13局部地露 出，也蝕刻犧牲層12優先地溶解。結果，第二銅層13的厚度大致保持均勻，難以發生缺損。此點係如前述，於使用以往的極薄銅箔110之MSAP法(參照圖4及5)中，如圖3中示意地表示，於對於極薄銅箔110與絕緣樹脂基板111之層合體的微蝕刻中，有由於微蝕刻的面內偏差而在極薄銅箔110(種子層)中部分地發生缺損110a。相對於其，藉由使用本發明之銅箔10，可順利地消除上述技術的問題。
另一方面，於無芯增建法(ETS工法)之情況，如圖6(b)及(c)中示意地的表示，即使起因於Cu蝕刻時蝕刻犧牲層12不均勻地溶解且/或在蝕刻犧牲層12中可能偶發存在的針孔等而造成Cu(第二銅層13或第一配線層26的Cu)局部地露出，也藉由局部電池反應而抑制基底的第二銅層13或第一配線層26(銅層)之溶解。結果，可在面內均勻地蝕刻第二銅層13，同時抑制第一配線層26的局部電路凹陷之發生。而且，藉由此方法，由於蝕刻犧牲層12係隨著Cu蝕刻而被溶解去除，不需要用於去除蝕刻犧牲層12的追加步驟，生產性亦提高。再者，藉由高蝕刻速率本身的效果，亦具有在第一配線層26之面內能平均地減低電路凹陷之優點。此點係如前述，當採用專利文獻2之手法時，如圖10中示意地表示，於銅蝕刻步驟中，不僅應去除的銅箔216而且本來不應去除的蝕刻停止層215亦會稍微溶出，而且起因於在形成蝕刻停止層215的階段中發生的針孔等，有下層的銅電路(第一配線層 226)局部地露出之虞。如此地若銅電路(第一配線層226)局部地露出，則構成銅電路的Cu之溶解係被加速，發生局部大的電路凹陷226a。終究在設置蝕刻停止層215時，由於另外需要用於去除蝕刻停止層215的選擇蝕刻步驟，而製造步驟變多。相對於其，藉由使用本發明之銅箔10，可順利地消除此等的技術問題。
第一銅層11係可為眾所周知之銅箔構成，並沒有特別的限定。由於具備第一銅層11，於Cu蝕刻步驟的前處理等中可控制在不使溶解速度快的蝕刻犧牲層12露出，而且具有使與下述剝離層的剝離性成為容易之優點。第一銅層11係可藉由無電解鍍敷法及電解鍍敷法等之濕式成膜法、濺鍍及化學蒸鍍等之乾式成膜法、或彼等之組合而形成。第一銅層11較佳為具有0.1~2.5μm的厚度d1，更佳為0.1~2μm，尤佳為0.2~1.5μm，特佳為0.2~1μm，最佳為0.3~0.8μm。若為如此範圍內的厚度d1，則於Cu蝕刻的前步驟(例如除膠渣等之藥液步驟)中，可更有效果地保護蝕刻犧牲層12，同時容易滿足後述的d2/d1≧r及/或d1+d2+d3<3.0μm之條件，結果可更有效果地防止Cu蝕刻時的缺損等之不良狀況。
還有，第一銅層11係可在Cu蝕刻的前步驟(例如除膠渣等之藥液步驟)中保護蝕刻犧牲層12防止藥液的溶解，但另一方面當過剩地厚時，在蝕刻後的第二銅層13中會發生缺損。從有效果地防止如此的缺損之觀點來時，將第一銅層11的厚度當作d1，將蝕刻犧牲層12的 厚度當作d2時，較佳為滿足d2/d1≧r。此係一邊參照圖13及14中示意地表示之銅箔10、10’與絕緣層28之層合體，一邊如以下地說明。首先，如圖14(a)所示，當第一銅層11’為過剩地厚時，第一銅層11’不均勻地溶解而蝕刻犧牲層12露出(圖14(b))，所露出的蝕刻犧牲層12立即(比殘留的第一銅層11’更優先地)溶解而第二銅層13可能露出(圖14(c))。結果，與殘存的第一銅層11’之溶解並行地，所露出的第二銅層13之溶解係進行(圖14(d))，在第二銅層13中可能發生缺損13a(參照圖14(e))。相對於其，如圖13(a)中所示，當第一銅層11為適度地薄時，因第一銅層11薄而溶解時的偏差少(圖13(b))，蝕刻犧牲層12溶解而在第二銅層13露出之前第一銅層11溶完(圖13(c))。結果，藉由蝕刻犧牲層12與第二銅層13同時接觸蝕刻液，展現蝕刻犧牲層12的犧牲效果(圖13(d))，在第二銅層13中不發生缺損(圖13(e))。如此看來，第一銅層11溶完時間比蝕刻犧牲層12溶完時間更短者，從防止缺損之觀點來看可說是較宜。因此，將第一銅層11的蝕刻速率當作v1，將蝕刻犧牲層的蝕刻速率當作v2時，宜滿足以下之關係：d2/v2≧d1/v1 d2/d1≧v2/v1 d2/d1≧r。即，從第一銅層11的蝕刻速率v1正是對於Cu的蝕刻速率來看，若使用前述的蝕刻速率比r，則v2/v1=r。因此，如上述較佳為滿足d2/d1≧r。
第一銅層11之每單位面積的針孔數較佳為2個/mm2以下。若第一銅層11的針孔數為如上述地少，則 在銅箔10之製程中，亦可減少在第一銅層11所鍍敷的蝕刻犧牲層12及第二銅層13中可能發生的針孔。結果，可進一步減低Cu蝕刻時之藥液侵蝕所造成的缺損等之不良狀況。
蝕刻犧牲層12只要是蝕刻速率比Cu更高者，則沒有特別的限定。換言之，蝕刻犧牲層12的蝕刻速率相對於Cu的蝕刻速率之比r(以下，稱為蝕刻速率比r)係比1.0更高。蝕刻速率若高於Cu(蝕刻速率比r高於1.0)，則可藉由Cu蝕刻而同時地溶解去除，同時即使蝕刻犧牲層12不均勻地溶解而Cu局部地露出，也藉由局部電池反應而抑制基底的銅層之溶解，藉此在面內能均勻地進行銅層之蝕刻，同時可抑制種子層之缺損或局部的電路凹陷或缺損之發生。此之蝕刻速率係藉由在蝕刻步驟中以相同時間處理由與蝕刻犧牲層12相同材料所構成的箔樣品及作為參照試料的銅箔樣品，將蝕刻所致的各樣品之厚度變化除以溶解時間而算出。還有，厚度變化係可藉由測定兩樣品的重量減少量，從各自的金屬密度換算成厚度而決定。從得到高的犧牲效果之觀點，較佳的蝕刻速率比r為1.2以上，更佳為1.25以上，尤佳為1.3以上。蝕刻速率比r之上限係沒有特別的限定，但為了將面內的蝕刻犧牲層12之溶解速度保持均一，使與第二銅層13的局部電池反應在面內均勻地作用，蝕刻速率比r較佳為5.0以下，更佳為4.5以下，尤佳為4.0以下，特佳為3.5以下，最佳為3.0以下。此處，作為蝕刻液，可採用藉由氧 化還原反應能溶解銅的眾所周知之液。作為蝕刻液之例，可舉出氯化銅(CuCl2)水溶液、氯化鐵(FeCl3)水溶液、過硫酸銨水溶液、過硫酸鈉水溶液、過硫酸鉀水溶液、硫酸/雙氧水等之水溶液等。其中，從可精密地控制Cu的蝕刻速率，適合於確保與蝕刻犧牲層12的蝕刻時間差之點來看，較佳為過硫酸鈉水溶液、過硫酸鉀水溶液及硫酸/雙氧水，其中最佳為硫酸/雙氧水。作為蝕刻方式，可採用噴霧法、浸漬法等。又，作為蝕刻溫度，可在25~70℃之範圍內適宜設定。本發明中的蝕刻速率係可藉由上述蝕刻液或蝕刻方式等之組合與下述所示的蝕刻犧牲層12之材料的選擇而調整。
構成蝕刻犧牲層12的材料較佳為比Cu更電化學上卑劣的金屬，作為如此的較佳金屬之例，可舉出Cu-Zn合金、Cu-Sn合金、Cu-Mn合金、Cu-Al合金、Cu-Mg合金、Fe金屬、Zn金屬、Co金屬、Mo金屬及此等的氧化物以及此等之組合，特佳為Cu-Zn合金。能構成蝕刻犧牲層12的Cu-Zn合金，從得到高的犧牲效果之觀點來看，較佳為包含40重量%以上的Zn，更佳為50重量%以上，尤佳為60重量%以上，特佳為70重量%以上。又，Cu-Zn合金中的Zn含量，從上述的蝕刻犧牲層12之面內溶解速度的均勻保持及與第二銅層13的局部電池反應之面內均勻作用之觀點來看，較佳為98重量%以下，更佳為96重量%以下，尤佳為94%重量%以下。蝕刻犧牲層12較佳為具有0.1~5μm的厚度d2，更佳為0.1~4.5μm， 尤佳為0.2~4μm，特佳為0.2~3.5μm，最佳為0.3~3μm。
第二銅層13係可為眾所周知之銅箔構成，並沒有特別的限定。例如，第二銅層13係可藉由無電解鍍敷法及電解鍍敷法等之濕式成膜法、濺鍍及化學蒸鍍等之乾式成膜法、或彼等之組合而形成。第二銅層13較佳為具有0.1~2.5μm的厚度d3，更佳為0.1~2μm，尤佳為0.1~1.5μm，特佳為0.2~1μm，最佳為0.2~0.8μm。若為如此範圍內的厚度d3，則雖然為適合電路形成的充分薄，但是可更有效果地防止Cu蝕刻時之缺損等的不良狀況。
於第二銅層13之表面，較佳為進行粗化處理。如此地由於在第二銅層之表面上附著因粗化處理而形成的粗化粒子，可提高覆銅層合板或印刷配線板製造時之與絕緣樹脂層的密著性。又，於ETS工法中，可使配線圖型形成後的圖像檢査成為容易，同時可提高與光阻圖型20的密著性。粗化粒子較佳係圖像解析測定的平均粒徑D為0.04~0.53μm，更佳為0.08~0.13μm，尤佳為0.09~0.12μm。若為上述適宜範圍內，則於ETS工法中，一邊在粗化面上具有適度的粗糙度而確保與光阻的優異密著性，一邊在光阻顯像時可良好地實現光阻不需要區域的開口性，結果可有效果地防止因未充分開口的光阻而難以鍍敷所可能發生的圖型鍍敷22之線缺損。因此，若為上述適宜範圍內則可說是光阻顯像性與圖型鍍敷性優異，因此 適合配線圖型24之微細形成。再者，粗化粒子之圖像解析測定的平均粒徑D，較佳為藉由以粒子為特定數(例如1000~3000個)進入掃描型電子顯微鏡(SEM)的一個視野中之倍率拍攝影像，對於該影像以市售的圖像解析軟體進行圖像處理而測定，例如可將經任意選擇的200個粒子當作對象，採用彼等粒子的平均直徑作為平均粒徑D。
又，粗化粒子係藉由圖像解析測定的粒子密度ρ較佳為4~200個/μm2，更佳為40~170個/μm2、70~100個/μm2。又，當銅箔表面的粗化粒子為緻密且密集時，於ETS工法中，光阻的顯像殘渣容易發生，但若為上述適宜範圍內則如此的顯像殘渣難以發生，故光阻圖型20的顯像性亦優異。因此，若為上述適宜範圍內則可說是適合配線圖型24之微細形成。還有，粗化粒子之圖像解析測定的粒子密度ρ，較佳為藉由以粒子為特定數(例如1000~3000個)進入掃描型電子顯微鏡(SEM)的一個視野中之倍率拍攝影像，對於該影像以市售的圖像解析軟體進行圖像處理而測定，例如可在粒子200個進入的視野中，將彼等的粒子個數(例如200個)除以視野面積而得之值採用作為粒子密度ρ。
第二銅層13之表面亦較佳為除了上述粗化處理所致的粗化粒子之附著，亦施予鎳-鋅/鉻酸鹽處理等之防銹處理或藉由矽烷偶合劑的偶合處理等。藉由此等之表面處理，可謀求銅箔表面的化學安定性之提高或絕緣層層合時的密著性之提高。
第一銅層11的厚度d1、蝕刻犧牲層12的厚度d2及第二銅層13的厚度d3之合計厚度d1+d2+d3較佳為未達3.0μm，更佳為0.3~2.8μm，尤佳為0.6~2.8μm，特佳為0.9~2.6μm。如此範圍內之合計厚度係意指銅箔10的厚度為充分薄，銅箔10的直接雷射開孔性升高。
特別地，由於銅箔10具有由第一銅層11、蝕刻犧牲層12及第二銅層13所成之3層構成，相對於蝕刻犧牲層與銅層之2層構成者，在MSAP法之各式各樣的階段中亦造成優點。即，考慮由蝕刻犧牲層及銅層所成之2層構成時，由於蝕刻犧牲層完全沒有被保護，故有在微蝕刻前的除膠渣等之藥液步驟中蝕刻犧牲層溶解而消失之掛慮。因此，若考慮藥液步驟中的溶解部分而增厚蝕刻犧牲層，則下次會因其厚度而直接雷射加工變困難。相對於其，由於採用本發明之銅箔10的3層構成，可在不損害雷射加工性下，將蝕刻犧牲層12維持到微蝕刻步驟為止，結果可在不發生缺損下進行微蝕刻。即，藉由減薄銅箔10的合計厚度(較佳為d1+d2+d3<3.0μm)，可無問題地進行雷射加工。而且，於雷射加工後的除膠渣步驟中，以蝕刻犧牲層12保護最表面的第一銅層11，結果蝕刻犧牲層12殘留。然後，於微蝕刻中藉由殘留的蝕刻犧牲層12之犧牲效果，可在不發生缺損下進行微蝕刻。
依所欲，第一銅層11與蝕刻犧牲層12之間，及/或在第二銅層13與蝕刻犧牲層12之間，只要不妨礙蝕刻犧牲層12的犧牲效果，則別的層亦可存在。
附有載體的銅箔
銅箔10(即第二銅層13、蝕刻犧牲層12及第一銅層11之層合體)亦可以無載體的銅箔之形態提供，也可如圖1所示地以附有載體的銅箔14之形態提供，但較佳為以附有載體的銅箔14之形態提供。此時，附有載體的銅箔14係可依順序具備載體15、剝離層16、第一銅層11、蝕刻犧牲層12及第二銅層13，或也可依順序具備載體15、第一銅層11、蝕刻犧牲層12及第二銅層13。即，可具有剝離層16，也可為不具有剝離層16作為單獨的層之構成。較佳之附有載體的銅箔係依順序具備載體15、剝離層16及銅箔10者。
載體15係用於支持銅箔而提高其處理性用之層(典型地為箔)。作為載體之例，可舉出鋁箔、銅箔、不銹鋼箔、樹脂薄膜、表面經金屬塗覆的樹脂薄膜、玻璃板等，較佳為銅箔。銅箔係可為輥軋銅箔及電解銅箔之任一者。載體的厚度典型上為250μm以下，較佳為12μm~200μm。
剝離層16係減弱載體15的剝離強度，擔保該強度的安定性，更且在高溫的加壓成形時具有抑制載體與銅箔之間可能發生的互相擴散之機能的層。剝離層一般為形成在載體之一面上，但亦可形成在兩面上。剝離層係可為有機剝離層及無機剝離層之任一者。作為有機剝離層所用的有機成分之例，可舉出含氮的有機化合物、含硫的 有機化合物、羧酸等。作為含氮的有機化合物之例，可舉出三唑化合物、咪唑化合物等，其中於剝離性容易安定之點上較佳為三唑化合物。作為三唑化合物之例，可舉出1,2,3-苯并三唑、羧基苯并三唑、N’,N’-雙(苯并三唑基甲基)脲、1H-1,2,4-三唑及3-胺基-1H-1,2,4-三唑等。作為含硫的有機化合物之例，可舉出巰基苯并噻唑、三聚硫氰酸、2-苯并咪唑硫醇等。作為羧酸之例，可舉出單羧酸、二羧酸等。另一方面，作為無機剝離層中使用的無機成分之例，可舉出Ni、Mo、Co、Cr、Fe、Ti、W、P、Zn、鉻酸鹽處理膜、碳層等。還有，剝離層之形成係可藉由使含剝離層成分的溶液接觸載體的至少一表面，使剝離層成分在溶液中吸附於載體之表面等而進行。使載體接觸含剝離層成分的溶液時，此接觸係可藉由在含剝離層成分的溶液中之浸漬、含剝離層成分的溶液之噴霧、含剝離層成分的溶液之流下等而進行。另外，亦可採用電解鍍敷或無電解鍍敷等的鍍敷法、藉由蒸鍍或濺鍍等的氣相法將剝離層成分形成被膜之方法。又，剝離層成分對於載體表面之固定，只要是藉由含剝離層成分的溶液之乾燥、含剝離層成分的溶液中之剝離層成分的電沈積等進行即可。剝離層的厚度典型上為1nm~1μm，較佳為5nm~500nm。還有，剝離層16與載體之剝離強度較佳為5gf/cm~50gf/cm，更佳為5gf/cm~40gf/cm，尤佳為6gf/cm~30gf/cm。
覆銅層合板
本發明之銅箔較佳為用於印刷配線板用覆銅層合板之製作。即，依照本發明之較佳態樣，提供一種具備上述銅箔之覆銅層合板。覆銅層合板亦可以附有載體的銅箔之形態具有銅箔。又，銅箔係可設置在樹脂層之單面，也可設置在兩面。樹脂層典型上包含樹脂，較佳包含絕緣樹脂所成。樹脂層較佳為預浸體及/或樹脂薄片，更佳為預浸體。所謂的預浸體，就是使合成樹脂含浸或層合至合成樹脂板、玻璃板、玻璃織布、玻璃不織布、紙等之基材而成之複合材料的總稱。作為預浸體中含浸的絕緣樹脂之較佳例，可舉出環氧樹脂、氰酸酯樹脂、雙馬來醯亞胺三樹脂(BT樹脂)、聚伸苯基醚樹脂、酚樹脂、聚醯胺樹脂等。另外，作為構成樹脂薄片的絕緣樹脂之例，可舉出環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂(液晶聚合物)等之絕緣樹脂。還有，於樹脂層中從降低熱膨脹係數、提高剛性等之觀點等的觀點來看，可含有由矽石、氧化鋁等的各種無機粒子所成之填料粒子等。樹脂層的厚度係沒有特別的限定，但較佳為3~1000μm，更佳為5~400μm，尤佳為10~200μm。樹脂層係可以複數之層所構成。預浸體及/或樹脂薄片等之樹脂層亦可隔著預先塗佈於銅箔表面上的底漆樹脂層而設於附有載體的銅箔上。
印刷配線板的製造方法
使用如上述的本發明之銅箔或附有載體的銅箔，可較佳地製造印刷配線板。作為印刷配線板的製造方法之較佳 例，可舉出MSAP(改良半加成法)法及無芯增建法(ETS工法)，但不限定於此等之工法，本發明之銅箔或附有載體的銅箔係可採用於能期待蝕刻犧牲層12之犧牲效果所致的任何優點之各式各樣的工法。
作為一例，以下說明採用本發明之銅箔的無芯增建法(ETS工法)之印刷配線板的製造方法。於此方法中，首先使用至少具備第二銅層13、蝕刻犧牲層12及第一銅層11之銅箔10而得到支持體。其次，如圖6中示意地表示，於第二銅層13上形成至少包含銅製的第一配線層26與絕緣層28之增建配線層而得到附有增建配線層的層合體。還有，於圖6中為了說明的簡單化，僅描繪第一配線層26，但如後述之圖8中所示地，當然亦可採用已形成到第n配線層40(n為2以上之整數)為止的多層增建配線層。然後，藉由蝕刻液去除第一銅層11、蝕刻犧牲層12及第二銅層13而使第一配線層26露出，藉此得到包含增建配線層的印刷配線板。
以下，除了圖1，還一邊適宜參照圖7及8中所示的步驟圖一邊說明製造方法。還有，圖7及8中所示的態樣係為了說明的簡單化，以在無芯支持體18之單面上設置附有載體的銅箔14，形成增建配線層42之方式描繪，但較宜為在無芯支持體18之兩面上設置附有載體的銅箔14，對於該兩面形成增建配線層42者。
(1)使用銅箔的支持體之準備
準備銅箔10或包含其之附有載體的銅箔14作為支持體。依所欲，亦可於附有增建配線層的層合體之形成之前，將銅箔10(第一銅層11側)或附有載體的銅箔14(載體15側)層合在無芯支持體18之單面或兩面而形成層合體。即，於此階段中，亦可形成上述之覆銅層合板。此層合係可依照通常的印刷配線板製程中銅箔與預浸體等之層合所採用的眾所周知之條件及手法而進行。無芯支持體18係典型上包含樹脂、較佳絕緣樹脂而成。無芯支持體18較佳為預浸體及/或樹脂薄片，更佳為預浸體。即，無芯支持體18係相當於上述覆銅層合板中的樹脂層，因此關於覆銅層合板或樹脂層，上述較佳的態樣係直接符合無芯支持體18。
(2)附有增建配線層的層合體之形成
於第二銅層13上，形成至少包含銅製的第一配線層26與絕緣層28之增建配線層42，而得到附有增建配線層的層合體。絕緣層28只要是以如上述的絕緣樹脂所構成即可。增建配線層42之形成只要是依照眾所周知之印刷配線板的製造方法進行即可，並沒有特別的限定。依照本發明之較佳態樣，如以下敘述，於(i)形成光阻圖型、(ii)電鍍銅及(iii)進行光阻圖型的剝離而形成第一配線層26後，(iv)形成增建配線層42。
(i)形成光阻圖型
首先，於第二銅層13之表面上形成光阻圖型20。光阻圖型20之形成係可以負光阻及正光阻的任一方式進行，光阻可為薄膜類型及液狀類型之任一者。又，作為顯像液，可為碳酸鈉、氫氧化鈉、胺系水溶液等之顯像液，只要是依照印刷配線板之製造中一般使用的各種手法及條件進行即可，並沒有特別的限定。
(ii)電鍍銅
其次，對於形成有光阻圖型20的第二銅層13，施予電鍍銅22。電鍍銅22之形成只要是例如依照硫酸銅鍍敷液或焦磷酸銅鍍敷液等之印刷配線板的製造中一般使用的各種圖型鍍敷手法及條件進行即可，並沒有特別的限定。
(iii)光阻圖型之剝離
剝離光阻圖型20而形成配線圖型24。光阻圖型20之剝離係採用氫氧化鈉水溶液或胺系溶液或其水溶液等，只要是依照印刷配線板的製造中一般使用的各種剝離手法及條件即可，並沒有特別的限定。如此地，於第二銅層13之表面上直接形成由第一配線層26所成的配線部(線)隔著間隙部(間隔)排列的配線圖型24。例如，為了電路之微細化，較佳為形成線/間隔(L/S)到13μm以下/13μm以下(例如12μm/12μm、10μm/10μm、5μm/5μm、2μm/2μm)之程度為止的高度微細化之配線圖型。
(iv)增建配線層之形成
於第二銅層13上形成增建配線層42而製作附有增建配線層的層合體。例如，於第二銅層13上除了已經形成的第一配線層26，還依順序形成絕緣層28及第二配線層38，而成為增建配線層42。例如，如圖8中所示，可層合用於形成增建配線層42的絕緣層28及附有載體的銅箔30(具備載體32、剝離層34及銅箔36)，剝離載體32，藉由二氧化碳雷射等將銅箔36及其正下方的絕緣層28予以雷射加工。接著，藉由化學鍍銅、光阻加工、電解鍍銅、光阻剝離及閃蝕等進行圖型化，而形成第二配線層38，可視需要重複此圖型化直到形成第n配線層40(n為2以上之整數)為止。
關於第二配線層38以後的增建層之形成方法的工法，係不限定於上述手法，可使用減成法、MSAP(改良半加成法)法、SAP(半加成)法、全加成法等。例如，同時地加壓加工而貼合樹脂層及以銅箔為代表的金屬箔時，組合通孔形成及面板鍍敷等的層間導通手段之形成，蝕刻加工該面板鍍敷層及金屬箔，可形成配線圖型。又，於第二銅層13之表面上藉由加壓或層合加工而貼合僅樹脂層時，亦可在其表面上以半加成法形成配線圖型。
視需要地重複上述步驟，得到附有增建配線層的層合體。較佳為於此步驟中形成交替地層合配置有樹脂層與包含配線圖型的配線層之增建配線層，得到形成有到第n配線層40(n為2以上之整數)為止之附有增建配線 層的層合體。可重複進行此步驟直到形成所欲層數的增建配線層為止。於此階段中，視需要亦可在外層面形成阻焊劑或柱的等的安裝用之凸塊等。又，增建配線層之最外層面亦可在以後的外層加工步驟中形成外層配線圖型。
(3)包含增建配線層的印刷配線板之形成
(i)附有增建配線層的層合體之分離
於形成附有增建配線層的層合體後，以剝離層16等分離附有增建配線層的層合體。當附有載體的銅箔依順序具備載體15、剝離層16、第一銅層11、蝕刻犧牲層12及第二銅層13時，本發明之方法較佳為在藉由後述的蝕刻液去除之前，以剝離層16分離附有增建配線層的層合體而使第一銅層11露出。分離之方法較佳為物理的撕開，關於此撕開，可採用機械或夾具、手作業或此等之組合的方法。
另一方面，當附有載體的銅箔依順序具備載體15、第一銅層11、蝕刻犧牲層12及第二銅層13時(即不具有剝離層16作為單獨的層時)，本發明之方法較佳為在藉由後述的蝕刻液去除之前，於載體15與第一銅層11之間或於第一銅層11內部分離附有增建配線層的層合體，而使第一銅層11露出。
(ii)蝕刻犧牲層及銅層之蝕刻
於本發明之方法中，藉由蝕刻液去除第一銅層11、 蝕刻犧牲層12及第二銅層13而使第一配線層26露出，藉此得到包含增建配線層42的印刷配線板46。印刷配線板46較佳為多層印刷配線板。無論如何，藉由蝕刻犧牲層12之存在，不另外需要追加的蝕刻步驟，可藉由Cu蝕刻而有效率地在面內均勻地進行各層的蝕刻去除，可抑制局部的電路凹陷之發生。因此，藉由本發明之方法，可以1步驟進行第二銅層13、蝕刻犧牲層12及第一銅層11之藉由蝕刻液的去除。此時所用的蝕刻液及蝕刻工法係如上述。
(iii)外層加工
如圖8所示的印刷配線板46係可藉由各式各樣的工法加工外層。例如，可於印刷配線板46之第一配線層26上進一步層合作為增建配線層的絕緣層與配線層當作任意的層數，或可於第一配線層26之表面上形成阻焊劑層，施予Ni-Au鍍敷、Ni-Pd-Au鍍敷、水溶性預助焊劑處理等之作為外層焊墊的表面處理。再者，於外層焊墊上亦可設置柱狀的支柱等。此時，本發明中的使用蝕刻犧牲層所作成的第一配線層26係可在面內保持電路厚度的均勻性，同時第一配線層26之表面係局部的電路凹陷之發生少。因此，可得到起因於電路厚度極端薄之部位或電路凹陷等所造成的表面處理步驟中之局部的處理不良或阻焊劑殘渣不良、更且因安裝焊墊的凹凸造成的安裝不良等之不良狀況發生率少的安裝可靠性優異之印刷配線板。
上述印刷配線板的製造方法係藉由無芯增建法(ETS工法)者，但是關於藉由MSAP法之印刷配線板的製造方法，於以圖4及5為基礎所說明的習知之MSAP工法中，藉由使用本發明之銅箔10代替極薄銅箔110，可良好地製造印刷配線板。
[實施例]
藉由以下之例，更具體地說明本發明。
例1~12
如以下地進行本發明之印刷配線板製造用銅箔的製作及各種評價。
(1)載體之準備
作為旋轉陰極，準備表面經# 2000的拋光輪研磨的鈦製旋轉電極。又，於陽極中準備DSA(尺寸安定性陽極)。將旋轉陰極及陽極浸漬於銅濃度80g/L、硫酸濃度260g/L、雙(3-磺基丙基)二硫化物濃度30mg/L、二烯丙基二甲基氯化銨聚合物濃度50mg/L、氯濃度40mg/L之硫酸銅溶液中，以溶液溫度45℃、電流密度55A/dm2進行電解，得到厚度18μm的電解銅箔作為載體。
(2)剝離層之形成
將經酸洗處理的載體之電極面側，於CBTA(羧基苯并 三唑)濃度1g/L、硫酸濃度150g/L及銅濃度10g/L之CBTA水溶液中，在液溫30℃浸漬30秒，而使CBTA成分吸附於載體之電極面。如此地，在載體用銅箔的電極面之表面上，形成CBTA層作為有機剝離層。
(3)輔助金屬層之形成
將形成有有機剝離層的載體浸漬於使用硫酸鎳所製作之鎳濃度20g/L的溶液中，於液溫45℃、pH3、電流密度5A/dm2之條件下，使厚度0.001μm相當的附著量之鎳附著於有機剝離層上。如此地，於有機剝離層上形成鎳層作為輔助金屬層。
(4)第一銅層(極薄銅箔)之形成
關於例1~9及12，將形成有輔助金屬層的載體浸漬於銅濃度60g/L、硫酸濃度200g/L之硫酸銅溶液中，以溶液溫度50℃、電流密度5~30A/dm2進行電解，而在輔助金屬層上形成厚度0.3μm的第一銅層(極薄銅箔)。另一方面，關於例10及11，不進行第一銅層之形成。
(5)蝕刻犧牲層之形成
將形成有第一銅層(極薄銅箔)的載體(例1~9及12)或形成有輔助金屬層的載體(例11)浸漬於表1所示的鍍浴中，於表1所示的鍍敷條件下電解，而在第一銅層上或輔助金屬層上形成表2所示之組成及厚度的蝕刻犧牲層。另 一方面，關於例10，不進行蝕刻犧牲層之形成。
(6)第二銅層之形成
將形成有蝕刻犧牲層的載體(例1~9、11及12)或形成有輔助金屬層的載體(例10)浸漬於銅濃度60g/L、硫酸濃度145g/L之硫酸銅溶液中，以溶液溫度45℃、電流密度30A/dm2進行電解，而在蝕刻犧牲層上或輔助金屬層上形成表2所示之厚度的第二銅層。
(7)粗化處理
對於如此所形成之附有載體的銅箔之表面，進行粗化處理。此粗化處理係由在銅箔之上使微細銅粒析出附著之燒鍍步驟與用於防止此微細銅粒的脫落之覆蓋鍍敷步驟所構成。於燒鍍步驟中，使用包含銅濃度10g/L及硫酸濃度120g/L的酸性硫酸銅溶液，以液溫25℃、電流密度15A/dm2進行粗化處理。於其後之覆蓋鍍敷步驟中，使用包含銅濃度70g/L及硫酸濃度120g/L的酸性硫酸銅溶液，於液溫40℃及電流密度15A/dm2之平滑鍍敷條件下進行電沈積。
(8)防銹處理
對於所得之附有載體的銅箔之表面，進行由鋅-鎳合金鍍敷處理及鉻酸鹽處理所組成之防銹處理。首先，使用鋅濃度0.2g/L、鎳濃度2g/L及焦磷酸鉀濃度300g/L之電 解液，於液溫40℃、電流密度0.5A/dm2之條件下，對於粗化處理層及載體之表面進行鋅-鎳合金鍍敷處理。其次，對於使用鉻酸3g/L水溶液，於pH10、電流密度5A/dm2之條件下，進行鋅-鎳合金鍍敷處理後之表面，進行鉻酸鹽處理。
(9)矽烷偶合劑處理
使包含3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷2g/L的水溶液吸附於附有載體的銅箔之銅箔側的表面，藉由電熱器使水分蒸發，而進行矽烷偶合劑處理。此時，矽烷偶合劑處理係在載體側不進行。
(10)評價
對於如此所得之附有載體的銅箔及其構成層，如以下地進行各種評價。
評價1：蝕刻速率比r
為了測定蝕刻犧牲層的蝕刻速率比r，關於例1~9、11及12，準備上述(5)所得之最表面為蝕刻犧牲層的載體(即形成到蝕刻犧牲層為止，第二銅層之形成及其後的處理未進行的中間製品)。又，關於例10，準備上述(6)所得之最表面為第二銅層之附有載體的銅箔(即形成到第二銅層為止，其後之處理未進行的中間製品)。另一方面，使市售的95wt%濃硫酸與30wt%雙氧水溶解於水中，製作硫 酸濃度5.9wt%、過氧化氫濃度2.1wt%的蝕刻液。以不蝕刻載體側之方式遮蔽各附有載體的銅箔樣品，在25℃浸漬於蝕刻液中一定時間而使其溶解，以螢光X射線膜厚計(FISCHER儀器公司製，Fischer scope X-Ray XDAL-FD)測定溶解前後的鍍敷皮膜之厚度變化。藉由將所得之厚度變化除以溶解時間，而求得成為對象之各鍍敷皮膜的蝕刻速率。如此所求得之例10的蝕刻速率為Cu的蝕刻速率，例1~9、11及12的蝕刻速率為各蝕刻犧牲層的蝕刻速率。然後，藉由將蝕刻犧牲層的蝕刻速率除以Cu的蝕刻速率，而算出蝕刻速率比r。結果係如表2中所示。
評價2：每單位面積的針孔數
測定第一銅層之每單位面積的針孔數，準備上述(4)所得之最表面為第一銅層(極薄銅箔)之附有載體的極薄銅箔(即形成到厚度0.3μm的第一銅層為止，蝕刻犧牲層之形成及其後的處理未進行之中間製品)。以第一銅層(極薄銅箔)側相接之方式，將此附有載體的極薄銅箔層合於絕緣樹脂基材(PANASONIC股份有限公司製預浸體，R-1661，厚度0.1mm)上，以壓力4.0MPa、溫度190℃熱壓接90分鐘。然後，剝離載體而得到層合板。將此層合板在暗室中邊照射背光邊以光學顯微鏡觀察，計數針孔之數。如此地測定每1mm2的針孔數，於例1~9、11及12之任一者中，皆第一銅層之每單位面積的針孔數為2個/mm2以下。
評價3：缺損
對於絕緣樹脂基材(PANASONIC股份有限公司製預浸體，R-1661，厚度0.1mm)，以第二銅層側相接之方式，層合上述(9)所得之附有載體的銅箔，以壓力4.0MPa、溫度190℃熱壓接90分鐘。剝離如此所得之覆銅層合板的載體，切斷成10cm×10cm之大小，浸漬於評價1所製作的蝕刻液中直到蝕刻犧牲層完全消失為止後，目視確認有無缺損，依照以下之基準，分等級評價。還有，此處所言的缺損係指基底的基材能目視之狀態。結果係如表2中所示。
．評價A：在第二銅層無缺損者
．評價B：在第二銅層發生1處以上3處以下的缺損者
．評價C：在第二銅層發生4處以上的缺損者
評價4：雷射加工性
對於評價3所製作的覆銅層合板，剝離載體後，藉由雷射加工機(三菱電機製，ML605GTWIII-H)，於能量密度6.5MW/cm2、雷射光徑75.6μm之條件下進行20處雷射加工。以光學顯微鏡觀察如此所形成的開口部，依照以下之基準，分等級評價。還有，開口徑係於上端測定。結果係如表2中所示。
．評價A：無未開口者，且20處的開口徑之最小值 為40μm以上者
．評價B：雖然無未開口者，但20處的開口徑之最小值未達40μm者
．評價C：有連1個也未開口者
評價5：電路凹陷
對於第一絕緣樹脂基材(PANASONIC股份有限公司製預浸體，R-1661，厚度0.1mm)，以載體側相接之方式，層合上述(9)所得之附有載體的銅箔，以壓力4.0MPa、溫度190℃熱壓接90分鐘。對於如此所得之覆銅層合板，以評價1所準備的蝕刻液洗淨銅箔表面後，於銅箔側層合厚度19μm的乾膜，使用線/間隔(L/S)=10/10μm的遮罩來曝光，進行顯像。對於顯像後的覆銅層合板，以鍍敷高度成為17μm之方式進行圖型鍍敷後，剝離乾膜，形成L/S=10/10的5條直線電路。接著，於層合板之形成有5條直線電路的表面上，層合第二絕緣樹脂基材(PANASONIC股份有限公司製預浸體，R-1661，厚度0.1mm)，以壓力4.0MPa、溫度190℃熱壓接90分鐘。然後，將剝離層當作邊界，剝離載體及接著其的第一絕緣樹脂基材。對於殘留的第二絕緣樹脂基材中銅箔露出之側，使用與評價1所製作者相同的蝕刻液，進行蝕刻直到銅箔消失為止。於此狀態下使用光學顯微鏡以2,000倍觀察剖面，對於5條電路，測定從第二絕緣樹脂基材之上端起到電路之上端為止的距離當作電路凹陷，依照以下之基準， 分等級評價。結果係如表2中所示。
．評價A：5條中的最大值未達2.0μm者
．評價B：5條中的最大值為2.0μm以上且未達2.5μm者
．評價C：5條中的最大值為2.5μm以上(實際上為3.0μm以上)者
[表1]

Claims (9)

  1. 一種印刷配線板製造用銅箔，其係依順序具備第一銅層、蝕刻犧牲層及第二銅層，前述蝕刻犧牲層的蝕刻速率相對於Cu的蝕刻速率之比r係比1.0更高，將第一銅層的厚度當作d1，將蝕刻犧牲層的厚度當作d2時，滿足d2/d1≧r。
  2. 如請求項1之銅箔，其中前述比r為1.2以上。
  3. 如請求項1之銅箔，其中前述蝕刻犧牲層係以選自由Cu-Zn合金、Cu-Sn合金、Cu-Mn合金、Cu-Al合金、Cu-Mg合金、Fe金屬、Zn金屬、Co金屬、Mo金屬及此等的氧化物所成之群組的至少1種所構成。
  4. 如請求項1之銅箔，其中前述蝕刻犧牲層係以含有40重量%以上的Zn之Cu-Zn合金所構成。
  5. 如請求項1之銅箔，其中前述第一銅層之每單位面積的針孔數為2個/mm2以下。
  6. 如請求項1之銅箔，其中前述第一銅層的厚度d1、前述蝕刻犧牲層的厚度d2及前述第二銅層的厚度d3之合計厚度d1+d2+d3為未達3.0μm。
  7. 一種附有載體的銅箔，其係依順序具備載體、剝離層及如請求項1~6中任一項之銅箔。
  8. 一種覆銅層合板，其具備如請求項1~6中任一項之銅箔。
  9. 一種印刷配線板的製造方法，其特徵為使用如請求項1~6中任一項之銅箔或如請求項7之附有載體的銅箔 來製造印刷配線板。
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