TWI714802B - 第v族金屬化合物、其製備方法、包含其的膜沉積用前體組合物和利用該組合物的膜沉積方法 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及一種新型第Ⅴ族金屬化合物、所述第Ⅴ族金屬化合物的製備方法、包含所述第Ⅴ族金屬化合物的含第Ⅴ族金屬膜沉積用前體組合物、以及利用所述含第Ⅴ族金屬膜沉積用前體組合物來沉積含第Ⅴ族金屬膜的方法。

Description

第Ⅴ族金屬化合物、其製備方法、包含其的膜沉積用前體組合物和利用該組合物的膜沉積方法
本發明涉及新型第Ⅴ族金屬化合物、所述第Ⅴ族金屬化合物的製備方法、包含所述第Ⅴ族金屬化合物的含第Ⅴ族金屬膜沉積用前體組合物、以及利用所述含第Ⅴ族金屬膜沉積用前體組合物沉積含第Ⅴ族金屬膜的方法。
在半導體元件的製造中可使用第Ⅴ族金屬特別是鉭（Ta）和鈮（Nb）的金屬膜及鉭氧化物膜或鉭氮化物膜。特別是，在半導體元件的製造工藝中使用利用濺射法來形成含鉭膜的方法。但是，為了在具有凹凸的表面上形成如銅擴散防止膜那樣極薄的數nm厚度的含鉭膜，需要階梯覆蓋性優異的化學沉積法，其中特別需要原子層沉積法，因此需要適合該原子層沉積法的第Ⅴ族金屬前體化合物。
作為能夠形成含第Ⅴ族金屬模的有機金屬前體化合物，已知有五（二甲氨基）鉭[pentakis(dimethylamido)tantalum, PDMAT]、叔丁基亞氨基三（二乙基氨基）鉭[(tert-butylimido)tris(diethylamido)tantalum, TBTDET]、叔丁基亞氨基三（二乙基氨基）鈮[(tert-butylimido)tris(diethylamido)niobium, TBTDEN]等（參照美國授權專利US6,552,209）。但是，由於PDMAT為固體，因此不便用於化學沉積法或原子層沉積法。在化學沉積法或原子層沉積法中使用液體原料是有利的。在半導體元件製造工藝中普遍使用通過在圓筒形狀的容器中盛入液體後使其汽化或者使按規定流量注入的液體汽化的裝置（直接液體注入, direct liquid injection, DLI）等。但是，由於固體汽化的昇華速度與固體表面積成比例，並且在昇華過程中固體表面積持續變化，因此難以使固體隨時間均勻地汽化而進行供給，且需要特殊的裝置。此外，由於PDMAT、TBTDET、TBTDEN等均不具備良好的熱穩定性，因此不利於在高溫下使用。例如，用於在300℃下在具有凹凸的表面上形成均勻厚度的氧化物膜的原子層沉積法中難以使用這些化合物。因此，需要能夠在商業化的半導體元件製造工藝中使用的作為熱穩定性高且在常溫下為液體狀態或具有粘性的固體狀態的新型第Ⅴ族金屬前體化合物。
技術問題
因此，本發明提供一種新型第Ⅴ族金屬化合物、所述第Ⅴ族金屬化合物的製備方法、包含所述第Ⅴ族金屬化合物的含第Ⅴ族金屬膜沉積用前體組合物、以及利用所述含第Ⅴ族金屬膜沉積用前體組合物沉積含第Ⅴ族金屬膜的方法。
但是，本發明所要解決的技術問題並不限於上述所提及的技術問題，本領域技術人員能夠從以下記載中明確理解沒有提及的又一技術問題。
技術方案
本發明的第一方面提供一種由下列化學式1表示的第Ⅴ族金屬化合物：[01] [化學式1]
Figure 02_image001
；
在上述化學式1中，M為Ta或Nb；R1 、R2 、R3 和R4 分別獨立地為氫原子、或碳原子數為1至4的直鏈或支鏈烷基；R5 為碳原子數為3至6的直鏈或支鏈烷基；R6 、R7 和R8 分別獨立地為碳原子數為1至4的直鏈或支鏈烷基；n為1至4的整數。
本發明的第二方面提供一種製備由下列化學式1表示的第Ⅴ族金屬化合物的方法，該方法包括以下步驟：在由下列化學式2表示的(R5 N=)M(NR6 R7 )3 化合物中添加由下列化學式3表示的R1 R2 R3 R4 Cp(CH2 )n NHR8 化合物並使其反應：[02] [化學式1]
Figure 02_image001
； [化學式2]
Figure 02_image004
； [化學式3]
Figure 02_image006
；
在上述化學式1至3中的每一者中，M為Ta或Nb；R1 、R2 、R3 和R4 分別獨立地為氫原子、或碳原子數為1至4的直鏈或支鏈烷基；R5 為碳原子數為3至6的直鏈或支鏈烷基；R6 、R7 和R8 分別獨立地為碳原子數為1至4的直鏈或支鏈烷基；n為1至4的整數。
本發明的協力廠商面提供一種包含本發明的第一方面的第Ⅴ族金屬化合物的含第Ⅴ族金屬膜沉積用前體組合物。
本發明的第四方面提供一種沉積含第Ⅴ族金屬膜的方法，該方法包括以下步驟：利用本發明的協力廠商面的含第Ⅴ族金屬膜沉積用前體組合物而在襯底上形成含第Ⅴ族金屬膜。
有益效果
本發明的實現例所涉及的新型第Ⅴ族金屬化合物可被形成為在常溫下為液體或具有粘性的固體，從而具有提高的熱穩定性和高揮發性等特性。
由於本發明的實現例所涉及的所述新型第Ⅴ族金屬化合物的熱穩定性高，因此被用作原子層沉積法（atomic layer deposition, ALD）或化學氣相沉積法（chemical vapor deposition, CVD）的前體，能形成高品質的含第Ⅴ族金屬膜，特別是，也可以在表面具有凹凸（槽）的襯底上均勻地形成薄且均勻厚度的含第Ⅴ族金屬膜。由此，本發明的實現例所涉及的形成含第Ⅴ族金屬膜的方法可應用到商業化的半導體元件製造中。
由於本發明的實現例所涉及的所述新型第Ⅴ族金屬化合物被用作ALD、CVD等中使用的前體，因此能提供如半導體那樣的下一代器件的製造中所要求的性能，例如提高的熱穩定性、高揮發性或增強的沉積速度等，從而能夠在含第Ⅴ族金屬膜或薄膜的形成中有效地使用所述新型第Ⅴ族金屬化合物。
下面參照附圖詳細說明本發明的實施例，以使本領域的普通技術人員能夠容易地實施本發明。但是本發明可以以各種不同形式來實現，不限於在此說明的實施例。此外，為了明確說明本發明，在附圖中省略了與說明無關的部分，在整個說明書中相似部分使用了相似的附圖標記。
在本發明的整個說明書中，當描述某一部分與另一部分“連接”時，不僅包括“直接連接”的情況，還包括中間隔著其他器件而“電連接”的情況。
在本發明的整個說明書中，當描述某一部件位於另一部件“之上”時，不僅包括該某一部件與另一部件接觸的情況，還包括這兩個部件之間存在其他部件的情況。
在本發明的整個說明書中，當描述某一部分“包含”某一構成要素時，在沒有明確相反記載的情況下，不表示排除其他構成要素，而表示還可以包含其他構成要素。
在本發明的整個說明書中使用的表示程度的術語“約”、“實質上”等，示出了對所提及的含義所固有的製造及物質允許誤差時，以該數值或接近該數值的含義使用，且用於防止不道德的侵權人不當使用為了幫助理解本發明而提及準確或絕對的數值的公開內容。
在本發明的整個說明書中使用的術語“…的步驟”不表示“用於…的步驟”。
在本發明的整個說明書中，馬庫西式的表達中包含的術語“它們的組合”表示選自由在馬庫西式的表達中記載的構成要素組成的組中的一者以上的混合或組合，表示包含選自由上述構成要素組成的組中的一者以上。
在本發明的整個說明書中，“A和/或B”的記載表示“A或B、或者A和B”。
在整個說明書中，用語“烷基”包含具有1至12個碳原子、1至10個碳原子、1至8個碳原子、1至5個碳原子、1至3個碳原子、3至8個碳原子或3至5個碳原子的直鏈或支鏈烷基。例如，所述烷基可包含甲基、乙基、正丙基（n Pr）、異丙基（i Pr）、正丁基（n Bu）、叔丁基（t Bu）、異丁基（i Bu）、仲丁基（s Bu）、正戊基、叔戊基、異戊基、仲戊基、新戊基、3-戊基、己基、異己基、庚基、4,4-二甲基戊基、辛基、2,2,4-三甲基戊基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基和它們的同分異構體等，但可不限於此。
在整個說明書中，用語“膜”可包含“膜”或“薄膜”，但可不限於此。
下面，參照附圖對本發明的實現例及實施例進行詳細說明。但是，本發明可不限於這種實現例及實施例和附圖。
本發明的第一方面提供一種由下列化學式1表示的第Ⅴ族金屬化合物：
[化學式1]
Figure 02_image001
；
在所述化學式1中，M為Ta或Nb；R1 、R2 、R3 和R4 分別獨立地為氫原子、或碳原子數為1至4的直鏈或支鏈烷基；R5 為碳原子數為3至6的直鏈或支鏈烷基；R6 、R7 和R8 分別獨立地為碳原子數為1至4的直鏈或支鏈烷基；n為1至4的整數。
在本發明的一實現例中，上述R1 、R2 、R3 和R4 可以彼此相同或不同，例如可包含氫原子（H）、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基或它們的同分異構體等，但可不限於此。
在本發明的一實現例中，上述R1 、R2 、R3 和R4 可分別獨立地為氫原子（H）、甲基或乙基，但可不限於此。
在本發明的一實現例中，上述R5 可以是正丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、仲丁基、正戊基、叔戊基、異戊基、仲戊基、新戊基或3-戊基，但可不限於此。
在本發明的一實現例中，上述R6 、R7 和R8 可以彼此相同或不同，例如可包含甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基或它們的同分異構體，但可不限於此。
在本發明的一實現例中，上述R6 、R7 和R8 可分別獨立地為甲基或乙基，但可不限於此。
在本發明的一實現例中，上述第Ⅴ族金屬化合物可包含選自下述的化合物，但可不限於此：
Figure 02_image009
；
Figure 02_image011
；
Figure 02_image013
；
Figure 02_image015
；
Figure 02_image017
；以及
Figure 02_image019
。
在本發明的一實現例中，上述第Ⅴ族金屬化合物可以在常溫下是液體狀態或者是具有粘性的固體。
本發明的第二方面提供一種製備由下列化學式1表示的第Ⅴ族金屬化合物的方法，該方法包括以下步驟：在由下列化學式2表示的(R5 N=)M(NR6 R7 )3 化合物中添加由下列化學式3表示的R1 R2 R3 R4 Cp(CH2 )n NHR8 化合物並使其反應：
[化學式1]
Figure 02_image001
；
[化學式2]
Figure 02_image004
；
[化學式3]
Figure 02_image006
；
在上述化學式1至3中的每一者中，M為Ta或Nb；R1 、R2 、R3 和R4 分別獨立地為氫原子、或碳原子數為1至4的直鏈或支鏈烷基；R5 為碳原子數為3至6的直鏈或支鏈烷基；R6 、R7 和R8 分別獨立地為碳原子數為1至4的直鏈或支鏈烷基；n為1至4的整數。
在本發明的一實現例中，上述R1 、R2 、R3 和R4 可以彼此相同或不同，例如可包含氫原子（H）、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基或它們的同分異構體，但可不限於此。
在本發明的一實現例中，上述R1 、R2 、R3 和R4 可分別獨立地為氫原子（H）、甲基或乙基，但可不限於此。
在本發明的一實現例中，上述R5 可以是正丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、仲丁基、正戊基、叔戊基、異戊基、仲戊基、新戊基或3-戊基，但可不限於此。
在本發明的一實現例中，上述R6 、R7 和R8 可以彼此相同或不同，例如可包含甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基或它們的同分異構體，但可不限於此。
在本發明的一實現例中，上述R6 、R7 和R8 可分別獨立地為甲基或乙基，但可不限於此。
在本發明的一實現例中，上述第Ⅴ族金屬化合物可包含選自下述的化合物，但可不限於此：
Figure 02_image009
；
Figure 02_image011
；
Figure 02_image013
；
Figure 02_image015
；
Figure 02_image017
；以及
Figure 02_image019
。
在本發明的一實現例中，上述第Ⅴ族金屬化合物可以在常溫下為液體狀態或具有粘性的固體狀態。
在本發明的一實現例中，上述反應可以在常溫下實施，但可不限於此。
本發明的協力廠商面提供一種包含本發明的第一方面的第Ⅴ族金屬化合物的含第Ⅴ族金屬膜沉積用前體組合物。
上述本發明的第一方面的第Ⅴ族金屬化合物為由下列化學式1表示的第Ⅴ族金屬化合物，在下列化學式1中，M為Ta或Nb；R1 、R2 、R3 和R4 分別獨立地為氫原子、或碳原子數為1至4的直鏈或支鏈烷基；R5 為碳原子數為3至6的直鏈或支鏈烷基；R6 、R7 和R8 分別獨立地為碳原子數為1至4的直鏈或支鏈烷基；n為1至4的整數：[03] [化學式1]
Figure 02_image001
。
在本發明的一實現例中，上述R1 、R2 、R3 和R4 可以彼此相同或不同，例如可包含氫原子（H）、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基或它們的同分異構體，但可不限於此。
在本發明的一實現例中，上述R1 、R2 、R3 和R4 可分別獨立地為氫原子（H）、甲基或乙基，但可不限於此。
在本發明的一實現例中，上述R5 可以是正丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、仲丁基、正戊基、叔戊基、異戊基、仲戊基、新戊基或3-戊基，但可不限於此。
在本發明的一實現例中，上述R6 、R7 和R8 可以彼此相同或不同，例如可包含甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基或它們的同分異構體，但可不限於此。
在本發明的一實現例中，上述R6 、R7 和R8 可分別獨立地為甲基或乙基，但可不限於此。
在本發明的一實現例中，上述第Ⅴ族金屬化合物可包含選自下列的化合物，但可不限於此：
Figure 02_image009
；
Figure 02_image011
；
Figure 02_image013
；
Figure 02_image015
；
Figure 02_image017
；以及
Figure 02_image019
。
在本發明的一實現例中，上述第Ⅴ族金屬化合物可以在常溫下為液體狀態或具有粘性的固體狀態。
在本發明的一實現例中，上述含第Ⅴ族金屬膜可以是含鉭膜或薄膜或者含鈮膜或薄膜，更具體而言，上述含第Ⅴ族金屬膜可以是鉭金屬膜或薄膜、鉭氧化物膜或薄膜、鉭氮化物膜或薄膜、鈮金屬膜或薄膜、鈮氧化物膜或薄膜、或者鈮氮化物膜或薄膜，但可不限於此。
在本發明的一實現例中，上述含第Ⅴ族金屬膜可以是納米級厚度的薄膜，例如上述含第Ⅴ族金屬膜可以是厚度約1nm至約100nm、約1nm至約80nm、約1nm至約60nm、約1nm至約40nm、約1nm至約20nm、約1nm至約10nm、約1nm至約5nm、約5nm至約100nm、約10nm至約100nm、約30nm至約100nm、約40nm至約100nm、約60nm至約100nm或約80nm至約100nm的薄膜，但可不限於此。
本發明的第四方面提供一種沉積含第Ⅴ族金屬膜的方法，該方法包括以下步驟：利用本發明的協力廠商面的含第Ⅴ族金屬膜沉積用前體組合物而在襯底上形成含第Ⅴ族金屬膜。
上述本發明的協力廠商面的含第Ⅴ族金屬膜沉積用前體組合物包含本發明的第一方面的第Ⅴ族金屬化合物，上述本發明的第一方面的第Ⅴ族金屬化合物為由下列化學式1表示的第Ⅴ族金屬化合物，在下列化學式1中，M為Ta或Nb；R1 、R2 、R3 和R4 分別獨立地為氫原子、或碳原子數為1至4的直鏈或支鏈烷基；R5 為碳原子數為3至6的直鏈或支鏈烷基；R6 、R7 和R8 分別獨立地為碳原子數為1至4的直鏈或支鏈烷基；n為1至4的整數：
[化學式1][04]
Figure 02_image001
。
在本發明的一實現例中，上述R1 、R2 、R3 和R4 可以彼此相同或不同，例如可包含氫原子（H）、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基或它們的同分異構體等，但可不限於此。
在本發明的一實現例中，上述R1 、R2 、R3 和R4 可分別獨立地為氫原子（H）、甲基或乙基，但可不限於此。
在本發明的一實現例中，上述R5 可以是正丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、仲丁基、正戊基、叔戊基、異戊基、仲戊基、新戊基或3-戊基，但可不限於此。
在本發明的一實現例中，上述R6 、R7 和R8 可以彼此相同或不同，例如可包含甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基或它們的同分異構體，但可不限於此。
在本發明的一實現例中，上述R6 、R7 和R8 可分別獨立地為甲基或乙基，但可不限於此。
在本發明的一實現例中，上述第Ⅴ族金屬化合物可包含選自下述的化合物，但可不限於此：
Figure 02_image009
；
Figure 02_image011
；
Figure 02_image013
；
Figure 02_image015
；
Figure 02_image017
；以及
Figure 02_image019
。
在本發明的一實現例中，上述第Ⅴ族金屬化合物可以常溫下為 狀態或具有粘性的固體狀態。
在本發明的一實現例中，上述含第Ⅴ族金屬膜可以是含鉭膜或薄膜或者含鈮膜或薄膜，更具體而言，上述含第Ⅴ族金屬膜可以是鉭金屬膜或薄膜、鉭氧化物膜或薄膜、鉭氮化物膜或薄膜、鈮金屬膜或薄膜、鈮氧化物膜或薄膜、或者鈮氮化物膜或薄膜，但可不限於此。
在本發明的一實現例中，上述含第Ⅴ族金屬膜可以是納米級厚度的薄膜，例如上述含第Ⅴ族金屬膜可以是厚度約1nm至約100nm、約1nm至約80nm、約1nm至約60nm、約1nm至約40nm、約1nm至約20nm、約1nm至約10nm、約1nm至約5nm、約5nm至約100nm、約10nm至約100nm、約30nm至約100nm、約40nm至約100nm、約60nm至約100nm或約80nm至約100nm的薄膜，但可不限於此。
在本發明的一實現例中，上述襯底可包含形成於該襯底的表面上的凹凸（槽），但可不限於此。例如，上述襯底可以是具有深寬比（aspect ratio）為約1以上且寬度約1μm以下的微細凹凸（槽）的襯底，但可不限於此。例如，上述凹凸（槽）的深寬比可以是約1以上、約1.5以上、約2以上、約2.5以上、約3以上、約3.5以上、約4以上、約4.5以上、約5以上、約5.5以上、約6以上、約6.5以上、約7以上、約7.5以上、約8以上、約8.5以上、約9以上、約9.5以上或約10以上，但可不限於此。例如，上述凹凸（槽）的寬度可以是約1μm以下、約0.9μm以下、約0.8μm以下、約0.7μm以下、約0.6μm以下、約0.5μm以下、約0.4μm以下、約0.3μm以下、約0.2μm以下或約0.1μm以下，但可不限於此。
在本發明的一實現例中，上述沉積含第Ⅴ族金屬膜或薄膜的方法可包括以下步驟：通過將上述含第Ⅴ族金屬膜沉積用前體組合物供給到位於沉積腔室內的襯底表面上而形成含第Ⅴ族金屬膜或薄膜，但可不限於此。例如，可通過鼓泡方式、氣相（vapor phase）流量控制（MFC：mass flow controller）方法、直接液體注入（DLI：Direct Liquid Injection）方法或者使上述含第Ⅴ族金屬膜沉積用前體組合物溶解到有機溶劑中而進行移送的液體移送方法（LDS：liquid delivery system），將上述含第Ⅴ族金屬膜沉積用前體組合物以氣體狀態運送到沉積腔室內的襯底上，但可不限於此。例如，作為用於將上述含第Ⅴ族金屬膜沉積用前體組合物運送到沉積腔室內的襯底上的運送氣體或吹掃氣體，可包含選自由氬氣、氦氣、氮氣和它們的組合組成的組中的氣體，但可不限於此。上述膜沉積方法可利用本發明所屬技術領域中公知的方法、裝置等，在必要情況下可同時利用附加反應氣體來執行上述膜沉積方法，但可不限於此。
在本發明的一實現例中，可通過化學氣相沉積法或原子層沉積法來沉積上述含第Ⅴ族金屬膜，但可不限於此。例如，上述含第Ⅴ族金屬膜或薄膜的沉積方法可包括利用化學氣相沉積法（CVD）、有機金屬化學氣相沉積法（MOCVD）或原子層沉積法（ALD）來執行的方法，上述化學氣相沉積法（CVD）、有機金屬化學氣相沉積法（MOCVD）或原子層沉積法（ALD）可利用本發明所屬技術領域中公知的沉積裝置、沉積條件、附加反應氣體等來執行，但可不限於此。
在本發明的一實現例中，上述含第Ⅴ族金屬膜可包含含第Ⅴ族金屬氧化物膜，作為用於沉積上述含第Ⅴ族金屬氧化物膜的反應氣體，可進一步包含含有選自由水蒸氣（H2 O）、氧氣（O2 ）、臭氧（O3 ）和它們的組合組成的組中的含O物質的反應氣體，但可不限於此。
在本發明的一實現例中，上述含第Ⅴ族金屬膜可包含含第Ⅴ族金屬氮化物膜，作為用於沉積上述含第Ⅴ族金屬氮化物膜的反應氣體，可進一步包含含有選自由氨（NH3 ）、肼、二甲基肼和它們的組合組成的組中的含N物質的反應氣體，但可不限於此。
在本發明的一實現例中，可以在常溫至約700℃或50℃至700℃範圍內的溫度下沉積上述含第Ⅴ族金屬膜，但可不限於此。例如，上述沉積溫度可以是常溫至約700℃、約50℃至約700℃、約50℃至約600℃、約50℃至約500℃、約50℃至約400℃、約50℃至約300℃、約80℃至約700℃、約100℃至約700℃、約200℃至約700℃、約300℃至約700℃、約400℃至約700℃、約500℃至約700℃、約600℃至約700℃或約100℃至約700℃、約100℃至約600℃、約100℃至約500℃、約100℃至約400℃、約100℃至約300℃、約150℃至約700℃、約150℃至約600℃、約150℃至約500℃、約150℃至約400℃或約150℃至約300℃，但不限於此。
下面，雖然利用實施例對本發明進行更具體說明，但下述實施例僅為有助於理解本發明的示例，本發明的內容並不限定於下述實施例。
[實施例]
＜實施例1＞ 製備(Cp(CH2 )2 N(CH3 ))(t BuN)Ta(NEt2 )
在經火焰乾燥的500mL舒倫克瓶（Schlenk flask）中加入三（二乙基氨基）（叔丁基亞氨基）鉭[(t BuN)Ta(NEt2 )3 )]29g（0.062mol，1當量）和甲苯（toluene）150mL，然後在室溫下進行攪拌。在室溫下在上述燒瓶中滴加環戊二烯基乙基甲基胺[Cp(CH2 )2 NH(CH3 )]7.6g（0.062mol，1當量），然後使反應溶液升溫至60℃並攪拌四小時。在減壓下除去反應溶液中的溶劑並在減壓下進行蒸餾而獲取由下述化合物1表示的淺黃色液體化合物19g（收率69%）。圖1及圖2中分別示出由下述化合物1表示的化合物的熱重分析（TGA）及差示掃描量熱分析（DSC）結果。
＜化合物1＞
Figure 02_image009
；
沸點（bp）110℃（0.4托（torr））；
元素分析（elemental analysis）計算值（C16H30N3Ta）：C 43.15、H 6.79、N 9.43；實測值：C 42.99、H 6.81、N 9.49；
1 H-NMR (400 MHz, C6 D6 , 25℃) δ 5.967, 5.839, 5.702, 5.654 (m, 4H, C5 H4 (CH2 )2 N(CH3 )), δ 4.275, 3.687, 2.434, 2.361 (m, 4H, C5 H4 (CH2 )2 N(CH3 )), δ 3.536 (m, 4H, N(CH2 CH3 )2 ), δ 3.389 (s, 3H C5 H4 (CH2 )2 N(CH3 )), δ 1.312 (s, 9H, NC(CH3 )3 ), δ 1.126 (t, 6H, N(CH2 CH3 )2 )。
＜實施例2＞製備(Cp(CH2 )2 N(CH3 ))(t BuN)Ta(NEtMe)
在經火焰乾燥的1L舒倫克瓶中加入三（乙基甲基氨基）（叔丁基亞氨基）鉭[(t BuN)Ta(NEtMe)3 )]100g（0.235mol，1當量）和甲苯（toluene）300mL，然後在室溫下進行攪拌。在室溫下在上述燒瓶中滴加環戊二烯基乙基甲基胺[Cp(CH2 )2 NH(CH3 )]28.7g（0.235mol，1當量），然後使反應溶液升溫至60℃並攪拌四小時。在減壓下除去反應溶液中的溶劑並在減壓下進行蒸餾而獲取由下述化合物2表示的淺黃色液體化合物66g（收率65%）。圖3及圖4中分別示出由下述化合物2表示的化合物的熱重分析（TGA）及差示掃描量熱分析（DSC）結果。
＜化合物2＞
Figure 02_image011
；
沸點（bp）108℃（0.4托（torr））；
元素分析（elemental analysis）計算值(C15H28N3Ta)：C 41.77、H 6.54、N 9.74；實測值：C 41.39、H 6.61、N 9.69；
1H-NMR (400 MHz, C6 D6 , 25℃) δ 5.977, 5.832, 5.734, 5.632 (m, 4H, C5 H4 (CH2 )2 N(CH3 )), δ 4.249, 3.704, 2.441, 2.358 (m, 4H, C5 H4 (CH2 )2 N(CH3 )), δ 3.645 (m, 2H, N(CH2 CH3 )(CH3 )), δ 3.407 (s, 3H,C5 H4 (CH2 )2 N(CH3 )), δ 3.260 (s, 3H, N(CH2 CH3 )(CH3 )), δ 1.315 (s, 9H, NC(CH3 )3 ), δ 1.156 (t, 3H, N(CH2 CH3 )(CH3 ))。
＜實施例3＞製備(Cp(CH2 )2 N(CH3 ))(t BuN)Ta(NMe2 )
在經火焰乾燥的500mL舒倫克瓶中加入三（二乙基氨基）（叔丁基亞氨基）鉭[(t BuN)Ta(NMe2 )3 )]100g（0.260mol，1當量）和甲苯（toluene）300mL，然後在室溫下進行攪拌。在室溫下在上述燒瓶中滴加環戊二烯基乙基甲基胺[Cp(CH2 )2 NH(CH3 )]32.1g（0.260mol，1當量），然後使反應溶液升溫至60℃並攪拌四小時。在減壓下除去反應溶液中的溶劑並在減壓下進行蒸餾而獲取由下述化合物3表示的淺黃色液體化合物77g（收率71%）。圖5及圖6中分別示出由下述化合物3表示的化合物的熱重分析（TGA）及差示掃描量熱分析（DSC）結果。
＜化合物3＞
Figure 02_image013
；
沸點（bp）107℃（0.4托（torr））；
元素分析（elemental analysis）計算值(C14H26N3Ta)：C 40.29、H 6.28、N 10.07；實測值：C 40.39、H 6.31、N 10.03；
1H-NMR (400 MHz, C6 D6 , 25℃) δ 5.958, 5.826, 5.739, 5.598 (m, 4H, C5 H4 (CH2 )2 N(CH3 )), δ 4.273, 3.695, 2.450, 2.350 (m, 4H, C5 H4 (CH2 )2 N(CH3 )), δ 3.429 (s, 3H, C5 H4 (CH2 )2 N(CH3 )), δ 3.390 (s, 6H, N(CH3 )2 ), δ 1.331 (s, 9H, NC(CH3 )3 )。
＜實施例4＞製備(Cp(CH2 )2 N(CH3 ))(t BuN)Nb(NEt2 )
在經火焰乾燥的500mL舒倫克瓶中加入三（二乙基氨基）（叔丁基亞氨基）鈮[(t BuN)Nb(NEt2 )3 )]100g（0.263mol，1當量）和甲苯（toluene）300mL，然後在室溫下進行攪拌。在室溫下在上述燒瓶中滴加環戊二烯基乙基甲基胺[Cp(CH2 )2 NH(CH3 )]32.4g（0.263mol，1當量），然後使反應溶液升溫至60℃並攪拌四小時。在減壓下除去反應溶液中的溶劑並在減壓下進行蒸餾而獲取由下述化合物4表示的淺黃色液體化合物64g（收率68%）。圖7及圖8中分別示出由下述化合物4表示的化合物的熱重分析（TGA）及差示掃描量熱分析（DSC）結果。
＜化合物4＞
Figure 02_image015
；
沸點（bp）110℃（0.4托（torr））；
元素分析（elemental analysis）計算值(C16 H30 N3 Nb)：C 53.78、H 8.46、N 11.76；實測值：C 53.65、H 8.51、N 11.81；
1 H-NMR (400 MHz, C6 D6 , 25℃) δ 5.981, 5.813, 5.728, 5.698 (m, 4H, C5 H4 (CH2 )2 N(CH3 )), δ 4.134, 3.594, 2.508, 2.389 (m, 4H, C5 H4 (CH2 )2 N(CH3 )), δ 3.530 (m, 4H, N(CH2 CH3 )2 ), δ 3.386 (s, 3H, C5 H4 (CH2 )2 N(CH3 )), δ 1.261 (s, 9H, NC(CH3 )3 ), δ 1.133 (t, 6H, N(CH2 CH3 )2 )。
＜實施例5＞製備(Cp(CH2 )2 N(CH3 ))(t BuN)Nb(NEtMe)
在經火焰乾燥的500mL舒倫克瓶中加入三（二乙基氨基）（叔丁基亞氨基）鈮[(t BuN)Nb(NEtMe)3 )]100g（0.296mol，1當量）和甲苯（toluene）300mL，然後在室溫下進行攪拌。在室溫下在上述燒瓶中滴加環戊二烯基乙基甲基胺[Cp(CH2 )2 NH(CH3 )]36.4g（0.296mol，1當量），然後使反應溶液升溫至60℃並攪拌四小時。在減壓下除去反應溶液中的溶劑並在減壓下進行蒸餾而獲取由下述化合物5表示的淺黃色液體化合物65g（收率64%）。圖9及圖10中分別示出由下述化合物5表示的化合物的熱重分析（TGA）及差示掃描量熱分析（DSC）結果。
＜化合物5＞
Figure 02_image017
；
沸點（bp）109℃（0.4托（torr））；
元素分析（elemental analysis）計算值(C15 H28 N3 Nb)：C 52.48、H 8.22、N 12.24；實測值：C 52.39、H 8.27、N 12.21；
1 H-NMR (400 MHz, C6 D6 , 25℃) δ 5.980, 5.812, 5.719, 5.708 (m, 4H, C5 H4 (CH2 )2 N(CH3 )), δ 4.149, 3.632, 2.515, 2.404 (m, 4H, C5 H4 (CH2 )2 N(CH3 )), δ 3.588 (m, 2H, N(CH2 CH3 )(CH3 )), δ 3.405 (s, 3H C5 H4 (CH2 )2 N(CH3 )), δ 3.223 (s, 3H, N(CH2 CH3 )(CH3 )), δ 1.268 (s, 9H, NC(CH3 )3 ), δ 1.157 (t, 3H, N(CH2 CH3 )(CH3 ))。
＜實施例6＞製備(Cp(CH2 )2 N(CH3 ))(t BuN)Nb(NMe2 )
在經火焰乾燥的500mL舒倫克瓶中加入三（二乙基氨基）（叔丁基亞氨基）鈮[(t BuN)Nb(NMe2 )3 )]100g（0.337mol，1當量）和甲苯（toluene）300mL，然後在室溫下進行攪拌。在室溫下在上述燒瓶中滴加環戊二烯基乙基甲基胺[Cp(CH2 )2 NH(CH3 )]41.6g（0.337mol，1當量），然後使反應溶液升溫至60℃並攪拌四小時。在減壓下除去反應溶液中的溶劑並在減壓下進行蒸餾而獲取由下述化合物6表示的淺黃色液體化合物70g（收率63%）。圖11及圖12中分別示出由下述化合物6表示的化合物的熱重分析（TGA）及差示掃描量熱分析（DSC）結果。
＜化合物6＞
Figure 02_image019
；
沸點（bp）108℃（0.4托（torr））；
元素分析（elemental analysis）計算值(C14 H26 N3 Nb)：C 51.07、H 7.96、N 12.76；實測值：C 52.01、H 7.92、N 12.81；
1 H-NMR (400 MHz, C6 D6 , 25℃) δ 5.976, 5.811, 5.746, 5.679 (m, 4H, C5 H4 (CH2 )2 N(CH3 )), δ 4.188, 3.607, 2.530, 2.413 (m, 4H, C5 H4 (CH2 )2 N(CH3 )), δ 3.416 (s, 3H C5 H4 (CH2 )2 N(CH3 )), δ 3.325 (s, 6H, N(CH3 )2 ), δ 1.275 (s, 9H, NC(CH3 )3 )。
＜實施例7＞使用
(Cp(CH2 )2 N(CH3 ))(t BuN)Ta(NEt2 )、(Cp(CH2 )2 N(CH3 ))(t BuN)Ta(NEtMe)及(Cp(CH2 )2N(CH3 ))(t BuN)Ta(NMe2 )2 化合物和臭氧（O3 ）氣體通過原子層沉積法來形成鉭氧化物膜
執行將由實施例1至3製備的化合物用作前體並使用臭氧（O3 ）氣體通過原子層沉積法（ALD）來形成鉭氧化物膜的實驗。此時，使用矽（Si）晶片作為襯底。上述襯底被加熱至300℃至350℃。此外，將盛入到不銹鋼材質的容器中的前體化合物加熱至100℃的溫度，並且使60sccm流速的氬氣（Ar）流經上述容器，而將上述前體化合物供給到用於執行原子層沉積法的ALD反應器中。上述ALD反應器的內部壓力被維持在3托（torr）。反復進行200次以下原子層沉積週期：向上述ALD反應器供給上述前體化合物氣體5秒鐘，然後供給氬氣5秒鐘之後，供給臭氧（O3 ）氣體5秒鐘，然後再次供給氬氣5秒鐘。圖13中示出由上述工藝形成的鉭氧化物薄膜的每一週期的厚度。如圖13所示，可知在襯底溫度300℃至350℃的範圍內每一ALD原料供給週期下的膜生長大體穩定。
＜比較例1＞使用叔丁基亞氨基三（二乙基氨基）鉭[(t BuN)Ta(NEt2 )3 , TBTDET]化合物和臭氧（O3 ）氣體通過原子層沉積法來形成鉭氧化物膜
除使用TBTDET化合物作為前體並將盛入到不銹鋼材質的容器中的前體化合物加熱至70℃的溫度之外，在與實施例7相同的條件下通過原子層沉積法來形成鉭氧化物膜。圖13中示出取決於襯底溫度的原子層沉積法的膜生長。與實施例7的結果不同，對使用TBTDET的原子層沉積法來說，在更高的襯底溫度下膜生長得更大。這是因為，在325℃或350℃下因TBTDET的熱分解而形成更厚的膜，如果產生熱分解，則無法在325℃或350℃下深寬比非常大的圖案中形成規定厚度的鉭氧化物膜。
由實施例7和比較例1可確認，從在300℃至350℃以下的襯底溫度下具有凹凸嚴重的、即深寬比大的圖案的襯底的整個表面上形成規定厚度的鉭氧化物膜的目的來看，使用由實施例1至3製備的化合物氣體和臭氧氣體的原子層沉積方法比使用TBTDET氣體和臭氧氣體的原子層沉積法更有利。
前述的本發明的說明僅為例示，本領域的普通技術人員應當理解，在不變更本發明的技術思想或必要特徵的情況下，可以容易地變形為其他具體實施方式。因此，上述記載的實施例應當被理解為在所有方面都為示例性的而不是限定性的。例如，以單一形態說明的各構成要素也可以分散實施，相同地以分散形態說明的構成要素也可以以結合形態實施。
應當理解，本發明的範圍由所附權利要求書而不是上述詳細說明來限定，從權利要求書中的含義、範圍及其均等概念匯出的所有變更或變形的實施方式均包含在本發明的範圍內。
無
[圖1]是表示本發明的一實施例所涉及的(Cp(CH2 )2 N(CH3 ))(t BuN)Ta(NEt2 )的熱重分析（thermogravimetry analysis, TGA）結果的圖。 [圖2]是表示本發明的一實施例所涉及的(Cp(CH2 )2 N(CH3 ))(t BuN)Ta(NEt2 )的差示掃描量熱分析（differential scanning calorimetry, DSC）結果的圖。 [圖3]是表示本發明的一實施例所涉及的(Cp(CH2 )2 N(CH3 ))(t BuN)Ta(NEtMe)的熱重分析（TGA）結果的圖。 [圖4]是表示本發明的一實施例所涉及的(Cp(CH2 )2 N(CH3 ))(t BuN)Ta(NEtMe)的差示掃描量熱分析（DSC）結果的圖。 [圖5]是表示本發明的一實施例所涉及的(Cp(CH2 )2 N(CH3 ))(t BuN)Ta(NMe2 )的熱重分析（TGA）結果的圖。 [圖6]是表示本發明的一實施例所涉及的(Cp(CH2 )2 N(CH3 ))(t BuN)Ta(NMe2 )的差示掃描量熱分析（DSC）結果的圖。 [圖7]是表示本發明的一實施例所涉及的(Cp(CH2 )2 N(CH3 ))(t BuN)Nb(NEt2 )的熱重分析（TGA）結果的圖。 [圖8]是表示本發明的一實施例所涉及的(Cp(CH2 )2 N(CH3 ))(t BuN)Nb(NEt2 )的差示掃描量熱分析（DSC）結果的圖。 [圖9]是表示本發明的一實施例所涉及的(Cp(CH2 )2 N(CH3 ))(t BuN)Nb(NEtMe)的熱重分析（TGA）結果的圖。 [圖10]是表示本發明的一實施例所涉及的(Cp(CH2 )2 N(CH3 ))(t BuN)Nb(NEtMe)的差示掃描量熱分析（DSC）結果的圖。 [圖11]是表示本發明的一實施例所涉及的(Cp(CH2 )2 N(CH3 ))(t BuN)Nb(NMe2 )的熱重分析（TGA）結果的圖。 [圖12]是表示本發明的一實施例所涉及的(Cp(CH2 )2 N(CH3 ))(t BuN)Nb(NMe2 )的差示掃描量熱分析（DSC）結果的圖。 [圖13] 是表示在本發明的實施例7及比較例1的每一個中在使用彼此不同的第Ⅴ族金屬化合物前體的原子層沉積法中在各襯底溫度下的膜生長。

Claims (12)

  1. 一種第V族金屬化合物，所述化合物由下列化學式1表示：
    Figure 106128864-A0305-02-0031-1
     在所述化學式1中，M為Ta或Nb；R1、R2、R3和R4分別獨立地為氫原子、或碳原子數為1至4的直鏈或支鏈烷基；R5為碳原子數為3至6的直鏈或支鏈烷基；R6、R7和R8分別獨立地為碳原子數為1至4的直鏈或支鏈烷基；n為1至4的整數，以及環戊二烯基Cp環中的一個碳原子和-NR8中的氮原子通過亞烷基彼此橋接。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的第V族金屬化合物，其中，所述R1、R2、R3和R4分別獨立地為氫原子、甲基或乙基。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的第V族金屬化合物，其中，所述R5為正丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、仲丁基、正戊基、叔戊基、異戊基、仲戊基、新戊基或3-戊基。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的第V族金屬化合物，其中，所述R6、R7和R8分別獨立地為甲基或乙基。
  5. 一種由下列化學式1表示的第V族金屬化合物的製備方法，所述方法包括以下步驟：在由下列化學式2表示的(R5N=)M(NR6R7)3化合物中添加由下列化學式3表示的R1R2R3R4Cp(CH2)nNHR8化合物並使其反應：
    Figure 106128864-A0305-02-0032-2
    Figure 106128864-A0305-02-0032-3
    Figure 106128864-A0305-02-0032-4
     在所述化學式1至所述化學式3中的每一者中，M為Ta或Nb，R1、R2、R3和R4分別獨立地為氫原子、或碳原子數為1至4的直鏈或支鏈烷基，R5為碳原子數為3至6的直鏈或支鏈烷基， R6、R7和R8分別獨立地為碳原子數為1至4的直鏈或支鏈烷基，n為1至4的整數，以及所述Cp是環戊二烯基。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的第V族金屬化合物，其中，所述R1、R2、R3和R4分別獨立地為氫原子、甲基或乙基。
  7. 如申請專利範圍第5項所述的第V族金屬化合物，其中，所述R5为正丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、仲丁基、正戊基、叔戊基、異戊基、仲戊基、新戊基或3-戊基。
  8. 如申請專利範圍第5項所述的第V族金屬化合物，其中，所述R6、R7和R8分別獨立地為甲基或乙基。
  9. 一種含第V族金屬膜沉積用前體組合物，包含如申請專利範圍第1或2項所述的第V族金屬化合物。
  10. 一種含第V族金屬膜的沉積方法，包含以下步驟：利用如申請專利範圍第9項所述的含第V族金屬膜沉積用前體組合物來在襯底上形成含第V族金屬膜。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的第V族金屬化合物，其中，通過化學氣相沉積法或原子層沉積法來沉積所述含第V族金屬膜。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的第V族金屬化合物，其中，所述襯底包括在所述襯底的表面上形成的凹凸。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102015276B1 (ko) * 2018-02-08 2019-08-28 주식회사 메카로 유기금속화합물 및 이를 이용한 박막
KR20220005601A (ko) * 2019-06-05 2022-01-13 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 박막 증착을 위한 새로운 v족 및 vi족 전이 금속 전구체
KR20210041830A (ko) 2019-10-08 2021-04-16 에스케이트리켐 주식회사 5족 금속 함유 박막 형성용 전구체 및 이를 이용한 5족 금속 함유 박막 형성 방법 및 상기 5족 금속 함유 박막을 포함하는 반도체 소자.
TW202217037A (zh) * 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
KR102621779B1 (ko) * 2021-08-31 2024-01-08 주식회사 이지티엠 박막 증착을 위한 니오비움 전구체 화합물 및 이를 이용한 니오비움 함유 박막의 형성 방법
KR102682682B1 (ko) * 2021-10-05 2024-07-09 주식회사 한솔케미칼 5족 금속 화합물, 이를 포함하는 증착용 전구체 조성물 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100060481A (ko) * 2008-11-27 2010-06-07 주식회사 유피케미칼 5족 금속 산화물 또는 질화물 박막 증착용 유기금속 전구체화합물 및 이를 이용한 박막 증착 방법
CN102112654A (zh) * 2008-08-01 2011-06-29 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 在基质上形成含钽层的方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3766439B2 (ja) * 1995-09-13 2006-04-12 三井化学株式会社 樹脂組成物の製造方法
JPH09194526A (ja) * 1996-01-19 1997-07-29 Ube Ind Ltd 共役ジエン重合用触媒
US5981667A (en) * 1996-11-12 1999-11-09 Ube Industries, Ltd. Impact-resistant polystyrene resin composition
JPH10306116A (ja) * 1997-05-07 1998-11-17 Ube Ind Ltd ブタジエン重合用触媒
KR100443766B1 (ko) * 2000-07-04 2004-08-09 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 극성올레핀 공중합체의 제조방법 및 이 방법에 의하여얻어진 극성올레핀 공중합체
WO2007135946A1 (ja) * 2006-05-22 2007-11-29 Ube Industries, Ltd. ポリブタジエンの製造方法
ATE535534T1 (de) * 2008-10-07 2011-12-15 Air Liquide Metall-organische niobium- und vanadium-vorläufer zur dünnschichtablagerung
CN102687243B (zh) * 2009-10-26 2016-05-11 Asm国际公司 用于含va族元素的薄膜ald的前体的合成和使用
US9956548B2 (en) * 2011-12-12 2018-05-01 Chevron Phillips Chemical Company Lp Preparation of an olefin oligomerization catalyst
KR20130078965A (ko) * 2012-01-02 2013-07-10 에스케이하이닉스 주식회사 다성분계 유전막 형성 방법 및 반도체장치 제조 방법
US9321854B2 (en) * 2013-10-29 2016-04-26 Exxonmobil Chemical Patents Inc. Aluminum alkyl with C5 cyclic and pendent olefin polymerization catalyst
US20160307904A1 (en) * 2015-04-16 2016-10-20 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Niobium-containing film forming compositions and vapor deposition of niobium-containing films

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102112654A (zh) * 2008-08-01 2011-06-29 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 在基质上形成含钽层的方法
KR20100060481A (ko) * 2008-11-27 2010-06-07 주식회사 유피케미칼 5족 금속 산화물 또는 질화물 박막 증착용 유기금속 전구체화합물 및 이를 이용한 박막 증착 방법

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
W. A. Herrmann and W. Baratta, "First amido-functionalized niobium and tantalum complexes of the ansa-structural type: synthesis and photochemical Si-N bond cleavage", Journal of Organometallic Chemistry, Vol.506, 1996, Pages 357 - 361. *

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