JP2015510031A - ニッケル含有膜堆積用ニッケルアリルアミジナート前駆体 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2011年12月29日出願の米国出願第13/339,530号の優先権を主張するものであり、その内容全体が参照によりここに組込まれる。
を有するニッケル含有前駆体を開示する。開示するニッケル含有前駆体は、以下の側面の一つ以上をさらに含んでいてもよい:
・ニッケル含有前駆体が、η3−アリルN,N’−ジメチルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−アリルN,N’−ジエチルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−アリルN,N’−ジイソプロピルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−アリルN,N’−ジ−n−プロピルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−アリルN,N’−ジ−tertブチルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−アリルN,N’−エチル,tertブチルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−アリルN,N’−ジトリメチルシリルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−アリルN,N’−ジイソプロピルグアニジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−アリルN,N’−ジイソプロピルホルミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−1−メチルアリルN,N’−ジメチルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−1−メチルアリルN,N’−ジエチルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−1−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−1−メチルアリルN,N’−ジ−n−プロピルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−1−メチルアリルN,N’−ジ−tertブチルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−1−メチルアリルN,N’−エチル,tertブチルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−1−メチルアリルN,N’−ジトリメチルシリルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−1−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルグアニジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−1−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルホルミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−2−メチルアリルN,N’−ジメチルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−2−メチルアリルN,N’−ジエチルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−2−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−2−メチルアリルN,N’−ジ−n−プロピルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−2−メチルアリルN,N’−ジ−tertブチルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−2−メチルアリルN,N’−エチル,tertブチルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−2−メチルアリルN,N’−ジトリメチルシリルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−2−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルグアニジナートである;および
・ニッケル含有前駆体が、η3−2−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルホルミジナートである。
を有する。開示するプロセスは、以下の側面の一つ以上をさらに含んでいてもよい:
・少なくとも一種の反応物質を反応器に導入すること;
・反応物質が、H2、NH3、SiH4、Si2H6、Si3H8、SiH2Me2、SiH2Et2、N(SiH3)3、これらの水素ラジカル;およびこれらの混合物からなる群から選択される;
・反応物質が、O2、O3、H2O、NO、N2O、これらの酸素ラジカル;およびこれらの混合物からなる群から選択される;
・ニッケル含有前駆体および反応物質が反応器に実質的に同時に導入される;
・反応器が化学気相堆積用として構成されている;
・反応器がプラズマ促進化学気相堆積用として構成されている;
・ニッケル含有前駆体および反応物質がチャンバに順次導入される;
・反応器が原子層堆積用として構成されている;
・反応器が空間原子層堆積用として構成されている;
・反応器がプラズマ促進原子層堆積用として構成されている;
・ニッケル含有前駆体が、η3−アリルN,N’−ジメチルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−アリルN,N’−ジエチルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−アリルN,N’−ジイソプロピルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−アリルN,N’−ジ−n−プロピルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−アリルN,N’−ジ−tertブチルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−アリルN,N’−エチル,tertブチルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−アリルN,N’−ジトリメチルシリルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−アリルN,N’−ジイソプロピルグアニジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−アリルN,N’−ジイソプロピルホルムアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−1−メチルアリルN,N’−ジメチルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−1−メチルアリルN,N’−ジエチルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−1−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−1−メチルアリルN,N’−ジ−n−プロピルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−1−メチルアリルN,N’−ジ−tertブチルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−1−メチルアリルN,N’−エチル,tertブチルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−1−メチルアリルN,N’−ジトリメチルシリルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−1−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルグアニジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−1−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルホルムアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−2−メチルアリルN,N’−ジメチルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−2−メチルアリルN,N’−ジエチルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−2−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−2−メチルアリルN,N’−ジ−n−プロピルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−2−メチルアリルN,N’−ジ−tertブチルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−2−メチルアリルN,N’−エチル,tertブチルアセトアミジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−2−メチルアリルN,N’−ジトリメチルシリルアセトアミジナートである
・ニッケル含有前駆体が、η3−2−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルグアニジナートである;
・ニッケル含有前駆体が、η3−2−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルホルムアミジナートである;
・ニッケル含有膜をアニーリングすること;
・アニーリングされたニッケル含有膜が約98原子%乃至約100原子%のNiを含有する;
・アニーリングされたニッケル含有膜が約100原子%のNi膜である;
・アニーリングされたニッケル含有膜が、約0原子%乃至約1原子%の炭素を含有する;および
・アニーリングされたニッケル含有膜が、約0原子%乃至約1原子%の窒素を含有する。
以下の説明および請求項を通じてある種の略語、記号および用語を使用する。その中には、以下のようなものが含まれる。
を有するニッケル含有前駆体を開示する。
η3−アリルN,N’−ジメチルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−ジエチルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−ジイソプロピルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−ジ−n−プロピルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−ジ−tertブチルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−エチル,tertブチルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−ジトリメチルシリルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−ジイソプロピルグアニジナート;
η3−アリルN,N’−ジイソプロピルホルムアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジメチリルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジエチリルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジ−n−プロピルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジ−tertブチルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−エチル,tertブチルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジトリメチルシリルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルグアニジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルホルムアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジメチリルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジエチリルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジ−n−プロピルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジ−tertブチルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−エチル,tertブチルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジトリメチルシリルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルグアニジナート;および
η3−2−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルホルムアミジナート
が挙げられるが、これに限らない。
以下の例は、ここでの開示と共に実施した実験を説明する。例は、全てを包括することを意図したものではなく、ここで記載した開示の範囲を制限することを意図したものでもない。
1Lの三首フラスコに窒素下で32.4g(250mmol)のNiCl2をTHF(およそ200mL)と共に導入した。500mL(250mmol)の2−メチルアリルマグネシウムクロリド(0.5M THF溶液)を0℃にて導入し、混合物を一晩撹拌した。[Ni(2−Meアリル)Cl]2からなる褐色の懸濁物を伴う暗褐色の溶液が形成された。
例2:純ニッケルのPEALD
例1で調製したη3−2−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルアセトアミジナートを用いてPEALD試験を実施した。η3−2−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルアセトアミジナートを、50℃まで加熱した容器に入れた。典型的なPEALD条件を用いた。それは、例えば、完全な反応をもたらし結果として生じる膜への不純物の混入を制限するため、反応器圧力をおよそ2Torrに固定しプラズマ出力を100Wに最適化して、水素および/またはアンモニアプラズマを使用するということである。SiおよびSiO2基板上に膜を堆積させた。Si基板にHFクリーニング(1%HF、10分)を実施した。完全な表面飽和および反応を伴うALD挙動を、純シリコンウエハ上で200〜300℃の温度範囲にて評価した。
以下に、本願発明の態様を付記する。
[1] 式
を有するニッケル含有前駆体。
[2] 前記ニッケル含有前駆体が、
η3−アリルN,N’−ジメチルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−ジエチルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−ジイソプロピルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−ジ−n−プロピルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−ジ−tertブチルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−エチル,tertブチルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−ジトリメチルシリルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−ジイソプロピルグアニジナート;
η3−アリルN,N’−ジイソプロピルホルムアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジメチルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジエチルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジ−n−プロピルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジ−tertブチルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−エチル,tertブチルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジトリメチルシリルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルグアニジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルホルムアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジメチルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジエチルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジ−n−プロピルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジ−tertブチルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−エチル,tertブチルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジトリメチルシリルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルグアニジナート;および
η3−2−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルホルムアミジナート
からなる群から選択される、[1]に記載のニッケル含有前駆体。
[3] 前記ニッケル含有前駆体が、η3−2−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルアセトアミジナートである、[2]に記載のニッケル含有前駆体。
[4] 内部に少なくとも一つの基板が配置された反応器に、式
を有する少なくとも一種のニッケル含有前駆体を導入するステップ、および
前記ニッケル含有前駆体の少なくとも一部を前記少なくとも一つの基板上に堆積させてニッケル含有膜を形成するステップ
を含む、基板上にニッケル含有膜を堆積させるプロセス。
[5] 少なくとも一種の反応物質を前記反応器に導入することをさらに含む、[4]に記載のプロセス。
[6] 前記反応物質が、H 2 、NH 3 、SiH 4 、Si 2 H 6 、Si 3 H 8 、SiH 2 Me 2 、SiH 2 Et 2 、N(SiH 3 ) 3 、これらの水素ラジカル;およびこれらの混合物からなる群から選択される、[5]に記載のプロセス。
[7] 前記反応物質が、O 2 、O 3 、H 2 O、NO、N 2 O、これらの酸素ラジカル;およびこれらの混合物からなる群から選択される、[5]に記載のプロセス。
[8] 前記ニッケル含有前駆体および前記反応物質が前記反応器に実質的に同時に導入され、前記反応器が化学蒸着用として構成されている、[5]に記載のプロセス。
[9] 前記反応器がプラズマ促進化学蒸着用として構成されている、[8]に記載のプロセス。
[10] 前記ニッケル含有前駆体および前記反応物質がチャンバに順次導入され、前記反応器が原子層堆積用として構成されている、[5]に記載のプロセス。
[11] 前記反応器がプラズマ促進原子層堆積用として構成されている、[10]に記載のプロセス。
[12] 前記ニッケル含有前駆体が、
η3−アリルN,N’−ジメチルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−ジエチルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−ジイソプロピルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−ジ−n−プロピルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−ジ−tertブチルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−エチル,tertブチルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−ジトリメチルシリルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−ジイソプロピルグアニジナート;
η3−アリルN,N’−ジイソプロピルホルムアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジメチルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジエチルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジ−n−プロピルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジ−tertブチルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−エチル,tertブチルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジトリメチルシリルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルグアニジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルホルムアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジメチルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジエチルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジ−n−プロピルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジ−tertブチルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−エチル,tertブチルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジトリメチルシリルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルグアニジナート;および
η3−2−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルホルムアミジナート
からなる群から選択される、[4]に記載のプロセス。
[13] 前記ニッケル含有前駆体が、η3−2−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルアセトアミジナートである、[12]に記載のプロセス。
[14] 前記ニッケル含有膜をアニーリングすることをさらに含む、[13]に記載のプロセス。
[15] アニーリングされた前記ニッケル含有膜が、約98原子%乃至約100原子%のNiを含有する、[14]に記載のプロセス。
[16] アニーリングされた前記ニッケル含有膜が、約100原子%のNi膜である、[15]に記載のプロセス。
[17] アニーリングされた前記ニッケル含有膜が、炭素および窒素をそれぞれ約0原子%乃至約1原子%含有する、[15]に記載のプロセス。
[18] 抵抗率が約7μohm.cmから約70μohm.cmである、[14]に記載のプロセスによって堆積させたニッケル含有膜。
Claims (18)
- 式
を有するニッケル含有前駆体。 - 前記ニッケル含有前駆体が、
η3−アリルN,N’−ジメチルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−ジエチルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−ジイソプロピルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−ジ−n−プロピルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−ジ−tertブチルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−エチル,tertブチルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−ジトリメチルシリルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−ジイソプロピルグアニジナート;
η3−アリルN,N’−ジイソプロピルホルムアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジメチルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジエチルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジ−n−プロピルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジ−tertブチルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−エチル,tertブチルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジトリメチルシリルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルグアニジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルホルムアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジメチルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジエチルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジ−n−プロピルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジ−tertブチルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−エチル,tertブチルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジトリメチルシリルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルグアニジナート;および
η3−2−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルホルムアミジナート
からなる群から選択される、請求項1に記載のニッケル含有前駆体。 - 前記ニッケル含有前駆体が、η3−2−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルアセトアミジナートである、請求項2に記載のニッケル含有前駆体。
- 内部に少なくとも一つの基板が配置された反応器に、式
を有する少なくとも一種のニッケル含有前駆体を導入するステップ、および
前記ニッケル含有前駆体の少なくとも一部を前記少なくとも一つの基板上に堆積させてニッケル含有膜を形成するステップ
を含む、基板上にニッケル含有膜の堆積方法。 - 少なくとも一種の反応物質を前記反応器に導入することをさらに含む、請求項4に記載の方法。
- 前記反応物質が、H2、NH3、SiH4、Si2H6、Si3H8、SiH2Me2、SiH2Et2、N(SiH3)3、これらの水素ラジカル;およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項5に記載の方法。
- 前記反応物質が、O2、O3、H2O、NO、N2O、これらの酸素ラジカル;およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項5に記載の方法。
- 前記ニッケル含有前駆体および前記反応物質が前記反応器に実質的に同時に導入され、前記反応器が化学気相堆積用として構成されている、請求項5に記載の方法。
- 前記反応器がプラズマ促進化学気相堆積用として構成されている、請求項8に記載の方法。
- 前記ニッケル含有前駆体および前記反応物質がチャンバに順次導入され、前記反応器が原子層堆積用として構成されている、請求項5に記載の方法。
- 前記反応器がプラズマ促進原子層堆積用として構成されている、請求項10に記載の方法。
- 前記ニッケル含有前駆体が、
η3−アリルN,N’−ジメチルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−ジエチルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−ジイソプロピルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−ジ−n−プロピルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−ジ−tertブチルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−エチル,tertブチルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−ジトリメチルシリルアセトアミジナート;
η3−アリルN,N’−ジイソプロピルグアニジナート;
η3−アリルN,N’−ジイソプロピルホルムアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジメチルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジエチルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジ−n−プロピルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジ−tertブチルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−エチル,tertブチルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジトリメチルシリルアセトアミジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルグアニジナート;
η3−1−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルホルムアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジメチルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジエチルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジ−n−プロピルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジ−tertブチルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−エチル,tertブチルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジトリメチルシリルアセトアミジナート;
η3−2−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルグアニジナート;および
η3−2−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルホルムアミジナート
からなる群から選択される、請求項4に記載の方法。 - 前記ニッケル含有前駆体が、η3−2−メチルアリルN,N’−ジイソプロピルアセトアミジナートである、請求項12に記載の方法。
- 前記ニッケル含有膜をアニーリングすることをさらに含む、請求項13に記載の方法。
- アニーリングされた前記ニッケル含有膜が、約98原子%乃至約100原子%のNiを含有する、請求項14に記載のプロセス。
- アニーリングされた前記ニッケル含有膜が、約100原子%のNi膜である、請求項15に記載の方法。
- アニーリングされた前記ニッケル含有膜が、炭素および窒素をそれぞれ約0原子%乃至約1原子%含有する、請求項15に記載の方法。
- 抵抗率が約7μohm.cmから約70μohm.cmである、請求項14に記載のプロセスによって堆積させたニッケル含有膜。
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