TWI700182B - 抗靜電膜及液晶顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

一種抗靜電膜，具備由含有含脂環式結構的聚合物之熱可塑性樹脂所構成之基材薄膜及設置於該基材薄膜上、含有具導電性之金屬氧化物粒子之抗靜電層，前述抗靜電層的表面電阻值為1.0×106Ω/□以上且1.0×1010Ω/□以下，前述抗靜電膜的霧度值為0.3%以下。

Description

抗靜電膜及液晶顯示裝置
本發明係有關於一種抗靜電膜及具備其之液晶顯示裝置。
以往，已進行開發具有抗靜電功能之抗靜電膜(參照專利文獻1~3)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2002-329598號公報
[專利文獻2]日本特開2011-12210號公報
[專利文獻3]日本特開2012-236921號公報
液晶顯示裝置係具有高畫質、薄型、輕量、低消耗電力等的優點，而被廣泛地使用在例如電視、個人電腦、汽車導航器等。在液晶顯示裝置，係在以透射軸為正交的方式配置之2片偏光鏡(亦即，入射側偏光鏡及射出側偏光鏡)之間配置液晶胞，藉由對液晶胞施加電壓，而使液晶分子改變配向且在畫面顯示影像。
又，近年來，例如在行動電話、平板型個人電腦等的攜帶式終端設備，係逐漸廣泛地使用具備觸控面板之液晶顯示裝置。在具備觸控面板之液晶顯示裝置，係有因使用者觸摸觸控面板而在構成液晶顯示裝置之構件積蓄電荷之情形。如此被積蓄的電荷，係有擾亂對液晶胞的液晶分子的驅動控制之可能性。因此，為了抑制如前述的電荷積蓄，而考慮在液晶顯示裝置設置抗靜電膜。
為了有效地抑制對液晶胞的液晶分子的驅動控制之擾亂而得到良好的畫質，抗靜電膜係通常遍及地設置在液晶顯示裝置的顯示範圍之整體。因而，使用者係通過抗靜電膜而視認液晶顯示裝置所顯示之影像。因此抗靜電膜之透明性係以較高為佳，具體而言係以霧度值較小為佳。
近年來，因為提升畫質的要求提高，所以對抗靜電膜之透明性提升的要求，亦比先前更高，如專利文獻1~3的抗靜電膜，係無法得到能夠因應近年來高度的要求之較高的透明性。
例如專利文獻1及2記載的抗靜電膜，雖然能夠得到1.0%左右或0.5%左右的霧度值，但是無法實現如霧度值0.3%以下之高度優異的透明性。
又，專利文獻3記載的抗靜電膜，依照本發明者的研討，係在薄膜中央部能夠實現較低的霧度值。但是，在薄膜端部附近係霧度值變高而無法得到高度的透明性。
本發明係鑒於前述的課題而發明，其目的係提供一種在透明性及抗靜電位之雙方均優異的抗靜電膜；及具前述 抗靜電膜之液晶顯示裝置。
為了解決前述課題，本發明者專心研討的結果，發現具備由含有含脂環式結構的聚合物之熱可塑性樹脂所構成之基材薄膜及設置於該基材薄膜上、含有具導電性之金屬氧化物粒子之抗靜電層，前述抗靜電層具有預定範圍的表面電阻值，且該抗靜電膜的霧度值在預定範圍之抗靜電膜，透明性及抗靜電位的雙方均優異，而完成了本發明。
亦即，本發明係如下述。
[1]一種抗靜電膜，具備由含有含脂環式結構的聚合物之熱可塑性樹脂所構成之基材薄膜及設置於該基材薄膜上、含有具導電性之金屬氧化物粒子之抗靜電層，前述抗靜電層的表面電阻值為1.0×106Ω/□以上、1.0×1010Ω/□以下，前述抗靜電膜的霧度值為0.3%以下。
[2]如[1]所述之抗靜電膜，其中前述抗靜電係具有單層結構，前述抗靜電層的厚度為1.5μm~10.0μm。
[3]如[1]或[2]項所述之抗靜電膜，其中前述抗靜電膜的透射色相L*為94~97。
[4]如[1]至[3]項中任一項所述之抗靜電膜，其中前述抗靜電層的折射率為1.50~1.55。
[5]如[1]至[4]項中任一項所述之抗靜電膜，其中前述基材薄膜係依序具有第一表面層、中間層及第二表面層，前述中間層含有紫外線吸收劑， 前述基材薄膜的厚度為10μm以上、60μm以下，前述基材薄膜在波長380nm之光線透射率為10%以下。
[6]如[1]至[5]項中任一項所述之抗靜電膜，其中在從前述抗靜電層的塗佈寬度方向的端部起算50mm以內的兩區域之5mm2以上的面積之抗靜電層的斷裂數，係前述兩區域的長度每1m為小於10個。
[7]一種液晶顯示裝置，係具備：液晶胞；設置在前述液晶胞的視認側之偏光鏡；及設置在前述偏光鏡的視認側之如[1]至[6]項中任一項所述之抗靜電膜；前述抗靜電膜依照靠近前述偏光鏡之順序，具備前述基材薄膜及前述抗靜電層。
[8]如[7]所述之液晶顯示裝置，其中在前述偏光鏡與前述抗靜電膜之間，具備紫外線硬化型的接著劑層。
[9]如[7]或[8]所述之液晶顯示裝置，其中前述液晶胞為IPS方式的液晶胞。
根據本發明，能夠提供一種透明性及抗靜電位的雙方均優異之抗靜電膜；及具備前述抗靜電膜之液晶顯示裝置。
100‧‧‧抗靜電膜
110‧‧‧基材薄膜
120‧‧‧抗靜電層
120L、120R‧‧‧抗靜電層的塗佈寬度方向X的端部
120U‧‧‧抗靜電層的表面
121、122‧‧‧抗靜電層的塗佈寬度方向X的兩端部附近之區域
W121、W122‧‧‧寬度
第1圖係示意性顯示本發明的抗靜電膜的一個例子之剖面圖。
第2圖係示意性顯示本發明的抗靜電膜的一個例子之平面 圖。
用以實施發明之形態
以下，揭示實施形態及例示物而詳細地說明本發明。但是，本發明係不被以下所揭示的實施形態及例示物限定，在不脫離本發明的申請專利範圍及其均等的範圍之範圍，能夠任意地變更而實施。
在以下的說明，所謂「長條」薄膜，係指相較於寬度，具有5倍以上的長度之薄膜，較佳是具有10倍或是其以上的長度，具體而言，係指具有能夠被捲取成為捲物狀而保管或搬運程度的長度之薄膜。
在以下的說明，薄膜的面內遲滯值Re若未特別限定，表示以Re=(nx-ny)×d表示之值。又，薄膜的厚度方向之遲滯值Rth若未特別限定，表示以Rth={(nx+ny)/2-nz}×d表示之值。在此，nx係表示在對薄膜的厚度方向為垂直的方向(面內方向)且提供最大的折射率之方向的折射率。ny係表示薄膜的前述面內方向且對nx的方向為正交的方向之折射率。nz係表示薄膜的厚度方向之折射率。d係表示薄膜的厚度。測定波長若未特別限定，為550nm。
在以下的說明，「(甲基)丙烯酸酯」係包含「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」的雙方，「(甲基)丙烯醯基」係包含「丙烯醯基」及「甲基丙烯醯基」之雙方。
在以下的說明，要素的方向為所謂「平行」、「垂直」及「正交」，若未特別限定，，在不損害本發明的效果之 範圍內，亦可以包含例如±5°的範圍內之誤差。
在以下的說明，長條薄膜的長度方向，通常係與在製造生產線之薄膜搬運方向平行。
在以下的說明，所謂「偏光板」及「1/4波長板」，若未特別限定，不僅是剛直的構件，亦包含例如如樹脂製的薄膜之具有可撓性之構件。
在以下的說明，在具備複數薄膜的構件之各薄膜的光學軸(偏光鏡的透射軸、相位差膜的遲相軸等)所構成之角度，若未特別限定，表示從厚度方向觀看前述薄膜時之角度。
在以下的說明，所謂接著劑，若未特別限定，表示不僅是狹義的接著劑，而且亦包含在23℃之剪切儲存彈性模數小於1MPa之黏著劑。在此，前述所謂「狹義的接著劑」，係指能量線照射後，或加熱處理後，在23℃之剪切儲存彈性模數為1MPa~500MPa之接著劑。
在以下的說明，薄膜的遲相軸若未特別限定，表示在該薄膜的面內之遲相軸。
[1.抗靜電膜的概要]
第1圖，係示意性地顯示本發明的抗靜電膜的一個例子之剖面圖。
如第1圖所顯示，本發明的抗靜電膜100，係具備基材薄膜110、及設置在該基材薄膜110上之抗靜電層120。又，抗靜電層120係具有預定範圍的表面電阻值。而且，本發明的抗靜電膜100的霧度值小。藉由具有此種構成，本發明的抗靜電膜100在透明性及抗靜電位的雙方均能夠發揮優異的性能。此 時，在抗靜電膜100之抗靜電層120，可以是成為最外層且其表面120U為露出，亦可在該抗靜電層120上設置任意層。
[2.基材薄膜]
基材薄膜係由含有具有脂環式結構的聚合物之熱可塑性樹脂所構成。具有脂環式結構的聚合物，該聚合物的結構單元係具有脂環式結構。具有脂環式結構的聚合物，係可在主鏈具有脂環式結構，亦可在側鏈具有脂環式結構。尤其是從機械強度及耐熱性的觀點而言，係以在主鏈具有脂環式結構的聚合物為佳
作為脂環式結構，係例如可舉出飽和脂環式烴(環烷)結構、不飽和脂環式烴(環烯、環炔)結構等。尤其是例如從機械強度、耐熱性等的觀點而言，係以環烷結構及環烯結構為佳，尤其是以環烷結構為特佳。
構成脂環式結構之碳原子數，係每1個脂環式結構以4個以上為佳，較佳為5個以上，以30個以下為佳，較佳為20個以下，特佳為15個以下的範圍。藉由使構成脂環式結構之碳原子數在該範圍，該含有具有脂環式結構的聚合物之熱可塑性樹脂的機械強度、耐熱性、及成形性被高度地平衡。
在具有脂環式結構的聚合物，具有脂環式結構的結構單元之比率，能夠按照使用目的而適當地選擇。在具有脂環式結構的聚合物之具有脂環式結構的結構單元之比率，係較佳為55重量%以上，更佳為70重量%以上，特佳為90重量%以上。在具有脂環式結構的聚合物之具有脂環式結構的結構單元之比率該範圍時，該含有具有脂環式結構的聚合物之熱可塑 性樹脂的透明性及耐熱性變得良好。
作為具有脂環式結構的聚合物，例如可舉出降冰片烯系聚合物、單環的環狀烯烴系聚合物、環狀共軛二烯系聚合物、及該等氫化物等。該等之中，因為成形性良好，係以降冰片烯系聚合物為特別適合。又，具有脂環式結構的聚合物係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
作為降冰片烯系聚合物，例如能夠使用在特開平3-14882號公報、特開平3-122137號公報、特開平4-63807號公報等所記載者。作為降冰片烯系聚合物的具體例，可舉出具有降冰片烯結構之單體的開環聚合物及其氫化物；具有降冰片烯結構之單體的加成聚合物及其氫化物；以及該等改性物。在以下的說明，有將具有降冰片烯結構之單體稱為「降冰片烯系單體」之情形。作為降冰片烯系單體的開環聚合物的例子，可舉出具有降冰片烯結構之1種類的單體的開環同元聚合物、具有降冰片烯結構之2種類以上的單體的開環共聚物、以及降冰片烯系單體和能夠與其共聚合的其他單體的開環共聚物。而且，作為降冰片烯系單體的加成聚合物的例子，可舉出具有降冰片烯結構之1種類的單體的加成同元聚合物、具有降冰片烯結構之2種類以上的單體的加成共聚物、以及降冰片烯系單體和能夠與其共聚合的其他單體的加成共聚物。該等之中，從成形性、耐熱性、低吸濕性、尺寸安定性、輕量性等的觀點而言，係以降冰片烯系單體的開環聚合物的氫化物為特別適合。
作為降冰片烯系單體，例如可舉出降冰片烯；降冰片烯的烷基取代衍生物；降冰片烯的亞烷基取代衍生物；降 冰片烯的芳香換取代衍生物；以及該等極性基取代物等。在此，作為極性基，例如可舉出鹵素、羥基、酯基、烷氧基、氰基、醯胺基、醯亞胺基、矽烷基等。該等係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。作為此種降冰片烯系單體的具體例，可舉出2-降冰片烯、5-甲基-2-降冰片烯、5,5-二甲基-2-降冰片烯、5-乙基-2-降冰片烯、5-丁基-2-降冰片烯、5-亞乙基-2-降冰片烯、5-甲氧基羰基-2-降冰片烯、5-氰基-2-降冰片烯、5-甲基-5-甲氧基羰基-2-降冰片烯、5-苯基-2-降冰片烯、5-苯基-5-甲基-2-降冰片烯、5-己基-2-降冰片烯、5-辛基-2-降冰片烯、5-十八基-2-降冰片烯等。
又，作為降冰片烯系單體，例如可舉出在降冰片烯附加有1個以上的環戊二烯之單體；該單體的烷基取代衍生物；該單體的亞烷基取代衍生物；該單體的芳香族取代衍生物；以及該等極性基取代物等。作為此種降冰片烯系單體的具體例，可舉出1,4：5,8-二亞甲基-1,2,3,4,4a,5,8,8a-2,3-環戊二烯八氫萘、6-甲基-1,4：5,8-二亞甲基-1,4,4a,5,6,7,8,8a-八氫萘、1,4：5,10：6,9-三亞甲基-1,2,3,4,4a,5,5a,6,9,9a,10,10a-十二氫-2,3-二環戊二烯蒽等。
而且，作為降冰片烯系單體，例如可舉出環戊二烯的聚合物之多環結構的單體；該單體的烷基取代衍生物；該單體的亞烷基取代衍生物；該單體的芳香族取代衍生物；以及該等極性基取代物等。作為此種降冰片烯系單體的具體例，可舉出二環戊二烯、2,3-、二氫二環戊二烯等。
又，作為降冰片烯系單體，例如可舉出環戊二烯 與四氫茚之加成物；該加成物的烷基取代衍生物；該加成物的亞烷基取代衍生物；該加成物的芳香族取代衍生物；以及該等極性基取代物等。作為此種降冰片烯系單體的具體例，可舉出1,4-亞甲基-1,4,4a,4b,5,8,8a,9a-八氫茀、5,8-亞甲基-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氫-2,3-環戊二烯萘等。
降冰片烯系單體係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
降冰片烯系聚合物之中，係以滿足下述(i)~(iii)的必要條件之降冰片烯系聚合物為佳。
(i)降冰片烯系聚合物，係具有X：雙環[3.3.0]辛烷-2,4-二基-乙烯結構、及Y：三環[4.3.0.12,5]癸烷-7,9-二基-乙烯結構作為結構單元。
(ii)相對於降冰片烯系聚合物的結構單元整體，該等X及Y的結構單元之含量為90重量%以上。
(iii)X的含有比例與Y的含有比例之比，以X：Y的重量比計為100：0~40：60。
藉由使用此種聚合物，能夠得到長期間沒有尺寸變化且光學特性亦具有優異的安定性之基材薄膜。
作為具有以X的結構作為結構單元之單體，例如能夠舉出具有在降冰片烯環鍵結有五員環的結構之降冰片烯系單體。作為其具體例，能夠舉出三環[4.3.0.12,5]癸-3,7-二烯(慣用名：二環戊二烯)及其衍生物(在環具有取代基者)、7,8-苯并三環[4.3.0.12,5]癸-3-烯(慣用名：亞甲基四氫茀)、及其衍生物。又，作為以Y的結構作為結構單元之單體，例如能夠舉 出四環[4.4.0.12,517,10]癸-3,7-二烯(慣用名：四環十二烯)及其衍生物(在環具有取代基者)。
上述的單體之聚合係能夠使用習知的方法來進行。又，亦能夠按照必要而使上述的單體與任意單體共聚合、或是藉由氫化來得到所需要的聚合物。從耐熱劣化性及耐光劣化性的觀點而言，氫化時之氫化率為90%以上，以95%以上為佳，較佳為99%以上。
而且，所得到的聚合物，亦可按照必要而例如使用α,β-不飽和羧酸及其衍生物、苯乙烯系烴、烯烴系不飽和鍵及具有能夠水解的基之有機矽化合物、以及不飽和環氧單體等的改性劑使其改性。
具有脂環式結構的聚合物的數量平均分子量(Mn)係以10,000以上為佳，較佳為15,000以上，特佳為20,000以上，以200,000以下為佳，較佳為100,000以下，特佳為50,000以下。數量平均分子量為此種範圍時，基材薄膜的機械強度及成形加工性係能夠高度地得到平衡，乃是較佳。
在此，具有脂環式結構的聚合物之數量平均分子量，係能夠藉由使用環己烷溶劑之GPC(凝膠滲透層析)法且以聚異戊二烯換算值的方式測定。
在含有具有脂環式結構的聚合物之熱可塑性樹脂，具有脂環式結構的聚合物的量係以50重量%~100重量%為佳，較佳為70重量%~100重量%。藉由使具有脂環式結構的聚合物的量落入前述範圍，能夠容易地得到具有所需要的物性之基材薄膜。
含有具有脂環式結構的聚合物之熱可塑性樹脂係能夠按照必要，與具有脂環式結構的聚合物組合而含有任意成分。作為任意成分，例如可舉出紫外線吸收劑；無機微粒子；抗氧化劑、熱安定劑、近紅外線吸收劑等的安定劑；滑劑、可塑劑等的樹脂改質劑；染料、顏料等的著色劑；防老劑等的調配劑。任意成分係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
基材薄膜係可以是只具備1層之單層薄膜，亦可以是具備2層以上的層之複層薄膜。尤其是基材薄膜係以在厚度方向依照以下的順序具備第一表面層、含有紫外線吸收劑的中間層、及第二表面層之複層薄膜為佳。亦即，較佳是基材薄膜係在厚度方向依照以下的順序具備：由含有具有脂環式結構的聚合物之熱可塑性樹脂所構成之第一表面層；由含有具有脂環式結構的聚合物及紫外線吸收劑之熱可塑性樹脂所構成之中間層；及由含有具有脂環式結構的聚合物之熱可塑性樹脂所構成之第二表面層。在此種複層薄膜，藉由在第一表面層及第二表面層，能夠抑制在中間層所含有的紫外線吸收劑產生滲出。
為了有效地抑制滲出，第一表面層及第二表面層係以不含有紫外線吸收劑為佳。又，在第一表面層所含有的聚合物、在中間層所含有的聚合物及第二表面層所含有的聚合物，係可相同亦可不同。因而，在第一表面層所含有的熱可塑性樹脂與在第二表面層所含有的熱可塑性樹脂亦可以不同，但是因為容易形成層，以相同為佳。通常第一表面層及第二表面 層係除了不含有紫外線吸收劑以外，係使用與在中間層所含有的熱可塑性樹脂同樣的熱可塑性樹脂來形成。
作為紫外線吸收劑，例如可舉出三嗪系紫外線吸收劑、苯并苯酚系紫外線。吸收劑、苯并三唑系紫外線吸收劑、丙烯腈系紫外線吸收劑等的有機紫外線吸收劑。尤其是從在波長380nm附近之紫外線吸收性能為優異而言，係以三嗪系紫外線吸收劑為佳。又，作為紫外線吸收劑，係以分子量為400以上者為佳。
作為三嗪系紫外線吸收劑，例如能夠適合使用具有1,3,5-三嗪環之化合物。作為三嗪系紫外線吸收劑的具體例，可舉出2-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)-5-[(己基)氧基]-苯酚、2,4-雙(2-羥基-4-丁氧基苯基)-6-(2,4-二丁氧基苯基)-1,3,5-三嗪等。又，作為三嗪系紫外線吸收劑的市售品，例如能夠舉出「TINUVIN1577」(CIBA．SPECIALTY．CHEMICALS公司製)等。
作為苯并三唑系紫外線吸收劑，例如可舉出2,2’-亞甲雙[4-(1,1,3,3-四甲基丁基)-6-(2H-苯并三唑-2-基)苯酚]、2-(3,5-二-第三丁基-2-羥苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2H-苯并三唑-2-基)-對甲酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4,6-雙(1-甲基-1-苯乙基)苯酚、2-苯并三唑-2-基-4,6-二-第三丁基苯酚、2-[5-氯(2H)-苯并三唑-2-基]-4-甲基-6-(第三丁基)苯酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4,6-二-第三丁基苯酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-甲基-6-(3,4,5,6-四氫酞醯亞胺基甲基)苯酚、甲基3-(3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-第 三丁基-4-羥苯基)丙酸酯/聚乙二醇300的反應生成物、2-(2H-苯并三唑-2-基)-6-(直鏈及側鏈十二基)-4-甲基苯酚等。作為三唑系紫外線吸收劑的市售品，例如能夠舉出「Adekastab LA-31」(旭電化工業公司製)等。
紫外線吸收劑係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
在中間層所含有的熱可塑性樹脂，其紫外線吸收劑的量係以1重量%以上為佳，較佳為3重量%以上，以8重量%以下為佳，較佳為6重量%以下。在此，使用2種類以上的紫外線吸收劑時，所謂紫外線吸收劑的量，係表示該等的紫外線吸收劑的整體量。藉由使紫外線吸收劑的量成為前述範圍的下限以上，能夠有效地抑制波長200nm~370nm的紫外線之透射，又，藉由成為上限以下，因為能夠抑制薄膜的帶黃色，能夠抑制色調的劣化。而且，藉由使紫外線吸收劑的量成為前述範圍，因為不含有大量的紫外線吸收劑，所以能夠抑制熱可塑性樹脂的耐熱性低落。
作為含有具有脂環式結構的聚合物及紫外線吸收劑之熱可塑性樹脂的製造方法，可舉出藉由在使用熔融擠製法製造基材薄膜之前，調配具有紫外線吸收劑之脂環式結構的聚合物之方法；使用高濃度地含有紫外線吸收劑的母料之方法；在使用熔融擠製法製造基材薄膜時，調配具有紫外線吸收劑之脂環式結構的聚合物之方法等。在該等方法，藉由使紫外線吸收劑的量成為前述範圍，能夠充分地提高紫外線吸收劑的分散性。
熱可塑性樹脂的玻璃轉移溫度，係以80℃以上為佳，較佳為100℃以上，更佳為120℃以上，又更佳為130℃以上，尤其是以150℃以上為佳，特佳為160℃以上，以250℃以下為佳，較佳為180℃以下。藉由使熱可塑性樹脂的玻璃轉移溫度成為前述範圍的下限值以上，能夠提高在高溫環境下之基材薄膜的耐久性，又，藉由成為上限值以下，能夠容易地進行延伸處理。
熱可塑性樹脂的光彈性模數係以10×10-10Pa-1以下為佳，較佳為10×10-12Pa-1以下，特佳為4×10-12Pa-1以下。藉由使熱可塑性樹脂的光彈性模數落入前述範圍，能夠抑制因貼合等的操作時的拉伸應力所致之基材薄膜的遲滯值變化。熱可塑性樹脂的光彈性模數之下限係沒有特別的限制，為1×10-13Pa-1以上。在此光彈性模數C係將雙折射設為△n，將應力設為σ時，以C=△n/σ表示之值。
而且，基材薄膜係具備第一表面層、中間層及第二表面層時，在中間層所含有的熱可塑性樹脂之玻璃轉移溫度TgA與在第一表面層及第二表面層所含有之熱可塑性樹脂的玻璃轉移溫度TgB，係以滿足TgB-TgA<15℃的關係為佳。
在基材薄膜的波長380nm之光線透射率，係以10%以下為佳，較佳為5%以下，特佳為1%以下。又，在基材薄膜的波長280nm~370nm之光線透射率，係以1.5%以下為佳，較佳為1%以下。藉此，因為能夠藉由抗靜電膜而將紫外線遮蔽，所以在具備抗靜電膜之液晶顯示裝置，能夠抑制紫外線對偏光鏡及液晶胞所造成之損傷。因此能夠抑制偏光鏡的偏光度低落 及著色。而且，能夠使液晶胞的液晶驅動安定。
在此光線透射率，係依據JIS K0115且使用分光光度計而測定。
基材薄膜係可為光學上等向性薄膜，亦可為具有光學異方性之薄膜。基材薄膜亦可為例如具有10nm以下的面內遲滯值Re之等方性膜。基材薄膜為等方性膜時，該基材薄膜的厚度方向之遲滯值Rth係以10nm以下為佳。又，基材薄膜係可為例如具有120nm~150nm的面向遲滯值Re之1/4波長板。基材薄膜為1/4波長板時，該基材薄膜的厚度方向之遲滯值Rth係以60nm~225nm為佳。
基材薄膜的面的遲滯值Re的偏差，係以10nm以內為佳，較佳為5nm以內，特佳為2nm以內。又，基材薄膜的厚度方向的遲滯值Rth之偏差，係較佳為20nm以內，較佳為15nm以內，特佳為10nm以內。藉由使用遲滯值Re及Rth的偏差落入前述的範圍，能夠使應用本發明的抗靜電膜之液晶顯示裝置的顯示品質成為良好者。
基材薄膜的揮發性成分之量係以0.1重量%以下為佳，較佳為0.05重量%以下，更佳為0.02重量%以下。藉由減少揮發性成分之量，能夠使尺寸安定性且減小遲滯值等的光學特性之經時變化。
在此，揮發性成分係分子量200以下的物質。作為揮發性成分，例如可舉出殘留單體及溶劑等。揮發性成分之量係設作分子量200以下的物質之合計，能夠藉由氣體層析法來進行分析且定量。
基材薄膜的厚度係以10μm以上為佳，較佳為20μm以上，特佳為30μm以上，以60μm以下為佳，較佳為50μm以下。藉由使基材薄膜的厚度落入前述範圍，抗靜電膜能夠薄膜化。又，基材薄膜係具備第一表面層、中間層及第二表面層時，中間層的厚度係以10μm以上且40μm以下為佳，第一表面層及第二表面層的厚度係以合計為5μm以上且20μm以下為佳。而且，從生產穩定性的觀點而言，中間層的厚度與第一表面層及第二表面層的合計厚度之比((中間層的厚度)/(第一表面層及第二表面層的合計厚度))係以1~3為佳。又，中間層的厚度之偏差，係設為全面為±2.0μm以內，因為能夠使液晶顯示裝置的影像顯示性成為良好，乃是較佳。
基材薄膜係例如能夠藉由將熱可塑性樹脂成形成為薄膜狀來製造。作為成形方法，例如能夠使用加熱熔融成形法、溶液流延法等。尤其是因為能夠使薄膜中的揮發性成分減低，以使用加熱熔融成形法為佳。加熱熔融成形法係更詳細地，例如能夠分類成為熔融擠製成形法、壓製成形法、吹塑法、射出成形法、吹氣成形法、延伸成形法等。該等之中，因為為了得到具有優異的機械強度及表面精確度等之基材薄膜，以使用熔融擠製成形法為佳。
特別是製造具備2層以上的層之複層薄膜作為基材薄膜時，係以使用共擠製法為佳，例如，具備第一表面層、中間層及第二表面層之複層結構的基材薄膜，係能夠藉由將用以形成第一表面層之熱可塑性樹脂、用以形成中間層之熱可塑性樹脂、及用以形成第二表面層之熱可塑性樹脂從模具共擠製 來製造。此種共擠製法之中，係以共擠製T型模具法為佳。又，作為共擠製T型模具法，能夠舉出供料塊方式及多歧管方式。
在共擠製T型模具法，在具有T型模具之擠製機之熱可塑性樹脂的熔融溫度，係以Tg+80℃以上為佳，較佳為Tg+100℃以上，以Tg+180℃以下為佳，較佳為Tg+150℃以下。在此「Tg」係表示熱可塑性樹脂的玻璃轉移溫度，基材薄膜係具備第一表面層、中間層及第二表面層時，係表示在第一表面層及第二表面層所含有的熱可塑性樹脂的玻璃轉移溫度。藉由使在擠製機的熔融溫度成為前述範圍的下限值以上，能夠充分地提高熱可塑性樹脂的流動性，又，藉由成為上限值以下，能夠抑制熱可塑性樹脂的劣化。
而且，在熔融擠製成形法，在擠製機之熱可塑性樹脂的溫度，較佳是在樹脂投入口為Tg~(Tg+100℃)，在擠製機出口為(Tg+50℃)~(Tg+170℃)，擠壓模溫度為(Tg+50℃)~(Tg+170℃)。
基材薄膜的製造方法，亦可包含將藉由上述的成形方法而得到的薄膜，施行延伸處理之步驟。藉由施行延伸處理，能夠使基材薄膜顯現遲滯值等的光學特性。
延伸處理係能夠按照欲使基材薄膜顯現的遲滯值而使用任意方法來進行，例如可以進行只有在一方向進行延伸處理之單軸延伸處理，亦可進行在不同2方向進行延伸處理之雙軸延伸處理。又，在雙軸延伸處理，可以進行同時在2方向進行延伸處理之同時雙軸延伸處理，亦在進行在某方向進行延伸處理之後，在另外的方向進行延伸處理之逐次雙軸延伸處 理。而且，延伸處理亦可進行在薄膜長度方向進行延伸處理之縱向延伸處理、在薄膜寬度方向進行延伸處理之延伸處理、以及在與薄膜寬度方向不平行亦不垂直的傾斜方向進行延伸處理之傾斜延伸處理之任一種，亦可將該等組合而進行。延伸處理的方式，係例如可舉出輥筒方式、漂浮法方式、拉幅機方式等。
基材薄膜係能夠作為1/4波長板的功能之薄膜時，前述的延伸處理之中，係以傾斜延伸處理為佳。將具備作為1/4波長板的基材薄膜之抗靜電膜與偏光鏡貼合而使用時，通常是係將偏光鏡的透射軸與基材薄膜的遲相軸，以不平行亦不垂直的預定角度交叉之方式貼合來進行。此時，藉由傾斜延伸處理而得到的基材薄膜，因為在對該基材薄膜的寬度方向為傾斜方向顯現遲相軸，所以不必為了貼合而將抗靜電膜裁斷成為單片，能夠有效率地藉由捲撓式法來貼合。
作為傾斜延伸處理的具體方法，能夠使用在特開昭50-83482號公報、特開平2-113920號公報、特開平3-182701號公報、特開2000-9912號公報、特開2002-86554號公報、特開2002-22944號公報等所記載之方法。又，在傾斜延伸處理能夠使用的延伸機，例如可舉出拉幅延伸機。拉幅延伸機係有橫向單軸延伸機、同時雙軸延伸機等，尤其是以能夠將長條薄膜連續地傾斜進行延伸者為佳。
延伸溫度係將在基材薄膜所含有的熱可塑性樹脂之玻璃轉移溫度Tg設作基準，以Tg-30℃以上為佳，較佳為Tg-10℃以上，以Tg+60℃以下為佳，較佳為Tg+50℃以下。
延伸倍率係以1.01倍~30倍為佳，較佳為1.01倍~10倍，更佳為1.01倍~5倍。
在基材薄膜表面，亦可按照必要而施行表面處理，例如在設置抗靜電層之側的基材薄膜面，亦可施行電漿處理、電暈處理、鹼處理、塗佈處理等的表面處理，用以與抗靜電層之接著性。
表面處理之中，係以電暈處理為佳。藉由電暈處理，能夠顯著地提高基材薄膜與抗靜電層之接著性。電暈處理時之電暈放電電子的照射量，係以1W/m2/min~1000W/m2/min為佳。施行此種電暈處理後之基材薄膜面的水接觸角，係較佳為10°~50°。水接觸角的測定，係能夠依據JIS R3257 θ/2法而測定。又，在施行電暈處理之後，為了使抗靜電層的外觀成為良好，以在形成抗靜電層之前，對施行電暈處理後之面，進行將基材薄膜除靜電為佳。
[3.抗靜電層]
抗靜電層係設置在基材薄膜上之層，含有具有導電性之金屬氧化物粒子。此時，抗靜電層係可以透過任意層而間接地設置在基材薄膜上，但是通常是直接設置在基材薄膜的表面。在抗靜電層，金屬氧化物粒子係以連結成為鏈狀之方式凝聚而形成鏈狀連結體，藉由該鏈狀連結體而形成導電路徑。因此本發明的抗靜電膜，係能夠發揮抗靜電功能。
[3.1.金屬氧化物粒子]
作為在金屬氧化物粒子所含有的金屬氧化物，例如可舉出摻雜有氧化錫；銻、氟或磷之氧化錫；氧化銦；摻雜有銻、錫 或氟之氧化銦；氧化銻；低級次氧化鈦等。特別是以摻雜有銻之氧化錫、及摻雜有銻之氧化銦為佳。又，該等係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
金屬氧化物粒子的平均粒徑，係以2nm以上為佳，較佳為4nm以上，特佳為5nm以上，以50nm以下為佳，較佳為40nm以下，特佳為10nm以下。藉由使金屬氧化物粒子的平均粒徑成為前述範圍的下限值以上，因為金屬氧化物粒子係不容易凝聚成為粒狀，所以容易使金屬氧化物粒子以連結成為鏈狀之方式凝聚。又，藉由成為上限值以下，因為能夠減小抗靜電層的霧度，所以能夠提升抗靜電層的透明性。而且，能夠容易使金屬氧化物之間連結成為鏈狀。
在此，所謂粒子的平均粒徑，係假設在藉由雷射繞射法所測定的粒徑分布為顯示正規分布時，散射強度成為最大之粒徑。
又，金屬氧化物粒子，係以使用水解性的有機矽化合物處理該粒子表面而成者為佳。經施行此種處理之金屬氧化物粒子，通常由金屬氧化物所構成之粒子本體的表面，係被有機矽化合物的水解物改性。因此，以下，有將使用水解性有機矽化合物處理金屬氧化物粒子表面稱為「改性處理」之情形。又，有將使用水解性有機矽化合物處理粒子表面後之金屬氧化物粒子稱為「改性粒子」之情形。藉由施行此種改性處理，能夠使金屬氧化物粒子的鏈狀連結成為堅固、或使金屬氧化物粒子的分散性提升。
作為水解性的有機矽化合物，例如可舉出以下述 式(1)表示之有機矽化合物。R1 aSi(OR2)4-a (1)(在式(1)，R1及R2係各自獨立且表示選自由氫原子、鹵素原子、碳原子數1~10的烴基、及碳原子數1~10的有機基所組成群組之基，a係表示0~3的整數)。
在式(1)，舉出作為R1之較佳例時，可舉出乙烯基、丙烯基、碳原子數1~8的烷基等。
又，在式(1)，舉出作為R2之較佳例時，可舉出氫原子、乙烯基、芳基、丙烯基、碳原子數1~8的烷基、-CH2OCnH2n+1(n係表示1~4的整數)等。
作為以式(1)表示之有機矽化合物，係以「a」為0或1之有機矽化合物為佳。在式(1)，「a」為0之四官能的有機矽化合物，對維持金屬氧化物粒子的連結係有效的。又，在式(1)，「a」為1之三官能的有機矽化合物，對提升連結成為鏈狀的金屬氧化物粒子在抗靜電劑中分散性係有效的。而且，在式(1)，「a」為0或1之三官能以上的有機矽化合物通常水解速度快。
又，作為以式(1)表示之有機矽化合物，係以將「a」為0之四官能的有機矽化合物與「a」為1之三官能的有機矽化合物組合而使用為佳。如此組合而使用時，四官能的有機矽化合物與三官能的有機矽化合物之莫耳比(四官能的有機矽化合物/三官能的有機矽化合物)，係以20/80以上為佳，較佳為30/70以上，以80/20以下為佳，較佳為70/30。藉由使四官能的有機矽化合物不過剩，因為能夠抑制金屬氧化物粒凝固成塊，所以容易生成鏈狀連結。又，藉由使三官能的有機矽化合 物不過剩，能夠抑制在金屬氧化物粒子的連結時生成凝膠。因此，藉由以如前述的莫耳比組合以式(1)表示之四官能的有機矽化合物及三官能的有機矽化合物，能夠使金屬氧化物粒子有效率地連結成為鏈狀。
如前述地，藉由將作為以式(1)表示的有機矽化合物之四官能的有機矽化合物及三官能的有機矽化合物組合而使用，能夠在金屬氧化物粒子之間堅固地連結成為鏈狀。雖然其理由係不明確，但是能夠如下述推測。因為金屬氧化物粒子的連結部分係活性較高，所以「a」為0之四官能的有機矽化合物係容易吸附在金屬氧化物粒子的連結部分。又，因為四官能的有機矽化合物係容易水解，在與醇的混合之同時進行水解且大量地生成Si-OH。另一方面，「a」為1之三官能的有機矽化合物，係對水的溶解度為較低，藉由與醇混合而溶解於水且進行水解。因此認為三官能的有機矽化合物，係隨後與之前吸附在金屬氧化物粒子的連結部分而水解後之四官能的有機矽化合物的Si-OH進行反應。
因此，將四官能的有機矽化合物與三官能的有機矽化合物組合而使用時，較佳是該等有機矽化合物不是同時與金屬氧化物粒子的水分散液混合，而是首先將四官能的有機矽化合物與金屬氧化物粒子的水分散液混合之後，在混合醇之同時混合三官能的有機矽化合物。
作為水解性的有機矽化合物的具體例，可舉出四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷等的四烷氧基矽烷類；甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三乙醯氧基矽烷、甲基三丙 氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、苯基三乙醯氧基矽烷、γ-氯丙基三甲氧基矽烷、γ-氯丙基三乙氧基矽烷、γ-氯丙基三丙氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、γ-(β-環氧丙氧基乙氧基)丙基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-胺丙基三甲氧基矽烷、γ-氫硫基丙基三乙氧基矽烷等的三烷氧基或三醯氧基矽烷類；二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、苯甲基二乙氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基苯基二乙氧基矽烷、γ-氯丙基甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙醯氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基甲基、二甲氧基矽烷、γ-氫硫基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-胺丙基甲基二甲氧基矽烷等的二烷氧基矽烷或二醯基矽烷類；三烷基氯矽烷等。該等係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
其次，說明改性粒子(使用水解性的有機矽化合物處理粒子表面而成之金屬氧化物粒子)的製造方法。在下述說明之製造方法，係改性粒子係能夠以分散液的狀態製造。
在改性粒子的製造方法，係準備處理對象之金屬氧化物粒子的水分散液。此時，在水分散液之金屬氧化物粒子的濃度，係以1重量%以上為佳，較佳為10重量%以上，以40重量%以下為佳。
其次，以將前述水分散液的pH調整成為2以上為 佳，較佳為2.5以上、而且，以5以下為佳，較佳為4以下。藉由使水分散液的pH成為前述範圍的下限值以上，因為能夠抑制金屬氧化物粒子的球狀凝聚，所以容易產生鏈狀連結。又，藉由成為上限值以下，金屬氧化物粒子連結成為鏈狀時，容易提高連結數。因此，因為容易使金屬氧化物粒子的平均連結數成為2以上，所以容易提升抗靜電膜的抗靜電性能。
作為調整pH之方法，可舉出使用離子交換樹脂之離子交換處理法、混合酸之方法等。作為離子交換樹脂，係以H型陽離子交換樹脂為佳。通常能夠藉由離子交換處理，而使水分散液的pH位移至酸性。又，只有離子交換樹脂處理時，pH無法充分地較低時，亦能夠按照必要而在水分散液混合酸。
又，通常，因為在離子交換處理時，亦進行脫離子處理，所以金屬氧化物粒子係容易配向成為鏈狀。
在調整pH之後，係以藉由將金屬氧化物粒子的水分散液進行濃縮或稀釋，而將該水分散液的固體成分濃度調整成為適當範圍為佳。具體而言，係以將pH調整後的水分散液之固體成分濃度調整為10重量%以上為佳，較佳為15重量%以上，而且以40重量%以下為佳，較佳為35重量%以下。藉由使金屬氧化物粒子的水分散液之固體成分濃度成為前述範圍的下限值以上，容易使金屬氧化物粒子產生鏈狀連結。因此，因為容易使金屬氧化物粒子的平均連結數增多而為3以上，所以容易使抗靜電膜的抗靜電性能提升。又，藉由成為上限值以下，能夠降低金屬氧化物粒子的水分散液之黏度且能夠藉由攪拌使其充分地進行混合。因此，能夠使金屬氧化物粒子 均勻地吸附在水解性的有機矽化合物。
隨後，將如前述地準備之金屬氧化物粒子的水分散液，與水解性的有機矽化合物混合。作為水解性的有機矽化合物，例如可舉出以前述的式(1)表示之化合物。
水解性的有機矽化合物之量，係能夠按照該有機矽化合物的種類、金屬氧化物粒子的粒徑等要素而適當地設定。金屬氧化物粒子與水解性的有機矽化合物之重量比(有機矽化合物/金屬氧化物粒子)，係以0.01以上為佳，較佳為0.02以上，以0.5以下為佳，較佳為0.3以下。使用2種類以上的有機矽化合物時，該有機矽化合物的合計量係以滿足前述重量比的範圍為佳。藉由使前述重量比成為前述範圍的下限值以上，因為能夠抑制連結成為鏈狀的金屬氧化物粒子之連結在抗靜電劑中斷掉，而能夠得到具有優異的抗靜電功能之抗靜電膜。又，因為能夠使在抗靜電劑中的金屬氧化物粒子之分散性提升、或使抗靜電劑的黏度降低、或使抗靜電劑的經時安定性成為良好，所以能夠降低抗靜電層的霧度。又，因為藉由使重量比成為前述範圍的上限值以下，能夠抑制將金屬氧化物粒子表面改性之有機矽化合物的水解物層變為太厚，所以能夠減少抗靜電層的表面電阻值。
又，在此說明之改性粒子的製造方法，係藉由將金屬氧化物粒子的水分散液與醇混合而將水解性的有機矽化合物進行水解之步驟。該步驟係通常在將金屬氧化物粒子的水分散液與水解性的有機矽化合物混合之步驟之後進行。但是，如前述地將四官能的有機矽化合物與三官能的有機矽化合物 組合而使用時，係以將四官能的有機矽化合物與金屬氧化物粒子的水分散液混合之後，在該水分散液混合醇為佳。而且，此時係較佳是在如前述地將金屬氧化物粒子的水分散液與醇混合之同時或隨後，將三官能的有機矽化合物與金屬氧化物粒子的水分散液混合。
作為醇，例如可舉出甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、丁醇等。該等醇係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。又，亦可與前述的醇組合而使用乙二醇一甲醚、乙二醇一乙醚、乙二醇一丁醚、丙二醇一甲醚、丙二醇一乙醚等的有機溶劑。
醇的量，係以與醇混合後的金屬氧化物粒子之水分散液的固體成分濃度落入所需要的範圍之方式調整為佳。在此，水分散液的固體成分濃度之所需要的範圍，係以3重量%以上為佳，較佳為5重量%以上，以30重量%以下為佳，較佳為25重量%以下。又，所謂前述的水分散液之固體成分濃度，係表示含有有機矽化合物之總固體成分，又，有機矽化合物為氧化矽換算。
水解時的溫度係以30℃以上為佳，較佳為40℃以上。水解時的溫度之上限，係通常為使用溶劑的沸點(大致100℃)以下。藉由使水解時的溫度成為前述的下限值以上，能夠使水解所需要的時間縮短，或能夠抑制殘留水解性的有機矽化合物，又，藉由成為上限值以下，因為能夠使所得到的改性粒子之安定性成為良好，所以能夠抑制粒子過剩的凝聚。
而且，亦可按照必要而在金屬氧化物粒子的水分 散液混合酸作為水解觸媒。作為酸，例如可舉出鹽酸、硝酸、乙酸、磷酸。又，酸係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
將有機矽化合物進行水解時的操作，其較佳具體例係如以下。
首先，將在式(1)之「a」為0之四官能的有機矽化合物與金屬氧化物粒子的水分散液混合，將該水分散液與醇混合而進行四官能的有機矽化合物的水解。隨後，將水分散液冷卻至室溫且按照必要而再次與前述醇。隨後，將在式(1)之「a」為1之三官能的有機矽化合物與前述的水分散液混合，升溫至適合前述水解之溫度而進行水解。藉此，能夠藉由四官能的有機矽化合物的水解物而維持金屬氧化物粒子的鏈狀連結。而且，因為能夠促進二官能的有機矽化合物的水解物鍵結在金屬氧化物粒子表面，所以能夠提升金屬氧化物粒子的分散性。
藉由如前述地將有機矽化合物水解，能夠藉由有機矽化合物的水解物將金屬氧化物粒子表面改性而得到改性粒子。在剛進行水解後，前述改性粒子係能夠以分散在水等的溶劑之分散液的狀態而得到。該改性粒子的分散液，係能夠直接使用於調製抗靜電劑，亦可按照必要而施行洗淨處理或脫離子處理。藉由脫離子處理而使離子濃度降低，能夠得到具有優異的安定性之改性粒子的分散液。該脫離子處理係例如能夠使用陽離子交換樹脂、陰離子交換樹脂、兩離子交換樹脂等的離子交換樹脂而進行。又，洗淨處理係例如能夠使用超濾膜法等而進行。
而且，所得到的改性粒子的分散液，亦可按照必要進行溶劑取代之後而使用。進行溶劑取代時，對後述的黏結劑聚合物及極性溶劑之分散性提升。因此能夠提升抗靜電劑的塗佈性。因而，能夠使抗靜電層的表面之平滑性成為良好、或抑制在抗靜電層產生筋條及不均等外觀上的缺陷。而且能夠使抗靜電層的耐擦傷性、透明性、密著性提升、或是使霧度減小。又，能夠使抗靜電膜的製造可靠性提升。
又，所得到的改性粒子之分散液，亦可按照必要與水混合而使用。藉由與水混合，通常，改性粒子的連結數増加且所得到的抗靜電層之導電性提升。因此，因為能夠得到大致具有102Ω/□~1012Ω/□的表面電阻值之抗靜電層，所以能夠得到具有優異的抗靜電性之抗靜電膜。
上述具有導電性之金屬氧化物粒子(該金屬氧化物粒子係含有改性粒子)，係通常在含有該金屬氧化物粒子之分散液或抗靜電劑中，連結成為鏈狀。而且，因為此種連結係即便在抗靜電層亦能夠維持，所以藉由所連結的金屬氧化物粒子而在抗靜電層形成導電路徑。因此，推測抗靜電層係能夠發揮優異的抗靜電性。又，因為金屬氧化物粒子不是凝聚成為粒狀，而是以連結成為鏈狀之方式凝聚，所以金屬氧化物粒子係不容易形成能夠產生可見光線散射程度之較大的凝聚塊。推測因此而能夠降低含有此種金屬氧化物粒子之抗靜電層的霧度。但是，本發明不受前述的推測限制。
金屬氧化物粒子的平均連結數，係以2個以上，較佳為3個以上，特佳為5個以上。藉由使金屬氧化物粒子的 平均連結數成為前述下限值以上，能夠提高抗靜電層的抗靜電性能。金屬氧化物粒子的平均連結數之上限，係以20個以下為佳，較佳為10個以下。藉由使金屬氧化物粒子的平均連結數成為前述上限值以下，能夠容易地進行製造連結成為鏈狀的金屬氧化物粒子。
在此，金屬氧化物粒子的平均連結數係能夠得到下述的方法來測定。
使用透射型電子顯微鏡拍攝金屬氧化物粒子的鏈狀連結體的照相。從該照相，針對金屬氧化物粒子的鏈狀連結體100個，各自求取在鏈狀連結體之連結數。然後，計算各鏈狀連結體的連結數之平均值且將小數點以下1位進行四捨五入而得到金屬氧化物粒子的平均連結數。
在抗靜電層，金屬氧化物粒子的量係以3重量%以上為佳，較佳為5重量%以上，特佳為10重量%以上，以50重量%以下為佳，較佳為30重量%以下，特佳為20重量%以下。藉由使金屬氧化物粒子的量成為前述範圍的下限值以上，能夠減少抗靜電層的表面電阻值而使抗靜電性能成為良好。又，藉由成為上限值以下，因為能夠減少抗靜電層的霧度，所以能夠提升抗靜電膜的透明性。
[3.2.黏結劑聚合物]
抗靜電層係除了金屬氧化物粒子以外，通常亦含有黏結劑聚合物。藉由黏結劑聚合物，能夠在抗靜電層保持金屬氧化物粒子。
作為黏結劑聚合物，係以將聚合性單體聚合而得 到之聚合物為佳，其中該聚合性單體係含有50重量%以上之在1分子中具有3個以上的(甲基)丙烯醯基之化合物。藉由將此種聚合物使用作為黏結劑聚合物，能夠有效地降低抗靜電層的表面電阻值。
作為在1分子中具有3個以上的(甲基)丙烯醯基之化合物，例如可舉出新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等。
又，在1分子中具有3個以上的(甲基)丙烯醯基之化合物，係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用，例如亦可將新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯及新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯的組合、以及二新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇五(甲基)丙烯酸酯及二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯的組合使用作為用以得到黏結劑聚合物之聚合性單體。
上述的聚合性單體之中，係使用含有1分子中具有4個(甲基)丙烯醯基之化合物、具有5個(甲基)丙烯醯基之化合物、及具有6個(甲基)丙烯醯基之化合物合計80重量%以上之聚合性單體為佳。
又，作為用以得到黏結劑聚合物之聚合性單體，亦可將如前述之在1分子中具有3個以上的(甲基)丙烯醯基之化合物組合而使用任意單體化合物。作為此種任意單體化合物，例如可舉出三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯等3官能的(甲基)丙烯酸酯類；乙二醇二丙烯酸酯、乙二醇二甲基丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、甲 基丙烯酸烯丙酯、酞酸二烯丙基、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、甘油二烯丙醚、聚乙二醇二甲基丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯等的多官能不飽和單體類；雙苯氧基乙醇茀二丙烯酸酯、丙烯酸環己酯[5,5’-(9-茀-9-亞基)雙(1,1’-聯苯基)-2-(聚氧伸乙基)酯]、丙烯酸環己酯[5,5’-4-(1,1’-聯苯基)亞甲雙(1,1’-聯苯基)-2-(聚氧伸乙基)酯]等具有芳香環及(甲基)丙烯醯基之化合物類；(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸己酯、環(甲基)丙烯酸己酯、2-乙基(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯等碳原子數1~30的(甲基)丙烯酸烷酯類之丙烯酸系不飽和單體類等。又，該等係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
又，作為任意單體化合物，係使用聚合性單體的總量中的0.01重量%~5重量%之具有羧基與聚合性的碳-碳雙鍵之化合物時，因為能夠使抗靜電層的表面電阻值有效地降低，乃是較佳。作為具有前述的羧基與聚合性的碳-碳雙鍵之化合物，例如可舉出丙烯酸；甲基丙烯酸；巴豆酸；反丁烯二酸；伊康酸；己二烯二酸(muconic acid)；順丁烯二酸酐與一元醇的半酯類；二新戊四醇五丙烯酸酯及新戊四醇三丙烯酸酯等具有羥基之丙烯酸酯類中的羥基的一部分係附加在丙烯酸的碳-碳雙鍵而成之化合物；二新戊四醇五丙烯酸酯及新戊四醇三丙烯酸酯等具有羥基之丙烯酸酯類中的羥基與二羧酸或羧酸酐反應而成之化合物等。該等係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
聚合性單體其含有50重量%以上之在1分子中具有3個以上的(甲基)丙烯醯基之化合物，該聚合性單體的酸價係以0.01mgKOH/g~0.5mgKOH/g為佳。藉由使用以得到黏結劑聚合物之聚合性單體的酸價成為前述範圍的下限值以上，能夠有效地使抗靜電層的表面電阻值成為較低，又，藉由成為上限值以下，能夠使抗靜電劑的安定性成為良好。
聚合性單體的酸價，係能夠依據JIS K0070(化學製品的酸價、皂化價、酯價、碘價、羥值及不皂化物的試驗方法)且在指示藥使用溴瑞香草酚(bromothymol)而測定。
在抗靜電層，黏結劑聚合物的量係以50重量%以上為佳，較佳為60重量%以上，特佳為70重量%以上，以100重量%以下為佳，較佳為95重量%以下，特佳為90重量%以下。藉由使黏結劑聚合物的量成為前述範圍，能夠提高抗靜電層與基材薄膜之接著性，而且能夠使金屬氧化物粒子在抗靜電層中之分散性提升。又，能夠使抗靜電層的厚度成為均勻。
[3.3.任意成分]
只要不顯著地損害本發明的效果，抗靜電層係除了金屬氧化物粒子及黏結劑聚合物以外，亦能夠含有任意成分。又，任意成分係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
[3.4.抗靜電層的製造方法]
抗靜電層係能夠將含有金屬氧化物粒子之抗靜電劑塗佈在前述基材薄膜上而形成。又，因為在塗佈時點之抗靜電劑係通常為流體狀，所以將抗靜電劑塗佈在基材薄膜上之後，係以 進行使塗佈後的抗靜電劑之膜硬化之步驟為佳。以下，作為該抗靜電層的製造方法之例子，係說明含有將聚合性單體聚合而得到的聚合物作為黏結劑聚合物之抗靜電層的較佳製造方法，其中該聚合性單體係含有在1分子中具有3個以上的(甲基)丙烯醯基之化合物50重量%以上。
在本例所揭示的抗靜電層之製造方法，係首先準備抗靜電劑。作為該抗靜電劑，在本例係使用金屬氧化物粒子、及用以得到黏結劑聚合物之聚合性單體。又，作為該聚合性單體，係使用含有50重量以上之在1分子中具有3個以上的(甲基)丙烯醯基之化合物之聚合性單體。
前述的聚合性單體，係通常能夠藉由照射紫外線等的活性能量線而聚合。因而，抗靜電劑係以含有光聚合起始劑為佳。作為光聚合起始劑，例如，可舉出苯偶姻衍生物、苄基縮酮類、α-羥基苯乙酮類、α-胺基苯乙酮類、醯基氧化膦類、鄰醯基肟類等。又，作為市售的光聚合起始劑，例如可舉出苯并苯酚/胺、米其勒酮/苯并苯酚、噻噸酮(thioxanthone)/胺等的組合(商品名：IRGACURE、DAROCUR等、CIBA-GEIGY公司製)等。光聚合起始劑係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
相對於聚合性單體100重量份，光聚合起始劑的量係以1重量份以上為佳，較佳為2重量份以上，特佳為3重量份以上，以20重量份以下為佳，較佳為10重量份以下，特佳為5重量份以下。藉由使光聚合起始劑的量成為前述範圍，聚合性單體能夠效率良好地進行聚合，而且能夠避免光聚合起 始劑過剩地混合，而且能夠抑制起因於未反應的光聚合起始劑之抗靜電層產生黃變和膜物性產生變化。
抗靜電劑係能夠含有溶劑。作為溶劑，係以能夠將聚合性單體溶解且容易地揮發者為佳。作為此種溶劑，例如可舉出水；甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、異丙醇、二丙酮醇、糠醇、四氫糠醇、乙二醇、己二醇、異丙醇等的醇類類；乙酸甲酯、乙酸乙酯等的酯類；二乙醚、乙二醇一甲醚、乙二醇一乙醚、乙二醇一丁醚、二乙二醇一甲醚、二乙二醇一乙醚、丙二醇一甲醚、四氫呋喃等的醚類；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基醇、乙醯丙酮、乙醯乙酸酯、環己酮等的酮類；甲基賽路蘇、乙基賽路蘇、丁基賽路蘇等的賽路蘇類；甲苯、二甲苯等的芳香族化合物；異佛爾酮等。又，溶劑係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
前述的溶劑之中，係以親水性的溶劑為佳。藉由使用親水性的溶劑，係塗佈抗靜電劑時，能夠抑制因吸收空氣中的水分所致之白化。具體而言，係以乙醇、甲醇、異丙醇(IPA)的混合溶劑為佳。
而且，前述溶劑之中，因為所塗佈的抗靜電劑之膜表面的平坦性提升，以二丙酮醇、環己酮及乙醯丙酮為佳。
又，以含有水的分散液之狀態準備金屬氧化物粒子時，作為抗靜電劑的溶劑，係以用具有水溶性之溶劑為佳。
溶劑的量，係以抗靜電劑的固體成分濃度為落入所需要的範圍之方式設定為佳。在此，抗靜電劑的固體成分濃度，係以10重量%以上為佳，較佳為20重量%以上，特佳為 30重量%以上，以70重量%以下為佳，較佳為55重量%以下。藉由使抗靜電劑之固體成分濃度落入前述範圍，容易使抗靜電層的厚度落入適當範圍且容易製造具有充分的抗靜電性能之抗靜電層。而且，因為通常能夠降低抗靜電層的霧度，所以能夠使抗靜電膜的透明性成為良好。又，通常能夠抑制抗靜電層的龜裂、基材薄膜的翹曲。而且，因為能夠降低抗靜電劑的黏度，所以能夠使抗靜電劑的塗佈性成為良好。因此，能夠提高抗靜電層的表面平坦性且能夠抑制產生線條不均。
而且，抗靜電劑亦可含有抗靜電層能夠含有之任意成分。
抗靜電劑係能夠藉由使用適當的混合裝置將抗靜電劑所含有的各成分進行混合來得到。作為混合裝置，例如可舉出均質混合機等。
在準備抗靜電劑之後，係將該抗靜電劑塗佈在基材薄膜上而在基材薄膜上形成抗靜電劑膜。然後，按照必要而藉由乾燥將溶劑從抗靜電劑膜除去之後，藉由照射紫外線等的活性能量線，使聚合性單體聚合且使抗靜電劑膜硬化而得到抗靜電層。
作為塗佈方法，例如可舉出棒塗佈法、縫口塗佈法、旋轉塗佈法、輥塗佈法、簾流塗佈法、網版印刷法等。
抗靜電劑的塗佈，係以在預定相對濕度的環境進行為佳。前述塗佈時之具體的相對濕度，係以40%RH以上為佳，較佳為45%RH以上，更佳為50%RH以上，特佳為52%RH以上，以65%RH以下為佳，較佳為60%RH以下，更佳為58%RH 以下，特佳為57%RH以下。藉由使塗佈時的環境之相對濕度成為前述範圍的下限值以上，因為能夠使金屬氧化物粒子凝聚且充分地連結成為鏈狀，所以能夠有效地降低抗靜電層的表面電阻值。而且，藉由使塗佈時的環境之相對濕度成為前述範圍的下限值以上，能夠抑制因基材薄膜的帶電所致之放電、因帶電不均所致之塗佈不均。又，藉由使塗佈時的環境之相對濕度成為前述範圍的上限值以下，因為能夠抑制金屬氧化物粒子過剩地凝聚，所以能夠抑制抗靜電層的斷裂及霧度不均。
在此，具體地說明使塗佈時的環境之相對濕度成為前述範圍的上限值以下之意義。
通常，在基材上塗佈含有溶劑之塗料而形成塗料膜時，由於剛塗佈後的溶劑揮發，對應溶劑氣化熱的熱量被從基材奪去，致使塗料膜表面有產生結露之情形。此種現象係被稱為「泛白(blushing)」，在該產生泛白的部分，有看起來為白化之情形。
如前述的泛白，係假設在基材薄膜上所形成的抗靜電劑膜生成時，在產生該泛白的部分之抗靜電劑膜所含有的金屬氧化物粒子，係有過剩地進行凝聚之可能性。金屬氧化物粒子過剩地進行凝聚時，有在抗靜電層產生斷裂、或在抗靜電層產生霧度不均之情形。
又，如前述的泛白之影響，係容易在抗靜電劑膜接觸外氣的面積為較廣濶的部分產生。這是因為接觸外氣之面積為較大時，冷卻係迅速地開始，因此容易產生結露之緣故。
通常在抗靜電層膜的端部附近，不僅是抗靜電劑膜的上面，而且在端面之抗靜電層亦與外氣接觸。因此在該抗靜電劑 膜的端部附近，因為抗靜電劑膜係以大面積接觸外氣而迅速地開始冷卻，所以容易冷卻容易且容易產生結露。因而，在該抗靜電層膜的端部附近，受到、前述泛白的影響而特別容易產生抗靜電層斷裂及霧度不均。
相對於此，使塗佈時的環境之相對濕度成為前述範圍的上限值以下時，能夠抑制產生如前述的泛白。因此在包含抗靜電層的端部附近之層整體，係能夠容易地抑制抗靜電層斷裂及霧度不均。如此，就能夠實現均勻的抗靜電層而言，藉由使塗佈時的環境之相對濕度成為前述範圍的上限值以下，來抑制因泛白所致之導電性粒子產生凝聚且抑制抗靜電層的斷裂及霧度不均，係具有意義的。
如前述地將抗靜電劑塗佈基材薄膜上之後，係按照必要而藉由乾燥將溶劑從抗靜電劑膜除去。乾燥時的溫度及壓力係能夠按照抗靜電層的材料種類、溶劑種類、抗靜電層厚度等的條件而適當地設定。
隨後，對抗靜電劑膜照射活性能量線。藉此，因為聚合性單體聚合且抗靜電劑膜硬化，所以能夠得到含有金屬氧化物粒子及黏結劑聚合物之抗靜電層。活性能量線的波長、照射量等的照射條件係能夠按照抗靜電層的材料種類、抗靜電層厚度等的條件而適當地設定。
[3.5.抗靜電層的結構及尺寸]
第2圖係示意性地顯示本發明的抗靜電膜的一個例子之平面圖。
如前述地，本發明的抗靜電膜100所具備之抗靜電層 120，係即便在基材薄膜110上塗佈抗靜電劑而形成時，亦能夠抑制泛白引起金屬氧化物粒子過剩地凝聚之影響。因此該抗靜電層120，係能夠減少抗靜電層120在塗佈寬度方向X之兩端部附近的區域121及122之斷裂數量。
在此，所謂抗靜電層120的塗佈寬度方向X，係指抗靜電層120的面內方向，且與在塗佈用以形成抗靜電層120的抗靜電劑之步驟之塗佈方向Y垂直的方向。基材薄膜110為長條薄膜時，該塗佈寬度方向X，通常係表示與基材薄膜110的寬度方向平行的方向。
又，所謂抗靜電層120的塗佈寬度方向X之兩端部附近的區域121及122，係表示從抗靜電層120的塗佈寬度方向X的端部120L及120R起算50mm以內的兩區域。亦即，所謂前述的區域121及122，係表示從抗靜電層120的塗佈寬度方向X的端部120L及120R開始連續之寬度W121、及W122為50mm的區域。
如前述地，抗靜電劑塗佈時的泛白，係通常容易在抗靜電劑膜的端部附近產生。因為該抗靜電劑膜的端部之附近，係相當於抗靜電層120的塗佈寬度方向X的兩端部附近的區域121及122，所以在該區域121及122，抗靜電層120係有容易產生斷裂之傾向。但是如上述，藉由適當地調整在抗靜電劑的塗佈環境之相對濕度，能夠減少在如此容易產生斷裂的區域121及122之斷裂數量。
具體而言，在從抗靜電層120的塗佈寬度方向X的端部起算50mm以內的區域121及122，5mm2以上的面積之 抗靜電層120的斷裂數量，係前述兩區域121及122的長度每1m，以小於10個為佳，較佳為5個以下，特佳為2個以下。藉此，因為能夠在抗靜電膜的整體減少霧度值，所以能夠提高抗靜電膜的透明性。又，能夠在抗靜電膜的整體使抗靜電層的表面電阻值落入預定範圍。
抗靜電層120的斷裂數量，係能夠使用下述的方法來測定。
藉由顯微鏡觀察從抗靜電層120的塗佈寬度方向X的端部起算50mm以內的區域121及122。然後，測定在顯微鏡視野內之斷裂的面積。此時，斷裂係具有5mm2以上的面積時，係計算作為1個斷裂。在前述的區域121及122的塗佈方向Y且長度1m的範圍進行進行該操作，來測定兩區域121及122的長度每1m之斷裂數量。
抗靜電層亦可具有具備2層以上的層之複層結構，但是以具有只由1層所構成之單層結構為佳。藉由抗靜電層為具有單層結構，能夠容易地製造抗靜電層，而且能夠使抗靜電膜的厚度成為較薄。
抗靜電層的厚度係以1.5μm以上為佳，較佳為2μm以上，更佳為3μm以上，特佳為4μm以上，以10.0μm以下為佳，較佳為8μm以下，更佳為7μm以下，特佳為6μm以下。藉由使抗靜電層的厚度落入前述範圍，能夠抑制抗靜電膜的卷曲、或能夠降低抗靜電層的表面電阻值。而且，通常能夠使抗靜電層的耐擦傷性成為良好。
抗靜電層的厚度，係能夠使用干渉式膜厚計(Filmetrics公 司製「F20膜厚測定系統」)來測定。
抗靜電層的厚度與基材薄膜的厚度之比(抗靜電層/基材薄膜)，係以1/50以上為佳，較佳為1/25以上，特佳為1/12以上，以3/10以下為佳，較佳為1/5以下，特佳為3/25以下。藉由使抗靜電層的厚度與基材薄膜的厚度之比落入前述範圍，能夠穩定地抑制抗靜電膜的卷曲。
[3.6.抗靜電層的物性]
抗靜電層的表面電阻值係通常為1.0×106Ω/□以上，以1.0×107Ω/□以上為佳，較佳為1.0×108Ω/□以上，通常為1.0×1010Ω/□以下，以5.0×109Ω/□以下為佳，較佳為1.0×109Ω/□以下。藉由抗靜電層係具有此種表面電阻值，能夠提高抗靜電膜的抗靜電性。因此，在將抗靜電膜納入具備內嵌式的觸控面板之液晶顯示裝置時，能夠抑制在觸控面板的操作時因帶電所產生的液晶驅動不均。
表面電阻值係能夠依據JIS K6911且使用數位超絕緣/微少電流計(日置電氣公司製「DSM-8104」)而測定。
抗靜電層的折射率，係以1.500以上為佳，較佳為1.510以上，更佳為1.515以上，特佳為1.520以上，以1.550以下為佳，較佳為1.540以下，更佳為1.535以下，特佳為1.530以下。藉由使抗靜電層的折射率落入前述範圍，能夠使抗靜電層的折射率落入與基材薄膜的折射率同樣的範圍。藉此，因為不容易視認抗靜電層的塗佈不均及光點不均，所以能夠使抗靜電膜的外觀成為良好。
抗靜電層的折射率，係使用折射率膜厚測定裝置(Metricon 公司製「prism coupler」)且將在波長407nm、波長532nm、及波長633nm的3波長所測得的值作為基礎，而進行柯西擬合(Cauchy Fitting)所求取之在波長550nm的數值。
抗靜電層表面的水接觸角係以70°~90°為佳。藉由抗靜電層表面的水接觸角為該範圍，在將抗靜電膜使用接著劑接著時，能夠抑制接著劑產生收縮斑。因此例如在製造液晶顯示裝置時，使用層間接著劑填補具備抗靜電膜之偏光板與觸控面板之間時，能夠抑制層間接著劑與偏光板之間產生收縮斑。在此，水接觸角係能夠依據JIS R3257 θ/2法而測定。
抗靜電層的JIS鉛筆硬度係以B以上為佳，較佳為HB以上，特佳為H以上。藉由提高抗靜電層的JIS鉛筆硬度，因為能夠使抗靜電層作為硬塗層之功能，能夠提升抗靜電膜的耐擦傷性。在此，JIS鉛筆硬度係依據JIS K5600-5-4而將各種硬度的鉛筆傾斜45°，而且從上面施加500g重的荷重而刮擦層的表面且為開始損傷之鉛筆的硬度。
抗靜電層的耐擦傷性係使用以下的方法來進行評價。使鋼絲絨#0000在抗靜電膜的抗靜電層表面10往復。前述鋼絲絨的往復，係在對鋼絲絨1cm2四方施加10gf、50gf、100gf至500gf至荷重的狀態下進行。目視觀察往復之後的表面狀態且求取無法觀察到傷痕之荷重。
無法觀察到傷痕之荷重係以10gf以上為佳，較佳為50gf以上，特佳為100gf以上。藉由提高抗靜電層的耐擦傷性，能夠抑制在偏光板化等的加工步驟之不小心的外在因素所引起的損傷。
[4.任意的層]
本發明的抗靜電膜，係能夠與基材薄膜及抗靜電層組合而具備任意的層。
例如抗靜電膜亦可在抗靜電層上具備抗反射層。
又，抗靜電膜亦可在與抗靜電層相反側的基材薄膜面具備易接著層。
[5.抗靜電膜的物性及形狀]
本發明的抗靜電膜係具備具有預定範圍的表面電阻值之抗靜電層，而且具有較低的霧度值。因此在抗靜電性及透明性之雙方均能夠發揮優異的性能。
抗靜電膜的霧度值係具體而言，通常為0.3%以下，以0.2%以下為佳，較佳為0.1%以下，特佳為0.05%以下。藉由抗靜電膜係具有此種範圍的霧度值，在具備該抗靜電膜之液晶顯示裝置，能夠抑制霧度所致之影像視認性低落且能夠顯示鮮明的影像。
抗靜電膜的霧度值，係能夠依據JIS K7136而使用霧度計(東洋精機公司製「Haze Guard II)來測定。
本發明的抗靜電膜的透射色相L*，係以94以上為佳，較佳為94.5以上，更佳為94.7以上，特佳為95.0以上，以97以下為佳，較佳為96.5以下，更佳為96.3以下，特佳為96.0以下。藉由使抗靜電膜的透射色相L*落入前述範圍，在具備該抗靜電膜之液晶顯示裝置，能夠使影像視認性成為良好。
前述的透射色相L*係在L*a*b*表色系之座標L*。抗靜電 膜的透射色相L*，係能夠藉由分光光度計(日本分光公司製「V-7200」)且使用C光源來測定。
本發明的抗靜電膜的總光線透射率，係以85%以上為佳，較佳為86%以上，特佳為88%以上。
抗靜電膜的總光線透射率，係能夠使用紫外．可見分光計且在波長380nm~780nm的範圍進行測定。
本發明的抗靜電膜係可為長條薄膜，亦可為單片的薄膜。通常從提高製造效率的觀點而言，抗靜電膜係能夠以長條薄膜的方式製造。又，製造單片的抗靜電膜時，通常係藉由將長條抗靜電膜切取成為所需要的形狀，來製造單片的抗靜電膜。
[6.液晶顯示裝置]
本發明的抗靜電膜，係以設置在液晶顯示裝置為佳。具備本發明的抗靜電膜之液晶顯示裝置，係通常具備：液晶胞；設置在液晶胞的視認側之偏光鏡；及設置在偏光鏡的視認側之抗靜電膜。又，此時，抗靜電膜係以依照靠近偏光鏡之順序，具備基材薄膜及抗靜電層之方式設置為佳。作為較佳液晶顯示裝置的一個例子，可舉出從液晶胞側朝向視認側(使用者視認影像之側)，依照以下的順序具備液晶胞、任意偏光板保護膜、偏光鏡及抗靜電膜之液晶顯示裝置。
因為本發明的抗靜電膜係具有優異的透明性及抗靜電性，所以前述的液晶顯示裝置，係邊將該液晶顯示裝置所顯示之影像維持鮮明，邊能夠使液晶胞的液晶分子之驅動控制安定化。又，相較於具備由三乙酸纖維素等的材料所構成之偏 光板保護膜之先前的液晶顯示裝置，因為抗靜電膜的基材薄膜係由含有含脂環式結構的聚合物之熱可塑性樹脂所構成，所以能夠使耐熱性及耐濕性成為良好。而且，因為此種抗靜電膜在貼合時，不必使用水系的接著劑，所以能夠抑制在高溫高濕下的耐久試驗之品質低落。又，特別是抗靜電膜的基材薄膜係含有紫外線吸收劑時，能夠保護液晶胞及偏光鏡等的構成構件，避免在製造液晶顯示裝置時蒙受紫外線之影響，及在使用液晶顯示裝置時蒙受外光中的紫外線之影響。
作為液晶胞，能夠使用TN方式、VA方式、IPS方式等任意的方式。其中，IPS方式的液晶胞，因為視野角改變時液晶顯示之顯示顏色不改變，乃是較佳。又，將液晶顯示裝置使用作為觸控面板感測器時，為了減低液晶顯示裝置整體的厚度，亦可使用內嵌式的液晶胞。
作為偏光鏡，係能夠使用任意物。作為偏光鏡，通常能夠藉由在聚乙烯醇系薄膜摻合碘等之後，進行延伸加工來得到。
通常，抗靜電膜之基材薄膜係設置在比抗靜電層更靠近液晶胞的方向。又，特別是抗靜電膜的基材薄膜為1/4波長板時，係以抗靜電膜的基材薄膜的遲相軸對偏光鏡的透射軸為構成預定角度0之方式配置為佳。前述的角度0係具體而言，以40°以上為佳，較佳為43°以上，以50°以下為佳，較佳為48°以下，特佳是45°±1°的範圍內之角度。藉由如此地配置，因為能夠使透射液晶胞及偏光鏡且抗靜電膜而進行之偏光轉換成為圓偏光或橢圓偏光，所以即便液晶顯示裝置的 使用者係在配戴有偏光太陽眼鏡之狀態下，亦能夠視認顯示內容。
作為任意偏光板保護膜，亦可使用在光學上等向的等方性薄膜，亦可使用具有所需要的遲滯值之相位差膜。使用相位差膜作為偏光板保護膜時，其相位差膜係能夠發揮光學補償功能而改善視野角依存性、或是補償斜視時偏光鏡的漏光現象而改善液晶顯示裝置的視野角特性。作為此種相位差膜，例如能夠使用縱向單軸延伸膜、橫向單軸延伸膜、縱橫向雙軸延伸膜、使液晶性化合物聚合而成之相位差膜等。作為相位差膜的具體例，可舉出將由環烯烴樹脂等的熱可塑性樹脂所構成之熱可塑性樹脂膜進行單軸延伸或雙軸延伸而成者。又，作為市售的熱可塑性樹脂膜，例如可舉出日本ZEON公司製的「ZeonorFlim」；積水化學工業公司製的「S-SINA」及「SCA40」；JSR公司製的「ARTONFILM」等。
如液晶胞、偏光板保護膜、偏光鏡及抗靜電膜之液晶顯示裝置的構成構件，亦可被貼合而一體化，例如，亦可將偏光板保護膜、偏光鏡及抗靜電膜貼合而成為單一的偏光板。又，亦可將該偏光板與液晶胞貼合而將偏光板固定在液晶胞。此時，亦可藉由適當的接著劑層而將前述的構成構件貼合；亦可使用構件表面的電漿處理等的方法而直接貼合。
作為接著劑，係能夠使用任意的接著劑，例如能夠使用橡膠系、氟系、丙烯酸系、聚乙烯醇系、聚胺脂系、聚矽氧系、聚酯系、聚醯胺系、聚醚系、環氧系等的接著劑。又，該等接著劑係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類 以上而使用。尤其是在偏光鏡與抗靜電膜之間，較佳是設置例如丙烯酸系接著劑層之紫外線硬化型的接著劑層，而且藉由該紫外線硬化型的接著劑層將偏光鏡與抗靜電膜貼合。藉此，因為能夠減小水分對偏光鏡之影響，所以能夠抑制偏光鏡劣化。此時，接著劑層的膜厚係以0.1μm以上且2.0μm以下為佳。
[實施例]
以下，揭示實施例而具體地說明本發明。但是，本發明係不被以下所揭示的實施側限定，在不脫離本發明的申請專利範圍及其均等的範圍之範圍，能夠任意地變更而實施。在以下的說明，表示量之「%」及「份」，係只要未預先告知，就是重量基準。又，在以下說明之操作，係只要未預先告知，就是在常溫及再壓的條件下進行。
[評價方法]
(金屬氧化物粒子的平均連結數之測定方法)
使用透射型電子顯微鏡拍攝金屬氧化物粒子的鏈狀連結體之照相。從該照相針對金屬氧化物粒子的鏈狀連結體100個，各自求取在鏈狀連結體之連結數，計算其平均值且將小數點以下1位進行四捨五入而求取金屬氧化物粒子的平均連結數。
(基材薄膜的厚度之測定方法)
基材薄膜的厚度，係使用接觸式膜厚計(Mitutoyo公司製「Dial Gauge」)而測定。
(在基材薄膜的測定波長380nm之光線透射率的測定方法)
在基材薄膜的測定波長380nm之光線透射率，係使用分光光度計(日本分光公司製「V-7200」)測定。
(抗靜電層的表面電阻值之測定方法)
將抗靜電膜切取10cm×10cm的正方形而得到試料薄膜。依據JIS K6911且使用數位超絕緣/微少電流計(日置電氣公司製「DSM-8104」)而測定在該試料薄膜的抗靜電層側的面之表面電阻值。
(抗靜電膜的霧度值之測定方法)
抗靜電膜的霧度值係依據JIS K7136且使用霧度計(東洋精機公司製「Haze Guard II)而測定。
(抗靜電層的厚度之測定方法)
抗靜電層的厚度係使用干渉式膜厚計(Filmetrics公司製「F20膜厚測定系統」)而測定。
(抗靜電膜的透射色相L*之測定方法)
抗靜電膜的透射色相L*，係使用分光光度計(日本分光公司製「V-7200」)且使用C光源而測定。
(抗靜電層的折射率之測定方法)
抗靜電層的折射率，係使用折射率膜厚測定裝置(Metricon公司製「Prism coupler」)且將在波長407nm、波長532nm、及波長633nm的3波長所測得的值作為基礎，而進行柯西擬合所求取之在波長550nm的數值。
(抗靜電層的斷裂數量之測定方法)
藉由顯微鏡觀察從抗靜電層的塗佈寬度方向的端部起算50mm以內的區域。然後，測定在顯微鏡視野內之斷裂的面積。 此時，斷裂係具有5mm2以上的面積時，係計算作為1個斷裂。在前述的區域的塗佈方向且長度1m的範圍進行進行該操作，來測定兩區域長度每1m之斷裂數量。
(液晶顯示裝置的影像的視認性之評價方法)
通過偏光太陽眼鏡而觀察液晶顯示裝置的顯示面。此時，影像不模糊而能夠視認時，影像的視認性特別良好而判定為「3」。又，能夠觀察到若干模糊時，影像的視認性良好而判定為「2」。而且，能夠觀察到模糊或顯示不均時，影像的視認性不良而判定為「1」。
(液晶顯示裝置的液晶驅動安定性之評價方法)
操作液晶顯示裝置的觸控面板。此時，不產生液晶驅動擾亂而能夠視認影像時，液晶驅動安定性特別良好而判定為「3」。又，稀少地產生液晶驅動擾亂時，液晶驅動安定性良好而判定為「2」。而且，能夠觀察到影像擾亂而顯示不均時，液晶驅動安定性不良而判定為「1」。
[製造例1；金屬氧化物粒子的製造]
調製將錫酸鉀130g及酒石酸銻鉀30g溶解於純水400g而成之混合溶液。
準備使硝酸銨1.0g及15%氨水12g溶解純水1000g而成之水溶液。將該水溶液在60℃邊攪拌邊以12小時添加前述的混合溶液，邊進行水解。又，此時，以將前述的水溶液保持
pH9.0之方式將10%硝酸溶液同時添加至前述水溶液。藉由水解而在水溶液中生成沈澱物。
將所生成的沈澱物過濾分開且洗淨之後，再次使 其分散在水中而調製固體成分濃度20重量%的Sb摻雜氧化錫前驅物的氫氧化物之分散液。將該分散液在溫度100℃進行噴霧乾燥而得到粉末。藉由將所得到的粉體在空氣環境下且550℃加熱2小時，而得到銻摻雜氧化錫的粉末。
使該粉末60份分散在濃度4.3重量%的氫氧化鉀水溶液140份而得到水分散液。邊將該水分散液保持在30℃邊使用碾砂機(sand mill)粉碎3小時而調製溶膠。其次，使用離子交換樹脂對該溶膠進行脫鹼離子處理至pH成為3.0為止。其次，在該溶膠添加水而調製以固體成分濃度20重量%含有銻摻雜氧化錫的粒子之粒子分散液。該粒子分散液的pH為3.3。又，粒子的平均粒徑為9nm。
其次，將前述的粒子分散液100g調整成為25℃，以3分鐘添加四乙氧基矽烷(多摩化學製：正矽酸乙酯、SiO2濃度28.8%)4.0g之後，進行攪拌30分鐘。隨後，在此以1分鐘添加乙醇100g，以30分鐘升溫至50℃且進行加熱處理15小時。加熱處理後的分散液之固體成分濃度為10%。
其次，使用超濾膜將分散介質之水及乙醇取代成為乙醇。藉此，作為金屬氧化物粒子(P1)，係得到以固體成分濃度20%含有被氧化矽被覆之銻摻雜氧化錫的粒子之分散液。前述的金屬氧化物粒子(P1)，係藉由複數個凝聚而連結成為鏈狀。此時，金屬氧化物粒子(P1)平均連結數為5個。
[實施例1]
(1-1.抗靜電劑的製造)
準備含有二新戊四醇六丙烯酸酯(以下，有略記為「DP6A」 之情形)、二新戊四醇五丙烯酸酯(以下，有略記為「DP5A」之情形)及二新戊四醇四丙烯酸酯(以下，有略記為「DP4A」之情形)之紫外線硬化型的聚合性單體組成物(R1)。在該聚合性單體組成物(R1)，各成分的重量比為DP6A/DP5A/DP4A=64/17/19。又，聚合性單體組成物(R1)的固體成分濃度為100%。
準備異佛爾酮二異氰酸酯222重量份、與新戊四醇三丙烯酸酯(以下，有略記為「PE3A」之情形)及新戊四醇四丙烯酸酯(以下，有略記為「PE4A」之情形)的混合物(PE3A/PE4A=75/25(重量比))795重量份之胺甲酸酯反應丙烯酸酯亦即多官能胺甲酸酯丙烯酸酯(U1)。該多官能胺甲酸酯丙烯酸酯(U1)的固體成分濃度為100%。
準備乙醇、正丙醇、甲醇及水的混合物之混合乙醇。在該混合乙醇，各成分的重量比為乙醇/正丙醇/甲醇/水=85.5/9.6/4.9/0.2。
將前述的聚合性單體組成物(R1)29.4重量份、前述的多官能胺甲酸酯丙烯酸酯(U1)12.6重量份、甲基乙基酮7.3重量份、前述的混合乙醇7.3重量份、乙醯丙酮7.3重量份、及光聚合起始劑(BASF Japan股份公司製「IRGACURE184」固體成分100%)0.86重量份充分地混合而得到混合液。在該混合液添加製造例1製成的金屬氧化物粒子(P1)(固體成分20%)之分散液35.0重量份、及丙烯酸系界面活性劑(固體成分100%)0.24重量份且均勻地混合而得到具有活性能量線硬化性之液狀組成物作為抗靜電劑(A1)。
(1-2.基材薄膜的製造)
使用雙軸擠製機將乾燥後之含有具有脂環式結構的聚合物之熱可塑性樹脂(COP1)(日本ZEON公司製、玻璃轉移溫度123℃)100份、及苯并三唑系的紫外線吸收劑(ADEKA公司製「LA-31」)5.5份混合。其次，將該混合物投入連接擠製機之料斗，供給至單軸擠製機且熔融擠製而得到含有紫外線吸收劑之熱可塑性樹脂(J1)。在該熱可塑性樹脂(J1)之紫外線吸收劑的量為5.2重量%。
準備具備孔眼開度3μm的葉盤(leaf disc)形狀聚合物過濾器之雙螺紋型螺桿直徑50mm單軸擠製機(螺桿有效長度L與螺桿直徑D之比L/D=32)。將前述的熱可塑性樹脂(J1)投入被裝填在該單軸擠製機之料斗。然後，使該熱可塑性樹脂(J1)熔融且在擠製機的出口溫度280℃、擠製機的齒輪幫浦轉數10rpm，將熔融後的熱可塑性樹脂(J1)供給至多歧管模具。該多歧管模具的模唇之算術表面粗糙度Ra為0.1μm。
另一方面，除了已投入熱可塑性樹脂(J1)之單軸擠製機以外，另外準備具備孔眼開度3μm的葉盤形狀聚合物過濾器之螺桿直徑50mm的單軸擠製機(L/D=32)。將與製造熱可塑性樹脂(J1)所使用者同樣之含有具有脂環式結構的聚合物之熱可塑性樹脂(COP1)投入被裝填在該單軸擠製機之料斗。然後使該熱可塑性樹脂(COP1)熔融且在擠製機的出口溫度285℃、擠製機的齒輪幫浦轉數4rpm，將熔融後的熱可塑性樹脂(COP1)供給至前述多歧管模具。
使熔融狀態的熱可塑性樹脂(COP1)、含有紫外線吸收劑之熔融狀態的熱可塑性樹脂(J1)、及熔融狀態的熱可塑 性樹脂(COP1)，各自於280℃從多歧管模具吐出且在經調整溫度為150℃之冷卻輥進行鑄塑而得到延伸前薄膜。樹脂吐出時之空氣間隙量係設定為50mm。又，作為在冷卻輥鑄塑被吐出的樹脂之方法，係採用邊緣釘扎(edge pinning)。
所得到的延伸前薄膜，係依照以下的順序具備下述之三層結構的複層薄膜：由熱可塑性樹脂(COP1)所構成之厚度15μm的樹脂層；由含有紫外線吸收劑之熱可塑性樹脂(J1)所構成之厚度40μm的樹脂層；及由熱可塑性樹脂(COP1)所構成之厚度15μm的樹脂層。又，延伸前薄膜的寬度為1400mm，總厚度為70μm。對如此進行而得到的延伸前薄膜，施行將該延伸前薄膜的寬度方向的兩端部各切除50mm之修整處理而使寬度成為1300mm。
將前述的延伸前薄膜在延伸溫度140℃、延伸速度20m/min的條件下，在對延伸前薄膜的長度方向於不平行亦不垂直的傾斜方向進行延伸，而得到延伸膜作為基材薄膜。所得到的延伸膜，係依照以下的順序具備下述之三層結構的複層薄膜：由熱可塑性樹脂(COP1)所構成之厚度8μm的第一表面層；由含有紫外線吸收劑之熱可塑性樹脂(J1)所構成之厚度31μm的中間層；及由熱可塑性樹脂(COP1)所構成之厚度8μm的第二表面層。又，該延伸膜的寬度為1330mm，厚度為47μm，遲相軸係對延伸膜的長度方向為構成45°的角度。
該延伸薄膜在測定波長550nm的面向遲滯值為100nm，在測定波長380nm之光線透射率為0.02%。
(1-3.抗靜電膜的製造)
在作為基材薄膜之延伸膜的一面，施行電暈處理(輸出功率0.4kW、放電量200W．min/m2)，使用模塗佈機將抗靜電劑(A1)以硬化後所得到的抗靜電層之厚度成為4.5μm之方式塗佈，而形成抗靜電劑(A1)的膜。前述抗靜電劑(A1)的塗佈，係在相對濕度50%的環境進行。隨後，將該抗靜電劑(A1)的膜在60℃乾燥2分鐘之後，藉由使用高壓水銀燈照射250mJ/cm2的光線使其硬化而形成抗靜電層。藉此得到具備基材薄膜、及設置在該基材薄膜上的抗靜電層之抗靜電膜。
依照上述的方法，進行評價如此進行而得到的抗靜電膜。
(1-4.液晶顯示裝置的製造)
準備在樹脂膜摻合碘且在一方向進行延伸而製成之偏光鏡。使用紫外線硬化型的丙烯酸接著劑將前述抗靜電膜的基材薄膜側之面貼合在該偏光鏡的一面。此時，抗靜電膜的基材薄膜的遲相軸，係對偏光鏡的透射軸為構成45°的角度。
又，在偏光鏡的另一面，係使用紫外線硬化型丙烯酸接著劑貼合經施行橫向單軸延伸之環烯烴薄膜作為偏光板保護膜。此時，環烯烴薄膜的遲相軸係對偏光鏡的透射軸為平行。
隨後，藉由照射紫外線而使接著劑硬化而得到在厚度方向依照以下的順序具備偏光板保護膜、接著劑層、偏光鏡、接著劑層、基材薄膜及抗靜電層之偏光板。
將偏光板納入具備習知的內嵌式接觸感測器之液晶面板而製成液晶顯示裝置。此時，偏光板的方向係以抗靜電層側的面為朝向視認側之方式設定。
使用上述的方法進行評價所製成的液晶顯示裝置的影像之視認性。評價結果，因為通過偏光太陽眼鏡而觀察液晶顯示裝置的顯示面時，影像不模糊而能夠視認，所以判定為「3」。
又，使用上述的方法進行評價所製成的液晶顯示裝置之液晶驅動安定性。評價結果，因為在操作液晶顯示裝置的觸控面板時，不產生液晶驅動擾亂而能夠視認影像，所以判定為「3」。
[實施例2]
在前述步驟(1-3)，藉由調整抗靜電劑(A1)的塗佈厚度而將抗靜電層的厚度變更成為1.2μm。除了以上的事項以外係與實施例1同樣地進行，而進行抗靜電膜的製造及評價、以及液晶顯示裝置的製造及評價。
在實施例2，在評價液晶顯示裝置的液晶驅動安定性時，雖然能夠觀察到因帶電引起液晶驅動產生若干的不均，但是係使用上無實際損害的程度。
[實施例3]
在前述步驟(1-3)，藉由調整抗靜電劑(A1)的塗佈厚度而將抗靜電層的厚度變更成為11.0μm。除了以上的事項以外係與實施例1同樣地進行，而進行抗靜電膜的製造及評價、以及液晶顯示裝置的製造及評價。
在實施例3，隨著霧度值的上升，致使液晶顯示裝置的影像之視認性係比實施例1若干較低，但是係使用上無實際損害的程度。
[實施例4]
在前述步驟(1-1)，將製造例1所製成的金屬氧化物粒子(P1)的分散液之量變更成為10.0重量份。又，在前述步驟(1-3)，藉由調整抗靜電劑(A1)的塗佈厚度而將抗靜電層的厚度變更成為4.6μm。除了以上的事項以外係與實施例1同樣地進行，而進行抗靜電膜的製造及評價、以及液晶顯示裝置的製造及評價。
在實施例4，因為金屬氧化物粒子(P1)的密度減少，致使抗靜電層的折射率變低，所以能夠觀察到在液晶顯示裝置的影像產生面內干渉不均，但是係使用上無實際損害的程度。
[實施例5]
在前述步驟(1-1)，將製造例1所製成的金屬氧化物粒子(P1)的分散液之量變更成為50.0重量份。除了以上的事項以外係與實施例1同樣地進行，而進行抗靜電膜的製造及評價、以及液晶顯示裝置的製造及評價。
在實施例5，因為金屬氧化物粒子(P1)的密度増加，致使抗靜電層的折射率變高，所以能夠觀察到在液晶顯示裝置的影像產生面內干渉不均，但是係使用上無實際損害的程度。
[實施例6]
在前述步驟(1-3)，將抗靜電劑(A1)塗佈時的相對濕度變更成為70%。除了以上的事項以外係與實施例1同樣地進行，而進行抗靜電膜的製造及評價、以及液晶顯示裝置的製造及評價。
在實施例6，在從抗靜電層的塗佈寬度方向之端部起算 50mm以內的區域，能夠稀疏地觀察抗靜電層斷裂。因此液晶顯示裝置的影像的視認性降低，但是係使用上無實際損害的程度。
[實施例7]
在前述步驟(1-3)，將抗靜電劑(A1)塗佈時的相對濕度變更成為39%。除了以上的事項以外係與實施例1同樣地進行，而進行抗靜電膜的製造及評價、以及液晶顯示裝置的製造及評價。
在實施例7，液晶顯示裝置的影像的視認性及液晶驅動安定性之雙方，均與實施例1同樣地得到優異的結果。
[實施例8]
在前述步驟(1-2)，藉由使多歧管模具的模唇間隙狹窄而使延伸前薄膜的厚度薄化，而將基材薄膜的厚度變更成為25μm。又，在前述步驟(1-3)，藉由調整抗靜電劑(A1)的塗佈厚度而將抗靜電層的厚度變更成為3.0μm。除了以上的事項以外係與實施例1同樣地進行，而進行抗靜電膜的製造及評價、以及液晶顯示裝置的製造及評價。
在實施例8，在液晶顯示裝置的液晶驅動安定性，能夠觀察到外光引起液晶驅動產生若干的不均，但是係使用上無實際損害的程度。
[實施例9]
在前述步驟(1-2)，作為用以形成中間層之樹脂，係使用含有具有脂環式結構的聚合物之熱可塑性樹脂(COP1)來代替含有紫外線吸收劑之熔融狀態的熱可塑性樹脂(JI)。除了以上的 事項以外係與實施例1同樣地進行，而進行抗靜電膜的製造及評價、以及液晶顯示裝置的製造及評價。
在實施例9，在液晶顯示裝置的液晶驅動安定性，有液晶驅動的應答較慢且殘留殘像之情形。
[實施例10]
在前述步驟(1-2)，藉由將苯并三唑系的紫外線吸收劑之量從5.5份變更成為15份，製造含有14.3重量%的紫外線吸收劑之樹指組成物(J2)來代替樹脂組成物(J1)且使用於製造延伸膜。該延伸膜在測定波長550nm之遲滯值為100nm，在測定波長380nm之光線透射率為0.01%。除了以上的事項以外係與實施例1同樣地進行，而進行抗靜電膜的製造及評價、以及液晶顯示裝置的製造及評價。
在實施例10，係能夠確認在液晶顯示裝置的影像，稍微帶黃色。
[比較例1]
在前述步驟(1-1)，不使用製造例1所製成之金屬氧化物粒子(P1)的分散液。又，在前述步驟(1-3)，藉由調整抗靜電劑(A1)的塗佈厚度而將抗靜電層的厚度變更成為4.4μm。除了以上的事項以外係與實施例1同樣地進行，而進行抗靜電膜的製造及評價、以及液晶顯示裝置的製造及評價。
在比較例1，係在液晶顯示裝置的液晶驅動產生較大的不均。
[比較例2]
在前述步驟(1-3)，藉由調整抗靜電劑(A1)的塗佈厚度而將 抗靜電層的厚度變更成為0.9μm。除了以上的事項以外係與實施例1同樣地進行，而進行抗靜電膜的製造及評價、以及液晶顯示裝置的製造及評價。
在比較例2，係在液晶顯示裝置的液晶驅動產生較大的不均。
[比較例3]
在前述步驟(1-3)，藉由調整抗靜電劑(A1)的塗佈厚度而將抗靜電層的厚度變更成為11.5μm。除了以上的事項以外係與實施例1同樣地進行，而進行抗靜電膜的製造及評價、以及液晶顯示裝置的製造及評價。
在比較例3，因霧度致使液晶顯示裝置的影像的視認性大幅度地低落。
[結果]
將上述的實施例及比較例的結果顯示在下述的表1~表3。在下述的表，簡稱的意思係如以下。
UV透射率：在基材薄膜的測定波長380nm之光線透射率。
SnO-Sb：被氧化矽被覆之銻摻雜氧化錫的粒子。
斷裂數量：在從抗靜電層的塗佈寬度方向之端部起算50mm以內的兩區域，前述兩區域的長度每1m之5mm2以上的面積之抗靜電層的斷裂數量。
[表1]
Figure 104133970-A0202-12-0060-1
Figure 104133970-A0202-12-0060-2
[表3]
Figure 104133970-A0202-12-0061-3
[討論]
實施例所製成之抗靜電膜皆是抗靜電層的表面電阻值為較小，因此得知具有高的抗靜電性。又，實施例所製成之抗靜電膜皆是霧度小，因此得知具有高的透明性。因此，能夠確認，根據本發明能夠得到透明性及抗靜電性的雙方均優異的抗靜電膜。
而且，在該等實施例所製造成之具備抗靜電膜之液晶顯示裝置，影像的視認性及液晶驅動安定性之雙方均優異。因此，根據本發明能夠使液晶顯示裝置的影像的視認性及液晶驅動安定性之雙方均成為良好，所以確認能夠有效地改善液晶顯示裝置的畫質。
特別著眼於實施例3時，在實施例3，係在抗靜電層的塗佈寬度方向的端部50mm以內之兩區域，形成有若干的斷裂。在實施例3，由於抗靜電層的厚度變厚，致使抗靜電層 中的金屬氧化物粒子的數量増加。因此，推測係因為金屬氧化物粒子的凝聚程度變大，所以相較於其他的實施例，斷裂數量變多。
著眼於實施例2時，在實施例2，由於使抗靜電層的厚度降低至1.2μm，能夠觀察到表面電阻值上升，在封裝狀態下之液晶驅動時觀察到若干因帶電所致之驅動不均。推測係由於表面電阻值上升，致使在液晶胞的帶電變大且產生驅動不均。
又，特別著眼於實施例6時，在實施例6，係在抗靜電層的塗佈寬度方向的端部50mm以內之兩區域，形成有斷裂。在實施例6，推測由於在塗佈抗靜電劑(A1)時的環境之濕度較大，因為許多水分進入抗靜電劑(A1)且金屬氧化物粒子的凝聚大大地進行之緣故，所以相較於其他實施例，斷裂數量變多。
而且，特別著眼於實施例8時，基材薄膜的厚度較薄時，藉由適當地調整抗靜電層的厚度時，確認能夠抑制抗靜電膜的卷曲。
又，特別著眼於實施例9時，在實施例9，觀察到液晶驅動的應答較緩慢。推測因為在實施例9，基材薄膜不含有紫外線吸收劑，所以在液晶胞所含有的液晶分子因紫外線而受損，因此產生液晶驅動的應答緩慢之情形。
著眼於實施例10時，因為紫外線吸收劑量較多，觀察到霧度值上升且透射色相L*降低，在確認影像時，確認稍微帶黃色。
100‧‧‧抗靜電膜
110‧‧‧基材薄膜
120‧‧‧抗靜電層
120U‧‧‧抗靜電層的表面

Claims (9)

  1. 一種抗靜電膜，具備由含有含脂環式結構的聚合物之熱可塑性樹脂所構成之基材薄膜及設置於該基材薄膜上、含有具導電性之金屬氧化物粒子之抗靜電層，前述抗靜電層的表面電阻值為1.0×106Ω/□以上、1.0×1010Ω/□以下，前述抗靜電膜的霧度值為0.3%以下，前述金屬氧化物粒子的平均連結數為2~20。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之抗靜電膜，其中前述抗靜電層具有單層結構，前述抗靜電層的厚度為1.5μm~10.0μm。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之抗靜電膜，其中前述抗靜電膜的透射色相L*為94~97。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之抗靜電膜，其中前述抗靜電層的折射率為1.50~1.55。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之抗靜電膜，其中前述基材薄膜係依序具有第一表面層、中間層及第二表面層，前述中間層含有紫外線吸收劑，前述基材薄膜的厚度為10μm以上、60μm以下，前述基材薄膜在波長380nm之光線透射率為10%以下。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之抗靜電膜，其中前述抗靜電層，係將含有前述金屬氧化物粒子之抗靜電劑塗佈在前述基材薄膜上而形成，在從前述抗靜電層的塗佈寬度方向的端部起算50mm以內 的兩區域之5mm2以上的面積之抗靜電層的斷裂數，係前述兩區域的長度每1m為小於10個。
  7. 一種液晶顯示裝置，係具備：液晶胞；設置在前述液晶胞的視認側之偏光鏡；及設置在前述偏光鏡的視認側之如申請專利範圍第1至6項中任一項所述之抗靜電膜；前述抗靜電膜依照靠近前述偏光鏡之順序，具備前述基材薄膜及前述抗靜電層。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之液晶顯示裝置，其中在前述偏光鏡與前述抗靜電膜之間，具備紫外線硬化型的接著劑層。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之液晶顯示裝置，其中前述液晶胞為IPS方式的液晶胞。
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