TWI698538B - 用於為ｃｖｄ裝置或ｐｖｄ裝置產生蒸汽之裝置及方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係有關一種用於在CVD裝置或PVD裝置中產生蒸汽之裝置及方法，其係藉由使固態或液態粒子與單級或多級蒸發裝置(1、2)之達到蒸發溫度的第一傳熱面接觸，而將蒸發熱傳遞至該等粒子，並且，粒子蒸發所產生之蒸汽係由載氣沿該載氣之流向運出該蒸發裝置(1、2)。根據本發明，其蒸汽係由載氣運送穿過沿流向設於該蒸發裝置(1、2)後面之單級或多級調節裝置(3、4)，此等調節裝置(3、4)具有第二傳熱面，該等第二傳熱面在蒸汽供應階段經調溫而達到第一調節溫度，蒸汽係在該第一調節溫度下穿過該調節裝置(3、4)，且不會在該等第二傳熱面上冷凝，並且，該等第二傳熱面在中斷階段經調溫而達到第二調節溫度，在該第二調節溫度下，至少一部分蒸汽在該等第二傳熱面上冷凝。可用冷卻氣體實施其冷卻。

Description

用於為CVD裝置或PVD裝置產生蒸汽之裝置及方法
本發明係有關一種在CVD裝置或PVD裝置中產生蒸汽之方法，其係藉由使固態或液態粒子與單級或多級蒸發裝置之達到蒸發溫度的第一傳熱面接觸，而將蒸發熱傳遞至該等粒子，並且，粒子蒸發所產生之蒸汽係由載氣沿該載氣之流向運出該蒸發裝置。
本發明更有關一種用於為CVD裝置或PVD裝置產生蒸汽之裝置，此裝置具體上係用於實施上述方法，包括有蒸發裝置，其具有可被加熱至蒸發溫度之第一傳熱面，此第一傳熱面係用於將蒸發熱傳遞至被送入該蒸發裝置之固態或液態粒子，其中，粒子蒸發所產生之蒸汽係由載氣沿該載氣之流向運出該蒸發裝置。
WO 2012/175124、DE 10 2011 051 261 A1或DE 10 2011 051 260 A1揭露一種用於提供蒸汽之裝置，具有一或數個以通電方式達到蒸發溫度之細孔發泡體。如此等公開案所述，鑒於粒度不均一，有益之舉係將氣膠較薄地塗佈於開孔發泡體之氣室壁，從而，透過對經塗佈之氣室壁供熱，能夠使其塗層均勻蒸發。
WO 2012/175126及WO 2012/175128描述一種蒸發裝置及一種蒸發方法，其係將蒸汽送入多級調溫裝置。在上游調溫級中，使蒸汽或運送蒸汽之載氣達到均勻溫度。此點在開孔發泡體中 進行，其係被加熱至一個能使蒸汽不在發泡體之氣室壁上冷凝的溫度。設於下游之第二開孔發泡體具有較低溫度，故，蒸汽可在該處之氣室表面冷凝。下游調溫級保持一個能使冷凝與蒸發維持平衡之溫度，從而，在平均時間內，氣室壁上不會富集任一種非氣態材料。
塗佈方法或塗佈裝置最好能間歇性切斷或接上具體地透過氣膠蒸發所提供之反應氣體。實際操作時採用能將載氣所運送之製程氣體流量導入旁通管路的閥門，該旁通管路使製程氣體流量從製程室旁邊流過。切換後可將穩定於通風運行模式之製程氣體流量導入製程室。實施此種切換操作時，穿過製程室之氣體的總流量通常會發生變化，從而，使得製程氣體流量在經過穩定階段後方得到穩定。又，引導製程氣體從製程室旁邊流過，會產生非期望之材料損耗。所用材料係為昂貴的有機高純度材料，出於成本原因，應儘可能達到最高使用效率。
有機粒子在蒸發溫度下蒸發，且在被載氣運送期間須保持一個能防止其冷凝之溫度。為此，需加熱運送管件之壁。另一技術問題在於，氣膠在近似真空之條件下熱容較小，故，須存在相應高之溫度梯度，方能提供足夠多的蒸發熱。而另一方面，有機粒子僅具有限之化學穩定性。其會在超過蒸發溫度時發生分解。本發明既適用於物理氣相沈積，亦適用於化學氣相沈積。
本發明之目的在於對同類型方法及同類型裝置作出有利於使用之改良。
該目的透過申請專利範圍所給出的本發明而達成。
首先且主要提出一調節裝置。此調節裝置沿流向設於 該蒸發裝置後面，且可為單級或多級。該單級或多級的調節裝置可由前文論及先前技術時所描述之固態發泡體構成，且被加熱至蒸發溫度。較佳為經預熱之載氣被送入形成第一傳熱面之多孔體。具有液態或固態粒子之氣膠亦被送入此多孔體。其粒子與達到蒸發溫度之傳熱面發生接觸。該等傳熱面為開孔發泡體之氣室壁。較佳為在一壓力下實施此方法，在此壓力下，載氣內之粒子的自由徑僅略小於形成該等傳熱面之固態發泡體的孔徑。該壓力可為數毫巴。粒子接觸蒸發面時，粒子吸收蒸發熱而蒸發。蒸汽被載氣運出蒸發裝置並進入調節裝置。此調節裝置具有至少一個元件，其具有第二傳熱面。本發明之進一步的較佳方案如下：該調節裝置之一或數個元件與該蒸發裝置之一或數個元件構造相同。可依次設置數個用於不同起始材料之蒸發級，該等起始材料分別以氣膠形式被送入蒸發元件。如此一來，產生於上游蒸發元件之蒸汽將穿過第二蒸發級之下游蒸發元件。最後一個傳熱元件則可排出由數種蒸汽組成之混合物。任何情況下皆較佳採用導電型固態發泡體。該調節裝置之至少一個元件不僅可保持蒸發溫度，以確保蒸汽及載氣無阻礙地穿過調節裝置。根據本發明，該調節裝置之至少一個元件還可被冷卻至蒸汽之冷凝溫度。若產生數種蒸發溫度各不相同之蒸汽，則該調節裝置可被冷卻至亦能使蒸發溫度最低之蒸汽冷凝的冷凝溫度。其冷凝溫度可比其蒸發溫度低20℃。蒸發溫度例如可為350℃。在此情況下，該調節裝置至少局部地可由350℃冷卻至330℃。在此溫度下，由蒸發裝置被運入調節裝置之蒸汽至少絕大部分在調節裝置中冷凝，從而使得，較佳地，僅載氣無阻礙地穿過調節裝置，蒸汽則完全或者至少幾乎完全與載氣凍結分離。蒸汽在調節裝置之傳熱面 (即，開放氣室式固態發泡體之氣室壁)上冷凝。蒸汽供應階段在平均時間內，該等傳熱面上無材料富集(material-enriching)現象。蒸汽在傳熱面上可能發生的冷凝與再蒸發達到熱力學平衡，故，平均而言，蒸汽及載氣無阻礙地穿過調節裝置。降低調節溫度時，在平均時間內，第二傳熱面上因冷凝而存在材料富集現象。該調節裝置及該蒸發裝置較佳係設於殼體中，其中，殼體壁被加熱至一溫度，此溫度大於等於使粒子蒸發之溫度。藉此，確保在此裝置為CVD反應器或PVD反應器之進氣機構供應蒸汽的蒸汽供應階段，該等壁上無冷凝。在不需要為CVD反應器或PVD反應器之進氣機構提供蒸汽的中斷階段，將調節裝置之至少一個元件冷卻至能使蒸汽以冷凝方式與載氣分離之溫度。此點較佳係藉由導入冷卻劑而實現，其中，該冷卻劑為被送入載氣流之冷卻氣體。為此，可設置冷卻氣體管道，其係伸入調節裝置之兩個元件之間的中間腔。由該冷卻氣體管道送入該中間腔之冷卻氣體，將調節裝置之上游元件的下游段及調節裝置之下游元件的上游段皆冷卻至能使蒸汽沈積於氣室壁之溫度。在中斷階段進一步向蒸發裝置饋送氣膠。該蒸發裝置可包含數個元件，其中，開孔發泡體形式之上游元件僅用於加熱載氣。氣膠被送入兩個沿流向依次佈置的元件之間的中間腔。為此，需使用氣膠饋送管道，其係通入該中間腔。但，由於反向擴散，氣膠不僅在蒸發裝置之下游元件中蒸發，亦在蒸發裝置之上游元件的下游段蒸發。此裝置具有控制裝置。此控制裝置連接了感測器，此感測器係設於調節裝置下游，且能測定載氣內之蒸汽的濃度或分壓。該控制裝置向調節裝置之加熱裝置及用於調整冷卻氣體流量之質量流量控制器發送控制訊號。藉由改變調節裝置之加熱功率，具體地透 過改變冷卻氣體流量，可將調節裝置由通汽功能切換為阻汽功能。藉由該控制裝置，亦可對調節裝置之溫度進行精調，使得，形成於第二傳熱面上之冷凝液在蒸汽供應階段蒸發。藉由對冷卻氣體進行適度定量，可如此調整蒸發溫度，使蒸發器提供恆定之蒸汽率(vapor rate)。利用蒸發裝置可粗略調整蒸汽供應率。調節裝置可用來精準控制蒸汽供應率，其中，調節裝置可在完全通汽狀態與完全不通汽狀態之間實現連續調整。藉由本發明之裝置或本發明之方法，蒸汽供應裝置可有利地在兩個運行狀態之間實現間歇性或連續切換。可棄用在此處所用之250℃以上的溫度下切換精度及密封性皆成問題之機械閥。可有效利用有機起始材料，因為，在製程室內無基板之情況下，不必導引蒸汽從製程室旁邊流過。生長中止時，至少在約30分鐘的時間內不需要中斷蒸發器之氣膠饋送。在此期間，調節裝置中因已蒸發粒子冷凝而形成儲存質量，而當製程室內存在基板時，該儲存質量可再度分解以用來塗佈基板。穿過蒸發裝置及調節裝置而經調溫之固態發泡體的氣體或氣體-蒸汽混合物被均勻調溫，從而使得，即便在較低之總壓力下，亦能有效防止蒸汽在管道表面段冷凝。本發明可在不影響載氣流量之情況下關閉或打開蒸汽供應。藉由相應減小於同一位置送入之熱氣流量，可補償被送入調節裝置之冷卻氣體流量。該調節裝置或該蒸發裝置之各個元件可具有約1cm之材料厚度。該等元件可在一毫巴之總壓力下被加熱至350℃。固態發泡體之開放面積較佳為97%，其中，孔徑約為250μm(每英吋100孔)。用作載氣之氮氣具有約3.16Å之動力學直徑，並且，在此處所用之1mbar壓力及此處所用之350℃溫度下，具有約61μm之平均自由徑。用於OLED沈積製程之材料AlQ3 (C27H18AlN3O3)具有約11.4Å之動力學直徑，並且，在350℃及1mbar壓力下，具有18μm之平均自由徑。待蒸發粒子之平均自由徑足夠接近孔徑。故，每個分子皆具有足夠高之概率在穿過固態發泡體時與氣室壁至少接觸一次。此外，更透過粒子/分子與氮分子發生碰撞而實現傳熱。可選擇讓蒸汽相對於載氣無較大阻力地穿過調節裝置或中斷蒸汽流，由此開闢新的方法方案。如此便可在塗佈程序達到期望層厚時突然切斷蒸汽輸送率。在此過程中不使用附加機械閥。亦不必像先前技術那樣將蒸汽導入旁路。由於僅蒸汽流被中斷，製程室內之壓力條件不會變化。壓力恆定亦有利於被塗佈基板下游之廢氣處置。
以下結合所附圖式闡述本發明之實施例。
1‧‧‧蒸發裝置；預熱裝置；(第一)發泡體
2‧‧‧蒸發裝置；(第二)發泡體
3‧‧‧調節裝置；(第三)發泡體
4‧‧‧調節裝置；(第四)發泡體
5‧‧‧殼體
6‧‧‧排料/排氣通道
7‧‧‧(殼體)錐面；殼體壁
8‧‧‧(殼體)柱段；殼體壁
9‧‧‧(氣膠)輸送/饋送管道
9'‧‧‧(氣膠輸送管道)出口
10‧‧‧中間腔
11‧‧‧中間腔
12‧‧‧中間腔
13‧‧‧(載氣)輸送管道
14‧‧‧(冷卻氣體)輸送/饋送管道；冷卻氣體
15‧‧‧饋(電)線
15'‧‧‧觸點
16‧‧‧饋(電)線
16'‧‧‧觸點
17‧‧‧饋(電)線
17'‧‧‧觸點
18‧‧‧饋(電)線
18'‧‧‧觸點
19‧‧‧氣膠發生器
20‧‧‧質量流量控制器
21‧‧‧加熱裝置
22‧‧‧質量流量控制器
23‧‧‧調溫裝置
24‧‧‧進氣機構；排氣機構
25‧‧‧基座
26‧‧‧基板
27‧‧‧反應器殼體
28‧‧‧真空泵
29‧‧‧感測器
30‧‧‧質量流量控制器
31‧‧‧控制器
圖1為第一實施例之蒸發器的剖面示意圖；圖2為整合於塗佈裝置之第二實施例之蒸發器的剖面圖；圖3為沿圖2中III-III線截取之剖面圖；圖4為穩定蒸汽流量供應之控制裝置之示意圖。
圖1及圖2所示之裝置係用於產生由載氣運送之蒸汽，以在基板上沈積OLED結構，此裝置具有殼體5。殼體5具有經加熱之殼體壁。在殼體5之進料段設有用於將載氣(例如，氮氣)導入殼體進料段之載氣輸送管道13。殼體5之進料段擴展成漏斗狀。該殼體在此之後繼續呈柱狀延伸，其中，沿流向依次共設四個由石墨或適用程度類似之材料構成的開放氣室式發泡體，而其中， 每個發泡體1、2、3、4皆延伸過殼體5之整個截面。該等發泡體可大體上具有36cm2之截面面積及1cm左右之厚度。其具有250μm之孔徑(每英吋100孔)及大約97%之開放截面面積。發泡體1、2、3、4之固態發泡體為導電，故，該等發泡體可以通電方式加熱。圖2及圖3示出相關饋線15、16、17、18及觸點15'。在觸點15'、16'、17'、18'上可施加由控制器31控制的電壓或受控電流。
透過氣膠饋送管道9，可將由載氣(例如，氮氣)及例如AlQ3構成之氣膠送入第一發泡體1與第二發泡體2之間的中間腔10。在流向上第二個發泡體2與流向上第三個發泡體3之間設有中間腔11。
在流向上第三個發泡體3與流向上第四個發泡體4之間同樣設有中間腔12。冷卻氣體輸送管道14通入中間腔12，用於饋送經冷卻但視情況亦僅具有室溫的冷卻氣體。其冷卻氣體同樣可為氮氣。
殼體5之柱形段用於容置實施例中之四個發泡體1至4，其後面接有包含經加熱之錐面7及經加熱之柱段8的排料段。由此形成排料通道6，載氣-蒸汽混合物進入該排料通道。
實施例中依次示出四個發泡體。在未圖示實施例中可採用大於或小於四個的發泡體數目。
第一發泡體用於蒸發由氣膠饋送管道9所饋送之氣膠，至少一個第二發泡體設於第一發泡體後面，且經調溫後可達到低於蒸發溫度之溫度，從而使得，蒸汽幾乎可在開孔發泡體之氣室壁上完全冷凝，進而使得，僅載氣穿過排料通道6。
在圖1及圖2所示之實施例中，氣膠輸送管道9之出 口9'伸入發泡體1之間的中間腔10，該發泡體形成載氣輸送管道13所饋送之載氣的預熱裝置。預熱裝置1被加熱至蒸發溫度，亦能蒸發透過反向擴散逆流擴散至預熱裝置1之氣膠。但，氣膠蒸發主要發生於流向上第二個發泡體即蒸發裝置2中。故此，進入發泡體2與發泡體3之間的中間腔11者乃是純載氣-蒸汽混合物。
發泡體3及4形成調節裝置。調節裝置3、4可被加熱至與蒸發溫度相等之溫度。此運行模式為此裝置之蒸汽供應階段。蒸汽及載氣無阻礙地穿過調節裝置3、4。
在此運行模式下，可透過冷卻氣體輸送管道14送入被加熱至蒸發溫度之載氣。但，在蒸汽供應階段，較佳為無任何氣體經冷卻氣體輸送管道14進入該調節裝置之兩個發泡體3、4之間的中間腔12。
在中斷階段，透過冷卻氣體饋送管道14將冷卻氣體導入中間腔12。在此運行模式下，不主動加熱調節裝置之兩個固態發泡體3、4。藉此，使發泡體3、4之鄰接中間腔12的區域冷卻約20℃。具體地將位於下游之發泡體4冷卻至冷凝溫度，此溫度使得蒸發裝置2中所產生之蒸汽在發泡體之氣室壁上冷凝成薄膜。由此，藉由將調節裝置3、4冷卻至冷凝溫度，可使排料通道6中之載氣內的蒸汽濃度為零，總壓力及載氣流量卻不致受到嚴重影響。由冷卻氣體輸送管道14送入總氣體流量之冷卻氣體流量，可藉由相應減少載氣輸送管道13所饋送之載氣來加以補償。
藉由減小冷卻氣體流量，或藉由以通電方式對調節裝置3、4進行相應調溫，可使調節裝置之溫度超過冷凝溫度，從而使沈積於該調節裝置之氣室壁上的膜受控蒸發。藉此，可對此裝置 之蒸汽供應率進行精調。
圖2進一步示出氣膠發生器19及質量流量控制器20之示意圖。質量流量控制器20用於調整穿過氣膠發生器19之載氣流量。因此，氣膠發生器中所產生之粒子係由氣流透過氣膠饋送管道9運入中間腔10。
加熱裝置21用於加熱經質量流量控制器20調整之載氣流量。但，若預熱裝置1之尺寸足夠大，便不必設置加熱裝置21。
冷卻氣體14之調溫裝置用符號23標示。調溫裝置23為可選擇的。冷卻氣體14同樣由質量流量控制器30所調整。供氣裝置之殼體5設於CVD反應器之反應器殼體27中。反應器殼體27內部設有蓮蓬頭式的進氣機構24，其係由供氣裝置之排氣通道6饋氣。排氣通道6中設有感測器29，其能測定載氣流內之蒸汽的分壓或濃度。
排氣機構24在其指向基板26一面具有數個排氣孔，載氣-蒸汽混合物流出該等排氣孔後可進入製程室，此製程室之底部由一個經調溫之基座25所形成。基座25例如可被調溫而使已蒸發之有機材料在平放於該基座上之基板26的表面沈積成層。
藉由真空泵28，可將製程室內部及蒸發裝置內部之總壓力調節至約1mbar。
預熱裝置1、蒸發裝置2或調節裝置3、4經加熱而達到之溫度取決於待蒸發材料。此等溫度一般介於250℃與350℃之間。
圖4示出控制迴路之示意圖，透過該控制迴路，可藉感測器29及控制器31而使蒸汽發生率恆定保持預設值。為此，控 制器31透過質量流量控制器20以控制氣膠質量流量，透過質量流量控制器22以控制載氣質量流量，透過質量流量控制器30以控制冷卻氣體質量流量，透過調溫裝置23以控制冷卻氣體溫度，以及，透過經觸點15'、16'、17'、18'饋入發泡體1、2、3、4之電流以控制饋入可加熱發泡體1至4之加熱功率。
前述實施方案係用於說明本申請案整體所包含之發明，該等發明至少透過以下特徵組合分別獨立構成相對於先前技術之進一步方案：一種方法，其特徵在於：蒸汽係由載氣運送穿過沿流向設於蒸發裝置1、2後面之調節裝置3、4，此等調節裝置3、4具有第二傳熱面，該等第二傳熱面在蒸汽供應階段經調溫而達到第一調節溫度，蒸汽在該第一調節溫度下穿過調節裝置3、4，且不會在該等第二傳熱面上冷凝，並且，該等第二傳熱面在中斷階段經調溫而達到第二調節溫度，在該第二調節溫度下，至少一部分蒸汽在該等第二傳熱面上冷凝。
一種方法，其特徵在於：具體地藉由導入冷卻氣體而將調節裝置3、4主動冷卻至第二調節溫度，其中，具體地設置成：將冷卻氣體送入蒸發裝置1、2之間、或調節裝置3、4之間或調節裝置3、4之兩個元件之間的中間腔12。
一種方法，其特徵在於：蒸汽在第二調節溫度下沈積於調節裝置3、4之傳熱面上的冷凝液，在與其蒸發溫度相等之調節溫度下蒸發。
一種方法，其特徵在於：透過調節裝置3、4由控制器31控制之溫度，及/或透過進入調節裝置3、4之冷卻氣體的質量 流量，來調整其蒸汽之質量流率，其中，具體地藉由對調節裝置3、4之加熱裝置的加熱功率施加影響，來控制調節裝置之溫度。
一種裝置，其特徵在於：設有沿流向設於蒸發裝置1、2後面且具有第二傳熱面的調節裝置3、4，其中，諸第二傳熱面可經調溫而至少局部達到一個調節溫度，其中，該調節溫度至少可達到能使其蒸汽在該等第二傳熱面上冷凝之冷凝溫度的值及其蒸發溫度之值。
一種裝置或方法，其特徵在於：諸傳熱面係由發泡體之開孔氣室之壁的表面所形成，其中，具體地設置成：該發泡體由導電材料所構成，且可以通電方式加熱，具有每英吋500至200孔、較佳每英吋100孔之孔隙率，以及/或者，所有開放面在該發泡體表面中之占比大於90%。
一種裝置或方法，其特徵在於：設有饋送管道14，用於將冷卻氣體送入調節裝置3、4，以降低調節溫度。
一種裝置或方法，其特徵在於：蒸發裝置1、2及/或調節裝置3、4分別具有兩個沿流向依次佈置之開孔發泡體，其中，具體地設置成：在蒸發裝置1中，上游發泡體為載氣之預熱裝置，且透過中間腔10而與蒸發裝置2之第二發泡體隔開，而氣膠饋送管道9通入該中間腔10，以饋送包含粒子之氣膠，以及/或者，其中，具體地設置成：調節裝置3、4之沿流向依次佈置的二個發泡體被中間腔12隔開，而冷卻氣體輸送管道14通入該中間腔12，以導入冷卻氣體。
一種裝置或方法，其特徵在於：四個構造大體上相同之發泡體1、2、3、4沿流向依次設於蒸發器殼體中，該蒸發器殼 體之位於調節裝置3、4下游的殼體壁7、8被加熱至高於其蒸發溫度之溫度。
一種裝置或方法，其特徵在於：設有設於調節裝置3、4下游之感測器29，用於測量其載氣內之蒸汽的分壓或濃度。
一種裝置或方法，其特徵在於：此裝置為具有進氣機構24及基座25之CVD反應器或PVD反應器的一部分，其中，由載氣運送之蒸汽由進氣機構24朝平放於基座25上之基板26之方向運送，並且，由於化學反應或溫降而於該處冷凝，其中，特別是設有用於將CVD反應器或PVD反應器內部抽真空之真空泵28。
所有已揭露特徵(作為單項特徵或特徵組合)皆為發明本質所在。故，本申請案之揭露內容亦包含相關/所附優先權檔案(在先申請案副本)所揭露之全部內容，該等檔案所述特徵亦一併納入本申請案之申請專利範圍。附屬項以其特徵對本發明針對先前技術之改良方案的特徵予以說明，其目的主要在於可在該等請求項基礎上進行分案申請。
1‧‧‧蒸發裝置；預熱裝置；(第一)發泡體
2‧‧‧蒸發裝置；(第二)發泡體
3‧‧‧調節裝置；(第三)發泡體
4‧‧‧調節裝置；(第四)發泡體
5‧‧‧殼體
6‧‧‧排料/排氣通道
7‧‧‧(殼體)錐面；殼體壁
8‧‧‧(殼體)柱段；殼體壁
9‧‧‧(氣膠)輸送/饋送管道
9'‧‧‧(氣膠輸送管道)出口
10‧‧‧中間腔
11‧‧‧中間腔
12‧‧‧中間腔
13‧‧‧(載氣)輸送管道
14‧‧‧(冷卻氣體)輸送/饋送管道；冷卻氣體

Claims (13)

  1. 一種在CVD裝置或PVD裝置中產生蒸汽之方法，其係藉由使固態或液態粒子與單級或多級蒸發裝置(1、2)之達到蒸發溫度的第一傳熱面接觸，而將蒸發熱傳遞至該等粒子，並且，粒子蒸發所產生之蒸汽係由載氣沿該載氣之流向運出該蒸發裝置(1、2)，其特徵在於：其蒸汽係由載氣運送穿過沿流向設於該蒸發裝置(1、2)後面之單級或多級調節裝置(3、4)，此等調節裝置(3、4)具有第二傳熱面，該等第二傳熱面至少在蒸汽供應階段經調溫而達到第一調節溫度，蒸汽在該第一調節溫度下穿過該調節裝置(3、4)，且不會在該等第二傳熱面上發生材料富集式(material-enriching)冷凝，並且，該等第二傳熱面至少在中斷階段經調溫而達到第二調節溫度，在該第二調節溫度下，至少一部分蒸汽在該等第二傳熱面上發生材料富集式冷凝，其中，該調節裝置(3、4)係藉由將冷卻氣體導入該蒸發裝置(1、2)之間或該調節裝置(3、4)之間、或該調節裝置(3、4)之兩個元件之間的中間腔(12)，而主動冷卻至該第二調節溫度。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，其蒸汽在該第二調節溫度下沈積於該調節裝置(3、4)之傳熱面上的冷凝液，在與其蒸發溫度相等之調節溫度下以減少材料富集之方式蒸發。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，透過該調節裝置(3、4)由控制器(31)控制之溫度，來調整其蒸汽之質量流率。
  4. 如申請專利範圍第3項之方法，其中，藉由對該調節裝置(3、4)之加熱裝置的加熱功率施加影響，來調整該調節裝置之溫度。
  5. 如申請專利範圍第3項之方法，其中，透過進入該調節裝置 (3、4)之冷卻氣體的質量流量，來調整該質量流率。
  6. 一種用於為CVD裝置或PVD裝置產生蒸汽之裝置，此裝置具體上係用於實施申請專利範圍第1項之方法，包括單級或多級蒸發裝置(1、2)，其具有可被加熱至蒸發溫度之第一傳熱面，此第一傳熱面用於將蒸發熱傳遞至被送入該蒸發裝置(1、2)之固態或液態粒子，其中，粒子蒸發所產生之蒸汽係由載氣沿該載氣之流向運出該蒸發裝置(1、2)，其特徵在於：設有沿流向設於該蒸發裝置(1、2)後面且具有第二傳熱面的單級或多級調節裝置(3、4)，其中，諸第二傳熱面可經調溫而至少局部達到一個調節溫度，其中，該調節溫度至少可達到能使其蒸汽以形成儲存質量之方式在該等第二傳熱面上冷凝之冷凝溫度的值及其蒸發溫度之值，而在該蒸發溫度下，該等第二傳熱面上不形成儲存質量，其中，設有饋送管道(14)，用於將冷卻氣體送入該調節裝置(3、4)，以降低調節溫度。
  7. 如申請專利範圍第6項之裝置，其中，該等傳熱面係由發泡體之開孔氣室之壁的表面所形成，而其中具體地設置成：該發泡體係由導電材料所構成且可以通電方式加熱，具有每英吋500至200孔之孔隙率，以及/或者，所有開放面在該發泡體表面中之占比大於90%。
  8. 如申請專利範圍第7項之裝置，其中，該發泡體具有每英吋100孔之孔隙率。
  9. 如申請專利範圍第6項之裝置，其中，設有設於該調節裝置(3、4)下游之感測器(29)，用於測量其載氣內之蒸汽的分壓或濃度。
  10. 如申請專利範圍第6項之裝置，其中，此裝置為具有進氣機 構(24)及基座(25)之CVD反應器或PVD反應器的一部分，而其中，由載氣運送之蒸汽由該進氣機構(24)朝平放於該基座(25)上之基板(26)之方向運送，並且，由於化學反應或溫降而於該處冷凝，而其中，特別是設有用於將該CVD反應器或PVD反應器內部抽真空之真空泵(28)。
  11. 一種用於為CVD裝置或PVD裝置產生蒸汽之裝置，此裝置具體上係用於實施申請專利範圍第1項之方法，包括單級或多級蒸發裝置(1、2)，其具有可被加熱至蒸發溫度之第一傳熱面，此第一傳熱面用於將蒸發熱傳遞至被送入該蒸發裝置(1、2)之固態或液態粒子，其中，粒子蒸發所產生之蒸汽係由載氣沿該載氣之流向運出該蒸發裝置(1、2)，其特徵在於：設有沿流向設於該蒸發裝置(1、2)後面且具有第二傳熱面的單級或多級調節裝置(3、4)，其中，諸第二傳熱面可經調溫而至少局部達到一個調節溫度，其中，該調節溫度至少可達到能使其蒸汽以形成儲存質量之方式在該等第二傳熱面上冷凝之冷凝溫度的值及其蒸發溫度之值，而在該蒸發溫度下，該等第二傳熱面上不形成儲存質量，其中，該等傳熱面係由發泡體之開孔氣室之壁的表面所形成，而其中具體地設置成：該發泡體係由導電材料所構成且可以通電方式加熱，具有每英吋500至200孔之孔隙率，以及/或者，所有開放面在該發泡體表面中之占比大於90%，其中，該蒸發裝置(1、2)及/或該調節裝置(3、4)分別具有兩個沿流向依次佈置之開孔發泡體，而其中，具體地設置成：在蒸發裝置(1)中，上游發泡體為載氣之預熱裝置，且透過中間腔(10)而與蒸發裝置(2)之第二發泡體隔開，而氣膠饋送管道(9)通入該中間腔(10)，以饋送包含該等粒子之 氣膠。
  12. 如申請專利範圍第11項之裝置，其中，該調節裝置(3、4)之沿流向依次佈置的二個發泡體被中間腔(12)隔開，而冷卻氣體輸送管道(14)通入該中間腔(12)，以導入冷卻氣體。
  13. 一種用於為CVD裝置或PVD裝置產生蒸汽之裝置，此裝置具體上係用於實施申請專利範圍第1項之方法，包括單級或多級蒸發裝置(1、2)，其具有可被加熱至蒸發溫度之第一傳熱面，此第一傳熱面用於將蒸發熱傳遞至被送入該蒸發裝置(1、2)之固態或液態粒子，其中，粒子蒸發所產生之蒸汽係由載氣沿該載氣之流向運出該蒸發裝置(1、2)，其特徵在於：設有沿流向設於該蒸發裝置(1、2)後面且具有第二傳熱面的單級或多級調節裝置(3、4)，其中，諸第二傳熱面可經調溫而至少局部達到一個調節溫度，其中，該調節溫度至少可達到能使其蒸汽以形成儲存質量之方式在該等第二傳熱面上冷凝之冷凝溫度的值及其蒸發溫度之值，而在該蒸發溫度下，該等第二傳熱面上不形成儲存質量，其中，該等傳熱面係由發泡體之開孔氣室之壁的表面所形成，而其中具體地設置成：該發泡體係由導電材料所構成且可以通電方式加熱，具有每英吋500至200孔之孔隙率，以及/或者，所有開放面在該發泡體表面中之占比大於90%，其中，四個構造大體上相同之發泡體(1、2、3、4)沿流向依次設於蒸發器殼體中，該蒸發器殼體之位於該調節裝置(3、4)下游的殼體壁(7、8)被加熱至高於其蒸發溫度之溫度。
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