TWI697063B - 靜電卡鉗 - Google Patents

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Abstract

揭露一種具有改善的溫度均勻性的靜電卡鉗。靜電卡鉗 包含沿著環圈安裝的LED陣列，以便照亮工件的外邊緣。LED陣列中的LED可發射在易於由工件吸收的波長下的光，波長例如在0.4μm與1.0μm之間。使用由經加熱的靜電卡鉗提供的傳導性加熱來加熱工件的中心部分。工件的外部部分由來自LED陣列的光能加熱。LED陣列可安置於靜電卡鉗的基底上，或可安置於單獨的環上。可修改靜電卡鉗的上部介電層的直徑以容納LED陣列。

Description

靜電卡鉗
本發明是有關於一種混合熱靜電卡鉗，且特別是有關於一種用於改善經加熱工件的溫度均勻性的靜電卡鉗。
半導體裝置的製造涉及多個離散且複雜的過程。為了執行這些過程，工件通常安置在壓板上。壓板可為靜電卡鉗或ESC，其經設計以經由施加由壓板內的電極產生的靜電力來夾持工件。
此等靜電卡鉗通常經設計以在直徑上比其支撐的工件稍小。此確保靜電卡鉗不曝露於傳入的離子束。與離子束接觸可造成污染物的產生，或可能確實損壞靜電卡鉗。
除了將工件夾持於適當位置之外，靜電卡鉗也可用以加熱工件。具體來說，在其它實施例中，靜電卡鉗通常為較大量材料，能夠將熱量供應至工件。在某些實施例中，靜電卡鉗在其上表面上具有將後側氣體供應到ESC的上表面與工件的後表面之間的空間的管道。靜電卡鉗也可具有在外邊緣附近的外密封環，所述外密封環用以將後側氣體界限在此容積中且最小化後側氣體洩漏。外密封環從ESC的上表面向上延伸並且接觸工件，從而形成 含有後側氣體的壁。此外密封環是有效的，因為其接觸工件。然而，此外密封環並不安置於工件的外邊緣處。此外，在一些實施例中，需要將工件相對於離子束傾斜。此可通過使靜電卡鉗傾斜來實現，這可使ESC變得曝露於離子束。為了最小化此曝露，靜電卡鉗可經構建以小於安置於其上的工件。
因為靜電卡鉗稍小於工件，所以工件的外邊緣可能不能由靜電卡鉗如此有效地加熱。因此，在靜電卡鉗將熱量供應到工件的實施例中，工件的外邊緣可比工件的其餘處冷。
此溫差可影響工件的良品率。因此，在工件由ESC加熱的實施例中，如果存在能夠達成工件上的較好溫度均勻性的靜電卡鉗，將為有益的。
本發明提供一種具有改善的溫度均勻性的靜電卡鉗。所述靜電卡鉗包含沿著環圈安裝的LED陣列，以便照亮工件的外邊緣。LED陣列中的LED可發射易於由工件吸收的波長(例如，在0.4μm與1.0μm之間)的光。使用由經加熱的靜電卡鉗提供的傳導性加熱來加熱工件的中心部分。工件的外部部分由來自LED陣列的光能加熱。LED陣列可安置於靜電卡鉗的基底上，或可安置於單獨的環上。可修改靜電卡鉗的上部介電層的直徑以容納LED陣列。
根據一個實施例，揭露一種靜電卡鉗。所述靜電卡鉗包 括：基底，其具有具第一直徑的頂表面；上部介電層，其具有具第二直徑的底表面，其中所述上部介電層的所述底表面安置於所述基底的所述頂表面上且所述第二直徑小於所述第一直徑，以便在所述基底的所述頂表面上創造水平環圈；以及LED陣列，其安置於所述水平環圈上。
根據另一實施例，揭露一種靜電卡鉗。所述靜電卡鉗包括：上部介電層，其具有頂表面以及底表面；基底，其具有經成形以容納所述上部介電層的凹座，其中所述基底具有與所述上部介電層的所述底表面接觸的凹進的頂表面，以及包圍所述上部介電層且安置於小於所述上部介電層的所述頂表面的高度處的環形頂表面；以及LED陣列，其安置於所述基底的所述環形頂表面上。
根據另一實施例，揭露一種靜電卡鉗。所述靜電卡鉗包括：基底；上部介電層，其安置於所述基底上；圓環，其安置於所述上部介電層的外邊緣周圍；以及LED陣列，其安置於所述圓環的頂表面上。在某些實施例中，圓環的寬度小於工件的懸垂部，從而允許保護圓環免受光束撞擊。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
10:工件
100、200、300、400、500、600:靜電卡鉗
110、210:上部介電層
120、220、420:基底
130:圓環
140:LED陣列
150、250:控制器
211:垂直側壁
212:上部介電層的頂表面
213:上部介電層的底表面
217:傾斜側壁
221:基底的頂表面
225:水平環圈部分
240:LED陣列
260:邊緣護罩
270:內部護罩
421:凹進的頂表面
422:環形頂表面
425:凹座
426:側壁
610:元件
圖1 是根據一個實施例的靜電卡鉗的視圖。
圖2 是根據第二實施例的靜電卡鉗的視圖。
圖3 是根據第三實施例的靜電卡鉗的視圖。
圖4 是根據第四實施例的靜電卡鉗的視圖。
圖5 是根據第五實施例的靜電卡鉗的視圖。
圖6 是根據第六實施例的靜電卡鉗的視圖。
如上所述，安置在傳統靜電卡鉗上的工件的邊緣可懸垂於ESC上，從而使這些邊緣維持與工件的其餘處不同的溫度。
圖1繪示靜電卡鉗100的第一實施例。在此實施例中，靜電卡鉗100包括上部介電層110，其與工件10的後表面連通。多個電極可安置於上部介電層110內。將交流電壓波形施加到這些電極，這創造將工件10固持於適當位置的靜電力。此上部介電層110可能不能夠承受離子束撞擊。在一些實施例中，LED陣列140包括多個LED，且LED發射易於由夾緊到上部介電層110的工件10吸收的波長的光。
在一些實施例中，靜電卡鉗100包括在靜電卡鉗100的上部介電層110的頂表面上端接的多個管道，其將後側氣體傳遞到上部介電層110的頂表面與工件10的底表面之間的容積。靜電卡鉗100也可具有在外邊緣附近的外密封環(未繪示)，其用以將後側氣體界限在此容積中且最小化後側氣體洩漏。外密封環從上部介電層110的頂表面向上延伸且接觸工件10，從而形成含有後 側氣體的壁。此外密封環是有效的，因為其接觸工件10。因此，由於外密封環以及上部介電層110的敏感性，靜電卡鉗100通常小於安置於其上的工件10，以確保離子束不能撞擊ESC。在一些實施例中，工件10可懸垂在靜電卡鉗100上2mm到3mm，但是其它尺寸也是可能的且也在本揭露內容的範圍內。
在上部介電層110下安置的可為基底120。此基底可為例如鋁的金屬，或可為另一導熱材料。
如上所述，上部介電層110可不延伸到工件10的外邊緣。在某些實施例中，工件10可懸垂大致2到3毫米。在此實施例中，可沿著上部介電層110的邊緣安置圓環130。圓環130可為抵靠上部介電層110收緊的夾鉗。在其它實施例中，圓環130可貼附到上部介電層110，例如，通過黏合劑。在其它實施例中，圓環130可由附接到基底120的安裝框支撐。在這些實施例中的每一者中，沿著上部介電層110的圓周安置圓環130。圓環130可安置於工件10的底表面下方約1mm到10mm處。圓環130可具有約2mm到3mm的寬度，因為其配合靜電卡鉗100的外邊緣與工件10的外邊緣之間的寬度。換句話說，工件10的直徑大於上部介電層110的直徑，以便創造懸垂部，且圓環130的寬度小於懸垂部。以此方式，工件10保護圓環130免受光束撞擊。
可將LED陣列140安置於圓環130的頂表面上。在某些實施例中，LED陣列140包括排列成行以及列的LED。在徑向方向上安置的LED的數目可被稱作LED陣列140中的LED的行數。 在圓周方向上安置的LED的數目可被指為列數。在一些實施例中，LED陣列140包括在徑向方向上安置單一LED。在其它實施例中，可在徑向方向上安置兩個或多於兩個LED。
所述LED圍繞全部圓環130間隔開。在某些實施例中，圍繞圓環130安置256個LED。對於具有約300mm的直徑的圓環130，此暗示在圓周方向上的鄰近LED之間約3.7mm的間距。當然，可使用或多或少的LED。舉例來說，也可使用64或128個LED，且LED的數目不受本揭露內容限制。在某些實施例中，較多數目的LED可沿著工件10的圓周創造更均勻的溫度分佈。
在某些實施例中，LED陣列140包括使用多個高功率LED，其發射易於由基體吸收的一或多個波長的光。舉例來說，在約0.4μm與1.0μm之間的波長範圍中，矽展現高吸收性以及低透射率。矽吸收大於50%的在從0.4μm到1.0μm的波長範圍中發射的能量。可使用發射在此波長範圍中的光的LED。在某些實施例中，使用自GaN製造的LED。這些GaN LED發射波長約為450nm的光。
在某些實施例中，圓環130經安置使得工件10在比圓環130大的程度上徑向延伸經過上部介電層110。以此方式，工件10可保護圓環130免受離子束撞擊。
控制器150可與LED陣列140通訊以控制LED陣列140中的LED的照亮以及斷開。在一些實施例中，將LED作為單一實體致動，使得LED陣列140中的所有LED要麼開著，要麼關著。 在此實施例中，施加到各LED的功率量可相同。在其它實施例中，可將LED劃分成地區，其中獨立地控制每一地區。在此實施例中，可獨立地控制施加到每一地區的功率量。
在某些實施例中，控制器150使用開放回路控制來控制LED陣列140。換句話說，控制器150可具備工件10的目標溫度，例如，400℃或500℃。基於目標溫度，控制器150確定供應到LED陣列140的功率量。在另一實施例中，控制器150可利用閉合回路控制。在此實施例中，可將溫度感測器(未繪示)安置於工件10的外邊緣附近，使得可測量在此區域處的工件10的實際溫度。控制器150接著基於目標溫度以及工件10的實際溫度確定施加到LED陣列140的功率量。
圖2繪示靜電卡鉗200的第二實施例。如同圖1，靜電卡鉗200包括上部介電層210以及基底220。上部介電層210可如上關於上部介電層110所描述經構建且起作用。類似地，基底220可如上關於基底120所描述經構建且起作用。
在此實施例中，上部介電層210已經修改以減小其半徑，使得基底220可比上部介電層210進一步徑向向外延伸。上部介電層210可具有垂直側壁211，使得上部介電層210的頂表面212的直徑與上部介電層210的底表面213的直徑相同。基底220具有頂表面221，其具有比上部介電層210的底表面213大的直徑。此佈置創造水平環圈部分225，其為基底220的未由上部介電層210覆蓋的水平部分。換句話說，基底220的水平環圈部分225 與工件10僅通過氣隙分開。基底220的頂表面221與上部介電層210的底表面213的半徑之間的差界定水平環圈部分225的寬度。另外，基底220的頂表面221的半徑界定水平環圈部分225的外半徑。上部介電層210的底表面213的半徑界定水平環圈部分225的內半徑。在一些實施例中，基底220的頂表面221的直徑可在200mm與300mm之間，而上部介電層210的底表面213的直徑可比基底220的頂表面221的直徑小5mm與50mm之間。
將LED陣列240安置於基底220的此水平環圈部分225上。如同圖1的LED陣列，LED可發射在易於由工件10吸收的波長下的光。在某些實施例中，使用GaN LED，其發射波長為450nm的光。
組成LED陣列240的LED可在大小上有變化，且LED的尺寸不受本揭露內容限制。水平環圈部分225的尺寸以及LED陣列240中的LED的大小可定義可安置於水平環圈部分225上的LED的最大數目。然而，安置在水平環圈部分225中的LED的實際數目不受本揭露內容限制。
在某些實施例中，LED陣列240包括單一行的LED。在其它實施例中，可在徑向方向上安置兩行或多於兩行的LED。LED圍繞全部水平環圈部分225間隔開。如上所述，可在圓周方向上安置任何數目的LED，例如，64、128或256個LED。
在圖2中繪示的實施例中，工件10在徑向方向上比水平環圈部分225更遠地延伸。因此，為了有效加熱工件10的外邊緣， LED陣列240中的LED可在徑向方向向外成角度，例如，成45°或60°的角度。在使用一行以上的LED的實施例中，可按不同角度安置每一行LED。舉例來說，可在徑向方向上按60°角度安置最外行，而可按例如45°或30°的較小角度安置鄰近行。最內LED行可按最小角度安置。
邊緣護罩260可安置於水平環圈部分225處且不觸碰地延伸到工件10。此邊緣護罩260可貼附到基底220且可形成靜電卡鉗200的外表面。此邊緣護罩260可起到兩個用途。首先，邊緣護罩260可保護上部介電層210以及LED陣列240免受離子束撞擊。因此，甚至在執行傾斜植入時，上部介電層210以及LED陣列240仍受到保護。其次，邊緣護罩260也可用以將光從LED陣列240朝向工件10的底表面反射。舉例來說，由LED陣列240發射的光中的一些可被反射離開內表面。邊緣護罩260的內表面可將此光朝向工件10的底表面反射，從而改善到工件10的能量轉移。
如上所述，控制器250可與LED陣列240通訊以控制照明，施加功率以及LED陣列240中的LED的致動。在一些實施例中，將LED作為單一實體致動，使得在相同功率電平下致動LED陣列240中的所有LED。在其它實施例中，可將LED劃分成地區，其中獨立地控制每一地區。舉例來說，在使用一行以上的LED的實施例中，可獨立地控制施加到每一行的功率。
在某些實施例中，控制器250使用開放回路控制來控制 LED陣列240。換句話說，控制器250可具備工件10的目標溫度，例如，400℃或500℃。基於目標溫度，控制器250確定供應到LED陣列240的功率量。在另一實施例中，控制器250可利用閉合回路控制。在此實施例中，可將溫度感測器(未繪示)安置於工件10的外邊緣附近，使得可測量在此區域處的工件10的實際溫度。控制器250接著基於當前功率電平、目標溫度以及工件10的實際溫度確定施加到LED陣列240的功率量。
在一些實施例中，內部護罩270用以保護上部介電層210免受由LED陣列240發射的光。
圖3繪示靜電卡鉗300的變化。在此圖中，可對具有相同功能的元件給予相同參考標號。在圖2中繪示的實施例中，上部介電層210具有在工件10與基底220之間延伸的垂直側壁211。在圖3的靜電卡鉗300中，上部介電層210具有傾斜側壁217，其中在基底220附近，上部介電層210的頂表面212的直徑大於上部介電層210的底表面213。傾斜側壁217可形成相對於基底220的頂表面221的任何合適角度。在某些實施例中，傾斜側壁217可形成相對於基底220的頂表面221的60°角度。
在基底220附近的上部介電層210的底表面213的直徑小於在此點的基底220的頂表面221的直徑，從而允許水平環圈部分225的創造。舉例來說，如上所述，上部介電層210的底表面213可具有比基底220的頂表面221的直徑小5mm與50mm之間的直徑。如在圖2中，LED陣列240可安置於水平環圈部分 225上。在此實施例中也可使用邊緣護罩260、內部護罩270以及控制器250。這些組件如關於圖2所描述起作用。
通過使用傾斜側壁217，上部介電層210的頂表面212與工件10連通得比圖2中的情況多。此可減少由LED陣列240提供的加熱量。
在這些實施例兩者中，上部介電層210的底表面213平坦，且與也平坦的基底220的頂表面221接觸。上部介電層210的底表面213的直徑小於基底220的頂表面221的直徑。此允許水平環圈部分225存在於基底的頂表面221上，在此頂表面上可安置LED陣列240。LED陣列240可在徑向方向上具有一或多行，且圍繞水平環圈部分225的圓周延伸。上部介電層210的側壁可垂直(如圖2中所繪示)，或可傾斜(如圖3中所繪示)。在這兩實施例中，邊緣護罩260可經安置以保護LED陣列240以及上部介電層210免受離子束撞擊。另外，內部護罩270可用以保護上部介電層210免受自LED陣列240發射的光以及熱量。LED陣列240中的LED可在徑向方向上向外成角度。LED陣列240中的LED的數目不受任一實施例限制。控制器250可用以控制LED陣列240中的LED的照明以調節工件10的外邊緣的溫度。控制器250可利用開放回路控制或閉合回路控制。
圖4繪示靜電卡鉗400的另一實施例。如同圖3，此實施例400使用與圖2相同的元件中的許多者，且因此將對相似元件指派相同參考標號。
在此實施例中，上部介電層210可如圖2中所描述且具有垂直側壁211。在此實施例中，基底420可具有安置上部介電層210的凹座425。在此實施例中，凹座425的側壁426也可垂直。凹座425的直徑可稍大於上部介電層210的直徑，使得上部介電層210易於配合於凹座425內。在某些實施例中，將內部護罩270安置在凹座425的側壁426與上部介電層210的垂直側壁211之間。在某些實施例中，上部介電層210可具有比工件10的直徑小6mm與100mm之間的直徑。
基底420可具有與上部介電層210的底表面213接觸的凹進的頂表面421，以及包圍上部介電層210的環形頂表面422。環形頂表面422為包圍上部介電層210的環圈。環圈可具有3mm與50mm之間的寬度。環形頂表面422的高度可在小於上部介電層210的頂表面212的高度處。換句話說，雖然上部介電層210的頂表面212可與工件10的底表面連通，但將環形頂表面422安置在較低高度處，使得在環形頂表面422與工件10的底表面之間存在間隙。在某些實施例中，此間隙可在1mm與10mm之間。
LED陣列240可安置於基底420的包圍上部介電層210的環形頂表面422上。可使用控制器250來控制此LED陣列240，如上所述。雖然圖4繪示LED陣列240中的四行LED，但本揭露內容不限於任何特定行數。如上所述，圓周方向上的LED的數目也不受限制，且可為(例如)64、128或256。
在某些實施例(例如，圖4中繪示的實施例)中，基底 420的外壁可傾斜。此可允許執行傾斜植入，而離子束不會撞擊基底420。在其它實施例中，基底420的外壁可垂直。在某些實施例中，邊緣護罩260最接近基底420的外壁安置。在某些實施例中，邊緣護罩260可貼附到基底420的外壁。
另外，雖然將環形頂表面422繪示為水平，但本揭露內容不限於此實施例。舉例來說，環形頂表面422可在徑向方向上向外成角度，使得LED陣列240中的LED朝向工件10的外邊緣成角度。在其它實施例中，環形頂表面422可為水平的，且LED陣列240中的LED可朝向工件10的外邊緣成角度。
圖5繪示靜電卡鉗500的另一實施例。在此實施例中，上部介電層210具有傾斜側壁217，類似於關於圖3描述的傾斜側壁。換句話說，上部介電層210的頂表面212的直徑大於上部介電層210的底表面213的直徑。在某些實施例中，傾斜側壁217可形成與基底420的凹進的頂表面421的60°的角度。在此實施例中，基底420中的凹座425經成形以便容納上部介電層210的傾斜側壁217。換句話說，凹座425的側壁426也傾斜以容納上部介電層210。基底420具有其上安置上部介電層210的凹進的頂表面421。基底420也具有包圍上部介電層210的環形頂表面422。環形頂表面422可具有3mm與50mm之間的寬度。環形頂表面422的高度可小於上部介電層210的頂表面212的高度。換句話說，雖然上部介電層210的頂表面212可與工件10的底表面連通，但將環形頂表面422安置於較低高度處，使得在環形頂表面422與 工件10的底表面之間存在間隙。環形頂表面422與工件10的底表面之間的間隙可在1mm與10mm之間。
如上所述，在某些實施例中，環形頂表面422可為水平的，或在其它實施例中，可成角度。另外，LED陣列240中的LED可朝向工件10的外邊緣成角度。
因為上部介電層210的頂表面212的直徑大於圖4中的靜電卡鉗400的頂表面212，所以圖5的上部介電層210可加熱工件10的較大部分。因此，圖5中的LED陣列240可加熱工件10的較小部分。雖然圖5繪示LED陣列240中的兩行LED，但可使用任何行數。另外，在圓周方向上的LED的數目不受本揭露內容限制。
雖然圖4以及圖5將基底420繪示為集成的元件，但其它實施例也是可能的。舉例來說，環形頂表面422可為分開的元件的部分。舉例來說，返回到圖2，可將分開的元件安置於基底220的水平環圈部分225上。可將LED陣列240安置於此元件的頂表面上。此配置繪示於圖6的靜電卡鉗600中。在此實施例中，將單獨的元件610安置於基底220的水平環圈部分225上。LED陣列240安置於此元件610的頂表面上。換句話說，元件610可用以將LED陣列240提升得更靠近工件10的底表面。邊緣護罩260可附接至基底220且用以保護元件610、LED陣列240以及上部介電層210。
在本文中描述的實施例中的每一者中，使用兩個不同機 制加熱工件。工件中的多數是通過傳導加熱，其中將大量氣體安置在工件的底表面與經加熱的靜電卡鉗的頂表面之間。如上所述，外密封環提供含有工件與靜電卡鉗之間的後側氣體的障壁。此後側氣體在靜電卡鉗與工件之間提供加熱機構，因為後側氣體由ESC加熱並且將此熱量轉移到工件。換句話說，ESC通過後側氣體的使用而提供傳導性加熱。因此，工件的延伸出外密封環的部分未由ESC以及後側氣體有效地加熱。另外，ESC也用以通過靜電力(通過將電壓施加到安置於ESC內的電極而創造)將工件固持於適當位置。
相比之下，工件的外邊緣由光能加熱，其中光是在特定波長範圍下發射，且朝向工件的外邊緣引導。這兩個機制的使用允許工件的更均勻溫度分佈。
以上在本申請案中描述的實施例可具有許多優點。舉例來說，在一個測試中，確定在不使用LED陣列的情況下，在工件的邊緣處的溫度從維持在500℃的中心溫度下降至少21℃。具有256個LED的單一行的LED陣列將外邊緣處的溫度維持在中心溫度的1℃內。此LED陣列僅消耗55W的功率。為了針對400℃中心溫度維持小於1℃的溫度均勻性，LED陣列僅消耗約17W的功率。換句話說，發射在易於由工件吸收的波長下的光的LED的使用增強發射的光與工件的溫度增加之間的耦合，因此使維持溫度均勻性需要的功率量最小化。
另外，本揭露內容依賴於光對工件加熱。由於此，有可 能在多個不同位置中安置LED陣列。換句話說，不需要極其靠近工件的表面安置LED陣列，只要存在LED陣列與工件之間的視線路徑即可。另外，LED可成角度以在工件的特定部分引導光。此允許遠離工件的邊緣安置LED陣列且仍能夠加熱外邊緣。通過遠離工件的外邊緣安置LED陣列，可執行傾斜植入，而不潛在地損壞LED陣列或任何其它元件。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10:工件
200:靜電卡鉗
210:上部介電層
220:基底
250:控制器
211:垂直側壁
212:上部介電層的頂表面
213:上部介電層的底表面
221:基底的頂表面
225:水平環圈部分
240:LED陣列
260:邊緣護罩
270:內部護罩

Claims (15)

  1. 一種靜電卡鉗，包括： 基底，具有具第一直徑的頂表面； 上部介電層，具有具第二直徑的底表面，其中所述上部介電層的所述底表面安置於所述基底的所述頂表面上且所述第二直徑小於所述第一直徑，以便在所述基底的所述頂表面上創造水平環圈；以及 LED陣列，安置於所述水平環圈上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的靜電卡鉗，所述上部介電層具有具第三直徑的頂表面，其中所述第三直徑大於所述第二直徑。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的靜電卡鉗，所述上部介電層具有具第三直徑的頂表面，其中所述第三直徑等於所述第二直徑。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的靜電卡鉗，所述LED陣列包括多個LED，所述LED發射易於由夾緊到所述上部介電層的工件吸收的波長的光。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的靜電卡鉗，所述多個LED發射波長在0.4 µm與1.0 µm之間的光。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的靜電卡鉗，更包括與所述LED陣列通訊的控制器以便調節夾緊到所述上部介電層的工件的外邊緣的溫度。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的靜電卡鉗，所述LED陣列中的LED朝向夾緊到所述上部介電層的工件的外邊緣成角度。
  8. 一種靜電卡鉗，包括： 上部介電層，具有頂表面以及底表面； 基底，具有經成形以容納所述上部介電層的凹座，其中所述基底具有與所述上部介電層的所述底表面接觸的凹進的頂表面，以及包圍所述上部介電層且安置於小於所述上部介電層的所述頂表面的高度處的環形頂表面；以及 LED陣列，安置於所述基底的所述環形頂表面上。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的靜電卡鉗，所述上部介電層的所述頂表面具有第一直徑，且所述上部介電層的所述底表面具有第二直徑，且所述第一直徑大於所述第二直徑。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的靜電卡鉗，所述上部介電層的所述頂表面具有第一直徑，且所述上部介電層的所述底表面具有第二直徑，且所述第一直徑等於所述第二直徑。
  11. 如申請專利範圍第8項所述的靜電卡鉗，所述LED陣列包括發射波長在0.4 µm與1.0 µm之間的光的多個LED。
  12. 如申請專利範圍第8項所述的靜電卡鉗，更包括與所述LED陣列通訊的控制器以便調節工件的外邊緣的溫度。
  13. 一種靜電卡鉗，包括： 基底； 上部介電層，安置於所述基底上； 圓環，安置於所述上部介電層的外邊緣周圍；以及 LED陣列，安置於所述圓環的頂表面上。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的靜電卡鉗，所述LED陣列包括發射波長在0.4 µm與1.0 µm之間的光的多個LED。
  15. 如申請專利範圍第13項所述的靜電卡鉗，所述上部介電層經配置以支撐工件，且所述工件的直徑大於所述上部介電層的直徑以便創造懸垂部，且所述圓環的寬度小於所述懸垂部。
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