KR20150048189A - 반사성 증착 링들 및 그를 포함하는 기판 프로세싱 챔버들 - Google Patents

반사성 증착 링들 및 그를 포함하는 기판 프로세싱 챔버들 Download PDF

Info

Publication number
KR20150048189A
KR20150048189A KR1020157007509A KR20157007509A KR20150048189A KR 20150048189 A KR20150048189 A KR 20150048189A KR 1020157007509 A KR1020157007509 A KR 1020157007509A KR 20157007509 A KR20157007509 A KR 20157007509A KR 20150048189 A KR20150048189 A KR 20150048189A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
deposition ring
processing
processing system
deposition
Prior art date
Application number
KR1020157007509A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102117234B1 (ko
Inventor
아난타 케이 수브라마니
조셉 엠. 라니쉬
시아오시옹 유안
아쉬쉬 고엘
정 주 리
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US13/598,828 external-priority patent/US9905443B2/en
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20150048189A publication Critical patent/KR20150048189A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102117234B1 publication Critical patent/KR102117234B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

기판에 걸친 온도 균일성을 개선하기 위한 장치가 본원에 제공된다. 몇몇 실시예들에서, 기판을 프로세싱 하기 위해서 기판 프로세싱 시스템에서 사용하기 위한 증착 링은, 제 1 표면, 반대편의 제 2 표면, 및 제 1 및 제 2 표면들을 통과하는 중앙 개구를 갖는 환형 본체를 포함할 수 있고, 제 2 표면은, 주어진 폭을 갖는 기판을 지지하는 지지 표면을 갖는 기판 지지부 위에 배치되도록 구성되며, 개구는 지지 표면의 주된 부분을 노출시키도록 크기가 정해지고; 그리고 제 1 표면은 환형 본체의 중앙 축을 향해 열 에너지를 반사하도록 구성된 적어도 하나의 반사성 부분을 포함하고, 적어도 하나의 반사성 부분은 제 1 표면의 전체 표면적의 약 5 내지 약 50 퍼센트인 표면적을 갖는다.

Description

반사성 증착 링들 및 그를 포함하는 기판 프로세싱 챔버들{REFLECTIVE DEPOSITION RINGS AND SUBSTRATE PROCESSING CHAMBERS INCORPORATIONG SAME}
[0001] 본 발명의 실시예들은 일반적으로, 반도체 프로세싱 장비 및 기술들에 관한 것이다.
[0002] 반도체 기판들은 보통, 기판의 표면에 형성된 피쳐들(features)을 포함하는 기판 상의 재료들의 증착과 같은 재료 프로세스 이후에 열 처리를 겪는다. 증착 단계(phase) 동안에 기판 상에 증착되는 재료를 효과적으로 리플로우(reflow)하고 그리고 기판 상에 및 피쳐들 내에 재료의 더 컨포멀한(conformal) 분배를 제공하기 위해서, 열 처리 동안에 반도체 기판에 걸친 온도 균일성이 중요하다. 몇몇 리플로우 챔버들은 반도체 기판의 후면(backside)을 향해 복사선(radiation)을 지향시키기 위해 반사성 표면을 사용한다. 그러나, 리플로우 챔버 내의 공간 제약들이 반사 표면의 면적(area)을 실질적으로 제한하고, 반도체 기판의 온도 균일성에 악영향을 준다.
[0003] 따라서, 본 발명자들은, 적어도 몇몇 실시예들에서, 기판에 걸친 온도 균일성을 개선하는, 기판들을 프로세싱하기 위한 장치를 제공하였다.
[0004] 기판에 걸친 온도 균일성을 개선하기 위한 장치가 본원에 제공된다. 몇몇 실시예들에서, 기판을 프로세싱 하기 위해서 기판 프로세싱 시스템에서 사용하기 위한 증착 링은, 제 1 표면, 반대편의 제 2 표면, 및 제 1 및 제 2 표면들을 통과하는 중앙 개구를 갖는 환형 본체를 포함할 수 있고, 제 2 표면은, 주어진 폭을 갖는 기판을 지지하는 지지 표면을 갖는 기판 지지부 위에 배치되도록 구성되며, 개구는 지지 표면의 주된(predominant) 부분을 노출시키도록 크기가 정해지고; 그리고 제 1 표면은 환형 본체의 중앙 축을 향해 열 에너지를 반사하도록 구성된 적어도 하나의 반사성 부분을 포함하고, 적어도 하나의 반사성 부분은 제 1 표면의 전체 표면적의 약 5 내지 약 50 퍼센트인 표면적을 갖는다.
[0005] 몇몇 실시예들에서, 기판을 프로세싱 하기 위해서 기판 프로세싱 시스템에서 사용하기 위한 증착 링은, 제 1 표면, 반대편의 제 2 표면, 및 제 1 및 제 2 표면들을 통과하는 중앙 개구를 갖는 환형 본체를 포함할 수 있고, 제 2 표면은, 주어진 폭을 갖는 기판을 지지하는 지지 표면을 갖는 기판 지지부 위에 배치되도록 구성되며, 개구는 지지 표면의 주된 부분을 노출시키도록 크기가 정해지고; 그리고 제 1 표면은 환형 본체의 중앙 축을 향해 열 에너지를 반사하도록 구성된 적어도 하나의 반사성 부분을 포함하고, 적어도 하나의 반사성 부분은 제 1 표면의 전체 표면적의 적어도 약 5 퍼센트인 표면적을 갖는다.
[0006] 몇몇 실시예들에서, 기판 프로세싱 챔버는, 주어진 폭을 갖는 기판을 지지하는 지지 표면을 갖는 기판 지지부; 기판 프로세싱 챔버의 주변 영역에 포지셔닝된 복사 에너지 소스; 복사 에너지 소스 주위에 배치된 반사기(reflector); 및 증착 링을 포함할 수 있다. 증착 링은, 제 1 표면, 반대편의 제 2 표면, 및 제 1 및 제 2 표면들을 통과하는 중앙 개구를 갖는 환형 본체를 포함할 수 있고, 제 2 표면은 기판 지지부 위에 배치되도록 구성되며, 개구는 지지 표면의 주된 부분을 노출시키도록 크기가 정해지고; 그리고, 적어도 하나의 반사성 부분은, 제 1 표면 상에 배치되고 환형 본체의 중앙 축을 향해 열 에너지를 반사하도록 구성되며, 적어도 하나의 반사성 부분은 제 1 표면의 전체 표면적의 약 5 내지 약 50 퍼센트이다.
[0007] 다른 실시예들 및 변형들이 이하에서 더 상세하게 논의된다.
[0008] 첨부된 도면들에 도시된 본 발명의 예시적 실시예들을 참조하여, 앞서 간략히 요약되고 이하에서 더 상세하게 논의되는 본 발명의 실시예들이 이해될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 발명의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 발명이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0009] 도 1은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 챔버의 개략적인 단면도이다.
[0010] 도 2는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 증착 링의 개략도를 도시한다.
[0011] 도 2a는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 증착 링의 측단면도를 도시한다.
[0012] 도 3a-c는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 증착 링들의 측단면도들을 각각 도시한다.
[0013] 도 4는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 예시적인 증착 링의 평면도이다.
[0014] 이해를 용이하게 하기 위하여, 가능하면, 도면들에 공통되는 동일한 요소들을 나타내는데 동일한 참조번호들이 사용되었다. 도면들은 실척으로 도시된 것은 아니며(not drawn to scale), 명료함을 위해 단순화될 수 있다. 일 실시예의 요소들 및 특징들이 추가적인 언급 없이 다른 실시예들에 유리하게 포함될 수 있는 것으로 고려된다.
[0015] 본 발명의 실시예들은 기판들을 프로세싱 하기 위한 개선된 장치를 제공한다. 적어도 몇몇 실시예들에서, 장치는 기판에 걸친 개선된 온도 균일성을 제공할 수 있다. 예를 들어, 본 발명과 일치하는 실시예들은, 기판 상에 재료가 정상(normal) 증착되고 이후에 그 동일한 기판이 가열되는 이중-기능 챔버에서 사용될 수 있다. 전형적으로, 기판의 제 1 표면은, 제 1 표면 상의 재료 증착 이후에 매우 반사적이고, 따라서 기판의 반사성 제 1 표면에 대해 고강도 광 소스를 이용해 기판을 가열하는 것은 비효율적일 수 있다. 그러나, 제 1 표면의 반대편의, 기판의 제 2 표면(예를 들어, 바닥부 표면)은 광 에너지에 대해 더 흡수적일 수 있고 더 나은 열 커플링을 제공할 수 있다. 부가적으로, 공간 제한들에 기인하여, 열 소스들은 페데스탈의 이동이 방해받지 않도록 로케이팅 되어야 한다. 따라서, 열 소스는 기판 지지 페데스탈의 둘레(periphery) 외부에 로케이팅될 수 있다. 본 발명과 일치하는 실시예들에서, 주변 열 소스들로부터 기판을 향해 열 에너지를 반사하는 반사성 표면들과 보호성 쉴드들의 조합이 제공된다.
[0016] 도 1은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 챔버(100)의 개략적인 단면도를 도시한다. 챔버(100)는 기판의 제 1 면(side) 상의 재료의 증착 및 기판의 제 1 면의 반대편의, 기판의 제 2 면 상의 조사(irradiation)를 위해 구성된다. 그러한 챔버(100)는, 챔버로부터 기판을 제거하지 않고 기판 상에 재료 프로세스와 열 프로세스 양쪽 모두를 수행할 수 있는 이중-기능 챔버이다. 금속 증착 프로세스의 경우에, 열 프로세스는, 예를 들어, 기판의 리세스들의 금속의 돌출(overhang)을 감소시키기 위해서, 리플로우 프로세스일 수 있다.
[0017] 챔버(100)는 챔버의 내부 용적(138)을 에워싸는 벽(104) 및 덮개 부분(102)을 갖는다. 기판 지지부(106)가 내부 용적(138)을 상부 용적(136)과 하부 용적(134)으로 분리한다. 프로세스 가스들은 덮개 부분(102)에 형성된 유입구(108)를 통해서 챔버의 상부 용적(136)으로 진입이 허용되고, 기판 지지부(106)의 기판 수용 표면(116) 상에 배치된 기판(168)이 챔버(100)의 프로세싱 위치(160)에서 프로세스 가스들에 노출된다.
[0018] 동작 시에, 기판 지지부(106)는 프로세싱의 상이한 단계들에서 여러 포지션들로 연장(extending) 및 수축(retracting)하면서 챔버(100) 내에서 수직으로 이동한다. 예를 들어, 기판 지지부(106)는, 기판 지지부(106)의 기판 수용 표면(116) 상에 배치된 기판(168)을 챔버의 프로세싱 위치(160)와 운송 위치(124) 사이에서 이동시키기 위해서 수직으로 액츄에이팅될 수 있다. 운송 위치(124)는, 기판 핸들링 장치(도시되지 않음)가 포탈(122)을 통해서 기판(168)을 조작(manipulate)할 수 있는, 기판(168)의 위치를 정의한다.
[0019] 복수의 리프트 핀들(114)이 기판 지지부(106)의 기판 수용 표면(116)을 통해 배치된다. 복수의 리프트 핀들(114)은, 액츄에이터(162)에 커플링된 모터(도시되지 않음)에 의해서 기판 지지부(106)와 관계없이 이동하면서, 액츄에이터(162)에 의해서 연장될 수 있다. 예를 들어, 몇몇 실시예들에서, 기판 지지부(106)가 복사 소스 평면(126) 아래로 수축하는 동안 복수의 리프트 핀들(114)은 프로세싱 위치(160) 근처에 기판(168)을 리프팅하고 유지하도록 액츄에이팅될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 리프트 핀들을 액츄에이팅함으로써, 기판(168)은 재료 프로세싱 위치일 수 있는 프로세싱 위치(160)와 상이한 열 프로세싱 위치(128)에 포지셔닝될 수 있다.
[0020] 기판 수용 표면(116)은 정전 척을 포함할 수 있고, 정전 척은 전형적으로, 절연 기판 수용 표면(116)에 배치된 전도체(158)를 포함한다. 전도체(158)는 기판 수용 표면(116)을 통해 우회적으로 라우팅되는(circuitously routed), 플레이트, 와이어 메쉬, 또는 단일-경로 와이어일 수 있다. 전력은 전형적으로, 기판 지지부의 샤프트(132)를 통해 배치된 도관(156)을 통해서 전도체(158)에 커플링된다. 기판 수용 표면(116)이 기판(168)과 맞물릴 때(engage), 정전 척은 기판 지지부(106) 상의 기판(168)을 고정시키기 위해서 에너자이징될 수 있다. 그 때, 도관(130)을 통해 냉각 가스가 또한 도입될(established) 수 있다.
[0021] 기판 지지부(106)는, 기판이 위에 포지셔닝된 상태에서, 기판(168)을 프로세싱 위치들(128 및 160)을 향해 이동시킨다. 기판 지지부(106)가 프로세싱 위치(160)를 향해 상승함에 따라, 기판 지지부(106)는, 증착 링(118)이 렛지(150) 상에 놓인 상태에서, 복사 소스 조립체(112) 옆을 지나간다. 기판 수용 표면(116)이 프로세싱 위치(160)에 도달할 때, 기판(168)은, 증착, 주입(implant), 또는 에칭과 같은 재료 프로세스를 겪을 수 있다. 이하에서 설명되는 바와 같이, 금속 또는 세라믹일 수 있는 증착 링(118)은 증착 링(118)으로부터 덮개 부분(102)을 향해 외측으로 연장하는 커버 링(166)과 맞물리도록 구성될 수 있다. 커버 링(166)과 맞물리는 것은, 상부 용적(136)으로부터 커버 링(166)을 지나 하부 용적(134) 내로의 가스 유동을 제어함으로써, 증착 링(118)의 기능을 개선한다. 기판 지지부(106)가 프로세싱 위치들(160 및 128)을 향해 이동함에 따라, 증착 링(118)이 커버 링(166)과 맞물린다. 기판 지지부(106)가 프로세싱 위치(160)로부터 프로세싱 위치(128)를 향해 이동함에 따라, 커버 링(166)은 증착 링(118) 및 기판 지지부(106)와 함께 이동한다.
[0022] 복사 소스 조립체(112)는 챔버(100)의 둘레(142)에 배치되고, 프로세싱 위치(160)와 운송 위치(124) 사이에 있는 복사 소스 평면(126)을 정의한다. 복사 소스 조립체(112)는 전형적으로, 기판 지지부(106)를 둘러싼다. 복사 소스 조립체(112)는 하우징(188), 복사 에너지 소스(182), 하우징(188)으로부터 돌출되어 복사 에너지 소스(182)를 지지하는 적어도 하나의 지지부(184), 및 하우징(188)의 반사성 표면(186)을 포함한다. 하우징(188)은 일반적으로, 열 전도성 재료, 예컨대 금속, 예를 들어 스테인리스 스틸로 만들어진다. 지지부(184)는 열 전도성 재료, 예컨대 금속, 예를 들어 스테인리스 스틸, 또는 세라믹과 같은 굴절 재료(refractive material)일 수 있다. 복사 에너지 소스(182)는, 적외선으로부터 자외선까지의 파장들, 또는 마이크로파, 밀리미터파, 테라헤르츠파, 서브-밀리미터파의 복사선을 생성하는 램프, 또는 원적외선 소스일 수 있다. 복사 에너지 소스(182)는 약 5x10-2m 내지 약 1x10-7m 의 파장들을 갖는 복사선을 생성할 수 있다. 예시적인 복사 에너지 소스들은 가열 램프들, 할로겐 램프들, 아크 램프들, 및 동축형 마이크로파 또는 밀리미터파 소스들을 포함한다.
[0023] 하우징(188)의 반사성 표면(186)은, 복사 에너지 소스(182)로부터, 프로세싱 위치들(128 또는 160)에 포지셔닝된 기판(168)의 후면(172)을 향해 복사선을 반사하도록 (예를 들어, 반사기가 되도록) 성형된다. 몇몇 실시예들에서, 하우징(188)의 반사성 표면(186)은 기판의 실질적으로 균일한 조사를 허용하도록 성형된다. 하우징(188)의 반사성 표면(186)은 원통형, 토로이달형(toroidal), 타원형(elliptical), 오발형(oval), 또는 불규칙하게 만곡된(curved) 형상과 같은, 임의의 원하는 형상을 가질 수 있다. 하우징(188)의 반사성 표면(186)은 만곡되는 것에 부가하여, 또는 만곡되는 대신에, 패싯팅될(faceted) 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 하우징(188)의 반사성 표면(186)은, 동일한 또는 상이한 반경들의 곡률을 갖는 원통들의 결합된 세그먼트들일 수 있고, 이들의 각각은 또한, 부분적으로 테이퍼지거나(tapered) 패싯팅될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 하우징(188)의 반사성 표면(186)은 절반-토로이드(half-toroid)이다. 몇몇 실시예들에서, 하우징(188)의 반사성 표면(186)은 복수의 반사성 피스들(pieces)을 포함하고, 반사성 피스들의 각각은 독립적으로, 실질적으로 편평하거나, 만곡되거나, 테이퍼지거나, 또는 패싯팅될 수 있으며, 반사성 피스들은 만곡된 표면과 비슷하도록 포지셔닝된다. 지지부들(184)은 전형적으로 불연속적인데, 예를 들어 지지 핀들, 로드들, 또는 범프들이며, 이에 의해서, 복사 에너지 소스(182)로부터의 복사선은 하우징(188)의 실질적으로 전체 반사성 표면(186)에 도달하고 기판(168)의 후면(172)을 향해 반사된다.
[0024] 증착 링(118)은 기판 수용 표면(116)의 엣지(148) 주위에 배치된다. 증착 링(118)은 금속 또는 금속-코팅된 세라믹, 예를 들어 스테인리스 스틸, 알루미늄 옥사이드, 등일 수 있다. 일반적으로, 증착 링(118)은 고온 프로세싱에 대해 내성을 갖는 재료들로 형성된다. 부가적으로, 이하에서 논의되는 바와 같이, 증착 링(118)의 제 1 표면(176)은 반사적이다.
[0025] 증착 링(118)은 기판 지지부(106) 상의 증착을 방지하기 위해서 기판 지지부(106)의 외측 범위(outer extent)(146)를 실질적으로 커버한다. 증착 링은 제 1 표면(176) 및 반대편의 제 2 표면(178)을 갖는 환형 본체를 포함한다. 제 2 표면(178)은, 예를 들어, 기판 수용 표면(116)의 외측 범위(146)에 형성된 렛지(150) 상에 놓인다. 몇몇 실시예들에서, 증착 링은 약 12 내지 약 15인치의 직경을 갖는다. 증착 링은 또한, 증착 링(118)의 중앙을 통해 배치된 개구(180)를 포함한다. 증착 링(118)의 중앙을 통해 배치된 개구(180)는 기판 수용 표면(116)의 주된 부분을 노출시키도록 크기가 정해진다. 몇몇 실시예들에서, 기판 수용 표면(116) 상에 배치된 기판(168)은 증착 링(118)과 접촉한다. 대안적인 실시예들에서, 기판(168)은 증착 링(118)의 내측 반경보다 작은 외측 반경을 가질 수 있고, 이에 의해서, 기판(168)은 증착 링(118)과 접촉하지 않는다.
[0026] 프로세싱 위치(160)에서의 프로세싱이 완료된 이후에, 기판 지지부(106)는 기판(168)의 후면 열 프로세싱을 위해서 포지셔닝될 수 있다. 기판(168)에 대한 임의의 척킹이, 전도체(158)로의 전력(또는 진공 척 실시예에서 기판 수용 표면으로의 진공)을 차단함으로써 맞물림해제되고(disengaged), 기판 지지부(106)가 수축하며, 그리고 리프트 핀들(114)이 연장된 포지션 내로 액츄에이팅된다. 이는 기판(168)을 기판 수용 표면(116)으로부터 맞물림해제하고, 그리고, 기판 지지부(106)가 복사 소스 평면(126) 아래의 열 프로세싱 포지션으로 수축할 때 기판(168)을 프로세싱 위치(160)에 유지한다. 이에 의해서 기판 후면은 복사 소스 조립체(112)로부터의 복사선에 노출된다. 원한다면, 리프트 핀들을 액츄에이팅함으로써, 프로세싱 위치(160)와 상이한 열 프로세싱 위치(128)로 기판(168)이 이동될 수 있다. 그러한 실시예들에서, 프로세싱 위치(160)는 재료 프로세싱 위치일 수 있다. 열 프로세싱 위치는, 원하는대로, 특정 실시예들의 에너지 노출 필요들에 따라서, 재료 프로세싱 위치의 위 또는 아래에 로케이팅될 수 있다. 기판(168)은 도 1에서 열 프로세싱 포지션에 있는 것으로 도시된다.
[0027] 열 프로세싱 동안에, 복사 소스 조립체(112)에 전력이 공급되고 복사 소스 조립체(112)로부터 기판(168)의 후면을 향해 에너지가 복사된다. 기판(168)의 후면(172)은 재료 프로세스가 수행된 표면(170)의 반대편의 기판 표면이다. 통합형 재료 및 열 프로세싱 챔버를 제공하는 것에 더하여, 이러한 방식으로 기판(168)의 후면(172)을 조사하는 것은, 기판(168)의 덜 반사적인 표면을 조사하는 것에 의한 열 프로세스의 에너지 효율을 개선할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 기판(168) 상에 수행된 재료 프로세스는, 에너지 흡수를 감소시키는 반사성 층 또는 부분적 층을 표면(170) 상에 형성한다. 후면(172)을 조사하는 것은 증가된 반사율(reflectivity)을 회피한다. 게다가, 표면(170)의 반사율은, 추가적인 효율 개선을 위해서, 기판(168)을 통해서 이동하는, 복사 소스 조립체(112)로부터의 복사선을 다시 기판(168)을 통해서 반사할 수 있다.
[0028] 상기 언급된 바와 같이, 증착 링(118)은, 복사 에너지 소스(182)로부터, 프로세싱 위치(160)에 포지셔닝된 기판을 향해 반사되는 복사선의 양을 증가시키도록 구성된 제 1 표면(176)을 포함한다(예를 들어, 제 1 표면의 적어도 부분들은 프로세스 챔버의 중앙 축(174)을 향해 방사상 내측으로 복사선을 반사하도록 구성된다). 몇몇 실시예들에서, 증착 링(118)은 복사 소스 조립체(112)의 반사성 표면(186)의 연장부로서 구성될 수 있다.
[0029] 몇몇 실시예들에서, 제 1 표면(176)은 제 1 표면(176) 상에 증착된 재료의 점착력(adhesion)을 강화하도록 텍스쳐링(textured)되고, 이에 의해서 기판 프로세싱 동안에 증착 링(118)의 제 1 표면(176) 상에 축적된(built up) 증착된 재료의 임의의 플레이킹(flaking)을 감소시킨다. 몇몇 실시예들에서, 제 1 표면(176)은 약 80 내지 약 100 마이크로 인치 RMS의 거칠기를 갖는다.
[0030] 도 2는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 예시적인 증착 링(118)의 측단면도를 도시한다. 도 2a는 도 2의 증착 링(118)의 상세한 측단면도를 도시한다. 도 3a-c는 증착 링의 제 1 표면(176)의 다양하고 비-제한적인 예시적 실시예들을 도시한다.
[0031] 몇몇 실시예들에서, 도 2-2a 및 3a-c에서 도시된 바와 같이, 증착 링(118)의 제 1 표면(176)은, 광 에너지를 증착 링의 중앙 축을 향해 반사하도록 구성된 적어도 하나의 반사성 부분(204)을 포함한다(예를 들어, 증착 링이 또한 반사기이다). 예를 들어, 도 2a 및 3a-b에서 도시된 바와 같이, 증착 링(118)의 제 1 표면(176)은 하나의 반사성 부분(204)을 포함할 수 있다. 증착 링(118)의 제 1 표면(176)은 또한, 도 3c에 도시된 바와 같이, 하나 초과의 반사성 부분(204)을 포함할 수 있다. 증착 링(118)의 제 1 표면(176) 전체가 반사적일 수 있지만, 증착 링과 관련하여 본원에서 사용된 바와 같이, 반사성 표면 또는 표면의 반사성 부분이라는 용어는 광 에너지를 증착 링의 중앙 축을 향해 반사하도록 구성된 표면을 설명하는 데에 사용된다.
[0032] 몇몇 실시예들에서, 반사성 부분(204)은 제 1 표면(176)의 주된 부분을 포함한다. 몇몇 실시예들에서, 반사성 부분(204)은 제 1 표면(176)의 약 5 내지 약 50 퍼센트이다. 반사성 부분(204)은 열 에너지를 환형 본체의 중앙 축(174)을 향해 반사하도록 구성된다. 몇몇 실시예들에서, 반사성 부분은 환형 본체의 중앙 축을 향하여 약 0 내지 약 30도, 또는 약 30도에 이르기까지의 각도로 각을 이룬다. 적어도 하나의 반사성 부분(204)을 포함하고 열 에너지를 환형 본체의 중앙 축(174)을 향해 반사하도록 구성된 제 1 표면(176)은 기판의 후면(172)을 향해 지향된 복사선의 양을 유리하게 증가시키고, 이에 의해서 기판의 온도 불-균일성을 개선한다(예를 들어, 감소시킨다). 게다가, 본 발명자들은, 증착 링의 기능을 유지하면서 기판의 온도 불-균일성을 유리하게 개선하기 위해서(예를 들어, 감소시키기 위해서), 적어도 하나의 반사성 부분(204)이 제 1 표면(176)의 부분(예를 들어, 제 1 표면(176)의 전체 표면적의 약 5 내지 약 50 퍼센트의 표면적을 가짐)을 따라서 증착 링 내에 유리하게 포함될 수 있다는 것을 발견하였다. 기판의 후면(172)을 향해 지향된 복사선의 양의 증가는 리플로우 챔버의 공간 제약들 내에서 유리하게 수행된다.
[0033] 몇몇 실시예들에서, 증착 링(118)을 챔버 내로 넣기 전에 증착 링(118)의 반사성 부분(204)이 반사성 재료로 코팅된다. 몇몇 실시예들에서, 증착 링(118)은 챔버(100) 내에서 반사성 재료로 코팅된다. 반사성 부분(204)은 구리, 금, 알루미늄, 등과 같은 반사성 재료로 코팅될 수 있다.
[0034] 증착 링(118)의 반사성 부분(204)은 하우징(188)의 반사성 표면(186)의 곡률 및/또는 패싯팅과 양립 가능한 방식으로 만곡되고 그리고/또는 패싯팅되며, 이에 의해, 하우징(188)의 반사성 표면(186)과 증착 링(118)의 반사성 부분(204)은, 복사 에너지 소스(182)로부터 복사 에너지 소스(182)의 위에 포지셔닝된 기판 후면으로, 가능한 한 많은 복사선을, 가능한 한 균일하게 지향시키도록 구성된 복합(composite) 반사기를 함께 형성한다.
[0035] 몇몇 실시예들에서, 제 1 표면(176)은 경사진(sloped) 표면(210)을 포함한다. 도 2a 및 3a-b에서, 반사성 부분(204)은 경사진 표면(210) 근처에 배치된다. 경사진 표면은 유리하게, 증착된 재료들의 억제를 용이하게 하도록 그리고/또는 기판(168)이 증착 링(118)의 중앙 개구 내에 하강될 때 기판(168)을 포지션 내로 안내하도록 작용한다. 몇몇 실시예들에서, 경사진 표면(210)은 또한, 반사성 부분(204)과 유사하게, 반사성 부분일 수 있다(예를 들어, 제 2 반사성 부분).
[0036] 몇몇 실시예들에서, 도 2a 및 3a-b에서 도시된 바와 같이, 제 1 표면(176)은, 증착 링(118)으로부터 덮개 부분(102)을 향해 외측으로 연장하는 커버 링(166)과 맞물리도록. 금속 또는 세라믹일 수 있는 증착 링(118)의 외측 둘레 근처에 배치된 편평한 부분(206)을 포함한다. 커버 링(166) 및 편평한 부분(206)은, 상부 용적(136)으로부터 커버 링(166)을 지나 하부 용적(134) 내로의 가스 유동을 제어함으로써, 증착 링(118)의 기능을 개선한다. 기판 지지부(106)가 프로세싱 위치들(160 및 128)을 향해 이동함에 따라, 증착 링(118)은 커버 링(166)과 맞물린다. 기판 지지부(106)가 프로세싱 위치(160)로부터 프로세싱 위치(128)를 향해 이동함에 따라, 커버 링(166)은 증착 링(118) 및 기판 지지부(106)와 함께 이동한다.
[0037] 몇몇 실시예들에서, 도 2a 및 3a-b에서 도시된 바와 같이, 제 1 표면(176)은 그루브(208)를 포함한다. 몇몇 실시예들에서, 그루브(208)는 편평한 부분(206)의 방사상 내측에 배치될 수 있다. 기판 프로세싱 동안에, 그루브(208)는 유리하게, 증착 재료의 축적을 위한 저장소를 제공한다. 몇몇 실시예들에서, 경사진 표면(210)은 그루브(208) 근처에, 또는 그에 인접하여 배치될 수 있다. 예를 들어, 몇몇 실시예들에서, 경사진 표면(210)은 그루브(208)의 일 벽을 형성할 수 있다.
[0038] 도 4는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 예시적인 증착 링(118)의 평면도이다. 증착 링(118)은 외측 직경(402), 내측 직경(404), 및 중앙 개구(406)를 포함한다. 몇몇 실시예들에서, 증착 링(118)은 증착 링을 포지셔닝하는 것을 보조할 수 있는 하나 또는 그 초과의 탭들(tabs)(408)을 포함할 수 있다.
[0039] 다시 도 1을 참조하면, 열 프로세싱이 완료된 후에, 기판은 전형적으로, 리프트 핀들(114)을 수축하는 것에 의해서 기판 수용 표면(116)과 다시 맞물린다. 척킹이 다시 적용될 수 있고, 그리고 기판을 냉각하기 위해서 냉각 가스가 다시 도입될 수 있다. 그런 다음에 기판 지지부(106)는, 원한다면, 추가적인 프로세싱을 위한 포지션 내로 이동될 수 있거나, 또는 기판의 회수를 위해 다시 운송 위치로 이동될 수 있다. 기판 지지부(106)가 운송 위치에 포지셔닝될 때, 로봇 블레이드가 기판과 기판 수용 표면(116) 사이에 삽입될 수 있도록 리프트 핀들(114)을 연장하는 것에 의해서 기판으로의 액세스가 제공된다.
[0040] 기판은 재료(즉, 증착 또는 주입) 및 열 프로세싱을 위해서 동일한 위치에 포지셔닝될 필요가 없다. 전술한 내용에서, 프로세싱 위치(160)가 재료 및 열 프로세싱 동안에 동일한 것으로 제안되지만, 그렇게 되도록 요구되는 것은 아니다. 예를 들어, 열 프로세싱 위치는 재료 프로세싱 위치와 상이할 수 있다. 기판은 재료 프로세싱 위치로부터 열 프로세싱 위치로 상승되거나 하강될 수 있다. 재료 프로세싱 위치에 대한 열 프로세싱 위치의 위치는 일반적으로, 복사 소스의 설계와 재료 프로세스의 필요들에 따른다.
[0041] 따라서, 기판에 걸친 온도 균일성을 개선하기 위한 개선된 장치가 본원에 개시되었다. 본 발명의 장치는 유리하게, 피쳐의 측벽들 상으로 증착된 재료가 피쳐의 바닥부로 이동하는 것을 가능하게 하는 리플로우 단계를 용이하게 하여 이에 의해, 구조의 종횡비를 감소시킬 수 있다.
[0042] 전술한 내용은 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 본 발명의 기본 범위에서 벗어나지 않고 안출될 수 있다.

Claims (15)

  1. 기판을 프로세싱 하기 위해서 기판 프로세싱 시스템에서 사용하기 위한 증착 링으로서,
    제 1 표면, 반대편의 제 2 표면, 및 상기 제 1 및 제 2 표면들을 통과하는 중앙 개구를 갖는 환형 본체 － 상기 제 2 표면은, 주어진 폭을 갖는 기판을 지지하는 지지 표면을 갖는 기판 지지부 위에 배치되도록 구성되며, 상기 개구는 상기 지지 표면의 주된(predominant) 부분을 노출시키도록 크기가 정해짐 － 를 포함하고; 그리고
    상기 제 1 표면은 상기 환형 본체의 중앙 축을 향해 열 에너지를 반사하도록 구성된 적어도 하나의 반사성 부분을 포함하고, 상기 적어도 하나의 반사성 부분은 상기 제 1 표면의 전체 표면적의 적어도 약 5 퍼센트인 표면적을 갖는,
    기판을 프로세싱 하기 위해서 기판 프로세싱 시스템에서 사용하기 위한 증착 링.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 반사성 부분은 상기 제 1 표면의 전체 표면적의 적어도 약 5 내지 약 50 퍼센트인 표면적을 갖는,
    기판을 프로세싱 하기 위해서 기판 프로세싱 시스템에서 사용하기 위한 증착 링.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 반사성 부분은 반사성 재료로 코팅되는,
    기판을 프로세싱 하기 위해서 기판 프로세싱 시스템에서 사용하기 위한 증착 링.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 환형 본체는,
    상기 제 1 표면에 배치되고, 그리고 기판 프로세싱 동안에 증착 재료의 축적(buildup)을 수용하도록 구성되는 그루브를 더 포함하는,
    기판을 프로세싱 하기 위해서 기판 프로세싱 시스템에서 사용하기 위한 증착 링.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 환형 본체는,
    커버 링을 지지하기 위해서 상기 증착 링의 외측 둘레 근처에 배치되는 편평한 부분을 더 포함하는,
    기판을 프로세싱 하기 위해서 기판 프로세싱 시스템에서 사용하기 위한 증착 링.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 환형 본체는,
    상기 제 1 표면 및 상기 증착 링의 내측 둘레 근처에 배치된 경사진 표면 － 상기 경사진 표면은 기판이 존재할 때 상기 중앙 개구 위에 기판을 포지셔닝하도록 구성됨 － 을 더 포함하는,
    기판을 프로세싱 하기 위해서 기판 프로세싱 시스템에서 사용하기 위한 증착 링.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 표면은 약 80 내지 약 100 마이크로 인치 RMS의 거칠기를 갖는,
    기판을 프로세싱 하기 위해서 기판 프로세싱 시스템에서 사용하기 위한 증착 링.
  8. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 증착 링은 약 12 내지 약 15 인치의 직경을 갖는,
    기판을 프로세싱 하기 위해서 기판 프로세싱 시스템에서 사용하기 위한 증착 링.
  9. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 반사성 부분의 경사도는 약 0 내지 약 30 도인,
    기판을 프로세싱 하기 위해서 기판 프로세싱 시스템에서 사용하기 위한 증착 링.
  10. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 환형 본체는 복수의 반사성 부분들을 포함하고, 상기 복수의 반사성 부분들의 각각은 기판이 존재할 때 기판을 향해 열 에너지를 반사하도록 각을 이루는,
    기판을 프로세싱 하기 위해서 기판 프로세싱 시스템에서 사용하기 위한 증착 링.
  11. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 환형 본체는 상기 제 2 표면을 상기 환형 본체의 내측 직경에 연결하는 제 1 계단(step)을 더 포함하는,
    기판을 프로세싱 하기 위해서 기판 프로세싱 시스템에서 사용하기 위한 증착 링.
  12. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 반사성 부분은 상기 제 1 표면의 주된 부분인,
    기판을 프로세싱 하기 위해서 기판 프로세싱 시스템에서 사용하기 위한 증착 링.
  13. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 표면에 배치되고, 그리고 기판 프로세싱 동안에 증착 재료의 축적을 수용하도록 구성된 그루브;
    커버 링을 지지하기 위해서 상기 증착 링의 외측 둘레 근처에 배치된 편평한 부분; 및
    상기 제 1 표면 상에 그리고 상기 그루브의 방사상 외측으로 그리고 상기 그루브 근처에 배치된 경사진 표면 － 상기 경사진 표면은 기판이 존재할 때 상기 중앙 개구 위에 기판을 포지셔닝하도록 구성됨 － 을 더 포함하는,
    기판을 프로세싱 하기 위해서 기판 프로세싱 시스템에서 사용하기 위한 증착 링.
  14. 기판 프로세싱 챔버로서,
    주어진 폭을 갖는 기판을 지지하기 위한 지지 표면을 갖는 기판 지지부;
    상기 기판 프로세싱 챔버의 주변 영역에 포지셔닝된 복사 에너지 소스;
    상기 복사 에너지 소스 주위에 배치된 반사기; 및
    상기 기판 지지부의 지지 표면 주변에 배치된 증착 링 － 상기 증착 링은 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에서 설명된 바와 같음 － 을 포함하는,
    기판 프로세싱 챔버.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 증착 링의 제 1 표면은 상기 반사기의 연장부인,
    기판 프로세싱 챔버.
KR1020157007509A 2012-08-30 2013-08-27 반사성 증착 링들 및 그를 포함하는 기판 프로세싱 챔버들 KR102117234B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/598,828 US9905443B2 (en) 2011-03-11 2012-08-30 Reflective deposition rings and substrate processing chambers incorporating same
US13/598,828 2012-08-30
PCT/US2013/056784 WO2014035957A1 (en) 2012-08-30 2013-08-27 Reflective deposition rings and substrate processing chambers incorporating same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150048189A true KR20150048189A (ko) 2015-05-06
KR102117234B1 KR102117234B1 (ko) 2020-06-01

Family

ID=50184232

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157007509A KR102117234B1 (ko) 2012-08-30 2013-08-27 반사성 증착 링들 및 그를 포함하는 기판 프로세싱 챔버들

Country Status (4)

Country Link
KR (1) KR102117234B1 (ko)
CN (1) CN104584192B (ko)
TW (1) TWI600108B (ko)
WO (1) WO2014035957A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6820866B2 (ja) * 2015-05-29 2021-01-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ リフレクタを有する処理チャンバ
US11961723B2 (en) 2018-12-17 2024-04-16 Applied Materials, Inc. Process kit having tall deposition ring for PVD chamber
USD888903S1 (en) 2018-12-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Deposition ring for physical vapor deposition chamber

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01319934A (ja) * 1988-05-09 1989-12-26 Siemens Ag 電磁放射照射による半導体円板の急速熱処理方法
JP2000323487A (ja) * 1999-05-14 2000-11-24 Tokyo Electron Ltd 枚葉式熱処理装置
US20030087522A1 (en) * 2001-11-08 2003-05-08 Advanced Micro Devices, Inc. Method of forming reliable Cu interconnects

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002134429A (ja) * 2000-10-12 2002-05-10 Applied Materials Inc 基板処理装置用のベアリングカバー、基板処理装置および熱処理方法
US8658945B2 (en) * 2004-02-27 2014-02-25 Applied Materials, Inc. Backside rapid thermal processing of patterned wafers
KR20070041959A (ko) * 2005-10-17 2007-04-20 삼성전자주식회사 플라즈마 처리설비
US20070241454A1 (en) * 2006-04-13 2007-10-18 Jun-Ming Chen Capture ring
US8222574B2 (en) * 2007-01-15 2012-07-17 Applied Materials, Inc. Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber
US20090260982A1 (en) * 2008-04-16 2009-10-22 Applied Materials, Inc. Wafer processing deposition shielding components

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01319934A (ja) * 1988-05-09 1989-12-26 Siemens Ag 電磁放射照射による半導体円板の急速熱処理方法
JP2000323487A (ja) * 1999-05-14 2000-11-24 Tokyo Electron Ltd 枚葉式熱処理装置
US20030087522A1 (en) * 2001-11-08 2003-05-08 Advanced Micro Devices, Inc. Method of forming reliable Cu interconnects

Also Published As

Publication number Publication date
CN104584192A (zh) 2015-04-29
KR102117234B1 (ko) 2020-06-01
WO2014035957A1 (en) 2014-03-06
CN104584192B (zh) 2018-03-30
TW201413868A (zh) 2014-04-01
TWI600108B (zh) 2017-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9905443B2 (en) Reflective deposition rings and substrate processing chambers incorporating same
KR101921199B1 (ko) 램프 조립체를 이용한 기판 하부의 오프­각도형 가열
KR102108224B1 (ko) 원뿔형 석영 돔을 통해 투과되는 광을 제어하기 위한 광학계
TWI568875B (zh) 沉積室的邊緣環
KR20170030581A (ko) 화학 기상 증착 반응기에서의 서셉터의 설계
US10903067B2 (en) Cooled reflective adapter plate for a deposition chamber
US20150368829A1 (en) Substrate thermal control in an epi chamber
US20160336205A1 (en) Absorbing lamphead face
US9832816B2 (en) Absorbing reflector for semiconductor processing chamber
KR102117234B1 (ko) 반사성 증착 링들 및 그를 포함하는 기판 프로세싱 챔버들
US9117858B2 (en) Heater block and heat treatment apparatus having the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant