TWI568875B - 沉積室的邊緣環 - Google Patents

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戈埃爾艾希思
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Description

沉積室的邊緣環
此處揭露的實施例關於半導體處理。特別地，此處揭露的實施例關於用在半導體基板的材料與熱處理之設備和方法。
材料製程與熱製程於半導體製造中十分常見，這是為了在基板上製造電子設備。在電子設備製造製程中，半導體基板常受限於材料製程，該材料製程包括了沉積、植入或蝕刻，而熱製程可能在該材料製程之前、中或後進行。在某些熱製程中，基板利用輻射源，如電燈來加熱，該等輻射源導向輻射能至基板以加熱先前沉積的材料、退火，及/或在材料製程之後，於基板上進行快速熱製程。然而，該熱製程通常進行於分開的腔室，該腔室需要移轉基板至另一腔室。在材料製程期間，基板可被加熱。然而，包含於基板中的大量的熱能可能會散失至腔室組件與傳導設備，如機械葉片，此舉降低了設備製造製程的效率且增加了製程時間。機器利用率，即機器運作以處理基板的時間，在減少每一製造晶片的成本中，是一個關鍵因素。從而，存在著對更有效的半導體 設備製造製程及設備的持續性需求。
揭示者為用於單一腔室中之基板材料與熱處理設備和方法。在一個實施例中，設置有邊緣環。該邊緣環包括環形主體，該環形主體具有內周邊邊緣、第一表面與相對於該第一表面的第二表面；第一突起構件，該第一突起構件實質正交地自第二表面延伸出；第二突起構件，該第二突起構件自鄰近該第一突起構件的第二表面延伸出，且由第一凹陷與該第一突起構件分離；及第三突起構件，該第三突起構件自鄰近該第二突起構件的該第二表面延伸出，且由第二凹陷分離，該第二凹陷包含傾斜表面，該傾斜表面具有反射率值，該反射率值不同於該第一表面的反射率值，該傾斜表面配置以沿徑向向內導向光能量。
在另一個實施例中，設置有邊緣環。該邊緣環包括環形主體，該環形主體具有內周邊邊緣、第一表面與相對於該第一表面的第二表面；第一突起構件，該第一突起構件自該第二表面延伸出，該第二表面界定鄰近該內周邊邊緣的平面表面；第二突起構件，該第二突起構件自該第二表面延伸出，由該第一突起構件沿徑向向外，並由第一凹陷與該第一突起構件分離；第三突起構件，該第三突起構件自該第二表面延伸出，由該第二突起構件沿徑向向外，並由第二凹陷分離；及凹陷凸緣，該凹陷凸緣由該第三突起構件沿徑向向外佈設，該凹陷凸緣包括表面，該表面平行於該第一表面的平面，且實質正交至該主體的外周邊表面。
在另一個實施例中，設置有邊緣環。該邊緣環包括環形主體，該環形主體具有內周邊邊緣、第一表面與相對於該第一表面的第二表面；第一突起構件，該第一突起構件正交地自該第二表面延伸出，該第二表面界定鄰近該內周邊邊緣的平面表面，該內周邊邊緣實質平行於該第一表面；第二突起構件，該第二突起構件自該第二表面延伸出，由該第一突起構件沿徑向向外，並由第一凹陷與該第一突起構件分離，該第二突起構件具有第一側與第二側；第三突起構件，該第三突起構件自該第二表面延伸出，由該第二突起構件沿徑向向外，並由第二凹陷分離，該第二凹陷包含錐形平面表面，該錐形平面表面佈設於平面，該平面具有角度，該角度實質正交於該第二突起構件的該第二側的表面；及凹陷凸緣，該凹陷凸緣由該第三突起構件沿徑向向外佈設，該凹陷凸緣包含表面，該表面實質正交於該主體的外周邊表面。
100‧‧‧沉積室
102‧‧‧上側牆
103‧‧‧下側牆
104‧‧‧蓋部
105‧‧‧主體
106‧‧‧內部體積
107‧‧‧連接器版
108‧‧‧台座
109‧‧‧基板傳輸埠
110‧‧‧氣源
112‧‧‧泵送設備
114‧‧‧濺射源
116‧‧‧源組件
118‧‧‧台座
120‧‧‧屏蔽管
121‧‧‧管狀主體
122‧‧‧凹部
123‧‧‧肩部區域
124‧‧‧錐形表面
126‧‧‧屏蔽環
127‧‧‧環形側牆
128‧‧‧凹部
129‧‧‧貫通孔
130‧‧‧徑向凸緣
132‧‧‧突出
134‧‧‧凹陷凸緣
136‧‧‧邊緣環
138‧‧‧基板
140‧‧‧升舉銷
142‧‧‧傳動器
144‧‧‧基板接收表面
146‧‧‧熱控渠道
148‧‧‧反射鏡環
150‧‧‧燈
152‧‧‧凹表面
154‧‧‧冷卻劑源
200‧‧‧主體
210‧‧‧內直徑
220‧‧‧外直徑
230A‧‧‧延伸部分
230B‧‧‧延伸部分
230C‧‧‧延伸部分
235‧‧‧圓周面
240‧‧‧內周邊表面
245‧‧‧過渡表面
250‧‧‧上表面
300‧‧‧第一表面
305‧‧‧第一傾斜表面
310‧‧‧第二傾斜表面
315‧‧‧平面表面
320A‧‧‧第一凹陷
320B‧‧‧第二凹陷
400‧‧‧第二表面
405A‧‧‧第一突起構件
405B‧‧‧第二突起構件
405C‧‧‧第三突起構件
407‧‧‧表面
408‧‧‧外周邊表面
410A‧‧‧頂點
410B‧‧‧頂點
420‧‧‧背側
425‧‧‧塗層
430A‧‧‧主要能量
430B‧‧‧第二能量
435A‧‧‧第一側
435B‧‧‧第二側
415‧‧‧凹陷
438‧‧‧錐形平面表面
440‧‧‧角度
445‧‧‧角度
450‧‧‧角度
簡要總結於上之本發明的更特定描述，可由參照實施例而獲得(一些實施例描繪於附圖中)，以便本發明以上列舉的特徵能為詳盡地理解。然而，應當注意該附圖僅繪示本發明的典型實施例，因本發明可採納其他同樣有效的實施例，故不考慮該附圖領域的限制。
第1圖為依照一個實施例的腔室的示意剖面圖。
第2圖為示於第1圖之邊緣環的一個實施例的上視圖。
第3圖為沿著第2圖剖面線3-3之邊緣環的主體的 剖面圖。
第4圖為示於第3圖之邊緣環的主體的部份放大剖面圖。
為了便於理解，在可能的情況下，相同的標號被使用以指明相同的元件，該元件在各圖中是共通的。可以預期的是，在一個實施例中揭示的各元件可被有利地使用於其它實施例裏而無須特定詳述。
第1圖為依照一個實施例的沉積室100的示意剖面圖。沉積室100具有上側牆102、下側牆103及蓋部104，上側牆102、下側牆103及蓋部104界定了包圍內部體積106於其中的主體105。連接器版107可被佈設於該上側牆102與下側牆103間。基板支撐，比如台座108，佈設於該沉積室100的內部體積106中。基板傳輸埠109形成於下側牆103中，以用來移轉基板進出內部體積106。
在一實施例中，沉積室100包含濺射腔室，也被稱為物理氣相沉積(PVD)腔室，能夠在基板上沉積，比如，鈦、氧化鋁、鋁、銅、鉭、氮化鉭、鎢或氮化鎢等。適合的物理氣相沉積腔室例子包括ALPS® Plus與SIP ENCORE®物理氣相沉積處理腔室，兩者皆可自加州聖克拉拉市的Applied Materials,Inc.購置。可以預期的是來自其他製造商的現有處理腔室，也可利用此處描述的實施例。
在一個沉積製程中，製程氣體可能會自氣源110流至該內部體積106。內部體積106的壓力可以由泵送設備112 來控制，該泵送設備112與內部體積106相連通。蓋部104可支撐濺射源114，比如靶材。濺射源114可耦接至源組件116，該源組件116包含磁鐵與供給濺射源114的電源。準直器118可被定位於內部體積106裏，介於濺射源114與台座108間。屏蔽管120可鄰近該準直器118與蓋部104的內部。準直器118包括複數個孔，以在內部體積106內導向氣體及/或物質流。該準直器118可機械地及電氣地耦接至屏蔽管120。在一個實施例中，準直器118機械地耦接至屏蔽管120，例如由焊接製程，使得準直器118整合至該屏蔽管120。在另一個實施例中，準直器118可在腔室100內電氣地浮動。在另一個實施例中，準直器118可耦接至電源及/或電氣地耦接至沉積室100的主體105的蓋部104。
屏蔽管120可包括管狀主體121，該管狀主體121具有凹部122形成於該管狀主體121的上表面。凹部122提供連接介面於該準直器118的下表面。屏蔽管120的管狀主體121可包括肩部區域123，該肩部區域123具有內直徑，而該內直徑小於管狀主體121其餘部分之內直徑。在一個實施例中，管狀主體121的內表面沿徑向向內轉變，沿著錐形表面124轉變至肩部區域123的內表面。屏蔽環126可佈設在腔室中，鄰近屏蔽管120及屏蔽管120與連接器版107的中間。屏蔽環126可至少部分地佈設在凹部128中，該凹部128由屏蔽管120的肩部區域123之相對側及連接器版107的內部體積側牆所形成。貫通孔129也形成於連接器版107中。該等貫通孔129讓流體與凹部128聯通，以經由內部體積106 提供增加的氣流。
一態樣，屏蔽環126包括軸向投影的環形側牆127，該環形側牆127包括比屏蔽管120的肩部區域123之外直徑大的內直徑。徑向凸緣130由環形側牆127延伸出。相對於屏蔽環126的環形側牆127之內側直徑表面，徑向凸緣130可形成於一角度，該角度約大於90度(90°)。徑向凸緣130包括突出132，該突出132形成於徑向凸緣130的下表面上。突出132可以是圓形脊，由徑向凸緣130的表面沿一方向延伸出，該方向實質地平行於屏蔽環126的環形側牆127之內直徑表面。突出132一般適合於與凹陷凸緣134配對，該凹陷凸緣134形成於佈設在台座108上的邊緣環136。該凹陷凸緣134可以是形成於該邊緣環136的圓型槽。突出132與凹陷凸緣134的嚙合對準屏蔽環126中心關於台座108的縱軸。基板138(顯示支撐於升舉銷140之上)由界於台座108與機器人刀刃(未繪示)間的協調定位校準而居中於相對於台座108的縱軸。在這種方式下，基板138可被居中於沉積室100內，且該屏蔽環126可在處理中，徑向地居中於基板138。
在操作上，具有基板138於其上的機器人刀刃(未繪示)，通過該基板傳輸埠109而延伸。台座108可降低以允許基板138被移轉至由台座108延伸的升舉銷140。台座108及/或升舉銷140的升降可由傳動器142所控制，該傳動器142耦接至台座108。基板138可被降至台座108的基板接收表面144上。藉基板138定位於台座108的基板接收表面144上，濺鍍沉積可被執行於基板138上。在處理中，邊緣環 136可以是與基板138電絕緣。因此，基板接收表面144可包括高度，該高度大于鄰近基板138的邊緣環136之部分高度，使得基板138免於接觸該邊緣環136。在濺鍍沉積過程中，基板138的溫度可由使用佈設在台座108的熱控渠道146來控制。
在濺鍍沉積之後，基板138可由使用升舉銷140而被提升高度至與台座108分開的位置。該被提升高度後的位置可鄰近於屏蔽環126及鄰近連接器版107的反射鏡環148兩者或其一。連接器版107包括一或多盞燈150，該等燈150連結至反射鏡環148的下表面及連接器版107的凹表面152中間。該等燈150在可見光波長或近可見光波長，例如在紅外線(IR)及/或紫外線(UV)光譜，提供光學及/或輻射能量。該能量由燈150處沿徑向向內聚焦，朝向基板138的背側(即，下表面)以加熱基板138與基板138上沉積材料。圍繞基板138的腔室組件上之反光表面，例如連接器版107的凹表面152，幫助該能量朝向基板138的背側聚焦及遠離其他腔室元件，在其他腔室元件處能量可能會散失及/或不被利用。連接器版107可耦接至冷卻劑源154，以控制加熱過程中連接器版107的溫度。
基板138可在幾秒內被加熱至約攝氏300度至攝氏400度的第一溫度，例如約攝氏350度。基板138加熱至該第一溫度可助成回流製程或一矽化製程。該回流製程被用來減少金屬懸垂於基板138的凹槽處。矽化製程可被用來驅動金屬與矽元素間的反應。
形成於連接器版107的貫通孔129在處理中也可被用在增加氣體導電性。每一貫通孔129可包括約0.40英吋至0.55英吋的直徑，而該連接器版107可包括約30至70個貫通孔129。在處理中，在反射鏡環148與徑向凸緣130間縫隙的氣流結合通過貫通孔129的氣流，在約攝氏400度下，提供了約14.22的合計的電導值。
揭示於此的加熱方法具有關於金屬沉積製程的優點。當金屬被沉積在基板表面時，該表面獲得反射性。光學及/或輻射能量的吸收通常會在金屬化表面減少。金屬化表面的放射與加熱金屬化表面的反側表面，例如基板背側，相比不太有效。相對於加熱該金屬化表面，改良的矽元素能量吸收改進了熱處理製程的能量效率。
在加熱基板至第一溫度後，該基板138降低至台座108的基板接收表面144上之位置。經由傳導，利用台座108中的熱控渠道146，基板138能被快速冷卻。基板的溫度可在約數秒至一分鐘裏，自該第一溫度下降至第二溫度。第二溫度可以是室溫，例如約攝氏23度至約攝氏30度，比如約攝氏25度。基板138可經該基板傳輸埠109，自沉積室100移除，以利續處理。
第2圖為示於第1圖之邊緣環136的一個實施例的上視圖。邊緣環136包括主體200，該主體200為環形或環狀的。主體200可由陶瓷材料，例如三氧化二鋁氧化物(Al2O3)所製造，且由燒結製程所形成。該主體200包含內直徑210與外直徑220。內直徑210略小於基板138(示於第1圖)的 直徑，外直徑220大於或等同於台座108(示於第1圖)的外尺寸。
主體200可包括一或多個延伸部分230A、230B與230C。延伸部分230A-230C可被配置為方向特徵，該等方向特徵由主體200的內直徑210沿徑向向內延伸。一態樣，延伸部分230A-230C被配置以銜接連接的方向特徵，例如凹陷或佈設於台座108(示於第1圖)上的其他結構(未繪示)。延伸部分230A-230C適於在關於台座108的特定方向，就坐該邊緣環136的主體200。此舉允許邊緣環136自台座108移開而為清洗或替換，及安裝於台座108上而確保在邊緣環136與台座108間正確對齊。每一延伸部分230A-230C包括圓周面235，該圓周面235自主體200的內周邊表面240沿徑向向內延伸。圓周面235與主體200由在圓周面235每一側的過渡表面245連接。過渡表面245可為尖角或成型表面，例如導角的、圓形的或錐形的表面。每一延伸部分230A-230C也可包括上表面250，該上表面250與邊緣環136的主體200共面。上表面250可為實質平面的，圓周面235可自上表面250的平面約90度，向下(於Z軸方向)延伸。圓周面235可為圓形並包括界於過渡表面245間的外徑，該外徑實質相似於主體200的內周邊表面240的半徑。可作為選擇性地，該圓周面235可以是平的或平面的介於過渡表面245間。
在一個實施例中，每一延伸部分230A-230C沿主體200實質相同地角度間隔(例如，約120度)。在另一個實施例中，角度界於至少延伸部分230A-230C其中之二，例如角 度α介於延伸部分230B與230C，該角度小於介於鄰近延伸部分間的角度，例如角度β介於延伸部分230A與延伸部分230B及230C間。例如，角度α可約在90度至100度，而角度β可為約130度至135度。延伸部分230A-230C可被用來當作索引特徵，以確保邊緣環136坐落在關於台座108的特定方向。
第3圖為沿著第2圖剖面線3-3之邊緣環136的主體200的剖面圖。主體200含第一表面300(即，下表面)與在第一表面300反側的複數個傾斜表面305與310。主體200也包括高度尺寸，該高度尺寸由第一傾斜表面305與第二傾斜表面310的一或二個頂點界定。平面表面315界定在主體200的內周邊表面240的上表面上。平面表面315可實質平行於台座108(示於第1圖)的基板接收表面144。第一凹陷320A形成於平面表面315與第一傾斜表面305間。第二凹陷320B形成於第一傾斜表面305與該第二傾斜表面310間。第一傾斜表面305與第二傾斜表面310至少一個界定了一或多個反射表面，該等反射表面可被利用在基板加熱製程中，朝向基板138(示於第1圖)的背側反射光學及/或輻射能量。
第4圖為示於第3圖之邊緣環136的主體200的部份放大剖面圖。參照主體200的內周邊表面240並沿徑向向外運動，邊緣環136包含第二表面400(即，上表面)，該第二表面400由第一突起構件405A、第二突起構件405B與第三突起構件405C所界定。上表面400也包括第一凹陷320A，該凹陷320A設置於第一突起構件405A與第二突起構 件405B間；及第二凹陷320B，該第二凹陷320B設置於第二突起構件405B與第三突起構件405C間。上表面400也包括第四凹陷(凹陷凸緣134)，該第四凹陷被用於與屏蔽環126(示於第1圖)的突出132嚙合，該第四凹陷用以對正屏蔽環126中心於台座108的縱軸，如上所述。第三突起構件405C可包含頂點410A，該頂點410A可實質上等同於第二突起構件405B的頂點410B之高度。頂點410A與410B可以是平的，如頂點410A所示，或是圓的，如頂點410B所示。一態樣，該凹陷凸緣134包含表面407，該表面407實質正交於主體200的外周邊表面408。表面407也可被佈設於平面，該平面實質平行於頂點410A的平面及/或第一表面300的平面。第一表面300也可包括凹陷415，該凹陷415沿徑向向內，由主體200的內周邊表面240沿伸出。
如上所述，第一突起構件405A包括平面表面315，濺鍍沉積製程中，該平面表面315為基板138(示於虛線主體)所重疊。然而，在熱製程中，例如上文所述的回流製程或矽化製程，基板138抬升至台座108(示於第1圖)與邊緣環136之上，該邊緣環136仍留在台座108上。能量由佈設在連接器版107上的燈150(兩者皆示於第1圖)導向至基板138的背側420。在該熱製程中，依據基板138相對於燈150及/或連接器版107的位置，一部分能量由燈150處間接地，沿徑向向內，朝基板138的背側420聚焦。腔室組件，例如連接器版107的凹表面152(示於第1圖)上的反射表面及邊緣環136的一或多個反射表面，朝基板138的背側420聚焦該 能量。
主體200由陶瓷材料所製成且通常包括約0.75至0.83的發射率。該第二表面400因此包括塗層425，該塗層425較主體200更具反射性，該塗層425被用來由燈150至基板的背側420，反射主要能量430A。塗層425可為反射金屬材料，例如鈦、鉭、鎢、鋁、銅、前述物質之合金或前述物質之衍生物，包括金屬材料的氧化物和氮化物。在一個實施例中，塗層425包含與濺射源114(第1圖)相同的材料。塗層425可被佈設在第一突起構件405A的部份至第三突起構件的頂點410A，或在第一突起構件405A的部份至第三突起構件的頂點410A間的任何部份。塗層425的反射率值可進一步由在熱製程中提高的溫度增強。一態樣，塗層425的反射率值約在70%至90%，取決於入射角度及/或熱製程的溫度。
在一個實施例中，塗層425在使用邊緣環136於沉積室100(第1圖)前，沉積在邊緣環136的選定部分，使得平面表面315、頂點410A及/或表面407裸露(即，不為塗層425所覆蓋)。藉由習知的沉積方法，例如物理氣相沉積或化學氣相沉積(CVD)，金屬材料可被沉積在第二表面400上，或第二表面400的部份，以形成該塗層425。第二表面400可為完全地塗覆，與其他組件，例如平面表面315及/或凹陷凸緣134，交界的部份可早於邊緣環136使用前被屏蔽或清洗。部分第一傾斜表面305與第二傾斜表面310可以被粗化以增加塗層425的附著性。例如，第一傾斜表面305與第二傾斜表面310，或前述各者之部份可由噴砂或其它製程被粗化，以在 塗層425沉積前，包括平均或中間表面粗糙度，該粗糙度約在75Ra至120Ra。
在另一個實施例裏，在基板138上的濺鍍沉積製程中，塗層由濺射源114(示於第1圖)所沉積。在此實施例中，平面表面315在濺鍍沉積過程中由基板138所屏蔽。當凹陷凸緣134通常不在濺射源114與沉積材料的射線上時，凹陷凸緣134的表面407不接收沉積物。此外，在濺鍍沉積過程中，表面407可由屏蔽環126所屏蔽。如上所述，部份第一傾斜表面305與第二傾斜表面310可被粗化以增加塗層425的附著性。
一態樣，第一傾斜表面305與第二傾斜表面310包括特定角度以接收由燈150處來的主要能量430A並提供被重導向的第二能量430B，該第二能量430B被聚焦於該基板138的背側420之不同部份。例如，第二突起構件405B可包括第一側435A與第二側435B，該第二側435B包含第一傾斜表面305。在一個實施例中，介於第一側435A與第二側435B的角度440可約在35度至30度，或更小。一態樣，介於第二側435B與垂直面(即，實質正交於第一表面300之平面)的角度445約在15度至10度，或更小。同樣地，第二傾斜表面310可包含錐形平面表面438，該錐形平面表面438佈設在相對於第一表面300之平面的銳角上。在一個實施例中，該錐形平面表面438之平面設置於相對於第一表面300之平面約15度至25度的角度450上。一態樣，第二側435B的表面可為實質正交於錐形平面表面438之平面，該錐形平面表面438 之平面包括約80度至90度的角度。當以上描述的設備由本發明的特定實施例角度描述時，基於熱及/或基板上沉積均勻性考量，本發明的某些態樣可被最佳化。例如，基於主要能量430A的入射角度，角度440、445與450可被最佳化以接收由燈150處來的主要能量430A，且在熱製程中，基於上表面400相對於基板138的已知位置的幾何形狀，導向被反射的第二能量430B於所需的入射角度。第二突起構件405B的高度及/或角度方向也可基於薄膜厚度均勻性而被最佳化。
從而，沉積室設置以可用於材料沉積於基板的第一側及放射於相對於該基板的第一側之該基板的第二側。這樣的沉積室可以是雙功能腔室，能在基板上同時進行材料沉積製程與熱製程，而無須由該腔室移開基板，從而減少由沉積室至週邊熱處理腔室，傳送基板所需要的時間。沉積室具有位於沉積室的週邊區域的光能量部件(例如，燈)，且具有一或多個反射表面(例如，該連接器板材與邊緣環)的一或多個腔室組件，朝基板的背側聚焦光學及/或輻射能量。詳言之，塗層佈設於邊緣環的一部分上以提供一或多個反射表面。該塗層可包含金屬材料，該金屬材料在沉積室裏，由塗層製程在不同處被使用，或在濺鍍沉積製程過程中於同處被使用。本發明的實施例藉由允許光學及/或輻射能量，利用熱製程提升的溫度來衝擊該塗層，以增加塗層的反射性並反射光學及/或輻射能量至基板的背側，能量可輕易地被吸收於該側。進一步，邊緣環的幾何形狀改進了反射能量的入射角以促進反射能量的管控，從而管控基板的溫度。
雖然上述內容被導引至本發明的實施例，但其他及進一步的本發明的實施例可在不偏離本發明的基本範圍下設計。
134‧‧‧凹陷凸緣
136‧‧‧邊緣環
138‧‧‧基板
200‧‧‧主體
240‧‧‧內周邊表面
300‧‧‧第一表面
305‧‧‧第一傾斜表面
310‧‧‧第二傾斜表面
315‧‧‧平面表面
320A‧‧‧第一凹陷
320B‧‧‧第二凹陷
400‧‧‧第二表面
405A‧‧‧第一突起構件
405B‧‧‧第二突起構件
405C‧‧‧第三突起構件
407‧‧‧表面
408‧‧‧外周邊表面
410A‧‧‧頂點
410B‧‧‧頂點
420‧‧‧背側
425‧‧‧塗層
430A‧‧‧主要能量
430B‧‧‧第二能量
435A‧‧‧第一側
435B‧‧‧第二側
415‧‧‧凹陷
438‧‧‧錐形平面表面
440‧‧‧角度
445‧‧‧角度
450‧‧‧角度

Claims (18)

  1. 一種邊緣環，包含：一環形主體，具有一內周邊邊緣、一第一表面及相對於該第一表面的一第二表面；一第一突起構件，該第一突起構件鄰近該內周邊邊緣，且該第一突起構件實質正交地自該第一表面延伸出；一第二突起構件，自該第二表面延伸出，該第二表面鄰近該第一突起構件，並藉由一第一凹陷而與該第一突起構件分離，該第一凹陷具有平行於該第一表面的一平面表面，該平面表面直接與該第二突起構件的一傾斜表面直接相交；及一第三突起構件，自該第二表面延伸出，該第二表面鄰近該第二突起構件，並由一第二凹陷分離，該第二凹陷包含一錐形平面表面，該錐形平面表面具有一反射率值，該反射率值不同於第一表面的一反射率值，該錐形平面表面提供一入射角度，該入射角度經配置以將光能量沿該錐形平面表面的一整體徑向向內導向，其中該錐形平面表面以相對於該第一表面的一平面約15度至約25度的一角度定向；及其中該第二突起構件與該第三突起構件皆於該第一突起構件之上延伸，及該第二突起構件與該第三突起構件延伸至一實質相等的高度。
  2. 如請求項1所述之邊緣環，其中該環形主體包含一陶 瓷材料。
  3. 如請求項2所述之邊緣環，其中該錐形平面表面塗覆一金屬材料。
  4. 如請求項3所述之邊緣環，其中該金屬材料為一含銅材料。
  5. 如請求項2所述之邊緣環，其中該錐形平面表面包括一中間表面粗糙度，該中間表面粗糙度約在75Ra至120Ra間。
  6. 如請求項2所述之邊緣環，其中該第二凹陷與錐形平面表面包括一中間表面粗糙度，該中間表面粗糙度約在75Ra至120Ra間。
  7. 如請求項2所述之邊緣環，其中該第二表面包括一中間表面粗糙度，該中間表面粗糙度約在75Ra至120Ra，介於該第一凹陷與第三突起構件間。
  8. 如請求項1所述之邊緣環，其中該環形主體包含一燒結的陶瓷材料，該錐形平面表面包含一塗層，該塗層包含一含銅材料。
  9. 如請求項1所述之邊緣環，進一步包含複數個延伸部，該等延伸部佈設在該環形主體的內周邊邊緣上。
  10. 一種邊緣環，包含：一環形主體，具有一內周邊邊緣、一第一表面及相對於該第一表面的一第二表面；一第一突起構件，自該第二表面延伸出，該第二表面界定與該內周邊邊緣相交的一平面表面； 一第二突起構件，自該第二表面延伸出，由該第一突起構件沿徑向向外，並藉由一第一凹陷而與該第一突起構件分離，該第一凹陷具有平行於該第一表面的一平面表面，該平面表面直接與該第二突起構件的一傾斜表面直接相交；一第三突起構件，自該第二表面延伸出，由該第二突起構件沿徑向向外，並由一第二凹陷分離，該第二凹陷具有沿該第二突起構件與該第三突起構件之間的一距離設置的一平面表面，該平面表面以相對於該第一表面的該平面的一銳角設置，其中該銳角係相對於該第一表面的該平面約15度至約25度；及一凹陷凸緣，由該第三突起構件沿徑向向外佈設，該凹陷凸緣包含一表面，該表面平行於該第一表面之一平面且實質正交於該環形主體表面的一外周邊，及其中該第二突起構件與該第三突起構件皆於該第一突起構件之上延伸，及該第二突起構件與該第三突起構件延伸至一實質相等的高度。
  11. 如請求項10所述之邊緣環，其中該平面表面包含一反射率值，該反射率值不同於該第一表面的一反射率值。
  12. 如請求項10所述之邊緣環，其中該平面表面包括約75Ra至120Ra的一中間表面粗糙度。
  13. 如請求項10所述之邊緣環，其中介於該第一凹陷與第三突起構件的一頂點間的一區域包括一中間表面粗糙度，該中間表面粗糙度約75Ra至120Ra的。
  14. 如請求項10所述之邊緣環，其中該平面表面塗覆一金屬材料。
  15. 一種邊緣環，包含：一環形主體，具有一內周邊邊緣、一第一表面及相對於該第一表面的一第二表面；一第一突起構件，自該第一表面正交地延伸出，該第一表面界定與內周邊邊緣相交的一平面表面，該內周邊邊緣實質平行於該第一表面；一第二突起構件，自該第二表面延伸出，由該第一突起構件沿徑向向外，並由一第一凹陷與該第一突起構件分離，該第二突起構件具有一第一側與一第二側，及該第一凹陷具有平行於該第一表面的一平面表面，該平面表面直接與該第一側的一傾斜表面直接相交；一第三突起構件，自該第二表面延伸出，由該第二突起構件沿徑向向外，並由一第二凹陷分離，該第二凹陷包含一平面表面沿該第二突起構件與該第三突起構件之間的一距離設置，該平面表面佈設於一平面，該平面具有一角度，該角度實質正交於該第二突起構件的該第二側的一表面，其中該平面表面以相對於該第一表面的該平面約15度至約25度 的一角度定向；及一凹陷凸緣，由該第三突起構件沿徑向向外佈設，該凹陷凸緣包含一表面，該表面實質正交於該主體的一外周邊表面，及其中該第二突起構件與該第三突起構件皆於該第一突起構件之上延伸，及該第二突起構件與該第三突起構件延伸至一實質相等的高度。
  16. 如請求項15所述之邊緣環，其中該平面表面塗覆一金屬材料。
  17. 如請求項15所述之邊緣環，其中介於第一凹陷與第三突起構件的一頂點間的一區域包括約75Ra至120Ra的一中間表面粗糙度。
  18. 如請求項17所述之邊緣環，其中該區域塗覆一金屬材料。
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