TW201310564A - 靜電夾頭及半導體／液晶製造設備 - Google Patents

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Abstract

一種靜電夾頭包括：一夾頭作用部份包括多數夾頭區域於其上分別放置可吸引物體，以及一凹面部份設置在該等夾頭區域之一外區域中；及，多數電極，其分別配置在對應於該等夾頭區域之該夾頭作用部份之一內部份中，以及對應於該凹面部份之該夾頭作用部份之一內部份中。

Description

靜電夾頭及半導體/液晶製造設備 領域
本發明係有關於一種使用在用以吸住例如供邏輯裝置使用之晶圓、記憶體裝置、LED、LD等之一可吸引物體之一機構等中的靜電夾頭，及一種包括該靜電夾頭之半導體/液晶製造設備。
背景
在習知技術中，在用於半導體晶圓製程等中之例如乾式蝕刻設備、CVD設備等的半導體製造設備中，設有靜電夾頭，且一晶圓被靜電吸引且被放置在該靜電夾頭上以便控制在各種程序中之晶圓溫度。
例如，該乾式蝕刻設備具有該靜電夾頭，且該靜電夾頭被冷卻使得一晶圓溫度不會因電漿程序而上升超過一規定值。因此，該晶圓係以一晶圓溫度一致地保持在某一溫度之情形下冷卻。
相關技術係揭露在日本公開專利公報第2005-64460號及日本公開專利公報第2011-114178號中。
如在稍後所述之引文段中所說明地，有一種靜電夾頭，其具有多數夾頭區域，且一用以運送該等晶圓之托盤係配置在一凹面部份上，並且該凹面部份係設置在該等夾頭區域之一外區域中。在這靜電夾頭應用於該蝕刻設備之情況下，因為該托盤未被吸在該靜電夾頭上，所以該托盤 之溫度上升得比該晶圓之溫度高很多。
因此，該晶圓之周邊部分之溫度上升，使得蝕刻特性在整個晶圓中改變且因此造成產率減少。又，在該托盤之溫度變高之情形下容易發生運送該等晶圓之問題。因此，該托盤之運送必須等待到該托盤冷卻為止。因此，存在該蝕刻程序之生產量減少且產生效率亦變差的問題。
概要
依據以下揭露之一方面，提供一種靜電夾頭，其包括：一夾頭作用部份，其包括多數夾頭區域及一凹面部份，且一可吸引物體分別放在該等夾頭區域上，並且該凹面部份設置在該等夾頭區域之一外區域中；及多數電極，其分別配置在對應於該等夾頭區域之該夾頭作用部份之一內部份及對應於該凹面部份之該夾頭作用部份之一內部份中。
依據以下揭露之另一方面，提供一種半導體/液晶製造設備，其包括一室，一放置於該室中之靜電夾頭，及一用以運送一可吸引物體之托盤，其中該靜電夾頭包括：一夾頭作用部份，其包括多數夾頭區域及一凹面部份，且一可吸引物體分別放在該等夾頭區域上，並且該凹面部份設置在該等夾頭區域之一外區域中；及多數電極，其分別配置在對應於該等夾頭區域之該夾頭作用部份之一內部份，及對應於該凹面部份之該夾頭作用部份之一內部份中，且該托盤在對應於該等夾頭區域中之一部份包括一開口部份， 且該托盤配置在該靜電夾頭之該凹面部份上。
本發明之目的及優點將藉由在申請專利範圍特別指出之元件及組合實現及獲得。
應了解的是前述概括說明及以下詳細說明都是示範的及說明的且不會限制所主張之發明。
圖式簡單說明
第1圖是說明一引文之截面圖(#1)；第2圖是說明該引文之截面圖(#2)；第3圖是顯示依據一第一實施例之一靜電夾頭之截面圖；第4圖是顯示依據該第一實施例之靜電夾頭之平面圖；第5圖是顯示多數晶圓藉由在依據該第一實施例之靜電夾頭之一托盤向上升高的截面圖；第6圖是顯示依據一第二實施例之一靜電夾頭之截面圖；第7圖是顯示依據一第三實施例之一靜電夾頭之截面圖；第8圖是顯示依據一第四實施例之一靜電夾頭之截面圖；及第9圖是顯示一包括依據實施例之靜電夾頭之乾式蝕刻設備(一半導體/液晶製造設備)的截面圖。
實施例之說明
以下將參照附圖說明多數實施例。
在說明實施例之前，欲提出作為一基礎之引文將在以下說明。
如第1圖所示，一靜電夾頭100包括多數夾頭區域R。並且一晶圓200放在各夾頭區域R上。多數電極300係分別設置在該靜電夾頭100之夾頭區域R之一內部份中。
又，該靜電夾頭100之各夾頭區域R之一外區域係形成為一凹面部份C。此外，一開口部份400a分別設置在對應於該靜電夾頭100之各夾頭區域R之多數部份中的一體型托盤400係配置在該靜電夾頭100之凹面部份C上。
在一厚度方向上之一下方部份中，該托盤400之各開口部份400a之各側壁設有一突出部份420，且該突出部份420具有一向內突出環狀形狀。多數用以使該托盤400上下移動之頂銷500係如一環地配置在該靜電夾頭100之一周邊部份中。
此外，該靜電夾頭100包括一底板(未顯示)，且該底板中在其底側設有多數冷卻水通道，並且各夾頭區域R係藉由使一冷卻水流過該等冷卻水通道冷卻。又，當電壓施加至該靜電夾頭100之電極300，該等晶圓200藉由一靜電吸引吸在該靜電夾頭100上。
例如，在該靜電夾頭100置於該乾式蝕刻設備中之情形下，在該乾式蝕刻設備之一室中產生電漿，且放在該靜電夾頭100上之多數晶圓200在它們被冷卻之狀態下同時被蝕刻。
如第2圖所示，當該蝕刻結束時，該等頂銷500向上移 動，且因此該托盤400向上移動。接著，各個晶圓200之周邊部份放在該托盤400之突出部份420上，且所有晶圓200向上側升高。然後，載置該等晶圓200之托盤400被一臂部(未顯示)由該室運送至外部。
當該等晶圓200在第1圖所示之狀態中蝕刻時，該托盤400亦暴露於該電漿中。此時，該靜電夾頭100之電極300不存在該托盤400下方，且因此該托盤400保持在該托盤僅放在該靜電夾頭100上之狀態。
因此，該托盤400未被充分地冷卻。因此，該托盤400吸收來自該電漿之熱且成為一高溫狀態。由於其溫度增加之托盤400的影響，在該等晶圓200之周邊側上之溫度上升。因此，各個晶圓200之溫度均一性變差。
因此，在該等晶圓200中造成相對於抗蝕層或下方層之蝕刻速度及選擇比率的變化。因此，這些變化造成該等晶圓200之蝕刻程序之產率減少的情況。
又，當該托盤400之溫度上升至等於或大於100℃，一熱由該托盤400傳送至運送該托盤400之臂部，且因此產生該臂之一熱膨脹。由於這熱膨脹，有時會產生運送該等晶圓之問題。
因此，在該蝕刻程序完成後，該托盤400之運送必須等待到該托盤400冷卻為止。因此，這延遲使在該蝕刻程序中之生產量(每單位時間晶圓加工能力)減少，且生產效率亦變差。
依據以下說明之實施例之靜電夾頭可解決上述優點。
(第一實施例)
第3圖是顯示依據一第一實施例之一靜電夾頭之截面圖，且第4圖是顯示依據該第一實施例之靜電夾頭之平面圖。
如第3圖所示，第一實施例之一靜電夾頭1包括一底板20，及一夾頭作用部份10，且該夾頭作用部份10係藉由例如一矽氧樹脂等之黏著劑黏在該底板20上。
例如，該底板20係由例如鋁等金屬形成，且多數冷卻水通道22設置在該內部份中作為一冷卻機構。例如，該夾頭作用部份10係由例如氧化鋁等陶瓷製成，且具有多數夾頭區域R，並且一晶圓(一可吸引物體)分別放在該等夾頭區域R之表面上。
在各個夾頭區域R中，用以供應一熱傳送氣體之多數氣孔30及以水平方向延伸以連通該等氣孔30之一凹部32係設置在該表面上。許多凸部34係如一島地配置在該凹部32中。一晶圓2接觸在該靜電夾頭1之各夾頭區域R之表面上的許多凸部34，且放在它們上面。
依此方式，形成為與該等氣孔30連通之該凹部32及許多凸部34係設置在該靜電夾頭1之各夾頭區域R之表面上以構成一壓凸形狀(不平坦形狀)。藉此方式，該熱傳氣體通過該凹部32由包括該等氣孔30之氣體通路L均勻地供應至該晶圓2之整個背面。
用以藉由施加一電壓吸引該晶圓2之電極40係分別設置在該靜電夾頭1之各個夾頭區域R之內部份中。較佳地， 該等電極40係由如鎢(W)等之耐高溫金屬製成。
又，該靜電夾頭1之夾頭作用部份10包括一設置在各夾頭區域R之外區域中的凹面部份C。該凹面部份C係形成為由在該等夾頭區域R之間的該區域連接至該等周邊區域，且該等夾頭區域R除外。該凹面部份C之底表面係配置在比該夾頭作用部份10之一上表面低之位置。
又，一開口部份50a分別設置在對應於該靜電夾頭1之夾頭區域R之多數部份中的一體型托盤50係配置在該靜電夾頭1之凹面部份C。在該托盤50之開口部份50a之各側壁之一厚度方向上的一下方部份中，設有環狀突出部份52。
該托盤50係由一金屬製成，例如氧化鋁(Al2O3)，氮化鋁(AlN)，氮化矽(SiN)，碳化矽(SiC)，鋁(Al)等。
多數用以使該托盤50上下移動之頂銷54係如一環地配置在該靜電夾頭1之周邊部份中。
又，一用以限制該電漿在該靜電夾頭1中且由石英製成之集中環56係設置在該靜電夾頭1之外緣部份上。
此外，藉由使例如冷卻水等之冷媒流入在該靜電夾頭1之底板20中之冷卻水通道22，冷卻各個夾頭區域R。
又，在本實施例之靜電夾頭1中，用以藉由施加一電壓吸引該托盤50之多數電極40a係設置在該夾頭作用部份10之內部份，且該內部份係位在該凹面部份C下方，並且該托盤50係配置在該凹面部份C上，使得不僅該等晶圓2，該托盤50亦可充分地冷卻。
該等電極40、40a可由具有一電極之單電極系統形成。 或者，可使用螺旋型、梳齒型之雙電極系統等，且一正(+)電壓及一負(-)電壓可分別施加至該等雙電極。
在第3圖之例子中，一正(+)電壓可施加至供在各夾頭區域R中之晶圓2使用的一電極40，且一負(-)電壓可施加至供該晶圓2使用之另一電極40。又，一正(+)電壓施加至供該托盤50使用之電極40a。
依此方式，當一預定電壓施加至該靜電夾頭1之40、40a時，該晶圓2藉由一靜電吸引吸在該靜電夾頭1上。此時，該托盤50亦被吸在該靜電夾頭1上。
在第4圖中，顯示當由上方觀看時，依據本實施例之靜電夾頭之一結構。在第4圖之例子中，七個夾頭區域R設置在該靜電夾頭1中，且該晶圓2放在各夾頭區域R上。又，該托盤50係配置在多數夾頭區域R以外之加陰影線部份上。
配置該托盤50之區域係構成為該夾頭作用部份10之凹面部份C。供該托盤50使用之該等電極40a(第3圖)係設置在位在該加陰影線下方的區域中。又，四根頂銷54係配置在該靜電夾頭1之周邊部份中，且該集中環56係設置在該靜電夾頭1之外緣部份上。
在該靜電夾頭1放在該乾式蝕刻設備上之情形下，在該室中產生電漿，且接著放在該靜電夾頭1上之多數晶圓2在該等晶圓2被冷卻之狀態下同時被蝕刻。
如第5圖所示，當該蝕刻結束時，該等頂銷54向上移動，且因此該托盤50向上移動。接著，各個晶圓2之周邊部份放在該托盤50之突出部份52上，且所有晶圓2向上側升 高。然後，載置該等晶圓2之托盤50被一臂部(未顯示)由該室運送至外部。
當該等晶圓2在第3圖所示之上述狀態中蝕刻時，該托盤50亦暴露於該電漿中。此時，供該托盤50使用之電極40a係設置在靜電夾頭1中位於該托盤50下方，且因此得到該托盤50被充分地吸在該靜電夾頭1上之一狀態。
因此，類似於該等晶圓2，由該電漿供應至該托盤50之熱透過該靜電夾頭1被輻射至外部，且該托盤50被充分地冷卻。因此，可避免該等晶圓2之周邊部份之溫度在該蝕刻程序時上升之情況，且因此可在各個晶圓2中獲得溫度均一性。
因此，在各個晶圓2中可抑制相對於抗蝕層或下方層之蝕刻速度及選擇比率的變化，且亦可改善在各個晶圓2中之蝕刻程序之產率。
又，由於該托盤50被該靜電夾頭1充分地冷卻，所以可也在該蝕刻程序結束後立即抑制該托盤50之溫度至等於或小於100℃。因此，該托盤50之運送不必等待到該托盤50冷卻為止，且因此該托盤50可在該蝕刻程序完成後立即藉由該臂部運送。
藉此，可以改善該蝕刻程序之生產量(每單位時間晶圓加工能力)，且它可有助於改善生產效率。
此外，該臂部熱膨脹之風險可以消除，且因此該托盤50可藉由該臂部以良好可靠性運送。
在此，該等冷卻水通道22係設置在上述靜電夾頭1之底 板20中，且該靜電夾頭1本身具有該冷卻機構。但是，該靜電夾頭不一定具有該冷卻機構。
在該靜電夾頭沒有該冷卻機構之情形下，該冷卻機構係設置在放置該靜電夾頭之各種製造設備之支持檯中，且該靜電夾頭被放在該支持檯上並且被冷卻。以上構造在以下說明之第二與第三實施例中是類似的。
(第二實施例)
第6圖是顯示依據一第二實施例之一靜電夾頭之截面圖。
在上述第一實施例之第3圖之靜電夾頭1中，使用該熱傳氣體未供應在該托盤50與該靜電夾頭1之間的結構。該第二實施例之一特徵在於一熱傳氣體供應在該托盤與該靜電夾頭之間以改善一冷卻效率。在第6圖中，相同之符號係附加在與第一實施例之構成元件相同之構成元件上且它們的詳細說明將在以下省略。
如第6圖所示，在該第二實施例之一靜電夾頭1a中，用以供應一熱傳送氣體之一氣孔30a及形成為連通該氣孔30a之一凹部32a係設置在配置該托盤50之該凹面部份C的表面上。在該凹面部份C中之氣孔30a係設置為一與在該等夾頭區域R中之氣孔30連接之分支路線。
一例如氦氣等之熱傳氣體係由包括該等氣孔30、30a之氣體通路L供應至與該等氣孔30、30a連通之凹部32、32a。因此，該熱傳氣體可以分別同時供應至該等晶圓2及該托盤50。
藉此，類似於第2圖，可透過該熱傳氣體將由該電漿吸收之該托盤50的熱有效率地釋放至該靜電夾頭1a側，且可有效地冷卻該托盤50。因此，即使在使用高密度電漿以實現微製造之情形下，亦充分地冷卻該托盤50。
(第三實施例)
第7圖是顯示依據一第三實施例之一靜電夾頭之截面圖。在第7圖中，相同之符號係附加在與第一實施例之構成元件相同之構成元件上，且它們的詳細說明將在以下省略。
如在第7圖所示之一靜電夾頭1b，包括該等氣孔30之用以供應一熱傳氣體至該晶圓2的氣體通路L1，及包括該等氣孔30a之用以供應一熱傳氣體至該托盤50的氣體通路L2可以分開，且可設置為獨立分離路線。
藉由如此做，可以在該等晶圓2與該托盤50之間獨立地控制該等熱傳氣體之流速及氣體壓力。因此，可在該等晶圓2與該托盤50之間改變一冷卻效率。例如，這靜電夾頭可依據在該蝕刻特性中之環境、運送之穩定性等，輕易地回應該托盤50必須比該等晶圓2等更確實地冷卻之情形。
(第四實施例)
在上述第一至第三實施例中，說明一種用以冷卻該晶圓之靜電夾頭。如第8圖所示，多數加熱器電極24可設置在該底板20之內部份中作為一加熱機構而不是該等冷卻水通道22，因此可獲得一種用以加熱該晶圓之靜電夾頭1c。
在這種情形中，該熱傳氣體作為一加熱氣體。一電壓由一電源(未顯示)施加至該等加熱器電極24，因此由該等加 熱器電極24產生一熱。因此，該等晶圓2及該托盤50被加熱到一預定溫度。這種用以加熱晶圓之靜電夾頭1c係應用在例如濺鍍設備、電漿CVD設備等之半導體/液晶製造設備中。
在第8圖中，除了該等加熱器電極24設置在該底板20之內部份中而不是該等冷卻水通道22以外，該靜電夾頭1c與在第一實施例中之第3圖之靜電夾頭1相同。
在使用這種用以加熱晶圓之靜電夾頭1c的情形下，由於該等晶圓2及該托盤50被吸在該靜電夾頭1c上，所以該等晶圓2及位在該等晶圓2之周邊中之托盤50係在相同溫度加熱。因此，在加熱該等晶圓2之情形下，亦可改善在該晶圓2中之溫度之均一性，且可改善各種程序之可靠性。
在此，該等加熱器電極24可不設置在該靜電夾頭1c中。在這情形下，該加熱機構係設置在放置該靜電夾頭1c之各種製造設備之支持檯中，因此該靜電夾頭可被它加熱。
又，在使用晶圓被加熱至等於或大於100℃之高溫型靜電夾頭之情形下，較佳的是，為了避免運送該等晶圓之問題，應使用具有足以耐受一加熱溫度之耐熱性之一特殊臂部作為用以運送該托盤50之臂部。
(半導體/液晶製造設備)
接著，以下將說明一包括依據本實施例之靜電夾頭之半導體/液晶製造設備。本實施例之靜電夾頭1、1a、1b或1c可應用於在一半導體裝置或一液晶顯示裝置之製造程序中使用之各種半導體/液晶製造設備中。
在以下說明中，列舉包括在第一實施例中被冷卻之靜電夾頭1之一乾式蝕刻設備作為一例子以給予說明。
第9圖是顯示依據本實施例之乾式蝕刻設備之截面圖。如第9圖所示，一平行板式RIE設備係顯示為一乾式蝕刻設備5。該乾式蝕刻設備5包括一室60，且一下電極70配置在該室60中之下側。
該第一實施例之上述靜電夾頭1係放在該下電極70之表面側上，且多數晶圓2(可吸引物體)係放在該靜電夾頭1上。
一用於施加一RF功率之高頻電源74係與該下電極70及該靜電夾頭1連接。一用以實行該RF功率輸出之匹配的RF匹配器(未顯示)係與該高頻電源74連接。
作為該下電極70之一相對電極之一上電極80係配置在該室60中之上側，且這上電極80接地。一氣體導入管82與該上電極80耦合，且一預定蝕刻氣體被導入該室60中。
一排氣管76與該室60之下部連接，且一真空泵嵌入該排氣管76之末端。藉此，由該蝕刻等產生之一反應產物透過該排氣管76被排放至外部(廢氣處理設備)。
一APC閥78(自動壓力控制閥)係設置在該排氣管76上且靠近該室60。該APC閥78之開度係自動地控制使得該室60之內部保持在一設定壓力。
在本實施例之乾式蝕刻設備5中，一預定蝕刻氣體由氣體導入管82導入該室60中，且該室60之內部係藉由該APC閥78之作用設定在一預定壓力。接著，一RF功率由該高頻 電源74施加至該靜電夾頭1(該下電極70)，且因此在該室60之內部產生電漿。
一負自偏壓係藉由施加該RF功率至該靜電夾頭1而形成在該靜電夾頭1側。因此，在該電漿中之正離子被向該靜電夾頭1加速。依此，形成在該晶圓2上之一蝕刻層被異向性地蝕刻。
在製造LED時，使用一藍寶石基材、一碳化矽(SiC)基材、一氮化鎵(GaN)基材等作為該晶圓2。接著，蝕刻形成在該晶圓2上之各種薄膜同時使用該抗蝕層作為一遮罩。使用一以氟為主之氣體或一以氯為主之氣體作為處理氣體。
如上所述，在本實施例之靜電夾頭1(第3圖等)中，該等電極40a係設置在該靜電夾頭1中且位在該托盤50下方，並且該托盤50被吸在該靜電夾頭1上。藉此，可如該晶圓2一般地充分冷卻該托盤50。
因此，可避免溫度由於該托盤50之溫度上升而在該晶圓2中變化，及用以運送該托盤50之臂部熱膨脹而造成運送問題的情形。
因此，在該各個晶圓2中可抑制相對於該抗蝕層或下方層之該蝕刻層之蝕刻速度及選擇比率的變化。藉此，可抑制在蝕刻後在該等晶圓2中之圖案寬度等之變化，且可改善在該等晶圓2中該蝕刻程序之產率。
又，即使在使用該高密度電漿以實現微製造，亦可抑制該托盤50之溫度上升。因此，可獲得穩定之蝕刻特性。
在第9圖中，顯示本實施例之靜電夾頭1應用於該平行 板式乾式蝕刻設備中。但是本實施例之靜電夾頭1可應用於感應耦合電漿(ICP)式乾式蝕刻設備等。
在此所述之所有例子與條件語言是欲達成教學之目的以協助讀者了解本發明及由發明人貢獻之觀念以便促進該技術，且欲被視為不被限制於這些特別說明之例子及條件，且在說明書中之這些例子的編排方式也與顯示本發明之優劣性無關。雖然本發明之實施例已詳細說明過了，但是應了解的是在不偏離本發明之精神與範疇的情形下，可對其進行各種變化、取代及更改。
1,1a,1b,1c‧‧‧靜電夾頭
2‧‧‧晶圓
5‧‧‧乾式蝕刻設備
10‧‧‧夾頭作用部份
20‧‧‧底板
22‧‧‧冷卻水通道
24‧‧‧加熱器電極
30,30a‧‧‧氣孔
32,32a‧‧‧凹部
34‧‧‧凸部
40,40a‧‧‧電極
50‧‧‧托盤
50a‧‧‧開口部份
52‧‧‧突出部份
54‧‧‧頂銷
56‧‧‧集中環
60‧‧‧室
70‧‧‧下電極
74‧‧‧高頻電源
76‧‧‧排氣管
78‧‧‧APC閥(自動壓力控制閥)
80‧‧‧上電極
82‧‧‧氣體導入管
100‧‧‧靜電夾頭
200‧‧‧晶圓
300‧‧‧電極
400‧‧‧托盤
400a‧‧‧開口部份
420‧‧‧突出部份
500‧‧‧頂銷
C‧‧‧凹面部份
L,L1,L2‧‧‧氣體通路
R‧‧‧夾頭區域
第1圖是說明一引文之截面圖(#1)；第2圖是說明該引文之截面圖(#2)；第3圖是顯示依據一第一實施例之一靜電夾頭之截面圖；第4圖是顯示依據該第一實施例之靜電夾頭之平面圖；第5圖是顯示多數晶圓藉由在依據該第一實施例之靜電夾頭之一托盤向上升高的截面圖；第6圖是顯示依據一第二實施例之一靜電夾頭之截面圖；第7圖是顯示依據一第三實施例之一靜電夾頭之截面圖；第8圖是顯示依據一第四實施例之一靜電夾頭之截面圖；及第9圖是顯示一包括依據實施例之靜電夾頭之乾式蝕 刻設備(一半導體/液晶製造設備)的截面圖。
1‧‧‧靜電夾頭
2‧‧‧晶圓
10‧‧‧夾頭作用部份
20‧‧‧底板
22‧‧‧冷卻水通道
30‧‧‧氣孔
32‧‧‧凹部
34‧‧‧凸部
40,40a‧‧‧電極
50‧‧‧托盤
50a‧‧‧開口部份
52‧‧‧突出部份
54‧‧‧頂銷
56‧‧‧集中環
60‧‧‧室
C‧‧‧凹面部份
L‧‧‧氣體通路
R‧‧‧夾頭區域

Claims (6)

  1. 一種靜電夾頭，包含：一夾頭作用部份其包括多數夾頭區域於其上分別放置可吸引物體，以及一凹面部份設置在該等夾頭區域之一外區域中；及多數電極分別配置在對應於該等夾頭區域之該夾頭作用部份之一內部份中，以及對應於該凹面部份之該夾頭作用部份之一內部份中。
  2. 如申請專利範圍第1項之靜電夾頭，更包含：一底板配置在該夾頭作用部份下方且包括一冷卻機構。
  3. 如申請專利範圍第1項之靜電夾頭，其中多數氣孔配置於該夾具區域與該凹面部份個別的表面中，於該等氣孔中供給一熱傳氣體，且形成與該等氣孔連通之多數凹部。
  4. 如申請專利範圍第3項之靜電夾頭，其中包括設置在該等夾頭區域之表面中之該等氣孔的一氣體通路，及包括設置在該凹面部份之表面中之該等氣孔的一氣體通路，係設置為獨立分開通路。
  5. 一種半導體/液晶製造設備，包含：一腔室；一靜電夾頭放置於該腔室中；及一托盤，用以運送一可吸引物體；其中該靜電夾頭包括： 一夾頭作用部份，包括多數夾頭區域於其上分別放置可吸引物體，以及一凹面部份設置在該等夾頭區域之一外區域中；及多數電極分別配置在對應於該等夾頭區域之該夾頭作用部份之一內部份中，以及對應於該凹面部份之該夾頭作用部份之一內部份中，且該托盤在對應於該等夾頭區域中之一部份處包括一開口部份，且該托盤配置在該靜電夾頭之該凹面部份上。
  6. 如申請專利範圍第5項之半導體/液晶製造設備，其中該靜電夾頭更包括一底板配置在該夾頭作用部份下方且具有一冷卻機構，且該半導體/液晶製造設備是一種乾式蝕刻設備。
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